TWI800628B - X光產生裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之X光產生裝置具備X光管、X光管收納部、及將對X光管供給電壓之內部基板密封於絕緣塊內而成之電源部。藉由絕緣塊之上面及X光管收納部之內面，區劃成第1空間。藉由對形成於絕緣塊之側面之外部開口之凹部，及密封凹部之開口之密封構件，區劃成第2空間。於絕緣塊，設有將第1空間及第2空間連通之連通孔。於第1空間及第2空間內封入絕緣油。凹部之深度小於正交於凹部深度方向之長邊方向之凹部之寬度。

Description

X光產生裝置

本揭示之一態樣係關於一種X光產生裝置。

先前，已知有於具備X光管之X光產生裝置中，於密封電源部之絕緣塊，固定有同時收納絕緣油與X光管之X光管收納部之構造（例如參照專利文獻1）。藉由該構造，可兼具對於X光管之絕緣特性及散熱特性，可獲得穩定性較高之X光產生裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2004-213974號公報

[發明所欲解決之問題]

上述X光產生裝置中，期望進而提高穩定性。因此，較好設置用以提高及/或保持絕緣油之絕緣特性或散熱特性之構成。但，以使此種構成面向X光管之方式設置於X光管收納部內之構造中，因該構成而使X光管收納部內之電場可能產生紊亂。並且，有因該電場之紊亂而產生放電之虞。另一方面，雖亦考慮將該構成設置於絕緣塊側，但於為了在絕緣塊密封電源部，故未考慮該方面時，有於該構成與電源部間產生放電之虞。

因此，本揭示之一態樣之目的係提供一種可抑制放電產生之X光產生裝置。 [解決問題之技術手段]

本揭示之一態樣之X光產生裝置具備：X光管，其產生X光；X光管收納部，其以自X光管之管軸方向觀察包圍X光管之至少一部分之方式，收納X光管之至少一部分；及電源部，其沿管軸方向配置於與X光管對向之位置，將對X光管供給電壓之高電壓產生電路密封於包含絕緣性材料之固體之絕緣塊內而成；且藉由面向X光管之絕緣塊之第1面及X光管收納部之內面，區劃成第1空間，藉由對形成於不同於第1面之絕緣塊之第2面之外部開口之凹部、密封凹部之開口之密封構件，區劃成第2空間，於絕緣塊，設有使第1空間及第2空間連通之連通部，於第1空間及第2空間內，封入絕緣性液體，凹部之深度小於正交於凹部之深度方向之長邊方向之凹部之寬度。

本揭示之一態樣之X光產生裝置中，絕緣塊具備藉由對形成於與區劃第1空間之第1面不同之第2面之外部開口之凹部區劃之第2空間，該第2空間經由連通部與第1空間連通。藉此，封入（填充）有絕緣性液體之空間於不面向X光管收納部之區域開口。因此，該凹部中，藉由配置用以提高及/或保持絕緣性液體之絕緣特性或散熱特性之構成，藉由該構成可抑制於X光管收納部內之電場產生紊亂，可抑制起因於該電場紊亂之放電。

又，由於填充於第1空間及第2空間之絕緣性液體直接與X光管接觸，故成為高溫。由於此種原因，該絕緣性液體與固體絕緣塊相比絕緣性更易劣化。若如此填充有絕緣性易劣化之液體之凹部內之空間（第2空間）與高壓產生電路之距離較小，則對於因該高壓產生電路產生之高電壓，絕緣塊之向第2空間側之耐電壓特性降低，向第2空間側產生放電之虞變高。另一方面，上述X光產生裝置中，凹部之深度小於凹部之長邊方向之寬度。即，凹部之形狀成為較平形狀。藉此，可儘可能大地取得密封於絕緣塊內之高電壓產生電路與第2空間之距離。即，可儘可能增大介於高電壓產生電路與第2空間之間的固體絕緣塊之厚度。其結果，亦可有效抑制如上述之放電產生。

連通部亦可為以對第1面及凹部開口之方式形成於絕緣塊之內部之連通孔。根據該構成，可構成絕緣塊內氣密性較高之連通構造。

於絕緣塊之第1面，配置有電性連接X光管及電源部之連接部，且形成有包含絕緣性材料而且以自管軸方向觀察包圍連接部之方式於管軸方向突出之凸狀部，第1面側之連通部之開口亦可設置於自管軸方向觀察凸狀部之外側。該情形時，可藉由凸狀部，將可能成為電場紊亂之原因之第1面側之連通部之開口，與易成為放電起點之連接部隔離。其結果，可有效抑制該開口之放電產生。

凹部之開口面具有矩形形狀，凹部之深度亦可小於開口面之任一邊之長度。該構成中，藉由儘可能增大開口面之面積，而可儘可能縮小凹部之深度，且確保第2空間所要求之體積。

密封構件亦可為可根據封入於第1空間及第2空間之絕緣性液體之體積變化而變形之構件。根據該構成，可藉由密封構件吸收因絕緣性液體之溫度變化產生之體積變化。藉此，可抑制收納X光管之第1空間內之內壓變化。

