WO1991002242A1 - Capteur a filament en couche mince autoporte, son procede de fabrication et ses applications dans la detection de gaz et en chromatographie gazeuse - Google Patents

Capteur a filament en couche mince autoporte, son procede de fabrication et ses applications dans la detection de gaz et en chromatographie gazeuse Download PDF

Info

Publication number
WO1991002242A1
WO1991002242A1 PCT/FR1990/000608 FR9000608W WO9102242A1 WO 1991002242 A1 WO1991002242 A1 WO 1991002242A1 FR 9000608 W FR9000608 W FR 9000608W WO 9102242 A1 WO9102242 A1 WO 9102242A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
filament
substrate
mask
central portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/FR1990/000608
Other languages
English (en)
Inventor
Antoinette Accorsi
Daniel Charlot
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Charbonnages de France CDF
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Charbonnages de France CDF
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Charbonnages de France CDF, Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Charbonnages de France CDF
Priority to DE69018471T priority Critical patent/DE69018471T2/de
Priority to EP90912874A priority patent/EP0486596B1/fr
Priority to AU62786/90A priority patent/AU647749B2/en
Priority to DE199090912874T priority patent/DE486596T1/de
Publication of WO1991002242A1 publication Critical patent/WO1991002242A1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US08/345,548 priority patent/US5549870A/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
    • G01N27/16—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by burning or catalytic oxidation of surrounding material to be tested, e.g. of gas
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
    • G01N30/02—Column chromatography
    • G01N30/62—Detectors specially adapted therefor
    • G01N30/64—Electrical detectors
    • G01N30/66—Thermal conductivity detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D3/00—Demodulation of angle-, frequency- or phase- modulated oscillations
    • H03D3/001—Details of arrangements applicable to more than one type of frequency demodulator
    • H03D3/002—Modifications of demodulators to reduce interference by undesired signals

