TWI896374B - 磁性組件 - Google Patents

Abstract

本案提供一種磁性組件，包含主磁芯、主繞組、輔助磁芯和輔助繞組。主磁芯具有間隙。主繞組繞設於主磁芯上，其中流過主繞組的主電流形成主磁通。輔助磁芯至少部分設置於間隙中。輔助繞組繞設於輔助磁芯上，其中流過輔助繞組的偏置電流形成偏置磁通，且偏置磁通的路徑垂直於主磁通的路徑。磁性組件的電感值可藉由控制偏置電流進行調整，偏置電流決定輔助磁芯是否至少部分磁飽和。

Description

磁性組件

本案係關於一種磁性組件，尤指一種具可調整電感值的磁性組件。

磁性組件的電感值經常需要被調整以適應不同的操作條件或要求，其中一個常見的調整原因是進行頻率調諧。具體而言，由於電感值會影響電路的諧振頻率，故藉由調整電感值可實現針對不同頻率的優化。此外，調整電感值還有助於阻抗匹配，其中阻抗匹配對於最大功率傳輸或效率至關重要。再者，調整電感值還可用於控制電路的能量損耗，以滿足節能或能量要求。更甚者，電感也被廣泛運用於電路中進行穩壓及濾波，故藉由調整電感值可調節穩壓和濾波的效果，以適應不同的操作條件或要求。

傳統上，可藉由改變磁性組件的材料、尺寸或結構來調整電感值。然而，在物理上改變磁性組件的結構較為困難，因此許多研究人員更傾向於利用電流來控制電感值。在許多案例中，如第1圖所示，輔助繞組100被增設於主繞組200所繞設的磁芯上。輔助繞組100所產生的磁通與主繞組200所產生的磁通共用部分路徑。因此，當偏置電流流過輔助繞組100時，部分的磁芯在B-H曲線 (反映磁通密度與磁場強度之間的關係的磁滯曲線)上的工作點會不同。

因此，如何發明一種可改善上述現有技術的磁性組件，實為目前迫切之需求。

本案之目的在於提供一種具可調整電感值的磁性組件。在主磁通的路徑上，部分的路徑被輔助磁芯所填充，且所填充的輔助磁芯可至少部分磁飽和。因此，藉由控制決定輔助磁芯是否至少部分磁飽和的偏置電流，即可調整磁性組件的電感值。此外，由偏置電流流過輔助磁芯所產生的偏置磁通的路徑垂直於主磁通的路徑，因此主磁通在B-H曲線上的工作點不會被偏置磁通影響。

為達上述目的，本案提供一種磁性組件，包含主磁芯、主繞組、輔助磁芯和輔助繞組。主磁芯具有間隙。主繞組繞設於主磁芯上，其中流過主繞組的主電流形成主磁通。輔助磁芯至少部分設置於間隙中。輔助繞組繞設於輔助磁芯上，其中流過輔助繞組的偏置電流形成偏置磁通，且偏置磁通的路徑垂直於主磁通的路徑。磁性組件的電感值可藉由控制偏置電流進行調整，偏置電流決定輔助磁芯是否至少部分磁飽和。

