WO1993024925A1

WO1993024925A1 - Substrat de ceramique, procede de production et dispositif de blocage par le vide du substrat mettant en ×uvre une plaque de blocage par le vide en ceramique

Info

Publication number: WO1993024925A1
Application number: PCT/JP1993/000120
Authority: WO
Inventors: Hideto Kamiaka; Yukio Kishi
Original assignee: Nihon Ceratec Co Ltd; Nihon Cement Co Ltd
Current assignee: Taiheiyo Cement Corp; NTK Ceratec Co Ltd
Priority date: 1992-05-26
Filing date: 1993-02-02
Publication date: 1993-12-09
Anticipated expiration: 1994-11-26
Also published as: DE69325034D1; EP0673023A4; KR0155186B1; DE69325034T2; EP0673023B1; US5834106A; KR950701442A; EP0673023A1

Description

明細書

発明の名称

セラミック基板およびその製造方法、およびセラミック吸着板を用いた基板吸着装置

技術分野

本発明は、セラミック基板およびその製造方法、およびセラミツク吸着板を用いた基板吸着装置に関する。

詳しくは、本発明は、ハードディスク用基板及びその製造方法に関し、特に酸化チタン又は酸化アルミニウム焼結体で形成したセラミック基板からなるハードディスク用基板及びその製造方法に関する。

また、本発明は、基板上に下部薄膜電極、誘導体薄膜、上部薄膜電極を形成した構造を有する薄膜チップコンデンサに関し、特に該基板として酸化チタン又は酸化アルミニウム焼結体で形成したセラミック基板を使用する薄膜チップコンデンサに関する。

また、本発明は、基板上に下部薄膜電極、誘電体薄膜、上部薄膜電極を形成した構造を有する薄膜チップコンデンサにおいて、基板兼下部薄膜電極として、或いは、さらに誘電体薄膜としても兼用する酸化チタン基板からなる薄膜チップコンデンサに関する。

さらに、本発明は、ハイプリッド I c用セラミック基板及びその製造方法に関し、特に薄膜回路を形成するためのハイプリッド I c 用セラミック基板及びその製造方法に関する。

さらにまた、本発明は、薄板を吸着移動又は吸着固定する吸着板を備えた基板吸着装置に閬し、特に半導体ゥュハ等の薄板を吸着して移動したり、吸着固定するゥヱハハンド又はゥヱハホルダに係る基板吸着装置に関する。

R京技 ί小; Γ

記録用磁気ディスク円板に非磁性金属円板を使用する磁気ディスク記憶装置（ハードディスク）の代表例として、ウィンチヱスターディスクが従来より知られている。

このウィンチエスタ一ディスクは、取り外し不可能な、あるいは、密閉されているディスクパックで特徴づけられるディスク記憶装置であり、記録用磁気ディスク及びそのディスク面上に浮上させて配置した読書きへッドを備えたものである。

上記記録用磁気ディスクは、平滑な基板（ハードディスク用基板）を用い、この基板上に情報を記録する磁性体層が形成されている。

そして、この種のハードディスク用基板としては、従来からアルミ又はアルミ合金等の金属基板が使用されている。

ところで、今日、この種のハードディスクの高容量化に対する研究開発が盛んに行われており、高容量化を達成するためには、前記したへッドの浮上量を小さくすることが不可欠である。

このへッドの浮上量を小さくするためには、ディスク用基板の平坦度を小さくすることが必要であるが、従来から使用されているァルミ又はアルミ合金等の金属基板では、限界にきており、より平坦な基板を作製することが困難である欠点を有している。

平坦度については、金属基板よりもセラミック基板のほうがより容易に作製することができるため、セラミックからなるハードディスク用基板の出現が要望されている。

しかしながら、セラミック基板では、平坦な基板を作製することができる力その表面に 3 m径以上の大径のポア一が多数生成す 1 0

るという欠点があり、表面にポア一が存在しないセラミック基板が得られないという問題があった。

そこで、本発明は、基板表面に 3 m径以上の大きな径のポア一が極めて少ないセラミック製のハードディスク用基板及びその製造方法を提供することによって、ハードディスクの高容量化を可能とするハードディスク用基板を提供することを第 1 の目的とする。

また、現在、チップコンデンサは、積層チップコンデンサが主流であるが、これは工程が複雑であること、並びに、高容量化していくためには積層数を増加しなくてはならず、そのための工程が煩雑であること等のために近年薄膜でチップコンデンサを形成する研究が盛んに行われている。

しかしながら、薄膜チップコンデンサは、電極及び誘電体層の厚さが数 m以下で形成されるので、この薄膜電極及び薄膜誘電体を形成する基板の表面に大きなボア一が存在すると、耐圧不良を起こしたり、極端な場合にはコンデンサを形成しなくなる等の問題が生ずる。このため該基板の表面にポア一の少ないセラミック基板が今日強く要望されている。

本発明は、上記要望に沿うセラミツク基板を使用する薄膜チップコンデンサを提供することを第 2 の目的とする。すなわち、本発明は、基板表面に 3 / m径以上の大きな径のポア一が極めて少ない酸化チタン又は酸化アルミニウムからなるセラミック基板を用いた薄膜チップコンデンサを提供することによって、高容量化を可能とする薄膜チップコンデンサを提供することを目的とする。

また、本発明は、表面に 3 m径以上の大きな径のポア一が極めて少ない酸化チタン基板を用い、基板兼下部薄膜電極として、或いは、さらに誘電体薄膜としても兼用する酸化チタン基板からなる薄膜チップコンデンサを提供することを目的とする。

さらに、従来より、ハイプリッド I C用絶緣基板として、従来から種々のセラミック基板が使用されている。しかし、例えば酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板からなるセラミック基板では、その表面に 3 μ m径以上の大径のボァ一が多数存在し、ハイブリッド I C用絶縁基板として不適当であった。

そこで、現在、この基板表面のボァーをなくすため、セラミック基板上にガラスをコ一ティングし、ガラス層被覆セラミック基板として使用されている。

ところで、 I Cの高集積化に伴い、 I Cを搭載する基板の高密度配線化が今日重要な課題となつており、高密度配線化するために、配線のフアイン化技術が盛んに研究されている。

そして、配線のファイン化が進むにつれて、配線を形成する基板の表面に存在するボア一及びその数、特に 3 0 m径以上という大径のボア一の存在が問題となっている。

上記問題点を解消するため、前記したとおり、ガラス層被覆セラミック基板が用いられているが、この基板では、ガラス層を被覆するという煩雑な工程を必要とするのみならず、基板作製時又は配線形成時にガラス層とセラミック基板とが剥離したり、あるいは、配線形成丰段によってはガラス層被覆基板が使用できない等の欠点を有している。

そこで、ハイプリッド I C用絶緣基板として、ガラス等をコーテイングしない、しかも、表面にポア一を有しない単独成分のセラミック基板の出現が強く要望されている。本発明は、上記要望に沿うセラミックからなるハイブリッド I C 用基板及びその製造方法を提供することを第 3 の目的とする。

すなわち、本発明は、基板表面に 3 ^ m径以上のポア一が極めて少なく、しかも、 3 0 m径以上のボア一が皆無であるハイプリッド I C用セラミツク基板及びその製造方法を提供することを目的として、基板に形成する配線のファイン化を可能とし、配線の高密度化を可能とするハイプリッド I C用セラミック基板を提供することを目的とする。

さらにまた、従来より、半導体集積回路の製造装置に組み込まれるゥヱハハンド及びゥヱハホルダは、吸着板を通じて、真空吸着によりウェハを移動するため及びウェハを真空吸着固定するために使用されている。

このゥヱハハンド及びゥヱハホルダ用吸着板としては、従来、ァルミナで作製された吸着板、即ち、絶緣体であるアルミナ製の吸着板が使用されている。

ところで、 I Cの製造工程では、極端にゴミが嫌われており、このゴミに対する配慮がなされている力く、従来のアルミナ製吸着板の場合、この吸着板に静電気が帯電しやすく、この静電気によりゴミが吸着しやすい欠点を有している。

この欠点を解消するために、即ち、アルミナ製吸着板に帯電する静電気を除去するために、この吸着板に導体をコーティングする等の手段が従来から提案されている。

しかしながら、導体をコーティングする手段では、煩雑な工程を必要とする等問題点が多く、そのため、このような手段を要しないセラミック製吸着板が望まれていた。即ち、従来の絶緣体であるアルミナ製の吸着板と異なり、比抵抗が小さく、静電気が帯電しないセラミック製吸着板が要望されている。

また、吸着板表面に多数のポア一が存在する場合、特に大径のポァ一（例えば 3 m径以上のポア一）が多数存在すると、

(a) このポア一にゴミ、塵埃などが付着し、これが半導体製造工程中に混入する等の問題が生じ、さらには、

(b) このポア一内にガスなどが吸着し、そのため半導体ゥハ等の薄板の吸着能、保持能を低下させる。

という問題が生ずる。

従って、前記要望に加え、さらに上記問題点 (a)及び (b)をも解消する吸着板、即ち、比抵抗が小さく、しかも、吸着板表面にポア一が極めて少ないセラミック製吸着板の出現が今日強く要望されている , そこで、本発明は、上記要望に沿うセラミツク製吸着板を備えた基板吸着装置を提供することを第 4 の目的とする。