亦可於第2空間配置用以冷卻絕緣性液體之冷卻部。根據該構成，可藉由冷卻部效率良好地冷卻吸收來自X光管等之熱而變高溫之絕緣性液體。

亦可於第2空間配置用以加熱絕緣性液體之加熱部。根據該構成，於X光產生裝置啟動時等，為了使X光管之動作穩定化而欲將絕緣性液體之溫度上昇至一定溫度之情形等時，可藉由加熱部效率良好地加熱絕緣性液體。

亦可於第2空間配置測定絕緣性液體之溫度之感測器。根據該構成，由於可藉由感測器測定絕緣性液體之溫度，故絕緣性液體之溫度管理變容易。

於絕緣塊之不同於第1面之面，形成有與對外部開口之凹部不同之第2凹部，於絕緣塊，設有使藉由第2凹部區劃之空間與第1空間連通之第2連通部，密封構件亦可為密封凹部之開口且密封第2凹部之開口，以將自凹部及第2凹部之一者吸入之絕緣性液體對凹部及第2凹部之另一者噴出之方式構成之循環泵。根據該構成，由於可使絕緣性液體於循環泵與第1空間之間循環，故可於第1空間內產生絕緣性液體之對流，提高X光管之冷卻效率。又，藉由於循環泵中進行絕緣性液體之冷卻或加熱，容易將第1空間內之絕緣性液體之溫度控制為保持一定。 [發明之效果]

根據本揭示之一態樣，可提供一種可抑制放電產生之X光產生裝置。

以下，參照圖式，針對本揭示之實施形態進行詳細說明。再者，對各圖中相同或相當部分附註相同符號，省略重複說明。又，表示「上」、「下」等特定方向之詞語係方面起見而基於圖式所示之狀態者。

圖1係顯示本揭示之一實施形態之X光產生裝置之外觀之立體圖。圖2係沿圖1之Ⅱ-Ⅱ線之剖面圖。圖1及圖2所示之X光產生裝置1例如係觀察被檢體之內部構造之X光非破壞檢查所使用之微小焦點X光源。X光產生裝置1具有殼體2。於殼體2之內部，主要收納有產生X光之X光管3，及對X光管3供給電力之電源部5。殼體2具有收納X光管3之一部分之X光管收納部4及收納部21。

收納部21係主要收納電源部5之部分。收納部21具有底壁部211、上壁部212及側壁部213。底壁部211及上壁部212分別具有大致正方形狀。底壁部211之緣部及上壁部212之緣部係經由4個側壁部213連結。藉此，收納部21形成為大致長方體狀。另，本實施形態中，為方便起見，將底壁部211與上壁部212互相對向之方向設為Z方向，將底壁部211側定義為下方，將上壁部212側定義為上方。又，將與Z方向正交，互相對向之側壁部213彼此對向之方向設為X方向及Y方向。於自Z方向觀察之上壁部212之中央部，設有圓形之貫通孔即開口部212a。

於底壁部211與上壁部212之間，於與底壁部211及上壁部212之任一者隔開之位置，設有中間壁部214。藉由如此之中間壁部214，於收納部21之內部，區劃有由上壁部212、側壁部213及中間壁部214包圍之第1收納空間S1，及由底壁部211、側壁部213及中間壁部214包圍之第2收納空間S2。第1收納空間S1中，於中間壁部214之上面214a，固定有電源部5。第2收納空間S2中，於中間壁部214之下面214b，安裝有控制電路基板7。於控制電路基板7上，構成用以藉由未圖示之各種電子零件控制X光產生裝置1之各部（例如電源部5、後述之送風風扇9及後述之電子槍11等）之動作之控制電路。

X光管收納部4係藉由具有高熱傳導率（散熱性較高）之金屬形成。作為X光管收納部4之材料，列舉例如鋁、鐵、銅及包含該等之合金等。本實施形態中，X光管收納部4之材料係鋁（或其合金）。X光管收納部4呈於X光管3之管軸方向（Z方向）之兩端具有開口之筒狀。X光管收納部4之管軸與X光管3之管軸AX一致。X光管收納部4具有保持部41、圓筒部42及凸緣部43。保持部41係使用未圖示之固定構件，於凸緣部311保持X光管3之部分，將X光管收納部4之上部開口與X光管3一起氣密地密封。圓筒部42係連接於保持部41之下端，具備沿Z方向延伸之壁面之形成為圓筒狀之部分。凸緣部43係連接於圓筒部42之端部，自Z方向觀察於外側延伸之部分。凸緣部43自Z方向觀察，於包圍上壁部212之開口部212a之位置，對於上壁部212之上面212e氣密地固定。本實施形態中，凸緣部43與上壁部212之上面212e熱連接（熱可傳導地接觸）。於X光管收納部4之內部，氣密地封入（填充）有電性絕緣性液體即絕緣油45。

電源部5係對X光管3供給數kV～數百kV左右電力之部分。電源部5具有包含固體環氧樹脂之電性絕緣性絕緣塊51，及包含鑄模於絕緣塊51內之高電壓產生電路之內部基板52。絕緣塊51呈大致長方體狀。於絕緣塊51之側面51b，設有對外部開口之形成為大致長方體狀空間之凹部51c。絕緣塊51之上面中央部貫通上壁部212之開口部212a並突出。另一方面，絕緣塊51之上面緣部51a對於上壁部212之下面212f氣密地固定。於絕緣塊51之上面中央部，配置有包含電性連接於內部基板52之圓筒狀插座之高壓饋電部54。電源部5經由高壓饋電部54電性連接於X光管3。

