WO2002054420A1

WO2002054420A1 - Laminated circuit board and production method for electronic part, and laminated electronic part

Info

Publication number: WO2002054420A1
Application number: PCT/JP2001/011499
Authority: WO
Inventors: Minoru Takaya; Toshikazu Endo; Masami Sasaki
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Filing date: 2001-12-27
Publication date: 2002-07-11
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Description

明細書

積層基板および電子部品の製造方法、および積層電子部品発明の背景技術分野

本発明は、プリプレグおよび基板を用いた積層基板や電子部品の製造方法およびこの方法によリ得られた電子部品に関し、特に層間の厚みを薄くすることが可能な積層基板、電子部品の製造方法および電子部品に関する。背景技術

近年、通信用、民生用、産業用等の電子機器の分野における実装方法の小型化■高密度化への指向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求されつつある。

高周波用電子部品もしくは高周波用多層基板としては、焼結フェライトゃ焼セラミックを基板状に多層化、成形したものが一般に知られている。これらの材料を多層基板にすることは、小型化が図れるというメリツ卜があることから従来より用いられてきた。

しかしながら、これら焼結フェライトや焼結セラミックを用いた場合、焼成ェ程や厚膜印刷工程数が多く、また、焼成時のクラックや反り等、焼結材料特有の問題が多いことと、プリント基板との熱膨張係数の違い等によるクラックの発生等といった問題が多いことから、樹脂系材料への要求が年々高まっている。しかしながら、樹脂系の材料ではそれ自体で十分な誘電率を得ることが極めて困難であり、これと併せて透磁率の向上を図ることも困難である。このため、単に樹脂材料を利用した電子部品では、十分な特性を得ることができず、形状的にも大きなものとなり、小型、薄型化を図ることが困難である。

また、樹脂材料にセラミック粉末をコンポジットする手法も、例えば特開平 1 0 - 2 7 0 2 5 5号公報、同 1 1—1 9 2 6 2 0号公報、同 8— 6 9 7 1 2号公報に開示されているが、いずれも十分な誘電率や、これと併せて透磁率を得られてはいない。誘電率を上げるためにセラミック粉末の充填率を上げると、強度が低下し、ハンドリング時や加工時に破損しやすくなるといった問題もあった。また、これらの基板は、ガラスクロスなどの補強材料にペーストを含浸させることにより構成されている。このため、ガラスクロスの厚み以下には構成層の厚みを薄くすることができず、しかもガラスクロスと素地間の吸湿による信頼性の面での特性劣化等の問題も有していた。

ガラスクロスを用いない基板の構成の例としては、例えば特公平 6— 1 4 6 0 0号公報に開示されている。この公報では、 P E Tフィルムに塗布、乾燥することにより、 1 5 0 m 厚のシートを得ている。しかし、この公報の基板はシー卜厚が 1 5 0 / m と厚く、しかも電極の形成方法についての記載がみられないため、通常の方法により作製されているものと考えると、それ以上の薄型化は困難である。

特に、近年、携帯機器の急速な発展と普及により、小型、薄型の機器を実現する上で基板の薄型化は極めて重要である。発明の開示

本発明の目的は、従来の基板よりも薄型化が可能で、ハンドリング時の強度的な問題も生じない積層基板、電子部品の製造方法、および積層電子部品を提供することである。

上記目的は、下記の本発明の構成により達成される。

( 1 ) 転写フィルムに導電体層を接着し、この導電体層をエッチングによリ所定のノターンにパターニングし、

その後パターン形成された導電体層を有する転写フィルムを、この導電体層側がプリプレダと対向するように配置し、

次いで、転写フィルムをプリプレダに加熱圧着した後、転写フイルムを剥離し導電体層を有するプリプレダを得る積層基板の製造方法。

(2) 前記加熱圧着は、温度： 1 40〜 "！ 60¾、圧力： 4. 9〜39M Pa、処理時間 1 20〜 1 80分間の条件で行う上記（1 ) の積層基板の製造方法。

(3) 前記プリプレダを配置する前に、前記転写フイルムを 1 00〜 1 3 0°C、 5〜20分間熱処理を行う上記（1 ) または（2) の積層基板の製造方法。

(4) 少なくとも誘電体粉、磁性体粉のいずれかが樹脂中に分散され、厚みが 2〜40 m であるプリプレグを得る上記（1 ) 〜（3) のいずれかの積層基板の製造方法。

(5) さらに、前記プリプレダのパターン形成面上に他のプリプレグを配置し、この他のプリプレダを加熱圧着することにより、内部導体パターンを有する積層基板を得る上記（1 ) ~ (4) のいずれかの積層基板の製造方法。

(6) 前記導電体層の表面粗さ Rz が 1 〜 6 im である上記（ 1 ) 〜 (5) のいずれかの積層基板の製造方法。

(7) 前記導電体層が、 C u， A I , A _gおよび A uから選択される 1種または 2種以上の元素により構成されている上記（1 ) ~ (5) のいずれかの積層基板の製造方法。

(8) 前記導電体層は、電解法、または圧延法により製造されている上記 ( 1 ) 〜（5) のいずれかの積層基板の製造方法。

(9) 前記導電体層の膜厚は、 3〜3 2 / m である上記（1 ) 〜（5) のいずれかの積層基板の製造方法。 (1 0) 前記誘電体粉は、チタン一バリウム一ネオジゥム系セラミックス、チタン一バリウム一スズ系セラミックス、鉛一カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミツクス、 CaW0₄ 系セラミックス、 Ba (M g, N b) 0₃ 系セラミックス、 B a ( g, T a) 0₃ 系セラミックス、 B a (Co, g, N b) 0₃ 系セラミックス、および Ba (Co, Mg, T a) 0₃ 系セラミックスのいずれか 1種または 2種以上により形成されている上記（4) 〜（9) のいずれかの積層基板の製造方法。

(1 1 ) 前記誘電体粉は、シリカ、アルミナ、ジルコニァ、チタン酸カリゥムゥイス力、チタン酸カルシウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、力一ボン繊維、および酸化マグネシゥムのいずれか 1種または 2種以上により形成されている上記（4) 〜 (9) のいずれかの積層基板の製造方法。

(1 2) 前記誘電体粉は、樹脂と誘電休粉末との合計量を 1 00体積％としたとき、

1 0体積％以上 65体積％未満含有する上記（4) 〜（1 1 ) のいずれかの積層基板の製造方法。

(1 3) 前記磁性体粉は、 Mn— Mg— Ζ η系、 Ν ί — Ζ η系、および Μ η— Ζ η系フェライトのいずれか 1種または 2種以上により形成されている上記 (4) 〜（1 2) のいずれかの積層基板の製造方法。

(14) 前記磁性体粉は、カーボニール鉄、鉄一シリコン系合金、鉄一ァルミ一珪素系合金、鉄一ニッケル系合金、およびアモルファス系強磁性金属の 1 種または 2種以上により形成されている上記（4) 〜（1 2) のいずれかの積層基板の製造方法。

(1 5) 前記誘電体粉または磁性体粉は、投影形状が円形である球形度 0 - 9〜 1. 0の球状であって、平均粒径が 0. 1 ~40jUm である上記（4) 〜 (1 4) のいずれかの積層基板の製造方法。

(1 6) 上記（4) 〜（1 5) のいずれかの積層基板の少なくとも導電体層のパターニングによリ電子部品素子を形成し、

さらに電子部品素子の端子となるスルーホールを形成し、

前記各電子部品素子毎に前記スルーホール部分で切断して電子部品を得る電子部品の製造方法。

(1 7) 上記（1 6) の製造方法により得られた積層電子部品。

(1 8) 少なくとも誘電体、磁性体のいずれかが樹脂中に分散され、かつガラスクロスを含有しない構成層を有し、

このガラスクロスを含有しない構成層の厚みが 2~40 /m である積層電子

図面の簡単な説明

図 1は、本発明の積層基板の構成層の形成例を示す工程図である。

図 2は、本発明の積層基板の構成層の形成例を示す工程図である。

図 3は、本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。図 4は、本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。図 5は、本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。図 6は、本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。図 7は、本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。図 8は、本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。図 9は、本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。図 1 0は, 本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。図 1 1は, 本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す図である。図 1 2は, 本発明の電子部品の構成例であるインダクタを示す等価回路図である。

図 1 3は, 本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。図 1 4は, 本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。図 1 5は, 本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。図 1 6は, 本発明の電子部品の構成例であるキャパシタを示す等価回路図である。

図 1 7は, 本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。

図 1 8は，本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。

図 1 9は, 本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す図である。

図 2 0は, 本発明の電子部品の構成例であるバルントランスを示す等価回路図である。

図 2 1は, 本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である図 2 2は, 本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である図 2 3は, 本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。

図 2 4は, 本発明の電子部品の構成例である積層フィルタの伝達特性を示す図である。

図 2 5は，本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である図 2 6は, 本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である図 2 7は、本発明の電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。

図 2 8は、本発明の電子部品の構成例である積層フィルタの伝達特性を示す図である。

図 2 9は、本発明の電子部品の構成例である力ブラを示す図である。

図 3 0は、本発明の電子部品の構成例である力ブラを示す図である。

図 3 1は、本発明の電子部品の構成例である力ブラを示す図である。

図 3 2は、本発明の電子部品の構成例である力ブラの内部結線を示す図であ。

図 3 3は、本発明の電子部品の構成例である力ブラの等価回路を示す図であ。

図 3 4は、本発明の電子部品の構成例である V C Oを示す図である。

図 3 5は、本発明の電子部品の構成例である V C Oを示す図である。

図 3 6は、本発明の電子部品の構成例である V C Oを示す等価回路図である。

図 3 7は、本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す図である _c 図 3 8は、本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す図である _c 図 3 9は、本発明の電子部品の構成例であるパワーアンプを示す等価回路図である。

