WO1999012150A1 - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
WO1999012150A1
WO1999012150A1 PCT/JP1998/003756 JP9803756W WO9912150A1 WO 1999012150 A1 WO1999012150 A1 WO 1999012150A1 JP 9803756 W JP9803756 W JP 9803756W WO 9912150 A1 WO9912150 A1 WO 9912150A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
bit
display device
thin film
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP1998/003756
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Mutsumi Kimura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to EP98938969A priority Critical patent/EP0949603B1/en
Priority to DE69833257T priority patent/DE69833257T2/de
Priority to KR1019997003441A priority patent/KR100594828B1/ko
Priority to US09/297,263 priority patent/US6518941B1/en
Publication of WO1999012150A1 publication Critical patent/WO1999012150A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US10/321,656 priority patent/US7236164B2/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007—Display of intermediate tones
    • G09G3/2074—Display of intermediate tones using sub-pixels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0417—Special arrangements specific to the use of low carrier mobility technology
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/027—Details of drivers for data electrodes, the drivers handling digital grey scale data, e.g. use of D/A converters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3291—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data voltage for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements

Definitions

  • the present invention relates to a display device, particularly to a display device including a thin film transistor and an element which emits light by current (hereinafter, referred to as a current light emitting display device).
  • an optical display device As an optical display device, a thin-film transistor organic electroluminescence device (hereinafter, referred to as an organic light-emitting device)
  • Fig. 5 shows an equivalent circuit of a conventional TFT-OELD. Although only one pixel is shown here, there are actually many pixels in a plurality of rows and a plurality of columns.
  • a pulse is output from the shift register 101, and the analog signal on the analog signal supply line 1022 is transmitted to the source line 1042 through the transmission switch 10332.
  • the analog signal is transmitted to the storage capacitor 1062 through the switching transistor 1052 for the gate line 109 selected at this time.
  • the conductance of the current transistor 1072 is controlled by the analog signal, and the organic EL element 1082 emits light with an intensity corresponding to the analog signal.
  • Fig. 6 shows a conventional method of driving TFT-ELD.
  • the analog signal A is transmitted to the potential S0 of the source line in the 0th column by the pulse SR0 in the shift register in the 0th column. Further, the analog signal A is transmitted to the potential S1 of the source line in the first column by the pulse SR1 in the shift register in the first column.
  • the pulse G 0 of the gate line in the 0 th row is applied, the potential SO of the source line in the 0 th column is transmitted to the potential C 0 0 of the storage capacitor in the 0 th row and the 0 th column, The potential S1 of the source line in the first column is transmitted to the potential C01 of the storage capacitor in the zeroth row and the first column.
  • each organic EL element 1082 (FIG. 5) emits light at a predetermined intensity in accordance with the potential of each storage capacitor 1062 (FIG. 5), that is, the corresponding analog signal A.
  • An area gray scale method is known as one method of driving a liquid crystal display device.
  • a liquid crystal display device has the following problems. That is, in a viewing angle direction deviating from the normal direction of the display surface, there is a problem that the viewing angle is narrow because the change in transmittance and the gradation inversion are remarkable.
  • the area gray scale method aims at solving this problem, and expresses a gray scale by an area ratio of total transmission and total non-transmission. Thereby, a wide viewing angle of the liquid crystal display device is realized.
  • the conductance of the current transistor 1072 is controlled using an analog signal. That is, in order to obtain a halftone, the conductance of the current transistor 1072 and the conductance of the organic EL element 1082 are made equal, and the current transistor 1072 and the organic EL element 108 are formed.
  • the voltage applied to the organic EL element 1082 must be controlled by the voltage division of 2 and 3.
  • the conductance of the current transistor 1072 becomes non-uniform within the panel or between panels, the non-uniformity of the emission intensity of the organic EL element 108 There is a problem that it is visually recognized as.
  • an object of the present invention is to reduce the non-uniformity of the light emission intensity of the light-emitting element (particularly, the organic EL element) due to the non-uniformity of the conductance of a transistor in a current light emitting display device, particularly, a TFT-0 ELD. To improve image quality. Disclosure of the invention
  • the display device of the present invention has the following configuration.
  • a plurality of thin-film transistors and a plurality of light-emitting elements formed in the pixel, the display device comprising:
  • the thin film transistor and the light emitting element are connected in series, and the light emitting elements have different emission intensities.
  • each of a plurality of light emitting elements having different light emission intensities is controlled so as to be either completely on or completely off.
  • it is preferable that light emission / non-light emission of the light emitting element is controlled by a digital signal. This makes it possible to control each of a plurality of light-emitting elements having different light-emission intensities for each pixel so that the light-emitting elements are either completely on or completely off.
  • the light emission intensity of the light emitting element is preferably a geometric progression having a common ratio of 2.
  • a D / A converter is provided for each pixel, and emission intensity characteristics corresponding to digital signals can be obtained.
  • the on-resistance of the thin film transistor is smaller than the on-resistance of the light emitting element, and that the off resistance of the thin film transistor is larger than the off resistance of the light emitting element.
  • the on-resistance of the thin-film transistor should be negligibly smaller than the on-resistance of the light emitting element. At this time, the current flowing through the light-emitting element is determined only by the on-resistance of the light-emitting element.
  • the on-resistance of the thin-film transistor slightly increases or decreases. Therefore, the non-uniformity of the light emission intensity due to the non-uniformity of the conductance of the transistor is suppressed. Further, it is preferable that the off-resistance of the thin film transistor be extremely larger than the off-resistance of the light emitting element. At this time, the light-emitting element can be reliably turned off.