插通於開口部212a之絕緣塊51之突出部分（即，上面中央部）之外徑與開口部212a之內徑相同或略小於其。又，於絕緣塊51之上面緣部51a，形成有向凹部51c延伸之貫通孔即連通孔51d。X光管收納部4之內部空間（係由X光管收納部4、X光管3及絕緣塊51包圍之空間，封入有絕緣油45之空間）即填充空間S3經由連通孔51d與凹部51c連通。藉此，於X光管收納部4固定X光管3而蓋住X光管收納部4之上部開口後，亦可自絕緣塊51之凹部51c向X光管收納部4之內部空間（填充空間S3）注入絕緣油45。凹部51c之開口於絕緣油45填充於X光管收納部4之內部空間（填充空間S3）、連通孔51d及凹部51c內之狀態下，藉由密封構件53被密封。密封構件53例如係包含可彈性變形之絕緣性材料之蓋材，作為膜片發揮功能。根據此種密封構件53，可吸收因填充之絕緣油45之溫度變化產生之體積變化，抑制X光管收納部4之內部空間（填充空間S3）之內壓變動。

本實施形態中，於X方向上互相對向之側壁部213A、213B之各者，設有通風孔部A。於通風孔部A，設有將第1收納空間S1與外部連通之複數個通風孔213a。於一側壁部213A之內側，設有送風風扇9。送風風扇9藉由利用形成於殼體2內之空間構成，而將電源部5及控制電路基板7等各部有效地冷卻。

具體而言，送風風扇9藉由自設置於側壁部213A之通風孔部A納入外氣而產生冷卻氣體，將該冷卻氣體送風至第1收納空間S1中側壁部213A與電源部5間之空間S11。藉由送風至空間S11內之冷卻氣體，將電源部5冷卻。另，於對向於Y方向之電源部5之側面與收納部21之側壁部213間，可設置間隙，亦可不設置間隙。設有間隙之情形時，可藉由通過該間隙之冷卻氣體（即，自空間S11經由該間隙向空間S12流通之冷卻氣體），更有效地冷卻電源部5。

於中間壁部214，形成有將空間S11及第2收納空間S2連通之開口部214c，及將空間S12及第2收納空間S2連通之開口部214d。藉此，流通於空間S11內之冷卻氣體之一部分經由中間壁部214之開口部214c，流入於第2收納空間S2。藉由流入於第2收納空間S2之冷卻氣體，將控制電路基板7冷卻。並且，該冷卻氣體經由中間壁部214之開口部214d，再次流入於第1收納空間S1（空間S12），自形成於側壁部213B之通風孔部A向外部排出。又，該冷卻氣體通過空間S12時，由於通過密封構件53之表面上，故亦可進行經由密封構件53之絕緣油45之冷卻。

接著，針對X光管3之構成進行說明。如圖3所示，X光管3係稱為所謂反射型X光管者。X光管3具備作為將內部保持真空之真空外圍器之真空殼體10、作為電子產生單元之電子槍11、及靶材T。電子槍11例如具有使易放射電子之物質含浸於包含高熔點金屬材料等之基體而成之陰極C。又，靶材T係例如包含鎢等高熔點金屬材料之板狀構件。靶材T之中心位於X光管3之管軸AX上。電子槍11及靶材T收納於真空殼體10之內部，若自電子槍11出射之電子入射於靶材T，則產生X光。X光以靶材T為基點放射狀地產生。朝向X光出射窗33a側之X光成分中，經由X光出射窗33a向外部取出之X光作為所要之X光而利用。

真空殼體10主要係由藉由絕緣性材料（例如玻璃）形成之絕緣閥12、及具有X光出射窗33a之金屬部13構成。金屬部13具有收納成為陽極之靶材T之本體部31，及收納成為陰極之電子槍11之電子槍收納部32。

本體部31形成為筒狀，具有內部空間S。於本體部31之一端部（外側端部），固定有具有X光出射窗33a之蓋板33。X光出射窗33a之材料係X光透過材料，例如係鈹或鋁等。藉由蓋板33，封閉內部空間S之一端側。本體部31具有凸緣部311及圓筒部312。凸緣部311設置於本體部31之外周。凸緣部311係固定於上述X光管收納部4之保持部41之部分。圓筒部312係於本體部31之一端部側形成為圓筒狀之部分。

電子槍收納部32形成為圓筒狀，固定於本體部31之一端部側之側部。本體部31之中心軸線（即，X光管3之管軸AX）與電子槍收納部32之中心軸線大致正交。電子槍收納部32之內部經由設置於電子槍收納部32之本體部31側之端部之開口32a，與本體部31之內部空間S連通。

電子槍11具備陰極C、加熱器111、第1柵極電極112、第2柵極電極113，藉由各構成之協動可減小所產生之電子束之徑（微小焦點化）。陰極C、加熱器111、第1柵極電極112及第2柵極電極113經由各自平行延伸之複數個饋電銷114，安裝於連結基板115。陰極C、加熱器111、第1柵極電極112及第2柵極電極113經由對應於各者之饋電銷114自外部被饋電。

