TWI299514B - Method of processing substrate and chemical used in the same (1) - Google Patents

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1299514 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 液 本發明係有關於基板處理 方法及使用於該方法之藥 【先前技術】 傳統方法中電路中線路之形成，例如，藉由在一半導 體晶圓、一液晶顯示器（LCD)基板及其他基板上，形成一 有機薄膜圖形，以及利用該有機薄膜圖形作為一罩幕，圖 =化底層薄膜’心刻底層薄膜或該基板。於圖形化底層 溥膜後，移除該有機薄膜圖形。 、、，例^，日本專利公報Ν〇· 8231 〇3提供形成一電路之方 法包合於-基板上形成有機薄膜圖形，或稱為光阻圖形， 利用該夸機薄膜圖形作為一罩幕，圖形化下方一層或二層 薄膜，並進行飯刻；再顯影該有機薄膜圖形，亦即，過^ 衫5亥有機薄膜圖形，以及利用過顯影之該有機薄膜圖形作 為/罩幕再圖形化下方一層或二層薄膜，並進行颠刻。 圖心化下層薄膜使其變細或成階梯狀，因此所形成的電路 線路具有同阻抗以防止介電損壞；於再次的圖形化底層 薄膜後’藉由分離步驟移除該有機薄膜圖形。 第1圖係、，會出上述方法所進行之步驟漭箱圖。 如第1圖所示，此方法包含之步驟依次為：塗佈一右 機薄膜，光阻，於-導電薄膜上，該導電薄膜係形成於— 基板上’以及最^霞访士 ^ 〜有機薄膜至一光源（步驟SO 1 )，顯

2134-6913B-PF 1299514 影該有機薄膜（步驟S02)，以及預先烘烤或加熱該有機 溥膜（步驟s〇3 );因此，形成一初始的有機薄膜圖形於 該基板上。此方法更包含下列步驟依次為··利用該有機薄 膜圖形作為一罩幕，蝕刻該導電薄膜（步驟S04)，過顯 影該有機薄膜圖形（步驟sl01)，以及序先烘烤或加熱該 有機薄膜圖形（步驟Sl02)，以轉換該有機薄膜圖形至一 新的圖形。

^此方法更包含半餘刻該導電薄膜之方法，係利用過顯 影之該有機薄膜圖形作為一罩幕，使該導電薄膜具有一階 梯形狀之剖面，以避免該剖面垂直站立或呈現倒尖角形狀。 然而，此方法伴隨一問題，該初始有機薄膜圖形實際 上在步驟S04中損冑，蝕刻該導電薄膜，導致形成改變： 或沈積層於該有機薄臈圖形上。 θ 琢改受層或沈積層，可稱為一損壞層，阻礙該有機每 膜圖形之第二次顯影（步驟漏），亦即無法順利過顯聲 該有機薄膜圖形，因.為該損壞層覆蓋該有機薄膜圖形之;^ 表面。 過顯影步驟之進行係有關於一損壞層之情況而不同. 心虫刻步驟（步驟SG4)係包含刻，損壞層的情況 南度相關於藥液及溫度；另一方 另方面右蝕刻步驟（步驟S04) 係匕含-乾钱刻’損壞層的情況高度相關於所使用之氣 體、壓力及排放。有機薄膜圖形依據所使用的氣體，將受

Γ同程度的Γ學性損害；以及該有機薄膜圖形上之離子化 乳體或放射吼體有關之壓力及排放，將使其遭受一物理衝 2134-6913B-PF 6 1299514 的損壞較乾钱刻輕微， 止有機薄膜圖形的過顯 擊力。有機薄膜圖形在濕蝕刻所受 因此，濕蝕刻所引起的損壞層之阻 影，較乾蝕刻所引起的損壞層輕微 如上所述 一損壞層’阻礙該有機薄臈圖形之順利過 ㈣，導致該有機薄膜圖形係非均勾過顯影，目此，例如 在底層薄膜第一次圖形化過程中，將# β θ η & r將非均勻圖形化底層薄 膜。 根據刪o/4m8(PCT/US99/28593 )之日本專利公報 NO. 2002-534789,提供對於一基板之製程之一同步化系统 裝置，特別的是，該裝置包含一晶圓群聚工具，具有一列 表器可在-系統及及其他系統中，同步化所有項目。 日本專利公報Ν0〇· 10_247674提供對於一基板製程之 襄置，包含複數製程處理器，其使用於基板之—系列步雜 乂及載/、其運送基板至每一處理器。載具包含 承載板、一第一旋轉裝置可沿一第一轉軸垂直延伸至承載 板、一第一傳動器用以旋轉該第一旋轉裝置、一第二旋轉 裝置可沿一第二轉軸垂直延伸至第一旋轉裝置、一第二傳 動益用以旋轉該第二旋轉裝置、一基板支架可沿一第三轉 轴紋轉，該第二轉軸垂直延伸至第二轉軸，該基板支架支 撐§亥基板，以及一第三傳動器用以傳動該基板支架。 【發明内容】 根據上述先前技術中之問題本發明之目的係提供一穆 基板處理方法’可順利顯影形成於一基板上的有機薄膜_

2134-6913Β-PF 7 1299514 形0 本發明之目的亦提供使用於上述方法中之藥液。 本發明之一目的，係提供一種在基板上形成有機薄 圖形的方法，依序包含：—加熱步驟，係加熱該有機薄 圖案；以及—主要步驟，係收縮至少—部份該有機薄膜 形或移除一部份該有機薄膜圖形。、 膜 膜 圖

此方法更包含—預備步驟’係移除—改變層或沈積 曰，其形成於該有機薄膜圖形之一表面，並 係於該加熱步驟之後，及於該主要步驟之前執中：預備步驟 此方法更包含-預備步驟’係移除-改變層或价 層’其形成於該有機薄膜圖形之__表面， 匕 係於該加熱步驟之前執行。 、乂 步 積 驟 本發明之目的另一目的，係提供一 之藥液中该藥液含有該胺係介於重 10%之間，亦包含。 使用於上述方法中 量百分比0· 01至

依據本發明所提供 形，亦即本發明所提供 膜圖形。 之方法’可完全移除該有機薄膜圖 之方法可用以剥離或分離該有機薄 = 2::之方法之益處將於τ述段落中提 因為依據本發明所提供之方法，包 ，係 一表 圖形 ，將 :除；改變層或沈積層，其形成於該有黄 或移除-部份有機薄膜圖形。 知有機 若主要步驟係包含顯影一有機薄骐二次或更

2134-6913B-PF 8 1299514 ° :使藥液具t ;力a ’顯影該有機薄膜圖形以穿透該 機薄膜圖形，以及均勻顯旦 以 』·、、、員衫该有機薄膜圖形。若進行主 步驟時所使用之藥液不具有顯影該有機薄膜圖形之功能， 但具有-功能炼合該有機薄膜圖形，可得到相同結果。 、，於預備步驟之前，或在沒有預備步驟的主要步驟之 ^或於㈣步驟之後’藉由進行加熱步驟，將可移除在 進行加熱步驟之前滲透進有機薄膜圖形内部或底部之渴 氣、酸性或鹼性溶液；或者如果黏滞力降低，將可恢復有 機薄膜圖形及底層間之黏滞力。因此，該有機薄膜圖形將 具有原來之光感應性及其他性質，使得有機薄_形可良 好利用或再利用。 【實施方式】 如第2圖所繪，依據本發明之方法，在—裝置ι〇〇中 處理-基板K列如第3圖所繪，在一裝置中處理一

