TWI355100B - Light-emitting device and backlight unit using the - Google Patents

Description

1355100 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於照明器具、顯示器、行動電話之 背光、動畫照明輔助光源及其他一般性民用光源等中的發 光裝置，尤其係關於一種將半導體發光元件載置於封裝内 並以聚矽氧密封構件進行密封之發光裝置。 【先前技術】 使用有包含半導體之發光元件的發光裝置，小型且電力 效率較好，並可發出鮮豔顏色之光。所使用之發光元件具 有如下特徵.由於其係半導體元件，故而無須擔心耗盡媳 減等，進而初始驅動特性優良，且在振動或反覆接通.關 閉點燈方面具有較強耐受性。由於具有如此之優良特性， 故而使用發光二極體（LED，Light Emitting Diode)、雷射 二極體（LD，Laser Diode)等發光元件之發光裝置可用作各 種光源。 作為先前之發光裝置（光電設備），已有如下光電設備（例 如’參照專利文獻1)，其包含：由護套材料，尤其是塑膠 材料製造之罩體（封裝）；配置於罩體凹處之光電半導體晶 片（山半導體發光元件）；以及與半導體晶片導電性連接之電 端子。4套材才4，較好的是使用熱可塑性或熱硬化性塑 I ’尤其好的是使用聚鄰笨二甲醯胺。為實現護套於機械 面之較化’而於聚鄰苯二甲醯胺等護套材料中混合有 璃纖維。玻璃纖維通常係直徑為1〇叫以上，長度為· 上之長棒狀構件。若將聚鄰苯二甲醯胺與玻璃纖維 Ί5〇37.ά00 1355100 混合成形’則於護套表面上會形成凹凸。 又，已知有含有半芳香族聚醯胺與鈦酸鉀纖維及/或矽 灰石之反射板用樹脂組合物（例如，參照專利文獻2)。 [專利文獻1]曰本蓴利特表2〇〇5_5〇71(78號公報 [專利文獻2]曰本專利特開2002-294070號公報 [發明所欲解決之問題]

於先前之使用混合有玻璃纖維之護套的光電設備中存 在以下問題：由於玻璃纖維較長，故而玻璃纖維自護套之 表面突出’從而產生所謂的毛刺。又，亦存在以下問題： 混合有玻璃纖維之護套於表面上存在凹凸，易於產生潤濕 不良，而與覆蓋材料之密著性不足，從而產生剝離。因該 覆蓋材料之剝離’而於覆蓋材料與護套之間隙中形成反射 面，從而導致自光電設備所射出之光中產生顏色不均。

