TWI299534B - - Google Patents

Description

1299534 五、發明說明（1) 本發明係有關於一種晶圓多重測試方法，且特別有關 於一種適用於非揮發性記憶體，如EEPR〇M、EpR〇M、快閃 s己憶體（F 1 a s h )等的晶圓多重測試方法。 習知技術說明： 卜晶圓測試（sorting )是晶圓製程中重要的一個環 節。請參見第1圖，在晶圓測試時，每一晶粒（d丨e )的測 試結果一般可分為合格（g〇〇d die )或不合格等情況；如 第1圖所示，一晶圓1的測試結果可能分為不合格晶粒丨丨與 合格晶粒1 2。因此，晶圓測試可決定每一晶粒的測試結 果，而可根據測试結果加以判斷是否需要經由其他處理， 例如對不合格的晶粒加以修補等，以提昇晶圓的良率。 舉例而言’以快閃記憶體（F丨ash )為例，快閃記憶 體是一種非揮發性（nonv〇latile )記憶體，因此可以在 未通電的情況下保存記錄於其中的資料。因此，在習知技 術中，例如美國第5, 870, 40 7號專利專利案中所述，快閃 記憶體進行晶圓測試時，為節省測試時間，可將測試結果 直接記錄於一小塊額外的快閃記憶體區域之中。類似的方 法也可應用於其他非揮發性記憶體，例如EEpR〇M、EpR〇M 等的晶圓測試流程之中。 然而，如此的習知測試方法仍有其缺陷。首先，使用 額外的快閃記憶體區域記錄測試結果，會使得記憶體的尺 寸加大，並且增加測試的時間。另外，在晶圓測試過程 中’有時會發生誤載（Ο V e r k i 1 1 )的情況，而使得合格的

0503-6331TWF(N) ； TSMC2001-0122 ； Calvin.ptd \ 頁 ------- 1299534 五、發明說明（2) 晶粒被3為不合格，或是不合格的晶粒被判為合格；因 *對合格晶粒加以理 於Γ 的誤判 + 乂晋扪恿理，而降低製程的效率。 發明概述： 有鑑於此，本發明之目的即在於提出一種改良的 測試方法^可針對原尺寸的晶圓記錄測試結果， :增加用來記錄測試結果的記憶體部分，卩節省記憶體尺 本發明之另一目的在於提出一 法，可減少誤載（overkill)的产==二曰囡測試方 與不合格之測試結果被誤判的心降低，的合格 避免不必要的額外處理。 -&升良率’且可 本發明揭示一種晶圓多重 程中，其中該晶圓包括複數晶粒：該晶圓= 括下列步驟”則試每-該等晶粒，以決定每包 狀態係為第-狀態或第二狀態其中之一者母並之 粒之狀態於該等晶粒；將該晶圓進行處理以；：：專晶 該第-狀態之每-該等晶粒，以決定處理後試 粒係為該第一狀態或該第二狀態其中之— 忒4晶 上述晶圓多重測試方法中，該晶圓 體；S外，將該晶圓進行處 性記憶 圓烘烤處理。 4處理可包括晶 另外，本發明更特 ^ m ^ 另J揭不一種日日圓多重測試方法，適 第5頁 0503-6331TWF(N) ； TSMC2001-0122 ； Calvin.ptd 1299534 五、發明說明（3) 用於一非揮發性記憶體之晶圓製程中，其中該晶圓包括複 數晶粒，該晶圓多重測試方法包括下列步驟：測試每一該 等晶，，以決定每一該等晶粒之狀態係為合格狀態或不合 格狀態其中之一者，並於該晶粒之狀態為該不合格狀態 時’以該不合格狀態為該晶粒之測試結果，且於該晶粒之 狀悲為該合格狀態時，記錄該晶粒之狀態於該晶粒；將該 晶圓進行烘烤處理；以及再次測試該合格狀態之每一該等 晶粒，以判斷該合格狀態之該晶粒處理後係為該合格狀態 或該不合格狀態其中之一者，而決定該合格狀態之該晶粒 處理後之測試結果。 另外’本發明更特別揭示一種晶圓多重測試方法，適 用於一非揮發性記憶體之晶圓製程中，其中該晶圓包括複 數晶粒，該晶圓多重測試方法包括下列步驟：測試每一該 等晶以決定每一該等晶粒之狀態係為合格狀態或不合 格狀態其中之一者，並於該晶粒之狀態為該合格狀態時， 以該不合格狀態為該晶粒之測試結果，且記錄該等晶粒之 狀態於該等晶粒；將該晶圓進行烘烤處理；以及再次測試 該不合格狀態之每一該等晶粒，以判斷該不合格狀態之該 晶粒處理後係為該合格狀態或該不合格狀態其中之一者， 而決定該不合格狀態之該晶粒處理後之測試結果。 上述晶圓多重測試方法中，可在最後包括一步驟：合 併該晶圓之每一該等晶粒之測試結果，而得到一晶圓測試 結果圖。 為使本發明之上述及其他目的、特徵和優點能更明顯

