WO1999004489A1 - Surface acoustic wave filter - Google Patents

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    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6426Combinations of the characteristics of different transducers

Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave filter using a surface acoustic wave, and in particular, relates to a longitudinal mode coupled two-port surface acoustic wave resonator disposed on the same piezoelectric substrate, and to this surface acoustic wave resonator.
  • the present invention relates to a surface acoustic wave filter having a surface acoustic wave resonator arranged and connected.
  • RFS AW Surface Acoustic Wave
  • filters used for automobile phones and mobile phones are mainly those having a passing frequency band in a frequency band of several hundred MHz to several GHz. This frequency and the required frequency band will depend on the system used. Generally, a frequency band requires a fractional bandwidth of several percent. In addition, low insertion loss is required for SAW filters used in such applications as mobile phones. For this reason, as shown in, for example, a ladder-type filter in which surface acoustic wave resonators are connected in a ladder shape as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-183830, or as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • piezoelectric substrates have the following problems.
  • the thickness of a conductive thin film forming a comb-like electrode or a reflector when the thickness of a conductive thin film forming a comb-like electrode or a reflector is increased on the substrate, the conversion loss from a surface acoustic wave to a bulk wave increases. For this reason, there is a problem that the insertion loss of the filter formed with the film thickness increases.
  • the film thickness is reduced, the electric resistance of the electrode portion forming the comb-like electrode on the piezoelectric substrate increases. Therefore, there is still a problem that the insertion loss increases.
  • the thickness h of the conductive thin film disposed on the piezoelectric substrate This optimum value is about several percent (about 3 to 8 percent) in terms of the normalized film thickness (hZ) normalized by the wavelength ⁇ of the surface acoustic wave propagating on the surface of the piezoelectric substrate.
  • both elements are conductive thin films formed on a piezoelectric substrate, for example, an A1 thin film.
  • A1 thin film containing Si, Cu, etc. in a very small amount of composition is patterned. Therefore, both devices are formed with the same film thickness.
  • the pass bandwidth required for mobile communication applications is as wide as several percent in fractional bandwidth. Therefore, in the longitudinal mode coupling 2-port surface acoustic wave resonator, the piezoelectric substrate having high electromechanical coupling coefficient k 2 as above described, a conductive film at the normalized thickness of the predetermined range It is formed and used.
  • the electrode finger width of adjacent electrode fingers and the electrode finger arrangement pitch (W / P, hereafter abbreviated as duty) is often set to about 50 to 65%.
  • the surface acoustic wave resonator connected to the two-port surface acoustic wave resonator has an effect of obtaining attenuation near the passband.
  • both transmission and reception bands are close to each other, so they are often used to attenuate either of these bands.
  • the connected surface acoustic wave resonator also has a relatively large difference in resonance and antiresonance frequencies.
  • the configuration of the routing part of the longitudinal mode coupling two-port surface acoustic wave resonator is relatively complicated, and the wiring part has an inductance component. Furthermore, packages and bonding wires also have an inductance component.
  • the anti-resonance frequency of the surface arm resonator in the series arm is set near the low side end of the frequency band to be attenuated It is necessary to match.
  • an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave filter having a small loss and excellent cutoff characteristics, and in particular, a surface acoustic wave filter for mobile communication having excellent attenuation characteristics near the high band side of the pass band.
  • the purpose is to provide. Disclosure of the invention
  • a surface acoustic wave filter includes a first substrate of a two-port longitudinal mode coupling having a piezoelectric substrate and a comb-shaped electrode disposed on the piezoelectric substrate so as to provide a first duty.
  • a surface acoustic wave resonator connected to the first surface acoustic wave resonator and a series arm on the piezoelectric substrate, and arranged so as to have a second duty smaller than the first duty.
  • a second surface acoustic wave resonator having a comb-shaped electrode provided.
  • the first duty and the second duty are defined as follows.
  • the reflectance per electrode finger constituting the comb-shaped electrode of the second surface acoustic wave resonator is the first surface acoustic wave resonance.
  • the reflectance may be adjusted so as to be smaller than the reflectance per one electrode finger constituting the comb-shaped electrode of the child.
  • the first duty and the second duty are defined as follows: the electromechanical coupling coefficient between the comb-shaped electrode of the second surface acoustic wave resonator and the piezoelectric substrate is the first surface acoustic wave resonance. The adjustment may be made so as to be smaller than the electromechanical coupling coefficient between the comb-shaped electrode of the child and the piezoelectric substrate.
  • the first surface acoustic wave resonator includes three or more pairs of comb-shaped electrodes, and a wiring connecting the first surface acoustic wave resonator and the second surface acoustic wave resonator.
  • Is at least one pair of the first surface acoustic wave resonator When it is arranged so as to wrap around the pad portion connected to the ground side of the comb-shaped electrode, the frequency difference between the resonance frequency and the anti-resonance frequency of the second surface acoustic wave resonator greatly increases. Can be prevented.
  • the piezoelectric substrate may be used 3 6 ° Y cut X propagation L i T A_ ⁇ 3.
  • 64 ° Y-cut X propagation L i T a ⁇ 3 41 ° Y-cut X propagation L i N b ⁇ 3 , 45 ° X-cut Z propagation L i 2 B 4 ⁇ 7
  • another piezoelectric substrate may be used.
  • the first surface acoustic wave resonator and the second The thickness of the electrodes constituting the surface acoustic wave resonator has a normalized thickness (h / e) of about 6% to about 8%, and the first duty is about 45 to about 60%. It is preferable that the second duty is set to about 45% or less. By performing such adjustment, the frequency characteristics of the surface acoustic wave filter can be improved.
  • the surface acoustic wave filter of the present invention includes at least one longitudinal mode-coupled two-port first surface acoustic wave resonator provided on a piezoelectric substrate, and a series connection with the first surface acoustic wave resonator.
  • 10 is a surface acoustic wave filter having a second surface acoustic wave resonator connected to an arm. Then, the (electrode finger width Z electrode finger pitch), that is, the duty of the second surface acoustic wave resonator is made smaller than the electrode finger width / electrode finger pitch of the first surface acoustic wave resonator.