基板。 裝置100及200係設計用以選擇性具有下述之處理單 元，應用於處理一基板。 例如第4圖所繪，裝置1〇〇及2〇〇可包含六個處理單 元，特別的{，-第-處理單元17作為暴露一有機薄膜圖 形至一光源’一第二處理單元18作為加熱一有機薄膜圖 形，-第三處理單Α 19作為控制_有機薄膜圖形之一溫 度’-第四處理單元20作為顯影一有機薄膜圖形，一第五 處理單S 2H乍為塗佈藥液至一有_膜圖形，以及―第六 2134-6913B-PF 9 1299514 處理單元22作為灰化一有機薄膜圖形。 在第一處理單元17作為暴露一有機薄膜圖形至一光 源中，形成一有機薄膜圖形於一基板上，暴露該有機薄膜 圖形至一光源。一有機薄膜圖形覆蓋至少一部份暴露於」 光源之基板；例如，一有機薄膜圖形完全覆蓋一基板，或 覆蓋一基板之一面積相等或大於基板全部面積之1/1〇,以 暴露至-光源。在第-處理單元17中，一有機薄膜圖形可 -次完全暴露至-光源，或一點光源可掃瞄—有機薄膜圖 形之一既定區域；例如，一有機薄膜圖形暴露至紫外光、 螢光或自然光。 在第二處理單元18作為加熱一有機薄膜圖形中，加熱 或烘烤一基板或一有機薄膜圖形，例如於攝氏溫度8〇至 180度範圍間，或於攝氏溫度50至15〇度範圍間。該第二 處理單' 18係包含一階梯位於—基板上成水平支撐^以: -腔體以佈置該階梯；力,熱一基板或一有機薄膜圖牙形之時 間可任意決定。 在第三處理單元19作為控制—有機薄膜圖形之一溫 度中’例如，該第三處理單元19維持—有機薄膜圖形或一 基板於攝氏溫度10至5G度範圍間，或於攝 80度範圍間。該第三處理單元1 9筏七 19係包含—階梯位於一基 板上成水平去撐，以及一腔體以佈置該階梯。 在第五處理單元21作為塗佈藥、 师条，夜至—有機薄膜圖形 中，塗佈藥液至一有機薄膜圖形或一基板。 如第5圖所示，該第五處理單元21係包含：例如，一 2134-6913B-PF 10 1299514 藥液槽3〇1用以收集藥液，以及一腔體3〇2用以佈置一基 板500。腔體302 &含一可移動式喷嘴3〇3，用以供應自^ 液槽301傳輸之藥液，位於該基板5〇〇 ^ 一階梯3 0 4位 於5亥基板500上成水平支撐，以及^ 卞叉保W及抽取出口 305排出液 體及空氣至腔體302外。 在弟五處理單元21中，在筚液样 隹条欣粍301内收集藥液，藉 由壓縮氮氣至藥液槽301内，可透過可移動式喷嘴303供 應至基板可移動式喷嘴可以水平移動，階梯_ 包含複數支標栓，用以支撐基板5GQ於較低表面。 第五處理單元21可# 士 + 士、_ 口又汁成一乾燥型式，用以蒸發藥 液，以及將蒸發的藥液塗佈於基板500之上。 ’、 例如，第五處理單开9彳MM m i 4 早兀21所使用之藥液包含至少一酸性 溶液、有機溶劑及鹼性溶液。 第四處理早凡20作為顯影一有機薄膜圖形，顯影一有 機薄膜圖形或一基板；例如，第四處理翠元20可設計為具

有第五處理單元21之相n A 、，、ϋ構’除了收集於藥液槽31之 一顯影媒介物。 在第六處理單元tfa 令，於基板5〇〇上所形成之一有機 :膜圖形’係藉由電漿(氧電漿或氧/氟電聚）、具有一短 制t之光學能量、例如紫外光、使用光學能量或熱之臭氧 製私、或其他步驟，進行蝕刻。 如第2圖所示，裝置 係匕έ :在可放置一基板（例 如，'L C D基板或一主道 义+導體晶圓）之卡式盒L1之-第-卡 式站口 1、類似於放置卡人 卞式a L1之卡式盒L2之一第二卡

2134-6913B-PF 11 ^99514 式站台2、可個別配置處理單 區埤…t ^ 早兀…至卯之處理單元配置 4 3至]1、一自動控制裝 直 , L 1以用以傳輪~基板介於 U9J；及第二卡式站台2之間以及處理單元心 輪1板:二Γ制二24用以控制自動控制裝置12以傳 基板及處理早以進行多種製程。 例％，未藉由裝置100所處理之基板，放置於卡式盒 中，以及已經由裝置i00所處 L2中。 尸π慝理之基板，放置於卡式盒 第4圖所示之任一第六處理單元，係選擇每一處理單 至U9，配置於處理單元配置區域3至1 ^。 旦，理早το之數目’係根據一種製程及一處理單元之容 疋目此，不會有處理單元配置於任一或複數處理單 %配置區域3至11。 控制器24根據每一處理單元旧至㈣及自動控制裝置 所進行之製程，選擇—組程式，以及執行此程式以控制 处理早元U1至U9及自動控制裝置12。 特別的是，控制器24控制自動控制裝置12處理之基 ^傳輸次序’係根據—次序製程之數據，因此將基板自 卡式站。1及第二卡式站台2及處理單元…至⑽中 取出’卩及依據既定之次序將基板輸入進去。 拴制器2 4係根據有關於製程情況之數壚，操作 處理單元U1至U9。

第2圖所繪之裝置1 〇 〇係設計成可以改變進行處理單 元之製程次序。 2134-6913B-PF 12 1299514 如弟3圖所不，另一 , 乃一方面，經由處理單元所進行之掣 程次序，係設置於裝置200。 、 如第3圖所示，梦罟9 · 凌置200係包含·在可放置一卡式盒 LI之一第一卡式站台1 本 101放置—^式盒L2之一第二卡式 站台16、可個別配置處理單元U1至U7之處理單元配置區 域3至9、一第一自動控制裝置Η用以傳輪一基板介於卡 式盒L1及處理單元ηι _ ^ 、一第一自動控制裝置15用以傳輸 一基板介於處理單元U7及+弋各τ 9、ιν n u〖夂卞式i L2、以及一控制器24用 以控制第一自動控制裝置u . 衣1 14及第一自動控制裝置i 5，以 傳輸一基板及處理單元耵至U7以進行多種製程。 在裝置2GG中’執行處理單元U1至U7之製程次序係 固疋。特別的是’製程係持續自—處理單元逆向執行，亦 即，以一個方向如第3圖所示之箭頭A。 在第4圖中所紛之亡^(田♦工田— 吓、曰之/、個處理早兀之任一處理單元，係 選擇自每-處理單元m至U7，至設置於處理單元配置區 域3至9中。處理單元之數目，係根據一種製程及一處理 單元之容量而$，因此，不會有處理單元配置於任一或複 數處理單元配置區域3至9。 裝置100及裝4 200係設計成包含：一單元用以傳輸 一基板（特別的是，自動控制裝置）、一單元用以容納卡 式盒（特別的是，卡式盒站台）、以及處理單元選擇自第 4圖所繪之六個處理單元，依序進行形成_錢薄膜圖形 於一基板上。 雖然第2圖及第3圖所緣之裝置1〇〇及2〇〇係設計成 2134-6913B-PF 13 1299514 個別包含九個及七個處理單元，包含於裝置以〇 處理單亓夕赵曰 y z 〇 〇之 *目’係依據製程之種類、處理單元旦 成本等因素所決定。 里 甚且，雖然裝置 L1及L2，卡式盒之數 決定。 100及200係设計成包含兩個卡式人 目係依據所需之容量、成本等因素所 -裝置100 A 20。可包含異於第4圖所繪之 疋，例如，奘窨1 η η 义里早 、00及200可包含：一處理單元用 -基板至-光源以製造微型圖形 、路 或齡舳方，丨甘1 处平兀用以濕餘刻 一 J 一基板、—處理單元用以塗佈一光阻薄膜至一其 板上、一處理軍元 、 土 冰 兀用以加強基板及有機薄膜圖形間之_ 二：或一處理單元用以清洗-基板（透過紫外光或電漿 仃乾式清洗，以及透過一清洗劑進行濕式清洗）:水 如果裝置100及2ηη台人考？田抑-m 乾式早70用以濕式清洗或 土反’可藉由使用-有機薄膜圖形作為罩 圖形化-下方薄臈(例如，一基板之一表面）。為罩幕 第五處瑄早几21可作為一處理 乾式蝕刻一基板 9 Μ式儀刻或 刻-下方壤… 處早兀21包含藥液，用以蝕 、彳、寺別的是，蝕刻劑含有酸或鹼。 為了單-化每—製程’裝置1〇〇及2 處理單元，用以夕h ^ 3 ^數相同 .^ 夕久適用相同製程於—基板，最好一某板 在相同處理單元進广制 土板 方向(例如相反方：使得在不同處理單元時呈不同 好”成呈古向）。在此情況下，裝置100及最 -忧、有-功能用以指引一基板在不同

