WO2003100854A2 - Elektronisches bauelement-modul und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

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Definitions

  • the invention relates to an electronic component module with a connection substrate and at least one electronic component and a method for its production.
  • EP 0782765 B1 describes a connection substrate with a semiconductor chip, a so-called PSGA (polymer stud grid array), the injection-molded substrate having molded polymer bumps with a solderable end surface.
  • PSGA polymer stud grid array
  • the polymer bumps not only have the advantage that they can be formed with the base body in one operation, but they can also absorb and compensate for stresses, for example due to thermal expansion, due to their elasticity.
  • the latter are adapted in their distribution and arrangement to the conventional grid of other connection elements, in particular the solder balls in the so-called BGA technology.
  • the grid spacing cannot be further reduced due to the properties and processing form of the solder balls.
  • the aim of the present invention is therefore to provide a connection substrate for at least one electronic component, in particular a semiconductor component, and to provide a method for its production which enables the components to be connected using flip-chip technology with extremely small grid spacings and at the same time a particularly low overall height of the module formed from the component and the connection substrate enables.
  • such a module has the following features:
  • a flat substrate body (1; 21, 22, 23; 31; 41) has on its flat top (la) a contact area with internal contacts (4) for the component (7) and on its underside (lb) external contacts (10);
  • recessed inner contact bumps (3) are formed at a distance from the connections of the component by partial removal (2) or deformation of the substrate material; an inner contact (4) is formed on the inner contact bumps (3) by metallization and provided with a solder layer; on the internal contacts, the component (7) is contacted using flip-chip technology and
  • conductor tracks (6, 12, 13, 14, 33, 34, 43, 44) extend through passage holes (5; 42) to the outer contacts (10) on the underside of the substrate body (1; 21, 22, 23; 31; 41).
  • the contacting according to the invention enables with recessed polymer bumps, flip-chip contacting down to about 100 ⁇ m.
  • the reason for this is that the solder balls in the BGA technique are pressed together for contacting during melting and thereby increase their diameter compared to their original ball diameter (about 1.3 times), while those formed on the bumps when invented Solder layer does not increase its diameter during melting, so that the contact point does not reach a larger diameter than the connection (pad) of the component itself.
  • recessed external contact bumps are also formed on the underside of the substrate body by partial removal or deformation, which are arranged in the grid of printed circuit board connections and carry the external contacts of the substrate. Depending on the arrangement and the manufacturing process of the bumps, they can be on the top or on the
  • the underside of the substrate body can be formed by annular or approximately grid-shaped notches. It is also conceivable for the surface of the With the exception of the then remaining bumps, remove the substrate body or deform it by hot stamping, so that only an edge region and possibly intermediate webs remain in the original surface plane together with the contact bumps.
  • the ring-shaped indentations can be partially metallized, in particular on their inner sides, while another part, preferably at least part of the outer regions of the indentation, are kept free from the metallization in order to form insulation paths , This can advantageously be effected on the sloping walls of the notch by laser radiation.
  • the conductor tracks on the top side and on the bottom side of the substrate body can each run in groove-shaped longitudinal trenches which are incorporated into the surface of the substrate body.
  • the through holes can be provided with a round or rectangular cross section either from the top surface to the bottom surface, or they can advantageously be produced in the area of a, for example annular, notch directly next to a hump or else in the area of a trench guiding conductor tracks. In the latter case, it is particularly advantageous to use a rectangular one To provide through hole, wherein two opposite side walls are metallized, while the intermediate side walls form insulation sections. As a result, two separate conductor tracks can be produced in a rectangular through hole, which can each be connected separately to the two conductor tracks of a groove-shaped trench.
  • Such rectangular through holes can be produced in a simple manner, for example when the substrate body is hot stamped, it being possible for oblique side walls to be machined with a laser beam in order to produce the insulation sections.
  • the substrate body can be produced from a single film, for example.
  • a base substrate on the top and / or bottom of which a backing layer is laminated, the inside contact bumps or the outside contact bumps being formed in the respective bump layer.
  • the bump layers can each be made of a different material than the base substrate. So it is possible to provide the bump layer with the inner contact bumps made of a material that is adapted in terms of its thermal expansion properties to the material of the component to be applied, preferably a semiconductor material, while a material can be used for the outer contact bumps that is adapted to a printed circuit board with regard to its thermal expansion properties.
  • a method according to the invention for producing a connection substrate has the following steps:
  • step a) external contact bumps are preferably also formed on the underside of the substrate body by deformation or partial removal, for example by circular notching, and the external contacts are produced on them in step c).
  • connection substrate according to the invention with the recessed contact bumps in a known manner by injection molding.
  • the production of the bumps according to the invention the production of the through-holes and possibly the production of grooves for guiding conductor tracks are preferably carried out using a hot stamping process or a structuring of the Substrate body with a laser beam into consideration.