0503-6331TWF(N) ; TSMC2001-0122 ; Calvin.ptd 1299534

實施例

易懂，下文特舉一較佳 明。 並配合所附圖式做詳細+、 、、、 成 較佳實施例的詳細說明： 式方法，係將一晶圓，例如快 ’藉由多次測試，而得到最後 迷實施例加以說明。 閃 的 本發明之晶圓多重測 記憶體等非揮發性記憶體 測試結果。本發明可由下 ^一實施例

本實施例係針對晶fj] % . B 一 、 了日日圓弟一次測試之合格晶粒，加以第 二^測試，以確保晶圓處理過程中不會使原本判定為合袼 狀態的晶粒產生不良的效應，避免使實際記憶體產品的良 率降低。 請參見第3a圖，說明本發明第一實施例之測試流程 圖。首先，如第2圖所示，+發明之晶圓丨〇 〇的每一晶粒係 先經過第一次測試（步驟S3丨〇 )，而得到分為兩種狀態的 晶粒’即第二狀態（即不合格狀態）的第一次測試不合格 晶粒11 0以及第一狀態（即合格狀態）的第一次測試合格 晶，120 °在此必須強調，本實施例以不合格狀態為第二 狀悲，而合格狀態為第一狀態，但本發明並非以此限定第 一狀態與第二狀態的對應關係。 然後，測試之後，藉由判斷第一次測試之晶粒是否合 格（步驟S320 )，而將第一次測試合格晶粒12〇的合格狀 態記錄在晶粒中（步驟S330 )。若晶粒為不合格之第一次 測試不合格晶粒11 0，則不需再次測試，因此可不必記錄

1299534

其不合格狀態。然後， 處理，例如烘烤（baki 備進行第二次測試。 將第—次測試之後的晶圓1 0 0進行 ng )等處理（步驟S340 )，然後準

進行弟-次測試時，首车H 1 — A 能夕~肢，止 ’先檢測每一晶粒是否有合格狀 怨之圮錄（步驟S350 )。若| s丨主— ,, 不合格晶粒11〇 (如第3b圖所無，則表不晶粒為第一次測試 + :目,丨4，土 口所不之細網格晶粒），不需再 (步驟S365 )，即可直接狀為不合格（步驟S390 記錄’則表示晶粒為第一次測試合格晶粒12。， 盘進二苐一次測試（步驟S36Q)，同樣可決定晶粒為合格 ^不合格等兩種狀態（步驟S37Q);若為合格，則晶粒為 :一夂測试合格晶粒1 2 2，其最後的測試結果即為合格狀 怨^步驟S380 );若為不合格，則晶粒為第二次測試不合 ，晶粒1 2 1 (如第3b圖所示之寬網格晶粒），其最後的測 試結果即與第一次測試不合格晶粒丨丨〇同樣判定為不合格 狀態（步驟S390 )。 最後，如第3c圖所示將晶圓1 〇 〇之晶粒二次測試結果 合併’即可得到晶圓測試結果，其中包括不合格晶粒1 3 〇 與合格晶粒140。 簋二實施例 本實施例係針對晶圓第一次測試之不合格晶粒，加以 第二次測試，以確保晶圓處理過程中是否已使原本判定為 不合格狀態的晶粒產生修補等效應，而可提昇使實際記憶 體產品的良率。

