TWI714771B - 發光裝置及發光裝置之製造方法 - Google Patents

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本庄慶司
樋口靖幸
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日商迪睿合股份有限公司
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Abstract

提供一種可抑制發光元件之連接不良，得到優異之導通性的發光裝置，及發光裝置之製造方法。基板具有：構裝第1發光元件(11)之第1構裝區域(31)；構裝第2發光元件(12)之第2構裝區域(32)；連接第1發光元件(11)及第2發光元件(12)之一電極的第1電極(21)；形成於第1構裝區域(31)，連接第1發光元件(11)之另一電極的第2電極(22)；形成於第2構裝區域(32)，連接第2發光元件(12)之另一電極的第3電極(23)。於第1電極(21)，在第1構裝區域(31)與第2構裝區域(32)之間形成有溝槽(33)。

Description

發光裝置及發光裝置之製造方法
本技術關於一種構裝有LED(Light Emitting Diode)等複數個發光元件之發光裝置及發光裝置之製造方法。本申請案基於在日本於2016年5月31日提出申請之日本專利申請號：特願2016-108262，主張優先權，該申請案因被參照而被援用於本案。
以往，以打線接合(wire bond)進行之發光元件與基板的電接合(例如，參照專利文獻1。)，由於連接不良之發生頻率高，故提出於接著劑成分分散有導電粒子之異向性導電接著糊(ACP：Anisotropic Conductive Paste)(例如，參照專利文獻2~5。)。例如，於專利文獻5記載有：藉由使用含有光反射性絕緣粒子之異向性導電接著劑，來提升發光效率。
專利文獻1：日本特開平04-225327號公報
專利文獻2：日本特開2005-120357號公報
專利文獻3：日本特開平05-152464號公報
專利文獻4：日本特開2003-026763號公報
專利文獻5：日本特開2011-057917號公報
然而，當使第1發光元件與第2發光元件接近依序進行構裝之情形時，有時於第1發光元件之構裝所使用的異向性導電糊會溢出至第2發光元件之構裝區域硬化，而發生第2發光元件之連接不良。
圖6為示意地表示以往之發光裝置之製造方法的剖面圖。如圖6(A)所示，基板具有構裝第1發光元件211之第1構裝區域231與構裝第2發光元件212之第2構裝區域232。又，基板具有第1電極221、第2電極222及第3電極223，其中該第1電極221連接第1發光元件211及第2發光元件212之一電極；該第2電極222形成於第1構裝區域231，連接第1發光元件211之另一電極；該第3電極223形成於第2構裝區域232，連接第2發光元件212之另一電極。
如圖6(B)及圖6(C)所示，當將第1異向性導電糊241塗布於第1構裝區域231，將第1發光元件211構裝時，第1異向性導電糊241會溢出至第2構裝區域232硬化。因此，如圖6(D)及圖6(E)所示，若將第2異向性導電糊242塗布於第2構裝區域232，然後將第2發光元件212構裝，則會裝載於第1異向性導電糊241溢出之硬化物上，而發生連接不良。
本技術為解決上述以往技術之課題者，提供一種可抑制發光元件之連接不良，得到優異之導通性的發光裝置，及發光裝置之製造方法。
