JP2014199679A - メモリデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリデバイスは、第1のリンクと、第2のリンクと、第1のバンクと、第2のバンクと、第1のバンク、第2のバンク、第1のリンク、および第2のリンクの間でデータを切り替えるスイッチング回路と、を含む。
スイッチング回路は第1のスイッチングロジック回路を含み、第1のスイッチングロジック回路は、第1のリンクから入力データを受け取るための第1の入力と、第1のリンクについての書込みのためのイネーブルを受け取るための第2の入力と、第2のリンクから入力データを受け取るための第3の入力と、第2のリンクについての書込みのためのイネーブルを受け取るための第4の入力と、メモリバンクにデータを出力するための出力と、を含む。
【選択図】図2
Description
本出願は、2005年9月30日に出願された米国仮出願第60/722,368号の利益を主張する、2005年12月30日に出願され、「Multiple Independent Link Serial Memory」と題された米国特許出願第11/324,023号の一部継続出願である、2006年12月22日に出願された米国出願第11/643,850号の利益を主張するものであり、その両方の内容の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
スイッチング回路は第1のスイッチングロジック回路を含み、第1のスイッチングロジック回路は、第1のリンクから入力データを受け取るための第1の入力と、第1のリンクについての書込みのためのイネーブルを受け取るための第2の入力と、第2のリンクから入力データを受け取るための第3の入力と、第2のリンクについての書込みのためのイネーブルを受け取るための第4の入力と、メモリバンクにデータを出力するための出力と、を含む。
第2のスイッチングロジック回路は、第1のバンクからのデータを受け取るための第2のスイッチングロジック回路の第1の入力と、第1のバンクからの読出しのためのイネーブルを受け取るための第2のスイッチングロジック回路の第2の入力と、に接続された第4のNANDゲートと、第2のバンクからデータを受け取るための第2のスイッチングロジック回路の第3の入力と、第2のバンクからの読出しのためのイネーブルを受け取るための第2のスイッチングロジック回路の第4の入力と、に接続された第5のNANDゲートと、第2のスイッチングロジック回路の出力を生成するために、第1のNANDゲートの出力と、第2のNANDゲートの出力と、に接続された第6のNANDゲートと、を含む。
第1の複数の第1のスイッチングロジック回路の各々は、第1のバンクへデータを出力するためのそれぞれの出力を有する。
第1の複数の第1のスイッチングロジック回路は、各々が、第1のリンクからのそれぞれのデータと、第1のリンクについての書込みのためのイネーブルと、第2のリンクからのそれぞれのデータと、第2のリンクについての書込みのためのイネーブルと、を受け取り、各々が、第1のバンクへデータを出力するためのそれぞれの出力を有する。
第2の複数の第1のスイッチングロジック回路は、各々が、第1のリンクからのそれぞれのデータと、第1のリンクについての書込みのためのイネーブルと、第2のリンクからのそれぞれのデータと、第2のリンクについての書込みのためのイネーブルと、を受け取り、各々が、第2のバンクへデータを出力するためのそれぞれの出力を有する。
2つの第2のスイッチングロジック回路の第1の出力は第1のリンクのためであり、2つの第2のスイッチングロジック回路の第2の出力は第2のリンクのためである。
スイッチング回路はスイッチングロジック回路を含み、スイッチングロジック回路は、第1のバンクから入力データを受け取るための第1の入力と、第1のバンクからの読出しのためのイネーブルを受け取るための第2の入力と、第2のバンクから入力データを受け取るための第3の入力と、第2のバンクからの読出しのためのイネーブルを受け取るための第4の入力と、第1または第2のバンクから読出されたデータを出力するための出力と、を含む。
1. 複数のリンクポートからの同じバンクへの同時アクセスの防止。
2. オプション機能としてのシングルリンクアクセス。
3. リンク制御ブロックからバンク制御ブロックへの短いスイッチ経路。
4. リンク制御ブロックごとに同じであるロジック実装。
5. 同じバンクが後に別のリンクポートからアクセスされる場合に、前のバンクアクセスが保持される。
6. リンクからバンクへのアクセス(書込みおよび制御信号)と、バンクからリンクへのアクセス(データ読出し)とのための別々のロジック。
ただし、一部の実装形態は、これらの機能の一部しか提供しない場合があることが理解される。より広くは、各実装形態はこれらの機能のうちの任意の数を提供してよい。
バンク選択制御として機能するためにリンク0 10からスイッチ制御部48、50への入力として接続される制御入力Bnk0<1:0> 49。
リンク0からの制御、アドレスおよびデータをバンク0に与えることを可能にする、スイッチ制御部48からスイッチ40へのLnk_is_Bnk0_ctrl_enable 53。