2134-6913B-PF 14 1299514 伟俅基板在不同方向上自動 +间方向 人為操作。 當裝置100及200舍会一如 . ^ 匕3 —早一處理皁元時，最好該基 板多次於處理單元中推ϋ^ ·· 進仃製私，母次於不同方向。例如， 最好該基板於不同虚採留；+ J处理早兀中以不同方向多次進行製程， 4置100及200最好今斗士、目士 σ又。f成具有一功能，用以在一特定製 釭中處理-基板，其方向不同於其他製程。 最好也在依處理單元中成一第一方向，而更有一第二 方向異於第一方向’亦即’裝置100 & 200最好設計成具 有此功能。 下述為依據本發明所解釋之較佳實施例。 /依據下述所提之實施例之方法，應用於一有機薄膜圖 ^形成於基板上，由感光有機薄膜所組成。在此方法 中，於加熱步驟中加熱一基板，以及在一有機薄膜圖形之 表面形成-破壞層（-改變層或一沈積層）’係藉由一預 備步驟所移除。然後，至少一部份有機薄膜圖形收縮，或 -部份有機薄膜圖形在主要步驟中移除。可忽略預備步驟 (例如，第五實施例）。 【第一實施例】 第6圖係依據本發明之第一實施例，處理—基板方法 之步驟流程圖。 土 。依據第-實施例之方法，於加熱步驟中加熱一基板， 然後’移除形成於一有機薄膜圖形表 拉a ^ 〜改變層或一沈 積層’；名後’顯影（例如，第二次顯影 〜）该有機薄膜圖形 2134-6913B-PF 15 1299514 =縮至少-部分有機薄膜圖形’或移除一部份有機薄膜 一基:::統方法，例如微影製程，形成-有機薄膜圖形於 如第的疋’第一次塗佈一有機薄膜於-基板上，然後， 光源之牛—暴露該基板（亦即，該有機薄膜）至- 以及預^戈步力驟咖，依序顯影該有機薄膜（步驟別2)， 上 4或加熱該有機薄膜（步驟s〇3) ’以在一基板 7成初始有機薄膜圖形。 印刷可基板上形成一初始有機薄膜圖形，例如，藉由 機薄二 顯影移除一改變層或沈積層之後顯影-有 咸/專膑圖形（步驟S12)。 如第6圖所示，然後，一底層薄膜位於有機薄膜圖形 有施W法’，（步驟叫之後具 在進特：的是’如第6圖所示’依據第-實施例之方法， 進仃？“步驟S⑷之後，加熱一基板之步驟（步驟 )㈣液至有機薄膜圖形之步驟（步驟sn)，顯 機薄膜圖形（步驟Sl2)以及加熱該有機薄膜圖形 之步驟（步驟S13)，係依序進行。 藉由進行加熱之步驟（步驟s〇〇) ’在加熱步驟（步 )之前之步驟中具有滲透進入一有機薄膜圖形之内

2134-6913B-PF 16 1299514 部或底部之液體（濕氣、酸性或驗性溶液），可以被移除； 或者，如果黏滯力降低，可恢復有機薄膜圖形及下方薄膜 間之黏滯力。 藉由進行加熱之步驟（步驟s〇〇)，有機薄膜圖形幾 乎具有原來之光感應力及其他性.質，亦即，可以恢復初始 之光感應力及其他有拖續替 韦钱4 Μ圖形之性質，以進行第二次顯 影（過顯影）（步驟S1 9、 .. !2)，可確保,有機薄膜圖形之穩定 處理或再處理。 —該加熱步驟係包含於攝氏溫度50至15。度範圍内進 订，ί於第二次顯影或過顯影（步驟S12)，加熱步驟最 好於溫度等於或小於攝氏 攝氏/皿度14〇度範圍進行，最好包含 於攝氏溫度100至130度範 ^ 摩囡内進仃，因為有機薄膜圖形 可以維持其光感應力於溫度 X'寺於或小於攝氏溫度140度範 圍。 該加熱步驟（步驟S〇〇)係 進行。 〜於60至300秒範圍内 該加熱步驟（步驟咖）係藉由放置—基板於一台階 '准持於一既定溫度下（例如， 内）第一罝一 1Rth 攝氏鐵度⑽至130度範圍 a 早70 18中’以及保持-基板在台階上於一既 疋時間區間（例如，6 0至i 2 0秒）。 在塗佈藥液至有機薄膜圖形 ^ ^ 0升"之步騾中（步騾S11)， 塗佈藥液（酸性溶液、鹼性溶液十 /有械/谷劑）至有機薄膜 圖形，用以移除形成於有機薄膜圖 、 穑屏yw — 膜圖形表面之-改變層或沈 積層，在塗佈樂液至有機薄膜圖 口办之步驟（步驟S11)係 2134-6913B-PF 17 1299514 於第五處理單元21中進行。 在塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟中（步驟S11)， 進行此步驟之時間週期可被定義，或所使用之藥液可被選 擇以移除只有一破壞層（一改變層或沈積層）。 在塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟中（步驟su)， 若形成-改變層，而不形成一沈積層於一有機薄膜圖形之 表面:可選擇性移除改變層；若形成改變層及沈積層於一 有機薄膜圖形之表面，可移除此改變層及沈積層；以及若 ^積層於一有機薄膜圖形之表面，而不形成一改變 θ，可選擇性移除沈積層。 *移㉟改變層或沈積層，將呈現-有機薄膜圖形 現。變層’或-有機薄膜圖形已恢復具有-沈積層之出 例如，藉由預備步驟（步驟S11)所移除之 ::化:有機薄膜圖形之-表面，藉由老化、熱氧：:哉 、、九積層至—有機薄膜圖形之黏滞力、利用酸性濕麵 H濕蝕刻一有機薄膜圖开)、灰化(例如，⑴灰化 2薄膜®形、或使用乾㈣氣體以進行乾㈣ 精由這些因I 4 i 因而改變。機薄膜圖形之物理性及化學性破壞， 率、夜…史之程度及改變層之性質’與使用濕餘刻之 度相關’或者是乾祕(所使用之電聚 為 或者存在於有機薄膜圖形之沈積物，以及乾 1使用之氣體°因此，亦有關於移除之困難性。 猎由預備步驟（步驟S11)所移除之—沈積層，係由

2134-6913B-PF 18 1299514 是等向性或非等 其有關於移除沈 乾餘刻所引起，沈積層之性f根據乾餘刻 向性，以及乾蝕刻所使用之氣體，因此， 積層之困難性。 因此’進行預備步驟（步 預備步驟（步驟S11 )所使用 獲沈積層之困難度所決定。 驟S11)所使用之時間，及 之藥液，需由移除一改變曾

例如，當藥液使用在預備步驟（步驟S1丨）時，可選 擇藥液含有驗性藥液、酸性藥液、有機溶劑、含有有機溶 劑及之胺之藥液、或含有鹼性溶液及胺之藥液。 例如，上述鹼性溶液可含有胺及水，以及上述之有機 溶劑可含有胺。 預備步驟（步驟S11)所使用之藥液可含有抗腐蝕劑。 例如，胺係選擇自單乙基胺、雙乙基胺、三乙基胺、 單異丙基胺、雙異丙基胺、三異丙基胺、單丁基胺、雙丁 基胺、二丁基胺、氫氧基胺、雙乙基氫氧基胺、去水雙乙 基氫氧基胺、吡啶、及甲基吡啶等。藥液可選擇上述一個 或多個胺。 該藥液最好含有該胺係介於重量百分比〇. 〇1至10%之 間’亦包含；尤其最好該藥液含有該胺係介於重量百分比 0· 05至3%之間，亦包含；尤其最好該藥液含有該胺係介於 重量百分比0· 05至1· 5%之間，亦包含。 預備步驟（步驟S1丨）提供一益處，其藥液具有一功 能用以顯影一有機薄膜圖形，可在後續步驟中穩定穿透該 有機薄膜圖形，亦即，過顯影步驟（步驟S12 )，以及， 2134-6913B-PF 19 1299514 係量化過顯影及可增加效率。 第二次顯影或過顯影該有機薄膜圖形之步驟（步驟 S12)，係於第四處 处里早το 20中進行，用以收縮至少一部 份有機薄膜圖形，或銘 4移除一部份有機薄膜圖形。 / ^第4理單兀2G中，形成於—基板上之有機薄膜圖 七係藉由具有顯影該有機薄膜圖形之藥液顯影。 具有顯影該有機薄膜圖形之藥液，可選擇自驗金屬水 1，具有 TMAfi(tetramethyia_〇niun] hydr〇xide)於 刀比〇. 1 i 1 〇· 〇%、或無機鹼金屬水溶液例如氫氧 化鈉或氫氧化鈣。 力^熱一有機薄膜圖形之步驟（步驟su)中，在第二 處理單元18中，將一其把於里 土板放置於一台階上，維持在一既定 :显度下(例如，攝氏溫度8。至18。度），進行一段時間(例 如’3至5分鐘）。藉由進行加埶步 叮H驟S13，藥液具有顯影 有㈣臈圖形之功能，在過顯影步驟（步驟si2)中可應 用於基板上，可深度滲透進有機薄 兩機溥膜圖形，使得有機薄膜 圖形收縮或藉由過顯影來移除。 在第-及稍後提及之實施例中，最好進行一次+驟， 在每個步驟S12及S13結束時用水清洗基板，以清㈣液。 加熱步驟S i 3之進行，可移除濕氣、酸性或鹼性溶液， 其可能在步驟S12後之清洗步驟時渗透進入有機薄膜圖形 之内部或底部，或者恢復有機薄膜圖形及底層薄膜間之黏 滯力。亦即，加熱步驟s 13用以後續烘快 、’、巧碌有機薄膜圖形。 如上所述，主要步驟用以收縮至少_ 4份有機薄膜圖 2134-6913B-PF 20 1299514 形，包含減少有機薄臈圖形之— 形的面積（亦即，至少…冑積而不改變有機薄膜圖 ^ 有機薄膜圖形較薄） 一步驟已減少有機薄膜圖 口办軏溥），以及 U I 面藉。赵1 Arr 圖形係伴隨減少有機薄膜圊 * 一邛份有機薄膜 哥胰圖形之面積。 第一實施例中之主要步驟系炎 行。 係為了下述任一目的而進 ⑴藉由減少一有機薄臈圖形 圖形至一新圖形。 、轉換有棧溥膜 (B) 藉由移除至少一部 , 有機薄臈圖形，轉換有機镇 «圖形至一新圖形，用以分離一 溥 數部分。 ^有機形成為複 (C) 將有機薄膜圖形作為—罩幕，蝕刻一 可在上述步驟（A)及Ώ 、 u)^及之後’在進行過顯影步 驟（步驟S12)之前，用以區分姓刻步驟（步驟S04)中所 蝕刻之區域，在一蝕刻步驟中自一被蝕刻的區域於步驟阳 及S1 3之後進行。 (D) 藉由進行上述步驟（c)，位於一有機薄臈圖形 之下方之底層薄膜（例如，一基板之一表面），係形成逐 漸變細或階梯之形狀。 處理下方薄膜以形成階梯之形狀，可包含半钱刻下方 薄臈（例如，一導電薄膜）之步驟，利用過顯影有機薄膜 圖形作為一罩幕。此步驟可使下方薄膜具有一階梯形狀之 剖面’用以避免此剖面垂直站立或呈現倒尖角形狀。 (E)位於有機薄膜圖形下方之底層薄膜具有一多層結 2134-6913B-PF 21 1299514 :=任兩層或多層下方薄膜係藉由進行上述 餘刻成不同圖形。 （C )， 〃（η上述步驟⑴及（B)之例子，假 + 形係由電性絕緣材料 \溥膜圖 之前_基板，有二 = 影步驟（步驟叫 作為-電：絕緣薄膜只覆蓋一電路圖形。4相圖形 度 行 實: 形 度 (G)當1始有機薄膜圖形具有i 上述步鄉⑴或⑴及隨後㈣（c)二=厚 係選擇性移除只具有較小厚度之一部分。 進 收縮或變薄至少—部份有機薄膜圖形 '除至少-部份有機薄膜圖形。 了碎 行步驟(H)移除至少一部份有機薄膜圖 罝至下方薄膜出現。 二)：一初始有機薄膜圖形具有至少兩部分有不同厚 分可穩定移除。有—部份具有較小厚度，可確保此部 【：⑴與步驟（G)相同，若步驟⑴進行 方溥Μ出現。 r 參考第7圖’上述步驟（G)之例子將於下述解釋。 第7圖係依據本發明之第-實施例，處理一基板方法 之步驟流程圖’當一初始有機薄膜圖形具有至少兩部分有 不同厚度，選擇性移除只具有較小厚度之一部分。 第7(&-2)、7(卜2)、7卜2)及7((1_2)圖係平面圖。第 7U_1)、抑―1)、7(Η)及 7(d-l)圖係分別為第 7(a_2)、