為了解決上述之課題，本技術之發光裝置具備：其中一面具有一對電極之第1發光元件及第2發光元件；基板； 將前述第1發光元件連接於第1電極及第2電極之第1異向性導電膜；及將前述第2發光元件連接於前述第1電極及第3電極之第2異向性導電膜，其中該基板具有：構裝前述第1發光元件之第1構裝區域；構裝前述第2發光元件之第2構裝區域；於前述第1構裝區域與前述第2構裝區域之間形成有溝槽，連接前述第1發光元件及前述第2發光元件之一電極的前述第1電極；形成於前述第1構裝區域，連接前述第1發光元件之另一電極的前述第2電極；及形成於前述第2構裝區域，連接前述第2發光元件之另一電極的前述第3電極。
又，本技術之發光裝置之製造方法具有下述步驟：準備步驟：準備其中一面具有一對電極之第1發光元件及第2發光元件，與基板，第1構裝步驟：使用第1異向性導電糊將前述第1發光元件構裝於前述基板之第1構裝區域，及第2構裝步驟：使用第2異向性導電糊將前述第2發光元件構裝於前述基板之第2構裝區域；其中該基板具有：構裝前述第1發光元件之第1構裝區域； 構裝前述第2發光元件之第2構裝區域；於前述第1構裝區域與前述第2構裝區域之間形成有溝槽，連接前述第1發光元件及前述第2發光元件之一電極的第1電極；形成於前述第1構裝區域，連接前述第1發光元件之另一電極的第2電極；及形成於前述第2構裝區域，連接前述第2發光元件之另一電極的第3電極。
若根據本技術，則由於在構裝第1發光元件之第1構裝區域與構裝第2發光元件之第2構裝區域之間的電極形成有溝槽，因此可抑制發光元件之連接不良，得到優異之導通性。
11‧‧‧第1發光元件
12‧‧‧第2發光元件
20‧‧‧基材
21‧‧‧第1電極
22‧‧‧第2電極
23‧‧‧第3電極
31‧‧‧第1構裝區域
32‧‧‧第2構裝區域
33‧‧‧溝槽
41‧‧‧第1異向性導電膜
42‧‧‧第2異向性導電膜
51‧‧‧第1異向性導電糊
52‧‧‧第2異向性導電糊
111‧‧‧第1導電型包覆層
112‧‧‧活性層
113‧‧‧第2導電型包覆層
114‧‧‧鈍化層
211‧‧‧第1發光元件
212‧‧‧第2發光元件
220‧‧‧基材
221‧‧‧第1電極
222‧‧‧第2電極
223‧‧‧第3電極
231‧‧‧第1構裝區域
232‧‧‧第2構裝區域
241‧‧‧第1異向性導電膜
242‧‧‧第2異向性導電膜
圖1為示意地表示本實施形態之發光裝置一例的剖面圖。
圖2為示意地表示本實施形態之發光裝置一例的俯視圖。
圖3為示意地表示藍色發光元件之構成例的剖面圖。
圖4為示意地表示基板之一例的俯視圖。
圖5為示意地表示本實施形態之發光裝置製造方法的剖面圖，圖5(A)為表示準備基板之準備步驟的剖面圖，圖5(B)為表示塗布第1異向性導電糊之第1塗布步驟的剖面圖，圖5(C)為表示連接第1發光元件之第1連接步驟的剖面圖，圖5(D)為表示塗布第2異向性導電糊之第2塗布步驟的剖面圖，圖5(E)為表示連接第2發光元件之第2連接步驟的剖面圖。
圖6為示意地表示以往之發光裝置之製造方法的剖面圖，圖6(A)為 表示準備基板之準備步驟的剖面圖，圖6(B)為表示塗布第1異向性導電糊之第1塗布步驟的剖面圖，圖6(C)為表示連接第1發光元件之第1連接步驟的剖面圖，圖6(D)為表示塗布第2異向性導電糊之第2塗布步驟的剖面圖，圖6(E)為表示連接第2發光元件之第2連接步驟的剖面圖。
以下，一邊參照圖式，一邊以下述順序詳細說明本技術之實施形態。
1.發光裝置
2.發光裝置之製造方法
3.實施例
<1.發光裝置>
本實施形態之發光裝置具備：其中一面具有一對電極之第1發光元件及第2發光元件；基板；將第1發光元件連接於第1電極及第2電極之第1異向性導電膜；及將第2發光元件連接於第1電極及第3電極之第2異向性導電膜，其中該基板具有：構裝第1發光元件之第1構裝區域；構裝第2發光元件之第2構裝區域；於第1構裝區域與第2構裝區域之間形成有溝槽，連接第1發光元件及第2發光元件之一電極的第1電極；形成於第1構裝區域，連接第1發光元件之另一電極的第2電極；及 形成於第2構裝區域，連接前述第2發光元件之另一電極的第3電極。
