TWI558264B - 發光裝置 - Google Patents

發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI558264B
TWI558264B TW103110653A TW103110653A TWI558264B TW I558264 B TWI558264 B TW I558264B TW 103110653 A TW103110653 A TW 103110653A TW 103110653 A TW103110653 A TW 103110653A TW I558264 B TWI558264 B TW I558264B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting element
group
organic compound
emitting
Prior art date
Application number
TW103110653A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201427483A (zh
Inventor
大澤信晴
井上英子
瀬尾哲史
Original Assignee
半導體能源研究所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 半導體能源研究所股份有限公司 filed Critical 半導體能源研究所股份有限公司
Publication of TW201427483A publication Critical patent/TW201427483A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI558264B publication Critical patent/TWI558264B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/06—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing organic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/34—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring
    • C09K19/3441—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom
    • C09K19/345—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom the heterocyclic ring being a six-membered aromatic ring containing two nitrogen atoms
    • C09K19/3452—Pyrazine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

發光裝置
本發明係有關使用磷光化合物之發光元件。進一步地，本發明係有關使用該發光元件之發光裝置。而且，本發明係有關使用該發光裝置之電子裝置。
近年來，已經積極地發展使用發光有機化合物或無機化合物作為發光物質的發光元件。特別地，稱為EL元件之發光元件具有簡單結構，其中含有發光物質之發光層係設置於電極之間。因此，發光元件因為它的特性例如薄形、輕質、高反應速率、及於低電壓下以直流電驅動，而已經吸引注意作為下一世代平面顯示元件。此外，使用此類發光元件之顯示器具有極佳對比及影像品質的特徵，且具有寬視角。進一步地，因為這些發光元件為平面光源，所以這些發光元件可用作光源例如液晶顯示器及照明裝置之背光。
在使用發光有機化合物作為發光物質之情形中，發光元件之發光機制為載子注入型。即，藉由對插入電極之間 的發光層施加電壓，使由電極注入之載子(電洞及電子)再結合且因此使發光物質處於激發狀態。當激發態回到基態時，即發出光。作為激發態的類型，單重激發態(S*)及三重態激發態(T*)皆可。它們在發光元件中的統計產生比為S*：T*=1：3。
一般，發光有機化合物之基態為單重激發態。因此，來自單重激發態(S*)之發光被稱為螢光，因為其係由在相同多重性之間的電子轉移所引發。另一方面，來自三重態激發態(T*)之發光被稱為磷光，因為其係由在不同多重性之間的電子轉移所引發。在此，在發螢光之化合物(以下稱為螢光化合物)中，一般而言，在室溫下沒有觀察到磷光，且只有觀察到螢光。因此，在使用螢光化合物之發光元件中，內部量子效率(所產生光子對所注入載子的比率)之理論限值根據S*：T*=1：3被認為是25%。
另一方面，當使用發磷光之化合物(以下稱為磷光化合物)時，內部量子效率理論上可為75至100%。換句話說，發光效率可達螢光化合物的三到四倍。基於這些理由，為了達成具有高效率之發光元件，已提出使用磷光化合物之發光元件(例如，非專利文獻1：TSUTSUI等人，具有銥-錯合物作為三重發射中心之有機發光元件中的高量子效率(HIGH QUANTUM EFFICIENCY IN ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICES WITH IRIDIUM-COMPLEX AS A TRIPLET EMISSIVE CENTER,JPN.J.APPL.PHYS.(日本應用物理期刊))，第38冊/第2部，第12B號， 1999年12月15日，第L1502-L1504頁及非專利文獻2：ADACHI等人，高效率紅色電致磷光裝置，(HIGH-EFFICIENCY RED ELECTROPHOSPHORESCENCE DEVICES,APPL.PHYS.LETT.(APPLIED PHYSICS LETTERS))，第78冊，第11號，2001年3月12日，第1622-1624頁)。非專利文獻1及2分別採用其中使用2-苯基吡啶(Ir(ppy)3)的配位基及2-(2’-苯並[4,5-a]噻吩基)吡啶([btp2Ir(acac)])的配位基的銥錯合物作為磷光化合物。
進一步地，專利文獻1揭示一種使用發光層之發光元件，該發光層包含作為磷光參雜劑之主體材料的有機低分子電洞傳輸物質及有機低分子電子傳輸物質，以改良使用磷光化合物之發光元件的使用壽命及效率(專利文獻1：PCT國際申請案第2004-515895號的日文翻譯)。
本發明之揭示
非專利文獻1報告了使用壽命的問題，即亮度於恆定電流驅動及500cd/m2之初始亮度下的半衰期為約170小時。除此之外，非專利文獻1報告了其中以BCP用作電洞阻擋層的使用壽命問題，因為BCP的穩定性不足。
然而，如果將BCP從非專利文獻1所揭示的元件結構中移除，則無法有效率地發光。這是因為使用於非專利文獻1之發光層主體材料中之CBP具有強電洞傳輸性質，所以如果不用BCP作為電洞阻擋層，則電洞可到達 電子傳輸層。除此之外，BCP具有阻擋發光層中所產生之激發能(在此情況中，三重態激發能)的功能。因此，由於BCP之故，非專利文獻1的元件結構可達成高效率但不能夠獲得長使用壽命。
另一方面，專利文獻1報告了元件之使用壽命及效率的改良。然而，磷光化合物的性能並不能被有效率地利用。實際上，專利文獻1的發光元件1使用一種銥錯合物，(btp2Ir(acac))，其也使用於非專利文獻2中，且效率為約0.9cd/A至2.0cd/A，此仍低於非專利文獻2中所述之效率。
因為上述的理由，難以同時獲得高效率及長使用壽命的磷光化合物。實務上，使用磷光化合物之發光元件係犠牲一些效率而確保使用壽命。
鑑於上述，本發明之一目標為提供效率高且使用壽命長之發光元件。本發明之另一目標為藉由使用發光元件形成發光裝置提供具有消耗較少電力的長使用壽命之發光裝置。進一步地，本發明之另一目標為提供具有長使用壽命之電子裝置，其藉由將該等發光裝置應用至電子裝置而消耗較少電力。
本發明人已勤勉地研究且因此發現上述問題可藉由在發光元件中設計一種包括發光物質之發光層結構而解決，其中使用某類型具有強電子俘獲性質之有機金屬錯合物作為發光物質。具體而言，在使用具有吡衍生物配位基的有機金屬錯合物作為發光物質之發光元件中，具有電洞傳 輸性質之化合物及一種具有電子傳輸性質之化合物皆可包括在發光層中。本發明人發現了此一解決方案。
本發明之一方面為一種發光元件，其包含在第一電極與第二電極之間的發光層，該發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物。在該發光元件中，有機金屬錯合物的配位基為一種具有吡骨架之配位基，且該有機金屬錯合物的中心金屬為一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。
本發明之另一方面為一種發光元件，其包含在第一電極與第二電極之間的發光層，該發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物。在該發光元件中，有機金屬錯合物的配位基為2-芳基吡衍生物，且該有機金屬錯合物的中心金屬為一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。
作為上述2-芳基吡衍生物，2-苯基吡衍生物為較佳。因此，本發明之另一方面為一種發光元件，其包含在第一電極與第二電極之間的發光層，其中發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物。在該發光元件中，有機金屬錯合物的配位基為2-苯基吡衍生物，且該有機金屬錯合物的中心金屬為一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。
作為上述2-芳基吡衍生物，尤其以2,5-二苯基吡衍生物為佳。因此，本發明之另一方面為一種發光元件，其包含在第一電極與第二電極之間的發光層，其中發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物。在該發光元件中，有機金屬錯合物的配位基為2,5-二苯基吡衍生物，且該有機金屬錯合物的中心金屬為一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。
注意在上述結構中，以發光效率而言，中心金屬為銥或鉑。特別地，銥為較佳，因為銥可提供非常高的效率。
具體而言，使用具有吡骨架之配位基的有機金屬錯合物為一種以下列通式(G1)表示之有機金屬錯合物。因此，本發明之另一方面為一種發光元件，其包含在第一電極與第二電極之間的發光層，其中發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物，且該有機金屬錯合物具有以通式(G1)表示之結構。
在該通式中，Ar表示伸芳基。R1表示烷基或芳基。R2表示氫、烷基或芳基。R3表示氫或烷基。R2及R3可彼此結合形成脂環。M為中心金屬且表示一種屬於第9族之 元素或一種屬於第10族之元素。
作為具有以(G1)通式表示之結構的有機金屬，以通式(G2)表示之有機金屬錯合物為較佳。因此，本發明之另一方面為一種發光元件，其包含在第一電極與第二電極之間的發光層，其中發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物，且該有機金屬錯合物具有以通式(G2)表示之結構。
在該通式中，R1表示烷基或苯基。R2表示氫、烷基或苯基。R3表示氫或烷基。R2和R3可彼此結合形成脂環。R4至R7表示氫、烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基及烷氧羰基中之任一個。M為中心金屬且表示一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。
作為具有以通式(G1)表示之結構的有機金屬錯合物，尤其以通式(G3)表示之有機金屬錯合物為佳。因此，本發明之另一方面為一種發光元件，其包含在第一電極與第二電極之間的發光層，其中發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機 化合物、及有機金屬錯合物，且該有機金屬錯合物具有以通式(G3)表示之結構。
在該通式中，R1表示烷基或苯基。R3表示氫或烷基。R4至R12表示氫、烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基及烷氧羰基中之任一個。M為中心金屬且表示一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。
更明確言之，具有以通式(G1)表示之結構的有機金屬錯合物為一種以通式(G4)表示之有機金屬錯合物。因此，本發明之另一方面為一種發光元件，其包含在第一電極與第二電極之間的發光層，其中發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物，且該有機金屬錯合物具有以通式(G4)表示之結構。
在該通式中，Ar表示伸芳基。R1表示烷基或芳基。R2表示氫、烷基或芳基。R3表示氫或烷基。R2和R3可彼此結合形成脂環。除此之外，M為中心金屬且表示一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。除此之外，L為單陰離子配位基。當M為一種屬於第9族之元素時，n為2(n=2)，且當M為一種屬於第10族之元素時，n為1(n=1)。
更明確言之，具有以通式(G2)表示之結構的有機金屬錯合物為一種以通式(G5)表示之有機金屬錯合物。因此，本發明之另一方面為一種發光元件，其包含在第一電極與第二電極之間的發光層，其中發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物，且該有機金屬錯合物具有以通式(G5)表示之結構。
在該通式中，R1表示烷基或苯基。R2表示氫、烷基或苯基。R3表示氫或烷基。R2和R3可彼此結合形成脂環。R4至R7表示氫、烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基及烷 氧羰基中之任一個。除此之外，M為中心金屬且表示一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。L為單陰離子配位基。除此之外，當M為一種屬於第9族元素時，n為2(n=2)，且當M為一種屬於第10族元素時，n為1(n=1)。
