TWI324397B - Radiation detector - Google Patents

Description

1324397 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種依據申請專利範圍第1項-或第3項前言 所述之輻射偵測器。 爲了偵測一種具有一預設之光譜敏感度分佈之輻射（其在 一預設之波長λ〇時具有一種最大値），則通常使用一種例如 干涉濾波器或單色光度器之類的輻射偵測器，其具有特殊之 已調整之濾波器配置。此種偵測器之特徵是對該預設之光譜 敏感性分佈有一種很好之適應性，但就其操控和製造而言大 部份是較昂貴的。此外，輻射偵測器通常具有高的空間需 求，使其只能有限地-或不能用在小的空間中。 【先前技術】 若該預設之光譜敏感度分佈是人類眼睛之光譜敏感度分 佈，則通常使用一種矽-光二極體以利用此種敏感度分佈來 偵測已入射之輻射。 光二極體之敏感度另外又與已入射之輻射之波長有關。就 一種大於極限波長之波長而言，該敏感度至少接近於零，此 乃因就該波長範圍中所入射之輻射而言該二極體之具功能 之材料（例如，矽）之能帶間隙較所入射之輻射之能量還大且 因此使已入射之輻射不足以產生電子-電洞對（pair)。另一方 面在變小之波長區域中該敏感度亦變小，此乃因所產生之電 子-電洞對例如隨著下降之波長使表面重組增加而不再能產 生光電流。在中間區域中該二極體之敏感度具有一種最大 値，該中間區域在矽-光二極體中位於大約8 00 nm處。 1324397 使用上述形式之矽-光二極體作爲偵測器，其具有已依據 明亮度來調整之人類眼睛之光譜敏感度分佈且該敏感度之 最大値大約是在555 nm處，則需要其它之費用，此乃因該 敏感度最大値之各波長互相差異很大且二個光譜敏感度分 佈因此較不易互相調整。該偵測器敏感度依據人類眼睛之敏 感度分佈所作之調整可藉由多個複雜之濾波器來改良。總 之，以上述方式可造成人類眼睛之敏感度。 【發明內容】 本發明之目的是提供一種上述形式之輻射偵測器，其能以 儘可能簡易-且成本有利之方式製成以及具有一種對該預設 之光譜敏感度分佈（特別是對人類之眼睛）之良好之調整性。 就該良好之調整性而言，其亦充份地視爲本發明之範圍， 使該偵測器敏感度廣泛地等於該預設之敏感度。這些敏感度 完全相一致是未必需要的。反之，一種對一預設之敏感性之 儘可能良好之調整性應以一種儘可能小的費用來達成。 該目的以一種具有申請專利範圍第1項-或第3項特徵之 輻射偵測器來達成。本發明有利之其它形式描述在申請專利 範圍各附屬項中。 依據一種預設之光譜敏感度分佈（其在一預設之波長λ〇 時具有一種敏感度最大値）來偵測輻射所用之輻射偵測器在 本發明中包含至少一種半導體晶片，其具有一種III-V-半導 體材料。 本發明中該半導體晶片較佳是一種LED-晶片，其是一種 輻射發射器以用在傳統之LED中。這樣可成本有利地製成 1324397 該輻射偵測器，此乃因作爲輻射發射器之功能用之LED-晶 片可用作該輻射偵測器之半導體晶片且該適當地針對一種 輻射偵測器來調整之半導體晶片之製造費用即可避免。 m-V_半導體材料較佳是包含該半導體晶片（特別是LED-晶片）之具有功能之材料及/或須選取該III-V-半導體材料， 使該半導體晶片之敏感度由零偏移至該預設之光譜敏感度 分佈之區域中》該晶片之敏感度是藉由光電流之強度來決 定，該光電流是由一種入射至半導體晶片上之輻射藉由該具 有功能之材料中之電子-電洞對之產生而形成。