圖1為示意地表示本實施形態之發光裝置一例的剖面圖，圖2為示意地表示本實施形態之發光裝置一例的俯視圖。
第1發光元件11及第2發光元件12為下述所謂之覆晶型LED(Light Emitting Diode)晶片：其中一面具有一對電極，具有例如p側之第1導電型電極與例如n側之第2導電型電極配置在同一側的水平構造。第1發光元件11及第2發光元件12之大小可相同或亦可不同，例如，藍色發光元件、紅色發光元件等種類可不同。藉由使藍色發光元件、紅色發光元件等種類之不同發光元件接近進行構裝，可使由混色形成之顏色再現。
圖3為示意地表示藍色發光元件之構成例的剖面圖。藍色發光元件具備例如由n-GaN構成之第1導電型包覆層111、例如由InxAlyGa1-x-yN層構成之活性層112及例如由p-GaN構成之第2導電型包覆層113，具有所謂之雙異質結構。又，具備因鈍化層114而形成於第1導電型包覆層111之一部份的第1導電型電極111a與形成於第2導電型包覆層113之一部份的第2導電型電極113a。若於第1導電型電極111a與第2導電型電極113a之間施加電壓，則載體會集中於活性層112進行再結合，因而產生發光。
圖4為示意地表示基板之一例的俯視圖。如圖1及圖4所示，基板具有構裝第1發光元件11之第1構裝區域31與構裝第2發光元件12之第2構裝區域32。又，基板具有：連接第1發光元件11及第2發光元件12之一電極的第1電極21；形成於第1構裝區域31，連接第1發光元件11之另一電極的第2電極22；及形成於第2構裝區域32，連接第2發光元件12之另一電極的第3電極23。
第1電極21、第2電極22及第3電極23係形成於基材20上之導體圖案，連接第1發光元件11及第2發光元件12。作為基材20，較佳使用陶瓷、玻璃等耐熱性高者。又，作為導體圖案，較佳將Cu箔等導體箔圖案化後使用。作為導體圖案之形成方法，例如可於導體層上形成遮罩，藉由蝕刻將導體層中遮罩之非形成區域去除，藉此來形成導體圖案。
如圖1及圖4所示，於第1電極21，在第1構裝區域31與第2構裝區域32之間形成有溝槽33。溝槽33之寬度及深度，可於塗布第1異向性導電糊51時或壓接第1發光元件11時依據自第1構裝區域31溢出之第1異向性導電糊51的量來作設定。作為溝槽33之具體寬度，較佳為10~100μm，更佳為20~80μm。又，作為溝槽33之具體深度，較佳為1~30μm，更佳為5~20μm。
又，當第1構裝區域31及第2構裝區域32為矩形區域的情形時，形成於第1電極21之溝槽33的長度較佳為鄰接於第2構裝區域32之第1構裝區域31之邊的長度以上。藉此，於塗布第1異向性導電糊時或壓接第1發光元件11時異向性導電糊會積在溝槽33，可防止異向性導電糊溢出至第2構裝區域32。
另，第1電極21之溝槽33不限於如圖1及圖4所示的構成，例如，於溝槽之底部亦可設置有導體層。藉此，可提升第1發光元件11與第2發光元件12之間的導通性，且可藉由導電層表面之反射來提升光射出效率。
第1異向性導電膜41係使第1發光元件11連接於第1電極21及第2電極22，第2異向性導電膜42係使第2發光元件12連接於第1 電極21及第3電極23。第1異向性導電膜41及第2異向性導電膜42為後述之異向性導電糊經硬化者，藉由在發光元件的端子(電極111a、213a)與基板的端子(第1電極21、第2電極22、第3電極23)之間捕捉導電性粒子，而將發光元件與基板作異向性導電連接。
又，第1異向性導電膜41較佳含有光反射性絕緣粒子，被填充於形成在第1電極21之溝槽33的至少一部份。藉此，由於被填充於溝槽33之光反射性絕緣粒子會反射，故可提升光射出效率。