0503-6331TWF(N) ； TSMC2001-0122 ； Calvin.ptd 第8頁 1299534 五、發明說明（6) 請參見第4a圖，說明本發明第二實施例之測試流程 圖。首先，如第2圖所示，本發明之晶圓1 〇 〇的每一晶粒係 先經過弟一次測試（步驟S 4 1 0 )，而得到分為兩種狀態的 晶粒，即第一狀態（即不合格狀態）的第一次測試不合格 晶粒11 0以及弟二狀態（即合格狀態）的第一次測試合格 晶粒1 2 0。在此必須強調，本實施例與第一實施例相反， 係以不合格狀態為第一狀態，而合格狀態為第二狀態，但 本發明並非以此限定第一狀態與第二狀態的對應關係。 然後，測試之後，藉由判斷第一次測試之晶粒是否不 合格（步驟S42 0 )，而將第一次測試不合格晶粒丨丨〇的不 合格狀態記錄在晶粒中（步驟S430 )。若晶粒為不合格之 第一次測试合格晶粒1 2 0 ’則不需再次測試，因此可不必 s己錄其合格狀態。在此必須說明，本發明並非限定合格晶 粒的記錄狀態與否。 然後，將第一次測試之後的晶圓1 〇〇進行處理，例如 烘烤（baking )等處理（步驟S440 )，然後準備進行第二 次測試。 進行苐一次測試時，首先檢測每一晶粒是否有不合格 狀態之記錄（步驟S450 )。若無，則表示晶粒為第一次測 試合格晶粒120 (如第4b圖所示之虛線格晶粒），不需再 次測試（步驟S465 )，即可直接判定為合格狀態（步驟 S49 0 )。若有記錄，則表示晶粒為第一次測試不合格晶粒 11 0，則進行第二次測試（步驟S46 0 )，同樣可決定晶粒 為合格與不合格等兩種狀態（步驟S470);若為不合格，

〇503-6331TWF(N) TSMC2001-0122 ； Calvin.ptd 第 9 頁 1299534 、發明說明（7) 則晶粒為第二次測試不合格晶粒丨u (如第4b圖網格所示 驟曰粒）’其最後的測试結果即可確定為不合格狀態（步 )’右為合格’則晶粒為第二次測試合格晶粒11 2 4b圖斜線格所示之晶粒），其最後的測試結果即與 夂測试合格晶粒1 20同樣判定為合格狀態（步驟S490 後，如第4c圖 即可得到晶圓 晶粒1 4 0。 此必須說明， 來決定晶圓測 試，同樣可以 然本發明已以 定本發明，任 和範圍内，仍 範圍當視後附 合併， 與合格 在 二欠測試 多重測 雖 用以限 之精神 之保護 所不將晶圓1 〇 0之晶粒二次測試結果 測試結果’其中包括不合格晶粒1 3 0 本發明並非如上述實施例限定，由二 試結果；也就是說，三次甚至以上的 依照本發明之方法來進行之。 數個較佳實施例揭露如上，然其並非 何熟習此項技藝者，在不脫離本發明 可作些許的更動與潤飾，因此本發明 之申請專利範圍所界定者為準。