すなわち、本発明は、比抵抗が小さく、しかも、表面にポア一が極めて少ないセラミック製吸着板を備えた基板吸着装置を提供することによって、静電気対策が容易であり、半導体の高集積化、高歩留りに大きく貢献することができるセラミック製吸着板を備えた基板吸着装置を提供することを目的とする。

発明の開示

本発明は、第 1 の目的を達成するために、酸化チタン製基板又は酸化アルミニウム製基板から ^り、その表面における 3 m径以上のポア一を 1 0 0個以下 Z m m ² としたセラミック基板によってハードディスク用基板を構成した。また、本発明のハードディスク用基板を製造する方法として、特定の平均粒径及び特定の純度を有する酸化チタン又は酸化アルミニウム粉末を原料とし、特定焼成条件で焼成した。

即ち、本発明のハードディスク用基板は、基板表面に存在する 3 〃 111径以上のポア一数が l mm² 当り 1 0 0個以下である酸化チタン又は酸化アルミニウム基板からなることを要旨とするものである < また、ハードディスク用基板を製造する方法として、酸化チタン基板の製造方法は、

(A) 平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0〜 1 3 0 O 'Cで大気雰囲気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成すること、

(B) 得られた焼結体をさらに 5 0 0 k gノ c m² 以上の圧力下で H I P処理すること、

(C) H I P処理後、さらに 7 0 0〜 9 0 0 'Cで加熱すること、を要旨としている。

また、本発明の酸化アルミニウム基板の製造法は、

(A) 平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化アルミニウム粉末を成形した後、 1 2 0 0〜 1 4 0 O 'Cで大気雰囲気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成すること、

(B) 得られた娆結体をさらに 5 0 0 k g , c m² 以上の圧力下で H I P処理すること、

を要旨するものである。

また、本発明は、第 2 の目的を達成するために、薄膜チップコンデンサの基板として、酸化チタン又は酸化アルミニウム基板からなり、その表面に存在する 3 // m柽以上のポア一数が 1 0 0個/ m m 以下の基板を用いた。また、酸化チタン基板にあっては、基板用以外に下部薄膜電極又はさらに誘電体薄膜としても兼用する基板を用いた。

即ち、本発明の薄膜チッブコンデンサ基板上に下部 11膜電極、誘電体薄膜、上部薄膜電極を形成してなる薄膜チップコンデンサにおいて、上記基板として、表面に存在する 3 m径以上のポア一数が l m m ² 当り 1 0 0個以下である酸化チタン基板又は酸化アルミ二ゥム基板からなることを要旨とする。

また、本発明の薄膜チップコンデンサは、基板上に下部薄膜電極誘電体薄膜、上部薄膜電極を形成してなる薄膜チップコンデンサにおいて、表面に存在する 3 // m径以上のポア一数が l m m ^z 当たり 1 0 0個以下であり、かつ、半導体化した酸化チタン基板からなり該基板を前記基材兼下部薄膜電極として用いることを要旨とする。

さらに、本発明の薄膜チップコンデンサは、基板上に下部薄膜電極、誘電体薄膜、上部薄膜電極を形成してなる薄膜チップコンデンザにおいて、表面に存在する 3 m径以上のポア一数が l m m ² 当たり 1 0 0 個以下であり、かつ、表面を铯緣体化した半導体化酸化チタン基板からなり、該基板を前記基板兼下部薄膜電極として、上記絶緣体化した表面を前記誘電体薄膜として用いることを要旨とするものである。

さらに、本発明は、第 3 の目的を達成するために、表面にガラスコーティング等の被覆処理が施されていない酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板であって、この基板表面に 3 ;t m径以上のポア —が 1 0 0個ノ m m ² 以下と極めて少なく、また、 3 0 / m径以上のボア一が皆無であるハイプリッド I C用セラミック甚板を構成しまた、該基板を製造する方法として、特定の平均粒径及び特定の純度を有する酸化チタン又は酸化アルミニウム粉末を原料とし、特定焼成条件で焼成した。

即ち、本発明のハイプリッド I c用セラミック基板は、表面にガラスコーティング等の被覆処理が施されていない酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板からなり、該基板表面に存在する 3 / m径以上のポア一が l mm² 当たり 1 0 0個以下であり、 3 0 / m径以上のポア一が存在しない上記酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板からなることを要旨とする。

また、本発明のハイブリッド I C用セラミック基板を製造する方法として、酸化チタン基板の製造法は、

(A) 平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0 〜 1 3 0 0 'Cで大気雰囲気又は不活性雰囲気中で焼成すること、

(B) 上記（A) で得られた焼結体を 5 0 0 k gノ c m² 以上の圧力下で H I P処理しさらに 7 0 0 - 9 0 0 てで加熱処理すること、

(C) 上記（A) の大気雰囲気又は不活性雰囲気に代えて還元雰囲気中で焼成し、さらに 7 0 0 〜 9 0 0 てで加熱処理すること、

(D) 上記（A) の大気雰囲気又は不活性雰囲気に代えて還元雰囲気中で焼成し、 5 0 0 k g / c m² 以上の圧力下で H I P処理し、さらに 7 0 0 〜 9 0 0 てで加熱処理することを要旨とする。

さらに、本発明の酸化アルミニウム基板の製造方法は、

(A) 平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 2 0 0 〜 1 4 0 O 'Cで大気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成すること、 (B) 上記（A) で得られた焼結体を 5 0 0 k g / c m^z 以上の圧力下で H I P処理することを要旨とするものである。

さらにまた、本発明は、第 4 の目的を達成するために、セラミツク製吸着板として酸化チタン製の吸着板を使用するものであって、この吸着板の比抵抗が 1. 0 Ω · c m以下であり、かつ、その表面に存在する 3 m径以上のポア一数が 1 0 0個ノ m m² 以下である吸着板を用いて基板吸着装置を構成した。

即ち、本発明はこの基板吸着装置は、薄板を吸着移動又は吸着固定する吸着板を備えた基板吸着装置であって、上記吸着板の比抵抗力く 1 . 0 Ω - c m以下であり、かつ、その表面に存在する 3 m径以上のボア一数が 1 m m² 当たり 1 0 0個以下である酸化チタン製吸着板を備えてなることを要旨とするものである。

発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の詳細に説明する。本発明者等は、表面にポア一を有しないセラミック基板の製造法について、鋭意研究した結果、本発明の製造法によれば表面にポア一が極めて少ない酸化チタン又は酸化アルミニウム焼結体がえららることを見出し、本発明を完成したものである。

即ち、本発明者等は、本発明の製造法によると、粒界にポア一が集積して顕在化することなく、極めて微細なボア一として結晶粒内に留めることができることを見出し、本発明を完成したものである , 本発明において、原料として使用する酸化チタン粉末又は酸化ァルミニゥム粉末としては、 9 9 %以上の高純度のものを用いるのが好ましい。 9 9 %未満では、本究明で目的とする "表面にポア一が極めて少ない基板（ 3 m径以上のポア一数が 1 0 0個/ mm² 以下の基板） " が得られ難いので、好ましくない（後記比較例 5 , 6 ： 1 3 , 1 4 参照）。

上記原料粉末の平均粒子径としては、 l m以下のものを用いるのが好ましい。 1 mをこえると、同じく本発明で目的とする "表面にポア一が極めて少ない基板" が得られ難いので、好ましくない (後記比較例 7 , 8 , 15, 16参照）。

本発明で使用する原料粉末について更に詳記すると、純度が 9 9 %未満の場合、また、平均粒子径が 1 mより粗い場合、後記するように、低温易焼結の性質が失われてしまい、充分に焼結密度が上がらない。

一方、焼結密度を上げるために恒温で焼結すると、粒成長が生じポア一が粗大化してしまう（後記比較例 1 〜16参照）。

従って、本発明において、原料として使用する酸化チタン粉末又は酸化アルミニウム粉末としては、 9 9 %以上の高純度で 1 / 111以下の平均粒子径のものを用いるのが好ましく、 9 9. 8 %以上の高純度で 0. 5 m以下の平均粒子径の酸化チタン粉末又は酸化アルミニゥム粉末を用いるのがより好ましい。

本発明において、上記原料粉末をドクターブレイド法又は押出法等により成形し、セラミックグリーンシート化する。

得られたグリーンシートを必要に応じ脱バインダー処理した後、焼成条件を制御しながら焼成する。この焼成温度条件は、酸化チタン基板と酸化アルミニウム基板では異なり、酸化チタン基板では、 1 1 0 0 〜 1 3 0 0 てで焼成し、酸化アルミニウム基板では、 1 2 0 0 〜 1 4 0 O 'Cで焼成する。

上記焼成温度として、 1 1 0 O 'C未満（酸化チタン基板の場合）又は 1 2 0 0 'C未満（酸化アルミニウム基板の場合）の焼成では、焼結自体進行しにくくそれぞれの焼結体が得られ難く、一方、 1 3 0 0 (酸化チタン基板の場合）又は 1 4 0 0 て（酸化アルミニゥム基板の場合）をこえる焼成温度では、本発明で目的とする "表面にボァ一が極めて少ない基板" が得られ難いので、好ましくない。上記焼成温度について更に説明すると、本発明では、チタニアセラミック及びアルミナセラミックで通常採用されている焼成温度 (前者では 1 3 5 0 て程度、後者では 1 5 0 0〜 1 6 0 0 て）よりも低温である「 1 1 0 0〜 1 3 0 0 て」及び「 1 2 0 0〜 1 4 0 0 て」で焼成するものであり、 1 3 0 0 'C (酸化チタン基板の場合）及び 1 4 0 0 X (酸化アルミニウム基板の場合）を越える温度では粒成長（結晶成長）が著しく、ボア一の粒界相への移動と粒成長に伴うポア一の粗大化が生じるので、好ましくない。

