TWI330862B - Semiconductor apparatus and fabrication method of the same - Google Patents

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TWI330862B
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semiconductor device
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Shunpei Yamazaki
Toru Takayama
Junya Maruyama
Yumiko Ohno
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Semiconductor Energy Lab
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1330862 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於一種半導體設備，包含由像是 晶體（此後稱爲TFT )之設備構成，該電晶體係藉 放層接合至一輸送之基底而形成’以及相關於該半 備之製造方法。例如，本發明係相關於一種像是液 之電光設備，'像是E L模組之發光設備、以及裝 備而作爲元件之電子設備。此外，本發明係相關於 備剝除（p e e I )方法以及將該設備傳送至一塑膠基 法。 此處，所謂”半導體設備”係指使用半導體特性 之任何設備。電光設備、發光設備、半導體電路以 設備係皆包括在該半導體設備中。 【先前技術】 近來，使用半導體薄膜（厚度約爲數n m至數 之厚度）而形成在具有絕緣膜之基底上之技術受到 該薄膜電晶體係廣泛的應用在像是1C、電光設備 子設備中。特別是，作爲影像顯示設備之切換元件 電晶體之發展非常快速。 此影像顯示設備之各種應用受到期待，結果， 備之影像顯示設備引起注意。雖然玻璃基底、石英 等係使用在多數現有之影像顯示設備中，但是其有 裂以及重的缺點。進一步，玻璃基底、石英基底等 於大量生產，因爲其加大不易。因此，TFT設備試 薄膜電 由將釋 導體設 晶模組 設此設 —種設 底之方 而操作 及電子 百 n m 注意。 等之電 之薄膜 行動設 基底、 容易碎 不適合 圖形成 (2) (2)1330862 在具有像是可撓性塑膠膜之撓性的基底之上。 然而，因爲塑膠膜之熱阻爲低，處理時之最高溫度需 要爲低，於是，相較於在玻璃基底上無法形成具有高電性 之TFT。因此，尙無使用塑膠膜之高效能液晶顯示設備以 及發光設備之實施。 假如可製造將有機發光設備（OLED )形成在像是塑 膠膜等之撓性基底上之發光設備或是液晶顯示設備，則可 製造具有薄厚度以及輕的以及應用於彎曲表面顯示器、展 φ 示窗等之發光設備或是液晶顯示設備。因此，其使用並不 限定於晶格（ce】]U】a〇電話而其應用相當廣。 然而，習知上，一般而言，以塑膠形成之基底容易進 入濕氣或是氧氣。此些雜質將造成有機發光層之損害，而 減少發光設備之壽命。因此，藉由夾置一像是氮化矽、氧 化氮矽等於塑膠基底以及有機發光設備之間而避免濕氣或 是氧氣進入該有機發光層。 此外，像是塑膠膜等之基底對於熱係相當脆弱。當增 φ 加像是氮化矽、氧化氮矽等之絕緣膜之沈積溫度時，基底 變的容易變形。且，太低的沈積溫度將使膜之品質降低且 很難避免濕氣或是氧氣進入發光設備。且由於驅動在塑膠 膜之基底上之設備而產生之熱將使基底變形以及損壞基底 之部分。 【發明內容】 因此，本發明之目的在提供一種半導體設備，其可避 免由於像是濕氣或是氧氣侵入所造成之損害，一發光設備 -6 - (5) (5)1330862 剝除或是傳送之方式並不限制。釋放層以及基底可以 如下而分離，即，分離層係位在釋放層以及基底之間，且 分離層係以蝕刻劑而移除；或者以非晶矽所形成之分離層 係位在釋放層以及基底之間，而該分離層係經過基底而由 雷射光照射以釋放在非晶矽中之氫氣，且之後，在分離層 中形成空間。當使用雷射光實，包括在釋放層之裝置被加 熱不超過41 0 °c以在剝除前不釋放在非晶矽中之氫氣。 除了上述之方法=可使用在兩膜之間使用軟膜（ membrane )壓力之壓力剝除方法。根據該剝除方法，最 好是氮化金屬之金屬層形成在一基底之上，而氧化層形成 在氮化金屬層之上，之後，裝置可在氧化層上形成，之後 ，沈積處理以及加熱處理（不小於5 0 0 °C )可再不產生剝 除下而執行，接著，在氧化層之邊界面或是內側可藉由實 體機構而輕易分離。此外，雷射照射或是熱處理可藉由實 體機構而在剝除前而執行，以實施剝除。 本發明一提供一種新的方法已使用剝除方法以及傳送 方法而製造半導體設備。 在此說明書所揭示之本發明之第一結構中，係爲一種 半導體設備之製造方法，包含以下步驟： 第一程序’以在第一基底上形成包括半導體裝置之釋 放層； 第二程序，在釋放層上覆蓋以溶劑而溶解之有機樹脂 膜； 第三程序’以雙面膠帶而接合第二基底至該有機樹脂 -9- (7) (7)1330862 膜； 第三程序’以雙面膠帶而接合第二基底至該有機樹脂 膜，已將釋放層以及有機.樹脂膜夾置於第一基底以及第二 基底之間； 第四程序’以藉由雙面膠帶而將第三基底與第一基底 接合； 第五程序，藉由實體機構，以將結合有第三基底之第 一基底與釋放層分離； 第六程序’以將第四基底與該釋放層接合，以將釋放 層夾置於第二基底以及第四基底之間； 第七程序，以將釋放層以及第一雙面膠帶自第二基底 分離； 第八程序，自第一雙面膠帶而分離釋放層； 第九程序，以藉由溶劑而將有機樹脂膜移除；以及 第十程序，以第二溶劑而將第五基底與釋放層接合以 將釋放層加至於第四基底以及第五基底之間。 在本發明之第三結構中，係爲製造半導體設備之方法 ，包含以下步驟： 第一程序，以在第一基底上形成包括TFT之釋放層 » 第二程序，在釋放層上覆蓋以溶劑而溶解之有機樹脂 膜； 第三程序，以雙面膠帶而接合第二基底至該有機樹脂 膜，已將釋放層以及有機樹脂膜夾置於第一基底以及第二 -11 - (8) (8)1330862 基底之間； 第四程序，以藉由雙面膠帶而將第三基底與第一基底 接合； 第五程序’藉由實體機構，以將結合有第三基底之第 一基底與釋放層分離； 第六程序’以將第四基底與該釋放層接合，以將釋放 層夾置於第二基底以及第四基底之間； 第七程序’以將釋放層以及第一雙面膠帶自第二基底 φ 分離； 第八程序’自第一雙面膠帶而分離釋放層； 第九程序’以藉由溶劑而將有機樹脂膜移除； 第十程序’以製造包括有機化合物之發光裝至於該釋 放層上；以及 第十一程序，已第二溶劑而將作爲密合發光裝置之第 五基底與該釋放層接合，以將釋放層加至於第四基底以及 第五基底之間。 φ 上述關於製造半導體設備之方法中，該溶劑係爲水或 是酒精。 上述關於製造半導體設備之方法中’在第七程序之該 第一雙面膠帶以及第二基底之黏接物係較釋放層以及第四 基底之黏接物爲強。 最好是，傳送至釋放層之基底具有較蓓傳送之基底爲 堅硬。 上述關於製造半導體設備之方法中之第—以及第二結 -12- (9) (9)1330862 構’第一基底係爲玻璃基底、第二以及第三基底係爲石英 基底或是金屬基底，而第四以及第五基底係爲塑膠基底ε 上述關於製造半導體設備之方法中之第一以及第二結 構’具有熱導性之塑膠基底可被接合，第一基底係爲玻璃 基底’第二以及第三基底係爲石英基底或是金屬基底，而 在第四以及第五基底中，其中一個係爲對光透明之塑膠基 底’而另一個係爲具有熱導性之塑膠基底。 上述關於製造半導體設備之方法中，其中第四或是第 五基底係爲塑膠基底，其表面上形成有SiNxOy膜、 SiNxOy膜、AlNx膜、A】NxOy膜。該半導體設備可藉由 形成SiNxOy膜、SiNxOy膜、AINx膜、AINxOy膜余塑膠 基底而改進其可靠度以得到一壁障（barrier )特性。 以雙面膠帶而接合第二基底之程序以及接合第三基底 之程序可在任何之一先下皆可而執行。上述關於製造半導 體設備之方法中，可保留第三程序（其以雙面膠帶將第二 基底以及有機樹脂膜接合而將釋放層以及有機樹脂膜夾置 於第一基底以及第二基底之間）以及第四程序（其將第三 基底與第四基底藉由第二雙面膠帶接合）之順序。 在此說明書中，”EL層”係指位在陽極以及陰極之間 之任何層。因此，上述電洞射入層、電洞傳送層、發光層 、電子傳送層、以及電子射入層皆可以是EL層。 在泚說明書中，” EL裝置”係指具有將EL材質以及 含有作爲射入載子至EL材質（此後稱爲EL層）之有機 材質或是無機材質夾置於兩個電極（陽極以及陰極，即， -13- (12) (12)1330862 材質；2 1 ,第一黏接物；2 2 :釋放層（包括一裝置）；2 3 :第 二黏接物；以及24,基底。釋放層藉由剝除方法而與基底 (未顯示）分離，並以第一黏接物而與基底2 0接合。或 者，基底2 4以第二黏接物2 3而與釋放層2 2接合，而該 釋放層被分離而以第一黏接物2]與基底接合。 圖1 D係爲使用具有熱導性之黏接物3 ]之材質而將 釋放層夾置於一對基底3 0以及3 4之間之例圖。 圖1 D中，標號3 0係表示具有熱導性之絕緣基底； φ 3 ]具有熱導性之黏接物；3 2 :釋放層（包括一裝置）；3 3 , 黏接物；以及3 4 :基底。 