  • the thin film transistor is formed by a low temperature process at a temperature of 600 ° C. or less. It is preferable to use a polycrystalline silicon thin film transistor. This makes it possible to achieve inexpensiveness and a large area, and at the same time, obtain features such as high mobility and high reliability that can drive the light emitting element.
  • the light emitting device is an organic EL device formed by an ink jet process. This makes it possible to pattern an organic electroluminescent element that realizes excellent characteristics such as high luminous efficiency and long life on a panel.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of TFT-0EDL according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of TFT-0ELD according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a driving method of TFT-0D according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of TFT-0EDL according to Embodiment 2 of the present invention.
  • Fig. 5 is an equivalent circuit diagram of the conventional TFT- ⁇ ELD.
  • Figure 6 is a diagram showing the conventional driving method of TFT-OE LD.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the TFT-OE LD according to the first embodiment of the present invention. Although only one pixel is shown here, there are actually many pixels in multiple rows and multiple columns.
  • a pulse is output from the shift register 101, and the digital signal supply line of the 0th to 3rd bits is sent to the digital switch of the 0th to 3rd bits.
  • the digital signal is transmitted through the 0th to 3rd bits of the switching transistors 10501 to 10513, respectively. It is transmitted to a storage capacity of 106 bits from 106 bits to 106 bits.
  • the current transistors 10710 to 10713 which are thin film transistors, and the organic EL elements 10810 to 10813, which are current elements, are connected in series. Therefore, the digital signal controls the on / off of the 0th to 3rd bits of the current transistor 10710 to 10713, and the 0th to 3rd bits of the organic EL element 10810 1 08 1 3 emits light or no light according to the digital signal.
  • FIG. 2 shows a plan view and a sectional view of TFT-0ELD according to the first embodiment of the present invention.
  • the areas of the 0th to 3rd bit organic EL elements 1081 to 10813, which are light emitting elements, are different from each other, the light emission intensities are different from each other.
  • a so-called area gray scale method becomes possible.
  • the area, that is, the light emission intensity is a geometric progression with a common ratio of 2, and the function of the DA converter is built in each pixel.
  • the shift register 101, the 0th to 3rd bit transmission switch 103 03 0 to: 10313, the 0th to 3rd bit switching transistor 105 01 0 to 105 13 As the thin-film transistors constituting the current transistors 10710 to 10713, etc., polycrystalline silicon thin-film transistors formed by a low-temperature process at 600 ° C. or less are used. However, other elements may be used as long as they have the same function.
  • the organic semiconductor film, which is a component of the 0th to 3rd bit organic EL elements 108 10 to 108 13, is formed by discharging a liquid material from an ink jet head, which is a so-called ink jet. Process used. However, the light emitting element may be formed by another process or may be a current light emitting element other than the organic EL element.
  • FIG. 3 shows a driving method of the TFT-0 ELD according to the first embodiment of the present invention.
  • the digital signals D0 and D1 of the 0th and 1st bits are converted to the potentials S00 and S of the 0th and 1st bit source lines of the 0th column. 0 Transmitted to 1. Also, the 0th and 1st bit digital signals D0 and D1 are converted to the 1st column, 0th and 1st bit source line potentials S by the pulse SR1 of the first column shift register. 10 and transmitted to S11.
  • the pulse G0 of the gate line in the 0th row is applied, the potentials S00 and S01 of the 0th column and the 0th and 1st bit source lines are set to the 0th row and the 0th column.
  • the potentials S 0 and S 0 1 of the source line of the 0th and 1st bits in the 0th and 1st rows are changed to the 1st row and the Column 0 ⁇
  • the 0th and 1st bit storage capacitor potentials C 100 and C101 are transmitted to the 1st column ⁇ 0th and 1st bit source line potentials S 10 and S 11 1st row. 1st column. • Transferred to the potentials C110 and C111 of the storage capacitors of the 0th and 1st bits.
  • Each organic EL element emits light or emits no light in accordance with the potential of each storage capacitor, that is, a corresponding digital signal.
  • the resistance of the on-state current transistor is determined by the on-state organic EL element.
  • the resistance is negligibly small compared to the resistance. Therefore, the current flowing through the organic EL element is determined only by the resistance of the organic EL element with respect to the voltage between the common electrode 110 and the upper electrode 111, and it does not matter whether the resistance of the current transistor slightly increases or decreases. Therefore, the non-uniformity of the light emission intensity due to the non-uniformity of the conductance of the transistor is suppressed.
  • the resistance of the current transistor in the off state is extremely higher than the resistance of the organic EL element in the off state. Therefore, the organic EL element can be reliably turned off.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of TFT-OELD according to the second embodiment of the present invention.
  • TFT-0 ELD The operation and function of TFT-0 ELD in this embodiment are almost the same as those in the first embodiment.
  • the gate line 109 is divided into a lower bit gate line 1090 and an upper bit gate line 1091, and each of the 0th bit and the 1st bit is divided.
  • the functions of the second and third bits As a result, the number of digital supply lines, the number of transmission switches and the number of source lines per row can be reduced from four to two. However, the frequency of the gate line scanning signal, shift register pulse, and digital signal doubles.
  • the present invention aims to reduce the non-uniformity of the light emission intensity of a light emitting element due to the non-uniformity of the conductance of a transistor in a current light emitting display element.
  • This is fundamentally different from the area gray scale method of the liquid crystal display element described in.
  • the current light emitting display element does not need to have different areas as long as the light emission intensity is different.
  • the present invention having the above-described effects can be applied to a display device including a thin film transistor and an element which emits light by current.
  • the light emitting element include an organic electroluminescent element.
  • the display device to which the present invention is applied can be used not only for personal computers and portable personal organizers for personal use, but also for information display devices such as large billboards and billboards outdoors (