Definitions

  • the present invention relates to a filament type sensor for determining a static or dynamic characteristic of a surrounding gaseous medium, such as air for example, a method for its manufacture, and applications of this sensor, mainly in the detection of oxidizable gases but also in gas chromatography (detection of ionizable gases) or even in the measurement of fluid flow rates.
  • a filament type sensor for determining a static or dynamic characteristic of a surrounding gaseous medium, such as air for example, a method for its manufacture, and applications of this sensor, mainly in the detection of oxidizable gases but also in gas chromatography (detection of ionizable gases) or even in the measurement of fluid flow rates.
  • Such a filament type sensor can be defined as being a sensor comprising a resistive element within a filament intended to exchange heat with the environment, as well as an interface zone adapted to react with this medium according to a physico-chemical process (in the broadest sense of the term: combustion catalysis, adsorption, ionization, simple heat exchange) influencing, depending on the characteristic of the medium to be determined (concentration, flow ...) / on an electrical characteristic of this interface zone (temperature or resistance, voltage, intensity, etc.) *
  • This interface zone can just as well be the external portion of the resistive element, as a catalytic layer heated by conduction, a separate electrode.
  • Some of these sensors are thus based on a measurement of heat exchanged (detection of combustible gas, flow meter, etc.) and can be described as calorimetric sensors; we can also identify various sensors of the filament type having in common the measurement of a concentration, being based on various phenomena (measurement of heat exchanged in the case of detection of combustible or oxidizable gas for example, measurement of quantities of ions collected by an electrode in chromatography gas for example .). Filament type sensors therefore group together very diverse sensors, both with regard to the physico-chemical phenomenon on which they are based and with regard to the nature of the quantity to be measured.
  • a filament generally of platinum, heated by JOULE effect, that is to say by passage "of an electric current.
  • the gas oxidizable in the surrounding air oxidizes by catalysis on contact with the filament, resulting in an additional heating of the latter
  • the resulting temperature variation causes a variation in the resistance of the filament, including direct or indirect measurement gives access to the concentration of said oxidizable gas in the air.
  • These filament-based detectors are made in a fairly traditional way, comprising .a part of manual manufacture. They therefore suffer from a lack of reproducibility and a high cost price
  • Their low electrical resistance and their low surface / volume ratio means that they have to work at high temperature (around 1000 ⁇ C).
  • oxidizable gas detectors are formed from catalytic beads; they are formed by a metal detector (for example made of platinum) coated with alumina doped with the aid of a catalyst, having the appearance of a small pearl. The aging of these detectors is slower, because the combustion temperature associated with them is lower. However, these pearls suffer from a significant drift in sensitivity, less stability and a longer response time than the filaments.
  • a third type of oxidizable gas detector has been produced from semiconducting metal oxides doped with a catalyst. These detectors are formed of a metallic heating filament, heating an insulating sleeve, in alumina for example, on which is deposited a layer of semiconductor material, the resistance variations of which are measured. These detectors are sensitive to any gas adsorbable on the surface of the semiconductor. But they have a fairly long response time and a significant electrical consumption; moreover, the influence of humidity is not compensated for there.
  • the invention aims to overcome the aforementioned drawbacks by improving the reproducibility and reducing the thermal losses of the filament by conduction while lowering the manufacturing costs.
  • a filament type sensor for determining a static or dynamic characteristic of a surrounding medium, comprising a resistive element intended to be heated by JOULE effect in this medium, and a zone interface adapted to react with this medium according to a physicochemical process influencing, as a function of " the characteristic to be determined, on an electrical characteristic of this interface zone, characterized in that it comprises a support blade crossed by at least one recess and at least one filament including this resistive element, consisting of one or more thin layer (s) and comprising a central portion located in the recess and at least two end portions through which this portion central is connected to the support blade.
  • the invention proposes a filament produced using micro-electronic technologies, constructed in such a way that it "self-supports", that is to say that its only connecting elements with the support are thin layers: the filament is thus consisting of one or more thin layers "in the air” which considerably reduces thermal losses by conduction.
  • the invention results from the observation that it was possible, thanks to this thin film technology, to produce a filament having sufficient mechanical strength and resistance to thermal shock so that it can be self-supporting.
  • the filament is formed of a layer of catalytic metallic material, the outer surface of which constitutes said interface zone;
  • the filament at least in its central portion, is formed of a stack of at least three thin layers, including a layer of conductive material, extending to the ends of the filament, a layer of catalyst material forming the zone d interface and an intermediate layer of electrically insulating material,
  • the resistive element of the filament is a layer of a noble metal, in particular platinum, gold, palladium or in a combination of noble metals, the filament has a sinuous conformation, for example in niche,
  • the central portion of the filament is connected to the substrate by a number of end portions greater than two, • ' . - the substrate is chosen from the group of materials consisting of glass, silicon, alumina. silica, quartz and polymers,
  • the interface zone is a thin layer deposited at least on one of the faces of the substrate near the recess.
  • the invention also provides a method of preparing a filament using microelectronics techniques, suitable for the manufacture of the aforementioned sensor and characterized in that it comprises the following stages: - deposition on the surface of the front and rear faces respectively of '' a blade-shaped substrate, on the one hand, of a front mask in thin layer (s) comprising a front window, the shape of which corresponds to the shape of the filament to be manufactured and has a central portion extended by end portions, and on the other hand, of a rear mask in thin layer (s) comprising a rear window situated opposite the central portion of the window excluding said ends, but larger than this central portion, - digging a trench in the substrate by attacking the front face of the latter through the front mask,
  • a protective layer is deposited on the front face and in the trench and, after this attack on the substrate , when this protective layer is removed, - the protective layer on the front face is a polymer resin.
  • the front mask comprises an intermediate layer covered with a layer of resin, the deposition of the
  • the main advantages which flow from the invention are, compared with all the above-mentioned detector elements, a very low power consumption, and a response time also very low.
  • the senor can be manufactured in a reproducible manner and in large quantities at low cost.
  • the invention also relates to the application of such a sensor, mainly to the detection of oxidizable gas, such as methane, or CO, but also to gas chromatography (detection of ionizable gases) or to the measurement of gas flow rates. by calorimetry.
  • FIG. 1 is a perspective view of a sensor according to the invention
  • FIG. 2 is a partial sectional view longitudinal of another sensor in the direction of the thickness
  • FIG. 3 is a variant of Figure 1
  • - Figures 4 to 9 are sectional views of the sensor of Figure 1 at various stages of its manufacture from a substrate according to the method of the invention.
  • the sensor C in FIG. 1 comprises an insulating support strip 1, made of glass or of another insulating material (even a semiconductor), crossed by a recess 2.
  • this support strip can be made of a material, insulating or no, covered with an insulating layer.
  • a filament 3 formed of a thin layer of an electrically conductive material and the outer surface or skin of which forms an interface zone with the surrounding medium.
  • This filament 3 has a central portion 3A and electrically conductive ends 4, by which this central portion 3A is connected to the support blade. These ends terminate in conductive pads 5 to which can be connected, for example by welding, electrical wires 6 connecting the sensor to the rest of the electrical circuit comprising it.
