WO1992010855A1 - Monolithisch integrierte halbleiteranordnung - Google Patents

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    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/641—Combinations of only vertical BJTs
    • H10D84/642—Combinations of non-inverted vertical BJTs of the same conductivity type having different characteristics, e.g. Darlington transistors

Definitions

  • the invention relates to a monolithically integrated semiconductor arrangement according to the preamble of the main claim.
  • Semiconductor arrangements which, in order to limit the breakdown voltage of transistors, in particular Darlington transistors, have a metallic cover electrode separated by oxide over the space charge region, which is connected to a certain potential between the base and the collector by means of a voltage divider.
  • the breakdown voltage is essentially determined by the voltage potential of the cover electrode and by the thickness of the oxide.
  • a monolithically integrated semiconductor arrangement with the features of the main claim has the advantage that the breakdown voltages only depend on the depletion breakdown voltage and on the divider ratio of the voltage divider, which is connected to the top electrode at its tap and determines its voltage potential.
  • the cover electrode no longer completely covers the collector region, but only a transition region of the low n-doped collector region and the edge region of a highly n-doped zone adjoining it.
  • the top electrode does not extend to the p-doped base region.
  • the transition region of the base region is covered by the cover electrode, which in this case does not extend to the p-doped zone at a distance.
  • the pn junction between the high-resistance collector region and the p-doped base region can also be passivated by means of a second cover electrode in the case of a semiconductor arrangement designed as a transistor.
  • the second cover electrode is identical to the base metallization of the transistor.
  • this second cover electrode it is also possible to place this second cover electrode on emitter potential, it being necessary in any case to ensure that the two cover electrodes are galvanically separated so that no enrichment breakdown can occur.
  • the maximum achievable breakdown voltage depends only on the depletion breakdown voltage and on the voltage divider ratio of the voltage divider, to the tap of which the first cover electrode, which is remote from the base area, is connected.
  • the voltage potential for the cover electrode is preferably determined by means of a monolithically integrated voltage divider set.
  • the design of such a voltage divider is known from EP-PS 179 099 and from US-PS 4 695 867.
  • the resistors forming the voltage divider can be formed from silicon doped at different levels.
  • the divider resistors can be very easily integrated as strip-shaped zones which are covered with a passivation layer except at connection points. At the connection points, the necessary contact can be made, for example, at the tap of the voltage divider by applying a metal layer.
  • FIG. 1 shows a conventional semiconductor arrangement
  • FIG. 2 shows a first arrangement according to the invention with a cover electrode covering an nn junction
  • FIG. 3 shows an arrangement according to the invention with an additional base cover electrode in the case of an npn transistor
  • FIG. 4 shows the dependence of the breakdown voltage of an arrangement according to the invention on the voltage divider ratio
  • Figure 5 shows a semiconductor device according to the invention, which is designed as a pnp transistor.
  • FIG. 6 shows the top view of a semiconductor arrangement according to the invention with a cover electrode and integrated voltage divider, the base-side part of the voltage divider not being located below the cover electrode metal,
  • FIG. 7 shows the top view of a semiconductor arrangement according to the invention, in which a lower current dependency of the breakdown voltage is achieved.
  • FIG. 8 shows the top view of a semiconductor arrangement according to the invention with an additional base cover electrode, the base-side part of the voltage divider not being underneath metal.
  • Figure 1 shows an arrangement implemented in planar technology, as described in DE-PS 32 275 36.
  • the starting material for the production is silicon, which is weakly doped (n ⁇ ) in the upper region 1 and highly (n "1" ) on the underside 2.
  • the bottom is contacted with metal 3 and is denoted by K.
  • the p- and n + zones 4, 5 on the main surface 6 are produced in a known manner by means of photo technology, doping and diffusion.
  • the p-zone 4 serves as a transistor base and is designated A.
  • the n + -doped emitter zone introduced into the base zone 4 in a bipolar transistor is not shown.
  • the n zone 5 with the bulge 5A can be diffused in simultaneously with the emitter doping.
  • the cover electrode D It limits the space charge zone spreading in the n- region to regions under a cover electrode D formed by a metallization 7 if a reverse voltage U is applied between A and K.
  • the cover electrode D is galvanically separated from zones 1, 4 and S ⁇ by means of oxide 8.
  • the base area 4 is made of metal 9 contacted.
