UA99181U - Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи - Google Patents

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Info

Publication number
UA99181U
UA99181U UAU201412235U UAU201412235U UA99181U UA 99181 U UA99181 U UA 99181U UA U201412235 U UAU201412235 U UA U201412235U UA U201412235 U UAU201412235 U UA U201412235U UA 99181 U UA99181 U UA 99181U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
sub
inclusions
phase
telurides
inlets
Prior art date
Application number
UAU201412235U
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to UAU201412235U priority Critical patent/UA99181U/uk
Publication of UA99181U publication Critical patent/UA99181U/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі. Термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано охолоджують.
UAU201412235U 2014-11-13 2014-11-13 Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи UA99181U (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201412235U UA99181U (uk) 2014-11-13 2014-11-13 Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201412235U UA99181U (uk) 2014-11-13 2014-11-13 Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA99181U true UA99181U (uk) 2015-05-25

Family

ID=53675121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201412235U UA99181U (uk) 2014-11-13 2014-11-13 Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA99181U (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MX2021015169A (es) Metodos de preparacion de un catalizador.
MY176515A (en) A method of forming parts from sheet metal alloy
MY161961A (en) Semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon and method for producing it
JP2016152370A5 (uk)
MX2017008717A (es) Metodos para el tratamiento termico de articulos de vidrio.
WO2012099343A3 (en) Resistance heated sapphire single crystal ingot grower, method of manufacturing resistance heated sapphire sngle crystal ingot, sapphire sngle crystal ingot, and sapphire wafer
MX2018008999A (es) Metodo para obtener cristales de una solucion madre, y dispositivo de cristalizacion adecuado para este proposito.
EP3190086A4 (en) Reaction furnace for producing polycrystalline silicon, apparatus for producing polycrystalline silicon, method for producing polycrystalline silicon, and, polycrystalline silicon rod or polycrystalline silicon ingot
MX2017001321A (es) Sistema y metodo roboticos de tratamiento termico por calentamiento por induccion.
PL411695A1 (pl) Sposób wytwarzania długich kryształów węglika krzemu z fazy gazowej
RU2014108691A (ru) Способ получения термоэлектрических материалов
MD402Z (ro) Procedeu de creştere rapidă a monocristalului de bismut
EA201891470A1 (ru) Способ кристаллизации для получения кристаллов гемигидрата канаглифлозина
MD4266B1 (en) Method for producing the ZnSe single crystal
MY165871A (en) Method and apparatus for producing a single crystal
RU2014114789A (ru) Способ изготовления изделия из композиционного материала
UA94990U (uk) Спосіб термічної обробки інтерметаліду системи титан-алюміній
PL407357A1 (pl) Proces wzrostu kryształów azotku galu metodą HVPE
UA79780U (uk) СПОСІБ УСУНЕННЯ ВКЛЮЧЕНЬ ДРУГОЇ ФАЗИ З КРИСТАЛІВ НА ОСНОВІ CdTe
UA95506U (uk) Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів
TW201613704A (en) Method for removing contamination
Teng et al. Numerical analysis of the effect of heat shield structure on growth of large diameter monocrystalline silicon
UA118170C2 (uk) Пристрій для утилізації відпрацьованих хімічних джерел струму та спосіб утилізації відпрацьованих хімічних джерел струму
Guo et al. Effect of heat shield on the thermal fields during sapphire crystal growth by Kyropoulos method
UA81513U (uk) Спосіб синтезу селеногалату талію