TWI794127B - 發光元件及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

一種發光元件包含一發光單元、一透光層、一波長轉換結構、一保護層、以及一反射層。發光單元包含上表面以及第一側表面。透光層覆蓋發光單元的上表面以及第一側表面。波長轉換結構位於透光層之上，且包含波長轉換層、第一阻隔層位於波長轉換層上方、第二阻隔層位於波長轉換層下方；其中，波長轉換層、第一阻隔層、以及第二阻隔層共同形成一第二側表面。保護層覆蓋第二側表面以及透光層。反射層圍繞保護層。

Description

發光元件及其製作方法
本發明係關於一種發光元件，尤關於一種具有量子點材料之封裝結構的發光元件。
發光二極體(Light-Emitting Diode；LED)具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小以及反應速度快等特性，因此廣泛應用於各種需要使用發光元件的領域，例如，車輛、家電、及照明燈具等。波長轉換材料，例如：螢光粉，是一種光致發光的物質，它可以吸收LED所發出的第一光線後發出不同頻譜之第二光線。
近年來，隨著大眾對於顯示器影像品質的要求不斷提高，廣色域(wide color gamut)的技術已成為顯示器重要的技術發展之一。一般而言，顯示器中，若使用螢光粉其NTSC(National Television System Committee)約為70~80%，使用量子點(QD)材料的NTSC可至100%。
量子點材料是一種波長轉換材料。不同粒徑的量子點材料可發出不同的波長光。此外，量子點材料所發出的光線可具有較小的半高寬(Full Width at Half Maximum；FWHM)。由於量子點材料發出的光線具有較小的半高寬， 即表示發出的光線更接近單色光(monochromatic light)，適合應用於顯示器上，可以減少被彩色濾光片濾除的光量。
一種發光元件包含一發光單元、一透光層、一波長轉換結構、以及一反射層。發光單元包含上表面以及第一側表面。透光層覆蓋發光單元的上表面以及第一側表面。波長轉換結構位於透光層之上，且包含波長轉換層、第一阻隔層位於波長轉換層上方、第二阻隔層位於波長轉換層下方、以及第三阻隔層覆蓋波長轉換層、第一阻隔層、以及第二阻隔層的側表面。反射層圍繞透光層以及波長轉換結構。
100、110、200、300、400、410、420:發光元件
1、11:發光單元
2:透光層
3:反射層
4:黏著層
5:波長轉換結構
7:保護層
9:次載板
12:電路板
13:膏劑
14:焊料
101、401、507、911、921、931:上表面
102A、102B、112A、112B:導電電極
103、113、402、506、912、922、932:下表面
104:側表面
301、701、933:第一部分
302、702、934:第二部分
303:最下表面
304、134、1001:最外側表面
305、505、703:最上表面
306:內表面
307:第三部分
501:波長轉換層
502:第一阻隔層
503:第二阻隔層
504:第三阻隔層
5041:內側表面
61:第一暫時載具
62:第二暫時載具
63:第三暫時載具
3051、3052:端點
81、82:導線
91:第一導電部
92:第二導電部
93:絕緣部
121A、121B:焊墊
131:導電粒子
132:絕緣材料
133:導通結構
141:導通區域
142:非導通區域
P1:走道
C1、C2:切割道
θ:角度
L:能量
第1A圖為依據本發明一實施例的發光元件之剖面示意圖。
第1B圖為依據本發明一實施例的發光元件之上視圖。
第1C圖為依據本發明另一實施例的發光元件之剖面示意圖。
第2A~2F圖為依據本發明之一實施例的波長轉換結構製造流程示意圖。
第3A~3F圖為依據本發明之一實施例的發光元件製造流程示意圖。
第4A圖為依據本發明一實施例的發光元件之剖面示意圖。
第4B圖為依據本發明一實施例的發光元件之上視圖。
第5A~5I圖為依據本發明之一實施例的發光元件製造流程示意圖。
第6A圖為依據本發明一實施例的發光元件之剖面示意圖。
第6B圖為依據本發明一實施例的發光元件之上視圖。
第7A~7G圖為依據本發明之一實施例的發光元件製造流程示意圖。
第8A~8C圖為依據本發明不同實施例的發光元件之剖面示意圖。
第9A~9B圖為依據本發明一實施例的發光元件與電路板的接合製造步驟。
第9C~9D圖為依據本發明另一實施例的發光元件與電路板的接合製造步驟。
以下實施例將伴隨著圖式說明本發明之概念，在圖式或說明中，相似或相同之部分係使用相同之標號，並且在圖式中，元件之形狀、厚度或高度在合理範圍內可擴大或縮小。本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。對本發明所作之任何顯而易知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。
第1A圖為根據本發明一實施例中一發光元件100之剖面示意圖。發光元件100包含發光單元1、透光層2、反射層3、波長轉換結構5、以及黏著層4。發光單元1具有一上表面101、兩個導電電極102A、102B位於發光單元1相對上表面101的下表面103、以及複數個側表面104。發光單元1可以為具有單一二極體的芯片，或是具有多個二極體的芯片(例如，高壓發光二極體芯片)。發光單元1的上表面101為一出光面。導電電極102A、102B的最外側表面不超過發光單元1的側表面104(亦即，導電電極102A、102B的最外側表面與發光單元1的側表面104齊平或內縮)。透光層2圍繞發光單元1的側表面104並覆蓋上表面101。波長轉換結構5位於透光層2上方，透過黏著層4與透光層2固接。換言之，黏著層4 位於波長轉換結構5以及透光層2之間，波長轉換結構5與發光單元1的上表面101之間具有一大於零的距離。反射層3圍繞透光層2、發光單元1、黏著層4、以及波長轉換結構5。反射層3的最下表面303與發光單元1的下表面103直接接觸且大體上齊平。換言之，透光層2的下表面沒有暴露在外。在另一實施例中，透光層2覆蓋至少一部份的發光單元1的下表面103。反射層3的內表面包含第一部分301、以及位於第一部分301上方的第二部分302。第一部分301傾斜於最下表面303，且直接覆蓋透光層2。因此，透光層2的寬度隨著第一部分301的斜面而變化，在發光單元1的下表面103往上表面101的方向上，透光層2的寬度漸漸變寬。第二部分302與黏著層4與波長轉換結構5直接接觸，且大體上與反射層3的最下表面303垂直。反射層3的最外側表面304大體上與最下表面303垂直。反射層3的最上表面305為一平坦面，大致上垂直於外側表面304，並具有一寬度不等於且小於最下表面303的寬度。反射層3的最上表面305大致上與波長轉換結構5的最上表面505齊平。在一實施例中，反射層3的最上表面305不為一平坦面，且具有一凹部或凸部。在另一實施例中，反射層3的最上表面305不與波長轉換結構5的最上表面505齊平，可以高於或是低於波長轉換結構5的最上表面505。
