WO2003009301A1 - Storage device - Google Patents

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    • G11C2207/107Serial-parallel conversion of data or prefetch

Definitions

  • the present invention relates to a storage device used in a mobile phone or the like, and more particularly, to a storage device that inputs and outputs data serially.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a circuit configuration of a conventional mobile phone.
  • This mobile phone transmits serial data between a CPU (Central Processing Unit) 100 that controls the entire mobile phone, a storage device 200 that stores applications and moving images, and a storage device 200.
  • CPU Central Processing Unit
  • CPU 100 accesses program memory 400 or work memory 500
  • the serial interface circuit 300 When the CPU 100 accesses the storage device 200, the serial interface circuit 300 performs serial / parallel conversion to enable the access.
  • the storage device 200 includes a memory cell array 201 for storing an application program or moving image data as user data, and a data register 2 for temporarily storing data when the memory cell array 201 is accessed. 0 2 and serial An input / output control for inputting / outputting serial data to / from the interface circuit 300, a command input through the input / output control unit 203 is analyzed and a storage device is controlled. Including t
  • Array 201 is used for NAND or AND flash memory.
  • the CPU 100 When the CPU 100 writes data to the storage device 200, the CPU 100 issues a write command to the serial interface circuit 300 via the CPU bus, and then writes the address of the memory cell array 201 and the write data to the serial interface. Output to circuit 300.
  • the serial interface circuit 300 converts them into serial data and outputs the serial data to the input / output control unit 203.
  • Output control unit 203 converts the Adoresu Rye bets command and the memory cell array 201 received from the serial interface circuit 300 into parallel data, and outputs the command analysis / / control unit 204. Also, the input / output control unit 203 converts write data received from the serial interface circuit 300 into parallel data and writes the parallel data into the data register 202.
  • the command analysis control unit 204 When analyzing the command received from the input / output control unit 203 and recognizing that the command is a write command, the command analysis control unit 204 outputs an address to the memory cell array 201 and stores the address in the data register 202. The written write data is written to the memory cell 201.
  • the CPU 100 When the CPU 100 reads data from the storage device 200, the CPU 100 issues a read command to the serial interface circuit 300 via the CPU bus, and then outputs the address of the memory cell array 201 to the serial interface circuit 300. .
  • the serial interface circuit 300 converts them into serial data and outputs the serial data to the input / output control unit 203.
  • the input / output control unit 203 converts the read command received from the serial interface circuit 300 and the address of the memory cell array 201 into parallel data, Output to the command analysis control section 204.
  • the command analysis control unit 204 analyzes the command received from the input / output I 03 and recognizes that it is a read command, outputs an address to the memory cell array 201, and
  • the input / output control unit 203 stores the data written in the data register 202.
  • the serial interface circuit 300 converts the serial data received from the input / output control unit 203 into parallel data, and outputs it to the CPU 100 as read data.
  • the storage device 200 stores application programs, moving image data, and the like as user data. When the CPU 100 reads data from the storage device 200 as described above, a read command is issued. And read the data. Therefore, the CPU 100 cannot access the data stored in the storage device 200 at random, so that when the application program stored in the storage device 200 is executed, the random access is temporarily stopped. After transferring the abbreviated program to a possible storage device, it was necessary to execute the application program, which caused a problem when the processing speed was reduced.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and a first object of the present invention is to provide a storage device capable of improving the processing speed of a mobile phone or the like.
  • a second object is to provide a storage device capable of reducing the cost and mounting area of components in a device such as a mobile phone. Disclosure of the invention
  • the storage device temporarily stores the memory cell array and memory cell data, and can be accessed in parallel from outside
  • the address conversion unit converts the logical address input from the outside into the physical address of the data register and outputs it to the data register
  • the external CPU can access the data register at random.
  • the external CPU can randomly access the memory cell array, and the processing speed of a device such as a mobile phone equipped with a storage device can be improved.
  • a program or the like that realizes a main function can be stored in the memory cell array. The mounting area can be reduced.
  • the storage device further includes an address conversion table in which a logical start address of the memory cell array, a logical end address of the memory cell array, and a physical start address of the data register are registered for each area of the memory cell array. , The result of subtraction between the logical address input from the outside and the logical start address registered in the address conversion table, the result of the subtraction between the logical end address registered in the address conversion table and the logical address input from the outside, and the address The physical address of the data register is calculated based on the physical start address registered in the conversion table.
  • the storage device further includes a data buffer different from the data register for temporarily storing data in the memory cell array, and the input / output buffer converts data stored in the data buffer into serial data and outputs the serial data to the outside I do. Therefore, it is possible to convert the data stored in the memory cell array into serial data and output the serial data.
  • the command analysis controller when receiving the second data transfer command from the input / output buffer, transfers the data in the data register to the data buffer, and then stores the data stored in the data buffer in the memory cell array. Forward.
  • a method of controlling a storage device including a memory cell array and a data register that temporarily stores data in the memory cell array and that can be accessed in parallel from the outside, comprising: Converting the serial data into a parallel data command; analyzing the command to control data transfer between the memory cell array and the data register; and converting an externally input logical address into the data register. Converting to a physical address and outputting to a data register.
  • the external CPU can access the data register at random. As a result, the external CPU can randomly access the memory cell array, and the processing speed of a device such as a mobile phone equipped with a storage device can be improved. In addition, since an external CPU can randomly access the memory cell array, programs that implement the main functions can be stored in the memory cell array, and the cost and mounting area of components of devices such as mobile phones Can be reduced.
  • an externally input logical address is converted to a physical address of a data register.
  • the step of converting the data into a data register and outputting the data to the data register is as follows: the logic input from the outside: the result of subtraction from the logical head address of the memory cell array registered in advance, the logical tail address of the memory cell array registered And from outside
  • the storage device further includes a data buffer different from the data register for temporarily storing data of the memory cell array, and the control method of the storage device further includes the step of converting the data stored in the data buffer into serial data. And outputting to the outside.
  • data stored in the memory cell array can be converted into serial data and output to the outside.
  • the step of analyzing the command and controlling the data transfer between the memory cell array and the data register includes, upon receiving the first data transfer command, transferring the data of the memory cell array to the data buffer, It includes the step of transferring the data stored in the buffer to the data register.
  • the step of analyzing the command and controlling the data transfer between the memory cell array and the data register includes: receiving a second data transfer command, transferring the data in the data register to the data buffer, Transferring the data stored in the buffer to the memory cell array.
  • FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a mobile phone according to an embodiment of the present invention.