由以上所述，本發明之目的在於提供—種密封構件與封 裝構件之密著性較高之發光裝置。又，本發明之目的在於 提供一種使用該發光裝置之背光單元。 【發明内容】 為解決上述問題點，本發明者等重複進行專心、研討，從 而完成本發明。 本發明之發光裝置包含：含有凹部之封裝，該凹部含有 底面與側壁；發光元件’其載置於上述封裝之凹部的底面 上，以及密封構件’其配置於上述封裝之凹部内，且被覆 上述發光元件；並且，上述封裝含有整個單體成分中5重 量％〜70重量％之在太酸卸纖維及/或石夕灰石' 1〇重量重 H5037.doc υυ 之氧化鈦、以及15重量％〜85重量％之半芳香族聚醯 胺，該半芳香族聚醯胺中芳香族單體之比例為2〇莫耳％以 t ’且上述封裝之凹部的側壁之厚度含有⑽μΓη以下之部 刀上述论封構件為聚石夕氧。藉此，可確保封裝表面之平 滑性’而可提高密封構件與封t之密H又，自發光元 斤出射之光由含有底面與側面之凹部而反射，亦可提高 出射強度。 較好的是上述封裝係100 g半芳香族聚醯胺樹脂中之 胺基/辰度為30 g以下之半芳香族聚醯胺樹脂。藉此，可 提供一種亦可耐受近紫外或可見光中之短波長區域(360 nm〜55〇 nm)之光的發光裝置。 述發光元件可使用於360 nm〜55〇 nm處具有發光峰值 波長的氮化㈣化合物半導體發光/0件。由於封裝具有較 高而才光性’因此即使於使用光能量較高之發光元件時，亦 可降低封裝之劣化。 自上述凹部之開口方向觀察，上述封裝具有長度方向與 寬度方向且石上述封裝之長度方向所形成之上述側壁之 厚度亦可設為100 μηι以下。例如，當將上述發光裝置用於 侧視用時，可提供非常薄型之發光裝置。 又，本發明之背光單元含有上述發光裝置、以及來自上 述發光裝置之光入射於其上的導光板。藉此，可提供非常 薄型之背光單元。又，當將該發光裝置嵌合於導光板中 時，由於發光裝置表面之平滑性優良，而導光板與發光裝 置之密著性較好，因此可提高光取出效率。 115037.doc 1355100 [發明之效果j 本發明係如以上所說明般而構成，因此可提高密封構件 與封裝之密著性。X，亦可提供—種使用时光性優良之封 裝的發光裝置。 【實施方式】 以下，使用實施形態以及實施例，對本發明之發光裝置 及其製造方法進行說明❶然而，本發明並不限定於該實施 形態以及實施例。 <發光裝置】00> 圖1所示發光裝置100包含：發光元件10 ;含有凹部60之 封裝20 ’該凹部60含有底面20a與側壁2〇b ;與封裝2〇 一體 成形之導線電極30 ;以及被覆發光元件1〇之密封構件4〇。 發光元件10係載置於封裝2〇之凹部60的底面2〇&所露出之 導線電極30上。發光元件10所含有之電極、與底面2〇a所 露出之導線電極30係藉由導電性金屬線而電性連接。進 而’為改變來自發光裝置i 00之色調，亦可於密封構件4〇 中含有螢光物質50。封裝20含有整個單體成分中5重量 %〜70重量％之鈦酸鉀纖維及/或矽灰石、1〇重量％〜5〇重量 %之氧化欽、以及15重量％〜85重量％之半芳香族聚醯胺， 該半芳香族聚醯胺中芳香族單體之比例為2〇莫耳％以上。 封裝20之凹部6〇的側壁2〇b之厚度含有1〇〇 ^爪以下之部 分。密封構件4〇之材料為 >聚矽氧。 <背光單元2〇〇> 圖2所示背光單元200包含發光裝置100以及導光板70。 115037.doc 1355100 發光裝置100係將形成有凹部60之發光面側朝向導光板7〇 • 而配置。於導光板70之側面之一部分上設置狹槽。將發光 裝置100載置於該狹槽部分之前面’使來自發光裝置1〇〇之 光入射至導光板70。 以下’對可使用於發光裝置100以及背光單元2〇〇中之構 成構件加以詳述。 (發光元件10) • 發光元件丨〇係使用於基板上形成有GaAIN、ZnS、

ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AIN、InN、AlInGaP、

InGaN、GaN、AIInGaN等半導體作為發光層者。其中，可 使用於近紫外線區域或可見光之短波長區域（36〇 nm〜55〇 nm)處含有發光峰值波長的氮化物系化合物半導體元件。 其原因在於，即使使用光強度較高之發光元件時，封裝2〇 亦具有較高之耐光性。再者’亦可使用於可見光之長波長 區域（551 nm〜780 nm)中具有發光光峰值波長的發光元 • 件。 發光元件10可適當使用複數個，並可藉由其組合，提供 在白色顯示中具有較高演色性之發光裝置1〇〇。例如，可 使用2個可進行綠色色系發光之發光元件1〇，以及各1個可 進行藍色色系及紅色色系發光之發光元件1〇。再者，為用 作顯示裝置用全色發光裝置’較好的是，紅色系發光波長 為610 nm至700 nm ’綠色系發光波長為495 ηπ^565 nm， 藍色系發光波長為430 nm至490 nm。於發光裝置1〇〇中進 行白色系之混色光發光時’考慮到發光元件丨〇與登光物質 II5037.doc 1355100 * 5G在發光波長+之補色_、或因發光元件ίο之光輸出而 - 導致密封構件4G劣化等，發光元件10之發光波長較好的是 400 nm以上530 nm以下，更好的是42〇 nm以上49〇 nm以 下。為進一步分別提高發光元件10與螢光物質50之激發效 率、發光效率’最好的是45〇 nm以上475 nm以下。 (封裝20) 封裝2〇含有凹部60，該凹部60含有底面20a與側壁20b。 • 封裝2〇之凹部60的側壁2〇b之厚度可設為100 μιη以下。 封裝2〇3有整個單體成分中5重量。〜重量％之鈦酸鉀 纖維及/或梦灰石、1〇重量％〜5〇重量％之氧化鈦 '以及Μ 重量/〇〜85重量％之半芳香族聚醯胺，該半芳香族聚醯胺中 芳香族單體之比例為2 0莫耳以上。 適用於本發明之封裝，藉由包含1〇重量％〜5〇重量％之範 圍的氧化欽’而可將封裝材料之黏度抑制得較低，並且可 提同反射率。藉此’例如’即使含有薄至丨〇〇 以下之側 _ € 2Gb之封裝’亦可進行無缺陷成形，且可降低自發光元 件10向側面方向之漏光，提高出射強度。 又，由於鈦酸鉀纖維、矽灰石以及氧化鈦短於玻璃纖 維故而不會於封裝20之表面上產生較大凹凸，從而可減 少毛刺之產生。藉此，可提高密封構件40與封裝20之密著 性。 自凹部60之開口一側觀察，封裝2〇係具有長度方向與寬 度方向之形態》此時，若使凹部6〇之側壁2〇b中沿長度方 向所形成之側壁2〇b的厚度較薄，則可不改變凹部6〇之尺 115037.doc 1355100 寸而縮小封裝之寬度方向上的外形尺寸，因此使用相同的 發光，件1。，可提供厚度較薄之發光裝置1〇〇。如上所 述：薄型之發光裝置100可較好地用作側視。 半芳香族聚趨胺係指將含有芳香族單體作為單體之}成 的原料聚合而合成之聚酿胺1作本發明之封裝材料之 =的：芳香族聚酿胺，係將構成聚酿胺之單體成分中的 25莫：：體之比例調整為20莫耳％以上，較好的是調整為 矣耳以上’更好的是調整為3〇莫耳％〜6〇莫耳％。