WO1995005362A1

WO1995005362A1 - Sulfonylsemicarbazide derivative and composition for keeping cut flower freshness

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Publication number: WO1995005362A1
Application number: PCT/JP1994/001358
Authority: WO
Inventors: Naoki Midou; Kuniomi Matsumoto; Michiaki Iwata; Kunihiko Kurihara; Kunitaka Tachibana
Original assignee: Meiji Seika Kaisha Ltd
Current assignee: Meiji Seika Kaisha Ltd
Priority date: 1993-08-16
Filing date: 1994-08-16
Publication date: 1995-02-23
Anticipated expiration: 1996-02-16
Also published as: US5723407A; EP0714889B1; DE69414859D1; EP0714889A4; DE69414859T2; EP0714889A1; ES2125468T3; JP3418196B2

Description

一 i一明細書

スルホ二ルセミカルパジド誘導体と切り花の花の鮮度保持用組成物技術分野

本発明は、既知のまたは新規なスルホ二ルセミカルパジド誘導体を有効成分として含有する、切り花の花の鮮度保持用組成物または鮮度保持剤に関する。また、本発明は切り花の花の鮮度を保持できて切り花の鑑賞期間を延長できる活性を有する新規なスルホ二ルセミカルパジド誘導体に関する。更に、本発明は前記のスルホニルセミカルパジド誘導体で処理することによつて鑑賞用の花をつける植物、即ち花卉類（florist crops) の植物の花の鮮度を保持する方法にも関する。本発明で花の鮮度保持のための処理に使用されるスルホニルセミカルパジド誘導体は、具体的には次の一般式（ I )

O

II

R¹— S 0₂NH— C一 NH— N— R² ( I )

I

R³ 〔式中、 R ¹ は炭素原子数 3〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基を表すか、ハ π ゲン原子、低級ァノレキノレ基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、力ノレポキシル基、アクレコキシカルボニル基、ニトロ基、ァミノ基またはべンジルォキシ基により置換されてもよいフエ二ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは R ¹はカルボキシル基またはアルコキシカルボニル基により置換されてもよいチォフェン基を表し、 R ²および R ³はそれぞれに水素原子、低級アルキル基、アルコキサリル基、アルコキシアルキル基、または式一 C (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R ⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシカルボニル基またはアルキルチオーチォカルボ二ル基を表すか、あるいは R ²および R³は R ²と R³が結合している窒素原子と共に共同して炭素数 4 〜 5 の複素環を形成してもよく、もしくは R ²および R³が結合している窒素原子と共に式一 N = C R⁵( R ⁶) (但し、 R ⁵と R⁶は夫々に低級アルキル基を表す）の基を形成してもよい〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩である。

背景技術

切り花の花の鮮度が低下する原因としては、切り花を生けた生け水中で切り花の茎が腐敗や導管の閉塞を起すこと、栄養分の枯渴すること、および切り花の植物体内で老化ホルモンであるエチレンが增加することなどがあげられる。切り花の茎の腐敗や導管の閉塞を防止するには、 8-ヒドロキシキノリ.ンなどの殺菌剤や水中汚物を沈殿させるための硫酸アルミニウムを生け水に加えること、また切り花の水揚げを良くするための各種界面活性剤を加えることが提案されている。切り花の栄養分の枯渴を防止するには、生け水にショ糖などの糖類を加えることも知られている。しかし、これらの添加剤の効果にはばらつきがあり、定常性がない。

一方、植物の老化ホルモンであるエチレンの増加を防止するためには、 1978年にオランダの Veenらによつて発見されたチォ硫酸銀（silver thiosulfate) (STS と略記される）で処理する方法がある〔プランタ (Planta) HO. 93〜96頁、 1978年〕。 STSはエチレンの作用を抑制し、カーネーション、宿根カスミソゥなどの切り花でエチレンが花の萎凋の主要因となるような切り花に対しては花の鮮度を保持する効果を明確に示すことが知られている。

現在では、切り花の生産者は、多くの種類の切り花に対して花の鮮度保持剤として STSを使用している。しかし、 STS はその有効成分として、重金属である銀を含んでいるため、環境汚染の問題が懸念されている。現在、重金属を含まない安全な切り花の花の鮮度保持剤が強く望まれている。実際にオランダでは、既に STSは使用が規制されており、 STSの代わりに、ェチレンの生合成を阻害するァミノォキシ酢酸〔ホートサイエンス（Hortscience) 11， 805〜806.頁、 1980年〕力 s実用されている。しカゝし、この化合物は価格が高く、 STS と比べて適用できる花の種類が少なく、効果も劣るといった問題がある。

また L -ひ - (2 -アミノエトキシビエル）グリシンや 2-ァミノイソ酪酸も、エチレンの生合成を阻害することにより、切り花の花の鮮度保持効果を示すことが知られている〔ジャーナル · ォブ ' ジ ' アメリカン ' ソサイァティ · フォー · ホ一ティカノレチュラル ' サイエンス (Journal of The American Society For Hort ic ultural Science) 102, 517〜 520頁、 1977年、およびサイェンティァ · ホーティカノレチュレ（Scientia Horticulturae) , 127〜134頁、 1990年〕。前記の 2 つの化合物を混用することにより、切り花の花の鮮度を保留させる効果が髙まることも知られている（特開平 5_ 238901号）。しかし、これら化合物はその効果に比べて価格が高いので、実用されていない。

いくつかのスルホ二ルセミカルパジド誘導体とそれらの製造法は、抗糖尿病薬用として知られ〔ァクタ · ケ 'ミカ · スカンジナビ力 (Acta Cheraica Scandinavica) 0 , 2795〜 2806頁、 1966年、及びケミカル ' アンド ' ファーマシユーティ力ノレ · ブレチン（Chemical and Pharmaceutical Bulletin) 2 , 472 ~ 480頁、 1978年〕、また農園芸用殺菌剤として知られる（特開昭 57-206651 号公報）。し力し、これら既知のスルホ二ルセミカルパジド誘導体が切り花の花の鮮度保.持効果を有することは従来では全く知られていない。

発明の開示

本発明の目的は、切り花の鑑賞期間を延長できるように切り花の花の鮮度を長期間保持するのに優れた効果を有する新規な切り花の花の鮮度保持剤を提供することにある。

本発明者らは、上記の目的を達成すべく多数の化合物を合成して、これら化合物の切り花の花に対する生理的作用を鋭意検討した。その結果、一般式（ I )

O

II

R¹— S 0₂NH— C一 NH— N— R² ( I )

I

R³

〔式中、 R ¹ は炭素原子数 3 〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、低級アルキノレ基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、カルポキシル基、アルコキシカルボ二ル基、ニトロ基、ァミノ基またはべンジルォキシ基により置換されてもよいフエ二ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは R ¹はカルボキシル基またはアルコキシ力ノレポニル基により置換されてもよいチォフェン基を表し、 R ²および R ³はそれぞれに水素原子、低級アルキル基、ァノレコキサリル基、アクレコキシァノレキル基、または式一 C (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R ⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシカルポニル基またはアルキルチ.ォーチォカルボ二ル基を表すか、あるいは R ²および R ³は R ²と R ³が結合している窒素原子と共に共同して炭素数 4 〜 5 の複素環、例えばモルホリノ基またはピペリジノ基を形成してもよく、もしくは R²および R³が結合している窒素原子と共に式一 N = C R⁵( R⁶) (伹し、 R⁵と R⁶は夫々に低級アルキル基を表す）の基を形成してもよい〕で総括的に表される多数の既知の又は新規なスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩が切り花の花の鮮度保持効果を有するのみならず、切り花の生産用に栽培されて土壌またはその他の栽培用媒質で生育されている花卉類の植物の花の鮮度を延長できる効果を有することを見いだし、本発明を成すに至った。