図 4 0は、本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す図である。

図 4 1は、本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す図である。

図 4 2は、本発明の電子部品の構成例である重畳モジュールを示す等価回路図である。図 4 3は、本発明の電子部品の構成例である R Fモジュールを示す図である'

図 4 4は、本発明の電子部品の構成例である R Fモジュールを示す図である。

図 4 5は、本発明の電子部品の構成例である R Fモジュールを示す図である。

図 4 6は、本発明の電子部品の構成例である R Fモジュールを示す図である' 発明を実施するための最良の形態

本発明の積層基板の製造方法は、転写フィルムに導電体層を接着し、この導電体層を所定のパターンにパターニングし、その後パターン形成された導電体層を有する転写フイルムを、この導電体層側がプリプレグと対向するように配置し、次いで、転写フィルムをプリプレダ方向に加熱圧着した後、転写フィルムを剥離し導電体層を有するプリプレグを得るものである。

また、転写を行う前に、あらかじめ前記転写フイルムを、 1 0 0〜 1 3 0 °C、 5 - 2 0分間熱処理し、転写フィルムの接着剤を発泡させてから転写を行うようにしてもよい。

このような製造方法により、ガラスクロスなどの補強部材を包含せず、厚みが 4 0 /i m 以下の構成層が得られ、薄型の積層基板を提供することができる。

こうして得られた構成層を用いることにより、

( 1 ) 小型で高性能で加工性がよく、比重が軽く、柔軟性のある電子部品、多層回路基板を得ることができる。

( 2 ) 異なった特性を有する材料を多層化しても、高い柔軟性のため、クラック、剥がれ、反りなどの問題が生じ難く高機能の電子部品を得ることができる。 (3) 焼成、厚膜印刷等の工程がないため、製造しやすく、不具合の起き難いライン設計が可能となる。

(4) ガラスクロスレスなので信頼性が高く、誘電体粉、磁性体粉の充填度を上げることができ、高誘電率化、高透磁率化を図ることができる。

(5) エッチングによりパターン形成するので、パターン精度が非常に高くなる。

(6) ガラスクロスを含有しないので、ロット間での特性変動が少ない。

(7) さらに、ガラスクロスを含有する層を積層することにより、容易に強度を増すことができる。

(8) 基板自体はエッチング工程を経ていないので、エッチング液性分が残存することがなく、製品の信頼度が向上する。

等といった効果が得られる。

さらに、具体的に説明すると、本発明の積層基板は、図 1 , 2に示すような方法により製造することができる。

先ず、図 1の工程 Aに示されるように、所定厚さの転写フィルム 1 03に所定厚さの導電体層である銅（Cu) 箔 1 02を重ねて接着させる。なお、転写フィル厶の接着面を保護するシートを貼り付けておき、 Cu箔接着の際にこれを除くようにしてもよい。このときの転写フィルムの接着力としては、好ましくは 7 N/ 20mm以下、特に 3. フ〜 7. ON/20mmである。接着力が 3. 7N/20mm以下になると、エッチング工程などで導電体層が剥がれたり、エッチング液が層間に進入しやすくなつてくる。また、接着力が上記範囲より大きくなると、転写フィルムがプリプレグから剥離しにくくなってくる。

次に、工程 Bに示すように、銅箔 102を所望のパターン形状にパターニングする。次に、工程 Cに示すように、一対のパターン形成された銅箔 1 02を有する転写フィルム 1 03を、プリプレグ 1 01を挟んで上下に配置する。なお、転写フィルム 1 03はどちらか一方のみでもよい。このとき、予熱工程として転写フイルム 1 0 3を、あらかじめ温度： 1 0 0 ~ 1 3 0 °C、特に 1 1 0 ~ 1 2 0 °C、時間： 5 ~ 2 0分、特に 1 0〜 1 5分間熱処理し、接着層を発泡（軟化）させておいてもよい。この予熱工程は、転写フィルム上に形成されたパターンの占有面積が、 8 0 %以下、特に 7 0 %以下のときに効果がある。従って、占有パターン面積が 8 0 %超のときには予熱工程は不要である。転写フイルム上のパターンの占有面積が 8 0 %超になると、プリプレグ面と転写フィルム面の接触が少なくなリ、転写フィルムから剥力れやすくなリ、転写が容易になる。

そして、工程 Dに示すように、上下の転写フィルム 1 0 3を、プリプレグ 1 0 "I方向に加熱圧着（ラミネート）する。このとき、好ましい態様では、加熱によリプリプレダが軟化し、銅箔パターン 1 0 2との接着性が格段に向上する。このため、転写フィルムから銅箔が剥離しやすくなる。このときの、加熱 '加圧条件としては、温度： 1 3 0〜 1 7 0 °C、特に 1 4 0〜 1 6 0 °C、圧力： 4. 9〜3 O MPa、特に 9 . 8〜2 0 MPa、処理時間 1 2 0〜 "！ 8 0分間程度である。処理温度が高すぎるとプリプレグの硬化が進みすぎて、それ自体を多層化する際等に樹脂の流れが悪くなリ、接着性が低下してしまう。また、処理温度が低すぎるとパターンが転写され難くなつてくる。圧力が高すぎるとプリプレダに転写フィルムが貼り付いてしまい、剥離できなくなる。圧力が低すぎると、パターンとフイルムとの間に樹脂が流れ込んで、めっきが付着しなかったり、粗面化処理や、エッチングができないなど、その後の工程で不具合が生じてくる。

次に、図 2の工程 Eに示すように、転写フィルム 1 0 3を剥離すると、両面銅箔 1 0 2付プリプレグ 1 0 1が得られる。さらに、工程 Fに示すように、必要によりこのプリプレグ 1 0 1を挟んで上下に他のプリプレグ 1 0 1 aを配置し、ェ程 Gに示すようにプリプレダ 1 0 1方向に加熱圧着（ラミネート）することによリ、内部導体パターン 1 0 2を有する積層基板が得られる。なお、一方の面にのみパターン転写した場合などには、他のプリプレダ 1 0 1 aも一方のパターン面にのみ配置すればよい。

また、複数の構成層、具体的には 2枚以上の両面銅箔付プリプレダと、 3枚以上のプリプレグを交互に配置し、これらを一度に加熱加圧することにより、ラミネートプレスしてもよい。このように、一度にラミネートプレスすることにより、プレス回数を少なくすることができ、繰り返し加熱されることによる樹脂の劣化を防止することができる。このときの、加熱 '加圧条件としては、温度： 1 8 0 〜 2 1 b °C、特に 1 9 0〜 2 0 0 °C、圧力： 1 ~ 2 M Pa、特に 1 . 3〜 1 . 5 MPa、処理時間 6 0〜 1 2 0分間程度である。

本発明において、積層基板の基礎となるプリプレグを得るには、所定の配合比とした誘電体粉、磁性体粉と樹脂、必要により難燃剤とを含み、溶剤に混練してスラリー化したペーストを塗布して、乾燥（Bステージ化）する工程に従う。この場合に用いられる溶剤は揮発性溶剤が好ましく、極性中性溶媒が特に好ましく , ペーストの粘度を調整し塗工しゃすくする目的で用いられる。混練はボールミル, 撹拌等により公知の方法によって行えばよい。ペース卜を基材上に塗工することにより、プリプレダが得られる。

プリプレダの乾燥（Bステージ化）は、含有する誘電体粉、磁性体粉、難燃剤の含有量などにより適宜調整すればよい。乾燥、 Bステージ化した後の厚みは 4

0 ju m 以下が好ましく、その用途や要求される特性（パターン幅および精度、直流抵抗）等によリ最適な膜厚に調整すればよい。

積層基板の構成層となる基板、およびプリプレダは、塗工法や、材料を混練し、固体状とした混練物を成型することによつても得ることができる。

混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化してもよい。

この場合に得られるプリプレグの厚みとしては、 4 0 ju m 以下である。プリプレダの厚みは、積層基板の所望する板厚、積層数、誘電体粉、磁性体粉の含有率に応じて適宜調整すればよい。

積層基板に用いられる構成層のうち、上記方法により得られる構成層は、少なくとも誘電体粉、磁性体粉のいずれかが樹脂中に分散され、かつガラスクロスを含有しない構成層を有し、この構成層の厚みを 2〜4 0 ju m としたものが好ましい。

構成層の厚みは 2〜 4 0 m 、好ましくは 5〜 3 5 m 、より好ましくは 1 5〜2 5 ju m 、あるいは好ましくは 1 0〜3 O ju m である。構成層の厚みが厚くなると、積層基板自体の厚みが増し、小型、薄型の電子部品を得られ難くなるまた、コンデンサを形成したときに、所望の容量が得られ難くなる。厚みが薄すぎると強度が低下し、形状を保持することが困難になってくる。

導電体層の転写に用いられる転写フィルムとしては、特に限定されるものではなく、エッチング工程に耐えうる強度と化学的安定性を有し、導電体層の転写に必要な接着性、剥離性を有するものセあればよい。具体的には、樹脂フイルム等の支持体上に、接着層を有する構造のものがよい。