  • the reflectance per electrode finger of the second surface acoustic wave resonator is determined by the longitudinal mode coupling to which the electrode finger is connected. It can be set to be smaller than the reflectance per electrode finger of the two-port first surface acoustic wave resonator. For this reason, the effect of the inductance component is added to the characteristics of the second surface acoustic wave resonator. In this case, the frequency difference between the resonance frequency fr and the anti-resonance frequency far can also be reduced. For this reason, it is possible to reduce the deterioration of the loss on the high band side of the passband of the surface acoustic wave filter.
  • the attenuation characteristics near the high-passband side can be improved. Further, since it is not necessary to make the first surface acoustic wave resonator and the second surface acoustic wave resonator different in film thickness, the productivity of the surface acoustic wave filter is improved.
  • the present invention avoids the adverse effect of the inductance component added to the second surface acoustic wave resonator by reducing the electromechanical coupling coefficient k 2 and the reflectance.
  • the second surface acoustic wave resonator is designed such that the reflectance per electrode finger on the side of the second surface acoustic wave resonator is smaller than the reflectance per electrode finger of the first surface acoustic wave resonator.
  • the duty of the surface acoustic wave resonator is set smaller than the duty of the first surface acoustic wave resonator.
  • both the first surface acoustic wave resonator and the second surface acoustic wave resonator can be formed with the same thickness h. Therefore, the productivity of the surface acoustic wave filter can be greatly improved.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of a surface acoustic wave filter according to the present invention
  • FIGS. 2A, 2B, and 2C show the frequency and reactance of the second surface acoustic wave resonator.
  • Figure 3 is a diagram to explain the duty
  • Figure 4 is a view showing an example of a surface acoustic wave fill evening frequency characteristics of the present invention:
  • Figure 5 is a 3 6 ° Y cut X propagation L i T a 0 3 substrate by a finite element method regulations KakukamakuAtsu
  • FIG. 9 is a diagram showing a simulation result of reflectance with respect to duty and duty;
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing another example of the configuration of the surface acoustic wave filter according to the present invention.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a surface acoustic wave filter according to the present invention.
  • This surface acoustic wave filter is connected to a first elastic surface acoustic wave resonator 10 provided on the piezoelectric substrate 100 and a series arm with the first surface acoustic wave resonator 10.
  • the second surface acoustic wave resonator 20 is interposed between the input and output terminals.
  • the first surface acoustic wave resonator 10 is a longitudinal mode coupled two-port surface acoustic wave resonator.
  • the second surface acoustic wave resonator 20 is a one-port surface acoustic wave resonator.
  • the first surface acoustic wave resonator 10 and the second surface acoustic wave resonator 20 are composed of an IDT composed of a pair of comb-like electrodes arranged in opposition and a grating-like reflector. It is configured.
  • the first surface acoustic wave resonator 10 is connected to the input pad 11.
  • the first surface acoustic wave resonator 10 includes IDTs 12 a and 12 b for converting an electric signal supplied to the input pad 11 into surface acoustic waves, and IDTs 12 a and 12 b.
  • IDTs 13a, 13b, and 13c that receive the surface acoustic waves excited by and convert them into electrical signals, and reflectors 14a and 1 that are arranged to sandwich these IDTs 4b.
  • P The second surface acoustic wave resonator 20 is connected to the receiving IDTs 13a, 13b, and 13c, and the IDTs 16 connected through the routing wiring 15a, 15b, and 15c.
  • And reflectors 17a and 17b disposed so as to sandwich the IDT 16 therebetween.
  • One of the comb-shaped electrodes of the IDT 16 has an electric signal connected to the output pad 18.
  • Input pad 11, output pad 18, and ground pads 19a, 19b, 19c, 19d, and 19e at the ground potential are, for example, bonding bonding wires (not shown), conductive
  • the bump is connected to an external circuit such as an envelope.
  • the surface acoustic wave resonator 20 includes a bonding wire connected to the bonding pad 18 and a wiring 15 extending from the first surface acoustic wave resonator 10 having two longitudinal mode coupling ports.
  • An inductance component is added by a, 15b, 15c, and the like.
  • FIG. 2A, 2B, and 2C are graphs qualitatively showing the relationship between the frequency of the second surface acoustic wave resonator 20 and the reactance jX.
  • FIG. 2A shows the reactance of the second surface acoustic wave resonator 20 alone.
  • Figure 2B shows the reactance component corresponding to the accompanying inductance component.
  • FIG. 2C shows the relationship between the frequency and the reactance when the second surface acoustic wave resonator itself and the added inductance component are included, respectively. Note that the scale of the vertical axis in each figure is not the same.
  • the frequency difference between the resonance frequency fr and the anti-resonance frequency f ar of the second surface acoustic wave resonator 20 is due to an increase in the addition of the inductance component. It can be seen that it spreads with.
  • the position of the anti-resonance frequency f ar is determined by the frequency band in the vicinity of the higher pass band side where attenuation is required. Therefore, if the resonance frequency fr shifts too much to the low frequency side, the second surface acoustic wave resonance The reactance due to the element and the associated inductance component increases, which increases the loss.
  • the duty of the second surface acoustic wave resonator 20 is changed to the longitudinal mode coupling of the two-port first surface acoustic wave resonator.
  • the first surface acoustic wave resonator 10 and the second surface acoustic wave resonator 20 are arranged on a piezoelectric substrate so that the duty of the element 10 is smaller than one.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the duty.
  • the comb-shaped electrode 30 is composed of the electrode fingers 32 connected to the bus bar 31.
  • the ratio W / P of the electrode finger width W and the arrangement pitch P of the adjacent electrode fingers is determined. It is said that That is, in the surface acoustic wave filter according to the present invention, the ratio of (electrode finger width: W) / (electrode finger arrangement pitch: P) of the second surface acoustic wave resonator 20 is equal to the first surface acoustic wave resonator.