光電流之強 度是與入射之輻射功率及入射之輻射之波長有關且典型之 大小是在ΠΑ之數量級中。因此，爲了能達成較佳之信號處 理或-偵測該光電流較佳是流經一種運算放大器。 特別好的情況是該半導體晶片（特別是LED-晶片）在波長 λ!時具有該敏感度之最大値，該波長λ,與該預設之波長 λ 〇之間之差値儘可能小。該波長λ 〇有利之方式是位於該 LED-晶片之發射波長之範圍（例如，頂點）中或位於主波長之 範圍中，該LED-晶片在操作成一種輻射發射器時發出該波 長λ 〇。 當然須指出：該波長Λ 1未必對應於該半導體晶片（特別是 LED-晶片）之敏感度之最大値。反之，例如當；I ,(其依據上 述之觀念須足夠靠近λ 〇)時未有適當之半導體材料具備一 種敏感度最大値時，則其在λ t時具有一種足夠高的値時即 已足夠。 該波長λ !和Λ 〇之間之差値較佳是小於5 0 n m，特別是小 1324397 於15 nm。輻射偵測器因此可藉由適當地選取LED-晶片或 ΠΙ-V-半導體材料而預先對該預設之敏感度來進行調整。 該預設之光譜敏感度分佈通常須作設定，使其在波長λο 時具有値1或1〇〇%。該半導體晶片（特別是LED-晶片）之敏 感度（其與光電流有關）通常依該入射之輻射功率之每瓦特 之安培來設定。 爲了將該預設之光譜敏感度分佈與該偵測器敏感度進行 比較，則適當之方式是須互相對該二種敏感度進行調整，使 得在λο時之預設之敏感度和在Ai時該偵測器之敏感度分 別具有100%之値（相對敏感度）。本說明書涉及相對敏感度， 只要不另外說明時。 本發明中之設計方式是：可使用LED-晶片以依據預設之 光譜敏感度分佈來預先調整該偵測器之敏感度，就像使用該 LED-晶片於商用之LEDs中一樣，LED-晶片具有一種III-V-半導體材料以作爲具功能之材料。一種偵測器用之新的半導 體晶片之特殊製造所需之費用和相關之成本因此可有利地 避免。 例如，可依據波長λ 〇來考慮半導體晶片，特別是LED-晶 片，其含有 InxGayAh.x.yP，InxGayAli.x.yN 或 IrixGayAh.x.yAs， 其中OSxSl，OSySl且X + ySl,以作爲III-V-半導體材 料。III-V-半導體材料之特徵是一種已簡化之可達成之有利 的高的內部量子效率。此種材料特別適用在可見之光譜區域 中’該波長λο較佳是位於此光譜區域中。由材料系統 IiuGayAh^P或InxGayAh.x-yN所構成之特殊之半導體材料 1324397 特別適用於上述之光譜區域中。 在本發明之一種較佳之形式中，至少一種光學濾波器配置 於半導體晶片（特別是led-晶片）之後，該光學濾波器可使該 偵測器之敏感度對該預設之敏感度分佈之調整性獲得改 良。這例如是藉由吸收所入射之輻射之波長來達成，就該入 射之輻射而言該半導體晶片（特別是LED-晶片）之敏感度高 於該預設之光譜敏感度分佈。 上述形式之濾波器較佳是吸收各種大於λ〇之波長且至少 一部份可配置在一至少一部份圍繞半導體晶片（特別是LED-晶片）所用之外罩之內部，外部及/或該外罩上。此外，該外 罩材料本身亦可形成光學濾波器或成爲該瀘波器之一部份。 該光學濾波器較佳是包含多個濾波器微粒，其特別是配置 在該外罩中且例如包含有機顏料。 該光學濾波器例如亦能以濾波器箔或濾波器材料之形式 而設置在該外罩上及/或設置在該外罩外部之濾波器結構 上。 就該外罩材料而言，其例如可爲反應樹脂，較佳是丙烯酸 樹脂’環氧樹脂或矽樹脂或這些材料之混合物。 