JPS6022733A - 磁気デイスク基板 - Google Patents
磁気デイスク基板Info
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- JPS6022733A JPS6022733A JP58131197A JP13119783A JPS6022733A JP S6022733 A JPS6022733 A JP S6022733A JP 58131197 A JP58131197 A JP 58131197A JP 13119783 A JP13119783 A JP 13119783A JP S6022733 A JPS6022733 A JP S6022733A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007667 floating Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 229910006297 γ-Fe2O3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 4
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 abstract 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000011549 displacement method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は連続薄膜媒体高記録密度磁気ディスクに８５い
て、セラミックスを基板材として特にディスク媒体の耐
摩耗性の改良に関するものである。
て、セラミックスを基板材として特にディスク媒体の耐
摩耗性の改良に関するものである。
磁気ディスク記憶装置は大容量、高記録密度化の傾向に
あり、特に高記録密度化のためには、面内磁化記録の場
合には磁性媒体の厚さを薄くすることおよび磁気ヘッド
と磁性媒体との間隔（以下スペーシングという）を小さ
くすることが必要どなり、基板としては、（イ）表面精
度（例えば、粗さ、うねり）の良いこと、（ロ）硬く耐
摩耗性に優れていることが要求される。接触始動停山形
ディスクの場合には上記（イ）および（ロ）の特性は必
須条件どなる。また、薄膜ディスクのように薄膜形成後
４００℃程度以下の温度で熱処理をづ−る場合もあり、
基板はこのような）品度でも基板特性が変化しない耐熱
処理性も必須条件となる。
あり、特に高記録密度化のためには、面内磁化記録の場
合には磁性媒体の厚さを薄くすることおよび磁気ヘッド
と磁性媒体との間隔（以下スペーシングという）を小さ
くすることが必要どなり、基板としては、（イ）表面精
度（例えば、粗さ、うねり）の良いこと、（ロ）硬く耐
摩耗性に優れていることが要求される。接触始動停山形
ディスクの場合には上記（イ）および（ロ）の特性は必
須条件どなる。また、薄膜ディスクのように薄膜形成後
４００℃程度以下の温度で熱処理をづ−る場合もあり、
基板はこのような）品度でも基板特性が変化しない耐熱
処理性も必須条件となる。
高記録密度の目標値としては、例えば媒体厚さ０．１μ
ｍ以下、スペーシング０．２μｍ以下であり、この場合
媒体付加前ディスク基板加工仕様としては中心線平均表
面粗さＲａ≦０．０１μｍ、微小うねり５０．０６μｍ
７４ｍｍ等が最小限要求される。
ｍ以下、スペーシング０．２μｍ以下であり、この場合
媒体付加前ディスク基板加工仕様としては中心線平均表
面粗さＲａ≦０．０１μｍ、微小うねり５０．０６μｍ
７４ｍｍ等が最小限要求される。
従来セラミックス材でディスク全面に亙り本要求仕様を
満す高密度、高硬度の均質な基板は得られ難く、価格的
にも通常のアルミディスクに比較し桁違いに高価である
ため実用化されていない。
満す高密度、高硬度の均質な基板は得られ難く、価格的
にも通常のアルミディスクに比較し桁違いに高価である
ため実用化されていない。
最近、ＪＳ５０８６系統のＡｌ−４ｗｔ５Ｍｇ高純度合
金の表面を研磨した後、陽極酸化してアルマイト（Ａ１
２０３）層としたものが高密度記録用１扱として用いら
れている。この基板で重要な特性はアルマイト層の厚さ
２表面錆度、母林の純度、耐熱性等であり、特にディス
ク媒体の信号エラー、ヘッド浮上性、耐摩耗性（耐Ｃ８
Ｓ特性）等と深い関係を有している。
金の表面を研磨した後、陽極酸化してアルマイト（Ａ１
２０３）層としたものが高密度記録用１扱として用いら
れている。この基板で重要な特性はアルマイト層の厚さ
２表面錆度、母林の純度、耐熱性等であり、特にディス
ク媒体の信号エラー、ヘッド浮上性、耐摩耗性（耐Ｃ８
Ｓ特性）等と深い関係を有している。
特にアルマイト層の厚さは、クランク防止と表面硬度に
関係している。アルマイト層の熱膨張係数はＡ１合金の
約１７４と小さいため、媒体例えばγ−Ｆｅ２０ａ薄膜
の作製工程の熱処理過程でアルマイトにクラックが生じ
る。
関係している。アルマイト層の熱膨張係数はＡ１合金の
約１７４と小さいため、媒体例えばγ−Ｆｅ２０ａ薄膜
の作製工程の熱処理過程でアルマイトにクラックが生じ
る。
これを避（プるためにはアルマイト層の厚さを極力薄く
し、変形能を増すのが有効である。２５０℃ないし４０
０℃までクラックフリーであるために、アルマイト・層
の厚さを３μｍ以下にされている。
し、変形能を増すのが有効である。２５０℃ないし４０