  • the wave resonator 10 is configured to be smaller than the ratio of (electrode finger width: W) / (electrode finger arrangement pitch: P).
  • the longitudinal mode-coupling two-port first surface acoustic wave resonator 10 is disposed so that the duty is about 50%.
  • the second surface acoustic wave resonator 20 is arranged so that the duty is about 40%.
  • the reflectance of the surface acoustic wave (including one leaky wave, SS BW, etc.) per electrode finger is reduced, and the resonance frequency of the surface acoustic wave resonator 20 in the series arm is reduced.
  • the frequency difference between fr and the anti-resonance frequency f ar can be reduced.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of a frequency characteristic of a surface acoustic wave filter according to the present invention.
  • the characteristics of the surface acoustic wave filter used as the Tx (transmission) filter of the PCS (Personal Communications System) illustrated in FIG. 1 will be described as an example.
  • the left side of the graph The edge scale is for the entire profile.
  • the scale on the right side of the graph corresponds to the profile with the passband enlarged.
  • the center frequency of this surface acoustic wave filter is 188 MHz, and the bandwidth required by the system is 60 MHz.
  • the reception band of this system is 60 MHz centered at 196 MHz. Therefore, in the vicinity of the high band side of the passband as viewed from the Tx filter, attenuation in this region is required. In this case, the frequency difference between the bands of the system is about 20 MHz.
  • the elastic A very steep shoulder characteristic is required for a surface wave filter.
  • the surface acoustic wave filter of the present invention has a steeper attenuation characteristic on the higher side of the passband than the conventional one. As described above, in the surface acoustic wave filter of the present invention, a steep shoulder characteristic can be obtained on the high band side of the pass band.
  • FIG. 5 is a diagram showing a simulation result of the reflectance with respect to the standardized film thickness ( ⁇ ) and the duty ratio of the 36 ° Y-cut X-propagation LiTa0 substrate by the finite element method.
  • the contour lines shown in the figure correspond to the reflectivity per electrode finger.
  • a first longitudinal surface-coupled 2-port surface acoustic wave resonator is provided so that the duty is about 45 to about 60%, and the first surface acoustic wave resonator is set so that the duty is about 45% or less. It can be seen that a surface acoustic wave resonator should be provided.
  • the second surface acoustic wave resonator The duty is not set on the side where the duty is increased and the reflectance is reduced for the duty 1 that has the maximum reflectance at the same film thickness. This is because the second surface acoustic wave resonator is generally provided at a higher frequency side than the two-port first surface acoustic wave resonator, so that it is difficult to form the resonator with a larger (thicker) duty. That's why.
  • the duty of the first surface acoustic wave resonator and the duty of the second surface acoustic wave resonator are determined by the comb teeth of the second surface acoustic wave resonator.
  • the reflectivity per electrode finger constituting the interdigital electrode is adjusted so as to be smaller than the reflectivity per electrode finger constituting the comb-shaped electrode of the first surface acoustic wave resonator. are doing.
  • the second surface acoustic wave resonator can be used. It is possible to prevent the resonance frequency fr of the wave resonator from shifting to the low frequency side.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing another example of the configuration of the surface acoustic wave filter according to the present invention.
  • the second surface acoustic wave filter 2 An IDT 16 b composed of a comb-shaped electrode apodized as 0 b is provided.
  • a surface acoustic wave filter having the configuration illustrated in FIG. 1 was actually manufactured.
  • the conductive film was patterned by photoetching technology so as to have the first surface acoustic wave resonator 10 and the second surface acoustic wave resonator 20 illustrated in FIG. That is, the first surface acoustic wave resonator 10 of the longitudinal mode coupling 2 boat is arranged so that the duty is approximately 50%, while the second surface acoustic wave resonator 20 is approximately 4% in duty.
  • the first surface acoustic wave resonator 10 of the longitudinal mode coupling 2 boat is arranged so that the duty is approximately 50%, while the second surface acoustic wave resonator 20 is approximately 4% in duty.
  • a large number of surface acoustic wave filters formed on the wafer were separated by dicing.
  • both the first surface acoustic wave resonator 10 and the second surface acoustic wave resonator 20 can be formed with the same film thickness h.
  • the number of steps for forming the conductive film and the step of patterning the formed conductive film were reduced, and the productivity of the surface acoustic wave filter was significantly improved.
  • the duty of the first surface acoustic wave resonator and the duty of the second surface acoustic wave resonator are Is adjusted so that the reflectance per electrode finger constituting the comb-shaped electrode of the first surface acoustic wave resonator is smaller than the reflectance per electrode finger constituting the comb-shaped electrode of the first surface acoustic wave resonator.
  • a steep shoulder characteristic can be obtained even when an inductance component is added to the second surface acoustic wave resonator by a bonding wire, a lead wiring, or the like. Therefore, it is possible to cope with variable factors such as temperature fluctuation of the frequency due to the piezoelectric substrate used for the surface acoustic wave filter and variation in the thickness of the conductive thin film when the surface acoustic wave filter is formed. In addition, the performance, reliability, and productivity of the surface acoustic wave filter can be improved.

