TWI866041B - 檢查裝置以及檢查方法 - Google Patents

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Abstract

一種對於檢查對象物進行檢查之檢查裝置，係具備：X射線產生管，係具有包含受到電子線照射而藉此產生X射線之X射線產生部之標靶，並往前述檢查對象物放射X射線；以及複數個X射線檢測器，前述複數個X射線檢測器，係分別檢測自存在於被照射來自前述X射線產生部之X射線之前述檢查對象物之檢查對象面之異物放射，並受到前述檢查對象面全反射之X射線。

Description

檢查裝置以及檢查方法
本發明，係關於檢查裝置以及檢查方法。
於專利文獻1記載有一種附螢光X射線分析功能之高解析度X射線顯微裝置，係具備：檢測器，係檢測藉由對物透鏡使電子線聚焦於X射線產生用之標靶，並使自標靶產生之X射線照射於試料而藉此自試料產生之螢光X射線；以及分析部，係根據檢測器之檢測結果分析螢光X射線。並且，於專利文獻1，記載有將檢測器之全部或一部分整合至對物透鏡之磁路內之事項。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-236622號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來，例如有製品捲入數十μm以下之尺寸之異物而引發缺陷之問題。例如，就鋰離子電池而言，係有對於以碳、銅、鋁作為原料之構件，於製造時將不鏽鋼或構件之一部分細微化之異物捲入電池內之情事。
若於製造鋰離子電池時異物被捲入至電池內，則會有於電池出貨之後，保持電池內之絕緣之隔離片因異物之振動破裂之情形。於如此情形，該電池會成為短路狀態，而有起火或爆炸之可能性。
若能夠以非破壞方式檢測異物，則能夠防止有起火或爆炸之可能性之製品流通。作為使用X射線檢測存在於試料之表面上之異物，並識別該元素之方法，係有螢光X射線法(別名XRF)或斜入射螢光X射線法(別名TXRF)。就螢光X射線法而言，試料基板之元素亦會受到激發，就斜入射螢光X射線法而言，入射X射線會受到異物散射。因此，就該等測量方法而言，會有因異物產生之螢光X射線之強度比減弱之問題。
本發明，係以提供一種能夠有效以高靈敏度檢測存在於檢查對象面之異物之技術為目的。 [解決問題之技術手段]
本發明之一型態，係一種檢查裝置，其對於檢查對象物進行檢查；前述檢查裝置，係具備：X射線產生管，係具有包含受到電子線照射而藉此產生X射線之X射線產生部之標靶，並往前述檢查對象物放射X射線；以及複數個X射線檢測器，前述複數個X射線檢測器，係分別檢測自被照射來自存在於前述X射線產生部之X射線之前述檢查對象物之檢查對象面之異物放射，並受到前述檢查對象面全反射之X射線。
本發明之其他型態，係一種檢查方法，其對於檢查對象物進行檢查；前述檢查方法，係包含：X射線檢測步驟，係往前述檢查對象物放射X射線，並藉由複數個X射線檢測器檢測自存在於前述檢查對象物之檢查對象面之異物放射並受到前述檢查對象面全反射之X射線；以及處理步驟，係處理前述複數個X射線檢測器之輸出。 [發明之效果]
本發明，係提供一種能夠有效以高敏感度檢測存在於檢查對象面之異物之技術。
以下，參照所附圖式，詳細說明實施方式。又，以下之實施方式並非限定申請專利範圍之發明。雖於實施方式中記載有複數個特徵，然而該等複數個特徵並非皆為發明所必須者，並且，亦可任意組合複數個特徵。並且，於所附圖式中，對於相同或均等之構成係賦予相同之參照編號，並省略重複說明。
於圖1，係示意性表示本揭示之第1實施方式之檢查裝置IA之構成。檢查裝置IA，係例如構成為檢查配置於檢查面IP之檢查對象面TS之檢查裝置。在此，檢查面IP，係應配置檢查對象面TS之面，檢查對象面TS，係檢查對象物IT之1個面。檢查裝置IA，係能夠具備X射線產生管101。X射線產生管101，係具有包含受到電子線照射而藉此產生X射線之X射線產生部XG之標靶(未圖示)，並往檢查面IP放射X射線XR。受到來自X射線產生部XG之X射線XR照射之異物FS，係產生對應於構成異物FS之物質之X射線，如此之X射線，係稱為螢光X射線，或者亦稱為特性X射線。被照射有X射線XR之異物FS所產生之X射線之一部分，係受到檢查對象面TS全反射。自異物FS放射並受到檢查對象面TS全反射之X射線，係作為X射線XF表示。檢查裝置IA，係能夠具備X射線檢測器120。X射線檢測器120，係可構成為檢測自存在於被照射來自X射線產生部XG之X射線XR之檢查對象面TS之異物FS放射，並受到檢查對象面TS全反射之X射線XF。檢查裝置IA，係能夠進一步具備：處理器，係根據來自X射線檢測器120之輸出，進行檢測異物FS之處理。該處理器，係能夠進一步進行根據來自X射線檢測器120之輸出，識別構成異物FS之物質之處理。該處理器，係例如藉由控制檢查裝置IA之動作之控制部進行實現。
於圖2，表示有將圖1所示之檢查裝置IA更為具體化之構成例。檢查裝置IA，係能夠具備X射線產生裝置100、X射線檢測器120、控制部140。X射線產生裝置100，係具備X射線產生管101、驅動X射線產生管101之驅動電路103。X射線產生裝置100，係進一步具備將受到升壓之電壓供給至驅動電路103之升壓電路102。X射線產生裝置100，係進一步具備X射線產生管101、驅動電路103以及收納升壓電路102之收納容器(未圖示)，並能夠於該收納容器中填充有絕緣油等之絕緣流體。控制部140，係構成為控制X射線產生裝置100及X射線檢測器120。控制部140，係能夠具備前述之處理器之功能。更具體而言，控制部140，係能夠根據來自X射線檢測器120之輸出，進行檢測異物FS之處理。並且，控制部140，係能夠進一步進行根據來自X射線檢測器120之輸出，識別構成異物FS之物質之處理。控制部140，係例如以FPGA(Field Programmable Gate Array之簡稱)等之PLD(Programmable Logic Device之簡稱)，或是ASIC(Application Specific Integrated Circuit之簡稱)，或是安裝有程式之通用或專用之電腦，或是組合該等之全部或一部分而構成。