更明確言之，具有以通式(G3)表示之結構的有機金屬錯合物為一種以通式(G6)表示之有機金屬錯合物。因此，本發明之另一方面為一種發光元件，其包含在第一電極與第二電極之間的發光層，其中發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物，且該有機金屬錯合物具有以通式(G6)表示之結構。
在該通式中，R1表示烷基或苯基。R3表示氫或烷基。R4至R12表示氫、烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基及烷氧羰基中之任一個。除此之外，M為中心金屬且表示一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。L為單陰離子配位基，當M為一種屬於第9族元素時，n為2(n= 2)，且當M為一種屬於第10族元素時，n為1(n=1)。
除此之外，在上述通式(G1)至(G6)中，以發光效率而言，M較佳為銥或鉑。尤其以銥為佳，因為銥可提供非常高的效率。
在上述發光元件中，第一有機化合物較佳為芳胺化合物或咔唑衍生物。第二有機化合物較佳為雜芳族化合物或金屬錯合物。更佳地，第一有機化合物為芳胺化合物或咔唑衍生物且第二有機化合物為雜芳族化合物或金屬錯合物。
在上述發光元件中，第一有機化合物的量及/或第二有機化合物的量較佳為大於有機金屬錯合物的量，換句話說，第一有機化合物及/或第二有機化合物較佳作為有機金屬錯合物之主體。更佳地，發光層中的有機金屬錯合物之量大於或等於1質量百分比且小於或等於10質量百分比。
在上述發光元件中，第一有機化合物及第二有機化合物之間的比例也是重要的。因此，在本發明之發光元件中，第二有機化合物對第一有機化合物的質量比較佳為大於或等於1/20至小於或等於20。尤其，第二有機化合物對第一有機化合物的質量比較佳為大於或等於1至小於或等於20。
上述本發明之結構係考慮有機金屬錯合物的強電子俘獲性質來製成的。因此，在上述本發明之發光元件中，有 機金屬錯合物的LUMO能階係比第一有機化合物的LUMO能階及第二有機化合物的LUMO能階低0.2eV或更多。
本發明以此方式所獲得之發光元件具有發光效率高且使用壽命長的特徵，且因此使用該發光元件之發光裝置(例如影像顯示裝置或發光裝置)可達成低電力消耗及長使用壽命。因此，本發明包括使用本發明發光元件之發光裝置。此外，本發明包括具有該發光裝置之電子裝置。
應注意本說明書中之發光裝置包括使用發光元件之影像顯示裝置及照明裝置。而且，該發光裝置包括各種類型的模組，例如其中連接器例如FPC(撓性印刷電路)、TAB(捲帶式自動接合(Tape Automated Bonding))膠帶、或TCP(帶載封裝(Tape Carrier Package))連接至發光元件的模組，其中印刷配線板係設置於TAB膠帶或TCP之終端的模組，及其中IC(積體電路)藉由COG(玻璃覆晶封裝(Chip On Glass))法直接安裝在發光裝置上的模組。
根據本發明，可提供具有高發光效率之發光元件。尤其，可提供具有高發光效率及長使用壽命的發光元件。
當使用上述發光元件形成發光裝置時，該發光裝置可消耗較少電力且具有長使用壽命。而且，因為該等發光裝置適用於電子裝置，所以該等電子裝置可具有長使用壽命，其消耗較少電力。
實施本發明之最佳模式
現將參照圖式詳細說明本發明之具體模式。然而，本發明並不侷限於下列說明且熟習該項技術者可容易了解的是，本發明之模式及細節可有各種改變而不會偏離本發明之範圍及精神。因此，本發明不應解釋為侷限於下示具體模式的說明。
具體模式1
具體模式1將說明本發明發光元件的概念。注意在本說明書中，“HOMO能階或LUMO能階是低(deep)的”表示能階是低(low)的，及“HOMO能階或LUMO能階是高(shallow)的”表示能階是高(high)的。例如，具有-2.54eV的LUMO能階之物質具有比具有-2.28eV的LUMO能階之物質低0.26eV的LUMO能階，及比具有-2.85eV的LUMO能階之物質C高0.31eV的LUMO能階。
近來，本發明人為了發光元件之高性能已把重心集中在磷光化合物且分析廣泛多樣的磷光有機金屬錯合物。結果，本發明人已發現一種具有吡骨架的配位基且其中心金屬屬於第9族或第10族的有機金屬錯合物(以下，稱為以吡為主之有機金屬錯合物)可以比已知磷光有機金屬錯合物高許多之效率發出磷光。
本發明人所作之性質評估發現，如與一般主體材料(用以分散發光物質於發光層中的材料)比較，以吡為 主之有機金屬錯合物具有較低LUMO能階(亦即，其具有較高程度的電子俘獲性質)。另一方面，具有吡啶衍生物(以下，稱為以吡啶為主之有機金屬錯合物)作為配位基之習知有機金屬錯合物，例如Ir(ppy)3或[btp2Ir(acac)]，具有高電洞俘獲性質，因為其具有高HOMO能階，但難以俘獲電子，換句話說，發現到以對電洞及電子的親和力而言，以吡為主之有機金屬錯合物及以吡啶為主之有機金屬錯合物有相反性質。注意此點將於實例1中說明。
本發明人從眾多的實驗結果已發現以吡為主之有機金屬錯合物的電子俘獲性質在發光元件的製造中產生缺點以及優點。
與習知以吡啶為主之有機金屬錯合物比較，優點之一為以吡為主之有機金屬錯合物具有電洞接受性質以及電子接受性質。換句話說，當以吡為主之有機金屬錯合物分散在發光層的主體材料中時，載子容易直接地再結合於以吡為主之有機金屬錯合物中。因此，不是很需要注意來自主體材料的能量傳輸效率，且因此可達成高效率發光。
然而，以發光層中的載子平衡而言，非常難以選擇適合於以吡為主之有機金屬錯合物的主體材料，其為一缺點。參考圖2A和2B描述此問題。
圖2A及2B各為其中以吡為主之有機金屬錯合物分散在主體材料中的發光層200夾入電洞傳輸層201及電子 傳輸層202之間的情形之能帶圖。圖2A為其中使用具有電洞傳輸性質之第一有機化合物作為主體材料的情形之能帶圖及圖2B為其中使用具有電子傳輸性質之第二有機化合物作為主體材料的情形之能帶圖。
在圖2A中，電子被LUMO能階232俘獲，因為以吡為主之有機金屬錯合物的LUMO能階232較低。即使電子注入第一有機化合物的LUMO能階212內，因為第一有機化合物具有電洞傳輸性質，所以電子移動非常地慢。另一方面，因為第一有機化合物具有電洞傳輸性質，所以電洞經由第一有機化合物的HOMO能階211傳輸且至與電子傳輸層202的界面鄰近，且以吡為主之有機金屬錯合物的HOMO能階231不阻礙電洞(也就是，不形成低陷阱)。換句話說，發光區被限制在發光層200與電子傳輸層202之間的界面之非常窄的區域。
如果電子傳輸層202具有低電洞阻擋性質，則視圖2A中所說明的材料之組合而定，電洞可到達電子傳輸層202。因此，電子傳輸層202發光，而大幅減少發光元件的發光效率。不用說，本發明人已確認當高電洞阻擋物質使用於電子傳輸層202時該問題被解決，且可達成高發光效率；然而，如上所述，使用壽命被不利地影響。此外，有在高亮度側上之效率由於三重態-三重態消光而減低的疑慮。
接著，在圖2B中，因為以吡為主之有機金屬錯合物具有較低LUMO能階232，所以電子被LUMO能階232 俘獲。因為第二有機化合物具有電子傳輸性質，所以一些電子被俘獲，但一些電子經由第二有機化合物的LUMO能階222漸漸傳輸且到達電洞傳輸層201。注意其遷移率低於第二有機化合物之最初電子遷移率。另一方面，因為第二有機化合物具有電子傳輸性質，所以HOMO能階221較低且電洞難以被注入。即使電洞被注入，因為第一有機化合物具有電子傳輸性質，所以電洞的遷移率非常低。可能有一種電洞被注入以吡為主之有機金屬錯合物的HOMO能階231之情形，但是傳輸能力很小。換句話說，在圖2B之結構中，發光層200正常地具有電子傳輸性質；然而，電子由於俘獲而難以移動。另一方面，電洞累積在電洞傳輸層201與發光層200之間的界面。
在此情況中，電洞密度在發光層200及電洞傳輸層201之間的界面非常高，但是在其他區域中非常低。另一方面，電子由於俘獲而分佈在發光層200的整個區域，但整體上而言電子密度是低的。換句話說，以密度及分佈輪廓而言，電洞分佈及電子分佈彼此不同。因此，以平衡方式再結合電洞及電子及達成高發光效率變得困難。除此之外，此不平衡會造成對使用壽命的不良影響。
鑑於上述的問題，本發明人已經想到下列幾點很重要。換句話說，第一點為允許大量電洞注入圖2B結構中之發光層200。第二點為注入發光層200之電洞向電子傳輸層202漸漸移動，使得在圖2B結構中可獲得與慢慢移動的電子之間的平衡。實現此二點之結構為本發明之結 構，其以如圖1中所例示的能帶圖代表。
圖1中之發光層100包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物及以吡為主之有機金屬錯合物。因為以吡為主之有機金屬錯合物的LUMO能階132低於第一有機化合物的LUMO能階112及第二有機化合物的LUMO能階122，電子被以吡為主之有機金屬錯合物的LUMO能階132俘獲。注意一些電子漸漸向電洞傳輸層101側移動而沒被俘獲然而一些電子被以吡為主之有機金屬錯合物的LUMO能階132俘獲，因為第二有機化合物具有電子傳輸性質。另一方面，因為第一有機化合物具有電洞傳輸性質以及電洞接受性質，所以電洞首先注入第一有機化合物的HOMO能階111。電洞難以注入第二有機化合物的HOMO能階121。在此情況中，調整第一有機化合物的量以控制所注入之電洞的遷移率，以便其可與來自電子傳輸層102的電子之遷移率平衡。換句話說，在發光層100中，在電洞及電子之間的平衡可為良好的。然後，電洞被注入以吡為主之有機金屬錯合物的HOMO能階131中且與俘獲電子再結合以發光。
藉由運用該精巧設計，本發明人已發現以吡為主之有機金屬錯合物之潛力(高發光效率)，可被利用到最大。令人訝異的是，本發明人也已發現說明於本發明圖1中之結構可達成圖2A及2B中的結構的幾倍到幾十倍的使用壽命。第一有機化合物及第二有機化合物係分別用於 圖2A及2B中的主體。在圖1中，二類型之有機化合物，第一有機化合物及第二有機化合物被用於主體。此點不同於圖2A及2B。使用壽命僅因該點而非常持久的現象一般不能夠看到，因此是令人驚訝的。
專利文獻1也述及藉由將混合層使用於發光層可達成較長使用壽命，且其為最高兩倍之改良。專利文獻1無法獲得使用壽命如本發明一樣好的改良。根據專利文獻1，導致有機材料退化的電荷累積似乎因混合層而減少。然而，專利文獻1沒有提到由以吡為主之有機金屬錯合物的電子俘獲性質所引起之載子平衡的問題。換句話說，專利文獻1使用與本發明不同的有機金屬錯合物。因此，據信在使用二種類型之主體材料的情形中原理及效果也不同，其導致使用壽命的改良之不同。專利文獻1中所採用之磷光化合物為PtOEP，其為一種卟啉(porphyrin)錯合物，及以吡啶為主之有機金屬錯合物[btp2Ir(acac)]，且它們皆具有低電子俘獲性質及高電洞俘獲性質。換句話說，該等化合物具有與本發明之以吡為主之有機金屬錯合物相反的性質。
本發明之概念及效果已參考能帶圖說明於上。以下，將說明更為具體的結構。
具體模式2
具體模式2將引用可用於本發明發光元件的結構之具體材料。圖3例示發光元件的結構。
圖3說明本發明之發光元件。該發光元件包括介於作為陽極之第一電極301及作為陰極之第二電極302之間的發光層313，且發光層313包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物321、具有電子傳輸性質之第二有機化合物322及以吡為主之有機金屬錯合物323。發光層313的結構描述於下。
在發光層313中，第一有機化合物321為一種具有電洞傳輸性質之化合物。具體而言，可使用芳胺化合物例如4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯(縮寫：NPB)、4,4’-雙[N-(9-菲基)-N-苯胺基]聯苯(縮寫：PPB)、4,4’-雙[N-(3-甲基苯基)-N-苯胺基]聯苯(縮寫：TPD)、4,4’-雙[N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-苯胺基]聯苯(縮寫：DFLDPBi)、4,4’,4”-參(-二苯胺基)三苯胺(縮寫：TDATA)、4,4’,4”-參[N-(3-甲基苯基)-N-苯胺基]三苯胺(縮寫：m-MTDATA)、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(縮寫：TCTA)、1,1-雙[4-(二苯胺基)苯基]環己烷(縮寫：TPAC)、9,9-雙[4-(二苯胺基)苯基]茀(縮寫：TPAF)、4-(9-咔唑基)-4’-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)三苯胺(縮寫：YGAO11)、或N-(4-(9-咔唑基)苯基)-N-苯基-9,9-二甲基茀-2-胺(縮寫：YGAF)。而且，可使用咔唑衍生物例如4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(縮寫：CBP)、1,3-雙(N-咔唑基)苯(縮寫：mCP)、或1,3,5-參(N-咔唑基)苯(縮寫：TCzB)。此外，也可使用高分子化合物例如聚(4-乙烯基 三苯胺)(縮寫：PVTPA)作為該類芳胺化合物。作為咔唑衍生物，也可使用高分子化合物例如聚(N-乙烯基咔唑)(縮寫：PVK)。如上所述之第一有機化合物321的三重態激發能較佳大於以吡為主之有機金屬錯合物323的三重態激發能。