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Description

明 細
弾性表面波フィル夕
技術分野
本発明は弾性表面波を用いた弾性表面波フィル夕に関わり、 特に同一 の圧電性基板上に配設された縦モ一ド結合 2ポート弾性表面波共振子と、 この弾性表面波共振子に接続して配設された弾性表面波共振子とを有す る弾性表面波フィル夕に関する。 背景技術
自動車電話や携帯電話などに用いられる R F S AW ( S u r f a c e A c o u s t i c Wa v e ) フィル夕は、 主として数百 MH z〜 数 GH zの周波数帯域にその通過周波数帯域を有するものが用いられて いる。 この周波数および必要とされる周波数帯域は用いるシステムに応 じて決められてくる。 一般に、 周波数帯域は数%の比帯域が要求される。 またこうした携帯電話などの用途に用いられる S A Wフィル夕には、 挿入損失の低いものが要求される。 このため、 例えば特開平 5— 1 8 3 3 8 0に見られるような弾性表面波共振子を梯子状に接続したラダー型 フィル夕、 あるいは特開平 4一 2 0 7 6 1 5に見られるような複数の櫛 形電極を反射器で挟んだ形の縦モード結合共振子型フィル夕、 さらにこ れらを組み合わせた弾性表面波フィル夕が主として用いられてきた。 いずれの弾性表面波フィルタも、 比較的挿入損失の小さなフィル夕を 実現できることを特徴の一つとしている。 これらのフィル夕を携帯電話 用の R Fフィル夕に適用する場合、 実現可能な通過帯域幅はそのフィル 夕の形成される圧電性基板の電気機械結合係数 k 2 に大きく依存する。 このため、 比較的大きな電気機械結合係数 k2 をもつ 3 6 ° Y— X L i T a〇3 や、 64° Y— X L i Nb〇。 、 4 1 ° Y_X L i N b 0 等の圧電性基板が多く用いられてきた。
これらの圧電性基板は以下のような問題を有している。 このような圧 電性基板は、 基板上で櫛歯状電極や反射器などを形成する導電性薄膜の 膜厚を厚くすると、 弾性表面波からバルク波への変換損失が増大してし まう。 このため、 その膜厚で形成したフィル夕の挿入損失が増大すると いう問題を有する。 また膜厚を薄くすると、 圧電性基板上の櫛歯状電極 を形成する電極部の電気抵抗が増大する。 このため、 やはり挿入損失は 増大してしまうという問題を有する。 このような事情から、 これらの圧 電性基板を用いる場合、 圧電性基板上に配設する導電性薄膜の厚さ hに は最適値がある。 この最適値は圧電性基板の表面を伝搬させる弾性表面 波の波長 λで規格化した規格化膜厚 (hZえ) で数%程度 (約 3〜 8 % 程度) である。
縦モード結合 2ポート弾性表面波共振子と弾性表面波共振子を接続し たタイプの弾性表面波フィル夕においては、 通常どちらの素子とも圧電 性基板上に形成した導電性薄膜、 例えば A 1 薄膜や、 S i 、 C u等を微 小量組成中に含んだ A 1薄膜等をパ夕—ニングして作成する。 このため 両素子とも同一膜厚で形成されることになる。
移動体通信用途で必要とされる通過帯域幅は比帯域で数%程度と広い。 このことから、 縦モード結合 2ポート弾性表面波共振子においては、 上 述のように高い電気機械結合係数 k2 を有する圧電性基板上に、 所定の 範囲の規格化膜厚で導電性膜を形成して用いている。 また、 挿入損失を 低減する見地から、 隣接する電極指の電極指幅 電極指配設ピッチ (W / P、 以下デューティーと略称する) を 5 0〜 6 5 %程度に設定するこ とが多い。
この 2ポート弾性表面波共振子と接続される弾性表面波共振子には、 通過帯域近傍の減衰を得る効果がある。 移動体通信用途では送信 · 受信 両帯域が近接しているため、 これらのどちらかの帯域を減衰させるため に多用される。
しかしながら広帯域を要求される縦モード結合 2ポート弾性表面波共 振子と同一の膜厚で形成されている。 このため、 接続されている弾性表 面波共振子においてもその共振、 反共振周波数は比較的大きな周波数差 を有することになる。
加えて縦モード結合 2ポー卜弾性表面波共振子の引き回し部の構成は 比較的複雑であり、 その配線部にインダク夕ンス成分を有する。 さらに パッケージ、 ボンディ ングワイヤー等もインダクタンス成分を有する。
これらのインダク夕ンス成分が弾性表面波共振子に附加されると、 見 かけ上共振周波数、 反共振周波数間の周波数差がさらに広がって見えて しまう。
直列腕の弾性表面波共振子においては反共振周波数で急峻な減衰特性 が得られ、 共振周波数近傍で通過特性が得られる。 弾性表面波フィル夕 の通過帯域の高域側近傍に減衰させたい周波数帯域があるときには、 こ の減衰させたい周波数帯の低域側端付近に直列腕の弾性表面波共振子の 反共振周波数をあわせる必要がある。
このとき、 直列腕の弾性表面波共振子の共振周波数が縦モード結合 2 ポート弾性表面波共振子側の通過帯域中央付近にあれば問題はない。 と ころが、 直列腕の弾性表面波共振子の共振周波数が通過帯域低域側にシ フ 卜してくると、 通過帯域高域側において損失が増大する。 このため弾 性表面波フィル夕全体としての通過特性の肩が丸まってしまうという問 題があった。 すなわち通過帯域高域側近傍の減衰域が、 通過帯域に非常 に近接し、 通過帯域自身広帯域特性が要求される場合には、 通過帯域の 高域側で損失が悪化するという問題がある。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたものである。 すなわち本発明は損失が小さく、 遮断特性の優れた弾性表面波フィル 夕を提供することを目的とし、 特に通過帯域高域側近傍の減衰特性の優 れた移動体通信用弾性表面波フィル夕を提供することを目的とする。 発明の開示