従って、第 1 の本発明によると、一般式（ I )

O

II

R¹— S 0₂NH— C一 NH— N— R² ( I )

〔式中、 R ¹ は炭素原子数 3 〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、低級ァノレキル基、ヒドロキシノレ基、アルコキシル基、カルポキシノレ基、アルコキシ力ノレボニル基、ニトロ基、ァミノ基またはべンジルォキシ基により置換されてもよいフエ二ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは R ¹はカルボキシル基またはアルコキシカルボニル基により置換されてもよいチォフェン基を表し、

R ²および R ³はそれぞれに水素原子.、低級アルキル基、アルコキサリル基、アルコキシアルキル基、または式一 C (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R ⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシカルボニル基またはアルキルチオーチォカルボ二ル基を表すか、あるいは R ²および R ³は R ²と R ³が結合している窒素原子と共に共同して炭素数 4 〜 5 の複素環、例えばモルホリノ基またはピペリジノ基を形成してもよく、もしくは R²および R³が結合している窒素原子と共に式一 N = C R⁵( R⁶) (但し、 R⁵と R⁶は夫々に低級アルキル基を表す）の基を形成してもよい〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩の少なくとも 1 種を有効成分として含有し且つ該有効成分のための液状または固体状の担体を含有することを特徴とする、切り花の花の鮮度保持用組成物が提供される。

上記の一般式（ I ) について低級アルキル基とは、炭素原子数 1 〜 6 のアルキル基を意味し、炭素原子数 1 〜 4 のアルキル基であるのが好ましい。アルコキシル基は、炭素原子数 1 〜 6 のアルコキシル基であるのが好ましい。アルコキシカルボニル基は、炭素原子数 2 〜 7 のアルコキシカルボニル基であるのが好ましい。アルコキシアルキル基は、（d〜（ ₄)アルコキシ -(Ci 〜（： ₄ ) アルキル基であるのが好ましい。アルキルチオ基は（（^〜（：₄) アルキルチオ基であるのが好ましい。

一般式（ I ) のスルホ二ルセミカ.ルバジド誘導体の塩とは、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニゥム塩、ポリエタノールァミン付加塩、イソプロピルアミン付加塩およびトリメチルァミンの如きトリー低級アミンとの付加塩を包含する。発明を実施するための最良の形態

一般式（ I ) のスルホ二ルセミカルバジド誘導体の具体的な例を後記の第 1 表および第 2表に示すが、本発明に利用できる化合物は第 1 表と第 2 表に示された化合物のみに限定されるものではない。なお、表中の化合物 No . は以下に述べる合成例および試験例において参照される。

R丄ー S0₂ - NH - 式（I)

化合物 No. R 1 R 2 R、

1

第 1 表 (続き）

式（I )

1 2

化合物 No. R R

17 C2H4OC2H5 C2H4OCク！^

18 ひ H COOCH₃ 3

表 (続き）

R 式（I)

化合物 No. R^J R

H3C-C-C-

25 H₂ H₂ CH₃ CH₃

H3C-CH-

26 CH₃ CH₃

CH₃

第 2 表

0

E丄- S0₂ - NH - C - NH - A 式（Ι' ) 化合物 No. R^J A

33 ひ ■N 0

第 1 表に示された化合物 No.3、 No.4、 No.8、 No.9、 No.11、 No.13、 No.14 の化合物、ならびに第 2表に示された化合物 No .34、 No.36の化合物はケミカル · アブストラクッ · レジストリー · ファイルに記載された既知の化合物である。第 1表に示された化合物 No .5の化合物は前出の Γァクタ · ケミカ · スカンジナビヤ J M， 2795 -2806頁（ 1966 )に記載され、第 2表に示された化合物、 No.32、 No.35 の化合物は Γジャーナル . ォブ ' メジカル ' ファーマソイチカル ' ケミストリー」（J. Med. Pharm. Chem. ) _5_, 815〜 822頁（ 1962 ) に記載された既知の化合物である。

第 1 表および第 2表に示されたその他の化合物はすベて文献に未記載の新規化合物である。但し、第 1 表に示された化合物 No .12は前出の特開昭 57- 206651号明細書に具体的には記載されないが、その公開されたクレーム 1 に示された一般式で.表わされたフエニルスルホニルセミカルパジド誘導体に包含される。

第 1 表および第 2表に示された新規化合物の若干について、その物性として融点を後記の第 3表および第 4表に示す。

第 1 の本発明による花の鮮度保持.用組成物において有効成分として用いられる化合物は下記の一般式 ( I - a )、（ I - b )、 ( I - c ) , ( I - d )、（ I - e ) 、 ( I - f ) 、（ I - h )および（ I. - i ) で示されるスルホニルセミカルパジド誘導体またはその塩であるのが好ましい。 ( 1 ) 一般式（卜 a)

O

II

R^la-S0₂NH-C-NH-N-R^2a (I-a)

I

R^3a

[式中、 R ^laが炭素数 3 〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基、フエニル基、 2 — トリル基、フルオロフェニル基、ヒドロキシフエニル基、ベンジルォキシフエニル基、アルコキシ力ノレボニルフエ二ル基またはピリジル基であるか、もしくは R ^laはカルボキシル基またはアルコキシカルボニル基により置換されてもよぃチォフェン基であり、 R^2aおよび R^3aがそれぞれ低級アルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体。

( 2 ) 一般式（卜 b)

O

II

R^lb一 S O₂NH— C一 NH一 N一 R^2b (1-b)

I

R^3b

〔式中、 R^lbが低級アルキル基で置換されてもよぃフェニル基であり、 R ^2bおよび R ^3bの一方が水素原子であり、他方が低級アルキル基、好ま.しくはメチル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体。 ( 3 ) 一般式（ 1 - c)

O

II

R^lc-SO₂NH-C-NH-N-R^2c (1-c)

R^3C 〔式中、 R ^{1 c}が低級アルキル基またはハロゲン原子で置換されてもよいフエニル基であり、 R^2Cおよび R^3C がそれぞれに低級アルコキシアルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルノジド誘導体。

( 4 ) 一般式（I-d)

O

II

R^ld-SO₂NH-C-NH-N-R^2d (1-d)

I

〔式中、 R^ldが低級アルキル基で置換されてもよいフェニル基であり、 R ^2dおよび R^3dの一方がアルコキサリル基または式一 C (X)— X— R ⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R ⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシルカルポニル基またはアルキルチォーチォカルボニル基であり、 R^2dおよび R^3dの他方は水素原子または低級アルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体。

( 5 ) 一般式（ 1-e)

O

II

R^le-S0₂NH-C-NH-N-R^2e (I-e)