2134-6913B-PF 22 1299514 7(b-2)、7(c-2)及 7(d-2)圖之剖面圖。 如第7(a-1)及7(a-2)所繪，例如，一閘極電極6〇2具 有一既定形狀，係形成於一電性絕緣基板601上^然後， 一閘極絕緣薄膜603形成於基板6〇1上，覆蓋閘㈣極 6〇2。然後’一非晶矽層6〇4、— r非晶矽f 6〇5、以及一 源極/汲極層606，係依序形成於閘極絕緣薄膜6〇3上。 然後，如第7(H)及7(b_2)所繪，一有機薄膜圖形 607形成於源極/汲極層6〇6上（步驟別丨至別3)。然後， 源極/沒極層606、r非晶石夕層6〇5、以及非晶石夕層咖，係 藉由有機薄膜圖形6〇7料_罩幕（步驟sQ〇進行餘刻。 因此，閘極絕緣薄膜β Π q φ + f > 寻膜bG3出現在不受有機薄膜_ 607覆 蓋之區域。 形成之有機薄膜圖形607具有一薄部分嶋 蓋閉極絕緣薄膜603。有機薄膜圖形6〇7具有兩個厚度， 或一厚度差之形成藉由區分一 刀J、體積至暴露之薄部分 a ’自一異於暴露之薄部分607a之部分。 然後’進行加熱步驟（步驟 〔步驟S00)，以加熱基板601 及形成於基板601上之各層。 然後’進行預備步驟（ ^ ^ (少驟SU塗佈藥液至有機薄膜 ^ ^ ^ ^ ，·肩〜该有機薄膜圖形），以 及步驟S13加熱該有機薄膜圖形。 … 始有機薄膜圖形607，唯持在右她、 、’二以形成初 m — 士 Φ止 、、持在有棧薄膜圖形607上。因此， 猎由進仃主要步驟（步 膜圖來607夕㉝立 及ッ驟S13)，只有有機薄 膜圖形607之薄部分6〇7孫

係選擇性移除，如第7(c-1)及 2134-6913B-PF 23 1299514 7(c-2)所繪。亦即，有機薄膜圖形607係分離成複數部八 (第7圖中之兩部分）。 刀 然後，源極/汲極層606及N+非晶矽層605，係藉由有 機薄膜圖形607作為一罩幕進行蝕刻，因此，出現非晶砂 層6 04，然後移除有機薄膜圖形6〇7。 當形成有機薄膜圖形607具有不同厚度之部分時，可 處理有機薄膜圖形6 0 7至一新圖形，藉由移除較薄之有機 薄膜圖形6 0 7部分。特別的是，有機薄膜圖形6 〇 7可藉由 > 處理至一新圖形，分離有機薄膜圖形607成複數部分（例 如’第7(c-2)圖所緣之兩部分）。 當位於有機薄膜圖形607下方之底層薄膜包含多層 時，係藉由有機薄膜圖形607作為一罩幕進行蝕刻，於上 述步驟S11、S12及S13之前或之後，以區分在蝕刻步驟（步 驟S04)中之蝕刻區域，係於過顯影步驟（步驟Sl2)之前 進行，於步驟S12及S13之後進行蝕刻步驟。因此，可蝕 _ 刻一第一層（例如，非晶矽層6〇4)及一第二層（例如， 源極/汲極層606及N +非晶矽層605 )介於多層底層薄膜之 間，以具有不同之圖形。 下述係解釋一裝置用以處理一基板，使用第—實施例 所述之方法。 一裝置用以處理一基板，使用第一實施例所述之方 法，係包含裝置100或200含有第二處理單元18、第四處 理單元20、以及第五處理單元21如處理單元至叩2 U1 至 U7 。 2134-6913B-PF 24 1299514 在衣置100中’第五處理單元21、第四處理單元20 及第二處理單元18係任意配置。第二處理單元18使用在 加熱步驟（步驟SQG)及加熱（溫度控制）步驟（步驟S13)。 另方面’在裝置200中，No· 1第二處理單元18、 第五處理單元21、第四處理單元20及No· 2第二處理單 元18，必須依序配置，以第3圖所繪之箭頭a之方向。同 樣的，處理單元必須以一既定次序配置在裝置2 〇 〇中，以 下述之方法。 > 加熱一有機薄膜圖形之步驟S13可被忽略，在此情況 下不再扁要裝置1〇〇或2 q〇包含N〇. 2第二處理單元18。 在第8至11圖中，插入式夾住之步驟可被忽略，類似步驟 S1 3。此外，連結於插入式夾住之步驟之一處理單元可被忽 略0 即使如果一相同步驟之多次進行（例如，即使如果步 驟S13進行兩次），裝置100包含一單一處理單元以進行 _此步驟。另一方面，裝置200必須包含相同處理單元之數 目相同於其所進行之數目。例如，如果步驟S13進行兩次， 裝置200必須包含兩個第二處理單元18。下述之方法亦同。 根據第一貫施例，藉由進行加熱步驟（步驟S Q Q )， 可移除濕氣、酸性或驗性溶液’其在加熱步驟之前（步驟 S00)溶透進入有機薄膜圖形之內部或底部，或恢復有機薄 膜圖形及下方薄膜間之黏滯力，如果其黏滯力降低。因此， 有機薄膜圖形可在進行第二次顯影或過顯影時（步驟 S1 2 )，幾乎具有原來之光感應力及其他性質。確保有機薄 2134-6913B-PF 25 1299514 膜圖形之穩a南 知疋處理或再處理。 根據第—實施 以矽队 方法’因為第一 4 w 夕示形成於有機薄膜圖 一人進行預備步驟用 然後，谁；T # 表面之改變層或嗲接麻 ^ 進仃主要步驟以收縮至 、…積層，以及 移除-部份有機薄膜圖形 。知有機薄臈圖形，或 亦即，可使藥液具有一功能 ^順利進行主要步驟； 機薄膜圓形，以及均句顯影該有薄模圖形以穿透有 【第二實施例】 ^相圖形。 第8圖係依據本發明之第二實 之步驟流程圖。 彳’處理一基板方法 如第8圖所繪，依據本發明 ^ 埶一 A柘之Λ赦半跡，止 第—貫施例，包含··加 …、基板之加熱步驟（步驟so〇)、 之步驟（步驟S21 )作為一箱供本 —有機薄膜圖形 賢献r # 備^驟、以及顯影步驟（步 驟S12)及加熱（溫度控制） ^ 驟。 U驟S13)作為主要步 亦即’依據第二實施例之方法，不同於依據第一實施 例之方法，預備步驟係包含灰化步驟（步驟s2i)，以及 除了灰化步驟（步…之相同於依據第一實施 法。 依據第二實施例之方法，灰化步驟（步驟如）應用 於一有機薄膜圖形，以移除形成於有機薄膜圖形表面之一 改變層或沈積層。 灰化步驟（步驟S21)係於第六處理單元22中進行。 如同灰化步驟’可進行乾式步驟，例如在氧或氧二環 2134—6913B-PF 26 1299514 ,境下應用電毀至一有機薄膜圖形，應用具有短波長例如紫 外光之光源之光學能量至一有機薄膜圖形，或應用臭氧， 亦即光學能量或熱能至有機薄膜圖形。 . 最好設定一段時間以進行灰化步驟（步驟S21)，使 . 得僅有改變層或沈積層被移除。 /多除改變層或沈積層之結果，呈現有機薄膜圖形之非 改變部分’或呈現經由沈積層所覆蓋之有機薄膜圖形，類 似於上述第一實施例。 馨 《化步驟（步驟S21 )作為預備步驟所提供之益處， 使藥液具有-功能用以顯影一有機薄膜圖形，可在後續步 驟中t定穿透β亥有機薄膜圖形，亦即，過顯影步驟（步驟 S12)，以及，係量化過顯影及可增加效率。 隨後之步驟如同第一實施例，因此不再詳述。 依據第二實施例之方法所提供之益處，如同依據第一 實施例之方法。 • 甚者，因為灰化步驟（步驟S21)應用至一有機薄膜 圖形作為-預備步驟，可移除一改變層或一沈積層，甚至 該層係固定住，因此 ！ U此，僅於過顯影（步驟sl2)中難以移 除該層。 【第三實施例】 第9圖係依據本發明之第三實施例，處理^基板方法 之步驟流程圖。 第9圖所繪，依據本發明之第三實施例，包含··加 熱一基板之加熱步驟（步驟S00)、灰化一有機薄膜圖形