100:輔助繞組

200:主繞組

1、1a:磁性組件

11:主磁芯

12:主繞組

121:主繞組單元

21:輔助磁芯

211:輔助磁芯單元

22:輔助繞組

221:輔助繞組單元

111:間隙

F1:主磁通

F2:偏置磁通

31:中心柱

32:側柱

33:頂柱

34:側柱

1b:磁性組件

35:頂柱

36:底柱

37、38:側柱

39:第一邊柱

40:第二邊柱

41:第三邊柱

42:第四邊柱

1c:磁性組件

211a:第一輔助磁芯單元

211b:第二輔助磁芯單元

43a、43b:第一邊柱

44a、44b:第二邊柱

45a、45b:第三邊柱

46a、46b:第四邊柱

1d:磁性組件

47:中心柱

1e:磁性組件

N:法線

P:平面

1f:磁性組件

1g:磁性組件

48、49:印刷電路板

第1圖示出一種現有磁性組件。

第2圖為本案第一實施例的磁性組件的剖面結構示意圖。

第3圖為本案第二實施例的磁性組件的剖面結構示意圖。

第4A圖為本案第三實施例的磁性組件的立體結構示意圖。

第4B圖為第4A圖所示磁性組件的分解結構示意圖。

第5圖為本案第四實施例的磁性組件的立體結構示意圖。

第6A圖為本案第五實施例的磁性組件的立體結構示意圖。

第6B圖為第6A圖所示磁性組件的前視圖。

第7圖為本案第六實施例的磁性組件的分解結構示意圖。

第8圖例示出第7圖所示磁性組件的一變化例。

第9圖為本案第七實施例的磁性組件的分解結構示意圖。

第10圖為本案第八實施例的磁性組件的分解結構示意圖。

第11圖例示出第10圖所示磁性組件的一變化例，其中輔助磁芯及輔助繞組被嵌設於印刷電路板中。

第12圖例示出第10圖所示磁性組件的一變化例，其中主繞組單元、輔助磁芯及輔助繞組被嵌設於印刷電路板中。

第13圖例示出功率變換器的效率與輸入功率的多個關係曲線，分別對應於功率變換器採用具不同電感值的電感的情況。

第14圖例示出功率變換器的效率與輸入功率的多個關係曲線，分別對應於功率變換器採用具不同電感值的電感及採用具可變電感值的電感的情況。

體現本案特徵與優點的一些典型實施例將在後段的說明中詳細敘述。應理解的是本案能夠在不同的態樣上具有各種的變化，其皆不脫離本案的範圍，且其中的說明及圖示在本質上系當作說明之用，而非用以限制本案。

第2圖為本案第一實施例的磁性組件的剖面結構示意圖。如第2圖所示，磁性組件1包含主磁芯11、主繞組12、輔助磁芯21和輔助繞組22。主磁芯11具有間隙111，且主繞組12繞設於主磁芯11上，流過主繞組12的主電流形成主磁通F1。輔助磁芯21至少部分設置於間隙111中，輔助繞組22繞設於輔助磁芯21上，且流過輔助繞組22的偏置電流形成偏置磁通F2。主繞組12和輔助繞組22可為任何適當的繞組，例如PCB(printed circuit board，印刷電路板)繞組、利茲(Litz)線繞組或銅線繞組，且不受限於圖中所示類型。偏置磁通F2的路徑垂直於主磁通F1的路徑，藉此防止主磁通F1與偏置磁通F2相互影響。需注意的是，圖中所示的主磁通F1和偏置磁通F2的方向僅作為示例，實際上並不以此為限，磁通的方向取決於繞組上的電流方向。然而，無論磁通的方向為何，偏置磁通F2的路徑都將垂直於主磁通F1的路徑。

藉由控制偏置電流，可對磁性組件1的電感值進行調整，其中偏置電流決定了輔助磁芯21是否至少部分磁飽和。具體而言，當包含磁性組件1的電路運行時，主電流流過主繞組12並產生主磁通F1。若偏置電流導通，則偏置電流流過輔助繞組22並產生偏置磁通，其中偏置磁通使得輔助磁芯21至少部分磁飽和。由於輔助磁芯21至少部分設置於主磁芯11的間隙111中，故輔助磁芯21的磁飽和將導致主磁芯11的磁阻增加，進而降低磁性組件1的電感值。因此，可藉由控制偏置電流使輔助磁芯21至少部分磁飽和來降低磁性組件1的電感值。此外，由於主磁通F1和偏置磁通F2不會相互影響，故即使在輔助磁芯21因偏置電流而 至少部分磁飽和時，主磁芯11仍然在原先的B-H曲線的工作點上運行。

於一些實施例中，偏置電流為切換式電流源，其中切換式電流源可提供一或多種大小的直流電流。再者，偏置電流可被獨立控制，且偏置磁通F2不會干擾主磁通F1。若偏置電流為提供固定一種大小的直流電流的切換式電流源，則偏置電流可被導通或關斷，以對應決定輔助磁芯21是否磁飽和。若偏置電流為提供多種大小的直流電流的切換式電流源，則輔助磁芯21的磁飽和程度可藉由切換偏置電流的直流電流大小來控制。