支持体は、例えば、ポリテトラフルォロエチレン、テトラフルォロエチレン一へキサフルォロプロピレンコポリマ一、テトラフルォロエチレンーパ一フロロァルキルビニルエー亍ルコポリマー、テトラフルォロエチレン一エチレンコポリマ ―、ポリクロ口トリフル才ロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニルなどのフッ素樹脂からなるプラスチックフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリサルフォンフィルム、ポリエーテルサルフォンフイルム、ポリアミドフイルム、ポリアミドイミドフイルム、ポリェ一亍ルケトンフィルム、ポリフエ二レンスルフィドフィルムなどの公知のプラスチックフィルムが挙げられる。なかでも、ポリエチレンテレフタレート（P ET) フィルム、二軸延伸ポリプロピレン（O P P) フィルム、メチルペン亍ンコポリマー（P T X) フィルム、フッ素樹脂フィルムなどが好ましい。なお、フッ素樹脂フィルムは、フッ化工チレン（ 1 F) 、 3フッ化工チレン（3 F) および 4フッ化工チレン（4 F) からなるフイルムが好ましい。

これらプラスチックフイルムは、その厚みが約 1 0 jLim〜200 im、特に約 1 5 im〜 1 50〃mであることが好ましい。

接着層は、特に加熱によりその接着力が低下する特性を有することが望ましいこのような接着層として、母材となるベースポリマー中に発泡剤を配合して構成され、加熱により発泡剤が発泡することにより、接着力が低減または消失する特性を有するものが挙げられる。ベースポリマーは、具体的には高弾性ポリマーからなり、特に動的弾性率が常温から 1 50°Cにおいて 50万〜 1 000万/ N cm² 、好ましくは 50万〜 800万/ NZcm² の範囲内にあるものが好ましい。前記の動的弾性率が 50万/ NZcm² 未満では常温での接着力が大きくて貼り直し性に劣り、加熱処理による接着力の低下性に乏しく、接着力が上昇する場合もある。一方、動的弾性率が 1 000万 |\] (：01² を超えると常温での接着力に乏しく、加熱処理時に発泡剤の膨脹ないし発泡が抑制されて接着力が満足に低下しない。

さらに高弾性ポリマーは、常温から 1 50°Cにおける動的弾性率の変化率が小さいものが好ましい。その変化程度は 5倍以内、特に 3倍以内が好ましい。高弾性ポリマ一を形成するモノマー成分等については特に限定はない。ァクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧接着剤、スチレン '共役ジェンブロック共重合体系感圧接着剤など、公知の感圧接着剤の調製に用いられるモノマ一成分のいずれも用いることができる。

その具体例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、 2—ェチルへキシル基、イソォクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラゥリル基、トリデシル基、ペンタデシル基、へキサデシル基、ヘプタデシル基、ォクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基の如き通例、炭素数が 2 0以下のアルキル基を有するァクリル酸ないしメタクリル酸の如きァクリル酸系アルキルエステル、アクリル酸、メタクリル酸、ィタコン酸、アクリル酸ヒドロキシェチル、メタクリル酸ヒドロキシェチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、 N—メチロールアクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、ァクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、酢酸ビニル、スチレン、イソプレン、ブタジエン、イソプチレン、ビニルエーテルなどがあげられる。また、上記した高弾性ポリマーの条件を満足する天然ゴムや再生ゴムなどもベースポリマーに用いることができる。

発泡剤は、種々の無機系や有機系の発泡剤を用いることができ、その配合量は接着力を低下させる程度に応じて適宜に決定してよい。一般には、ベースポリマ - 1 0 0重量部あたり 1〜 1 0 0重量部、好ましくは 5〜 5 0重量部、特に 1 0 〜 4 0重量部配合される。

無機系発泡剤の代表例としては、炭酸アンモニゥム、炭酸水素アンモニゥ厶、炭酸水素ナ卜リゥ厶、亜硝酸アンモニゥム、水素化ホウ素ナトリゥム、アジド類などがあげられる。

有機系発泡剤の代表例としては、水、トリクロ口モノフルォロメタンゃジクロ口モノフルォロメタン等の塩フッ化アルカン、ァゾビスイソプチロニトリルゃァゾジカルボンアミド、バリウムァゾジカルボキシレート等のァゾ系化合物、パラトルエンスルホニルヒドラジドゃジフエニルスルホン一 3 , 3 ' 一ジスルホニルヒドラジド、 4， 4 ' 一ォキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、ァリルビス（スルホニルヒドラジド）等のヒドラジン系化合物、 p—トルィレンスルホ二ルセミカルバジドゃ 4 , 4 ' —ォキシビス（ベンゼンスルホ二ルセミカルバジド）の如きセミカルバジド系化合物、 5—モルホリル一 "!， 2 , 3 , 4—チア卜リアゾールの如きトリァゾ一ル系化合物、 N , N ' ージニトロソペンタメチレン亍トラミンや N , N ' ージメチル一 N , Ν ' —ジニトロソテレフタルアミド等の Ν—ニトロソ系化合物などがあげられる。発泡剤をマイク口力プセル化した熱膨張性微粒子は、混合操作が容易であるなどの点により好ましく用いられる。熱膨張性粒子には、マイクロスフェア（商品名、松本油脂社製）などの市販品もあるなお本発明においては、必要に応じて発泡助剤を添加してもよい。なお本発明で用いる接着層の詳細は、熱剥離性粘着剤等として、特願平 3— 2 2 8 8 6 1号および特願平 5— 2 2 6 5 2 7号に記載されている。

接着層の厚みとしては、特に限定されるものではないが、好ましくは 1 0 0 m 以下、より好ましくは 4 0 ju m 以下である。また、その下限としては、 2 0 U 程度である。接着層が厚すぎると発泡した面の凹凸が大きく、パターンがよれてしまう。このため転写時に皺がよってしまい正規のパターンが得られない本発明の積層基板の構成層に用いられる樹脂は、特に限定されるものではなく, 成形性、加工性、積層時の接着性、電気的特性に優れた樹脂材料の中から適宜選択して用いることができる。具体的には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が好ましい。

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フヱノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフエ二レンエーテル（ォキサィド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シァネ一卜エステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が挙げられる熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフ： c二レンサルフアイド樹脂、ポリエチレン亍レフタレート樹脂、ポリブチレン亍レフタレート樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエ一テルケトン樹脂、ポリテトラフルォロエチレン樹脂、グラフト樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、特にフェノール樹脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、 B Tレジン、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が、ベースレジンとして好ましいこれらの樹脂は、単独で用いてもよいし、 2種以上を混合して用いてもよい。 2種以上を混合して用いる場合の混合比は任意である。

本発明に用いる誘電体粉は、セラミクス粉末が好ましく、高周波数帯域において、分散媒となる樹脂よリも大きい比誘電率と Qを持つセラミクス粉末であればよく、 2種類以上用いてもよい。

特に本発明に用いるセラミクス粉末は、測定周波数 1〜 2 GHzにおける比誘電率が 1 0〜20000、誘電正接が 0. 05以下のものを使用することが好ましい。

比較的高い誘電率を得るためには、特に以下の材料を用いることが好ましい。チタン一バリウム一ネオジゥム系セラミックス、チタン一バリウム一スズ系セラミックス、鉛一カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウ厶系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミックス、 CaW0₄ 系セラミツクス、 B a (Mg， N b) 0₃ 系セラミックス、 B a (M g, T a) 0₃ 系セラミックス、 Ba (Co, M g, N b) 0₃ 系セラミックス、 Ba (Co, g , T a) 0₃ 系セラミックス。なお、二酸化チタン系セラミックスとは、二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が保持されているものをいう。また、他のセラミックスも同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ルチル構造を有するものが好ましい。

誘電率をあまり高くせずに、高い Qを得るためには以下の材料を用いることが好ましい。シリカ、アルミナ、ジルコニァ、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシゥ厶ゥイス力、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム（タルク）。

これらは単独で用いてもよいし 2種以上を混合して用いてもよい。 2種以上を混合して用いる場合、その混合比は任意である。

具体的には、比較的高い誘電率を必要としない場合には以下の材料が好ましい。 Mg₂S, i 0₄ [ど =7、 0=20000 :測定周波数 1 GHz以下同じ] 、 A I ₂0₃ [ε =9. 8、 Q = 40000] 、 M g T i 0₃ [£ = 1 7、 Q= 2200 0] 、 Z n T i 0₃ [ε = 26 Q= 800] 、 Z n₂T i 0₄ [£ = 1 5、 Q = 7 00] 、 T i 0₂ [ε = 1 04 Q= 1 5000] 、 C a T i 0₃ [ ε = 1 70 Q= 1 800] 、 S r T i 0₃ [ = 255, Q=700] 、 S r Z r 0₃ [ど = 30、 Q= 1 200] 、 B a T i 0₃ [£ = 1 500〜 20000] 、 B a T i ₂ 0₅ [ε = 42、 Q= 5700] 、 Ba T i ₄0₉ [£ = 38、 Q= 9000] 、 B a 2丁 i ₉O₂₀ [£ = 39、 Q= 9000] 、 B a₂ (T i , S n) ₉O₂₀ [ε = 37、 Q= 5000] 、 Z r T i 0₄ [ε = 39 Q= 7000] 、 (2 r , S n ) T ί 〇₄ [ε = 38、 Q= 7000] 、 B a N d₂T i ₅0₁₄ [ε = 83, Q= 2 1 0 0] 、 B a Sm₂T i ₅0₁₄ [£=74、 Q= 2400] 、 B i ₂0₃— B a O— N d 0₃—丁 i 0₂系 [ど = 88、 Q= 2000] 、 P b O-B a O-N d₂O_a— T i 0₂系 [£ = 90、 Q=5200] 、 (B i ₂0₃、 P bO) - B a O— N d₂0₃- T i 0₂系 [ε = 1 05、 Q= 2500] 、 L a₂T i ₂0₇ [ε = 44, Q= 40 00] 、 N d₂T i ₂〇₇ [ど = 37、 Q= 1 1 00] 、 (L i , Sm) T i 0₃ [ε = 8 1、 Q= 2050] 、 B a (M g_1/3T a _2/3) 0₃ [ε = 25、 Q= 350 00] 、 B a (Z n_1/3T a _2/3) Ο₃ [ε=30、 Q= 1 4000] 、 B a ( Z n _1/3 N b_2/3) 0₃ [ε = 41、 Q= 9200] 、 B a (M g_1/2W_1/2) 0₃ [ε = 20、 Q= 1 30000] 、 Ba (M g_1/3C r _2/3) 0₃ [ど = 1 8、 Q= 1 1 5000] 、 ( q d B g) 、 [006 Z =D 、乙 0 1 = 3 ] ⁿO^B ！ I^s ( S ΙΛ1 ! a ω S P N ) 9S ( q d e a) 、 [00179 =0 、Z 8 = 3 ] "o^s ( I V ! 丄） ^s ( P Θ P N) 6 a 、 [00 L L =D 、乙 17 レ = 3] "o^s ！丄 ^ ! S W S P N) ^e 9 、 [0 o 8 =D 、 ε s L = 3] "o^s！丄 ^S ( ! S^JS p N) ( q d ^e a) 、 [οοε