1299534 圖式簡單說明 第1圖係顯示習知晶圓測試之晶粒測試結果示意圖。 第2圖係顯示本發明之晶粒第一次測試示意圖。 第3a圖係本發明第一實施例之測試流程圖。 第3b圖係第一實施例之晶粒第二次測試示意圖。 第3c圖係第一實施例之測試結果示意圖。 第4a圖係本發明第二實施例之測試流程圖。 第4b圖係第二實施例之晶粒第二次測試示意圖。 第4c圖係第二實施例之測試結果示意圖。 符號說明： 1〜晶圓； 11〜不合格晶粒； I 2〜合格晶粒； 1 0 0〜晶圓； II 0〜第一次測試不合格晶粒； 111〜第二次測試不合格晶粒； 11 2〜第二次測試合格晶粒； 1 2 0〜第一次測試合格晶粒； 1 2 1〜第二次測試不合格晶粒； 1 2 2〜第二次測試合格晶粒； 1 3 0〜不合格晶粒； 1 4 0〜合格晶粒。

0503-6331TWF(N) ； TSMC2001-0122 ； Calvin.ptd 第11頁

Claims (1)

1299534 六、申請專利範圍 1. 一種晶圓多重測試方法，適用於一晶圓製程中，其 中該晶圓包括複數晶粒，該晶圓多重測試方法包括下列步 驟： 測試每一該等晶粒，以決定每一該等晶粒之狀態係為 第一狀態或第二狀態其中之一者，並記錄該等晶粒之狀態 於該等晶粒， 將該晶圓進行處理；以及 再次測試該第一狀態之每一該等晶粒，以決定處理後 之每一該等晶粒係為該第一狀態或該第二狀態其中之一 者。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之晶圓多重測試方法， 其中該晶圓係為非揮發性記憶體。 3. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓多重測試方法， 其中將該晶圓進行處理之步驟中之該處理包括晶圓烘烤處 理。 4. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓多重測試方法， 其中該第一狀態為合格狀態，且該第二狀態為不合格狀 態。 5. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓多重測試方法， 其中該第一狀態為不合格狀態，且該第二狀態為合格狀 態。 6 · —種晶圓多重測試方法，適用於一非揮發性記憶體 之晶圓製程中，其中該晶圓包括複數晶粒，該晶圓多重測 試方法包括下列步驟：

0503-6331TWF(N) ； TSMC2001-0122 ； Calvin.ptd 第12頁 1299534 六、申請專利範圍 測試每一該等晶粒，以決定每一該等晶粒之狀態係為 合格狀態或不合格狀態其中之一者，並於該晶粒之狀態為 該不合格狀態時，以該不合格狀態為該晶粒之測試結果， 且於該晶粒之狀態為該合格狀態時，記錄該晶粒之狀態於 該晶粒； 將該晶圓進行烘烤處理；以及 再次測試該合格狀態之每一該等晶粒，以判斷該合袼 狀態之該晶粒處理後係為該合格狀態或該不合格狀態其中 之一者’而決定該合格狀態之該晶粒處理後之測試結果。 7 ·如申請專利範圍第6項所述之晶圓多重測試方法， 其中#更包括一步驟： 合併該晶圓之每一該等晶粒之測試結果，而得到一晶 圓測試結果圖。 9 8 · —種晶圓多重測試方法，適用於一非揮發性記憶體 之晶圓製程中，其中該晶圓包括複數晶粒，該晶圓多重測 試方法包括下列步驟： 測試每一該等晶粒，以決定每一該等晶粒之狀態係為 合格狀態或不合格狀態其中之一者，並於該晶粒之狀態為 該合格狀態時，以該不合格狀態為該晶粒之測試結果，且 記錄該等晶粒之狀態於該等晶粒； 將該晶圓進行烘烤處理；以及 再次測試該不合格狀態之每一該等晶粒，以判斷該不 合格狀態之該晶粒處理後係為該合格狀態或該不合格狀熊 其中之一者，而決定該不合格狀態之該晶粒處理後之測試

0503-6331TWF(N) ； TSMC2001-0122 ； Calvin.ptd 1299534 六、申請專利範圍 結果。 9.如申請專利範圍第8項所述之晶圓多重測試方法， 其中更包括一步驟： 合併該晶圓之每一該等晶粒之測試結果，而得到一晶 圓測試結果圖。

0503-6331TWF(N) ； TSMC2001-0122 ； Calvin.ptd 第 14 頁