JPS59119253A - ガス感応体素子 - Google Patents
ガス感応体素子Info
- Publication number
- JPS59119253A JPS59119253A JP23435082A JP23435082A JPS59119253A JP S59119253 A JPS59119253 A JP S59119253A JP 23435082 A JP23435082 A JP 23435082A JP 23435082 A JP23435082 A JP 23435082A JP S59119253 A JPS59119253 A JP S59119253A
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- JP
- Japan
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- pore diameter
- gas sensitive
- gas
- pore size
- size parts
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は応答が速く、耐久性に優れたガス感応体素子に
関するものである。
関するものである。
内燃１幾関あるいは各種燃焼機器等において排ガス中の
ガス成分を検知するのに従来より多孔性酸化物半導体レ
ラミックスを感応体素子とづる各種のガスセンサーが知
られている。この多孔性酸化物半導体セラミックスを用
いたガス感応体素子は、レラミック粒間をガスが拡散す
る速度が応答速度の律速で、その素子の応答特性が決ま
る。この為、索子の厚みを薄くしてガス交換速度を速め
る工夫が開示されたく特開昭５５−６３７４７号、特開
昭５２−１５０６９６号）、シかし素子厚みを薄くする
と、内部の電極線を素子の中心にセットすることは困難
であり、且つ機械強度も不足する。
ガス成分を検知するのに従来より多孔性酸化物半導体レ
ラミックスを感応体素子とづる各種のガスセンサーが知
られている。この多孔性酸化物半導体セラミックスを用
いたガス感応体素子は、レラミック粒間をガスが拡散す
る速度が応答速度の律速で、その素子の応答特性が決ま
る。この為、索子の厚みを薄くしてガス交換速度を速め
る工夫が開示されたく特開昭５５−６３７４７号、特開
昭５２−１５０６９６号）、シかし素子厚みを薄くする
と、内部の電極線を素子の中心にセットすることは困難
であり、且つ機械強度も不足する。
一方、半導体セラミックスの気孔径を大ぎくする方法も
あるが、初期は優れた応答を示すが、耐久後の劣化が大
ぎく、又低温活性が良くない。又耐久劣化を防ぐ為に、
担持させる貴金属触媒機を多くするど、素子の応答速度
が逆にＵくなる欠点があっ７ｊ。逆に気孔径を小さくす
ると、低温活性は良いが、応答が遅く、時には表面に１
ノ１ガス中よりデポジットが沈着し、素子表面が目詰り
し、応答が遅れる傾向がある。この改良として素子の表
面に被覆層を付けることが知られている（実開昭５５−
５３４５１号、特開昭５５−８２０−１５号、実１ｔＨ
昭５５−１００１６４号）。しかし、被１層自体の気孔
径を制御することはむつかしく、又下地の素子との密着
性を確保するには多くの困難をともなう。本発明は°こ
れらの従来の素子の欠点を改良し、耐久性、応答性に優
れ、製造しやゴいガス感応体素子を提供することを目的
とするものである。
あるが、初期は優れた応答を示すが、耐久後の劣化が大
ぎく、又低温活性が良くない。又耐久劣化を防ぐ為に、
担持させる貴金属触媒機を多くするど、素子の応答速度
が逆にＵくなる欠点があっ７ｊ。逆に気孔径を小さくす
ると、低温活性は良いが、応答が遅く、時には表面に１
ノ１ガス中よりデポジットが沈着し、素子表面が目詰り
し、応答が遅れる傾向がある。この改良として素子の表
面に被覆層を付けることが知られている（実開昭５５−
５３４５１号、特開昭５５−８２０−１５号、実１ｔＨ
昭５５−１００１６４号）。しかし、被１層自体の気孔
径を制御することはむつかしく、又下地の素子との密着
性を確保するには多くの困難をともなう。本発明は°こ
れらの従来の素子の欠点を改良し、耐久性、応答性に優
れ、製造しやゴいガス感応体素子を提供することを目的
とするものである。
かかる目的は、ガス成分にＪ：つて電気抵抗１１ｉ′１
の変化するガス感応体素子と、それに設置Ｊられた１対
の電極を協えたガス感応体素子において、ガス感応体中
に気孔径０．３〜１．０μの大気孔径部と、気孔径０．
２〜０．４μの小気孔径部とが混在し、大気孔径と小気
孔径の比が１．２以上であることを特徴とするガス感応