０℃までクラックフリーであるために、アルマイト・層
の厚さを３μｍ以下にされている。
しかし、このアルマイト層の厚さでは基板の表面硬度が
不充分であるため、媒体表面に順滑剤を付与しても２万
回以上の接触始動停止（Ｃ８Ｓ）に耐える媒体強度を安
定して得ることが困難であり、信頼性の面から問題を残
している。
不充分であるため、媒体表面に順滑剤を付与しても２万
回以上の接触始動停止（Ｃ８Ｓ）に耐える媒体強度を安
定して得ることが困難であり、信頼性の面から問題を残
している。
本発明は上記従来技術の欠点を改良し、特に耐Ｃ８Ｓ特
性において、信頼性の高い高密度記録磁気ディスク用セ
ラミック基板を提供することを目的とする。
性において、信頼性の高い高密度記録磁気ディスク用セ
ラミック基板を提供することを目的とする。
中心線平均表面粗さＲａ≦０．０１μｍ、微小うねり≦
０．０６μＩＩＩ／４ｍｍ等を満すセラミック加工基板
をうるためには特に高＠度化が重要である。
０．０６μＩＩＩ／４ｍｍ等を満すセラミック加工基板
をうるためには特に高＠度化が重要である。
最近セラミック粉末冶金技術の進歩はめざましく、原料
については従来の機械的方式に替えて、共沈法、有機金
属の水熱合成、共沈法等の化学的方法による超微粉の検
討および超急冷法による超微粉の作製が可能となって来
ている。焼結プロセスどしては、添加助材を探求するこ
とにより、特に液相焼結効果を得るべく検討し、常圧焼
結の他ホットプレス（ＨＰ）、熱間静水圧プレス（＋−
１１Ｐ）等の検討も行なった。これらの総合的結果とし
て、Ａｌ ２０ａ、Ｔｉ Ｇ、Ｔｉ ８２．Ｚｒ ０２
のうち１種以上を主成分とする空孔率０．１％以下の高
密度セラミック基板を安定に、比較的簡易な方法で得る
ことが出来た。これを鏡面研磨加工することにより目標
とするセラミック基板加工仕様を得、これにスパッタリ
ングにより厚さ０．１〜０．１７μｎ１のγ−Ｆｅ２０
３薄膜媒体を形成し、バニシング処理および潤滑剤塗布
を行ない、ウィンヂエスター型Ｍｎ ＝Ｚｎ磁気ヘッド
にて磁気ヘッド浮上性の確認および′＃４ｃｓｓ性テス
トを行なった。その結果、スペーシングを０．１μｍ
−０，２μｍまで減少させても安定に磁気ヘッドは浮上
し、耐Ｃ８Ｓ性においても３万回以上を記録することが
出来、２〜３μｍ厚さにアルマイ１〜処理したアルミデ
ィスク基板使用γ−Ｆｅ２０ａｌ膜媒体におけるよりも
耐摩耗性に優れていることを確認した。
については従来の機械的方式に替えて、共沈法、有機金
属の水熱合成、共沈法等の化学的方法による超微粉の検
討および超急冷法による超微粉の作製が可能となって来
ている。焼結プロセスどしては、添加助材を探求するこ
とにより、特に液相焼結効果を得るべく検討し、常圧焼
結の他ホットプレス（ＨＰ）、熱間静水圧プレス（＋−
１１Ｐ）等の検討も行なった。これらの総合的結果とし
て、Ａｌ ２０ａ、Ｔｉ Ｇ、Ｔｉ ８２．Ｚｒ ０２
のうち１種以上を主成分とする空孔率０．１％以下の高
密度セラミック基板を安定に、比較的簡易な方法で得る
ことが出来た。これを鏡面研磨加工することにより目標
とするセラミック基板加工仕様を得、これにスパッタリ
ングにより厚さ０．１〜０．１７μｎ１のγ−Ｆｅ２０
３薄膜媒体を形成し、バニシング処理および潤滑剤塗布
を行ない、ウィンヂエスター型Ｍｎ ＝Ｚｎ磁気ヘッド
にて磁気ヘッド浮上性の確認および′＃４ｃｓｓ性テス
トを行なった。その結果、スペーシングを０．１μｍ
−０，２μｍまで減少させても安定に磁気ヘッドは浮上
し、耐Ｃ８Ｓ性においても３万回以上を記録することが
出来、２〜３μｍ厚さにアルマイ１〜処理したアルミデ
ィスク基板使用γ−Ｆｅ２０ａｌ膜媒体におけるよりも
耐摩耗性に優れていることを確認した。
セラミック基板としては上記Δ１２ｏ３系の他、Ｙ ２
０ ａ含有Ｚｒ ０２系についても検討し、ディスク全
面にわたり、空孔率０．１％以下である高密度拐加工基
板については、ランクテーラーポプリン社製゛タリサー
フ、タリステップ、タリロンド等の表面精度測定機にて
評価した結果、Ｒａ≦０．０１μｍ、微小うねり≦０．
０６ μｍ ７４１１１ｍを達成し、磁気ディスク完成
面についても同等の表面精度が得られた。 連続薄膜媒
体においては、基板精度が転写されるため媒体表面精度
も高く、前述の様に優れた浮上性と耐Ｃ８Ｓ特性を得る
ことが出来た。
０ ａ含有Ｚｒ ０２系についても検討し、ディスク全
面にわたり、空孔率０．１％以下である高密度拐加工基
板については、ランクテーラーポプリン社製゛タリサー
フ、タリステップ、タリロンド等の表面精度測定機にて
評価した結果、Ｒａ≦０．０１μｍ、微小うねり≦０．
０６ μｍ ７４１１１ｍを達成し、磁気ディスク完成
面についても同等の表面精度が得られた。 連続薄膜媒
体においては、基板精度が転写されるため媒体表面精度
も高く、前述の様に優れた浮上性と耐Ｃ８Ｓ特性を得る
ことが出来た。
薄膜媒体として、スパッタリングによるγ−Ｆｅ２Ｏ３
を用いた場合、室温から４００℃間の熱膨張率はγ−Ｆ
ｅ ２０３において、ｇｏｘ ｉｏツ℃、Ｆ ｅ ａ
Ｏａ ｋ：Ｊ５イ”’Ｃ１００Ｘ’１０−／ ℃程ｇテ
ａ ’）、基１０ 板のそれはｚｏｘｌｏ−）ｃ以上…ｘ１０’ｙ′℃以下
であることが膜の密着性上望ましく、基板のヤング率も
熱処理中薄膜よりうける応力変形に充分耐えるよう２．
２ｘ １０’ ｋｇ／ ｍｍ２以上が望ましい。
を用いた場合、室温から４００℃間の熱膨張率はγ−Ｆ
ｅ ２０３において、ｇｏｘ ｉｏツ℃、Ｆ ｅ ａ
Ｏａ ｋ：Ｊ５イ”’Ｃ１００Ｘ’１０−／ ℃程ｇテ