リンク1からの制御、アドレスおよびデータをバンク0に与えることを可能にする、スイッチ制御部48からスイッチ40へのLnk_os_Bnk0_ctrl_enable 60。
ページバッファから、リンク0に関するリンクロジックブロックに対して読出し関連操作が実行される場合にバンクを選択するために使用される、スイッチ制御部48からスイッチ42へのLnk0_Bnk_slct<1:0>出力64。
バンク選択制御として機能するためにリンク1 12からスイッチ制御部48、50への入力として接続される制御入力Bnk1<1:0> 51。
リンク1からの制御、アドレスおよびデータをバンク1に与えることを可能にする、スイッチ制御部50からスイッチ44へのLnk_is_Bnk1_ctrl_enable 63。
リンク0からの制御、アドレスおよびデータをバンク1に与えることを可能にする、スイッチ制御部50からスイッチ44へのLnk_os_Bnk1_ctrl_enable 65。
ページバッファから、リンク1に関するリンクロジックブロックに対して読出し関連操作が実行される場合にバンクを選択するために使用される、スイッチ制御部50からスイッチ46へのLnk1_Bnk_slct<1:0>出力66。
スイッチ42、46のそれぞれに接続されて示されたバンク0出力60。この出力は、個々の設計に応じて例えば4ビット、8ビットまたは16ビットのパラレル出力とすることができ、リンクブロック内でパラレル/シリアル変換が行われる。あるいは、バンク0内に読出しアクセス用の組込パラレル/シリアル変換器がある場合、この出力はシリアル出力とすることができる。この説明の残りの部分では、この出力を8ビットのパラレル出力と想定する。
スイッチ42、46のそれぞれに接続されて示されたバンク1出力62。出力60に関して上記に説明したのと同様の解説がこの出力についても当てはまる。
スイッチ42とリンク0 10とを相互接続する接続67。
スイッチ46とリンク1 12とを相互接続する接続68。
スイッチ40の個々のスイッチング素子およびスイッチ44の個々のスイッチング素子にそれぞれ接続される、リンク0 10からの複数の出力70。
スイッチ40の個々のスイッチング素子およびスイッチ44の個々のスイッチング素子にそれぞれ接続される、リンク1 12からの複数の出力72。
バンク0 18に接続されるスイッチ40の各スイッチング素子からの個々の出力であり、74で集合的に示す出力。
バンク1 20に接続されるスイッチ44の各スイッチング素子からの個々の出力であり、76で集合的に示す出力。
リンク0用のLnk0_Bank_slct<0>、
各リンク0用のLnk0_Bank_slct<1>、
リンク1用のLnk1_Bank_slct<0>、
各リンク1用のLnk1_Bank_slct<1>、
Lnk_is_Bnk0_ctrl_enable、
Lnk_os_Bnk0_ctrl_enable、
Lnk_is_Bnk1_ctrl_enable、および
Lnk_os_Bnk1_ctrl_enableである。
以下に説明する様々なアクセスシナリオは、リンク0からバンク0へのアクセス、リンク0からバンク1へのアクセス、リンク1からバンク1へのアクセス、およびリンク1からバンク0へのアクセスを含む。
・ リンク0の位置(link_id=0)→NAND380の出力が「lnk_is」の結果に影響し、NAND388はロジック的にどんな影響も与えない。その結果はリンク0からのバンク0アクセス→内部にリンク(304A)。
・ リンク1の位置(link_id=1)→NAND388の出力が「lnk_is」の結果に影響し、NAND380はロジック的にどんな影響も与えない。その結果はリンク1からのバンク1アクセス→内部にリンク(304A)。
・ リンク0の位置(link_id=0)→NAND400の出力が「lnk_os」の結果に影響する。→Bk1<0>が入力の1つとしてNAND392にロジック的に接続される。その結果はリンク1からのバンク0アクセス→外部にリンク(304B)。
・ リンク1の位置(link_id=1)→NAND390の出力が「lnk_os」の結果に影響する。→Bk0<1>が入力の1つとしてNAND392にロジック的に接続される。その結果はリンク0からのバンク1アクセス→外部にリンク(304B)。
12 リンク1
14 制御ロジック
16 スイッチングロジック
18 バンク0
20 バンク1
30 デュアルポート構成
32 シングルポート構成
40 スイッチ
42 スイッチ
44 スイッチ
46 スイッチ
48 スイッチ制御部
48 スイッチ
49 Bnk0<1:0>
49 制御入力
50 スイッチ制御部
50 スイッチ
51 Bnk1<1:0>
51 制御入力
53 Lnk_is_Bnk0_ctrl_enable
60 Lnk_os_Bnk0_ctrl_enable
60 バンク0出力
62 バンク1出力
63 Lnk_is_Bnk1_ctrl_enable
65 Lnk_os_Bnk1_ctrl_enable
64 Lnk0_Bnk_slct<1:0>