  • the cover electrode D is connected to a voltage divider between A and K formed by resistors R1 and R2 and also monolithically integrable.
  • FIG. 2 shows an arrangement according to the invention with a cover electrode D1, which only covers the high-resistance, weakly doped (n ⁇ ) collector region 1 in the region of a highly doped (n + ) zone 5.
  • the cover electrode D1 thus covers the n + n - U •• transition region and is located at a clear distance from the p-zone 4, which serves as the base region of an npn transistor. For the sake of clarity, the emitter doping in the area of base area 4 was not shown. From the aforementioned U.S. Patent 4,618
  • the formation of the emitter doping can be found in 875.
  • the cover electrode Dl is connected by the tap 12 to the voltage divider formed by the resistors R1 and R2.
  • the voltage divider divides the supply voltage U between the connection points A and K according to its divider ratio.
  • U1 with the depletion breakdown voltage Voltage when using the cover electrode D according to Figure 1 is identical.
  • the breakdown voltage U between A and K is the depletion breakdown voltage which is highly transformed by the voltage divider formed by the resistors R1 and R2.
  • the maximum achievable breakdown voltage U between A and K is more influenced by the enrichment breakdown U2.
  • the upper limit of the breakdown voltage U is only limited by the blocking capability of the pn junction 1, 4 or by the collector-emitter breakdown voltage U CE0 when the npn transistor is open.
  • FIG. 3 shows an embodiment in which the pn ⁇ transition between the high-resistance collector region 1 and the p-doped base region 4 is passivated by means of a second metallic cover electrode D2.
  • the two cover electrodes D1 and D2 do not touch, so that one can speak of a divided cover electrode.
  • the metallization 10, which forms the cover electrode D2 is identical to the base metallization of the transistor. However, it is also possible to set the metallization 10 to emitter potential, but it must be ensured that the metallizations 7 and 10 are galvanically separated. In this embodiment, too, no enrichment breakdown can occur, so that the maximum achievable breakdown voltage U is only determined by the depletion breakdown Ul and the voltage divider ratio in accordance with equation (1) above.
  • FIG. 4 shows the dependence of the breakdown voltage of a semiconductor arrangement with a divided cover electrode (D1 and D2) on the voltage divider ratio.
  • the processing breakdown voltage Ul is 180 V and the enrichment breakdown voltage U2 is 214 V.
  • the resistance R1 is 100 k-ß.
  • the breakdown voltage U between the points A and K is plotted as a function of the voltage divider resistor R2.
  • the breakdown voltage U has the course described by equation (1). Breakdown voltages greater than the sum of the depletion breakdown voltage and the enrichment breakdown voltage are achieved for R2> * 125 k.
  • the example shown is based on an arrangement according to FIG. 2, the resistors R1, R2 being connected externally.
  • the present invention is not limited to npn transistors, but can also be used with pnp transistors, as can be seen in FIG. 5.
  • the high-resistance collector region 1 is weakly p-doped and the zone 4 of the opposite conductivity type is n-doped and in turn forms the base region of a transistor.
  • the p-doped second zone 5 is highly doped, just like the underside 2 of the substrate.
  • the emitter region is also not shown in the illustration in FIG. 5.
  • the cover electrode D1 is located above the collector base transition 1, 4.
  • the polarity of the reverse voltage U is opposite to that previously described. very detailed versions.
  • the transition from the collector region 1 to the highly doped zone 5 can also be covered with metal at the collector potential in the embodiment according to FIG. 5.
  • the enrichment breakdown voltage U2 which is stable in the case of a pnp transistor, is stepped up by the voltage divider.
  • the breakdown voltage U between A and K thus results in the case of pnp transistors from the following equation:
  • 6 to 8 show how an internal voltage limitation with an integrated voltage divider can be implemented on a planar npn Darlington transistor. All metallization edges are drawn in as broken lines.
  • FIG. 6 shows a top view of an example with a missing cover electrode D2 analogous to FIG. 2.
  • the base metalization of the output stage transistor is located completely within the p-doped base region 4.
  • a voltage divider 11 forms an elongated p- diffused from the main surface. conductive zone.
  • the part R1 of the voltage divider 11 on the collector side is covered by the passivation layer (8 in FIG. 2) and the cover electrode D1 running over it. At a certain point 12, the passivation layer 8 is removed below the cover electrode Dl.
