TWI417255B - A manufacturing method of a glass plate and a manufacturing apparatus for a glass plate - Google Patents

A manufacturing method of a glass plate and a manufacturing apparatus for a glass plate Download PDF

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TWI417255B
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Description

玻璃板之製造方法及玻璃板之製造裝置
本發明係關於一種利用下拉法之玻璃板之製造方法及玻璃板之製造裝置。
先前，作為例如液晶顯示器等平板顯示器所使用之玻璃基板之成形方法，使用有下拉法。
下拉法中之溢流下拉法包括以下步驟：於成形爐中使熔融玻璃自成形體之頂部溢出，藉此於成形體之下方成形玻璃帶；及使玻璃帶於緩冷爐中緩冷。緩冷爐係藉由將玻璃帶拉入成對之輥間而拉伸至所期望之厚度後，以降低玻璃帶內部之應變或熱收縮之方式將玻璃帶緩冷。其後，將玻璃帶切斷成特定之尺寸而形成玻璃板，並層疊於玻璃板之摞上，或搬送至後續步驟。關於下拉法，例如記載於下述專利文獻1中。
例如，將玻璃板用於液晶顯示器用玻璃基板時，於玻璃板之表面形成TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)。例如，於TFT為多晶矽TFT之情形時，於顯示器製造步驟中以400℃~600℃之溫度對玻璃板進行熱處理，但有玻璃板因該熱處理後之冷卻發生熱收縮而尺寸微小地變化之情形。該尺寸之微小變化會引起玻璃板上形成之TFT形成位置相對於目標位置(像素位置)之位置偏差，其結果，有產生液晶顯示器之顯示不良之情形。又，於液晶顯示器中，使形成有TFT之玻璃板與針對每個像素形成有彩色濾光片 之玻璃板相互對向，並於玻璃板間設置液晶。然而，若形成有TFT之玻璃板由於熱收縮而引起微小之尺寸變化，則亦有無法與形成有彩色濾光片之玻璃板以像素為單位進行正確之位置對準之情形。因此，為減少玻璃板之尺寸之變化，要求玻璃板之熱收縮較小。再者，可藉由於玻璃帶之緩冷步驟中降低冷卻速度而降低熱收縮。
另外，下述專利文獻2中揭示有如下技術：為降低玻璃板之平面應變，而將成形爐及/或緩冷爐之爐外部環境(爐外部空間)之氣壓加壓，減少緩冷爐內沿玻璃帶產生之上升氣流，藉此抑制緩冷爐內之溫度變動。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-196879號公報
[專利文獻2]日本專利特開2009-173525號公報
然而，若如專利文獻2所記載般僅提高爐外部空間之氣壓，則有爐外部空間之空氣流入成形爐或緩冷爐之內部空間之情形。一般而言，爐外部空間之溫度與成形爐或緩冷爐之爐內環境(爐內部空間)之溫度相比低200~1200℃左右。此處，雖然如專利文獻2所記載般，有產生自冷卻室或切斷室等朝緩冷爐內上升之空氣流之情形，但即便產生空氣流，亦由於該空氣流於緩冷爐內上升之同時被加溫，故而對爐內部空間之溫度變動造成之影響較小。與此相 對，於爐外部空間之空氣自成形爐或緩冷爐之爐壁之間隙流入爐內部空間之情形時，由於該空氣未經加熱，故而與爐內部空間之溫度的溫度差較大，於爐內部空間中，於流入之空氣所通過之部分與其以外之部分間產生溫度差，對爐內部空間之溫度之均勻性造成較大之影響。此處，為降低熱收縮率及平面應變，精度良好地進行玻璃帶之溫度管理較為有效。然而，若玻璃帶通過經如上述之溫度變動之成形爐或緩冷爐的爐內部空間，則由於玻璃帶之冷卻速度局部不同，故而玻璃板之熱收縮亦產生不均。再者，所謂變動係指溫度自設定溫度非意圖地發生變化之情況。
即，於該專利文獻2之玻璃板之製造方法之緩冷處理(退火處理)中，有無法將緩冷爐內之溫度保持於設定溫度，而使玻璃板之熱收縮之不均變大之情形。因此，於將該玻璃板應用於要求熱收縮之不均較小之玻璃板，例如平板顯示器用玻璃板(尤其是，液晶顯示器用玻璃基板、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示器用玻璃基板或形成有氧化物半導體薄膜電晶體之顯示器用玻璃基板)之情形時，存在有產生顯示不良之情況之問題。
因此，本發明之目的在於提供一種於利用下拉法製造玻璃板時，效率良好地降低熱收縮之不均之玻璃板之製造方法。
本發明之一態樣係一種利用下拉法之玻璃板之製造方法，其包括： 熔解步驟，其係熔解玻璃原料而獲得熔融玻璃；成形步驟，其係將上述熔融玻璃供給至設置於成形爐內之成形體而成形玻璃帶，並形成上述玻璃帶之鉛垂方向之帶流；緩冷步驟，其係利用設置於緩冷爐內之輥牽引上述玻璃帶使其於上述緩冷爐內冷卻；及切斷步驟，其係於切斷空間內切斷經冷卻之上述玻璃帶。
上述成形爐相對於上述緩冷爐設置於鉛垂上方。
於將設置有上述成形體之上述成形爐之內部空間及設置有上述輥之上述緩冷爐之內部空間設為爐內部空間，將上述成形爐及上述緩冷爐之外部空間設為爐外部空間時，上述爐外部空間為對於大氣壓環境以隔離壁分隔出之空間，且以使上述爐外部空間之至少一部分之氣壓相對於上述玻璃帶之流動方向之相同位置上之上述爐內部空間之氣壓降低之方式進行氣壓之調整。
且，上述爐外部空間於鉛垂方向上被分成複數個部分空間，於將上述部分空間各自之氣壓與該部分空間之鉛垂方向之相同位置上的上述爐內部空間之氣壓之差量在上述部分空間中最上部之部分空間與最下部之部分空間之間進行比較時，以上述最上部之上述差量較上述最下部之上述差量變大之方式進行氣壓之調整。
此時，較佳為以如下方式進行氣壓之調整：使上述爐外部空間之氣壓於對應於上述玻璃帶之緩冷點溫度之上述緩 冷爐內之位置與對應於上述玻璃帶之應變點溫度之上述緩冷爐內之位置之間的區域中，相對於上述爐內部空間之相同位置上之氣壓降低。
又，較佳為關於上述爐外部空間之上述至少一部分之氣壓，於上述玻璃帶之流動方向之相同位置上，上述爐內部空間之氣壓與上述爐外部空間之氣壓之差量為40Pa以下。
較佳為上述爐外部空間之氣壓係以相對於大氣壓升高之方式進行調整。
較佳為上述爐外部空間包含相對於上述成形爐之上述內部空間之頂棚面位於上方之上部空間，對於上述上部空間，以空氣不會自上述上部空間流入上述爐內部空間之方式調整上述上部空間之氣壓。
較佳為上述部分空間之上述氣壓之上述差量越向上方越大。
上述玻璃板例如為於表面形成TFT(Thin Film Transistor)之液晶顯示器用玻璃基板。
較佳為上述爐外部空間於上述玻璃帶之流動方向上包含位於與上述成形體相同之位置上之第1部分空間時，上述第1部分空間之氣壓與上述玻璃帶之流動方向之相同位置上的上述爐內部空間之氣壓之差量大於0且為40Pa以下。
較佳為上述爐外部空間於上述玻璃帶之流動方向上包含位於與上述緩冷爐相同之位置上之第2部分空間，且上述緩冷爐之爐內部空間之氣壓與上述第2部分空間之氣壓之 差量大於0且為40Pa以下。
較佳為上述爐外部空間於上述玻璃帶之流動方向上包含位於與上述成形體相同之位置上之第1部分空間及位於與上述緩冷爐相同之位置上之第2部分空間，且上述第1部分空間與上述第2部分空間藉由壁隔離而相鄰時，上述爐外部空間之上述第1部分空間之氣壓較上述第2部分空間之氣壓大，上述第1部分空間之氣壓與上述第2部分空間之氣壓之差量小於20Pa。
較佳為上述爐外部空間包含位於與上述緩冷爐相同之位置上之複數個第2部分空間，且複數個上述第2部分空間之氣壓於上述熔融玻璃之流動方向之越上游側越高。
較佳為上述緩冷步驟係為使拉伸應力於上述玻璃帶之寬度方向之中央部，在上述玻璃帶之流動方向上發揮作用，至少於自上述玻璃帶之緩冷點溫度加150℃而得之溫度至上述玻璃帶之應變點溫度減去200℃而得之溫度為止的溫度區域內，上述玻璃帶之寬度方向之中央部之冷卻速度較上述兩端部之冷卻速度快，使上述玻璃帶自上述玻璃帶之寬度方向之中央部之溫度高於上述兩端部的狀態向上述中央部之溫度低於上述兩端部之狀態變化。
較佳為上述緩冷步驟包含第1冷卻步驟、第2冷卻步驟及第3冷卻步驟， 上述第1冷卻步驟係以第1平均冷卻速度使玻璃帶之寬度方向之中央部之溫度冷卻至緩冷點溫度為止之步驟， 上述第2冷卻步驟係以第2平均冷卻速度使玻璃帶之寬度方向之中央部之溫度自緩冷點溫度冷卻至應變點溫度-50℃為止之步驟，上述第3冷卻步驟係以第3平均冷卻速度使玻璃帶之寬度方向之中央部之溫度自應變點溫度-50℃冷卻至應變點溫度-200℃為止之步驟，且上述第1平均冷卻速度為5.0℃/秒以上，上述第1平均冷卻速度較上述第3平均冷卻速度快，上述第3平均冷卻速度較上述第2平均冷卻速度快。