又， =於本發明之半芳香族聚酿胺之'熔點較好的是縦C以 上’更好的是280。(：〜320。〇。 :匕芳香族聚醯胺中單體之莫耳分率，可藉由將聚合 原科中之早體之比例設為特定之莫耳分率而進行調整。 作為芳㈣單體，例如，可列舉料n ;酸：芳：族胺基碳酸等。作為芳香族二胺，例如； 二:°二:胺、m-苯二胺、對二甲苯二胺、間二 酸、間苯-二‘”：香t二紋酸，例如，可列舉對苯二甲 " 甲酸、本二甲酸、2-甲基對苯二曱酸、苹二叛 :::又，作為芳香族胺基碳酸’例如，可列舉P·胺基安 心香I等。該等中，較好的是芳香族 可單獨使請或可併用2種以上。作為=方香族單體 單體成分，可列舉脂肪族二護酸、二 =單體以外之 式燒推二胺、脂肪族胺基碳酸等。肪知院樓二胺、脂環 作為脂肪族二羧酸，可列舉己二醆、八- + - .K* _ Λ-Λ 六一酉久、壬二酸、 兀一-义該等中，較好的是己二酸。脂肪族二幾酸 115037.doc 1355100 可單獨使用1種或可併用2種以上。脂肪族烷撐二胺可為直 鍵狀亦可為分支鏈狀。具體而言’可列舉乙二胺、三亞甲 基二胺、四亞f基二胺、五亞甲基二胺、己二胺、】，7•二 胺庚烷、1，8-二胺辛烷、ι，9-二胺壬烷、！」()_二胺癸烷、 2-甲基五亞甲基二胺' 2_乙基四亞甲基二胺等。該等中， 較好的是己二胺、2-甲基五亞甲基二胺等。脂肪族烷撐二 胺可單獨使用1種或併用2種以上。 *作為脂環式烷撐二胺，例如，可列舉〗，3_二胺基環己 烷、I，4-二胺基環己烷、丨，3_雙（胺基甲基）環己烷、雙（胺 基甲基）環己烧、雙（4-胺基環己基）甲炫、4,4，二胺基-3,3,_ 二甲基二環己基甲垸、異佛爾酮二胺、料等。脂環式院 撐二胺可單獨使用1種或可併用2種以上。 、作為脂肪族胺基碳酸，例如，可列料胺基己酸、 =十-烷酸、12_胺基十二烷酸等’亦可使用與該等相 用:箱之壞狀内醯胺。脂肪族胺基碳酸可單獨使们種或併 用2種以上。該等單體 中較好的是脂肪族二羧酸、 月曰肪族烷撐二胺等。該等單 種以上。 该等早體成分可單獨使用1種或併用2 上述半芳香族聚醢胺中，較 ^ ?乂好的疋包含芳香族二羧酸及 月曰肪私烷撐二胺者；包含芳 脂η力始—播 矢一敌酸、脂肪族二羧酸及 月曰肪族烷撐二胺者等。 敌奴汉 θ , 寻牛方香族聚醯胺中，較好的 疋’二羧酸為對笨二甲酸 較好的 合物、。戈對笨-甲本一曱馱與間笨二甲酸之混 上述2種混合物中 〃己一&之混合物。於 八好的疋對苯二甲酸之比例為40莫 115037.doc υυ 耳％以上者。進而，姑0 + 該4半芳香族聚醯胺中， 是，脂肪族烷撐二胺尤其好的 美_ 為己—胺 '或己二胺與2-曱基五亞甲 I —胺之混合物。本婪 +方香&聚醯胺中，作4尤其較好者 例’可列舉將50莫耳％之斟奸田雜 胺以及25莫耳%之2、二本二甲酸'25莫耳%之己二 -選摆椹二 甲基二胺共聚合者。藉由適 田、擇構成半^香族聚 之構成比鐘㈣㈣胺之方㈣早體或其他單體成分 5 可適當調整熔點、玻璃轉化溫度等。 =為樹驗合物之基質樹脂，亦可與半芳香族聚酿胺一 用聚本、醚。作為聚苯硫醚，可使用任-眾所周知 ，又’亦可為線狀構造、交聯構造等之任—構造。例 舉含有以下通式所表示之重複單元作為構成要素 之、，.吉晶性尚分子。 [化1] 10Crt