黏著層4與發光單元1的上表面101之間具有一大於0的距離，因此，透光層2位於黏著層4以及發光單元1的上表面101之間。黏著層4的最大寬度大致等於波長轉換結構5的寬度。在另一實施例中，黏著層4的最大寬度大於或小於波長轉換結構5的寬度。黏著層4的厚度可以較波長轉換結構5的厚度薄。在一實施例中，黏著層4的厚度小於20μm。黏著層4的材料可以是熱固性樹脂或光固化樹脂，例如：矽樹脂(silicone resin)。
波長轉換結構5具有一波長轉換層501、第一阻隔層502、第二阻隔層503、以及第三阻隔層504。第一阻隔層502以及第二阻隔層503用於密封波長轉換層501的上下表面，第三阻隔層504用於密封波長轉換層501的側表面，使得波長轉換層501的外表面都受阻隔層保護，用以隔絕外界的水氣以及氧氣，進而提高波長轉換層501的可靠度。第一阻隔層502直接覆蓋波長轉換層501的上表面，第二阻隔層503直接覆蓋波長轉換層501的下表面，波長轉換層501位於第一阻隔層502以及第二阻隔層503之間。第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503的側表面可以大致上齊平或不齊平(圖未示)。第三阻隔層504覆蓋第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503的側表面、以及第二阻隔層503的下表面506。因此，波長轉換層501被第一阻隔層502、第二阻隔層503、以及第三阻隔層504圍繞。第二阻隔層503位於波長轉換層501以及第三阻隔層504之間。第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503可以大致上具有相同的寬度或不同寬度。第三阻隔層504具有一內側表面5041與第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503的側表面直接接觸，並大致上與波長轉換結構5的最上表面505垂直，或沿者第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503的側表面輪廓起伏。
波長轉換層501包含量子點材料，量子點材料包含基質以及分散於基質中的量子點粒子。基質的材料可以是熱固性樹脂或光固化樹脂，例如：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、環氧樹脂(epoxy resin)、或矽樹脂(silicone resin)。量子點粒子的材料可由半導體材料所構成，且其粒徑通常小於或等於100奈米(nm)。半導體材料包含II-VI族半導體化合物、III-V族半導體化合物、IV-VI族半導體化合物、或上述材料的組合。量子點粒子的結構可包含主要發光的核心區(core)以及包覆核心區的殼(shell)。核心區的材料可以為硫化鋅(ZnS)、硒 化鋅(ZnSe)、碲化鋅(ZnTe)、氧化鋅(ZnO)、氯化銫鉛(CsPbCl3)、溴化銫鉛(CsPbBr3)、碘化銫鉛(CsPbI3)、硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、硒化鎵(GaSe)、銻化鎵(GaSb)、砷化鎵(GaAs)、氮化鋁(AlN)、磷化鋁(AlP)、砷化鋁(AlAs)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)、碲化銻(SbTe)、硒化鋅鎘(ZnCdSe)、硫化鋅鎘硒(ZnCdSeS)、或硫化銅銦(CuInS)。殼的材料與核心區的材料必須相互搭配(例如核心區與殼的材料的晶格常數需要匹配)。殼的材料選擇，除了與核心區的材料的晶格常數匹配外，尚能在核心區的外圍形成一個高能障區域，以提升量子產率(quantum yield)。殼的結構可以是單層、多層或者材料組成漸變的結構。在一實施例中，核心區為硒化鎘，殼為單層的硫化鋅。在另一實施例中，核心區為硒化鎘，殼包含內層的(鎘，鋅)(硫，硒)及外層的硫化鋅。在另一實施例中，核心區為硒化鎘(CdSe)，殼包含內層的硫化鎘(CdS)、外層的硫化鋅(ZnS)、以及位於內殼與外殼之間的組成過渡層(compositional transition layer)，例如：Zn0.25Cd0.75S/Zn0.5Cd0.5S/Zn0.75Cd0.25S。組成過渡層的材料組成比例介於內殼與外殼材料組成比例之間。在一實施例中，組成過渡層是由外殼與內殼混合物組成的合金層。
波長轉換層501可以包含除了量子點粒子之外的波長轉換材料。於一實施例中，其他種類的螢光粉材料與量子點粒子同時混合於接合劑中。例如：以錳四價為活化中心之氟化物螢光粉可發出紅光，與綠光之量子點粒子同時混合於接合劑中。於另一實施例中，其他種類的螢光粉材料與量子點粒子以分層方式混合於接合劑中。例如：可發綠光之氮氧化物螢光粉層形成在靠近發光單元 1處，發紅光及/或其他色光之量子點粒子覆蓋在螢光粉層之上。波長轉換層501還可包含光散射粒子。於一實施例中，多顆光散射粒子分散於基質中。光散射粒子可藉由散射發光單元1的入射光，增加入射光於波長轉換層501內移動的路徑，進而提高入射光被量子點材料/螢光粉吸收的機率。光散射粒子的材料可包含氧化矽或氧化鈦粒子。