此時，上述第1冷卻步驟中之玻璃帶之中央部之平均冷卻速度較佳為5.5℃/秒~50.0℃/秒。又，上述第2冷卻步驟中之玻璃帶之平均冷卻速度較佳為0.5~未達5.5℃/秒。進而，上述第3冷卻步驟中之玻璃帶之中央部之冷卻速度較佳為1.5℃/秒~7.0℃/秒。
於上述玻璃板為形成多晶矽(低溫多晶矽)TFT或氧化物半導體之玻璃基板時，玻璃之應變點溫度較佳為675℃以上，上述應變點溫度更佳為675℃~750℃。
又，本發明之另一態樣係利用下拉法之玻璃板之製造裝置。該製造裝置包括：熔解裝置，其熔解玻璃原料而獲得熔融玻璃；成形裝置，其將上述熔融玻璃供給至設置於成形爐內之成形體而成形玻璃帶，且形成上述玻璃帶之鉛垂方向之帶 流，並利用設置於緩冷爐內之輥牽引上述玻璃帶使其於上述緩冷爐內冷卻；及切斷裝置，其於切斷空間內切斷經冷卻之上述玻璃帶。
上述成形爐相對於上述緩冷爐設置於鉛垂上方。
於將設置有上述成形體之上述成形爐之內部空間及設置有上述輥之上述緩冷爐之內部空間設為爐內部空間，將上述成形爐及上述緩冷爐之外部空間設為爐外部空間時，上述爐外部空間為對於大氣壓環境以隔離壁分隔出之空間。
上述成形裝置中設置有以如下方式進行氣壓之調整之氣壓控制裝置：使上述爐外部空間之至少一部分之氣壓相對於上述玻璃帶之流動方向之相同位置上之上述爐內部空間之氣壓降低。
且，上述爐外部空間於鉛垂方向上被分成複數個部分空間，於將上述部分空間各自之氣壓與該部分空間之鉛垂方向之相同位置上的上述爐內部空間之氣壓之差量在上述部分空間中最上部之部分空間與最下部之部分空間之間進行比較時，以上述最上部之上述差量較上述最下部之上述差量變大之方式進行氣壓之調整。
較佳為上述氣壓控制裝置係調整與大氣之間之空氣之流入以控制上述爐外部空間之氣壓的裝置。
根據上述態樣之玻璃板之製造方法，可效率良好地降低玻璃板之熱收縮之不均。
以下，說明本發明之玻璃板之製造方法及製造裝置。
本說明書中之下述語句係以如下方式規定。
所謂玻璃帶之中央部，係指玻璃帶之寬度方向之寬度中玻璃帶之寬度方向之中心。
所謂玻璃帶之端部，係指自玻璃帶之寬度方向之邊緣起100mm以內之範圍。
所謂應變點溫度，係指將玻璃黏度設為η時，logη為14.5之玻璃板之溫度。
所謂緩冷點溫度，係指logη為13之玻璃板之溫度。
圖1係表示本實施形態之玻璃板之製造方法之流程的圖。
(玻璃板之製造方法之整體概要)
玻璃板之製造方法主要包括熔解步驟(ST1)、澄清步驟(ST2)、均質化步驟(ST3)、供給步驟(ST4)、成形步驟(ST5)、緩冷步驟(ST6)及切斷步驟(ST7)。此外，包括磨削步驟、研磨步驟、清洗步驟、檢查步驟、捆包步驟等，將捆包步驟中層疊之複數之玻璃板搬送至訂貨方。
圖2係模式性地表示進行熔解步驟(ST1)~切斷步驟(ST7)之玻璃板之製造裝置之圖。該裝置如圖2所示，主要包括熔解裝置200、成形裝置300及切斷裝置400。熔解裝置200包含熔解槽201、澄清槽202、攪拌槽203、第1配管204及第2配管205。關於成形裝置300於下文敍述。
於熔解步驟(ST1)中，將供給至熔解槽201內之玻璃原料藉由未圖示之火焰及電加熱器加熱使其熔解，藉此獲得熔 融玻璃。
澄清步驟(ST2)係於澄清槽202中進行，藉由加熱澄清槽202內之熔融玻璃，使熔融玻璃中所含有之氧或SO2 之氣泡藉由澄清劑之氧化還原反應成長並上浮至液面而放出氣泡之氣體成分，或使氣泡中之氣體成分吸收於熔融玻璃中而消滅氣泡。
於均質化步驟(ST3)中，使用攪拌器攪拌通過第1配管204所供給之攪拌槽203內之熔融玻璃，藉此進行玻璃成分之均質化。
於供給步驟(ST4)中，通過第2配管205將熔融玻璃供給至成形裝置300。
於成形裝置300中進行成形步驟(ST5)及緩冷步驟(ST6)。
於成形步驟(ST5)中，將熔融玻璃供給至設置於成形爐內之成形體而成形玻璃帶G(參照圖3)。於本實施形態中，使用利用後述之成形體310之溢流下拉法。於緩冷步驟(ST6)中，以使成形且流動之玻璃帶G成為所期望之厚度，且不產生平面應變，進而熱收縮率不會變大之方式利用輥牽引並冷卻。
於切斷步驟(ST7)中，藉由於切斷裝置400中將自成形裝置300供給之玻璃帶G切斷成特定之長度，而獲得板狀之玻璃板G1(參照圖3)。將經切斷之玻璃板G1進而切斷成特定之尺寸，而製作目標尺寸之玻璃板G1。其後，進行玻璃端面之磨削、研磨後，進行清洗，進而檢查有無氣泡或條紋 等異常缺陷後，將檢查合格品之玻璃板G1作為最終產品而捆包。
(成形裝置之說明)
圖3及圖4係主要表示玻璃板之成形裝置300之構成之圖，圖3主要表示成形裝置300之概略之側視圖，圖4表示成形裝置300之概略之前視圖。
成形裝置300中成形之玻璃板例如可較佳地用於平板顯示器用玻璃基板或覆蓋玻璃。作為平板顯示器用玻璃基板，例如可列舉：液晶顯示器用玻璃基板、有機EL顯示器用玻璃基板、形成有氧化物半導體薄膜電晶體之顯示器用玻璃。此外，成形裝置300中成形之玻璃板亦可用作移動終端機器等之顯示器或殼體用之覆蓋玻璃、觸控面板、太陽電池之玻璃基板或覆蓋玻璃。尤其適於使用有多晶矽TFT之液晶顯示器用玻璃基板。
進行成形步驟(ST5)之成形爐40及進行緩冷步驟(ST6)之緩冷爐50係被由耐火磚、耐火隔熱磚或纖維系隔熱材等耐火物所構成之爐壁包圍而構成。成形爐40係相對於緩冷爐50而設於鉛垂上方。再者，將成形爐40及緩冷爐50統稱為爐30。於爐30之由爐壁所包圍之爐內部空間中，設置有成形體310、環境隔離構件320、冷卻輥330、冷卻單元340、搬送輥350a~350h及壓力感測器355、360a~360c(參照圖4)。
成形體310係如圖2所示，使自熔解裝置200通過第2配管205流入之熔融玻璃成形為玻璃帶G。藉此，於成形裝置 300內形成鉛垂下方之玻璃帶G之帶流。成形體310係由耐火磚等所構成之細長之構造體，且如圖3所示剖面呈楔形狀。於成形體310之頂部設置有成為引導熔融玻璃之流路之槽312。槽312於設置於成形裝置300之供給口311(參照圖4)處與第2配管205連接。通過第2配管205流入之熔融玻璃沿槽312流動。槽312之深度於熔融玻璃之流動之越下游越淺，以使熔融玻璃自槽312朝鉛垂下方溢出。於圖3、4中，以參照符號MG表示熔融玻璃。
自槽312溢出之熔融玻璃沿成形體310之兩側之側壁朝鉛垂下方流下。流經側壁之熔融玻璃於圖3所示之成形體310之下方端部313合流，而成形1個玻璃帶G。藉此，玻璃帶G向緩冷爐50流下。於離開成形體310開始流下之時間點的玻璃帶G之黏度例如為105.7 ~107.5 泊(poise)。
於成形體310之下方端部313之下方附近設置有環境隔離構件320。環境隔離構件320為一對板狀之隔熱構件，且以自厚度方向之兩側夾著玻璃帶G之方式構成。即，於環境隔離構件320中，以不與玻璃帶G接觸之程度空出間隙。環境隔離構件320藉由隔離成形爐內部空間而遮斷環境隔離構件320上方之爐內部空間與下方之爐內部空間之間的熱之移動。
於環境隔離構件320之下方設置有冷卻輥330。冷卻輥330係與玻璃帶G之寬度方向之兩端部附近之玻璃帶G表面接觸，將玻璃帶G朝下方拉下，於兩端部附近使玻璃帶G之厚度成為所期望之厚度，並且將玻璃帶G冷卻(急冷)。 藉由利用冷卻輥330之急冷，使玻璃帶之兩端部之黏度例如成為109.0 ~1010.5 poise。於使用冷卻輥330之急冷~緩冷步驟中，藉由冷卻功能較上述急冷中之冷卻功能低之冷卻，可將玻璃帶G之兩端部之黏度維持於例如1010.5 ~1014.5 poise。
於冷卻輥330之下方設置有冷卻單元340。冷卻單元340冷卻通過冷卻輥330之玻璃帶G。藉由利用該冷卻單元340之冷卻，可抑制玻璃帶G之翹曲。
於冷卻單元340之下方，以特定之間隔設置有搬送輥350a~350h，將玻璃帶G朝下方牽引。冷卻單元340下方之空間為緩冷爐50之爐內部空間。搬送輥350a~350h分別具有輥對，且以夾著玻璃帶G之兩側之方式設置於玻璃帶G之寬度方向之兩側端部。
於成形爐40之爐內部空間中，設置有計測爐內部空間之氣壓之壓力感測器355(參照圖4)。壓力感測器355設置於與成形體310為高度方向(鉛垂上方)之相同位置上。所謂高度方向係圖3、4中紙面之上方。由於玻璃帶G係自成形體310朝鉛垂下方流動，故而玻璃帶G之流動方向與高度方向為相反方向。於緩冷爐50之爐內部空間中，設置有壓力感測器360a~360c(參照圖4)。