(式中，Ar表示M_伸苯基、1>3-伸苯基或u伸苯基）。 較理想的是，以上述重複單元作為主成分者，亦即，僅 包含上述重複單元者，或較好的是包含8〇莫耳％以上之上 述重複單元者， 更好的是包含90莫耳％之上述重複單元 H5037.doc 者°當聚苯硫醚之實質性總量並非由上述重複單元所構成 時’剩餘部分可由可共聚合之包含例如下述重複單元之成 分而滿足》 [化2] • 切

B (式中，R表示烷基、烷氧基、硝基或伸苯基）。 • 作為聚苯硫醚，可使用市售品。作為市售品，例如，可 列舉TOPLEN (商品名，T〇PLEN(股）製造）、UGHTON (商 品名’ TORAY (股）製造）、F0RTR0n (商品名，聚塑夥 (股）製造）等。 基質樹脂成分之添加量，包含基質樹脂成分單獨使用半 • 芳香族聚醯胺之情形以及併用半芳香族聚醯胺與聚苯硫醚 之匱形，設為樹脂組合物總量之3〇重量％〜95重量％，較好 的是3〇重量％〜90重量％，更好的是4〇重量％〜7〇重量。若 樹脂成分之添加量超出30重量％〜95重量％之範圍，則可能 無法獲得高水準滿足反射板所必須之各種物性之樹脂“ 物。再者，於併用半芳香族聚醯胺與聚苯硫醚之情形時;* 該等樹脂之添加比例可進行適當選擇，但可行的是，半芳 香族聚醯胺較好的是以包含料樹脂合計量之40重量 %〜90重量％之方式而添加’更好的是以包含該等樹脂合計 115037.doc -15· S之50重量％〜8〇重量％之方式而添加。 作為添加至半芳香族聚醯胺或半芳香族聚醯胺與聚苯硫 韃之此0物中的無機纖維，使用鈦酸鉀纖維及/或矽灰 石。作為銀酸鉀纖維並無特別限制，可廣泛使用先前眾所 周知者，例如，可使用4鈦酸鉀纖維' 6鈦酸鉀纖維、8鈦 I鉀纖維等。鈦酸鉀纖維之尺寸並無特別限制，但通常， 平均纖維直徑為0 01 μιη〜j μιη，較好的是〇」㈣〜〇 5㈣， 了均纖維長度為i μπι〜5〇 μιη，較好的是3 pm〜。亦 可使用市售品，例如，可使用TISMO (商品名，大塚化學 (股）製造，平均纖維直徑為〇.2 μιη〜〇_5㈣，平均纖維長為 5 μπι〜30 μιη)等。矽灰石係包含偏矽酸鈣之無機纖維。矽 灰石之尺寸亦無特別限制，但通常，平均纖維直徑為〇1 μπι〜15 μιη，較好的是2 〇 μηι〜7 〇 μηι，平均纖維長度為3 Km 180 μπι，較好的是2〇 μηι〜】〇〇 μιη，平均縱橫比為3以 上’較好的是3〜50,更好的是5〜3〇。作為石夕灰石亦可較好 地使用市售品，例如，可使用BISTAL Kl〇i (商品名大 塚化學(股)製造，平均纖維直徑為2叫〜5㈣，平均纖維 長為5 μχη〜3〇 μπι)、Nygios 1-10013 (商品名，Nyco公司製 造’平均纖維直徑為5 μηι〜30 μιη，平均纖維長為5 _〜3〇 _)等。料中’若考慮所獲得之樹脂組合物的遮光率或 白度’則較好的是鈦酸卸纖維。 為進一頻高所獲得之樹脂組合物的機#性強度等物 性，亦可對鈦酸鉀纖維以及矽灰石實施表面處理。表面處 理可按照㈣周知之方法，使时烧偶合劑、敍偶合劑等 115037.doc 1355100 而進行。該等中，較好的是矽烷偶合劑，尤其好的是胺基 矽烷》 可使鈦酸鉀纖維及/或矽灰石之添加量，通常為樹脂組 合物總量之5〜70重量％，較好的是1〇〜70重量％(樹脂成 分：30〜90重量。/。），更好的是20~60重量。/〇 (樹脂成分： 40〜80重量％)。若超出5〜70重量％之範圍，則可能無法獲 得高水準滿足反射板所必須之各種物性之樹脂組合物。

所有單體成分中’氧化鈦之含量為1〇重量％〜5〇重量％。 更好的是10重量％〜30重量％。其原因在於，藉此可將亮度 及輪出維持得較高。又，若使氧化鈦之含量較多，則樹脂 4動|±會兔差。作為氧化欽並無特別限制，可使用銳鈦 礦型、金紅石型、單斜晶型等各種結晶形態之任一者，亦 可併用2種以上結晶形態各異者，但較好的是折射率較高 且光穩^性良好之金紅石型。又，氧化鈦之形狀並無特別

限制’可使用粒子狀、纖維狀、板狀（包含薄片狀、鱗片 狀农母狀等）等各種形狀之任一者，亦可併用2種以上形 狀各異者。氧化欽之尺寸並無特別限制，但較好的是，平 均粒禮為 0 · 1 μηι〜0 3 urn -h -h- Λ* ^ 面處理劑處理者。者。又，亦可使用經過各種表 在不4貝害其較好之物性益 添加除_却纖維以及梦灰 眾所：向樹脂·组合物中 作為無機纖维並無特別限: = = : =維。 ，酸納纖維、_纖維、 厶：維； ――等。在…其較:之：： 115037.doc 气等亦可向本發明之樹脂組合物中添加抗氧化劑、熱穩定 作為抗氧化劑’可列舉苯I系抗氧化劑、峨系抗氧化 兴硫系抗氧化劑等。作為苯盼系抗氧化劑，例如，可列 二乙二醇·雙[3_(3_第三丁基I甲基-4_經苯基)丙酸醋卜 ’-己二醇’雙[3_(3,5_二_第三丁基_4羥苯基)丙酸酯]、異 燒Z基-肆[3-(3,5_二第三丁基领苯基）丙酸賴]、十二 兀土 - -(3,5-二-第三丁基_4•羥苯基）丙酸酯、3,5_二第一 二基經节基膦酸@旨_二乙酿、N，N，_環己院雙’(3二二-二 ^丁基-4-經基·經基肉桂酿胺）、13 5_三甲基乂μ三 ’ 第三丁基I經基节基）苯、3,9-雙[2-{3♦第三丁 土 _4- %基-5-甲基苯基）丙醯氧基}1，卜二甲美乙美 =1。四氧雜[5,5]十—烧等。該等中，較好的二異：四 (,5-二-第三丁基-4-羥基-羥基肉桂醯胺）。 抗氧化劑之具體例，例如，可列舉三(2…系 基）亞碟酸鹽、2也4,8，1〇.肆（1山二甲基⑻二= [:，如，3,2]二氧雜磷 6·基]氧基]]_ν，ν 雙[2_[[2,4,8， =甲基乙基)二苯并㈣叫氧叫6_基]氧基]: & J—乙胺 '雙（2,6二-第三丁其4 +