  • a hot stamping process or a structuring of the Substrate body with a laser beam into consideration.
  • a structuring the metallization Structuring by means of a laser beam is preferably used to form the conductive layer.
  • an etching resist layer with a laser beam and then to remove the exposed structures in an etching process.
  • the metal layer can also be structured directly with the laser beam.
  • connection bumps with a diameter of approximately 50 to 250 ⁇ m with a grid spacing of approximately 200 ⁇ m, the height of the bumps being greater than the diameter is and can preferably be more than 1.3 times the diameter of the solder connection. This results in a good elasticity of the individual connections in a very small space.
  • FIG. 1 shows a detail from a connection substrate according to the invention for a module according to the invention
  • Figure 2 is a schematic view of the structure of internal contact bumps in connection with through holes in section
  • Figure 3 is a sectional view of a module with bumps on the top and bottom of the connection substrate
  • Figure 4 is a sectional view of a substrate with an additional bump layer on the top .
  • FIG. 5 shows a sectional view of a substrate with additional bump layers on the top and bottom
  • FIG. 6 shows a schematic detailed illustration of grooves with conductor tracks
  • FIG. 7 shows a schematic illustration of a rectangular through hole
  • FIG. 8 shows a schematic view of a conductor track structure on the upper side of a connection substrate
  • FIG. 9 shows a schematic representation of a conductor track structure on the underside of a connection substrate, Höcker
  • FIG. 11 shows an embodiment of a substrate body that is further modified compared to FIG. 10 to show the solder application and
  • Figure 12 is a schematic sectional view of a module according to the invention in a further modification.
  • connection substrate essentially consists of a substrate body 1 made of insulating material, for example LCP or another, preferably thermoplastic.
  • annular notches 2 are made, for example by means of an embossing stamp or also by removal with a laser beam.
  • This ring-shaped against notches 2 the depth of which can be, for example, 50 to 200 ⁇ m, internal contact bumps 3 are formed, the grid spacings of which correspond to the contact spacings of a semiconductor component, so that flip-chip contacting is possible directly on the upper side of the connection substrate is.
  • internal contacts in the form of a metal layer are applied to the top of the bumps 3.
  • through holes 5 are produced between the upper side la and the lower side lb of the substrate body, in which case the through holes 5 each open into a notch 2.
  • a direct conductive connection is thus produced from the inner contacts 4 via the through holes 5 to the underside 1b of the substrate body.
  • FIG. 2 shows a section of the structure of internal contact bumps 3.
  • the substrate body is coated with a metallization layer, which is partially removed again in a structuring process , so that a metal layer 6, preferably a copper layer, remains on the circumference of the inner contact bumps 3, while the outer walls of the notches 2 are freed from the metallization and thus act as insulation sections.
  • Metallization is also applied to the tip of the bumps 3 to form the internal contacts 4. In addition there is a solder layer, which is not shown here.
  • the through holes 5 are made during the metallization process. was also lined with a metal layer. The holes themselves can then be closed either with metal or with a plastic compound.
  • FIG. 3 in turn shows a section through a schematically illustrated connection substrate 1, with internal contact bumps 3 with internal contacts 4 for flip-chip contacting with connections 17 of a semiconductor chip 7 or another component being formed on the upper side.
  • external contact bumps 9 are formed in the same way by ring-shaped notches 8, which are also recessed into the surface of the substrate and each carry an external contact 10 on their tip. These external contact bumps 9 are in their size and in their grid spacing at the connections of a printed circuit board
  • connection between the inner contacts 4 and the outer contacts 10 takes place via the metallized through holes 5 and a corresponding conductor track structure
  • the metallization and structuring of the conductor layers on the top and the bottom of the substrate body can be carried out in one process step.
  • Figure 4 shows a modification to Figure 3.
  • the substrate body consists of a base substrate 21, on the underside of which the external contact bumps 9 are arranged as in the previous example.
  • a first bump layer 22 is laminated onto the top of this base substrate 21, in which the internal contact bumps 3 are shaped as in the previous examples.
  • the bump layer 22 can better match the properties, in particular the thermal expansion properties, of a can be adapted to the component, for example to the properties of a semiconductor material.
  • FIG. 5 shows a further modification, in which case the base substrate 21 carries not only a first bump layer 22 on the top but also a second bump layer 23 on the bottom.
  • the bump layers 22 and 23 can thus be selected in different ways in each case to match their contact partners, that is to say the first bump layer 22 can be matched to a component material and the second bump layer 23 can be matched to the properties of a printed circuit board material.
  • FIG. 5 also shows the possibility of applying and structuring conductor tracks on the top and the bottom of the base substrate 21 before the bump layers 22 and 23 are laminated on.
  • the through holes 5 each penetrate only the base substrate 21 and are connected on the upper side to upper-side conductor tracks 24 and on the underside to lower-side conductor tracks 25, which in turn are connected to metallizations 6 in the notches 2 and 8, respectively.