体素子によって達成することができる。
の変化するガス感応体素子と、それに設置Ｊられた１対
の電極を協えたガス感応体素子において、ガス感応体中
に気孔径０．３〜１．０μの大気孔径部と、気孔径０．
２〜０．４μの小気孔径部とが混在し、大気孔径と小気
孔径の比が１．２以上であることを特徴とするガス感応
体素子によって達成することができる。
以下に本発明の詳細な説明するに、本発明のガス感応体
素子はガス成分によって電気抵抗値の変化するガス感応
体とそれに設けられ１〔１対の電極とから成る。ガス感
応体を構成する材料としては、Ｓｎ ０２ 、Ｚｎ Ｏ
，Ｃｏ Ｏ，Ｔｉ ０２等の多孔性酸化物半導体セラミ
ックスが適用でき、例えば第１図に示寸形状に成形され
て使用される。第１図に示すガス感応体素子１の場合に
は電極としては白金線２が用いられるが、ガス感応体の
形状が異りる場合、例え（ｊハニカム形状又は積層体で
ある場合には、面状の電極であっても良く、ガス感応体
及び電極の形状は本発明では問わない。
素子はガス成分によって電気抵抗値の変化するガス感応
体とそれに設けられ１〔１対の電極とから成る。ガス感
応体を構成する材料としては、Ｓｎ ０２ 、Ｚｎ Ｏ
，Ｃｏ Ｏ，Ｔｉ ０２等の多孔性酸化物半導体セラミ
ックスが適用でき、例えば第１図に示寸形状に成形され
て使用される。第１図に示すガス感応体素子１の場合に
は電極としては白金線２が用いられるが、ガス感応体の
形状が異りる場合、例え（ｊハニカム形状又は積層体で
ある場合には、面状の電極であっても良く、ガス感応体
及び電極の形状は本発明では問わない。
本発明はガス感応体中に気孔径０．３−”１．０μの大
気孔径部と、気孔径０．２〜０．４μの小気孔径部どが
混在していることを特徴とするものである。尚、本発明
では、気孔径は、水銀圧入式ポロシメーターで測定され
る平均気孔径をさす。
気孔径部と、気孔径０．２〜０．４μの小気孔径部どが
混在していることを特徴とするものである。尚、本発明
では、気孔径は、水銀圧入式ポロシメーターで測定され
る平均気孔径をさす。
大気孔径部において、気孔径を０．３〜１．０μと限定
したのは、０．３μより小さくするとガス交換性を促進
させ、素子の応答性を改善させる効果が失われ、１．０
μより大きいと素子の機械的強度が劣化するからである
。大気孔径部において、特に好ましい気孔径の範囲は０
．５〜０．８μである。
したのは、０．３μより小さくするとガス交換性を促進
させ、素子の応答性を改善させる効果が失われ、１．０
μより大きいと素子の機械的強度が劣化するからである
。大気孔径部において、特に好ましい気孔径の範囲は０
．５〜０．８μである。
小気孔径部において、気孔径を０．２〜０．４μに限定
したのは、０．２μよりも小さいとガスが分子拡散をす
る事が不可能となり応答が４ｆｌ端に悪くなり、０．４
μよりも大きくなると素子の感ガス性、耐久性不足とな
るからである。特に好ましい気孔径の範囲はその感応素
子の使用用途によって決められるべきである。気化器制
御のエンジン制御システムではセン１ナーの応答より低
温活性がｍ視されるので小さめの気孔径が望ましく、電
が、これに対し、本発明の大気孔径部の効果を発揮せし
めるには、その気孔径の比は、小気孔径に対して１．２
倍以上であることが必要で、望ましくは１．５倍以上の
大気孔径を使用するのが良い。
したのは、０．２μよりも小さいとガスが分子拡散をす
る事が不可能となり応答が４ｆｌ端に悪くなり、０．４
μよりも大きくなると素子の感ガス性、耐久性不足とな
るからである。特に好ましい気孔径の範囲はその感応素
子の使用用途によって決められるべきである。気化器制
御のエンジン制御システムではセン１ナーの応答より低
温活性がｍ視されるので小さめの気孔径が望ましく、電
が、これに対し、本発明の大気孔径部の効果を発揮せし
めるには、その気孔径の比は、小気孔径に対して１．２
倍以上であることが必要で、望ましくは１．５倍以上の
大気孔径を使用するのが良い。
小気孔径部と大気孔径部の最適混在比率は、各々の気孔
径に応じて最適比率を求めるのが適当であるが、一般的
には気孔径の大きなものが１０％以上あれば効果があり
、８０％以上になると、むしろ大気孔径による欠点が目
立つようになる。望ましくは大気孔径部が３０〜６０体
積％の範囲であると実用的には多く使える。小気孔径部
と大気孔径部の混在の仕方は、小気孔径部と大気孔径部
とがそれぞれ偏在しているのではなく、第２図のように
文字通り混然１体となっている状態を指す。
径に応じて最適比率を求めるのが適当であるが、一般的
には気孔径の大きなものが１０％以上あれば効果があり