本発明では、このような低温での焼結を容易に行わせるため（低温易焼結性を発揮させるため）、前記した 9 9 %以上の高純度で 1 m以下の平均粒子径の酸化チタン粉末又は酸化アルミニウム粉末を原料として使用するものである。

本発明において、表面のポア一をより少なくするため、上記焼成条件で得られた酸化チタン又は酸化アルミニウム焼結体に対しさらに H I P処理（例えばカーボンヒータを有する H I P炉での処理）を施すことができる。

この H I P処理としては、粒成長によるボア一の粗大化を生じあせないという点から、焼成温度よりもいくぶん低温で行うのが好ましく、また、圧力としては、 5 0 0 k g Z c m² 以上が好ましく、より好ましくは 1 5 0 0 k g Z c m² 以上である。なお、 H 1 P処 5 1 0

理条件は、酸化チタンの場合と酸化アルミニウムの場合では異なり、前者では、具体的には 8 0 0 〜 1 1 0 0 ΐの温度で 1 S O O k g , c m ² の圧力で行うのが好ましく、後者では、 1 0 0 〜 1 4 0 0 *C 未満で 1 8 0 0 k g / c m ² の圧力で行うのが好ましい。

前記焼成時における雰囲気としては、酸化チタン、酸化アルミ二ゥムのいずれの場合も大気、不活性雰囲気（例えばアルゴン雰囲気）又は還元雰囲気（例えばカーボンヒータ等の使用による窒素雰囲気）中で焼成することができる。

上記雰囲気のうち還元雰囲気中で焼成する場合、酸化チタン基板では、酸化アルミニウム基板と異なり、焼成時に酸化チタンが半導体化する。また、酸化チタン基板の場合、前記した H I P処理（例えばカーボンヒータを使用した H I P処理）を施した場合でも酸化アルミニウム基板の場合と異なり、半導体化した基板が得られる。ハードデイスク用基板表面には、磁性材料がスパッタ等により成形されるが、このように形成される磁性膜の性状は、基板の表面状態の違いにより異なる場合が生ずる。

そこで、もし必要な場合には、この半導体化した表面をさらに 7 0 0 〜 9 0 0 'Cで大気雰囲気中で加熱処理し、絶緣体化して使用することもできる。

このようにして得られた酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板に必要に応じその表面を平面研削やラップ処理を施すこともできる。

次に、本発明に係る薄膜チップコンデンサについて詳細に説明すると、本発明者等は、表面にポア一が極めて少ないセラミックの製造法について、鋭意研究した結果、次の（A) 〜（E) の製造法によれば本発明で目的とするセラミック基板（酸化チタン基板又は酸化ァルミニゥム基板）が得られることを見出し、本発明の薄膜チップコンデンサを完成した。

(酸化チタン基材について）

(A ) 高純度酸化チタン粉末を成形した後 1 1 0 0 〜 1 3 0 0 てで大気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成する方法。

(B ) 上記（A) で得られた焼結体をさらに H I P処理する方法。

(C) 上記（A) の方法のうち「還元雰囲気中での焼成法」により得られた酸化チタン又は上記（B) で得られた焼結体をさらに 7 0 0 〜 9 0 0 てで加熱処理する方法。

(酸化アルミユウム基材について）

(D) 高純度酸化アルミニゥム粉末を成形した後 1 2 0 0〜 1 4 0 O 'Cで大気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成する方法。

(E) 上記（D ) で得られた焼結体をさらに H I P処理する方法。即ち、本発明者等は、上記（A ) 〜（E) の製造法によれば、粒界にボア一が集積して顕在化することなく極めて微細なポア一として結晶粒内に留めることができ、本発明で.目的とする「表面に 3 m径以上の大きな径のポア一が極めて少ない酸化チタン及び酸化アルミニゥム焼結体」が得られることを見出し、この焼結体を薄膜チップコンデンサ用の基板として使用する本発明を完成したものである。また、本発明者等は、上記酸化チタン基板について前記（A ) の製造法のうち「還元雰囲気中での焼成法」によれば、後に詳記するが表面にボア一が極めて少ない酸化チタン基板が得られるのみならず半導体化した酸化チタンが得られることを見出し、この半導体化酸化チタン基材を基板兼下部薄膜電極として用いる第 2発明を完成した。前記（B) の「 H I P処理」によっても半導体化した酸化チタンが得られ、これも基板兼下部薄膜電極として用いることができる。

なお、これらによって得られた半導体化酸化チタン基板上に下部薄膜電極を形成し、基板としてのみ使用することもできる。

更に、本発明者等は、上記酸化チタン基板について前記（C) の「さらに 7 0 0 〜 9 0 O 'Cで加熱処理する方法」によれば、これも後に詳記するが、半導体化した酸化チタンの表面にさらに絶緣体薄膜が形成し、この基板を基板兼下部薄膜電極として用い、上記絶緣

1

体化した表面を誘電体薄膜として使 δ用する発明を完成したものである。

前記（A) 〜（E) の製造法において、原料として使用する酸化チタン粉末又は酸化アルミニウム粉未としては、 9 9 %以上の高純度のものを用いるのが好ましい。 9 9 %未満では、本発明で目的とする "表面にポア一が極めて少ない基板 ( 3 / m径以上のボア一数が 1 0 0 個ノ m m ² 以下の基材） " が得られ難いので、好ましくない (後記比較例 5 , 6 , 1 3 , 1 4参照）。

上記原料粉末の平均粒子径どしては、 1 m以下のものを用いるのが好ましい。 l ^ mをこえると、同じく本発明で目的とする "表面にポア一が極めて少ない基板" が得られ難いので、好ましくない (後記比較例 Ί , 8 , 1 5 , 1 6参照）。

上記原料粉末について更に詳記すると、純度が 9 9 %未満の場合また、平均粒子径が 1 /^ mより粗い場合、後記するように、低温易焼結の性質が失われてしまい、充分に焼結密度が上がらない。

一方、焼結密度を上げるために高温で焼結すると、粒成長が生じボア一が粗大化してしまう（後記比較例 1 〜 1 6参照）。 5 0120

従って、本発明において、原料として使用する酸化チタン粉末又は酸化アルミニウム粉末としては、 9 9 %以上の高純度で 1 m以下の平均粒子径のものを用いるのが好ましく、 9 9. 8 %以上の高純度で 0. 5 m以下の平均粒子径の酸化チタン粉末又は酸化アルミニゥム粉末を用いるのがより好ましい。

得られたグリーンシートを必要に応じて脱バインダ一処理した後. 焼成条件を制御しながら焼成する。この焼成温度条件は、酸化チタン基板と酸化アルミニウム基板では異なり、酸化チタン基板では、 1 1 0 0〜 1 3 0 0 てで焼成し、一方、酸化アルミニウム基板では. 1 2 0 0〜： 1 4 0 0てで焼成する。

上記焼成温度として、 1 1 0 0 て未満（酸化チタン基板の場合）又は 1 2 0 0 'C未満（酸化アルミニウム基板の場合）の焼成では、焼結自体進行しにぐくそれぞれの焼結体が得られ難く、一方、 1 3 0 0 て（酸化チタン基板の場合）又は 1 4 0 0て（酸化アルミニゥム基板の場合）をこえる焼成温度では、本発明で目的とする "表面にポア一が極めて少ない基板" が得られ難いので、好ましくない。上記焼成温度について更に説明すると、本発明では、チタニアセラミック及びアルミナセラミックで通常採用されている焼成温度 (前者では 1 3 5 0 て前後、後奢では 1 5 0 0〜 1 6 0 0 て）よりも低温である「 1 1 0 0〜 1 3 1) 0て」及び「 1 2 0 0〜 1 4 0 0 •C」で焼成するものであり、 1 3 0 0 て（酸化チタン基板の場合）及び 1 4 0 0 X (酸化アルミニウム基板の場合）を越える温度では. 粒成長（結晶成長）が著しく、ポア一の粒界相への移動と粒成長に伴うポア一の粗大化が生じるので、好ましくない。

本発明では、このような低温での焼結を容易に行わせるため（低温易焼結性を発揮させるため）、前記した 9 9 %以上の高純度で 1 m以下の平均粒子径の酸化チタン粉末又は酸化アルミニゥム粉末を原料として使用するものである。

本発明において、表面のポア一をより少なくするため、上記焼成条件で得られた酸化チタン又は酸化アルミニウム焼結体に対しさらに H 1 P処理（例えばカーボンヒータを有する H I P炉での処理）を施すことができる。