  • conductor tracks can be arranged on the underside or on the top of a substrate body 31 in groove-shaped trenches 32, which are shown only schematically in FIG. 6 as short sections.
  • Such trenches can also be shaped during the manufacture of the substrate, ie during the formation of the notches 2 by hot stamping or by laser structuring.
  • the inclined side walls 33 and 34 are preferably metallized in these trenches 32, while the bottom surfaces 35 and the upper edge regions 36 are not metallized and serve as insulating sections. In this way, two can each in a trench 32 Conductor tracks are created on opposite walls.
  • the depths of the trenches can also be approximately 50 ⁇ m in this example.
  • FIG. 7 also schematically shows the design of a rectangular through hole that narrows on one side
  • a rectangular through hole 42 is formed in a substrate body 41, which is only indicated, for example by hot stamping the substrate.
  • inclined side walls 43, 44, 45 and 46 are produced in that the side lengths cl and dl on the upper side are greater than the side lengths c2 and d2 on the underside.
  • the top and bottom sides of the substrate body can also be interchanged, so that, for example, the larger hole width can optionally be provided on the chip side of the connection substrate or on the circuit board side.
  • Feedthroughs of this type can be provided in the substrate body where it is cheapest.
  • Such a through hole in the region of a trench 32 according to FIG. 6 is advantageous, for example.
  • a conductor track 33 from FIG. 6 could be connected to a feed-through conductor track 43 and a conductor track 34 to a feed-through conductor track 44.
  • FIGS. 8 and 9 each schematically show possible configurations of the top side of a connection substrate (FIG. 8) and the bottom side (FIG. 9).
  • FIGS. 8 and 9 are not correlated with one another, they are merely basic arrangement options for the respective connection elements of the substrate.
  • FIGS. 1 to 5 show a series of internal contact bumps 3, as shown in FIGS. 1 to 5. These each have an internal contact 4. From these internal contact bumps, conductor tracks 13 partially depart, which, with a corresponding design, can also be arranged in trenches like the conductor tracks 33 and 34 (FIG. 6). Two of these conductor tracks 13 lead to a rectangular through hole 42 according to FIG. 7 with through conductor tracks 43 and 44.
  • FIG. 8 Further internal contact bumps 3 in FIG. 8 with internal contacts 4 are each connected to round through holes 5 as in FIGS. 1 to 4. These through holes can be located directly next to the bumps 3 in the area of the ring-shaped notches 2 may be arranged. Others in turn are connected to a remote through hole 5 via additional conductor tracks 14.
  • FIG. 9 shows a possible arrangement of a printed circuit board
  • FIG. 9 shows how these two conductor tracks 33, 34 are connected to the two conductive side walls 43 and 44 of a through hole.
  • FIGS. 10 to 12 schematically show further modifications of the connection substrate or the module according to the invention.
  • FIG. 10 schematically shows a substrate body 51, on the upper side of which internal connection bumps 53 are produced in comparison to FIG. 2 not by ring-shaped notches but by large-area removal or deformation of the areas 52 below the surface plane 55.
  • the inner contact bumps 53 in addition to the inner contact bumps 53, only edge regions 56 and an intermediate web 57 remain in the original height.
  • the inner contact bumps 53 are then - after a previous basic metallization - with a solder layer 54
  • solderable internal contacts formed. Before the solder layer 54 is applied, the areas around the internal contact bumps 53 are expediently covered with a solder resist 58 (FIG. 11) in order to ensure the necessary insulation distance between the individual bumps.
  • This solder resist is produced and structured, for example, by spraying with subsequent laser structuring or by applying a light-sensitive layer with subsequent exposure. Known methods, such as screen printing, are suitable for applying the solder coating 54.
  • FIG. 12 once again shows a section of a module according to the invention, the upper side being removed or deformed on a substrate body 61 to form internal contact bumps 63, so that only edge regions 66 remain.
  • a semiconductor chip 7 is contacted via its connections 17 in a narrow grid spacing.
  • the underside of the substrate body 61 is largely removed in the same way to form external contact bumps 68 between the edge regions 67.
  • the external contact bumps 68 have a larger grid spacing than the internal contact bumps 63 in adaptation to the printed circuit board connections, further intermediate webs 69 can remain on the underside of the substrate body 61, on which, for example
  • Conductor tracks or the like can be arranged. It should be pointed out that the design of the depressions between the individual bumps on the top or bottom of the substrate body can be as desired, depending on the deformation method used. In any case, the bumps are sunk below the original surface level of the substrate body, that is, below the upper surface level 65 and below the underside surface level 70 of the substrate body.