酸酯等1等之中妨拉…本基)季戊四醇二磷 ⑷一 較好的是2-[[2,4,8，10-肆π小二甲A 醚）一苯并[d，f][i 3,2J二氧雜鱗6其 ^ “2鄭肆⑹二甲基二 ⑷氧基]·乙基]二乙胺二咖 妝作為硫系抗氧化劑之具體例，例 115037.doc 18- 了歹〗舉2,2-硫基-二乙烯雙/1 基）兩酸以_ 那又^ (3,5 一第二丁基-4-經苯 a [亞曱基·3·(十二垸硫基）丙酸酷]甲烧等。 Μ等抗氧化劑可單獨使用1種或併用2種以上。 進而’在不損害其較好之物性之範圍内可向本發明之 種脂組合物中添加i種或2種以上先前用於合成樹脂用之各 添加劑。作為添加劑，例如’可列舉滑石'二氧化矽、 T化鋅（包含菱形塊狀者）等無機填充材、難燃劑、可塑 劑核齊j、染料、顏料、離型劑、紫外線吸收劑等。 樹月Θ組合物可依據^所周知之方法，藉由將芳香族聚酿 =與^夕灰石及/或鈦酸卸纖維，進而根據須要與其他添加 劑進行溶融混合而製造。溶融混合時可使用雙螺桿擠壓機 等任-眾所周知之溶融混合裝置。樹脂組合物可藉由射出 成开V法、壓縮成形法、擠壓成形法等眾所周知之樹脂成形 法而成形為封裝20。 (密封構件40) 密封構件40為聚矽氧。聚矽氧是指含有矽氧烷鍵之所有 樹知。作為聚矽氧，存在縮合反應交聯型、附加反應交聯 型兩種，但尤其好的是附加反應交聯型。亦可使用縮合反 應交聯型，但因硬化時所產生之氣體而會容易產生空隙， 或因表層先硬化之情形較多而氣體無法充分放出而會容易 產生深層部硬化不良。又，已知有於聚矽氧中向矽氧烷鍵 之石夕中導入甲基或苯基之類型，僅由甲基所構成之聚石夕氧 之耐光性與強韌性優良故而較好。可使用離子雜質較少之 尚純度、南透明的稱為juncti〇n_c〇ating.Resin之市售品之 J15037.doc 19 丄355100 聚石夕氡’例如，可列舉KJR9〇32 (商品名，信越化學工業

