TWI882829B - 晶圓厚度測量系統及其測量治具 - Google Patents

晶圓厚度測量系統及其測量治具 Download PDF

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TWI882829B
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陳則維
高宏達
黃俊儒
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Abstract

一種晶圓厚度測量系統包含一發射模組、一接收模組、一訊號輸出頭、一訊號接收頭及一分析主機。發射模組包含一第一載台及一第一導電柱,第一導電柱插設於第一載台上,且電性絕緣第一載台。接收模組包含一第二載台及一第二導電柱,第二導電柱插設於第二載台上,電性絕緣第二載台,且對準第一導電柱。第二載台與第一載台之間固持一待測物。訊號輸出頭電連接第一導電柱,並經第一導電柱發射測試訊號至待測物。訊號接收頭電連接第二導電柱,並經第二導電柱接收穿過待測物之測試訊號。分析主機電連接訊號輸出頭及訊號接收頭,以分析測試訊號。

Description

晶圓厚度測量系統及其測量治具
本發明有關於一種厚度測量系統,尤指一種用以測量晶圓厚度之晶圓厚度測量系統及其測量治具。
一般而言,測厚裝置能夠測量各種物件的厚度。舉例來說,測厚裝置發出測試訊號(如電磁脈衝訊號或超音波訊號)至載台上之待測物,使得通過待測物之測試訊號經由載台被傳至後端分析儀,以供對待測物進行厚度測量。
然而,由於載台之尺寸或材質會左右其訊號傳導能力之緣故,通過待測物之測試訊號有可能會因此受到干擾,導致不一致的測量結果及誤差,從而影響待測物之測試結果。故現有的測厚裝置仍有可改善的空間。
由此可見,上述技術顯然仍存在不便與缺陷,而有待加以進一步改良。因此,如何能有效地解決上述不便與缺陷,實屬當前重要研發課題之一,亦成爲當前相關領域亟需改進的目標。
本發明之一目的在於提供一種晶圓厚度測量系統及其測量治具,用以解決以上先前技術所提到的困難。
本發明之一實施例提供一種晶圓厚度測量系統。晶圓厚度測量系統包含一發射模組、一接收模組、一訊號輸出頭、一訊號接收頭及一分析主機。發射模組包含一第一載台及至少一第一導電柱。第一載台貫設有至少一第一貫孔,第一導電柱插設於第一貫孔內,且電性絕緣第一載台。接收模組包含一第二載台及至少一第二導電柱。第二載台與第一載台之間能夠固持一待測物。第二載台貫設有至少一第二貫孔,第二導電柱插設於第二貫孔內,電性絕緣第二載台,且對準第一導電柱。訊號輸出頭可移動地位於第一載台相對第二載台之一側,用以電連接第一導電柱,並經由第一導電柱發射一測試訊號至待測物。訊號接收頭可移動地位於第二載台相對第一載台之一側,用以電連接第二導電柱,並經由第二導電柱接收穿過待測物之測試訊號。分析主機電連接訊號輸出頭及訊號接收頭,用以分析訊號接收頭所接收之測試訊號。
依據本發明一或複數個實施例,在上述晶圓厚度測量系統中,第一載台包含彼此相對之一第一頂面與一第一底面。第一貫孔分別連接第一頂面與第一底面,第一導電柱之二相對端分別齊平第一頂面與第一底面。第二載台包含彼此相對之一第二頂面與一第二底面。第二貫孔分別連接第二頂面與第二底面,第二導電柱之二相對端分別齊平第二頂面與第二底面。
依據本發明一或複數個實施例,在上述晶圓厚度測量系統中,第一載台包含彼此相對之一第一頂面與一第一底面。第一貫孔分別連接第一頂面與第一底面,第一導電柱之一端自第一底面所伸出。第二載台包含彼此相對之一第二頂面與一第二底面,第二貫孔分別連接第二頂面與第二底面,第二導電柱之一端自第二頂面所伸出。
依據本發明一或複數個實施例,在上述晶圓厚度測量系統中,第二載台包含一容置槽,容置槽凹設於第二頂面上,用以容納待測物,且第二貫孔分別連接容置槽之槽底與第二底面。
依據本發明一或複數個實施例,在上述晶圓厚度測量系統中,發射模組更包含一第一載板,第一載板貫設有至少一第一導通部,第一導通部對準且連接第一導電柱,以供電性導接訊號輸出頭與第一導電柱。接收模組更包含一第二載板,第二載板貫設有至少一第二導通部,第二導通部對準且連接第二導電柱,以供電性導接訊號接收頭與第二導電柱。