關於具有高熱導性之黏接物3 1，可使用由銀、鎳、鋁 '氮化鋁等（絕緣熱導黏接物）構成之粉末或是塡充物。 該熱照射特性可藉由使用具有高熱導性之黏接物而改進。 實施例模式2 參考圖而描述實施例模式2之主動矩陣發光設備之製 鲁 造例。 本發明可應用於主動矩陣發光裝置，但不限制於，任 何只要具有包含像是彩色顯示板之主動矩陣發光設備之有 機化合物、表面發光、或電觀看裝置之區域彩色發光設備 〇 首先，一裝置係形成在一玻璃基底上（第一基底300 )。係爲鎢膜（具有厚度範圍在10到200 nm，最好係 在50至75 nm)係藉由濺射而形成在坡璃基底上，而一 -16- (14) (14)1330862 形成施加電場至該對電極而達成螢光或是燐光之發光裝置 的第一電極被形成。此處，可作爲陽極或是陰極之第一電 極304係以大工作功能金屬膜（Cr、Pt、W等）、或是透 明導電膜（銦' 錫氧化物合金（]T 〇 )、氧化銦氧化錫合 金（In2〇3-ZnO) '氧化錫（ZnO)等而形成 <=以下描述 形成作爲陽極之第一電極3〇4之例子。 當TFT之源極或是汲極作爲第一電極、或是與源極 或是汲極接觸之第一電極被分開形成，該TFT包括該第 一電極。 一排3 0 5 a係形成在第一電極之端緣部分而環繞第一 電極之周邊。爲了增進覆蓋，排之上端緣部分或是下端緣 部分係經形成以具有彎曲之彎曲表面。例如，當正型之丙 烯酸樹脂使用作爲該排之材質時，其最好使排之上端緣部 具有彎曲徑度之彎曲表面（自0.2至3微米）。該排之製 作可使用負型（其係爲根據光感材質暴露於光之蝕刻劑的 不溶解材質）或是一負型材質（其係爲根據光之蝕刻劑。 進一步，當堆疊多數個有機樹脂時，可能造成多數有 機樹脂溶化或是該多數有機樹脂太黏。因此當使用有機樹 脂作爲該排之材質時，該排3 05 a最好以無機絕緣膜（ SiNx膜、SiNxOy膜、AINx膜、AINxOy膜）而覆蓋以在 整個程序中覆蓋整個表面之後而可輕易移除該水可溶解樹 脂。該無機絕緣膜係爲該排305b之部分（圖3A ) 接著，可溶解於水或酒精之黏接物覆蓋於整個表面上 ，並予以烘焙。該黏接物可例如由環氧樹脂系列、丙烯酸 -18- (15) (15)1330862 樹脂系列、矽系列等而構成。此處，以可溶解於水之膜（ TOAGOSE1公司：VL-WSHli〇) 3 06所形成之膜係經濺射 覆蓋而具有3 0微米之厚度，並經曝曬兩分鐘以部分硬化 ’之後’放回至U V射線2.5分鐘，之後，曝曬表面】〇 分鐘以完全硬化。 金屬膜3 0〗以及氧化膜3 〇2之黏性係部分降低以容易 剝除。該黏性之部分降低程序係藉由將雷射光線照射在金 屬膜30]以及氧化膜3〇2被剝除部分與周邊而達成，或是 · 自要被剝除部分之外側與周邊一起加壓以損壞氧化膜3 0 2 之邊界表面之部分的內側。特別是，像是鑽石筆之硬針可 垂直插入至將被剝除之區域並藉由施加力而沿著周邊而移 動。最好是，使用以施加力而以範圍O.Imm至2mm之壓 力而在該區域移動之畫線筆。對於容易剝除而言此程序很 重要。對於降低黏性（部分黏性）之此準備程序對於避免 不良剝除以及增進產量十分重要。 接著，第二基底3 0 8係以雙面膠帶而接合至水溶樹脂 φ 3 06所形成之膜。之後，第三基底3 ] 0係以雙面膠帶309 而接合至第一基底300 (圖3C)。該第三基底310避免第 —基底300在以下剝除程序中損壞。對於第二基底308以 及第三基底310,最好使用具有較例如石英基底或是半導體 基底之第一基底300爲堅硬之基底。 該具有金屬膜301之第一基底300係以實體機構而將 其黏性部分降低之區域而剝除。該第一基底300可藉由相 對較小之力（例如’人的手、自噴嘴噴出之氣壓、超音波 -19- (16) (16)Ϊ330862 等）而剝除。因此，以氧化膜所形成之釋放層可與第一基 底3 00分離。圖3 D展示剝除程序之後之狀態。 接著，第四基底3]2藉由黏接物3]1而與氧化層302 接合（以及剝除層）·重要的是’該第四基底3 1 2與氧化 層302 (以及釋放層）之黏接強度係較第二基底308藉由 雙面膠帶而與釋放層接合之黏性較強。最好使用具有範圍 在2至30W/mK範圍之高熱導性塑膠基底爲第四基底312. 該塑膠基底係由陶瓷；無鉛接合物；以聚丙烯、聚丙烯硫 醚、聚碳酸酯、聚醚醯亞胺 '聚丙硫醚、聚苯醚' 聚®、 聚苯二甲酸胺等之混合物所構成。該塑膠基底中，熔化之 金屬係經由陶瓷粒子而以似網狀而相互連接。 關於黏接物3 ]],可使用各種硬化黏接物，例如，像是 反應硬化黏接物之光硬化黏接物，熱硬化黏接物、UV硬 化黏接物等或是缺氧黏接物。該黏接物3 ]]最好包含由銀 、鎳、鋁' 氮化鋁、或塡充物之粉末所構成以具有高熱導 性。 第二基底308自雙面膠帶307而移除（圖3F)。 之後，雙面膠帶3 0 7自以水溶樹脂3 06形成之膜而移 除（圖3G)。 之後，由水溶樹脂3 06所形成之膜以水溶化（圖3Η )。假如在第一電極3 04遺留水溶樹脂之殘餘物時，將造 成裝置之損害。接著，最好第一電極304之表面被漂洗或 是以氧電發處理。 假如需要的話，第一電極304之表面使用泡在表面活 -20 - (17) (17)1330862 化劑（弱鹼性）之多孔海綿（一般爲PVA (聚丙烯基酒精 )或耐龍）。 在形成包含有機化合物3 ] 3之前的立刻，該基底真空 加熱已移除具有TFT或是排之整個基底之滲入濕氣。且 ，第一基底可在形成包含有機化合物3]3之層之前而立即 以紫外線照射。 該包含有機化合物313之層係使用蒸氣遮罩之蒸氣沈 積或是噴墨而在第一電極（陽極）而選擇性形成。關於包 φ 含有機化合物3]3之層，可使用聚脂類材質、低分子材質 、以上述材質所製之混合層，藉由散佈上述材質而形成之 層，或是藉由堆疊上述材質芝適當混合之堆疊層。 第二電極（陰極）314係形成在包含有機化合物303 之層上（圖31)。對了該陰極3!4,使用厚度爲透光以小 工作功能材質（Al，Ag,Li:Ca或上述材質之合金像是 MgAg，MgIn，AlLi，CaF2或CaN)所形成之疊層膜以及透明 導電膜。假如需要的話，保護層藉由濺射或是蒸氣沈積而 φ 形成在第二電極之上。該透明保護疊層膜係以淡化矽膜、 氧化矽膜' 氮化矽氧化膜（S i Ν Ο膜：N與Ο之比例係爲 N<0)、或是包含以濺射或是CVD形成之以碳作爲主要 元素之薄膜（例如DLC膜或是CN膜）而形成。 包含間隙劑（g a p a g e n t )以保持基底對之間之空間的 密合劑（未顯示）以所要之圖樣而施加至作爲密合基底之 第五基底上。該第五基底此時可以是對光透明，因爲係描 述經由第五基底316而發射所產生之光之發光裝置。爲了 -21 - (18) (18)1330862 將該裝置發光，形成壁障膜之塑膠膜（SiNx膜、SiNxOy 膜、A ] N X膜、AIN X ◦ y膜）係使用作爲第五基底3 1 6 .之後 ’以密合試劑而形成密合基底（第五基底）與該作用矩陣 基底接合而使密合圖樣對齊以環繞該發光部分以密合該發 光裝置。此外’密合基底係經接合以使密合試劑所環繞之 空間被透明有機樹脂形成之黏接物所塡滿。 接著，發光裝置具有TFT以及包括具有高熱導性之 塑膠基底312之發光裝置以及作爲支撐媒體之第五基底。 該所得之發光設備可照射在驅動操作時在裝置中所產生之 熱’因爲該塑膠基底具有高熱導性。進一步，該發光設備 可製造爲薄、輕以及可撓性，因爲塑膠基底係使用爲支撐 媒體。 此處，使用藉由將鎢膜以及氧化矽膜之邊界表面區分 離而分離第一基底之剝除處理，但不限於此，該第一基底 可在形成於第一基底上包含氫氣之非晶矽膜之後以雷射照 射或是藉由使用溶液或氣體而蝕刻或機械蝕刻而分離。 此實施例模式可自由於實施例模式1而組合。 實施例模式3 以下描述將產生在發光裝置中之光經由第一電極而取 出之發光設備之製造方法。因爲此實施例模式係與實施例 模式2部分相同，因此不再贅述，而標號係與實施例模式 2相同。 至剝除第一電極之處理係與實施例模式2相同。注意 -22- (19) (19)1330862 ，透明導電磨係使用在第一電極304以發光。 當圖4 D所示之狀態係根據實施例模式2而達成時， 透明塑膠基底3 ] 2係與黏接物4 I 1而接合（圖4 E ) ^ 第二基底308係與雙面膠帶307分離（圖4F) 之後，移除雙面膠帶307(圖4G) 之後，水溶樹脂所形成之膜藉由水而溶化並移除（圖 4H )。假如有水溶樹脂遺留在第一電極3 04隻蠶餘物時 ，將造成該裝置之損壞。接著，最好第一電極3〇4之表面 被漂洗或是以氧電漿處理。 假如需要的話，第一電極3 04之表面使用泡在表面活 化劑（弱鹼性）之多孔海綿（一般爲PVA (聚丙烯基酒精 )或耐龍）。 在形成包含有機化合物413之前的立刻，該基底真空 加熱已移除具有TFT或是排之整個基底之滲入濕氣。且 ，在形成包含有機化合物4 ] 3之層之前而立即以紫外線照 射。 該包含有機化合物413之層係使用蒸氣遮罩之蒸氣沈 積或是噴墨而在第一電極（陽極）而選擇性形成。關於包 含有機化合物413之層，可使用聚脂類材質、低分子材質 、以上述材質所製之混合層，藉由散佈上述材質而形成之 層，或是藉由堆疊上述材質芝適當混合之堆疊層。 第二電極（陰極）414係形成在包含有機化合物413 之層上（圖4】）。對了該陰極414:使用厚度爲透光以小 工作功能材質（Al,Ag5Li，Ca或上述材質之合金像是 (20) (20)1330862