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Abstract

Ein Anschluss-Substrat für mindestens ein elektronisches Bauelement besitzt einen flachen Substratkörper , in dessen ebener Oberfläche jeweils Innenkontakt-Höcker (3) zur Flip-Chip-Kontaktierung eines Bauelements und ggf. Aussenkontakt-Höcker (9) zum Anschluss an eine Leiterplatte jeweils durch Teilabtragung oder Verformung (2; 8) vertieft angeordnet sind. Durch die Herstellung dieser Kontakt-Höcker im Heisspräge-Verfahren bzw. mittels Laserabtragung können sie sehr klein und in einem engeren Raster als bisherige Chip-Anschlüsse hergestellt werden.

Description

Beschreibung
Elektronisches Bauelement-Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement-Modul mit einem Anschluss-Substrat und mindestens einem elektronischen Bauelement sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
In der EP 0782765 Bl ist bereits ein Anschluss-Substrat mit einem Halbleiterchip, ein sogenanntes PSGA (Polymer Stud Grid Array) beschrieben, wobei das spritzgegossene Substrat angeformte Polymerhöcker mit einer lötbaren Endoberfläche besitzt. Die Polymerhöcker haben nicht nur den Vorteil, dass sie in einem Arbeitsgang mit dem Grundkörper selbst ausgeformt werden können, sondern sie können aufgrund ihrer Elastizität auch Spannungen, beispielsweise aufgrund von Wärmeausdehnungen, aufnehmen und ausgleichen.
Bei den bisher bekannten Substraten mit Polymerhöckern sind Letztere in ihrer Verteilung und Anordnung an das herkömmliche Raster anderer Anschlusselemente, insbesondere der Lotkugeln in der sogenannten BGA-Technik angepasst . Bei dieser Technik können die Rasterabstände wegen der Eigenschaften und der Verarbeitungsform der Lotkugeln nicht weiter verkleinert werden. Allerdings besteht mittlerweile ein Trend zu weiterer Miniaturisierung, wobei Halbleiterbauelemente mit Flip-Chip- Anschlüssen einen Rasterabstand von 0,2 mm und kleiner besitzen und die Rasterabstände der Kontakte auf Leiterplatten von früher 1 mm und mehr inzwischen auf 0,5 mm und weiter verkleinert wurden. Ziel der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein Anschluss-Substrat für mindestens ein elektronisches Bauelement, insbesondere ein Halbleiterbauelement, zu schaffen und ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben, welches einen Anschluss der Bauelemente in Flip-Chip-Technik mit extrem geringen Rasterabständen ermöglicht und zugleich eine besonders niedrige Bauhöhe des aus Bauelement und Anschluss-Substrat gebildeten Moduls ermöglicht.
Erfindungsgemäß weist ein derartiges Modul folgende Merkmale auf :
ein flacher Substratkörper (1; 21, 22, 23; 31; 41) besitzt auf seiner ebenen Oberseite (la) einen Kontaktbereich mit Innenkontakten (4) für das Bauelement (7) und auf seiner Unterseite (lb) Außenkontakte (10) ; in dem Kontaktbereich sind durch Teilabtragung (2) oder Verformung des Substratmaterials jeweils vertieft angeordnete Innenkontakt-Höcker (3) im Abstand der Anschlüsse des Bauelementes ausgebildet; auf den Innenkontakt-Höckern (3) ist jeweils durch Metallisierung ein Innenkontakt (4) ausgebildet und mit einer Lotschicht versehen; auf den Innenkontakten ist das Bauelement (7) in Flip- Chip-Technik kontaktiert und
- von den Innenkontakten (4) erstrecken sich Leiterbahnen (6, 12, 13, 14, 33, 34, 43, 44) über Durchgangslδcher (5; 42) zu den Außenkontakten (10) auf der Unterseite des Substratkörpers (1; 21, 22, 23; 31; 41).
Durch die erfindungsgemäß vertiefte Anordnung der Innenkontakt-Höcker, die durch Teilabtragung, ringförmige Einkerbungen oder sonstige Verformung in der ansonsten ebenen Obersei- te des Substratkörpers gebildet werden, ergibt sich eine besonders platzsparende Kontaktierung des Bauelementes in Flip- Chip-Technik mit besonders niedriger Gesamthöhe. Die Spitze der Höcker fluchtet dadurch im wesentlichen mit der ursprüng- liehen planen Oberfläche des Substratkörpers; lediglich der den Kontakt bildende Lotauftrag erhebt sich über diese Ebene.