依據本發明一或複數個實施例,在上述晶圓厚度測量系統中,第一導電柱包含一第一柱體、一第一絕緣層及一第一屏蔽層。第一柱體位於第一貫孔內,且第一柱體之長軸方向平行第一貫孔之軸心方向。第一絕緣層位於第一貫孔內,且圍繞第一柱體,用以使第一柱體與第一載台電性絕緣。第一屏蔽層圍繞第一絕緣層及第一柱體,位於第一載台與第一絕緣層之間,用以屏蔽第一柱體上所傳導的測試訊號。
依據本發明一或複數個實施例,在上述晶圓厚度測量系統中,第二導電柱包含一第二柱體、一第二絕緣層及一第二屏蔽層。第二柱體位於第二貫孔內,且第二柱體之長軸方向平行第二貫孔之軸心方向。第二絕緣層位於第二貫孔內,且圍繞第二柱體,用以使第二柱體與第二載台電性絕緣。第二屏蔽層圍繞第二絕緣層及第二柱體,位於第二載台與第二絕緣層之間,用以屏蔽第二柱體上所傳導的測試訊號。
依據本發明一或複數個實施例,上述晶圓厚度測量系統更包含一升降裝置。升降裝置連接訊號輸出頭及訊號接收頭,用以同步帶動訊號輸出頭及訊號接收頭彼此接近與分離。
依據本發明一或複數個實施例,上述晶圓厚度測量系統更包含一移動裝置。移動裝置連接第一載台及第二載台,用以同步帶動第一載台及第二載台接收模組垂直及水平移動。
本發明之一實施例提供一種測量治具。測量治具包含一發射模組及一接收模組。發射模組包含一第一載台及至少一第一導電柱,第一載台貫設有至少一第一貫孔,第一導電柱插設於第一貫孔內,且電性絕緣第一載台。接收模組包含一第二載台及至少一第二導電柱。第二載台貫設有至少一第二貫孔,第二導電柱插設於第二貫孔內,電性絕緣第二載台,且對準第一導電柱。第一載台與第二載台可移除地彼此覆蓋,且第二載台與第一載台之間能夠固持一待測物。
如此,透過以上架構,本揭露能夠降低測試訊號受到干擾之機會,提高測量結果之精度與降低誤差,從而提供較精準的測試結果。
以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等,本發明之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施例,為明確說明起見,許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而,應瞭解到,這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說,在本發明各實施例中,這些實務上的細節是非必要的。此外,為簡化圖式起見,一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1A圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統10的立體圖。第1B圖為第1A圖沿線段AA所製成之剖視圖。如第1A圖與第1B圖所示,在本實施例中,晶圓厚度測量系統10包含 測量治具100及一測量設備400。測量治具100用以固持一待測物DUT(例如半導體晶圓),且測量治具100包含一發射模組200及一接收模組300。發射模組200包含一第一載台210及多個第一導電柱220。第一載台210呈平板狀,沿X-Y軸平面延伸,且第一載台210貫設有多個第一貫孔213。每個第一導電柱220插設於其中一第一貫孔213內,且與第一載台210保持電性絕緣。接收模組300包含一第二載台310及多個第二導電柱320。第二載台310呈平板狀,沿X-Y軸平面延伸,且第二載台310貫設有多個第二貫孔313。每個第二導電柱320插設於其中一第二貫孔313內,且與第二載台310保持電性絕緣,並對準其中一第一導電柱220。測量設備400包含一訊號輸出頭410、一訊號接收頭420及一分析主機430。訊號輸出頭410可移動地位於第一載台210相對第二載台310之一側。訊號接收頭420可移動地位於第二載台310相對第一載台210之一側。分析主機430電連接訊號輸出頭410及訊號接收頭420。舉例來說,分析主機430為向量網路分析儀 (Vector Network Analyzer,VNA),然而,本發明不限於此。