覆蓋波長轉換層501上下表面的第一阻隔層502以及第二阻隔層503可以具有相似或是相同的材料，例如：PVDF(polyvinylidene difluoride；聚偏二氟乙烯)、或是PET(polyethylene terephthalate；聚對苯二甲酸乙二酯)。PVDF的熱變形(Heat deflection temperature；HDT)溫度較PET高，大約為200℃，且透光度大於92.5%。在一實施例中，第一阻隔層502以及第二阻隔層503包含PVDF的材料。當製程步驟中包含回焊(reflow)步驟時，第一阻隔層502以及第二阻隔層503的材料特性較不會因為高溫而被破壞，可以確保波長轉換層501經過高溫回焊後，對於水氣、氧氣仍具有足夠的阻隔度。第三阻隔層504的材料可以包含金屬、或是無機材料。金屬可以包含金(Au)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鎳(Ni)。無機材料可以包含氧化矽(SiOX)、氧化鋁(Al2O3)、氮氧化矽(SiON)或氮化矽(SiNX)。
透光層2包含矽膠(Silicone)、環氧樹脂(Epoxy)、聚亞醯胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、SU8、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、氧化鋁(Al2O3)、SINR、旋塗玻璃(SOG)。導電電極102A、102B的材料可以是金屬，例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、 鈦(Ti)、錫(Sn)、或其合金、或其疊層組合。透光層2不包含波長轉換材料。在另一實施例中，透光層2可以包含與波長轉換層501不同放射波長及/或不同濃度的波長轉換材料，例如：透光層2包含紅色螢光粉，波長轉換層501包含綠光量子點粒子。
反射層3的材料包含一基質及高反射率物質之混和物。基質可為矽膠基質(silicone-based)或環氧基質(epoxy-based)；高反射率物質可包含二氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、K2TiO3、ZrO2、ZnS、ZnO、或MgO。
發光單元1為一可發出非同調性光的半導體發光元件，包含一基板、一第一型半導體層、一活性層、以及一第二型半導體層。第一型半導體層及第二型半導體層例如為包覆層(cladding layer)或限制層(confinement layer)，可分別提供電子、電洞，使電子、電洞於活性層中結合以發光。第一型半導體層、活性層、及第二型半導體層可包含III-V族半導體材料，例如AlxInyGa(1-x-y)N或AlxInyGa(1-x-y)P，其中0≦x≦1；0≦y≦1；(x+y)≦1。依據活性層之材料，發光主體1可發出一峰值介於610nm及650nm之間的紅光，峰值介於530nm及570nm之間的綠光，峰值介於450nm及490nm之間的藍光，或是峰值介於400nm及450nm之間的紫光，或是峰值介於280nm及400nm之間的紫外光。基板可做為第一型半導體層、一活性層、以及一第二型半導體層的成長基板，或是移除成長基板後做為第一型半導體層、一活性層、以及一第二型半導體層的載體。基板的材料包含但不限於鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、銦化磷(InP)、藍寶石(Sapphire)、碳化矽(SiC)、矽(Si)、鋁酸鋰(LiAlO2)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、金屬、玻璃、複合材料(Composite)、鑽石、CVD鑽石、與類鑽碳(Diamond-Like Carbon；DLC)等。
波長轉換結構5與發光單元1之間具有一大於0的距離，透光層2位於波長轉換結構5與發光單元1之間。波長轉換結構5不與發光單元1直接接觸，發光單元1產生的熱不會直接傳導至波長轉換結構5。因此，波長轉換結構5較不會因為發光單元1的直接熱傳導，而溫度飆升以至於降低可靠度。發光單元1入射至波長轉換結構5中的入射光，會被波長轉換結構5中波長轉換材料吸收/轉換，未被吸收/轉換的入射光與波長轉換材料發出的光線會完全地或部分混合後再離開發光元件100。
第1B圖為根據本發明一實施例中一發光元件100之上視圖。波長轉換結構5覆蓋在發光單元1之上，反射層3圍繞在波長轉換結構5的周圍。詳言之，反射層3圍繞第三阻隔層504，第三阻隔層504圍繞第一阻隔層502。由上視圖觀之，反射層3、第三阻隔層504、以及第一阻隔層502的幾何中心會位於相近的位置上。第1B圖顯示，發光元件100具有一矩形的外型，但是本申請案中發光元件100的形狀並不限於此。在其他實施例，發光元件100可以為其他非矩形的形狀，例如：三角形、梯形、菱形、平行四邊形、正方形、圓形、或其他多邊形。當波長轉換結構5中的波長轉換材料被來自發光單元1的入射光激發時，也會產生熱能，使波長轉換結構5的溫度上升，而降低波長轉換結構5的可靠度。例如：位於波長轉換結構5中的量子點粒子可以承受的光能量密度為大約為0.2W/mm2，若入射光強度過大，便可能劣化量子點粒子的發光效率、發光強度等特性。因此，為了降低波長轉換材料因為波長轉換產生的熱能，發光元件100的波長轉換結構5的面積較發光單元1的出光面大，用以降低波長轉換結構5所承受的光能量密度。由上視圖觀之，發光單元1的上表面具有一面積A1，波長轉換結構5的上表 面具有一面積A2，A2>A1，且A2/A1介於一定數值區間之中，例如：1.5<A2/A1<10。
第三阻隔層504的主要功能是為了要密封波長轉換層501的側表面，因此可以選擇性的僅覆蓋第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503的側表面，而不覆蓋第二阻隔層503的下表面506，如第1C圖所示。第1C圖為根據本發明一實施例中一發光元件110之剖面示意圖，發光元件110包含發光單元1、透光層2、反射層3、波長轉換結構5、以及黏著層4。波長轉換結構5具有一波長轉換層501、第一阻隔層502、第二阻隔層503、以及第三阻隔層504。第一阻隔層502直接覆蓋波長轉換層501的上表面，第二阻隔層503直接覆蓋波長轉換層501的下表面。第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503的側表面大致上齊平或不齊平。波長轉換層501位於第一阻隔層502以及第二阻隔層503之間。第三阻隔層504覆蓋第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503的側表面。第二阻隔層503的下表面506不被第三阻隔層504覆蓋，且直接與黏著層4接觸。發光單元1、透光層2、反射層3、波長轉換結構5、以及黏著層4的結構、材料可參考前述發光元件100的相關段落。