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

技術分野
本発明は、 表示素子、 特に、 薄膜トランジスタおよび電流により発光する素子 を備えた表示装置 （以下、 電流発光表示装置と表記する） に関する。
背景技術
明
大型 ·高精細 ·広視角 ·低消費電力を実現する、 将来的に非常に有望な電流発 田
光表示装置として、 薄膜トランジス夕有機エレク トロルミネッセンス装置 （以下、
T F T— O E L Dと表記する） が挙げられる。
典型的な従来の T F T— O E L Dの駆動方法を、 以下に説明する。
図 5に、 従来の T F T— O E L Dの等価回路を示す。 ここでは、 1画素のみ図 示しているが、 実際には複数行 ·複数列の多数の画素が存在する。
シフ トレジス夕 1 0 1からパルスが出力され、 アナログ信号供給線 1 0 2 2の アナログ信号は、 伝送スィ ツチ 1 0 3 2を通じて、 ソース線 1 0 4 2へ伝達され る。 このとき選択されているゲート線 1 0 9に対しては、 アナログ信号は、 スィ ツチングトランジスタ 1 0 5 2を通じて、 保持容量 1 0 6 2に伝達される。 アナ ログ信号によりカレン ト トランジスタ 1 0 7 2のコンダクタンスが制御され、 有 機 E L素子 1 0 8 2はアナログ信号に対応した強度で発光する。
図 6に、 従来の T F T— 0 E L Dの駆動方法を示す。
第 0列のシフ トレジス夕のパルス S R 0により、 アナログ信号 Aは、 第 0列の ソース線の電位 S 0へと伝達される。 また、 第 1列のシフ トレジス夕のパルス S R 1により、 アナログ信号 Aは、 第 1列のソース線の電位 S 1へと伝達される。 まず、 第 0行のゲート線のパルス G 0が印加されているときは、 第 0列のソース 線の電位 S Oは、 第 0行 · 第 0列の保持容量の電位 C 0 0に伝達され、 第 1列の ソース線の電位 S 1は、 第 0行 · 第 1列の保持容量の電位 C 0 1に伝達される。 次に、 第 1行のゲート線のパルス G 1が印加されているときは、 第 0列のソース 線の電位 S Oは、 第 1行 . 第 0列の保持容量の電位 C 1 0に伝達され、 第 1列の ソース線の電位 S 1は、 第 1行 .第 1列の保持容量の電位 C 1 1に伝達される。 各保持容量 1 0 6 2 (図 5 ) の電位、 すなわち対応するアナログ信号 Aに従って、 各有機 E L素子 1 0 8 2 (図 5 ) が所定の強度で発光する。
また、 液晶表示装置の駆動方法の一方式として、 面積階調方式が知られている 一般に、 液晶表示装置では次の課題を有している。 すなわち、 表示面の法線方向 から逸脱した視角方向において、 透過率の変化や階調反転が顕著であるため視角 が狭いという問題である。 上記面積階調方式はこの課題を解決することを目的と したもので、 全透過、 全不透過の面積比率により、 階調を表現するものである。 これにより、 液晶表示装置の広視角化が実現されている。
上記した従来の T F T —〇 E L Dの駆動方法では、 有機 E L素子 1 0 8 2の発 光強度を制御するために、 アナログ信号を用いて、 カレント トランジスタ 1 0 7 2のコンダクタンスを制御していた。 すなわち、 中間調を得るためには、 カレン ト トランジスタ 1 0 7 2のコンダクタンスと有機 E L素子 1 0 8 2のコンダクタ ンスとを同等にして、 カレン ト トランジスタ 1 0 7 2と有機 E L素子 1 0 8 2と の電圧分割により、 有機 E L素子 1 0 8 2に印加される電圧を制御しなければな らない。 しかし、 このようなとき、 パネル内またはパネル間でカレン ト トランジ ス夕 1 0 7 2のコンダク夕ンスに不均一性が生じた場合、 そのまま有機 E L素子 1 0 8 2の発光強度の不均一性として視認されてしまうという問題があった。 そこで、 本発明の目的は、 電流発光表示装置、 特に T F T— 0 E L Dにおいて、 トランジス夕のコンダクタンスの不均一性に起因する発光素子 （特に有機 E L素 子） の発光強度の不均一性を低減し、 画質の向上を実現することにある。 発明の開示
本発明の表示装置は， 以下の構成を有する。
複数の走査線および複数の信号線と、 前記走査線と前記信号線によりマト リク ス状に形成された画素とを有し、 前記画素に複数の薄膜トランジス夕および複数 の発光素子が形成されてなる表示装置において、
前記薄膜トランジスタおよび前記発光素子は各々直列に接続され、 前記発光素 子の発光強度が各々異なることを特徴とする。
本構成によれば、 各々異なる発光強度である複数の発光素子のそれそれを、 完 全にオン状態あるいは完全にオフ状態のどちらかになるように制御するという階 調方式が可能となる。 これにより、 薄膜トランジスタのコンダクタンスの不均一 性に起因する、 発光素子の発光強度の不均一性を低減することが可能となる。 本発明において、 発光素子の発光 ·非発光は， デジタル信号によって制御され てなることが好ましい。 これにより、 画素毎に、 各々異なる発光強度である複数 の発光素子のそれそれを、 完全にオン状態あるいは完全にオフ状態のどちらかに なるように制御することが可能となる。
本発明において、 発光素子の発光強度が、 公比 2の等比数列であることが好ま しい。 これにより、 画素毎に D Aコンバータを備えることになり、 デジタル信号 に対応した発光強度特性を得ることが可能となる。
本発明において、 薄膜トランジスタのオン抵抗が、 発光素子のオン抵抗よりも 小さく、 薄膜トランジスタのオフ抵抗が、 発光素子のオフ抵抗よりも大きいこと が好ましい。 これにより、 薄膜トランジスタのオン状態とオフ状態とを切り替え ることにより、 発光素子のオン状態とオフ状態を切り替えることが可能となる。 より好ましくは、 薄膜トランジスタのオン抵抗は、 発光素子のオン抵抗に比べて、 無視できるほど小さいほうがよい。 このとき、 発光素子を流れる電流は、 発光素 子のオン抵抗のみで決定され、 薄膜トランジス夕のオン抵抗が多少増減しょうと、 関係ない。 故に、 トランジスタのコンダク夕ンスの不均一性に起因する、 発光強 度の不均一性は、 抑制される。 さらに、 好ましくは、 薄膜トランジスタのオフ抵 抗は、 発光素子のオフ抵抗に比べて、 極めて大きいほうがよい。 このとき、 発光 素子を確実にオフ状態にすることができる。