上述材料通常用在半導體技術中以封裝該半導體晶片，特 別是LED-晶片。在形成傳統式輻射發射器用之LEDs中， LED-晶片之外罩材料對所發出之輻射而言是可透過的。但本 發明中一輻射偵測器亦可包含上述形式之濾波器配置，其所 吸收之波長是由作爲輻射發射器用之LED -晶片所產生者。 在本發明之一較佳之形式中，該半導體晶片，特別是LED- 1324397 晶片包含至少一濾波層。該濾波層較佳是配置在晶片之表面 上，特別是配置在輻射入射側之表面上。該濾波層所吸收之 波長較佳是小於該預設之光譜敏感度分佈之波長Λ〇,於是 可使該偵測器敏感度對該預設之光譜敏感度分佈（特別是短 波長之此側上之分佈）之調整性廣泛地獲得改良。 該濾波層較佳是以鈍化層，覆蓋層及/或保護層之形式構 成，就像其包含在（或整合在）商用之LED-晶片中一樣。因此 須形成該濾波層，使波長小於λ〇之入射之輻射被吸收，且 該偵測器敏感度對該預設之光譜敏感度分佈之調整性可廣 泛地獲得改良。上述之各層通常具有一種能帶間隙，其大於 該LED-晶片之活性區之能帶間隙。這些層對由該LED-晶片 所發出之輻射而言是可透過的且可保護該具功能之材料使 不受不利之外界所影響。 情況需要時該濾波層能以單石形式積體化於半導體晶片 (特別是LED-晶片）中，此時該濾波層例如以磊晶方式形成在 一種生長基板上且與半導體晶片用之半導體本體一起製成。 較佳是藉由該濾波層來影響該偵測器敏感度，使得在小於 入〇之任意之波長中該偵測器敏感度和該預設之敏感度之差 小於25%，特別是小於15%。 特別有利的是該波長小於λ 〇時之偵測器敏感度不再藉由 光學濾波器（其配置在半導體晶片，特別是LED_晶片，之外 部）來對該預設之敏感度進行調整。反之，此種調整可藉由 半導體晶片（特別是LED-晶片）中所含有之濾波層來達成。 波長小於λ 〇時之濾波亦可藉由上述形式之光學濾波器來 -10- 1324397 達成，其配置在半導體晶片（特別是LED-晶片）外部，例如， 配置在該外罩中。但若上述形式之濾波層已設在半導體晶片 (特別是led-晶片）中’則該輻射偵測器之製造費用和製造成 本可有利地下降。 在本發明之另一有利之形式中’在任意之波長時該偵測器 敏感度和該預設之敏感度之差小於40% ’較佳是小於25%。 特別有利的是一濾波層組合在該LED_晶片上或積體化於該 LED-晶片中且其後配置一種上述形式之光學濾波器。此種偵 測器在與其它偵測器比較時具有小的空間需求且對該預設 之光譜敏感度分佈具有一種較佳之調整性。 特別有利的是在一包含該預設之敏感度之最大値λα之光 譜區域中之一特別是任意之波長中該偵測器敏感度和該預 設之敏感度之差小於1 5 %。 爲了調整各敏感度，則能以下述方式來進行：首先須選取 該LED-晶片，使其敏感度可良好地對該預設之敏感度進行 預調整。 此種預調整可相對於該預設之光譜敏感度分佈之邊緣（波 長大於或小於之區域）或其最大値例如藉由選取一適當 之LED-晶片來達成。 該濾波器（即’連接於該LED_晶片之後之光學滤波器或據 波層）用來繼續進行調整’其特別是在一種波長範圍中具有 吸收性，在該波長範圍中該LED_晶片所具有之敏感度大於 該預設之敏感度分佈。 由於該LED-晶片通常在其發射波長之區域中具有最大之 1324397 例如，此處所需者是照明裝置和顯示器之亮度之控 照明裝置之切入時點及/或斷開時點之控制。這些照 可作爲住家，街道或汽車用之內部-和外部空間照明 及亦可作爲顯示器’例如，手提顯示器，自動顯示器| 螢幕，之背景照明裝置。