若根據本實施形態之發光裝置，則由於在第1構裝區域31與第2構裝區域32之間的第1電極21形成有溝槽33，故可抑制第2發光元件12之連接不良，得到優異之導通性。又，因含有反射性絕緣粒子之第1異向性導電膜41被填充於形成在第1電極21之溝槽33的至少一部份，而可提升光射出效率。
<2.發光裝置之製造方法>
本實施形態之發光裝置的製造方法具有下述步驟：準備步驟：準備其中一面具有一對電極之第1發光元件及第2發光元件，與基板，第1構裝步驟：使用第1異向性導電糊將第1發光元件構裝於基板之第1構裝區域，及第2構裝步驟：使用第2異向性導電糊將第2發光元件構裝於基板之第2構裝區域；其中該基板具有：構裝第1發光元件之第1構裝區域； 構裝第2發光元件之第2構裝區域；於第1構裝區域與第2構裝區域之間形成有溝槽，連接第1發光元件及第2發光元件之一電極的第1電極；形成於第1構裝區域，連接第1發光元件之另一電極的第2電極；及形成於第2構裝區域，連接第2發光元件之另一電極的第3電極。
圖5為示意地表示本實施形態之發光裝置之製造方法的剖面圖，圖5(A)為表示準備基板之準備步驟的剖面圖，圖5(B)為表示塗布第1異向性導電糊之第1塗布步驟的剖面圖，圖5(C)為表示連接第1發光元件之第1連接步驟的剖面圖，圖5(D)為表示塗布第2異向性導電糊之第2塗布步驟的剖面圖，圖5(E)為表示連接第2發光元件之第2連接步驟的剖面圖。以下，說明準備步驟、第1塗布步驟、第1連接步驟、第2塗布步驟及第2連接步驟。
[準備步驟]
於準備步驟中，準備第1發光元件、第2發光元件及基板。第1發光元件、第2發光元件及基板由於與前述發光裝置之第1發光元件11、第2發光元件12及基板相同，故省略詳細說明。
如圖5(A)所示，基板具有構裝第1發光元件11之第1構裝區域31與構裝第2發光元件12之第2構裝區域32。又，基板具有：連接第1發光元件11及第2發光元件12之一電極的第1電極21；形成於第1構裝區域31，連接第1發光元件11之另一電極的第2電極22；及形成於第2構裝區域32，連接第2發光元件12之另一電極的第3電極23。
[第1塗布步驟]
如圖5(B)所示，於第1塗布步驟，將第1異向性導電糊51塗布於基板之第1構裝區域31。第1異向性導電糊51因塗布於第1構裝區域31而會積在第1電極21與第2電極之間及第1電極21之溝槽33。藉此，可防止異向性導電糊溢出至第2構裝區域32。
第1異向性導電糊51之導電粒子分散於黏合劑(接著劑成分)中，可使用熱硬化型、紫外線硬化型、熱-紫外線併用型等。
作為導電粒子，可列舉：金屬粒子、被覆有金屬之樹脂粒子等，其中，較佳使用被覆有金屬之樹脂微粒子。被覆有金屬之樹脂粒子係環氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸樹脂、丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂、苯胍
Figure 106117404-A0202-12-0010-8
(benzoguanamine)樹脂、二乙烯苯(divinylbenzene)系樹脂、苯乙烯系樹脂等樹脂粒子之表面經Au、Ni、Zn等金屬被覆的被覆有金屬之樹脂粒子。被覆有金屬之樹脂粒子由於在壓縮時容易被壓碎、變形，故可增大與導體圖案之接觸面積，又，可吸收導體圖案高度之不均。
導電粒子之平均粒徑可配合發光元件之電極尺寸作適當設定。作為導電粒子之具體平均粒徑，較佳為1~20μm，更佳為3~10μm，再更佳為4~6μm。
又，異向性導電糊較佳含有光反射性絕緣粒子。作為光反射性絕緣粒子之具體例，可舉選自由氧化鈦(TiO2)、氮化硼(BN)、氧化鋅(ZnO)及氧化鋁(Al2O3)構成之群中的至少一種無機粒子。其中，從高折射率之方面來看，較佳使用TiO2。