絕緣閥12形成為大致筒狀。絕緣閥12之一端側連接於本體部31。絕緣閥12於其另一端側，保持將靶材T固定於前端之靶材支持部60。靶材支持部60藉由例如銅材等形成為圓柱狀，於Z方向延伸。於靶材支持部60之前端側，形成以隨著自絕緣閥12側朝向本體部31側而遠離電子槍11之方式傾斜之傾斜面60a。靶材T以與傾斜面60a成一面之方式，埋設於靶材支持部60之端部。

靶材支持部60之基端部60b較絕緣閥12之下端部更向外側突出，連接於電源部5之高壓饋電部54（參照圖2）。本實施形態中，真空殼體10（金屬部13）設為接地電位，於高壓饋電部54中對靶材支持部60供給正高電壓。但，電壓施加形態不限於上述例。

接著，參照圖2及圖4，針對封入有絕緣油45之空間詳細說明。如圖2所示，藉由面向X光管3之絕緣塊51之上面51e（第1面）及X光管收納部4之內面4a，區劃封入絕緣油45且包圍X光管3之一部分之填充空間S3（第1空間）。上面51e係包含上述上面中央部及上面緣部51a之面。又，藉由對形成於絕緣塊51之與上面51e不同之面即側面51b（第2面）之向外部開口之凹部51c，及密封凹部51c之開口之密封構件53，區劃封入有絕緣油45之填充空間S4（第2空間）。另，本實施形態中，密封構件53係經由介於密封構件53之緣部與凹部51c之開口緣部間之介置構件53a安裝。更具體而言，介置構件53a係如包圍凹部51c之開口緣部之框狀構件，藉由接著等固定於絕緣塊51之側面51b。並且，於密封構件53覆蓋介置構件53a之開口部之狀態下，密封構件53之緣部藉由螺絲等固定構件53b可裝卸地固定於介置構件53a。即，密封構件53之固定時，並不對絕緣塊51直接插入螺絲等固定構件53b。若對絕緣塊51直接插入螺絲等固定構件53b，則有固定構件53b成為異物，於包含高電壓產生電路之內部基板52與固定構件53b間產生放電之可能性。相對於此，藉由採用如上述之經由介置構件53a之固定構造，可抑制因密封構件53之固定構造而產生放電。又，可以可進行絕緣油45之更換等之方式，可裝卸地固定密封構件53。又，密封構件53成為自藉由固定構件53b固定之緣部向凹部51c凹陷之形狀（如向凹部51c擠入絕緣油45之形狀）。藉此，固定密封構件53時，可抑制於絕緣油45內殘留氣泡，且使密封構件53更大幅彈性變形。因此，對於因絕緣油45之熱膨脹所致之體積變化，可更廣範圍地對應。另，根據要求之條件，密封構件53可直接固定於凹部51c之開口緣部，亦可為單純之板狀構件。

如上述，於絕緣塊51，設有將填充空間S3及填充空間S4連通之連通孔51d（連通部）。本實施形態中，連通孔51d形成為沿絕緣塊51之高度方向（Z方向）延伸之圓筒狀。連通孔51d係對絕緣塊51之上面緣部51a及上面51e側之凹部51c之側面開口之貫通孔。此處，於絕緣塊51之上面51e，配置有電性連接X光管3及電源部5之高壓饋電部54（連接部）。又，於上面51e，形成有包含絕緣性材料，以自管軸方向（Z方向）觀察，包圍高壓饋電部54之方式於Z方向（圖2之上方向）突出之凸狀部55。凸狀部55具有自Z方向觀察，對於凸狀部55之外側部分隱藏導電性高壓饋電部54與2種不同電性絕緣物質（絕緣塊51之上面51e及絕緣油45）之邊界部分（易成為放電起點之部分）之功能。於凸狀部55之外側部分，有電性絕緣性物質（絕緣塊51之上面51e及絕緣油45），與X光管收納部4及收納部21之上壁部212之金屬部分之邊界部分。來自高壓饋電部54之放電容易朝向於該邊界部分，但藉由設置凸狀部55，而可不自高壓饋電部54直接看透該邊界部分，可抑制放電。並且，上面51e側之連通孔51d之開口設置於自Z方向觀察凸狀部55之外側。藉此，上面51e側之連通孔51d之開口因凸狀部55而以不自高壓饋電部54直接看透之方式隱藏。另，本實施形態中，凸狀部55係絕緣塊51之上面51e之一部分，但亦可以不同於絕緣塊51之電性絕緣性構件形成。

圖4係沿連通孔51d之YZ平面之絕緣塊51之剖視圖。如圖4所示，自對向於凹部51c之方向（X方向）觀察之凹部51c之形狀（即，凹部51c之開口面之形狀）為矩形形狀。本實施形態中，作為一例，凹部51c之開口面形成為沿Y方向之方向為長邊方向，沿Z方向之方向為短邊方向之矩形形狀。即，沿Y方向之凹部51c之開口面之寬度w1大於沿Z方向之凹部51c之開口面之寬度w2（w1＞w2）。又，本實施形態中，作為一例，連通孔51d自X方向觀察對凹部51c之中央上部開口，但凹部51c側之連通孔51d之開口位置不限於此。例如，凹部51c側之連通孔51d之開口亦可設置於與凹部51c之側面（圖4之例中，對向於Y方向之一對側面中之一者）成為一面之位置。又，亦可於上面緣部51a與凹部51c間，設置複數個連通孔51d。