就上述最後所提及之應用而 輻射偵測器之較小之空間需求是特別有利的。 在本發明之上述應用中，該預設之敏感度較佳是設 類眼睛之敏感度。因此，上述照明裝置之亮度可藉由 提高或減小而有利地對應於人類眼睛之執行情形來控 上述輻射偵測器之其它應用領域是用作環境之 器。該預設之敏感度此處亦可有利地藉由人類眼睛來 【實施方式】 本發明之其它特徵，優點和適用性由以下之與各圖 之實施例之說明即可得知。 各圖式中作用相同或相同形式之元件具有相同之 號。 第la圖中顯示一種LED-晶片1之切面圖，其可應 發明之輻射偵測器中。該晶片1具有一種由功能材料 成之層，該層例如含有III-V-半導體材料InGaAlP且 層所限制。該半導體材料之特徵是高的量子效率且通 發光二極體中，該發光二極體例如具有型號F 1 998 t 者是 Osram Opto Semiconductors GmbH)。該 LED 所 發射波長是在大約630 urn之紅色光譜區域中。 一種濾波層3配置於該功能層2之後，該濾波層3 制以及 明裝置 之用以 突 LED-言，該 定成人 亮度之 ί制。 光感測 :設定。 式有關 參考符 用在本 2所構 由局限 常用在 V (製造 具有之 可吸收 -13- 1324397 入射之輻射，其波長小於該功能層2之能帶間隙所對應之波 長。該濾波層已設置在LED-晶片中（如其應用在F 1 998 A 中者一樣）且在該處作爲輻射發射器用之LED中例如具有保 護層及/或外罩層之功能，此種層可預防外部之對該LED-晶 片之有害之影響。 第lb圖是本發明之輻射偵測器之一實施例之一部份之切 面圖。第la圖之LED-晶片1配置在外罩4中，其包含一種 反應樹脂。該反應樹脂較佳是設有一種有機顏料微粒5,其 可吸收該入射之輻射之光譜區之一部份且因此可用作光學 濾波器。此外，該LED-晶片設有一種連結墊6和一種電極7 以便與該LED-晶片作電性上之接觸。藉由該與電極7相連 接之外部電性終端8和一與連結線9相連接之另一外部終端 (其未顯示在第lb圖中），則一種由入射至該功能層中之輻 射所產生之光電流可由一種運算放大器來測得。光電流之與 入射之輻射功率和該輻射之波長之間之相依性決定了一輻 射偵測器之敏感性’該輻射偵測器包含了上述之結構，該結 構具有LED-晶片1(其具有該濾波層3)和外罩4(其中配置著 顔料微粒5) » 上述之輻射偵測器能以成本有利之方式來製成，此乃因可 使用LED-晶片’就像LED-晶片應用在傳統之以輻射發射器 構成之LEDs中一樣。此種輻射偵測器和LEDs之間之不同 是該外罩材料之特性。在LEDs中當該外罩材料對所產生之 輻射是可透過時’則在具有LED-晶片之輻射偵測器中所期 望的是：具有濾波微粒5之該外罩4恰巧可吸收該LED-晶 1324397 片所發出之光譜區域中之波長，以便有利地使該偵測器敏感 度對該預設之敏感度之調整性獲得改良。 由第2圖可知，該偵測器敏感度如何藉由該LED-晶片之 外罩中之光學濾波器來對人類眼睛之光譜敏感度分佈進行 調整。 第2圖中顯示本發明之輻射偵測器（其具有不同之光學濾 波器）之偵測器相對敏感度1〇，11，12之光譜分佈和明亮度 已調整之人類眼睛之預設之光譜敏感度分佈相對於入射之 輻射之波長λ之關係。該敏感度S以百分比來表示。 各輻射偵測器分別包含一種LED-晶片，就像其用在LED F 19 9 8 A (製造者是 Osram Opto Semiconductors GmbH)中者 —樣。