  • 2A to 2F are diagrams for the command sequence of the storage device 2 in the embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating write data of the storage device 2 according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional mobile phone. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a mobile phone according to an embodiment of the present invention.
  • the mobile phone includes a CPU 1 for controlling the entire mobile phone, a storage device 2 for storing programs, application programs, video data, and the like that implement the main functions of the mobile phone, and a storage device 2. And a serial interface circuit 3 for inputting / outputting serial data.
  • the storage device 2 is a memory cell array 21 for storing programs for realizing the main functions of a mobile phone, an application program as user data, moving image data, and the like, and data is temporarily stored when the memory cell array 21 is accessed.
  • Data register 25 and CPU 1 when reading the program or data stored in the second data register 25.
  • An address conversion unit 26 for generating an address of the second data register 25; and a control unit for controlling the second data register 25 and the address conversion unit 26 in accordance with an instruction from the command analysis control unit 24. 27.
  • the memory cell array 21 uses NAND or AND flash memory. It is composed.
  • the memory cell array 21 is constituted by a large-capacity flash J of about 32 MB, but is not limited to this.
  • the data register 2 2 has the CPU 1
  • the first data register is constituted by an SRAM (Static Random Access Memory) of about 512 bits, but is not limited to this. Note that data transfer between the first data register 22 and the memory cell array 21 is performed at a time in units of 512 bits.
  • SRAM Static Random Access Memory
  • the input / output buffer 23 converts serial data into parallel data by buffering serial data output from the serial interface circuit 3.
  • the input / output buffer 23 stores the buffered data by one bit.
  • the second data register 25 temporarily stores data when the CPU 1 accesses data stored in the memory cell array 21 in parallel.
  • the second data register 25 is constituted by an S RAM of about 2 MB to 8 MB. Data transfer between the second data register 25 and the first data register 21 is performed at a time in units of 512 bits under the control of the control unit 27.
  • the address conversion unit 26 converts the logical address of the memory cell array 21 output from the CPU 1 into a physical address of the second data register 25.
  • the address translation unit 26 has an internal address translation table, and translates a logical address into a physical address according to the contents of the address translation table.
  • the memory cell array 21 is divided into several areas, and the data of the memory cell array 21 is mapped to the second data register 25 for each area.
  • the logical address conversion table contains the logical start address of the memory cell array 21 area to be accessed by the CPU 1, the logical end address of the memory cell area 21 to be accessed by the CPU 1, and the memory cell array.
  • 2 Area 1 is Address in the second data register 25 when the data is transferred to the second data register 25, and the address in the second data register 25 when the area of the memory cell array 21 is the second data register 25 1.
  • the logical address is output from CPU1.
  • the conversion unit 26 performs address conversion in the following procedure.
  • the control unit 27 controls data transfer between the first data register 22 and the second data register 25.
  • the command analysis control unit 24 sends the data from the first data register 22 to the second data register 25.
  • a transfer request is notified.
  • the control unit 27 refers to the address conversion table in the address conversion unit 26 and extracts the physical head address of the empty area of the second data register 25.
  • the control section 27 transfers the data stored in the first data register 22 to the second data register 25 in order from the physical head address of the free area of the second data register 25. .
  • Command analysis When all data specified by the control unit 24 has been transferred from the first data register 22 to the second data register 25, the area of the second data register 25 where the data has been transferred The physical start address and the physical end address are registered in the address conversion table. Finally, the control unit 27 notifies the command analysis / ⁇ control unit 24 of the completion of the data transfer.
  • the command analysis / ⁇ control unit 24 sends the data from the second data register 25 to the first data register 22. Is notified.
  • the control unit 27 When the transfer of the data in the area of the obtained second data register 25 to the first data register 22 is completed, the control unit 27 notifies the command analysis control unit 2 of the completion of the transfer.
  • 2A to 2F show the command sequence of the command analysis / control unit 24.
  • FIG. Figure 2A shows the data transfer of memory cell array 21.
  • FIG. 2B shows a command sequence of the data write of the memory cell array 21.
  • the data write command (2 Oh) and the address of the memory cell array 21 are input from the input / output buffer 23 to the command analysis control unit 24, the subsequent data is written to the first data register 22. It is.
  • Command analysis The Z control unit 24 writes the data stored in the first data register 22 to the specified address of the memory cell array 21. Finally, a status indicating whether or not the processing has been completed is output to the serial interface circuit 3.
  • FIG. 2C shows a command sequence for all erasure of the memory cell array 21.
  • the command analysis / control unit 24 receives the command for erasing (FO h) from the input / output buffer 23 to the Z control unit 24, the command analysis / control unit 24 controls the memory cell array 21 and all the memory cell arrays 21 Erase the data of. Finally, a status indicating whether or not the processing has been normally completed is output to the serial interface circuit 3.
  • FIG. 2D is a diagram showing a command sequence for block erasure of the memory cell array 21.
  • the command analysis Z control unit 24 When the block erasing command (3 Oh) and the block designation of the memory cell array 21 are input to the command analysis Z control unit 24 from the input / output buffer 23, the command analysis control unit 24 reads the memory cell array 21. Control to erase the data in the specified block of memory cell array 21. Finally, the process is completed successfully Is output to the serial interface circuit 3.
  • FIG. 5 is a diagram showing a data transfer sequence from the memory cell array 21 to the second data register 25. I / O buffer 2 3 power
  • the Z control unit 24 has a second data register from the memory cell array 21;
  • the command analysis control unit 24 transfers the data at the specified address of the memory cell array 21 to the first data register 22. Then, the command analysis // control unit 24 notifies the control unit 27 of a request for data transfer from the first data register 22 to the second data register 25. At this time, the command analysis Z control unit 24 outputs the specified logical address to the address conversion unit 26. Finally, a status indicating whether or not the processing has been completed is output to the serial interface circuit 3.
  • FIG. 2F is a diagram showing a command sequence of data transfer from the second data register 25 to the memory cell array 21.
  • a command for data transfer (4Dh) from the second data register 25 to the memory cell array 21 and the address and logical address of the memory cell array 21 are input to the command analysis controller 24 from the input / output buffer 23. Then, the command analysis controller 24 outputs the specified logical address to the address converter 26.
  • Command analysis The Z control unit 24 notifies the control unit 27 of a request to transfer data from the second data register 25 to the first data register 22. Then, the data stored in the first data register 22 is transferred to the specified address of the memory cell array 21. Finally, a status indicating whether or not the processing has been completed is output to the serial interface circuit 3.
  • FIG. 3 is a flowchart for explaining a processing procedure at the time of read data of the storage device 2 according to the embodiment of the present invention.
