UA26952C2 - Спосіб обробки вирощеhих злитків моhокристала кремhію - Google Patents

Спосіб обробки вирощеhих злитків моhокристала кремhію

Info

Publication number
UA26952C2
UA26952C2 UA99073925A UA99073925A UA26952C2 UA 26952 C2 UA26952 C2 UA 26952C2 UA 99073925 A UA99073925 A UA 99073925A UA 99073925 A UA99073925 A UA 99073925A UA 26952 C2 UA26952 C2 UA 26952C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
single crystal
ingot
processing method
crystal ingot
grown single
Prior art date
Application number
UA99073925A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Сергій Борисович Берінгов
Сергей Борисович Берингов
Юрій Володимирович Ушанкін
Юрий Владимирович Ушанкин
Юрій Григорович Шульга
Юрий Григорьевич Шульга
Original Assignee
Закрите Акціонерне Товариство "Піллар"
Закрытое Акционерное Общество "Пиллар"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрите Акціонерне Товариство "Піллар", Закрытое Акционерное Общество "Пиллар" filed Critical Закрите Акціонерне Товариство "Піллар"
Priority to UA99073925A priority Critical patent/UA26952C2/uk
Publication of UA26952C2 publication Critical patent/UA26952C2/uk
Priority to RU2000102095A priority patent/RU2186887C2/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

Винахід відноситься до способів обробки вирощених злитків монокристала кремнію і може бути використаний при виготовленні монокристалічних кремнієвих пластин сонячних елементів фотовольтаїчних модулів. Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка.
UA99073925A 1999-07-09 1999-07-09 Спосіб обробки вирощеhих злитків моhокристала кремhію UA26952C2 (uk)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA99073925A UA26952C2 (uk) 1999-07-09 1999-07-09 Спосіб обробки вирощеhих злитків моhокристала кремhію
RU2000102095A RU2186887C2 (ru) 1999-07-09 2000-01-31 Способ обработки выращенных слитков монокристалла кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA99073925A UA26952C2 (uk) 1999-07-09 1999-07-09 Спосіб обробки вирощеhих злитків моhокристала кремhію

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA26952C2 true UA26952C2 (uk) 1999-12-29

Family

ID=21689379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA99073925A UA26952C2 (uk) 1999-07-09 1999-07-09 Спосіб обробки вирощеhих злитків моhокристала кремhію

Country Status (2)

Country Link
RU (1) RU2186887C2 (uk)
UA (1) UA26952C2 (uk)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2337429C2 (ru) * 2005-12-20 2008-10-27 Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии Наук Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов
RU2308556C1 (ru) * 2005-12-28 2007-10-20 Открытое акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" Способ изготовления монокристаллических кремниевых пластин
CN102814866B (zh) * 2012-08-31 2014-10-29 北京京运通科技股份有限公司 一种准单晶硅锭的切割方法及硅片制造方法
RU2682564C1 (ru) * 2018-04-09 2019-03-19 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (УрФУ) Способ калибровки слитка полупроводникового материала

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5007204A (en) * 1988-09-16 1991-04-16 Shin-Etsu Handotai Company Limited Apparatus for shaping ingots into right circular cylindrical form
RU2036985C1 (ru) * 1992-02-12 1995-06-09 Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского Способ обработки монокристаллов

Also Published As

Publication number Publication date
RU2186887C2 (ru) 2002-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1081256A3 (en) ZnO crystal growth method, ZnO crystal structure, and semiconductor device using ZnO crystal
TW200730671A (en) Methods and apparatuses for manufacturing monocrystalline cast silicon and monocrystaline cast silicon bodies for photovoltaics
DK1114885T3 (da) CZ-enkeltkrystal doteret med Ga og Wafer samt fremgangsmåde til fremstilling af samme
TWI265984B (en) Silicon single crystal wafer for epitaxial wafer, epitaxial wafer, and methods for producing the same and evaluating the same
EP1892768A3 (en) Nanowires in thin-film silicon solar cells
IT1273603B (it) Procedimento per la lavorazione di wafer sottili e celle solari di silicio cristallino
WO2010062343A3 (en) Thin two sided single crystal solar cell and manufacturing process thereof
AU2003249475A1 (en) Transfer of a thin layer from a wafer comprising a buffer layer
EP1480277A4 (en) SOLAR CELL MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
WO2009014957A3 (en) Methods for manufacturing cast silicon from seed crystals
TW200614379A (en) Silicon epitaxial wafer and manufacturing method for same
NO20003125L (no) Silisiummateriale med strukturert oksygendoping, dets fremstilling og anvendelse
WO2005043582A3 (en) Method for manufacturing p-type group iii nitride semiconductor, and group iii nitride semiconductor light-emitting device
JP2005159312A (ja) 太陽電池用多結晶シリコン基板の母材および太陽電池用多結晶シリコン基板
UA26952C2 (uk) Спосіб обробки вирощеhих злитків моhокристала кремhію
Endrös Mono-and tri-crystalline Si for PV application
AU2003206139A1 (en) Process of producing multicrystalline silicon substrate and solar cell
van Mierlo et al. Next generation Direct Wafer® technology delivers low cost, high performance to silicon wafer industry
EP2048696A3 (en) Process for manufacturing silicon wafers for solar cell
AU2003302960A1 (en) Silicon wafer for solar cell and the same manufacturing method
Simon et al. GaAs solar cells grown on intentionally contaminated GaAs substrates
TW200633266A (en) Gallium nitride-based semiconductor stacked structure, method for fabrication thereof, gallium nitride-based semiconductor device and lamp using the device
Kunz et al. Grain structure of thin-film silicon by zone melting recrystallization on SiC base layer
EP1559813A4 (en) CRYSTAL, CRYSTAL WAFER, EPITACTIC WAFER, AND CRYSTAL TREATING METHOD
MY137813A (en) Spinel boules, wafers, and methods for fabricating same