另一方面，於成形爐40之爐壁之外側，設置有藉由隔離壁對於大氣壓環境以建築物B之隔離壁分隔出之空間，即，爐外部空間S1、S2、S3a~S3c。爐外部空間S1為相對於成形爐40之內部空間之頂棚面進而位於上方之上部空 間。該等空間各自係於高度方向上藉由底面(底壁)411、412、413a~413c而分隔。即，成形裝置300係設置於具有複數層之建築物B中，藉由底面而分隔成複數之爐外部空間(部分空間)S1、S2、S3a~S3c設置於各層中。進而，於爐外部空間S3c之下方，於層414上設置有以壁分隔出之空間S4(切斷空間)。空間S4中未設置爐壁。該等空間之氣壓分別藉由後述之送風機421、422、423a、423b、423c、424而調整。
爐外部空間S1係位於較成形體310之高度方向之位置為鉛垂上方之空間，爐外部空間S1中設置有計測爐外部空間之氣壓之壓力感測器415。
爐外部空間S2係設置於底面412上之空間，對應於該空間之爐內部空間中配置有成形體310。又，爐外部空間S2中，設置有計測爐外部空間S2之氣壓之壓力感測器416。由爐壁所包圍之爐內部空間中，於壓力感測器416之高度方向之相同位置上設置有計測爐內部空間之氣壓之壓力感測器355(參照圖4)。
爐外部空間S3a~S3c係於爐外部空間S2之下方，自高度方向較高處起按照爐外部空間S3a~S3c之順序而設置之空間。爐外部空間S3a~S3c係設置於底面413a~413c上。又，爐外部空間S3a~S3c各自中，設置有計測爐外部空間S3a~S3c之氣壓之壓力感測器417a~417c。由爐壁所包圍之爐內部空間中，於壓力感測器417a~417c之高度方向之相同位置上設置有計測爐內部空間之氣壓之壓力感測器 360a~360c(參照圖4)。
再者，於本實施形態中係將壓力感測器355、360a~360c設置於爐內部空間之各位置上，但亦可於爐內部空間之各位置插入壓力感測器而進行壓力之測定。
又，於分隔爐外部空間S1、S2、S3a~S3c及空間S4各自之隔離壁之外側，對於爐外部空間S1、S2、S3a~S3c及空間S4，分別設置有送風機421、422、423a、423b、423c、424。藉由送風機421、422、423a、423b、423c、424自大氣送入之空氣通過管分別供給至爐外部空間S1、S2、S3a~S3c及空間S4。送風機421、422、423a、423b、423c、424送入之空氣之量分別根據來自後述驅動單元510之驅動信號而決定。送風機421、422、423a、423b、423c、424係作為調整與大氣之間之空氣之流入以控制爐外部空間S1、S2、S3a~S3c及空間S4各自之氣壓的氣壓控制裝置而發揮功能。
圖5係控制送風機421、422、423a、423b、423c、424送入之空氣之量的控制系統之概略圖。
控制系統包括設置於爐內部空間之壓力感測器355、360a~360c、設置於各爐外部空間之壓力感測器415、416、417a~417c、418、控制裝置500、驅動單元510及送風機421、422、423a、423b、423c、424。
控制裝置500使用自壓力感測器355、360a~360c各自發送之爐內部空間之氣壓之計測結果及自壓力感測器415、416、417a~417c、418發送之爐外部空間之氣壓之計測結 果，生成控制信號，該控制信號係用於以將爐內部空間及爐外部空間之高度方向之相同位置上的氣壓之差量調整至設定之範圍之方式調整送風機421、422、423a、423b、423c、424自大氣送入之空氣之量。將生成之控制信號發送至驅動單元510。
驅動單元510基於控制信號生成用以個別地調整由送風機421、422、423a、423b、423c、424送入之空氣之量的驅動信號。驅動單元510將驅動信號發送至各送風機421、422、423a、423b、423c、424。
於本實施形態中，控制裝置500及驅動單元510係自動控制空氣之送入量，但亦可由操作人員手動調整空氣之送入量。
此處，對於送風機421、422、423a、423b、423c、424送入之空氣之量，以使爐外部空間S2、S3a~S3c之氣壓相對於高度方向之相同位置上之爐內部空間之氣壓降低之方式調整各爐外部空間之氣壓。
成形爐40之爐內部空間與爐外部空間S2之間之氣壓之差量為超過0且40Pa以下，較佳為4~35Pa，更佳為8~30Pa，進而較佳為10~27Pa，進而較佳為10~25Pa。
若上述氣壓之差量超過上述範圍，則有大量之空氣自爐壁之間隙自爐內部空間向爐外部空間S2流出之虞，而增大爐內部空間中空氣之上升。另一方面，若上述氣壓之差量低於上述範圍，則有空氣自爐壁之間隙自爐外部空間S2向爐內部空間流入之虞，使爐內部空間之溫度分佈不均。藉 由將氣壓之差量調整為上述範圍，可防止低溫之空氣自爐外部空間S2流入成形爐40之爐內部空間中。因此，可抑制爐內部空間之溫度之不均。藉此，可抑制冷卻速度之不均、以及玻璃帶G之板厚之不均。再者，所謂溫度之不均係指自預先設定之溫度非意圖地發生變化。
另一方面，緩冷爐50之爐內部空間與爐外部空間S3a~S3c之間之氣壓之差量為超過0且40Pa以下，較佳為2~35Pa，更佳為2~25Pa，進而較佳為3~23Pa，進而較佳為5~20Pa。特佳為10~20Pa。若上述氣壓之差量超過上述範圍，則有大量之空氣自爐壁之間隙自爐內部空間向爐外部空間S3a~S3c流出之虞，而增大爐內部空間中空氣之上升。另一方面，若上述氣壓之差量低於上述範圍，則有空氣自爐壁之間隙自爐外部空間S3a~S3c向爐內部空間流入之虞，使爐內部空間之溫度分佈不均。藉由將氣壓之差量調整為上述範圍，可防止低溫之空氣自爐外部空間S3a~S3c流入緩冷爐50之爐內部空間，因此可抑制爐內部空間之溫度之不均。藉此，可抑制玻璃帶G之變形、翹曲、平面應變之不均及熱收縮之不均。又，較佳為爐外部空間S3a~S3c與爐內部空間之氣壓之差量越向上方越大。爐內部空間之溫度越向上方越高，可認為較爐內部空間低之溫度之空氣流入造成之影響變大。
此時，爐外部空間S3c與空間S4之氣壓差較佳為0<(爐外部空間S3c之氣壓-空間S4之氣壓)，更佳為0<(爐外部空間S3c之氣壓-空間S4之氣壓)<20Pa，進而較佳為1 Pa<(爐外部空間S3c之氣壓-空間S4之氣壓)<15Pa，更佳為2Pa<(爐外部空間S3c之氣壓-空間S4之氣壓)<15Pa。
又，爐外部下方空間S2與爐外部空間S3a之氣壓差較佳為0<(爐外部下方空間S2之氣壓-爐外部空間S3a之氣壓)，更佳為0<(爐外部空間S2之氣壓-爐外部空間S3a之氣壓)<20Pa，進而較佳為1Pa<(爐外部空間S2之氣壓-爐外部空間S3a之氣壓)<15Pa，更佳為2Pa<(爐外部空間S2之氣壓-爐外部空間S3a之氣壓)<15Pa。
又，爐外部空間S1與爐外部空間S2之氣壓差較佳為0<(爐外部空間S1之氣壓-爐外部空間S2之氣壓)，更佳為0<(爐外部空間S1之氣壓-爐外部空間S2之氣壓)<30Pa，進而較佳為1Pa<(爐外部空間S1之氣壓-爐外部空間S2之氣壓)<25Pa，更佳為2Pa<(爐外部空間S1之氣壓-爐外部空間S2之氣壓)<15Pa。若使爐外部空間S3c與空間S4之氣壓差、爐外部空間S2與爐外部空間S3a之氣壓差及爐外部空間S1與爐外部空間S2之氣壓差過大，則爐外部空間S1、爐外部空間S2、爐外部空間S3a~S3c之氣壓之絕對值變得過大，導致空氣自爐外部空間流入爐內部空間內。因此，有產生爐內部空間內之溫度發生變動之問題之虞。進而，有於爐外部空間中產生局部之氣流之集中、氣流之流速局部地變快之情況，而使爐外部空間之氣壓穩定性降低之虞，其結果，亦有產生爐內部空間內之溫度不均之問題之虞。
再者，於本實施形態中係以使所有爐外部空間之氣壓相對於高度方向之相同位置上之爐內部空間之氣壓降低之方 式調整爐外部空間之氣壓，但亦可以使爐外部空間之至少一部分之氣壓相對於高度方向之相同位置上之爐內部空間之氣壓降低之方式調整爐外部空間之氣壓。此種情形時，較佳為於對應於玻璃帶G之緩冷點溫度之緩冷爐內之位置與對應於玻璃帶G之應變點溫度之緩冷爐內之位置之間的區域中，以相對於高度方向之相同位置上之爐內部空間之氣壓降低之方式調整爐外部空間之氣壓。對應於緩冷點溫度之位置例如位於爐外部空間S3a之高度方向之位置，又，對應於應變點溫度之位置例如位於爐外部空間S3b之高度方向之位置。由於上述區域中為玻璃帶G進行固化之階段，最易對玻璃之平面應變或熱收縮造成影響，故而較佳為於上述區域中效率良好地調整氣壓，抑制自爐外部空間之空氣之流入，藉此抑制爐內部空間之溫度之不均。