另一方面，第二有機化合物322為一種具有電子傳輸性質之化合物。具體而言，可使用雜芳族化合物例如9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]咔唑(縮寫：CO11)、1,3-雙[5-(對-第三-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(縮寫：OXD-7)、2-(4-聯苯基)-5-(4-第三-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(縮寫：PBD)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)參(1-苯基-1H-苯並咪唑)(縮寫：TPBI)、3-(4-第三-丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(縮寫：TAZ)、3-(4-第三-丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(縮寫：p-EtTAZ)、9,9’,9”-[1,3,5-三-2,4,6-三基]三咔唑(縮寫：TCzTRZ)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)參(6,7-二甲基-3-苯基喹噁啉)(縮寫：TriMeQn)、9,9’-(喹噁啉-2,3-二基二-4,1-伸苯基)二(9H-咔唑)(縮寫：CzQn)、3,3’,6,6’-四苯基-9,9’-(喹噁啉-2,3-二基二-4,1-伸苯基)二(9H-咔唑)(縮寫：DCzPQ)、深啡啉(縮寫：BPhen)、或浴銅靈(bathocuproine)(縮寫：BCP)。可使用金屬錯合物例如為雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(III)(縮寫：BAlq)、參[2-(2-羥苯基)- 5-苯基-1,3,4-噁二唑]鋁(III)(縮寫：Al(OXD)3)、參(2-羥苯基-1-苯基-1H-苯並咪唑)鋁(III)(縮寫：Al(BIZ)3)、雙[2-(2-羥苯基)苯並噻唑]鋅(II)(縮寫：Zn(BTZ)2)、或雙[2-(2-羥苯基)苯並噁唑]鋅(II)(縮寫：Zn(PBO)2)。進一步地，也可使用高分子化合物例如聚(2,5-吡啶-二基)(縮寫：PPy)作為該類雜芳族化合物。作為金屬錯合物，也可使用揭示於下列參考之金屬錯合物高分子化合物(TAO等人，C-H BOND ACTIVATION BY A FERRIC METHOXIDE COMPLEX：MODELING THE RATE-DETERMINING STEP IN THE MECHANISM OF LIPOXYGENASE,APPL.PHYS.LETT.(APPLIED PHYSICS LETTERS，第70冊，第12號，1997年3月24日，第1503-1505頁)。注意如上所述之第二有機化合物322的三重態激發能較佳大於以吡為主之有機金屬錯合物323的三重態激發能。
以吡為主之有機金屬錯合物323為一種有機金屬錯合物，其具有含吡骨架之配位基且其中心金屬為一種屬於第9族之元素(Co，Rh、Ir)或一種屬於第10族之元素(Ni、Pd、Pt)。而且，該有機金屬錯合物具有發磷光之性質。此以吡為主之有機金屬錯合物的特殊結構將說明於具體模式3中。
如上所述，第一有機化合物、第二有機化合物及以吡為主之有機金屬錯合物係適當組合而構成本發明發光元件的發光層。注意發光層可包括其他物質。
在發光層中，較佳為第一有機化合物及第二有機化合物之至少一個作為主體材料及以吡為主之有機金屬錯合物作為客體材料。這是為了避免以吡為主之有機金屬錯合物的濃度淬滅。而且，這是為了發光層中的載子平衡可藉由第一有機化合物及第二有機化合物予以調整。
因此，在本發明發光元件中，較佳為第一有機化合物及/或第二有機化合物的量大於以吡為主之有機金屬錯合物的量。具體而言，其體積分率或其質量分率較佳為高的。除此之外，以防止濃度淬滅而言，以吡為主之有機金屬錯合物對發光層的比率較佳為1質量%至10質量%(含端點值)。
在發光層中，第一有機化合物對第二有機化合物之質量比較佳在1：20至20：1之範圍。換句話說，第二有機化合物對第一有機化合物之質量比較佳為1/20至20(含端點值)。若具有其質量比不在該範圍內的第一和第二化合物之發光元件，其可實質上與在上述圖2A或2B的狀態相同。
本發明人已發現其中具有電子傳輸性質之第二有機化合物的量等於或高於具有電洞傳輸性質之第一有機化合物的量之發光層的結構是非常有效的。這似乎是由於在一般有機化合物中電洞遷移率高於電子遷移率。因此，在本發明中，第二有機化合物對第一有機化合物之質量比更佳為1至20(含端點值)。尤其，非常有效於獲得長使用壽命的範圍為5至20(含端點值)。
具體而言，用於本發明中之以吡為主之有機金屬錯合物的電子俘獲性質時常比第一有機化合物LUMO能階及第二有機化合物的LUMO能階低0.2eV或更多。在該情形中，壽命改良及效率改良是顯著的，且因此本發明之一特徵為以吡為主之有機金屬錯合物的LUMO能階比第一有機化合物的LUMO能階及第二有機化合物的LUMO能階低0.2eV或更多。
接著，說明非發光層313之層。電洞傳輸層312及電洞注入層311並非一定要設置，而是可依需要設置。形成這些層的具體材料較佳為電洞傳輸化合物，且可使用如上所述之NPB、PPB、TPD、DFLDPBi、TDATA、m-MTDATA、TCTA、TPAC、TPAF、YGAO11、YGAF、CBP、mCP、TCzB、PVTPA、PVK或類似物。也可使用具有低三重態激發能之蒽衍生物例如9,10-雙[4-(二苯胺基)苯基]蒽(縮寫：TPA2A)或2-第三-丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(縮寫：t-BuDNA)。本發明特徵也在於將具有低三重態激發能之蒽衍生物用於電洞傳輸層312及電洞注入層311。
此特徵可解釋如下。本發明之發光層313具有如具體模式1中所述之良好載子平衡，且發光區不存在於發光層313與電洞傳輸層312之間的界面附近。因此，即使一種具有低於以吡為主之有機金屬錯合物323之三重態激發能的物質用於電洞傳輸層312，該物質亦難以作為以吡為主之有機金屬錯合物323之淬滅體。
電洞傳輸層312或電洞注入層311可藉由混合上述電洞傳輸化合物及電子受體而形成。作為電子受體，除了有機化合物例如四氯苯醌(chloranil)或7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟對苯醌二甲烷(縮寫：F4-TCNQ)，可使用過渡金屬氧化物例如氧化鉬、氧化釩、或氧化錸。尤其是，作為電洞注入層311，也可使用有機化合物例如銅酞菁、釩氧酞菁、或氟碳化物、或無機化合物例如氧化鉬、氧化釕、或氧化鋁。電洞注入層311可具有一種藉由堆積二或更多層形成之多層結構。而且，電洞注入層311及電洞傳輸層312可藉由混合二或更多種類之物質形成。
電子傳輸層314及電子注入層315不是必然地需要，可依需要設置。作為形成這些層之具體材料，以電子傳輸化合物較佳。可使用上述CO11、OXD-7、PBD、TPBI、TAZ、p-EtTAZ、TCzTRZ、TriMeQn、CzQn、DCzPQ、BPhen、BCP、BAlq、Al(OXD)3、Al(BIZ)3、Zn(BTZ)2、Zn(PBO)2、PPy、或類似物。可使用一種具有低三重態激發能之物質例如參(8-羥基喹啉)鋁(III)(縮寫：Alq3)、參(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(縮寫：Almq3)、或雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹(II)(縮寫：BeBq2)(例如，據報告Alq3之磷光光譜為深紅色之約650至700奈米)。本發明特徵也在於將一種具有低三重態激發能之物質用作電子傳輸層314及電子注入層315。
此特徵可解釋如下。本發明之發光層313具有如具體模式1中所述之良好載子平衡，且發光區不存在於發光層 313與電子傳輸層314之間的界面附近。因此，即使將一種具有低於以吡為主之有機金屬錯合物323之三重態激發能的物質用於電子傳輸層314，該物質亦難以作為以吡為主之有機金屬錯合物323之淬滅體。
電子傳輸層314及電子注入層315可藉由混合上述電子傳輸化合物及電子予體而形成。作為電子予體，除了有機化合物例如四硫富瓦烯之外，可使用鹼金屬例如鋰或銫、鹼土金屬例如鎂或鈣、稀土金屬例如鉺或鐿、或這些金屬之氧化物。尤其是，作為電子注入層315，可單獨使用鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物、或稀土金屬化合物，例如氧化鋰、氟化鋰、氟化鈣、氟化鉺。電子注入層315可具有藉由堆積二或更多層而形成之多層結構。而且，電子傳輸層314及電子注入層315可藉由混合二個或更多種類的物質而形成。
雖然對第一電極301沒有特別的限制，如具體模式2中所述，當第一電極301作為陽極時，較佳為使用一種具有高功函數之物質形成第一電極301。具體而言，除了氧化銦錫(ITO)，可使用包含氧化矽之氧化銦錫(ITSO)、或包含2至20重量%氧化鋅(IZO)之氧化銦、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、或類似物。第一電極301可藉由(例如)濺鍍法、蒸鍍法、或類似者形成。
雖然對第二電極302沒有特別的限制，如具體模式2 中所述，當第二電極302作為陰極時，較佳為使用一種具有低功函數之物質形成第二電極302。具體而言，除了鋁(Al)或銦(In)、可使用鹼金屬例如鋰(Li)或銫(Cs)、鹼土金屬例如鎂(Mg)或鈣(Ca)、或稀土金屬例如鉺(Er)或鐿(Yb)。除此之外，也可使用合金例如鋁-鋰合金(AlLi)或鎂-銀合金(MgAg)。此外，當電子傳輸化合物及電子予體合併而形成電子注入層315時，可使用一種具有高功函數之高透光性物質。第二電極302可藉由(例如)濺鍍法、蒸鍍法、或類似者形成。
為了將所產生之光擷取至外面，較佳為第一電極301及第二電極302其中之一或二者係為由高透光性物質例如ITO、ITSO、或IZO所形成之電極。或者，第一電極301及第二電極302之一或二個較佳為一種經形成具有數奈米至數十奈米厚度致使可透過可見光之電極。
在上述本發明之發光元件中，電洞注入層311、電洞傳輸層312、發光層313、電子傳輸層314、及電子注入層315各自可藉由任何方法例如蒸鍍法、噴墨法、或塗佈法形成。第一電極301或第二電極302也可藉由任何方法例如蒸鍍法、噴墨法、或塗佈法形成。
上述本發明之發光元件可應用於串聯式發光元件(也稱為多光子元件)。
具體模式3
具體模式3將具體說明可用於本發明發光元件的以吡 為主之有機金屬錯合物的結構。
以吡為主之有機金屬錯合物為一種具有配位基且其中心金屬為一種屬於第9族之元素(Co、Rh、Ir)或一種屬於第10族之元素(Ni、Pd、Pt)的有機金屬錯合物，且該配位基具有吡骨架。而且，該有機金屬錯合物可具有發磷光之性質。
許多屬於第9或10族之有機金屬錯合物顯示MLCT(金屬到配位基的電荷轉移)轉移。尤其是，在磷光化合物中常觀察到三重態MLCT轉移。顯示MLCT轉移之有機金屬錯合物的LUMO能階係藉由配位基的LUMO能階之等級來測定。因此，如果使用一種具有高LUMO能階之配位基，有機金屬錯合物的LUMO能階也是高的，如果使用具有低LUMO能階之配位基，有機金屬錯合物的LUMO能階也是低的。吡具有低於吡啶之LUMO能階，因此本發明之以吡為主之有機金屬錯合物顯示低於習知以吡啶為主之有機金屬錯合物的LUMO能階(也就是，較高電子俘獲性質)。
用於本發明的以吡為主之有機金屬錯合物的配位基具有吡骨架。尤其是，當該配位基為2-芳基吡衍生物時，該配位基可被環金屬化至中心金屬。該經環金屬化之錯合物可實現高磷光量子產率。因此，該配位基較佳為2-芳基吡衍生物。
作為其2-芳基吡衍生物經環金屬化之有機金屬錯合物，給予以下列通式(G1)為代表之有機金屬錯合物。
在該通式中，Ar表示伸芳基。R1表示烷基或芳基。R2表示氫、烷基或芳基。R3表示氫或烷基。除此之外，R2和R3可彼此結合形成脂環。此外，M為中心金屬且表示一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。
而且，當2-苯基吡衍生物(其為一種2-芳基吡衍生物)為配位基時，配位基可經鄰位金屬化至中心金屬(鄰位金屬化為一種環金屬化)。本發明人已發現該類其中2-苯基吡被鄰位金屬化之鄰位-金屬錯合物可尤其實現高磷光量子產率。因此，配位基之較佳模式為2-苯基吡衍生物。
作為其中2-苯基吡衍生物被鄰位金屬化之有機金屬錯合物，給予具有以下列通式(G2)表示之結構的有機金屬錯合物。
在該通式中，R1表示烷基或芳基。R2表示氫、烷基 或苯基。R3表示氫或烷基。此外，R2和R3可彼此結合形成脂環。R4至R7表示氫、烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基及烷氧羰基中之任一個。此外，M為中心金屬且表示一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。
在其中2-苯基吡衍生物被鄰位金屬化之有機金屬錯合物中，一種其中2,5-二苯基吡衍生物被鄰位金屬化之有機金屬錯合物具有更低的LUMO能階。因此，當配位基為2,5-二苯基吡衍生物時，本發明發光元件的效果是顯著的，因此其為較佳的。
作為其中2,5-二苯基吡衍生物被鄰位金屬化之有機金屬錯合物，給予一種具有下列通式(G3)之有機金屬錯合物。
在該通式中，R1表示烷基或苯基。R3表示氫或烷基。R4至R12表示氫、烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基及烷氧羰基中之任一個。此外，M為中心金屬且表示一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。
具體而言，具有以通式(G1)至(G3)表示之結構 的有機金屬錯合物較佳為非吡衍生物之具有以通式(G4)至(G6)表示之配位基L的混合配位基有機金屬錯合物。這是因為該等錯合物容易合成。
在該通式中，Ar表示伸芳基。R1表示烷基或芳基。R2表示氫、烷基或芳基。R3表示氫或烷基。此外，R2和R3可彼此結合形成脂環。此外，M為中心金屬且表示一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。L為單陰離子配位基。當M為一種屬於第9族元素時，n為2(n=2)，且當M為一種屬於第10族元素時，n為1(n=1)。
在該通式中，R1表示烷基或苯基。R2表示氫、烷基或苯基。R3表示氫或烷基。此外，R2和R3可彼此結合形成脂環。R4至R7表示氫、烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧 基、及烷氧羰基中之任一個。此外，M為中心金屬，且表示一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。L為單陰離子配位基。當M為一種屬於第9族元素時，n為2(n=2)，且當M為一種屬於第10族元素時，n為1(n=1)。
在該通式中，R1表示烷基或苯基。R3表示氫或烷基。R4至R12表示氫、烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基及烷氧羰基中的任一個。除此之外，M為中心金屬且表示一種屬於第9族之元素或一種屬於第10族之元素。L為單陰離子配位基。當M為一種屬於第9族元素時，n為2(n=2)，且當M為一種屬於第10族元素時，n為1(n=1)。