MgAg;MgIn5AILi;CaF2或CaN)所形成之疊層膜以及透明 導電膜°假如需要的話，保護層藉由濺射或是蒸氣沈積而 形成在第二電極之上。該透明保護疊層膜係以淡化矽膜' 氧化砂膜' 氮化矽氧化膜（siN0膜：N與0之比例係爲 N<〇)、或是包含以濺射或是CVD形成之以碳作爲主要 元素之薄膜（例如DLC膜或是CN膜）而形成。 包含間隙劑（gap agent )以保持基底對之間之空間的 密合劑（未顯示）以所要之圖樣而施加至作爲密合基底之 第五基底上。該第五基底此時可以是對光透明，因爲係描 述經由第二基底4]6而發射所產生之光之發光裝置。之後 ，以密合試劑而形成密合基底（第五基底）與該作用矩陣 基底接合而使密合圖樣對齊以環繞該發光部分以密合該發 光裝置。此外’密合基底係經接合以使密合試劑所環繞之 空間被透明有機樹脂形成之黏接物4 1 5所塡滿（圖4 J ) 〇 接著’發光裝置具有TFT以及包括具有高熱導性之 塑膠基底4〗2之發光裝置以及作爲支撐媒體之第五基底 416。該所得之發光設備可照射在驅動操作時在裝置中所 產生之熱’因爲該塑膠基底具有高熱導性。進一步，該發 光設備可製造爲薄、輕以及可撓性，因爲塑膠基底係使用 爲支撐媒體。 此實施例模式可自由於實施例模式1或實施例模式2 而組合。 具有上述構成知本發明將以如下實施例而描述。 •24- (21) (21)1330862 實施例1 此處，將解釋在基底上同步製造TFT ( η通道tft以 及P通道TFT )之方法。雖然此處所示之例子係爲主動矩 陣試基底之製造程序至TFT製造程序，但不限於此。當 然，可製造包含有機化合物之發光層之發光設備，假如 TFT建構以及相素電極之材質不變。 使用玻璃基底（#1737)爲基底。首先，以pcVD而 形成具有I 〇〇nm厚度之氧化氮矽層上。 | 接著，鎢層藉由濺射而形成厚度50nm而作爲金屬層 ’而氧化矽層在不暴露於大氣之下以濺射而接續形成爲具 有2 0 0 n m之厚度而作爲氧化層。該氧化矽層係在使用rf 避射設備下而形成；氧化矽係使用作爲濺射標的（直徑爲 3 0_5Cm )作爲加熱基底之瘂氣體係爲3〇SCcm ;基底溫度 係爲300°C ;壓力爲（K4Pa ;電力爲3kW;瘂氣體流速/氧氣 流速=1 Osccm/SOsccm. 接著’形成在基底端緣之周邊部分之鎢層係以氧去灰 φ (ashing)而移除。 接著，使用SiH4以及N20作爲材質氣體（成分比例 :Si = 32%，0 = 59%,N = 7%:H = 2%)注入於疊層而以 PCVD 而 形成具有l〇〇nm厚度而在300 °C下形成氧化氮矽層。且， 具有非晶矽組態（此時爲非晶矽膜）之半導體膜以PCVD 在300°C下不暴露於大氣下而以SiH4氣體而形成54nm之 厚度。此非晶矽膜包含氫氣，該氫氣係以接續之熱處理而 擴散，而該非晶矽膜可藉由實體機構而在氧化層之內側或 -25- (22) (22)1330862 是氧化層之接面而剝除。 之後，包含〗Oppm比重之鎳的鎳乙酸鹽溶液以旋轉 器（spinner)而覆蓋。鎳元素在整個表面上係藉由濺射而 非覆蓋於其上。之後，執行熱處理以結晶並形成具有晶矽 組態之半導體膜（此處爲多晶矽）。此處，在執行作爲去 氫之熱處理（5 0 0 °C —小時）之後，且執行結晶之熱處理 (5 5 0 °C 4小時）之後，而形成具有結晶組態之矽膜。且 ，作爲去氫之熱處理（5 0 0 °C 1小時）具有將熱處理之功 φ 能，以將含有非晶矽層之氫氣擴散至介於鎢膜以及氧化矽 層之間之邊界表面。且請注意，雖然係使用鎳作爲金屬元 素之結晶技術以加快結晶，但是亦可使用固相增長方法以 及雷射結晶方法。 接著，在藉由稀釋之氟化氫酸等而移除具有結晶組態 之矽膜之表面上之氧化膜之後，照射雷射光（XeCI :波長 爲3 08nm )以升高結晶速率，並將殘存在結晶顆粒上之瑕 疵修補而在大氣下或是氧氣下而執行。可使用具有波長 φ 4 00nm或更小之激光雷射光，或第二諧振波或YAG雷射 之第三諧振波作爲雷射光。無論何種情形，使用具有重複 頻率範圍約在]〇至]000Hz範圍之脈衝雷射光，該脈衝雷 射光藉由光學系統而緊密爲100至50〇Mj/cm25而以90至 95%之重疊率而照射，藉此而掃瞄該矽膜。此處，雷射光 係在重複頻率30Hz以及47〇mJ/cm2之能量密度而在大氣 下照射。注意，氧化膜係藉由第一雷射光照射而形成在表 面上，因爲照射係在大氣下或是氧環境下而照射。雖然使 -26- (23) (23)1330862 用脈衝雷射作爲例子，但是亦可使用連續振盪雷射。當非 曰曰砂膜被避結晶，最奸基本波之弟一諧波至第四諧波藉由 使用可連續振盪之固相雷射而施加，以得到大顆粒大小之 結晶。一般而言，最好施加N d : Y V 0 4雷射（基本波長爲 1 064nm )之第三諧波或是第二諧波（波長爲3 5 5 nm )。 特別是，具有]〇W輸出自連續振盪式YV04雷射射出之 雷射光使用非線性光學元素而被轉換爲諧波。且，可使用 藉由施加Y V 0 4結晶以及非線性光學元素至共振器而發射 φ 諧波之方法。之後，最好是，雷射光經形成而具有矩形或 是橢圓形而照射該表面。此時，需要約爲 0.0〗至 1 00MW/cm2(最好爲〇·]至1 OMW/cm2)之能量密度。該半 導體膜照射對應於雷射光具有相對速度約在10至 2 0 0 0 c m / s之雷射光。 除了藉由雷射照射而形成氧化膜之外，包含氧化膜之 壁障層藉由以臭氧水處理表面]20秒而形成具有厚度在1 至5nm範圍。雖然此處使用臭氧水而形成壁障，紫外光 · 可在氧環境下照射於具有晶矽結構之半導體膜之表面上， 以將之氧化，或者將具有晶矽結構之半導體膜之表面在氧 氣電漿下處理以形成壁障層之氧化。此外，壁障層可藉由 PCVD、濺射、蒸氣沈積等形成具有範圍在1至10nm厚 度之氧化膜而形成。進一步，以雷射光照射而形成之氧化 膜可在形成壁障層之前而移除。 在該壁障層中，包含瘂氣體（作爲吸氣機）之非晶矽 膜藉由濺射而形成爲具有]0至400nm之厚度（在此實施 -27- (24) (24)1330862
例爲]OOnm )。在此實施例，包含瘂氣體之非晶矽膜係在 包含瘂氣體之環境下而使用矽標的而形成。該包含瘂氣體 之非晶矽膜係在沈積條件下而形成，即，單矽烷比上瘂氣 體（SiH4: Ar)之流速比率爲】：99,壓力爲6.665Pa( 0.05Torr) ; R F能量密度爲0 · 8 7 W / c m 2;壓力在使用P C V D 下爲3 5 0 °C而形成。 之後，加熱至65 0°C之鍋爐經熱處理3分鐘而吸氣， 以減少在具有晶矽結構之半導體膜中之鎳濃度。可使用燈 $ 泡退火設備取代鍋爐。 接著，包含瘂氣體（作爲吸氣用）之非晶矽膜使兩作 爲蝕刻阻塞器之壁障層而選擇性移除，之後該壁障層藉由 稀釋之氟化氫酸而選擇性移除。注意，因爲鎳可能移入至 具有高氧氣濃度之區域（於吸氣時），該由氧氣膜構成之 壁障層最好在吸氣之後移除。 之後，在薄的氧化膜自具有晶矽結構之矽膜（亦稱爲 多晶矽膜）之表面上而自臭氧水而形成之後，而形成樹脂 φ 遮罩，而蝕刻處理經執行以得到所要之形狀，藉此形成與 另一分離之島狀半導體層。在形成該半導體層之後，而移 除樹脂遮罩。 經由上述處理，氮層（金屬層）、氧層、以及基底絕 緣膜形成在基底之上而得到具有結晶結構之半導體膜。且 ，該半導體膜經蝕刻成具有想要形狀之絕緣島狀半導體膜 。之後，得到使用所得之半導體層作爲主動層之TFT。 接著，以包含氟化氫酸之蝕刻劑而移除氧化膜，同時 -28- (25) (25)1330862 ，刷洗矽膜之表面。之後，包含矽而作爲主要構件之絕緣 膜（作爲閘絕緣膜）而形成。在此實施例，氧化氮矽膜（ 比例爲 S i = 3 2 %; Ο = 5 9 %; N = 7 %: Η = 2 % )經形成爲具有]1 5 n m 之厚度（藉由PCVD). 接著，具有厚度範圍在]00至4〇Onm之第一導電膜 以及具有厚度範圍在1〇〇至400nm之第二導電膜被堆疊 於閘極絕緣膜之上。在此實施例中，5 厚度之氮化鉬 膜以及3 70nm之鎢膜被接續形成在閘極絕緣膜上。 關於形成第一導電膜以及第二導電膜之導電材質，可 使用選擇自包含由Ta，W,Ti，Mo，A】以及Cu或包含上述材 質爲主要元素之其合金材質或化合物材質之群組。進一步 ，一般以多晶矽膜摻雜像是磷或AgPdCu合金之雜質而作 爲第一導電膜以及第二導電膜。此外，本發明並不限於二 層結構。例如，可使用將50nm後之鎢膜、5 00ηηι厚度之 鋁與矽（A]-Si )合金膜、以及30 nm厚度之氮化鈦膜依序 堆疊之三層結構。且，當使用三層結構時，第一導電膜可 不用鎢膜而使用氮化鎢，鋁與鈦（Al-Ti )合金膜可使用 而不使用鋁與矽（AL· Si )合金膜於第二導電膜，而第三 導電膜可不使用氮化鈦膜而使用鈦膜。此外，亦可採用單 一層結構。 接著，藉由使用光曝曬而形成光阻遮罩。之後，第一 蝕刻處理而形成閘極以及接線。該第一蝕刻處理在第一以 及第二蝕刻條件下而執行。最好執行ICP(導電耦合電漿 )。該膜可被蝕刻而藉由在適當經調整之蝕刻條件下（即 -29- (26) (26)1330862 ，施加至核心電極之電力 '施加至基底側之電極之電力’ 在基底側之電極之溫度等）而得到理想傾斜之形狀。關於 倉虫刻氣體，以氣爲基礎之氣體（像是 C】2，BC13，SiC14:CC14 ) 以氟爲基礎之氣體（像是 CF4:SF6,NF3,02 )可使用。 