(股）製造）、JCR6122 (商品名，TORAY.D〇w CORNING (股）製造）等。 (螢光物質50) "T行的疋螢光物質50係吸收來自發光元件1〇之光並進 仃波長轉換而使其成為不同波長之光者。例如，較好的 是，選自以下中之至少任意！種以上：主要以Eu、以等鑭 系元素而賦活之氮化物系螢光體.氮氧化物系螢光體石夕鋁 氧氮聚合材料系螢光體，主要藉由Eu等鑭系、Mn等過渡 金屬系元素而賦活之鹼性土類齒素磷灰石螢光體，鹼性土 類金屬硼酸幽素螢光體，鹼性土類金屬鋁酸鹽螢光體，鹼 性土類矽酸鹽，鹼性土類硫化物，鹼性土類硫代鎵酸鹽， 鹼性土類氮化矽，鍺酸鹽，或主要以Ce等鑭系元素而賦活 之稀土類鋁酸鹽，稀土類矽酸鹽，或主要以Eu等鑭系元素 而賦活之有機及無機錯合物等。 (導光板70) 導光板70可使用平板狀者或於表面設有凹凸者等各種 者。導光板70之材料並無特別限定，可使用玻璃等無機物 質、或丙婦酸樹脂等樹脂等。導光板7〇之厚度較好的是與 發光裝置100之厚度大致相@。藉此，當組合發光裝置_ 與導光板70時，可使其非常薄型。又，可減少來自發光裝 置100之光的洩漏，而可高效地入射至導光板7〇。導光板 70亦可採用如下結構，即含有與發光裝置1〇〇之入光部分 之形狀相嵌合之凹部。又’亦可於導光板7G中發光裝置 115037.doc -20. 1355100 100之入光部分上設置狹槽。 • [實施例1] 製作圖1所示形態之發光裝置100。封裝2〇係表示侧面發 光型發光裝置，而並非表示嚴格之封裝20之構造。 於發光元件10中，使用發出於460 nm處具有發光峰值波 長之藍色光者。密封構件4〇係使用聚矽氧（信越化學股份 有限公司製造··商品名KJR9〇32)。封裝2〇係使用側面發光 • $發光裝置（日亞化學工業股份有限公司製造的NSCW008) 之封裝。封裝20之凹部60之側壁2〇b的厚度為7〇〜8〇 。 實施例1之封裝20含有20重量％之矽灰石、15重量％之氧 化鈦以及64重量。/〇之半芳香族聚醯胺。該半芳香族聚酿胺 中，芳香族單體之比例為50莫耳％，且1〇〇 g半芳香族聚酿 胺中之醯胺基濃度為30 g以下。半芳香族聚醯胺係使用聚 鄰苯二甲醯胺。實施例1至5、比較例1至4，於密封構件4〇 中含有以（YAdhAlsOaCe所表示之YAG系螢光體。 ί [實施例2] 實施例2係變更封裝2〇之材料，並以與實施例！相同之方 式製作發光裝置100 ^半芳香族聚醯胺係使用與實施例 同成分之聚鄰苯二甲醯胺。 [實施例3] 實施例3中，使用與實施例！不同之封裝2〇，並以與實施 例1相同之方式製作發光裝置丨〇〇 ^封裝2〇係使用側面發光 尘發光裝置（日亞化學工業股份有限公司製造的nscw〇2〇) 之封裝。實施例3之封裝20之凹部60的側壁2〇b之厚度為 115037.doc 21 1355100 7〇~8〇 μΐΏ。實施例3之半芳香族聚醯胺係使用與實施例！相 同者。 [實施例4] 一又，實施例4中，使用與實施例！不同之封裝2〇，並以與 實施例1相同之方式製作發光裝置⑽。封裝20係使用側面 發光型S光裝i (日5化#王業股份有❿&司製造的 NSSW057)之封裝。實施例4之封裝2()的凹部⑼之側壁勘

的厚度為45〜55㈣。實施例4之半芳香族聚醯胺係使用與 實施例1相同者。 [實施例5] 貫施例5中，使用鈦酸鉀纖維代替實施例丨之矽灰石，並 以與：施m相同之方式製作發光裝置100。鈦酸卸纖維之 二U灰石相同’為20重量％。封裝20係使用側面發 光型發光裝置（曰亞化學工業股份有限公司製造的

NSCW_)之封裝。實施例5之半芳香族聚醯胺係使用 施例1相同者。 一 <比較例1 > 比較例1之發光裝置，除將實施例灰 纖維以外，具有與實施W相同之結構。 更為玻璃 <比較例2> 石變更為玻璃 較例2之發光裝置，除將實施例2之矽灰 纖維以外，具有與實施例2相@之結^ < t匕孝交4 列3 > 比較例3之發光裝量 除將實施例3之矽灰石變更為玻璃 115037.doc -22- 1355100 纖維以外’具有與實施例3相同之結構。 <比較例4> 石變更為玻璃 比較例4之發光裝置，除將實施例4之矽灰 纖維以外’具有與實施例4相同之結構。 (亮度測定） —敎由實施例以及比較例所獲得之發光裝置的亮度。於 每一實施例以及比較例中測定15〇個發光裝置之亮度，並 將其平均值作為各實施例以及比較例之亮度。測；：比較 例1之亮度設為1. 〇 〇時的實施例丨之亮度之相對值（亮度 比）。又’亦敎將比較例2之亮度設為i⑼時的實施例2之 亮度比、將比較例3之亮度設為1〇〇時的實施例3之亮度 比、將比較例4之亮度設為1〇〇時的實施例4之亮度比、以 及將比較例1之党度設為丨〇〇時的實施例5之亮度比。將實 施例1至5之亮度比總結於表1中。 [表1] 發光裝置 亮度比 實施例1 1.05 實施例2 1.05 實施例3 1.08 實施例4 1.10 實施例5 1.05