本発明の弾性表面波フィルタは、 圧電性基板と、 この圧電性基板上に 第 1のデューティーを冇するように配設された櫛歯状電極を有する縦モ 一ド結合 2ポー卜の第 1の弾性表面波共振子と、 前記圧電性基板上で前 記第 1の弾性表面波共振子と直列腕に接続され、 前記第 1のデューティ —よりも小さな第 2のデューティ一を有するように配設された櫛歯状電 極を有する第 2の弾性表面波共振子とを具備したことを特徴とする。 前記第 1のデューティ一と前記第 2のデューティーとは、 前記第 2の 弾性表面波共振子の櫛歯状電極を構成する電極指 1本あたりの反射率が、 前記第 1の弾性表面波共振子の櫛歯状電極を構成する電極指 1本あたり の反射率よりも小さくなるように調節するようにしてもよい。
また、 前記第 1のデューティーと前記第 2のデューティーとは、 前記 第 2の弾性表面波共振子の櫛歯状電極と前記圧電性基板の電気機械結合 係数が、 前記第 1の弾性表面波共振子の櫛歯状電極と前記圧電性基板の 電気機械結合係数よりも小さくなるように調節するようにしてもよい。 また、 前記第 1の弾性表面波共振子は 3対以上の櫛歯状電極を具備す るとともに、 前記第 1の弾性表面波共振子と前記第 2の弾性表面波共振 子とを接続する配線は、 前記第 1の弾性表面波共振子の少なくとも 1対 の櫛歯状電極の接地側に接続されたパッ ド部を回り込むように配設され た場合、 第 2の弾性表面波共振子の共振周波数と反共振周波数との周波 数差が大きく開くのを防止することができる。
前記圧電性基板は 3 6° Yカッ ト X伝搬 L i T a〇3 を用いるように してもよい。 この他にも、 例えば、 64° Yカット X伝搬 L i T a〇3 、 4 1 ° Yカッ ト X伝搬 L i N b〇3 、 4 5° Xカッ ト Z伝搬 L i 2 B47 など他の圧電性基板を用いるようにしてもよい。
また、 圧電性基板として 3 6° Yカッ ト X伝搬 L i T a〇3 またはこ の基板と同等の圧電性基板を用いる場合には、 前記第 1の弾性表面波共 振子および前記第 2の弾性表面波共振子を構成する電極膜厚は約 6 %〜 約 8 %の規格化膜厚 (h/え) を有するとともに、 前記第 1のデューテ ィ一は約 4 5〜約 6 0 %であり、 前記第 2のデューティ一は約 4 5 %以 下にするようにすることが好適である。 このように調節することにより、 弾性表面波フィル夕の周波数特性を向上することができる。
すなわち本発明の弾性表面波フィル夕は、 圧電性基板上に設けられた 少なくとも 1つの縦モード結合 2ポートの第 1の弾性表面波共振子と、 この第 1の弾性表面波共振子に対し直列腕に接続された第 2の弾性表面 波共振子を有する弾性表面波フィル夕である。 そして、 第 2の弾性表面 波共振子部の (電極指幅 Z電極指ピッチ) すなわちデューティ一を、 第 1の弾性表面波共振子の電極指幅/電極指ピッチよりも小さく したもの である。
このような構成を採用することにより本発明の弾性表面波フィル夕に おいては、 第 2の弾性表面波共振子の電極指 1本当たりの反射率を、 そ れが接続された縦モード結合 2ポートの第 1の弾性表面波共振子の電極 指 1本当たり反射率より小さくするように設定することがでる。 このた め、 第 2の弾性表面波共振子の特性にィンダクタンス成分の影響が付加 される場合においても共振周波数 f r と反共振周波数 f arとの周波数差 を小さくすることができる。 このため、 弾性表面波フィル夕の通過帯域 高域側の損失悪化が低減することができる。 また通過帯域高域側近傍の 減衰特性が向上することができる。 さらに、 第 1の弾性表面波共振子と 第 2の弾性表面波共振子とを異なった膜厚にする必要がないため、 弾性 表面波フィルタの生産性が向上する。
本発明は、 電気機械結合係数 k 2 、 反射率を小さくすることにより第 2の弾性表面波共振子に付加されるィンダク夕ンス成分の悪影響を回避 したものである。 具体的には、 第 2の弾性表面波共振子側での電極指 1 本当たりの反射率が第 1の弾性表面波共振子の電極指 1本当たり反射率 より小さくなるように、 第 2の弾性表面波共振子のデューティ一を第 1 の弾性表面波共振子のデューティ一よりも小さくしている。 この他にも、 例えば第 2の弾性表面波共振子を構成する電極膜厚を薄くすることによ つても同様の効果を得ることができると考えられる。 しかし、 この場合 には、 同一の圧電性基板上に配設される複数の弾性表面波共振子の膜厚 を個別に調節する必要が生じる。 したがって弾性表面波フィル夕の製造 工程が複雑になり、 生産性が大きく低下してしまう。 本発明の弾性表面 波フィル夕では、 第 1の弾性表面波共振子および第 2の弾性表面波共振 子ともに同一膜厚 hで構成することができる。 このため弾性表面波フィ ル夕の生産性を大きく向上することができる。 図面の簡単な説明
図 1は本発明の弾性表面波フィル夕の構成を概略的に示す図であり ; 図 2 A、 図 2 B、 図 2 Cは第 2の弾性表面波共振子の周波数とリアク 夕ンス』' Xとの関係を概略的に示すグラフであり ;
図 3はデューティーを説明するための図であり ; 図 4は本発明の弾性表面波フィル夕の周波数特性の例を示す図であり : 図 5は有限要素法により 3 6 ° Yカッ ト X伝搬 L i T a 03 基板の規 格化膜厚とデューティーとに対する反射率のシミュレーシヨン結果を示 す図であり ;
図 6は本発明の弾性表面波フィル夕の構成の別の例を概略的に示す図 である。 発明を実施するための最良の形態
以下に本発明の弾性表面波フィル夕についてさらに詳細に説明する。 (実施例 1 )
図 1は本発明の弾性表面波フィル夕の構成を概略的に示す図である。 この弾性表面波フィル夕は圧電性基板 1 0 0上に配設された第 1の弾 性表面波共振子 1 0と、 この第 1の弾性表面波共振子 1 0と直列腕に接 続された第 2の弾性表面波共振子 2 0とが入出力端子間に間挿されたも のである。 第 1の弾性表面波共振子 1 0は縦モード結合 2ポ一卜の弾性 表面波共振子である。 第 2の弾性表面波共振子 2 0は 1ポー卜の弾性表 面波共振子である。
第 1の弾性表面波共振子 1 0および第 2の弾性表面波共振子 2 0は、 対向嚙み合わせ配置された 1対の櫛歯状電極からなる I D Tと、 グレー ティング状の反射器とから構成されている。