この H I P処理としては、粒成長によるポア一の粗大化を生じさせないという点から、焼成温度よりもいくぶん低温で行うのが好ましく、また、圧力としては、 S O O k gZ c m² 以上が好ましく、より好ましくは 1 5 0 0 k gZ c m² 以上である。なお、 H I P処理条件は、酸化チタンの場合と酸化アルミニウムの場合では異なり . 前者では、具体的には 8 0 0〜 1 1 0 0ての温度で 1 5 0 O k g c m ² の圧力で行うのが好ましく、後者では、 1 0 0 0〜 1 4 0 0 •C未満で 1 8 0 0 k g / c m ² の圧力で行うのが好ましい。

前記焼成時における雰囲気としては、酸化チタン、酸化アルミ二ゥムのいずれかの場合も大気、不活性雰囲気（例えばアルゴン雰囲気）又は還元雰囲気（例えばカーボンヒータ等の使用による窒素雰囲気）中で焼成することができる。

上記雰囲気のうち還元雰囲気中で焼成する場合、酸化チタン基材では、酸化アルミニウム基材と異なり、焼成時に酸化チタンが半導体化する。また、酸化チタン基材の場合、前記した H I P処理（例えば力一ボンヒータを使用した H I P処理）を施した場合でも酸化アルミニウム基材の場合と異なり、半導体化した基板が得られる。この半導体化した酸化チタン基板を薄膜コンデンサの下部電極として兼用することが可能であるが、この基材表面に下部薄膜電極を形成し、その上に誘電体薄膜並びに上部薄膜電極を形成した薄膜チップコンデンサとすることもできる。

この加熱処理を施した酸化チタン基板を用いる場合、その表面に上部薄膜電極を形成するだけで薄膜チッブコンデンサを構成することができる。即ち、この半導体化した基材それ自体を下部薄膜電極として、また、この表面の絶緣体層を誘電体薄膜として利用でき、表面に上部薄膜電極を設けるだけで薄膜チップコンデンサを形成することができる。

このように形成された薄膜チップコンデンサの容量は、基板表面の絶緣体層厚さに関係するため、 7 0 0〜 9 0 0 てで大気雰囲気中で加熱処理するその温度及び時間により適宜調製し、制御することができる。

例えば 7 0 0〜 9 0 0 てで大気雰囲気中で 1 時間加熱処理した酸化チタン基板を 2 m m角に切断し、片面（八面）の絶緣体層を研磨除去し、別の表面（ B面）に A uを蒸着し、 A— B間の容量を測定したところ、

• 前記（A) の方法のうち「還元雰囲気中での焼成」のとき、容量は 2 5 0 P F

• 前記（B) の方法「さらに H I P処理を施した」とき、容量は 3 0

0 P F、

であった。

本発明において、前記（A ) 〜（E ) の製造法によって得られた酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板に、必要に応じてその表面を平面研削及びラップ処理を施すことができる。

次に、本発明に係るハイプリッド I c用セラミック基板について詳細に説明すると、本発明者等は、表面にポア一を有しないセラミック基板の製造法について、鋭意研究した結果、本発明の製造法によれば、「表面にポア一が極めて少ない、しかも、 3 0 / m径以上のポア一が存在しない酸化チタン又は酸化アルミニゥム焼結体」が得られることを見出し、本発明を完成したものである。

即ち、本発明者等は、本発明の製造法によると、粒界にポア一が集積して顕在化することなく、極めて微細なボア一として結晶粒内に留めることができることを見出し、本発明を完成したものである < 本発明において、原料として使用する酸化チタン粉末又は酸化ァルミニゥム粉末としては、 9 9 %以上の高純度のものを用いることが好ましい。 9 9 %未満では、本発明で目的とする "基板表面に 3 〃径以上のポア一が極めて少なく、しかも、 3 0 m径以上のポァ一が皆無である基板" が得られ難いので、好ましくない（後記比較例 5 , 6 , 1 3 ， 1 4参照）。

上記原料粉末の平均粒子径としては、 1 m以下のものを用いるのが好ましい。 l ^ mをこえると、同じく本発明で目的とする上記基板が得られ難いので、好ましくない（後記比較例 7 , 8 , 1 5 , 1 6参照）。

本発明で使用する原料粉末について更に詳記すると、純度が 9 9 %未満の場合、また、平均粒子径が 1 / mより粗い場合、後記するように、低温易焼結の性質が失われてしまい、充分に焼結密度が上がらない。一方、焼結密度を上げるために高温で焼結すると、粒成長が生じポア一が粗大化してしまう（後記比較例 1 〜 1 6参照）。

従って、本発明において、原料として使用する酸化チタン粉末又は酸化アルミニウム粉末としては、 9 9 %以上の高純度で 1 / 111以下の平均粒子径のものを用いるのが好ましく、 9 9. 8 %以上の高純度で 0. 5 // m以下の平均粒子径の酸化チタン粉末又は酸化アルミニゥム粉末を用いるのがより好ましい。

本発明において、上記原料微粉末をドクターブレイド法又は押出法等により成形し、セラミックグリーンシート化する。

得られたグリーンシートを必要に応じ脱バインダー処理した後、焼成条件を制御しながら焼成する。この焼成温度条件は、酸化チタン基板と酸化アルミニウム基板では異なり、酸化チタン基板では、 1 1 0 0 〜 1 3 0 0 てで、酸化アルミニウム基板では、 1 2 0 0 〜 1 0 0 °Cで焼成する。

上記焼成温度として、 1 1 0 0 て未満（酸化チタン基板の場合）又は 1 2 0 0 て未満（酸化アルミニウム基板の場合）の焼成では、焼結自体進行しにくくそれぞれの焼結体が得られ難く、一方、 1 3 0 0 て（酸化チタン基板の場合）又は 1 4 0 0 。C (酸化アルミニゥム基板の場合）をこえる焼成温度では、本発明で目的とする "基板表面に 3 ^ m径以上のポア一が極めて少なく、しかも、 3 0 m径以上のポア一が皆無である基板" が得られ難いので、好ましくない上記焼成温度について更に説明すると、本発明では、チタニアセラミック及びアルミナセラミックで通常採用されている焼成温度 (前者では 1 3 4 0 て程度、後者では 1 5 0 0 〜 1 6 0 0 て）よりも低温である 1 1 0 0 〜 1 3 0 0 ' (：」及び「 1 2 0 0 〜 1 4 0 0 。C」で焼成するものであり、 1 3 0 0 'C (酸化チタン基板の場合）及び 1 4 0 0。C (酸化アルミニウム基板の場合）を越える温度では- 粒成長（結晶成長）が著しく、ポア一の粒界相への移動と粒成長に伴うポア一の粗大化が生じるので、好ましくない。本発明では、このような低温での焼結を容易に行わせるため（低温易焼結性を発揮させるため）、原料として前記した 9 9 %以上の高純度で 1 m以下の平均粒子径の酸化チタン粉未又は酸化アルミニゥム粉末を使用するものである。

本発明において、表面のポア一をより少なくするため、上記焼成条件で得られた酸化チタン又は酸化アルミニウム焼結体に対しさらに H I P処理（例えば力一ボンヒータを有する H I P炉での処理）を施すことができる。

この H I P処理としては、粒成長によるポア一の粗大化を生じさせないという点から、焼成温度よりもいくぶん低温で行うのが好ましく、また、圧力としては、 5 0 0 k g / c m² 以上が好ましく、より好ましくは 1 5 0 0 k g / c m² 以上である。なお、 H I P処理条件は、酸化チタンの場合と酸化アルミニウムの場合では異なり . 前者では、具体的には 8 0 0〜 1 1 0 O 'Cの温度で 1 5 0 0 k g c m² の圧力で行うのが好ましく、後者では、 1 0 0 0〜 1 4 0 0 X未満で 1 8 0 0 k g / c m² の圧力で行うのが好ましい。

前記焼成時における雰囲気としては、酸化チタン、酸化アルミ二ゥムのいずれの場合も、大気、不活性雰囲気（例えばアルゴン雰囲気）又は還元雰屈気（例えばカーボンヒータ等の使用による窒素雰囲気）中で焼成することができる。

上記雰囲気のうち還元雰囲気中で焼成する場合、酸化チタン基板では、酸化アルミニウム基板と異なり、焼成時に酸化チタン還元し半導体化するので、このままではハイブリッド I C用セラミック基板として使用することができない。

そこで、この半導体化した表面を絶緣体化するため、還元雰囲気で焼成して得た酸化チタン焼結体をさらに 7 0 0 〜 9 0 O 'Cで大気雰囲気中で加熱処理を行う必要がある。また、酸化チタン基板の場合、前記した H I P処理を施した場合でも半導体化が認められるので、この場合も同様に加熱処理を行う必要がある。

以下、本発明のハードディスク用基板、薄膜チップコンデンサおよびハイブリッド I C用セラミック基板についての実施例を比較例と共に挙げ、本発明をより詳細に説明する。

(実施例 1 〜 4 )

平均粒径 0 . 2 5 m、純度 9 9 . 8 %の酸化チタン粉末にボリビニルブチラールとエチルアルコールを加えて混合しスラリ一化した後、ドクターブレイド法によりグリーンシートを作製した。

このグリーンシートを脱バインダー処理した後、表 1 に示す常圧焼結条件（温度 1 2 0 0 ΐ . 大気又は窒素雰囲気）で焼成し、さらに実施例 2 , 4 では、表 1 に示す H I P処理条件（ 1 0 0 0 て、 1 5 0 0 k g / c m ² の圧力）でアルゴン雰囲気中で力一ボンヒータを有する H I P炉で H I P処理した。