由該結果可知’實施例1至5之發光裝置之亮度以及輸出 均问於所對應之比較例1至4之發光裝置。該亮度差亦具有 如下效果：將來自發光元件1 0之光高效放出至外部，並且 降低自發光元件10所出射之光於封裝20内被吸收之光量， 115037.doc •23· 1355100 從而作為耐熱性、耐光性優良之封裝2〇。 如實施例4所示，推測封裝20之凹部60的側壁20b之厚度 較薄有利於提高亮度以及輸出。 (通電實驗） 在60°C、90% RH、1 5 mA之條件下對實施例1以及2之發 光裝置進行1000個小時之通電實驗。同樣，以在相同條件 下對比較例1以及2之發光裝置進行通電實驗。 其結果為’未觀察到實施例1以及2之發光裝置於密封構 件與封裝之界面上剝離。然而，比較例丨及2之發光裝置於 密封構件與封裝之界面上產生剝離。 具體而言’各製作〖〇個實施例1以及比較例1之發光裝 置，並進行通電實驗。其結果為，實施例1之1〇個發光裝 置均未於密封構件與封裝之界面上產生剝離，但比較例丄 之個發光裝置均於密封構件與封裝之界面上產生剝離。 進而，製作比較例1之發光裝置時，於自封裝2〇延伸之 導線電極3 G 分上產生毛刺。與此相對，並未發現實施例 1之發光裝置於自封裝2〇延伸之導線電極3〇部分上產生毛 刺。 藉由使用本發明之封裝，即使於使用相同發光元件之情 形時’亦可獲得亮度以及輸出較高之發光裝置。又，由於 密封構件與封裝之密著性良好，故而可提供可靠性較高之 發光裝置。 [產業上之可利用性] 本發月之發光裝置可用於照明器具、顯示器、行動電話 115037.doc •24· 1355100 ' 之背光、動晝照明辅助光源以及其他一般之民用光源等 • 中。尤其可用於組合有導光板之背光單元。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之發光裝置的概略立體圖。 圖2係表示本發明之背光單元的概略平面圖。 【主要元件符號說明】 10 發光元件 φ 20 封裝 20a 底面 20b 側壁 ' 30 導線電極 • 40 密封構件 50 螢光物質 60 凹部 70 導光板 • 100 發光裝置 200 背光單元 115037.doc -25·

Claims (1)

1355100 第095136314號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(1〇〇年2月）iTfi 十、申請專利範園： • 1. 一種側面發光型發光裝置，其特徵在於包含： 封裝，其含有凹部，且該凹部含有底面與側壁； 發光元件，其載置於上述封裝之凹部的底面；以及 迷、封構件，其配置於上述封裝之凹部内，且被覆有上 述發光元件；並且 上述封裝包含半芳香族聚酿胺樹脂，該半芳香族聚酿 胺樹脂含有整個單體成分中5重量％〜70重量％之敍酸卸 纖維及/或石夕灰石、10重量％〜5〇重量％之氧化鈦、以及Η 重量^ 85重量％之半芳香族聚酿胺，且該半芳香族聚酸 胺中芳香族單體之比例為2〇莫耳％以上， 上述半芳香族聚醯胺樹脂1〇〇 §中之醯胺基濃度 以下， 述封裝之凹部之側壁厚度含有丨〇 〇 以下之部分， 上述抢封構件為附加反應交聯型聚矽氧， 上述發光元件係於36〇 nm〜55〇 nm處具有發光峰值波 長之氮化物系化合物半導體發光元件^ 2.如請求項1之側面發光型發光裝置，其中自上述凹部之 開口方向觀察，上述封裝具有長度方向與寬度方向且 /口上述封裝之長度方向形成之凹部的側壁厚度為100 μπι 以下。 3· — 種背井 +1. , λ 平το ’其包含：如請求項1或2之側面發光型發 光裝置；以及 來自上述側面發光型發光裝置之光入射於其上的導光板。 115037-1000225.doc