66 Lnk1_Bnk_slct<1:0>
67 出力
67 接続
68 出力
68 接続
70 出力
72 出力
74 出力
76 出力
80 入力バッファ
82 シリアルデータ収集レジスタ
84 コマンドインタプリタ制御ロジック
86 入力バッファ
88 シリアルデータ収集レジスタ
90 コマンドインタプリタ制御ロジック
92 制御出力
94 制御出力
100 第1のNANDゲート
101 スイッチング素子
102 第2のNANDゲート
103 スイッチング素子
104 第3のNANDゲート
105 out0
110 第1のNANDゲート
112 第2のNANDゲート
114 第3のNANDゲート
115 out1
300 回路
301 無効検査ロジック
302 シングルリンク構成回路
303A 回路
303B 回路
304A スイッチロジック
304B スイッチロジック
305 リンク認識ロジック
306A 保持ロジック
306A 保持回路
306B 保持ロジック
306B 保持回路
307A バンク選択ロジック
307B バンク選択ロジック
350 NANDゲート
352 NANDゲート
354 インバータ
356 NANDゲート
358 NANDゲート
360 インバータ
370 第1のNANDゲート
372 第2のNANDゲート
374 第3のNANDゲート
380 第1のNANDゲート
380 NANDゲート
380 NAND
382 NANDゲート
388 第1のNANDゲート
388 NANDゲート
388 NAND
390 第2のNANDゲート
390 NANDゲート
390 NAND
392 第3のNANDゲート
392 NAND
400 NANDゲート
400 NAND
402 インバータ
403 インバータ
404 NANDゲート
406 インバータ
408 NANDゲート
410 インバータ
Claims (15)
- 第1のリンクと、
第2のリンクと、
第1のバンクと、
第2のバンクと、
前記第1のバンク、前記第2のバンク、前記第1のリンク、および前記第2のリンクの間でデータを切り替えるスイッチング回路と、を含み、
前記スイッチング回路は第1のスイッチングロジック回路を含み、
前記第1のスイッチングロジック回路は、
前記第1のリンクから入力データを受け取るための第1の入力と、
前記第1のリンクについての書込みのためのイネーブルを受け取るための第2の入力と、
前記第2のリンクから入力データを受け取るための第3の入力と、
前記第2のリンクについての書込みのためのイネーブルを受け取るための第4の入力と、
メモリバンクにデータを出力するための出力と、を含む、
メモリデバイス。 - 第2のスイッチングロジック回路をさらに含み、
前記第2のスイッチングロジック回路は、
前記第1のバンクから入力データを受け取るための第1の入力と、
前記第1のバンクからの読出しのためのイネーブルを受け取るための第2の入力と、
前記第2のバンクから入力データを受け取るための第3の入力と、
前記第2のバンクからの読出しのためのイネーブルを受け取るための第4の入力と、
前記第1または第2のバンクから読出されたデータを出力するための出力と、を含む、
請求項1に記載のメモリデバイス。 - 前記第1のスイッチングロジック回路は、
前記第1のリンクからのデータを受け取るための前記第1のスイッチングロジック回路の前記第1の入力と、前記第1のリンクについての書込みのための前記イネーブルを受け取るための前記第1のスイッチングロジック回路の前記第2の入力と、に接続された第1のNANDゲートと、
前記第2のリンクからデータを受け取るための前記第1のスイッチングロジック回路の前記第3の入力と、前記第2のリンクについての書込みのための前記イネーブルを受け取るための前記第1のスイッチングロジック回路の前記第4の入力と、に接続された第2のNANDゲートと、
前記第1のスイッチングロジック回路の前記出力を生成するために、前記第1のNANDゲートの出力と、前記第2のNANDゲートの出力と、に接続された第3のNANDゲートと、を含む、
請求項1に記載のメモリデバイス。 - 前記第2のスイッチングロジック回路は、
前記第1のバンクからのデータを受け取るための前記第2のスイッチングロジック回路の前記第1の入力と、前記第1のバンクからの読出しのための前記イネーブルを受け取るための前記第2のスイッチングロジック回路の前記第2の入力と、に接続された第1のNANDゲートと、
前記第2のバンクからデータを受け取るための前記第2のスイッチングロジック回路の前記第3の入力と、前記第2のバンクからの読出しのための前記イネーブルを受け取るための前記第2のスイッチングロジック回路の前記第4の入力と、に接続された第2のNANDゲートと、
前記第2のスイッチングロジック回路の前記出力を生成するために、前記第1のNANDゲートの出力と、前記第2のNANDゲートの出力と、に接続された第3のNANDゲートと、を含む、
請求項2に記載のメモリデバイス。 - 第2のスイッチングロジック回路をさらに含み、
前記第2のスイッチングロジック回路は、
前記第1のバンクから入力データを受け取るための第1の入力と、