本発明において、 薄膜トランジスタ力 6 0 0 °C以下の低温プロセスで形成さ れた、 多結晶シリコン薄膜トランジスタであることが好ましい。 これにより、 安 価かつ大面積を実現するのと同時に、 発光素子の駆動が可能な高移動度、 高信頼 性等の特長を得ることが可能となる。
本発明において、 発光素子が、 インクジヱッ トプロセスで形成された、 有機ェ レク ト口ルミネッセンス素子であることが好ましい。 これにより、 高発光効率 · 長寿命等の優れた特性を実現する有機エレク トロルミネッセンス素子を、 パネル 上にパターニングすることが可能になる。 図面の簡単な説明
図 1は， 本発明の実施例 1に係る T F T— 0 E L Dの等価回路図。
図 2は， 本発明の実施例 1に係る T F T— 0 E L Dの平面図および断面図。 図 3は， 本発明の実施例 1に係る T F T— 0 E L Dの駆動方法を示す図。 図 4は， 本発明の実施例 2に係る T F T— 0 E L Dの等価回路図。
図 5は， 従来の T F T—〇 E L Dの等価回路図。
図 6は， 従来の T F T— OE LDの駆動方法を示す図。
符号の説明
1 0 1 シフ トレジス夕
1 0 2 1 0 第 0ビッ トのデジ夕ル信号供給線
1 0 2 1 1 第 1ビッ 卜のデジタル信号供給線
1 0 2 1 2 第 2ビッ トのデジタル信号供給線
1 0 2 1 3 第 3ビッ トのデジ夕ル信号供給線
1 0 2 2 アナログ信号 ί共給線
1 03 1 0 第 0ビッ トの伝送スイ ッチ
1 0 3 1 1 第 1ビッ トの伝送スィ ツチ
1 0 3 1 2 第 2ビッ トの伝送スィ ッチ
1 0 3 1 3 第 3ビッ トの伝送スィ ッチ
1 0 3 2 伝送スィ ツチ 1 04 1 0 第 0ビッ トのソース線
1 04 1 1 第 1ビヅ 卜のソース線
1 04 1 2 第 2ビッ 卜のソース線
1 04 1 3 第 3ビッ 卜のソース線
104 2 ソース線
1 05 1 0 第 0ビッ トのスイ ッチングトランジスタ
1 0 5 1 1 第 1ビッ トのスイ ッチングトランジスタ
1 05 1 2 第 2ビッ トのスイ ッチングトランジスタ
1 05 13 第 3ビッ トのスイ ッチングトランジスタ 1 0 5 2 スイ ッチングトランジスタ
1 06 1 0 第 0ビッ トの保持容量
1 0 6 1 1 第 1ビッ トの保持容量
1 06 1 2 第 2ビッ トの保持容量
1 06 1 3 第 3ビッ 卜の保持容量
1 06 2 保持容量
1 07 10 第 0ビッ トのカレン ト トランジスタ
1 07 1 1 第 1ビッ トのカレン ト トランジスタ
1 07 1 2 第 2ビッ トのカレン ト トランジスタ
1 07 1 3 第 3ビッ トのカレン ト トランジスタ 1 07 2 カレン ト トランジスタ
1 0 8 1 0 第 0ビッ トの有機 E L素子
1 08 1 1 第 1ビッ トの有機 E L素子
1 0 8 1 2 第 2ビッ トの有機 E L素子
1 08 1 3 第 3ビッ トの有機 E L素子
1 0 8 2 有機 E L素子
1 0 9 ゲート線
1 09 0 下位ビッ ト用ゲ一ト線 1 0 9 1 上位ビッ ト用ゲ一ト線
1 1 0 共通電極
1 1 1 上側電極
S R 0 第 0列のシフ トレジス夕のパルス
S R 1 第 1列のシフ トレジス夕のパルス
D O 第 0ビッ 卜のデジタル信号
D 1 第 1 ビッ 卜のデジタル信号
A アナログ信号
S 0 0 第 0列 ·第 0ビッ トのソース線の電位
S 0 1 第 0列 .第 1 ビッ トのソース線の電位
S 1 0 第 1列 · 第 0 ビッ トのルソース線の電位
S 1 1 第 1列 ·第 1 ビッ 卜のソース線の電位
S O 第 0列のソース線の電位
S 1 第 1列のソース線の電位
G O 第 0行のゲート線のパルス
G 1 第 1行のゲート線のパルス
C 0 0 0 第 0行 第 0列 第 0ビッ 卜の保持容量の電位
C 0 0 1 第 0行 第 0列 第 1 ビッ トの保持容量の電位
C 0 1 0 第 0行 第 1列 第 0ビッ トの保持容量の電位
C 0 1 1 第 0行 第 1列 第 1 ビッ 卜の保持容量の電位
C 1 0 0 第 1行 第 0列 第 0ビッ 卜の保持容量の電位 C 1 0 1 第 1行 第 0列 第 1 ビッ トの保持容量の電位 C 1 1 0 第 1行 第 1列 第 0ビッ トの保持容量の電位 C 1 1 1 第 1行 第 1列 第 1 ビッ トの保持容量の電位
C 0 0 第 0行 ·第 0列の保持容量の電位
C 0 1 第 0行 · 第 1列の保持容量の電位
C 1 0 第 1行 · 第 0列の保持容量の電位 C 1 1 第 1行 ·第 1列の保持容量の電位
発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の好ましい実施の形態を、 図面に基づいて説明する。
(実施例 1 )
図 1は、 本発明の実施例 1に係る T FT— OE LDの等価回路図である。 ここ では、 1画素のみ図示しているが、 実際には複数行 ·複数列の多数の画素が存在 する。
シフ 卜レジスタ 1 0 1からパルスが出力され、 第 0〜3ビッ 卜のデジタル信号 供給線 1 0 2 1 0〜 1 02 1 3のデジタル信号は、 それそれ第 0〜 3ビッ トの伝 送スィ ッチ 1 03 1 0〜 1 0 3 1 3を通じて、 それぞれ第 0〜 3ビッ 卜のソース 線 1 04 1 0〜 1 04 1 3へ伝達される。 すなわち、 デジタル信号が、 各画素ま で伝達されている。 このとき選択されているゲート線 1 09に対しては、 デジ夕 ル信号は、 それそれ第 0〜3ビヅ 卜のスィ ツチングトランジスタ 1 0 5 1 0〜 1 05 1 3を通じて、 それぞれ第 0〜3ビッ 卜の保持容量 1 06 1 0〜 1 06 1 3 に伝達される。 薄膜トランジスタであるカレン ト トランジスタ 1 07 1 0〜 1 0 7 1 3と、 電流素子である有機 E L素子 1 08 1 0〜 1 08 1 3とは、 各々直列 に接続されている。 故に、 デジタル信号により第 0〜 3ビッ トのカレン ト トラン ジス夕 1 07 1 0〜 1 07 1 3のオン · オフが制御され、 第 0〜3ビッ 卜の有機 E L素子 1 0 8 1 0〜 1 08 1 3はデジタル信号に対応して発光または非発光と なる。