9 =0 、S 6 = 3] O^s ！丄⁵ P N (q d e g) 、 [0009=D 、S 6 = 3] w O^s ! l^s ( ! S P N) e g 、 [0099 = 0 ^s36 = 3] ⁿO^s ( I V ！丄） ^s ( ! 02 a P N) ⁶ a 、 [009 . =D 、06 = 3 ] "O^S ！丄 ^δ ( ! 3 ^Β Ί ^ω3 Ρ Ν) ^e a 、 [0006=0 、 - ^ = 3] "O^g ! i^s (P NWS) e Q 、 [00 Z 0 L =D 、乙乙 = 3] ⁿo⁹ (υ ΙΛΙ ！丄） Sp N ^a 、 [00 L I l =Ό 、08 = 3] ^N O⁹ ！ 1^SUJS (^Λ S ^B 3) 、 [0096 = 0 9 Z. = 3] O^s ！ I^s ( S Q B つ LU

S) B a 、 [009 6 =D 、S _ = 3〕 O^S ! 丄 ^s ( e η LUS) B a 、 [000 ST 17 = D 、69 = 3] ^so ( ！丄 q N s j) e Q 、 [ 000 S 17 = O 、し S =

εΟ ！丄 e〇一 ^so ！丄 S|AI [00 1- 93=0 、09 = 3] ^sO ( ！丄 3 |A1 U _Z) eつ一 ^sO ! 丄（ ^e 〇 ^J S) 、 [009 Δ 8 =0 、0 S = 3] ^0sO⁶ ( ! N ^u ΙΛ! ! 丄） ^seg 、 [009 ε =0 ^v09 = 3] ^SI0 q N^s ( ^J S e S) [00 Z. =D

Z Q = 3 ~ ^LO^zq N'J S 、 [009 Δ 3 =0 、0 S = 3] ⁹oq N (u s ! 丄） 01 P N 、 [009 Z. S =D 、09 = 3 ] ⁹O q N ( 」 Z ! 丄） P N 、 [O O S L ε = o ^S917 = 3] ⁹o q N (us !丄） ^ _s 、 [o o 9 L ε = o 、si7 = s]

Ό！丄一 ^sO ^u S 、 [0002 . = D 、017 = 3] ^sO (us !丄）（eo ^J S)

、 [O 017 L =0 017= 3 ] ⁸o^j z^e a 、 [0 O 88 =O 、8ε = 3 ] ^ε

O ( ！丄」 Z) B a 、 [093 = D 、8 ■ L = 3 ] (^sO ！ S)(^eO^s I V)8 、 [00 93 =D "9 = 3] ^εΟ ! S §ΙΛ1 、 [0933=0 、8 = 3] OMe g 、 [00 0 Ρ=Ό 、0 =3] ^εο (^e/zq N^mu Z) -' S ' [00 66 =0 " I Q = 3 ] ^eO ( e丄 ^z"^e Θ) B O 、 [0009 L l ~O 、62 = 3] ^εθ (^m e丄²" e 3)

( ^O B a⁹⁰ -¹ s) ^N [0009 L L =0 ^vs ε = 3 ] ^Eo (^e/zq N^EH§ ΙΛΙ) B a

8T

66t^i/iOdf/X3d o so/zo OAV C

cn o o n

〇

II

( G〇 ί Z 2 ω 0 ro a S mB a= 〔, G 0 dro一〇 0 Q 25 ro a d N ro T 0 d= b C a ) ( F e N b Z r ) 0₃ [ ε = 1 44、 Q= 1 600] 、（P b C a) (N i N b Z r) 0₃ [ε = 1 47 Q=500] _% (P b C a) (M g N b 2 r) O₃ [£ = 1 51、 Q= 1 000】、 (P b C a) (F e N bW) 0₃ [ε = 1 52、 Q= 1 300] 、 (P b S r ) ( Z n N b ) 0₃ [ ε = 1 41、 Q = 1 000] 、 ( P b S r C a ) (F e T a N b) 0₃ [ε = 1 1 5, Q=3 1 0 0] 、（B a S r Ca P b) ( Z n T a N b ) 0₃ [ど = 85、 Q = 8000 ] 、 (B a S r P b) (M g T a N b ) 0₃ [ど = 90、 Q = 6000 ] 、 (N d S r ) T i 0₃ [ε = 220 Q=6000] 、 (S r C a) T i 0₃ [ε = 266. Q= 1 1 00] 、 S r S n 0₃ [£ = 1 29、 Q= 1 200] 、 (S r C a ) ₃丁 i ₂O₃ [£ = 77、 Q= 1 0200] 、 (Ba Ca) T i 0₃ Ba (T i S n) 0₃ [ε = 1 500〜 1 0000] 、（P b S r) T i 0₃ [ど = 300〜 40 0] 、 P b (Z n N b) 0₃— P b (F eW) 0₃ [£ = 24000] 、 P b系複合ぺロブスカイト [ε=数万] 等。

より好ましくは、以下の組成を主成分とするものである。

T i 0₂ C a T i 0₃> S r T i 0_3s B a (M g_1/3T a^) 0₃、 B a ( Z n _1/3 T a _2/3) 0₃、 S r (Z n _1/3N b_2/3) 0₃、 A I ₂0₃、 M g T i 0₃、 N d₂T i ₂0₇、 Mg T i 〇₃— C a T i 0₃、 B a Sm₂T i ₅0₁₄、 B a N d₂T ί ₅0₁₄ Ba O— N d₂0₃-T i 0₂系、 B i ₂0₃-B a O— N d₂0₃— T i 0₂系、 B a T i 0₃、 B a T i ₂0₅、 B a T i ₄0₉、 B a₂T i ₉O₂₀、（B a Ca) T i 0₃、（B a S r) T i 0₃、 B a (T i S n ) 0₃、 B a (T i Z r ) 0₃、 B a ₂ (T i , S n ) ₉0₂ 。系、 M g O— T i 0₂系、 Z n O— T i 〇₂系、 M g O— S i 0₂系、 A I ₂0₃ 等。 —方、比較的高い誘電率を必要とする場合には以下の材料が好ましい。

B a T i 0₃ [ε = 1 500 ：測定周波数 1 GHz以下同じ] 、（B a, P b) Τ ί 0₃系 [ε = 6000] 、 Ba (T i， Z r ) 0₃系 [£ = 9000] (Ba, S r ) T i 0₃系 [ε = 7000] 。より好ましくは、以下の組成を主成分とする誘電体の粉末から選択される。

B a T i 0₃、 B a (T i , Z r ) 0₃系。

セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末でもよい。

セラミクス粉末の含有量は、樹脂とセラミクス粉末との合計量を 1 00体積。 /₀ としたとき、セラミクス粉末の含有量は 1 0体積％以上 65体積％未満であり、好ましくは 20体積％以上 60体積％以下の範囲である。

セラミクス粉末が 65体積％以上であると緻密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末を添加しない場合に比べて、 Qが大きく低下することもある _c 一方、セラミクス粉末が 1 0体積％未満であると、セラミクス粉末を含有する効果があまりみられない。

本発明の積層基板は、各成分を上記の範囲内で適宜設定することにより、樹脂単体から得られる誘電率よりも大きくすることができ、必要に応じた比誘電率と高い Qを得ることが可能となる。

誘電体粉は、円形や楕円形でも破砕粉のように不定型であってもよい。投影形状が円形である球状のものの平均粒径は、 0. 1〜40 im 、特に 0. 5〜2 0 jum が好ましく、球形度は 0. 9~ 1. 0、特に 0. 95〜 1. 0が好ましい。

平均粒径が 0. 1 m より小さいと、粒子の表面積が増大し、分散、混合時の粘度、チクソ性が上昇し、高充填率化が困難となり、樹脂との混練がし難くなつてくる。逆に 40 m より大きいと、均一な分散 '混合を行うことが困難となり、沈降が激しくなつて不均一となり、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密な成型体を得られ難くなる。

また、球形度が 0. 9より小さくなると、例えば圧粉コア等の成型体の成型時において、粉末の均一な分散が困難となり、誘電体特性のばらつきを生じる原因となるなど、所望の特性が得られにくくなリ、ロット間、製品間のばらつきが増大してくる。球形度は複数のサンプルを任意に測定し、その平均値が上記値となつていればよい。