〔式中、 R ^{1 e}が低級アルキル基またはハロゲン原子で置換されてもよいフエニル基であり、 R^2eおよび R^3e はそれらが結合する窒素原子と共に共同してモルホリノ基またはピペリジノ基を形成する〕で示されるスルホニルセミカノレパジド誘導体。 ( 6 ) 一般式（ト f)

O

II

R^lf-S0₂NH-C-NH-N-R^2f (1-f)

I

R^3f

〔式中、 R ^{1 f} が低級アルキル基で置換されてもよいフェニル基であり、 R ^2f および R ^3f はそれらが結合する窒素原子と共に式一 N = C R⁵(R⁶) (伹し、 R⁵と R⁶ はそれぞれに低級アルキル基を表す）の基を形成する〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体。

( 7 ) 一般式（ 1-g)

O

II

— S 0₂NH— C一 NH— N— R² (I-g)

I

〔式中、 R ¹ は炭素原子数 3 ~ 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基であり、 R ²*および R ³*はそれぞれに炭素原子数 1 〜 2 のアルキル基である〕で示されるスルホニルセミカルパジド誘導体。

( 8 ) —般式（ 1-h)

O

II

R^lh-SO₂NH-C-NH-.N-R^2h (I-h)

R 3h 〔式中、 R ^{1 h}はピリジン一 2 —ィル基またはピリジン一 3 ーィル基であり、 R ^2hおよび R ^3hはそれぞれに炭素原子数 1 〜 2 のアルキル基である〕で示されるスルホニルセミカルバジド誘導体。

( 9 ) 一般式（ 1-i)

O

II

R¹¹— S O₂NH— C一 NH— N— R²ⁱ (1-i)

I

_R3i

〔式中、 R ¹ iはカルボキシル基または低級アルコキシカルボニル基により置換されてもよいチォフェン一 2 一ィル基またはチォフェン一 3 —ィル基であり、 R²ⁱ および R³ⁱはそれぞれに炭素原子数 1 〜 2 のアルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルノ^ジド誘導体。

第 1 の本発明による組成物で有効成分として用いられる一般式（ 1 〉の化合物は特に下記の（ i ) 〜（vfi ) の化合物であるのが好ましい。

( i ) 1, 1-ジメチノレ- 4- (フエニノレスノレホニノレ）セミカルパジド（第 1表の化合物 No.3 ) ( ϋ ) 1， 1-ジメチル -4- (ρ-メチノレフエニルスルホニル）セミカルパジド（第 1表.の化合物 No.5 ) ( iii ) 1, 1-ジメチノレ— 4-(p-ク口 α フェニノレスノレホニル）セミカルパジド（第 1表の化合物 No .8 ) ( iv ) 1， 1-ジメチノレ- 4- (p-ニトロフエニノレスゾレホニル）セミカルパジド（第 1表の化合物 No.13) ( v ) 1 , 1 -ジメチル -4- ( ピリジン- 2 -ィルスルホニノレ）セミカルパジド（第 1 表の化合物 No.27) ( i ) 1， 1-ジメチノレ- 4- (チォフェン- 2-ィルスルホニル）セミカルパジド（第 1 表の化合物 No · 29 ) ( vii ) 1- (2-プロノノン） -4- (p-メチノレフエニノレスノレホニル）セミカルパゾン（第 2 表の化合物

No.37) 。

第 1 の本発明による花の鮮度保持用組成物においては、一般式（ I ) の有効成分化合物は、例えば水、メタノール、エタノールなどのアルコール類、アセトン、ペンタノン、シクロへキサノン、イソホロンなどのケトン類、酢酸ェチル、酢酸ブチル、セパシン酸ジェチルなどのエステル類、メチルセ口ソルブ、ェチルセ口ソルブなどのエーテル類、ベンゼン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、灯油、流動パラフィンなどの脂肪族炭化水素類、ジメチルフオルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの溶媒またはそれらの混合溶媒の如き液体担体と混合され、これら溶媒に溶解して配合される。必要に応じて界面活性剤、無機または有機アミン類あるいは酸類、糖類、ガム類などの補助剤を追加的に加えることができる。 .

また、一般式（ I ) の化合物を粘土鉱物、澱粉、糖類、重曹、芒硝などの塩類、有機酸類などの固体担体と混和して適宜に希釈して第 1 の本発明の組成物を調合することもできる。さらに上記のような添加物材料を用いて、水溶液、油性溶液、懸濁液、乳化液、クリーム、ペーストあるいは粉末、顆粒、錠剤の如き各種の固形の製剤を製造し、使用に当って、適宜に水などで希釈して植物に施用できる。

上記の本発明組成物の製剤を製造するに際しては、その使用目的および使用形態によって本組成物を広い範囲の適用場面で施用し得るので、製剤中の一般式

( I ) の化合物の含有量を目的に応じて適当に変化させることが必要である。製剤を直接に植物に適用する場合には、一般式（ I ) の化合物が、その製剤中に実用上の施用される濃度で含まれるようにすることが必要である。髙浪度製剤を作る場合には、一般式（ I ) の化合物を重量で 5 〜 8 0 %、好ましくは 1 0〜 40 %の割合で配合することが望ましい。

第 1 の本発明の花の鮮度保持用組成物には、殺菌剤ゃ展着剤などの添加剤、市販の他の花鮮度保持剤ゃ栄養捕給剤などを所望ならば追加的に配合することもでさる。

前記一般式（ I ) のスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩は、前記のように担体と混和することにより組成物の形に製剤して施用できるが、また一般式（ I ) の化合物を有効成分としてそのまま、すなわち担体と混和することなく、切り花の花の鮮度保持剤として利用できる。

それ故、第 2 の本発明によると、前記の一般式（ I ) のスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩を有効成として含有してなる切り花の花の鮮度保持剤が提供される。

第 1 の本発明の花の鮮度保持用組成物も、第 2 の本発明の花鮮度保持剤も、散布、浸漬、灌注などの方法により切り花植物へ施用することができる。施用方法は一般式（ I ) の化合物の特性に基づいて、様々の公知の方法が可能である。一般的には一般式（ I ) の化合物を含む溶液、分散液または懸濁液を植物体全体に散布処理する方法、あるいは切り花用の花卉類の植物体の根部もしくは収穫後の切り花の茎の切り口を一般式（ I ) の化合物を含む処理液に浸漬して本化合物を植物体内に吸収させる方法を採用できる。処理の一つの方法としては、切り花の茎の切り口を一般式（ I ) の化合物を含む処理液中に 1 時間以上、好ましくは 1 〜 24時間浸漬すれば良い。別の処理の方法としては、一般式（ I ) の化合物を添加された水を入れた花瓶などに切り花を生けておいても良い。

本発明による一般式（ I ) の化合物の使用浪度は、対象とする花の種類や形態によって最適値が異なるので、特に限定されない。好ましくは.一般式（ I ) の化合物は水に溶解または分散して 1 X 1 0_ ⁴〜 0 . 1重量％の範囲の濃度で用いられる。

本発明の花の鮮度保持用組成物または鮮度保持剤を適用できる花としては、カーネーション、デルフィ二ゥム、スイートピー、宿根カスミソゥ、ユリ、フリージァ、チューリップ、洋ランなどがあげらる。圃場で栽培中の花卉類の植物、鉢に移植された花卉類の植物あるいは花卉類の植物の茎の中間部または下端部の所で根を切り離して作られる切り花に本発明は適用できる。