檢查裝置IA，係亦可進一步具備：X射線檢測面板130，係檢測自X射線產生部XG放射並穿透具有檢查對象面TS之檢查對象物IT之X射線。控制部140，係構成為根據來自X射線檢測面板130之輸出，生成穿透了檢查對象物IT之X射線之圖像(檢查對象物IT之穿透圖像)，並根據該圖像檢測存在於檢查對象面TS之異物FS。藉由使用X射線檢測面板130，能夠檢測存在於檢查對象物IT之內部之異物，亦能夠檢測存在於與檢查對象面TS為相反側之面之異物。控制部140，係構成為除了檢測異物FS之存在以外，亦檢測異物FS之位置及/或尺寸。除X射線檢測器120以外，亦具備X射線檢測面板130，藉此能夠以X射線檢測面板130檢測到X射線檢測器120無法檢測之異物FS，故能夠使檢測異物FS之精確度提升。並且，使用自一個X射線產生管放射之X射線取得穿透圖像及檢測異物之檢查裝置IA，相較於具有個別取得穿透圖像以及檢測異物之2個裝置之系統，以小型化及削減成本之觀點而言更為有利。
檢查裝置IA，係進一步具備顯示部150亦可，控制部140，係構成為將表示根據X射線檢測器120之輸出所識別之異物FS之構成物質之資訊顯示於顯示部150。並且，控制部140，係構成為將根據來自X射線檢測面板130之輸出所生成之檢查對象物IT之穿透圖像顯示於顯示部150。並且，控制部140，係構成為將表示根據來自X射線檢測面板130之輸出檢測到之異物之位置及/或尺寸之資訊顯示於顯示部150。控制部140，係以單一單元構成亦可，分割為複數個單元構成亦可。
於圖3，係示意性表示X射線產生管101之構成例。X射線產生管101，係能夠具備：電子槍EG；陽極93，係具有包含使來自電子槍EG之電子衝撞而藉此產生X射線之X射線產生部XG之標靶933；以及絕緣管92。於X射線產生管101，係能夠以閉塞絕緣管92之2個開口端之其中一方之方式配置陽極93，並以閉塞絕緣管92之2個開口端之另一方之方式，配置包含電子槍EG之閉塞構件91。於絕緣管92之外側，亦可配置有使來自電子槍EG之電子之流動(電子線)偏向之偏向器94。圖3所示之X射線產生管101，係絕緣管92之內部空間維持於真空狀態，X射線穿透標靶933及後述之標靶保持板932之密閉穿透型之X射線產生管之一例，然而作為X射線產生管101，亦可採用非密閉之開放型，或是非穿透之反射型之X射線產生管。
偏向器94，係能夠配置於X射線產生管101之外側。在平行於X射線產生管101之軸AX之方向，偏向器94，係設於陽極93與陰極(未圖示)之間。在平行於X射線產生管101之軸AX之方向，於一例中，偏向器94，係設於電子槍EG與標靶933之間。具體而言，橫跨偏向器94之假想平面97，係位在相接於電子槍EG之前端之假想平面95與相接於標靶933之一部分之假想平面96所包夾之空間。假想平面95、假想平面96、假想平面97，係正交於X射線產生管101之軸AX之平面。
陽極93，係能夠包含標靶933、保持標靶933之標靶保持板932、保持標靶保持板932之電極931。電極931，係電性連接至標靶933，並對於標靶933施加電位。標靶933，係使自電子槍EG釋出之電子(電子線)衝撞標靶933而藉此產生X射線。X射線產生部XG，係標靶933之表面之電子(電子線)所衝撞之部分。於X射線產生部XG產生之X射線，係穿透標靶保持板932並放射至X射線產生管101之外部。陽極93，係例如維持於接地電位，然而維持於其他電位亦可。
標靶933，係以金屬材料構成。標靶933，係以熔點高之材料，例如鎢、鉭或鉬等構成為佳，因可促進X射線之產生效率之提升。標靶保持板932，係能夠以X射線容易穿透之材料，例如鈹或金剛石等構成。標靶保持板932，係以金剛石構成為佳，藉此能夠保持標靶保持板932之強度並且使厚度為薄，而能夠使檢查面IP(檢查對象面TS)與標靶933(X射線產生部XG)之距離接近。標靶保持板932之厚度，係以薄為佳。具體而言，標靶保持板932之厚度，係4mm以下為佳，為2mm以下、1mm以下、0.3mm以下更佳。該等標靶保持板932之厚度，係能夠參考自用以識別後述之異物所包含之元素所必須之X射線產生部XG至檢查面IP之距離進行設定。為識別異物所包含之元素，標靶保持板932係越薄越好，然而自標靶保持板932之加工成本或個體差、用以將絕緣管92之內部空間維持於真空狀態之強度等之觀點而言，係以厚為佳。因此，使用最佳之標靶保持板932之厚度為佳。又，圖3，係並非旨在表示標靶933之厚度與標靶保持板932之厚度之關係。例如，標靶933之厚度為數μm亦可，標靶保持板932之厚度為數百μm亦可。
圖4，係將圖2之檢查裝置IA之一部分放大之示意圖。於檢查對象面TS，可能存在有異物FS。以受到檢查對象面TS全反射之方式，自異物FS放射並受到檢查對象面TS全反射之X射線(特性X射線)XF，係入射至X射線檢測器120之X射線接收部121。另一方面，對於以檢測X射線(特性X射線)XF之方式配置之X射線檢測器120之X射線接收部121，幾乎不會入射有可能因來自X射線產生部XG之X射線XR之照射而自檢查對象物IT本身產生之螢光X射線。因此，能夠使自檢查對象物IT本身放射並藉由X射線檢測器120檢測到之螢光X射線，對於自異物FS放射並藉由X射線檢測器120檢測到之X射線(特性X射線)XF之比率極小。
X射線檢測器120，係矽漂移型檢測器(SDD)亦可，係CdTe檢測器或CdZnTe檢測器亦可。X射線檢測器120，係能量分散型檢測器亦可。於X射線檢測器120為能量分散型檢測器之情形，控制部(或者處理器)140，係能夠根據能量分散之元素輪廓(各能量之計數值)決定構成異物FS之物質或者元素。為決定構成異物FS之物質或者元素，於控制部(或者處理器)140安裝有市售之軟體亦可。作為如此軟體，例如能夠舉出AMETEK公司之“XRS-FP Quantitative XRF Analysis Software”，或者Uniquant公司製之軟體。