  • This filament 3 preferably has a sinuous conformation parallel to the support blade, here in a slot which, for a given section, and a given spacing between the studs 5, gives it an increased external surface and avoids the risks of rupture by expansion. . Other geometric conformations are of course pos ⁇ sible. It should be noted in this connection that the thin film filament can no longer be generally rectilinear but bent parallel to the support blade.
  • the filament may have the shape of a thin blade parallel to the support blade, of course of dimensions smaller than those of the recess.
  • the thin layer 3 can consist of any substance giving rise to the physico-chemical phenomena on which the measurements are based; thus this thin layer is here made of a material chosen as having electrical properties which are modified by the environment to be characterized.
  • oxidizable gas of a catalytic material platinum, nickel, osmium, gold, irridium, metallic combinations, metallic oxidizable, semiconductors, sulfides ...
  • FIG. 1 shows another sensor C whose filament 3 'is made up, no longer of a single thin layer , but of a stack of thin layers of conductive, insulating or catalyst material. The succession of these layers is such that:
  • each layer of catalyst material is located above or below the stack
  • each electrically conductive layer is electrically connected to the pads 5, and
  • An insulating layer is provided between these layers of conductive material or catalyst.
  • FIG. 2 represents three successive layers 7, 8 and 9 respectively of conductive, insulating and catalyst material.
  • the stack of layers is of the 9-8-7-8-9 type.
  • FIG. 3 represents another variant C “of FIG. 1 in which additional end portions 10 are arranged transversely to the central portion of the 3 "filament.
  • additional portions end with 10A studs. They can, in the case of a single-layer filament as in FIG. 1, serve for intermediate electrical measurements or allow different assemblies making possible to reduce the number of different sensors to be manufactured and stored for a given number of applications.
  • these portions 10 can constitute electrical connections to the layer of catalyst which is otherwise isolated. with respect to the conductive layer.
  • FIGS. 4 to 9 represent, in a section plane marked A-A in FIG. 1, various stages of the method of manufacturing the sensor 1, in the example considered of a glass substrate:
  • a first phase consists in preparing the substrate 1 by:
  • chromium 11 from 1000 to 2000 A is deposited on the rear face; on the other side (front side), a layer of chrome
  • the rear mask thus obtained (layers 11 and 14) comprises a window 16A situated opposite the central portion (between the ends 4 and 5 of FIG. 1) of the window 17A of the front mask (layers 12, 13 and 15) excluding said ends, but this window 16A is larger (here wider on each side) than this central portion.
  • trenches 18 and 19 are excavated by chemical attack on the glass with hydrofluoric acid through the masks made up of superimposed layers of chromium 12, gold 13 and resin 15, coiled on the face before 1A of blade 1.
  • This chemical attack is isotropic (in the thickness direction and laterally); this results in an over-etching releasing the layers 12 and 13 above the inclined edges 20 of the trench thus forming an overhang 21.
  • it is customary in etching processes of this type to modify the conditions for avoid over-etching here we research and use precisely this overprint. Indeed, the overhang 21 which results therefrom allows better elimination of the layers 12 and 13 at the end of manufacture.
  • the resin masks 14 and 15 are eliminated, for example in acetone and then in nitric acid. A rinse with deionized water and a dust-free drying are then carried out: the structure of FIG. 6 is obtained.
  • the filament 3 is produced at the bottom of the trench 18 by depositing a thin layer of chromium 23 (approximately 100 ⁇ ) on the front face 1A of the substrate including at the bottom of the trench 18 and then, by deposition over this entire thin layer 23 of a platinum layer 24 (see FIG. 7). Thin layers 23A and 24A are thus obtained in the trench dissociated from the portions 23B and 24B of gold and platinum deposited on the rest of the front face. The overall thickness of the layers 23 and 24 must therefore be less (at least slightly) than the depth of the trench 18. In the case of the sensor C in FIG. 2, the equivalent condition consists in saying that the overall thickness of the layers deposited is less than the depth of the trench.
  • the lateral portions 24A and 23A are then removed from the excess platinum and chromium layers by chemical attack on the gold layer 13 (immersion of the substrate for at least 3 hours in a gold etching reagent which mechanically eliminates the superfluous layer of platinum, and detachment of the last traces of excess platinum in an ultrasonic tank). This operation is greatly facilitated by the overhang 21 obtained by over-etching.
  • the substrate is hollowed out over its entire thickness by etching through the rear mask according to the following steps:
  • This protective layer fills the bowl 18 by adhering to it covers the filament at the bottom of the latter.
  • This protective layer can be made of any material resistant to hydrofluoric acid and which can easily be dissolved using a commercial solvent.
  • a polymer resin of the APIEZON-W type from ZIVY is preferably used,
  • the filament 3 unexpectedly remains "self-supporting" in the glass slide (see FIG. 9).
  • the latter is released on the one hand from any presence of resin or polymer using a suitable chemical reagent (fuming nitric acid in general) and, on the other hand, chromium layers 11 and 12 remaining on each face of the glass slide using chromium chem-sque etching reagent.
  • flanks of the recess 2 in FIG. 9 comes from the isotropic nature of the hydrofluoric attack In the case of a substrate and an attack acid leading to an anisotropic attack, flanks would be obtained vertical as shown in Figures 7 and 8.
  • the chemical etching reagents used are:
  • Examples of thicknesses for glass slides 150 ⁇ m thick are:
  • chrome N ° 11 500 A to 1000 A.
  • chrome N ° s 12 and 23 50 A to 500 A.
  • N ° 13 1500 ⁇ at 2500 A
  • SHIPPLEY 1350-H photosensitive resin 1 to 3 ⁇ m. length of the recess: 2 mm.
  • the advantage of the chromium layers lies on the one hand, in the improvement of the deposit of gold which could not be done directly on the glass, on the other hand, in the good performance of the mask made up of the resin layers photosensitive and chromium layers during hydrofluoric attacks on glass.
  • a variant of the method consists in carrying out, according to FIGS. 5bis and 6bis, an operation for thickening the gold layer. This variant thus makes it possible to deposit a greater thickness of platinum.
  • the rear mask thus obtained (layer 11) comprises a window 16A situated opposite the central portion (between the ends 4 of FIG. 1) of the window 17A of the front mask (layers 12, 13) excluding of said ends, but this window 16A is larger (here wider on each side) than this central portion.
  • a thickening of the gold layer 13 is then carried out by electrolytic deposition of gold (layer 13bis) followed by rinsing with deionized water.
  • the thickness of electrolytic gold is determined by the depth of the trenches that will be etched in 1 • next step, ie approximately l ⁇ m for a trench depth of 10 to 15 ⁇ m.
  • a uniform layer of llbis protective photoresist is deposited on the rear face.
  • the trench 18 is excavated by chemical attack on the glass with hydrofluoric acid through the mask made up of superimposed layers of chromium 12, gold 13 and 13bis, engraved on the front face 1A of the blade 1.
  • This chemical attack is isotropic (in the thickness direction and laterally); this results in an over-etching releasing the layers 12, 13 and 13a above the inclined edges 20 of the trench thus forming an overhang 21.
  • etching processes of this type to modify their conditions to avoid over-etching, here we research and use precisely this over-etching.
  • the overhang 21 which results therefrom allows better elimination of the layers 12 and 13 at the end of manufacture.
  • the llbis resin mask is eliminated, for example in acetone and then in nitric acid. Then rinse with deionized water and dry off dust: the structure of the figure 6.
  • glass Apart from glass, it is possible to use other substrates: silicon, alumina, silica and in particular quartz which offers good temperature resistance and selective resistance to chemical attack.
  • the filament 3 is used to locally heat and ionize the gaseous medium and one or more ion receiving electrodes (interface zone) are formed by one or more thin conductive layers deposited on the substrate near the recess 2: it may be the chromium layers 11 and 12 which are left to remain for this purpose.
  • the present invention has been proposed only by way of nonlimiting example and that many variants can be proposed by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.
  • several filaments can be formed in the same recess and several recesses can be formed at the same time in the same substrate (collective manufacturing).