従って、第 3 の本発明によると、一般式（ I )

O

II -

R¹— S O₂NH—C— NH— N— R² ( I )

〔式中、 R ¹ は炭素原子数 3 〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、低級アルキル基、ヒドロキシル基、ァノレコキシル基、カルポキシル基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、ァミノ基またはべンジルォキシ基により置換されてもよいフエ二ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは R ¹はカルボキシル基またはアルコキシカルポニル基により置換されてもよいチォフェン基を表し、 R²および R³はそれぞれに水素原子、低級アルキル基、アルコキサリル基、アルコキシアルキル基、または式一 C (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシカルボニル基またはアルキルチオ—チォカルボ二ル基を表すか、あるいは R ²およ.び R ³は R ²と R ³が結合している窒素原子と共に共同して炭素数 4 〜 5 の複素環を形成してもよく、もしくは R²および R³が結合している窒素原子と共に式一 N = C R⁵(R⁶) (但し、 R⁵と R⁶は夫々に低級アルキル基を表す）の基を形成してもよい〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩またはこれの水溶液で花卉類の植物の根部を切断されて作られた切り花の茎の切り口または葉を、あるいは圃場または鉢で栽培されている花卉類の植物の根または葉を処理し、これによつて、花の鮮度を保持するのに有効な量の一般式（ I ) の化合物を該切り花または栽培中の植物に吸収させることから成る、花の鮮度を保持する方法が提供される。

第 3 の本発明の方法では、切り花の茎の切り口を処理する場合には、一般式（ I ) の化合物を 1 X 10- ⁴重量％〜 0.1重量％の範囲の浪度で含む水溶液に 1 時間以上、例えば 1 ~24時間、茎の切り口を浸漬して該化合物の吸収のための処理を行うことができる。また、栽培中の花卉類の植物を処理する場合には栽培土、等による吸着や流亡による損失を考えて、上記の濃度範囲より高められた濃度で一般式（ I ) の化合物を含む水溶液を栽培用の土又はその他の栽培用媒質に散布して浸透する方法が適用できる。

更に第 4 の本発明は一般式（ I )

O

II

R¹— SO₂NH— C一 NH— N— R² ( I ) 〔式中、： R¹ は炭素原子数 3〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、低級アルキル基、ヒドロキシル基、ァノレコキシル基、力ノレボキシル基、アルコキシカノレポ -ル基、ニトロ基、ァミノ基またはべンジルォキシ基により置換されてもよいフエ二ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは R ¹はカルボキシル基またはアルコキシカルボニル基により置換されてもよいチォフェン基を表し、 R ²および R ³はそれぞれに水素原子、低級アルキル基、アルコキサリル基、アルコキシアルキル基、または式一 C (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシカルボニル基またはアルキルチオーチォカルボ二ル基を表すか、あるいは R ²および R ³は R ²と R ³が結合している窒素原子と共に共同して炭素数 4〜 5 の複素環を形成してもよく、もしくは R²および R³が結合している窒素原子と共に式一 N = C R⁵(R⁶) (但し、 R⁵と R⁶は夫々に低級アルキル基を表す）の基を形成してもよい〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩を、花の鮮度保持剤の製造に用いる使用を包含する。

本発明に関わる一般式（ I ) のスルホ二ルセミカルパジド誘導体は、下記の A法または B法で示した反応式に従って容易に製造することができる。 A法

( Π ) (m)

O

(i)

B法

R¹- S O₂NH C OO C₂H₅ + H₂N-N R²(R³)

(IV)

O

II

― R¹— S O₂NH— C一 NH— N— R²

I

( I ) R³ 反応式中で、 R ¹ , R ² および R ³ は前記の一般式 ( I ) におけると同じ意味を表す。上記の A法においては、スルホ二ルイソシアナート ( Π ) を無水の塩化メチレン、ベンゼン、トルエン、テトラヒドロフラン、ジォキサンなどの溶媒に溶解し氷冷下ないし室温で攪拌しながらヒドラジン（ m ) を添加すると速やかに反応し、目的とするスルホ二ルセミカルパジド誘導体（ I ) を容易に得ることができるまた、 B法においては、スルホ二ルカーパメート ( IV) とヒドラジン（ ΠΙ ) を混合する力、あるいはトルェン、キシレンなどの溶媒に溶解して 105〜 120 °Cで反応させることにより、高収率で目的とするスルホ二ルセミカルパジド誘導体（ I ) を得ることができる。第 1 の本発明の組成物で又は第 2 の本発明による薬剤で有効成分として用いる一般式（ I ) の化合物のうちの一部は既知の化合物であるが、その他の化合物は文献に未記載の新規な化合物である。

それ故、第 5 の本発明によると、新規な化合物として、一般式（ I〃）

O

II

R¹— S O₂NH— C一 NH— N— R² ( ）

. I

R³

〔式中、 R ¹ は炭素原子数 3〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、低級ァノレキノレ基、ヒドロキシノレ基、ァノレコキシノレ基、力ノレボキシル基、アルコキシカノレポ二ル基、ニトロ基、ァミノ基またはべンジルォキシ基により置換されてもよいフエ二ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは R ¹はカルボキシル基またはアルコキシカルボニル基により置換されてもよいチォフェン基を表し、 R²および R³はそれぞれに水素原子、低級アルキル基、アルコキサリル基、アルコキシアルキル基、または式一 C (X)— X— R ⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R ⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシカルボニル基またはアルキルチオーチォカルボ二ル基を表すか、あるいは R ²および R ³は R ²と R ³が結合している窒素原子と共に共同して炭素数 4〜 5 の複素環を形成してもよく、もしくは R ²および R³が結合している窒素原子と共に式一 N = C R⁵(R⁶) (但し、 R⁵と R⁶は夫々に低級アルキル基を表す）の基を形成してもよいが、但し（ i ) R がァノレコキシカルボニル置換フエニル基である場合に、 R²と R³との両者は低級アルキル基であり、また（ ii ) R ¹がフヱニル基、 ρ —メチノレフエ二ノレ基、 ρ — クロ口フエ二ノレ基、 - ブロモフエ -ル基、 ρ —二トロフエニル基、 ρ —アミノフエニル基または ρ —メトキシフエ二ル基である場合に、 R²と R³との両者が阇時にメチル基またはェチル基であることがなく、また（ iii ) R ¹が p —メチルフェニル基または p — クロ口フエニル基である場合に、 R²と R³とがモルホリノ基を形成することがなく、さらに（ iv ) R ¹がフエニル基または p —メチルフエニル基である場合に、 R²と R³とがピペリジノ基を形成することがないことを条件とする〕で示されるスルホ二ルセミカパジド誘導体またはその塩が提供される。

第 5 の本発明による一般式（ I〃）で示される新規なスルホ二ルセミカルパジド誘導体の具体的な例を、次の第 3表および第 4表にその融点と共に記載する。第 3表、第 4表に示される化合物 No. は第 1表、第 2表に示されたものと同じである。第 3 表 R 式（Γ)

化合物 No. R^J R IT 融点 (°C)

第 3 表 (ί売き）

Rl - S0₂ - NH_ 式（1" )

化合物 No. R」 R R、融点 C )