凹部51c之深度方向（X方向）之長度（側面51b與凹部51c之底面間之距離）即深度d（參照圖2）小於正交於該深度方向之長邊方向（本實施形態中係Y方向）之凹部51c之寬度w1。又，本實施形態中，深度d小於短邊方向（本實施形態中係Z方向）之凹部51c之寬度w2。即，「w1＞w2＞d」成立。

[作用效果] 接著，針對本實施形態之一態樣之作用效果進行說明。如上述，X光產生裝置1具備：X光管3，其產生X光；X光管收納部4，其以自X光管3之管軸方向（Z方向）觀察，包圍X光管3之至少一部分（本實施形態中，係位於較凸緣部311更下方之部分，係至少包含絕緣閥12之部分）之方式，收納X光管3之至少一部分；及電源部5，其沿管軸方向配置於對向於X光管3之位置，將對X光管3供給電壓之內部基板52密封於包含絕緣性材料之固體絕緣塊51內而成。藉由絕緣塊51之上面51e及X光管收納部4之內面4a，區劃填充空間S3。藉由對形成於絕緣塊51之側面51b之外部開口之凹部51c，及密封凹部51c之開口之密封構件53，區劃填充空間S4。於絕緣塊51，設有將填充空間S3及填充空間S4連通之連通孔51d。於填充空間S3及填充空間S4，封入絕緣油45。凹部51c之深度d小於正交於凹部51c之深度方向（Z方向）之長邊方向（本實施形態中係Y方向）之凹部51c之寬度w1。

上述X光產生裝置1中，絕緣塊51具備藉由對形成於與區劃填充空間S3之上面51e不同之側面51b之外部開口之凹部51c區劃之填充空間S4，填充空間S4經由連通孔51d與填充空間S3連通。藉此，填充有絕緣油45之填充空間S3及填充空間S4於不面向X光管收納部4之區域（填充空間S4）開口。因此，該凹部51c（填充空間S4）中，藉由配置用以提高及/或保持絕緣油45之絕緣特性或散熱特性之構成（本實施形態中，係包含密封構件53之膜片），可抑制因該構成而X光管收納部4（填充空間S3）內之電場產生紊亂，抑制因該電場紊亂所致之放電。另，假設將此種開口部設置於包含金屬（導電性材料）之X光管收納部4（填充空間S3）之情形時，於該開口部產生電場紊亂，該電場紊亂可能成為放電之原因。又，連通孔51d及凹部51c之開口亦作為用以將絕緣油45封入於填充空間S4之開口部發揮功能。例如，自凹部51c之開口填充絕緣油45後，藉由對該開口連接真空泵，亦可將可能成為絕緣破壞原因之絕緣油45中之氣泡去除。

又，由於填充於填充空間S3及填充空間S4之絕緣油45直接與X光管3接觸，故成為高溫。又，有於絕緣油45混雜異物等（例如，自靶材支持部60之一部分剝離之金屬片等）之虞。由於此種原因，絕緣油45與固體絕緣塊51相比絕緣性更易劣化。若如此填充有絕緣性易劣化之液體之凹部51c內之空間（填充空間S4）與內部基板52之距離較小，則對於因內部基板52產生之高電壓，絕緣塊51中向填充空間S4側之耐電壓特性降低，向填充空間S4側產生放電之虞變高。另一方面，X光產生裝置1中，凹部51c之深度d小於凹部51c之長邊方向（Y方向）之寬度w1。即，凹部51c之形狀成為較平形狀。藉此，可儘可能較大地取得密封於絕緣塊51內之內部基板52與填充空間S4之距離。即，可儘可能增大介於內部基板52與填充空間S4間之固體絕緣塊51之厚度。其結果，亦可有效抑制如上述之放電產生。

又，於絕緣塊51之上面51e，配置有電性連接X光管3及電源部5之高壓饋電部54，且形成有凸狀部55。上面51e側之連通孔51d之開口設置於自管軸方向（Z方向）觀察，凸狀部55之外側。該情形時，藉由凸狀部55，可將可能成為電場紊亂原因之上面51e側之連通孔51d之開口，與易成為放電起點之高壓饋電部54（尤其係高壓饋電部54與上面51e之邊界部分）隔離。其結果，可有效抑制該開口之放電產生。

又，凹部51c之開口面具有矩形形狀（參照圖4）。凹部51c之深度d小於開口面之任一邊之長度（寬度w1及寬度w2）。該構成中，藉由儘可能增大開口面之面積（w1×w2），而可儘可能縮小凹部51c之深度d，且確保填充空間S4所要求之體積。又，由於可增大開口面之面積（w1×w2），故可提高經由開口部之絕緣油45之散熱性。

又，密封構件53係可根據封入於填充空間S3及填充空間S4之絕緣油45之體積變化而變形之構件。如上述，本實施形態中，作為一例，密封構件53係包含可彈性變形之絕緣性材料之蓋材，作為膜片發揮功能。根據該構成，可藉由密封構件53之變形，吸收因絕緣油45之溫度變化產生之體積變化（膨脹或收縮）。藉此，可抑制收納X光管3之填充空間S3內之內壓變化。另，具有此種功能之密封構件53不限於上述膜片，例如亦可包含風箱及風門等構成。