2134-6913B-PF 27 1299514 之步驟（步驟S21)及塗佈藥液至該有機薄膜圖形作為一 預備步，驟、以及顯影㈣（步驟S12)及加熱（溫度控制） 步驟（步驟S1 3 )作為主要步驟。 亦即，依據第三實施例之方法，不同於依據第一實施 例之方法，預備步驟係包含灰化步驟（步驟S21)及藥液 塗佈步驟（步驟S11),以及除了灰化步驟（步驟S21)及 藥液塗佈步驟（步驟S11)之相同於依據第一實施例之方 法。 在第一實施例中，預備步驟係包含一濕式步驟（步驟 si 1)。另一方面，第三實施例之預備步驟係包含灰化步 驟（步驟S21)及濕式步驟（步驟su)，因此，改變層或 沈積層之表面係藉由乾式步驟移除，亦即，灰化步驟（步 驟S21 )，以及其餘改變層或沈積層之表面係藉由濕式步 驟移除，亦即，藥液塗佈步驟（步驟su)。 —依據第三實施例之方法所提供之益處，如同依據第一 | 實施例之方法。 甚者，即使如果在藥液塗佈步驟（步驟s 11 )中難以 移除改變層或沈積層，可於藥液塗佈步驟（步驟S11)前 進行灰化步驟（步驟S21 )來移除。 、預備步驟中之灰化步驟（步驟S21)係用以移除改變 層或沈積層之表面。因此，可設定一較第二實施例進行灰 化V驟之更紐時間以進行灰化步驟（步驟S21 )，確保底 層較不受灰化作用而破壞。 、一 在第三實施例中步驟S1丨所使用之藥液，可使用比第

2134-6913B-PF 28 1299514 滲透有機薄膜圖形較 三實施例步驟S11之 ::例中步驟sn所使用之藥液， 眛二从之藥液，或者藥液縮短進行第 時間。 < *

σ第9圖所示，在第二竇A S2n ^ 仕弟一貫軛例中，於灰化步驟（步驟 m 即進行加熱步驟（步驟η、祕二 加埶步驟, 邓I夕驟S00 )。然而，不限定其 …、步驟（步驟S00)之次序。 如第 1 n 化步w牛 ’例如’加熱步驟（步驟)可於灰

加⑽21)及藥液塗佈步驟（步驟叫之間進行； 二：（步驟S。。）、灰化步驟（步驟S21) ^ ^ )之方法，依此次序進行，提供第三實施 列之相同益處。 【第四實施例】 ^第11圖至第13圖，係依據本發明之第四實施例，處 基板方法之步驟流程圖。 、在第11圖及第13圖中，進行步驟SOI至S03，以形 成一初始有機簿m^ A t 寻膜於一基板上，以及進行步驟S04以蝕刻 一有機薄膜圖形。 如第11圖至第13圖所繪，依據第四實施例之方法， 額外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41)，於第一至第三實施例之方法前進行。 如第11(a)、i1(b)及nic)圖所繪，暴露一有機薄膜 圖形至一光源之步驟（步驟S41)，可於加熱步驟（步驟 soo)及預備步驟之間進行。亦可選擇地，如第u(d)圖所 繪’暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟S41)， 2134-6913B-PF 29 1299514 ^肴V驟中進行，特別的是，在灰化步驟（步驟S21) =液塗佈步驟（步驟su)之間進行。亦可選擇地，如 f、12(a)、12(b)及12(c)圖所繪’暴露一有機薄膜圖形至 、…原之步驟（步驟S41)，可於加熱步驟（步驟之 前進行。亦可選擇地’如第13(a)、13(b)A13⑷圖所綠， 暴露-有機薄膜圖形至一光源之步驟（㈣ 預備步驟之後立即進行。 、 田藉由U衫製程形成一初始有機薄膜圖形時，暴露一 有機薄臈圖形至一光源兩次；以及當藉由印刷製程形成一 初始有機薄膜圖形時’纟步驟S41中暴露一有機薄膜圖形 至一光源一次。 在暴路一有機薄膜圖形

，-有機薄膜圖形覆蓋至少一部分基板暴露至一光源。 例如’-有機薄膜圖形完全覆蓋一基板，《覆蓋一基板相 同或大於全部基板面積之1/1()，暴露至_光源。暴露—有 機薄膜圖形至—光源之步驟（步冑S41)，係於第一處理 早凡Π中進行。在第—處理單元17中，—有機薄膜圖形 可：次完全暴露至一光源’或一點光源可掃瞄一有機薄臈 圖形之-既定區域，’例如，一有機薄膜圖形暴露至紫外光： 螢光或自然光。 在第四實施例中，在初始暴露至一光源用以形成—有 機薄膜圖形之後’最好將基板維持於不曝光，直至步驟 S41 ’藉此，可均勻化過顯影步驟（步驟si2)之效應，或 均勾化全部暴露一有機薄膜圖形至—先源。為了將：板二 2134-6913B-PF 30 1299514 持於不曝光，所有步驟須進行管理，或者裝置1〇〇或2的 可設計成具有此功能。 暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟S41 )， 可以如下述進行。 首先，透過一光罩具有一既定之圖形，暴露一有機薄 膜圖形至一光源，亦即，定義有機薄膜圖形之一新圖形係 依據有機薄膜圖形在步驟S41中暴露於一光源之面積在 隨後的過顯影步驟（步驟Sl2)中，部分移除有機薄膜圖 ’形’使得有機薄膜圖形轉換至一新圖形。在初始暴露至一 光源用以形成一有機薄膜圖形之後，必須將基板維持於不 曝光，直至進行步驟S41。 其次，藉由完全暴露一有機薄膜圖形至一光源，更有 效進行過顯影一有機薄膜圖形之少驟S12，在此狀況下， 不須在初始暴露至一光源用以形成一有機薄膜圖形之後， 將基板維持於不曝光，直至進行少驟S41。甚至如果在進 藝 仃步驟S41之前（例如，暴露一有機薄膜圖形至紫外光、 榮光或自然光，或在次光源下停留一段長時間），暴露一 有機薄膜圖形至一光源相同程度，藉由進行步驟S41，可 均勻暴露一基板至一光源。 依據第四實施例之方法，下述說明其例子。 【第四實施例之示例1】 第 ]1 圖之行（a)，係依據本發明之第四實施例之示例 1，處理一基板方法之步驟流程圖。 女口 1 1 J圖之行（a)所繪，依據第四實施例之示例1，