21 ひ H CSSC2H5 140.5-141.5

22 H₃C H CSSCH3 156-156.5

23 CH₃ COCOOCH3 165.5-166.5

24 ひ CH₃ CH₃ 184-187

H3C-C - C-

25 H₂ H₂ CH₃ CH₃ 152.5-153

H3C-CH-

26 CH₃ CH₃ 145-145.5

CH₃

.5

第 4 表

0

1 ¹¹

R丄- S0₂ - NH - C - NH - A 式（1"') 化合物 No. R^J A 融点 (°C)

33 o- 一 N O 186-188

第 5 の本発明による一般式（ 1〃）の新規な化合物は、それの好ましい実施態様として、下記の（ 1 ) 〜（ 9 ) に列挙された新規なスルホ -ルセミ力ルパジド誘導体を包含する。

( 1 ) 一般.式（ & )

O

II

R^la-SO₂NH-C-NH-N-R^2a (l"-a)

I

R^3a

〔式中、 R ^laが 2 — トリノレ基、フルオロフ工ニル基、ヒドロキシフエニル基、ベンジルォキシフエ二ノレ基、またはアルコキシカルボニルフエニル基であり R ^2βおよび R ^3aがそれぞれに低級アルキル基である〕で示されるスルホニルセミカルパジド誘導体（例えば第 3表の化合物 No.6、 Νο· 7、 No.10, No.12 , No.24) 。

( 2 ) 一般式（ b)

O

II

R^lb— S O₂NH— C一 NH— N— R^2b (I - b)

R^3b

〔式中、 R ^lbが低級アルキル基で置換されてもよいフ工ニル基であり、 R ^2bおよび R ^3bの一方が水素原子であり、他方が低級アルキル基、好ま.しくはメチル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体 (例えば第 3表の化合物 No.1と No.2) 。 ( 3 ) 一般式（ c)

O

II

R^lc- S O₂NH-C-NH-N-R^2c (I^-c)

I

R^3C 〔式中、 R ^{1 e}が低級アルキル基またはハロゲン原子で置換されてもよいフエニル基であり、 R ^2Cおよび R^3C がそれぞれに低級アルコキシアルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルバジド誘導体（例えば第 3 表の化合物 No.15、 No.16および No.17) 。

( 4 ) 一般式（ d)

O

II

R^ld- S O₂NH-C-NH-N-R^2d (1 - d)

I

R^3d

〔式中、 R ^ldが低級アルキル基で置換されてもよいフェニノレ基であり、 R ^{2 d} および R ^{3 d} の一方が式 — C (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R ⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシルカルボニル基またはアルキルチオーチォカノレポニル基あるいはアルコキサリル基であり、 R ^2dおよび R ^3dの他方は水素原子または低級アルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルパジ.ド誘導体（例えば第 3表の化合物 No.18、 No.19、 No.20、 No.21、 No.22、および No.23 ) 。 ( 5 ) 一般式（ 1^-e)

O

II

R^le— S〇₂NH— C一 NH— N— R^2e (l"-e)

I

R^3e

〔式中、 R ^{1 e}がフエニル基であり、 R ^2eおよび R ^3eはそれらが結合する窒素原子と共に共同してモルホリノ基を形成する〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体（例えば第 4表の化合物 No.33) 。

( 6 ) 一般式（ l"-f)

O

II

l^f-S0₂NH-C-NH-N-R^2f (I^-f)

I

R^3f

〔式中、 R^lf が低級アルキル基で置換されてもよいフェニル基であり、 R ^2f および R^3f はそれらが結合する窒素原子と共に式一 N = C R⁵(R ⁶) (但し、 R⁵と R ⁶ はそれぞれに低級アルキル基を表す）の基を形成する〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体（例えば第 4表の化合物 No.37) 。

( 7 ) 一般式（ -g)

O

II

R"— S O₂NH— C一 NH— N—. (1' g)

I

〔式中、 R ¹^は炭素原子数 3〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基であり、 R ^2£および R はそれぞれに炭素原子数 1 ~ 2 のアルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体（例えば第 3表のィ匕合物 No.25と No.26) 。

( 8 ) 一般式（ 1' h)

O

1.1

R^lh-SO₂NH-C-NH-N-R^2b (\^ff- )

〔式中、 R ^{1 h}はピリジン一 2 —ィル基またはピリジン一 3 ーィル基であり、 R ^{2 h}および R ^{3 h}はそれぞれに炭素原子数 1 〜 2 のアルキル基である〕で示されるスルホニルセミカルパジド誘導体（例えば第 3表の化合物

No.27と No.28 ) 。

( 9 ) 一般式（ '-i)

O

II

R¹¹— S 0₂NH— C— NH— N— R²ⁱ (^-i)

I

R³ⁱ

〔式中、 R ¹¹はカルボキシル基または低級アルコキシカルボニル基により置換されてもよいチォフェン一 2 一ィル基またはチォフェン一 3 —ィル基であり、 R ²ⁱ および R³ⁱはそれぞれに炭素原子数 1 〜 2 のアルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルバジド誘導体（例えば第 3表の化合物 No.29、 No, 30および No.31 ) 。

次に、第 5 の本発明による一般式（ I〃）の化合物の若干例の製造を以下の合成例について例示して本発明を説明する。但し、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。合成例 1

1-ェトキシカルボニル -4- (4-メチルフエニルスノレホニル） -セミカルパジド（第 ·3表の化合物 No .20 )の合成ェチノレカルノゼート 1.1 gと 4 - トリルスルホ二ノレイソシァネー卜 2.2gを無水ジク口ロメタン 30ralに溶解し、その溶液を氷冷下で攪拌すると直ちに結晶が析出した。 1 時間攪拌を続けたのち、反応液から結晶を濾別し、ジクロロメタンで洗浄した。その後乾燥して目的化合物 2.65gを得た。融点 174〜 176°C、収率 88%。 . 合成例 2

1， 1-ジ（2 -ェトキシェチノレ） -4- (4-ク口 π フエニルスルホニル） -セミカルパジド（第 3表の化合物 No .17 ) の合成

4- ク口 π フエニノレスノレホニノレ —ェチノレカーノメ一ト 2.6gと 1， 1-ビス（エトキシェチル）ヒドラジン 1.8g を混合し、その混合物を 110 °Cで 15分間反応させて赤褐色油状の反応生成物を得た。この反応生成物をシリ力ゲルカラムクロマトグラフィーに付し、展開溶媒へキサン一酢酸ェチル（ 1 ： 1 ) で展開して目的物相当の分画を集めた。目的の分画を濃縮後、へキサンから再結晶して白色結晶 1.8gを得た。融.点84.5〜85.5 、収率 47 %。

合成例 3

1, 1-ジメチノレ- 4-(4 -フオノレオ.口フェニルスノレホニノレ） -セミカルバジド（第 3 表の化合物 No.7) の合成 4 - フノレオ口フェニノレスノレホニノレ-ェチノレカー ^ メ一ト 3. lgを 3 Omlのキシレンに溶解し、その溶液に 1， 1 - ジメチルヒドラジン 1.8g を加えたのち 115 °Cで 20分間反応させた。反応液を放冷すると油状物が分離し、固化した。これを濾取し、トルエンで洗浄して目的化合物 4.25gを得た。融点143.5~111.5で、収率 81 %。

なお、合成例 1 ないし合成例 3 の方法に準じて、第 3表および第 4 表に示した新規な化合物を合成した。更に、一般式（ I ) の合物が切り花の花の鮮度を保持する効果を有することを次の試験例 1〜 6 により例証する。

試験例 1

本例はカーネーション切り花の鮮度保持に本発明による一般式（ I ) の化合物が有効であることを示す。神奈川県秦野市の農家において栽培されたカーネーシヨン（品種；フランシスコ）を茎長が 10 eraの長さになるように茎の下端を切った。供試化合物を lOppm 含む水溶液の 50mlが入った管瓶（直径 3 cm X高さ X 12cm) に、切り花を 1 本ずつ入れ茎の下端を浸漬した。その後 25 °Cの恒温室内に保って切り花の花弁の状態を観察した。各試験区とも 4 反復とした。 .比較のため、供試化合物を添加しない試験も行った。結果を第 5表に示す。第 5表浸漬処理の開始後の日数供試化合物 No.