図 2に、 本発明の実施例 1に係る T F T - 0 E L Dの平面図および断面図を示 す。
発光素子である第 0〜 3ビッ 卜の有機 E L素子 1 0 8 1 0〜 1 08 1 3の面積 が、 各々異なっているため、 発光強度が各々異なり。 いわゆる面積階調方式が可 能となる。 また、 その面積すなわち発光強度が、 公比 2の等比数列となっており、 D Aコンバータの機能も、 各画素毎に内蔵していることになる。 ここでは、 シフ トレジスタ 1 0 1、 第 0〜 3ビッ トの伝送スィ ツチ 1 03 1 0 〜 ： 1 03 1 3、 第 0〜3ビッ トのスイ ッチングトランジスタ 1 05 1 0〜 1 05 1 3、 カレン ト トランジスタ 1 07 1 0~ 1 07 1 3等を構成する薄膜トランジ ス夕として、 600 °C以下の低温プロセスで形成された多結晶シリコン薄膜トラ ンジス夕を用いている。 ただし、 これと同等の機能を持つものであれば、 他の素 子でも構わない。 また、 第 0〜3ビヅ トの有機 E L素子 108 1 0〜 1 08 1 3 の構成要素である有機半導体膜は、 インクジェッ トへッ ドから液状の材料を吐出 させて形成する、 いわゆるインクジェッ トプロセス用いている。 ただし、 他のプ 口セスで形成したり、 有機 E L素子以外の電流発光素子であってもかまわない。 図 3に、 本発明の実施例 1に係る T F T— 0 E L Dの駆動方法を示す。
第 0列のシフ トレジス夕のパルス S R 0により、 第 0および 1ビッ トのデジ夕 ル信号 D 0および D 1は、 第 0列 '第 0および 1ビッ トのソース線の電位 S 00 および S 0 1へと伝達される。 また、 第 1列のシフ トレジス夕のパルス S R 1に より、 第 0および 1ビッ トのデジタル信号 D 0および D 1は、 第 1列 ·第 0およ び 1ビッ 卜のソース線の電位 S 10および S 1 1へと伝達される。 まず、 第 0行 のゲート線のパルス G 0が印加されているときは、 第 0列 · 第 0および 1ビッ ト のソース線の電位 S 00および S 0 1は、 第 0行 · 第 0列 · 第 0および 1ビッ ト の保持容量の電位 C 00 0および C 00 1に伝達され、 第 1列 ·第 0および 1ビ ッ トのソース線の電位 S 1 0および S 1 1は、 第 0行 ' 第 1列 ' 第 0および 1ビ ッ 卜の保持容量の電位 C 0 1 0および C 0 1 1に伝達される。 次に、 第 1行のゲ 一ト線のパルスが印加されているときは、 第 0列 . 第 0および 1ビッ 卜のソース 線の電位 S 0 0および S 0 1は、 第 1行 · 第 0列 · 第 0、 1ビッ 卜の保持容量の 電位 C 1 00および C 1 0 1に伝達され、 第 1列 · 第 0および 1ビッ トのソース 線の電位 S 1 0および S 1 1は、 第 1行 . 第 1列 ·第 0および 1ビッ トの保持容 量の電位 C 1 1 0および C 1 1 1に伝達される。 各保持容量の電位、 すなわち対 応するデジタル信号に従って、 各有機 E L素子が所定の発光または非発光となる。 ここで、 オン状態のカレン ト トランジスタの抵抗は、 オン状態の有機 E L素子 の抵抗に比べて、 無視できるほど小さくなつている。 このため、 有機 E L素子を 流れる電流は、 共通電極 1 1 0と上側電極 1 1 1間電圧に対する、 有機 E L素子 の抵抗のみで決定され、 カレント トランジスタの抵抗が多少増減しようと、 関係 ない。 故に、 トランジスタのコンダクタンスの不均一性に起因する、 発光強度の 不均一性は、 抑制される。 また、 オフ状態のカレン ト トランジスタの抵抗は、 ォ フ状態の有機 E L素子の抵抗に比べて、 極めて大きくなつている。 このため確実 に有機 E L素子をオフ状態にすることができる。
(実施例 2 )
図 4は、 本発明の実施例 2に係る T F T— O E L Dの等価回路図である。
本実施例の T F T— 0 E L Dの動作 ·機能 '効果は、 実施例 1 とほぼ同等であ る。 ただし、 本実施例では、 ゲート線 1 0 9を下位ビッ ト用ゲート線 1 0 9 0お よび上位ビッ ト用ゲ一ト線 1 0 9 1に分割し、 おのおの第 0ビッ トと第 1 ビッ ト、 および、 第 2 ビッ トと第 3ビッ トの機能を受け持たせている。 これにより、 デジ タル供給線の本数、 1列あたりの伝送スィ ッチおよびソース線の本数を、 4から 2に減少させることができる。 ただし、 ゲート線の走査信号、 シフ トレジス夕の パルスおよびデジタル信号の周波数は倍増する。
(応用例）
本発明は、 電流発光表示素子において、 トランジスタのコンダク夕ンスの不均 一性に起因する、 発光素子の発光強度の不均一性を低減することを目的とするた め、 「背景技術」 の項で述べた液晶表示素子の面積階調方式とは、 本質的に異な る。 実際、 電流発光表示素子においては、 発光強度さえ異なれば、 面積が異なつ ている必要さえない。 ただし、 その構造には、 類似した点が見られる。 故に、 液 晶表示素子の面積階調方式に対して発表されている実施例の多くは、 本発明の階 調方式に適用することが可能で、 その発表に記述されていると同様の効果が期待 できる。
産業上の利用可能性 本発明は、 上述した効果を有することから、 薄膜トランジスタおよび電流によ り発光する素子を備えた表示装置に適用することができる。 発光素子としては、 例えば、 有機エレク ト口ルミネッセンス素子が挙げられる。 また、 本発明を適用 した表示装置は、 個人使用のパーソナルコンピュータ、 携帯型電子手帳のみなら ず、 屋外での大型掲示板、 広告板などの情報表示機器にも利用することができる (