ａ ’）、基１０ 板のそれはｚｏｘｌｏ−）ｃ以上…ｘ１０’ｙ′℃以下
であることが膜の密着性上望ましく、基板のヤング率も
熱処理中薄膜よりうける応力変形に充分耐えるよう２．
２ｘ １０’ ｋｇ／ ｍｍ２以上が望ましい。
材料は応力、加熱などによる変態のないものが望ましく
、ビッカース硬度も１，２００以上のものが加工面精度
の達成および基板表面硬度の確保上望ましい。空孔率０
．３％の高密度のものについては目的とする表面精度が
得られず、３μｍ以上の欠陥も多く薄膜媒体用ディスク
基板としては不適当であった。実施例１ 純度９９．５％以上１粒径１．０．ｃｚ ｍ以下のＡ
Ｉ ２０ｓ粉末にＭ（１００，５重Ｍ％添加した粉末を
湿式により２４時間混合したのち、乾燥、造粒し、これ
を１ｔｏｎ ／ａｍ’の圧力で外径１５０ｍｍ ｘ内径
３５ｍｍｘ ２．３ｍｌ１１厚さに成形し、この成形体
を大気中で１６００℃で１時間常圧焼結をした。。さら
に１５００℃、１時間。
、ビッカース硬度も１，２００以上のものが加工面精度
の達成および基板表面硬度の確保上望ましい。空孔率０
．３％の高密度のものについては目的とする表面精度が
得られず、３μｍ以上の欠陥も多く薄膜媒体用ディスク
基板としては不適当であった。実施例１ 純度９９．５％以上１粒径１．０．ｃｚ ｍ以下のＡ
Ｉ ２０ｓ粉末にＭ（１００，５重Ｍ％添加した粉末を
湿式により２４時間混合したのち、乾燥、造粒し、これ
を１ｔｏｎ ／ａｍ’の圧力で外径１５０ｍｍ ｘ内径
３５ｍｍｘ ２．３ｍｌ１１厚さに成形し、この成形体
を大気中で１６００℃で１時間常圧焼結をした。。さら
に１５００℃、１時間。
１０００気圧の条件で１−（Ｉ Ｐ した。しかるのち
、ラッピングおよびメカノケミカルボリジングにより鏡
面研磨加工を施し、外径１３０ｍｔｎ Ｘ内径４０ｍｍ
Ｘ厚さ２ｍｍの形状に仕上げた。
、ラッピングおよびメカノケミカルボリジングにより鏡
面研磨加工を施し、外径１３０ｍｔｎ Ｘ内径４０ｍｍ
Ｘ厚さ２ｍｍの形状に仕上げた。
ＨＩＰ後の嫡−粘体について組織観測および水置換法に
より、空孔率を測定した結果試料全体にねたり空孔率０
．１％以下であることが確かめられた。
より、空孔率を測定した結果試料全体にねたり空孔率０
．１％以下であることが確かめられた。
加工基板の表面精度は、中心線平均粗さＲａ−０、ＯＣ
ｉ μｍ最大粗さＲｍａｘ ＝ ０．０４ μｍ’ 、
微小うねり０．０５μｍ ／’４ｍｍ 、 ４５℃間隔
、ディスクのほぼ中央部の８測定点につぎ３μｍ以上の
ボア等の欠陥密度Ｏ〜２ヶ／ｍｍ２であった。ごツカー
ス硬度）−１ｖ＝１６００．熱膨張率ａ ＝ ７７ｘ
１０ｙ℃、ヤング率η−３．６ｘ １０’ ｋｇ／ｍｍ
２であった。
ｉ μｍ最大粗さＲｍａｘ ＝ ０．０４ μｍ’ 、
微小うねり０．０５μｍ ／’４ｍｍ 、 ４５℃間隔
、ディスクのほぼ中央部の８測定点につぎ３μｍ以上の
ボア等の欠陥密度Ｏ〜２ヶ／ｍｍ２であった。ごツカー
ス硬度）−１ｖ＝１６００．熱膨張率ａ ＝ ７７ｘ
１０ｙ℃、ヤング率η−３．６ｘ １０’ ｋｇ／ｍｍ
２であった。
空孔率０．１％以下の高密度、且つ高硬度Ａｌ２Ｏ３材
を使用したため、上記の様な高表面精度が得られたもの
である。
を使用したため、上記の様な高表面精度が得られたもの
である。
２００℃に温度コン［・ロールしたこの基板に対し、Ｆ
ｃターゲットのへｒ＋０２ガス中での酸化反応ＨＦマグ
ネトロンスパッタリングを施しＦ ｅ ３０４を形成し
、これを大気中で３００℃ｘ３ｆ−１ｒ加熱酸化シ、膜
厚１７００Ａ （７） ７” Ｆ ｅ ２０３を得た。
ｃターゲットのへｒ＋０２ガス中での酸化反応ＨＦマグ
ネトロンスパッタリングを施しＦ ｅ ３０４を形成し
、これを大気中で３００℃ｘ３ｆ−１ｒ加熱酸化シ、膜
厚１７００Ａ （７） ７” Ｆ ｅ ２０３を得た。
これをダイヤチップにてバニシング処理し有（履物系の
潤滑膜約２０ＯＡを形成し、連続薄膜媒体磁気ディスク
とした。ディスク完成後の面粗さはＲａ＝０．０１１μ
ｍ 、 Ｒｍａｘ ＝ ０．１．ｃｚｍ 、微小うねり
０．０６μｍ／４ｍｍであった。磁気ヘッドの浮上性は
スペーシング０．１５μｍに減少させても安定に浮上す
ることを確認した。耐Ｃ８Ｓ性においても３万回を確認
することができた。
潤滑膜約２０ＯＡを形成し、連続薄膜媒体磁気ディスク
とした。ディスク完成後の面粗さはＲａ＝０．０１１μ
ｍ 、 Ｒｍａｘ ＝ ０．１．ｃｚｍ 、微小うねり
０．０６μｍ／４ｍｍであった。磁気ヘッドの浮上性は
スペーシング０．１５μｍに減少させても安定に浮上す
ることを確認した。耐Ｃ８Ｓ性においても３万回を確認
することができた。
一方、厚さ３μｍのアルマイト層を有するアルミディス
クについて本質的に同一の加工条件で加工し、同様の工
程でｎｏｏｋのγ−Ｆｅ ２０ａ薄膜を形成、バニシン
グ処理および潤滑膜を形成した磁気ディスクについては
、表面精度等はほぼ上記Ａｌ２Ｏ３基板に近い値を得、
浮上ｆｆｌ ０．２μｍを確認し得たが、耐Ｃ８Ｓ寿命
は１〜２万回程度であった。空孔率０．１％以下の高密
度・高硬度Ａｌ２Ｏ３基板を用いた磁気ディスクの方が
耐Ｃ８Ｓ特性に優れていることが確認できた。
クについて本質的に同一の加工条件で加工し、同様の工
程でｎｏｏｋのγ−Ｆｅ ２０ａ薄膜を形成、バニシン
グ処理および潤滑膜を形成した磁気ディスクについては
、表面精度等はほぼ上記Ａｌ２Ｏ３基板に近い値を得、
浮上ｆｆｌ ０．２μｍを確認し得たが、耐Ｃ８Ｓ寿命
は１〜２万回程度であった。空孔率０．１％以下の高密
