WO1994008354A1 - Procede de sechage de plaquette - Google Patents
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- F26B21/40—Arrangements for supplying or controlling air or other gases for drying solid materials or objects using gases other than air
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- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Definitions
- the present invention relates to wafer drying. More specifically, a wafer drying method in which a drying step after chemical cleaning is performed in a hydrogen radical atmosphere in order to terminate the wafer surface with hydrogen.
- An object of the present invention is to provide a wafer drying method capable of simultaneously performing wafer drying and hydrogen termination, performing a large amount of processing, reducing the number of steps, and eliminating contamination and enabling complete hydrogen termination. I do.
- the present invention provides a mixed gas producing step of mixing an inert gas and a hydrogen gas, a hydrogen radical producing step of radicalizing hydrogen in the mixed gas, and introducing a first mixed gas containing hydrogen radicals into a drying chamber.
- the method is characterized by comprising a gas introducing step and a drying step of drying the wafer after the chemical cleaning step with the first mixed gas in the drying chamber and simultaneously hydrogen-damping the dangling bond.
- the hydrogen radical generator is provided in the first stage of the drying chamber, so that the wafer can be dried with a gas containing extremely active hydrogen radicals. It is possible to terminate the dangling bond with hydrogen. Further, in the present invention, drying and hydrogen termination can be performed at a low temperature, so that contamination of the wafer and thermal effects can be solved.
- FIG. 1 is a schematic diagram of an apparatus used in this example.
- FIG. 2 is a graph comparing and evaluating the method of Example 1 and the conventional method of drying only nitrogen using FT-IR.
- FIG. 3 is a cleaning process diagram of the Si wafer before drying according to the present embodiment.
- FIG. 4 is a graph showing a comparative evaluation of the method of Example 2 and a conventional method of drying only nitrogen using FT-IR.
- FIG. 5 is a schematic diagram of an apparatus used in Example 3.
- FIG. 6 is a schematic diagram of the device used in Example 4.
- FIG. 7 is a graph comparing and evaluating the method of Example 4 and the conventional drying method of only nitrogen using FT-IR. (Explanation of code)
- FIG. 1 shows an outline of the apparatus used in this example.
- nitrogen gas and hydrogen gas were controlled by mass flow controllers 101 and 102, respectively, and introduced into the heating furnace 103 at a flow rate of 10 L and 1 L, respectively, and hydrogen radicals were generated in the heating furnace 103.
- a mixed gas of hydrogen and nitrogen containing hydrogen radicals was sprayed on the wafer in the wafer drying chamber 104.
- the purity of the mixed gas used was an ultra-high-purity gas with impurities of 1 ppb or less, and the reactor was a SUS 316L stainless steel container filled with platinum fibers.
- the temperature of the reactor was 500 ° C. .
- a SUS 316L metal filter and stainless steel tube (1Z4 ") were installed at the rear stage of the reactor to allow gas to be blown from the vicinity of the wafer surface.
- the metal filter and stainless tube were also heated to 500 ° C.
- the temperature inside the drying chamber was set to 100 ° C.
- the cleaning layer and the drying chamber were connected through a gate valve, and the cleaning tank and the drying chamber were isolated from the outside air. The structure was such that the wafers could be processed from the cleaning process to the drying process without exposure to the air, and the drying time was 15 minutes.
- drying was performed with a hydrogen and nitrogen mixed gas having a hydrogen concentration of 10% and a flow rate of 11 L.
- the hydrogen concentration is preferably 0.1% or more, more preferably 1% to 10%.
- the temperature of the reactor, filter, and stainless steel tube was set at 500 ° C, but other temperatures may be used. For example, 50 ° C to 500 ° C is preferable, 200 ° C to 500 ° C is more preferable, and 350 ° C to 50 (TC is optimal.
- the material is not limited to platinum, but may be any material capable of generating hydrogen radicals at 500 ° C. or lower. However, materials that cause metal contamination are not preferred.
- the size of the gas spray nozzle is not limited to 1/4 ".
- stainless steel fiber SUS3 16 L was used instead of the platinum fiber filled in the reactor of Example 1.
- Other conditions were the same as in Example 1.
- FIG. 4 it was found that the drying method using a mixed gas of hydrogen and nitrogen has a stronger infrared absorption of hydrogen-silicon, and that hydrogen termination is surely performed.