第 1の弾性表面波共振子 1 0は、 入力パッ ド 1 1 と接続されている。 第 1の弾性表面波共振子 1 0は、 入力パッ ド 1 1に供給された電気信号 を弾性表面波に変換する I D T 1 2 a、 1 2 bと、 この I DT 1 2 a、 1 2 bが励振した弾性表面波を受信して電気信号に変換する 3個の I D T 1 3 a、 1 3 b、 1 3 c、 およびこれらの I D Tを挟み込むように配 設された反射器 1 4 a、 1 4 bとから構成されている。 P 第 2の弾性表面波共振子 2 0は、 受信 I D T 1 3 a、 1 3 b、 1 3 c と、 引き回し配線 1 5 a、 1 5 b、 1 5 cを介して接続された I D T 1 6と、 この I DT 1 6を挟み込むように配設された反射器 1 7 a、 1 7 bとにより構成されている。 I D T 1 6の一方の櫛歯状電極は電気信号 は出力パッ ド 1 8と接続されている。
入力パッ ド 1 1、 出力パッ ド 1 8、 接地電位にあるグランドパッ ド 1 9 a、 1 9 b、 1 9 c、 1 9 d、 1 9 eは、 例えば図示しないボンディ ングデイングワイヤ、 導電性バンプにより外囲器などの外部回路と接続 される。
さてここで、 弾性表面波共振子 2 0には、 ボンディ ングパッ ド 1 8に 接続されるボンディ ングワイヤー、 および縦モード結合 2ポートの第 1 の弾性表面波共振子 1 0からの引き回し配線 1 5 a、 1 5 b、 1 5 c等 によりィンダク夕ンス成分が付加される。
図 2 A、 図 2 B、 図 2 Cは第 2の弾性表面波共振子 2 0の周波数とリ ァク夕ンス j Xとの関係を定性的に示すグラフである。 図 2 Aは第 2の 弾性表面波共振子 2 0単体のリァクタンスを示している。 図 2 Bは付随 するィンダク夕ンス成分に対応するリアクタンス成分を示している。 図 2 Cは第 2の弾性表面波共振子自体と付加されたィンダク夕ンス成分を 含めた場合の周波数とリアク夕ンスとの関係をそれぞれ示している。 な お、 各図の縦軸のスケールは同じではない。
図 2 A、 図 2 B、 図 2 Cから、 第 2の弾性表面波共振子 2 0の共振周 波数 f r と反共振周波数 f arとの周波数差は、 インダク夕ンス成分の付 加量の増大とともに広がることがわかる。
ここで、 反共振周波数 f arの位置は通過帯域高域側近傍の減衰が必要 な周波数帯により決まってくる。 このため共振周波数 f r があまり低周 波数側にずれてしまうと、 通過帯域内高域側では第 2の弾性表面波共振 子および付随するィンダク夕ンス成分に起因するリアクタンスが増大し、 このため損失が増大する。
このような損失の増大を低減するために、 本発明の弾性表面波フィル 夕においては第 2の弾性表面波共振子 2 0のデューティ一が、 縦モード 結合 2ポートの第 1の弾性表面波共振子 1 0のデューティ一よりも小さ くなるように第 1の弾性表面波共振子 1 0および第 2の弾性表面波共振 子 2 0を圧電性基板上に配設している。
図 3は、 デューティーを説明するための図である。 櫛歯状電極 3 0は バスバー 3 1に接続された電極指 32から構成されているが、 ここでは、 電極指幅 Wと、 隣接する電極指の配設ピッチ Pとの比 W/Pをデューテ ィ一としている。 すなわち本発明の弾性表面波フィルタにおいては、 第 2の弾性表面波共振子 2 0の (電極指幅: W) / (電極指の配設ピッチ: P) との比が、 第 1の弾性表面波共振子 1 0の (電極指幅 : W) / (電 極指の配設ピッチ : P) との比よりも小さくなるように構成している。 図 1に例示した構成の本発明の弾性表面波フィル夕では、 縦モード結 合 2ポートの第 1の弾性表面波共振子 1 0はデューティ一約 5 0 %にな るように配設し、 一方、 第 2の弾性表面波共振子 2 0はデューティ一約 40 %になるように配設している。
このような構成を採用することにより電極指 1本当たりの弾性表面波 (リーキ一波、 S S BW等を含む) の反射率が低減し、 直列腕の弾性表 面波共振子 2 0の共振周波数 f r と反共振周波数 f arの周波数差を狭め ることができる。
図 4は本発明の弾性表面波フィル夕の周波数特性の例を示す図である。 ここでは図 1に例示した P C S (P e r s o n a l C ommu n i c a t i o n S y s t em) の T x (送信用) フィル夕として用いられ る弾性表面波フィル夕の特性を例にとって説明する。 なお、 グラフの左 辺のスケールは、 プロファイル全体に対するものである。 またグラフの 右辺のスケールは通過帯域を拡大して示したプロファイルに対応してい る。
この弾性表面波フィル夕の中心周波数は 1 8 8 0 M H zであり、 シス テムの要求する帯域幅は 6 0 M H zである。 このシステムの受信用の帯 域は 1 9 6 0 M H zを中心とする 6 0 M H zである。 したがって、 T x フィル夕からみて通過帯域高域側近傍ではこの領域の減衰が要求される。 この場合、 システムの帯域間の周波数差は約 2 0 M H ζである。 しかし ながら、 弾性表面波フィル夕を構成する圧電性基板による周波数の温度 変動に対する余裕や、 弾性表面波フィル夕形成時の A 1 膜厚のばらつき などの可変的要素に対応するためには、 弾性表面波フィル夕としては非 常に急峻な肩特性 (減衰特性) が要求される。
図 4から、 本発明の弾性表面波フィル夕では、 従来と比べて通過帯域 の高域側の減衰特性が急峻になっていることがわかる。 このように本発 明の弾性表面波フィル夕では、 通過帯域高域側において急峻な肩特性を 得ることができる。
図 5は有限要素法により 3 6 ° Yカツ ト X伝搬 L i T a 0 基板の規 格化膜厚 (ίι Ζ λ ) とデューティ一とに対する反射率のシミュレーショ ン結果を示す図である。 なお、 図に示された等高線が電極指 1本あたり の反射率に対応している。