作為光反射性絕緣粒子之形狀，可為球狀、鱗片狀、不定形狀、針狀等，若考慮反射效率，則較佳為球狀、鱗片狀。又，作為其大小， 當為球狀之情形時，若過小則反射率會變低，若過大則由於會有阻礙藉由導電粒子連接之傾向，因此較佳為0.02~20μm，更佳為0.2~1μm，當為鱗片狀之情形時，長徑較佳為0.1~100μm，更佳為1~50μm，短徑較佳為0.01~10μm，更佳為0.1~5μm，厚度較佳為0.01~10μm，更佳為0.1~5μm。
由無機粒子構成之光反射性絕緣粒子，其折射率(JIS K7142)較佳大於樹脂組成物之硬化物的折射率(JIS K7142)，更佳至少大0.02左右。此係由於若折射率差小則在該等界面之反射效率會降低的緣故。
作為黏合劑，可使用熱硬化型、紫外線硬化型、熱-紫外線併用型等接著劑組成物。以下，說明熱硬化型接著劑組成物。作為熱硬化型接著劑組成物，可舉環氧系接著劑、丙烯酸系接著劑等，其中，較佳使用以加氫環氧化合物、脂環式環氧化合物、雜環系環氧化合物等作為主成分之環氧硬化系接著劑。於此等主成分之中，較佳使用透光性、速硬化性優異之氫化雙酚A型環氧樹脂等加氫環氧化合物。作為氫化雙酚A型環氧樹脂之具體例，可舉三菱化學公司製造之商品名「YX8000」。
又，作為熱硬化型硬化劑，可列舉：鋁螯合物系硬化劑、酸酐、咪唑化合物、氰(dicyan)等。於此等之中，可較佳使用不易使硬化物變色的鋁螯合物系硬化劑。作為鋁螯合物系硬化劑，可舉日本特開2009-197206號公報記載之在多孔性樹脂保持有鋁螯合劑及矽烷醇化合物者，其中該多孔性樹脂，係例如在使多官能異氰酸酯化合物作界面聚合之同時，使二乙烯苯作自由基聚合而獲得。
[第1連接步驟]
如圖5(C)所示，於第1連接步驟，經由第1異向性導電糊51將第1發光元件11連接於基板。於第1連接步驟中當按壓第1發光元件11時，由於異向性導電糊會積在溝槽33，因此可防止異向性導電糊溢出至第2構裝區域32。
又，於第1連接步驟中，在按壓第1發光元件11之狀態下，根據第1異向性導電糊51，選擇加熱、照射紫外線等，使第1異向性導電糊51硬化，藉此將第1發光元件11構裝於基板。作為使用熱硬化型異向性導電糊之情形時的具體壓接條件，較佳為150℃-5min-1MPa~260℃-10Sec-40MPa。
[第2塗布步驟]
如圖5(D)所示，於第2塗布步驟，將第2異向性導電糊52塗布於基板之第2構裝區域32。第2異向性導電糊52較佳與第1異向性導電糊51相同。藉此，可削減材料成本。
[第2連接步驟]
如圖5(E)所示，於第2連接步驟，經由第2異向性導電糊52將第2發光元件12連接於基板。於第2連接步驟，與第1連接步驟同樣地，按壓第2發光元件12，使第2異向性導電糊52硬化，藉此可將第2發光元件12構裝於基板。第2連接步驟之壓接條件較佳與第1連接步驟之壓接條件相同。藉此，於第1連接步驟及第2連接步驟中，可用相同條件使用壓接裝置。
若根據本實施形態之發光裝置的製造方法，則由於在第1構裝區域31與第2構裝區域32之間的第1電極21形成有溝槽33，故於第 1塗布步驟中，可防止異向性導電糊溢出至第2構裝區域32。又，於第1連接步驟中，當按壓第1發光元件11時，由於異向性導電糊會積在溝槽33，故可防止異向性導電糊溢出至第2構裝區域32。藉此，可抑制發光元件之連接不良，得到具有優異之導通性的發光裝置。
又，若根據本實施形態之發光裝置的製造方法，則由於將發光元件依序構裝於基板，故可使高度不同之發光元件接近進行構裝。因此例如可提供一種藉由使藍色發光元件、紅色發光元件等種類不同之發光元件接近進行構裝而使由混色形成之顏色再現的發光裝置。
<3.實施例>
實施例
以下，說明本技術之實施例。於本實施例，使用異向性導電接著糊將第1LED晶片與第2LED晶片依序構裝於基板上，製作發光裝置，評價導通電阻。另，本技術不限定於此等實施例。
[導通電阻之評價]