進而，藉由調整與緩冷爐50之爐內部空間中玻璃帶G之溫度成為應變點溫度以下之區域對應的高度方向之相同位置上之爐外部空間之氣壓，可抑制空氣自爐外部空間之流入，可抑制該區域之溫度之不均，並可藉由該抑制而防止玻璃帶G之翹曲。此處，玻璃帶G於自成形爐40切斷之前為一片連續之板。因此，若於玻璃帶G之溫度成為應變點溫度以下之區域中，玻璃帶G之翹曲形狀變化，則亦對成為應變點溫度以上之區域之玻璃帶造成影響，導致產生平面應變或熱收縮之不均。如上所述，即藉由抑制玻璃帶G之溫度成為應變點溫度以下之區域之溫度之不均，可抑制翹曲、平面應變及熱收縮之不均。
又，位於無爐內部空間之高度方向之位置上之壓力感測器415較佳為計測爐外部空間S1之氣壓，以藉由送風機421以空氣不會自爐外部空間S1流入爐內部空間之方式調整爐外部空間S1。
於隔離爐內部空間與爐外部空間之爐壁，在冷卻輥330及搬送輥350a~350h之軸周圍存在間隙，進而於分隔爐內部空間與爐外部空間之爐壁與底面411之連接部分等存在間隙。因此，於氣壓之差量以某種程度以上存在之情形時，容易於爐內部空間與爐外部空間之間產生空氣之流動。因此，較佳為調整包圍爐內部空間之周圍之爐外部空間之氣壓。尤其是，爐內部空間中成形爐40之空間於爐內部空間內位於最上游側之位置，氣壓較高，空間內之溫度亦較高。空氣自該成形爐40之內部空間之頂棚面朝爐外部空間S1流出之情況藉由煙囪效果而促進爐內部空間之空氣之流動，故而欠佳。因此，為防止空氣向爐外部空間S1流出，而提高爐外部空間S1之氣壓。然而，若使爐外部空間S1之氣壓過高，則空氣反而容易自爐外部空間S1流入爐內部空間。此種情形時，由於在成形爐40之空間中利用成形體310成形玻璃帶，故而自爐外部空間S1流入之冷空氣對成形中之熔融玻璃之黏度造成影響，因此欠佳。又，亦對緩冷步驟中之玻璃帶之冷卻造成影響。因此，壓力感測器415計測爐外部空間S1之氣壓，以藉由送風機421以空氣不會自爐外部空間S1流入爐內部空間之方式調整爐外部空間S1。即，較佳為以空氣不會於未設置冷卻輥或搬送輥之成 形爐40之頂棚面處自頂棚面之間隙自爐外部空間S1流入爐內部空間之方式藉由送風機421調整成形爐外部空間S1之氣壓。
又，壓力感測器418可用於空間S4中之氣壓之計測。例如較佳為以使空間S4相對於爐內部空間之最低之氣壓更低之方式調整空間S4之氣壓。此時，較佳為以空間S4之氣壓成為大氣壓以上之氣壓之方式進行調整。另一方面，若空間S4之氣壓成為特定之壓力以上，則擔心空氣容易流入爐內部空間，而影響爐內部空間之溫度。因此，空間S4之氣壓係以成為大氣壓以上且未達特定之壓力之方式進行調整。更具體而言，空間S4之氣壓係以成為大氣壓以上且爐內部空間之最低之氣壓(爐內部空間之最低氣壓)以下之方式進行調整。例如，空間S4之氣壓較佳為0<(空間S4之氣壓-大氣壓)，更佳為0<(空間S4之氣壓-大氣壓)<40Pa，進而較佳為5Pa<(空間S4之氣壓-大氣壓)<40Pa。
藉由以上述方式調整空間S4之氣壓，可減少自空間S4流入爐內部空間之空氣。
再者，送風機421、422、423a、423b、423c、424藉由向爐外部空間S1、S2、S3a~S3c及空間S4送入空氣，將任一空間之氣壓均調整為相對於大氣壓較高，使該等空間之氣壓相對於大氣壓較高之原因在於：防止大量之空氣自建築物B之外部流入爐外部空間S1、S2、S3a~S3c及空間S4內，效率良好地調整爐外部空間S1、S2、S3a~S3c、S4之氣壓。
又，關於爐內部空間中之氣壓，高度方向之位置越高氣壓越高。其原因在於：成為高溫之空氣藉由上升氣流而向上方移動。即便如上述般於爐內部空間中產生溫度分佈且產生氣壓分佈，亦根據該氣壓分佈而調整爐外部空間之氣壓。其目的在於，抑制藉由爐外部空間各自之氣壓與爐內部空間之氣壓之差量而使空氣流入爐內部空間之情況，並抑制空氣向爐外部空間洩漏而產生空氣之對流之情況。因此，爐內部空間中，於與分別設置於爐外部空間之壓力感測器為高度方向之相同位置上設置有壓力感測器。於如上述般爐內部空間產生壓力分佈之情形時，較佳為以根據高度方向之位置而改變爐外部空間各自之氣壓與該爐外部空間之高度方向之相同位置上的爐內部空間之氣壓之差量之方式進行調整。例如，較佳為以如下方式進行調整：於高度方向之相同位置上存在爐內部空間之爐外部空間S2、S3a~S3c中最上部之爐外部空間S2與最下部之爐外部空間S3c之間進行比較時，最上部之氣壓之差量較最下部之氣壓之差量大。例如，以隨著高度方向之位置變高而增大氣壓之上述差量之方式設定便可。由於緩冷爐之爐內部空間中，高度方向之位置越高溫度越高，冷空氣流入時與玻璃帶G之溫度差變大，故而其目的在於防止高度方向之位置越高，玻璃帶G之溫度之不均越大之情況。
又，爐外部空間之氣壓較佳為高度方向之位置越高則越高，即，於玻璃帶之流動方向之越上游側之位置越高。藉此，可降低爐外部空間中沿爐壁產生之上升氣流之大小。 即，可抑制因沿爐壁產生之上升氣流引起之爐壁之溫度變動而使爐壁附近之爐內部空間之溫度發生變動之情況，因此亦可抑制爐內部空間之溫度之不均。
(玻璃帶之冷卻)
於本實施形態中可降低玻璃板之熱收縮之不均，進而，藉由調整成形之玻璃帶之冷卻速度，除熱收縮之不均以外，且可抑制玻璃板之變形、抑制翹曲、降低熱收縮率之絕對值。
具體而言，於一面使用輥搬送玻璃帶一面進行緩冷之緩冷步驟中，規定自玻璃帶之緩冷點溫度加150℃而得之溫度至玻璃帶之應變點溫度減去200℃而得之溫度為止之溫度區域。此時，較佳為至少上述溫度區域中，玻璃帶之寬度方向之中央部之冷卻速度較玻璃帶之兩端部之冷卻速度快，使玻璃帶自玻璃帶之寬度方向之中央部之溫度高於玻璃帶之兩端部之狀態向中央部之溫度低於兩端部之狀態變化。藉此，可使拉伸應力於玻璃帶之寬度方向之中央部，在玻璃帶之流動方向上發揮作用。藉由使拉伸應力於玻璃帶之流動方向上發揮作用，可更進一步抑制玻璃帶以及玻璃板之翹曲。
進而，緩冷步驟可包括第1冷卻步驟、第2冷卻步驟及第3冷卻步驟。
第1冷卻步驟係以第1平均冷卻速度使玻璃帶之寬度方向之中央部之溫度冷卻至緩冷點溫度為止之步驟。
第2冷卻步驟係以第2平均冷卻速度使玻璃帶之寬度方向 之中央部之溫度自緩冷點溫度冷卻至應變點溫度-50℃為止之步驟。
第3冷卻步驟係以第3平均冷卻速度使玻璃帶之寬度方向之中央部之溫度自應變點溫度-50℃冷卻至應變點溫度-200℃為止之步驟。
此種情形時，較佳為第1平均冷卻速度為5℃/秒以上，第1平均冷卻速度較第3平均冷卻速度快，且第3平均冷卻速度較第2平均冷卻速度快。即，平均冷卻速度按照從高到低順序為第1平均冷卻速度、第3平均冷卻速度、第2平均冷卻速度。
此時，第1冷卻步驟中玻璃帶之中央部之平均冷卻速度較佳為5.5℃/秒~50℃/秒。若第1冷卻步驟中玻璃帶之中央部之平均冷卻速度未達5.5℃/秒，則導致生產性降低。另一方面，若第1冷卻步驟中玻璃帶之中央部之平均冷卻速度超過50℃/秒，則用以抑制平面應變或翹曲而進行之玻璃帶之寬度方向之溫度分佈之控制變得困難，故而欠佳。第1冷卻步驟中玻璃帶之中央部之平均冷卻速度更佳為8℃/秒~16.5℃/秒。
又，第2冷卻步驟(熱收縮降低處理步驟)中玻璃帶之平均冷卻速度較佳為0.5~未達5.5℃/秒。若第2冷卻步驟中玻璃帶之中央部之平均冷卻速度未達0.5℃/秒，則導致緩冷裝置變長而製造設備巨大化且生產性降低。另一方面，若為5.5℃/秒以上，則無法充分降低熱收縮率。第2冷卻步驟中玻璃帶之中央部之平均冷卻速度更佳為0.5℃/秒~5.5℃/ 秒。
另一方面，第3冷卻步驟中之玻璃帶之中央部之冷卻速度並無特別限定，較佳為1.5℃/秒~7℃/秒。若第3冷卻步驟中玻璃帶之中央部之冷卻速度未達1.5℃/秒，則導致生產性降低。另一方面，若為7℃/秒以上，則有因玻璃帶經過度急冷，導致玻璃帶破裂之虞。綜上所述，第3冷卻步驟中玻璃帶之中央部之冷卻速度較佳為1.5℃/秒~7℃/秒，更佳為2℃/秒~5.5℃/秒。
玻璃帶於流動方向上之冷卻速度會對所製造之玻璃板之熱收縮造成影響。然而，藉由於緩冷步驟中設定上述冷卻速度，可提高玻璃板之製造量，並可獲得具有較佳之熱收縮率之玻璃板。
此種冷卻速度可藉由使用設置於爐內部空間之未圖示之加熱器控制溫度而進行。
再者，藉由於緩冷步驟後另外設置熱收縮降低處理(離線退火)步驟，亦可使熱收縮率變小。然而，若與緩冷步驟分開設置離線退火步驟，則有生產性降低、成本高漲之問題點。因此，較佳為藉由如上述般於緩冷步驟中實施控制玻璃板之冷卻速度之熱收縮降低處理(線上退火)，而將熱收縮率控制於特定範圍內。即，緩冷步驟中較佳為包含熱收縮降低處理步驟。再者，緩冷步驟中上述第2冷卻步驟相當於熱收縮降低處理步驟。
(玻璃板)
本實施形態之玻璃板所使用之玻璃例如可應用硼矽玻 璃、鋁矽玻璃、鋁硼矽玻璃、鈉鈣玻璃、鹼矽玻璃、鹼鋁矽玻璃、鹼鋁鍺玻璃等。再者，可用於本發明之玻璃並不限定於上述。
(玻璃組成1)
本實施形態中所使用之玻璃板之玻璃組成例如可列舉以下者。
以下所示之組成之含有率表示為質量%。