、８０％以上になると、むしろ大気孔径による欠点が目
立つようになる。望ましくは大気孔径部が３０〜６０体
積％の範囲であると実用的には多く使える。小気孔径部
と大気孔径部の混在の仕方は、小気孔径部と大気孔径部
とがそれぞれ偏在しているのではなく、第２図のように
文字通り混然１体となっている状態を指す。
このようなガス感応体素子を製造づるには、例えば原わ
１の８１１０２ 、Ｚｎ ｏ、Ｃｏ ｏ、Ｔｉ ０２等
の粉末を予め仮焼すると、仮焼温度が高い程粒子が大ぎ
くなり、粒子間隔を大ぎくすることができるので、種々
の温度で仮焼した原料粉末を所望の量比で混合し、成形
して焼成する。この混合時各粒子は１次粒のオーダーま
で粉砕されないように注意Ｊ−る必要がある。粉砕が進
みずぎると２種の１次粒子同志が近接し、互いに最密充
填をとろうとし、適度な細孔分布を得ることができない
。
１の８１１０２ 、Ｚｎ ｏ、Ｃｏ ｏ、Ｔｉ ０２等
の粉末を予め仮焼すると、仮焼温度が高い程粒子が大ぎ
くなり、粒子間隔を大ぎくすることができるので、種々
の温度で仮焼した原料粉末を所望の量比で混合し、成形
して焼成する。この混合時各粒子は１次粒のオーダーま
で粉砕されないように注意Ｊ−る必要がある。粉砕が進
みずぎると２種の１次粒子同志が近接し、互いに最密充
填をとろうとし、適度な細孔分布を得ることができない
。
逆に混合が不充分であると、粗孔粒と細孔粒はマクロ的
にも不均質となり再現性のある結果を得ることができな
い。粉末成形の場合、混合後、一旦均質な広範囲な細孔
分布を得ることができる。
にも不均質となり再現性のある結果を得ることができな
い。粉末成形の場合、混合後、一旦均質な広範囲な細孔
分布を得ることができる。
従って２次粒子の大ぎざは、成形する素子の大きさから
比較し再現性のあるマクロ的均質竹をりえる大きさから
決められるべきであり、３×４×ｉｎ＋ｍＰｉ！度の素
子の場合は１０〜２００μ程度が望ましい。１０μ以下
の場合は、１次粒の最密充１眞を起こし易く、２００μ
以上の場合、素子の大きさｈ目うみてマクロ的に不均質
になり易い。
比較し再現性のあるマクロ的均質竹をりえる大きさから
決められるべきであり、３×４×ｉｎ＋ｍＰｉ！度の素
子の場合は１０〜２００μ程度が望ましい。１０μ以下
の場合は、１次粒の最密充１眞を起こし易く、２００μ
以上の場合、素子の大きさｈ目うみてマクロ的に不均質
になり易い。
上記の方法によらず原料粉末中に焼成中飛散する合成樹
脂等の粉末を混合して同様に焼成しても良い。当然のこ
とながら本発明はこれらの製造方法により限定されるも
のではない。
脂等の粉末を混合して同様に焼成しても良い。当然のこ
とながら本発明はこれらの製造方法により限定されるも
のではない。
なお、セラミック半導体の感ガス性は低温になると低下
するので、センサーにヒーターを組み入れ１こり素子中
に触媒を担持させ、感ガス性を高めることができる。触
媒としては白金属触媒が望ましく、中でもＰｔ 、 Ｒ
ｈ 、 Ｐｄ ｈ（優れた効果が得られる。自動車排ガ
スセンリ゛−に触媒を適用するとき、触媒は低温での感
ガス性を高める事ができるが、本発明素子では多量に使
用すると素子の応答を遅くすることが本発明者らの実験
の結果判明した。この理由は触媒中に枡ガス中の成分、
特に１−１２が固溶し、この拡散速度が素子の応答をｌ
ｌ３１することによるものと考えられる。従って、触媒
を大損に使用すると、低温での感ガス性、耐久変動を良
くする事は可能であるが、応答性自体は低下するので、
おのずとその適珀が定まる。本発明者は、触媒を素子中
に均一に分散さけず、感ガスどして有効な小気孔径の部
分に多く添加する事により、応答性をイれほど低下させ
ずに、感ガス性、耐久変動を向上させる事を見い出した
。触媒添加量は個々の触媒特有の性質によって各々最適
量は定まるが、Ｐ１触媒の場合は、小気孔径部で０゜５
〜２０モル％、大気孔径部で５モル％以下が適当である
。このようにして製造されたガス感応体素子１は、例え
ば第３図のように耐熱セメント等の接着剤５によりアル
ミナ等の碍管６に接合され、該碍管６は主体金Ｍ７に取
り付けられ、碍管６の反対端より電極線２が外部に導出
されて感がス廿ン寸−とされる。
するので、センサーにヒーターを組み入れ１こり素子中
に触媒を担持させ、感ガス性を高めることができる。触
媒としては白金属触媒が望ましく、中でもＰｔ 、 Ｒ
ｈ 、 Ｐｄ ｈ（優れた効果が得られる。自動車排ガ
スセンリ゛−に触媒を適用するとき、触媒は低温での感
ガス性を高める事ができるが、本発明素子では多量に使
用すると素子の応答を遅くすることが本発明者らの実験