該LED -晶片所具有之發射波長是在大約630 nm之紅 色光譜區域中且含有InGaAlP以作爲功能材料。各偵測器之 已顯示之相對敏感度分佈1〇，11，12是針對由濾波層3而 來之入射光所繪製者，如第la或lb圖所示，該濾波層3配 置於該LED-晶片1之功能層2之後。各偵測器敏感度之全 部之曲線外形10, 11，12在λρ 5 60 nm時具有一種敏感度 最大値13。對應於這些曲線之偵測器在配置於LED-晶片1 之後之光學濾波器配置中是不同的。對應於敏感度分佈10 之偵測器之構造中未具備一種連接於該LED-晶片1之後之 濾波器配置，在該分佈11，12中在LED-晶片周圍設有1 mm 或2 mm厚之濾波用之外罩。該瀘波用之外罩如第lb圖所示 是一種反應樹脂，其例如具有綠色之有機顔料。 明亮度已調整之人類眼睛之相對之光譜敏感度分佈在λ〇 -15- 1324397 与555 nm時具有一種最大値且如第2圖所示是由點狀之曲 線14來表示。本發明中有疑慮的是：依據相對應之DIN來 考慮敏感度分佈。 此外，第2圖中顯示各波長Aa，Ab，Ac，Ad和λβ’其 表示所示之敏感度分佈之不同之區域。 在大約；la和又！之間之波長範圍中各敏感度10，11和12 已良好地與眼睛敏感度14相一致，這是藉由濾波層3來達 成，其可吸收上述波長範圍中所入射之輻射且因此會影響各 偵測器敏感度10, 11和12相對於眼睛敏感度14之調整性。 該偵測器敏感度和眼睛敏感度之差異値就其於該敏感度 之一種共同之値時之波長而言較佳是在該波長範圍中小於 3 0 n m，特別是小於1 5 n m。 此外，該偵測器敏感度和眼睛敏感度之差異値在一預設之 位於該範圍中之波長時小於1 5 %。 當然就λ < λ a而言，各偵測器敏感度10，1 1和12相對 於眼睛敏感度14而言已下降很多且就波長小於大約又1)時 至少幾乎等於是零。造成此種結果之一種原因是電子-電洞 對（pair)之表面組合，此乃因該電子-電洞對（pair)不再形成 光電流。在波長大於大約λ。時該偵測器敏感度下降之程度 較眼睛敏感度大很多，此乃因波長大於大約λ。時入射之輻 射能量已不足以產生電子-電洞對（pair)。 曲線10除了敏感度最大値13之外亦顯示其它之局部性最 大値15 1和161。這些値位於LED-晶片之發射波長之範圍 中，其大約在630 nm處。如曲線10所示，該偵測器曲線在 1324397 λ > λ。時在其整個曲線中與眼睛敏感度有較大之差異，該 敏感度之最大差異値大約是在70% » 就上述輻射偵測器之多種應用而言，特別是就與波長小於 λ。有相關之應用而言，上述之對眼睛敏感度之調整已很足 夠。這樣在該偵測器用於小的空間中且一種較厚之濾波用之 外罩不利地提高該構造之大小時是有利的。 如上所述，上述之調整性可藉由適當地選取半導體材料或 LED-晶片來達成。 爲了使該偵測器敏感度對該眼睛敏感度之調整性可獲得 改良，則在對應於曲線1 1和1 2之偵測器中設有一種外罩， 其由已入射之輻射中吸收一種大於555 nm(特別是在大約 630 nm時局部性最大値151之紅色光譜區域中）之波長。 該外罩之厚度決定了其對入射之輻射之已吸收之輻射功 率且因此決定了所產生之光電流和偵測器敏感度。 在與偵測器敏感度10相比較時，對該敏感度14之調整性 是藉由1 mm厚之綠色外罩來達成重大之改良，如圖中之偵 測器敏感度1 1所示》該曲線1 〇之局部最大値1 5 1對應於曲 線11中之肩152且藉由外罩中之吸收性而大大地變成平 坦。