  • the contact hole 12 thus formed
  • REPLACEMENT LEAF connects the cover electrode Dl at one point to the voltage divider 11.
  • a contact hole 13 is also opened at the collector-side end of the voltage divider.
  • the highly doped collector layer 5 serving as a stop layer can be contacted at a point 14.
  • a metallization bridge 15 establishes an electrical connection between the collector layer and the end of the voltage divider.
  • the base end of the voltage divider opens directly into the p-doped base zone 4 of the output stage of the Darlington transistor.
  • the base-side part R2 of the voltage divider is not placed under the cover electrode metal D1 in order to avoid the enrichment breakdown.
  • the contacting areas for the output stage base 16, for the driver base 17, for the output stage center 18 and for the driver emitter 19 can also be seen.
  • the output stage center itself is designated 20, the driver emitter 21.
  • the Darlington transistor such as the bleeder resistance of the output stage transistor, inverse diode, etc., are shown. Since in the arrangement according to FIG.
  • the base-side end of the voltage divider (R2) also loses its blocking ability when the breakdown voltage is reached, the breakdown characteristic becomes current-dependent.
  • the oxide is made thicker over the high-resistance collector region 1 in the vicinity of the resistor R2. This increases the depletion breakdown voltage in this area, so that the voltage divider resistor R2 retains its blocking ability.
  • the voltage divider resistor can also be introduced by one or two separate p-doping steps. As a result, large resistances or different temperature coefficients can be achieved. In addition, the voltage divider resistance can be made adjustable.
  • FIG. 8 shows an example with an additional cover electrode D2 (split cover electrode).
  • the base-collector junction (4, 1) is then almost completely covered with metal separated from oxide.

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Abstract

Es wird eine monolithisch integrierte Halbleiteranordnung vorgeschlagen, bei der an der Hauptoberfläche eines monolithisch integrierten npn-Transistors oder pnp-Transistors eine Deckelektrode (D1) zur internen Spannungsbegrenzung angebracht wird, die einen einzigen Übergangsbereich zwischen einer hochdotierten Zone (5) und dem schwachdotierten Substrat (1) überdeckt. Eine benachbarte hochdotierte Zone (4) wird von der Deckelektrode (D1) nicht überdeckt. Durch Anschluß der metallischen Deckelektrode (D1) an den Abgriff (12) eines Spannungsteilers (R1, R2) läßt sich eine Durchbruchsspannung einstellen, die größer ist als die Summe der Verarmungsdurchbruchsspannung und der Anreicherungsdurchbruchsspannung.

Description

Monolithisch integrierte Halbleiteranordnunσ
Stand der Technik
Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierte Halb¬ leiteranordnung gemäß der Gattung des Hauptanspruchs.
Es sind Halbleiteranordnungen bekannt, die zur Begrenzung der Durchbruchsspannung von Transistoren, insbesondere von Darlington-Transistoren, über dem Raumladungsgebiet eine durch Oxid getrennte metallische Deckelektrode besitzen, die mittels eines Spannungsteilers auf ein bestimmtes Po¬ tential zwischen Basis und Kollektor gelegt wird. Die Durchbruchsspannung wird im wesentlichen 'durch das Span¬ nungspotential der Deckelektrode und durch die Dicke des Oxides bestimmt.