如此,當一使用者閉合第二載台310與第一載台210,使得待測物DUT被固持於第二載台310與第一載台210之間時,這些第一導電柱220分別非接觸地指向待測物DUT,且這些第二導電柱320分別接觸或不接觸待測物DUT。接著,當使用者將訊號輸出頭410下移至其中一第一導電柱220,並電連接此第一導電柱220以及將訊號接收頭420上移至對應之第二導電柱320並電連接此第二導電柱320時,分析主機430從訊號輸出頭410經由第一導電柱220發射一測試訊號(例如電磁脈衝訊號或超音波訊號)至待測物DUT之預定區域;接著,測試訊號以最短距離穿過待測物DUT,使得穿過待測物DUT之測試訊號經由第二導電柱320而由訊號接收頭420所接收,以供分析主機430對訊號接收頭420所接收之測試訊號進行分析。
由於穿過待測物DUT之測試訊號(即結果訊號)會隨著待測物DUT之厚度而產生相應之頻率改變,故,分析主機430得以從穿過待測物DUT之測試訊號(即結果訊號)進行分析並取得待測物DUT之預定區域之厚度資訊。
在本實施例中,由於待測物DUT的頻率與厚度具有關係,因此可利用此特性來測量出待測物的厚度。具體步驟如下。測試訊號輸入至待測物DUT後,待測物DUT會產生特定頻率,分析主機430即可根據該特定頻率推算出該待測物DUT的厚度資訊,待測物例如可為石英晶圓,但不限於此。然而,本發明不限於此,在其他實施例中,也可以利用待測物的電容與厚度彼此相關連的特性來測量出待測物的厚度。具體步驟如下。在測試訊號輸入至待測物DUT之後,待測物DUT會產生特定電容,分析主機430即可根據該特定電容推算出該待測物DUT的厚度資訊。
然而,本發明不限於此,除了手動方式,在其他實施例中,晶圓厚度測量系統10亦可能採用自動化方式,同步/依序移動第一載台210、第二載台310、訊號輸出頭410或訊號接收頭420。
更具體地,第一載台210包含彼此相對之一第一頂面211與一第一底面212,且這些第一貫孔213依據陣列方式分布於第一載台210上,然而,本發明不限於此。每個第一貫孔213貫穿第一載台210,且分別連接第一載台210之第一頂面211與第一底面212。第一導電柱220呈直線狀,包含彼此相對之第一端221與第二端222。第一導電柱220塞填於第一貫孔213內。第一導電柱220之第一端221之端面自第一底面212所外露,且與第一底面212相互齊平,以及與待測物DUT保持間隙,用以隔空發射上述測試訊號至待測物DUT。第一導電柱220之第二端222之端面自第一頂面211所外露,且與第一頂面211相互齊平,以供訊號輸出頭410直接接觸,然而,本發明不限於第一導電柱220之形式與材質。
第二載台310包含彼此相對之一第二頂面311與一第二底面312,且第二頂面311以供待測物DUT水平放置。這些第二貫孔313依據陣列方式分布於第二載台310上,且這些第二貫孔313之分布圖案與這些第一貫孔213之分布圖案大致相同。每個第二貫孔313貫穿第二載台310,且分別連接第二載台310之第二頂面311與第二底面312。第二導電柱320呈直線狀,包含彼此相對之第三端321與第四端322。第二導電柱320塞填於第二貫孔313內。第二導電柱320之第三端321之端面自第二底面312所外露且與第二底面312相互齊平,以供訊號接收頭420直接接觸。第二導電柱320之第四端322之端面自第二頂面311所外露且與第二頂面311相互齊平,用以接收穿過待測物DUT之測試訊號,然而,本發明不限於第二導電柱320之形式與材質,且第二導電柱320之第四端322之端面也可以不與第二頂面311齊平。故,當待測物DUT水平放置於第二載台310之第二頂面311時,待測物DUT覆蓋且接觸或不接觸第二導電柱320之第四端322之端面。
第2圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統11的剖視圖。除了適用於待測物DUT之厚度測量之外,若待測物DUT之頂面T及底面B皆具有第一溝槽S1及第二溝槽S2時,如第2圖所示,本實施例之晶圓厚度測量系統11亦可用以於換算出第一溝槽S1及第二溝槽S2之深度及槽底之間距等資訊。本實施例之晶圓厚度測量系統11與上述實施例之晶圓厚度測量系統10大致相同,其差異在於,第一導電柱220之第一端221具有伸出自第一底面212之第一凸部221A,且此第一凸部221A伸入待測物DUT之頂面T之其中一第一溝槽S1內,但仍與此第一溝槽S1之底面B保持間隙,用以隔空發射上述測試訊號至待測物DUT。第二導電柱320之第四端322具有伸出自第二頂面311之第二凸部322A,且此第二凸部322A伸入待測物DUT之底面B之其中一第二溝槽S2內,但仍與此第二溝槽S2之底面B保持間隙,用以隔空接收穿過待測物DUT之上述測試訊號,然而,本發明不限於第二導電柱320之形式與材質。