2l3^69l3B^pF 31 1299514 額外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（少驟 S41)，於加熱步驟（步驟s〇〇)及藥液塗佈步驟（步驟sU) 之間進行，比較依據第_實施例之方法，如第6圖所繪。 在示例1中，使用裝置100或200包含第一處理單元 17、第五處理單元21、第四處理單元2〇及第二處理單元 18 ’如處理單元in至U9或μ至叮。若不忽略加熱或溫 度柽制步驟（步驟S13 )，加熱步驟（步驟s〇〇 )及加熱或 溫度控制步驟（步驟S13)皆在第二處理單元18中進行。 > 如第12圖之行（a)所繪，暴露一有機薄膜圖形至〆光 源之步驟（步驟S41 ),可於加熱步驟（步驟s〇〇 )之前進 行。 【第四實施例之示例2】 第11圖之行（b)，係依據本發明之第四實施例之系例 2，處理一基板方法之步驟流程圖。 如第11圖之行（b)所繪，依據第四實施例之示例2， > 4員外包合暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（少驟 S41) ’於加熱步驟（步驟S00)及灰化步驟（步驟S21) 之間進订，比較依據第二實施例之方法，如第8圖所繪。 在不例2中，使用裝置100或200包含第一處理單元 17第/、處理單元22、第四處理單元20及第二處理單元 18 ’如處理單元U1至U9或U1至U7。若不忽略加熱戒潘 度&制步驟（步驟S1 3 )，加熱步驟（步驟S00 )及加熱或 度控制步驟（步驟S1 3 )皆在第二處理單元18中進行。 如第12圖之行（b)所繪，暴露一有機薄膜圖形至〆光

2134-6913B-PF 32 1299514 源之步驟（步驟S41)，可於加熱步驟（步驟s〇〇)之前 行。 【第四實施例之示例3】 第11圖之行（c)，係依據本發明之第四實施例之示例 3處理一基板方法之步驟流程圖。 如第11圖之行（c)所繪，依據第四實施例之示例3， 名貝外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41)，於加熱步驟（步驟s〇〇)及灰化步驟（步驟§2ι) .之間進打：比較依據第三實施例之方法，如第g圖所綠。 在示例3中，使用裝置1〇〇或2〇〇包含第一處理單元 17、第六處理單元22、第五處理單元21、第四處理單元 20及第二處理單元ι8，如處理單元Μ至ug或耵至们。 右不忽略加熱或溫度控制步驟（步驟S13),加熱步驟（步 驟soo)及加熱或溫度控制步驟（步驟S13)皆在第二處理 單元18中進行。 . 如第12圖之行（c)所繪，暴露一有機薄膜圖形至一光 源之步驟（步驟S41)，可於加熱步驟（步驟s⑽）之前進 行。 【第四實施例之示例4】 第11圖之行（d)，係依據本發明之第四實施例之示例 4 ’處理一基板方法之步驟流程圖。 如第11圖之行（d)所繪，依據第四實施例之示例4, 名頁外包含暴路一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41)，於灰化步驟（步驟S21)及藥液塗佈步驟（步驟su) 2134-6913B-PF 33 1299514 間進行；比較依據第三實施例之方法，如第9圖所繪 在示例4中’使用裝置100或200包含第一處理^ _ 17、第六處理單元22、第五處理單元21、第四處 2 Π R >Wr $ 早元 第二處理單元18，如處理單元u〗至U9或耵 X壤 ' 王U7 〇 L第四實施例之示例5】

第1 3圖之行（a )，係依據本發明之第四實施例之示 5 ’處理一基板方法之步驟流程圖。 例 a如第13圖之行（a)所繪，依據第四實施例之示例5, 碩外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步~ S41)，於藥液塗佈步驟S11及過顯影步驟sl2之間進“騍 比較依據第一實施例之方法，如第6圖所繪。 仃; 在示例5中，使用裴置100或200包含第一處理單元 7第五處理單70 2卜第四處理單i 20及第二處理單一 18,如處理單元U1至U9或U1至U7。 ^ 【第四實施例之示例6】 第3圖之行（b)’係依據本發明之第四實施例之示例 6,處理-基板方法之步驟流程圖。 ” Θ之行（b )所緣，依據第四實施例之示 6， 額外包含暴露一右M $ ’機溥膜圖形至一光源之步驟（步驟 1)於灰化步驟S21及過顯影步驟S12之間進行；比較 依據第二實施例之方法，如第8圖所繪。 ， 17、 18， 在示例6中 第六處理單 如處理單元 使用裝置1〇〇或200包含第一處理單元 70 22、第四處理單元20及第二處理單元 ϋ1至U9或U1至U7。

2134-6913B-PF 34 1299514 , 【第四實施例之示例7】 第13圖之行（c)，係依據本發明之第四實施例之示例 7，處理一基板方法之步驟流程圖。 如第13圖之行（c)所繪，依據第四實施例之示例7， 額外包含暴露一有機薄膜圖形至一光源之步驟（步驟 S41 )，於藥液塗佈步驟S11及過顯影步驟S12之間進行； 比較依據第三實施例之方法，如第9圖所繪。 在示例7中’使用裝置1〇〇或2〇〇包含第一處理單元 • 17、第六處理單元、第五處理單元21、第四處理單元20 及第二處理單元18，如處理單元ui至U9或U1至U7。 參考第14圖’依據第四實施例之方法，下述更詳細說 明示例1之内容。 第 14(a-2)、14(b-2)、14(c-2)及 14(d-2)圖係平面 圖。第 14(a-1)、14(b-1)、14(c-1)及 14(d-l)圖係分別為 第 14(a-2)、14(b-2)、14(c-2)及 14(d-2)圖之剖面圖。 鲁 如第— i)及l4(a-2)所繪，例如，一閘極電極6〇2 具有一既定形狀，係形成於一電性絕緣基板60丨上。然後， 一閘極絕緣薄膜603形成於基板601上，覆蓋閘極電極 602。然後，一非晶矽層604、一 N +非晶矽層605 '以及一 源極/没極層6 0 6，係依序形成於閘極絕緣薄膜6 〇 3上。 然後，如第14(b-1)及14(b-2)所繪，一有機薄膜圖形 607形成於源極/汲極層606上。然後，源極/汲極層6〇6、 N +非晶矽層605、以及非晶矽層604，係藉由有機薄膜圖形 607作為一罩幕（步驟S04 >進行蝕刻。因此，閘極絕緣薄 2134-6913B-PF 35 1299514 膜603出現在不受有機薄膜圖形6〇7 设孟之區域。 初始有機薄膜圖形607具有一均白声命 刁各度，不如第7(b 一 1) 所繪之初始有機薄膜圖形6 0 7。 然後，進行加熱步驟S00、預備步 牛驟ς41 王要步驟以及 步驟S41，以上述之示例1至7(第 U主上d圖）所定義之 次序，暴露有機薄膜圖形6〇7至—光源。 步驟S41暴露有機薄膜圖形6〇7 用一 $ ¥目+ ,至一先源，係藉由使 :^有一既定圖形。在隨後過顯影步驟（步驟S12) 中，處理有機薄膜圖形6。7成一新圖形，如第“ 14(c-2)所繪；亦即，有機薄膜圖 r - 19 ^ , 糸刀離成複數部分 I第12圖中之兩部分）。 然後，源極/沒極層606及Ν+非晶石夕層6〇5， 機薄膜圖形607作為一罩幕進行餘刻，因此，出現^晶石夕 層604 ’然後移除有機薄膜圖形607。 日日 當位於有機薄膜圖形6〇7下方之底層薄膜包含多居 4 6〇5及6G6時 '，係藉由有機薄膜圖形607作為一罩^ 進行蝕刻，於加熱步驟、 秦 驟、以及暴露有機薄膜圖要乂 ^ 、广 寻膘圖形607之一光源步驟之前及之 後’以區分在飯刻步驟「丰 ^驟（步驟S04)中之蝕刻區域， 過顯影步驟（步驟S ； μ )之刖進行，於步驟S12及S13之 後進行蝕刻步驟。因此 之 ’可蝕刻一第一層（例如，非曰 層604 )及一第二屑f 〇 非曰曰矽 9、例如’源極/汲極層606及Ν+非曰功 層605 )介於多層底 非日日矽 寻膜之間，以具有不同之圖形。 因此，即使如果釦 初始有機薄膜圖形607具有一均勺产