第2A~2F圖為依據本發明之一實施例的波長轉換結構5製造流程示意圖。參考第2A圖，將具有第一阻隔層502以及第二阻隔層503的波長轉換層501設置於第一暫時載具61上，其中，第一阻隔層502與第一暫時載具61直接接觸或透過黏著層(未示)貼附在第一暫時載具61上。接著，參考第2B圖，進行切割，形成複數個走道P1定義出複數個波長轉換結構的大小。參考第2C圖，利用印刷(printing)、塗佈(coating)、噴塗(spraying)、點膠(dispensing)、或鑄模灌膠(molding)等方式將第三阻隔層504覆蓋在第一阻隔層502、波長轉換 層501、以及第二阻隔層503的側面、第二阻隔層503的上表面、以及走道P1中。最後，參考第2D圖，移除走道P1中的第三阻隔層504，即可於第一暫時載具61上形成複數個波長轉換結構5。在另一實施例，第2C圖的步驟由第2E圖取代，第三阻隔層504僅覆蓋在第一阻隔層502、波長轉換層501、以及第二阻隔層503的側面、以及走道P1中，並暴露第二阻隔層503的上表面。最後，如第2F圖所示，移除走道P1中的第三阻隔層504，即可於第一暫時載具61上形成複數個波長轉換結構5。第一暫時載具61之材料可為熱移除膠帶(thermal release tape)、光解膠膜(UV tape)、化學移除膠帶(Chemical release tape)、耐熱膠帶、或藍膜(Blue Tape)。
第3A~3F圖為依據本發明之一實施例的發光元件製造流程示意圖。在此例示第1A圖的發光元件100的製作步驟，第1C圖的發光元件110僅需將第3A~3F圖的波長轉換結構5替換成第2F圖的結構，即可製作完成。參考第3A圖，提供一具有黏著性的第二暫時載具62，將複數個發光單元1的兩個導電電極102A、102B安置於第二暫時載具62上。相鄰發光主體1間之區域定義為走道區。透光層2利用印刷(printing)、塗佈(coating)、噴塗(spraying)、點膠(dispensing)、或鑄模灌膠(molding)等方式覆蓋發光單元1的上表面101與側表面104、以及走道區。在此，也可進行一平坦化製程，例如拋光(polish process)或噴砂(blasting)製程，使透光層2之上表面平坦化。隨後，參考第3B圖，形成黏著層4於透光層2的上方。參考第3C圖，將第3B圖中的結構翻轉，使發光單元1與第2D圖中的波長轉換結構5兩兩相對。將第2D圖中的波長轉換結構5與黏著層4接觸黏合，使波長轉換結構5固定在每個發光單元1的下方。移除第二暫時載具62，露出導電電極102A、102B。接著，參考第3D圖，切割透光層2以及黏著層4，以形成上寬下窄 的切割道C1，並露出位於相鄰波長轉換結構5之間的走道P1。為形成上寬下窄的切割道C1，較佳地係使用具有相近外型之切割刀進行切割步驟，然而，凡可以形成上寬下窄的切割道的切割工具或製造工藝亦不排除為本申請案所用。接下來，參考第3E圖，於切割道C1以及走道P1之間，利用印刷(printing)、塗佈(coating)、噴塗(spraying)、點膠(dispensing)、或鑄模灌膠(molding)等方式，形成反射層3。隨後，再進行一平坦化製程，例如拋光或噴砂製程，露出導電電極102A、102B。在此步驟，可以選擇性地使反射層3覆蓋發光單元1的下表面103，以及填補於導電電極102A、102B之間。最後，參考第3F圖，切割反射層3，並移除第一暫時載具61以形成彼此分離的複數個發光元件。移除第一暫時載具61、以及第二暫時載具62的方法可以使用雷射剝離、加熱分離、溶解等方式。
第4A圖為根據本發明一實施例中一發光元件200之剖面示意圖。發光元件200包含發光單元1、透光層2、反射層3、波長轉換結構5、以及保護層7。發光單元1具有一上表面101、兩個導電電極102A、102B位於發光單元1相對上表面101的下表面103、以及複數個側表面104。發光單元1可以為具有單一二極體的芯片，或是具有多個二極體的芯片(例如，高壓發光二極體芯片)，發光單元1的上表面101為一出光面。導電電極102A、102B的最外側表面不超過發光單元1的側表面104(亦即，導電電極102A、102B的最外側表面與發光單元1的側表面104齊平或內縮)。透光層2圍繞發光單元1的側表面104並覆蓋上表面101。波長轉換結構5位於透光層2上方，與透光層2直接接觸。波長轉換結構5與發光單元1的上表面101之間具有一大於零的距離。在另一實施例中，波長轉換結構5以及透光層2之間如同發光元件100一樣，具有一黏著層(未顯示)。反射層3圍繞透光層2、發光單元1、以及波長轉換結構5。反射層3的最下表面303與發光單元1的 下表面103直接接觸且大體上齊平。換言之，透光層2的下表面沒有暴露在發光元件100外。在另一實施例中，透光層2覆蓋至少一部份的發光單元1的下表面103。反射層3的內表面306為一斜面，傾斜於反射層3的最下表面303。反射層3的外側表面304大致上垂直於最下表面303。
保護層7形成在反射層3的內表面306上，具有一厚度，例如，大於10μm且小於50um，且與波長轉換結構5的最上表面505夾一個銳角。保護層7包含第一部分701以及位於第一部分701上方的第二部分702。第一部分701位於透光層2以及反射層3之間，且直接覆蓋透光層2的側表面。第二部分702位於波長轉換結構5與反射層3之間，且直接覆蓋波長轉換結構5的側表面。保護層7可以包含金屬、或是無機材料。金屬可以包含金(Au)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鎳(Ni)。無機材料可以包含氧化矽(SiOX)、氧化鋁(Al2O3)、氮氧化矽(SiON)、或氮化矽(SiNX)。
波長轉換結構5具有一波長轉換層501、第一阻隔層502、以及第二阻隔層503。第一阻隔層502直接覆蓋波長轉換層501的上表面，第二阻隔層503直接覆蓋波長轉換層501的下表面，波長轉換層501位於第一阻隔層502以及第二阻隔層503之間。波長轉換層501、第一阻隔層502、以及第二阻隔層503的側表面共同形成一斜面，被保護層7的第二部分702直接覆蓋。第一阻隔層502以及第二阻隔層503用於密封波長轉換層501的上下表面。保護層7用於密封波長轉換層501的側表面，使得波長轉換層501的外表面都受阻隔層與保護層保護，用以隔絕外界的水氣以及氧氣，進而提高波長轉換層501的可靠度。第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503共同形成一上寬下窄的梯形。詳言之，第二阻隔層503的寬度小於波長轉換層501的寬度，波長轉換層501的寬度小於第一阻隔層502的 寬度。波長轉換結構5的最上表面505大致上與反射層3的最上表面305、保護層7的最上表面703大致上齊平。