X射線檢測器120之規格，係能夠視異物檢測所必須之能量解析度進行決定。作為具有低能量解析度之檢測器之例，係能夠舉出使用閃爍器、Si之pin光二極體，或是CCD之檢測器。作為具有比該等更高之能量解析度之檢測器之例，係能夠舉出使用比例計數管之檢測器。作為具有再更高之能量解析度之檢測器之例，係能夠舉出運用了CdTe直接遷移結晶或者Si漂移檢測器般之能量分散型檢測方法之檢測器。作為具有再更高之能量解析度之檢測器之例，係能夠舉出運用了使用分光結晶自角度求取能量之波長分散型檢測方法之檢測器。
因來自異物FS之螢光X射線受到檢查對象面TS全反射，故來自異物FS之螢光X射線入射至檢查對象面TS之角度必須為全反射臨界角θ c以下。
在此， θ c：全反射臨界角 r e：電子之古典半徑(2.818×10 -15m) N 0：亞佛加厥數 λ：X射線之波長 ρ：密度(g/cm 3) Zi、Mi、xi：第i個之原子之原子編號、原子量及原子數比(莫耳比) f’ i：第i個之原子之原子散射因子(異常分散項)
理論上而言，於檢查對象面TS為金屬之情形之全反射臨界角，係大致為1°以下，然而實際上，係多有因金屬表面受到氧化或碳化或是被石墨層覆蓋等導致反射臨界角與理論值不同之情形。藉由實驗確認到在對於檢查對象面TS照射X射線XR之情形，於滿足全反射條件之情形，檢查對象面TS與自異物FS放射並受到檢查對象面TS全反射之特性X射線XF之角度(全反射臨界角)，係5°以下。在此，異物FS，相較於X射線產生部XG與檢查面IP(檢查對象面TS)之距離D XS極小，故自異物FS放射並受到檢查對象面TS全反射之位置，係可視為來自X射線產生部XG之X射線XR入射至檢查面IP之位置。並且，於圖4般於來自X射線產生部XG之X射線XR垂直入射至檢查面IP之位置存在有異物FS之情形，自異物FS放射並受到檢查對象面TS全反射之位置，係可視為來自X射線產生部XG之X射線XR垂直入射至檢查面IP之位置。
因全反射臨界角係5°以下，故能夠使連結來自X射線產生部XG之X射線XR入射至檢查面IP之位置及X射線檢測器120之X射線接收部121之假想線與檢查面IP所成之角度θ(連結X射線產生管101之軸與檢查面IP之交點及X射線檢測器120之X射線接收部之中心之假想線，與檢查面IP所成之角度)，能夠為5°以下，以2°以下為佳，1°以下更佳。角度θ越小，則能夠使自檢查對象物IT本身放射並藉由X射線檢測器120檢測到之螢光X射線，對於自異物FS放射並藉由X射線檢測器120檢測到之X射線(特性X射線)XF之比率越小。
X射線檢測器120，係能夠配置於檢查面IP之延長面橫跨X射線檢測器120之位置。X射線接收部121，係如於圖5示意性表示般，能夠包含使X射線XF穿透之窗部122。窗部122，係例如能夠為直徑數mm、厚度數百μm。窗部122，係例如以鈹等構成。檢查裝置IA，係如於圖5示意性表示般，可具備：狹縫構件125，係於連結來自X射線產生部XG之X射線XR入射至檢查面IP之位置及X射線檢測器120之X射線接收部121之假想線上具有狹縫(開口)。設於狹縫構件125之狹縫之大小或X射線檢測器120之配置位置，係能夠視檢查對象面TS上之X射線XR之照射範圍或構成檢查對象面TS及異物FS之物質等進行決定。如於圖7示意性表示般，係考慮於檢查對象面TS上之X射線XR之照射寬度Y之兩端存在有異物FS1、FS3，且自寬度Y之中心至X射線接收部121之距離Z之長度與寬度Y相同之情形。在此情形，係使狹縫之寬度W s之下限為Y×tanθ，且使X射線接收部121之中心與檢查面IP之距離X 2亦為Y×tanθ，藉此能夠無遺漏地偵測檢查對象面TS上之X射線XR之照射範圍之異物。
為提高藉由X射線檢測器120檢測到之X射線XF之強度，自X射線產生部XG至檢查面IP之距離D xs係以小為佳。於圖6中，係表示藉由實驗獲得距離D xs(橫軸)與藉由X射線檢測器120檢測到之異物FS之計數(縱軸)之關係之結果。計數，係相當於自異物所包含之特定元素發出之螢光X射線(例如Ni之Kα線)之位置之能量之每一定時間之總計數(峰值計數)。若考量用以辨識元素所必須之計數TH，自X射線產生部XG至檢查面IP之距離D xs係5mm以下為佳，係4mm以下更佳，係3mm以下又更佳。作為X射線產生管101，係例如Canon Anelva公司製之穿透密閉型微聚焦X射線源，具體而言以G系列為佳，更具體而言以G-511系列或G-311系列為佳。
為了藉由穿透圖像以高靈敏度檢測數μm至數十μm之尺寸之異物，必須使自檢查面IP至X射線檢測面板130之距離D sf對於D xs充分地大。例如，於為檢測直徑5μm之異物，必須有10個畫素之情形，若使用畫素間距為100μm之X射線檢測面板(FPD)，則必須有100×10/5=200倍之倍率方能檢測，於直徑50μm之異物之情形必須有20倍之倍率方能檢測。因此，使D sf/D xs為20以上為佳，為200以上更佳。藉此，能夠使用穿透圖像以高靈敏度檢測異物。
檢查裝置IA，係例如於鋰離子電池之生產步驟中，能夠用於檢測附著於該材料之異物，然而此僅係一例，亦能夠運用於其他用途。檢查裝置IA，係例如亦能夠運用於測定、分析PM2.5等之對於環境、健康造成影響之大氣漂浮粒子。在此情形，習知技術係定期(例如每小時、每日)測量粒子之數量及尺寸，相對於此，藉由使用檢查裝置IA，除了測量粒子之數量及尺寸以外，能夠同時辨識構成粒子之物質或元素，故能夠獲得更為完善之環境、健康方案。或者，近年細微化高度進展之半導體，例如於EUV用遮罩製造裝置、檢查裝置，或是半導體製程之檢查裝置等之領域使用檢查裝置IA，能夠改善良率、使用異物之元素資訊迅速解決異狀之原因。