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

Capteur du type à filament pour la détermination d'une caractéristique statique ou dynamique d'un milieu environnant, comportant un élément résistif destiné à être chauffé par effet JOULE dans ce milieu, et une zone d'interface adaptée à réagir avec ce milieu selon un processus physico-chimique influant, en fonction de la caractéristique à déterminer, sur une caractéristique électrique de cette zone d'interface, caractérisé en ce qu'il comporte une lame de support traversée par au moins un évidement et au moins un filament incluant cet élément résistif, constitué d'une ou plusieurs couche(s) mince(s) et comportant une portion centrale située dans l'évidement et des portions d'extrémité par lesquelles cette portion centrale est reliée à la lame de support.

Description

Capteur à filament en couche mince autoporté, son procédé de fabrication et ses applications dans la détection de gaz et en chromatocrraphie gazeuse
La présente invention concerne un capteur du type à filament pour la détermination d'une caractéristique statique ou dynamique d'un milieu gazeux environnant, tel que l'air par exemple, un procédé pour sa fabrication, et des applications de ce capteur, principalement dans la détection de gaz oxydables mais aussi en chromatographie gazeuse (détection de gaz ionisables) ou encore dans la mesure de débits fluides.
Un tel capteur du type à filament peut se définir comme étant un capteur comportant un élément résistif au sein d'un filament destiné à échanger de la chaleur avec l'environnement, ainsi qu'une zone d'interface adaptée à réagir avec ce milieu selon un processus physico¬ chimique (au sens le plus large du terme : catalyse de combustion, adsorption, ionisation, simple échange thermique) influant, en fonction de la caractéristique du milieu à déterminer (concentration, débit ...)/ sur une caractéristique électrique de cette zone d'interface (température ou résistance, tension, intensité..)* Cette zone d'interface peut aussi bien être la portion externe de l'élément résistif, qu'une couche catalytique chauffée par conduction, une électrode distincte.
Certains de ces capteurs sont ainsi fondés sur une mesure de chaleur échangée (détection de gaz combus¬ tible, debitmètre ...) et on peut les qualifier de capteurs calorimétriques; on peut aussi recenser divers capteurs du type à filament ayant en commun de mesurer une concentra¬ tion, en étant fondés sur des phénomènes divers (mesure de chaleur échangée dans le cas de la détection de gaz combustible ou oxydable par exemple, mesure de quantités d'ions recueillis par une électrode dans la chromatographie gazeuse par exemple ....). Les capteurs du type à filament regroupent donc des capteurs très divers, tant en ce qui concerne le phénomène physico-chimique sur lequel ils sont fondés qu'en ce qui concerne la nature de la grandeur à mesurer.
C'est pourquoi, si la suite de l'exposé se réfère principalement à la détection d'un gaz oxydable dans un milieu gazeux tel que l'air, dans le domaine par exemple de l'explosi étrie, il s'agit d'une application préférée mais non limitative de l'invention.
De manière connue en soi, la détection d'un gaz oxydable dans l'air est assurée par un filament, généra¬ lement de platine, chauffé par effet JOULE, c'est à dire par passage" d'un courant électrique. Le gaz oxydable contenu dans l'air environnant s'oxyde par catalyse au contact du filament, d'où un échauffement supplémentaire de ce dernier. La variation de température qui en résulte provoque une^variation de la résistance du filament, dont la mesure directe ou indirecte permet d'avoir accès à la concentration dudit gaz oxydable dans l'air. Ces détecteurs à base de filament sont faits de manière assez artisanale, comportant .une partie de fabrication manuelle. Ils souffrent donc d'un manque de reproductibilité et d'un prix de revient élevé. Leur faible résistance électrique, et leur faible rapport surface/volume, obligent à travailler à haute température (1000βC environ) .
D'autres détecteurs de gaz oxydable sont cons¬ titués à partir de perles catalytiques; ils sont formés d'un détecteur métallique (par exemple en platine) enrobé d'alumine dopée à l'aide d'un catalyseur, ayant l'apparence d'une petite perle. Le vieillissement de ces détecteurs est moins rapide,, car la température de combustion qui leur est associée est plus faible. Cependant, ces perles souffrent d'une dérive importante de la sensibilité, d'une stabilité moins grande et d'un temps de réponse plus long que les filaments. Un troisième type de détecteur de gaz oxydable a été réalisé à partir d'oxydes métalliques semi¬ conducteurs dopés avec un catalyseur. Ces détecteurs sont formés d'un filament métallique de chauffage, chauffant un manchon isolant, en alumine par exemple, sur lequel est déposée une couche de matériau semi-conducteur, dont on mesure les variations de résistances. Ces détecteurs sont sensibles à tout gaz adsorbable à la surface du semi¬ conducteur. Mais ils ont un temps de réponse assez long et une consommation électrique importante; de plus l'influence de 1•humidité n'y est pas compensée.
L'invention vise à pallier les inconvénients précités en améliorant la reproductibilité et en réduisant les pertes thermiques du filament par conduction tout en abaissant les coûts de fabrication.
De manière très générale, elle propose à cet effet un capteur de type à filament pour la détermination d'une caractéristique statique ou dynamique d'un milieu environnant, comportant un élément résistif destiné à être chauffé par effet JOULE dans ce milieu, et une zone d'interface adaptée à réagir avec ce milieu selon un processus physico-chimique influant, en fonction de " la caractéristique à déterminer, sur une caractéristique électrique de cette zone d'interface, caractérisé en ce qu'il comporte une lame de support traversée par au moins un évidement et au moins un filament incluant cet élément résistif, constitué d'une ou plusieurs couche(s) mince(s) et comportant une portion centrale située dans l'évidement et au moins deux portions d'extrémité par lesquelles cette portion centrale est reliée à la lame de support.
En d'autres termes 1'invention propose un filament réalisé à l'aide des technologies de la micro¬ électronique, construit de telle façon qu'il "s'autosup- porte", c'est à dire que ses seuls éléments de liaison avec le support sont des couches minces : le filament est ainsi constitué d'une ou plusieurs couches minces "en l'air" ce qui réduit considérablement les pertes thermiques par conduction.
L'invention résulte de la constatation qu'il était possible, grâce à cette technologie des couches minces, de réaliser un filament présentant une résistance mécanique et une tenue aux chocs thermiques suffisantes pour qu'il puisse s•autoporter.
Les demanderesses ont en effet constaté de manière surprenante que, malgré la finesse du filament qui lui confère la résistance électrique voulue, celui-ci est à la fois suffisamment sensible pour permettre la réaction physico-chimique à l'origine de la mesure et suffisamment résistant pour ne pas s'user prématurément en contact avec le milieu environnant.
Selon des dispositions préférées de 1*invention :
- le filament est formé d'une couche en matériau métallique catalytique dont la surface extérieure constitue ladite zone d'interface;
- le filament, au moins dans sa portion centrale, est formé d'un empilement d'au moins trois couches minces, dont une couche en matériau conducteur, se prolongeant jusqu'aux extrémités du filament, une couche en matériau catalyseur formant la zone d'interface et une couche intermédiaire en matériau électriquement isolant,
- l'élément résistif du filament est une couche d'un métal noble, notamment platine, or, palladium ou en une combinaiέon de métaux nobles, - le- filament a une conformation sinueuse, par exemple en créneau,
- la portion centrale du filament est reliée au substrat par un nombre de portions d'extrémité supérieur à deux, • '. - le substrat est choisi dans le groupe de matériaux constitué par le verre, le silicium, l'alumine. la silice, le quartz et les polymères,
- la zone d'interface est une couche mince déposée au moins sur 1'une des faces du substrat à proximité de l'évidement. L'invention propose également un procédé de préparation de filament faisant appel à des techniques de microélectronique, adapté à la fabrication du capteur précité et caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - dépôt sur la surface des faces respectivement avant et arrière d'un substrat en forme de lame, d'une part, d'un masque avant en couche(s) mince(s) comportant un fenêtre avant dont la forme correspond à la forme du filament à fabriquer et comporte une portion centrale prolongée par des portions d'extrémité, et d'autre part, d'un masque arrière en couche(s) mince(s) comportant une fenêtre arrière située en regard de la portion centrale de la fenêtre à l'exclusion desdites extrémités, mais plus grande que cette portion centrale, - creusement d'une tranchée dans le substrat par attaque de la face avant de celui-ci à travers le masque avant,