此外，在第2圖所示的磁性組件1中，主磁芯11包含中心柱31、兩個側柱32和間隙111，其中兩個側柱32分別位於中心柱31的兩側，間隙111位於中心柱31上。主繞組12包含分別繞設於兩個側柱32上的兩個主繞組單元121，該兩個主繞組單元121可被視為形成主繞組12的兩個組成部分。輔助繞組22繞設在容置於間隙111中的輔助磁芯21的部分上。需注意的是，間隙和各繞組的組成部分的數量及位置並不受限制，可根據實際需求進行調整。此外，主磁芯11和輔助磁芯21的具體形狀和結構亦不受限制，可根據實際需求進行調整。本案的磁性組件的各種實施態樣將於後續實施例中例示，然需注意的是，本案的磁性組件並不限於該些實施態樣。

第3圖為本案第二實施例的磁性組件的剖面結構示意圖。於第3圖中，與第2圖相對應的元件以相同標號表示，於此不再贅述。如第3圖所示，在此實施例的磁性組件1a中，主磁芯11包含頂柱33、兩個側柱34和兩個間隙111，其中，兩個側柱34分別耦 接於頂柱33的兩端，兩個間隙111分別位於兩個側柱34上。主繞組12繞設於頂柱33上。輔助磁芯21包含兩個輔助磁芯單元211，該兩個輔助磁芯單元211分別至少部分設置於兩個間隙111中，且可被視為形成輔助磁芯21的兩個組成部分。輔助繞組22包含兩個輔助繞組單元221，該兩個輔助繞組單元221分別繞設於兩個輔助磁芯單元211上，且可被視為形成輔助繞組22的兩個組成部分。在磁性組件1a包含多個輔助磁芯單元211和多個輔助繞組單元221的情況下，多個偏置電流分別流過多個輔助繞組單元221，其中每個偏置電流決定對應的輔助磁芯單元211是否至少部分磁飽和。多個偏置電流可為相同或不相同。

第4A圖為本案第三實施例的磁性組件的立體結構示意圖，第4B圖為第4A圖所示磁性組件的分解結構示意圖。於第4A圖和第4B圖中，與第3圖相對應的元件以相同標號表示，於此不再贅述。如第4A圖和第4B圖所示，於此實施例的磁性組件1b中，主磁芯11可由兩個U型磁芯形成，且包含頂柱35、底柱36、兩個側柱37和38以及兩個間隙111。底柱36與頂柱35相對，兩個側柱37和38彼此相對且皆耦接於頂柱35與底柱36之間，兩個間隙111分別位於兩個側柱37和38上。主繞組12繞設於頂柱35上。輔助磁芯21可為環形，例如矩形框形或橢圓框形(可由兩個U型磁芯形成)，且輔助磁芯21所在的平面垂直於主磁芯11所在的平面。輔助磁芯21具有第一邊柱39、第二邊柱40、第三邊柱41和第四邊柱42，其中第一邊柱39與第三邊柱41相對，第二邊柱40與第四邊柱42相對。第一邊柱39的一部分容置於側柱37上的間隙111中，第三邊柱41的一部分容置於側柱38上 的間隙111中。輔助繞組22包含分別繞設於輔助磁芯21的第二邊柱40和第四邊柱42上的兩個輔助繞組單元221。於此實施例中，當偏置電流被提供而產生偏置磁通時，位於間隙111中的第一邊柱39的該部分及第三邊柱41的該部分會磁飽和，使得主磁芯11的磁阻改變，並進而改變電感值。於一些實施例中，以主磁芯11為基準，兩個輔助繞組單元221平均且對稱地分佈在輔助磁芯21的第二邊柱40和第四邊柱42上。此外，兩個輔助繞組單元221的繞組軸線皆位於輔助磁芯21所在的平面上，且兩個輔助繞組單元221的繞組軸線所在的平面垂直於主磁芯11的頂柱35、底柱36和兩個側柱37及38的軸線所在的平面。