  • the CPU 1 issues a data transfer command from the memory cell array 21 to the second data register 25 via the serial interface circuit 3, the physical address range of the memory cell array 21 and the logic to read via the CPU bus.
  • the address is output to the input / output buffer 23 (S11).
  • the command analysis / ⁇ control unit 24 controls the memory cell array 21 to transfer data in the specified physical address range to the first data register 22. Outputs the logical address to be read to the address conversion unit 26 via the CPU bus.
  • the Z control unit 24 sends the first data to the control unit 27.
  • the destination of the transfer to the second data register 25 in the dress converter 26 is ⁇
  • the address conversion unit 26 includes a logical start address and a logical end address of the area of the memory cell array 21 to be accessed by the CPU 1 and a physical start address and a physical end address in the second data register 25 to which data is transferred. The address and the address are registered in the address conversion table (S14). Then, the command analysis / control unit 24 notifies the CPU 1 via the input / output buffer 23 and the serial interface circuit 3 that the data writing to the second data register 25 is completed (S15). .
  • the address conversion unit 26 refers to the address conversion table and converts the logical address into data. Is converted to the physical address of the second data register 25 to which the data is transferred, and is output to the second data register 25 (S17). CPU 1 reads the data output from second data register 25 via the CPU bus (S18). Then, the process returns to step S16 to repeat the subsequent processes.
  • FIG. 4 is a flowchart for explaining a processing procedure at the time of write data of the storage device 2 in the embodiment of the present invention.
  • the CPU 1 sends a data transfer command from the second data register 25 to the memory cell array 21 via the serial interface circuit 3, a logical address range of data to be written to the memory cell array 21, and a memory.
  • the physical address of the cell array 21 is output to the input / output buffer 23 (S21).
  • the Z control unit 24 instructs the control unit 27 to transfer the data in the second data register 25 to the first data register 22 (S22).
  • the control unit 27 obtains the physical address range of the second data register 25 in which the data to be written is present from the address conversion unit 26, and acquires the physical address range from the second data register 25 to the first data register 25.
  • the data to be written is transferred to the data register 22 (S23).
  • control unit 27 issues a command analysis / "notifies the control unit 24" that the data is completed.
  • a part of the data stored in the NAND type or AND type memory cell array 21 having a structure that cannot be randomly accessed can be randomly accessed in accordance with a serially input command.
  • the relationship between the logical address output when the CPU 1 attempts to read the transfer data and the physical address of the transfer data in the second data register 25 is stored as address change information.
  • the logical address is converted into a physical address in the second data register 25 based on the address conversion information, and the physical address is converted. Is transmitted in parallel to the CPU 1 via a data bus or the like.