0 2 4 6 8 薬剤無添加一土土 ++ ++

1 土 ± +

3 ― 土

4 ± . +

5 ± ±

6 ± +

8 ― 土一花弁の萎凋なし土花弁の萎凋開始 + 花弁の萎凋進行 ++ 花弁の完全萎凋第 5表から明らかなように、いずれの供試化合物もカーネーション切り花の花の鮮度保持効果を示した。試験例 2

本例も、本発明による化合物がカーネーション切り花の鮮度保持効果を有することを示す。

試験例 1 と同様の方法で試験を行った。結果を第 6 表に示す。

第 6表浸漬処理の開始後の日数供試化合物 No.

0 2 4 6 8 薬剤無添加 + + ++

9

16

19

20

21

22 土

32 +

33

34 +

35

36 + 一花弁の萎凋なし土花弁の萎凋開始 + 花弁の萎凋進行 H 花弁の完全萎凋第 6 表から明らかなように、いずれの供試化合物もカーネーション切り花の鮮度保持効果を示した。試験例 3

試験例 1 と同様の方法でカーネーション切り花について試験を行った。結果を第 7 表に示す。第 7表浸漬処理の開始後の日数供試化合物 No.

0 2 4 6 8 10 薬剤無添加 ++ ++

7 + ++ 11 + 12 + ++ 15 + + 17 + + 18 + ++ 27

一花弁の萎凋なし ± 花弁の萎凋開始

+ 花弁の萎凋進行 ++ 花弁の完全萎凋第 7表から明らかなように、いずれの供試化合物も切り花の鮮度保持効果を.示した。

試験例 4 試験例 1 と同様の方法でカーネーション切り花について試験を行った。結果を第 8表に示す。

第 8表浸漬処理の開始後の日数供試化合物 No.

0 2 4 6 8 10 薬剤無添加 ++ ++ 10 ++ 13 ++ 14 ++ 24 ++ 25 ++ 26 + ++ 27 ++ 28 ++ ++ 29

30 ++ ++ 31 + 一花弁の萎凋なし土花弁の萎凋開n ΐ始 ± ± ± + + :

+ 花弁の萎凋進行 ++ 花弁の完全萎凋第 8表から明らかなように、いずれの供試化合物もカーネーションの切り花の鮮度保持効果を示した。試験例 5

試験例 1 と同様の方法でカーネーション切り花について試験を行った。結果を第 9表に示す。

第 9表浸漬処理の開始後の日数供試化合物 No.

0 2 4 6 8 10 薬剤無添加 + 1+ ++ ++ 37 + 一花弁の萎凋なし + 花弁の萎凋開始 + 花弁の萎凋進行 ++ 花弁の完全萎凋第 9表から明らかなように、化合物 No .27 はカーネーション切り花の鮮度保持効果を示した。

試験例 6

試験例 1 と同様なカーネーションを茎長 50cmの長さに切り、その切り花を、供試化合物を第 10表に示される濃度で含む水溶液中に 3本ずつ入れた。 25 °Cの恒温室にて茎の切り口から 16時間薬液を吸収させた。その後、精製水に切り花を生け直し、その後の切り花の花弁の状態を観察した。各試験区とも 2反復とした。比較のため、供試化合物として STSを用いても試験した。結果を第 10表に示す。

第 10表供試化合物生け直し後の日数供試化合物

の濃度 0 2 4 6 8 薬剤無添加 + ++ ++

STS (比較） 0.2 raM ± ± + +

3 0.04 ± +

0.2 ± 土 +

1.0 ± +

8 0.04 ± ± + +

0.2 士 +

1.0 + + 一花弁の萎凋なし土花弁の萎凋開始 + 花弁の萎凋進行 ++ 花弁の完全萎凋第 10表から明らかなように、これ'らの供試化合物での前処理により、対照薬として用いた STSと同程度か又はそれ以上である花の鮮度保持効果を示した。産業上の利用可能性

本発明によれば、切り花の花の鮮度を良好な状態で長期に保つ鮮度保持剤が提供され、これは切り花の花または栽培中の花卉類の植物の花の鑑賞期間を延長できるので有用である。

Claims

請求の範囲

1 . 一般式（ I )

O

II

R¹— S O₂NH— C一 NH— N— R² ( I )

I

R³

〔式中、 R ¹ は炭素原子数 3 〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、低級アルキノレ基、ヒドロキシル '基、ァノレコキシル基、カルボキシノレ基、アルコキシカノレポ二ル基、ニトロ基、ァミノ基またはべンジルォキシ基により置換されてもよいフエ二ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すかもしくは R ¹はカルボキシル基またはアルコキシカルポニル基により置換されてもよいチオフヱン基を表し R²および R³はそれぞれに水素原子、低級アルキル基アルコキサリル基、アルコキシアルキル基、または式一 C (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシカルボニル基またはアルキルチオ—チォカルボ二ル基を表すか、あるいは R ²および R ³は R ²と R ³が結合している窒素原子と共に共同して.炭素数 4 〜 5 の複素環を形成してもよく、もしくは R²および R³が結合している窒素原子と共に式一 N = C R⁵( R 6) (但し、 R⁵と R⁶は夫々に低級アルキル基を表す）の基を形成してもよい〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩の少なくとも 1 種を有効成分として含有し且つ該有効成分のための液状または固体状の担体を含有することを特徴とする、切り花の花の鮮度保持用組成物。

2 . 一般式（卜 a)

O

II

R^la-SO₂NH-C-NH-N-R^2a (卜 a)

I

R^3a

〔式中、 R^laが炭素数 3 〜'4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基、フエニル基、 2 — トリル基、フルオロフェニル基、ヒドロキシフエニル基、ベンジルォキシフエ二ノレ基、ァノレコキシカノレポニルフエ二ノレ基またはピリジル基である力、もしくは R ^1βはカルボキシル基またはアルコキシカルボニル基により置換されてもよぃチォフェン基であり、 R^2aおよび R^3aがそれぞれ低級アルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルバジド誘導体またはその塩の少なくとも 1 種を有効成分として含有する請求の範囲 1 に記載の組成物。

3 . 一般式（卜 b)

O

II

R^lb— S〇₂NH— C— NH— N—R^2b (1-b)

R^3b

〔式中、 R ^{1 b}が低級アルキル基で置換されてもよいフェニル基であり、 R ^2bおよび R^3bの一方が水素原子であり、他方が低級アルキル基、好ましくはメチル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩の少なくとも 1 種を有効成分として含有する請求の範囲 1 に記載の組成物。