此外，於一些實施例中，容置於間隙111中的第一邊柱39的部分位於第一邊柱39的中間，而容置於間隙111中的第三邊柱41的部分位於第三邊柱41的中間。因此，輔助磁芯21的結構相對於主磁芯11是對稱的。另外，兩個輔助繞組單元221所產生的磁通在主磁芯11中相互抵消，使得主磁芯11在零偏磁下運行。

第5圖為本案第四實施例的磁性組件的立體結構示意圖。於第5圖中，與第4A圖相對應的元件以相同標號表示，於此不再贅述。第4A圖所示的磁性組件1b與第5圖所示的磁性組件1c的不同之處在於輔助磁芯和輔助繞組。如第5圖所示，於此實施例的磁性組件1c中，輔助磁芯21包含第一輔助磁芯單元211a和第二輔助磁芯單元211b，第一輔助磁芯單元211a和第二輔助磁芯單元211b分別至少部分設置於兩個側柱37和38上的兩個間隙111中，而輔助繞組22包含四個輔助繞組單元221。具體而言，第一輔助磁芯單元211a呈環形，且具有第一邊柱43a、第二邊柱44a、 第三邊柱45a和第四邊柱46a。第一邊柱43a與第三邊柱45a相對，第二邊柱44a與第四邊柱46a相對。第一邊柱43a的一部分容置於側柱37上的間隙111中，兩個輔助繞組單元221分別繞設於第一輔助磁芯單元211a的第二邊柱44a和第四邊柱46a上。類似地，第二輔助磁芯單元211b亦呈環形，且具有第一邊柱43b、第二邊柱44b、第三邊柱45b和第四邊柱46b。第一邊柱43b與第三邊柱45b相對，第二邊柱44b與第四邊柱46b相對。第一邊柱43b的一部分容置於側柱38上的間隙111中，兩個輔助繞組單元221分別繞設於第二輔助磁芯單元211b的第二邊柱44b和第四邊柱46b上。於此實施例中，偏置磁通F2的路徑和主磁通F1的路徑完全相解耦。此外，第一輔助磁芯單元211a和第二輔助磁芯單元211b可被同時或單獨激磁。於一些實施例中，第一輔助磁芯單元211a和第二輔助磁芯單元211b位於同一平面上，且該平面垂直於主磁芯11所在的平面。更具體地，四個輔助繞組單元221的繞組軸線所在的平面垂直於主磁芯11的頂柱35、底柱36和兩個側柱37及38的軸線所在的平面。

第6A圖為本案第五實施例的磁性組件的立體結構示意圖，第6B圖為第6A圖所示磁性組件的前視圖。於第6A圖和第6B圖中，與第4A圖相對應的元件以相同標號表示，於此不再贅述。如第6A圖和第6B圖所示，於此實施例的磁性組件1d中，主磁芯11可由兩個E型磁芯形成，且包含頂柱35、底柱36、兩個側柱37及38、中心柱47和兩個間隙111。中心柱47設置於兩個側柱37和38之間，且中心柱47的兩端分別耦接於頂柱35和底柱36。主繞組12繞設於中心柱47上。兩個輔助磁芯單元211分別至少 部分容置於兩個側柱37和38上的兩個間隙111中，兩個輔助繞組單元221分別至少部分繞設於容置於兩個間隙111中的兩個輔助磁芯單元211的部分上。

此外，在本案的磁性組件中，輔助磁芯的多個輔助磁芯單元可具有不同的磁導率和不同的飽和磁通密度，例如多個輔助磁芯單元可由不同材料(例如鐵氧體和納米晶體)製成。此概念適用於本案的任一實施例。為了便於理解，以下將基於第4A圖和第4B圖所示實施例例示出數種可能的實施態樣。

第7圖為本案第六實施例的磁性組件的分解結構示意圖。於第7圖中，與第4B圖相對應的元件以相同標號表示，於此不再贅述。如第7圖所示，於此實施例的磁性組件1e中，輔助磁芯21包含多個輔助磁芯單元211，且多個輔助磁芯單元211的排列方向垂直於輔助磁芯21所在的平面P的法線N。多個輔助繞組單元221分別繞設於輔助磁芯21的兩側，且每個輔助繞組單元221都繞設於多個輔助磁芯單元211上。在第7圖所示第六實施例的一變化例中，如第8圖所示，多個輔助磁芯單元211的排列方向亦可平行於輔助磁芯21所在的平面P的法線N。