- dépôt au fond de cette tranchée d'une ou plusieurs couche(s) mince(s) destinée(s) à constituer le filament et dont l'une au moins est en matériau électrique¬ ment conducteur, et
- élimination du substrat sur toute son épaisseur par attaque à travers le masque arrière.
Selon des dispositions préférées : - avant attaque du substrat pour son élimina¬ tion sur toute son épaisseur à travers le masque arrière, on procède au dépôt d'une couche de protection sur la face avant et dans la tranchée et, après cette attaque du substrat, à l'élimination de cette couche de protection, - la couche de protection de la face avant est une résine polymère. - le masque avant comporte une couche inter¬ médiaire recouverte d'une couche de résine, le dépôt de la
(ou des) couche(s) mince(s) du filament étant obtenu, après élimination de la couche de résine, par dépôt d'une ou plusieurs couche(s) minces(s) dans la tranchée et autour de celle-ci puis élimination de la (ou des) couche(s) minces(s) déposée(s) en dehors de la tranchée par attaque de la couche intermédiaire.
Les principaux avantages qui découlent de l'invention sont, par rapport à tous les éléments détec¬ teurs cités précédemment, une consommation électrique très faible, et un temps de réponse également très faible.
De réalisation automatisable et collective, le capteur peut être fabriqué d'une façon reproductible et en grande quantité à coût faible.
Sa résistance, ajustable en fonction de sa forme géométrique, permet une température de fonctionnement plus basse que les capteurs traditionnels à filament, ce qui entraîne une bonne résolution de la mesure, et un vieillissement moins rapide. Par suite de sa réalisation originale et
Figure imgf000008_0001
à la masse très faible qui en résulte, il est peu sensible aux chocs.
Du fait de son inertie thermique très faible, il peut permettre également d'effectuer des mesures à des températures différentes et à des intervalles de temps très courts.
L'invention porte également sur l'application d'un tel capteur, principalement à la détection de gaz oxydable, tel que le méthane, ou CO, mais encore à la chromatographie gazeuse (détection de gaz ionisables) ou à la mesure de débits gazeux par calorimétrie.
Des objets, caractéristiques de l'invention ressortent de la description des dessins sur lesquels :
- la figure 1 est une vue en perspective d'un capteur selon l'invention,
- la figure 2 est une vue partielle en coupe longitudinale d'un autre capteur dans le sens de l'épais¬ seur,
- la figure 3 est une variante de la figure 1, et - les figures 4 à 9 sont des vues en coupe du capteur de la figure 1 à divers stades de sa fabrication à partir d'un substrat selon le procédé de l'invention.
Le capteur C de la figure 1 comporte une lame isolante de support 1, en verre ou en un autre matériau isolant (voire semi-conducteur) , traversée par un évidement 2. En variante cette lame de support peut être en un matériau, isolant ou non, recouvert d'une couche isolante.
En travers de 1'évidement est disposé un filament 3 formé d'une couche mince en un matériau électriquement conducteur et dont la surface extérieure ou peau constitue une zone d'interface avec le milieu environnant.
Ce filament 3 comporte une portion centrale 3A et des extrémités 4 électriquement conductrices, par lesquelles cette portion centrale 3A est reliée à la lame de support. Ces extrémités se terminent par des plots conducteurs 5 auxquels peuvent être connectés, par exemple par soudure, des fils électriques 6 reliant le capteur au reste du circuit électrique le comportant. Ce filament 3 a de préférence une conformation sinueuse parallèlement à la lame de support, ici en créneau ce qui, pour une section donnée, et un écartement donné entre les plots 5, lui confère une surface extérieure accrue et évite les risques de rupture par dilatation. D'autres conformations géométriques sont bien sûr pos¬ sibles. Il est à préciser à ce propos que le filament en couche mince peut être non plus globalement rectiligne mais coudé parallèlement à la lame de support. Par ailleurs, le filament peut avoir la forme d'une fine lame parallèle à la lame de support, de dimensions bien sûr inférieures à celles de 1*évidement. La couche mince 3 peut être constituée par toute substance donnant lieu aux phénomènes physico¬ chimiques sur lesquels sont fondées les mesures; ainsi cette couche mince est ici réalisée en un matériau choisi comme ayant des propriétés électriques qui sont modifiées par l'environnement à caractériser.
Il peut en particulier s'agir pour la mesure de gaz oxydable d'un matériau catalytique : platine, nickel, osmium, or, irridium, combinaisons métalliques, oxydables métalliques, semi-conducteurs, sulfures ...
Ce matériau peut être également choisi en fonction de ses propriétés absorbantes ou adsorbantes dès lors qu'il en résulte une modification de ses caractéristi¬ ques électriques. La figure 2 (où les éléments similaires à ceux de la figure 1 ont les mêmes signes de référence affectés de l'indice "prime") représente un autre capteur C dont le filament 3' est constitué, non plus d'une seule couche mince, mais d^un empilement de couches minces en matériau conducteur, isolant ou catalyseur. La succession de ces couches est telle que :
- chaque couche en matériau catalyseur est située au-dessus ou en-dessous de l'empilement,
- chaque couche électriquement conductrice est reliée électriquement aux plots 5, et
- une couche isolante est prévue entre ces couches en matériau conducteur ou catalyseur.
Plus précisément, cette figure 2 représente trois couches successives 7, 8 et 9 respectivement en matériau conducteur, isolant et catalyseur. En variante non représentée l'empilement des couches est de type 9-8-7-8-9.
La figure 3 (où les éléments similaires à ceux de la figure 1 ont- les mêmes signes de référence affectés de l'indice "seconde") représente une autre variante C" de la figure 1 dans laquelle des portions d'extrémité additionnelles 10 sont disposées transversalement à- la portion centrale du filament 3". Ces portions additionnel¬ les se terminent par des plots 10A. Ils peuvent, dans le cas d'un filament en une couche comme dans la figure 1, servir à des mesures électriques intermédiaires ou permettre des montages différents rendant possible de réduire le nombre de capteurs différents à fabriquer et stocker pour un nombre donné d'applications. Dans le cas d'un filament multicouche comme dans la figure 2, ces portions 10 peuvent constituer des liaisons électriques à la couche de catalyseur par ailleurs isolée par rapport à la couche conductrice.
On appréciera que dans chacun des exemples précités, l'ensemble du filament est entièrement situé dans l'encombrement (l'épaisseur) du substrat. Les figures 4 à 9 représentent, dans un plan de coupe repéré A-A sur la figure 1, diverses étapes du procédé de fabrication du capteur 1, dans l'exemple considéré d'un substrat en verre :
Une première phase consiste à préparer le substrat 1 par :
- nettoyage du substrat 1 à 1'acide nitrique ou sulfochromique par exemple puis rinçage à l'eau désionisée,
- séchage hors poussière. En une deuxième phase, on prépare des masques sur chacune des faces avant 1A et arrière 1B du substrat, avec les étapes suivantes (voir la figure 4) :
- une couche mince de chrome 11 de 1000 à 2000 A est déposée sur la face arrière; sur l'autre face (face avant), une couche de chrome
12 de quelques À à 1000 À puis une couche d'or
13 de 1000 À environ sont déposées. Les étapes peuvent être différées l'une par rapport à l'autre mais sont de préférence simultanées. - une couche de résine photosensible 14, 15 est déposée sur chaque face du substrat, - on positionne des masques d'insolation 14A et 15A en vis-à-vis de part et d'autre du substrat et des couches précitées, on procède à l'insolation des couches 14 et 15 au travers des masques 14A et 15A, et on développe les zones ainsi insolées : on obtient ainsi des masques de résine 16 et 17. Les deux dernières étapes sont tout à fait classiques en soi.
- on grave les couches métalliques au travers .des masques 16 et 17,
. gravure de la couche de chrome 11 sur la face arrière,
. gravure de la couche d'or 13 sur la face avant, . gravure de la couche de chrome 12 en face avant.
- nouveau rinçage à l'eau désionisée; on obtient ainsi la structure de la figure 5.
On appréciera que le masque arrière ainsi obtenu (couches 11 et 14) comporte une fenêtre 16A située en regard de la portion centrale (entre les extrémités 4 et 5 de la figure 1) de la fenêtre 17A du masque avant (couches 12, 13 et 15) à l'exclusion desdites extrémités, mais cette fenêtre 16A est plus grande (ici plus large de chaque côté) que cette portion centrale.