Aus der US-PS 4 618 875 ist eine derartige Darlington- Transistorschaltung bekannt, bei der die Deckelektrode an der Oberfläche des Substrats ausgebildet ist und sich über zwei im Abstand angeordnete, entgegengesetzt dotierte Zo¬ nen erstreckt. Die maximal erreichbare Durchbruchsspannung entspricht dem Spannungswert, der sich aus der Summe von Anreichungsdurchbruchsspannung und Verarmungsdurchbruchs- spannung ergibt. Dabei ist jedoch zu berücksichtigen, daß die in Planarprozessen üblicherweise verwendeten ter i- schen Oxide nicht beliebig dick gemacht werden können, weshalb die mit einer solchen Anordnung maximal erreichba¬ re Spannung begrenzt ist. Vorteile der Erfindung
Eine monolithisch integrierte Halbleiteranordnung mit den Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß die DurchbruchsSpannungen nur von der Verarmungsdurch¬ bruchsSpannung und von dem Teilerverhältnis des Spannungs¬ teilers abhängig sind, der an seinem Abgriff mit der Deckelektrode verbunden ist und deren Spannungspotential bestimmt. Bei einem npn-Transistor überdeckt die Deckelek¬ trode das Kollektorgebiet nicht mehr vollständig, sondern nur noch einen Übergangsbereich des niedrig n-dotierten Kollektorgebiets und den Randbereich einer daran angren¬ zenden hoch n-dotierten Zone. Die Deckelektrode reicht bei einem npn-Transistor nicht bis zum p-dotierten Basisgebiet. Dagegen wird bei einem pnp-Transistor gerade der Übergangsbereich des Basisgebiets von der Deckelektro¬ de überdeckt, die in diesem Fall nicht bis zu der im Ab¬ stand befindlichen p-dotierten Zone reicht.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung kann auch der pn- Übergang zwischen dem hochohmigen Kollektorgebiet und dem p-dotierten Basisgebiet bei einer als Transistor ausgebil¬ deten Halbleiteranordnung mittels einer zweiten Deckelek¬ trode passiviert sein. Die zweite Deckelektrode ist mit der Basismetallisierung des Transistors identisch. Es ist aber auch möglich, diese zweite Deckelektrode auf Emitter¬ potential zu legen, wobei in jedem Fall sichergestellt sein muß, daß die beiden Deckelektroden galvanisch ge¬ trennt sind, so daß kein Anreicherungsdurchbruch auftreten kann. Auch bei dieser Ausführung ist die maximal erreich¬ bare DurchbruchsSpannung nur von der Verarmungdurchbruchs- spannung und von dem Spannungsteilerverhältnis des Span¬ nungsteilers abhängig, an dessen Abgriff die vom Basisge¬ biet entfernte erste Deckelektrode angeschlossen ist.
Das Spannungspotential für die Deckelektrode wird vorzugs¬ weise mittels eines monolithisch integrierten Spannungs- teilers eingestellt. Die Ausführung eines derartigen Span¬ nungsteilers ist aus der EP-PS 179 099 sowie aus der US-PS 4 695 867 bekannt.
Um eine Temperaturkompensation der DurchbruchsSpannung zu erreichen, können die den Spannungsteiler bildenden Wider¬ stände aus unterschiedlich hoch dotiertem Silizium gebil¬ det werden.
Sehr einfach lassen sich die Teilerwiderstände als strei- fenförmige Zonen integrieren, die ausgenommen an Anschlu߬ punkten mit einer Passivierungsschicht bedeckt sind. An den Anschlußpunkten kann durch Aufbringen einer Metall¬ schicht die erforderliche Kontaktierung beispielsweise am Abgriff des Spannungsteilers erfolgen.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Un¬ teransprüchen gekennzeichnet.
Zeichnung
Die Erfindung wird nachfolgend anhand einer herkömmlichen Halbleiteranordnung und weiterer erfindungsgemäßer Ausfüh¬ rungsformen näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1 eine herkömmliche Halbleiteranordnung,
Figur 2 eine erste erfindungsgemäße Anordnung mit einer einen nn-Übergang überdeckenden Deckelektrode,
Figur 3 eine erfindungsgemäße Anordnung mit einer zusätz¬ lichen Basisdeckelektrode bei einem npn-Transistor,
Figur 4 die Abhängigkeit der Durchbruchsspannung einer er¬ findungsgemäßen Anordnung vom Spannungsteilerverhältnis, Figur 5 eine erfindungsgemäße Halbleiteranordnung, die als pnp-Transistor ausgebildet ist.
Figur 6 die Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Halblei¬ teranordnung mit Deckelektrode und integrierten Spannungsteiler, wobei der basisseitige Teil des Span¬ nungsteilers nicht unter Deckelektrodenmetall liegt,
Figur 7 die Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Halbleiteranordnung, bei der eine geringere Stromabhängig- ' keit der DurchbruchsSpannung erreicht ist, und
Figur 8 die Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Halblei- teranordnuπg mit einer zusätzlichen Basisdeckelektrode, wobei der basisseitige Teil des Spannungsteilers nicht un¬ ter Metall liegt.