度・高硬度Ａｌ２Ｏ３基板を用いた磁気ディスクの方が
耐Ｃ８Ｓ特性に優れていることが確認できた。
実施例２
純度９９．５％以上２粒径１．０μｍ以下のＡｌ２Ｏ。
粉末およびＴｉＣ粉末およびＡＩＮ、ＭａＯ粉末を各々
Ｇ８．５ｔｚ ｆＪｉ ％ 、 ３０重量％、 １重１
）％、０．５重量％秤量し、実施例１と同様な方法で成
形体を作製した。成形体は１６５０℃で１時間常圧焼結
し、よさらに１５００℃、 １時間、 １ｏｏｏ気圧の
条件下でＨＩＰした。これを実施例１と同様な工程で加
工し、実施例１と同一形状のディスク基板を得た。空孔
率は０．１％以下、 Ｈｖ ＝１９００． α−７０ｘ
ｌＯ−）℃。
Ｇ８．５ｔｚ ｆＪｉ ％ 、 ３０重量％、 １重１
）％、０．５重量％秤量し、実施例１と同様な方法で成
形体を作製した。成形体は１６５０℃で１時間常圧焼結
し、よさらに１５００℃、 １時間、 １ｏｏｏ気圧の
条件下でＨＩＰした。これを実施例１と同様な工程で加
工し、実施例１と同一形状のディスク基板を得た。空孔
率は０．１％以下、 Ｈｖ ＝１９００． α−７０ｘ
ｌＯ−）℃。
ｒ） ＝ ４．０ｘ１０’ ｋｇ／ｍｍ２であった。
加工基板の表面精度はＲａ ＝ ０．００４μｍ、Ｒｍ
ａｘ＝ ０．０３μｍ、微小うねり０．０４μｍ／’ｍ
ｍ、３μｍ以上のボア等欠陥密度は０〜１ケアｍｒｎ２
であった。
ａｘ＝ ０．０３μｍ、微小うねり０．０４μｍ／’ｍ
ｍ、３μｍ以上のボア等欠陥密度は０〜１ケアｍｒｎ２
であった。
実施例１と同様な方法で、Ｒａ −＝ ０．００５μｍ
。
。
ＲｍａＸ ＝ ０．０５ 、微小うねり０．０５ μｍ
７重４ｍｍの磁気ディスクを完成した。同様に浮上性
、Ｃ５Ｓｉストを行ない、スペーシング０．１３μｍ、
１ｌｉ−ＩＣ８Ｓ性５万回を確認し得た。
７重４ｍｍの磁気ディスクを完成した。同様に浮上性
、Ｃ５Ｓｉストを行ない、スペーシング０．１３μｍ、
１ｌｉ−ＩＣ８Ｓ性５万回を確認し得た。
本Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ材はＴｉＣ含有屯２０％ないし４
０％では切削性に優れており、極めて優れた加工基板表
面精度を得ることができ、この精度が完成磁気ディスク
の面精度に転写されていることを確認した。
０％では切削性に優れており、極めて優れた加工基板表
面精度を得ることができ、この精度が完成磁気ディスク
の面精度に転写されていることを確認した。
尚、本薄膜磁気ディスクについて、同様にＡｌｚｏ３・
ＴｉＣを基板とした、いわゆる薄膜磁気ヘッドにてＣ８
Ｓテストを行なった結果、アルマイト処理アルミニウム
基板γ−Ｆｅ２０３涜膜磁気デイスクにおけるよりも耐
Ｃ８Ｓ特性に優れており、２万回以上のＣ８Ｓ寿命を確
認した。
ＴｉＣを基板とした、いわゆる薄膜磁気ヘッドにてＣ８
Ｓテストを行なった結果、アルマイト処理アルミニウム
基板γ−Ｆｅ２０３涜膜磁気デイスクにおけるよりも耐
Ｃ８Ｓ特性に優れており、２万回以上のＣ８Ｓ寿命を確
認した。
実施例３
純度９９．５％以上１粒径１μｍ以下のＡｌ２０ａ。
Ｔｉ Ｃ，Ｔｉ Ｂ２ 、Ｚｒ ０２を各７０．１４．
１４． ２Ｅ１％秤聞し、これを原料とし、実施例１と
同様な方法で作製し、次のＨＩＰ焼結体を得た。空孔率
０．１％以下、 Ｈｖ ＝２１００． α＝７２ｘ１０
／℃、 η＝ ３．９ｘｌＯ’ ｋｇ／＋ｎｎ＋２゜実
施例１と同様な方法で加工評価した基板の表面精度はＲ
ａ＝ ０．００４μｍ 、 ＲｍａＸ ＝ ０．０３
μｍ 。
１４． ２Ｅ１％秤聞し、これを原料とし、実施例１と
同様な方法で作製し、次のＨＩＰ焼結体を得た。空孔率
０．１％以下、 Ｈｖ ＝２１００． α＝７２ｘ１０
／℃、 η＝ ３．９ｘｌＯ’ ｋｇ／＋ｎｎ＋２゜実
施例１と同様な方法で加工評価した基板の表面精度はＲ
ａ＝ ０．００４μｍ 、 ＲｍａＸ ＝ ０．０３
μｍ 。
微小うねり０．０４μＢ／４ｍｍ、３μｍ以上のボア等
欠陥密度は０〜１ケ／ｍｍ２であった。実施例１と同様
な方法で同一形状のディスクを完成、同様な方法でテス
トし、０．１５μｍの浮上但、８万回以上の耐Ｃ８Ｓ性
を確認した。
欠陥密度は０〜１ケ／ｍｍ２であった。実施例１と同様
な方法で同一形状のディスクを完成、同様な方法でテス
トし、０．１５μｍの浮上但、８万回以上の耐Ｃ８Ｓ性
を確認した。
実施例４
純度９９．５％以上９粒径１．０μ以下のＡｌ２Ｏ３゜
Ｚｒ ０２ 、Ｙ２０３を各／？６７、３０．、 ３重
♂％ｒｉ台し原料とした。実施例１と同様な方法で成形
体を作製した。成形体を１４００℃で１時間、 ３００
ｋ（］ ／ｃｍ２のプレス圧を加圧、減圧下でホットプ
レスした。ポットプレス焼結材の特性は、空孔率０．１
％以下、 Ｈｖ ＝１５００’、 α＝８２ｘｌｏ／’
Ｃ，７７＝ ３，７ｘ１０’ ｋ（］／ｍ１ｌ１２であ
った。
Ｚｒ ０２ 、Ｙ２０３を各／？６７、３０．、 ３重
♂％ｒｉ台し原料とした。実施例１と同様な方法で成形
体を作製した。成形体を１４００℃で１時間、 ３００
ｋ（］ ／ｃｍ２のプレス圧を加圧、減圧下でホットプ
レスした。ポットプレス焼結材の特性は、空孔率０．１
％以下、 Ｈｖ ＝１５００’、 α＝８２ｘｌｏ／’
Ｃ，７７＝ ３，７ｘ１０’ ｋ（］／ｍ１ｌ１２であ
った。
実施例１と同様な方法で加工評価した基板の表面精度は
Ｒａ ＝ ０．００１μｍ 、 Ｒｍａｘ ＝ ０．０
２ μｍ 。
Ｒａ ＝ ０．００１μｍ 、 Ｒｍａｘ ＝ ０．０
２ μｍ 。
微小うねり０．０４μｍ ／４ｍ１ｌｌ 、３１１ｍ以