Claims

請求の範囲
1 . 複数の走査線および複数の信号線と、 前記走査線と前記信号線によりマト リクス状に形成された画素とを有し、 前記画素に複数の薄膜トランジス夕および 複数の発光素子が形成されてなる表示素子において、
前記薄膜トランジスタおよび前記発光素子は各々直列に接続され、 前記発光素 子の発光強度が各々異なることを特徴とする表示素子。
2 . 前記発光素子の発光 ·非発光は， デジタル信号によって制御されてなる請 求の範囲第 1項に記載の表示装置。
3 . 前記発光素子の発光強度が、 公比 2の等比数列である請求の範囲第 1項に 記載の表示装置。 -
4 . 前記薄膜トランジスタのオン抵抗が、 前記発光素子のオン抵抗よりも小さ く、 前記薄膜トランジスタのオフ抵抗が、 前記発光素子のオフ抵抗よりも大きい 請求の範囲第 1項に記載の表示装置。
5 . 前記薄膜トランジスタ力 6 0 0 °C以下の低温プロセスで形成された多結 晶シリコン薄膜トランジスタである請求の範囲第 1項に記載の表示装置。
6 . 前記発光素子が、 インクジヱッ トプロセスで形成された有機エレク トロル ミネッセンス素子である請求の範囲第 1項に記載の表示装置。
PCT/JP1998/003756 1997-08-28 1998-08-25 Display device Ceased WO1999012150A1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP98938969A EP0949603B1 (en) 1997-08-28 1998-08-25 Display device
DE69833257T DE69833257T2 (de) 1997-08-28 1998-08-25 Anzeigevorrichtung
KR1019997003441A KR100594828B1 (ko) 1997-08-28 1998-08-25 전류 발광 장치
US09/297,263 US6518941B1 (en) 1997-08-28 1998-08-25 Display device
US10/321,656 US7236164B2 (en) 1997-08-28 2002-12-18 Display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9233107A JPH1173158A (ja) 1997-08-28 1997-08-28 表示素子
JP9/233107 1997-08-28

Related Child Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US09/297,263 A-371-Of-International US6518941B1 (en) 1997-08-28 1998-08-25 Display device
US09297263 A-371-Of-International 1998-08-25
US10/321,656 Division US7236164B2 (en) 1997-08-28 2002-12-18 Display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1999012150A1 true WO1999012150A1 (en) 1999-03-11

Family

ID=16949893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1998/003756 Ceased WO1999012150A1 (en) 1997-08-28 1998-08-25 Display device

