WO2003019168A1 - Capteur de gaz mos - Google Patents

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WO2003019168A1
WO2003019168A1 PCT/JP2002/006808 JP0206808W WO03019168A1 WO 2003019168 A1 WO2003019168 A1 WO 2003019168A1 JP 0206808 W JP0206808 W JP 0206808W WO 03019168 A1 WO03019168 A1 WO 03019168A1
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Teruaki Katsube
Kousei Onoue
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Uchiya Thermostat Co Ltd
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Uchiya Thermostat Co Ltd
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    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
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Abstract

L'invention concerne un capteur de gaz MOS et un procédé permettant de fabriquer ce capteur de gaz. Le capteur de gaz décrit dans cette invention comprend un dispositif de projection à chaud de plasma (20) constitué d'un réservoir de décompression (21) pourvu d'une électrode (15) formée sur un substrat (10) et comprenant un panneau isolant (22) sur lequel le substrat est placé, et une torche à plasma (24) reliée au réservoir de décompression et présentant une sonde (26) d'alimentation en poudre et une bobine à haute fréquence (25). Le procédé de fabrication décrit dans la présente invention consiste à utiliser le dispositif de projection à chaud de plasma (20); à installer le substrat sur le panneau isolant; à régler un écartement égal ou inférieur à 1000 mm entre la pointe latérale du substrat de la sonde d'alimentation en poudre et le substrat; à décompresser le réservoir de décompression; à fournir une poudre d'oxyde métallique à l'aide de la sonde d'alimentation en poudre et, en même temps, à générer un plasma à guidage par haute fréquence à partir de la bobine à haute fréquence; et à déposer, sur la surface du substrat, l'oxyde métallique constitué d'une portion à gros grains présentant des grosses tailles de grains et d'un grand nombre de portions à petits grains formées sur la surface périphérique de la portion à gros grains.
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