- the hydrogen radical generating section in the first stage of the drying chamber of the first embodiment is removed, and instead, an ultraviolet irradiation mechanism is provided in the drying chamber 1, and hydrogen radicals are generated in the chamber 1, thereby cleaning the wafer with a chemical solution.
- an ultraviolet irradiation mechanism is provided in the drying chamber 1, and hydrogen radicals are generated in the chamber 1, thereby cleaning the wafer with a chemical solution.
- Fig. 5 shows an outline of the equipment used in this example. Other points were the same as in Example 1.
- Example 3 a hydrogen radical generation method by a discharge method using a high voltage was used instead of the hydrogen radical generation method by ultraviolet irradiation in Example 3.
- Other conditions were the same as in Example 1.
- FIG. 6 shows an outline of the apparatus used in this example.
- FIG. 7 it was found that the drying method using a mixed gas of hydrogen and nitrogen had a stronger infrared absorption of hydrogen-silicon, and the hydrogen was surely terminated.
- the first aspect of the present invention it becomes possible to terminate dangling bonds remaining on one wafer with hydrogen at the same time as drying the wafer after cleaning with a chemical solution.
- low temperature drying and hydrogen termination is possible, eliminating wafer contamination and thermal effects.
Landscapes
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Description
明細書
ウェハー乾燥方法 技術分野
本発明は、 ウェハー乾燥に係る。 より詳細にはウェハー表面を水素ターミネ一 卜するために薬液洗浄後の乾燥工程を水素ラジカル雰囲気で行うウェハー乾燥方 法。 背景技術
従来、 ダングリングボンドに対する水素ターミネート方法と薬液洗浄工程後のゥ ェハー乾燥方法としては次の技術が知られている。
(1) ダングリングボンドに対する水素タ一ミネート方法として、 石英管内に ウェハーを導入し、 水素雰囲気かつ 60 (TC以上という高温で処理する方法。
(2) ダングリングボンドに対する水素ターミネ一ト方法として、 最終洗浄工 程に希弗酸洗浄で処理をする。
(3) ダングリングボンドに対する水素タ一ミネート方法として、 最終洗浄ェ 程に希弗酸洗浄後、 沸騰超純水でウェハーを処理する方法。
(4) ウェハー乾燥方法としてイナ一トガスをウェハー表面に吹き付ける方 (5) ウェハー乾燥方法としてウェハーを回転させ遠心力で薬液を飛ばす方
(6) ウェハー乾燥方法としてィソプロピルアルコール蒸気雰囲気にウェハー を曝す方法。
しかし、 上記従来技術には、 次のような問題がある。
(1) (1) の技術は高温での処理のため、 汚染、 熱影響を受ける。
(2) (2) の技術はウェハー表面に弗素原子が残留する。
(3) (3) の技術は装置構成部材からの汚染を受ける。
(4) (5) の技術は枚葉処理のため効率が悪い。
(5) (6) の技術は排気排水処理設備が必要。
( 5 ) ( 1 ) ~ ( 6 ) の技術はウェハー乾燥と水素ターミネートの同時処理が 不可能。
本発明は、 ウェハー乾燥と水素ターミネートの同時処理が可能で、 大量処理、 工程削減が実施され、 汚染が無く、 かつ完全な水素ターミネートが可能なゥェ ハ一乾燥方法を提供することを目的とする。
発明の開示