對發光裝置測量第2LED晶片之初期導通電阻。導通電阻之評價係測量If=20mA時之Vf值，將自測試成績表之Vf值的Vf值增加量未達5%之情形設為「OK」，5%以上之情形則設為「NG」。
<實施例1>
準備下述者作為基板：於陶瓷基材上以電極間間隔50μm形成有寬度為350μm，長度為500μm之第1電極、第2電極及第3電極，該第1電極、第2電極及第3電極於Cu配線上施加有鎳/金鍍覆=5.0μm/0.3μm。又，於連接第1LED晶片及第2LED晶片之第1電極，藉由蝕刻形成寬度50 μm、長度400μm及深度15μm之溝槽。
準備紅色LED(Vf=2.9V(If=20mA)，鍍Au電極)作為第1LED晶片。準備藍色LED(Vf=3.1V(If=20mA)，鍍Au電極)作為第2LED晶片。
準備於環氧樹脂-鋁螯合物硬化物接著劑混合有導電粒子(2vol%)及氧化鈦(10vol%)者作為異向性導電糊。具體而言，摻合氫化雙酚A型環氧樹脂(品名：YX8000，三菱化學公司製造)95質量份，及鋁螯合潛伏硬化劑5質量份，調整黏合劑。使平均粒徑(D50)5.5μm之導電粒子(樹脂核心，鍍Au)2Vol%及平均粒徑(D50)0.25μm之氧化鈦10Vol%分散於該黏合劑，製作異向性導電糊。
鋁螯合潛伏硬化劑係以如下方式製造。首先，將蒸餾水800質量份、界面活性劑(新列克斯R-T，日本油脂股份有限公司)0.05質量份及作為分散劑之聚乙烯醇(PVA-205，可樂麗股份有限公司)4質量份裝入具備有溫度計之3公升的界面聚合容器，均勻混合。於此混合液進一步放入油相溶液，以均質機(10000rpm/5分)進行乳化混合後，於80℃進行界面聚合6小時，上述油相溶液係將單乙醯丙酮鋁雙(乙醯乙酸乙酯)之24%異丙醇溶液(鋁螯合物D，Kawaken Fine Chemicals股份有限公司)100質量份、亞甲基二苯基(methylene diphenyl)-4,4′-二異氰酸酯(3莫耳)之三羥甲基丙烷(1莫耳)加成物(D-109，三井武田化學股份有限公司)70質量份、二乙烯苯(Merck公司)30質量份及自由基聚合起始劑(PEROYL L，日本油脂公司)0.30質量份溶解於乙酸乙酯100質量份而成。 反應結束後，將聚合反應液放冷至室溫，藉由過濾將界面聚合粒子濾離， 使之自然乾燥。藉此，得到100質量份之粒徑2μm左右的球狀潛伏硬化劑，該球狀潛伏硬化劑係鋁螯合劑被保持在多孔性樹脂而成，該多孔性樹脂係使多官能異氰酸酯化合物界面聚合之同時，使二乙烯苯進行自由基聚合而得。
將此潛伏硬化劑10質量份放入於單乙醯丙酮鋁雙(乙醯乙酸乙酯)之24%異丙醇溶液(鋁螯合物D，Kawaken Fine Chemicals股份有限公司)40質量份、三苯基矽醇20質量份及乙醇40質量份之混合液，於40℃持續攪拌一晚，進行過濾回收，然後加以乾燥，得到浸滲有三苯基矽醇之鋁螯合系潛伏硬化劑。
將基板配置於載台上，於基板之第1LED晶片之構裝區域塗布異向性導電糊。將第1LED晶片裝載於異向性導電糊上，使用熱加壓工具，於溫度200℃-時間60sec-壓力1kg/chip之條件下進行覆晶構裝，裝載第1LED晶片。接著，於基板之第2LED晶片的構裝區域塗布異向性導電糊。將第2LED晶片裝載於異向性導電糊上，使用熱加壓工具，於溫度200℃-時間60sec-壓力1kg/chip之條件下進行覆晶構裝，裝載第2LED晶片。藉由上述方式，得到構裝有2個LED晶片之發光裝置。如表1所示，實施例1之發光裝置其導通性的導通性評價為OK。
<比較例1>
準備下述者作為基板：於陶瓷基材上以電極間間隔50μm形成有寬度為350μm，長度為500μm之第1電極、第2電極及第3電極，該第1電極、第2電極及第3電極於Cu配線上施加有鎳/金鍍覆=5.0μm/0.3μm，於第1電極沒有形成溝槽。除了基板以外，其餘皆以與實施例1同樣，得 到構裝有2個LED晶片之發光裝置。如表1所示，比較例1之發光裝置其導通性的導通性評價為NG。