第3圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統12的剖視圖。如第3圖所示,本實施例之晶圓厚度測量系統12與上述第2圖之晶圓厚度測量系統11大致相同,其差異在於,第二載台310更包含一容置槽314。容置槽314凹設於第二頂面311上,用以容納上述待測物DUT,然而,本發明不限於此。每個第二貫孔313分別連接容置槽314之槽底314B及第二載台310之第二底面312。如此,當使用者閉合第二載台310與第一載台210時,上述待測物DUT能夠更穩固地被收納於容置槽314內。
第4A圖為第3圖之區域M1之局部放大圖。如第4A圖所示,在本實施例中,每個第一導電柱230包含一第一柱體231、一第一絕緣層232及一第一屏蔽層233。第一柱體231位於對應之第一貫孔213內,且第一柱體231之長軸方向平行第一貫孔213之軸心方向。第一凸部221A凸設於第一柱體231之一端。第一絕緣層232位於第一貫孔213內,且圍繞第一柱體231,用以使第一柱體231與第一載台210(即第一貫孔213之內壁)電性絕緣。第一屏蔽層233圍繞第一絕緣層232及第一柱體231,位於第一載台210與第一絕緣層232之間,換句話說,第一絕緣層232夾合於第一柱體231及第一屏蔽層233之間。第一屏蔽層233用以屏蔽第一柱體231上所傳導的測試訊號,從而提供乾淨的測試訊號及降低雜訊。
第4B圖為第3圖之區域M2之局部放大圖。如第4B圖所示,本實施例之第二導電柱330包含一第二柱體331、一第二絕緣層332及一第二屏蔽層333。第二柱體331位於對應之第二貫孔313內,且第二柱體331之長軸方向平行第二貫孔313之軸心方向。第二凸部322A凸設於第二柱體331之一端。第二絕緣層332位於第二貫孔313內,且圍繞第二柱體331,用以使第二柱體331與第二載台310(即第二貫孔313之內壁)電性絕緣。第二屏蔽層333圍繞第二絕緣層332及第二柱體331,位於第二載台310與第二絕緣層332之間,換句話說,第二絕緣層332夾合於第二柱體331及第二屏蔽層333之間,用以屏蔽第二柱體331上所傳導的測試訊號,從而提供乾淨的測試訊號及降低雜訊。
第5圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統13的剖視圖。如第5圖所示,本實施例之晶圓厚度測量系統13與上述第3圖之晶圓厚度測量系統12大致相同,其差異在於,發射模組200更包含一第一載板240,第一載板240直接放置於第一載台210之第一頂面211。第一載板240上貫設有多個第一導通部241。這些第一導通部241分布於第一載板240上,且這些第一導通部241之分布圖案與這些第一貫孔213之分布圖案大致相同。每個第一導通部241垂直貫穿第一載板240,且分別連接第一載板240之二相對面。每個第一導通部241對準且連接其中一第一導電柱230,以供電性導接訊號輸出頭410與第一導電柱230。舉例來說,上述第一載板240為一印刷電路板(PCB),且所述第一導通部241為印刷電路板上之通孔(VIA)。這些通孔依據陣列方式分布於第一載板240上,然而,本發明不限於此,上述第一載板240也可能為不具線路之板體。
接收模組300更包含一第二載板340,第二載板340直接放置於第二載台310之第二底面312。第二載板340貫設有多個第二導通部341。這些第二導通部341分布於第二載板340上,且這些第二導通部341之分布圖案與這些第二貫孔313之分布圖案大致相同。每個第二導通部341垂直貫穿第二載板340,且分別連接第二載板340之二相對面。每個第二導通部341對準且連接其中一第二導電柱330,以供電性導接訊號接收頭420與此第二導電柱330。舉例來說,上述第二載板340為印刷電路板(PCB),且所述第二導通部341為印刷電路板上之通孔(VIA)。這些通孔依據陣列方式分布於第二載板340上。然而,本發明不限於此,上述第二載板340也可能為不具線路之板體。