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6518941B1 (ja)
EP (1) EP0949603B1 (ja)
JP (1) JPH1173158A (ja)
KR (1) KR100594828B1 (ja)
CN (1) CN1146849C (ja)
DE (1) DE69833257T2 (ja)
TW (1) TW385420B (ja)
WO (1) WO1999012150A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999042983A1 (en) * 1998-02-18 1999-08-26 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
EP1231593A3 (en) * 2001-02-08 2007-02-21 Sanyo Electric Co. Ltd Organic EL circuit
US8102347B2 (en) 2004-12-06 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1173158A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Seiko Epson Corp 表示素子
JP4092827B2 (ja) * 1999-01-29 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 表示装置
JP2000284752A (ja) 1999-01-29 2000-10-13 Seiko Epson Corp 表示装置
US6366025B1 (en) * 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP4627822B2 (ja) * 1999-06-23 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2001100696A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリックス型ｅｌ表示装置
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US6801180B2 (en) * 2000-03-30 2004-10-05 Seiko Epson Corporation Display device
KR100491205B1 (ko) * 2000-03-30 2005-05-25 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시장치
US20010030511A1 (en) 2000-04-18 2001-10-18 Shunpei Yamazaki Display device
TW536836B (en) * 2000-05-22 2003-06-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and electrical appliance
US6528951B2 (en) * 2000-06-13 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US6992652B2 (en) * 2000-08-08 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
TW522374B (en) * 2000-08-08 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device and driving method of the same
US7180496B2 (en) 2000-08-18 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
TW518552B (en) * 2000-08-18 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device, method of driving the same, and method of driving a portable information device having the liquid crystal display device
US6987496B2 (en) * 2000-08-18 2006-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
TW514854B (en) * 2000-08-23 2002-12-21 Semiconductor Energy Lab Portable information apparatus and method of driving the same
US7315295B2 (en) 2000-09-29 2008-01-01 Seiko Epson Corporation Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
US7184014B2 (en) * 2000-10-05 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7071911B2 (en) 2000-12-21 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method thereof and electric equipment using the light emitting device
US6747623B2 (en) * 2001-02-09 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
JP3608614B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
KR100394006B1 (ko) 2001-05-04 2003-08-06 엘지전자 주식회사 전류구동 표시소자의 더블 스캔 구조 및 제조방법
US6956547B2 (en) * 2001-06-30 2005-10-18 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Driving circuit and method of driving an organic electroluminescence device
JP4785300B2 (ja) * 2001-09-07 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 電気泳動型表示装置、表示装置、及び電子機器
WO2003023750A1 (en) * 2001-09-07 2003-03-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. El display panel, its driving method, and el display apparatus
JP2003150108A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブマトリックス基板及びそれを用いた電流制御型発光素子の駆動方法
TWI273539B (en) * 2001-11-29 2007-02-11 Semiconductor Energy Lab Display device and display system using the same
JP4050503B2 (ja) 2001-11-29 2008-02-20 株式会社日立製作所 表示装置
JP3913534B2 (ja) * 2001-11-30 2007-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びこれを用いた表示システム
GB0130411D0 (en) * 2001-12-20 2002-02-06 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
GB0130600D0 (en) * 2001-12-21 2002-02-06 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
JP2004004788A (ja) 2002-04-24 2004-01-08 Seiko Epson Corp 電子素子の制御回路、電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器、並びに電子素子の制御方法
JP2003345306A (ja) * 2002-05-23 2003-12-03 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP4067878B2 (ja) * 2002-06-06 2008-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びそれを用いた電気器具
JP4059712B2 (ja) * 2002-06-11 2008-03-12 沖電気工業株式会社 表示素子用電流出力回路部の制御回路
JP4409152B2 (ja) 2002-06-27 2010-02-03 株式会社ルネサステクノロジ 表示制御駆動装置および表示システム
US6982727B2 (en) * 2002-07-23 2006-01-03 Broadcom Corporation System and method for providing graphics using graphical engine
JP2004119342A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Pioneer Electronic Corp 有機ｅｌ積層型有機スイッチング素子及び有機ｅｌディスプレイ
US7271784B2 (en) * 2002-12-18 2007-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
EP2326143B1 (en) * 2003-01-24 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic book
US20040257352A1 (en) * 2003-06-18 2004-12-23 Nuelight Corporation Method and apparatus for controlling
JP2005031629A (ja) 2003-06-19 2005-02-03 Sharp Corp 表示素子および表示装置
JP4583732B2 (ja) * 2003-06-30 2010-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及びその駆動方法
JP4552421B2 (ja) * 2003-11-13 2010-09-29 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器及び電気光学装置の駆動方法
US20050200296A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Method and device for flat panel emissive display using shielded or partially shielded sensors to detect user screen inputs
US20050200292A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Emissive display device having sensing for luminance stabilization and user light or touch screen input
US20050200294A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Sidelight illuminated flat panel display and touch panel input device
FR2866973B1 (fr) * 2004-02-27 2006-08-04 Commissariat Energie Atomique Dispositif ameliore d'adressage de pixels
CN1957471A (zh) * 2004-04-06 2007-05-02 彩光公司 在平板显示器中与传感器阵列集成的彩色滤波器
US7129938B2 (en) * 2004-04-12 2006-10-31 Nuelight Corporation Low power circuits for active matrix emissive displays and methods of operating the same
US20050248515A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-10 Naugler W E Jr Stabilized active matrix emissive display
US7928937B2 (en) * 2004-04-28 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2006106673A (ja) * 2004-05-25 2006-04-20 Victor Co Of Japan Ltd 表示装置
JP2006106672A (ja) * 2004-05-25 2006-04-20 Victor Co Of Japan Ltd 表示装置
JP5087821B2 (ja) * 2004-05-25 2012-12-05 株式会社Ｊｖｃケンウッド 表示装置
US20060007206A1 (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Damoder Reddy Device and method for operating a self-calibrating emissive pixel
US8194006B2 (en) 2004-08-23 2012-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method of the same, and electronic device comprising monitoring elements
KR100699997B1 (ko) 2004-09-21 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 다수개의 구동 트랜지스터와 다수개의 애노드 또는캐소드전극을 갖는 유기 전계 발광 표시장치
JP4400401B2 (ja) * 2004-09-30 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置とその駆動方法及び電子機器
JP5201791B2 (ja) * 2004-12-06 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
US7595778B2 (en) 2005-04-15 2009-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device using the same
US20070001954A1 (en) 2005-07-04 2007-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
US9318053B2 (en) 2005-07-04 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP4650726B2 (ja) * 2005-08-23 2011-03-16 日本ビクター株式会社 表示装置
EP1758072A3 (en) 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP2007086762A (ja) * 2005-08-24 2007-04-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
JP4904756B2 (ja) * 2005-09-27 2012-03-28 株式会社デンソー 有機ｅｌ駆動回路、有機ｅｌ表示器およびその駆動方法