第9圖為本案第七實施例的磁性組件的分解結構示意圖。於第9圖中，與第7圖相對應的元件以相同標號表示，於此不再贅述。如第9圖所示，於此實施例的磁性組件1f中，輔助磁芯21包含多個輔助磁芯單元211，且多個輔助磁芯單元211的排列方向平行於輔助磁芯21所在的平面P的法線N。輔助繞組22包含多個輔助繞組單元221，且多個輔助繞組單元221分別繞設於多個輔助磁芯單元211上。具體而言，在輔助磁芯21的每一邊上，三個 輔助繞組單元221分別繞設於三個輔助磁芯單元211上。類似地，此種將輔助繞組拆分為多個單元的概念亦可應用於第7圖所示的實施例中，於此不再贅述。

第10圖為本案第八實施例的磁性組件的分解結構示意圖。於第10圖中，與第6A圖和第6B圖相對應的元件以相同標號表示，於此不再贅述。如第10圖所示，於此實施例的磁性組件1g中，主繞組12包含兩個主繞組單元121，兩個主繞組單元121分別繞設於主磁芯11的兩個側柱37和38上。間隙111位於中心柱47上，輔助繞組22繞設於輔助磁芯21上，且輔助磁芯21至少部分設置於間隙111中。

於一些實施例中，如第11圖所示，磁性組件1g的輔助磁芯21和輔助繞組22可被嵌設於印刷電路板48中。更具體地，輔助磁芯21被嵌設於印刷電路板48內，而輔助繞組22則被設計為印刷電路板48上的蝕刻導線。需注意的是，此實施例的磁性組件1g形成變壓器，而中心柱的磁阻可控制變壓器的漏感值。

於一些實施例中，如第12圖所示，磁性組件1g的兩個主繞組單元121、輔助磁芯21和輔助繞組22可被嵌設於印刷電路板49中。更具體地，輔助磁芯21被嵌設於印刷電路板49內，而主繞組單元121和輔助繞組22則被設計為印刷電路板49上的蝕刻導線。

實際上，於磁性組件中，嵌設於印刷電路板中的元件並不受限，可根據實際結構和需求進行調整。於一些實施例中，主磁芯、主繞組、輔助磁芯和輔助繞組中的至少一個被嵌設於印刷電路板中。

在本案的磁性組件中，偏置電流、輔助繞組的匝數、輔助磁芯的飽和磁通密度及輔助磁芯的有效長度之間的關係示出於等式(1)。

其中，N-_bias為輔助繞組的匝數，I_bias為偏置電流，B_sat為輔助磁芯的飽和磁通密度，l_eff為輔助磁芯的有效長度。輔助繞組的直流功率損耗可藉由等式(2)求得。

其中，P_DC為直流功率損耗，R_aux為輔助繞組的電阻值，ρ為繞組材料的電阻率，l_anx為輔助繞組的單圈長度，d為輔助繞組的線徑規格。藉由結合等式(1)和(2)可獲得等式(3)。

根據等式(3)可知，為了降低直流功率損耗，需儘可能增加輔助繞組的匝數。此外，需進行權衡以獲得一個在功率損耗和線徑規格方面都可接受的設計。

第13圖例示出功率變換器的效率與輸入功率的多個關係曲線，分別對應於功率變換器採用具不同電感值的電感的情況。如第13圖所示，在不同的輸入功率下，能夠使功率變換器具有最佳效率的電感值並不相同。因此，對於採用具固定電感值的電感的傳統功率變換器而言，將無法在不同的輸入功率下皆達到最佳效率。再者，電感的電感值還會影響輸入功率的範圍。本案的磁性組件 使得功率變換器的電感具有可變的電感值，因此，如第14圖所示，憑藉可變的電感值，功率變換器在不同的輸入功率下皆能夠達到最佳效率，同時也擴大了輸入功率的範圍。