破砕粉を用いる場合、粒径は 0. 01〜40〃m 、特に 0. 01〜35〃m であることが好ましく、平均粒径は 1〜30 m であることが好ましい。このような粒径とすることによって、破砕粉の分散性が良好となる。これに対し、破砕粉の粒径がこれよリ小さいと、比表面積が大きくなリ、高充填率化が困難になつてくる。一方、これより大きくなるとペースト化した際に沈降し易くなり、均一に分散しにくくなつてくる。また、肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合に、表面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径をあまり小さくすることは実際上困難であり、 0. 01 / m 程度が限度である。

これらを粉末にするための手段は、粉砕、造粒など公知の方法に従えばよい。また、円形状の誘電体粉に加えて破砕粉を含有していてもよい。誘電体破砕粉を含有することにより、さらに充填率を向上させることができる。

本発明の積層基板は、誘電体粉とは別に、あるいは誘電体粉に加えて 1種または 2種以上の磁性体粉を含有していてもよい。

磁性体粉材料であるフェライトとしては、 Mn— Mg— Z n系、 N i —Z n系, Mn— Z n系などであり、特にこれらの単結晶、あるいは Mn— Mg— Z n系、 N i -Z n系などが好ましい。

磁性体粉材料である強磁性金属としては、カーボニール鉄、鉄一シリコン系合金、鉄一アルミ一珪素系合金（商標名：センダスト）、鉄一ニッケル系合金（商標名：パ一マロイ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）などが好ましい。これらを粉末にするための手段は、粉砕、造粒など公知の方法に従えばよい。磁性体粉の粒径や形状は、上記誘電体粉と同様であり、誘電体粉と同様に表面が平滑な材料が好ましいが、破砕粉を用いてもよい。破砕粉を用いる効果は上記と同様である。さらに、種類、粒度分布の異なる磁性体粉を 2種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であり、用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整すればよい。

磁性体粉の測定周波数 1〜 2 G Hzにおける透磁率は 1 0〜 1 0 0 0 0 0 0 であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高い方が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。

樹脂と磁性体粉との混合比としては、形成される構成層全体の測定周波数 1〜 2 G Hzにおける透磁率が 3 ~ 2 0となるように添加されることが好ましい。特に成形するペースト段階で、樹脂と磁性体粉との比率で示した場合、磁性体粉の含有量は 1 0〜 6 5 体積％、特に 2 0〜 6 0 体積％であることが好ましい。このような磁性体粉の含有量とすることで、構成層全体の透磁率が 3〜 2 0となり、所望の電気特性が得られ易くなる。これに対し、磁性体粉の含有量が多くなると、スラリー化して塗工することが困難になり、積層基板の作製が困難になる。一方、磁性体粉の含有量が少なくなると透磁率を確保できなくなる場合があリ、磁気特性を付与することが困難となる。

本発明に用いられる難燃剤としては、通常基板の難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用いることができる。具体的には、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機材料を用いることができる。

使用する金属箔としては、金、銀、銅、アルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なものを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好ましい。金属箔を作製する方法としては、電解、圧延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少ない圧延箔を使用するとよい _c 金属箔の表面粗さとしては、 Rz = 1 ~ 6 ^m の範囲が好ましい。特に、電解箔の Rz は 2. 5~ 6. 0〃m 、圧延箔の Rz は 1. 0〜3. OjUm の範囲が好ましい。

金属箔の厚みとしては、 3. 0〜32〃m が好ましく、薄型化を考えると 3. 0〜 1 8 m が好ましい。

本発明の積層基板は、上記ガラスクロスレス構成層に加えて、ガラスクロス等の強化繊維を含有する構成層を有していてもよい。強化繊維を含有する構成層を有することにより、積層基板全体の強度を向上させることができる。

このようなガラスクロス含有構成層に用いられるガラスクロス等の強化繊維は, 目的■用途に応じて種々のものであってよく、市販品をそのまま用いることができる。このときの強化繊維は、電気的な特性に応じて Eガラスクロス（ど =7、 tan 5 = 0. 003、 1 GHz) 、 Dガラスクロス（ ε = 4、 tand = 0. 00 1 3、 1 GHz) 、 Hガラスクロス（ε = 1 1、 tanS = 0. 003、 1 GH z) 等を使い分けてもよい。また、層間密着力向上のため、カップリング処理などを行ってもよい。その厚さは 1 0 O /im 以下、特に 20~6 O im であることが好ましい。布重量としては、 1 20g m² 以下、特に 20〜70gZm² が好ましい。

また、樹脂とガラスクロスとの配合比は、重量比で、樹脂ガラスクロスが 4 "！〜 1ノ 1であることが好ましい。このような配合比とすることによって本発明の効果が向上する。これに対し、この比が小さくなつて、樹脂量が少なくなると銅箔との密着力が低下し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこの比が大きくなって、樹脂量が多くなると使用できるガラスクロスの選択が困難となり、薄肉での強度の確保が困難となる。

本発明では 2種以上の異なる構成層を用いた積層体により、積層基板を構成してもよい。また、各構成層に 2種以上の異なる分散材料を含有させてもよい。このように 2種以上の種類の異なる構成層を組み合わせたリ、 2種以上の異なる粉体、また同種であっても組成、電気（誘電率等）、磁気特性の異なる粉体と樹脂とを混合することによって、誘電率や透磁率の調整が容易となり、各種電子部品に合わせた特性に調整することができる。特に、波長短縮効果のある誘電率や透磁率を最適な値にすることにより、装置の小型化、薄型化が実現できる。また、比較的周波数の低い領域で良好な電気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良好な電気特性が得られる材料とを組み合わせることにより、広い周波数帯域で良好な電気特性を得ることができる。

また、このようなハイブリッド層、つまり樹脂と誘電体粉、磁性体粉とを混合した構成層を用いて積層基板、電子部品等を形成する場合、接着剤等を用いることなく、銅箔との接着やパターニングが実現でき、かつ多層化を実現することができる。こうしたパターニングゃ多層化処理は、通常の基板製造工程と同じ工程でできるので、コストダウンおよび作業性の改善を図ることができる。また、このようにして得られる基板による積層基板は、高強度で、高周波特性の向上したものである。

まら、誘電率を高めることで波長短縮効果が得られる。すなわち、基板上での実行波長； Iは、

λ = λ ο ( ε - u ) ^V2

で与えられる。ここで、ス0 は実際の波長、 ε、は電子部品や基板の誘電率、透磁率である。従って、例えば; I Z 4の電子部品、回路を設計する場合、その回路を構成する部材のど、を高めることで、長さ; 1 / 4が必要な部分を、ど、 μ の積の平方根で除した値だけ小さくすることができる。従って、積層基板、基板材料の少なくとも εを高めることにより積層基板、基板の大きさを小さくすることができる。

また、比較的周波数の低い領域で良好な電気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良好な電気特性が得られる材料とを組み合わせることにより、広い周波数帯域、具体的には 1 〜2 0 0 O MHz、特に 5 0〜 1 0 0 0 MHzの広い周波数帯域で良好な H P F等の電気特性を得ることができる。

具体的には、波長短縮効果だけを考えた場合、高誘電率材を樹脂材料に混合することにより目的を達成することが可能である。しかし、このような高誘電率材は高周波特性がさほど優れていないため、これを補う必要がある。そこで、高誘電率材、例えば B a T i 0₃ 、 B a r 0₃ 等と共に、高周波特性に優れた磁性材料、例えばカーボニール鉄等を併用することにより、高周波領域においても所望の特性を得ることができる。

このような、波長短縮と高周波特性の必要な電子部品としては、積層フィルタ、バルントランス、誘電体フィルタ、力ブラ、アンテナ、 V C O (電圧制御発振器）、 R F (高周波）ユニット、共振器等を挙げることができる。

さらに、ある材料を用いて一つの電気的特性を高めたとき、他の材料にょリ不足した電気特性を補うことができる。

積層基板を用いて電子部品を得るには、例えば積層基板の少なくとも導電体層のパターニングにより電子部品素子を形成し、さらに電子部品素子の端子となるスルーホールを形成し、前記各電子部品素子毎に前記ビアホール部分で切断して積層電子部品とすればよい。

本発明の積層電子部品は、少なくとも誘電体、磁性体のいずれかが樹脂中に分散され、かつガラスクロスを含有しない構成層を有し、この構成層の厚みを 2〜 4 0 m としたものである。

このように、ガラスクロスなどの補強部材を包含せず、厚みが 4 0 m 以下の構成層を有することにより、薄型の積層電子部品を提供することができる。このような厚みが 4 0 ju m 以下の構成層は、剥離シートにより電極層を転写することにより形成することができる。すなわち、転写シート上に銅箔を固定し、これをエッチングしてパターン形成し、さらにこの銅箔パターンを厚みが 40 m 以下のプリプレグに転写する。このように、あらかじめ転写シートに銅箔を設けてパターニングすることにより、エッチング工程などで必要とされるプリプレグの強度が不要となり、 40jum 以下の薄いプリプレダに導体パターンを形成することができる。

こうして得られた構成層を用いることにより、

(1 ) 小型で高性能で加工性がよく、比重が軽く、柔軟性のある積層電子部品、多層回路基板を得ることができる。

(2) 異なった特性を有する材料を多層化しても、高い柔軟性のため、クラック、剥がれ、反リなどの問題が生じ難く高機能の積層電子部品を得ることができる。

(3) 焼成、厚膜印刷等の工程がないため、製造しやすく、不具合の起き難いライン設計が可能となる。

(4) ガラスクロスレスなので信頼性が高く、粉の充填度を上げることができ、高誘電率化、高透磁率化を図ることができる。

(5) エッチングによりパターン形成するので、パターン精度が非常に高くなる _c

(8) 難燃剤を添加することにより、難燃性を有する積層電子部品とすることもできる。

等といった効果が得られる。

本発明の積層電子部品は、コンデンサ（キャパシタ）、コイル（インダクタ）、フィルタ一等の他、これらと、あるいはそれ以外に配線パターン、増幅素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、 RFモジュール（RF増幅段）、 VCO (電圧制御発振回路）、パワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回路、光ピック' アップなどに用いられる重畳モジュール等の高周波用電子部品を得ること力できる。実施例