  • the command analysis control section 24 transfers data from the memory cell array 21 to the second data register 25 which can be accessed in parallel, and the address conversion section 26 converts the logical address output when CPU 1 accesses memory cell array 21 into the physical address of second data register 25 and outputs it to second data register 25.
  • the CPU 1 can randomly access the data stored in the memory cell array 21 and can improve the processing speed of a mobile phone or the like equipped with a storage device.
  • the CPU 1 can randomly access data stored in the memory cell array 21, programs for realizing main functions of the mobile phone can be stored in the memory cell array 21. It is no longer necessary to install a program memory. Therefore, the cost and mounting area of components such as mobile phones are reduced. It became possible to reduce.

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Description

明細書
技術分野
本発明は、 携帯電話等で使用される記憶装置に関し、 特に、 シリアルでデータ を入出力する記憶装置に関する。 背景技術
近年、 携帯電話が広く普及し、 それに伴って携帯電話の小型化、 多機能化など の要望がさらに高まりつつある。 携帯電話の小型化に対する要望を満たすために は、 携帯電話に搭載される L S I (Large Scale Integrated circuit) を高集積 化して L S Iの数を減らしたり、 L S Iのピン数を少なくしてチップサイズを小 さくしたりすることが必要となる。 また、 携帯電話の多機能化に対する要望を満 たすためには、 アプリケーションの処理速度を向上させることが必要となる。 図 5は、 従来の携帯電話における回路構成の一例を示す図である。 この携帯電 話は、 携帯電話全体の制御を行なう C P U (Central Processing Unit) 1 0 0 と、 アプリケーションや動画などが格納される記憶装置 2 0 0と、 記憶装置 2 0 0との間でシリアルデータの入出力を行なうシリアルインタフェース回路 3 0 0 と、 携帯電話の主要な機能を実現するプログラムが記憶されるプログラムメモリ 4 0 0と、 ワークエリアとして使用されるワークメモリ 5 0 0とを含む。
C P U 1 0 0がプログラムメモリ 4 0 0またはワークメモリ 5 0 0にアクセス
C P U 1 0 0が記憶装置 2 0 0にアクセスする場合には、 シリアルインタフエ一 ス回路 3 0 0がシリアノレ/パラレル変換を行なうことによって、 そのアクセスを 可能にしている。
記憶装置 2 0 0は、 ユーザデータであるアプリケーションプログラムや動画デ ータなどを記憶するメモリセルアレイ 2 0 1と、 メモリセルアレイ 2 0 1に対す るアクセス時にデータが一時的に格納されるデータレジスタ 2 0 2と、 シリアル インタフェース回路 300との間でシリアルデータの入出力を行なう入出力制御 , 入出力制御部 203を介して入力されたコマンドを解析して記憶装 体の制御を行なぅコマンド解析 Z制御部 204とを含 t
アレイ 201は、 NAND型または AND型のフラッシュメモリに
れる。
CPU100が記憶装置 200にデータを書込む場合には、 CPU 100が C PUバスを介してシリアルインタフェース回路 300にライトコマンドを発行し た後、 メモリセルアレイ 201のアドレスと、 ライトデータとをシリアルインタ フェース回路 300に出力する。 シリアルインタフェース回路 300は、 CPU 100からライ トコマンド、 メモリセルアレイ 201のアドレスおよびライ トデ —タを受けると、 それらをシリアルデータに変換して入出力制御部 203へ出力 する。
入出力制御部 203は、 シリアルインタフェース回路 300から受けたライ ト コマンドおよびメモリセルアレイ 201のァドレスをパラレルデータに変換して、 コマンド解析/ /制御部 204へ出力する。 また、 入出力制御部 203は、 シリア ルインタフェース回路 300から受けたライ トデータをパラレルデータに変換し てデータレジスタ 202に書込む。
コマンド解析ノ制御部 204は、 入出力制御部 203から受けたコマンドを解 析して、 ライ トコマンドであることを認識すると、 メモリセルアレイ 201にァ ドレスを出力して、 データレジスタ 202に格納されたライトデータをメモリセ ルァレイ 201に書込む。
CPU 100が記憶装置 200からデータを読出す場合には、 CPU 100が C PUバスを介してシリアルインタフェース回路 300にリードコマンドを発行 した後、 メモリセルアレイ 201のァドレスをシリアルインタフェース回路 30 0に出力する。 シリアルインタフェース回路 300は、 CPU 100からリード コマンドおよびメモリセルアレイ 201のァドレスを受けると、 それらをシリァ ルデータに変換して入出力制御部 203へ出力する。
入出力制御部 203は、 シリアルインタフェース回路 300から受けたリード コマンドおよびメモリセルアレイ 201のァドレスをパラレルデータに変換して、 コマンド解析ノ制御部 2 0 4へ出力する。 コマンド解析 制御部 2 0 4は、 入出 I 0 3から受けたコマンドを解析して、 リードコマンドであることを認 メモリセルアレイ 2 0 1にアドレスを出力して、 メモ
0 1からデータを読出して、 データレジスタ 2 0 2に書込む。
入出力制御部 2 0 3は、 データレジスタ 2 0 2に書込まれたデ
シリアルデータに変換し、 シリアルインタフェース回路 3 0 0へ出力する。 シリ アルインタフェース回路 3 0 0は、 入出力制御部 2 0 3から受けたシリアルデー タをパラレルデータに変換して、 リードデータとして C P U 1 0 0へ出力する。 記憶装置 2 0 0には、 ユーザデータとしてアプリケーションプログラムや動画 データなどが格納されるが、 上述したように C P U 1 0 0が記憶装置 2 0 0から データを読出す場合には、 リードコマンドを発行してデータを読出す必要がある。 したがって、 C P U 1 0 0は記憶装置 2 0 0に格納されたデータをランダムにァ クセスすることができないため、 記憶装置 2 0 0に格納されたアプリケーション プログラムを実行する場合には、 一旦ランダムアクセスが可能な記憶装置にアブ リケ一シヨンプログラムを転送した後、 そのアプリケーションプログラムを実行 する必要があり、 処理速度が低下するといつた問題点があった。