發光單元1、透光層2、反射層3、第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503的材料可參考前述發光元件100的相關段落，在此不再重複說明。
第4B圖為根據本發明一實施例中一發光元件200之上視圖。波長轉換結構5覆蓋在發光單元1之上，保護層7圍繞在波長轉換結構5的周圍，反射層3圍繞在保護層7的周圍(如第4A圖所示)。第4B圖顯示，發光元件200具有一矩形的外型，但是本申請案中發光元件100的形狀並不限於此，發光元件200可以為其他非矩形的形狀，例如：三角形、梯形、菱形、平行四邊形、正方形、圓形、或其他多邊形。當波長轉換結構5中的波長轉換材料被來自發光單元1的入射光激發時，也會產生熱能，使波長轉換結構5的溫度上升，進而降低波長轉換結構5的可靠度。例如：量子點粒子可以承受的光能量密度為大約為0.2W/mm2，若入射光強度過大，便可能劣化量子點粒子的發光效率、發光強度等特性。因此，為了降低波長轉換材料因為波長轉換產生的熱能，發光元件200的波長轉換結構5的面積較發光單元1的出光面大，用以降低波長轉換結構5所承受的光能量密度。由上視圖觀之，發光單元1的上表面具有一面積A1，波長轉換結構5的上表面具有一面積A2，A2>A1，且A2/A1介於一定數值區間之中，例如：1.5<A2/A1<10。
第5A~5I圖為依據本發明之一實施例的發光元件製造流程示意圖。參照第5A圖，將具有第一阻隔層502以及第二阻隔層503波長轉換層501設置於第一暫時載具61上，其中，第一阻隔層502與第一暫時載具61直接接觸或透過黏著層(未示)貼附在第一暫時載具61上。接著，參考第5B圖，利用印刷(printing)、 塗佈(coating)、噴塗(spraying)、點膠(dispensing)、或鑄模灌膠(molding)等方式，將透光層2形成在第二阻擋層503上。參考第5C圖，提供一具有黏著性的第二暫時載具62，將複數個發光單元1的兩個導電電極102A、102B安置於第二暫時載具62上，相鄰發光主體1間之區域定義為走道區。接著，參考第5D圖，翻轉第5C圖中的結構，將發光單元1埋入第5B圖中的透光層2中，但發光單元1並不碰觸到第二阻擋層503。參考第5E圖，移除第二暫時載具62，露出導電電極102A、102B。接著，參考第5F圖，切割透光層2、第一阻隔層502、波長轉換層501、以及第二阻隔層503，以形成上寬下窄的切割道C1。為形成上寬下窄的切割道C1，較佳地係使用具有相近外型之切割刀進行切割步驟，然而，凡可以形成上寬下窄的切割道的切割工具或製造工藝亦不排除為本申請案所用。參考第5G圖，於切割道C1中，在透明層2、第一阻隔層502、波長轉換層501、以及第二阻隔層503共同形成的斜面上利用原子層化學氣相沉積法(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition；ALD)、電鍍、或是化鍍的方式形成保護層7。隨後，參考第5H圖，於切割道C1以及走道P1之間，利用印刷(printing)、塗佈(coating)、噴塗(spraying)、點膠(dispensing)、或鑄模灌膠(molding)等方式，形成反射層3。隨後，再進行一平坦化製程，例如拋光或噴砂製程並露出導電電極102A、102B。在此步驟，可以選擇性地使反射層3覆蓋發光單元1的下表面103，以及填補於導電電極102A、102B之間。最後，參考第5I圖，切割反射層3，並移除第一暫時載具61以形成各自分離的複數個發光元件。
第6A圖為根據本發明一實施例中一發光元件300之剖面示意圖。發光元件300包含發光單元1、透光層2、反射層3、波長轉換結構5、以及黏著層4。發光單元1具有一上表面101、兩個導電電極102A、102B位於發光單元1相對 上表面101的下表面103、以及複數個側表面104。透光層2圍繞發光單元1的側表面104並覆蓋上表面101。波長轉換結構5位於透光層2上方，透過黏著層4與透光層2固接。換言之，黏著層4位於波長轉換結構5以及透光層2之間，波長轉換結構5與發光單元1的上表面101之間具有一大於零的距離。反射層3圍繞透光層2、發光單元1、黏著層4、以及波長轉換結構5。反射層3與發光單元1的側表面104不直接接觸，並與側表面104之間具有一大於零的距離。反射層3的內表面包含第一部分301、位於第一部分301上方的第二部分302、以及連接第一部分301與第二部分302的第三部分307。第一部分301垂直於最下表面303，且直接覆蓋透光層2。第二部分302與波長轉換結構5直接接觸，且大體上與反射層3的最下表面303垂直。第三部分307位於第一部分301與第二部分302之間，具有一個斜面，與第一部分301與第二部分302不平行。在另一實施例中，第三部分307為一弧面。反射層3的最外側表面304大體上與最下表面303垂直。反射層3內表面的第一部分301與最外側表面304的距離大於第二部分302與最外側表面304的距離。換言之，反射層3環繞透光層2的部分的寬度較環繞波長轉換結構5的部分寬。反射層3的最上表面305不為一平坦面，且具有一凹部。且最上表面305與波長轉換結構5接觸的端點3051較最上表面305與最外側表面304相交的端點3052高。在另一實施例中，反射層3的最上表面305為一斜面或平面，反射層3的最上表面305為平面時，可以與波長轉換結構5的最上表面505齊平。在另一實施例中，最上表面305與波長轉換結構接觸的端點3051不與波長轉換結構5的最上表面505接觸，且低於波長轉換結構5的最上表面505。
黏著層4與發光單元1的上表面101之間具有一大於0的距離，因此，透光層2位於黏著層4以及發光單元1的上表面101之間。黏著層4的上表面401 的寬度大致等於波長轉換結構5的寬度，下表面402的寬度大致等於透光層2的寬度。黏著層4上表面401的寬度不等於下表面402的寬度。若黏著層4的厚度較小時，其上下表面的寬度差異可能不大或相同。