2134-6913B-PF 36 1299514 度’第7圖所示之步驟之益處，亦可由第14圖所示之步驟 獲得。 參考弟1 5圖’依據第四實施例之方法，下述更詳細說 明示例2之内容。 第15(3-2)、15(1)-2)、15(〇-2)及15((1-2)圖係平面 圖。第 15(a-1)、15(b-1)、15(c-l)及 15(d-l)圖係分別為 第 l5(a-2)、15(b-2)、15(c-2)及 15(d-2)圖之剖面圖。 如第15(a-l)及15(a-2)所繪，例如，一閘極電極6〇2 具有一既定形狀，係形成於一電性絕緣基板6 01上。然後， —閑極絕緣薄膜603形成於基板601上，覆蓋閘極電極 6〇2。一源極/汲極電極801具有一既定形狀，係形成於閘 極絕緣薄膜603上。-覆蓋薄膜802包含電性絕緣材料， 形成於閘極絕緣薄膜603上以覆蓋源極/汲極電極8〇ι。 然後，如第^(卜^及15(b-2)所繪，一初始有機薄膜 圖形607形成於覆蓋薄膜8〇2上。然後，覆蓋薄膜呢及 閘極絕緣薄膜603 ’係藉由有機薄膜圖形607作為一罩幕 進行蝕刻。因此，閘極電極6〇2出 607诤# + r 你个又有機薄膜圖形 D U ’覆盍之區域。 仞始有機薄膜圖形6〇7具有一均勻厚 所給之初於古又 如第9(b-1) 亇、曰之子刀始有機薄膜圖形6 0 7。 然後’進行加熱步驟S00、預備步驟、 步驟341，以上过夕_#丨〗s , 主要步驟以及 上述之不例1至7 (第1 i至u 々床，異嚯士 η d圖）所定義之 序暴路有機薄膜圖形607至一光源。 步驟S41暴露有機薄膜圖形6〇7至一 尤源、’係藉由使 2134-6913B-PF 37 1299514 用光罩具有一既定圖形。在隨後過顯影步驟（步驟S12) 處理有機薄膜圖形607成一新圖形，如第15(c_i)所 “ 後，如第15(卜：1)及15(b_2)所繪，覆蓋薄膜8〇2 ’ 係错由有機薄膜圖％ 607作為-罩幕進行钱刻，因此，出 現非晶矽層，然後移除有機薄膜圖形6〇7。

當位於有機薄膜圖形607下方之底層薄膜包含多層 802時，如上所述，係藉由有機薄膜圖形μ?作為 一罩幕進行蝕刻，於加熱步驟、預備步驟（步驟〉、 主要步驟、以及暴露有機薄膜圖形6。7之—光源步驟之前 及之後，以區分在蝕刻步驟（步驟s〇4)中之蝕刻區域， 係於過顯影步驟（步驟S12)之前進行，於步驟犯及⑴ 之後進行蝕刻步驟。因此，可蝕刻一第一層（例如，閘極 絕緣薄膜6〇3)及一第二層（例如，覆蓋薄膜8。2)介於多 層底層薄膜之間，以具有不同之圖形。 在蚀刻閘極電極602 _L之閘極絕緣薄$咖及覆蓋薄 膜802之後’可避免源極/沒極電極8〇ι受破壞，僅蚀刻源 極/汲極電極801上之覆蓋薄膜8〇2。 因為依據第四實施例之方法，額外包含暴露一有機薄 膜至-光源之步驟（㈣S41)，比較依據第一至第三實 施例之方法，可處理—有機薄膜圖形至-新_，即使如 果初始有機薄膜圖形具有—均句厚度（亦即，初始有機薄 膜圖形不具有兩個或複數部分具有相異厚度）。 可選擇的’即使當不處理一有機薄膜圖形至一新圖形 2134-6913B-PF 38 1299514 時，依據第四實施例之方法 一光源之步驟（步驟S41)， 驟 S12)。 ，頜外包含暴露一有機薄膜至 可以有效進行過顯影步驟（步

【第五實施例】 第16圖係依據本發明之第五實施例之變化，處理一基 板方法之步”驟流程圖。 如第16圖所繪，依據第五實施例之方法，包含加熱一 基板之步驟（步驟S00)、顯影步驟（步驟S12)、以及加 熱（溫度控制）步驟（步驟S1 3 )。 亦即，依據第五實施例之方法，+同於依據第一實施 例之方法’只有不包含塗佈藥液至一有機薄膜圖形之步驟 (步驟S11)。 依據第五實施例之方法中，因為不進行預備步驟，不 移除改變層或沈積層；取而代之的是，在過顯影步驟（步 驟S12)之前進行藉由進行加熱步驟（步驟，將可移 除在進行加熱步驟（步驟S00)之前渗透進有機薄膜圖形 内部或底部之濕氣、酸性或鹼性溶液；或者如果黏滯力降 低，將可恢復有機薄膜圖形及底層間之黏滯力。因此，該 有機薄膜圖形將具有原來之光感應性及其他性質，使得有 機薄膜圖形可良好利用或再利用；以及因此，可藉由過顯 影步驟（步驟S12)穩定收縮或移除有機薄膜圖形。 為了進行依據第五實施例之方法，使用裝置1 〇 〇或2 〇 〇 包含第四處理單元20及第二處理單元18，如處理單元m 至U9或U1至U7。若不忽略加熱或溫度控制步驟（步驟 2134-6913B-PF 39 1299514 r SI 3 )，加熱步驟（步驟SOO )及加熱或溫度控制步驟（步 驟S1 3 )皆在第二處理單元18中進行。 下述說明上述每一實施例中之預備步驟之選擇方法。 第1 7圖係依據改變層之形成之原因，綠出改變層改變 • 之程度。在第17圖中，改變之程度之決定，係依據使用一 濕式步驟剝離一改變層之困難度。 如第1 7圖所繪，一改變層改變之程度，係高度相關於 濕#刻中所使用之藥液，或者是乾蝕刻係等向性或非等向 籲 性’或者存在於有機薄膜圖形之沈積物，以及乾姓刻所使 用之氣體。因此，亦有關於移除之困難性。 塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟（步驟S11)，所使 用之藥液係選擇自酸性溶液、鹼性溶液或只有有機溶劑、 或其混合物。 特別的是，藥液係選擇自鹼金屬水溶液或水溶液含有 至少一胺作為有機溶劑介於重量百分比0. 05至10%之間， _ 亦包含。 〇因此，胺係選擇自單乙基胺、雙乙基胺、三乙基胺、 單異丙基私雙異丙基胺、三異丙基胺、單丁基胺、雙丁 基細、二丁基胺、氫氧基胺、雙乙基氫氧基胺、去水雙乙 基氫氧基胺、吡啶、及甲基吡啶等。 右改變層改變之程度相對性低，亦即，若改變層之形 ''由於老化所引起之氧化、酸性蝕刻劑或非等向性氧灰 斤選之茱液可包含胺於重量百分比0.05至3%之間。 第1 8圖係繪出藥液中胺之濃度及一移除速率間之關 2134~6913b~pf 40 1299514 係示意圖，與是否改變一有機薄膜圖形有關。 如第18圖所繪，最好之藥液可包含胺於重量百分比 0.05至1.5%之間’僅移除一改變層，而留下有機薄膜圖形 之非改變部分；為此目的，最好選擇自氫氧基胺、雙乙基 氫氧基胺、去水雙乙基氫氧基胺、吡啶、及甲基吡啶等。 為了抗腐蝕，可選擇D葡萄糖（D_gluc〇se) (αΗ丨2〇〇 、 螯化物或抗氧化劑。

第18圖所示係於第17、19及2〇圖中，改變層情況之 例子。第18圖所示之曲線變化，係依據改變層之情況，例 如二曲線之截距可為1〇忖％，依據截距 所定義之重量百分比，必須優化胺之濃度。 藉由設定適當之時間 圖形之步驟（步驟S1 1 ) 有移除一改變層或沈積層 分，或允許一沈積層覆蓋 間距，進行塗佈藥液至有機薄膜 ’如同選擇適當之藥液，可以只 ，留下有機薄膜圖形之未改變部 之有機薄膜圖形出現。 塗佈藥液至有機薄膜圖形之步驟（步驟S11)提供一 益處，藥液具有—功能可顯影—有機薄膜圖形，類似於在 二顯影：驟（步驟S12)中渗透一有機薄膜圖 S11之後進行。 ^ ^ 貫際上，塗佈上述藥液至一有機 變層破裂，戎去孩w ^ ^ 次者移除-部份或全部改變層。因此，可避免 樂液具有一功能，顯影一 _ ^ ^ , 有枞4 m圖形，防止改變層在 顯影步驟中滲透有機薄膜圖形。 ^ 重要的是，有機薄膜圖形 、闯心之禾改變部分不應被移除，