以重原子效應而言，上述以吡為主之有機金屬錯合物的中心金屬較佳為銥或鉑。尤以銥較佳，因為銥可提供顯著的重原子效應、非常高的效率且為化學安定的。
接著，將詳細說明在上述通式(G1)至(G6)中之伸芳基Ar、各取代基R1至R12、及單陰離子配位基L。
作為伸芳基Ar，較佳為使用一種具有6至25個碳原子之伸芳基，具體而言，可使用伸苯基類、伸咯啶類、伸萘基類、螺茀-二基類、9,9-二甲基茀-二基類、9,9-二烷基茀-二基類。而且，這些伸芳基Ar可具有取代基。作為其取代基，可使用烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基、烷氧羰基或類似物。
接著，R1表示烷基或苯基。而且，苯基可具有取代基。作為取代基，可使用烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基、烷氧羰基或類似物。
R2表示氫、烷基或苯基。而且，苯基可具有取代基。作為取代基，可使用烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基、烷氧羰基或類似物。
R3表示氫或烷基。此外，R2和R3可彼此結合形成脂環。具體而言，R2和R3彼此結合形成1,4-伸丁基類基團。
R4至R12表示氫、烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基、或烷氧羰基。
在上述結構中，烷基較佳具有1至4個碳原子，具體可舉出甲基、乙基、異丙基、第三-丁基或類似物。此外，推薦氟及氯為鹵素且從化學安定性之觀點氟為較佳。作為鹵烷基，三氟甲基為較佳。而且，烷氧基較佳具有1至4個碳原子，具體可舉出甲氧基、乙氧基、異丙氧基、第三-丁氧基。此外，烷氧羰基較佳具有2至5個碳原子，且可具體舉出甲氧羰基、乙氧羰基、異丙氧羰基及第 三-丁氧羰基作為烷氧羰基。
接著，將說明單陰離子配位基L。單陰離子配位基L較佳為具有β-二酮結構之單陰離子雙配位基螯合物配位基、具有羧基之單陰離子雙配位基螯合物配位基、具有酚式羥基之單陰離子雙配位基螯合物配位基或其中二個配位基元素皆為氮之單陰離子雙配位基螯合物配位基，因為它們具有高配位能力。更具體而言，舉出以下列結構式(L1)至(L8)表示之單陰離子配位基。然而，單陰離子配位基L並不限於這些配位基。
由上述模式，可形成用於本發明之以吡為主之有機金屬錯合物的結構。具體結構式如下所示(結構式(1)至(17))。注意本發明以吡為主之有機金屬錯合物並不限於這些錯合物。
具體模式4
具體模式4將說明一影像顯示裝置，作為具有本發明發光元件之發光裝置的實例。
此具體模式將參照圖31A及31B說明在像素部分中具有本發明發光元件之影像顯示裝置。圖31A為例示發光裝置之俯視圖而圖31B為沿著圖31A之線A-A’及B-B’取得的剖視圖。此影像顯示裝置包括以虛線顯示之驅動電路部分(源極側驅動電路)601；以虛線顯示之像素部分602；及以虛線顯示之驅動電路部分(閘極側驅動電路)603，以控制發光元件之發光。而且，參考號604表示密封基板；605，密封材料；及607，被密封材料605包圍的空間。
導線配線608係設置來將輸入之信號傳輸至源極側驅動電路601及閘極側驅動電路603，及從作為外輸入終端的FPC(撓性印刷電路)609接收視頻信號、時鐘信號、啟動信號、重設信號及類似者。雖然在此只舉例說明FPC，但該FPC也可安裝有印刷電路板(PWB)。本說明書中之發光裝置不僅包括發光裝置本身且發光裝置，而且還包括連接有FPC或PWB的發光裝置。
接著，參照圖31B說明截面結構。在元件基板610上形成有驅動電路部分及像素部分。在此示出了源極側驅動電路601(其為驅動電路部分)及在像素部分602中的一個像素。
在源極側驅動電路601中，形成其中組合了n-通道TFT 623及p-通道TFT 624之CMOS電路。該類驅動電路 可藉由使用各種電路例如CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。雖然此具體模式例示了其中驅動電路在基板上形成之驅動整合型裝置，但本發明並不侷限於此，驅動電路亦可在基板外形成，而不在基板上形成。
像素部分602包括多數個像素，各包括開關TFT 611、電流控制TFT 612及電連接至電流控制TFT 612之汲極的第一電極613。形成絕緣體614以使覆蓋第一電極613的端部。在此，絕緣體614係使用正型光敏丙烯酸系樹脂膜形成。
為了改良覆蓋的範圍，絕緣體614的上端部或下端部係經形成具有一具曲度的曲面。例如，在正型光敏丙烯酸系樹脂使用於絕緣體614之情形中，較佳為只有絕緣體614的上端部具有一具曲度的曲面(0.2至3μm之曲度半徑)。作為絕緣體614，可使用以藉由用光照射在蝕刻劑中變成不溶解之負型或藉由用光照射在蝕刻劑中變成溶解之正型。
在第一電極613上，形成包括發光層之層616以及第二電極617。在此，第一電極613可用各種金屬、合金、導電性化合物或其混合物形成。當第一電極用作為陽極時，在該等材料之中，較佳使用具有高功函數(4.0eV或更高之功函數)之金屬、合金、導電性化合物或其混合物、或類似物。例如，可使用包含矽之氧化銦錫、氧化銦鋅(IZO)、氮化鈦薄膜、鉻薄膜、鎢薄膜、Zn薄膜、Pt薄膜或類似物的單層。而且，可使用包括氮化鈦薄膜及含 有鋁作為其主成份之薄膜的多層；包括氮化鈦薄膜、含有鋁作為其主成份之薄膜及氮化鈦薄膜的三層結構；或類似物。多層結構可達成低配線電阻、有利的歐姆接觸及作為陽極之功能。
包括發光層之層616係藉由各種方法例如使用蒸鍍罩之蒸鍍法、噴墨法、旋轉塗布法或類似者形成。包括發光層之層616具有具體模式1至具體模式3中所述之發光層。作為包括發光層之層616的另一材料，可使用低分子材料、具有介於高分子材料及低分子材料之間的中間性質之中分子材料(包括寡聚物及樹枝狀聚合物)、或高分子材料。作為用於包括發光層之層的材料，不只可使用有機化合物也可使用無機化合物。
作為第二電極617之材料，可使用各種類型之金屬、合金、導電性化合物或這些之混合物、或類似物。當使用第二電極作為陰極時，在它們之中，以各具有低功函數(3.8eV或更低之功函數)之金屬、合金、導電性化合物或這些之混合物、或類似物較佳。作為實例子，可舉出一種屬於週期表中的第1族或第2族之元素，也就是，鹼金屬例如鋰(Li)或銫(Cs)、鹼土金屬例如鎂(Mg)、鈣(Ca)、或鍶(Sr)、或包含這些之任一個的合金(例如Mg：Ag或Al：Li)；及類似者。在包括發光層之層616中所產生之光係透過第二電極617之情形中，第二電極617較佳為用多層之其厚度製成薄的金屬薄膜，及透明導電薄膜(氧化銦錫(ITO)、包括矽或矽氧化物之氧化 銦錫、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化鎢及氧化鋅之氧化銦(IWZO)、或類似物)來形成。
當密封基板604及元件基板610以密封材料605彼此貼合時，發光元件618係提供於被元件基板610、密封基板604及密封材料605包圍之空間607中。空間607可裝滿填充劑，且可裝滿惰性氣體(例如氮或氬)、密封材料605或類似物。
作為密封材料605，以環氧基基質樹脂較佳。該材料較佳為儘可能不透過溼氣及氧。作為用於密封基板604之材料，除玻璃基板或石英基板之外可使用由FRP(玻璃纖維強化塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸系樹脂或類似物所製造之塑膠基板。
以此方式，可提供具有本發明發光元件之主動矩陣影像顯示裝置。
雖然此具體模式已經描述其中發光元件的驅動係藉由電晶體控制之主動矩陣型影像顯示裝置，但該影像顯示裝置可為其中發光元件被驅動而沒有特別地提供用於驅動之元件(例如電晶體)的被動類型。圖32為應用本發明製造之被動型影像顯示裝置的透視圖。在圖32中，包括發光層之層955係設置在基板951上的電極952與電極956之間。電極952的端部係用絕緣層953覆蓋。然後，絕緣層953上設置有分隔層954。分隔層954的側壁具有該類致使在側壁和其他側壁之間的距離向接近基板表面變短的傾斜度。也就是說，分隔層954的截面在短邊方向為似梯 形，其中底邊(與絕緣層953之表面方向相同的方向之側，其與絕緣層953接觸)比上邊(與絕緣層953之表面方向相同的方向之側，其不與絕緣層953接觸)短。以此方式，藉由提供分隔層954，可避免發光元件因靜電及類似者所產生的缺陷問題。
如上所述，具體模式4中所述之本發明的影像顯示裝置具有具體模式1至3中所述之本發明的發光元件。因此，該影像顯示裝置具有高發光效率及長使用壽命。所以，使用本發明發光元件之影像顯示裝置消耗低電力且具有長使用壽命。
具體模式4可任意與其他具體模式之任一個組合。
具體模式5
本發明之發光元件可使用於照明裝置，其為發光裝置之一實例，因為本發明之發光元件具有高發光效率及長使用壽命。具體模式5將說明使用本發明發光元件之照明裝置的應用實例。
圖4A顯示液晶顯示裝置之實例，其中本發明之發光元件用作背光。圖4A中所例示之液晶顯示裝置包括外罩401、液晶層402、背光403及外罩404，其中液晶層402連接至驅動IC 405。背光403使用本發明之發光元件，及電流係經過終端406供應到背光403。
當本發明之發光元件用作液晶顯示裝置之背光時，可獲得具有高發光效率及長使用壽命之背光。而且，因為使 用本發明發光元件之背光為一種面發光且可以大面積形成之照明裝置，所以背光可做得較大且液晶顯示裝置也可具有較大面積。而且，因為發光裝置是薄的且消耗較少電力，所以顯示裝置之厚度及電力消耗可減少。
圖4B說明其中將使用本發明發光元件之照明裝置用作桌燈之光源的例子。圖4B中所說明之桌燈包括外罩411及光源412。本發明之發光元件用作光源412。因為本發明之發光元件具有長使用壽命，所以該桌燈也可具有長使用壽命。
具體模式5中所述之本發明照明裝置具有具體模式1至3中所述之本發明發光元件。因此，該照明裝置具有高發光效率及長使用壽命。因此，使用本發明發光元件之照明裝置電力消耗低且具有長使用壽命。
具體模式6
具體模式4中所述之本發明影像顯示裝置可顯示極佳影像。因此，能夠提供極佳影像之電子裝置可藉由將本發明之影像顯示裝置應用於該電子裝置之顯示部分而獲得。此外，包括本發明發光元件之影像顯示裝置或照明裝置(也就是發光裝置)消耗低電力且具有長使用壽命。因此，具低電力消耗之電子裝置可藉由將本發明之發光裝置應用於該電子裝置之顯示部分而獲得，且例如可獲得具有長電池待命時間或類似者之電話，及類似物。下文將顯示合併有其中應用了本發明發光元件之發光裝置的電子裝置 之體系。
圖5A為一種藉由應用本發明而製造之電腦，其包括主體511、外殼512、顯示部分513、鍵盤514、等等。該電腦可藉由將包括本發明發光元件之發光裝置併入顯示部分而完成。
圖5B為一種藉由應用本發明而製造之電話，其中主體522包括顯示部分521、聲頻輸出部分524、聲頻輸入部分525、操作開關526及527、天線523、等等。該電話可藉由將包括本發明發光元件之發光裝置併入顯示部分而完成。
圖5C為一種藉由應用本發明而製造之電視機，其包括顯示部分531、外殼532、揚聲器533、及類似者。該電視機可藉由將包括本發明發光元件之發光裝置併入顯示部分而完成。
如上所述，本發明之發光裝置非常適用於各種類型電子裝置之顯示部分。
雖然電腦及類似物已經描述在具體模式中，但是具有本發明發光元件之發光裝置也可安裝在導航系統、照明裝置、或類似物中。
100‧‧‧發光層
101‧‧‧電洞傳輸層
102‧‧‧電子傳輸層
111‧‧‧第一有機化合物的HOMO能階
112‧‧‧第一有機化合物的LUMO能階
121‧‧‧第二有機化合物的HOMO能階
122‧‧‧第二有機化合物的LUMO能階
131‧‧‧以吡為主之有機金屬錯合物的HOMO能階
132‧‧‧以吡為主之有機金屬錯合物的LUMO能階
200‧‧‧發光層
201‧‧‧電洞傳輸層
202‧‧‧電子傳輸層
211‧‧‧第一有機化合物的HOMO能階
212‧‧‧第一有機化合物的LUMO能階
221‧‧‧第二有機化合物的HOMO能階
222‧‧‧第二有機化合物的LUMO能階
231‧‧‧以吡為主之有機金屬錯合物的HOMO能階
232‧‧‧以吡為主之有機金屬錯合物具有較低LUMO能階
301‧‧‧第一電極
302‧‧‧第二電極
311‧‧‧電洞注入層
312‧‧‧電洞傳輸層
313‧‧‧發光層
314‧‧‧電子傳輸層
315‧‧‧電子注入層
321‧‧‧第一有機化合物
322‧‧‧第二有機化合物
323‧‧‧以吡為主之有機金屬錯合物
401‧‧‧外罩
402‧‧‧液晶層
403‧‧‧背光
404‧‧‧外罩
405‧‧‧驅動IC
406‧‧‧終端
411‧‧‧外罩
412‧‧‧光源
511‧‧‧主體
512‧‧‧外罩
513‧‧‧顯示部分
514‧‧‧鍵盤
521‧‧‧顯示部分
522‧‧‧主體
523‧‧‧天線
524‧‧‧聲頻輸出部分
525‧‧‧聲頻輸入部分
526‧‧‧操作開關
532‧‧‧外罩
533‧‧‧揚聲器
601‧‧‧驅動電路部分(源極側驅動電路)
602‧‧‧像素部分
603‧‧‧驅動電路部分(閘極側驅動電路)
604‧‧‧密封基板
605‧‧‧密封材料
607‧‧‧空間
608‧‧‧導線
609‧‧‧FPC(撓性印刷電路)
610‧‧‧元件基板
611‧‧‧開關TFT
612‧‧‧電流控制TFT
613‧‧‧第一電極
614‧‧‧絕緣體
616‧‧‧包括發光層之層
617‧‧‧第二電極
618‧‧‧發光元件
623‧‧‧n-通道TFT
624‧‧‧p-通道TFT
951‧‧‧基板
952‧‧‧電極
953‧‧‧絕緣層
954‧‧‧分隔層
955‧‧‧包括發光層之層
956‧‧‧電極