また、 記憶装置のデータの入出力がシリアルで行なわれるため、 記憶装置に格 納されているアプリケーションプロダラムゃ動画デ一タなどを入替えるのに時間 がかかり、 処理速度が低下するといつた問題点もあった。
さらには、 C P U 1 0 0が記憶装置 2 0 0に格納されたデータをランダムにァ クセスすることができないため、 携帯電話の主要な機能を実現するプログラムが 記憶されるプログラムメモリ 4 0 0と、 記憶装置 2 0 0内のメモリセルアレイ 2 0 1とを統合することができず、 部品のコストおよび実装面積を削減することが できないといった問題点があつた。
本発明は、 上記問題点を解決するためになされたものであり、 第 1の目的は、 携帯電話等の処理速度を向上させることが可能な記憶装置を提供することである。 第 2の目的は、 携帯電話等の装置内の部品のコストおよび実装面積を削減する ことが可能な記憶装置を提供することである。 発明の開示
)ある局面に従えば、 記憶装置は、 メモリセルアレイと、 メモリセルァ -タを一時的に格納し、 外部からパラレルでアクセス可能
スタと、 外部から入力されたシリアルデータをパラレルデータに ¾
ノ ッファと、 入出力バッファによってパラレルデータに変換された
析して、 メモリセルアレイとデータレジスタとの間のデータ転送を制御するコマ ンド解析 Z制御部と、 外部から入力された論理ァドレスをデータレジスタの物理 ァドレスに変換して、 データレジスタへ出力するァドレス変換部とを含む。
ァドレス変換部が外部から入力された論理ァドレスをデータレジスタの物理ァ ドレスに変換して、 データレジスタへ出力するので、 外部の C P Uはデータレジ スタにランダムにアクセスすることが可能となる。 その結果、 外部の C P Uはメ モリセルァレイにランダムにアクセスすることができ、 記憶装置を搭載した携帯 電話等の装置の処理速度を向上させることが可能となる。 また、 外部の C P Uは メモリセルァレイにランダムにアクセスすることができるので、 主要な機能を実 現するプログラム等をメモリセルアレイに格納することができ、 携帯電話等の装 置の部品のコストおよび実装面積を削減することが可能となる。
好ましくは、 記憶装置はさらにメモリセルアレイの論理先頭アドレス、 メモリ セルアレイの論理最後尾ァドレス、 およびデータレジスタの物理先頭ァドレスが、 メモリセルアレイの領域毎に登録されるァドレス変換テーブルを含み、 ァドレス 変換部は、 外部から入力された論理アドレスとアドレス変換テーブルに登録され た論理先頭ァドレスとの減算結果、 ァドレス変換テーブルに登録された論理最後 尾ァドレスと外部から入力された論理ァドレスとの減算結果、 およびァドレス変 換テーブルに登録された物理先頭ァドレスに基づいて、 データレジスタの物理ァ ドレスを算出する。
したがって、 外部から入力された論理アドレスをデータレジスタの物理アドレ スに容易に変換することが可能となる。
好ましくは、 記憶装置はさらにメモリセルアレイのデータを一時的に格納する、 データレジスタとは異なるデータバッファを含み、 入出力バッファは、 データバ ッファに格納されたデータをシリアルデータに変換して外部へ出力する。 したがって、 メモリセルアレイに格納されたデータをシリアルデータに変換し \出力することが可能となる。
子ましくは、 コマンド解析 Z制御部は、 入出力バッファ力
タ転送コマンドを受けると、 メモリセルアレイのデータをデータ
した後、 データバッファに格納されるデータをデータレジスタに ¾
メモリセルアレイのデータをデータレジスタに転送するので、 外部の C P Uが データレジスタにアクセスすることによって、 メモリセルアレイのデータをラン ダムにアクセスすることが可能となる。
さらに好ましくは、 コマンド解析ノ制御部は、 入出力バッファから第 2のデー タ転送コマンドを受けると、 データレジスタのデータをデータバッファに転送し た後、 データバッファに格納されるデータをメモリセルアレイに転送する。
したがって、 外部の C P Uが書換えたデータレジスタのデータをメモリセルァ レイに書き戻すことが可能となる。
本発明の別の局面に従えば、 メモリセルアレイと、 メモリセルアレイのデータ を一時的に格納し、 外部からパラレルでアクセス可能なデータレジスタとを含ん だ記憶装置の制御方法であって、 外部から入力されたシリアルデータをパラレル データのコマンドに変換するステップと、 コマンドを解析して、 メモリセルァレ ィとデータレジスタとの間のデータ転送を制御するステップと、 外部から入力さ れた論理ァドレスをデータレジスタの物理ァドレスに変換して、 データレジスタ へ出力するステップとを含む。
外部から入力された論理ァドレスをデータレジスタの物理ァドレスに変換して、 データレジスタへ出力するので、 外部の C P Uはデータレジスタにランダムにァ クセスすることが可能となる。 その結果、 外部の C P Uはメモリセルアレイにラ ンダムにアクセスすることができ、 記憶装置を搭載した携帯電話等の装置の処理 速度を向上させることが可能となる。 また、 外部の C P Uはメモリセルアレイに ランダムにアクセスすることができるので、 主要な機能を実現するプログラム等 をメモリセルアレイに格納することができ、 携帯電話等の装置の部品のコス トお よび実装面積を削減することが可能となる。
好ましくは、 外部から入力された論理ァドレスをデータレジスタの物理ァドレ スに変換して、 データレジスタへ出力するステップは、 外部から入力された論理 ::予め登録されたメモリセルァレイの論理先頭ァドレスとの減算結果、 れたメモリセルァレイの論理最後尾ァドレスと外部から
理ァドレスとの減算結果、 および予め登録されたデータレジスタ
レスに基づいて、 データレジスタの物理アドレスを算出するステシ
したがって、 外部から入力された論理ァドレスをデータレジスタの物理ァドレ スに容易に変換することが可能となる。
好ましくは、 記憶装置はさらにメモリセルァレイのデータを一時的に格納する、 データレジスタとは異なるデータバッファを含み、 記憶装置の制御方法はさらに、 データバッファに格納されたデ一タをシリアルデータに変換して外部へ出力する ステップを含む。
したがって、 メモリセルアレイに格納されたデータをシリアルデータに変換し て、 外部へ出力することが可能となる。
さらに好ましくは、 コマンドを解析して、 メモリセルアレイとデータレジスタ との間のデータ転送を制御するステップは、 第 1のデータ転送コマンドを受ける と、 メモリセルアレイのデータをデータバッファに転送した後、 データバッファ に格納されるデータをデータレジスタに転送するステツプを含む。
メモリセルアレイのデータをデータレジスタに転送するので、 外部の C P Uが データレジスタにアクセスすることによって、 メモリセルアレイのデータをラン ダムにアクセスすることが可能となる。
さらに好ましくは、 コマンドを解析して、 メモリセルアレイとデータレジスタ との間のデータ転送を制御するステップは、 第 2のデータ転送コマンドを受ける と、 データレジスタのデータをデータバッファに転送した後、 データバッファに 格納されるデータをメモリセルァレイに転送するステップを含む。
したがって、 外部の C P Uが書換えたデータレジスタのデータをメモリセルァ レイに書き戻すことが可能となる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の実施例における携帯電話の回路構成を示す図である。 図 2 A〜図 2 Fは、 本発明の実施例における記憶装置 2のコマンドシーケンス ための図である。