以上，雖已針對本揭示之實施形態進行說明，但本揭示並非限定於上述實施形態，本揭示可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變化。即，X光產生裝置之各部之形狀及材料等不限於上述實施形態所示之具體形狀及材料等。

上述實施形態中，上面51e側之連通孔51d之開口係設置於自Z方向觀察凸狀部55之外側，但該開口亦可設置於自Z方向觀察凸狀部55之內側。又，上述實施形態中，凹部51c之開口形狀係設為矩形形狀（參照圖4），但凹部51c之開口形狀不限於此，例如亦可為圓形狀、橢圓形狀等。

又，形成於絕緣塊51之連通孔不限於如本實施形態般僅包含直線狀延伸之部分，亦可包含曲線狀延伸之部分（彎曲部分等）。又，該連通孔之形狀不限於上述實施形態所示之圓柱狀。圖5係顯示連通孔51d之若干變化例之圖。

如圖5（A）所示，凹部51c之底面於凹部51c側之連通孔51d1之開口中，亦可以與連通孔51d1之內表面之至少一部分成為一面之方式連接。根據該構成，可使連通孔51d1與填充空間S4間之絕緣油45之流通順暢化。具體而言，於填充空間S3填充絕緣油45時，凹部51c之開口面成為上方之狀態下，對凹部51c注入絕緣油45之情形等時，絕緣油45易自填充空間S4流入於連通孔51d1。藉此，可更順暢地進行絕緣油45向填充空間S3之填充。

如圖5（B）所示之連通孔51d2，連通孔亦可形成為沿管軸方向（Z方向）隨著靠近填充空間S4而擴徑之錐狀。根據該構成，將絕緣油45自凹部51c之開口注入於填充空間S3及填充空間S4內後，於該開口連接真空泵，將氣泡自填充空間S3及填充空間S4去除之情形時，連通孔51d2之被抽吸側（凹部51c側）成為寬幅。藉此，有易於去除氣泡（氣泡不易停留於連通孔51d2內）之優點。

如圖5（C）所示之連通孔51d3，連通孔亦可形成為沿管軸方向（Z方向）隨著靠近填充空間S4而擴徑之錐狀。根據該構成，由於液體易自填充空間S4側向上面51e側（填充空間S4側）流動，故可順暢地進行絕緣油45向填充空間S3之注入。

如圖5（D）所示之連通孔51d4，連通孔亦可為將上述連通孔51d3之內面形成為曲面形狀（R形狀）者。同樣地，連通孔亦可為將上述連通孔51d2之內面形成為曲面形狀（R形狀）者。根據該構成，即使相同開口徑，連通孔51d4之內部空間亦變大，故可順暢地進行絕緣油45之注入。

又，凹部51c之形狀（藉由凹部51c形成之空間之形狀）不限於上述實施形態所示之長方體狀。圖6係顯示凹部51c之變化例之圖。

如圖6（A）所示之凹部51c1，形成於絕緣塊51之凹部亦可為自凹部之底面側向開口側逐漸展開之錐台狀（該例中係四角錐台狀）。又，如圖6（B）所示之凹部51c2，形成於絕緣塊51之凹部亦可為半球狀或半橢圓球狀。

又，如圖7所示，作為用以提高及/或保持絕緣油45之絕緣特性或散熱特性之構成，亦可於填充空間S4配置測定絕緣油45之溫度之感測器56。感測器56例如亦可設置於密封構件53之內面，但該情形之密封構件53較佳為具有不受油壓變化影響程度之剛性之基板。藉由感測器56測定之溫度亦可顯示於例如連接於X光產生裝置1之外部端子（未圖示）之監視器等。根據該構成，由於可藉由感測器56測定絕緣油45之溫度，故絕緣油45之溫度管理變容易。又，亦可藉由如下所述之冷卻部57或加熱部58，以絕緣油45之溫度維持於一定之目標溫度之方式，適當控制絕緣油45之冷卻或加熱。例如，搭載於控制電路基板7之控制電路亦可藉由取得感測器56之測定結果，根據該測定結果控制冷卻部57或加熱部58之動作，而進行如上述之溫度控制。

如圖7（A）所示，作為用以提高及/或保持絕緣油45之絕緣特性或散熱特性之構成，亦可於填充空間S4配置用以冷卻絕緣油45之冷卻部57。冷卻部57例如係與密封構件53一體化之散熱片。根據該構成，可藉由冷卻部57效率良好地冷卻因吸收來自X光管3等（例如，露出於絕緣閥12之外側之靶材支持部60之一部分）之熱而變高溫之絕緣油45。

如圖7（B）所示，作為用以提高及/或保持絕緣油45之絕緣特性或散熱特性之構成，亦可於填充空間S4配置用以加熱絕緣油45之加熱部58。加熱部58例如係與密封構件53一體化之加熱器等。根據該構成，X光產生裝置1啟動時等，於為了使X光管3之動作穩定化而欲將絕緣油45之溫度上昇至一定溫度之情形等時，可藉由加熱部58效率良好地加熱絕緣油45。

又，如圖8所示，亦可於絕緣塊51之與上面51e不同之面，形成與對外部開口之凹部51c不同之第2凹部51f。另，該例中，與凹部51c相同形狀之第2凹部51f係設置於對向於側面51b之側面，但第2凹部51f亦可設置於側面51b之未形成凹部51c之部分。即，亦可於絕緣塊51之同一面（上面51e以外之面）形成2個獨立凹部。