該局部最大値161仍以一種最大値162之形式而存在 著，該最大値162由於在該外罩中之吸收性而具有一種較局 部最大値1 6 1還小之敏感度値。 若設有一種2 mm厚之綠色外罩，則由於較高的已吸收之 輻射功率而可使相對應之偵測器敏感度12對眼睛敏感度之 調整性進一步獲得改良。此處亦保持著最大値163形式之局 -17- 1324397 部最大値。原來之最大値151在153時須大大地平坦化，使 其不可再被辨認。 在一預設之波長中，相對應之偵測器-和眼睛敏感度之差 異値小於25%。 就該敏感度S之値大約大於50%時，該偵測器可很良好地 對該眼睛敏感度進行調整且該偵測器-和眼睛敏感度之差異 値大約小於10%。此種對眼睛敏感度之調整性對各種應用而 言是足夠的，此乃因其恰巧是眼睛最敏感之範圍。 在波長16和1£：之間該偵測器敏感度12仍然與眼睛敏感 度14有較大之差異。若該輻射偵測器中設有另一濾波器配 置，其在該對應於局部最大値163，162或161之波長之範 圍中具有吸收性，則在該範圍中對眼睛敏感度13之調整性 仍可進一步獲得改良。 本發明不限於應用在眼睛敏感度上而是亦可應用在全部 之預設之光譜敏感度（其在波長λ Q時具有最大値）上，且一 種包含LED-晶片之輻射偵測器之敏感度可對該波長λ 〇來 進行調整。若該LED-晶片之敏感度在多個波長範圍中小於 該預設之敏感度，則亦可設有特殊之光學放大器配置，其可 有利地作用於該偵測器敏感度相對於該預設敏感度之調整 性。 本件專利申請案主張德國專利申請案DE 103 45 410.1之 優先權，其所揭示之整個內容此處明顯地在本申請案中作爲 參考用。 本發明不限於實施例中之說明。反之，本發明包含每一種 -18- 1324397 新的特徵和各特徵之每一種組合，其特別是包含申請專利範 圍中各特徵之每一種組合，當這些特徵或其組合本身未明顯 地顯示在各項申請專利範圍中或實施例中時亦同。 【圖式簡單說明】 第la，lb圖 本發明之輻射偵測器之第一實施例之切面圖和 第二實施例之一部份之切面圖。 第 2圖 本發明具有不同光學濾波器之輻射偵測器之第 三實施例之偵測器敏感度之光譜分佈圖以及人 類之亮度已調整之眼睛之預設之光譜敏感度分 佈，其就敏感度之値而言是與晶片之敏感度有 關。 主要元件之符號表： 1 發光二極體晶片 2 功能（材料）層 3 濾波層 4 外罩 5 濾波微粒 6 連結墊 7 電極 8 外部終端 9 連結線 10 無外罩之F 1998A之InGaAlP-晶片之敏感度分析 11 具有1毫米厚之綠外罩之F 1998八之InGaAlp-晶片之 敏感度分佈 -19- 1324397 12 具有2毫米厚之綠外罩之F 1998A之InGaAlP-晶片之 敏感度分佈 13 偵測器敏感度之最大値 14 人類眼睛之光譜敏感度分佈 151 局部最大値 152 局部最大値151之逐漸平坦之肩部 153 局部最大値151之逐漸平坦之肩部 161 局部最大値 162 局部最大値

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Claims (1)