次に、実施例 1 を除いて実施例 2 〜実施例 4 では、 7 0 0 〜'9 0 0 てで大気雰囲気中で加熱処理を行つた。

— 9 得られた各酸化チタン基板について、 1 m径以上のポア一数を測定し、その結果を表 1 に示した。なお、該基板の表面に 3 0 m 径以上のポァ一が認められなかった。

上記基板表面のポア一の径及び個数は、走査型電子顕微鏡で観察し、得られた像の写真を使用して測定した。

(実施例 5 )

平均粒径 0 . 7 m、純度 9 9 . 2 %の酸化チタン粉末にポリビ二ルブチラールとエチルアルコールを加えて混合し、スラリ一化し

2

た後、ドクターブレイド法によりグ 3 リーンシートを作製した。

このグリーンシートを脱バインダー処理した後、表 1 に示す常圧焼結条件（温度 1 2 0 0 て、大気雰囲気）で焼成し、さらに表 1 に示す H I P処理条件でアルゴン雰囲気中で H I P処理（前記実施例 2 , 4 と同様の H I P処理）を行い、その後 7 0 0〜9 0 0 てで大気雰囲気中で加熱処理した。

得られた酸化チタン基板について実施例 1〜 4 と同様ポア一数を測定し、その結果を表 1 に示したなお、この基板の表面に 3 0 / m径以上のポア一が皆無であった

(実施例 6〜 9 )

平均粒径 0 . 2 5 m、純度 9 9 9 %の酸化アルミニゥム粉末にポリビニルブチラールとエチルアルコールを加えて混合し、スラリー化した後、ドクターブレイド法によりグリーンシートを作製した。

このグリーンシ一トを脱バインダー処理した後、表 1 に示す常圧焼結条件（温度 1 4 0 0 て、大気又は窒素雰囲気）で焼成し、さらに実施例 7 , 9 では、表 1 に示す H I P処理条件（ 1 3 5 0 て、 1 8 0 0 k g / c m ² の圧力）でアルゴン雰囲気中で H I P処理を行つた

得られた酸化アルミニウム基板について、実施例 1〜 4 と同様ポァ一数を測定し、その結果を表 1に示した。なお、該基板の表面に 3 0 / m径以上のポア一が皆無であった。

(実施例 1 0 )

平均粒径 0. 6 m、純度 9 9. 2 %の酸化アルミニウム粉末にポリビュルプチラールとエチルアルコールを加えて混合し、スラリ

2

—化した後、ドクターブレイド法に 4よりグリーンシートを作製した, このグリーンシートを脱バインダー処理した後、表 1に示す常圧焼結条件（温度 1 4 0 0て、大気雰囲気）で焼成し、さらに表 1に示す H I P処理条件（ 1 3 5 0て、 I S O O k g Z c m² の圧力）でアルゴン雰囲気中で H I P処理を行った。

得られた酸化アルミニウム基板について、実施例 1〜 4 と同様にポア一数を測定し、その結果を表 1に示した。なお、この基板の表面に 3 0 / m径以上のポア一が皆無であった。

93 24 5

表 1 実施例

(注）：窒素雰囲気中での加熱はカーボンヒータの使用による。

H I Ρ処理は力一ボンヒータを有する H I Ρ炉を使用して行った。

(比較例 1 8 )

表 2 に示す純度及び平均粒径の酸化チタン粉末を用い、前記実施例 1 4 と同様の方法でグリーンシートを作製し、脱バインダーした後、表 2 に示す常圧焼結条件、 H I Ρ処理条件で焼成し、さらに比較例 1 , 5 , 7 を除いて前記実施例と同様の加熱処理を行つた。

得られた各酸化チタン基板について、実施例 1 4 と同様ポァ数を測定し、その結果を表 2 に示した。

(比較例 9 1 6 )

表 2 に示す純度及び平均粒径の酸化アルミニウム粉末を用い、前 9 4 25

記実施例 6 9 と同様の方法でグリーンシ一トを作製し、脱バインダ一した後、表 2 に示す常圧焼結条件、 H I P処理条件で焼成した得られた各酸化アルミニゥム基板について、実施例 1 4 と同様ポア一数を測定し、その結果を表 2 に示した。

表 2 比較例

： H I P処理はカーボンヒータを有する H I P炉を使用して行った。 324925 P93/00120

前記表 1 から明らかなように、平均粒径 0. 2 5 u m. 純度 9 9 . 8 %の酸化チタン粉末を成形した後、大気又は窒素中で 1 2 0 0 てで焼成した実施例 1 , 3では、ポア一数が 7 0個/ m m ² のものが得られ、また、この実施例 1 , 3で得られた焼結体をさらに H I P処理を行った実施例 2 , 4では、 3 4個/ 111 111² 、 3 8個/ mm² のものが得られた。

このことから H I P処理をさらに行うことにより基板表面に存在するポア一が極めて少なくなり、ハードディスク用基板としてより好適であることが理解できる。

同様に、平均粒径 0. 2 5 / m、純度 9 9. 9 %の酸化アルミ二ゥム粉末を成形した後、大気又は窒素中で 1 4 0 0 'Cで焼成した実施例 6 , 8では、ポア一数が 8 5個 Zmm^z 、 8 2個ノ mm² のものが得られ、また、この実施例 6 , 8で得られた焼結体をさらに H I P処理を行った実施例 7 , 9では、 4 8個ノ m m ² 、 4 0個/ m m ² のものが得られた。

このことから、上記酸化チタン基板と同様、酸化アルミニウム基板においても H I P処理をさらに行うことにより、基板表面に存在するポア一が極めて少なくなり、ハードディスク用基板、薄膜チップコンデンサ及びハイプリッド I C用セラミック基板としてより好適であることが理解できる。

また、平均粒径 0. 7 m、純度 9 9 . 2 %の酸化チタン粉末 (実施例 2 よりも平均粒径が大であり、低純度の原料であるが、いずれも本発明の範囲内の原料）を使用した実施例 5及び平均粒径 0 . 6 m、純度 9 9. 2 %の酸化アルミニウム粉末（実施例 7 よりも平均粒径が大であり、低純度の原料であるが、いずれも本発明の範囲内の原料）を使用した実施例 1 0では、ポア一数が実施例 2及び実施例 7 より多いけれども、いずれも本発明で意図する 1 0 0個以内の 9 2個/ m m^z 及び 9 6個/ m m² のものが得られ、ハードディスク用基板、薄膜チップコンデンサ及びハイプリッド I C用セラミック基板として使用可能なものである。

上記実施例 1〜 1 0に対して、前記表 2から明らかなように、原料粉末として、本発明で規定する平均粒径（ 1 / m以下）、純度 ( 9 9 %以上）の範囲内のものを使用しても、本発明で同じく規定する焼成温度（焼結温度、酸化チタン粉末にあっては 1 1 0 0〜 1 3 0 0 、酸化アルミニウム粉末にあっては 1 2 0 0〜 1 4 0 0。C ) の範囲外、特にその上限を越える 1 6 0 0 てで焼成した比較例 1〜 4及び 9〜 1 2では、 H I P処理を行ったとしても、少なくとも 5 0 0個/ m m² 近くから 1 0 0 0個/ m m² 程度のポア一がその表面に存在するものが得られ、ハードディスク用基板、薄膜チップコンデンサおよびハイブリッド I C用セラミフク基板として不適であつた。

更に、比較例 5 , 6及び比較例 1 3 , 1 4 で見られるように、 9 9 %未満の純度の原料粉末を使用すると、また、比較例 7 , 8及び比較例 1 5 , 1 6で見られるように、 1 mを越える平均粒径の原料粉末を使用すると、本発明で規定する焼成温度を越えて焼成しなければならず、その結果として、多数のボア一がその表面に存在し、これまたハードディスク用基板、薄膜チップコンデンサ及びハイブリッド I C用セラミック基板として不適であった。

以上表 1及び表 2の対比から明らかなように、本発明は、

① 原料粉末として、平均粒径 l // m以下で純度 9 9 %以上の高純 J 00120

度酸化チタン微粉末又は高純度酸化アルミ二ゥム微粉末を使用すること、

② 酸化チタン微粉末原料の場合は、 1 1 0 0 〜 1 3 0 0 °Cで、酸化アルミニウム部粉末原料の場合は、 1 2 0 0 〜 1 4 0 0 てで焼成すること、

により、はじめて目的とする表面にポァ一が極めて少ない酸化チタン製又は酸化アルミニウム製のハードディスク用基板、薄膜チップコンデンサおよびハイプリッド I C用セラミック基板が得られ、更に、

③ H I P処理により、より一層ボア一数が少ない基板が得られると、

理解できる。

次に、本発明に係る基板吸着装置について詳細に説明すると、本発明者等は、比抵抗の小さなセラミックであって、しかも、表面にポア一が極めて少ない平滑なセラミックの製造法について鋭意研究した結果、次の（1)〜(3)の製造法によれば、目的とするセラミック製吸着板が得られることを見出し、本発明を完成したものである。