本発明は、 イナートガスと水素ガスを混合する混合ガス製造工程と、 前記混合 ガス中の水素をラジカル化する水素ラジカル製造工程と、 水素ラジカルを含んだ 第一の混合ガスを乾燥チャンバ一に導入するガス導入工程と、 乾燥チャンバ一内 で第一の混合ガスにより薬液洗浄工程後のウェハ一を乾燥すると同時にダングリ ングボンドに対し水素タ一ミネ一卜する乾燥工程とからなることを特徴とする。
作用
本発明では、 水素ラジカル発生部を乾燥チャンバ一前段に設けたため、 非常に 活性な水素ラジカルを含んだガスでウェハー乾燥が可能となり、 その結果、 薬液 洗浄後のゥエノ、一乾燥と同時にゥェハーに残留しているダングリングボンドを水 素でターミネ一卜することが可能となる。 さらに、 本発明では、 低温で乾燥およ び水素タ一ミネ一卜が可能となり、 ウェハ一の汚染および熱影響が解決される。 図面の簡単な説明
図 1は、 本実施例に使用した装置の概略図である。 図 2は、 実施例 1の方法と 従来の窒素のみの乾燥方法を F T— I Rを使用して比較評価したグラフである。 図 3は、 本実施例による、 乾燥前の S iウェハーのクリーニングェ程図である。 図 4は、 実施例 2の方法と従来の窒素のみの乾燥方法を F T - I Rを使用して比 較評価したグラフである。
図 5は、 実施例 3に使用した装置の概略図である。 図 6は、 実施例 4に使用した 装置の概略図である。 図 7は、 実施例 4の方法と従来の窒素のみの乾燥方法を F T— I Rを使用して比較評価したグラフである。
(符号の説明）
101, 102 マスフローコントローラ、
103 加熱炉、
104 ウェハー乾燥チャンバ一。 発明を実施するための最良の形態
以下実施例を示して本発明を詳しく説明する。
(実施例 1 )
本実施例は、 窒素と水素の混合ガスを用いて、 ウェハーの薬液洗浄 （希弗酸 + 超純水） 後のウェハー乾燥工程とその表面の水素タ一ミネート工程を同時に行つ た。 図 1に本実施例に使用した装置概略を示す。 図 1に示すように窒素ガスと水 素ガスをそれぞれマスフローコントローラ 101、 102で制御し、 それぞれ 10 Lと 1 Lの流量で加熱炉 103に導入し、 加熱炉 103で水素ラジカルを発 生させ、 ウェハー乾燥チャンバ一 104内のウェハーに水素ラジカルの含んだ窒 素、 水素混合ガスを吹き付けた。 混合ガス純度は不純物が 1 ppb以下の超高純 度ガスを用い、 反応炉は S US 316 Lステンレス容器に白金繊維を充填したも ので、 本実施例において反応炉の温度は 500°Cとした。 反応炉の後段に SUS 316 Lのメタルフィルターとステンレス管 （1Z4" ) を設置しゥェ ハー表面直近からガスが吹き付けられる構造とした。 メタルフィルター及びステ ンレス管も 500°Cに加熱しておいた。 乾燥チャンバ一内の温度は 100°Cとし た。 洗浄層と車燥チャンバ一はゲートバルブを介して接 されており、 さらに洗 浄槽及び乾燥チャンバ一は外気と遮断されているため、 ウェハーを洗浄工程から 乾燥工程まで大気に曝さずに処理できる構造とした。 共に、 乾燥時間は 15分と した。
上記実施例では水素濃度が 10%、 1 1 Lの流量の水素、 窒素混合ガスで乾燥 を行ったが水素濃度は 0. 1 %以上が好ましく、 1 %〜 10 %がより好ましい。 また、 反応炉、 フィルタ一および、 ステンレス管の温度を 500°Cとしたが他の 温度でもかまわない。 例えば 50°C〜500どが好ましく、 200°C〜500°C がより好ましく、 350°C〜50 (TCが最適である。 また、 反応炉に充填された
材料は白金に限らず、 5 0 0 °C以下で水素ラジカルの発生が可能な材料であれば 何でもよい。 ただし、 金属汚染が発生する材料は好ましくない。 ガス吹き付けノ ズルのサイズも 1 / 4 " に限らない。
上記実施例の方法と従来の窒素のみの乾燥方法を F T— I Rを使用して比較評 価した。 評価結果を図 2に示す。 実線は上記実施例の乾燥方法、 点線は従来の窒 素ガスのみで乾燥させた方法。 乾燥前の薬液洗浄条件は、 図 3に示す通りであ る。 上記実施例の乾燥方法の方が水素 -シリコンの赤外線吸収が強く、 確実に水 素夕一ミネ一トしていることがわかった。
(実施例 2 )
本実施例では、 実施例 1の反応炉に充填した白金繊維に代え、 ステンレス繊維 ( S U S 3 1 6 L) を使用した。 他の条件は実施例 1と同様とした。 本実施例で は図 4に示すように水素、 窒素混合ガスを用いた乾燥方法の方が水素一シリコン の赤外線吸収が強く、 確実に水素ターミネートしていることがわかった。
(実施例 3 )
本実施例では、 実施例 1の乾燥チャンバー前段の水素ラジカル発生部を取り除 き、 代わりに乾燥チャンバ一内に紫外線照射機構を設け、 そして、 チャンバ一内 で水素ラジカル発生させ、 ウェハーの薬液洗浄 （希弗酸 +超純水） 後のウェハー 乾燥工程とその表面の水素ターミネー卜工程を同時に行った。 図 5に本実施例に 使用した装置概略を示す。 他の点は実施例 1と同様とした。
実施例 1と同様の評価を行った結果， 図 4に示すと同様の結果が得られ, 水 素、 窒素混合ガスを用いた乾燥方法の方が水素 -シリコンの赤外線吸収が強く、 確実に水素ターミネートしていることがわかった。