上の欠陥密度はＯ〜１ケ／’ｍｍ’であった。
上の欠陥密度はＯ〜１ケ／’ｍｍ’であった。
実施例１と同様な方法で同一形状の磁気ディスクを完成
、同様な方法で評価した結果、浮上ＭＯ９１３μｍ、５
万回以上の耐Ｃ８万作以上認した。
、同様な方法で評価した結果、浮上ＭＯ９１３μｍ、５
万回以上の耐Ｃ８万作以上認した。
実施例５
純度９９．５％以以上粗粒径１．０ｍ以下のＺｒＯ２お
よびＹ２０’３を各々８２．１８重量％組成の原料を用
い、実施例１と同様な方法で作製し、次の特性のＨＩＰ
焼結体を得た。空孔率０．１％以下、１」■＝ １．２
５０．α−９７Ｘ １０／℃、η−２，３ｘ １０’
ｋ（＋／ ｍｍ６実施例１と同様な方法で加工評価した
基板の表面精度はＲａ ＝ ０．００３μｍ 、 Ｒｍ
ａｘ ＝ ０．０２ μｍ 。
よびＹ２０’３を各々８２．１８重量％組成の原料を用
い、実施例１と同様な方法で作製し、次の特性のＨＩＰ
焼結体を得た。空孔率０．１％以下、１」■＝ １．２
５０．α−９７Ｘ １０／℃、η−２，３ｘ １０’
ｋ（＋／ ｍｍ６実施例１と同様な方法で加工評価した
基板の表面精度はＲａ ＝ ０．００３μｍ 、 Ｒｍ
ａｘ ＝ ０．０２ μｍ 。
微小うねり０．０３μ…／４ｍｍ、３μｍ以上の欠陥密
度は０〜１ヶ／ｍｍ２であった。
度は０〜１ヶ／ｍｍ２であった。
実施例１と同様な方法で同一形状の磁気ディスクを完成
、同様な方法で評価した結果、浮上１０．１３μｍ、５
ＳＣ７万回以上を確認することが出来た。
、同様な方法で評価した結果、浮上１０．１３μｍ、５
ＳＣ７万回以上を確認することが出来た。
Ｙ２Ｏ３絹成４ないし１２重量％組成のＺｒ ０２・Ｙ
２０３基板材については、相識が立方晶と単斜晶の２
相から成り、且つ５００℃に立方晶の変態点を有するた
め、硬度の不均一と熱処理工程にお（ブる不安定性から
加工基板面およびディスク表面精度では、Ｙ２Ｏ３含有
重■１８％以上のものより劣っていた。又、Ｙ２０ａ含
有量が少ない程、焼結冷却時クラックが入り、ディスク
基板材どしては不適であった。
２０３基板材については、相識が立方晶と単斜晶の２
相から成り、且つ５００℃に立方晶の変態点を有するた
め、硬度の不均一と熱処理工程にお（ブる不安定性から
加工基板面およびディスク表面精度では、Ｙ２Ｏ３含有
重■１８％以上のものより劣っていた。又、Ｙ２０ａ含
有量が少ない程、焼結冷却時クラックが入り、ディスク
基板材どしては不適であった。
従って、Ｚｒ ０２ ・Ｙ ２０３系デイスク基板材と
してはＹ２０３が１８重量％以上含むものが最適であり
、空孔率０．１％以下の高密度材を基板として用いたγ
−Ｆｅ ２０ａ Ｍ膜磁気ディスクは従来にない浮上特
性と耐ｃｓｓ性を示すことが明らかどなった。
してはＹ２０３が１８重量％以上含むものが最適であり
、空孔率０．１％以下の高密度材を基板として用いたγ
−Ｆｅ ２０ａ Ｍ膜磁気ディスクは従来にない浮上特
性と耐ｃｓｓ性を示すことが明らかどなった。
本発明により、空孔率０．１％以下、且っ１−ＩＶ１２
００以上の硬度とヤング率２，２ｘ１０’ ｋｇ／ｎ＋
ｍ’以上。
００以上の硬度とヤング率２，２ｘ１０’ ｋｇ／ｎ＋
ｍ’以上。
熱膨張係数７０〜１’１０ｘ１０／℃の高密度・高硬度
レラミツク基板を用いることにより、優れた浮上性が得
られ特にγ−Ｆｅ ２０ａ薄膜媒体磁気ディスクの問題
点であった耐Ｃ８Ｓ特性が従来の２〜５倍に改良され、
γ−Ｆｅ２Ｑ３１１１Ｑ媒体による高記録密度磁気ディ
スクの実用他見通しが１ｑられた。
レラミツク基板を用いることにより、優れた浮上性が得
られ特にγ−Ｆｅ ２０ａ薄膜媒体磁気ディスクの問題
点であった耐Ｃ８Ｓ特性が従来の２〜５倍に改良され、
γ−Ｆｅ２Ｑ３１１１Ｑ媒体による高記録密度磁気ディ
スクの実用他見通しが１ｑられた。
本セラミック基板は５インチ以下の比較的小型のディス
クにおいては原材Ｅ黄が少ないので、比較的有利となり
、また、ＨＩＰ等の適用により生産性の面から小型ディ
スクは有利であり、将来小型高記録密度ディスクへの応
用も期待出来る。
クにおいては原材Ｅ黄が少ないので、比較的有利となり
、また、ＨＩＰ等の適用により生産性の面から小型ディ
スクは有利であり、将来小型高記録密度ディスクへの応
用も期待出来る。
手続補正書
特許庁審査宮殿
事件の表示
昭和５８年 特許願 第１３１１９７号発明の名称 磁
気ディスク基板 補正をする名 事件どの関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸ノ内二丁目１番２号名称 （５
０ｇ＞日立金属株式会社 電話 東京０３−２８４ ４６４２ 明細門の「発明の詳細な説明」の欄。
気ディスク基板 補正をする名 事件どの関係 特許出願人 住所 東京都千代田区丸ノ内二丁目１番２号名称 （５
０ｇ＞日立金属株式会社 電話 東京０３−２８４ ４６４２ 明細門の「発明の詳細な説明」の欄。
補正の内容
別紙の通り。
１、明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を下記の
通り訂正する。
通り訂正する。
記
（１）明細書第３頁末行の「順澗剤」を「潤滑剤」に訂
正する。
正する。
（２）同書第７頁第１７行の「共沈法」を削除覆る。
（３）同書第７頁第１７行のｒ Ｏ，０６ｕｍ Ｊを１
” ｏ、ｏ０６μｍ Ｊにｔフ正する。
” ｏ、ｏ０６μｍ Ｊにｔフ正する。
（４）同書第８頁第１４行のｌ−０，１μｍ」を「０．
０６μｍ」に訂正する。
０６μｍ」に訂正する。
（５）同書第１０頁第１４行から第１９行を削除する。