以下，說明使用檢查裝置IA，檢查配置於檢查面IP之檢查對象面TS之檢查方法。該檢查方法，係能夠包含：X射線檢測步驟，係往檢查面IP(檢查對象面TS)放射X射線，並藉由X射線檢測器120檢測自存在於檢查對象面TS之異物FS放射並受到檢查對象面TS全反射之X射線XF；以及處理步驟，係處理X射線檢測器120之輸出。該處理步驟，係能夠包含檢測異物FS之步驟，及/或辨識構成異物FS之物質之步驟。該檢查方法，係能夠進一步包含藉由X射線檢測面板130檢測穿透了具有檢查對象面TS之檢查對象物IT之X射線之步驟，於該處理步驟，能夠處理X射線檢測器120之輸出及X射線檢測面板130之輸出。該處理步驟，係能夠包含根據X射線檢測面板130之輸出，檢測異物FS之存在及異物FS之位置之步驟。或者，該處理步驟，係能夠包含根據X射線檢測面板130之輸出，檢測異物FS之存在、異物FS之位置及異物FS之尺寸之步驟。
於圖8，係示意性表示第2實施方式之檢查裝置IA之構成。未作為第2實施方式說明之事項，係遵照第1實施方式。第2實施方式之檢查裝置IA，係構成為對於檢查對象物IT進行檢查。檢查裝置IA，係具備X射線產生管101，X射線產生管101，係具有包含受到電子線照射而藉此產生X射線之X射線產生部XG之標靶，並往檢查對象物IT放射X射線XR。檢查裝置IA，係亦能夠具備複數個X射線檢測器。複數個X射線檢測器，係分別檢測自存在於被照射來自X射線產生部之X射線之檢查對象物IT之檢查對象面TS之異物FS1放射，並受到檢查對象面TS全反射之X射線。
檢查裝置IA，係能夠包含複數個X射線檢測器，例如第1X射線檢測器1201及第2X射線檢測器1202。第1X射線檢測器1201及第2X射線檢測器1202，係以隔著X射線產生管101之軸AX對向之方式配置。於其他型態中，第1X射線檢測器1201及第2X射線檢測器1202，係以彼此對向之方式配置。第2實施方式之檢查裝置IA，係具備與第1實施方式之檢查裝置IA之狹縫構件125相同之狹縫構件1251、1252。狹縫構件1251、1252，係分別對於第1X射線檢測器1201、第2X射線檢測器1202進行設置。自X射線產生部XG以放射狀(例如360度之全方向)放射有X射線，該X射線之一部分能夠受到檢查對象面TS全反射。受到檢查對象面TS全反射之X射線，係例如能夠包含入射至第1X射線檢測器1201之X射線XF11，以及入射至第2X射線檢測器1202之X射線XF12。受到圖示之X射線XF11、X射線XF12，亦能夠理解為X射線光子之軌跡向量。於檢查對象面TS，除異物FS1以外，亦可能存在有其他異物。因此，自異物FS1放射並受到檢查對象面TS全反射之X射線，係受到其他異物遮蔽，而有無法入射至複數個X射線檢測器當中之至少一個X射線檢測器之可能性。然而，藉由配置複數個X射線檢測器，能夠提高藉由複數個X射線檢測器當中任一者檢測到自異物FS1放射並受到檢查對象面TS全反射之X射線之可能性。
於圖9，係示意性表示第3實施方式之檢查裝置IA之構成。圖9係自斜向觀察檢查裝置IA之圖。未作為第3實施方式說明之事項，係遵照一邊參照圖8一邊說明之第2實施方式。於圖9中雖省略狹縫構件之記載，然而與第2實施方式同樣設置狹縫構件亦可。檢查裝置IA，係能夠具備將檢查對象物IT沿著搬運方向DIR搬運之搬運機構CV。
第1X射線檢測器1201及第2X射線檢測器1202，係能夠於平行於搬運方向DIR之方向，或是平行於檢查對象物IT之長度方向之方向，配置在彼此遠離之位置。於圖9，表示有自受到來自X射線產生部XG之X射線XR照射之異物FS1放射並受到檢查對象面TS全反射之X射線XF11(X射線光子之軌跡向量)及X射線XF12(X射線光子之軌跡向量)。X射線XF11係入射至第1X射線檢測器1201，X射線XF12係入射至第2X射線檢測器1202。
於檢查對象面TS上，除異物FS1以外，亦可能存在有其他異物FS2。於圖9之例中，異物FS2，係存在於異物FS1與第1X射線檢測器1201之間。若X射線XF11受到異物FS2遮蔽，則無法藉由第1X射線檢測器1201檢測X射線XF11。然而，能夠藉由第2X射線檢測器1202檢測來自異物FS1之X射線XF12。藉此，能夠減少忽略檢查對象物IT之檢查對象面TS上之異物之可能性，而能夠防止製造良率低落。並且，能夠自檢測到異物之第2檢測器1202與未檢測到異物之第1檢測器1201之位置關係，推測異物之位置。例如，於圖9之例中，能夠推測於異物FS1與第2X射線檢測器1202之間存在有異物FS2。
檢查裝置IA，係亦可進一步具備配置為檢測自存在於檢查對象面TS之相反側之面之異物受到全反射之X射線之X射線檢測器。
於圖10，係示意性表示第4實施方式之檢查裝置IA之構成。未作為第4實施方式說明之事項，係遵照第2或第3實施方式。檢查裝置IA，係能夠具有複數個X射線檢測器。作為複數個X射線檢測器之第1X射線檢測器1201及第2X射線檢測器1202，係分別具有X射線接收部1211、1212。連結X射線產生管101之軸AX與檢查面IP之交點及X射線接收部1211之中心之假想線，與檢查面IP所成之角度係設為θ1。連結X射線產生管101之軸AX與檢查面IP之交點及X射線接收部1212之中心之假想線，與檢查面IP所成之角度係設為θ2。θ1、θ2，係5°以下為佳，係2°以下更佳。
θ1與θ2，係彼此相同亦可，係彼此不同亦可。於θ1與θ2彼此不同之構成中，即便於第1檢測器1201無法檢測到自異物FS1放射並受到檢查對象面TS全反射之X射線XF11之情形，亦有第2檢測器1202能夠檢測到自異物FS1放射並受到檢查對象面TS全反射之X射線XF12之可能性。θ1與θ2彼此不同之構成，係亦能夠理解為檢查面IP與第1X射線接收部1211之距離，和檢查面IP與第2X射線接收部1212之距離彼此不同之構成。如此之構成，除了有助於檢測特性不同之各種異物以外，亦有助於因應具有各種特性之檢查對象面TS。
第2至第4實施方式，除了能夠運用於在相同檢查對象面存在有複數個異物之情形，或於檢查對象面上存在有與設想不同之異物之情形，亦有助於提升異物之檢測精度。例如，於使檢查速度提升之情形，或於檢查對象物之搬運當中對於檢查對象面上之異物進行檢查之情形，係有檢測到之螢光X射線之量受到限制，而有無法獲得充分之異物檢測精度或異物鑑定精度之可能性。然而，如此般之問題，係能夠如第2至第4實施方式般藉由設置複數個檢測器而解決或減輕。例如，控制部140對於藉由複數個檢測器所獲得之來自異物之螢光X射線所具有之各能量之計數值(輸出)進行處理，藉此能夠使異物檢測、鑑定精度提升。例如，能夠具有藉由對於各能量之計數值之平均處理所產生之平均值進行之判斷步驟，或藉由各能量之計數值之不均處理所進行之判斷步驟。該等步驟亦可理解為控制部140比較複數個檢測器各自之輸出，而藉此使異物檢測、鑑定精度提升。並且，於因振動或檢查對象物之厚度不同而導致檢查對象面之位置不同之情形，藉由使用第4實施方式之檢查裝置，係有使異物檢測、鑑定精度提升之效果。