4 . 一般式（ 1-c)

O

II

R^lc-SO₂NH-C-NH-N-R^2c (I-c)

I

R^3c

〔式中、 R ¹ °が低級アルキル基またはハロゲン原子で置換されてもよいフエニル基であり、 R ^2cおよび R ^3C がそれぞれに低級アルコキシアルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩の少なくとも 1種を有効成分として含有する請求の範囲 1 に記載の組成物。

5 . 一般式（ ί-d)

O

II

R^ld-S0₂NH-C-NH-N-R^2d (I-d)

R^3d

〔式中、 R^ldが低級アルキル基で置換されてもよいフェニル基であり、 R ^2dおよび R ^3dの一方がアルコキサリル基または式一 C ( X )— X— R ⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシルカルポニル基またはアルキルチォーチォカルポニル基であり、 R²および R³の他方は水素原子または低級アルキル基である〕で示されるスルホ -ルセミカルパジド誘導体またはその塩の少なくとも 1 種を有効成分として含有する請求の範囲 1 に記載の組成物。

6 . —般式（ 1-e)

O

II

R^le-SO₂NH-C-NH-N-R^2e (1-e)

I

R^3e

〔式中、 R ^{1 e}が低級アルキル基またはハロゲン原子で置換されてもよいフエニル基であり、 R ^2eおよび R^3e はそれらが結合する窒素原子と共に共同してモルホリノ基またはピペリジノ基を形成する〕で示されるスルホニルセミカルパジド誘導体またはその塩の少なくとも 1種を有効成分として含有する請求の範囲 1 に記載の組成物。

7 . 一般式（ I-f )

O

II

R^lf-SO₂NH-C-NH-N-R^2f (I-f)

I

R^3f

〔式中、 R^lf が低級アルキル基で置換されてもよいフェニル基であり、 R^2f および R^3f はそれらが結合する窒素原子と共に式一 N = C R⁵(R ⁶) (但し、 R⁵と R⁶ はそれぞれに低級アルキル基を表す.）の基を形成する〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩の少なくとも 1種を有効成分として含有する請求の範囲 1 に記載の組成物。

8 . 一般式（卜 g) O

II

— S 0₂NH— C一 NH— N— (1-g)

I

〔式中、 R^l£は炭素原子数 3 〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基であり R ²*および R ³*はそれぞれに炭素原子数 1 〜 2 のアルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩の少なくとも 1種を有効成分として含有する請求の範囲 1 に記載の組成物。

9 . 一般式 -h)

O

II

R^lh一 S O₂NH一 C一 NH一 N一 R^2h (1-h)

I

_R3h

〔式中、 R ^{1 h}はピリジン一 2 —ィル基またはピリジン一 3—ィル基であり、 R^2hおよび R^3hはそれぞれに炭素原子数 1 〜 2 のアルキル基である〕で示されるスルホニルセミカルパジド誘導体またはその塩の少なくとも 1種を有効成分として含有する請求の範囲 1 に記載の組成物。

10. 一般式（卜 i)

O

II

R¹¹— S 0₂NH— C一 NH— N— R²ⁱ (I-i)

I

_R3i

〔式中、 R ¹ iはカルボキシル基または低級アルコキシカルボニル基により置換されてもよいチォフェン一 2 一ィル基またはチォフェン — 3 —ィル基であり、 R²ⁱ および R ³ⁱはそれぞれに炭素原子数 1 〜 2 のアルキル基である〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩の少なくとも 1種を有効成分として含有する請求の範囲 1 に記載の組成物。

11. 一般式（ I )

O

II

R¹— S 0₂NH— C一 NH— N— R² ( I )

〔式中、 ¹ は炭素原子数 3 〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、低級アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、カルポキシル基、アルコキシカルポニル基、ニトロ基、ァミノ基またはべンジルォキシ基により置換されてもよいフエ二ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは R ¹はカルボキシル基またはアルコキシカルボニル基により置換されてもよいチォフェン基を表し、 R ²および R ³はそれぞれに水素原子、低級アルキル基、アルコキサリノレ基、アルコキシアルキル基、または式一 c (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R ⁴は低級アルキル基を表す）.で示されるアルコキシカルボニル基またはアルキルチオーチォカルボ二ル基を表すか、あるいは R ²および R ³は R ²と R ³が結合している窒素原子と共に共同して炭素数 4 〜 5 の複素環を形成してもよく、もしくは R²および R³が結合している窒素原子と共に式一 N = C R⁵(R⁶) (伹し、 R⁵と R⁶は夫々に低級アルキル基を表す）の基を形成してもよい〕で示されるスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩の少なくとも 1 種を有効成分として含有することを特徴とする、切り花の花の鮮度保持剤。

12. —般式（ I )

O

II

R¹— S O₂NH— C一 NH— N_R² ( I )

R³

〔式中、 R ¹ は炭素原子数 3 〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、低級アルキノレ基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、カルボキシル基、アルコキシカノレポ二ル基、ニトロ基、ァミノ基またはべンジルォキシ基により置換されてもよいフエ二ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは R ¹はカルボキシル基またはアルコキシカルボニル基により置換されてもよいチォフェン基を表し、 R ²および R ³はそれぞれに水素原子、低級アルキル基、アルコキサリノレ基、アルコキシアルキル基、または式一 C (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R ⁴は低級アルキル基を表す）.で示されるアルコキシカルボニル基またはアルキルチオ一チォカルポ二ル基を表すか、あるいは R ²および R ³は R ²と R ³が結合している窒素原子と共に共同して炭素数 4 〜 5 の複素環を形成してもよく、もしくは R²および R³が結合している窒素原子と共に式一 N = C R⁵( R 6) (但し、 R⁵と R⁶は夫々に低級アルキル基を表す）の基を形成してもよレ、〕で示されるスルホ二ルセミカルバジド誘導体またはその塩またはこれの水溶液で花卉類の植物の根部を切断されて作られた切り花の茎の切り口または葉を、あるいは圃場または鉢で栽培されている花卉類の植物の根または葉を処理し、これによつて、花の鮮度を保持するのに有効な量の一般式（ I ) の化合物を該切り花または栽培中の ¾卉類の植物に吸収させることかち成る、花の鮮度を保持する方法。

13. 一般式（ I )

O

II

R¹— SO₂NH— C一 NH— N— R² ( I )

R³

〔式中、 R¹ は炭素原子数 3 〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基を表すか、ハロゲン原子、低級アルキル基、ヒドロキシノレ基、アルコキシル基、力ノレボキシル基、アルコキシカルボ二ル基、ニトロ基、ァミノ基またはべンジルォキシ基により置換されてもよいフエ二ル基を表すか、あるいはピリジル基を表すか、もしくは R ¹はカルボキシル基また.はアルコキシカルポニル基により置換されてもよいチォフェン基を表し、 R ²および R ³はそれぞれに水素原子、低級アルキル基、アルコキサリノレ基、アルコキシアルキル基、または式一 C (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R ⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシカノレポニル基またはアルキルチオーチォカルボ二ル基を表すか、あるいは R ²および R ³は R ²と R ³が結合している窒素原子と共に共同して炭素数 4 〜 5 の複素環を形成してもよく、もしくは R ²および R³が結合している窒素原子と共に式一 N = C R⁵(R⁶) (但し、 R⁵と R⁶は夫々に低級アルキル基を表す）の基を形成してもよい〕で示されるスルホ二ルセミカルノジド誘導体またはその塩を、花の'鮮度保持剤の製造に用いる使用。