波長轉換結構5具有一波長轉換層501、第一阻隔層502、第二阻隔層503、以及第三阻隔層504。第一阻隔層502以及第二阻隔層503用於密封波長轉換層501的上下表面，第三阻隔層504用於密封波長轉換層501的側表面，使得波長轉換層501的外表面都受阻隔層保護，用以隔絕外界的水氣以及氧氣，進而提高波長轉換層501的可靠度。第一阻隔層502直接覆蓋波長轉換層501的上表面，第二阻隔層503直接覆蓋波長轉換層501的下表面，波長轉換層501位於第一阻隔層502以及第二阻隔層503之間。第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503的側表面可以大致上齊平或不齊平(圖未示)。第三阻隔層504覆蓋第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503的側表面、以及第一阻隔層502的上表面507。因此，波長轉換層501被第一阻隔層502、第二阻隔層503、以及第三阻隔層504圍繞。第一阻隔層502位於波長轉換層501以及第三阻隔層504之間。第二阻隔層503與黏著層4的上表面401直接接觸。
發光單元1、透光層2、反射層3、黏著層4、第一阻隔層502、波長轉換層501、第二阻隔層503、第三阻隔層504的材料可參考前述發光元件100的相關段落，在此不再重複說明。
第6B圖為根據本發明一實施例中一發光元件300之上視圖。波長轉換結構5覆蓋在發光單元1之上，反射層3圍繞在波長轉換結構5的周圍。詳言之，由上視圖觀之，反射層3圍繞第三阻隔層504的周圍，並與第三阻隔層504的幾何中心會位於相近的位置上。當波長轉換結構5中的波長轉換材料被來自發光 單元1的入射光激發時，也會產生熱能，使波長轉換結構5的溫度上升，而降低波長轉換結構5的可靠度，例如：量子點粒子可以承受的光能量密度大約為0.2W/mm2，若入射光強度過大，便可能劣化量子點粒子的發光效率、發光強度等特性。因此，為了降低波長轉換材料因為波長轉換產生的熱能，發光元件300的波長轉換結構5的面積較發光單元1的出光面大，用以降低波長轉換結構5所承受的光能量密度。由上視圖觀之，發光單元1的上表面具有一面積A1，波長轉換結構5的上表面具有一面積A2，A2>A1，且A2/A1介於一定數值區間之中，例如：1.5<A2/A1<10。
第7A~7G圖為依據本發明之一實施例的發光元件製造流程示意圖。參考第7A圖，提供一具有黏著性的第二暫時載具62，將複數個發光單元1的兩個導電電極102A、102B安置於第二暫時載具62上，相鄰發光主體1間之區域定義為走道區。透光層2利用印刷(printing)、塗佈(coating)、噴塗(spraying)、點膠(dispensing)、或鑄模灌膠(molding)等方式覆蓋發光單元1的上表面101與側表面104、以及走道區。在此，也可進行一平坦化製程，例如拋光(polish process)或噴砂(blasting)製程，使透光層2之上表面平坦化。隨後，參考第7B圖，於相鄰發光單元1之間的走道區進行切割，移除部分的透光層2形成切割道C2。參考7C圖，形成黏著層4於透光層2的上方。參考第7D圖，將第2D圖中的波長轉換結構5翻轉，安置於第三暫時載具63上，並移除第一暫時載具61。隨後，參考第7E圖，發光單元1與第7D圖中的結構兩兩相對，並將波長轉換結構5下移與黏著層4接觸黏合，使波長轉換結構5固定在相應之發光單元1的上方(一個波長轉換結構可以覆蓋一或多個發光單元)。隨後，移除第三暫時載具63，露出切割道C2。參考第7F圖，於切割道C2利用印刷(printing)、塗佈(coating)、噴 塗(spraying)、點膠(dispensing)、或鑄模灌膠(molding)等方式，使反射層3覆蓋波長轉換結構5以及透光層2的側表面。在此步驟中，反射層3的填入高度控制在不超過波長轉換結構5，因此不需進行拋光製程用於露出波長轉換結構5。反之，若反射層3的填入高度超過波長轉換結構5則可以視需要進行降低高度之步驟，亦即反射層3最上表面的高度可以超過波長轉換結構5之最上表面。最後，參考第7G圖，切割反射層3，並移除第二暫時載具62以形成彼此分離的複數個發光元件。第三暫時載具63的材料以及移除方法與第一暫時載具61、第二暫時載具62相同，可參考前述相關段落。
前述發光元件100、110、200、300的發光單元1可以選用覆晶晶片，換句話說，發光單元1的兩個導電電極102A、102B位於發光單元1的同一側。在其他實施例中，發光單元1也可以置換為正裝型(face-up)晶片，如第8A~8C圖所示。第8A~8C圖以發光元件300為例，將覆晶型的發光單元1置換為正裝型發光單元的結構示例圖。第8A圖為根據本發明一實施例中一發光元件400之剖面示意圖。發光元件400的反射層3、透光層2、波長轉換結構5、以及黏著層4的結構、材料與發光元件300相同，可參考前述段落。發光元件400是將發光元件300中的發光單元1置換成發光單元11以及次載板9。發光單元11設置於次載板9上。次載板9包括兩個物理性分離的第一導電部91以及第二導電部92、以及絕緣部93圍繞以及連接第一導電部91以及第二導電部92。在此剖面圖下，第二導電部92的寬度較第一導電部91寬。由底視圖(圖未視)觀之，絕緣部93環繞第一導電部91以及第二導電部92的側表面，並可以選擇性地與第一導電部91以及第二導電部92的上下表面形成一共同的平面。詳言之，第一導電部91的上表面911以及第二導電部92的上表面921不被絕緣部93覆蓋，並與絕緣部93的上表面931共平面。第一導 電部91的下表面912以及第二導電部92的下表面922不被絕緣部93覆蓋，並與絕緣部93的下表面932共平面。發光單元11的下表面113可透過一黏著層(未顯示，例如銀膠、矽膠、環氧樹脂等膠體)固定在次載板9的第二導電部92上。發光單元11的寬度較第二導電部92小。發光單元11具有第一導電電極112A、以及第二導電電極112B設置在相對於下表面113的上表面上。第一導電電極112A利用導線81與第一導電部91形成電性連接，第二導電電極112B利用導線82與第二導電部92形成電性連接。透光層2圍繞並且覆蓋發光單元11、第一導電電極112A、第二導電電極112B、導線81、82。反射層3與次載板9的最外側邊直接接觸，換言之，反射層3與次載板9的絕緣部93直接接觸。反射層3的最下表面303與第一導電部91的下表面912、第二導電部92的下表面922、以及絕緣部93的下表面932共平面。外部電源可以透過第一導電部91以及第二導電部92導通發光單元11。在另一實施例中(未顯示)，反射層3不與次載板9的最外側邊直接接觸，換言之，透光層2直接覆蓋次載板9的最外側邊。