本発明の実施例における記憶装置 2のリードデータ時の
明するためのフローチャートである。
図 4は、 本発明の実施例における記憶装置 2のライ トデータ時の
明するためのフローチヤ一トである。
図 5は、 従来の携帯電話の回路構成を示す図である。 発明を実施するための最良の形態
本発明をより詳細に説明するために、 添付の図面にしたがつてこれを説明する。 図 1は、 本発明の実施例における携帯電話の回路構成を示す図である。 この携 帯電話は、 携帯電話全体の制御を行なう C P U 1と、 携帯電話の主要な機能を実 現するプログラム、 アプリケーションプログラム、 動画データなどが格納される 記憶装置 2と、 記憶装置 2との間でシリアルデータの入出力を行なぅシリァルイ ンタフェース回路 3とを含む。
記憶装置 2は、 携帯電話の主要な機能を実現するプログラム、 ユーザデータで あるアプリケーションプログラムや動画データなどを記憶するメモリセルアレイ 2 1と、 メモリセルアレイ 2 1に対するアクセス時にデータが一時的に格納され る第 1のデータレジスタ 2 2と、 シリアルインタフェース回路 3との間でシリア ルデータの入出力を行なう入出力バッファ 2 3と、 入出力バッファ 2 3を介して 入力されたコマンドを解析して記憶装置 2全体の制御を行なぅコマンド解析 制 御部 2 4と、 C P U 1がメモリセルアレイ 2 1に格納されたプログラムやデータ をパラレルでアクセスする際に、 プログラムやデータが一時的に格納される第 2 のデータレジスタ 2 5と、 C P U 1が第 2のデータレジスタ 2 5に格納されたプ ログラムまたはデータを読出すときの第 2のデータレジスタ 2 5のァドレスを生 成するァドレス変換部 2 6と、 コマンド解析 制御部 2 4からの指示に応じて第 2のデータレジスタ 2 5およびアドレス変換部 2 6を制御する制御部 2 7とを含 む。
メモリセルアレイ 2 1は、 NA N D型または A N D型のフラッシュメモリによ つて構成される。 このメモリセルアレイ 2 1は、 3 2 M B程度の大容量のフラッ Jによって構成されるが、 これに限られるものではない。
'ータレジスタ 2 2は、 C P U 1がシリアルインタフエ
して記憶装置 2からデータを読出す場合や、 メモリセルアレイ 2 ]
データを第 2のデータレジスタ 2 5 へ転送する場合にデータを一日;
この第 1のデータレジスタは、 5 1 2 b i t程度の S R A M (Static Random Access Memory) によって構成されるが、 これに限られるものではない。 なお、 第 1のデータレジスタ 2 2と、 メモリセルアレイ 2 1との間のデータ転送は、 5 1 2ビット単位で一度に行なわれる。
入出力バッファ 2 3は、 シリアルインタフェース回路 3から出力されるシリア ルデータをバッファリングすることによって、 シリアルデータをパラレルデータ に変換する。 また、 第 1のデータレジスタ 2 2から入出力バッファ 2 3へデータ が転送されると、 入出力バッファ 2 3はバッファリングされたデータを 1ビット
Π ェース回路 3 へ出力することによって、 パラレルデータを シリアルデータに変換する。
第 2のデータレジスタ 2 5は、 C P U 1がメモリセルアレイ 2 1に格納された データをパラレルでアクセスする場合にデータを一時的に格納する。 この第 2の データレジスタ 2 5は、 2 M B〜 8 MB程度の S R AMによって構成される。 な お、 第 2のデータレジスタ 2 5と、 第 1のデータレジスタ 2 1との間のデータ転 送は、 制御部 2 7による制御によって 5 1 2ビット単位で一度に行なわれる。 ァドレス変換部 2 6は、 C P U 1が出力するメモリセルアレイ 2 1の論理ァド レスを、 第 2のデータレジスタ 2 5の物理アドレスに変換する。 アドレス変換部 2 6は、 内部にアドレス変換テーブルを有しており、 このアドレス変 テーブル の内容に応じて、 論理アドレスを物理アドレスに変換する。 メモリセルアレイ 2 1は、 幾つかの領域に分割され、 その領域単位でメモリセルアレイ 2 1のデータ が第 2のデータレジスタ 2 5にマッピングされる。
了ドレス変換テーブルには、 C P U 1がアクセスしょうとするメモリセルァレ ィ 2 1の領域の論理先頭アドレスと、 C P U 1がアクセスしょうとするメモリセ ルァレイ 2 1の領域の論理最後尾ァドレスと、 メモリセルァレイ 2 1の領域が第 2のデ一タレジスタ 2 5に転写された場合の第 2のデータレジスタ 2 5における ドレスと、 メモリセルアレイ 2 1の領域が第 2のデータレジスタ 2 5 1た場合の第 2のデータレジスタ 2 5における物理最後
領域毎に予め登録される。 C P U 1から論理ァドレスが出力され
変換部 2 6は以下の手順でァドレス変換を行なう。
① C P U 1が出力した論理アドレスから、 アドレス変換テーブルに登録され ている全ての論理先頭ァドレスのそれぞれを減算する。
② ァドレス変換テーブルに登録されている全ての論理最後尾ァドレスのそれ ぞれから、 C P U 1が出力した論理アドレスを減算する。
③ 上記①と②との結果が共に正となる領域を特定し、 その領域に対応する物 理先頭ァドレスを特定する。
④ 特定された物理先頭アドレスに①で算出された減算結果を加算して、 その 値を第 2のデータレジスタ 2 5の物理ァドレスとして出力する。
制御部 2 7は、 第 1のデータレジスタ 2 2と第 2のデータレジスタ 2 5との間 のデータ転写を制御する。 第 1のデータレジスタ 2 2から第 2のデータレジスタ 2 5へデータを転写する場合には、 コマンド解析 制御部 2 4から、 第 1のデー タレジスタ 2 2から第 2のデータレジスタ 2 5へのデータ転写要求が通知される。 制御部 2 7は、 アドレス変換部 2 6内のアドレス変換テーブルを参照し、 第 2の データレジスタ 2 5の空き領域の物理先頭ァドレスを抽出する。
制御部 2 7は、 第 1のデータレジスタ 2 2に格納されているデータを、 第 2の データレジスタ 2 5の空き領域の物理先頭ァドレス力 ら順に、 第 2のデータレジ スタ 2 5へ転送する。 コマンド解析 制御部 2 4から指示があった全てのデータ を、 第 1のデータレジスタ 2 2から第 2のデータレジスタ 2 5へ転送したときに、 データを転写した第 2のデータレジスタ 2 5の領域の物理先頭ァドレスおよび物 理最後尾ァドレスをァドレス変換テーブルに登録する。 最後に、 制御部 2 7は、 コマンド解析/ ^制御部 2 4に対してデータ転写の完了を通知する。
第 2のデータレジスタ 2 5から第 1のデータレジスタ 2 2へデータを転写する 場合には、 コマンド解析/ ^制御部 2 4から、 第 2のデータレジスタ 2 5から第 1 のデータレジスタ 2 2へのデータ転写要求が通知される。 制御部 2 7は、 指定さ れた第 2のデータレジスタ 2 5の領域のデータを第 1のデータレジスタ 2 2に転 ータの転写が完了したときに、 制御部 2 7はコマンド解析 制御部 2 転写の完了を通知する。
図 2 A〜図 2 Fは、 コマンド解析/制御部 2 4のコマンドシー
るための図である。 図 2 Aは、 メモリセルアレイ 2 1のデータリ