又，圖8之例中，於絕緣塊51，設有使藉由第2凹部51f區劃之填充空間S5及填充空間S3連通之第2連通孔51g（第2連通部）。並且，作為用以提高及/或保持絕緣油45之絕緣特性或散熱特性之構成，循環泵59作為密封構件53發揮功能。循環泵59構成為密封凹部51c之開口，且密封第2凹部51f之開口，將自凹部51c及第2凹部51f之一者（此處，作為一例，係凹部51c）吸入之絕緣油45對凹部51c及第2凹部51f之另一者（此處係第2凹部51f）噴出。根據此種構成，可使絕緣油45於循環泵59與填充空間S3間循環。具體而言，上述例中，絕緣油45依序於「填充空間S3→填充空間S4→循環泵59→填充空間S5→填充空間S3」循環。藉此，可於填充空間S3內產生絕緣油45之對流，提高X光管3（主要係露出於絕緣閥12之外側之靶材支持部60之一部分）之冷卻效率。再者，亦可於循環泵59中，進行絕緣油45之冷卻或加熱。該情形時，容易以將填充空間S3內之絕緣油45之溫度一定地保持於目標溫度之方式進行控制。又，連通孔51d及第2連通孔51g例如如圖5（B）～（D）所示，亦可以隨著自絕緣油45之循環路徑之上游側朝向下游側而流路寬度變大之方式形成。藉此，可使絕緣油45之循環順暢化。

又，上述實施形態中，凹部51c及填充空間S4係設置於絕緣塊51之側面，但亦可設置於絕緣塊51之下面。例如，可藉由於中間壁部214設置面向絕緣塊51之下面之開口，且將控制電路基板7配置於與絕緣塊51之下方不同之位置，而於絕緣塊51之下面形成凹部及填充空間。又，X光管3係自與對於靶材之電子入射方向不同之方向取出X光之反射型X光管，但亦可為沿對於靶材之電子入射方向取出X光（靶材所產生之X光透過靶材本身，自X光出射窗被取出）之透過型X光管。又，送風風扇9不限於將來自外部之氣體送風至內部（殼體2內），亦可為藉由將內部之氣體向外部抽出而使氣體流通之抽吸風扇。

1‧‧‧X光產生裝置 2‧‧‧殼體 3‧‧‧X光管 4‧‧‧X光管收納部 4a‧‧‧X光管收納部4之內面 5‧‧‧電源部 7‧‧‧控制電路基板 9‧‧‧送風風扇 10‧‧‧真空殼體 11‧‧‧電子槍 12‧‧‧絕緣閥 13‧‧‧金屬部 21‧‧‧收納部 31‧‧‧本體部 32‧‧‧電子槍收納部 32a‧‧‧開口 33‧‧‧蓋板 33a‧‧‧X光出射窗 41‧‧‧保持部 42‧‧‧圓筒部 43‧‧‧凸緣部 45‧‧‧絕緣油（絕緣性液體） 51‧‧‧絕緣塊 51a‧‧‧上面緣部 51b‧‧‧側面（第2面） 51c、51c1、51c2‧‧‧凹部 51d、51d1、51d2、51d3、51d4‧‧‧連通孔（連通部） 51e‧‧‧上面（第1面） 51f‧‧‧第2凹部 51g‧‧‧第2連通孔（第2連通部） 52‧‧‧內部基板（高電壓產生電路） 53‧‧‧密封構件 53a‧‧‧介置構件 53b‧‧‧固定構件 54‧‧‧高壓饋電部（連接部） 55‧‧‧凸狀部 56‧‧‧感測器 57‧‧‧冷卻部 58‧‧‧加熱部 59‧‧‧循環泵 60‧‧‧靶材支持部 60a‧‧‧傾斜面 60b‧‧‧基端部 111‧‧‧加熱器 112‧‧‧第1柵極電極 113‧‧‧第2柵極電極 114‧‧‧饋電銷 115‧‧‧連結基板 211‧‧‧底壁部 212‧‧‧上壁部 212a‧‧‧開口部 212e‧‧‧上壁部212之上面 212f‧‧‧上壁部212之下面 213‧‧‧側壁部 213a‧‧‧通風孔 213A、213B‧‧‧側壁部 214‧‧‧中間壁部 214a‧‧‧中間壁部214之上面 214b‧‧‧中間壁部214之下面 214c‧‧‧第2收納空間S2之開口部 214d‧‧‧第2收納空間S2之開口部 311‧‧‧凸緣部 312‧‧‧圓筒部 A‧‧‧通風孔部 AX‧‧‧管軸 C‧‧‧陰極 d‧‧‧深度 S‧‧‧內部空間 S1‧‧‧第1收納空間 S2‧‧‧第2收納空間 S3‧‧‧填充空間（第1空間） S4‧‧‧填充空間（第2空間） S5‧‧‧填充空間（藉由第2凹部區劃之填充空間） S12‧‧‧空間 T‧‧‧靶材 w1、w2‧‧‧寬度