(実施例 4 )
本実施例では、 実施例 3の紫外線照射による水素ラジカル発生方法に代え、 高 電圧による放電法による水素ラジカル発生方法を使用した。 他の条件は実施例 1 と同様とした。 図 6に本実施例に使用した装置概略を示す。 本実施例では図 7に 示すように水素、 窒素混合ガスを用いた乾燥方法の方が水素一シリコンの赤外線 吸収が強く、 確実に水素ターミネートしていることがわかった。
産業上の利用可能性
以上説明したように、 請求項 1に係る発明によれば、 薬液洗浄後のウェハー乾 燥と同時にウェハ一に残留しているダングリングボンドを水素でターミネ一卜す ることが可能となる。 さらに、 低温で乾燥および水素ターミネートが可能とな り、 ウェハーの汚染および熱影響が解決される。
Claims
( 1 ) イナ一卜ガスと水素ガスを混合する混合ガス製造工程と前記混合ガス中 の水素をラジカル化する水素ラジカル製造工程と水素ラジカルを含んだ第一の混 合ガスを乾燥チャンバ一に導入するガス導入工程と乾燥チャンバ一内で第一の混 合ガスにより薬液洗浄工程後のウェハーを乾燥すると同時にダングリングボンド に対し水素ターミネ一卜する乾燥工程とからなることを特徴とするウェハ一乾燥 方法。
( 2 ) 水素ラジカル製造工程は、 水素を低温でラジカル化させる触媒作用を持 つた材料で少なくとも一部が構成された反応炉内で、 5 0 °C〜5 0 0 °Cで水素を 水素ラジカル化させることを特徴とする請求項 1記載のウェハー乾燥方法。
( 3 ) ガス導入工程は第一の混合ガス中に含まれる水素ラジカルを極力減衰さ せないで乾燥チャンバーに導入することを特徴とする請求項 1記載のウェハー乾 深方法。
( 4 ) ガス導入工程は水素ラジカル製造工程と乾燥工程の間において、 水素を 低温でラジカル化させる触媒作用を有した材料で少なくとも一部を構成し、 さら に少なくとも一部が 5 0 °C〜5 0 0 °Cに加熱可能となっており、 水素ラジカルの 発生が可能としたことを特徴とする請求項 3記載のウェハ一乾燥方法。
( 5 ) 乾燥工程は、 水素を低温でラジカル化させる触媒作用を有した材料で少 なくとも一部を構成し、 さらに少なくとも一部が 5 0 °C〜 5 0 0 °Cに加熱可能と なっているチャンバ一内で薬液洗浄後のウェハーを乾燥すると同時にダングリン グボンドに対して水素ターミネー卜することを特徴とする請求項 1記載のゥェ ハー乾燥方法。
( 6 ) 乾燥工程は、 水素とイナートガスの混合ガスにエネルギー照射 （紫外 線、 赤外線、 放電等） により水素ラジカル発生が可能な乾燥チャンバ一内におい て、 薬液洗浄後のウェハーを乾燥すると同時にダングリングボンドに対して水素 ターミネートすることを特徴とする請求項 1記載のウェハー乾燥方法。
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| EP93921119A EP0664558A4 (en) | 1992-10-05 | 1993-10-05 | METHOD FOR DRYING A WAFER. |
Applications Claiming Priority (2)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO1994008354A1 true WO1994008354A1 (fr) | 1994-04-14 |
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ID=17430193
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| PCT/JP1993/001432 Ceased WO1994008354A1 (fr) | 1992-10-05 | 1993-10-05 | Procede de sechage de plaquette |
Country Status (3)
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| JP (1) | JP3385324B2 (ja) |
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- 1992-10-05 JP JP26638492A patent/JP3385324B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1993-10-05 WO PCT/JP1993/001432 patent/WO1994008354A1/ja not_active Ceased
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Also Published As
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| EP0664558A4 (en) | 1997-02-19 |
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