Dans une troisième phase, on procède au creusement de tranchées 18 et 19 par attaque chimique du verre avec de l'acide fluorhydrique à travers les masques constitués des couches superposées de chrome 12, d'or 13 et de résine 15, gçavées sur la face avant 1A de la lame 1. Cette attaque chimx*ique est isotrope (dans le sens de l'épaisseur et latéralement) ; il en résulte une surgravure dégageant les couqhes 12 et 13 au-dessus des bords inclinés 20 de la tranchée formant ainsi un surplomb 21. Alors qu'il est d'usage dans les procédés de gravure de ce type d'en modifier les conditions pour éviter la surgravure, ici on recherche et utilise précisément cette surgravure. En effet, le surplomb 21 qui en résulte permet une meilleure élimination des couches 12 et 13 en fin de fabrication.
Les masques de résine 14 et 15 sont éliminés par exemple dans l'acétone puis dans l'acide nitrique. On effectue ensuite un rinçage à 1'eau désionisée et un séchage hors poussière : on obtient la structure de la figure 6.
Dans une quatrième étape, on élabore le filament 3 au fond de la tranchée 18 par dépôt d'une fine couche de chrome 23 (100 À environ) sur la face avant 1A du substrat y compris au fond de la tranchée 18 puis, par dépôt sur toute cette couche mince 23 d'une couche de platine 24 (voir figure 7) . On obtient ainsi dans la tranchée des couches minces 23A et 24A dissociées des portions 23B et 24B d'or et de platine déposées sur le reste de la face avant. L'épaisseur globale des couches 23 et 24 doit donc être inférieure (au moins légèrement) à la profondeur de la tranchée 18. Dans le cas du capteur C de la figure 2, la condition équivalente consiste à dire que 1'épaisseur globale des couches déposées est inférieure à la profondeur de la tranchée. Il est essentiel que les couches dans la tranchée 18 ne viennent pas au contact des surplombs 21. On procède ensuite à l'élimination des portions latérales 24A et 23A des couches de platine et de chrome en excès par attaque chimique de la couche d'or 13 (immersion du substrat pendant au moins 3 heures dans un réactif de gravure de l'or ce qui élimine mécaniquement la couche superflue de platine, et décollement des dernières traces de platine en excès dans un bac à ultra-sons) . Cette opération est grandement facilitée par le surplomb 21 obtenu par surgravure.
Après rinçage à l'eau désionisée et séchage, une nouvelle couche 25 en résine photosensible de 3μm environ est déposée sur la face arrière puis est soumise à une insolation à travers le même masque qu'à la figure 4 : après développement, on obtient un masque arrière en coïncidence
Figure imgf000014_0001
le masque en chrome 11 resté sur cette face; en pratique, on procède ensuite au recuit du masque à 140βC (pendant 30 mn) .
Dans une dernière phase, on creuse le substrat sur toute son épaisseur par attaque au travers du masque arrière selon les étapes suivantes :
- dépôt d'une couche de protection 26 sur la face avant 1A revêtue de la couche de chrome 12. Cette couche de protection remplie la cuvette 18 en y adhérant recouvre le filament au fond de cette dernière. Cette couche de protection peut être constituée de tout matériau résistant à 1'acide fluorhydrique et pouvant facilement être mis en solution à l'aide d'un solvant du commerce. On utilise de manière préférentielle une résine polymère du type APIEZON-W de ZIVY,
- attaque chimique sous ultra-sons du verre 1 portant le filament à travers le masque 25 déposé sur la face arrière 1B et constitué de la couche de chrome 11 et de la couche de résine photosensible 25 gravées.
Après élimination du verre et de la couche de protection 26 à l'aide d'un solvant du commerce approprié; par exemple du perchloréthylène, le filament 3 reste d'une manière inattendue "autoporté" dans la lame de verre (voir figure 9) . Cette dernière est dégagée d'une part de toute présence de résine ou de polymère à l'aide d'un réactif chimique adapté (acide nitrique fumant en général) et, d'autre part, des couches de chrome 11 et 12 subsistant sur chaque face de la lame de verre à l'aide du réactif de gravure chim-Sque du chrome.
L'inclinaison des flancs de l'évidement 2 de la figure 9 provient du caractère isotrope de l'attaque fluorhydrique Dans le cas d'un substrat et d'un acide d'attaque conduisant à une attaque anisotrope, on ob¬ tiendrait des flancs verticaux comme cela est représenté aux figures 7 et 8.
A titre d'exemple les réactifs de gravure chimique utilisés sont :
. chrome : 1) Cr-ETCH de SOPRELEC (EVRY) 2) 50g/l de KMn04 + 50g/l de KOH + eau désionisée (11) , . or : 25g/l de I2 = 60g/l de Kl + 1 litre d'eau désionisée, . verre : HF dilué de 40% à 20% (suivant la vitesse de gravure désirée) .
Des exemples d'épaisseurs pour des lames de verre de 150 μm d'épaisseur sont :
. chrome N° 11 : 500 A à 1000 A . chrome N°s 12 et 23 : 50 A à 500 A . or N° 13 : 1500 Â à 2500 A
. platine : 0,5 μm à 9 μm . apiézon : minimum 100 μm
. résine photosensible 1350-H de SHIPPLEY : 1 à 3 μm . longueur de l'évidement : 2 mm.
L'intérêt des couches de chrome réside d'une part, dans l'amélioration du dépôt d'or qui ne pourrait pas se faire directement sur le verre, d'autre part, dans la bonne tenue du masque constitué pas les couches de résine photosensible et les couches de chrome lors des attaques fluorhydriques du verre.
Une variante du procédé consiste à réaliser selon les figures 5bis et 6bis une opération d'épaississe- ment de la couche d'or. Cette variante permet ainsi de déposer une épaisseur de platine plus importante.
Les deuxième et troisième phases du procédé sont modifiées ainsi :
A 1'issue des gravures métalliques au travers des masques 16 et 17 on procède à : - un décapage des couches de résines 14 et 15 à
1•acétone et à 1'acide nitrique - puis à un nouveau rinçage à l'eau désionisée. On appréciera que le masque arrière ainsi obtenu (couche 11) comporte une fenêtre 16A située en regard de la portion centrale (entre les extrémités 4 de la figure 1) de la fenêtre 17A du masque avant (couches 12, 13) à l'exclusion desdites extrémités, mais cette fenêtre 16A est plus grande (ici plus large de chaque côté) que cette portion centrale.
On procède ensuite à une opération d'épaissis- sèment de la couche d'or 13 (figure 5bis) par dépôt électrolytique d'or (couche 13bis) suivie d'un rinçage à l'eau désionisée.
L'épaisseur d'or électrolytique est déterminée par la profondeur des tranchées que l'on va graver dans 1•étape suivante soit environ lμm pour une profondeur de tranchée de 10 à 15 μm. On dépose sur la face arrière une couche uniforme de résine photosensible de protection llbis.
Dans la troisième phase, on procède au creusement de la tranchée 18 par attaque chimique du verre avec de l'acide fluorhydrique à travers le masque cons¬ titué des couches superposées de chrome 12, d'or 13 et 13bis, gravées sur la face avant 1A de la lame 1. Cette attaque chimique est isotrope (dans le sens de l'épaisseur et latéralement) ; il en résulte une surgravure dégageant les couches 12, 13 et 13bis au-dessus des bords inclinés 20 de la tranchée formant ainsi un surplomb 21. Alors qu'il est d'usage dans les procédés de gravure de ce type d'en modifier les conditions pour éviter la surgravure, ici on recherche et utilise précisément cette surgravure. En effet, le surplomb 21 qui en résulte permet une meilleure élimination des couches 12 et 13 en fin de fabrication. lie masque de résine llbis est éliminé par exemple dans l'acétone puis dans l'acide nitrique. On effectue ensuite un rinçage à l'eau désionisée et un séchage hors poussière : on obtient la structure de la figure 6.
Les phases ultérieures du procédé restent identiques»
En dehors du verre, il est possible d'utiliser d'autres substrats : le silicium, l'alumine, la silice et en particulier le quartz qui offre une bonne tenue à la température et une résistance sélective aux attaques chimiques.
De même, il est également possible d'employer des substrats métallisés double face, par exemple or sur chrome, ceci permettant de supprimer les étapes initiales de dépôts métalliques.
Ainsi, des essais ont été réalisés sur du quartz d'épaisseur comprise entre 125 μm et 175 μm, métallisé double face or sur chrome en utilisant les mêmes réactifs de gravure chimique.
Un tel capteur se prête à diverses applica¬ tions.
Ainsi tout d'abord il peut servir à la détection de gaz oxydable par intégration d'un circuit connu décrit.
Il peut aussi servir à des mesures par chromatographie : le filament 3 sert à échauffer et ioniser localement le milieu gazeux et une ou plusieurs électrodes de réception d'ions (zone d'interface) sont constituées par une ou plusieurs couches minces conductrices déposées sur le substrat auprès de 1'évidement 2 : il peut s'agir des couches de chrome 11 et 12 que l'on laisse subsister à cet effet. II va de soi que la présente invention n'a été proposée qu'à titre d'exemple non limitatif et que de nombreuses variantes peuvent être proposées par l'homme de l'art sans sortir du cadre de l'invention. Ainsi plusieurs filaments peuvent être formés dans un même évidement et plusieurs evidements peuvent être formés à la fois dans un même substrat (fabrication collective) .

