UA41317U - Способ изготовления кремния и слоев из него - Google Patents

Способ изготовления кремния и слоев из него

Info

Publication number
UA41317U
UA41317U UAU200900493U UAU200900493U UA41317U UA 41317 U UA41317 U UA 41317U UA U200900493 U UAU200900493 U UA U200900493U UA U200900493 U UAU200900493 U UA U200900493U UA 41317 U UA41317 U UA 41317U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
high voltage
glow discharge
voltage glow
layers
plasma
Prior art date
Application number
UAU200900493U
Other languages
English (en)
Ukrainian (uk)
Inventor
Анатолий Александрович Новиков
Original Assignee
Винницкий Национальный Технический Университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Винницкий Национальный Технический Университет filed Critical Винницкий Национальный Технический Университет
Priority to UAU200900493U priority Critical patent/UA41317U/ru
Publication of UA41317U publication Critical patent/UA41317U/ru

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Способ изготовления кремния и слоев из него включает генерирование газовой плазмы в реакторе с помощью электродов, инжектирование в него сырья, содержащего кремнезем и восстановитель. Генерирование плазмы осуществляют запаливанием между электродами высоковольтного тлеющего разряда. Сырье, содержащее кремнезем, или изделие из него помещают в катодную зону высоковольтного тлеющего разряда и облучают потоком ионов и быстрых атомов, образующихся в высоковольтном тлеющем разряде, а также потоком квантов от источника излучения. В плазмовую зону высоковольтного тлеющего разряда подают технологический газ и восстановитель, содержащий углеводород.
UAU200900493U 2009-01-23 2009-01-23 Способ изготовления кремния и слоев из него UA41317U (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU200900493U UA41317U (ru) 2009-01-23 2009-01-23 Способ изготовления кремния и слоев из него

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU200900493U UA41317U (ru) 2009-01-23 2009-01-23 Способ изготовления кремния и слоев из него

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA41317U true UA41317U (ru) 2009-05-12

Family

ID=50620927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU200900493U UA41317U (ru) 2009-01-23 2009-01-23 Способ изготовления кремния и слоев из него

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA41317U (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2441838C1 (ru) * 2010-10-15 2012-02-10 Общество с ограниченной ответственностью Научно-инновационное предприятие СКГМИ (ГТУ) "Стройкомплект-Инновации" Способ получения кремния

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2441838C1 (ru) * 2010-10-15 2012-02-10 Общество с ограниченной ответственностью Научно-инновационное предприятие СКГМИ (ГТУ) "Стройкомплект-Инновации" Способ получения кремния

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY179001A (en) Apparatus and method for plasma synthesis of graphitic products including graphene
MX2016009779A (es) Reactor de plasma.
WO2012087737A3 (en) Variable-density plasma processing of semiconductor substrates
WO2014110446A3 (en) Method and system for graphene formation
TN2009000477A1 (en) Treatment system for flat substrates
MX382104B (es) Reactores y métodos para producir materiales de carbono sólido.
EA201290093A1 (ru) Способ и устройство для изготовления изделий из титана
TW200702485A (en) Low temperature plasma deposition process for carbon layer deposition
MY164472A (en) Parallel plate reactor for uniform thin film deposition with reduced tool foot-print
GB2516372A (en) High quality large scale single and multilayer graphene production by chemical vapor deposition
WO2008156029A1 (ja) 半導体装置の製造方法、半導体装置用絶縁膜及びその製造装置
TW200802549A (en) Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process
ATE518409T1 (de) Vorrichtung und prozess zum erzeugen, beschleunigen und ausbreiten von strahlen von elektronen und plasma
WO2008014915A3 (de) Verfahren zum plasmabehandeln einer oberfläche
Singh et al. Field-enhanced chemical vapor deposition: new perspectives for thin film growth
TW200710958A (en) High aspect ratio gap fill application using high density plasma chemical vapor deposition
NO20081603L (no) Fremgangsmate og produkt til destruksjon av CO2 samt fremstilling av nanokull, og anvendelser derav
Kim et al. Effects of applied power on hydrogenated amorphous carbon (aC: H) film deposition by low frequency (60 Hz) plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
TW200710270A (en) Two-piece dome with separate RF coils for inductively coupled plasma reactors
UA41317U (ru) Способ изготовления кремния и слоев из него
WO2008149741A1 (ja) プラズマ処理装置のドライクリーニング方法
MX2014005335A (es) Procedimiento para el funcionamiento de un horno de arco.
WO2009085808A3 (en) Apparatus and method for processing a substrate using inductively coupled plasma technology
CL2012003061A1 (es) Método de introducción de material pulverulento en un reactor de gasificación a través de una zona de entrada mediante una tobera de laval, done el gas de proceso se expande en un espacio de gasificación en el reactor de gasificación; dispositivo para introducir material pulverulento.
RU2009104671A (ru) Способ получения блочного пеностекла