在所附圖式中：圖1為本發明之一方面的發光元件之能帶圖；圖2A及2B為習知發光元件之能帶圖； 圖3說明本發明之一方面的發光元件之元件結構；圖4A及4B說明使用本發明之一方面的發光元件之照明裝置；圖5A至5C說明使用本發明之一方面的發光裝置之電子裝置；圖6A及6B為顯示實例2中所形成之發光元件的特性圖；圖7為顯示實例2中所形成之發光元件的特性圖；圖8為顯示實例2中所形成之發光元件的發射光譜圖；圖9為顯示實例2中所形成之發光元件的亮度退化曲線圖；圖10A及10B為顯示實例3中所形成之發光元件的特性圖；圖11為顯示實例3中所形成之發光元件的特性圖；圖12為顯示實例3中所形成之發光元件的發射光譜圖；圖13為顯示實例2中所形成之發光元件的亮度退化曲線圖；圖14A及14B為顯示實例4中所形成之發光元件的特性圖；圖15為顯示實例4中所形成之發光元件的特性圖；圖16為顯示實例4中所形成之發光元件的發射光譜圖； 圖17為顯示實例4中所形成之發光元件的亮度退化曲線圖；圖18A及18B為顯示實例5中所形成之發光元件的特性圖；圖19為顯示實例5中所形成之發光元件的特性圖；圖20為顯示實例5中所形成之發光元件的發射光譜圖；圖21為顯示發光元件實例5中所形成之的亮度退化曲線圖；圖22A及22B為顯示實例6中所形成之發光元件的特性圖；圖23為顯示實例6中所形成之發光元件的特性圖；圖24為顯示實例6中所形成之發光元件的發射光譜圖；圖25為顯示實例6中所形成之發光元件的亮度退化曲線圖；圖26A及26B為顯示實例7中所形成之發光元件的特性圖；圖27為圖顯示實例7中所形成之發光元件的特性圖；圖28為顯示實例7中所形成之發光元件的發射光譜圖；圖29為顯示實例7中所形成之發光元件的亮度退化曲線圖； 圖30為顯示藉由實例1中之測量獲得的CV曲線圖；圖31A及31B說明使用本發明之一方面的發光元件之發光裝置；圖32A及32B說明使用本發明之一方面的發光元件之發光裝置；圖33A及33B為顯示實例8中所形成之發光元件的特性圖；圖34為顯示實例8中所形成之發光元件的特性圖；圖35為顯示實例8中所形成之發光元件的發射光譜圖；及圖36為顯示實例8中所形成之發光元件的亮度退化曲線圖。
實例1
在實例1中，評估可使用於本發明發光元件的有機金屬錯合物(以吡為主之有機金屬錯合物)之電子俘獲性質。有機金屬錯合物具有一種含吡骨架之配位基及屬於第9或10族之元素的中心金屬。
在此評估中，以吡為主之有機金屬錯合物的還原反應特性係藉由循環伏安法(CV)測量來測定，且LUMO能階係從評估結果計算。為了比較，習知以吡啶為主之有機金屬錯合物及作為主體材料之物質的LUMO能階係以 相同方式計算，且與以吡為主之有機金屬錯合物的LUMO能階比較。注意該測量係使用電化學分析儀(ALS模型600A或600C，由BAS公司製造)。
至於在CV測量中所使用的溶液，係使用脫水二甲基甲醯胺(DMF，由Aldrich製造，99.8%，目錄號：22705-6)作為溶劑。將過氯酸四-正-丁銨(正-Bu4NClO4，由東京化學工業股份有限公司製造，目錄號：T0836)(其為支援電解質)溶解在溶劑中以使過氯酸四-正-丁銨的濃度為100毫莫耳/升。而且，溶解欲測量之目標以使其濃度設定於1毫莫耳/升。而且，使用鉑電極(PTE鉑電極，由BAS公司製造)作為工作電極。使用鉑電極(VC-3 Pt反電極(5公分)，由BAS公司製造)作為反電極。使用Ag/Ag+電極(RE5非水溶劑參考電極，由BAS公司製造)作為參考電極。應注意測量係於室溫(20至25℃)進行。此外，CV測量之掃描速度為0.1伏特/秒。
(相對於參考電極之真空度的電位能計算)
首先計算相對於在此實例中所使用之參考電極(Ag/Ag+電極)之真空度的電位能(eV)。換句話說，計算Ag/Ag+電極之費米能階。已知相對於標準氫電極，二茂鐵在甲醇中之氧化還原電位為+0.610(V對SHE)(參考：Christian R.Goldsmith等人，J.Am.Chem.Soc.，第124冊，第1,83-96號，2002)。另一方面，當使用此實例中所使用之參考電極計算二茂鐵在甲醇中之氧化還原電 位時，其為+0.20V[對Ag/Ag+]。因此，發現此實例中所使用之參考電極的電位能低於標準氫電極的電位能0.41[eV]。
注意已知來自標準氫電極之真空度的電位能為-4.44eV(參考：ONISHI.T等人，高分子EL材料-發光高分子化合物之發展(High molecular EL materials-development of light-emitting high molecular compounds.)，2004，第64-67頁，KYORITSU SHUPPAN)。因此，此實例中所使用之相對於參考電極之真空度的電位能如下：-4.44-0.41=-4.85[eV]。
(測量例：結構式(9))
在此測量例中，LUMO能階以CV測量之計算係取以結構式(9)表示之Ir(tppr)2(acac)作為例子描述。圖30為一顯示還原反應特性的CV測量結果之曲線圖。在還原反應特性的測量中，工作電極相對於參考電極之電位從-0.34改變至-2.40V，然後從-2.40V改變至-0.34V。
如圖30中所例示的，還原尖峰電位Epc為-1.88V。氧化尖峰電位Epa為-1.82V。因此，半波電位(介於Epc及Epa之間的中間電位)計算為-1.85V。此表示Ir(tppr)2(acac)被-1.85之電能(V對Ag/Ag+)還原且此能量對應於LUMO能階。如上所述，實例1中所使用之參考電極相對於真空度的電位為-4.85[eV]，因此，發現以結構式(9)表示之以吡為主之有機金屬錯合物的 LUMO能階如下：-4.85-(-1.85)=-3.00[eV]。
(測量結果)
以同樣方式，測量具體模式3中所揭示的以吡為主之有機金屬錯合物的LUMO能階。為了比較，測量以吡啶為主之有機金屬錯合物例如[btpIr(acac)](下示結構式(I))及Ir(ppy)2(acac)(下示結構式(II))的LUMO能階，[btpIr(acac)]為專利文獻1中所使用之有機金屬錯合物。此外，作為參考，也評估廣泛地用作紅色磷光化合物的主體材料之電子傳輸化合物BAlq(下列結構式(III))的LUMO能階。
結果示於表中1。從表1可知，如與以吡啶為主之有機金屬錯合物(表1中之(I)至(III))比較，所有以吡為主之有機金屬錯合物(表1中之(1)、(3)-(9)、(13)-(15)、及(17))均具有較低LUMO能階，其低於-2.7eV。以吡為主之有機金屬錯合物的LUMO能階低於BAlq的LUMO能階。另一方面，以吡啶為主之有機金屬錯合物具有比Balq之LUMO能階高的LUMO能階。因此，從此實例的結果，顯示本發明中所使用的以吡為主之有機金屬錯合物具有較高電子俘獲性質。
實例2
實例2將參考比較例具體舉例說明本發明之發光元件。實例2中所使用之物質的分子結構顯示於下。此外，圖3例示該元件的結構。
<<本發明之發光元件1、本發明之發光元件2、比較發光元件3和比較發光元件4的製造>>
首先，製備其上形成有110-奈米厚的氧化銦錫矽(ITSO)薄膜之玻璃基板。以聚醯亞胺薄膜覆蓋ITSO的表面週邊以使面積為2毫米×2毫米的表面暴露出來。注意ITSO為用作該發光元件之陽極的第一電極301。作為形成發光元件之預處理，基板之表面以多孔樹脂刷洗滌，在200℃烘烤一小時且進行UV臭氧處理(UV-Ozone treatment)370秒。
然後，將基板固定於設置在真空蒸鍍裝置中之夾座以使具有ITSO的表面朝下。
在真空蒸鍍裝置中的壓力減少到10-4Pa之後，將以結構式(i)表示之NPB及氧化鉬(VI)共蒸鍍致使符合NPB：氧化鉬(VI)=4：1(質量比)，藉以形成電洞注入層311。其厚度為50奈米。注意共蒸鍍方法為一種其中複數個不同物質同時從個別不同蒸鍍源蒸鍍之蒸鍍方 法。接著，將NPB蒸鍍至10奈米厚，藉以形成電洞傳輸層312。
此外，在電洞傳輸層312上，形成具有30奈米厚度之發光層313。發光元件1、發光元件2、比較發光元件3和比較發光元件4之發光層313的結構各顯示於表2中。發光元件1和發光元件2為本發明之發光元件，其使用NPB作為第一有機化合物，以結構式(ii)表示之BAlq作為第二有機化合物，及以具體模式3中的結構式(9)表示之Ir(tppr)2(acac)作為以吡為主之有機化合物。從表2可知，發光元件1和發光元件2之間的NPB對Balq之比率不同。另一方面，比較發光元件3只使用NPB作為主體材料而沒有使用BAlq。除此之外，比較發光元件4只使用BAlq作為主體材料而沒有使用NPB。發光層313全部藉由共蒸鍍方法形成。
然後，在發光層313之上將BAlq蒸鍍至10奈米厚，藉以形成電子傳輸層314。此外，在電子傳輸層314上，將以結構式(iii)表示之Alq3及鋰(Li)共蒸鍍以使符合Alq3：Li=1：0.01(質量比)，藉以形成電子注入層 315。其厚度為50奈米。最後，形成200奈米厚的鋁作為用作陰極之第二電極302，藉以獲得發光元件。注意，在上述蒸鍍方法中，蒸鍍全部藉由電阻加熱方法進行。
<<發光元件1、發光元件2、比較發光元件3和比較發光元件4的操作特性>>
在將如上述獲得之發光元件1、發光元件2、比較發光元件3和比較發光元件4密封於具氮氛圍的套手工作箱中以使不暴露於空氣中之後，測量這些發光元件的操作特性。注意測量係於室溫(保持在25℃下之氛圍)下進行。
圖6A顯示該等發光元件的電流密度-亮度特性，且圖6B顯示其電壓-亮度特性。圖7顯示這些發光元件的亮度-電流效率特性。圖8顯示這些發光元件的發射光譜。該等發光元件的發射光譜幾乎相同，且發光為衍生自Ir(tppr)2(acac)之紅色發光。注意只有比較發光元件3，在約480奈米些微地觀察到BAlq之發光。
從圖7可知，在實際亮度區(100cd/m2或更多)中比較發光元件3和比較發光元件4的電流效率兩者都大幅減少。比較發光元件3係處於具體模式1的圖2A中所說明之狀態。因為將具有高電子俘獲性質之Ir(tppr)2(acac)加進本身為電洞傳輸化合物之NPB中，發光區被限制在發光層313與電子傳輸層314之間的界面附近。在圖8之比較發光元件3的光譜中，些微地觀察到使用於電子傳輸 層314之BAlq的發光。換句話說，可知電洞到達電子傳輸層314，其引起電流效率的減少。比較發光元件4係處於具體模式1的圖2B中所說明之狀態。因為具有高電子俘獲性質之Ir(tppr)2(acac)被加至本身為電子傳輸化合物之BAlq，所以據信載子平衡不良且電流效率減少。此外，從圖6B清楚可知，驅動電壓高。
另一方面，從圖7清楚可知本發明之發光元件1和發光元件2顯示非常高的發光效率。尤其，從表3清楚可知其外部量子效率是顯著的，於1000cd/m2下高於20%。
接著，將初始亮度設定於1000cd/m2，且在恆定電流密度下驅動這些元件。當時，獲得如圖9中所看見之亮度退化曲線。圖9為其中當初始亮度為100時水平軸表示時間及垂直軸表示相對亮度(%)之曲線圖。從圖9清楚可知，本發明之發光元件具有大幅改善的使用壽命。
表3顯示於1000cd/m2下之特性及使用壽命的比較。注意因為元件到達亮度半衰期需花很多時間，故依照亮度減少達10%的時間比較元件的使用壽命。
在只使用NPB作為主體材料之比較發光元件中及在只使用BAlq作為主體材料之比較發光元件4中，電流效率、外部量子效率、及電力效率非常低。相反地，從表3清楚可知，發光層使用NPB及BAlq之發光元件1和發光元件2的電流效率、外部量子效率、及電力效率非常高。從單獨使用的NPB或BAlq之特性不會預期到這些結果。使用壽命亦為同樣的情況。尤其是，發光元件2可具有非常長的使用壽命，且其亮度半衰期估計為約50,000小時。
如上所述，可發現本發明之發光元件可達成高發光效率及長使用壽命兩者。因此，藉由實施本發明，可提供具有高發光效率且長使用壽命的發光元件。
實例3
實例3將具體說明本發明之發光元件(發光元件5)的製造例。圖3例示該發光元件的結構。
<<本發明之發光元件5的製造>>
以與實例2中之發光元件1相同的方式形成電洞注入層311及電洞傳輸層312。在電洞傳輸層312之上形成發光層313。發光層313包括作為第一有機化合物之NPB、作為第二有機化合物之BAlq及作為以吡為主之有機金屬錯合物的以具體模式3中的結構式(9)表示之Ir(tppr)2(acac)。藉由共蒸鍍形成發光層313致使質量比為NPB：BAlq：Ir(tppr)2(acac)=0.1：1：0.06。厚度為50奈米。
其次，蒸鍍10-奈米厚的Alq3以形成電子傳輸層314。在電子傳輸層314上，以Alq3：Li=1：0.01之質量比使Alq3及鋰(Li)共蒸鍍而形成電子注入層315。厚度為20奈米。最後，形成200-奈米厚的鋁作為用作陰極之第二電極302。以此方式，製成本發明之發光元件。所有上述蒸鍍方法係藉由電阻加熱進行。
<<發光元件5的操作特性>>
將如此獲得之發光元件5密封在具有氮氛圍之套手工作箱中以使發光元件不暴露於空氣中，測量發光元件的操作特性。注意測量係於室溫(保持在25℃下之氛圍)下進行。
圖10A顯示發光元件5的電流密度-亮度特性且圖10B顯示其電壓-亮度特性。圖11顯示發光元件5之亮度-電流效率特性及亮度-外部量子效率特性。圖12顯示發光 元件5之發射光譜。發光元件5之發射光譜係衍生自Ir(tppr)2(acac)。
從圖12可知，發光元件5之發射光譜的峰係在620奈米附近，且發光元件5顯示紅色發光，其CIE色度坐標為(x，y)=(0.65，0.35)。
而且，從圖11可知，本發明發光元件5的電流效率於200cd/m2下到達最大值，30cd/A，其效率非常高。外部量子效率在此情形中為23%。此外，於被認為是實際亮度區之1000cd/m2下，電流效率為27cd/A(外部量子效率為20%)且為非常高之效率。
發光元件5使用具有低於作為發光物質之Ir(tppr)2(acac)(發射波長：620奈米或更小)的三重態激發能之Alq3，作為與發光層313接觸的電子傳輸層314。雖然這樣，可達成如上所述之外部量子效率高於20%的高效率。此表示本發明發光元件中的發光區不只位於發光層313及電子傳輸層314之間的界面。這也是本發明特徵之一。
接著，將初始亮度設定於1000cd/m2，且在恆定電流密度下驅動元件。當時，獲得如圖13中所看見之亮度退化曲線。圖13為其中當初始亮度為100時水平軸表示時間及垂直軸表示相對亮度(%)之曲線圖。從圖13清楚可知，本發明之發光元件5具有非常長的使用壽命，因為從在圖13中之曲線的外插值估計亮度之10%退化時間為長達4000小時。此外，其亮度半衰期估計為約100,000 小時。
實例4
實例4將參考比較例具體舉例說明本發明之發光元件，此外，圖3例示該元件的結構。
<<發光元件6、比較發光元件7和比較發光元件8的製造>>
以與實例2之發光元件2相同的方式製造本發明之發光元件6，但發光層313的Ir(tppr)2(acac)改變成Ir(dppr)2(acac)(具體模式3中的結構式(1))，且電子注入層315的厚度為40奈米。此外，以與實例2之比較發光元件3相同的方式製造比較發光元件7，但發光層313的Ir(tppr)2(acac)改變成Ir(dppr)2(acac)，且電子注入層315的厚度電子為40奈米。此外，以與實例2之發光元件4相同的方式製造比較發光元件8，但發光層313的Ir(tppr)2(acac)改變成Ir(dppr)2(acac)，且電子注入層315的厚度為40。總之，如表4中所示，發光元件6、比較發光元件7和比較發光元件8彼此具有不同的發光層313結構，但是以同方式製造除發光層313之外的其他層。
<<發光元件6、比較發光元件7和比較發光元件8的操作特性>>