於比較例1，在構裝第1LED晶片時，異向性導電糊溢出至第2LED晶片之構裝區域形成硬化之狀態。因此，第2LED晶片由於裝載在溢出硬化之異向性導電膜上，因此連接不良，第2LED晶片無法點亮。
另一方面，於實施例1，在構裝第1LED晶片時，剩餘之異向性導電糊留在被蝕刻的溝槽部分，第2LED晶片由於在未受到構裝第1LED晶片時剩餘之異向性導電糊的影響下裝載，因此得到優異之導通性。

Claims (10)

  1. 一種發光裝置，具備：其中一面具有一對電極之第1發光元件及第2發光元件；基板；將該第1發光元件連接於第1電極及第2電極之第1異向性導電膜；及將該第2發光元件連接於該第1電極及第3電極之第2異向性導電膜，其中該基板具有：構裝該第1發光元件之第1構裝區域；構裝該第2發光元件，且與該第1構裝區域鄰接之第2構裝區域；俯視時，於該第1構裝區域與該第2構裝區域之間之全部的區域形成有溝槽，連接該第1發光元件及該第2發光元件之一電極的該第1電極；形成於該第1構裝區域，連接該第1發光元件之另一電極的該第2電極；形成於該第2構裝區域，連接該第2發光元件之另一電極的該第3電極。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該第1異向性導電膜含有光反射性絕緣粒子，被填充於形成在該第1電極之溝槽的至少一部份。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中，該第1構裝區域及該第2構裝區域為矩形區域，形成於該第1電極之溝槽的長度為鄰接於該第2構裝區域之該第1構裝區域之邊的長度以上。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之發光裝置，其中，該第1發光元件之高 度與該第2發光元件之高度不同。
  5. 如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中，該第1發光元件之高度與該第2發光元件之高度不同。
  6. 一種發光裝置之製造方法，具有下述步驟：準備步驟：準備其中一面具有一對電極之第1發光元件及第2發光元件，與基板，第1構裝步驟：使用第1異向性導電糊將該第1發光元件構裝於該基板之第1構裝區域，及第2構裝步驟：使用第2異向性導電糊將該第2發光元件構裝於該基板之第2構裝區域；其中該基板具有：構裝該第1發光元件之第1構裝區域；構裝該第2發光元件，且與該第1構裝區域鄰接之第2構裝區域；俯視時，於該第1構裝區域與該第2構裝區域之間之全部的區域形成有溝槽，連接該第1發光元件及該第2發光元件之一電極的第1電極；形成於該第1構裝區域，連接該第1發光元件之另一電極的第2電極；及形成於該第2構裝區域，連接該第2發光元件之另一電極的第3電極。
  7. 如申請專利範圍第6項之發光裝置之製造方法，其中，該第1異向性導電糊含有光反射性絕緣粒子，於該第1構裝步驟，將該第1異向性導電糊填充於形成在該第1電極之溝槽的至少一部份。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之發光裝置之製造方法，其中，該第1構裝區域及該第2構裝區域為矩形區域，形成於該第1電極之溝槽的長度為鄰接於該第2構裝區域之該第1構裝區域之邊的長度以上。
  9. 如申請專利範圍第6或7項之發光裝置之製造方法，其中，該第1發光元件之高度與該第2發光元件之高度不同。
  10. 如申請專利範圍第8項之發光裝置之製造方法，其中，該第1發光元件之高度與該第2發光元件之高度不同。
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