SiO2 ：40~70%、Al2 O3 ：2~25%、B2 O3 ：0~20%、MgO：0~10%、CaO：0~15%、SrO：0~10%、BaO：0~15%、ZnO：0~10%、ZrO2 ：0~10%、澄清劑：0~2%之無鹼玻璃。
(玻璃組成2)
又，亦可例示下述組成之無鹼玻璃。以下括弧內之表示為各成分之較佳含有率，記載於越後者越佳。
SiO2 ：50~70%(55~65%、57~64%、58~62%)、Al2 O3 ：2~25%(10~20%、12~18%、15~18%)、B2 O3 ：0~20%(5~15%、6~13%、7~12%)。
此時，亦可含有下述成分作為任意成分。
MgO：0~10%(下限為0.01%、下限為0.5%、上限為5%、上限為4%、上限為2%)、CaO：0~20%(下限為1%、下限為3%、下限為4%、上限為9%、上限為8%、上限為7%、上限為6%)、SrO：0~20%(下限為0.5%、下限為3%、上限為9%、上限為8%、上限為7%、上限為6%)、BaO：0~10%(上限為8%、上限為3%、上限為1%、上限為0.2%)、ZrO2 ：0~10%(0~5%，0~4%，0~1%，0~0.1%)。
(玻璃組成3)
尤其較佳為含有：SiO2 ：50~70%、B2 O3 ：5~18%、Al2 O3 ：0~25%、MgO：0~10%、CaO：0~20%、SrO：0~20%、BaO：0~10%、RO：5~20%(其中，R為選自Mg、Ca、Sr及Ba之至少1種，且為玻璃板所含有者)。
進而，較佳為含有R'2 O合計超過0.20%且為2.0%以下(其中，R'為選自Li、Na及K之至少1種，且為玻璃板所含有者)。又，較佳為以合計0.05~1.5%含有澄清劑，且實質上 不含有As2 O3 、Sb2 O3 及PbO。又，玻璃中之氧化鐵之含量進而較佳為0.01~0.2%。
(玻璃組成4)
本實施形態中所使用之其他玻璃板之玻璃組成例如可列舉以下者。藉由使玻璃板成為以下所示之組成，可提高應變點溫度，可進一步降低玻璃板之熱收縮。因此，下述組成之玻璃板適合於液晶顯示器用玻璃基板或有機EL顯示器用玻璃基板，尤其適合於應用多晶矽TFT之玻璃基板。
以下所示之組成之含有率表示為質量%。以下括弧內之表示為各成分之較佳含有率，記載於越後者越佳。
SiO2 ：57~75%、Al2 O3 ：8~25%、B2 O3 ：3~未達11%、CaO：0~20%、MgO：0~15%之無鹼玻璃。
此時，若滿足下述數式之任一個或複數個，則可維持耐失透性及熔解性，且實現應變點溫度之提高及玻璃之輕量化，故而更適合於多晶矽TFT用玻璃基板。
(SiO2 +Al2 O3 )/B2 O3 ：8~20%(9~17%、9~15%、9~12%)
SrO+BaO：0~3.3%(0~1.5%、實質上不含有)
CaO/RO：0.65%以上(0.8~1%、0.9~1%)(其中，R為選自Mg、Ca、Sr及Ba之至少1種，且為玻璃板所含有者)
SiO2 +Al2 O3 ：75%以上(75~90%、79~85%)
CaO/B2 O3 ：0.6%以上(0.9~3%、1.0~2%、1.1~1.5%)
再者，雖然於上述各實施形態中設為無鹼玻璃，但玻璃板亦可微量地含有鹼金屬。含有鹼金屬之情形時，較佳為含有R'2 O合計超過0.20%且為2.0%以下(其中，R'為選自Li、Na及K之至少1種，且為玻璃板所含有者)。又，較佳為以合計0.05~1.5%含有澄清劑，且實質上不含有As2 O3 、Sb2 O3 及PbO。又，為使玻璃容易熔解，就降低比電阻之觀點而言，玻璃中之氧化鐵之含有率進而較佳為0.01~0.2%。
(玻璃組成5)
作為實施化學強化後應用於覆蓋玻璃或太陽電池用玻璃板的玻璃板，例如可例示玻璃板以質量%表示含有以下成分者。
SiO2 ：50~70%(55~65%、57~64%、57~62%)、Al2 O3 ：5~20%(9~18%、12~17%)、Na2 O：6~30%(7~20%、8~18%、10~15%)。
此時，亦可含有下述組成作為任意成分。
Li2 O：0~8%(0~6%、0~2%、0~0.6%、0~0.4%、0~0.2%)、B2 O3 ：0~5%(0~2%、0~1%、0~0.8%)、K2 O：0~10%(下限為1%、下限為2%、上限為6%、上限為5%、上限為4%)。
MgO：0~10%(下限為1%、下限為2%、下限為3%、下限為4%、上限為9%、上限為8%、上限為7%)、CaO：0~20%(下限為0.1%、下限為1%、下限為2%、上限為10%、上限為5%、上限為4%、上限為3%)、 ZrO2 ：0~10%(0~5%，0~4%，0~1%，0~0.1%)。
(玻璃組成6)
近年來，為進一步實現平板顯示器組裝之高精細化，需要使用多晶矽(低溫多晶矽)TFT或氧化物半導體而非使用非晶矽TFT(Thin Film Transistor)之平板顯示器。此處，使用多晶矽TFT或氧化物半導體之平板製造步驟中，存在較使用非晶矽TFT之平板製造步驟為高溫之熱處理步驟。因此，對於形成多晶矽TFT或氧化物半導體之玻璃板，要求熱收縮率較小。為降低熱收縮率，較佳為使玻璃板之緩冷條件及玻璃之應變點溫度提高。尤其是，對於多晶矽TFT或氧化物半導體，較佳為玻璃之應變點溫度為675℃以上(應變點溫度675℃~750℃)之玻璃板，進而較佳為應變點溫度為680℃以上(應變點溫度680℃~750℃)之玻璃板，特佳為應變點溫度為690℃以上(應變點溫度690℃~750℃)之玻璃板。
作為玻璃之應變點溫度為675℃以上之玻璃板之組成，例如可例示玻璃板以質量%表示含有以下成分者。
SiO2 ：52~78%、Al2 O3 ：3~25%、B2 O3 ：3~15%、RO(其中，RO為MgO、CaO、SrO及BaO中玻璃板所含有之總成分之合量)：3~20%、質量比(SiO2 +Al2 O3 )/B2 O3 為7~20之範圍之玻璃板。
此種情形時，就輕量化及降低熱膨脹係數之觀點而言， SrO及BaO之合計含有率較佳為未達8質量%。SrO及BaO之合計含有率較佳為0~7%，更佳為0~5%，進而較佳為0~3%，更佳為0~1%，尤其，於降低玻璃板之密度之情形時，較佳為實質上不含有SrO及BaO。所謂實質上不含有，係指並不有意地含有，但不排除SrO及BaO不可避免地作為雜質而混入。
進而，為進一步提高應變點溫度，質量比(SiO2 +Al2 O3 )/RO較佳為7.5以上。進而，為提高應變點溫度，較佳為將β-OH值設為0.1~0.3[mm-1 ]。另一方面，於熔解時為使電流不流經熔解槽201而流經熔融玻璃，就降低玻璃之比電阻之觀點而言，較佳為玻璃板含有R2 O(其中，R2 O為Li2 O、Na2 O及K2 O中玻璃板所含有之總成分之合量)0.01~0.8質量%。或，為降低玻璃之比電阻，較佳為含有0.01~1質量%之Fe2 O3 。進而，為實現高應變點溫度，且防止失透溫度之上升，玻璃板之CaO/RO較佳為設為0.65以上。藉由將失透溫度設為1250℃以下，可實現溢流下拉法之應用。又，若考慮應用於移動通信終端之類的移動機器等中，則就輕量化之觀點而言，SrO及BaO之合計含有率較佳為0%以上且未達2%。
(各成分之說明)
SiO2 係成為玻璃板之玻璃之骨格之成分，具有提高玻璃之化學耐久性及應變點溫度之效果。於SiO2 之含有率過低之情形時，無法充分獲得化學耐久性及耐熱性之效果。進而，使應變點溫度降低，熱膨脹係數增大，故而使熱收縮 率變大。若SiO2 之含有率過高，則容易引起玻璃之失透，使成形困難，並且使黏性上升而使得玻璃之均質化變得困難。又，由於會增大玻璃之比電阻，故而使熔解困難。
Al2 O3 係成為玻璃之骨格之成分，具有提高玻璃之化學耐久性及應變點溫度之效果。又，具有提高蝕刻速度之效果。於Al2 O3 之含有率過低之情形時，無法充分獲得玻璃之化學耐久性及耐熱性之效果。又，會使應變點溫度及楊式模數降低。另一方面，若Al2 O3 之含有率過高，則使玻璃之黏性上升而使熔解困難，並且耐酸性下降。又，由於會增大玻璃之比電阻，故而使熔解困難。
B2 O3 為降低玻璃之黏性，並促進玻璃之熔解及澄清之成分。若B2 O3 之含有率過低，則使熔解困難，又，使玻璃之耐酸性降低。又，會使耐失透性降低，使熱膨脹係數增加。另一方面，若B2 O3 之含有率過高，則使應變點溫度降低，因此使耐熱性降低。又，會使楊式模數降低。又，由於玻璃熔解時B2 O3 之揮發，導致玻璃之不均質變得顯著而容易產生條紋。