Figur 1 zeigt eine in Planartechnik ausgeführte Anordnung, wie sie in der DE-PS 32 275 36 beschrieben ist. Das Aus¬ gangsmaterial für die Herstellung ist Silizium, das im oberen Bereich 1 schwach (n~) und auf der Unterseite 2 hoch (n"1") dotiert ist. Die Unterseite ist mit Metall 3 kontaktiert und wird mit K bezeichnet. Die p- und n+-Zonen 4, 5 auf der Hauptoberfläche 6 sind in bekannter Weise mittels Fototechnik, Dotierung und Diffusion hergestellt. Die p-Zone 4 dient als Transistorbasis und wird mit A bezeichnet. Der Übersichtlichkeit halber ist die bei einem bipolaren Transistor in die Basiszone 4 eingebrachte n+ -dotierte Emitterzone nicht gezeichnet. Die n -Zone 5 mit der Ausbuchtung 5A kann gleichzeitig mit der Emitterdotie¬ rung eindiffundiert werden. Sie begrenzt die sich im n- -Gebiet ausbreitende Raumladungszone auf Gebiete unter ei¬ ner von einer Metallisierung 7 gebildeten Deckelektrode D, wenn zwischen A und K eine Sperrspannung U angelegt wird. Die Deckelektrode D ist mittels Oxid 8 von den Zonen 1, 4 und Sσalvanisch getrennt. Das Basisgebiet 4 ist mit Metall 9 kontaktiert. Die Deckelektrode D wird an einem durch Wi¬ derstände Rl und R2 gebildeten, auch monolithisch inte¬ grierbaren Spannungsteiler zwischen A und K angeschlossen. Die im Fall von Rl bzw. R2 = 0 zwischen A und K erreichba¬ ren Durchbruchsspannungen sind U2 bzw. Ul, wobei U2 die Anreicherungs- und Ul die Verarmungsdurchbruchsspannung der durch die Deckelektrode D, durch das darunterliegende Oxid 8 und durch das Silizium gebildete MOS - Struktur ist.
Die maximal erreichbare Durchbruchsspannung ist Ul + U2, wenn Rl : R2 = Ul : U2 erfüllt ist. Da die in Planarpro- zessen üblicherweise verwendeten thermischen Oxide nicht beliebig dick gemacht werden können, ist die mit einer solchen Anordnung maximal erzielbare Spannung begrenzt.
In Figur 2 ist eine erfindungsgemäße Anordnung mit einer Deckelektrode Dl gezeigt, die das hochohmige, schwach do¬ tierte (n~) Kollektorgebiet 1 nur im Bereich einer hochdo¬ tierten (n+) Zone 5 überdeckt. Die Deckelektrode Dl über- deckt somi•t den n+n--U••bergangsbereich und befindet sich in deutlichem Abstand von der p-Zone 4, die als Basisgebiet eines npn-Transistors dient. Der Übersichtlichkeit wegen wurde die Emitterdotierung im Bereich des Basisgebiets 4 nicht eingezeichnet. Aus der bereits genannten US-PS 4 618
875 kann die Ausbildung der Emitterdotierungen entnommen werden.
Die Deckelektrode Dl ist durch den Abgriff 12 an den durch die Widerstände Rl und R2 gebildeten Spannungsteiler angeschlossen. Der Spannungsteiler teilt die zwischen den Anschlußpunkten A und K liegende Versorgungsspannung U entsprechend seinem Teilerverhältnis.
Beim Anlegen einer Sperrspannung zwischen A und K ist die für den Fall R2 = 0 zwischen A und K erreichbare Durch¬ bruchsspannung Ul, wobei Ul mit der Verarmungεdurchbruchs- Spannung bei Verwendung der Deckelektrode D gemäß Figur 1 identisch ist. Die DurchbruchsSpannung U zwischen A und K ist die von dem durch die Widerstände Rl und R2 gebildeten Spannungsteiler hochtransformierte Verarmungsdurch¬ bruchsSpannung. Man erhält:
U = Ul * (1 +R2 /Rl) (1)
Die maximal erreichbare DurchbruchsSpannung U zwischen A und K ist mehr durch den Anreicherungsdurchbruch U2 beeinflußt. Die obere Grenze der Durchbruchsεpannung U ist nur noch von der Sperrfähigkeit des pn-Überganges 1, 4 bzw. von der Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung UCE0 bei offener Basis des npn-Transistors begrenzt.