綜上所述，本案提供一種具可調整電感值的磁性組件。在主磁通的路徑上，部分的路徑被輔助磁芯所填充，且所填充的輔助磁芯可至少部分磁飽和。因此，藉由控制決定輔助磁芯是否至少部分磁飽和的偏置電流，即可調整磁性組件的電感值。此外，由偏置電流流過輔助磁芯所產生的偏置磁通的路徑垂直於主磁通的路徑，因此主磁通在B-H曲線上的工作點不會被偏置磁通影響，從而可充分利用B-H曲線。再者，可調整的電感值使得採用本案的磁性組件的功率變換器具有更寬的輸入功率範圍，且在不同的輸入功率下皆能夠達到最佳效率。

須注意，上述僅是為說明本案而提出的較佳實施例，本案不限於所述的實施例，本案的範圍由如附專利申請範圍決定。且本案得由熟習此技術的人士任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如附專利申請範圍所欲保護者。

1:磁性組件

11:主磁芯

12:主繞組

121:主繞組單元

21:輔助磁芯

22:輔助繞組

111:間隙

F1:主磁通

F2:偏置磁通

31:中心柱

32:側柱

Claims (26)

1. 一種磁性組件，包含：         一主磁芯，具有一間隙；         一主繞組，繞設於該主磁芯上，其中流過該主繞組的主電流形成主磁通；         一輔助磁芯，至少部分設置於該間隙中；以及         一輔助繞組，繞設於該輔助磁芯上，其中流過該輔助繞組的偏置電流形成偏置磁通，且該偏置磁通的路徑垂直於該主磁通的路徑，         其中，該磁性組件的電感值可藉由控制該偏置電流進行調整，該偏置電流決定該輔助磁芯是否至少部分磁飽和。
2. 如請求項1所述的磁性組件，其中可藉由控制該偏置電流使該輔助磁芯至少部分磁飽和來降低該磁性組件的該電感值。
3. 如請求項1所述的磁性組件，其中該偏置電流為提供一或多種大小的直流電流的切換式電流源。
4. 如請求項1所述的磁性組件，其中該偏置電流被獨立控制，且該偏置磁通不會干擾該主磁通。
5. 如請求項1所述的磁性組件，其中該輔助磁芯的結構相對於該主磁芯是對稱的。
6. 如請求項1所述的磁性組件，其中該輔助磁芯具有兩個邊柱，該輔助繞組包含多個輔助繞組單元，且相對於該主磁芯，該多個輔助繞組單元平均且對稱地分佈在該輔助磁芯的該兩個邊柱上。
7. 如請求項6所述的磁性組件，其中該多個輔助繞組單元所產生的磁通在該主磁芯中相互抵消，該主磁芯在零偏磁下運行。
8. 如請求項1所述的磁性組件，其中該偏置磁通的該路徑和該主磁通的該路徑完全相解耦。
9. 如請求項1所述的磁性組件，其中該主磁芯包含一中心柱及多個側柱，該間隙位於該中心柱上，該主繞組包含多個主繞組單元，該多個主繞組單元分別繞設於該多個側柱上。
10. 如請求項1所述的磁性組件，其中該主磁芯具有多個該間隙，該輔助磁芯包含多個輔助磁芯單元，每一該輔助磁芯單元至少部分設置於對應的該間隙中，該輔助繞組包含多個輔助繞組單元，該多個輔助繞組單元分別繞設於該多個輔助磁芯單元上。
11. 如請求項10所述的磁性組件，其中該主磁芯包含一頂柱、一底柱和多個側柱，該多個側柱耦接於該頂柱與該底柱之間，該多個間隙分別位於該多個側柱上，該主繞組繞設於該頂柱上。
12. 如請求項10所述的磁性組件，其中多個該偏置電流流過該多個輔助繞組單元，且每一該偏置電流決定對應的該輔助磁芯單元是否至少部分磁飽和。