MgO及CaO係降低玻璃之黏性，並促進玻璃之熔解及澄清之成分。又，由於Mg及Ca於鹼土金屬中使玻璃之密度上升的比率較小，故而係有利於使所獲得之玻璃輕量化並且提高熔解性之成分。但，若使該MgO及CaO之含有率過高，則使應變點溫度降低。進而，使玻璃之化學耐久性降低。再者，CaO係於不降低比電阻、不使玻璃之失透溫度急遽上升之情況下提高玻璃之熔解性方面有效之成分。因 此，較佳為使高應變點溫度之玻璃中含有。又，由於MgO會使玻璃之失透溫度上升，故而於降低失透溫度之情形時，較佳為實質上不含有。
SrO及BaO為降低玻璃之黏性，並促進玻璃之熔解及澄清之成分。又，其亦係提高玻璃原料之氧化性並提高澄清性之成分。但，若SrO及BaO之含有率過高，則使玻璃之密度上升而無法實現玻璃板之輕量化，並且使玻璃之化學耐久性降低。再者，為了減輕環境負擔，較佳為實質上不含有BaO。再者，於本說明書中，所謂實質上不含有BaO，係指未達0.01%質量，且除雜質以外不有意地含有。
Li2 O、Na2 O及K2 O係使玻璃之黏度降低，並提高玻璃之熔解性或成形性之成分。於Li2 O、Na2 O或K2 O之含有率過低之情形時，玻璃之熔解性降低，使用於熔解之成本提高。另一方面，若Li2 O、Na2 O或K2 O之含有率變得過高，會產生玻璃平衡之惡化引起之耐失透性降低。
再者，由於Li2 O、Na2 O、K2 O係有自玻璃溶出而使TFT之特性變差，及增大玻璃之熱膨脹係數而於熱處理時使基板破損之虞之成分，因此於用作液晶顯示器用玻璃基板或有機EL顯示器用玻璃基板之情形時，較佳為實質上不含有。然而，藉由於玻璃中有意含有特定量之上述成分，可將TFT之特性之變差或玻璃之熱膨脹抑制於固定範圍內，並提高玻璃之鹼性度，使價數變動之金屬容易氧化，而發揮澄清性。因此，Li2 O、Na2 O、K2 O之合量為0~2.0%，更 佳為0.1~1.0%，進而較佳為0.2~0.5%。再者，較佳為不含有Li2 O、Na2 O，而含有上述成分中最不易自玻璃溶出而使TFT之特性變差之K2 O。K2 O之含有率為0~2.0%，更佳為0.1~1.0%，進而較佳為0.2~0.5%。
ZrO2 係提高玻璃之失透溫度附近之黏性或應變點溫度之成分。又，ZrO2 亦是提高玻璃之耐熱性之成分。然而，若ZrO2 之含有率過高，則使失透溫度上升，耐失透性降低。
TiO2 係降低玻璃之高溫黏度之成分。然而，若TiO2 之含有率過高，則使耐失透性降低。進而，會使玻璃著色，而不宜用於電子機器之顯示畫面之覆蓋玻璃等。又，由於使玻璃著色而使紫外線穿透率降低，因此於進行使用有紫外線硬化樹脂之處理之情形時，會產生紫外線硬化樹脂無法充分硬化這一問題。
可於玻璃板之玻璃中添加澄清劑作為使玻璃中之氣泡消泡之成分。作為澄清劑，只要為環境負擔較小、玻璃之澄清性方面優異者則並無特別制限，例如可列舉：選自氧化錫、氧化鐵、氧化鈰、氧化鋱、氧化鉬及氧化鎢等金屬氧化物之至少1種。
再者，As2 O3 、Sb2 O3 及PbO係具有於熔融玻璃中產生隨著價數變動之反應，使玻璃澄清之效果之物質，但由於As2 O3 、Sb2 O3 及PbO係環境負擔較大之物質，故而較佳為實質上不含有。再者，於本說明書中，所謂實質上不含有As2 O3 、Sb2 O3 及PbO，係指未達0.01%質量，且除雜質以外不有意地含有。
本實施形態之玻璃板之厚度例如為0.1mm~1.5mm。較佳為0.1~1.2mm，更佳為0.3~1.0mm，進而更佳為0.3~0.8mm，特佳為0.3~0.5mm。此處，玻璃板越薄則玻璃之保有熱量越小，故而成形爐40及緩冷爐50中之玻璃溫度分佈之控制越難。因此，藉由對厚度0.5mm以下之玻璃板使用可使爐內部空間之溫度穩定化的本實施形態之方法，抑制玻璃板之變形、翹曲、平面應變之不均及熱收縮之不均等之效果較大。
本實施形態之玻璃板寬度方向之長度例如為500mm~3500mm，較佳為1000mm~3500mm，更佳為2000mm~3500mm。另一方面，玻璃板縱方向之長度例如為500mm~3500mm，較佳為1000mm~3500mm，更佳為2000mm~3500mm。
再者，若玻璃板大型化，則玻璃製造裝置亦對應於玻璃板之大小而大型化。即，若使玻璃板大型化，則包括成形爐40或緩冷爐50之爐亦大型化。因此，使爐內部空間變大，低溫之空氣自爐外部空間流入爐內部空間時，對玻璃帶G之冷卻造成之影響於玻璃帶G之寬度方向上不同。因此，有與玻璃帶G之緩冷點溫度~應變點溫度對應之區域於玻璃帶G之寬度方向上產生不均，玻璃帶G通過上述緩冷點溫度~應變點溫度之時間產生不均之情形。其結果，玻璃帶G之熱收縮亦於寬度方向上產生不均。因此，於玻璃板之寬度方向之長度為2000mm以上之情形時，本實施形態之效果，即，抑制玻璃板之變形、翹曲、平面應變之不 均及熱收縮之不均等之效果變大。進而，若玻璃板寬度方向之長度為2500mm以上、3000mm以上，則本實施形態之效果越發顯著。
(玻璃板之特性：熱收縮率)
本實施形態所製造之玻璃板於550℃之溫度環境下放置2小時之時的熱收縮率為110ppm以下，80ppm以下，50ppm以下，較佳為40ppm以下，更佳為35ppm以下，進而較佳為30ppm以下，特佳為20ppm以下。尤其是，對於形成多晶矽TFT之玻璃板，較佳為50ppm以下。再者，熱收縮率係根據熱收縮量/初始之長度×106 (ppm)而算出。作為熱收縮率之測定方法，可例示以下方法。
1.使用金剛石筆於玻璃板之兩端劃入平行之定線。
2.沿相對於定線垂直之方向將玻璃板切斷成一半，對其一進行熱處理(上述中為以550℃處理2小時)。
3.將熱處理後之玻璃板與另一玻璃板對接，並測定定線之偏差量。
(玻璃板之特性：熱收縮率之不均)
尤其於顯示器之製作中於玻璃板上形成TFT之情形時，熱收縮率之不均較熱收縮率之高低更容易成為顯示器面板之顯示不良之原因。就該方面而言，抑制熱收縮率之不均較為重要。再者，玻璃板之熱收縮率之不均較佳為±3.05%以下。此處所謂熱收縮率之不均，係指藉由上述方法於玻璃板之寬度方向之3個部位之位置(例如，中央部之位置及寬度方向之兩端部附近之位置)測定熱收縮率時，該等位 置之測定值相對於該等之平均值變動之上限(+)及下限(-)。該玻璃板之熱收縮之不均較佳為±3.0%以下，更佳為±2.85%以下，進而較佳為±2.7%以下，進而較佳為±2.65%以下。尤其，於選擇降低熱收縮率之玻璃組成而製造之高應變點玻璃時，熱收縮率之不均較佳為±3.0%以下。較佳為±2.8%以下，更佳為±2.7%以下，進而較佳為±2.6%以下。此處，於本說明書中，所謂高應變點玻璃係表示應變點溫度為680℃以上之玻璃。
(玻璃板之特性：平面應變)
又，玻璃板之平面應變之最大值(遲滯值之最大值)較佳為1.7nm以下。較佳為1.3nm以下，更佳為1.0nm以下，進而較佳為0.7nm以下。再者，平面應變例如係藉由uniopt公司製造之雙折射測定裝置而測定。此處，由於液晶顯示器需要高精度之組裝，故而可降低玻璃板之平面應變之本實施形態之方法尤佳地用於液晶顯示器用玻璃基板之製造。
(玻璃板：翹曲)
利用以下方法對玻璃板之翹曲進行測定之情形時，翹曲之最大值為0至0.2mm之範圍，較佳為0~0.15mm，更佳為0~0.1mm以下，進而較佳為0~0.05mm以下，特佳為0~0.05mm以下。
翹曲之測定為：
1.首先，自玻璃板切出複數片之小板(約400mm見方之矩形板)。
2.其次，針對各小板，分別於正反面測定角4個部位與中央部4個部位之翹曲(即，測定合計16個部位之翹曲)。例如，於測定8片小板之翹曲之情形時，獲得16個部位×8片即128個部位之翹曲之測定資料。
3.確認上述2中所獲得之測定資料中之最大值是否為上述範圍。再者，於本實施形態中，將以複數個小板測定之翹曲之最大值作為玻璃板之翹曲。
[實驗1]
為確認本實施形態之效果，對玻璃板之製造方法進行各種變更而製造玻璃板，進而，於與製作液晶顯示器時相同之條件下進行熱處理，利用上述方法測得熱收縮率及平面應變，進而求得各者之熱收縮率之不均。
1.實施例1
以使爐內部空間中玻璃帶G之溫度成為緩冷點溫度~應變點溫度之區域、與對應於該區域之高度方向之相同位置上的爐外部空間之氣壓差為5Pa(詳細而言為3~7Pa)之方式調整爐外部空間之氣壓。
製造之玻璃板為液晶顯示器用玻璃基板，大小為2200mm×2500mm，厚度為0.7mm。玻璃板之玻璃組成如下所述。含有率為質量%表示。
SiO2 60%
Al2 O3 19.5%
B2 O3 10%
CaO 5%
SrO 5%
SnO2 0.5%
2.實施例2
與實施例1同樣地，以使爐內部空間中玻璃帶G之溫度成為緩冷點溫度~應變點溫度之區域、與對應於該區域之高度位置的爐外部空間之氣壓差成為5Pa(詳細而言為3~7Pa)之方式調整爐外部空間之氣壓。
製造之玻璃板之厚度與實施例1相同，但玻璃組成係如下所述(含有率為質量%表示)。再者，玻璃板之大小為1100mm×1300mm。該玻璃板係用作形成多晶矽TFT之液晶顯示器用玻璃基板。
