UA108883C2 - СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ(І)ПЕНТАТІОФОСФАТУ(V) ЙОДИДУ Cu6PS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ - Google Patents
СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ(І)ПЕНТАТІОФОСФАТУ(V) ЙОДИДУ Cu6PS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУInfo
- Publication number
- UA108883C2 UA108883C2 UAA201213997A UAA201213997A UA108883C2 UA 108883 C2 UA108883 C2 UA 108883C2 UA A201213997 A UAA201213997 A UA A201213997A UA A201213997 A UAA201213997 A UA A201213997A UA 108883 C2 UA108883 C2 UA 108883C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- monocrystals
- growing
- cu6ps5i
- cuprum
- iodide
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 2
- 241001062472 Stokellia anisodon Species 0.000 title abstract 2
- 238000007713 directional crystallization Methods 0.000 title abstract 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 abstract 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 abstract 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Винахід належить до галузі неорганічної хімії та неорганічного матеріалознавства. Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні. Нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та проводять подальше вирощування монокристалів, при цьому максимальна температура синтезу становить 1350 K, а вирощування проводиться з швидкістю 3 мм/добу у ампулах з конічним кінцем. Пропонований спосіб зручний, швидкий, дозволяє одержувати монокристали великих розмірів.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAA201213997A UA108883C2 (uk) | 2012-12-10 | 2012-12-10 | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ(І)ПЕНТАТІОФОСФАТУ(V) ЙОДИДУ Cu6PS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAA201213997A UA108883C2 (uk) | 2012-12-10 | 2012-12-10 | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ(І)ПЕНТАТІОФОСФАТУ(V) ЙОДИДУ Cu6PS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA108883C2 true UA108883C2 (uk) | 2015-06-25 |
Family
ID=53675779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAA201213997A UA108883C2 (uk) | 2012-12-10 | 2012-12-10 | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ(І)ПЕНТАТІОФОСФАТУ(V) ЙОДИДУ Cu6PS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA108883C2 (uk) |
-
2012
- 2012-12-10 UA UAA201213997A patent/UA108883C2/uk unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2013002539A3 (en) | Apparatus and method for growing silicon carbide single crystal | |
| JP2013212952A5 (uk) | ||
| WO2013002540A3 (en) | Apparatus and method for growing silicon carbide single crystal | |
| WO2008155673A8 (en) | Method for producing sic single crystal | |
| WO2012108618A3 (ko) | 마이크로 웨이브를 이용한 단결정 성장장치 및 그 성장방법 | |
| UA108883C2 (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ(І)ПЕНТАТІОФОСФАТУ(V) ЙОДИДУ Cu6PS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
| UA108882C2 (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ(І)ПЕНТАТІОФОСФАТУ(V) БРОМІДУ Cu6PS5Br МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
| PL411695A1 (pl) | Sposób wytwarzania długich kryształów węglika krzemu z fazy gazowej | |
| MY187928A (en) | Process for producing silicon single crystal | |
| UA81126U (uk) | Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву | |
| UA81118U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ(І) ГЕКСАТІОФОСФАТУ Cu7PS6 МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
| UA81127U (uk) | Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву | |
| UA109136C2 (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ(І)ГЕКСАТІОФОСФАТУ Cu7PS6 МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
| MD402Y (en) | Process for rapid growth of bismuth monocrystal | |
| UA29879U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ САПФІРА (α-AL2O3) ЗАДАНОЇ ФОРМИ НАПРАВЛЕНОЮ КРИСТАЛІЗАЦІЄЮ РОЗПЛАВУ | |
| MD532Y (en) | Method for rapid growth of monocrystals Sb | |
| UA66536U (uk) | Спосіб вирощування монокристалів k2coxni1-x(so4)2.6h2o | |
| UA54730U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ ЙОДИДУ-ПЕНТАТІОАРСЕНАТУ Cu6AsS5I ЗА ДОПОМОГОЮ ХІМІЧНИХ ТРАНСПОРТНИХ РЕАКЦІЙ | |
| UA101184C2 (uk) | Пристрій для концентрування газових домішок, розчинених у розплаві | |
| UA115210U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl3PbBr2,5I2,5 | |
| CN204111912U (zh) | 一种晶体原料烧结炉 | |
| UA99900C2 (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ КРИСТАЛІВ BiNbO4 | |
| UA93505U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ САПФІРА (α-Al2O3) ВЕРТИКАЛЬНОЮ НАПРЯМЛЕНОЮ КРИСТАЛІЗАЦІЄЮ РОЗПЛАВУ | |
| UA59326U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ КРИСТАЛІВ ZnSe:In n- I p-ТИПУ ПРОВІДНОСТІ | |
| UA41139U (uk) | Спосіб отримання монокристалів напівпровідників |