2134-6913B-PP 41 1299514 而應該保留，以及藥液可確實渗透有機薄膜圖 部分，藉由只移除改變層或弄碎改變層。 丈 之藥液。 ’、須選擇可使用 第8、9、10圖、第u圖中之行（b)、第 12圖中之行⑻、⑹及第13圖中之行（b)、（c)所繪之灰 化步驟，係早一進行或與塗佈藥液 ^ _ ’钱屬Μ圖形組合 “仃ϋ層或沈積層固^或較厚時，相當難以移除。 =單一=化步驟或與塗佈藥液至—有機薄膜圖形組 I進仃，可解決在只進行塗佈藥液至—有機薄膜圖形步驟 中難以移除改變層之問題’或者需要較多時間的問題。 第Π圖係繚出只有一氧灰化步驟或一非等向性電聚 :驟之改變層的變化’第18圖係繪出只有-塗佈藥液（水 冷液含有氫氧化胺2%)步驟之改變層的變化，以及第19 圖係搶出依序進行上述灰化步驟及塗佈藥液步驟之改變層 的變化。在第19至21圖中，類似第5圖，改變之程度之 決定，係有關於在濕式步驟中剝離改變層之困難度。又 故4第1 9至21圖所繪，可解由進行任何步驟以移除改 憂層。然而’比較第！ 9圖所繪之氧灰化步驟（等向性電漿 步驟），及塗佈藥液（水溶液含有氨氧化胺2%)至一改變 層之步驟’依據改變層之厚度及性質，移除改變層之程度 並不相同。 如第19圖所緣，氧灰化步驟（等向性電漿步驟）有用 於移除沈積之改變層，但可能破壞標的物。因此，如果進 仃乳灰化步驟（等向性電裝步驟）於未沈積之改變層，遺

2134-6913B-PF 42 1299514 留改變層不被移除至一較高程度，比 I /、進仃塗佈藥液至 一改變層之步驟（第18圖）之改變層程度為高。 如第19圖所綠，另一方面，塗佈为 刀囬孟邯樂液（水溶液含有氫 氧化胺2%)至一改變層之步驟，係比 货比起虱灰化步驟用以移 除沈積之變化層，具有較小之效用 1一不破壞標的物。因 此，如果進行塗佈藥液至一改變層 曰又步驟於未沈積之改變 層，遺留改變層而不移除，係比起 &用虱灰化步驟來移除 改變層，具有較高之程度。 如第21圖所緣，因此，為了具備第19圖及第2〇圖之 優點，氧灰化步驟（等向性電装步驟）及塗㈣液（水溶 液含有氫氧化胺2%)至-改變層之步驟，係依次進行 以理解的是，第21圖所示之方法有效 双於改變層上具有沈積 物，及改變層上不具有沈積物， π %改變層而不破壞。 在上述之實施例中，主要步驟係包含過顯影_有機薄 膜圖形之步驟（步驟S12)及加埶一 ,h ·、'、有機溥膜圖形之步驟 (步驟S13)。主要步驟可包含塗佈—藥液至—有機薄膜 圖形之步驟，#中該藥液不具有顯影-有機薄膜圖形之功 能，但具有熔合該有機薄膜圖形之功能。例如， 釋一分離媒介物而獲得藥液。特別的 " . 了稀釋一分離媒 "物而獲得藥液，使得該分離媒介物之遭度為⑽或更小。 最好該分離媒介物具有一濃度相同或高於2%。例如，可藉 由水稀釋一分離媒介物而獲得藥液。 曰 在上述之實施例中，一有機薄膜圖形係包含—有機光 感應薄膜。當有機薄膜圖形藉由印刷及主要步驟形成時， 43

2134-6913B-PF 1299514 該藥液不具有顯影一有機薄m 有機薄膜圖形之功能，一 力把’但具有熔合該 機光感應薄膜。此外，暴露一'臈圖形並非必要包含一有 S4卜非必要進行。 •有機薄膜圖形至光源之步驟 甚至如果藉由印刷形成—有機 形可包含一有機光感應薄膜，以及。、、圖形，有機薄膜圖 圖形至光源之步驟S41。 可進行暴露一有機薄膜 依據上述實施例之方法 — 形’其意義在於，依據上述實施例除-:機薄膜圖 樣可用以剝離或分離-有機薄膜圖形。部份同 特別的是，在第一示例令， 長之错由進行預備步驟於較 驟之時門具N 、有機圖形，比實施例中預備步 媸M即’進仃預備步驟之時間而不完全移除有 =膜圖形）.，透過使用-藥液，具有移除改變層或= 9 ^及有機薄膜圖形之功能。在第二示例中，在+ 驟中移除改㈣或沈積層’以及在主要步驟中完全移^ 機薄膜_ ’以較長的時間間距，比起實施例中的主要步 驟的時間K亦即，進行主要步驟之時間而不完全移 機薄膜圖形）。 、 【圖式簡單說明】 第1圖係繪出傳統處理基板方法步驟之流程圖。 第2圖係繪出處理一基板，示例之/裝置之平面圖。 第3圖係繪出處理一基板，另一示例之一裝置之平面 2134-6913b—PF 44 .Ϊ299514

元丄4:_處理一基板所裝載在-裝 置内之處理單 第5圖係繪出塗佈藥液至一有機薄膜圖形 裝置之剖面圖。 示例之 第6圖係依據本發明之第一實施例 之步驟流程圖。 處理一基板方法

第7圖(a-l)〜(d-2)係依據本發明之第―實施例，處理 一基板方法之步驟流程圖。 第8圖係依據本發明之第二實施例，處理一基板方法 之步驟流程圖。 第9圖係依據本發明之第三實施例，處理一基板方法 之步驟流程圖。 第10圖係依據本發明之第三實施例之變化，處理一基 板方法之步驟流程圖。 第11圖（a)〜（d)係依據本發明之第四實施例，處理一 基板方法之步驟流程圖。 第1 2圖（a)〜（c)係依據本發明之第四實施例之變化’ 處理一基板方法之步驟流程圖。 第13圖（a)〜（c)係依據本發明之第四實施例之變化’ 處理一基板方法之步驟流程圖。 第14圖（a_l)〜（d“2)係依據本發明之第四實施例’處 理一基板方法中第一例之步驟流程圖。 第15圖（a-Ι)〜（c-2)係依據本發明之第四實施例’處 2134-6913B-PF 45 1299514 理一基板方法中第二例之步驟流程圖。 之變化，處理一基 第16圖係依據本發明之第五實施例 板方法之步驟流程圖。 之程度 第17圖係依據改變層之形成之原因，繪出改變層改 變 〃第18圖料出藥以胺之濃度及-移除速率 係示意圖。 間之關 變 第19圖係㈣只進行灰化步驟…改變層之改變。 第20圖係緣出只進行塗佈藥液步驟，一改變層之改 第21圖纷出依:欠進行灰化步驟及塗佈藥液步驟，一 改變層之改變。 【主要元件符號說明】 裝置〜1 00、200 第--^式站台〜1、 第一卡式站台〜2、16 處理單元配置區域〜3、4、5、6、7 自動控制裝置〜12、i 4、i 5 控制器〜24 第一處理單元〜ΐγ 弟二處理單元〜18 第三處理單元〜19 第四處理單元〜2〇 10、11

2134-6913B-PF 46 1299514 , 第五處理單元〜21 第六處理單元〜22 藥液槽〜3 01 腔體〜302 可移動式喷嘴〜303 階梯〜3 0 4 抽取出口〜305 基板〜500 # 電性絕緣基板〜6 01 閘極電極〜6 0 2 閘極絕緣薄膜〜603 非晶矽層〜604 N +非晶矽層〜605 源極/沒極層〜6 0 6 有機薄膜圖形〜6 0 7 I 薄部分〜6 0 7 a 源極/汲極電極〜8 01 覆蓋薄膜〜802 2134-6913B-PF 47

Claims (1)

1299514 十、申請專利範圍： •一種藥液，為用於包括去除形成於基板上的有機薄 膜圖形的表面的改變層或沈積層步驟的基板處理方法之 中，進仃至少一部分的上述步驟的藥液，其特徵在於； 該藥液至少含有胺類材料，且上述胺類材料的濃度在 〇· 01重量％以上，10重量％以下。 2·如申睛專利範圍帛J項所述之藥液，其中該胺 料的濃度在0·05重量％以上，3重量％以下。 3.如申請專利範圍第2項所述之藥液，其中該胺 料的濃度在〇. 05重量％以上，1.5重量％以下。 4.如中請專利範圍第」至3項中任—項所述之藥液， ，、中该胺類材料係擇自下列族群中之至少一 胺、雙乙基胺、三乙美胗有.早乙基 土胺早異丙基胺、雙異丙基胺、= 異丙基胺、單丁基胺、雙― m r ^ ^ ^ —丁基胺、虱乳基胺、 土二乳基胺、去水雙乙基氫氧基胺K及甲基D比咬。 種藥液’為用於包括去除形成於基板上的有 :圖开/的表面的改變層或沈積層步驟的基板處理方法 中，進行ΐ少—部分的上述步驟的藥液，其特徵在於； 上述藥液含有下歹，丨游；舌蓋+ 、夢中之任一者··酸性藥液、有办 劑、驗性藥液、有機溶 機备 m入 類材料之組合、胺類材料鱼 、、且5、以及驗性藥液與胺_料之組合。 ' 6.如申請專利範圍第1 v 甘士— 及5項中任一項所述之筚 液，其中該藥劑添加一防蝕劑。 之耒 2134-6913B-PF 48