以下、本発明の具体的実験例、実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。く実施例 1 >

先ずガラスクロスレスシート（プリプレダ〉を作製した。原材料としてポリビニルベンジル樹脂を用い、誘電体粉： 68. 45g 、樹脂： 3 1. 55g としてポールミルにて混合した、このとき、カップリング剤として、シランカツプリング剤をィンテグラルプレンド法にて混合した。

得られたスラリーを、ドクターブレード法により、厚さ 40/im のガラスクロスレスプリプレダとした。

次に、転写フィルムとして、熱剥離シート〔曰東電工社製、商品名リバアルファー（支持体ポリエステル、厚さ 1 OO jUm 、接着層厚さ 45 01 ) 〕を用い、これに厚さ 1 8 m の銅箔を貼り付けた。このときの熱剥離シー卜の接着力は、 4. 9N/20mm、張り付け時の圧力は 1 kg/mm² であった。

次いで、銅箔面に所定パターンを、フォトリソグラフィ一の手法により形成し、塩化第二鉄組成のエッチング液（35%溶液、温度 20°C) に浸潰し、約 1 0〜 1 5分間エッチングを行った。このエッチング工程は、フォトリソグラフィ一の手法を用いているため、約 30〜36jum の微細パターンも鮮明にパターニングすることができた。

次に、得られたパターン銅箔付熱転写シートを、二枚用意し、それぞれ上記で得たプリプレグの上下に銅箔面を内側にして配置し、熱ラミネートプレスを行つた。このときの条件は、 1 20°C、 30分で、プレス圧は 1. 5MPaとした。プレス後、熱剥離シートを剥がして、両面銅箔付プリプレダを得た。また、熱ラミネートの条件を変えて加熱プレスを行い、得られた銅箔付基板の状態（転写結果）を評価した。結果を表 1に示す。なお、サンプル 4一 1は、転写フィルムの接着力が弱く、エッチング工程でパターンが剥離したため、その後のラミネー卜作業は行わなかった。

表 1

サンプ粘着力 (N/20cm²) ヱツチング加熱温度加熱時間プレス圧

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9.8 良好

3-6 3.7 0· 049 剥離なし 160 120 20 良好

3-7 3.7 0, 049 剥離なし 160 120 30 接着層転写

3-8 3.7 0.049 剥離なし 160 180 9.8 良好

3-9 3.7 0.049 輕し 170 120 9.8

4-1 2.4 0.049 剥離ありエッチング時剥離次に、積層基板を用い、これに所定の回路を構成するように、同様の操作によリ得られた複数の銅箔付プリプレグ、およびこれらの間 (こ配置されるプリプレグを用意し、これらを積層して熱ラミネートプレスを行った。このときの条件は、 2 0 0 °C、 6 0分で、プレス圧は 1 . 5 MPaとした。得られた積層基板を用いて下記の電子部品を作製した。積層した導体同士を接続する手段としては、貫通スルーホールやインナービアホール等の適宜な方式を用いて行えばよい。

<実施例 2 >

実施例 1のガラスクロスレスシートを用いて、積層基板を作製した。

転写フィルムとして、熱剥離シート〔二ッタ（株）のインテリマーウォームォフタイプ（支持体ポリエステル、厚さ 1 0 0 m 、接着層厚さ約 2 5〜3 0 m ) 〕を用い、これに厚さ 1 8 ju m の銅箔を貼り付けた。このときの熱剥離シ —卜の接着力は、 1 . 5 N/25mm、張り付け時の圧力は 1 kg/mm² であった。

次いで、銅箔面に所定パターンを、フォトリソグラフィ一の手法により形成し、塩化第二鉄組成のエッチング液（3 5 %溶液、温度 4 0 °C) に浸潰し、約 1 0〜 1 5分間エッチングを行った。このエッチング工程は、フォトリソグラフィ一の手法を用いているため、約 3 0〜3 6 i m の微細パターンも鮮明にパターニングすることができた。

次に、得られたパターン銅箔付熱転写シートを、二枚用意し、それぞれ上記で得たプリプレダの上下に銅箔面を内側にして配置し、熱ラミネートプレスを行つた。このときの条件は、 1 0 0 °Cでラミネーター速度 0 . 1 m/minで、プレス圧は 1 . O M Paとした。プレス後、熱剥離シートを剥がして、両面銅箔付プリプレグを得た。

このパターン構成プリプレグを所定の設計になるように準備し、これに所定の回路を構成するように、同様の操作により得られた複数の銅箔付プリプレグ、およびこれらの間に配置されるプリプレグを用意し、これらを積層して熱ラミネ一卜プレスを行った。このときの条件は、 2 0 0 °C、 6 0分で、プレス圧は 1 . 5 M Paとした。得られた積層基板を用いて下記の電子部品を作製した。

<実施例 3 >

図 3、図 4は、インダクタを示した図であり、図 3は透視斜視図、図 4は断面図を表している。

図において、インダクタ 1 0は本発明の樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板） 1 0 a〜 1 0 eと、この構成層 1 0 b〜 1 0 e上に形成されている内部導体（=]ィルパターン） 1 3と、この内部導体 1 3を電気的に接続するためのビァホール 1 4とを有する。このビアホール 1 4はドリル、レーザ一加工、エッチング等により形成することができる。また、形成されたコイルの終端部は、それぞれインダクタ 1 0の端面に形成された貫通ビア 1 2とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン 1 1と接続されている。貫通ビア 1 2は、ダイシング、 Vカット等により、半分に切断された構造となっている。これは、集合基板で複数の素子を形成し、最終的に個片に切断する際に貫通ビア 1 2の中心から切断するためである。

このィンダクタ 1 0の構成層 1 0 a〜 1 ◦ eの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが 2〜4 0 ;U m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料によリ形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いてもよい。

チップインダクタとしては、 L値を大きくするために、ベース基板の透磁率を大きくする必要がある。また、 E M C対策用として、ビーズを使用する場合、ィンピーダンスを高くとるためにはできるだけ透磁率を上げる必要がある。また、層間、すなわち構成層を薄くし、漏れ電流を減らすことと、同形状で巻数（ターン数）を増やすことで L値を上げることができる。従って、少なくとも厚みが 2 〜4 0 m であるガラスクロスレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために磁性体粉を含有させることで、小型で L値が高い、あるいはィンピ一ダンスが高いチップィンダクタが得られる。

また、高周波用のチップインダクタとしての用途を考えたとき、分布容量をできるだけ減らす必要があることから 1〜 2 G Hzにおける比誘電率を 2 . 6〜3 . 5とすることが好ましい。また、共振回路を構成するインダクタにおいては、積極的に分布容量を用いる場合があり、このような用途では 1 〜 2 G Hzにおける比誘電率を 5〜4 0とすることが好ましい。このようにすることで、素子の小型化、容量素子の省略を図ることができる。また、このインダクタにおいては、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、 1〜2 G Hzにおける誘電正接（ tan S ) を 0 . 0 0 2 5〜0 . 0 0 7 5とすることにより、材料損失の極めて少ない、 Qの高いインダクタを得ることができる。さらに、ノイズ除去のための用途を考えた場合、除去したいノイズの周波数でインピーダンスをできるだけ大きくする必要がある。このような場合には 1〜 2 G Hzにおける透磁率を 3 〜2 0と調整することが好ましい。これにより、高周波ノイズの除去効果を飛躍的に向上させることができる。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。

なお、その等価回路を図 1 2 ( a ) に示す。図 1 2 ( a ) に示されるように、等価回路ではコイル 3 1を有する積層電子部品（インダクタ）となっている。 <実施例 4 >

図 5、図 6は、他のインダクタを示した図であり、図 5は透視斜視図、図 6は断面図を表している。

この例では、実施例 3において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、横方向に巻回したヘリカル巻とした構成態様を表している。その他の構成要素は実施例 3と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。 <実施例 5 >

図 7、図 8は、他のインダクタを示した図であり、図 7は透視斜視図、図 8は断面図を表している。 '

この例では、実施例 3において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラルを連結した構成態様としたものを表している。その他の構成要素は実施例 3と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

<実施例 6 >

図 9、図 1 0は、他のインダクタを示した図であり、図 9は透視斜視図、図 1 0は断面図を表している。

この例では、実施例 3において上下方向に巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミアンダー状のパターンとして構成したものを表している。その他の構成要素は実施例 3と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

く実施例 7 >

図 1 1は、他のインダクタを示した透視斜視図である。

この例では、実施例 3において単独で構成されていたコイルを、 4連とした態様を表している。このような構成とすることにより、省スペース化を図ることができる。その他の構成要素は実施例 3と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。なお、その等価回路を図 1 2 ( b ) に示す。図 1 2 ( b ) に示されるように、等価回路ではコイル 3 1 a〜3 1 dが 4連装された積層電子部品（インダクタ）となっている。

<実施例 8 > 図 1 3、図 1 4は、キャパシタ（コンデンサ）を示した図であり、図 1 3は透視斜視図、図 1 4は断面図を表している。

図において、キャパシタ 20は本発明の樹脂を有する構成層（プリプレグないし基板） 20 a〜20 gと、この構成層 20 b~20 g上に形成されている内部導体（内部電極パターン） 23と、この内部導体 23とそれぞれ交互に接続されるキャパシタの端面に形成された貫通ビア 22とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン 2 1ととから構成されている。

このキャパシタ 20の構成層 20 a〜20 gの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが 2~40 m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いてもよい。