將如此獲得之發光元件6、比較發光元件7及比較發光元件8密封在具有氮氛圍之套手工作箱中以使發光元件不暴露於空氣中，測量這些發光元件的操作特性。注意測量係於室溫(保持在25℃下之氛圍)下進行。
圖14A顯示發光元件的電流密度-亮度特性，且圖14B顯示其電壓-亮度特性。圖15顯示發光元件的亮度-電流效率特性。圖16顯示發光元件的發射光譜。發光元件的發射光譜幾乎相同且為橙色發光，其係衍生自Ir(dppr)2(acac)(注意只有比較發光元件7些微地發出具有短波長之光)。
從圖15清楚可知，在實際亮度區(100cd/m2或更多)中比較發光元件8的電流效率降低。比較發光元件8係處於具體模式1的圖2B中所說明之狀態。因為將具有高電子俘獲性質之Ir(tppr)2(acac)加進本身為電子傳輸化合物之BAlq中，所以據信載子平衡不良且電流效率降低。此外從圖14B清楚可知，驅動電壓高。
比較發光元件7具有與圖2A之模式類似的模式；然 而，其初始特性與本發明之發光元件6的初始特性幾乎是相同的。此似乎是因為沒有觀察到用於電子傳輸層314之Balq的發光，不像實例2之比較發光元件3中所見者。從實例1可知，使用於實例4之Ir(dppr)2(acac)具有比使用於實例2中之Ir(tppr)2(acac)弱的電子俘獲性質。因此，推斷在比較發光元件7中，多少有些電子到達發光層313的內部，所以用於電子傳輸層314之BAlq的發光被抑制。
然而，令人驚訝的是，可看到本發明發光元件6和比較發光元件7之間的使用壽命之顯著差異。將初始亮度設定於1000cd/m2，且在恆定電流密度下驅動這些元件。在此情況中亮度退化曲線顯示於圖17中。圖17為其中當初始亮度為100時水平軸表示時間及垂直軸表示相對亮度(%)之曲線圖。從圖17清楚可知，只有本發明之發光元件6具有大幅改善的使用壽命。
於1000cd/m2下之特性及使用壽命的比較示於表5中。
如表5中所見，在只使用BAlq作為主體材料之比較發光元件8中，電流效率、外部量子效率、及電力效率非常低，而在使用二種NPB和BAlq作為主體材料之發光元件6及在只使用NPB作為主體材料之比較發光元件7中，電流效率、外部量子效率及電力效率非常高。至於使用壽命，比較發光元件7和比較發光元件8的亮度半衰期皆為約100小時，而本發明之發光元件6的亮度半衰期從外插值估計為約4000小時。
尤其是，雖然發光元件6和比較發光元件7幾乎具有相同的初始特性，但發光元件的使用壽命顯著不同，其為令人驚異的結果。原因不是當然確定；然而，據信在比較發光元件7中，用於電子傳輸層314之BAlq的激發態可能以某種方式影響了發光區的使用壽命。
如上所述，可發現本發明之發光元件可達成高發光效率及長使用壽命兩者。因此，藉由實施本發明，可提供具有高發光效率及長使用壽命之發光元件。
實例5
實例5將參考比較例具體舉例說明本發明之發光元件，此外，圖3例示該元件的結構。
<<發光元件9和比較發光元件10的製造>>
以與實例2之發光元件2相同的方式製造本發明之發光元件9，但發光層313的BAlq改變成以結構式(iv) 表示之CO11。注意NPB、CO11及Ir(tppr)2(acac)的比率為NPB：CO11：Ir(tppr)2(acac)=0.5：1：0.06(質量比)。此外，以與實例2之比較發光元件3相同的方式製造比較發光元件10，但發光層313的BAlq改變成CO11。CO11為一種具有1,3,4-噁二唑骨架之雜芳族化合物。
<<發光元件9和比較發光元件10的操作特性>>
將如此獲得之發光元件9和比較發光元件10密封在具有氮氛圍之套手工作箱中以使發光元件不暴露於空氣中，測量這些發光元件的操作特性。注意測量係於室溫(保持在25℃下之氛圍)下進行。
圖18A顯示發光元件的電流密度-亮度特性，且圖18B顯示其電壓-亮度特性。圖19顯示發光元件的亮度-電流效率特性。圖20顯示該等發光元件的發射光譜。這些發光元件的發射光譜幾乎相同且為紅色發光，其係衍生自Ir(tppr)2(acac)。
從圖19可知，在實際亮度區(100cd/m2或更多)中比較發光元件10的電流效率降低。比較發光元件10係處於具體模式1的圖2B中所說明之狀態。因為將具有高電 子俘獲性質之Ir(tppr)2(acac)加進本身為電子傳輸化合物之CO11中，所以據信載子平衡不良且電流效率降低。此外從圖18B清楚可知，驅動電壓高。另一方面，從圖19清楚可知本發明之發光元件9顯示高發光效率。
接著，將初始亮度設定於1000cd/m2，且在恆定電流密度下驅動這些元件。因此，獲得如圖21中所看見之亮度退化曲線。圖21為其中當初始亮度為100時水平軸表示時間及垂直軸表示相對亮度(%)之曲線圖。從圖21清楚可知，本發明之發光元件具有大幅改善的使用壽命。於1000cd/m2下之特性及使用壽命的比較顯示於表6中。
如上所述，可發現本發明之發光元件可達成高發光效率及長使用壽命兩者。因此，藉由實施本發明，可提供一種具有高發光效率且使用壽命長之發光元件。
實例6
實例6將參考比較例具體舉例說明本發明之發光元件，此外，圖3例示該元件的結構。
<<本發明之發光元件11和比較發光元件12的製造>>
以與實例2之發光元件2相同的方式製造本發明之發光元件11，但發光層313的BAlq改變成以結構式(V)表示之CzQn。注意NPB、CzQn及Ir(tppr)2(acac)的比率為NPB：CzQn：Ir(tppr)2(acac)=0.25：1：0.06(質量比)。此外，以與實例2之比較發光元件3相同的方式製造比較發光元件12，但發光層313的BAlq改變成CzQn。CzQn為一種具有喹噁啉骨架之雜芳族化合物。
<<發光元件11和比較發光元件12的操作特性>>
將如此獲得之發光元件11和比較發光元件12密封在具有氮氛圍之套手工作箱中以使發光元件不暴露於空氣中，測量這些發光元件的操作特性。注意測量係於室溫(保持在25℃下之氛圍)下進行。
圖22A顯示發光元件的電流密度-亮度特性，且圖22B顯示其電壓-亮度特性。圖23顯示發光元件的亮度-電流效率特性。圖24顯示該等發光元件的發射光譜。這些發光元件的發射光譜幾乎相同且為紅色發光，其係衍生自 Ir(tppr)2(acac)。
從圖23清楚可知，在實際亮度區(100cd/m2或更多)中比較發光元件12的電流效率降低。比較發光元件12係處於具體模式1的圖2B中所說明之狀態。因為將具有高電子俘獲性質之Ir(tppr)2(acac)加進本身為電子傳輸化合物之CzQn中，所以據信載子平衡不良且電流效率降低。此外從圖22B清楚可知，驅動電壓高。另一方面，從圖23清楚可知本發明之發光元件11顯示高發光效率。
接著，將初始亮度設定於1000cd/m2，且在恆定電流密度下驅動這些元件。當時，獲得如圖25中所看見之亮度退化曲線。圖25為一其中當初亮度為100時水平軸表示時間及垂直軸表示相對亮度(%)之曲線圖。從圖25清楚可知，本發明之發光元件1具有大幅改善的使用壽命。於1000cd/m2下之特性及使用壽命的比較顯示於表7中。
如上所述，可發現本發明之發光元件可達成高發光效率及長使用壽命兩者。因此，藉由實施本發明，可提供具有高發光效率且長使用壽命的發光元件。
實例7
實例7將參考比較例具體舉例說明本發明之發光元件，此外，圖3例示該元件的結構。
<<本發明之發光元件13和比較發光元件14的製造>>
以與實例2之發光元件2相同的方式製造本發明之發光元件13，但發光層313的BAlq改變成以結構式(Vi)表示之DCzPQ。注意NPB、DCzPQ及Ir(tppr)2(acac)的比率為NPB：DCzPQ：Ir(tppr)2(acac)=0.5：1：0.06(質量比)。此外，以與實例2之比較發光元件3相同的方式製造比較發光元件14，但發光層313的BAlq改變成DCzPQ。DCzPQ為一種具有喹噁啉骨架之雜芳族化合物。
<<發光元件13和比較發光元件14的操作特性>>
將如此獲得之發光元件13和比較發光元件14密封在具有氮氛圍之套手工作箱中以使發光元件不暴露於空氣中，測量這些發光元件的操作特性。注意測量係於室溫下(保持在25℃下之氛圍)進行。
圖26A顯示發光元件的電流密度-亮度特性，且圖26B顯示其電壓-亮度特性。圖27顯示發光元件的亮度-電流效率特性。圖28顯示發光元件的發射光譜。這些發光元件的發射光譜幾乎相同且為紅色發光，其係衍生自Ir(tppr)2(acac)。
從圖27可知，在實際亮度區(100cd/m2或更多)中比較發光元件14的電流效率降低。比較發光元件14係處於具體模式1的圖2B中所說明之狀態。因為將具有高電子俘獲性質之Ir(tppr)2(acac)加進本身為電子傳輸化合物之DCzPQ中，所以據信載子平衡不良且電流效率降低。此外，從圖26B清楚可知，驅動電壓高。另一方面，從圖27清楚可知本發明之發光元件13顯示高發光效率。
接著，將初始亮度設定於1000cd/m2，且在恆定電流密度下驅動這些元件。當時，獲得如圖29中所看見之亮度退化曲線。圖29為其中當初始亮度為100時水平軸表示時間及垂直軸表示相對亮度(%)之曲線圖。從圖29清楚可知，本發明之發光元件具有大幅改善的使用壽命。於1000cd/m2下之特性及使用壽命的比較示於表8中。
如上所述，可發現本發明之發光元件可達成高發光效率及長使用壽命兩者。因此，藉由實施本發明，可提供具有高發光效率且長使用壽命的發光元件。
實例8
實例8將參考比較例具體舉例說明本發明之發光元件，此外，圖3例示該元件的結構。
<<本發明之發光元件15和比較發光元件16的製造>>
以與實例2中之發光元件1相同的方式形成電洞注入層311及電洞傳輸層312。在電洞傳輸層312上形成發光層313。在本發明之發光元件15中，發光層313包括作為第一有機化合物之NPB、作為第二有機化合物之BAlq及作為以吡為主之有機金屬錯合物的以結構式(18)表示之(乙醯丙酮)雙[5-(3-氟苯基)-2,3-二苯基吡]銥(III)(縮寫：[Ir(dppr-3FP)2(acac)])。發光層313係藉由共蒸鍍形成以使質量比為NPB：BAlq：Ir(dppr-3FP)2(acac)=0.05：1：0.06。厚度為50奈米。另一方面，在比較發光元件16中，發光層313係藉由共蒸鍍形成，以使質量比為 BAlq：Ir(dppr-3FP)2(acac)=1：0.06，而沒有使用NPB。發光層313之厚度為50奈米。注意Ir(dppr-3FP)2(acac)為一種以具體模式3中的通式(G6)表示之有機金屬錯合物。
其次，蒸鍍30-奈米厚的Alq3以形成電子傳輸層314。在電子傳輸層314之上，蒸鍍1-奈米厚的氟化鋰(LiF)以形成電子注入層315。最後，形成200-奈米厚的鋁作為第二電極302(其作為陰極)。以此方式，製成本發明之發光元件15和比較發光元件16。所有的上述蒸鍍方法係藉由電阻加熱進行。
<<發光元件15和比較發光元件16的操作特性>>
將如此獲得之發光元件15和比較發光元件16密封在具有氮氛圍之套手工作箱中以使發光元件不暴露於空氣中，測量這些發光元件的操作特性。注意測量係於室溫(保持在25℃下之氛圍)下進行。
圖33A顯示發光元件的電流密度-亮度特性，且圖33B顯示其電壓-亮度特性。圖34顯示發光元件的亮度-電 流效率特性。圖35顯示發光元件的發射光譜。從發射光譜，發現觀察到來自兩個發光元件的紅色發光，其係衍生自Ir(dppr-3Fp)2(acac)。注意發光元件15的CIE色度坐標為(x，y)=(0.67，0.33)，且坐標對應於根據NTSC之紅色的紅色坐標。因此，發光元件顯示有利的紅色發光。
接著，將初始亮度設定於1000cd/m2，且在恆定電流密度下驅動這些元件。當時，獲得如圖36中所看見之亮度退化曲線。圖36為其中當初始亮度為100時水平軸表示時間及垂直軸表示相對亮度(%)之曲線圖。從圖36清楚可知，本發明之發光元件具有大幅改善的使用壽命。於1000cd/m2下之特性及使用壽命的比較示於表9中。注意從圖36清楚可知發光元件15到達亮度半衰期需耗費10000小時或更多，因此依照其中亮度減少至86%的時間比較發光元件的使用壽命。
如上所述，可發現本發明之發光元件可達成高發光效率及長使用壽命兩者。因此，藉由實施本發明，可提供具有高發光效率且長使用壽命的發光元件。
在此實例中，使用新穎物質，(乙醯丙酮)雙[5-(3-氟苯基)-2,3-二苯基吡]銥(III)(縮寫：Ir(dppr-3FP)2(acac)。因此，將具體說明其合成例。
<步驟1：5-(3-氟苯基)-2,3-二苯基吡(縮寫：Hdppr-3FP)的合成>
在氮氛圍下，於-78℃下將7.5毫升的正-丁基鋰(1.58莫耳/升)之己烷溶液滴進1.49克的3-溴氟苯及11毫升的四氫呋喃之混合溶液中且於-78℃下攪拌30分鐘。將所得溶液滴進2.45克的2,3-二苯基吡及20毫升的四氫呋喃之混合溶液中，以冰將其冷卻，並在室溫下攪拌1小時。將水加至此混合物中且使用乙酸乙酯作為萃取溶劑萃取有機層。用水洗滌所得有機層，及用無水鎂乾燥之。乾燥之後過濾溶液。蒸餾掉溶液之溶劑並藉由蒸餾所獲得之殘餘物以使用二氯甲烷作為顯影溶劑之矽凝膠管柱層析法精製，以此方式，獲得目標吡衍生物，Hdppr-3FP(橘色粉末，產率：8%)。步驟1之合成流程係以(a-1)顯示。
<步驟2：二-μ-氯-雙[雙{5-(3-氟苯基)-2,3-二苯基吡}銥(III)](縮寫：[Ir(dppr-3FP)2Cl]2)的合成>
在步驟1之後，將4.5毫升的2-乙氧基乙醇、1.5毫升的水，0.40克的步驟1中所獲得之吡衍生物、Hdppr-3FP及0.18克的氯化銥水合物(IrCl3．H2O)(由Sigma-Aldrich公司製造)放進連接回流管之茄形瓶中，且瓶內氣氛用氬替換。其後，進行微波(2.45GHz 200W)5小時以進行反應。過濾從反應溶液沈澱出之橘色粉末及用乙醇洗滌以形成雙核錯合物，[Ir(dppr-3FP)2Cl]2(產率：12%)。微波輻射係使用微波合成器(Discovery，由CEM公司製造)。步驟2之合成流程係以(b-1)顯示。
<步驟3：(乙醯丙酮)雙[5-(3-氟苯基)-2,3-二苯基吡]銥(III)(縮寫：(Ir(dppr-3FP)2(acac))的合成
在步驟2之後，將5毫升的2-乙氧基乙醇、0.13克的步驟2中所獲得之雙核錯合物，[Ir(dppr-3FP)2Cl]2、0.02毫升的乙醯丙酮及0.078克的碳酸鈉放進連接回流管之茄形瓶中，且瓶內氣氛用氬替換。其後，進行微波(2.45GHz 200W)15分鐘以反應。過濾反應溶液，及蒸餾掉所得濾液之溶劑。用甲醇再結晶該藉由蒸餾所得之殘餘物。以此方式，獲得[Ir(dppr-3FP)2(acac)(紅色粉末，產率：100%)。步驟3之合成流程係以(c-1)顯示。
本申請案係根據於2006年11月30日向日本特許廳申請之日本專利申請案序號2006-325057，其全部內容在此以引用方式併入本文。
301‧‧‧第一電極
302‧‧‧第二電極