以−１−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、空孔率０．１％以下、室温と４００℃間熱膨張係数
７０ｘ １０／ ℃以上１１０ｘ １０／ ℃以下、ヤ
ング率２．２Ｘ １０’ ｋ（１／ Ｉｎ１１１２以上
、ビッカース硬度１，２００以上の物性を有する高密度
セラミックスを用いたことを特徴どする磁気ディスク基
板。 ２、特許請求の範囲第１項において、Ａｌ２Ｏ３゜Ｔｉ
Ｃ，Ｔｉ Ｂ２ 、Ｚｒ ０２の少なくとも１種以上
を主成分とすることを特徴とするセラミック磁気ディス
ク基板。 ３、特許請求の範囲第１項において、Ｙ２Ｏ３６％以上
含有することを特徴とするＺｒ ０２系のセラミック磁
気ディスク基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131197A JPS6022733A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 磁気デイスク基板 |
| EP84108082A EP0131895B1 (en) | 1983-07-19 | 1984-07-10 | Magnetic disk substrate |
| DE8484108082T DE3462961D1 (en) | 1983-07-19 | 1984-07-10 | Magnetic disk substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131197A JPS6022733A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 磁気デイスク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022733A true JPS6022733A (ja) | 1985-02-05 |
| JPS6250887B2 JPS6250887B2 (ja) | 1987-10-27 |
Family
ID=15052296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58131197A Granted JPS6022733A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 磁気デイスク基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0131895B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6022733A (ja) |
| DE (1) | DE3462961D1 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038720A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-28 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク用基板 |
| JPS6142730A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-03-01 | Kyocera Corp | 磁気ディスクの製造方法 |
| JPS61246921A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Nec Corp | 磁気デイスク |
| JPS6247801A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-02 | Hitachi Ltd | 磁気記録装置 |
| JPS6278715A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-11 | Kyocera Corp | 磁気デイスク基板 |
| JPS62200201A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-03 | Kyocera Corp | 基準ゲ−ジ |
| WO1993024925A1 (fr) * | 1992-05-26 | 1993-12-09 | Nihon Cememt Co., Ltd. | Substrat de ceramique, procede de production et dispositif de blocage par le vide du substrat mettant en ×uvre une plaque de blocage par le vide en ceramique |
| WO1999049457A1 (en) * | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information support |
| US6347016B1 (en) | 1996-07-22 | 2002-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, process for producing the carrier, and method and apparatus for recording master information signal on magnetic recording medium by using the carrier |