チップコンデンサを小型化するにあたっては、対向電極の層間の誘電率を上げる必要がある。また、容量を得るためには層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方がよい。従って、少なくとも厚みが 2〜40 jum であるガラスクロスレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉を含有させることで、小型で C値が高いチップコンデンサが得られる。

また、得られる容量の多様性や精度の点を考慮すると、 1〜 2 GHzにおける比誘電率 2. 6〜40、誘電正接 0. 0025〜0. 025であることが好ましし、。これにより、得られる容量の範囲が広がり、低い容量値でも高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、 1〜 2 GH zにおける誘電正接（ tan (5) を 0. 002 5〜0. 025とすることにより、材料損失の極めて少ないキャパシタとすることができる。また、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。

なお、その等価回路を図 1 6 ( a ) に示す。図 1 6 ( a ) に示されるように、等価回路ではキャパシタ 3 2を有する積層電子部品（コンデンサ）となっている _c ぐ実施例 9 >

図 1 5は、他のキャパシタを示した透視斜視図である。

この例では、実施例 8において単独で構成されていたキャパシタを、複数ァレィ状に並べて 4連とした態様を表している。また、キャパシタをアレイ状に形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合がある。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましいといえる。その他の構成要素は実施例 8と同様であリ、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。なお、その等価回路を図 1 6 ( b ) に示す。図 1 6 ( b ) に示されるように、等価回路ではキャパシタ 3 2 a〜3 2 dが 4連装された積層電子部品（コンデンサ）となっている。

<実施例 1 0 >

図 1 7〜図 2 0は.、バルントランスを示している。ここで図 1 7は透過斜視図、図 1 8は断面図、図 1 9は各構成層の分解平面図、図 2 0は等価回路図である。図 1 7〜 1 9において、バリレントランス 4 0は、構成層 4 0 a ~ 4 0 oが積層された積層体の上下および中間に配置された内部 G N D導体 4 5と、この内部 <3 N D導体 4 5間に形成されている内部導体 4 3を有する。この内部導体 4 3は、 A g 4長のスパイラル状導体 4 3を、図 2 0の等価回路に示される結合ライン 5 3 a〜5 3 dを構成するようにビアホール 4 4等で連結している。

このバルントランス 4 0の構成層 4 0 a〜4 0 oの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが 2〜4 0 ju m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いてもよい。

ノくルントランスを設計するにあたって小型化を考えると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。また、同様に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方がよい従って、少なくとも厚みが 2〜4 O ^ m であるガラスクロスレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉を含有させることで、小型で高性能のバルントランスが得られる。

また、ある用途によっては 1〜2 G Hzにおける比誘電率を 2 . 6〜4 0とし、誘電正接（ tan を 0 . 0 0 2 5〜0 . 0 2 5とすることが好ましい。また、他の用途によっては 1〜 2 G Hzにおける透磁率を 3 ~ 2 0とすることが好ましし、。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれぱよい。

<実施例 1 1 >

図 2 1〜図 2 4は、積層フィルタ一を示している。ここで図 2 1は斜視図、図 2 2は分解斜視図、図 2 3は等価回路図、図 2 4は伝達特性図である。なお、この積層フィルタ一は 2ポールとして構成されている。

図 2 1〜2 3において、積層フィルタ一 6 0は、構成層 6 0 a〜6 0 eが積層された積層体のほぼ中央に一対のス卜リップ線路 6 8と、一対のコンデンサ導体 6 7とを有する。コンデンサ導体 6 7は下部構成層群 6 0 d上に形成され、ストリップ線路 6 8はその上の構成層 6 0 c上に形成されている。構成層 6 0 a〜6 0 eの上下端部には G N D導体 6 5が形成されていて、前記ストリップ線路 6 8 とコンデンサ導体 6 7とを挟み込むようになつている。ストリップ線路 6 8と、コンデンサ導体 6 7と、 G N D導休 6 5とはそれぞれ端面に形成された端部電極 (外部端子） 6 2とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン 6 1 と接続されている。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向に形成された GN Dパターン 66は GN D導体 65と接続されている。

ストリップ線路 68は、図 23の等価回路図に示される； lg 4長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路 74 a、フ 4 bであり、コンデンサ導体 6 7は入出力結合容量 C i を構成する。また、それぞれのストリップ線路 74 a、 74 b間は、結合容量 Cmおよび結合係数 Mにより結合されている。このような等価回路により、図 24に示すような 2ポール型の伝達特性を有する積層フィルタを得ることができる。

この積層フィルタ 60の構成層 60 a~60 eの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが 2〜40 jum であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料によリ形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いてもよい。

積層フィルタを設計するにあたり、小型化を考えると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。また、同様に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方がよい。従って、少なくとも厚みが 2〜40 m であるガラスクロスレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特 'Ι'ίを調整するために誘電体粉を含有させることで、小型で高性能の積層フィルタが得られる。

また、 1〜 2 GHzにおける比誘電率を 2. 6〜40とすることにより、数 1 00 MHzから数 GHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、ストリツプライン共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、 1〜 2 GHzにおける誘電正接（ tanc5) を 0. 0025〜0. 007 5とすることが好ましい。

<実施例 1 2> 図 2 5〜図 2 8は、他の積層フィルタ一を示している。ここで図 2 5は斜視図, 図 2 6は分解斜視図、図 2フは等価回路図、図 2 8は伝達特性図である。なお、この積層フィルタ一は 4ポールとして構成されている。

図 2 5 ~ 2 7において、積層フィルター 6 0は、構成層 6 0 a〜6 0 eが積層された積層体のほぼ中央に 4つのス卜リップ線路 6 8と、一対のコンデンサ導体 6フとを有する。その他の構成要素は実施例 1 1と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

<実施例 1 3 >

図 2 9〜図 3 3は、力ブラを示している。ここで図 2 9は透過斜視図、図 3 0 は断面図、図 3 1は各構成層の分解平面図、図 3 2は内部結線図、図 3 3は等価回路図である。

図 2 9〜3 3において、力ブラ 1 1 0は、構成層 1 1 0 a〜 1 1 0 c力積層された積層体の上下に形成、配置された内部 G N D導体 1 1 5と、この内部 G N D 導体 1 1 5間に形成されている内部導体 1 1 3を有する。この内部導体 1 1 3は, 2つのコイルによりトランスが構成されるようにスパイラル状にビアホール 1 1 4等で連結している。また。形成されたコイルの終端と、内部 G N D導体 1 1 5 とは、図 3 2に示すように、それぞれ端面に形成された貫通ビア 1 1 2とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン 1 1 1と接続されている。このように構成することにより、図 3 3の等価回路図で示すように、 2つのコイル 1 2 5 a , 1 2 5 bが結合した力ブラ 1 1 0が得られる。

この力ブラ 1 1 0の構成層 1 1 0 a ~ 1 1 0 cの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが 2〜4 0 jU m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いてもよい。

力ブラを設計するにあたり、小型化を考えると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。また、同様に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方がよい。従って少なくとも厚みが 2~40〃m であるガラスクロスレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉を含有させることで、小型で高性能の力ブラが得られる。なお、広帯域化を実現しょうとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。

また、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、 1〜 2 GHzにおける比誘電率を 2. 6〜40とすることにより、数 1 0 OMHzから数 GHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、内部インダクタの Q値を上げるために、 1 ~2 GHzにおける誘電正接（tan を 0. 0025〜0. 00フ 5とすることが好ましい。これにより、材料損失が極めて少なく、 Q値の高いインダクタを形成でき、高性能の力ブラを得ることができる。

<実施例 1 4>

図 34〜図 36は、 VCO (電圧制御発振器）を示している。ここで図 34は透過斜視図、図 35は断面図、図 36は等価回路図である。

図 34〜36において、 VCOは、構成層 21 0 a〜2 1 0 gが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品 26 1と、この構成層 2 1 0 a〜2 1 0 g中およびその上下面に形成されている導体パターン 262, 263, 264を有する。この VCOは図 36に示すような等価回路により構成されているため、ストリップライン 263、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。この例では、構成層 21 0 a〜21 0 gの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが 2〜40 im であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いてもよい。

特に、コンデンサ構成層 21 0 c〜21 0 eに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成層の厚みを極端に薄くすることができ、 VCOをより小型にすることができる。

共振器を構成する構成層 21 0 f , 21 0 gでは 1〜 2 GHzにおける誘電正接が 0. 0025〜0. 0075の構成層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層 21 0 c〜 2 1 0 eには、 1 ~ 2 G Hzにおける誘電正接が 0. 0075 〜 0. 025、比誘電率が 5〜 40となるような構成層を用いることが好ましい _c 配線、およびインダクタ構成層 21 0 a , 21 0 bには、 1 ~2GHzにおける誘電正接が 0. 0025〜0. 0075、比誘電率が 2. 6〜5. 0の誘電体層を用いることが好ましい。

そして、上記構成層 21 0 a〜21 0 gの表面には、内部導体であるストリツプライン 263、 GND導体262、コンデンサ導体 264, 配線インダクタ導体 265、および端子導体 266を構成する。また、それぞれの内部導体はビアホール 21 4により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品 26 1が搭載されて図 36の等価回路に示すような V COが形成される。

このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、 Q、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。

<実施例 1 5> 図 3フ〜図 3 9は、パワーアンプ（電力増幅部）を示している。ここで図 3 7 は各構成層の分解平面図、図 3 8は断面図、図 3 9は等価回路図である。