第6A圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統14的電子方塊圖。如第6A圖所示,本實施例之晶圓厚度測量系統14與上述各晶圓厚度測量系統10~13大致相同,其差異在於,晶圓厚度測量系統14更包含一升降裝置500,且升降裝置500連接訊號輸出頭410及訊號接收頭420,且升降裝置500電連接分析主機430,用以垂直帶動訊號輸出頭410及訊號接收頭420分別接觸第一導電柱220(230)及第二導電柱320(330)。
更具體地,當分析主機430驅動升降裝置500,使得升降裝置500同步帶動上述訊號輸出頭410及訊號接收頭420朝彼此面對之方向移至發射模組200及接收模組300時,分析主機430隨即進行上述之測試訊號之發射、接收及分析工作。
反之,當分析主機430驅動升降裝置500,使得升降裝置500同步帶動上述訊號輸出頭410及訊號接收頭420朝彼此背對之方向遠離發射模組200及接收模組300時,使用者可以使測量治具100橫向移動,從而讓其他之第一導電柱220及第二導電柱320(330)可以被訊號輸出頭410與訊號接收頭420所對齊。舉例來說,升降裝置500為滾珠螺桿或機器手臂等,然而,本發明不限於此。
第6B圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統15的電子方塊圖。如第6B圖所示,本實施例之晶圓厚度測量系統15與上述各晶圓厚度測量系統10~13大致相同,其差異在於,晶圓厚度測量系統15更包含一移動裝置600。移動裝置600連接第一載台210與第二載台310,用以同步帶動第一載台210與第二載台310垂直及水平移動。
更具體地,當從測量治具100更換待測物DUT時,移動裝置600開始分離第二載台310與第一載台210,使得第二載台310與第一載台210沿著垂直方向彼此遠離或閉合。
此外,當上述訊號輸出頭410及訊號接收頭420彼此遠離時,移動裝置600開始讓測量治具100橫向地水平移動,使得訊號輸出頭410與訊號接收頭420可以改由對齊其他之第一導電柱220(230)及第二導電柱320(330)。
須了解到,在上述實施例中,第一導電柱220(230)、第二導電柱320(330)、第一貫孔213、第二貫孔313、第一導通部241與第二導通部341皆為多數個,且數量大致相符,然而,本發明不限於此,其他實施例中,第一導電柱220(230)、第二導電柱320(330)、第一貫孔213、第二貫孔313、第一導通部241與第二導通部341亦可能只有單一個。
透過以上架構,本揭露晶圓厚度測量系統及其測量治具能夠降低測試訊號受到干擾之機會,提高測量結果之精度與降低誤差,從而提供較精準的測試結果。
最後,上述所揭露之各實施例中,並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,皆可被保護於本發明中。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10,11,12,13,14,15:晶圓厚度測量系統 100:測量治具 200:發射模組 210:第一載台 211:第一頂面 212:第一底面 213:第一貫孔 220,230:第一導電柱 221:第一端 221A:第一凸部 222:第二端 231:第一柱體 232:第一絕緣層 233:第一屏蔽層 240:第一載板 241:第一導通部 300:接收模組 310:第二載台 311:第二頂面 312:第二底面 313:第二貫孔 314:容置槽 314B:槽底 320,330:第二導電柱 321:第三端 322:第四端 322A:第二凸部 331:第二柱體 332:第二絕緣層 333:第二屏蔽層 340:第二載板 341:第二導通部 400:測量設備 410:訊號輸出頭 420:訊號接收頭 430:分析主機 500:升降裝置 600:移動裝置 AA:線段 B:底面 DUT:待測物 M1,M2:區域 S1:第一溝槽 S2:第二溝槽 T:頂面 X,Y,Z:軸