14. 一般式（ I〃）

O

II

R¹— S0₂NH— C一 NH— N— R² ( ）

〔式中、 R ¹ は炭素原子数 3 〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基を表すか、ハ πゲン原子、低級アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、カルポキシル基、アルコキシカルボ二ル基、ニトロ基、ァミノ基またはべンジルォキシ基により置換されてもよいフエ二ル基を表すか、あるいはピリジル基を表す力もしくは R ¹はカルボキシル基またはアルコキシカルポニル基により置換されてもよいチオフヱン基を表し、 R ²および R ³はそれぞれに水素原子、低級アルキル基、アルコキサリル基、アルコキシアルキル基、または式一 C (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R ⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシカルボニル基またはアルキルチオーチォカルボ二ル基を表すか、あるいは R ².および R ³は R ²と R ³が結合している窒素原子と共に共同して炭素数 4 ~ 5 の複素環を形成してもよく、もしくは R ²および R³が結合している窒素原子と共に式一 N = C R⁵(R⁶) (但し、 R⁵と R⁶は夫々に低級アルキル基を表す）の基を形成してもよいが、但し（ i ) R ¹がアルコキシカルボニル置換フヱニル基である場合に、 R²と R³との両者は低級アルキル基であり、また（ ii ) R ¹がフエニル基、

Ρ —メチノレフエ二ノレ基、 ρ — クロ口フエ二ノレ基、 ρ - ブロモフエ二ノレ基、 ρ —二トロフエニル基、 ρ —アミノフエ -ル基または ρ —メトキシフエ二ル基である場合に、 R ²と R³との両者が同時にメチル基またはェチル基であることがなく、また（ iii ) R ¹が p —メチルフェニル基または P — ク口 π フエ.ニル基である場合に、 R²と R³とがモルホリノ基を形成することがなく、さらに（ iv ) R ¹がフエニル基または p —メチルフエニル基である場合に、 R ²と R ³とがピペリジノ基を形成することがないことを条件とする〕で示されるスルホ二ルセミカパジド誘導体またはその塩 p

15. —般式（ I〃）のスルホ二ルセミカルパジド誘導体が次の一般式（ l"_a) 〇

II

R^la— S〇₂NH— C— NH— N— R^2a ( a)

I

R^3a

〔式中、 R ^laが 2 — トリノレ基、フノレオロフェニル基、ヒドロキシフエニル基、ベンジルォキシフエニル基、またはアルコキシカルボニルフエニル基であり、 R ^2a および R ^3aがそれぞれに低級アルキル基である〕で示される化合物である請求の範囲 14に記載のスルホニルセミカルパジド誘導体またはその塩。

16. —般式（ I〃）のスルホ二ルセミカルパジド誘導体が次の一般式（I^-b)

O

II

R^lb— S 0₂NH— C一 NH— N— R^2b ( b)

R^3b 〔式中、 R ^lbが低級アルキル基で置換されてもよいフェニル基であり、 R^2bおよび R^3bの一方が水素原子であり、他方が低級アルキル基、好ましくはメチル基である〕で示される化合物である請求の範囲 14に記載のスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩。

17. —般式（ I ）のスルホ二ルセミカルパジド誘導体が次の一般式（じ）

O

II

R^lc-SO₂NH-C-NH-N-R²⁰ ( c)

I 〔式中、 R ^{1 e}が低級アルキル基またはハロゲン原子で置換されてもよいフエニル基であり、 R^2Cおよび R^3C がそれぞれに低級アルコキシアルキル基である〕で示される化合物である請求の範囲に記載のスルホニルセミカルパジド誘導体またはその塩。

18. —般式（ I〃）のスルホ -ルセミカルパジド誘導体が次の一般式（l"-d)

O

II

R^ld-S0₂NH-C-NH-N-R^2d (I^-d)

. I 〔式中、 R ^{1 d}が低級アルキル基で置換されてもよいフェニル基であり、 R^2dおよび R^3dの一方がアルコキサリル基または式一 C (X)— X— R⁴ (但し、 Xは酸素原子または硫黄原子を、 R⁴は低級アルキル基を表す）で示されるアルコキシルカルポニル基またはアルキルチォーチォカルボニル基であり、 R^2dおよび R^3dの他方は水素原子または低級アルキル基である〕で示される化合物である請求の範囲 14に記載のスルホ二ルセミ力ルパジド誘導体またはその塩。

19. 一般式（ I〃）のスルホ二ルセミカルパジド誘導体が次の一般式（ '-e)

O

II

R^le-S0₂NH-C-NH-N-R^2e (l"-e)

I

R^3e

〔式中、 R ^leがフエニル基であり、 R^2eおよび R^3eはそれらが結合する窒素原子と共に共同してモルホリノ基を形成する〕で示される化合物である請求の範囲 14 に記載のスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその

20. 一般式（ I〃）のスルホ二ルセミカルパジド誘導体が次の一般式（ I"-f)

O

II

R^lf-S0₂NH-C-NH-N-R^2f (l"-f)

I

R^3f

〔式中、 R^lf が低級アルキル基で置換されてもよいフェニル基であり、 R^2f および R^3f はそれらが結合する窒素原子と共に式一 N = C R⁵(R⁶) (但し、 R⁵と R⁶ はそれぞれに低級アルキル基を表す）の基を形成する〕で示される化合物である請求の範囲 Hに記載のスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩。

21. —般式（ I〃）のスルホ -ルセミカルパジド誘導体が次の一般式（ I"-g)

O

II

R¹ — S O₂NH— C一 NH— N— - g)

〔式中、 R¹ は炭素原子数 3 〜 4 の直鎖状または分岐鎖状の低級アルキル基であり、 R "および R ^3ίはそれぞれに炭素原子数 1 〜 2 のアルキル基である〕で示される化合物である請求の範囲 14に記載のスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩。

22. —般式（ Iつのスルホ二ルセミカルパジド誘導体が次の一般式（ '-h)

O

II

R^lh-SO₂NH-C-NH-N-R^2h (T'-h)

I

_R3h 〔式中、 R ^{1 h}はピリジン一 2—ィル基またはピリジン一 3 — ィル基であり、 R^2hおよび R^3¾はそれぞれに炭素数原子 1 ~ 2 のアルキル基である〕で示される化合物である請求の範囲 14に記載のスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩。 '

23. —般式（ I〃）のスルホ二ルセミカルパジド誘導体が次の一般式（ -i)

O

II

R^u— S O₂NH— C— NH— N— R²ⁱ (I^/,-i)

_R I 3i

〔式中、 R ¹¹はカルボキシル基または低級アルコキシカルボニル基により置換されてもよいチォフェン一 2 一ィル基またはチォフェン一 3 — ィル基であり、 R²ⁱ および R³ⁱはそれぞれに炭素原子数 1 〜 2 のアルキル基である〕で示される化合物である請求の範囲 14に記載のスルホ二ルセミカルパジド誘導体またはその塩。