の結果判明した。この理由は触媒中に枡ガス中の成分、
特に１−１２が固溶し、この拡散速度が素子の応答をｌ
ｌ３１することによるものと考えられる。従って、触媒
を大損に使用すると、低温での感ガス性、耐久変動を良
くする事は可能であるが、応答性自体は低下するので、
おのずとその適珀が定まる。本発明者は、触媒を素子中
に均一に分散さけず、感ガスどして有効な小気孔径の部
分に多く添加する事により、応答性をイれほど低下させ
ずに、感ガス性、耐久変動を向上させる事を見い出した
。触媒添加量は個々の触媒特有の性質によって各々最適
量は定まるが、Ｐ１触媒の場合は、小気孔径部で０゜５
〜２０モル％、大気孔径部で５モル％以下が適当である
。このようにして製造されたガス感応体素子１は、例え
ば第３図のように耐熱セメント等の接着剤５によりアル
ミナ等の碍管６に接合され、該碍管６は主体金Ｍ７に取
り付けられ、碍管６の反対端より電極線２が外部に導出
されて感がス廿ン寸−とされる。
以」−１詳述したように本発明のガス感応体素子はガス
感応体中に気孔径０．３〜１．０μの大気孔径部と、気
孔径０．２〜０．４μの小気孔径部とが混在している。
感応体中に気孔径０．３〜１．０μの大気孔径部と、気
孔径０．２〜０．４μの小気孔径部とが混在している。
そのため人気孔径部がガス交換性を促進させて素子の応
答性を改、善させ、さらに素子表面に１１［ガス中より
１８積物が沈着した場合、表面の目詰りを防止させる。
答性を改、善させ、さらに素子表面に１１［ガス中より
１８積物が沈着した場合、表面の目詰りを防止させる。
そして小気孔径部は素子全体の機械的強度を保持する役
割を果たし、大気孔径部と小気孔径部とが程良く、混在
し組み合せられることににり本発明素子は応答↑りと耐
久性に優れたものとなるのである。
割を果たし、大気孔径部と小気孔径部とが程良く、混在
し組み合せられることににり本発明素子は応答↑りと耐
久性に優れたものとなるのである。
以下に本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はその要旨を越えない限り以下の実施例により限定
されるものではない。
発明はその要旨を越えない限り以下の実施例により限定
されるものではない。
実施例
比表面４ｉｉ３ｎｉ’１０のＴ＋ ０２を種々の温度ぐ
仮焼し、気孔径の異なる次のＡ〜ＧまでのＴ＋ ０２Ｗ
ｔわＩ粉末を得た。
仮焼し、気孔径の異なる次のＡ〜ＧまでのＴ＋ ０２Ｗ
ｔわＩ粉末を得た。
第１表
第１表の６原わ１に種々の損の触媒として白金ブラック
を添加混合しポリビニルアルコール２Φ最％を添加後、
＃２００〜３２５メツシュの粒子に造粒し、各造粒物を
適当な割合混合し、素子成形に供した。成形は、所定の
金型中に０．３φＰｔ線を挿入し、素子の電極用に使用
した。素子形状は第１図に示す形状でおよその寸法は２
．５Ｘ３゜７ ｘ １ 、 Ｏｍｍニした。
を添加混合しポリビニルアルコール２Φ最％を添加後、
＃２００〜３２５メツシュの粒子に造粒し、各造粒物を
適当な割合混合し、素子成形に供した。成形は、所定の
金型中に０．３φＰｔ線を挿入し、素子の電極用に使用
した。素子形状は第１図に示す形状でおよその寸法は２
．５Ｘ３゜７ ｘ １ 、 Ｏｍｍニした。
成形した素子は電気炉中１２００℃１時間焼成し、焼成
後筒３図のように組み立て、測定に供した。測定は索子
１を第４図のように接続し市販の２０００ｃｃ三元触媒
車にてのＥＦＩフィードバック制御をさせ、無負荷２０
００ｒ 、ｐ 、ｍ 、での制御周波数Ｈｚを測定した
。ここで応答の良いゼンリーーはど高い制御性即ち大き
なＨｚを得ることができる。ついでアイドリンクに戻し
、排ガス温が低下すると其にセンサーの活性が低下し、
フィードバック停止Ｆ直前の排ガス温を読みとり、初期
活性温度とした。このｔ＝ ａが低いセンサーはど低温
での作動性の良い即ら低温活性が良いと判定できる。
後筒３図のように組み立て、測定に供した。測定は索子
１を第４図のように接続し市販の２０００ｃｃ三元触媒
車にてのＥＦＩフィードバック制御をさせ、無負荷２０
００ｒ 、ｐ 、ｍ 、での制御周波数Ｈｚを測定した
。ここで応答の良いゼンリーーはど高い制御性即ち大き
なＨｚを得ることができる。ついでアイドリンクに戻し
、排ガス温が低下すると其にセンサーの活性が低下し、
フィードバック停止Ｆ直前の排ガス温を読みとり、初期
活性温度とした。このｔ＝ ａが低いセンサーはど低温
での作動性の良い即ら低温活性が良いと判定できる。
素子の耐久は、ガスセン与−を２０００ｃｃＥ／Ｇの排
気管中に取り付【ノアイドリングル全開を２５分間隔で
繰り返す熱サイクルにて５００時間耐久後、上記特性を