(1) 高純度酸化チタン微粉末を成形した後、この成形体を大気又は不活性雰囲気中で焼成し、さらに H I P処理する方法。

(2) 高純度酸化チタン微粉末を成形した後、還元雰囲気中で焼成する方法。

(3) 高純度酸化チタン微粉末を成形した後、還元雰囲気中で焼成しさらに H I P処理する方法。

即ち、本発明は、 "比抵抗が極めて小さい" という本発明で意図する第 1 の性質及び "表面にポア一が極めて少ない " という同じく本発明で意図する第 2 の性質をあわせ持つセラミック製吸着板を提供することを技術的課題とする。

そして、上記 (1)〜(3)の製造法によれば、上記第 1 及び第 2 の両性質をあわせ持つ酸化チタン焼結体、即ち、

「比抵抗が 1 . 0 Ω · c m以下であり、かつ、その表面に存在する 3 m径以上のボア一数が 1 0 0個ノ m m ² 以下の酸化チタン焼結体。」

が得られることを見いだし、この酸化チタン焼結体を基板吸着装置用の吸着板として使用する本発明を完成したものである。

上記 ω〜(3)の製造法において、原料として使用する「高純度酸化チタン微粉末」としては、 9 9 %以上の高純度のものを用いるのが好ましい。

9 9 %未満では、本発明で意図する第 2 の性質である "表面にボァ一が極めて少ない焼結体（ 3 m径以上のポア一数が 1 0 0個/ m m ² 以下の焼結体） " が得られ難いので、好ましくない（後記比較例 2 6 , 2 7参照）。

また、上記原料微粉末の平均粒子径としては、 1 m以下のものを用いるのが好ましい。

1 mをこえる粗い粉末を使用すると、同じく本発明で意図する第 2 の性質である "表面にポア一が極めて少ない焼結体" が得られ難いので、好ましくない（後記比較例 8参照）。

原料として使用する「高純度酸化チタン部粉末」について更に説明すると、この原料粉末として、純度が 9 9 %未満の場合、また、平均粒子径が 1 mより粗い場合、後記するように、低温易焼結の性質が失われてしまい、充分に焼結密度が上がらない。そして、焼結密度が上げるため、高温（本発明で規定する 1 3 0 0 'Cを越える温度、例えば 1 4 0 0 'C、 1 6 0 0 *C ) で焼結すると. 粒成長が生じ、ポア一が粗大化してしまう（後記比較例 2 2〜 2 8 参照）。

従って、本発明において、原料として使用する「高純度酸化チタン微粉末」としては、 9 9 %以上の高純度で 1 m以下の平均粒子径のものを用いるのが好ましく、「 9 9 . 8 %以上の高純度で 0 . 5 m以下の平均粒子径の酸化チタン微粉末」を使用するのがより好ましい。

本発明において、上記原料微粉末を通常の C I P成形法によるか或いはドクターブレイド法又は押出法等により成形し、セラミックグリーンシート化する。ドクターブレイド法又は押出法により成形したものについては、その後必要に応じ脱バインダー処理する。

次に、下記 (1)〜(3)のいずれかの方法を採用して焼成し、本発明で意図する前記第 1 及び第 2 の両性質をあわせ持つ酸化チタン製基板を製造する。

(1) 大気又は不活性雰囲気中で焼成し、さらに H I P処理する方法,

(2) 還元雰囲気中で焼成する方法。

(3) 還元雰囲気中で焼成し、さらに H I P処理する方法。

上記 (1)〜(3)の方法において、大気又は還元雰囲気中での焼成温度としては、 1 1 0 0〜 1 3 0 0 てが好ましく、 1 2 0 0 'C前後がより好ましい。

1 1 0 0 て未満の低温焼成では、焼成自体進行しにくいので酸化チタン焼結が得られ難く、一方、 1 3 0 O 'Cをこえる焼成温度では本発明で意図する第 2 の性質である "表面にポア一が極めて少ない焼結体 ( 3 m径以上のボア一数が 1 0 0個/ m m ² 以下の焼結体）が得られ難いので、好ましくない（後記比較例 2参照）。

上記焼成温度について更に説明すると、本発明では、チタニアセラミックで通常採用されている焼成温度（ 1 3 5 0 'C程度）よりも低温である「 1 1 0 0〜 1 3 0 0 · (：」で、大気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成するものであり、 1 3 0 0 てを越える温度では、粒成長（結晶成長）が著しく、ボア一の粗界相への移動と粒成長に伴うボア一の粗大化が生じるので、好ましくない。

そして、本発明では、このような低温での焼結を容易に行わせるため（低温易焼結性を発揮させるため）、前記した 9 9 %以上の高純度で 1 / m以下の平均粒子径の「高純度酸化チタン微粉末」を原料として使用するものである。

前記 (1)の方法において、大気又は不活性雰囲気中の焼成のみでは、本発明で意図する第 1 の性質である "比抵抗が小さい焼結体（ 1 . 0 Ω · c m以下の比抵抗を有する焼結体） " が得られない（後記比較例 2参照）。

そこで、この大気又は不活性雰囲気.中の焼成法を採用する場合、上記第 1 の性質 "比抵抗が小さいという性質" を付与するため、得られた焼結体に対しさらに H I P処理することが必要である。

この H I P処理、例えばカーボンヒータの使用による H I P処理により、大気又は不活性雰囲気中で焼成した酸化チタン焼結体が半導体化し、所望の 1 . 0 Ω · c m以下の比抵抗を有するものが得られる。なお、この H I P処理により比抵抗を小さくする作用以外に表面のボア一をより少なくすることができる作用も生ずる。

この H I P処理としては、粒成長によるボア一の粗大化を生じさせないという点から、前記焼成温度（ 1 1 0 0〜 1 3 0 0 て）以下の 8 0 0〜 1 1 0 0 てで行うのが好ましく、また、圧力としては、 5 0 0 k g / c m ² 以上で行うのが好ましい。より好ましい H I P 処理条件は、 1 0 0 0 'C、 1 5 0 0 k gノ c m² である。

前記 (2)の「還元雰囲気中で焼成する」方法では、還元雰囲気中で焼成することにより、酸化チタンが部分的に還元され、半導体化し. 所望の 1. 0 Ω · c m以下の比抵抗を有するものが得られる。

この還元雰囲気としては、焼成時に酸化チタンが半導体化する雰囲気であれば任意の還元性雰囲気で焼成することができるが、例えばカーボンヒータ等の使用により窒素雰囲気中で焼成するのが好ましい。

この (2)の還元雰囲気中で 1 1 0 0〜 1 3 0 0 てで焼成する方法により、 "比抵抗が極めて小さい" という本発明で意図する第 1 の性質及び "表面にボア一が極めて少ない " という同じく本発明で意図する第 2の性質をあわせ持つ酸化チタン焼結体が得られる。

また、本発明において、表面のポア一をより少なくするため、上記 (2)の方法で得られた酸化チタン焼結体をさらに前記した例えば力一ボンヒータの使用による H I P処理をすることができる。この H I P処理としては、前記 (1)の H I P処理と同様、焼成温度 8 0 0〜 1 1 0 0 ΐで圧力 5 0 0 k g / c m ² 以上で行うので好ましく、 1 0 0 0て、 1 5 0 0 k g / c m ² で行うのがより好ましい。

本発明では、以上の (1)〜 (3)の方法で得られた酸化チタン製基板に必要に応じてその表面を平面研削及びラップ処理を施すことができる。

そして、この酸化チタン製基板に吸引用孔を穿孔して酸化チタン製吸着板を得るものである。

以下、本発明に係る基板吸着装置の実施例を比較例と共に挙げ、本発明をより詳細に説明する。

(実施例 1 1 )

平均粒径 0 . 2 5 / m、純度 9 9 . 8 %の酸化チタン粉末にポリビュルプチラールとエチルアルコールを加えて混合し、スラリー化した後、ドクターブレイド法によりグリーンシートを作製し、脱バィンダー処理後大気中で 1 2 0 0 てで焼成した。

次に、この焼結体をアルゴン雰囲気中で 1 0 0 0。Cの温度、 1 5 0 0 k g / c m ² の圧力でカーボンヒータを有する H I P炉で H I P処理した。

得られた酸化チタン製基板について、比抵抗及びボア一数を測定し、その結果を表 3 に示した。なお、この基板の表面に 3 0 m径以上のボア一が認められなかった。

上記の比抵抗は、 4端子法（ I V , 1 k H z ) にて測定した。また、基板表面のボア一の径及び個数は、走査型電子顕微鏡で観察し得られた像の写真を使用して測定した。また、表 1 中の比抵抗値は. 2 5 てで測定した値であり、また、ボア一数は、平均粒径 3 m以上の個数 Z m m ² である。

(実施例 1 2 )

平均粒径 0 . 2 5 / m、純度 9 9 . 8 %の酸化チタン粉末にポリビニルプチラールとエチルアルコールを加えて混合し、スラリー化した後、ドクターブレイド法によりグリーンシートを作製し、脱バィンダ一処理をした後窒素雰囲気中でカーボンヒータにより 1 2 0 0 てで焼成した。得られた酸化チタン製基板について、実施例 1 と同様、比抵抗及びポア一数を測定し、その結果を表 3 に示した。なお、この基板表面には 3 0 m径以上のポア一が皆無であった。

(実施例 1 3 )

実施例 2 で得られた焼結体を前記実施例と同様、アルゴン雰囲気中で 1 0 0 0 ての温度、 1 5 0 0 k g / c m ² の圧力でカーボンヒータを有する H I P炉で H I P処理した。