1324397 . ―一 一 一 — ^ μ年έ月v日修%)正本| ____Ι·ί 身 第93 1 293 35號「輻射偵測器」專利案 (2009年6月修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種輻射偵測器，其依據一預設之光譜敏感度分佈（14)來 偵測輻射，該光譜敏感度分佈（14)在一預設之波長λ。時具 有一種敏感度最大値，該輻射偵測器包含至少一種半導體 晶片（1)和至少一種配置於該半導體晶片（1)之後之光學濾 波器，其特徵爲： -該半導體晶片包含至少一種III-V-半導體材料； -該光學濾波器吸收一種輻射，其波長大於該敏感度最大値 之波長又〇 ; -該輻射偵測器具有一種偵測器敏感度，使得在任意波長時 該偵測器敏感度之對應値與該預設之光譜敏感度分佈之 間的差小於40%。 2. —種輻射偵測器，其包含至少一種半導體晶片（1)且用來依 據人類眼睛之光譜敏感度分佈（14)以偵測輻射，其特徵爲 :該半導體晶片（1)包含至少一種III-V-半導體材料；其中 該輻射偵測器具有一種偵測器敏感度，使得在任意波長時 該偵測器敏感度之對應値與該人類眼睛之光譜敏感度分佈 之間的差小於40%。 3. 如申請專利範圍第2項之輻射偵測器，其中該輻射偵測器 包含至少一種配置在該半導體晶片（1)之後之光學濾波器 且該光學濾波器所吸收之輻射之波長大於人類眼睛之敏感 度最大値之波長λ。’。 1324397 4·如申請專利範圍第1或2項之輻射偵測器，其中該半導體 晶片是一種LED-晶片。 5. 如申請專利範圍第1或3項之輻射偵測器，其中該半導體晶 片（1)之敏感度在波長λ ,時具有至少一最大値（13)，其中該 波長之與波長又0或波長又。’之差不超過50 nm，較佳是不超 過 1 5 nm 0 6. 如申請專利範圍第1或2項之輻射偵測器，其中該偵測器 具有一種外罩（4)，其至少一部份圍繞該半導體晶片（1)。 7. 如申請專利範圍第6項之輻射偵測器，其中該外罩（4)包含 一種樹脂，較佳是一種反應樹脂。 8. 如申請專利範圍第6項之輻射偵測器，其中該光學濾波器 至少一部份配置在該外罩（4)之內部，外部及/或該外罩（4) 上及/或該外罩材料本身形成該濾波器。 9 ·如申請專利範圍第1或3項之輻射偵測器，其中該光學濾 波器包含複數個濾波器微粒（5)。 10. 如申請專利範圍第1或2項之輻射偵測器，其中該半導體 晶片（1)具有一種灑波層（3)。 11. 如申請專利範圍第10項之輻射偵測器，其中該濾波層（3) 吸收之波長小於λ 〇或λ。’。 12 ·如申請專利範圍第1或2項之輻射偵測器，其中該輻射偵 測器具有一種偵測器敏感度（1 2)，其中在任意波長時該偵 測器敏感度（12)之對應値與該預設之敏感度（14)之間的差 較佳是小於2 5 % » 13.如申請專利範圍第1或2項之輻射偵測器，其中該ΠΙ_ν- -2- 1324397 半導體材料是In*GayAlu.yP，IiwGayAli…yN或 IiiiGayAli-x.yAs，其中 OSxS 1，OSyS 1 且 x + y$ 1。 14.如申請專利範圍第4項之輻射偵測器’其中該LED-晶片（1) 之發射波長位於紅色光譜區中。 1 5 ·如申請專利範圍第1或2項之輻射偵測器，其係用作環境 之光感測器。 16.如申請專利範圍第1或2項之輻射偵測器，其係用來控制 一種對各裝置之影響，各裝置之作用方式，作用期間，執 行及/或應用是與該預設之光譜敏感度分佈有關。 1 7.如申請專利範圍第1或2項之輻射偵測器，其係用來控制 各照明裝置之明亮度。 1 8.如申請專利範圍第1或2項之輻射偵測器，其係用來控制 LCD-螢幕之背景照明之明亮度。 19.如申請專利範圍第1或2項之輻射偵測器，其係用來控制 各顯示器之明亮度。 20·如申請專利範圍第1或2項之輻射偵測器，其係用來控制 各照明裝置之接通時間點或斷開時間點。