SiO2 66%
Al2 O3 17.5%
B2 O3 7.5%
CaO 8.5%
SnO2 0.5%
3.實施例3
爐內部空間中玻璃帶G之溫度成為緩冷點溫度~應變點溫度之區域、與對應於該區域之高度位置的爐外部空間之氣壓差為20Pa(詳細而言為18~22Pa)，除此以外以與實施例1同樣之方法進行液晶顯示器用玻璃基板之製造。
4.實施例4
爐內部空間中玻璃帶G之溫度成為緩冷點溫度~應變點溫度之區域、與對應於該區域之高度位置的爐外部空間之氣 壓差為20Pa(詳細而言為18~22Pa)，除此以外以與實施例2同樣之方法進行形成多晶矽TFT之液晶顯示器用玻璃基板之製造。
5.實施例5
爐內部空間中玻璃帶G之溫度成為緩冷點溫度~應變點溫度之區域、與對應於該區域之高度位置的爐外部空間之氣壓差為35Pa(詳細而言為33~37Pa)，除此以外以與實施例1同樣之方法進行液晶顯示器用玻璃基板之製造。
6.實施例6
爐內部空間中玻璃帶G之溫度成為緩冷點溫度~應變點溫度之區域、與對應於該區域之高度位置的爐外部空間之氣壓差為35Pa(詳細而言為33~37Pa)，除此以外以與實施例2同樣之方法進行形成多晶矽TFT之液晶顯示器用玻璃基板之製造。
7.實施例7
爐內部空間中玻璃帶G之溫度成為緩冷點溫度~應變點溫度之區域、與對應於該區域之高度位置的爐外部空間之氣壓差為60Pa(詳細而言為55~65Pa)，除此以外以與實施例1同樣之方法進行液晶顯示器用玻璃基板之製造。
8.比較例
爐內部空間中玻璃帶G之溫度成為緩冷點溫度~應變點溫度之區域、與對應於該區域之高度位置的爐外部空間之氣壓差為-5Pa(詳細而言為-6~-4Pa)(即，與玻璃帶G之溫度成為緩冷點溫度~應變點溫度之區域相比，對應於該區域之高度位置的爐外部空間之氣壓較高)，除此以外以與實 施例1同樣之方法進行液晶顯示器用玻璃基板之製造。
下述表1表示實施例1~7及比較例之評價結果。
根據上述表可明確本實施形態之方法之效果。
[實驗2]
又，使玻璃原料熔解而形成熔融玻璃，進行澄清、攪拌後，將熔融玻璃供給至成形裝置200，並利用溢流下拉法製造玻璃板。其後，切斷玻璃板而製造長度方向1100mm、寬度方向1300mm、厚度0.5mm之玻璃板。此時，爐外部空間之氣壓係如下述表2所示，以越上游側越高之方式而控制。再者，熔融玻璃所含有之各成分之含有率係如下所述。
SiO2 60%
Al2 O3 19.5%
B2 O3 10%
CaO 5%
SrO 5%
SnO2 0.5%
此時，實施例8~12中所製造之玻璃板之最大應變(遲滯 之最大值)為1.6nm以下。又，玻璃板之翹曲為0.18mm以下。尤其是，實施例9~11所製造之玻璃板之最大應變(遲滯之最大值)為1.0nm以下。又，玻璃板之翹曲為0.15mm以下。
於實施例8~12中，使圖3所示之爐外部空間S3a、S3b連通並作為1個空間而控制氣壓。此時，以使玻璃帶G之溫度成為緩冷點溫度~應變點溫度之區域、與對應於該區域之高度位置的爐外部空間S3a、S3b之氣壓差成為10~20Pa之方式調整爐外部空間之氣壓。以使爐外部空間S3c之氣壓與爐內部空間之對應位置上之氣壓差成為5Pa(詳細而言為3~7Pa)之方式調整爐外部空間S3c之氣壓。下述表2表示實施例8~12之條件及評價結果。
P1：成形爐外部上方空間S1之氣壓[Pa]
P2：爐外部空間S2之氣壓[Pa]
P3：爐外部空間S3a、S3b之氣壓[Pa]
P4：空間S4之氣壓[Pa]
根據表2可知，以玻璃帶G之流動之越上游側越高之方式控制爐外部空間之氣壓，就降低最大應變及翹曲之方面而 言較佳。
綜上所述，本說明書揭示以下之形態。
(揭示1)
一種玻璃板之製造方法，其特徵在於：其係利用下拉法者，且包括：熔解步驟，其係熔解玻璃原料而獲得熔融玻璃；成形步驟，其係將上述熔融玻璃供給至設置於成形爐內之成形體中而成形玻璃帶，且形成上述玻璃帶之帶流；緩冷步驟，其係利用設置於緩冷爐內之輥牽引上述玻璃帶使其於上述緩冷爐內冷卻；及切斷步驟，其係於切斷空間內切斷經冷卻之上述玻璃帶；於將設置有上述成形體之上述成形爐之內部空間及設置有上述輥之上述緩冷爐之內部空間設為爐內部空間，將上述成形爐及上述緩冷爐之外部空間設為爐外部空間時，上述爐外部空間為對於大氣壓環境以隔離壁分隔出之空間，且以使上述爐外部空間之至少一部分之氣壓相對於上述玻璃帶之流動方向之相同位置上之上述爐內部空間之氣壓降低之方式進行氣壓之調整。
(揭示2)
如揭示1之玻璃板之製造方法，其中以如下方式進行氣壓之調整：使上述爐外部空間之氣壓於對應於上述玻璃帶之緩冷點溫度之上述緩冷爐內之位置與對應於上述玻璃帶之應變點溫度之上述緩冷爐內之位置之間的區域中，相對 於上述爐內部空間之相同位置上之氣壓降低。
(揭示3)
如揭示1或2之玻璃板之製造方法，其中關於上述爐外部空間之上述至少一部分之氣壓，於上述玻璃帶之流動方向之相同位置上，上述爐內部空間之氣壓與上述爐外部空間之氣壓之差量為40Pa以下。
(揭示4)
如揭示1至3中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述爐外部空間之氣壓係以相對於大氣壓升高之方式進行調整。
(揭示5)
如揭示1至4中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述爐外部空間包含相對於上述成形爐之上述內部空間之頂棚面位於上方之上部空間，對於上述上部空間，以空氣不會自上述上部空間流入上述爐內部空間之方式調整上述上部空間之氣壓。
(揭示6)
如揭示1至5中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述玻璃帶之流動方向為鉛垂方向，上述成形爐相對於上述緩冷爐設置於鉛垂上方，上述爐外部空間於鉛垂方向上被分成複數個部分空間，以如下方式調整氣壓：將上述部分空間各自之氣壓與該部分空間之鉛垂方向之相同位置上的上述爐內部空間之氣壓之差量在上述部分空間中最上部之部分空間與最下部之部分空間之間進行比較時，上述最上部之上述差量較上述 最下部之上述差量變大。
(揭示7)
如揭示6之玻璃板之製造方法，其中上述部分空間之上述氣壓之上述差量越向上方越大。
(揭示8)
如揭示1至7中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述玻璃板係於表面形成TFT(Thin Film Transistor)之液晶顯示器用玻璃基板。
(揭示9)
如揭示1至8中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述爐外部空間於上述玻璃帶之流動方向上包含位於與上述成形體相同之位置之第1部分空間時，上述第1部分空間之氣壓與上述玻璃帶之流動方向之相同位置上的上述爐內部空間之氣壓之差量大於0且為40Pa以下。
(揭示10)
如揭示1至9中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述爐外部空間於上述玻璃帶之流動方向上包含位於與上述緩冷爐相同之位置之第2部分空間，且上述緩冷爐之爐內部空間之氣壓與上述第2部分空間之氣壓之差量大於0且為40Pa以下。
(揭示11)
如揭示1至10中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述爐外部空間於上述玻璃帶之流動方向上包含位於與上述成形體相同之位置之第1部分空間及位於與上述緩冷爐相同 之位置之第2部分空間，於上述第1部分空間與上述第2部分空間藉由壁隔離而相鄰時，上述爐外部空間之上述第1部分空間之氣壓較上述第2部分空間之氣壓大，上述第1部分空間之氣壓與上述第2部分空間之氣壓之差量小於20Pa。
(揭示12)
如揭示1至11中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述爐外部空間包含位於與上述緩冷爐相同之位置之複數個第2部分空間，複數個上述第2部分空間於上述熔融玻璃之流動方向之越上游側氣壓越高。
(揭示13)
如揭示1至12中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述緩冷步驟係為使拉伸應力於上述玻璃帶之寬度方向之中央部，在上述玻璃帶之流動方向上發揮作用，至少於自上述玻璃帶之緩冷點溫度加150℃而得之溫度至上述玻璃帶之應變點溫度減去200℃而得之溫度為止的溫度區域內，上述玻璃帶之寬度方向之中央部之冷卻速度較上述兩端部之冷卻速度快，使上述玻璃帶自上述玻璃帶之寬度方向之中央部之溫度高於上述兩端部的狀態向上述中央部之溫度低於上述兩端部之狀態變化。