圖1係顯示一實施形態之X光產生裝置之外觀之立體圖。 圖2係沿圖1之Ⅱ-Ⅱ線之剖視圖。 圖3係顯示X光管之構成之剖視圖。 圖4係沿連通孔之YZ平面之絕緣塊之剖視圖。 圖5(A)～(D)係顯示連通孔之變化例之圖。 圖6（A）、（B）係顯示形成於絕緣塊之凹部之變化例之圖。 圖7（A）、（B）係顯示X光產生裝置之變化例之圖。 圖8係顯示X光產生裝置之變化例之圖。

1‧‧‧X光產生裝置

3‧‧‧X光管

4‧‧‧X光管收納部

4a‧‧‧X光管收納部4之內表面

5‧‧‧電源部

7‧‧‧控制電路基板

9‧‧‧送風風扇

11‧‧‧電子槍

21‧‧‧收納部

41‧‧‧保持部

42‧‧‧圓筒部

43‧‧‧凸緣部

45‧‧‧絕緣油(絕緣性液體)

51‧‧‧絕緣塊

51a‧‧‧上面緣部

51b‧‧‧側面(第2面)

51c‧‧‧凹部

51d‧‧‧連通孔(連通部)

51e‧‧‧上面(第1面)

52‧‧‧內部基板(高電壓產生電路)

53‧‧‧密封構件

53a‧‧‧介置構件

53b‧‧‧固定構件

54‧‧‧高壓饋電部(連接部)

55‧‧‧凸狀部

211‧‧‧底壁部

212‧‧‧上壁部

212a‧‧‧開口部

212e‧‧‧上壁部212之上面

212f‧‧‧上壁部212之下面

213a‧‧‧通風孔

213A、213B‧‧‧側壁部

214‧‧‧中間壁部

214a‧‧‧中間壁部214之上面

214b‧‧‧中間壁部214之下面

214c‧‧‧第2收納空間S2之開口部

214d‧‧‧第2收納空間S2之開口部

311‧‧‧凸緣部

A‧‧‧通風孔部

AX‧‧‧管軸

d‧‧‧深度

S1‧‧‧第1收納空間

S2‧‧‧第2收納空間

S3‧‧‧填充空間(第1空間)

S4‧‧‧填充空間(第2空間)

S11‧‧‧空間

S12‧‧‧空間

Claims (10)

1. 一種X光產生裝置，其具備：X光管，其產生X光；X光管收納部，其以自上述X光管之管軸方向觀察包圍上述X光管之至少一部分之方式，收納上述X光管之至少一部分；及電源部，其沿上述管軸方向配置於與上述X光管對向之位置，將對上述X光管供給電壓之高電壓產生電路密封於包含絕緣性材料之固體之絕緣塊內而成；且藉由面向上述X光管之上述絕緣塊之第1面及上述X光管收納部之內面，區劃成第1空間，藉由對形成於不同於上述第1面之上述絕緣塊之第2面之外部開口之凹部、及密封上述凹部之開口之密封構件，區劃成第2空間，於上述絕緣塊，設有使上述第1空間及上述第2空間連通之連通部，於上述第1空間及上述第2空間內，封入絕緣性液體，上述凹部之深度小於正交於上述凹部之深度方向之長邊方向之上述凹部之寬度。
2. 如請求項1之X光產生裝置，其中上述連通部係以對上述第1面及上述凹部開口之方式形成於上述絕緣塊內部之連通孔。
3. 如請求項1或2之X光產生裝置，其中於上述絕緣塊之上述第1面，配置有電性連接上述X光管及上述電源部之連接部，且形成有包含絕緣性材 料而且以自上述管軸方向觀察包圍上述連接部之方式於上述管軸方向突出之凸狀部，上述第1面側之上述連通部之開口設置於自上述管軸方向觀察上述凸狀部之外側。
4. 如請求項1或2之X光產生裝置，其中上述凹部之開口面具有矩形形狀，上述凹部之深度小於上述開口面之任一邊之長度。
5. 如請求項1或2之X光產生裝置，其中上述密封構件係可根據封入於上述第1空間及上述第2空間之上述絕緣性液體之體積變化而變形之構件。
6. 如請求項1或2之X光產生裝置，其中於上述第2空間配置用以冷卻上述絕緣性液體之冷卻部。
7. 如請求項1或2之X光產生裝置，其中於上述第2空間配置用以加熱上述絕緣性液體之加熱部。
8. 如請求項1或2之X光產生裝置，其中於上述第2空間配置測定上述絕緣性液體之溫度之感測器。
9. 如請求項1或2之X光產生裝置，其中於上述絕緣塊之不同於上述第1面之面，形成有與對外部開口之上述凹部不同之第2凹部， 於上述絕緣塊，設有使藉由上述第2凹部區劃之空間與上述第1空間連通之第2連通部，上述密封構件係密封上述凹部之開口且密封上述第2凹部之開口，以將自上述凹部及上述第2凹部之一者吸入之上述絕緣性液體對上述凹部及上述第2凹部之另一者噴出之方式構成之循環泵。
10. 如請求項3之X光產生裝置，其中於上述絕緣塊之不同於上述第1面之面，形成有與對外部開口之上述凹部不同之第2凹部，於上述絕緣塊，設有使藉由上述第2凹部區劃之空間與上述第1空間連通之第2連通部，上述密封構件係密封上述凹部之開口且密封上述第2凹部之開口，以將自上述凹部及上述第2凹部之一者吸入之上述絕緣性液體對上述凹部及上述第2凹部之另一者噴出之方式構成之循環泵。