図 3 7〜3 9において、パワーアンプは、構成層 3 0 0 a〜3 0 0 eが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品 3 6 1と、この構成層 3 0 0 a〜3 0 0 e中およびその上下面に形成されている導体パターン 3 1 3， 3 1 5を有する。このパワーアンプは図 3 9 に示すような等価回路により構成されているため、ストリップライン L 1 1〜し 1 7、コンデンサ C I 1〜C 2 0、信号線、半導体への電源ラインなどを有する c このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。この例では、構成層の少なくともいずれかには、少なくとも厚みが 2〜 4 0 m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いてもよい。特に、コンデンサ構成層 3 0 0 a ~ 3 0 0 cに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成層の厚みを極端に薄くすることができ、パワーアンプをより小型にすることができる。

この場合、ストリップラインを構成する構成層 3 0 0 d , 3 0 0 eには、 1〜 2 G Hzにおける誘電正接が 0 . 0 0 7 5〜0 . 0 2 5、比誘電率が 2 . 6〜4 0の構成を用いることが好ましい。コンデンサ構成層 3 0 0 a〜3 0 0 cには、 1〜 2 G Hzにおける誘電正接が 0 . 0 0 2 5〜0 . 0 2 5、比誘電率が 5〜4 0となるような構成層を用いることが好ましい。

そして、これらの構成層 3 0 0 a〜3 0 0 eの表面には、内部導体 3 1 3、 G N D導体 3 1 5等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール 3 1 4により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品 361が搭載されて図 39の等価回路に示すようなパワーアンプが形成される。

<実施例 1 6>

図 40〜図 42は、光ピックアップなどに使用される重畳モジュールを示している。ここで図 40は各構成層の分解平面図、図 4 1は断面図、図 42は等価回路図である。

図 40〜 42において、重畳モジュールは、構成層 400 a〜400 k力積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品 46 1 と、この構成層 400 a〜400 k中およびその上下面に形成されている導体パターン 4 1 3, 4 1 5を有する。この重畳モジュールは図 42に示すような等価回路により構成されているため、インダクタ L 2 1、 L 2 3、コンデンサ C 2 1〜C27、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。この例では、構成層 400 a〜 400 kの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが 2〜40 im であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いてもよい。

特に、コンデンサ構成層 400 d〜400 hに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成層の厚みを極端に薄くすることができ、重畳モジュールをより小型にすることができる。この場合、コンデンサ構成層 400 d〜400 hには、 1〜2 GHzにおける誘電正接が 0. 0075〜0. 025、比誘電率が 1 0〜 40となるような構成を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層 400 a~400 c， 4 00 j ~400 kには、 1〜 2 GHzにおける誘電正接が 0. 0025〜0. 0 0フ 5、比誘電率が 2. 6〜5. 0となるような構成層を用いることが好ましい _c そして、これらの構成層 400 a〜400 kの表面には、内部導体 41 3、 G ND導体 41 5等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール 4 1 4により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品 461が搭載されて図 42の等価回路に示すような重畳モジュールが形成される。

<実施例 1つ >

図 43〜図 46は、 R Fモジュールを示している。ここで図 43は斜視図、図 44は外装部材を外した状態での斜視図、図 45は各構成層の分解斜視図、図 4 6は断面図である。

図 43〜46において、 R Fモジュールは、構成層 500 a ~500 iが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品 561と、この構成層 500 a〜500 i中およびその上下面に形成されている導体パターン 51 3, 51 5、 572と、アン亍ナパターン 57 3を有する。この RFモジュールは、上記のようにインダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。

この例では、構成層 500 a~500 iの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが 2〜40 im であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いてもよい。

特に、コンデンサ構成層 500 e〜500 f に上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成層の厚みを極端に薄くすることができ、 R Fモジュールをよリ小型にすることができる。

この場合、 .アンテナ構成、ストリツプライン構成および配線層 500 a〜 50 O d、 500 gは、 "！〜 2 GHzにおける誘電正接が 0. 0025~0. 007 5、比誘電率が 2. 6〜5. 0の構成層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層 500 e〜500 f には、 1〜 2 GHzにおける誘電正接が 0. 007 5〜 0. 025、比誘電率が 1 0〜40となるような構成層を用いることが好ましい _c 電源ライン層 500 h〜500 i には、 1〜 2 GHzにおける透磁率が 3〜 20 となるような構成層を用いることが好ましい。

そして、これらの構成層 500 a〜 500 iの表面には、内部導体 5 1 3、 G N D導体 5 1 5、アンテナ導体 573等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール 5 1 4により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品 56 1が搭載されて R Fモジュールが形成される。

本発明は、上記に例示した電子部品以外に、上記同様の手法で、コモンモードフィルタ、 EMCフィルタ、電源用フィルタ、パルストランス、チョークコイル、 DC— D Cコンバータ、ディレイライン、アンテナスィッチモジュール、アン亍ナフロン卜エンドモジュール、アイソレータ 'パワーアンプモジュール、 P L L モジュール、フロントエンドモジュール、チューナ一ユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー（DBM) 、電力合成器、電力分配器、 PTCサ一ミスタ等に応用することができる。

発明の効桌

以上のように本発明によれば、従来の基板よりも薄型化が可能で、高性能、しかもハンドリング時の強度的な問題も生じない積層基板、および電子部品を提供することができる。

Claims

請求の範囲

1 . 転写フィルムに導電体層を接着し、

この導電体層をエッチングにより所定のパターンにパターニングし、

次いで、転写フィルムをプリプレダに加熱圧着した後、転写フィルムを剥離し導電体層を有するプリプレグを得る積層基板の製造方法。

2 . 前記加熱圧着は、温度： 1 4 0〜 1 6 0 °C、圧力： 4 . 9〜3 9 MP a、処理時間 1 2 0〜 1 8 0分間の条件で行う請求の範囲第 1項記載の積層基板の製造方法。

3 . 前記プリプレダを配置する前に、前記転写フィルムを 1 0 0〜 1 3 0 °C、 5〜2 0分間熱処理を行う請求の範囲第 1項または第 2項記載の積層基板の製造方法。

4 . 少なくとも誘電体粉、磁性体粉のいずれかが樹脂中に分散され、厚み力《2 ~ 4 0 m であるプリプレダを得る請求の範囲第 1項〜第 3項記載のいずれかの積層基板の製造方法。

5 . さらに、前記プリプレダのパターン形成面上に他のプリプレグを配置し、この他のプリプレグを加熱圧着することにより、内部導体パターンを有する積層基板を得る請求の範囲第 1項〜第 4項記載のいずれかの積層基板の製造方法 _c

6 . 前記導電体層の表面粗さ Rz が 1〜 6 ju m である請求の範囲第 1項〜第 5項記載のいずれかの積層基板の製造方法。

7 . 前記導電体層が、 C u , A 1 , A gおよび A uから選択される 1種または 2種以上の元素により構成されている請求の範囲第 1項〜第 5項記載のいずれかの積層基板の製造方法。

8. 前記導電体層は、電解法、または圧延法により製造されている請求の範囲第 1項〜第 5項のいずれかの積層基板の製造方法。

9. 前記導電体層の膜厚は、 3〜32 im である請求の範囲第 1項〜第 5項記載のいずれかの積層基板の製造方法。

1 0. 前記誘電体粉は、チタン一バリウム一ネオジゥ厶系セラミックス、チタン一バリウム一スズ系セラミックス、鉛一カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミツクス、 C a W0₄ 系セラミックス、 B a (Mg， N b) 0₃ 系セラミックス、 B a (M g, T a) 0₃ 系セラミックス、 Ba (Co, M g, N b) 0₃ 系セラミックス、および B a (Co, Mg， T a) 0₃ 系セラミックスのいずれか 1種または 2種以上により形成されている請求の範囲第 4項〜第 9項記載のいずれかの積層基板の製造方法。

1 1. 前記誘電体粉は、シリカ、アルミナ、ジルコニァ、チタン酸力リウムゥイス力、チタン酸カルシウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ゥイス力、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、および酸化マグネシゥムのいずれか 1種または 2種以上により形成されている請求の範囲第 4項〜第 9項記載のいずれかの積層基板の製造方法。

1 2. 前記誘電体粉は、樹脂と誘電体粉末との合計量を 1 00体積％としたとき、

1 0体積％以上 65体積％未満含有する請求の範囲第 4項〜第 1 1項記載のいずれかの積層基板の製造方法。

1 3. 前記磁性体粉は、 Μη— Mg— Ζ η系、 N ί— Z n系、および Mn — Z n系フェライ卜のいずれか 1種または 2種以上により形成されている請求の範囲第 4項〜第 1 2項記載のいずれかの積層基板の製造方法。

1 4 . 前記磁性体粉は、カーボニール鉄、鉄一シリコン系合金、鉄一アルミ—珪素系合金、鉄一ニッケル系合金、およびアモルファス系強磁性金属の 1種または 2種以上によリ形成されている請求の範囲第 4項〜第 1 2項記載のいずれかの積層基板の製造方法。

1 5 . 前記誘電体粉または磁性体粉は、投影形状が円形である球形度 0 . 9〜 1 . 0の球状であって、平均粒径が 0 . 1 〜4 0 m である請求の範囲第 4項〜第 1 4項記載のいずれかの積層基板の製造方法。

1 6 . 請求の範囲第 4項〜第 1 5項記載のいずれかの積層基板の少なくとも導電体層のパターニングにより電子部品素子を形成し、

さらに電子部品素子の端子とナるスルーホールを形成し、

1 7 . 請求の範囲第 1 6項記載の製造方法により得られた積層電子部品。

1 8 . 少なくとも誘電体、磁性体のいずれかが樹脂中に分散され、かつガラスクロスを含有しない構成層を有し、

このガラスクロスを含有しない構成層の厚みが 2〜 4 0 /i rn である積層電子部品。