得られた酸化チタン製基板について、実施例 1 1 と同様、比抵抗

3

及びポア一数を測定し、その結果を表 3 に示した。なお、この基板 δ

表面には 3 0 / m径以上のボア一が皆無であった。

(実施例 1 4 )

平均粒径 0 . 7 m、純度 9 9 . 2 %の酸化チタン粉末を使用する点を除いて前記実施例 1 1 と同一手段で酸化チタン製基板を得た < 得られた酸化チタン製基板について、実施例 1 1 と同様、比抵抗及びポア一数を測定し、その結果を表 3 に示した。なお、この基板表面には 3 0 m径以上のポァ一が皆無であつた。

(比較例 2 1〜 2 8 )

なお、比較のため、表 3 に示す平均粒径、純度の酸化チタン粉末を使用し、前記実施例 1 と同様な方法でグリーンシートを作製し、脱バインダ一した後、同じく表 1 に示す常圧焼結条件で（比較例 2 3 , 2 5， 2 7 , 2 8 ではさらに表 1 に示す H I P処理条件で）焼成して酸化チタン製基板を得た。

得られた各酸化チタン製基板について、前記実施例 1 1 と同様、比抵抗及びポア一数を測定し、その結果を表 1 に示した。

(比較例 2 9 ) 更に、比較のため、平均粒径 0 . 6 m、純度 9 9 . 8 %の酸化アルミニウム粉末を使用し、前記実施例 1 1 と同様な方法でダリーンシートを作製し、脱バインダ一した後大気中で 1 6 0 0 'Cで焼成した。

得られた酸化アルミニウム焼結体について、前記実施例 1 1 と同様、比抵抗及びボア一数を測定し、その結果を表 1 に示した。

表 3 実施例 Z比較例

(注）上表中の比は 25 'Cで測定した値

上表中のポア数は平均粒径 3 i m以上の数

囲気中での加熱はカーボンヒータの使用による。

H I P処理はカーボンヒータを有する H I P炉を使用してた表 3から明らかなように、平均粒径 0. 2 5 / m、純度 9 9. 8 %の酸化チタン粉末を成形した後、大気中で 1 2 0 0てで焼成し、さらに還元雰囲気中で 1 0 0 0 て、 1 5 0 0 k g / c m ² の圧力で H I P処理を行った実施例 1 1 では、比抵抗が 0. 7 Ω . c mでポァー数が 3 4個/ mm^z のものが得られた。

また、実施例 1 1 と同一原料を用い、窒素雰囲気中で 1 2 0 O 'C で焼成した実施例 1 2では、比抵抗が 0. 9 Ω ♦ c mでポァ一数が 7 0個/ mm² のものが得られた。

この実施例 1 2で得られたもの 3を更に H I P処理を行った実施例

【ί

1 3では、比抵抗が 0. 7 Ω ' c mでボア一数が 3 8個/ mm² のものが得られ、 H I P処理により比抵抗及びポア一数とも改善されることが理解できる（比抵抗： 0. 9→ 0. 7、ボア一数： 7 0→ 3 8 )

更に、平均粒径 0. 7 / m、純度 9 9 . 2 %の酸化チタン粉末 (実施例 1 1 より平均粒径が大であり、低純度の原料であるが、いずれも本発明の範囲内の原料）を使用し、実施例 1 1 と同様大気中で焼成し、更に H I P処理を行った実施例 1 4では、比抵抗が実施例 1 1 と同じ 0. 7 Ω . c mであり、ポア一数については、実施例 1 1 より多いけれども本発明で意図する 1 0 0個/ mm² 以内の 9 2個/ mm ² のものが得られた。

一方、実施例例 1 1 と同一条件であるが、 H I P処理を行い比較例 1 では、ボア一数が 7 0個ノ m m ² であるが、 1 0 ' ^ζ Ω . c mという高比抵抗のもの（実施例 1 1 では 0. 7 * c m ) が得られ、本発明で意図する "比抵抗が小さい焼結体（ 1 . 0 Ω · c m以下の比抵抗を有する焼結体） " が得られなかった。ま .—、実施例 1 1 における大気中での焼成温度を 1 6 0 O 'C とし. H I P処理を行わない比較例 2 2及びこの比較例 2 2で得られたものを H I P処理（ 1 4 0 0 'C、 1 5 0 0 k g / c m ² ) した比較例 2 3では、いずれも高比抵抗（ 1 0 '^ΖΩ · c m ) であるばかりでなく、ポア一数が 8 4 0個 Zmm² 及び 4 8 0個 Zm mであった。

更に、実施例 1 2 における窒素雰囲気中での焼成温度を 1 6 0 0 てとし、 H I P処理を行わない比較例 2 4及びこの比較例 2 4で得られたものを H I P処理（ 1 4 0 0 · (：、 1 5 0 0 k gノ c m² ) した比較例 2 5では、いずれも 0. 8 Ω · c mという低比抵抗であるが、ポア一数は 9 2 0個/ mm² 及び 7 7 0個/ mm² であった。

また、平均粒径は、本発明の範囲内であり、実施例 1 4 と同一の 0. 7 // mを用いたが、純度が本発明の範囲外の 9 2. 0 %の原料を使用し、大気中で焼成（ 1 4 0 O 'C ) した比較例 2 6では、 1 0 ¹ Ω · c mの高比抵抗、 9 6 0個ノ111111² のボア一数のものが得られた。

上記比較例 2 6 と同じ原料を使用し、大気中で焼成し、さらに H I P処理（ 1 2 0 0 て、 1 8 0 0 k g / c m ² ) を行った比較例 2 7では、 H I P処理を施したことにより比抵抗は 0. 8 Q . c mであつたが、低純度（ 9 2. 0 %) の原料を使用し、本発明の範囲外の温度（ 1 4 0 0 て）で大気中で焼成したことにより、 5 5 0個/ m m² のボア一数のものが得られた。

更に、原料の純度は本発明の範囲内である 9 9. 2 %であるが、平均粒径は本発明の範囲外の 2. 1 / mの原料を使用し、大気中で焼成（ 1 4 0 0て）し、さらに H I P処理（ 1 2 0 0 'C、 1 8 0 0 k g / c m^z ) を行った比較例 2 8では、比抵抗は 0. 8 Ω . c m 9324925 30 1

であったが、 3 1 0個 Zmm² のポア一数のものが得られた。

なお、アルミナ焼結体（原料純度 9 9. 8 %、平均粒径 0. 6 m、大気中での焼成）である比較例 2 9では、 1 0 '⁴Ω · c mという高比抵抗であるばかりでなく、ポア一数が 1 0 0 0個ノ m m² であった

以上表 3の実施例 1〜 1 4及び比較例 2 1〜 2 9から明らかなように、本発明は、

① 平均粒径 1 / m以下で純度 9 9 %以上の高純度酸化チタン微粉末を使用すること、

② 大気中又は還元雰囲気中で 1 1 0 0〜 1 3 0 O 'Cでで焼成（焼結）すること、

③ 上記焼成を大気中で行う場合、 H I P処理（例えば力一ボンヒ一夕を有する H I P炉での H I P処理）を必要とすること、により、はじめて目的とする比抵抗が小さく、しかも、表面にポア —が極めて少ない酸化チタン、即ち、比抵抗が 1. 0 Ω · c m以下であり、かつ、その表面に存在する 3 m径以上のボア一数が l m m² 当たり 1 0 0個以下である酸化チタン製基板が得られることが理解でき、また、

④ 上記②の還元雰囲気中で焼成（焼結）する場合、続いて H I P 処理を行うことにより、より一層比抵抗及びポア一数が改善されること、

⑤ 上記③の H I P処理によってもポア一数が改善されること、が理解できる。

産業上の利用可能性

本発明に係るハードディスク用基板によれば、セラミック製のハードディスク用基板として、酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板からなり、その表面に 3 m径以上の大径のポア一が 1 0 0個以下/ m m ² という極めて少ないハードディスク用基板を提供できる効果を有する。

また、該基板を製造する方法によれば、高純度酸化チタン又は酸化アルミニウム微粉末を原料とし、特定焼成条件で焼成することにより、大径のボア一を極めて少なくし、かつ、該ボア一径を小さくすることができる効果が生ずる。

そして、本発明によりハードディスクの高容量化を可能とするハードディスク用基板を提供することができる。

また、本発明に係る薄膜チップコンデンサによれば、セラミックからなる薄膜チップコンデンサ用基材とし、酸化チタン基材及び酸化アルミニウム基板からなり、その表面に 3 // m柽以上の大径のポァ一が 1 0 0個以下ノ m m ² という極めてポア一数が少ない薄膜チッブコンデンサ用基材を提供できる効果を有する。

また、酸化チタン基材では、表面に 3 m径以上の大きなポア一が極めて少ないばかりでなく、基材兼下部薄膜電極として、さらには、誘電体薄膜としても兼用し得る薄膜チップコンデンサを提供することができ、高容量化を可能とする薄膜チップコンデンサを提供することができる効果を有する。

さらに、本発明に係るハイブリッド I C用セラミック基板によれば、ハイプリッド I C用セラミック基板として、表面にガラスコーティング等の被覆処理が施されていない酸化チタン基板又は酸化ァルミニゥム基板からなり、その表面に 3 / m径以上の大径のポア一が 1 0 0個以下ノ m m ² という極めて少なく、しかも、 3 0 / m径以上のポア一が皆無の上記基板を提供できる効果を有する。