シーケンスを示している。 入出力バッファ 2 3からコマンド解析/制御部 2 4に データリードコマンド (1 0 h ) が入力された後、 メモリセルアレイ 2 1のアド レスが入力されると、 コマンド解析/制御部 2 4は指定されたメモリセルアレイ 2 1のデータを第 1のデータレジスタ 2 2へ転送する。 そして、 コマンド解析ノ 制御部 2 4は第 1のデータレジスタ 2 2に格納されたデータを順次入出力バッフ ァ 2 3へ転送することによって、 シリアルバスを介してシリアルインタフェース 回路 3ヘシリアルデータを出力する。
図 2 Bは、 メモリセルアレイ 2 1のデータライ トのコマンドシーケンスを示し ている。 入出力バッファ 2 3からコマンド解析制御部 2 4にデータライ トコマン ド (2 O h ) およびメモリセルアレイ 2 1のアドレスが入力されると、 それに続 くデータが第 1のデータレジスタ 2 2に書込まれる。 コマンド解析 Z制御部 2 4 は、 第 1のデータレジスタ 2 2に格納されているデータを、 指定されたメモリセ ルアレイ 2 1のァドレスに書込む。 最後に、 処理が正常に終了したか否かを示す ステータスがシリアルインタフェース回路 3へ出力される。
図 2 Cは、 メモリセルアレイ 2 1の全消去のコマンドシーケンスを示している。 入出力バッファ 2 3からコマンド解析 Z制御部 2 4に全消去コマンド (F O h ) が入力されると、 コマンド解析/制御部 2 4はメモリセルアレイ 2 1を制御して、 メモリセルアレイ 2 1の全てのデータを消去する。 最後に、 処理が正常に終了し たか否かを示すステータスがシリアルインタフェース回路 3 へ出力される。
図 2 Dは、 メモリセルアレイ 2 1のブロック消去のコマンドシーケンスを示す 図である。 入出力バッファ 2 3からコマンド解析 Z制御部 2 4にプロック消去コ マンド (3 O h ) およびメモリセルアレイ 2 1のブロック指定が入力されると、 コマンド解析ノ制御部 2 4はメモリセルアレイ 2 1を制御して、 指定されたメモ リセルアレイ 2 1のブロックのデータを消去する。 最後に、 処理が正常に終了し たか否かを示すステータスがシリアルインタフェース回路 3へ出力される。
ま、 メモリセルアレイ 2 1から第 2のデータレジスタ 2 5へのデータ転 ノドシーケンスを示す図である。 入出力バッファ 2 3力
Z制御部 2 4に、 メモリセルアレイ 2 1から第 2のデータレジス; ί
タ転送コマンド (4 O h ) 、 メモリセルアレイ 2 1のアドレスお J
スが入力されると、 コマンド解析 制御部 2 4はメモリセルアレイ 2 1の指定さ れたアドレスのデータを第 1のデータレジスタ 2 2に転送する。 そして、 コマン ド解析/ /制御部 2 4は、 制御部 2 7に対して第 1のデータレジスタ 2 2から第 2 のデータレジスタ 2 5へのデータ転写の要求を通知する。 このとき、 コマンド解 析 Z制御部 2 4は、 指定された論理アドレスをアドレス変換部 2 6へ出力する。 最後に、 処理が正常に終了したか否かを示すステータスがシリアルインタフエー ス回路 3へ出力される。
図 2 Fは、 第 2のデータレジスタ 2 5からメモリセルアレイ 2 1へのデータ転 送のコマンドシーケンスを示す図である。 入出力バッファ 2 3からコマンド解析 制御部 2 4に、 第 2のデータレジスタ 2 5からメモリセルアレイ 2 1へのデー タ転送コマンド (4 D h ) 、 メモリセルアレイ 2 1のアドレスおよび論理アドレ スが入力されると、 コマンド解析ノ制御部 2 4は指定された論理ァドレスをァド レス変換部 2 6へ出力する。 コマンド解析 Z制御部 2 4は、 制御部 2 7に対して 第 2のデータレジスタ 2 5から第 1のデータレジスタ 2 2へのデータ転写の要求 を通知する。 そして、 第 1のデータレジスタ 2 2に格納されたデータをメモリセ ルアレイ 2 1の指定されたアドレスに転送する。 最後に、 処理が正常に終了した か否かを示すステータスがシリアルインタフェース回路 3へ出力される。
図 3は、 本発明の実施例における記憶装置 2のリードデータ時の処理手順を説 明するためのフローチャートである。 まず、 C P U 1がシリアルインタフェース 回路 3を介してメモリセルアレイ 2 1から第 2のデータレジスタ 2 5へのデータ 転送コマンド、 メモリセルアレイ 2 1の物理ァドレス範囲および C P Uバスを介 して読出そうとする論理ァドレスを、 入出力バッファ 2 3に出力する (S 1 1 ) 。 コマンド解析/ ^制御部 2 4は、 メモリセルァレイ 2 1を制御して、 指定された 物理ァドレス範囲のデータを第 1のデータレジスタ 2 2に転送させるとともに、 ァドレス変換部 26に CPUバスを介して読出そうとする論理ァドレスを出力す
I)
コマンド解析 Z制御部 24は、 制御部 2 7に第 1のデ一^
に格納されているデータを第 2のデータレジスタ 25に転写させ
ドレス変換部 2 6に第 2のデータレジスタ 2 5への転写先となる^
出力する (S 1 3) 。
ァドレス変換部 26は、 C PU 1がアクセスしょうとするメモリセルアレイ 2 1の領域の論理先頭ァドレスおよび論理最後尾ァドレスと、 データ転写先である 第 2のデータレジスタ 25における物理先頭ァドレスおよび物理最後尾ァドレス とを関連付けて、 アドレス変換テーブルに登録する (S 1 4) 。 そして、 コマン ド解析/制御部 24は、 入出力バッファ 23およびシリアルインタフェース回路 3を介して、 C PU 1に第 2のデータレジスタ 25へのデータ書込みが完了した ことを通知する (S 1 5) 。
C PU 1がァドレスバスに論理ァドレスを出力して、 第 2のデータレジスタ 2 5へのアクセスを行なうと (S 1 6) 、 アドレス変換部 26がアドレス変換テー ブルを参照して、 論理ァドレスをデータが転写されている第 2のデータレジスタ 2 5の物理アドレスに変換し、 第 2のデータレジスタ 2 5へ出力する (S 1 7) 。 C PU 1は、 第 2のデータレジスタ 25が出力したデータを CPUバスを介して 読込む (S 1 8) 。 そして、 ステップ S 1 6に戻って以降の処理を繰返す。
図 4は、 本発明の実施例における記憶装置 2のライ トデータ時の処理手順を説 明するためのフローチャートである。 まず、 C PU 1がシリアルインタフェース 回路 3を介して第 2のデータレジスタ 2 5からメモリセルアレイ 2 1へのデータ 転送コマンド、 メモリセルアレイ 2 1へ書込もうとするデータの論理アドレス範 囲、 およびメモリセルアレイ 2 1の物理ァドレスを、 入出力バッファ 2 3に出力 する (S 2 1) 。
コマンド解析 Z制御部 24は、 制御部 27に対して第 2のデータレジスタ 2 5 のデータを第 1のデータレジスタ 2 2に転写するよう指示する (S 2 2) 。 制御 部 27は、 書込み対象のデータが存在する第 2のデータレジスタ 25の物理ァド レス範囲をァドレス変換部 26から取得し、 第 2のデータレジスタ 2 5から第 1 のデータレジスタ 2 2へ書込み対象のデータが転写される (S 2 3 ) 。
rータレジスタ 2 2へのデータ書込みが完了すると、 制御部 2 7はデー ^が完了したことをコマンド解析/ "制御部 2 4に通知す
コマンド解析 制御部 2 4が制御部 2 7から通知を受けると、 第:
スタ 2 2に書込まれたデータを、 メモリセルアレイ 2 1の指定さ
スに書込むように制御信号をメモリセルアレイ 2 1に出力することにより (S 2 5 ) 、 メモリセルアレイ 2 1にデータが書込まれる (S 2 6 ) 。