於圖11，係示意性表示第5實施方式之檢查裝置IA之構成。未作為第5實施方式說明之事項，係遵照第1至第4實施方式。第5實施方式之檢查裝置IA，係構成為對於檢查對象物IT進行檢查。檢查裝置IA，係具備X射線產生管101，X射線產生管101，係具有包含受到電子線照射而藉此產生X射線之X射線產生部XG之標靶，並往檢查對象物IT放射X射線XR。檢查裝置IA，係亦能夠具備複數個X射線檢測器。複數個X射線檢測器，係分別檢測自存在於被照射來自X射線產生部XG之X射線之檢查對象物IT之檢查對象面之異物放射，並受到該檢查對象面全反射之X射線。複數個X射線檢測器，係能夠包含對於檢查對象物IT之第1檢查對象面TS1進行檢查之第1X射線檢測器1201，以及對於檢查對象物IT之第2檢查對象面TS2進行檢查之第2X射線檢測器1202。第1X射線檢測器1201，係具有第1X射線接收部1211，第2X射線檢測器1202，係具有第2X射線接收部1212。第1檢查對象面TS1及檢查對象面TS2，係能夠為檢查對象物IT之彼此為相反側之面。第1檢查對象面TS1及第2檢查對象面TS2，係能夠對於假想平面VP對稱地配置。第1X射線接收部1211及第2X射線接收部1212，係能夠以隔著假想平面VP對向之方式配置。檢查對象物IT，於圖11中，係能夠藉由未圖示之搬運機構往正交於紙面之方向搬運。假想平面VP，係能夠設定為與搬運方向平行。依據第5實施方式，係能夠對於檢查對象物IT之2個面進行檢查。檢查裝置IA，係亦可具備複數個X射線產生管，然而藉由僅具備單一之X射線產生管101，能夠使檢查裝置IA小型化、低成本化。
本發明不限於前述實施方式，能夠不脫離本發明之精神及範圍地進行各種變更及變形。因此，為公布發明之範圍，係附有請求項。
91:閉塞構件 92:絕緣管 93:陽極 94:偏向器 95:假想平面 96:假想平面 97:假想平面 100:X射線產生裝置 101:X射線產生管 102:升壓電路 103:驅動電路 120:X射線檢測器 121:X射線接收部 122:窗部 125:狹縫構件 130:X射線檢測面板 140:控制部 150:顯示部 931:電極 932:標靶保持板 933:標靶 1201:第1X射線檢測器 1202:第2X射線檢測器 1211:第1X射線接收部 1212:第2X射線接收部 1251,1252:狹縫構件 AX:X射線產生管101之軸 CV:搬運機構 DIR:搬運方向 D sf:自檢查面IP至X射線檢測面板130之距離 D xs:自X射線產生部XG至檢查面IP之距離 EG:電子槍 FS:異物 FS1,FS2,FS3:異物 IA:檢查裝置 IP:檢查面 IT:檢查對象物 TS:檢查對象面 TS1:第1檢查對象面 TS2:第2檢查對象面 VP:假想平面 W s:狹縫之寬度 X 2:X射線接收部121之中心與檢查面IP之距離 XF:X射線 XF11:X射線 XF12:X射線 XG:X射線產生部 XR:X射線 Y:檢查對象面TS上之X射線XR之照射寬度 Z:自寬度Y之中心至X射線接收部121之距離 θ:連結來自X射線產生部XG之X射線XR入射至檢查面IP之位置及X射線檢測器120之X射線接收部121之假想線與檢查面IP所成之角度 θ1:連結X射線產生管101之軸AX與檢查面IP之交點及X射線接收部1211之中心之假想線,與檢查面IP所成之角度 θ2:連結X射線產生管101之軸AX與檢查面IP之交點及X射線接收部1212之中心之假想線,與檢查面IP所成之角度
[圖1]示意性表示實施方式之檢查裝置之構成之圖。 [圖2]表示實施方式之檢查裝置之具體構成例之圖。 [圖3]示意性表示X射線產生管之構成例之圖。 [圖4]將圖2之檢查裝置之一部分放大之示意圖。 [圖5]將圖2之檢查裝置之一部分放大之示意圖。 [圖6]例示距離D xs(橫軸)與藉由X射線檢測器檢測到之異物之計數(縱軸)之關係之圖。 [圖7]表示實施方式之檢查裝置之具體構成例之圖。 [圖8]示意性表示第2實施方式之檢查裝置之構成之圖。 [圖9]示意性表示第3實施方式之檢查裝置之構成之圖。 [圖10]示意性表示第4實施方式之檢查裝置之構成之圖。 [圖11]示意性表示第5實施方式之檢查裝置之構成之圖。
101:X射線產生管
1201:第1X射線檢測器
1202:第2X射線檢測器
1251,1252:狹縫構件
AX:X射線產生管101之軸
FS1:異物
IP:檢查面
IT:檢查對象物
TS:檢查對象面
XF11:X射線
XF12:X射線
XG:X射線產生部
XR:X射線

Claims (23)

  1. 一種檢查裝置，係對於檢查對象物進行檢查；其特徵為：係具備： X射線產生管，係具有包含受到電子線照射而藉此產生X射線之X射線產生部之標靶，並往前述檢查對象物放射X射線；以及 複數個X射線檢測器， 前述複數個X射線檢測器，係分別檢測自存在於被照射來自前述X射線產生部之X射線之前述檢查對象物之檢查對象面之異物放射，並受到前述檢查對象面全反射之X射線。
  2. 如請求項1所述之檢查裝置，其中， 進一步具備：處理器，係根據來自前述複數個X射線檢測器之輸出，進行檢測前述異物之處理。
  3. 如請求項2所述之檢查裝置，其中， 前述處理器，係能夠進一步進行識別構成前述異物之物質之處理。
  4. 如請求項1所述之檢查裝置，其中， 前述檢查對象物之檢查面與前述X射線產生部之距離係5mm以下。
  5. 如請求項1所述之檢查裝置，其中， 前述檢查對象物之檢查面與前述X射線產生部之距離係3mm以下。