Im Vergleich mit der herkömmlichen BGA-Technik, die aufgrund der Größenverhältnisse der Lotkugeln eine Flip-Chip- Kontaktierung nur bis zu einem bestimmten Mindestabstand der Bauelementanschlüsse ermöglicht und mit der beispielsweise bei Abständen von weniger als 200μm nur eine Drahtbondverbindung möglich ist, ermöglicht die erfindungsgemäße Kontaktierung mit vertieften Polymerhöckern eine Flip-Chip- Kontaktierung bis zu etwa 100 μm. Der Grund liegt darin, daß die Lotkugeln in der BGA-Technik beim Aufschmelzen zur Kontaktierung zusammengedrückt werden und dadurch ihren Durchmesser gegenüber ihrem ursprünglichen Kugeldurchmesser vergrößern (auf das etwa 1,3-fache), während die bei der Erfin- düng auf den Höckern ausgebildete Lotschicht beim Aufschmelzen ihren Durchmesser nicht vergrößert, so daß die Kontaktstelle keinen größeren Durchmesser erreicht als der Anschluß (Pad) des Bauelementes selbst.
Vorzugsweise sind auch auf der Unterseite des Substratkörpers durch Teilabtrag oder Verformung ebenfalls vertiefte Außenkontakt-Höcker gebildet, welche im Raster von Leiterplatten- Anschlüssen angeordnet sind und die Außenkontakte des Substrats tragen. Je nach der Anordnung und dem Herstellungsver- fahren der Höcker können diese auf der Oberseite bzw. auf der
Unterseite des Substratkörpers durch ringförmige oder auch annähernd gitterförmige Einkerbungen gebildet sein. Denkbar ist es auch, im gesamten Kontaktbereich die Oberfläche des Substratkörpers mit Ausnahme der dann übrig bleibenden Höcker abzutragen oder durch Heißprägen zu verformen, so daß lediglich ein Randbereich und gegebenenfalls Zwischenstege in der ursprünglichen Oberflächenebene zusammen mit den Kontakthö- ckern stehen bleiben.
Je nach Verlauf der Leiterbahnen von den Innenkontakten zu den Durchgangslöchern oder zu anderen Anschlüssen können die ringförmigen Einkerbungen teilweise, insbesondere an ihren Innenseiten metallisiert sein, während ein anderer Teil, vorzugsweise zumindest Teile der Außenbereiche der Einkerbung, zur Bildung von Isolationsstrecken von der Metallisierung freigehalten werden. Dies kann an den schräg verlaufenden Wänden der Einkerbung vorteilhaft durch Laserbestrahlung be- wirkt werden. Die Leiterbahnen auf der Oberseite und auf der Unterseite des Substratkörpers können in bevorzugter Ausgestaltung jeweils in nutenförmigen Längsgräben verlaufen, die in die Oberfläche des Substratkörpers eingearbeitet sind. Dabei ist es vorteilhaft, dass jeweils die schrägen Seitenwände dieser Gräben zur Bildung von Leiterbahnen metallisiert sind, während der Bodenbereich und die Außenränder der Gräben, die mit Laserstrahlung gut bearbeitet werden können, von der Metallisierung freigehalten werden und somit Isolationsstrecken bilden. Auf diese Weise können sehr platzsparend jeweils zwei Leiterbahnen in einem Graben untergebracht werden.
Die Durchgangslöcher können mit rundem oder mit reckeckigem Querschnitt entweder von der oberseitigen Oberfläche bis zur unterseitigen Oberfläche vorgesehen werden, oder sie können vorteilhafterweise im Bereich einer, z.B. ringförmigen, Einkerbung direkt neben einem Höcker oder aber auch im Bereich eines Leiterbahnen führenden Grabens erzeugt werden. Im letzteren Fall ist es besonders vorteilhaft, ein rechteckiges Durchgangsloch vorzusehen, wobei jeweils zwei gegenüberliegende Seitenwände metallisiert sind, während die dazwischenliegenden Seitenwände Isolationsstrecken bilden. Dadurch können zwei getrennte Leiterbahnen in einem rechteckigen Durch- gangsloch erzeugt werden, welche jeweils getrennt mit den beiden Leiterbahnen eines nutenförmigen Grabens verbunden werden können. Solche rechteckigen Durchgangslöcher können in einfacher Weise etwa beim Heißprägen des Substratkörpers erzeugt werden, wobei schräg verlaufende Seitenwände zur Erzeu- gung der Isolationsstrecken mit einem Laserstrahl bearbeitet werden können.