經由上述第一蝕刻處理，第一導電層以及第二導電層 之端緣部分，由於藉由形成光阻遮罩之形狀爲適當形狀所 得之施加至基底側之偏壓效應，而到傾斜之形狀。傾斜部 φ 分之角度範圍自15至45度。 因此，包含第一導電層以及第二導電層之第一形狀導 電層可由第一蝕刻處理而得。範圍自1 〇至20nm厚度之 絕緣膜（作爲閘極絕緣膜）被蝕刻。接著，具有薄的範圍 且不由第一形狀導電層覆蓋之區域係爲閘極絕緣膜。 接著，在無移除光阻遮罩下而執行第二蝕刻處理。 在第二蝕刻處理中，傾斜角度W係爲70度。第二導 電層藉由第二蝕刻處理而得。另—方面，第—導電層很難 春 會虫刻。實際上’第一導電層之寬度可適當減少〇 3微米， 即’相較於執行第二蝕刻處理之前在總線寬度上約爲0.6 微米。 接著’移除光阻遮罩，而執行第—摻雜處理。離子摻 雜或是離子植入可在摻雜處理中執行。離子摻雜係在 】.5x]〇14原子/cm2之量’以及加速電壓之範圍在6〇至 I 0 0k eV之範圍下而執行。關於摻雜〇型導電性之雜質元 素’可使用磷（Ρ)或是鉀（As)。此時，第一導電層以 -30- (27) (27)1330862 及第二導電層形成遮住摻雜η型導電性之雜質的遮罩，而 第一雜質區以自我對準方式而形成。摻雜η型導電性之雜 質元素以濃度範圍在]x〗〇16至lxl017/cm3而被加入至第 一雜質區。此處，具有與第一雜質區相同濃度範圍之區域 亦稱爲η…區。 注意，雖然在此實施例中係移除光阻遮罩之後而執行 第一摻雜處理，但是可在不移除光阻遮罩之下而執行第一 摻雜處理。 接著，形成光阻遮罩（作爲形成驅動電路之ρ通道 TFT之保護半導體層之通道形成區以及其周邊之遮罩，作 爲形成驅動電路之η通道TFT之保護半導體層之通道形 成區以及其周邊之遮罩，以及保持體積區域），以及執行 第二摻雜處理。該磷元素（P )離子摻雜係1 .5x1014原子 /cm2之量，以及加速電壓之範圍在60至1 OOkeV之範圍 下而執行。此處，雜質區係以個別對準方式在個別半導體 層使用第二導電層作爲遮罩而形成。當然，磷元素不加入 至以遮罩覆蓋之區域。因此，形成第二雜質區]40至]42 以及第三雜質區144•摻雜η型導電性之雜質元素被加入至 濃度範圍在lxl〇2G至]xl〇21/cm3範圍之第二雜質區中。 此處，具有與第二雜質區相同濃度之區域係稱爲n +區。 進一步，第三雜質區係以較使用第一導電層之第二雜 質區爲低濃度而形成，且以摻雜有濃度範圍在1 X 1 0 18至 lxl019/cm3之η型導電性之雜質元素而摻雜。注意，因爲 雜質元素係經由傾斜形狀之第一導電層而摻雜至第三雜質 -31 - (28) (28)1330862 區’在第三雜質區之濃度梯度可在當雜質區域越靠近傾斜 部分之端緣部分時而看出。此處，具有與第三雜質區域相 同濃度之區域稱爲η _區域。 接著’移除光阻遮罩之後，形層新的光阻遮罩（覆蓋 η通道TFT之遮罩）。之後而執行第三摻雜處理。 在該驅動電路中，藉由上述第三摻雜處理，第四雜質 區以及第五雜質區被形成，其中摻雜有p型導電性之雜質 元素被摻雜至形成p通道TFT之半導體層以及摻雜入形 成保持量之半導體層中。 進一步，摻雜有p型導電性之濃度範圍在1 X 1 02 Q至 ]xlO21/cm3之雜質元素被摻雜入第四雜質區。注意，雖然 在之前步驟將磷元素（P)加入至第四雜質區（η··區）， 具有].5至3倍高於磷元素之ρ型導電性雜質元素，使得 第四雜質區係爲ρ型。此處，具有與第四雜質區相同濃度 之區亦稱爲ρ +區。 進一步’第五雜質區係形成在與第二導電層之傾斜部 分重疊之區’且以摻雜有濃度範圍在 ]xl〇18至 lx]02C)/cm3之雜質元素。此處，具有與第五雜質區相同濃 度之區域亦稱爲ρ·區域。 經由上述處理，而在個別半導體層中形成具有n型或 是Ρ型導電性之雜質區。 接著’實質覆蓋整個表面之導電膜被形成。在此實施 例中’係以PCVD形成1 Onm厚度之氧化矽膜。當然，絕 緣膜並不限於氧化矽膜’而可以是單一層或是疊層之矽的 -32- (29) (29)1330862 絕緣膜。 之後執行摻入個別半導體層之作動雜質元素之處理。 此作動處理係藉由使用燈泡光源、YAG雷射或是激光雷 射等照設備背表面之快速熱退火 '使用火爐或其組合之熱 處理而執行。 進一步，雖然在此實施例中係作動之前形成絕緣膜， 可在作動之後形成絕緣膜。 接著，以氮化矽膜形成之第一中間層絕緣膜被形成， 而加熱（3 00至500°C而在1至12個小時）。之後，該半 導體層氫化以使用在第一中間絕緣膜中之氫氣而端開該半 導體膜之鍵結。該半導體層可將以氧化矽膜形成之個別存 在之絕緣膜予以氫化。理想上，在此實施例，包含鋁爲其 主要構成之材質可使用在第二導電層，而因此，重要的是 ，在第二導電層可忍受下之熱處理條件下而執行氫化。此 外，電漿氫化（使用電漿而將氫氣激化）亦可執行。 接著，第二中間絕緣膜使用在第一絕緣膜中之有機絕 緣材質而形成。在此實施例，丙烯酸樹脂膜可形成具有爲 ]6微米厚度。第三絕緣膜係使用氮化矽膜而形成。之後 ，到達源極接線之接觸孔以及到達個別雜質區之接觸孔被 形成。 之後，使用Al,Ti，Mo，W等而形成源極或是汲極。 如上述，可形成η通道TFT以及p通道TFT。 最後，塑膠基底被貼上，而包括TFT之層與該基底 分離。當使用高導電材質於塑膠基底時，可製造具有高熱 -33- (30) (30)1330862 照射特性之高可靠度之半導體設備。 塑膠基底係使用以後述將陶瓷以及低熔點金屬（無鉛 接合處，像是錫、鉍、鋅）混合於以聚丙烯、聚丙烯硫醚 、聚碳酸酯、聚醚醯亞胺、聚丙硫醚、聚苯醚、聚颯、聚' 苯二甲酸胺所構成之合成樹脂中之方式而製程，以得到高 熱導性（範圍在1至30W/mK)。 該基底可剝除，假如包括TFT (釋放層）之層之機械 強度係足以形成在氧化層之上。 φ 該TFT之特性不會因爲剝除而改變。圖6展示p通 道類型TFT之電性。 在此實施例中，在形成 TFT時而剝除基底並運送至 塑膠基底之例子，然而，基底亦可在形成使用包括一排（ bank )之層，包括有機化合物之層等之後而剝除，並運送 至該塑膠基底。進一步’對向基底可藉由使用TFT之電 極作爲反射電極而鍵合，且液晶被塡滿於其間，之後，基 底可被移除，該釋放層被接合至塑膠基底以製造一反射液 0 晶顯示設備。 此實施例可與實施例模式1至實施例模式3而自由組 合。 實施例2 在此實施例中’係參考圖2而描述具有一發光裝置之 發光設備（上射出結構）之製造例子，該發光裝置包括在 具有絕緣之基底上具有作爲發光層之有機化合物層。 -34- (31) (31)1330862 圖2A中係爲發光設備之上表面圖，圖2B係爲圖2A 在線A - A ’所取之橫切面圖《以虛線表示之標號丨]〇 ]係表 不源極信號線驅動電路；1 1 0 2係表示像素部分；1】〇 3 -閘 極信號線驅動電路：]]〇4透明密合基底；以及第一 密合劑。第一密合劑1 1 05所環繞之空間係充滿透明第二 密合劑1 1 0 7 .此外’第一密合劑I 1 〇 5包含作爲保持基底間 隔之間隔劑。 進一步’標號Π 〇 8表示將輸入至源極信號線驅動電 路Π 0 1以及閘極信號線驅動電路1 ] 〇 3之信號予以傳送之 接線。接線1 1 〇 8接收來自作爲外部輸入端部之；p p c (可 撓性印刷電路板）1 1 〇 9之視頻信號或是時脈信號。雖然 只顯示FPC，印刷接線板（PWB)可與FPC接合。 發光設備之橫切面結構係參考圖2Β而插述。驅動電 路以及像素部分係經由黏接物1 ] 4 0而形成在具有高熱導 性基底1110上。圖2Β中，源極信號線驅動電路】1〇1係 爲驅動電路而展示，並展示像素部分。在驅動電路以及像 素部分所產生之熱可藉由具有高熱導性之基底】110而照 射。塑膠基底使用之後所樹脂方式而製程之樹脂而形成， 即，像是氮化硼、氮化鋁' 氧化鎂、氮化鈹等之陶瓷，以 及無鉛接合物係混合在由聚丙烯、聚丙烯硫醚、聚碳酸酯 、聚醚醯亞胺、聚丙硫醚' 聚苯醚 '聚颯、聚苯二甲酸胺 所組成之合成樹脂中以具有範圍在2至30W/mK之高熱導 性。此實施例係對應於實施例模式1之圖1 C所示之結構 -35- (32) (32)1330862 包含η通道TFT1123以及p通道TFT1124之CMOS 電路係作爲源極信號驅動電路1 ] 0 1而形成。此TFT亦可 根據實施例】而得。形成驅動電路之TFT可藉由已知之 CMOS電路，PMOS電路或是NMOS電路而形成。在此實 施例中，係展示將驅動電路形成在基底之上之驅動積體電 路’但是不限於此，該驅動電路可形層在外側而非在基底 之上。該TFT之結構並不限制，可以是上閘極TFT或是 下閘極TFT。 | 像素部分Π 02係以多數個像素而形成，每個係包括 開關TFT1 Π 1、電流控制TFT] ] 12 '以及電連接至電流控 制TFT1 1 12之汲極之第一電極（陽極）1]]3。該電流控 制器TFT1 1] 2可以是η型通道TFT或是p型形通道TFT ’但是當其係連接於陽極，最好係爲p型通道TF T。其亦 最好是，適當提供儲存電容器（未顯示）。此處，雖然係 展示具有兩個TFT之數千個像素中之一個像素之橫切面 結構作爲例子，可適當提供具有一個像素之三個或是多個 鲁 TFT 〇 因爲第一電極係直接連接至TFT之汲極，最好 使第一電極】113之較低層與係以可與包含矽之汲極歐姆 接觸之材質所製，而與有機化合物層接觸之第一基底 】Μ 3之最上層係以具有大工作功能之材質所製。例如， 包含氮化鈦膜、包含鋁作爲主要構件之膜以及氮化鈦膜之 Η層結構，具有接線之低電阻，而可與汲極歐姆接觸，亦 可作爲陽極。