  6. 如請求項1所述之檢查裝置，其中， 連結前述X射線產生管之軸與前述檢查對象物之檢查面之交點及前述複數個X射線檢測器當中之一個X射線檢測器之X射線接收部之中心之假想線，和前述檢查面所成之角度，係5°以下。
  7. 如請求項1所述之檢查裝置，其中， 連結前述X射線產生管之軸與前述檢查對象物之檢查面之交點及前述複數個X射線檢測器當中之一個X射線檢測器之X射線接收部之中心之假想線，和前述檢查面所成之角度，係2°以下。
  8. 如請求項6所述之檢查裝置，其中， 進一步具備：狹縫構件，係於前述假想線之上具有狹縫。
  9. 如請求項1至8中任一項所述之檢查裝置，其中， 進一步具備：X射線檢測面板，係檢測自前述X射線產生部放射並穿透具有前述檢查對象面之檢查對象物之X射線。
  10. 如請求項1至8中任一項所述之檢查裝置，其中， 前述X射線產生管，係密閉穿透型。
  11. 如請求項1至8中任一項所述之檢查裝置，其中， 前述X射線產生管，係具備保持前述標靶之標靶保持板，前述標靶保持板之厚度係4mm以下。
  12. 如請求項11所述之檢查裝置，其中， 前述標靶保持板，係包含金剛石。
  13. 如請求項1至8中任一項所述之檢查裝置，其中， 前述複數個X射線檢測器，係包含第1X射線檢測器及第2X射線檢測器，前述第1X射線檢測器及前述第2X射線檢測器，係以隔著前述X射線產生管之軸對向之方式配置。
  14. 如請求項1至8中任一項所述之檢查裝置，其中， 前述複數個X射線檢測器，係包含具有第1X射線接收部之第1X射線檢測器，以及具有第2X射線接收部之第2X射線檢測器， 連結前述X射線產生管之軸與前述檢查對象物之檢查面之交點及前述第1X射線接收部之中心之假想線和前述檢查面所成之角度，係不同於連結前述交點及前述第2X射線接收部之中心之假想線和前述檢查面所成之角度。
  15. 如請求項1至8中任一項所述之檢查裝置，其中， 前述複數個X射線檢測器，係包含第1X射線檢測器及第2X射線檢測器， 在平行於前述檢查對象物之檢查面之方向，前述第1X射線檢測器之位置與前述第2X射線檢測器係彼此不同。
  16. 如請求項1至8中任一項所述之檢查裝置，其中， 前述複數個X射線檢測器，係包含對於檢查對象物之第1檢查對象面進行檢查之第1X射線檢測器，以及對於前述檢查對象物之第2檢查對象面進行檢查之第2X射線檢測器， 前述第1X射線檢測器，係具有第1X射線接收部，前述第2X射線檢測器，係具有第2X射線接收部， 前述第1檢查對象面及前述第2檢查對象面，係對於假想平面對稱地配置， 前述第1X射線接收部及前述第2X射線接收部，係以隔著前述假想平面對向之方式配置。
  17. 一種檢查方法，係對於檢查對象物進行檢查；其特徵為：係包含： X射線檢測步驟，係往前述檢查對象物放射X射線，並藉由複數個X射線檢測器檢測自存在於前述檢查對象物之檢查對象面之異物放射並受到前述檢查對象面全反射之X射線；以及 處理步驟，係處理前述複數個X射線檢測器之輸出。
  18. 如請求項17所述之檢查方法，其中， 前述處理步驟，係包含檢測前述異物之步驟。
  19. 如請求項17所述之檢查方法，其中， 前述處理步驟，係包含辨識構成前述異物之物質之步驟。
  20. 如請求項17所述之檢查方法，其中， 進一步包含：藉由X射線檢測面板檢測穿透前述檢查對象物之X射線之步驟， 於前述處理步驟，係處理前述複數個X射線檢測器之輸出及前述X射線檢測面板之輸出。
  21. 如請求項20所述之檢查方法，其中， 前述處理步驟，係包含根據前述X射線檢測面板之輸出，檢測前述異物之存在及前述異物之位置之步驟。
  22. 如請求項20所述之檢查方法，其中， 前述處理步驟，係包含根據前述X射線檢測面板之輸出，檢測前述異物之存在、前述異物之位置以及前述異物之尺寸之步驟。
  23. 如請求項17至22中任一項所述之檢查方法，其中， 前述處理步驟，係包含比較前述複數個X射線檢測器之輸出之步驟。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023145101A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 キヤノンアネルバ株式会社 検査装置および検査方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5742658A (en) * 1996-05-23 1998-04-21 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for determining the elemental compositions and relative locations of particles on the surface of a semiconductor wafer
CN104076053A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 日本株式会社日立高新技术科学 异物检测装置

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01244344A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Hitachi Ltd Ｘ線吸収スペクトル測定装置
JPH07119717B2 (ja) * 1989-12-12 1995-12-20 シャープ株式会社 半導体材料評価装置
JPH0534131A (ja) * 1991-08-05 1993-02-09 Fujitsu Ltd 画像処理方法及び画像処理装置
JPH05346411A (ja) * 1992-04-16 1993-12-27 Rigaku Denki Kogyo Kk 蛍光ｘ線分析装置
EP0697109B1 (en) * 1994-03-02 1999-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. X-ray spectrometer with a grazing take-off angle