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂,所附圖式之說明如下: 第1A圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統的立體圖。 第1B圖為第1A圖沿線段AA所製成之剖視圖。 第2圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統的剖視圖。 第3圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統的剖視圖。 第4A圖為第3圖之區域M1之局部放大圖。 第4B圖為第3圖之區域M2之局部放大圖。 第5圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統的剖視圖。 第6A圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統的電子方塊圖。 第6B圖為本發明一實施例之晶圓厚度測量系統的電子方塊圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
10:晶圓厚度測量系統
100:測量治具
200:發射模組
210:第一載台
213:第一貫孔
220:第一導電柱
300:接收模組
310:第二載台
400:測量設備
410:訊號輸出頭
420:訊號接收頭
430:分析主機
DUT:待測物
X,Y,Z:軸

Claims (9)

  1. 一種晶圓厚度測量系統,包含: 一發射模組,包含一第一載台及至少一第一導電柱,該第一載台貫設有至少一第一貫孔,該第一導電柱插設於該第一貫孔內,且電性絕緣該第一載台; 一接收模組,包含一第二載台及至少一第二導電柱,該第二載台與該第一載台之間能夠固持一待測物,該第二載台貫設有至少一第二貫孔,該第二導電柱插設於該第二貫孔內,電性絕緣該第二載台,且對準該第一導電柱; 一訊號輸出頭,可移動地位於該第一載台相對該第二載台之一側,用以電連接該第一導電柱,並經由該第一導電柱發射一測試訊號至該待測物; 一訊號接收頭,可移動地位於該第二載台相對該第一載台之一側,用以電連接該第二導電柱,並經由該第二導電柱接收穿過該待測物之該測試訊號;以及 一分析主機,電連接該訊號輸出頭及該訊號接收頭,用以分析該訊號接收頭所接收之該測試訊號。
  2. 如請求項1所述之晶圓厚度測量系統,其中該第一載台包含彼此相對之一第一頂面與一第一底面,該第一貫孔分別連接該第一頂面與該第一底面,該第一導電柱之二相對端分別齊平該第一頂面與該第一底面;以及 該第二載台包含彼此相對之一第二頂面與一第二底面,該第二貫孔分別連接該第二頂面與該第二底面,該第二導電柱之二相對端分別齊平該第二頂面與該第二底面。
  3. 如請求項1所述之晶圓厚度測量系統,其中該第一載台包含彼此相對之一第一頂面與一第一底面,該第一貫孔分別連接該第一頂面與該第一底面,該第一導電柱之一端自該第一底面所伸出;以及 該第二載台包含彼此相對之一第二頂面與一第二底面,該第二貫孔分別連接該第二頂面與該第二底面,該第二導電柱之一端自該第二頂面所伸出。
  4. 如請求項3所述之晶圓厚度測量系統,其中該第二載台包含一容置槽,該容置槽凹設於該第二頂面,用以容納該待測物,且該第二貫孔分別連接該容置槽之槽底與該第二底面。
  5. 如請求項1所述之晶圓厚度測量系統,其中該發射模組更包含一第一載板,該第一載板貫設有至少一第一導通部,該第一導通部對準且連接該第一導電柱,以供電性導接該訊號輸出頭與該第一導電柱;以及 該接收模組更包含一第二載板,該第二載板貫設有至少一第二導通部,該第二導通部對準且連接該第二導電柱,以供電性導接該訊號接收頭與該第二導電柱。
  6. 如請求項1所述之晶圓厚度測量系統,其中該第一導電柱包含: 一第一柱體,位於該第一貫孔內,且該第一柱體之長軸方向平行該第一貫孔之軸心方向; 一第一絕緣層,位於該第一貫孔內,且圍繞該第一柱體,用以使該第一柱體與該第一載台電性絕緣;以及 一第一屏蔽層,圍繞該第一絕緣層及該第一柱體,位於該第一載台與該第一絕緣層之間,用以屏蔽該第一柱體上所傳導的測試訊號。
  7. 如請求項1所述之晶圓厚度測量系統,其中該第二導電柱包含: 一第二柱體,位於該第二貫孔內,且該第二柱體之長軸方向平行該第二貫孔之軸心方向; 一第二絕緣層,位於該第二貫孔內,且圍繞該第二柱體,用以使該第二柱體與該第二載台電性絕緣;以及 一第二屏蔽層,圍繞該第二絕緣層及該第二柱體,位於該第二載台與該第二絕緣層之間,用以屏蔽該第二柱體上所傳導的測試訊號。