311‧‧‧電洞注入層
312‧‧‧電洞傳輸層
313‧‧‧發光層
314‧‧‧電子傳輸層
315‧‧‧電子注入層
321‧‧‧第一有機化合物
322‧‧‧第二有機化合物
323‧‧‧以吡為主之有機金屬錯合物

Claims (14)

  1. 一種發光裝置，其包含：發光元件，其包括在第一電極與第二電極之間的發光層，其中該發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物，其中該有機金屬錯合物的中心金屬為一種屬於第9族和第10族之一的元素，其中該有機金屬錯合物的配位基為具有吡骨架之配位基，及其中該第二有機化合物對該第一有機化合物之質量比為1至20(含端點值)。
  2. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該配位基為2-芳基吡衍生物。
  3. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該配位基為2-苯基吡衍生物。
  4. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該配位基為2,5-二苯基吡衍生物。
  5. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該中心金屬為銥及鉑之一，第一有機化合物為芳胺化合物及咔唑衍生物之一，且第二有機化合物為雜芳族化合物及金屬錯合物之一。
  6. 一種發光裝置，其包含： 發光元件，其包括在第一電極與第二電極之間的發光層，其中該發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物，其中該有機金屬錯合物係以下式表示， 其中Ar表示伸芳基，R1表示烷基及芳基之一，R2表示氫、烷基及芳基之一，R3表示氫及烷基之一，M為中心金屬，且M表示一種屬於第9族和第10族之一的元素，及其中該第二有機化合物對該第一有機化合物之質量比為1至20(含端點值)。
  7. 一種發光裝置，其包含：發光元件，其包括在第一電極與第二電極之間的發光層，其中該發光層包括具有電洞傳輸性質之第一有機化合物、具有電子傳輸性質之第二有機化合物、及有機金屬錯合物，其中該有機金屬錯合物係以下式表示， 其中Ar表示伸芳基，R1表示烷基及芳基之一，R2表示氫、烷基及芳基之一，R3表示氫及烷基之一，M為中心金屬，該M表示一種屬於第9族和第10族之一的元素，且L表示單陰離子配位基，其中當M為一種屬於第9族的元素時，n為2，且當M為一種屬於第10族的元素時，n為1，及其中該第二有機化合物對該第一有機化合物之質量比為1至20(含端點值)。
  8. 根據申請專利範圍第6或7項之發光裝置，其中R2和R3彼此結合形成脂環。
  9. 根據申請專利範圍第6或7項之發光裝置，其中Ar係以下式表示， 其中R4至R7各自表示氫、烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基、及烷氧羰基之一。
  10. 根據申請專利範圍第6或7項之發光裝置，其中Ar係以下式表示， 其中R2係以下式表示， 其中R4至R12各自表示氫、烷基、鹵素、鹵烷基、烷氧基、及烷氧羰基之一。
  11. 根據申請專利範圍第6或7項之發光裝置，其中M為銥及鉑之一，第一有機化合物為芳胺化合物及咔唑衍生物之一，且第二有機化合物為雜芳族化合物及金屬錯合物之一。
  12. 根據申請專利範圍第1、6及7項中任一項之發光裝置，其中發光層中的有機金屬錯合物之量大於或等於1質量百分比且小於或等於10質量百分比。
  13. 根據申請專利範圍第1、6及7項中任一項之發光裝置，其中有機金屬錯合物的LUMO能階係比第一有機化合物的LUMO能階及第二有機化合物的LUMO能階低0.2eV或更多。
  14. 根據申請專利範圍第1、6及7項中任一項之發光裝置，其中該第二有機化合物對該第一有機化合物之質量比為5至20(含端點值)。
TW103110653A 2006-11-30 2007-11-26 發光裝置 TWI558264B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006325057 2006-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201427483A TW201427483A (zh) 2014-07-01
TWI558264B true TWI558264B (zh) 2016-11-11

Family

ID=39467766

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103110653A TWI558264B (zh) 2006-11-30 2007-11-26 發光裝置
TW096144790A TWI440397B (zh) 2006-11-30 2007-11-26 發光裝置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096144790A TWI440397B (zh) 2006-11-30 2007-11-26 發光裝置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US10129947B2 (zh)
EP (1) EP2087063B1 (zh)
JP (1) JP5519104B2 (zh)
KR (1) KR101435503B1 (zh)
CN (2) CN101541916B (zh)
TW (2) TWI558264B (zh)
WO (1) WO2008065975A1 (zh)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9112170B2 (en) * 2006-03-21 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
EP2087063B1 (en) 2006-11-30 2016-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light-emitting device
JP5291961B2 (ja) * 2007-03-20 2013-09-18 株式会社半導体エネルギー研究所 物質
EP1973386B8 (en) * 2007-03-23 2016-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
JP5500813B2 (ja) * 2007-10-24 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体
EP2075860A3 (en) * 2007-12-28 2013-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
JP5709528B2 (ja) * 2008-02-12 2015-04-30 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンを用いたエレクトロルミネッセンス金属錯体
KR101520285B1 (ko) 2008-05-16 2015-05-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자 및 전자기기
DE102008039361B4 (de) 2008-05-30 2025-02-06 Pictiva Displays International Limited Elektronische Vorrichtung
CN105679953A (zh) * 2008-09-05 2016-06-15 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
WO2010068865A2 (en) * 2008-12-12 2010-06-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive composition and electronic device made with the composition
CN101812057B (zh) * 2009-02-19 2014-04-23 株式会社半导体能源研究所 噁二唑衍生物、使用噁二唑衍生物的发光元件及发光装置
TWI387391B (zh) * 2009-03-04 2013-02-21 Chung Shan Inst Of Science 有機發光元件之製造方法
TWI480277B (zh) * 2009-03-20 2015-04-11 Semiconductor Energy Lab 具有雜芳香族環之咔唑衍生物及使用具有雜芳香族環之咔唑衍生物的發光元件、發光裝置和電子裝置
JP5624784B2 (ja) * 2009-03-31 2014-11-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ヘテロ芳香環を有する誘導体、ヘテロ芳香環を有する誘導体を用いた発光素子、発光装置、照明装置、電子機器
KR20120039639A (ko) * 2009-06-24 2012-04-25 조지아 테크 리서치 코포레이션 인광 게스트 방사체를 위한 양극성 소분자 호스트
US20120138976A1 (en) * 2009-08-24 2012-06-07 Yoshimasa Fujita Organic electroluminescent element, organic electroluminescent display device, and organic electroluminescent illuminating device
US8399665B2 (en) * 2009-10-07 2013-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, and light-emitting element, light-emitting device, electronic device and electronic device using the organometallic complex
JP5829828B2 (ja) 2010-04-06 2015-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体、発光素子及び発光装置
CN105932170B (zh) 2011-02-16 2018-04-06 株式会社半导体能源研究所 发光元件
TWI743606B (zh) 2011-02-28 2021-10-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件
CN102683608B (zh) * 2011-03-14 2015-04-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
TWI529238B (zh) 2011-04-15 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 有機發光元件、有機金屬錯合物發光裝置、電子用具及照明裝置
WO2013002051A1 (ja) * 2011-06-28 2013-01-03 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI613195B (zh) 2011-08-25 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，電子裝置，照明裝置以及新穎有機化合物
JP2013147490A (ja) 2011-12-23 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd イリジウム錯体、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
US9472762B2 (en) 2012-01-12 2016-10-18 Udc Ireland Limited Iridium organometallic complex containing a substituted dibenzo[f,h]quinoxaline and an electronic device having an emitting layer containing the iridium complex
KR20250036971A (ko) * 2012-03-14 2025-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9299942B2 (en) 2012-03-30 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device
JP6166557B2 (ja) 2012-04-20 2017-07-19 株式会社半導体エネルギー研究所 燐光性有機金属イリジウム錯体、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP6117618B2 (ja) 2012-06-01 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
KR20140038886A (ko) * 2012-09-21 2014-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
KR20210152006A (ko) 2013-01-10 2021-12-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치
WO2014157433A1 (en) 2013-03-26 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US10439156B2 (en) 2013-05-17 2019-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, lighting device, and electronic device