In Figur 3 ist eine Ausführungsform gezeigt, bei der der pn~-Übergang zwischen dem hochohmigen Kollektorgebiet 1 und dem p-dotierten Basisgebiet 4 mittels einer zweiten metallischen Deckelektrode D2 passiviert ist. Die beiden Deckelektroden Dl und D2 berühren sich nicht, so daß von einer geteilten Deckelektrode gesprochen werden kann. Da¬ bei ist die Metallisierung 10, die die Deckelektrode D2 bildet, mit der Basismetalliεierung deε Transistors identisch. Es ist jedoch auch möglich, die Metallisierung 10 auf Emitterpotential zu legen, wobei jedoch sicherge¬ stellt sein muß, daß die Metallisierungen 7 und 10 galva¬ nisch getrennt sind. Auch bei dieser Ausführung kann kein Anreicherungsdurchbruch auftreten, so daß die maximal er¬ reichbare DurchbruchsSpannung U nur vom Verarmungsdurch¬ bruch Ul und dem Spannungsteilerverhältniε entsprechend obiger Gleichung (1) bestimmt ist.
Für den Fall, daß man die beiden Deckelektroden Dl und D2 elektrisch miteinander verbindet und an den Spannungstei¬ ler Rl, R2 schaltet, erhält man ein zur herkömmlichen Deckelektrode D (Figur 1) völlig identisches Durchbruchsverhalten, insbesondere ist dann die maximal erreichbare Durchbruchsspannung wieder die Summe der An- reicherungsdurchbruchsspannung und der Verarmungsdurch- bruchsspannung (Ul + U2).
In Figur 4 ist die Abhänigkeit der Durchbruchsspannung ei¬ ner Halbleiteranordnung mit geteilter Deckelektrode (Dl und D2) vom Spannungsteilerverhältnis dargestellt. Die Verar ungsdurchbruchsspannung Ul beträgt dabei 180 V und die Anreicherungsdurchbruchsspannung U2 beträgt 214 V. Der Widerstand Rl ist 100 k-ß.. Die Durchbruchsspannung U zwi¬ schen den Punkten A und K ist als Funktion vom Spannungs¬ teilerwiderstand R2 aufgetragen. Die Durchbruchsspannung U hat den von Gleichung (1) beschriebenen Verlauf. Für R2>* 125 kß.werden Durchbruchsspannungen erreicht, die größer als die Summe der Verarmungsdurchbruchsspannung und Anrei- cherungsdurchbruchsspannung sind. Das dargestellte Bei¬ spiel geht von einer Anordnung gemäß Figur 2 aus, wobei die Widerstände Rl, R2 extern angeschlossen sind.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf npn-Transistoren beschränkt, sondern kann auch bei pnp-Transistoren Anwen¬ dung finden, wie dies in Figur 5 ersichtlich ist. Dabei ist das hochohmige Kollektorgebiet 1 schwach p-dotiert und die Zone 4 vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp ist n- dotiert und bildet wiederum das Basisgebiet eines Transistors. Im Abstand von dieser ersten Zone 4 befindet sich an der Hauptoberfläche 6 eine zweite, hochdotierte Zone 5 mit einer Ausbuchtung 5A des gleichen Leitfähig¬ keitstyps wie das das Kollektorgebiet 1 bildende Substrat. Die p-dotierte zweite Zone 5 ist jedoch hochdotiert, eben¬ so wie die Unterseite 2 des Substrats. Auch bei der Dar¬ stellung in Figur 5 ist der Übersichtlichkeit wegen wiede¬ rum das Emittergebiet nicht eingezeichnet.
Die Deckelektrode Dl befindet sich bei dieser Ausführungs¬ form über dem Kollektor-Basisübergang 1, 4. Die Polarität der Sperrspannung U ist entgegengesetzt zu den zuvor be- sehriebenen Ausführungen.
Analog zu Figur 3 kann auch bei der Ausführung gemäß Figur 5 der Übergang vom Kollektorgebiet 1 zur hochdotierten Zo¬ ne 5 mit auf Kollektorpptential befindlichem Metall über¬ deckt sein. Beim Anlegen einer Sperrspannung zwischen A und K wird die im Fall eines pnp-Transistors stabile -Anreicherungdurchbruchsspannung U2 durch den Spannungs¬ teiler hochtransformiert. Die DurchbruchsSpannung U zwi¬ schen A und K ergibt sich somit bei pnp-Transistoren aus folgender Gleichung:
U = U2 * (1 + Rl / R2> (2)
Bei der monolithischen Integration des Spannungsteilers, der auch abgleichbar ausgeführt sein kann, darf es keine Bereiche geben, in denen ein Anreicherungsdurchbruch auf rit .