Der Substratkörper kann beispielsweise aus einer einzigen Folie hergestellt werden. Es kann aber auch von Vorteil sein, ein Basis-Substrat vorzusehen, auf dessen Oberseite und/oder Unterseite jeweils eine Hδckerschicht auflaminiert wird, wobei in der jeweiligen Höckerschicht die Innenkontakt-Höcker bzw. die Außenkontakt-Höcker ausgebildet sind. In diesem Fall können die Höckerschichten jeweils aus einem anderen Material bestehen als das Basis-Substrat. So ist es möglich, die Höckerschicht mit den Innenkontakt-Höckern aus einem Material vorzusehen, das bezüglich seiner Wärmeausdehnungs- Eigenschaften dem Material des aufzubringenden Bauelementes, vorzugsweise also einem Halbleitermaterial, angepasst ist, während für die Außenkontakt-Höcker ein Material verwendet werden kann, das hinsichtlich seiner Wärmeausdehnungs- Eigenschaften an eine Leiterplatte angepasst ist.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines An- schluss-Substrats weist die folgenden Schritte auf:
a) In der Oberfläche eines folienförmigen Substratkörpers aus Polymer-Material werden zumindest auf einer Seite durch Teilabtragung oder Verformung der Oberfläche jeweils Innenkontakt-Höcker (3) geformt; b) zwischen der Oberseite und der Unterseite des Substrat- körpers werden Durchgangslöcher erzeugt; c) durch Metallisierung der Oberseite und der Unterseite des Substratkörpers sowie der Durchgangslδcher wird eine Leiterschicht erzeugt; d) durch gezielte Strukturierung der Leiterschicht werden Innenkontakte auf den Innenkontakt-Höckern der Oberseite, Außenkontakte auf der Unterseite und zur Bildung elektrisch leitender Verbindungen zwischen den Innenkontakten und den Außenkontakten erzeugt; e) die Innenkontakte werden mit einem Lot- Material beschichtet; und f) auf die Innenkontakte wird das Bauelement aufgesetzt, und seine Anschlüsse werden mit den Innenkontakten verlötet .
Vorzugsweise werden im Schritt a) auch auf der Unterseite des Substratkörpers durch Verformung oder Teilabtragung, bei- spielsweise durch kreisförmiges Einkerben, jeweils Außenkontakt-Höcker geformt, und es werden auf diesen im Schritt c) jeweils die Außenkontakte erzeugt.
Grundsätzlich wäre es zwar möglich, das erfindungsgemäße An- schluss-Substrat mit den vertieften Kontakt-Höckern auch in bekannter Weise durch Spritzgießen herzustellen. Da es jedoch um besonders kleine Abmessungen der Höcker selbst und der Teilungsabstände zwischen den Höckern geht, kommen für die erfindungsgemäße Herstellung der Höcker, die Herstellung der Durchgangslδcher und ggf. die Herstellung von Nuten zur Führung von Leiterbahnen vorzugsweise ein Heißprägeverfahren o- der eine Strukturierung des Substratkörpers mit einem Laserstrahl in Betracht. Für die Strukturierung der Metallisie- rungsschicht zur Bildung der Leiterbahnen wird vorzugsweise eine Strukturierung mittels Laserstrahl verwendet . Dabei ist es in einem Fall möglich, eine Ätzresistschicht mit einem Laserstrahl zu strukturieren und danach die freigelegten Struk- turen in einem Ätzverfahren abzutragen. Bei einer anderen Methode, die insbesondere für sehr dünne Leiterschichten Anwendung findet, kann auch die Metallschicht direkt mit dem Laserstrahl strukturiert werden.
Bei der erfindungsgemäßen Gestaltung des Anschluss-Substrats ist es möglich, in Anpassung an die Anschlüsse von Halbleiterchips Anschluss-Höcker mit einem Durchmesser von etwa 50 bis 250 μm mit einem Rasterabstand von etwa 200 μm zu erzeugen, wobei die Höhe der Höcker größer als der Durchmesser ist und vorzugsweise mehr als das 1,3-fache des Durchmessers der Lδtverbindung betragen kann. Dadurch ergibt sich auf sehr engem Raum eine gute Elastizität der einzelnen Anschlüsse.
Durch die Verwendung von vertieften Aussenkontakt-Höckern auf der Unterseite des Substratkörpers mit entsprechend kleinerem Durchmesser der Lötstellen der Außenanschlüsse wird auch auf der Leiterplatte, die das Modul aufnimmt, weniger Platz für die Kontakt selbst benötigt. Somit bleibt auf der Leiterplatte beispielsweise zwischen zwei Anschlüssen zusätzlicher Platz verfügbar, um anstelle einer Leiterbahn zwei oder drei Leiterbahnen hindurchzuführen.
Die Erfindung wird nachfolgend an Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung näher erläutert . Es zeigen
Figur 1 einen Ausschnitt aus einem erfindungsgemäßen Anschluss-Substrat für ein erfindungsgemäßes Modul, Figur 2 eine schematische Ansicht des Aufbaus von Innenkontakt-Höckern in Verbindung mit Durchgangslöchern im Schnitt, Figur 3 eine Schnittansicht eines Moduls mit Höckern auf der Ober- und Unterseite des Anschluss-Substrats, Figur 4 eine Schnittansicht eines Substrats mit einer zusätzlichen Höckerschicht auf der Oberseite,
Figur 5 eine Schnittansieht eines Substrats mit zusätzlichen Höckerschichten auf der Ober- und Unterseite, Figur 6 eine schematische Detaildarstellung von Nuten mit Leiterbahnen,
Figur 7 eine schematische Darstellung eines rechteckigen Durchgangsloches ,
Figur 8 eine schematische Ansicht einer Leiterbahnstruktur auf der Oberseite eines Anschluss-Substrats, und Figur 9 eine schematische Darstellung einer Leiterbahnstruktur auf der Unterseite eines Anschluss-Substrats, Figur 10 eine schematische Darstellung einer Substrat- Oberseite mit einer gegenüber Figur 2 abgewandelten Gestaltung der Innenkontakt-Höcker, Figur 11 eine gegenüber Figur 10 weiter abgewandelte Ausführungsform eines Substratkörpers zur Darstellung der Lotauf- bringung und
Figur 12 eine schematische Schnittdarstellung eines erfindungsgemäßen Moduls in einer weiteren Abwandlung.