JP3165615B2 (ja) * 1995-03-17 2001-05-14 財団法人国際超電導産業技術研究センター 表面元素分析方法及び装置
KR100233312B1 (ko) 1995-08-09 1999-12-01 야마모토 카즈모토 전반사 형광 x선 분석 장치 및 방법
JPH09318565A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Rigaku Ind Co Ｘ線分析方法および装置
JP2984232B2 (ja) * 1996-10-25 1999-11-29 株式会社テクノス研究所 Ｘ線分析装置およびｘ線照射角設定方法
US6005915A (en) 1997-11-07 1999-12-21 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for measuring the roughness of a target material surface based upon the scattering of incident X-ray photons
US6108398A (en) 1998-07-13 2000-08-22 Jordan Valley Applied Radiation Ltd. X-ray microfluorescence analyzer
JP2000055841A (ja) * 1998-08-13 2000-02-25 Fujitsu Ltd Ｘ線分析方法
DE19934987B4 (de) 1999-07-26 2004-11-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Röntgenanode und ihre Verwendung
DE19948382A1 (de) * 1999-10-07 2001-05-03 Gemetec Ges Fuer Mestechnik Un Detektor für grosse Waferflächen
JP2001208708A (ja) 2000-01-31 2001-08-03 Japan Science & Technology Corp 斜出射電子線プローブマイクロｘ線分析による異物の分析方法およびその装置
US6829327B1 (en) * 2000-09-22 2004-12-07 X-Ray Optical Systems, Inc. Total-reflection x-ray fluorescence apparatus and method using a doubly-curved optic
JP2002202272A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Shimadzu Corp Ｘ線透視検査装置
JP3673825B2 (ja) 2001-03-27 2005-07-20 独立行政法人物質・材料研究機構 斜出射ｘ線分析方法
JP3998556B2 (ja) * 2002-10-17 2007-10-31 株式会社東研 高分解能ｘ線顕微検査装置
US7065176B2 (en) 2003-05-28 2006-06-20 General Electric Company Method and system to inspect a component
JP2005121468A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Tohken Co Ltd 蛍光ｘ線を利用した毛髪等の食品異物検査装置
JP2005292077A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Fuji Electric Holdings Co Ltd Ｘ線顕微鏡装置
US7916834B2 (en) 2007-02-12 2011-03-29 Thermo Niton Analyzers Llc Small spot X-ray fluorescence (XRF) analyzer
JP2007212468A (ja) * 2007-03-16 2007-08-23 Tohken Co Ltd 高分解機能ｘ線顕微検査装置
JP5127313B2 (ja) 2007-06-15 2013-01-23 義久 石黒 検査システム
JP2009075018A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Technos:Kk 蛍光ｘ線分析装置および蛍光ｘ線分析方法
JP5489412B2 (ja) 2008-03-26 2014-05-14 株式会社マーストーケンソリューション 蛍光ｘ線分析機能付き高分解能ｘ線顕微装置
JP5292323B2 (ja) 2010-01-25 2013-09-18 株式会社リガク 微小部ｘ線計測装置
JP4914514B2 (ja) 2010-07-02 2012-04-11 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析装置および方法
JP5887760B2 (ja) * 2011-08-24 2016-03-16 富士通株式会社 半導体装置の検査方法及び半導体装置の製造方法
JP5881159B2 (ja) 2012-03-27 2016-03-09 株式会社リガク 異種物質の検査装置及び異種物質の検査方法
US9194828B2 (en) * 2012-05-22 2015-11-24 Aribex, Inc. Handheld x-ray system for 3D scatter imaging