Anhand von Figur 6 bis 8 ist gezeigt, wie eine interne Spannungsbegrenzung mit integriertem Spannungsteiler an einem planaren npn-Darlingtontransistor realisiert werden kann. Dabei sind alle Metallisierungskanten als unterbro¬ chene Linien eingezeichnet.
Figur 6 zeigt in der Draufsicht ein Beispiel mit fehlender Deckelektrode D2 analog zu Figur 2. Die Basismetallisie¬ rung des Endstufentransistors befindet sich vollständig innnerhalb des p-dotierten Basisgebietes 4. Ein Spannungs¬ teiler 11 bildet eine von der Hauptoberfläche eindiffun¬ dierte langgestreckte p-leitende Zone. Der kollektorseiti- ge Teil Rl des Spannungsteilers 11 ist von der Passivie- rungsschicht (8 in Figur 2) und der darüber hinweg verlau¬ fenden Deckelektrode Dl überdeckt. An einer bestimmten Stelle 12 ist die Passivierungsschicht 8 unterhalb der Deckelektrode Dl entfernt. Das so gebildete Kontaktloch 12
ERSATZBLATT schließt die Deckelektrode Dl an einer Stelle an den Span¬ nungsteiler 11 an. Am kollektorseitigen Ende des Span¬ nungsteilers ist ebenfalls ein Kontaktloch 13 geöffnet. Außerdem ist die als Stoppschicht dienende hochdotierte Kollektorschicht 5 an einer Stelle 14 kontaktierbar. Eine Metallisierungsbrücke 15 stellt eine elektrische Verbin¬ dung von Kollektorschicht und Spannungsteilerende her.
Das basisseitige Ende des Spannungsteilers mündet direkt in die p-dotierte Basiszone 4 der Endstufe des Darlingtontransistors. Der basisseitige Teil R2 des Span¬ nungsteilers ist nicht unter das Deckelektrodenmetall Dl gelegt, um den Anreicherungsdurchbruch zu vermeiden. Wei¬ ter erkennt man die Kontaktierungsflachen für die Endstu¬ fenbasis 16, für die Treiberbasis 17, für den Endstufene¬ mitter 18 und für den Treiberemitter 19. Der Endstufene¬ mitter selber ist mit 20, der Treiberemitter mit 21 bezeichnet. Der Übersichtlichkeit halber sind nicht alle Details des Darlingtontransistors wie Ableitwiderstand des Endstufentransistors, Inversdiode etc. eingzeichnet. Da in der Anordnung nach Figur 6 bei Erreichen der Durchbruchs¬ spannung auch das basisseitige Ende des Spannungsteilers (R2) seine Sperrfähigkeit verliert, wird die Durchbruchs¬ kennlinie stromabhängig. Um dies zu verhindern, wird das Oxid über dem hochohmingen Kollektorgebiet 1 in der Umge¬ bung des Widerstandes R2 dicker ausgeführt. Dadurch wird die Verarmungsdurchbruchsspannung in diesem Bereich erhöht, so daß der Spannungsteilerwiderstand R2 seine Sperrfähigkeit behält.
Der Spannungsteilerwiderstand kann auch durch einen oder zwei gesonderte p-Dotierschritte eingebracht werden. Da¬ durch lassen sich große Widerstände bzw. verschiedene Tem¬ peraturkoeffizienten erzielen. Außerdem kann der Span¬ nungsteilerwiderstand abgleichbar ausgeführt werden.
Eine weitere einfache Möglichkeit stromunabhängige Durch-
ERSATZBLATT bruchskennlinien zu erhalten, ohne die Maßnahme der Oxid¬ dickenverringerung anzuwenden, ist in dem Ausführungsbei¬ spiel Figur 7 gezeigt. Dabei wird die Dl-Metallisierung in Bereichen des Spannungsteilerwiderstandes R2 weggelassen. Somit tritt in diesem Bereich kein Verarmungsdurchbruch auf und der Widerstand R2 veliert seine Sperrfähigkeit nicht.
Figur 8 zeigt ein Beispiel mit zusätzlicher Deckelektrode D2 (geteilte Deckelektrode) . Der Basis-Kollektor-Übergang (4, 1) ist dann fast vollständig mit von Oxid getrenntem Metall überdeckt.