この圧電性基板では、 約 6〜約 8 %の規格化膜厚に対してはデューテ ィ一約 5 0 %近傍に反射率ピークがある。 このためデューティ一約 4 5 〜約 6 0 %となるように縦モード結合 2ポー卜の第 1の弾性表面波共振 子を配設し、 デューティ一約 4 5 %以下となるように第 1の弾性表面波 共振子を配設するようにすればよいことがわかる。
本発明の弾性表面波フィル夕においては、 第 2の弾性表面波共振子の デューティーを、 同膜厚において最大反射率となるデューティ一に対し て、 デュ一ティーを大きく して反射率を小さくする側には設定していな い。 これは、 一般に第 2の弾性表面波共振子の方が 2ポートの第 1の弾 性表面波共振子より高周波数側に設けられるために、 より大きな (太い) デューティーで形成することが困難なためである。
このように本発明の弾性表面波フィル夕においては、 第 1の弾性表面 波共振子のデューティーと、 第 2の弾性表面波共振子のデューティーと を、 第 2の弾性表面波共振子の櫛歯状電極を構成する電極指 1本あたり の反射率が、 第 1の弾性表面波共振子の櫛歯状電極を構成する電極指 1 本あたりの反射率よりも小さくなるように調節して配設している。 この ようにすることにより、 第 1の弾性表面波共振子と第 2の弾性表面波共 振子とを同一の圧電性基板上に同一の膜厚で配設する場合においても、 第 2の弾性表面波共振子の共振周波数 f r が低域側にシフ 卜するのを防 止することができる。
このためこれらの弾性表面波共振子を組み合わせた弾性表面波フィル 夕の通過周波数帯域の特性を向上することができる。 特に、 第 2の弾性 表面波共振子にボンディ ングワイヤーや、 引き回し配線等によりインダ ク夕ンス成分が付加された場合でも急峻な肩特性を得ることができる。 このため、 弾性表面波フィル夕に用いている圧電性基板による周波数の 温度変動や、 弾性表面波フィル夕形成時の導電性薄膜の膜厚 hのばらつ きなどの可変的要素に対応することができる。 また、 弾性表面波フィル 夕の性能、 信頼性、 生産性を向上することができる。
(実施例 2 )
図 6は本発明の弾性表面波フィル夕の構成の別の例を概略的に示す図 である。 この弾性表面波フィル夕では、 第 2の弾性表面波フィルタ 2 0 bとしてアポダイズされた櫛歯状電極からなる I D T 1 6 bを備えて いる。
このような構成を採用することにより、 特に、 第 2の弾性表面波共振 子の開口長が大きいときに生ずる横モードスプリアスにより帯域内高域 側特性が悪化するのを抑制することができる。
(実施例 3 )
図 1に例示した構成の弾性表面波フィルタを実際に製造した。
圧電性基板 1 0 0としては、 3 6 ° Yカツ ト X伝搬 L i T a〇3 を用 いた。
まず 3 6 ° Yカツ ト X伝搬 L i T a〇3 からなるウェハ上に、 導電性 薄膜として S I 、 C u等を添加した A 1 をスパッ夕法により成膜した。 導電性膜の膜厚 hは 0 . 1 6 , mに設定した。 この膜厚 hは動作周波数 で規格化した換算膜厚 で 7 . 4 %程度に相当する。
ついで導電性膜をフォ トエッチング技術により、 図 1 に例示した、 第 1の弾性表面波共振子 1 0、 第 2の弾性表面波共振子 2 0を有するよう にパ夕一ニングした。 すなわち、 縦モード結合 2ボートの第 1の弾性表 面波共振子 1 0はデューティ一約 5 0 %になるように配設し、 一方、 第 2の弾性表面波共振子 2 0はデューティー約 4 0 %になるようにパ夕一 ニングした。 その後、 ウェハ上に多数形成された弾性表面波フィルタを ダイシングにより分離した。
従来の弾性表面波フィル夕では、 第 1の弾性表面波フィル夕 1 0と第 2の弾性表面波フィル夕 2 0との膜厚 hを変える必要があった。 このた め、 一方の弾性表面波共振子形成領域をレジストで覆って、 他方の弾性 表面波共振子形成領域に追加のエッチングを施して薄膜化していた。 あ るいは、 一方の弾性表面波共振子形成領域をレジス トで覆って、 他方の 弾性表面波共振子形成領域に追加のスパッ夕リングを施して厚膜化を図 つていた。 このため、 弾性表面波フィルタの製造工程が煩雑になり、 生 産性が低下していた。 例えば導電性膜の膜厚が異なるために、 エツチン グ工程が増加したり、 エッチング条件の管理が難しくなつていた。
本発明の弾性表面波フィルタでは、 第 1の弾性表面波共振子 1 0も第 2の弾性表面波共振子 2 0も、 どちらも同一の膜厚 hで構成することが できた。 このため、 導電性膜の成膜工程や、 成膜した導電成膜のパター ニング工程が少なくなり、 弾性表面波フィル夕の生産性を大幅に向上す ることができた。 産業上の利用可能性
以上説明したように本発明の弾性表面波フィル夕においては、 第 1の 弾性表面波共振子のデューティーと、 第 2の弾性表面波共振子のデュー ティーとを、 第 2の弾性表面波共振子の櫛歯状電極を構成する電極指 1 本あたりの反射率が、 第 1の弾性表面波共振子の櫛歯状電極を構成する 電極指 1本あたりの反射率よりも小さくなるように調節して配設するこ とにより、 通過帯域高域側の損失悪化を低減し、 また通過帯域高域側近 傍の減衰特性を向上することができる。
特に、 第 2の弾性表面波共振子にボンディ ングワイヤ一や、 引き回し 配線等によりインダクタンス成分が付加された場合でも急峻な肩特性を 得ることができる。 したがって、 弾性表面波フィル夕に用いている圧電 性基板による周波数の温度変動や、 弾性表面波フィルタ形成時の導電性 薄膜の膜厚のばらつきなどの可変的要素に対応することができる。 また、 弾性表面波フィル夕の性能、 信頼性、 生産性を向上することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 圧電性基板と、
この圧電性基板上に第 1のデューティーを有するように配設された第 1の櫛歯状電極を有する縦モード結合 2ポー卜の第 1の弾性表面波共振 子と、
前記圧電性基板上で前記第 1の弾性表面波共振子と直列腕に接続され、 前記第 1のデューティーよりも小さな第 2のデューティ一を有するよう に配設された第 2の櫛歯状電極を有する第 2の弾性表面波共振子と を具備したことを特徴とする弾性表面波フィル夕。