第一導電部91與第二導電部92的材料可以是金屬，例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、錫(Sn)、或其合金、或其疊層組合。絕緣部93的材料可以與透光層2相同用以固定第一導電部91與第二導電部92。在另一實施中，絕緣部93的材料可以與反射層3相同，用以增加發光元件400的發光強度。
在另一實施例，發光單元11系設置於次載板9的絕緣層上，如第8B圖所示。第8B圖為根據本發明一實施例中一發光元件410之剖面示意圖。發光元件410與發光元件400相似，唯次載板9的結構與發光元件400些微不同。發光元件410的發光單元11、反射層3、透光層2、波長轉換結構5、以及黏著層4的結構、 材料與發光元件400相同，可參考前述段落。次載板9包括兩個物理性分離的第一導電部91、以及第二導電部92、以及絕緣部93圍繞以及連接第一導電部91以及第二導電部92。第二導電部92的寬度可與第一導電部91的寬度相同或是不同。絕緣部包含第一部分位於次載板9的外側，環繞且覆蓋第一導電部91以及第二導電部92的外側表面。絕緣部的第二部分位於第一導電部91與第二導電部92之間，且覆蓋第一導電部91以及第二導電部92的內側表面。絕緣部93與第一導電部91以及第二導電部92的上下表面形成一共同的平面。發光單元11位於第一導電部91與第二導電部92之間，發光單元11的下表面113可透過一黏著層(未顯示)固定在絕緣部的第二部分上。反射層3不與絕緣部93的第一部分直接接觸，透光層2位於絕緣部93的第一部分與反射層3之間。反射層3、透光層2、次載板9的下表面共平面。再另一實施例，反射層3與絕緣部93的第一部分直接接觸。
在另一實施例中，第一導電部91與第二導電部92由透光層2圍繞固定，如第8C圖所示。第8C圖為根據本發明一實施例中一發光元件420之剖面示意圖。發光元件420的發光單元11、反射層3、透光層2、波長轉換結構5、以及黏著層4的結構、材料與發光元件400相同，可參考前述段落。發光單元11的下表面113可透過一黏著層(未顯示)固定在第二導電部92上。發光單元11的寬度較第二導電部92小。第一導電部91與第二導電部92物理性分離，第二導電部92的寬度較第一導電部91寬。透光層2圍繞第一導電部91、以及第二導電部92的側表面、以及上表面，用以固定支撐第一導電部91以及第二導電部92。詳言之，透光層2包覆第一導電部91、第二導電部92、發光單元11、導線81、82。反射層3不與第一導電部91以及第二導電部92直接接觸。透光層2位於反射層3與第一導電部91以及第二導電部92之間。
在其他實施例中，可將前述發光元件100、110、200相對應的發光單元1用第8A~8C圖的發光單元11以及次載板9、第一導電部91、第二導電部92取代。
第9A~9B圖為依據本發明一實施例的發光元件與電路板12的接合製造步驟。參照第9A圖，以發光元件100為例子，在其他實施例，發光元件也可以為發光元件110、200、300、400、410、420。發光元件100的兩個導電電極102A、102B與電路板12上的焊墊121A、121B各自相對。膏劑13塗佈在發光元件100和電路板12之間。參考第9A圖，加熱固化前的膏劑13包括絕緣材料132以及分散在絕緣材料132中的複數個導電粒子131。接合發光元件100的方法包括一加熱固化步驟。在接合過程中，膏劑13或製程環境的溫度不高於170℃，因此較不會影響發光元件100中的波長轉換結構5的可靠度。絕緣材料132的黏度會先下降再上升，且導電粒子131會聚集在發光元件100的兩個導電電極102A、102B以及電路板12上的焊墊121A、121B之間或周遭。第9B圖顯示加熱固化後的狀態。膏劑13覆蓋的區域包括導通區域141以及一非導通區域142。導通區域141位於導電電極102A和焊墊121A之間，以及導電電極102B和焊墊121B之間。除了導通區域141外，其他膏劑覆蓋的區域為非導通區域142。如第9A圖所示，加熱固化步驟前，導通區域141內的導電粒子131的平均密度與非導通區域142相似。如第9B圖所示，加熱固化步驟後，大部分的導電粒子131聚集於導通區域141中。導通區域141內的導電粒子131的平均密度大於非導通區域142。在一實施例中，導通區域141內的導電粒子131的平均密度大於75%、或者導通區域141優選地不具有絕緣材料132。非導通區域142內的導電粒子131的平均密度小於40%，但不等於零。也就是說，非導通區域142包含少量彼此分開的導電粒子131。例如，非導通區域142內的導電粒子131的含量介於0.1%~40%，較佳地為2%~10%。絕緣材料132 在非導通區域142中的平均密度高於60%，優選地介於60%~99.9%之間，更加地介於90%~98%之間。在一個實施例中，非導通區域142包含10%~40%的導電粒子131以及60%~90%的絕緣材料132，並且優選地，非導通區域142包含20%~30%的導電粒子131以及70%~80%的絕緣材料132。在另一個實施例中，非導通區域142不包含導電粒子131。
膏劑13可以劃分成複數個子部分(例如：3~10個子部分)。平均密度定義為所有或選定子部分密度的平均值。子部分的尺寸可以根據測試樣本的大小或測量方法調整。例如，子部分具有三維的形狀或是在剖視圖中具有二維的形狀。二維的形狀可以是八邊形、六邊形、矩形、三角形、圓形、橢圓形、或其組合。三維的形狀可以是圓柱體、立方體、長方體、或球體。導電粒子131的密度為膏劑13於一子部分(例如20×20μm2)內，計算所有導電粒子131的數量或佔據面積(在一個選定的視圖下觀測)來獲得。