前記第1のバンクからの読出しのためのイネーブルを受け取るための第2の入力と、
前記第2のバンクから入力データを受け取るための第3の入力と、
前記第2のバンクからの読出しのためのイネーブルを受け取るための第4の入力と、
前記第1または第2のバンクから読出されたデータを出力するための出力と、を含み、
前記第2のスイッチングロジック回路は、
前記第1のバンクからのデータを受け取るための前記第2のスイッチングロジック回路の前記第1の入力と、前記第1のバンクからの読出しのための前記イネーブルを受け取るための前記第2のスイッチングロジック回路の前記第2の入力と、に接続された第4のNANDゲートと、
前記第2のバンクからデータを受け取るための前記第2のスイッチングロジック回路の前記第3の入力と、前記第2のバンクからの読出しのための前記イネーブルを受け取るための前記第2のスイッチングロジック回路の前記第4の入力と、に接続された第5のNANDゲートと、
前記第2のスイッチングロジック回路の前記出力を生成するために、前記第1のNANDゲートの出力と、前記第2のNANDゲートの出力と、に接続された第6のNANDゲートと、を含む、
請求項3に記載のメモリデバイス。 - 第1の複数の前記第1のスイッチングロジック回路であって、各々が、前記第1のリンクからのそれぞれのデータと、前記第1のリンクについての書込みのための前記イネーブルと、前記第2のリンクからのそれぞれのデータと、前記第2のリンクについての書込みのための前記イネーブルと、を受け取ることを含む、前記第1の複数の前記第1のスイッチングロジック回路を含み、
前記第1の複数の前記第1のスイッチングロジック回路の各々は、前記第1のバンクへデータを出力するためのそれぞれの出力を有する、
請求項1に記載のメモリデバイス。 - 第1の複数の前記第1のスイッチングロジック回路であって、各々が、前記第1のリンクからのそれぞれのデータと、前記第1のリンクについての書込みのための前記イネーブルと、前記第2のリンクからのそれぞれのデータと、前記第2のリンクについての書込みのための前記イネーブルと、を受け取ることを含み、各々が、前記第2のバンクへデータを出力するためのそれぞれの出力を有する、前記第1の複数の前記第1のスイッチングロジック回路を含む、
請求項1に記載のメモリデバイス。 - 第2の複数の前記第1のスイッチングロジック回路であって、各々が、前記第1のリンクからのそれぞれのデータと、前記第1のリンクについての書込みのための前記イネーブルと、前記第2のリンクからのそれぞれのデータと、前記第2のリンクについての書込みのための前記イネーブルと、を受け取り、各々が、前記第2のバンクへデータを出力するためのそれぞれの出力を有する、前記第2の複数の前記第1のスイッチングロジック回路を含む、
請求項6に記載のメモリデバイス。 - 2つの前記第2のスイッチングロジック回路と、を含み、
前記2つの第2のスイッチングロジック回路の第1の前記出力は前記第1のリンクのためであり、前記2つの第2のスイッチングロジック回路の第2の前記出力は前記第2のリンクのためである、
請求項2に記載のメモリデバイス。 - 各々のリンクは、
前記リンク制御部の少なくとも1つの入力を介して入力コマンドおよび入力データを受け取るための入力バッファと、
入力コマンドおよび入力データをパラレル形式に変換するためのコンバータと、
入力コマンドを解釈するためのコマンドインタプリタと、を含む、
請求項1に記載のメモリデバイス。 - 第1の複数の前記第1のスイッチングロジック回路であって、各々が、前記第1のリンクからのそれぞれのデータと、前記第1のリンクについての書込みのための前記イネーブルと、前記第2のリンクからのそれぞれのデータと、前記第2のリンクについての書込みのための前記イネーブルと、を受け取り、各々が、前記第1のバンクへデータを出力するためのそれぞれの出力を有する、前記第1の複数の前記第1のスイッチングロジック回路と、
第2の複数の前記第1のスイッチングロジック回路であって、各々が、前記第1のリンクからのそれぞれのデータと、前記第1のリンクについての書込みのための前記イネーブルと、前記第2のリンクからのそれぞれのデータと、前記第2のリンクについての書込みのための前記イネーブルと、を受け取り、各々が、前記第2のバンクへデータを出力するためのそれぞれの出力を有する、前記第2の複数の前記第1のスイッチングロジック回路と、
2つの前記第2のスイッチングロジック回路であって、前記2つの第2のスイッチングロジック回路の第1の前記出力は前記第1のリンクのためであり、前記2つの第2のスイッチングロジック回路の第2の前記出力は前記第2のリンクのためである、前記2つの前記第2のスイッチングロジック回路と、を含む、
請求項2に記載のメモリデバイス。 - 第1のリンクと、
第2のリンクと、
第1のバンクと、
第2のバンクと、
前記第1のバンク、前記第2のバンク、前記第1のリンク、および前記第2のリンクとの間でデータを切り替えるスイッチング回路と、を含み、
前記スイッチング回路はスイッチングロジック回路を含み、
前記スイッチングロジック回路は、