2 . 請求の範囲第 1項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記第 1 の櫛歯状電極と前記第 2の櫛歯状電極とはその厚さが異なることを特徴 とする。
3 . 請求の範囲第 1項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記第 1 の弾性表面波共振子は 3対以上の櫛歯状電極を具備するとともに、 前記 第 1の弾性表面波共振子と前記第 2の弾性表面波共振子とを接続する配 線は、 前記第 1の弾性表面波共振子の少なく とも 1対の櫛歯状電極の接 地側に接続されたパッ ド部を回り込むように配設されたことを特徴とす る。
4 . 請求の範囲第 1項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記圧電 性基板は 3 6 ° Yカッ ト X伝搬 L i T a〇3 からなることを特徴とする。
5 . 請求の範囲第 1項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記第 1 の弾性表面波共振子および前記第 2の弾性表面波共振子を構成する電極 膜厚は約 6 %〜約 8 %の規格化膜厚を有するとともに、 前記第 1のデュ —ティ一は約 4 5〜約 6 0 %であり、 前記第 2のデュ一ティ一は約 4 5 %以下であることを特徴とする。
6 . 圧電性基板と、
この圧電性基板上に、 電極指 1本あたりの反射率が第 1の反射率を有 するように配設された第 1の櫛歯状電極を有する縦モード結合 2ポート の第 1の弾性表面波共振子と、
前記圧電性基板上で前記第 1の弾性表面波共振子と直列腕に接続され、 前記電極指 1本あたりの反射率が前記第 1の反射率よりも小さな第 2の 反射率を有するように配設された第 2の櫛歯状電極を有する第 2の弾性 表面波共振子と
を具備したことを特徴とする弾性表面波フィル夕。
7 . 請求の範囲第 6項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記第 1 の櫛歯状電極は第 1のデューティ一を有するように配設され、 前記第 2 の櫛歯状電極は前記第 1のデューティーよりも小さな第 2のデューティ 一を有するように配設されたことを特徴とする。
8 . 請求の範囲第 6項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記第 1 の櫛歯状電極と前記第 2の櫛歯状電極とはその厚さが異なることを特徴 とする。
9 . 請求の範囲第 6項に記載の弾性表面波フィルタにおいて、 前記第 1 の弾性表面波共振子は 3対以上の櫛歯状電極を具備するとともに、 前記 第 1の弾性表面波共振子と前記第 2の弾性表面波共振子とを接続する配 線は、 前記第 1の弾性表面波共振子の少なくとも 1対の櫛歯状電極の接 地側に接続されたパッ ド部を回り込むように配設されたことを特徴とす る。
1 0 . 請求の範囲第 6項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記圧 電性基板は 3 6 ° Yカッ ト X伝搬 L i T a〇3 からなることを特徴とす る。
1 1 . 請求の範囲第 7項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記第 1の弾性表面波共振子および前記第 2の弾性表面波共振子を構成する電 極膜厚は約 6 %〜約 8 %の規格化膜厚を有するとともに、 前記第 1のデ ユーティ一は約 4 5〜約 6 0 %であり、 前記第 2のデューティ一は約 4 5 %以下であることを特徴とする。
1 2 . 圧電性基板と、
この圧電性基板上に、 前記圧電性基板と第 1の電気機械結合係数を有 するように配設された第 1の櫛歯状電極を有する縦モード結合 2ポー卜 の第 1の弾性表面波共振子と、
前記圧電性基板上で前記第 1の弾性表面波共振子と直列腕に接続され、 前記圧電性基板と前記第 1の電気機械結合係数よりも小さな第 2の電気 機械結合係数を有するように配設された第 2の櫛歯状電極を有する第 2 の弾性表面波共振子と
を具備したことを特徴とする弾性表面波フィル夕。
1 3 . 請求の範囲第 1 2項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記 第 1の櫛歯状電極は第 1のデューティーを有するように配設され、 前記 第 2の櫛歯状電極は前記第 1のデューティーよりも小さな第 2のデュー ティーを有するように配設されたことを特徴とする。
1 4 . 請求の範囲第 1 2項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記 第 1の櫛歯状電極と前記第 2の櫛歯状電極とはその厚さが異なることを 特徴とする。
1 5 . 請求の範囲第 1 2項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記 第 1の弾性表面波共振子は 3対以上の櫛歯状電極を具備するとともに、 前記第 1の弾性表面波共振子と前記第 2の弾性表面波共振子とを接続す る配線は、 前記第 1の弾性表面波共振子の少なくとも 1対の櫛歯状電極 の接地側に接続されたパッ ド部を回り込むように配設されたことを特徴 とする。
1 6 . 請求の範囲第 1 2項に記載の弾性表面波フィル夕において、 前記 圧電性基板は 3 6 0 Yカッ ト X伝搬 L i T a 0 3 からなることを特徴と する請求項 1乃至請求項 6のいずれかに記載の弾性表面波フィル夕。
1 7 . 請求の範囲第 1 3項に記載の弾性表面波フィルタにおいて、 前記 第 1の弾性表面波共振子および前記第 2の弾性表面波共振子を構成する 電極膜厚は約 6 %〜約 8 %の規格化膜厚を有するとともに、 前記第 1の デューティーは約 4 5〜約 6 0 %であり、 前記第 2のデューティーは約
4 5 %以下であることを特徴とする。
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