導電粒子131可以包含低熔點的金屬或低液化熔點(liquidus melting point)的合金，其熔點或液化溫度低於210℃。金屬材料可以是元素、化合物、或合金，例如：鉍(Bi)、錫(Sn)、銀(Ag)、銦(In)、或其合金。在一實施例中，低熔點的金屬或低液化熔點合金的熔點或液化溫度低於170℃。低液化熔點合金的材料可以是錫銦合金或錫鉍合金。絕緣材料132可以是熱固性聚合物，例如：環氧樹脂(epoxy)、矽氧樹脂(silicone)、聚甲基丙烯酸甲酯、以及環硫化物(episulfide)。絕緣材料132可以在固化溫度下固化。在本實施例中，導電粒子131的熔點低於絕緣材料132的固化溫度。如第9A圖所示，在加熱固化步驟之前，導電粒子131的粒徑被定義為導電粒子131的直徑，介於1μm~20μm之間，例如：2μm、10μm。導電粒子131相對於膏劑13的重量比介於30%至 80%之間。在一實施例中，導電粒子131的平均粒徑大致為2μm時，導電粒子131相對於膏劑13的重量比介於30%至70%之間。在另一實施例中，導電粒子131的平均粒徑大致為10μm時，導電粒子131相對於膏劑13的重量比介於40%至80%之間。導電電極102A、102B之間的最短距離優選地是導電粒子131粒徑的兩倍以上。
在一實施例中，絕緣材料132為透光的。在另一實施例中，絕緣材料132可以選擇性的加入光吸收物質，使絕緣材料呈現深色，例如黑色，當發光元件應用於顯示器中時，可以增加顯示器的對比度。在另一實施例中，絕緣材料132可以選擇性的加入高反射物質，使絕緣材料呈現白色，用以反射發光主體射向電路板的光，可以增加發光元件向上的出光強度。光吸收物質可以為碳(carbon)、氧化鈦，或是深色顏料。
如第9B圖所示，加熱固化之後，位於導通區域141內的導電粒子是呈現一塊狀(bulk)的導通結構133，並覆蓋導電電極102A、102B和焊墊121A、121B的至少一個側表面。導通結構133與各自相對應的導電電極102A、102B和焊墊121A、121B直接接觸提供電性導通，外部的電源可以通過焊墊121A、121B、導通結構133、以及導電電極102A、102B傳輸至發光元件100。絕緣材料132圍繞導通結構133、導電電極102A、102B、以及焊墊121A、121B的外側表面。非導通區域142內的導電粒子131是離散狀分佈，並被絕緣材料132包覆。因此，電流無法通過非導通區域142。填充於非導通區域142內的絕緣材料132可以增強發光元件100和電路板12之間的接合強度，也可以避免外部環境對導電材料的氧化，還可避免導通結構133在高溫環境下因材料軟化或融化造成短路的問題。於一側視圖中，以對應的導電電極102A與焊墊121A為例，導通結構133的下端(與焊墊121A接觸的一端)完全覆蓋焊墊121A的上表面，導通結構133相對於下端的上端 (與導電電極102A接觸的一端)完全覆蓋導電電極102A的下表面。導通結構133具有一頸部(necking)的形狀，導通結構133的外側表面具有凹部與凸部的表面。在另一實施例中，導通結構133的外側表面為一個外凸的圓弧狀，亦即導通結構133無頸部結構。在另一實施例中，導通結構133的外側表面為一個平坦面。
如第9B圖所示，膏劑13的最外側表面134具有彎曲形狀，並從電路板12延伸至發光元件100的最外側表面1001。膏劑13的形狀在加熱固化之後會發生變化(相較於第9A圖)，亦即，膏劑13在加熱固化步驟之前和之後具有不同的形狀。膏劑13覆蓋部分的發光元件100的最外側表面1001。更具體地說，在加熱固化後，如第9圖所示，膏劑13的最外側表面134與電路板12之間具有一角度θ，角度θ沿著最外側表面134向發光元件100的最外側表面1001的方向逐漸增加。
第9C~9D圖為依據本發明一實施例的發光元件與電路板12的接合製造步驟。參照第9C圖，以發光元件100為例子，在其他實施例，發光元件也可以為發光元件110、200、300、400、410、420。發光元件100的兩個導電電極102A、102B與電路板12上的焊墊121A、121B各自相對。焊料14塗佈在焊墊121A、121B上。在接合的地區提供能量L，局部加熱焊料14。能量L可以為雷射，例如：紅外光、UV光。之後，參考第9D圖，下壓發光元件100至融溶的焊料14上，使發光元件100藉由焊料14與電路板12接合。由於能量L僅局部加熱焊料14的區域，不會加熱到發光元件100，因此不會影響發光元件100中的波長轉換結構5的可靠度。焊料14的材料可以為錫、銅、銀、鉍、銦、鋅、銻、或其混合物。在另一實施例中，焊料14的材料可以為異方導電膠(anisotropic conductive film；ACF)、或是第9A~9B圖中具有自組裝功能的膏劑13。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即舉凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
110:發光元件
1:發光單元
2:透光層
3:反射層
4:黏著層
5:波長轉換結構
101:上表面
102A、102B:導電電極
103、506:下表面
104:側表面
301:第一部份
302:第二部分
303:最下表面
304:最外側表面
305、505:最上表面
501:波長轉換層
502:第一阻隔層
503:第二阻隔層
504:第三阻隔層

Claims (10)

  1. 一種發光元件，包含： 一發光單元，包含一上表面以及一第一側表面； 一透光層，覆蓋該上表面以及該第一側表面； 一波長轉換結構，位於該透光層之上，包含一波長轉換層、一第一阻隔層位於該波長轉換層上方、一第二阻隔層位於該波長轉換層下方； 其中，該波長轉換層、該第一阻隔層、以及該第二阻隔層共同形成一第二側表面； 一保護層，覆蓋該第二側表面及該透光層；以及 一反射層，圍繞該保護層。
  2. 如請求項1所述之發光元件，其中，該保護層包含一第一部分位於該反射層與該透光層之間。
  3. 如請求項1所述之發光元件，其中，該保護層包含一第二部分位於該第二側表面與該反射層之間。
  4. 如請求項1所述之發光元件，其中，該波長轉換結構具有一最上表面，而該保護層傾斜於該最上表面。
  5. 如請求項1所述之發光元件，其中，自一上視圖觀之，該波長轉換結構與該發光單元的面積比值介於1.5~10之間。
  6. 如請求項1所述之發光元件，其中，該第二側表面為一斜面。
  7. 如請求項1所述之發光元件，其中，該保護層包含一金屬材料。
  8. 如請求項1所述之發光元件，其中，該第二阻隔層直接接觸該透光層。
  9. 如請求項1所述之發光元件，其中，該波長轉換結構為一梯形的形狀。
  10. 如請求項1所述之發光元件，其中，該波長轉換層包含一量子點材料。
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