前記第1のバンクから入力データを受け取るための第1の入力と、
前記第1のバンクからの読出しのためのイネーブルを受け取るための第2の入力と、
前記第2のバンクから入力データを受け取るための第3の入力と、
前記第2のバンクからの読出しのためのイネーブルを受け取るための第4の入力と、
前記第1または第2のバンクから読出されたデータを出力するための出力と、を含む、
メモリデバイス。 - 前記スイッチングロジック回路は、
前記第1のバンクからのデータを受け取るための前記スイッチングロジック回路の前記第1の入力と、前記第1のバンクからの読出しのための前記イネーブルを受け取るための前記スイッチングロジック回路の前記第2の入力と、に接続された第1のNANDゲートと、
前記第2のバンクからデータを受け取るための前記スイッチングロジック回路の前記第3の入力と、前記第2のバンクからの読出しのための前記イネーブルを受け取るための前記スイッチングロジック回路の前記第4の入力と、に接続された第2のNANDゲートと、
前記スイッチングロジック回路の前記出力を生成するために、前記第1のNANDゲートの出力と、前記第2のNANDゲートの出力と、に接続された第3のNANDゲートと、を含む、
請求項12に記載のメモリデバイス。 - 2つの前記スイッチングロジック回路と、を含み、
前記2つのスイッチングロジック回路の第1の前記出力は前記第1のリンクのためであり、前記2つのスイッチングロジック回路の第2の前記出力は前記第2のリンクのためである、
請求項12に記載のメモリデバイス。 - 各々のリンクは、
前記リンク制御部の少なくとも1つの入力を介して入力コマンドおよび入力データを受け取るための入力バッファと、
入力コマンドおよび入力データをパラレル形式に変換するためのコンバータと、
入力コマンドを解釈するためのコマンドインタプリタと、を含む、
請求項12に記載のメモリデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/643,850 | 2006-12-22 | ||
| US11/643,850 US7747833B2 (en) | 2005-09-30 | 2006-12-22 | Independent link and bank selection |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012136668A Division JP5591284B2 (ja) | 2006-12-22 | 2012-06-18 | 独立リンクおよびバンク選択 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014199679A true JP2014199679A (ja) | 2014-10-23 |
Family
ID=39562054
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009541717A Expired - Fee Related JP5467573B2 (ja) | 2006-12-22 | 2007-12-21 | 独立リンクおよびバンク選択 |
| JP2012136668A Expired - Fee Related JP5591284B2 (ja) | 2006-12-22 | 2012-06-18 | 独立リンクおよびバンク選択 |
| JP2014153970A Pending JP2014199679A (ja) | 2006-12-22 | 2014-07-29 | メモリデバイス |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009541717A Expired - Fee Related JP5467573B2 (ja) | 2006-12-22 | 2007-12-21 | 独立リンクおよびバンク選択 |
| JP2012136668A Expired - Fee Related JP5591284B2 (ja) | 2006-12-22 | 2012-06-18 | 独立リンクおよびバンク選択 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US7747833B2 (ja) |
| EP (1) | EP2126918A4 (ja) |
| JP (3) | JP5467573B2 (ja) |
| KR (2) | KR101370711B1 (ja) |
| CN (2) | CN103366799A (ja) |
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2006
- 2006-12-22 US US11/643,850 patent/US7747833B2/en active Active
-
2007
- 2007-12-21 KR KR1020097015434A patent/KR101370711B1/ko active Active