進一步’第一電極〗U 3可以像是氮化鈦膜 •36- (33) (33)1330862 '鉻膜 '鎢膜、辞膜、鉑膜等之單一層或是三個或更多層 之疊層。 絕緣體]1 1 4 (稱爲排）係形成而覆蓋第一電極（陽 極）Π13之端緣。該絕緣體Π14可以有機數脂膜或是包 含矽之絕緣膜而形成。此處，絕緣體1]〗4係使用正型光 感丙稀酸樹脂膜而成爲圖2所示之形狀。 爲改進覆蓋，絕緣體Π 1 4之上端緣部份或是下端緣 部份經形成爲具有曲狀之彎曲表面。例如，當正型光感丙 烯酸樹脂可使用爲絕緣體】1] 4之材質，最好只形成具有 彎曲徑度範圍在〇. 2至3微米之彎曲表面之絕緣體之上端 緣部份1 1 1 4b。可使用對於光感材質之光線在蝕刻劑中不 溶化材質之負型或是根據光感材質之光而在蝕刻劑中可溶 化之正型而作爲絕緣體1 Π 4 .此外，絕緣體1 I I 4可以由氮 化鋁膜、氧化氮鋁膜，包含碳作爲主要成分之薄膜或是氮 化矽膜所形成之保護膜所覆蓋。 有機化合物層11〗5係藉由使用蒸氣遮罩或噴墨之蒸 氣沈積而在第一基底（陽極）1Π3上而選擇性形成。進 一步，第二電極（陰極）]1 1 6係在有機化合物層1 1 1 5上 而形成。關於陰極，可使用具有小工作功能之材質（例如 A】，Ag,Li，Ca 或像是 MgAg，MgIn，AlLi，CaF2 或 CaN 之合金 )。在此實施例中，第二電極（陰極）1116係以具有薄 厚度之金屬薄膜以及透明導電膜（例如，氧化銦-氧化錫 合金（ITO)、氧化銦-氧化鋅合金（In203-Zn0)、氧化 鋅（ZnO)等）。而使第二電極可發送冷光。包含第一電 (34)1330862 極（ 極） 因爲 彩色 器（ 層被 示器 保護 質（ '包 含上 具有 使用 成系 •gfa- B=a 盡里 在鈍 劑1 合劑 第二 ，可 陽極）]Π3'有機化合物層1115以及第二電極（陰 】]]6之發光裝置1]18如此而製作。在此實施例中， 係展示發白光之發光裝置Π18爲例子，而提供包含 層Π31以及光遮蔽層（黑矩陣：ΒΜ) 1】32之濾光 爲解釋容易，此處爲展示覆蓋層）。 進一步，假如可達成R，，Β射出之每個有機化合物 選擇性的形成’可在不使用濾色器之下而得到全彩顯 〇 透明保護層】1 1 7經形成而密合該發光裝置π 1 8 .透明 ® 層]1 1 7最好係以包含氮化矽或是氮氧化矽爲其主材 以濺射（DC類型或是RF類型）或是pCVD而形成） 含碳爲其主成分（例如DLC膜、或是CN膜）或是包 樹脂疊層而形成。具有對於像是濕氣或是鹼性金屬等 高阻擋效果之氮化矽膜可在包含氮氣或氬氣之環境下 矽爲標的而形成。此外’可藉由使用遠端電漿之膜形 統而形成透明保護膜。最好，透明保護層之總體厚度 φ 爲薄，使光可穿透該透明保護層。 進一步，爲了密合該發光裝置1Π8,密合基底Π04係 氣緩器下而藉由使用第一密合劑1105以及第二密合 107而與基底密合°對於第一密合劑1105以及第二密 最好使用環氧樹脂爲材質。該第一密合劑1 1 0 5以及 密合劑1107將使濕氣或氧氣無法穿透。
進一步，在此實施例中，除了玻璃基底或是石英基底 使用強化光纖玻璃塑膠（FRP )、聚氟化醋酸（PVF -38- (35) (35)1330862 )、Mylar、聚酯類、丙烯酸樹脂等作爲構成密合基底 】】之材質。可使用第三密合材質於密合基底之側面（ 暴露面）以及在使用第一密合劑1 1 0 5以及第二密合劑 I 1〇7而密合基底]]04之後之基底》 藉由上述而密合發光裝置，可使發光裝置完全密封而 避免濕氣或是氧氣自外側進入所造成發光裝置之損害。於 是，可得到具有高可靠度之發光裝置。 進一步，上以及下發光設備兩者可使用透明導電膜作 爲第一電極Π13而形成。 進一步，本實施例可自由與實施例模式]至實施例模 式3或實施例1組合。 實施例3 在實施例2中，係描述一發光設備結構，其在一陽極 以及一陰極上形成一有機化合物層，該陽極以及陰極係形 成在有機化合物層之上之透明電極（此後稱爲上射出結構 )。另一方面，發光設備可經形成爲具有將有機化合物層 形成在形成於有機化合物層之上之陽極以及陰極之上之發 光裝置，且產生在有機化合物層之內之冷光係經由係爲透 明電極之陽極而在TFT之方向上而射出。 圖5A以及5B係展示具有下射出結構之發光裝置之 例子。 圖5 A係爲發光裝置之上視圖，而圖5 B係爲沿著圖 5A之線A-A_'之橫切面圖。以虛線表示之標號1201係表 -39- (36) (36)1330862 示源極信號線驅動電路；1 2 0 2表示像素部分；而]2 〇 3表 不閘極信號線驅動電路。進一步，標號]2 0 4爲密合基底 ;]2 0 5 a爲包含將封住空間隔開之間隙材質之密合劑；而 由密合劑]2 0 5 a所環繞之內側區域係以密合劑]2 〇 5 b所塡 滿。可在密合劑]2 0 5 b中具有乾燥劑。 標號]208表示將輸入源極信號線驅動耐路]2〇〗以及 閘極信號線驅動電路]203之信號傳送之連接線。該連接 線]208接收來自於成爲外部輸入端部之可撓性印刷電路 (FPC) 1209之時頻信號或是時脈信戶。 接著’將參考圖5B而描述橫切面結構。驅動電路以 及像素部分係形成在一基底12]0之上，但是作爲驅動電 路之源極信號驅動電路1 2 0 1以及像素部分〗2 0 2係如圖 5 B所示。該源極信號線驅動電路]2 0]係以結合η型通道 TFTI2 2 3以及ρ型通道TFT 1 2 24之CMOS電路而形成。 此些TFT可根據實施例1而得。 該像素部分1 202係自多數個像素而得，每個像素係 包括開關TFT121I、電流控制TFT1212、以及以電連接至 電流控制TFT 1 2 1 2之汲極之透明導電膜所形成。 在此實施例中，第一電極1 2 1 2係經形成使得其部分 與連接電極重疊，以經由連接電極而與TFT1212之汲極 電連接。最好，以具有透明性以及高工作功能之導電膜而 形成第一電極]212 (例如，氧化銦-氧化錫合金（ITO) '氧化銦-氧化鋅合金（Ιη2〇3-·ΖηΟ)、氧化鋅（ΖηΟ)等 -40· (37) (37)1330862 絕緣體1 2 ] 4 (稱爲排）係經形成而覆蓋在第一電極 (陽極）]2 ] 3之端緣部分。爲改進覆蓋，絕緣基底]2 ] 4 b 之上端綠部份以及下端緣部份係經形成爲具有弧度之彎曲 表面。此外’該絕緣體I 2 ] 4可藉由以由氮化鋁膜、氧化 氮鋁膜’包含碳作爲主要成分之薄膜或是氮化矽膜所形成 之保護膜所覆蓋。 有機化合物層]2]5係藉由使用蒸氣遮罩或噴墨之蒸 氣沈積而在第一基底（陽極）]2]3上而選擇性形成。進 ~步’第二電極（陰極）]2]6係在有機化合物層1215上 而形成。關於陰極，可使用具有小工作功能之材質（例如 Al，Ag，Li，Ca 或像是 MgAg，Mgln，AlLi,CaF2 或 CaN 之合金 )。包含第一電極（陽極）1213、有機化合物層1215以 及第二電極（陰極）]2〗6之發光裝置]218如此而製作。 該發光裝置1 2 1 8係在圖9 B所示之箭頭所示方向而發光。 在此實施例中之發光裝置12]8係爲可達成R、G、B單色 發射之類型。。全彩色射出可藉由可達成R、G、B射出 之每個有機化合物層被選擇性形成之發光裝置所達成。 進一步，形成保護層]217以密合該發光裝置。該透 明保護層1217最好係以包含氮化矽或是氮氧化矽爲其主 材質（以濺射（DC類型或是RF類型）或是PC VD而形成 )、包含碳爲其主成分（例如DLC膜、或是CN膜）或是 包含上樹脂疊層而形成。具有對於像是濕氣或是鹼性金屬 等具有高阻擋效果之氮化矽膜可在包含氮氣或氬氣之環境 下使用矽爲標的而形成。此外，可藉由使用遠端電漿之膜 -41 - (38) (38)1330862 形成系統而形成透明保護膜β 進一步，爲了密合該發光裝置1218:密合基底1204在 鈍氣環境下而藉由密合劑]205a以及1205b而與基底接合 。削去部分係事先藉由噴沙而在密合基底1 2 04之表面上 形成。之後，將乾燥劑〗207置入於密合基底]204上之削 去部分。最好使用環氧樹脂爲密合劑】205a以及]205b之 材質。使得，密合劑1 205a以及]205b將禁止濕氣或氧氣 之進入。 此外，在此實施例中可使用塑膠基底、玻璃基底、或 石英基底、以聚酯類、丙烯酸等所形成之塑膠基底。 進一步，此實施例可與實施例模式I至實施例模式3 之任一、實施例1、實施例2而自由組合。 實施例4 此實施例將描述像素結構之橫切面圖，特別是發光裝 置與TFT之連接以及介於像素之間之排的形狀。 在圖7中，標號40表示基底；41，排；42絕緣膜；43 第一電極（陽極）；44,有機化合物層；45第二電極（陰 極）；46，TFT。 在TFT46之結構中，標號 46表示通道形成區； 46b,46c，源極區或是汲極區；46d，閘極；而46e,46f，源極 或是汲極。此處所示係爲上閘極TFT，但不限於此，可使 用後交錯TFT或是前交錯TFT。此外，標號46f表示與第 —電極43部分重疊而連接至TFT4 6之電極。 (39) (39)1330862 圖7B係爲與圖7A部分不同之橫切面圖。 圖7Β中’第一電極以及源極或汲極係經成爲與圖7 A 不同方式而相互重疊而成。該第一電極係藉由形成第一電 極而連接至源極或是汲極，以在圖樣處理之後而與源極或 是汲極重疊。 圖7C係爲與圖7A部分不同之橫切面圖。 圖7C中，中間絕緣膜係形層在絕緣膜42之上。