このように本実施の形態においては、 例えばランダムアクセスできない構造を 有した N A N D型や AND型のメモリセルアレイ 2 1に記憶されたデータの一部 を、 シリアル入力されたコマンドに応じて、 ランダムアクセス可能な構造を有し た S R AM等の第 2のデータレジスタ 2 5に転送する。 C P U 1がその転送デー タを読出そうとする際に出力する論理ァドレスとその転送データの第.2のデータ レジスタ 2 5における物理ァドレスとの関係をァドレス変化情報として記憶する。 C P U 1からァドレスバスを介してァドレス変換部 2 6に論理ァドレスが入力さ れた場合に、 当該論理ァドレスを前記ァドレス変換情報に基づき第 2のデータレ ジスタ 2 5における物理ァドレスに変換し、 該物理ァドレスに記憶されたデータ をデータバス等を介して C P U 1までパラレルに伝送する。
以上説明したように、 本実施の形態における記憶装置によれば、 コマンド解析 制御部 2 4がメモリセルアレイ 2 1からパラレルでアクセス可能な第 2のデー タレジスタ 2 5にデータを転送し、 アドレス変換部 2 6が C P U 1がメモリセル アレイ 2 1にアクセスする際に出力した論理ァドレスを第 2のデータレジスタ 2 5の物理ァドレスに変換して第 2のデータレジスタ 2 5に出力するようにしたの で、 C P U 1はメモリセルアレイ 2 1に格納されたデータをランダムにアクセス することができ、 記憶装置が搭載された携帯電話等の処理速度を向上させること が可能となった。
また、 C P U 1がメモリセルアレイ 2 1に格納されたデータをランダムにァク セスすることができるので、 携帯電話の主要な機能を実現するプログラム等をメ モリセルァレイ 2 1に格納することができ、 別個のプログラムメモリを搭載する 必要がなくなった。 したがって、 携帯電話等の部品のコストおよび実装面積を削 減することが可能となった。
^された実施の形態は、 すべての点で例示であって制限的なものではな つれるべきである。 本発明の範囲は上記した説明ではなく
範囲によって示され、 特許請求の範囲と均等の意味および範囲内 T
更が含まれることが意図される。

Claims

請求の範囲
Iセルアレイ (2 1) と、
前記メモリセルアレイ (21) のデータを一時的に格納し、 外剖
でアクセス可能なデータレジスタ (25) と、
外部から入力されたシリアルデータをパラレルデータに変換する入出力バッフ ァ (23) と、
前記入出力バッファ (23) によってパラレルデータに変換されたコマンドを 解析して、 前記メモリセルアレイ (2 1) と前記データレジスタ (25) との間 のデータ転送を制御するコマンド解析ノ制御部 (24, 27) と、
外部から入力された論理アドレスを前記データレジスタ (25) の物理アドレ スに変換して、 前記データレジスタ (25) へ出力するアドレス変換部 (26) とを含む記憶装置。
2. 前記記憶装置はさらに、 前記メモリセルアレイ (2 1) の論理先頭アドレス、 前記メモリセルアレイ (2 1) の論理最後尾アドレス、 および前記データレジス タ (25) の物理先頭アドレスが、 前記メモリセルアレイ (2 1) の領域毎に登 録されるアドレス変換テーブルを含み、
前記アドレス変換部 (26) は、 外部から入力された論理アドレスと前記アド レス変換テーブルに登録された論理先頭ァドレスとの減算結果、 前記ァドレス変 換テーブルに登録された論理最後尾ァドレスと前記外部から入力された論理ァド レスとの減算結果、 および前記アドレス変換テーブルに登録された物理先頭アド レスに基づいて、 前記データレジスタ (25) の物理アドレスを算出する、 請求 項 1記載の記憶装置。 .
3. 前記記憶装置はさらに、 前記メモリセルアレイ (21) のデータを一時的に 格納する、 前記データレジスタ (25) とは異なるデータバッファ (22) を含 み、
前記入出力バッファ (23) は、 前記データバッファ (22) に格納されたデ ータをシリアルデータに変換して外部へ出力する、 請求項 1記載の記憶装置。
4. 前記コマンド解析 Z制御部 (24, 27) は、 前記入出力バッファ (23) 力 ら第 1のデータ転送コマンドを受けると、 前記メモリセルアレイ (2 1) のデ Ξデータバッファ (22) に転送した後、 前記データバッファ (22) しるデータを前記データレジスタ (25) に転送する、 言,
記憶装置。
5. 前記コマンド解析 制御部 (24, 27) は、 前記入出力バ
力、ら第 2のデータ転送コマンドを受けると、 前記データレジスタ (25) のデー タを前記データバッファ (22) に転送した後、 前記データバッファ (22) に 格納されるデータを前記メモリセルアレイ (21) に転送する、 請求項 3記載の 6. メモリセルアレイ (21) と、 前記メモリセルアレイ (21) のデータを一 時的に格納し、 外部からパラレルでアクセス可能なデータレジスタ (25) とを 含んだ記憶装置の制御方法であって、
外部から入力されたシリアルデータをパラレルデータのコマンドに変換するス テップと、
前記コマンドを解析して、 前記メモリセルアレイ (21) と前記データレジス タ (25) との間のデータ転送を制御するステップと、
外部から入力された論理アドレスを前記データレジスタ (25) の物理アドレ スに変換して、 前記データレジスタ (25) へ出力するステップとを含む、 記憶 装置の制御方法。
7. 前記外部から入力された論理アドレスを前記データレジスタ (25) の物理 アドレスに変換して、 前記データレジスタ (25) へ出力するステップは、 前記 外部から入力された論理ァドレスと予め登録された前記メモリセルアレイ (2 1) の論理先頭ア ドレスとの減算結果、 予め登録された前記メモリセルアレイ (21) の論理最後尾アドレスと前記外部から入力された論理アドレスとの減算 結果、 および予め登録された前記データレジスタ (25) の物理先頭アドレスに 基づいて、 前記データレジスタ (25) の物理アドレスを算出するステップを含 む、 請求項 6記載の記憶装置の制御方法。
8. 前記記憶装置はさらに、 前記メモリセルアレイ (21) のデータを一時的に 格納する、 前記データレジスタ (25) とは異なるデータバッファ (22) を含 み、
^装置の制御方法はさらに、 前記デ一タバッファ (22) に格納された 'リアルデータに変換して外部へ出力するステップを含 tj 載の記憶装置の制御方法。
9. 前記コマンドを解析して、 前記メモリセルアレイ (2.1) と
スタ (25) との間のデータ転送を制御するステップは、 第 1のデータ転送コマ ンドを受けると、 前記メモリセルアレイ (21) のデータを前記データバッファ (22) に転送した後、 前記データバッファ (22) に格納されるデータを前記 データレジスタ (25) に転送するステップを含む、 請求項 8記載の記憶装置の 制御方法。
10. 前記コマンドを解析して、 前記メモリセルアレイ (21) と前記データレ ジスタ (25) との間のデータ転送を制御するステップは、 第 2のデータ転送コ マンドを受けると、 前記データレジスタ (25) のデータを前記データバッファ
(22) に転送した後、 前記データバッファ (22) に格納されるデータを前記 メモリセルアレイ (2 1) に転送するステップを含む、 請求項 8記載の記憶装置 の制御方法。
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