13. 如請求項12所述的磁性組件，其中該多個偏置電流相同。
14. 如請求項12所述的磁性組件，其中該多個偏置電流不相同。
15. 如請求項1所述的磁性組件，其中該輔助磁芯包含多個輔助磁芯單元，該多個輔助磁芯單元具有不同的磁導率和不同的飽和磁通密度。
16. 如請求項15所述的磁性組件，其中該多個輔助磁芯單元的排列方向平行於該輔助磁芯所在的平面的法線。
17. 如請求項15所述的磁性組件，其中該多個輔助磁芯單元的排列方向垂直於該輔助磁芯所在的平面的法線。
18. 如請求項15所述的磁性組件，其中該輔助繞組包含多個輔助繞組單元，該多個輔助繞組單元分別繞設於該多個輔助磁芯單元上。
19. 如請求項15所述的磁性組件，其中該輔助繞組繞設於該多個輔助磁芯單元上。
20. 如請求項1所述的磁性組件，還包含一印刷電路板，其中該主磁芯、該主繞組、該輔助磁芯及該輔助繞組中的至少一個被嵌設於該印刷電路板中。
21. 如請求項1所述的磁性組件，其中該輔助磁芯由鐵氧體及/或納米晶體製成。
22. 如請求項1所述的磁性組件，其中該主磁芯包含一頂柱、一底柱、一第一側柱及一第二側柱，該第一側柱及該第二側柱耦接於該頂柱與該底柱之間，該主磁芯具有兩個該間隙，該兩個間隙分別位於該第一側柱及該第二側柱上，該主繞組繞設於該頂柱上。
23. 如請求項22所述的磁性組件，其中該輔助磁芯具有一第一邊柱、一第二邊柱、一第三邊柱和一第四邊柱，該第一邊柱與該第三邊柱相對，該第二邊柱與該第四邊柱相對，該第一邊柱的一部分容置於該主磁芯的該第一側柱上的該間隙中，該第三邊柱的一部分容置於該主磁芯的該第二側柱上的該間隙中，該輔助繞組包含分別繞設於該第二邊柱和該第四邊柱上的兩個輔助繞組單元，該兩個輔助繞組單元的繞組軸線所在的平面垂直於該主磁芯的該頂柱、該底柱、該第一側柱及該第二側柱的軸線所在的平面。
24. 如請求項22所述的磁性組件，其中該輔助磁芯包含一第一輔助磁芯單元和一第二輔助磁芯單元，該第一輔助磁芯單元和該第二輔助磁芯單元分別至少部分設置於該第一側柱及該第二側柱上的該兩個間隙中，該第一輔助磁芯單元具有一第一邊柱、一第二邊柱、一第三邊柱和一第四邊柱，該第一邊柱與該第三邊柱相對，該第二邊柱與該第四邊柱相對，該第一邊柱的一部分容置於該主磁芯的該第一側柱上的該間隙中，該輔助繞組包含分別繞設於該第一輔助磁芯單元的該第二邊柱和該第四邊柱上的兩個輔助繞組單元；該第二輔助磁芯單元具有一第五邊柱、一第六邊柱、一第七邊柱和一第八邊柱，該第五邊柱與該第七邊柱相對，該第六邊柱與該第八邊柱相對，該第五邊柱的一部分容置於該主磁芯的該第二側柱上的該間隙中，該輔助繞組包含分別繞設於該第二輔助磁芯單元的該第六邊柱和該第八邊柱上的另兩個輔助繞組單元。
25. 如請求項24所述的磁性組件，其中所有該輔助繞組單元的繞組軸線所在的平面垂直於該主磁芯的該頂柱、該底柱、該第一側柱及該第二側柱的軸線所在的平面。
26. 如請求項1所述的磁性組件，其中該主磁芯包含一頂柱、一底柱、一中心柱及兩個側柱，該中心柱及該兩個側柱耦接於該頂柱與該底柱之間，該中心柱位於該兩個側柱之間，該主磁芯具有兩個該間隙，該兩個間隙分別位於該兩個側柱上，該主繞組繞設於該中心柱，該輔助磁芯包含兩個輔助磁芯單元，該兩個輔助磁芯單元分別至少部分設置於該兩個間隙中，該輔助繞組包含分別繞設於該兩個輔助磁芯單元上的兩個輔助繞組單元。