また、該基板を製造する方法として、高純度酸化チタン又は酸化アルミニウム微粉末を原料とし、特定焼成条件で焼成することにより、 3 0 m径以上の大径のボァーを皆無とすることができる効果が生ずる。

そして、本発明によりハイプリッド I C用セラミック基板に形成する配線のフアイン化が可能となり、配線の高密度化が可能となるハイブリッド I C用セラミック基板を提供することができる。

さらにまた、本発明に係る基板吸着装置によれば、「 1 . 0 Ω · c m以下」という極めて小さい比抵抗を有し、しかも、「 3 m径以上のポア一数が 1 0 0個/ 1 m m ² 以下」である酸化チタン製吸着板を用いた基板吸着装置であるので、この吸着板に対する静電気対策が容易であり、このため静電気の帯電に伴うゴミ等の吸着が称せず、しかも、ポア一が極めて少なく、 3 0 // m径以上のボア一が皆無であることから、ガスなどの吸着なく、このため半導体ウェハ —等の薄板の吸着能、保持能を低下させることがないなど顕著な効果が生ずる。

また、本発明の基板吸着装置を半導体集積回路の製造装置に組み込まれるウェハハンドやゥヱハホルダに好適に適用することができ半導体の高歩留り、高集積化などに大きく貢献することができる。

Claims

請求の範囲

1. 基板表面に存在する 3 / m径以上のポア一数が 1 mm² 当たり 1 0 0個以下である酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板からなることを特徴とするハードディスク用基板。

2. 平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0〜 1 3 0 0 'Cで大気雰囲気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成することを特徴とする酸化チタン基板からなるハ ― ドディスク用基板の製造方法。

3. 平均粒径 l / m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0〜 1 3 0 0 てで大気雰囲気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成し、さらに 5 0 0 k g / c m^z 以上の圧力下で H I P処理することを特徴とする酸化チタン基板からなるハードディスク用基板の製造方法。

4. 平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0〜 1 3 0 0 てで大気雰囲気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成し、 5 0 0 k g / c m² 以上の圧力下で H I P処理し、さらに 7 0 0〜 9 0 0 てで加処理することを特徴とする酸化チタン基板からなるハードディスク用基板の製造方法。

5. 平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 2 0 0〜 1 4 0 0 てで大気雰囲気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成することを特徴とする酸化アルミニウム基板からなるハードディスク用基板の製造方法。

6. 平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 2 0 0〜 1 4 0 0てで大気雰囲気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成し、さらに 5 0 0 k g / c m² 以上の圧力下で H I P処理することを特徴とする酸化アルミニウム基板からなるハードディスク用基板の製造方法。

7. 基板上に下部薄膜電極、誘電体薄膜、上部薄膜電極を形成した構造を有する薄膜チップコンデンサにおいて、上記基板は、表面に存在する 3 / m径以上のボア一数が 1 m m ² 当たり 1 0 0個以下である酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板からなることを特徴とする薄膜チップコンデンサ。

8. 基板上に下部薄膜電極、誘電体薄膜、上部薄膜電極を形成してなる薄膜チップコンデンサにおいて、上記基板は、表面に存在する 3 m径以上のボア一数が l m m ² 当たり 1 0 0個以下であり、かつ、半導体化した酸化チタン基板からなり、上記基板を前記基板兼兼下部薄膜電極として用いることを特徴とする薄膜チップコンデンサ。

9. 基板上に下部薄膜電極、誘電体薄膜、上部薄膜電極を形成してなる薄膜チップコデンサにおいて、上記基板は、表面に存在する 3 m径以上のポア一数が 1 m m ² 当たり 1 0 0個以下であり、かつ. 表面を絶緣体化した半導体化酸化チタ.ン基板からなり、上記基板を. 上記基板兼上記下部薄膜電極として、上記絶緣体化した表面を上記誘電体薄膜として用いることを特徴とする薄膜チップコンデンサ。

10. 上記酸化チタン基板は、平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後 1 1 0 0 〜 1 3 0 0 てで大気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成して得た酸化チタン基板、或いは. 該基板をさらに 5 0 0 k g / c m ² 以上の圧力下で H I P処理して得た酸化チタン基板からなることを特徴とする請求項 7 に記載の薄膜チップコンデンサ。

11. 上記酸化チタン基板は、平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後 1 1 0 0〜 1 3 0 0 で還元雰囲気中で焼成して得た半導体化酸化チタン基板からなることを特徴とする請求項 8記載の薄膜チップコンデンサ。

12. 上記酸化チタン基板は、平均粒径 1 // m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後 1 1 0 0〜 1 3 0 O 'Cで大気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成し、さらに 5 0 0 k g / c m² 以上の圧力下で H I P処理して得た半導体化酸化チタン基板からなることを特徴とする請求項 8記載の薄膜チップコンデンサ。

13. 上記酸化チタン基板は、平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後 1 1 0 0〜 1 3 0 0 てで大気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成し、 5 0 0 k g / c m^z 以上の圧力下で H I P処理し、さらに 7 0 0〜 9 0 O 'Cで加熱処理して得た酸化チタン基板からなることを特徴とする請求項 7又は 9記載の薄膜チップコンデンサ。

14. 上記酸化アルミニウム基板は、平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化アルミニウム粉末を成形した後 1 2 0 0〜 1 4 0 O 'C で大気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成して得た酸化アルミニゥム基板、或いは、該基板をさらに 5 0 0 k g / c m^z 以上の圧力下で H I P処理して得た酸化アルミニゥム基板からなることを特徴とする請求項 7 に記載の薄膜チップコンデンサ。

15. 表面にガラスコーティング等の被覆処理が施されていない酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板からなり、該基板表面に存在する 3 径以上のボア一が l m m² 当たり 1 0 0個以下であり、 3 0 m径以上のポア一が存在しない上記酸化チタン基板又は酸化アルミニウム基板からなることを特徴とするハイプリッド I C用セラミック基板。

16. 平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0 〜 1 3 0 0 'Cで大気雰囲気または不活性雰囲気中で焼成することを特徴とする酸化チタン基板からなるハイプリッド I C用セラミック基板の製造方法。

17. 平均粒径 1 it m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0 〜 1 3 0 0 てで大気雰囲気又は不活性雰囲気中で焼成し、 5 0 0 k g / c m² 以上の圧力下で H I P処理し、さらに 7 0 0 〜 9 0 0 てで加熱処理することを特徴とする酸化チタン基板からなるハイプリッド I C用セラミツク基板の製造方法。

18. 平均粒径 1 / m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0 〜 1 3 0 0 てで還元雰囲気中で焼成し、さらに 7 0 0 〜 9 0 0 てで加熱処理することを特徴とする酸化チタン基板からなるハイブリツド I C用セラミック基板の製造方法。

19. 平均粒径 1 / m以下で純度 9 9 %以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0 〜 1 3 0 0 'Cで還元雰囲気中で焼成し、 5 0 0 k g / c m ² 以上の圧力下で H I P処理し、さらに 7 0 0 〜 9 0 O 'C で加熱処理することを特徴とする酸化チタン基板かなるハイプリッド I C用セラミック基板の製造方法。

20. 平均粒径 1 m以下で純度 9 9 %以上の酸化アルミニウム粉末を成形した後、 1 2 0 0 〜 1 4 0 0 てで大気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成することを特徴とする酸化アルミニウム基板からなるハイブリツド I C用セラミック基板の製造方法。

21. 平均粒径 l m以下で純度 9 9 %以上の酸化アルミニウム粉末を成形した後、 1 2 0 0〜 1 4 0 0 'Cで大気、不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成し、 5 0 0 k g / c m^z 以上の圧力下で H I P処理することを特徴とする酸化アルミニウム基板からなるハイプリッド I C用セラミック基板の製造方法。

22. 薄板を吸着移動又は吸着固定する吸着板を備えた基板吸着装置であって、上記吸着板の比抵抗が 1. 0 Ω · c m以下であり、かつ. その表面に存在する / m径以上のボア一数が l mm² 当たり 1 0 0 個以下である酸化チタン製吸着板を備えてなることを特徴とする基板吸着装置。

23. 酸化チタン製吸着板として、平均粒径 1 / 111以下で純度 9 9 % 以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0〜 1 3 0 O 'Cで大気又は不活性雰囲気中で焼成し、さらに 5 0 0 k g / c m^z 以上の圧力下で H I P処理してなる吸着板を用いることを特徴とする請求項 2 2 に記載の基板吸着装置

24. 酸化チタン製吸着板として、平均粒径 1 / 111以下で純度 9 9 % 以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0〜 1 3 0 O 'Cで還元雰囲気中で焼成してなる吸着板を用いることを特徴とする請求項 2 2に記載の基板吸着装置。

25. 酸化チタン製吸着板として、平均粒径 1 / 111以下で純度 9 9 % 以上の酸化チタン粉末を成形した後、 1 1 0 0〜 1 3 0 O 'Cで還元雰囲気中で焼成し、さらに 5 0 0 k g / c m² 以上の圧力下で H I P処理してなる吸着板を用いることを特徴とする請求項 2 2 に記載の基板吸着装置。