- 2007-12-21 TW TW103125753A patent/TWI536394B/zh active
- 2007-12-21 CN CN201310246837XA patent/CN103366799A/zh active Pending
- 2007-12-21 EP EP07855602A patent/EP2126918A4/en not_active Withdrawn
- 2007-12-21 WO PCT/CA2007/002320 patent/WO2008077244A1/en not_active Ceased
- 2007-12-21 JP JP2009541717A patent/JP5467573B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-21 KR KR1020137018555A patent/KR101392593B1/ko active Active
- 2007-12-21 CN CN2007800515754A patent/CN101611453B/zh active Active
-
2010
- 2010-04-09 US US12/757,406 patent/US7945755B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-03-31 US US13/077,122 patent/US8285960B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-18 JP JP2012136668A patent/JP5591284B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-10 US US13/608,605 patent/US8738879B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101370711B1 (ko) | 2014-03-06 |
| US20110179245A1 (en) | 2011-07-21 |
| KR101392593B1 (ko) | 2014-05-08 |
| US7945755B2 (en) | 2011-05-17 |
| CN103366799A (zh) | 2013-10-23 |
| EP2126918A1 (en) | 2009-12-02 |
| JP2012178190A (ja) | 2012-09-13 |
| JP5467573B2 (ja) | 2014-04-09 |
| US20070143677A1 (en) | 2007-06-21 |
| WO2008077244A1 (en) | 2008-07-03 |
| CN101611453A (zh) | 2009-12-23 |
| US8285960B2 (en) | 2012-10-09 |
| US20130003470A1 (en) | 2013-01-03 |
| US7747833B2 (en) | 2010-06-29 |
| TW201442039A (zh) | 2014-11-01 |
| TWI536394B (zh) | 2016-06-01 |
| JP2010514018A (ja) | 2010-04-30 |
| JP5591284B2 (ja) | 2014-09-17 |
| US8738879B2 (en) | 2014-05-27 |
| KR20130095316A (ko) | 2013-08-27 |
| KR20090097199A (ko) | 2009-09-15 |
| CN101611453B (zh) | 2013-07-10 |
| US20100199057A1 (en) | 2010-08-05 |
| EP2126918A4 (en) | 2010-01-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140729 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20140926 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150217 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150428 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20150512 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150430 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150707 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150924 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160308 |