確認した。この時排ガス温度は３５０〜８００℃で変化
した。大小気孔径部混在比、素子特性を第２表に示す。
気管中に取り付【ノアイドリングル全開を２５分間隔で
繰り返す熱サイクルにて５００時間耐久後、上記特性を
確認した。この時排ガス温度は３５０〜８００℃で変化
した。大小気孔径部混在比、素子特性を第２表に示す。
第２表の結果よりＮｏ、１のように気孔径が０゜２μよ
りも小ざい小気孔径部ばがりであると応益性が悪く、Ｎ
００２のように気孔径０．３〜１゜０μの範囲内の大気
孔系部ばかりであると耐久劣化が大きく、Ｎｏ、３のよ
うにＮｏ、２にＰｔをさらに多くすると耐久劣化は小さ
くなるが、応答ｔ１１が低くなり、Ｎｏ、４のように気
孔径０．２〜０．４μの範囲内の小気孔径部（０，３μ
）ばかりであるとＮｏ、１とＮｏ、２．３の中間的な性
能となり、Ｎ０９９のように気孔径０．２〜０゜４μの
範囲内の小気孔径部（０，２５μ）ばかりで゛あると応
答性が悪く、Ｎｏ、１５のように気孔径０．３−・１．
０μの範囲内の大気孔径部と、気孔径が０．２μよりも
小ざい小気孔径とが混在しているとＮ０９１よりも応益
性は改善されるが未だ充分でなく、Ｎｏ、１７のように
大気孔径部の気孔径が１．０よりも大きくなると破損す
ることが判った。
りも小ざい小気孔径部ばがりであると応益性が悪く、Ｎ
００２のように気孔径０．３〜１゜０μの範囲内の大気
孔系部ばかりであると耐久劣化が大きく、Ｎｏ、３のよ
うにＮｏ、２にＰｔをさらに多くすると耐久劣化は小さ
くなるが、応答ｔ１１が低くなり、Ｎｏ、４のように気
孔径０．２〜０．４μの範囲内の小気孔径部（０，３μ
）ばかりであるとＮｏ、１とＮｏ、２．３の中間的な性
能となり、Ｎ０９９のように気孔径０．２〜０゜４μの
範囲内の小気孔径部（０，２５μ）ばかりで゛あると応
答性が悪く、Ｎｏ、１５のように気孔径０．３−・１．
０μの範囲内の大気孔径部と、気孔径が０．２μよりも
小ざい小気孔径とが混在しているとＮ０９１よりも応益
性は改善されるが未だ充分でなく、Ｎｏ、１７のように
大気孔径部の気孔径が１．０よりも大きくなると破損す
ることが判った。
第１図は本発明ガス感応体素子の１例を示す斜視図、第
２図は回倒の拡大断面図、第３図は回倒を使用したガス
センザーの１例を示す１部破断正面図、第４図は実施例
において制御周波数の測定に用い１部二回路図である。 １・・・ガス感応体未了 ２・・・白金線 ３・・・小気孔径部 ４・・・大気孔径部 代ｌｐ人 弁理士 足口 勉 ばか１名 第１図
２図は回倒の拡大断面図、第３図は回倒を使用したガス
センザーの１例を示す１部破断正面図、第４図は実施例
において制御周波数の測定に用い１部二回路図である。 １・・・ガス感応体未了 ２・・・白金線 ３・・・小気孔径部 ４・・・大気孔径部 代ｌｐ人 弁理士 足口 勉 ばか１名 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガス成分によって電気抵抗値の変化するガス感応体
と、それに設ＬＪられた１対の電極を備えたガス感応体
素子において、ガス感応体中に気孔径０．３〜１．０μ
の大気孔径部と、気孔径０゜２〜０．４μの小気孔径部
とが混在し、大気孔径と小気孔径の比が１．２以上であ
ることを特徴とするガス感応体素子。 ２ 大気孔径部がガス感応体中の３０〜６０体積％占め
る特許請求の範囲第１項記載のカス感応体素子。 ３ ガス成分によって電気抵抗値の変化するガス感応体
と、それに設けられた１対の電極を備えたガス感応体素
子において、ガス感応体中に気孔径０．３〜１．０μの
大気孔径部と、気孔径０゜２〜０．４μの小気孔径部と
が混在し、大気孔径と小気孔径の比が１．２以上であり
、しかも大気孔径部に担持されているＦｌ！ｌ！媒量が
小気孔径部に担持されている触媒量よりも少ないことを
特徴とするガス感応体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23435082A JPS59119253A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | ガス感応体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23435082A JPS59119253A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | ガス感応体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119253A true JPS59119253A (ja) | 1984-07-10 |