  8. 如請求項1所述之晶圓厚度測量系統,更包含: 一升降裝置,連接該訊號輸出頭及該訊號接收頭,用以同步帶動該訊號輸出頭及該訊號接收頭彼此接近與分離。
  9. 如請求項1所述之晶圓厚度測量系統,更包含: 一移動裝置,連接該第一載台及該第二載台,用以同步帶動該第一載台及該第二載台垂直及水平移動。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201935542A (zh) * 2018-02-14 2019-09-01 台灣積體電路製造股份有限公司 研磨系統、晶圓夾持裝置及晶圓的研磨方法
TW202115963A (zh) * 2019-10-02 2021-04-16 奇力新電子股份有限公司 天線結構
US20220120559A1 (en) * 2019-12-26 2022-04-21 Nanjing LiAn Semiconductor Limited Measuring apparatus and method of wafer geometry
TW202242396A (zh) * 2021-01-08 2022-11-01 美商蘭姆研究公司 薄膜光學量測用之系統及方法
US20220371152A1 (en) * 2021-05-20 2022-11-24 Applied Materials, Inc. Fourier filtering of spectral data for measuring layer thickness during substrate processing

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4498045A (en) * 1982-05-27 1985-02-05 Motorola, Inc. Apparatus and method for determining surface contour of piezoelectric wafers
JPS62106366A (ja) * 1985-11-02 1987-05-16 Sumitomo Electric Ind Ltd ウエハ接着状態検査法
JPH07234120A (ja) * 1994-02-23 1995-09-05 Hitachi Zosen Corp 被加工物の厚み測定装置
JP4451111B2 (ja) * 2003-10-20 2010-04-14 株式会社荏原製作所 渦電流センサ
JP7145539B1 (ja) * 2021-06-17 2022-10-03 不二越機械工業株式会社 断面形状測定方法及び両面研磨装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201935542A (zh) * 2018-02-14 2019-09-01 台灣積體電路製造股份有限公司 研磨系統、晶圓夾持裝置及晶圓的研磨方法
TW202115963A (zh) * 2019-10-02 2021-04-16 奇力新電子股份有限公司 天線結構
US20220120559A1 (en) * 2019-12-26 2022-04-21 Nanjing LiAn Semiconductor Limited Measuring apparatus and method of wafer geometry
TW202242396A (zh) * 2021-01-08 2022-11-01 美商蘭姆研究公司 薄膜光學量測用之系統及方法
US20220371152A1 (en) * 2021-05-20 2022-11-24 Applied Materials, Inc. Fourier filtering of spectral data for measuring layer thickness during substrate processing

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