Claims

REVENDICATIONS
1. capteur du type à filament pour la déter¬ mination d'une caractéristique statique ou dynamique d'un milieu environnant, comportant un élément résistif destiné à être chauffé par effet JOULE dans ce milieu, et une zone d'interface adaptée à réagir avec ce milieu selon un processus physico-chimique influant, en fonction de la caractéristique à déterminer, sur une caractéristique électrique .de cette zone d'interface, caractérisé en ce qu'il comporte une lame de support (1, l', 1") traversée par au moins un évidement (2, 2', 2") et au moins un filament (3, 3', 3") incluant cet élément résistif, constitué d'une ou plusieurs couche(s) mince(s) (3, 7, 8, 9, 24A) et comportant une portion centrale située dans l'évidement et au moins deux portions d'extrémité (4, 4', 4", 10) par lesquelles cette portion centrale est reliée à la lame de support.
2. Capteur selon la revendication 1, carac¬ térisé en ce que le filament (3, 3") est formé d'une couche en matériau métallique catalytique dont la surface extérieure constitue ladite zone d'interface.
3. Capteur selon la revendication 1, carac¬ térisé en ce que le filament, au moins dans sa portion centrale, est formé d'un empilement d'au moins trois couches minces (7, 8, 9) dont une couche (7) en matériau conducteur, se prolongeant jusqu'aux extrémités du filament, une couche (9) en matériau catalyseur formant la zone d'interface et une couche intermédiaire (8) en matériau électriquement isolant.
4. Capteur selon l'une quelconque des reven¬ dications 1 à 3, caractérisé en ce que 1*élément résistif est une couche d'un métal noble, notamment platine, or, palladium ou en une combinaison de métaux nobles.
5. Capteur selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 4, caractérisé en ce que le filament a -une conformation sinueuse.
6. Capteur selon 1'une quelconque des reven¬ dications 1 à 5, caractérisé en ce que la portion centrale du filament est reliée au substrat par un nombre de portions d'extrémités (4", 10) supérieur à deux.
7. Capteur selon l'une quelconque des reven¬ dications 1 à 6, caractérisé en ce que le substrat est choisi dans le groupe de matériaux constitué par le verre, le silicium, l'alumine, la silice, le quartz et les polymères.
8. Application du capteur selon l'une quelcon¬ que des revendications 1 à 7 à la détection de gaz oxydable.
9. Application du capteur selon la revendica- tion 8, caractérisée en ce que le gaz oxydable est du méthane ou du monoxyde de carbone.
10. Application du capteur selon l'une quelcon¬ que des revendications 1 à 7 à la mesure de débits de fluides.
11. Capteur selon la revendication 1, carac¬ térisé en ce que la zone d'interface est une couche mince déposée au moins sur l'une des faces du substrat à proximité de l'évidement.
12. Application du capteur selon la revendica- tion 11, à la détection et à la mesure de gaz ionisâble par chromatographie par ionisation.
13. Procédé de fabrication d'un capteur du type à filament, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - Dépôt sur la surface des faces respectivement avant (1A) et arrière (1B) d'un substrat en forme de lame (1), d'une part, d'un masque avant en couche(s) mince(s) (12, 13, 15) comportant une fenêtre avant (17A) dont la forme correspond à la forme du filament (3) à fabriquer et comporte une portion centrale prolongée par des portions d'extrémité, et d'autre par, d'un masque arrière en couche(s) mince(s) (11, 14) comportant une fenêtre arrière (16A) située en regard de la portion centrale de la fenêtre à l'exclusion desdites extrémités, mais plus grande que cette portion centrale, - creusement d'une tranchée (18) dans le substrat pas attaque de la face avant de celui-ci à travers le masque avant,
- dépôt au fond de cette tranchée d'une ou plusieurs couche(s) mince(s) (24A) destinée(s) à constituer le filament et dont l'une au moins est en matériau électriquement conducteur, et
- élimination du substrat sur toute son épaisseur par attaque à travers un masque (11, 25) de même forme que le masque arrière.
14. Procédé de fabrication d'un capteur du type à filament, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes :
- Dépôt sur la surface des faces respectivement avant (1A) et arrière (1B) d'un substrat en forme de lame (1), d'une part, d'un masque avant en couche(s) mince(s) (12, 13) et d'un dépôt électrolytique (13bis) comportant une fenêtre avant (17A) dont la forme correspond à la forme du filament (3) à fabriquer et comporte une portion centrale prolongée par des portions d'extrémité, et d'autre par, d'un masque arrière en couche(s) mince(s) (11, llbis) comportant une fenêtre arrière (16A) située en regard de la portion centrale de la fenêtre à l'exclusion desdites extrémités, mais plus grande que cette portion centrale,
- creusement d'une tranchée (18) dans le substrat pas attaque de la face avant de celui-ci à travers le masque avant,
- dépôt au fond de cette tranchée d'une ou plusieurs couche(s) mince(s) (24A) destinée(s) à constituer le filament et dont l'une au moins est en matériau électriquement conducteur, et
- élimination du substrat sur toute son épaisseur par attaque à travers un masque (11, 25) de même forme que le masque arrière.
15. Procédé de fabrication d'un capteur du type à filament caractérisé en ce que l'on utilise un substrat métallisé comportant une fenêtre avant (17A) dont la forme correspond à celle du filament (3) à fabriquer et comporte une portion centrale prolongée par des portions d'ex¬ trémités et d'autre part, une fenêtre arrière (16A) située en regard de la portion centrale de la fenêtre à 1'ex- clusion desdites extrémités mais plus grande que cette portion centrale.
- on creuse une tranchée (18) dans le substrat par attaque de la face avant de celui-ci à travers le masque avant, - on dépose au fond de cette tranchée une ou plusieurs couche(s) mince(s) (24A) destinée(s) à constituer le filament et dont l'une au moins est en matériau électriquement conducteur, et
- on élimine le substrat sur toute son épaisseur par attaque à travers un masque (11, 25) de même forme que le masque arrière.
16. Procédé selon l'une quelconque des revendication 13 à 15 caractérisé en ce qu'il comporte, avant attaque du substrat pour son élimination sur toute son épaisseur à travers le masque arrière, le dépôt d'une couche de protection (26) sur la face avant et dans la tranchée et, après cette attaque du substrat, élimination de cette couche de protection.
17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que la couche de protection de la face avant est une résine polymère.
18. Procédé selon l'une quelconque des revendication 13 à 17, caractérisé en ce que le masque avant comporte une couche intermédiaire (13) recouverte d'une couche de résine (15) , le dépôt de la (ou des) couche(s) mince(s) du filament étant obtenu, après élimination de la couche de résine (15) , par dépôt d'une ou plusieurs couche(s) mince(s) (24) dans la tranchée (24A) et autour de celle-ci (24B) puis élimination de la ou (ou des) couche(s) mince(s) (24B) déposée(s) en dehors de la tranchée par attaque de la couche intermédiaire.
19. Procédé selon la revendications 18, caractérisé en ce que, le substrat étant en verre, le masque avant comporte une couche d'or (13) recouvrant une couche de chrome (12) déposée sur la face avant (1A) , et on dépose au moins une couche de platine au fond de la tranchée avant (18) .
20. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 19 , caractérisé en ce qu'on dépose dans la tranchée avant au moins une couche en matériau métallique catalytique.
.
21. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 20, caractérisé en ce qu'on dépose au moins trois couches minces (7, 8, 9) au fond de la tranchée, dont une couche en matériau conducteur, une couche en matériau isolant et une couche en matériau catalyseur.
22. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 21, caractérisé en ce que le substrat est choisi dans' le groupe de matériaux constitué par le verre, le silicium, l'alumine, la silice, le quartz et les polymères.
PCT/FR1990/000608 1989-08-11 1990-08-10 Capteur a filament en couche mince autoporte, son procede de fabrication et ses applications dans la detection de gaz et en chromatographie gazeuse Ceased WO1991002242A1 (fr)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE69018471T DE69018471T2 (de) 1989-08-11 1990-08-10 Selbsttragender dünnschichtsensor, verfahren zu seiner herstellung und anwendung in der gasdetektion und gaschromatographie.
EP90912874A EP0486596B1 (fr) 1989-08-11 1990-08-10 Capteur a filament en couche mince autoporte, son procede de fabrication et ses applications dans la detection de gaz et en chromatographie gazeuse
AU62786/90A AU647749B2 (en) 1989-08-11 1990-08-10 Self-supporting thin-film filament detector, process for its manufacture and its applications to gas detection and gas chromatography
DE199090912874T DE486596T1 (de) 1989-08-11 1990-08-10 Selbsttragender duennschichtsensor, verfahren zu seiner herstellung und anwendung in der gasdetektion und gaschromatographie.
US08/345,548 US5549870A (en) 1989-08-11 1994-11-28 Self-supporting thin-film filament detector, process for its manufacture and its application to gas detection and gas chromatography

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR89/10837 1989-08-11
FR8910837A FR2650891B1 (fr) 1989-08-11 1989-08-11 Capteur a filament en couche mince autoporte, son procede de fabrication et ses applications dans la detection de gaz et en chromatographie gazeuse

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1991002242A1 true WO1991002242A1 (fr) 1991-02-21

Family

ID=9384674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR1990/000608 Ceased WO1991002242A1 (fr) 1989-08-11 1990-08-10 Capteur a filament en couche mince autoporte, son procede de fabrication et ses applications dans la detection de gaz et en chromatographie gazeuse

Country Status (13)

Country Link
US (2) US5549870A (fr)
EP (1) EP0486596B1 (fr)
JP (1) JPH04507461A (fr)
CN (1) CN1019331B (fr)
AT (1) ATE120858T1 (fr)
AU (1) AU647749B2 (fr)
CA (1) CA2060183A1 (fr)
CZ (1) CZ393190A3 (fr)
DE (2) DE486596T1 (fr)
FR (1) FR2650891B1 (fr)
PL (1) PL163992B1 (fr)
WO (1) WO1991002242A1 (fr)
ZA (1) ZA906062B (fr)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995010770A1 (fr) * 1993-10-08 1995-04-20 Csir Detecteur catalytique de gaz inflammable et procede
EP0675354A4 (fr) * 1993-10-19 1996-11-29 Jury Gennadievich Usanov Jauge hygrometrique.
WO1998025134A1 (fr) * 1996-12-06 1998-06-11 Hansjoachim Roth Puce pour le controle de la concentration en mercure dans l'air