US7635863B2 (en) 2005-10-18 2009-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus having the display device
JP5041777B2 (ja) 2005-10-21 2012-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
EP1826741A3 (en) 2006-02-23 2012-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device having the same
JP4577244B2 (ja) * 2006-03-15 2010-11-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置及びその駆動方法並びに電子機器
GB2437113B (en) 2006-04-12 2008-11-26 Cambridge Display Tech Ltd Light-emissive display and method of manufacturing the same
TWI539423B (zh) 2006-05-31 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、顯示裝置的驅動方法、以及電子設備
JP2008225101A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Fujifilm Corp 表示装置
JP4329868B2 (ja) * 2008-04-14 2009-09-09 カシオ計算機株式会社 表示装置
JP5657198B2 (ja) * 2008-08-07 2015-01-21 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーＧｌｏｂａｌ Ｏｌｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｌｃ． 表示装置
JP2010122493A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Eastman Kodak Co 表示装置
KR20160087022A (ko) * 2015-01-12 2016-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
US11145251B2 (en) * 2018-10-23 2021-10-12 Innolux Corporation Display device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5688193A (en) * 1979-12-19 1981-07-17 Citizen Watch Co Ltd Display unit
JPS58220185A (ja) * 1982-06-17 1983-12-21 セイコーインスツルメンツ株式会社 表示素子
JPS6122326A (ja) * 1984-03-23 1986-01-30 Citizen Watch Co Ltd 階調表示装置
JPH06325869A (ja) * 1993-05-18 1994-11-25 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光パネル
JPH07235378A (ja) * 1993-12-28 1995-09-05 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
JPH0854835A (ja) * 1994-08-09 1996-02-27 Nec Corp アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
JPH08241057A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Tdk Corp 画像表示装置
JPH09153524A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Taiyo Yuden Co Ltd 電子回路装置の製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3807037A (en) * 1972-11-30 1974-04-30 Us Army Pocketable direct current electroluminescent display device addressed by mos and mnos circuitry
JPS61267782A (ja) 1985-05-23 1986-11-27 三菱電機株式会社 表示素子
DE3751502T2 (de) * 1986-03-11 1996-02-15 Kanegafuchi Chemical Ind Elektrische oder elektronische Anordnung mit einer dünnen Schicht aus Polyimid.
US5543819A (en) * 1988-07-21 1996-08-06 Proxima Corporation High resolution display system and method of using same
US5027040A (en) * 1988-09-14 1991-06-25 Daichi Company, Ltd. EL operating power supply circuit
US5126214A (en) * 1989-03-15 1992-06-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescent element
US5138303A (en) * 1989-10-31 1992-08-11 Microsoft Corporation Method and apparatus for displaying color on a computer output device using dithering techniques
JPH07504764A (ja) * 1992-03-13 1995-05-25 コピン・コーポレーシヨン 頭部取り付け表示系
US5302966A (en) * 1992-06-02 1994-04-12 David Sarnoff Research Center, Inc. Active matrix electroluminescent display and method of operation
GB9223697D0 (en) * 1992-11-12 1992-12-23 Philips Electronics Uk Ltd Active matrix display devices
US5460983A (en) * 1993-07-30 1995-10-24 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method for forming isolated intra-polycrystalline silicon structures
JP2821347B2 (ja) * 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
US5714968A (en) * 1994-08-09 1998-02-03 Nec Corporation Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device
US5652600A (en) * 1994-11-17 1997-07-29 Planar Systems, Inc. Time multiplexed gray scale approach
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
JP2726631B2 (ja) * 1994-12-14 1998-03-11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示方法
JP3412076B2 (ja) * 1995-03-08 2003-06-03 株式会社リコー 有機ｅｌ素子
US5754064A (en) * 1995-08-11 1998-05-19 Chien; Tseng Lu Driver/control circuit for a electro-luminescent element
US5748160A (en) 1995-08-21 1998-05-05 Mororola, Inc. Active driven LED matrices
JPH09153624A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Sony Corp 半導体装置
JPH10172762A (ja) * 1996-12-11 1998-06-26 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置
JPH1173158A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Seiko Epson Corp 表示素子
JP3543170B2 (ja) * 1998-02-24 2004-07-14 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
TW548621B (en) * 2000-12-08 2003-08-21 Matsushita Electric Industrial Co Ltd EL display device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5688193A (en) * 1979-12-19 1981-07-17 Citizen Watch Co Ltd Display unit
JPS58220185A (ja) * 1982-06-17 1983-12-21 セイコーインスツルメンツ株式会社 表示素子
JPS6122326A (ja) * 1984-03-23 1986-01-30 Citizen Watch Co Ltd 階調表示装置
JPH06325869A (ja) * 1993-05-18 1994-11-25 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光パネル
JPH07235378A (ja) * 1993-12-28 1995-09-05 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
JPH0854835A (ja) * 1994-08-09 1996-02-27 Nec Corp アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路
JPH08241057A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Tdk Corp 画像表示装置
JPH09153524A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Taiyo Yuden Co Ltd 電子回路装置の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0949603A4 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999042983A1 (en) * 1998-02-18 1999-08-26 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
US6429601B1 (en) 1998-02-18 2002-08-06 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
EP1231593A3 (en) * 2001-02-08 2007-02-21 Sanyo Electric Co. Ltd Organic EL circuit
US8102347B2 (en) 2004-12-06 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9123625B2 (en) 2004-12-06 2015-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
TW385420B (en) 2000-03-21
EP0949603A4 (en) 2000-12-06
DE69833257D1 (de) 2006-04-06
DE69833257T2 (de) 2006-09-21
CN1146849C (zh) 2004-04-21
US20030071772A1 (en) 2003-04-17
JPH1173158A (ja) 1999-03-16
KR20000068801A (ko) 2000-11-25
KR100594828B1 (ko) 2006-07-03
US6518941B1 (en) 2003-02-11
US7236164B2 (en) 2007-06-26
EP0949603A1 (en) 1999-10-13
EP0949603B1 (en) 2006-01-18
CN1242858A (zh) 2000-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1999012150A1 (en) Display device
CA2249592C (en) Active matrix electroluminescent display device and a driving method thereof
US7956826B2 (en) Electroluminescent display device to display low brightness uniformly
KR100663391B1 (ko) 발광소자 표시장치 및 그의 구동방법
CN1329882C (zh) 图像显示装置和驱动方法
JP3918642B2 (ja) 表示装置及びその駆動方法
JP4982702B2 (ja) エレクトロルミネセンス表示装置
JPWO2001073738A1 (ja) 表示装置
WO2001073738A1 (en) Display
US20030016191A1 (en) Driving circuit of active matrix type light-emitting element
KR20020092248A (ko) 능동 매트릭스형 디스플레이 장치, 능동 매트릭스형 유기전자발광 디스플레이 장치 및 그 구동 방법
US7609234B2 (en) Pixel circuit and driving method for active matrix organic light-emitting diodes, and display using the same
JP2007528013A (ja) 表示装置
US20030117347A1 (en) Active matrix electroluminescent display device
JP3733802B2 (ja) 表示装置
JP2006047493A (ja) 表示用制御線駆動回路及び画像表示装置
KR20050104598A (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 98801586.2

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1019997003441

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09297263

Country of ref document: US

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1998938969

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1998938969

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1019997003441

Country of ref document: KR

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: 1019997003441

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1998938969

Country of ref document: EP