| US6611388B1 (en) | 1998-03-23 | 2003-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information magnetic recorder |
| US6714367B1 (en) | 1998-10-29 | 2004-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information medium and method of master information recording |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3543254A1 (de) * | 1985-12-06 | 1987-06-11 | Siemens Ag | Plattenfoermiges aufzeichnungsmedium zur senkrechten magnetisierung |
| CN1147312A (zh) * | 1994-04-19 | 1997-04-09 | 圣戈本/诺顿工业搪瓷有限公司 | 改进的磁盘衬底 |
| WO1997008689A1 (en) * | 1995-08-29 | 1997-03-06 | Saint-Gobain Industrial Ceramics Inc. | Zirconia disk substrate having high surface finish |
| US5820960A (en) * | 1996-05-15 | 1998-10-13 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Thin zirconia disk substrate |
| US6069103A (en) * | 1996-07-11 | 2000-05-30 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | LTD resistant, high strength zirconia ceramic |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3719525A (en) * | 1969-01-09 | 1973-03-06 | Control Data Corp | Magnetic record members having a protective recording surface and method of making |
| US3646533A (en) * | 1969-04-08 | 1972-02-29 | Burroughs Corp | Rotary disk assembly having low-density core for information storage system |
| GB1397817A (en) * | 1971-10-13 | 1975-06-18 | Basf Ag | Production of magnetics discs |
| JPS5337203B2 (ja) * | 1974-10-24 | 1978-10-07 |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP58131197A patent/JPS6022733A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-10 EP EP84108082A patent/EP0131895B1/en not_active Expired
- 1984-07-10 DE DE8484108082T patent/DE3462961D1/de not_active Expired
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038720A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-28 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク用基板 |
| JPS6142730A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-03-01 | Kyocera Corp | 磁気ディスクの製造方法 |
| JPS61246921A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Nec Corp | 磁気デイスク |
| JPS6247801A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-02 | Hitachi Ltd | 磁気記録装置 |
| JPS6278715A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-11 | Kyocera Corp | 磁気デイスク基板 |
| JPS62200201A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-03 | Kyocera Corp | 基準ゲ−ジ |