(揭示14)
如揭示1至13中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述緩冷步驟包含第1冷卻步驟、第2冷卻步驟及第3冷卻步驟，上述第1冷卻步驟係以第1平均冷卻速度使玻璃帶之寬度方向之中央部之溫度冷卻至緩冷點溫度為止之步驟，上述第2冷卻步驟係以第2平均冷卻速度使玻璃帶之寬度方向之中央部之溫度自緩冷點溫度冷卻至應變點溫度-50℃為止之步驟，上述第3冷卻步驟係以第3平均冷卻速度使玻璃帶之寬度方向之中央部之溫度自應變點溫度-50℃冷卻至應變點溫度-200℃為止之步驟，上述第1平均冷卻速度為5.0℃/秒以上，上述第1平均冷卻速度較上述第3平均冷卻速度快，上述第3平均冷卻速度較上述第2平均冷卻速度快。
(揭示15)
如揭示14之玻璃板之製造方法，其中上述第1冷卻步驟中之玻璃帶之中央部之平均冷卻速度為5.5℃/秒~50.0℃/秒。
(揭示16)
如揭示14之玻璃板之製造方法，其中上述第2冷卻步驟中之玻璃帶之平均冷卻速度為0.5~未達5.5℃/秒。
(揭示17)
如揭示1至16中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述玻璃板係形成多晶矽TFT或氧化物半導體之玻璃基板，玻 璃之應變點溫度為675℃以上。
(揭示18)
一種玻璃板之製造裝置，其特徵在於：其係利用下拉法者，且包括：熔解裝置，其熔解玻璃原料而獲得熔融玻璃；成形裝置，其將上述熔融玻璃供給至設置於成形爐內之成形體而成形玻璃帶，且形成上述玻璃帶之帶流，利用設置於緩冷爐內之輥牽引上述玻璃帶使其於上述緩冷爐內冷卻；及切斷裝置，其於切斷空間內切斷經冷卻之上述玻璃帶；於將設置有上述成形體之上述成形爐之內部空間及設置有上述輥之上述緩冷爐之內部空間設為爐內部空間，將上述成形爐及上述緩冷爐之外部空間設為爐外部空間時，上述爐外部空間為對於大氣壓環境以隔離壁分隔出之空間，上述成形裝置中設置有以如下方式進行氣壓之調整之氣壓控制裝置：使上述爐外部空間之至少一部分之氣壓相對於上述玻璃帶之流動方向之相同位置上之上述爐內部空間之氣壓降低。
(揭示19)
如揭示18之玻璃板之製造裝置，其中上述氣壓控制裝置係調整與大氣之間之空氣之流入以控制上述爐外部空間之氣壓的裝置。
以上，已詳細說明本發明之玻璃板之製造方法及製造裝置，但本發明並不限定於上述實施形態，當然亦可於不脫 離本發明之主旨之範圍內，進行各種改良或變更。
30‧‧‧爐
40‧‧‧成形爐
50‧‧‧緩冷爐
200‧‧‧熔解裝置
201‧‧‧熔解槽
202‧‧‧澄清槽
203‧‧‧攪拌槽
204‧‧‧第1配管
205‧‧‧第2配管
300‧‧‧成形裝置
310‧‧‧成形體
311‧‧‧供給口
312‧‧‧槽
313‧‧‧下方端部
320‧‧‧環境隔離構件
330‧‧‧冷卻輥
340‧‧‧冷卻單元
350a~350h‧‧‧搬送輥
355、360a、360b、360c‧‧‧壓力感測器
400‧‧‧切斷裝置
411、412、413a、413b、413c、414‧‧‧底面
415、416、417a、417b、417c、418‧‧‧壓力感測器
421、422、423a、423b、423c、424‧‧‧送風機
500‧‧‧控制裝置
510‧‧‧驅動單元
B‧‧‧建築物
G‧‧‧玻璃帶
G1‧‧‧玻璃板
MG‧‧‧熔融玻璃
S1、S2、S3a~S3c‧‧‧爐外部空間
S4‧‧‧空間(切斷空間)
圖1係表示本實施形態之玻璃板之製造方法之流程的圖。
圖2係模式性地表示進行本實施形態之熔解步驟~切斷步驟之裝置的圖。
圖3係本實施形態之玻璃板之成形裝置之概略之側視圖。
圖4係本實施形態之玻璃板之成形裝置之概略之前視圖。
圖5係控制本實施形態中所使用之送風機送入之空氣之量的控制系統之概略圖。
30‧‧‧爐
40‧‧‧成形爐
50‧‧‧緩冷爐
300‧‧‧成形裝置
310‧‧‧成形體
312‧‧‧槽
313‧‧‧下方端部
320‧‧‧環境隔離構件
330‧‧‧冷卻輥
340‧‧‧冷卻單元
350a~350h‧‧‧搬送輥
400‧‧‧切斷裝置
411、412、413a、 413b、413c、414‧‧‧底面
415、416、417a、417b、417c、418‧‧‧壓力感測器
421、422、423a、423b、423c、424‧‧‧送風機
B‧‧‧建築物
G‧‧‧玻璃帶
G1‧‧‧玻璃板
MG‧‧‧熔融玻璃
S1、S2、S3a~S3c‧‧‧爐外部空間
S4‧‧‧空間(切斷空間)

Claims (9)

  1. 一種玻璃板之製造方法，其特徵在於：其係利用下拉法者，且包括：熔解步驟，其係熔解玻璃原料而獲得熔融玻璃；成形步驟，其係將上述熔融玻璃供給至設置於成形爐內之成形體而成形玻璃帶，並形成上述玻璃帶之鉛垂方向之帶流；緩冷步驟，其係利用設置於緩冷爐內之輥牽引上述玻璃帶使其於上述緩冷爐內冷卻；及切斷步驟，其係於切斷空間內切斷經冷卻之上述玻璃帶；其中上述成形爐相對於上述緩冷爐設置於鉛垂上方，於將設置有上述成形體之上述成形爐之內部空間及設置有上述輥之上述緩冷爐之內部空間設為爐內部空間，將上述成形爐及上述緩冷爐之外部空間設為爐外部空間時，上述爐外部空間為對於大氣壓環境以隔離壁分隔出之空間，且以使上述爐外部空間之至少一部分之氣壓相對於上述玻璃帶之流動方向之相同位置上之上述爐內部空間之氣壓降低之方式進行氣壓之調整；且上述爐外部空間於鉛垂方向上被分成複數個部分空間，於將上述部分空間各自之氣壓與該部分空間之鉛垂方向之相同位置上的上述爐內部空間之氣壓之差量在上述部分空間中最上部之部分空間與最下部之部分空間之間進行比較時，以上述最上部之上述差量較上述最下部 之上述差量變大之方式進行氣壓之調整。
  2. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中以如下方式進行氣壓之調整：使上述爐外部空間之氣壓於對應於上述玻璃帶之緩冷點溫度之上述緩冷爐內之位置與對應於上述玻璃帶之應變點溫度之上述緩冷爐內之位置之間的區域中，相對於上述爐內部空間之相同位置上之氣壓降低。
  3. 如請求項1之玻璃板之製造方法，其中關於上述爐外部空間之上述至少一部分之氣壓，於上述玻璃帶之流動方向之相同位置上，上述爐內部空間之氣壓與上述爐外部空間之氣壓之差量為40Pa以下。
  4. 如請求項2之玻璃板之製造方法，其中關於上述爐外部空間之上述至少一部分之氣壓，於上述玻璃帶之流動方向之相同位置上，上述爐內部空間之氣壓與上述爐外部空間之氣壓之差量為40Pa以下。
  5. 如請求項1~4中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述爐外部空間包含相對於上述成形爐之上述內部空間之頂棚面位於上方之上部空間，對於上述上部空間，以空氣不會自上述上部空間流入上述爐內部空間之方式調整上述上部空間之氣壓。
  6. 如請求項1~4中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述部分空間之上述氣壓之上述差量越向上方越大。
  7. 如請求項5中任一項之玻璃板之製造方法，其中上述部分空間之上述氣壓之上述差量越向上方越大。
  8. 一種玻璃板之製造裝置，其特徵在於：其係利用下拉法 者，且包括：熔解裝置，其熔解玻璃原料而獲得熔融玻璃；成形裝置，其將上述熔融玻璃供給至設置於成形爐內之成形體而成形玻璃帶，且形成上述玻璃帶之鉛垂方向之帶流，並利用設置於緩冷爐內之輥牽引上述玻璃帶使其於上述緩冷爐內冷卻；及切斷裝置，其於切斷空間內切斷經冷卻之上述玻璃帶；其中上述成形爐相對於上述緩冷爐設置於鉛垂上方，於將設置有上述成形體之上述成形爐之內部空間及設置有上述輥之上述緩冷爐之內部空間設為爐內部空間，將上述成形爐及上述緩冷爐之外部空間設為爐外部空間時，上述爐外部空間為對於大氣壓環境以隔離壁分隔出之空間，上述成形裝置中設置有以如下方式進行氣壓之調整之氣壓控制裝置：使上述爐外部空間之至少一部分之氣壓相對於上述玻璃帶之流動方向之相同位置上之上述爐內部空間之氣壓降低；且上述爐外部空間於鉛垂方向上被分成複數個部分空間，於將上述部分空間各自之氣壓與該部分空間之鉛垂方向之相同位置上的上述爐內部空間之氣壓之差量在上述部分空間中最上部之部分空間與最下部之部分空間之間進行比較時，以上述最上部之上述差量較上述最下部之上述差量變大之方式進行氣壓之調整。
  9. 如請求項8之玻璃板之製造裝置，其中上述氣壓控制裝 置係調整與上述外部空間之間之空氣之流入以控制上述爐外部空間之氣壓的裝置。
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