Claims

Patentansprüche
1. Monolithisch integrierte Halbleiteranordnung mit wenig¬ stens einem pn-Übergang, der durch das einen bestimmten Leitfähigkeitstyp aufweisende Substrat und eine in die Hauptoberfläche des Substrat eindiffundierte erste Zone entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, mit ei¬ ner im Abstand von dieser ersten Zone in der Hauptoberflä¬ che eindiffundierten zweiten, hochdotierten Zone des glei¬ chen Leitfähigkeitstyps wie das Substrat und mit wenig¬ stens einer die Hauptoberfläche teilweise bedeckenden Passivierungsschicht, auf der mindestens eine metallische Deckelektrode aufgebracht ist, die an ein Spannungspoten¬ tial angeschlossen ist, dessen Wert zwischen dem Potenti¬ alwert der ersten Zone und dem einer an der Unterseite des Substrats ausgebildeten Metallisierung liegt, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Halbleiteranordnung mit n- dotiertem Substrat (1) die Deckelektrode (Dl) im Abstand von der ersten, p-dotierten Zone (4) angeordnet ist und die n-dotierte zweite Zone (5) sowie einen Teil der an die zweite Zone (5) angrenzenden Substratoberfläche überdeckt, während bei einer Halbleiteranordnung mit p-dotiertem Sub¬ strat die Deckelektrode (Dl) im Abstand von der zweiten, p-dotierten Zone (5) angeordnet ist und die n-dotierte er¬ ste Zone (4) sowie einen Teil der an die erste Zone (4) angrenzenden Substratoberfläche überdeckt.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basismetallisierung (9) der als npn-Transistor ausgebildeten Halbleiteranordnung eine zweite Deckelektrode (D2) bildet, die den Raπdbereich zwi¬ schen Basiszone (4) und angrenzendem Substrat (1) überdeckt.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckelektrode (Dl) an den Abgriff (12) eines monolithisch integrierten Spannungsteilers (11) angeschlossen ist.
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die den Spannungsteiler bildenden Wi¬ derstände (Rl, R2) zur Temperaturkompensation der Durch- bruchspannung aus unterschiedlich dotiertem Silizium ge¬ bildet sind.
5. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände (Rl, R2) durch eine streifenförmige Zone (11) gebildet sind, die in das Subsrrat (1) eindiffundiert ist und an ihren Enden einer¬ seits die erste Zone (4) und andererseits die zweite Zone (5) berührt und von der Passivierungεschicht (8) bis auf den Teilerabgriff (12) bedeckt sind.
6. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Anordnung als npn-Transistor der an einem Ende auf dem Potential der unteren Metallisierung (3) des Substrats (1) liegende Tei¬ lerwiderstand (Rl) durch die Metallisierung (7) der Decke¬ lektrode (Dl) überdeckt ist, während der andere Teilerwi¬ derstand (R2) nicht oder allenfalls teilweise von dieser Metallisierung (7) überdeckt ist.
7. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die die Deckelek- trode (Dl) bildende Metallisierung (7) bei einer als npn- Transistor ausgebildeten Anordnung die an der Hauptober¬ fläche (6) ausgebildeten Übergangsbereiche zwischen der zweiten Zone (5) und dem Substrat (1) vollständig überdeckt.
8. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer als npn-Transistor ausgebildeten Anordnung die an der Hauptoberfläche (6) be¬ findlichen Übergangsbereiche zwischen der zweiten Zone (5) und dem Substrat (1) bis auf die Stellen von der die Deckelektrode (Dl) bildenden Metallisierung (7) überdeckt sind, wo dieser Bereich dem mit der Basis verbundenen Tei¬ lerwiderstand (R2) gegenüberliegt.
9. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der ersten Zone (4) und einem Widerstandsstreifen (11) eine streifen- förmige Ausbuchtung (5A) der zweiten Zone (5) in das Sub¬ strat (1) diffundiert ist, die die erste Zone (4) nicht berührt, und den Widerstandsstreifen (11) allenfalls in der Nähe seiner Einmündung in die zweite Zone (5).
10. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die über dem Sub¬ strat (1) liegende Passivierungsschicht (8) im Bereich zwischen der ersten Zone (4) und der zweiten Zone (5,5A) dünner ist als zwischen dem Widerstandsstreifen (11) und der zweiten Zone (5,5A).
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