| WO1993024925A1 (fr) * | 1992-05-26 | 1993-12-09 | Nihon Cememt Co., Ltd. | Substrat de ceramique, procede de production et dispositif de blocage par le vide du substrat mettant en ×uvre une plaque de blocage par le vide en ceramique |
| US5834106A (en) * | 1992-05-26 | 1998-11-10 | Nihon Cement Co., Ltd. | Ceramic substrate and producing process thereof, and a suction carrier for wafers using a ceramic wafer-chucking substrate |
| US6590727B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, method and apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| US6347016B1 (en) | 1996-07-22 | 2002-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, process for producing the carrier, and method and apparatus for recording master information signal on magnetic recording medium by using the carrier |
| US6567227B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, method and apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| US6587290B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-07-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, and method apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| US6606209B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, method and apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| US6606208B2 (en) | 1996-07-22 | 2003-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, method and apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| US6961196B2 (en) | 1996-07-22 | 2005-11-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information carrier, method for producing the carrier, method and apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier |
| WO1999049457A1 (en) * | 1998-03-20 | 1999-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information support |
| US6858328B1 (en) | 1998-03-20 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information support |
| US6611388B1 (en) | 1998-03-23 | 2003-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information magnetic recorder |
| US6714367B1 (en) | 1998-10-29 | 2004-03-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Master information medium and method of master information recording |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3462961D1 (en) | 1987-05-07 |
| EP0131895B1 (en) | 1987-04-01 |
| EP0131895A1 (en) | 1985-01-23 |
| JPS6250887B2 (ja) | 1987-10-27 |
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