In Figur 1 ist schematisch ein Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Anschluss-Substrats gezeigt. Dieses Anschluss-Substrat besteht im Wesentlichen aus einem Substratkörper 1 aus Isolierstoff, beispielsweise LCP oder einem sonstigen, vorzugs- weise thermoplastischen Kunststoff. In die Oberseite la dieses Substratkörpers 1 sind ringförmige Einkerbungen 2 eingebracht, beispielsweise mittels eines Prägestempels oder auch durch Abtragung mit- einem Laserstrahl. Durch diese ringförmi- gen Einkerbungen 2, deren Tiefe beispielsweise 50 bis 200 μm betragen kann, sind Innenkontakt-Höcker 3 gebildet, deren Rasterabstände den Kontaktabständen eines Halbleiter-Bauelementes entsprechen, so dass eine Flip-Chip-Kontaktierung un- mittelbar auf der Oberseite des Anschluss-Substrats möglich ist. Zu diesem Zweck sind auf der Spitze der Höcker 3 jeweils Innenkontakte in Form einer Metallschicht aufgebracht.
Wie in Figur 1 weiter schematisch gezeigt ist, werden bei dieser Ausführungsform jeweils Durchgangslöcher 5 zwischen der Oberseite la und der Unterseite lb des Substratkörpers erzeugt, wobei in diesem Fall die Durchgangslöcher 5 jeweils in eine Einkerbung 2 münden. Über die Metallisierung dieser Durchgangslöcher und der Außenwand der Höcker 3 wird so eine unmittelbare leitende Verbindung von den Innenkontakten 4 ü- ber die Durchgangslöcher 5 zur Unterseite lb des Substratkörpers erzeugt .
Figur 2 zeigt in einem Schnitt den Aufbau von Innenkontakt- Höckern 3. Nachdem die Einkerbungen 2 und die Durchgangslöcher 5 durch Heißprägen oder mittels Laserbestrahlung in dem Substratkörper 1 erzeugt sind, wird der Substratkörper mit einer Metallisierungsschicht überzogen, welche in einem Strukturierungsvorgang teilweise wieder abgetragen wird, so dass jeweils am Umfang der Innenkontakt-Höcker 3 eine Metall- schicht 6, vorzugsweise eine Kupferschicht, bestehen bleibt, während die Außenwände der Einkerbungen 2 von der Metallisierung befreit werden und somit als Isolationsstrecken wirken. Auf die Spitze der Höcker 3 wird ebenfalls eine Metallisie- rung zur Bildung der Innenkontakte 4 aufgebracht. Dazu kommt noch eine Lotschicht, die hier nicht eigens dargestellt ist. Die Durchgangslöcher 5 sind während des Metallisierungsvor- gangs ebenfalls mit einer Metallschicht ausgekleidet worden. Die Löcher selbst können anschließend entweder mit Metall oder auch mit einer Kunststoffmasse verschlossen werden.
Figur 3 zeigt wiederum einen Schnitt durch ein schematisch dargestelltes Anschluss-Substrat 1, wobei auf der Oberseite jeweils Innenkontakt-Höcker 3 mit Innenkontakten 4 zur Flip- Chip-Kontaktierung mit Anschlüssen 17 eines Halbleiterchips 7 oder eines anderen Bauelementes ausgebildet sind. Auf der Un- terseite des Substratkörpers sind in gleicher Weise durch ringförmige Einkerbungen 8 jeweils Außenkontakt-Höcker 9 gebildet, welche ebenfalls in die Oberfläche des Substrats versenkt sind und auf ihrer Spitze jeweils einen Außenkontakt 10 tragen. Diese Außenkontakt-Höcker 9 sind in ihrer Größe und in ihrem Rasterabstand an die Anschlüsse einer Leiterplatte
11 angepasst. Die Verbindung zwischen den Innenkontakten 4 und den Außenkontakten 10 erfolgt über die metallisierten Durchgangslöcher 5 und eine entsprechende Leiterbahnstruktur
12 auf der Unterseite lb des Substratkörpers. Die Metallisie- rung und Strukturierung der Leiterschichten auf der Oberseite und der Unterseite des Substratkörpers können in einem Verfahrenschritt durchgeführt werden.