US20140067316A1 (en) * 2012-08-30 2014-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Measuring apparatus, detector deviation monitoring method and measuring method
US9551677B2 (en) * 2014-01-21 2017-01-24 Bruker Jv Israel Ltd. Angle calibration for grazing-incidence X-ray fluorescence (GIXRF)
US9594036B2 (en) * 2014-02-28 2017-03-14 Sigray, Inc. X-ray surface analysis and measurement apparatus
EP2927948A1 (en) 2014-04-04 2015-10-07 Nordson Corporation X-ray inspection apparatus for inspecting semiconductor wafers
CN107076684B (zh) 2014-09-02 2021-04-02 株式会社尼康 测量处理装置、测量处理方法和测量处理程序
WO2016059673A1 (ja) * 2014-10-14 2016-04-21 株式会社リガク Ｘ線薄膜検査装置
DE112015006104B4 (de) * 2015-03-25 2022-05-19 Hitachi High-Tech Corporation Elektronenmikroskop
WO2017003665A1 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 Illinois Tool Works Inc. Inline x-ray measurement apparatus and method
US10295486B2 (en) * 2015-08-18 2019-05-21 Sigray, Inc. Detector for X-rays with high spatial and high spectral resolution
WO2017104659A1 (ja) * 2015-12-15 2017-06-22 株式会社堀場製作所 Ｘ線管、及び、ｘ線分析装置
CN105758345B (zh) * 2016-04-22 2018-06-05 武汉科技大学 一种在线测量带钢镀层厚度的x射线荧光成像装置
CN206020314U (zh) * 2016-09-09 2017-03-15 广州市怡文环境科技股份有限公司 一种全反射x射线荧光分析系统
JP6867224B2 (ja) * 2017-04-28 2021-04-28 浜松ホトニクス株式会社 Ｘ線管及びｘ線発生装置
US10895541B2 (en) 2018-01-06 2021-01-19 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for combined x-ray reflectometry and photoelectron spectroscopy
JP2019215205A (ja) 2018-06-12 2019-12-19 ローム株式会社 撮像装置、撮像方法、及び検査装置
JP6601854B1 (ja) * 2018-06-21 2019-11-06 株式会社リガク 蛍光ｘ線分析システム
JP7153525B2 (ja) * 2018-10-12 2022-10-14 アンリツ株式会社 Ｘ線検査装置
JP7270637B2 (ja) 2018-10-25 2023-05-10 株式会社堀場製作所 Ｘ線分析装置及びｘ線発生ユニット
CN113877059B (zh) 2020-07-03 2025-12-09 何浩明 具有调整机构以使贴片单元贴合人体的衣物结构
CN114486971A (zh) 2022-01-25 2022-05-13 深圳市埃芯半导体科技有限公司 多源设计的x射线分析系统和方法
WO2023145101A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 キヤノンアネルバ株式会社 検査装置および検査方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5742658A (en) * 1996-05-23 1998-04-21 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for determining the elemental compositions and relative locations of particles on the surface of a semiconductor wafer
CN104076053A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 日本株式会社日立高新技术科学 异物检测装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
期刊 Xinwei Li, Xin Wang, Ye Li, and Yanyang Liu Production and Heat Properties of an X-ray Reflective Anode Based on a Diamond Heat Buffer Layer Materials vol. 13, no. 1 MPDI 2020/01/06 241 *

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