KR102618863B1 (ko) 2013-08-26 2023-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 조명 장치, 및 전자 기기
EP2881446B1 (en) * 2013-12-05 2019-01-09 LG Display Co., Ltd. Organic compound and organic light emitting diode using the same
KR20150071624A (ko) * 2013-12-18 2015-06-26 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
TWI690534B (zh) 2014-08-08 2020-04-11 愛爾蘭商Ｕｄｃ愛爾蘭責任有限公司 電致發光咪唑并喹噁啉碳烯金屬錯合物
CN107074895B (zh) 2014-11-18 2020-03-17 Udc 爱尔兰有限责任公司 用于有机发光二极管中的Pt-或Pd-碳烯络合物
US10903440B2 (en) 2015-02-24 2021-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP6697299B2 (ja) 2015-04-01 2020-05-20 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
KR102914550B1 (ko) * 2015-09-30 2026-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN105374945A (zh) * 2015-11-27 2016-03-02 南京邮电大学 一种有机白光器件及其制备方法
US9960371B2 (en) * 2015-12-18 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102684614B1 (ko) 2015-12-21 2024-07-15 유디씨 아일랜드 리미티드 삼각형 리간드를 갖는 전이 금속 착체 및 ｏｌｅｄ에서의 이의 용도
WO2018083801A1 (ja) * 2016-11-07 2018-05-11 日立化成株式会社 有機エレクトロニクス材料、有機層、有機エレクトロニクス素子、有機エレクトロルミネセンス素子、表示素子、照明装置、及び表示装置
CN105938876A (zh) * 2016-05-11 2016-09-14 南京邮电大学 一种绿色有机电致发光器件及其制备方法
US10748497B2 (en) * 2016-12-27 2020-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR20190125348A (ko) 2017-03-02 2019-11-06 히타치가세이가부시끼가이샤 유기 일렉트로닉스 재료 및 그의 이용
JP7176927B2 (ja) * 2018-10-30 2022-11-22 浜松ホトニクス株式会社 Ｃｅｍアセンブリおよび電子増倍デバイス

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5085947A (en) * 1989-03-23 1992-02-04 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescence device
TW543337B (en) * 2000-12-15 2003-07-21 Universal Display Corp Highly stable and efficient OLEDs with a phosphorescent-doped mixed layer architecture
TW200605724A (en) * 2004-04-02 2006-02-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Organometallic complex, light emitting element using the complex, light emitting device using the element, and electric apparatus using the device
WO2006098120A1 (ja) * 2005-03-16 2006-09-21 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI440397B (zh) * 2006-11-30 2014-06-01 Semiconductor Energy Lab 發光裝置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03190088A (ja) * 1989-12-20 1991-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ素子
DE69514495T2 (de) * 1994-08-11 2000-08-10 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Festkörper-bildverstärker und röntgenuntersuchungsgerät mit einem festkörper-bildverstärker
US6465115B2 (en) * 1998-12-09 2002-10-15 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with anthracene derivatives hole transport layer
US6392250B1 (en) * 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
KR100846526B1 (ko) 2000-11-30 2008-07-15 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
AU2002222565A1 (en) 2000-11-30 2002-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Luminescent element and display
SG138466A1 (en) 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
US6734457B2 (en) 2001-11-27 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2004265623A (ja) 2003-02-12 2004-09-24 Denso Corp 有機電界発光素子
WO2004094389A1 (ja) 2003-04-18 2004-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. キノキサリン誘導体，及びそれを用いた有機半導体素子、電界発光素子及び電子機器
EP3211057B2 (en) 2003-06-02 2022-11-02 UDC Ireland Limited Organic electroluminescent devices and metal complex compounds
KR101187401B1 (ko) 2003-12-02 2012-10-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 금속 착체 및 그것을 사용한 발광 소자
JP4393249B2 (ja) * 2004-03-31 2010-01-06 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光素子，画像表示装置、及びその製造方法
JP4366332B2 (ja) * 2004-04-02 2009-11-18 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体、該有機金属錯体を用いた発光素子および発光装置
CN101027942B (zh) 2004-09-24 2010-06-16 株式会社半导体能源研究所 发光器件
KR101254494B1 (ko) 2004-10-22 2013-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 재료 및 발광 소자
KR101436791B1 (ko) 2004-10-29 2014-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 재료, 발광 소자, 발광 장치 및 이의 제조방법
US20060102910A1 (en) 2004-10-29 2006-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting device
KR101280848B1 (ko) * 2005-03-28 2013-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기금속 착체, 및 이를 사용한 발광 장치 및 전자 기기
US7960038B2 (en) * 2005-05-20 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
WO2007029466A1 (ja) 2005-09-06 2007-03-15 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US8454748B2 (en) 2005-12-27 2013-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of calculating carrier mobility
US8920941B2 (en) 2005-12-28 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pyrazine derivative, and light emitting element, display device, electronic device using the pyrazine derivative
US7902742B2 (en) 2006-07-04 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5085947A (en) * 1989-03-23 1992-02-04 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescence device
TW543337B (en) * 2000-12-15 2003-07-21 Universal Display Corp Highly stable and efficient OLEDs with a phosphorescent-doped mixed layer architecture
TW200605724A (en) * 2004-04-02 2006-02-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Organometallic complex, light emitting element using the complex, light emitting device using the element, and electric apparatus using the device
WO2006098120A1 (ja) * 2005-03-16 2006-09-21 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI440397B (zh) * 2006-11-30 2014-06-01 Semiconductor Energy Lab 發光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190053351A1 (en) 2019-02-14
WO2008065975A1 (en) 2008-06-05
CN104091899A (zh) 2014-10-08
EP2087063A4 (en) 2013-10-02
EP2087063A1 (en) 2009-08-12
KR101435503B1 (ko) 2014-08-29
JP2008160098A (ja) 2008-07-10
CN101541916B (zh) 2014-08-06
US10764974B2 (en) 2020-09-01
CN101541916A (zh) 2009-09-23
CN104091899B (zh) 2017-01-11
EP2087063B1 (en) 2016-10-19
TW201427483A (zh) 2014-07-01
US20080149923A1 (en) 2008-06-26
TWI440397B (zh) 2014-06-01
JP5519104B2 (ja) 2014-06-11
TW200840408A (en) 2008-10-01
KR20090096478A (ko) 2009-09-10
US10129947B2 (en) 2018-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI558264B (zh) 發光裝置
JP6615728B2 (ja) 発光素子
TWI496508B (zh) 發光元件，發光裝置，以及電子裝置
TWI775450B (zh) 發光元件、發光裝置、電子裝置及照明設備
CN101627488B (zh) 使用螺芴衍生物的发光元件及电子设备
CN104835917B (zh) 发光元件、发光装置及电子设备