| JPH0221743B2 JPH0221743B2 (ja) | 1990-05-16 |
Family
ID=16969615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23435082A Granted JPS59119253A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | ガス感応体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119253A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003019168A1 (fr) * | 2001-08-27 | 2003-03-06 | Uchiya Thermostat Co., Ltd. | Capteur de gaz mos |
| JP2006258422A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
| JP2006275950A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | New Cosmos Electric Corp | 半導体式ガス検知素子及びその製造方法 |
| WO2007098774A1 (de) * | 2006-02-22 | 2007-09-07 | Testo Ag | Gassensor und verfahren zu dessen herstellung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5796501A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-15 | Ngk Spark Plug Co | Moisture sensitive resistance element |
| JPS59159062A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Sumitomo Alum Smelt Co Ltd | 感湿素子用感湿体の製造方法 |
-
1982
- 1982-12-25 JP JP23435082A patent/JPS59119253A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5796501A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-15 | Ngk Spark Plug Co | Moisture sensitive resistance element |
| JPS59159062A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-08 | Sumitomo Alum Smelt Co Ltd | 感湿素子用感湿体の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2003019168A1 (fr) * | 2001-08-27 | 2003-03-06 | Uchiya Thermostat Co., Ltd. | Capteur de gaz mos |
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| JP2006275950A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | New Cosmos Electric Corp | 半導体式ガス検知素子及びその製造方法 |
| WO2007098774A1 (de) * | 2006-02-22 | 2007-09-07 | Testo Ag | Gassensor und verfahren zu dessen herstellung |
| US8079256B2 (en) | 2006-02-22 | 2011-12-20 | Testo Ag | Gas sensor and method for its production |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0221743B2 (ja) | 1990-05-16 |
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