第一 電極4 2係經由接觸孔而連接至TFT之電極。 排4]可經形成而在橫切面方向傾斜。排4]可藉由以 光石板印刷而暴露光阻’以及蝕刻非光感有機數脂或是無 機絕緣膜而形成傾斜形狀。 該排41可使用排41之正型光感樹脂而如圖E所示形 成具有彎曲上端緣部份之形狀。 該排41可藉由使用負型之光感樹脂於該排而形成具 有彎曲上端緣部份以及彎曲下端緣部份（如圖7F所示） 之形狀。 進一步’此實施例可與實施例模式1至實施例模式3 之任一、實施例1至實施例3而自由組合。 實施例5 藉由本發明之實施’可製造各種模組（主動矩陣是液 晶模組’主動矩陣式EL模組以及主動矩陣式EC模組） 。即’藉由本發明之實施’可完成附有此些模組之所有電 子裝置。 •43 - (40) (40)1330862 關於此些電子裝置，包括數位照相機、視頻照相機、 頭帶式顯示器（套頭顯示器）、汽車導航、投影機 '汽車 音響、個人電腦、可攜式資訊端部（行動電腦 '蜂巢電話 、電子書等）。圖8A至9C展示此些例子。 ’ 圖A係爲個人電腦，其包括一主體2 00 ]、影像輸入 部分2002、顯示部分2003、鍵盤2004等。該個人電腦可 使用本發明之膜組之具有熱導性之塑膠基底而形成爲具有 高可靠度而輕的裝置。 φ 圖B係爲包括主體2 ] 0 1、顯示部分2 1 0 2、語音輸入 部分 2 ] 0 3 '操作開關 2 ] 0 4、電池2 1 0 5、影像接收部分 2 1 06等之視頻照相機。該視頻照相機可使用本發明之膜 組之具有熱導性之塑膠基底而形成爲具有高可靠度而輕的 裝置。 圖8 C係爲包括主體、操作開關2 2 0 4、顯示部分2 2 0 5 等之遊戲機。 圖D係爲使用具有程式（此後稱爲記錄媒體）之記 φ 錄媒體之播放器，其包括一主體2401、顯示部分2402、 揚聲器部分2403、記錄媒體24 04 '操作開關2405等。進 —步’播放器使用DVD (數位多種類碟片）或CD作爲記 錄媒體並可欣賞音樂、電影並執行由係或是網際網路。 圖8 E爲一數位照相機，其包括一主體2 5 〇 1、顯示部 分2 5 0 2 '眼部構件部分2 5 0 3、操作開關2 5 0 4 '影像接收 部分（未顯示）等。該數位照相機可使用本發明之膜組之 具有熱導性之塑膠基底而形成爲具有高可靠度而輕的裝置 -44 - (41) (41)1330862 圖9A爲蜂巢電話’其包括一主體2901、語音輸出部 分2 9 02 '音頻輸入部分2 9 0 3、顯示部分2904、操作開關 2905、天線2906、影像輸入部分（CCD、影像感應器） 2907 等 〇 圖8B爲可攜式書（電于書），其包括一主體3001、 顯示部分3 0 0 2、3 0 0 3、記錄媒體3 0 (M、操作開關3 0 0 5 ' 天線3 00 6等。該可攜式書可使用本發明之膜組之具有熱 | 導性之塑膠基底而形成爲具有高可靠度而輕的裝置。 圖 C爲一顯示器’其包括一主體3]01、支撐基底 3102、顯示部分3103等。該顯示器可使用本發明之膜組 之具有熱導性之塑膠基底而形成爲具有高可靠度而輕的裝 置。。 接著’圖C之顯示係爲中或小或大尺寸的螢幕，例如 ’螢幕大小爲5至20英吋。進一步，爲了形成此大小之 顯示部分，最好使用具有1 m基底之側邊之顯示部分並藉 · 由一套印刷而大量生產。 如上述’本發明之應用極廣’而可應用於任何領域之 電器之製造方法。進一步，本實施例之電子裝置可與實施 例模式1至貫施例模式3之任一、實施例]至實施例4而 自由組合。 實施例6 實施例5之電子裝置係狀設包括具有_一與包括控制器 -45- (42) (42)1330862 以及電路之1C之密合發光裝置之面板之膜組。每個模組 以及面板可以是任何模式之發光設備。在本發明中，將描 述模組之特定組態。 圖]0A展示與控制器1801以及電源電路]8 02接合 之面板1 800之膜組之外觀。該面板1 8 00係具有一像素部 分1 8 03,其中該發光裝置係具有每個像素、作爲選擇在像 素部分1 803之像素之閘極驅動電路18〇4，以及作爲將視頻 信號送入至所選擇像素之源極線驅動電路I 8 0 5 . 該控制器〗8 0 1以及電源耐路1 8 02係爲在印刷基底 1806、各種輸出自控制器1801或是電源電路1802之信號 以及電源電壓輸出係經由 FPC 1 80 7而送入至像素部分 1803、閘極線驅動電路 1804、以及源極線驅動電路1805 (在面板1 800上）。 電源電壓以及各種信號經由建構有多數個輸入端部之 介面（I/F ) ] 8 03而送入至印刷電路1 8 06. 在此實施例中雖然係將印刷基底〗806與面板1 8 00接 合，本發明並不限於此組態。控制器I 80 1以及電源電路 1 8 02可以COG (玻璃上設晶片）而直接設在面板1 8 00上 〇 進一步，在印刷電路1 8 06中，當形成在連接接線之 間之電容以及接線本身之電阻造成至供應電壓或是信號之 雜訊，或使信號鈍化。因此，可提供各種像是電用以及緩 衝器之裝置以避免在印刷基底]806中信號之鈍化上昇以 及電源電壓或信號之雜訊。 -46 - (43) (43)1330862 圖]0 B係爲展示印刷基底1 8 0 6之組態之方瑰圖。送 入至介面1 8 0 8之各種信號以及電源電壓被送入至控制器 ]8 0 ]以及電源電路1 8 0 2 . 控制器]8 0 1具有A D轉換器]8 0 9、相位鎖住回路（ PLL ) 1 8 1 0、控制信號產生部分]8 Π、以及SRAM (靜態 隨機存取記億體）]8 1 2以及1 8 1 3 .雖然在此實施例係使用 SRAM，除了可使用 SRAM，SDRAM之外，亦可使用 D R A Μ (動態隨機存取記億體），假如其可以高速寫入以 及讀取。 經由介面]8 0 8傳送之視頻信號係在A /D轉換器]8 0 9 中而執行串聯-並聯轉換而輸入至控制信號產生部分1 8 1 1 而作爲對應於R、G、B個別顏色之視頻信號。進一步， 根據經由介面1 8 08而輸入之各種信號，而在A/D轉換器 ]8 09中產生Hsync信號、Vsync信號 '時脈信號CLK以 及電壓轉換電流（AC cont )而輸入至控制信號產生部分 18]]. 該相位鎖住回路1 8 1 0具有將經由介面之每個信號之 頻率相位與控制信號產生部分]8 1 1之操作頻率予以同步 之功能。該控制信號產生部分]8 1 1之操作頻率不需要與 經由介面1 8 08之每個信號之頻率相同，而是在相位鎖住 回路1 8 1 0中以相互同步之方式而調整控制信號產生部分 】8 ]]之操作頻率。 輸入至控制信號產生部分〗811之視頻信號一次被寫 入並保持於SRAM〗8】2以及18】3.控制信號產生部分 (44) (44)1330862 1 8 ] 1 —個位元一個位元的自保持在 S R A Μ 1 8 1 2之視頻信 號之每個位元中而讀取對應於每個像素之視頻信號，並將 之送入至面板]8 0 0之源極線驅動電路1 8 0 5 . 控制信號產生部分]8 Π將每個位元之發光裝置造成 發光之時間段之資訊發送至面板1 8 0 0之掃瞄線驅動電路 1 8 0 4。該電源電路I 8 0 2將預設電源電壓送入至面板之像 素部分1 80 3、掃瞄線驅動電路]8 04、源極線驅動電路 ]8 0 5。 參考圖1 ]而描述電源電路】802之組態。此實施例之 該電源電路]8 0 2係包含使用四個切換調節器控制1 8 6 0以 及串聯調節器1 8 5 5之切換調節器]8 5 4 . 一般而言，與串聯調節器相較係爲小以及輕的切換調 節器可上昇電壓並在除了電壓減小之外可反轉極性。另一 方面，只使用在電壓減少之串聯調節器與開關調節器相較 具有一良好之輸出電壓正確性而不會造成瀲波（ripple) 或是雜訊。此實施例之電源電路18 02將使用兩者之組合 圖〗I所示之切換調節器1 854具有切換調節控制（ SWR) I860、衰減器（ATT) 1861、變壓器（T) 1862、 電感器（L) 1863、參考電源（Vref) 1864、振盪電路（ OSC) 1 8 6 5、二極體1 8 66、雙載子電晶體1 8 67、變阻器 1868以及電容1869. 當外部鋰離子電池（3.6V)之電壓等在切換調節器 1 85 4中便壓時，送入至陰極之電源電壓以及送入至切換 -48- (45) (45)!33〇862 調節器1 8 5 4之電源電壓被產生。 串聯調節器]8 5 5具有頻帶間隙電路1 8 7 0、放大器 1 8 7 0、運算放大器]8 7 0、電流源]8 7 3、變阻器]8 74以及 雙載子電晶體】8 7 5:並提供在切換調節器1 8 54所產生之電 源電壓。 在串聯調節器]8 5 5中，由切換調節器]8 5 4所產生之 電源電壓係使用爲產生一直流電源電壓而根據由頻帶間隔 電路]87〇所產生之固定電壓而送入至作爲將電流送入至 發光裝置之各種色彩之陽極之接線中（電流源線）。 同時，電流源1 8 7 3係使用於驅動方法以將視頻信號 電流寫入至像素。此時，由電流源1 8 7 3所產生之電流被 送入至面板]8 0 0之源極線驅動電路1 8 0 5 ·當驅動方法將視 頻信號電壓寫入至像素中時，電流源1873不需要被提供 〇 切換調節器、OSC、放大器以及運算放大器可使用 TFT而形成。 與實施例模式1至實施例模式3之任一、實施例]至 實施例5而自由組合。 實施例7 在此實施例中描述製造被動矩陣發光設備（亦稱爲簡 單矩陣發光設備）之方法的例子。 