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5834627A (en) * 1996-12-17 1998-11-10 Sandia Corporation Calorimetric gas sensor
JP4801396B2 (ja) * 2005-09-01 2011-10-26 敏嗣 植田 ガスセンサ及びガスセンサの製造方法
JP5144090B2 (ja) * 2007-02-26 2013-02-13 シチズンホールディングス株式会社 接触燃焼式ガスセンサ及び接触燃焼式ガスセンサの製造方法
JP5136868B2 (ja) * 2010-08-18 2013-02-06 横河電機株式会社 熱伝導度検出器およびそれを用いたガスクロマトグラフ
CN103295777B (zh) * 2013-05-23 2015-12-02 东北大学 一种磁流体薄膜的制作方法
EP2863214B1 (fr) 2013-10-15 2019-12-18 ams international AG Détecteur de conductivité thermique ayant un élément de détection multicouche, capteur de gaz et procédé de détection de gaz
KR102010448B1 (ko) * 2017-09-20 2019-08-13 (주)에스엔텍 가스 유량 센서 및 가스 유량 측정 장치
CN112284481B (zh) * 2020-10-29 2024-06-11 重庆运点点物流科技有限公司 用于船舶油舱的燃油量监测系统及方法
CN116678526A (zh) * 2023-05-09 2023-09-01 北京石墨烯技术研究院有限公司 垫片式传感器及其制备方法和应用
DE102023208844A1 (de) 2023-09-12 2025-03-13 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Sensorvorrichtung zur Bestimmung einer Wasserstoffkonzentration im Umfeld der Sensorvorrichtung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3028249A1 (de) * 1979-07-25 1981-02-05 Kimura Mitsuteru Gasdetektor
GB2158586A (en) * 1984-05-05 1985-11-13 Geratebau Mbh Ges Fur Catalytic combustion sensor
DE3743398A1 (de) * 1987-12-21 1989-07-06 Siemens Ag Aufhaengung fuer eine sensoranordnung zum nachweis von gasen durch exotherme katalytische reaktionen

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4544441A (en) * 1980-09-04 1985-10-01 Battelle-Institut E.V. Method of making a bolometric radiation detector
JPH01109250A (ja) * 1987-10-22 1989-04-26 Toshiba Corp ガスセンサ
EP0265834B1 (fr) * 1986-10-28 1992-07-22 Figaro Engineering Inc. Capteur et méthode pour sa fabrication
DE3711511C1 (de) * 1987-04-04 1988-06-30 Hartmann & Braun Ag Verfahren zur Bestimmung der Gaskonzentrationen in einem Gasgemisch und Sensor zur Messung der Waermeleitfaehigkeit
FI82774C (fi) * 1988-06-08 1991-04-10 Vaisala Oy Integrerad uppvaermbar sensor.
DE3844023A1 (de) * 1988-12-27 1990-06-28 Hartmann & Braun Ag Sensor zur bestimmung der gaskonzentration in einem gasgemisch durch messung der waermetoenung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3028249A1 (de) * 1979-07-25 1981-02-05 Kimura Mitsuteru Gasdetektor
GB2158586A (en) * 1984-05-05 1985-11-13 Geratebau Mbh Ges Fur Catalytic combustion sensor
DE3743398A1 (de) * 1987-12-21 1989-07-06 Siemens Ag Aufhaengung fuer eine sensoranordnung zum nachweis von gasen durch exotherme katalytische reaktionen

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995010770A1 (fr) * 1993-10-08 1995-04-20 Csir Detecteur catalytique de gaz inflammable et procede
US5902556A (en) * 1993-10-08 1999-05-11 Microchip (Proprietary) Limited Catalytic gas sensor
EP0675354A4 (fr) * 1993-10-19 1996-11-29 Jury Gennadievich Usanov Jauge hygrometrique.
WO1998025134A1 (fr) * 1996-12-06 1998-06-11 Hansjoachim Roth Puce pour le controle de la concentration en mercure dans l'air

Also Published As

Publication number Publication date
US5753128A (en) 1998-05-19
AU647749B2 (en) 1994-03-31
DE69018471D1 (de) 1995-05-11
FR2650891A1 (fr) 1991-02-15
CA2060183A1 (fr) 1991-02-12
CZ393190A3 (en) 1994-11-16
CN1049910A (zh) 1991-03-13
US5549870A (en) 1996-08-27
EP0486596A1 (fr) 1992-05-27
PL163992B1 (pl) 1994-06-30
EP0486596B1 (fr) 1995-04-05
DE486596T1 (de) 1992-10-15
JPH04507461A (ja) 1992-12-24
PL286431A1 (en) 1991-02-25
ZA906062B (en) 1991-05-29
FR2650891B1 (fr) 1993-11-19
CN1019331B (zh) 1992-12-02
ATE120858T1 (de) 1995-04-15
DE69018471T2 (de) 1995-10-05
AU6278690A (en) 1991-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0486596B1 (fr) Capteur a filament en couche mince autoporte, son procede de fabrication et ses applications dans la detection de gaz et en chromatographie gazeuse
TWI263777B (en) Ultraviolet sensor and method for manufacturing the same
EP0058102B1 (fr) Procédé de réalisation d'un hygromètre capacitif à diélectrique mince
FR2736205A1 (fr) Dispositif detecteur a semiconducteur et son procede de formation
US4343768A (en) Gas detector
FR2484646A1 (fr) Detecteur de gaz a couche mince et a semiconducteurs a element de chauffage integre
EP2898318B1 (fr) Capteur de flux thermique et capteur de gaz comportant au moins un tel capteur
FR2697675A1 (fr) Procédé de fabrication de transducteurs capacitifs intégrés.
FR2616912A1 (fr) Detecteur de point de rosee
EP0586982A1 (fr) Dispositif de mesure ampérométrique comportant un capteur électrochimique
SE503265C2 (sv) Förfarande och anordning för gasdetektion
EP0948744A1 (fr) Microsysteme pour analyses biologiques et son procede de fabrication
EP1448964B1 (fr) Comparateur de flux thermiques
EP1192452B1 (fr) Capteur chimique de gaz a oxide metallique et son procede de fabrication
CH697478B1 (fr) Système d'électrodes pour capteur électrochimique et procédé de détermination du PH d'une eau chlorée.
US20120281729A1 (en) Environment sensitive devices
EP0094266B1 (fr) Procédé de fabrication d'un capteur de température ou d'humidité du type à couches minces et capteurs obtenus
WO2007034048A1 (fr) Microcapteur de flux thermique sur substrat conducteur avec caisson(s) poreux
EP0140747A1 (fr) Perfectionnements aux sondes de mesure de niveau
FR2955708A1 (fr) Microgenerateur de tension utilisant la chaleur latente de changement de phase d'un liquide
FR3153416A1 (fr) Détecteur de conductivité thermique comportant un capteur résistif intégrant du carbone adamantin et procédé correspondant
JPS63238545A (ja) ガス検出方法
WO2003065026A2 (fr) Detecteur de gaz sur substrat mince
FR2754901A1 (fr) Capteur chimique de gaz et procede de fabrication d'un tel capteur
KR19980034320A (ko) 금흑 수광전극 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AU CA JP KR SU US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB IT LU NL SE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1990912874

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2060183

Country of ref document: CA

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1990912874

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1990912874

Country of ref document: EP