金屬膜（一般而言係爲鎢膜）係形成在玻璃基底之上 ’而氧化層（一般而言，氧化矽膜）係形成在金屬膜上。 -49- (46) (46)1330862 之後多數個第一接線以條狀而形成在使用像是ITO (具有 陽極之材質）之材質之氧化層上。接著，以光感樹脂或是 樹脂所形成之排經形成而環繞發光區域。之後，包含有機 化合物之層在由蒸氣沈積或是噴墨之排所環繞之區域中被 產生。當製造全彩顯示器時，包含有機化合物之層係藉由 選擇適當材質而製造。條形之多數個接線係以像是鋁或是 銘合金（陰極材質）之金屬材質而在排之上以及包含有機 化合物之層而形成，以與由ΙΤΟ所形成之多數個第一接線 交錯。根據上述處理，可製造使用包含有機化合物之層作 爲發光層之發光裝置。 之後，密合基底係與玻璃基底接合，或者保護膜係形 成在第二接線之上，以密合該發光裝置。對於密合基底， 可使用低熔點金屬（無鉛接合物，像是錫、、鉍、鋅）； 像是氮化硼之陶瓷 '硼化鋁、氧化鎂 '氧化鈹等；以及由 聚丙烯 '聚丙烯硫醚、聚碳酸酯、聚醚醯亞胺、聚丙硫醚 、聚苯醚、聚颯、聚苯二甲酸胺之混合物之高熱傳導性樹 脂所形成。高熱導性樹脂之熱導性係在2至3 0 w/m Κ之範 圍。 之後，玻璃基底被剝除。氧化層之內部或是介面可藉 由實體機構而剝除。之後，係爲對光透明之塑膠基底被與 黏接物而接合。 圖12A展示根據本發明之顯示裝置結構之橫切面圖 之例子。 像素部分201係在將第一電極以及第二電極形成爲藉 -50- (47) (47)1330862 由黏接物]5 2而相互交叉於具有高熱導性之塑膠基底之主 表面上而形成，且發光裝置係在第一以及第二電極之交錯 處形成。即’包含以矩陣組態而形成之冷光像素之像素部 分20〗被形成。像素之數目係爲640乘以4 8 0點（VGA ) ，在XGA時係爲]024乘以768個點，在SXGA係爲 1365乘以]024個點，而爲1600乘以12〇〇個點（UXGA )。第一電極以及第二電極之數目係根據像素之數目而決 定。且’由作爲連接外部電路之端部墊片（pad )之輸入 端部部分係形成在基底]0 1之端緣部分、像素部分2 0】之 周邊部分。 在圖1 2 A所示之顯示裝置中，像素部分中，在右側 以及左側方向延伸之第一電極1 02經由黏接物1 52而形成 在在基底]00之主表面上且包括發光體（此處爲方便稱爲 EL層，因爲薄膜包括禁止電發光之媒體）之薄膜105形 成其上，之後，在上以及下方向延伸之第二電極]06形成 其上，之後，像素在第一電極以及第二電極之交叉處而形 成。即，像素係藉由在長度以及寬度方向而形成第一電極 1 02以及第二電極1 06而以矩陣組態建構。該輸入端部係 以與第一電極以及第二電極相同材質而形成。輸入端部之 數目係與架構在長度以及寬度方項之第一電極以及第二電 極相同數目。 如排1 04之橫切面圖所見，自底端部（與第一電極接 觸）而至上端部之區域具有彎曲表面。該排104之彎曲表 面具有彎曲中心在該排之彎曲徑度或是在該排之底端部。 -51 - (48) (48)1330862 或者與第一電極]02接觸之排]04之彎曲底端部具有彎® 中心在排1 04之外側之第一彎曲徑度，而該排]〇4之彎曲 上端部具有彎曲中心在該排或是在底端部側之第二彎曲徑 度。該排1 04之橫切面圖具有在自底端部至上端部之區域 連續可便彎曲徑度。該彎曲表面形式使得EL層之壓力減 緩。即，彎曲表面形式可減少由於以不同材質疊層所形成 之發光裝置之熱壓之扭曲減少。 作爲密合像素部分2 0〗之對向基底1 5 0係以密合劑 ]4 ]而牢牢固定。介於基底]〇 1以及對向基底]5 0之間的 空間可以鈍氣塡滿或是以有機數脂材質]4 0而密合。在任 何情況下’在像素部分2 0 1之發光裝置可避免由於外來雜 質之損害而不需要有乾燥劑，因爲發光裝置係以壁障絕緣 膜1 〇 7所覆蓋。 如圖]2 A所示’彩色層1 4 2至]4 4係在對應於像素 部分2 0 1之每個像素之對向基底〗5 〇之側邊而形成。平化 (flattening)層145可避免由於彩色層所造成之不均勻 。圖1 2B係爲將彩色層形成在基底1 〇]之側邊而形成，而 第一電極102形成在平化層145上之結構圖。該結構ι〇1 係以黏接物153而與平化層145而接合。該對向基底]51 具有尚熱導性。在圖I2A所示之發光方向係與圖]2]3之 發光方向不同。在圖12A中，相同之構件係與圖12B有 相同之標號， 本發明不僅可應用於全彩顯示裝置，亦可應用於表面 發光 '電展覽裝置等。 -52 - (49) (49)1330862 本實施例可與實施例模式1至實施例模式3之任一、 實施例1至實施例3以及實施例5而自由組合。 根據本發明，由裝置所產生之熱可藉由具有高熱導性 之塑膠基底而增加裝置之壽命並改進半導體裝置之可靠度 〇 進一步，具有高熱導性之塑膠基底相較於金屬基底係 爲廉價，且有可撓性，輕的。 【圖式簡單說明】 圖1A至1D係爲實施例模式1之圖； 圖2A至2B係爲實施例模式2之圖： 圖3A至3J係爲實施例模式2之圖； 圖4A至4J係爲實施例模式3之圖； 圖5A至5B係爲實施例模式3之圖； 圖6係展示實施例模式1之TFT之電子特性之圖； 圖7A至7F係展示實施例模式4之排（bank )形狀 Γ- 以及第一電極與TFT連接之圖； 圖8A至8E係實施例模式5之電子裝置之例子的圖 » 圖9A至9C係實施例模式5之電子裝置之例圖； 圖10A以及10B係展示實施例模式6之模組之圖； 圖11係實施例模式6之方塊圖； 圖12 A以及12 B係實施例模式7之被動發光裝置之 -53- (50)1330862 主要元件對照表 1 0 鶴 膜 100 基 底 10 1 基 底 102 第 — 電 極 1 04 排 1 0 5 薄 膜 1 06 第 二 電 極 1 0 7 壁 障 絕 緣 膜 1 1 黏 接 物 110 1 源 極 信 號 線 驅 動 電 路 1102 像 素 部 分 1103 閘 極 信 Orte 線 驅 動 電 路 η 〇4 密 合 基 底 1105 第 一 密 合 劑 1107 第 二 密 合 劑 1108 接 線 1109 可 撓 性 印 刷 電 路 板 1110 1°) 熱 導 性 基 底 11]] 開 關 TFT 1112 電 流 控 制 TFT 1113 第 — 電 極 1114 絕 緣 體 1114b 上 端 緣 部 份
-54- (51)1330862 1115 有機化合物層 Π 1 6 第二電極 Π ] 7 透明保護層 ]Π 8 發光裝置 ]]23 η通道T F 丁 Π 24 Ρ通道TFT 113 1 彩色層 113 2 蔽層 1 ] 4 0 黏接物 12 釋放層 1 20 表面 120 1 源極信號驅動電路 12 02 像素部分 12 03 閘極信號線驅動電路 12 04 密合基底 1 2 0 5 a 密合劑 1 2 0 5 b 密合劑 1207 乾燥劑 ]208 連接線 1209 撓性印刷電路 （FPC) ]2 1 0 基底 12 1] 開關TFT 12 12 第一電極 12 13 第一電極（陽極）
-55- (52)1330862 ]2 1 4 絕緣體 12 14b 絕緣基底 ]2 1 5 有機化合物層 ]2 1 6 第二電極（陰極 12 17 保護層 12 18 發光裝置 1223 η型通道TFT ]224 P型通道TFT 1 40 第二雜質區 ]4 1 密合劑 1 42 彩色層 1 44 第三雜質區 1 4 5 平化層 1 50 對向基底 1 5 1 對向基底 1 52 黏接物 1 53 黏接物 1800 面板 180 1 控制器 1 802 電源電路 1803 像素部分 1804 掃描線驅動電路 1805 源極線驅動電路 1806 印刷電路 (53)
FPC 介面 A D轉換器 相位鎖住回路 控制信號產生部分 SRAM 切換調節器 串聯調節器 切換調節器控制 衰減器 變壓器 電感器 參考電源 振盪電路 二極體 雙載子電晶體 變阻器 電容 運算放大器 頻帶間隙電路 電流源 變阻器 雙載子電晶體 基底 -57- (54) 主體 影像輸入部分 顯示部分 鍵盤 密合像素部分 第一黏接物 主體 顯示部分 語音輸入部分 操作開關 電池 影像接收部分 釋放層 操作開關 顯示部分 第二黏接物 基底 主體 顯示部分 揚聲器部分 記錄媒體 操作開關 U V射線 主體 -58- (55) 1330862 2 5 02 顯示 2 5 03 眼部 2 5 04 操作 2 9 0 ] 主體 2902 語音 29 03 音頻 2904 顯示 2 9 05 操作 2906 天線 29 07 影像 203 氧化 3 0 基底 3 00 第一 3 0 0 1 主體 3 002 顯示 3 0 03 顯示 3 0 04 記錄 3 005 操作 3 006 天線 3 0 1 金屬 3 02 氧化 3 03 有機 3 04 第一 3 0 5 a 排 部分 構件部分 開關 輸出部分 輸入部分 部分 開關 感應器 銦氧化錫合金 基底 部分 部分 媒體 開關 膜 膜 化合物 電極
-59- (56) 排
水溶樹脂 雙面膠帶 第二基底 雙面膠帶 黏接物 第三基底 主體
支撑基底 顯示部分 黏接物 第四基底 有機化合物 第二電極（陰極） 第五基底 排 黏接物 塑膠基底 有機化合物 第二電極（陰極） 黏接物 第三基底 第一電極 第一電極 -60- (57)1330862
45 有機化合物層 46 TFT
-61 -

Claims (1)

  1. 拾、申請專利範圍 第92 1 28739號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國99年1月20日修正 1-一種半導體設備，包含： 一塑膠基底或是塑膠爲基礎之材質，作爲支撐媒體； φ 一黏著物’與塑膠基底或是塑膠爲基礎之材質接觸； —絕緣膜，與該黏著物接觸；以及 —裝置，其黏結於該絕緣膜上， 其中該塑膠基底或是該塑膠爲基礎之材質各自具有較 該黏著物爲高之熱導性。 2_如申請專利範圍第1項之半導體設備，其中該裝置 係爲薄膜電晶體，發光裝置包括：含有有機化合物之發光 層，液晶裝置，記憶體裝置’ pin接面矽光感轉換器，或 ©是砂阻抗元件。 3 ·如申請專利範圍第1項之半導體設備，其中每個具 有熱導性之塑膠基底或是塑膠爲基礎之材質係以低熔點金 屬’陶瓷，合成樹脂的一混合物來形成，該合成樹脂包含 選擇自由聚丙烯、聚丙烯硫醚、聚碳酸酯、聚醚醯亞胺、 聚丙硫醚、聚苯釀、聚颯、聚苯二甲酸胺所構成之群組之 材質，及該低熔點金屬包含錫，鉍及鋅。 4·如申請專利範圍第1項之半導體設備，其中粉末或 是塡充物被添加至該黏著物，該粉末或是塡充物包括由選 1330862 (2) 含月一日與替换頁 擇自以銀、鎳、鋁以及氮化鋁所組成之群組之材質。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體設備，其中該半導 體設備係被裝設於由視頻照相機、數位照相機、頭戴式顯 示器、汽車導航、個人電腦、以及可攜式資訊終端機之群 組中。 6. —種製造半導體設備之方法，包含： 形成一釋放層，包括一在一第一基底上之半導體裝置 » 將可溶解於溶液之有機樹脂膜覆蓋於該釋放層； 以第一雙面膠帶而將第二基底與有機樹脂膜接合，以 將釋放層以及有機樹脂膜夾置於第一基底以及第二基底之 間； 以第二雙面膠帶將第三基底與第一基底接合； 將與第三基底接合之第一基底藉由實體機構而與釋放 層分離；
    將第四基底與釋放層接合以將釋放層夾置於第二基底 以及第四基底之間： 將釋放層以及第一雙面膠帶與第二基底分離； 將釋放層與第一雙面膠帶分離；以及 以溶液將有機樹脂膜移除。 7 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中該溶液係爲水 或是酒精。 8.如申請專利範圍第6項之方法，其中在第七程序中 之第一雙面膠帶以及第二基底之黏性係較釋放層以及第四 -2- 1330862 9羡约正替換頁 L--(3)- 基底之黏性爲強。 9. 一種製造半導體設備之方法，包含： 在第一基底上形成包括一半導體裝置之釋放層； 在該釋放層上覆蓋以溶液溶解之有機樹脂膜； 以第一雙面膠帶將第二基底與該有機樹脂膜接合以在 第一基底以及第二基底之間夾置該釋放層以及有機樹脂膜 » φ 以第二雙面膠帶將第三基底與該第一基底接合； 藉由實體機構而將與第三基底接合之第一基底自釋放 層而分離； 將第四基底與該釋放層接合，以將該釋放層夾置於第 二基底以及第四基底之間； 將釋放層以及第一雙面膠帶自第二基底分離； 以溶液將有機樹脂移除；以及以第二黏著物將第五基 底與該釋放層接合，而將該釋放層夾置於第四基底以及第 ®五基底之間。 1 0 .如申請專利範圍第9項之方法，其中該溶液係爲 水或是酒精。 1 1 .如申請專利範圍第9項之方法，其中在第七程序 中之第一雙面膠帶以及第二基底之黏性係較釋放層以及第 四基底之黏性爲強。 12.如申請專利範圍第9項之方法，其中第一基底係 爲玻璃基底，第二以及第三基底係爲石英基底或是金屬基 底，且第四基底以及第五基底係爲塑膠基底。 -3- 1330862 . (4) 日 1 3 .如申請專利範圍第9項之方法，其中第一基底係 爲玻璃基底，第二以及第三基底係爲石英基底或是金屬基 • 底，且第四基底以及第五基底中其中之一係爲對光透明之 , 塑膠基底，而另一個係爲具有熱導性之塑膠基底。 14.如申請專利範圍第9項之方法，其中第四或是第 五基底係爲在其表面上形成有SiNx膜、Si NxOy膜、A1 Nx膜、或是AlNxOy膜之塑膠基底。 | 15·—種製造半導體設備之方法，包含： φ 在第一基底上形成包括一場效電晶體之釋放層； 在該釋放層上覆蓋以溶液溶解之有機樹脂膜： 以第一雙面膠帶將第二基底與該有機樹脂膜接合以在 第一基底以及第二基底之間夾置該釋放層以及有機樹脂膜 » 以第二雙面膠帶將第三基底與該第一基底接合； 藉由實體機構而將與第三基底接合之第一基底自釋放 • 層而分離； · 以第一黏著物而將第四基底與該釋放層接合，以將該 釋放層夾置於第二基底以及第四基底之間； 將釋放層以及第一雙面膠帶自第二基底分離； 將釋放層自第一雙面膠帶分離； 以溶液將有機樹脂移除； 在該釋放層上製造包括有機化合物之發光裝置；以及 以第二黏著物將作爲密合該發光裝置之第五基底與該 釋放層接合’而將該釋放層夾置於第四基底以及第五基底 -4- I33Q869. ‘ f ·雜正替換頁 -(θΓ 之間。 16.如申請專利範圍第15項之方法，其中該溶液係爲 水或是酒精。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項之方法，其中在第七程序 中之第一雙面膠帶以及第二基底之黏性係較釋放層以及第 四基底之黏性爲強。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該溶液係爲 φ水或是酒精。 19. 如申請專利範圍第15項之方法，其中在第七程序 中之第一雙面膠帶以及第二基底之黏性係較釋放層以及第 四基底之黏性爲強。 20. 如申請專利範圍第15項之方法，其中第一基底係 爲玻璃基底，第二以及第三基底係爲石英基底或是金屬基 底，且第四基底以及第五基底係爲塑膠基底。 2 1 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中第一基底係 β爲玻璃基底，第二以及第三基底係爲石英基底或是金屬基 底，且第四基底以及第五基底中其中之一係爲對光透明之 塑膠基底，而另一個係爲具有熱導性之塑膠基底。 22. 如申請專利範圍第15項之方法，其中第四或是第 五基底係爲在其表面上形成有SiNx膜、Si NxOy膜、Α1 Nx膜、或是AINxOy膜之塑膠基底。 23. —種半導體設備，包含： 一塑膠基底或是以塑膠爲基礎之材質，作爲支撐媒體 -5- 1330862 (6) I年⑽月，日㈣換頁I 一黏著物，與該塑膠基底或是該塑膠爲基礎之材質相 接觸； 一絕緣膜，與該黏著物接觸； 一陰極以及一陽極，其被化學地形成在該絕緣膜之上 :以及 —膜，包含一有機化合物，而位在該陰極以及該陽極 之間，
    其中該塑膠基底或是該塑膠爲基礎之材質各自具有範 圍從5至30W/mK的熱導性。 2 4.如申請專利範圍第23項之半導體設備，其中每個 該塑膠基底或是該塑膠爲基礎之材質係具有較該黏著物有 較高之熱導性。
    25·如申請專利範圍第23項之半導體設備，其中具有 熱導性之每個該塑膠基底或是該塑膠爲基礎之材質係由低 熔點金屬、陶瓷以及合成樹脂之混合物所形成，該合成樹 脂包含選自於由聚丙烯、聚丙烯硫醚、聚碳酸酯、聚醚硫 亞胺、聚丙硫醚、聚苯醚、聚颯、聚苯二甲酸脂所構成的 群組之材質，及該低熔點金屬包含錫，鉍及鋅。 2 6.如申請專利範圍第23項之半導體設備，其中粉末 或是塡充物被添加至該黏著物，該粉末或是塡充物包含選 自於由銀、鎳、鋁以及氮化鋁所構成的群組之材質。 2 7.如申請專利範圍第23項之半導體設備，其中該半 導體設置係裝設在以下群組者，包含：視頻照相機、數位 照相機、頭戴式顯示器、車用導航器、個人電腦、以及可 -6- imm_________ 瀘㈤替換頁 · 攜式資訊終端機。 28. 如申請專利範圍第23項之半導體設備，其中含有 該有機化合物之該膜係包含發光層。 . 29. —種半導體設備，包含： 一塑膠基底或是以塑膠爲基礎之材質，作爲支撐媒體 » 一黏著物’與該塑膠基底或是該塑膠爲基礎之材質相 |接觸； 一絕緣膜，與該黏著物接觸； 零 一源極區以及一汲極區’其被化學地形成在該絕緣膜 上； —通道區，位在該源極區以及該汲極區之間，且係位 在該絕緣膜之上；以及 一閘極，相鄰於該通道區並位在該絕緣膜之上， 其中該塑膠基底或是該塑膠爲基礎之材質各自具有範 #圍從5至30W/mK的熱導性。 # 3 0 ·如申請專利範圍第29項之半導體設備，其中每個 該塑膠基底或是該塑膠爲基礎之材質係具有較該黏著物有 較高之熱導性。 3 1·如申請專利範圍第29項之半導體設備，其中具有 熱導性之每個該塑膠基底或是該塑膠爲基礎之材質係由低 熔點金屬、陶瓷以及合成樹脂之混合物，該合成樹脂包含 選自於由聚丙烯、聚丙烯硫醚、聚碳酸酯、聚醚硫亞胺、 聚丙硫醚' 聚苯醚、聚颯、聚苯二甲酸脂所構成的群組之 1330862 (8) 年月日修正替換頁 QQ 1 0. 0 材質，及該低熔點金屬包含錫，鉍及辞° 3 2.如申請專利範圍第29項之半導體設備’其中粉末 或是塡充物被添加至該黏著物，該粉末或是塡充物包含選 自於銀、鎳、鋁以及氮化鋁所構成的群組之材質。 33.如申請專利範圍第29項之半導體設備，其中該半 導體設置係裝設在以下群組者，包含：視頻照相機、數位 照相機、頭戴式顯示器、車用導航器、個人電腦、以及可 攜式資訊終端機。
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