Figur 4 zeigt eine Abwandlung gegenüber Figur 3. In diesem Fall besteht der Substratkörper aus einem Basis-Substrat 21, auf dessen Unterseite die Außenkontakt-Höcker 9 wie im vorhergehenden Beispiel angeordnet sind. Auf der Oberseite dieses Basissubstrats 21 ist allerdings eine erste Höckerschicht 22 auflaminiert , in der die Innenkontakt-Höcker 3 wie in den vorherigen Beispielen geformt werden. Auf diese Weise kann die Höckerschicht 22 noch besser an die Eigenschaften, insbesondere die Wärmeausdehnungs-Eigenschaften eines aufzulegen- den Bauelementes angepasst werden, etwa an die Eigenschaften eines Halbleitermaterials.
Figur 5 zeigt eine weitere Abwandlung, wobei in diesem Fall das Basis-Substrat 21 nicht nur auf der Oberseite eine erste Höckerschicht 22, sondern auch auf der Unterseite eine zweite Höckerschicht 23, trägt. Somit können die Höckerschichten 22 und 23 in unterschiedlicher Weise jeweils in Anpassung an ihre Kontaktpartner ausgewählt werden, also die erste Höcker- schicht 22 an ein Bauelement-Material und die zweite Höckerschicht 23 an die Eigenschaften eines Leiterplatten-Materials angepasst werden. In Figur 5 ist weiter die Möglichkeit gezeigt, Leiterbahnen auf der Oberseite und der Unterseite des Basis-Substrats 21 aufzubringen und zu strukturieren, bevor die Höckerschichten 22 und 23 auflaminiert werden. Somit durchsetzen die Durchgangslöcher 5 jeweils nur das Basissubstrat 21 und sind auf der Oberseite mit oberseitigen Leiterbahnen 24 und auf der Unterseite mit unterseitigen Leiterbahnen 25 verbunden, die ihrerseits mit Metallisierungen 6 in den Einkerbungen 2 bzw. 8 in Verbindung stehen.
Bei den Anschluss-Substraten gemäß den Figuren 1 bis 4 können Leiterbahnen auf der Unterseite oder auf der Oberseite eines Substratkörpers 31 jeweils in nutenförmigen Gräben 32 ange- ordnet sein, die in Figur 6 lediglich schematisch als kurze Abschnitte gezeigt sind. Solche Gräben können ebenfalls bei der Herstellung des Substrats, d. h. bei der Formung der Einkerbungen 2 durch Heißprägen oder durch Laserstrukturierung, mitgestaltet werden. Vorzugsweise werden in diesen Gräben 32 jeweils die schräg gestellten Seitenwände 33 und 34 metallisiert, während die Bodenflächen 35 und die oberen Randbereiche 36 nicht metallisiert sind und als Isolierstrecken dienen. Auf diese Weise können in einem Graben 32 jeweils zwei Leiterbahnen an gegenüberliegenden Wänden erzeugt werden. Die Herstellung ist relativ einfach, da nach der Metallisierung der gesamten Oberfläche des Substratkörpers einschließlich der Grabenwände die oberflächlichen Bereiche 36 und die zu der Oberfläche parallelen Bodenbereiche 35 leicht mittels eines Laserstrahls strukturiert, d. h. von der Metallisierung befreit werden können. Lediglich beispielshalber seien hier noch Größenverhältnisse angegeben, die mit einer derartigen Grabenstruktur erreicht werden können. Ein Graben 32 kann im Bodenbereich 35 eine Breite bl von 50 μm besitzen, während der Grabenabstand im Oberflächenbereich eine Breite b2 von ebenfalls 50 μm aufweisen kann. Nimmt man ferner an, dass die schräg verlaufenden Seitenwände 33 und 34 jeweils eine Breite b3 von 25 μm einnehmen, so kann man mit dieser Technik auf einer Gesamtbreite von b4 = 150 μm zwei Leiterbahnen unterbringen. Die Tiefen der Gräben kann in diesem Beispiel ebenfalls bei etwa 50 μm liegen.
Figur 7 zeigt ebenfalls schematisch die Gestaltung eines rechteckformigen, sich einseitig verengenden Durchgangsloches
42. In einem nur angedeuteten Substratkörper 41 ist ein rechteckiges Durchgangsloch 42, beispielsweise durch Heißprägen des Substrats, angeformt. Dabei werden schräge Seitenwände 43, 44, 45 und 46 dadurch erzeugt, dass die Seitenlängen cl und dl an der Oberseite größer sind als die Seitenlängen c2 und d2 auf der Unterseite. Hier sei noch erwähnt, dass Oberseite und Unterseite beim Substratkörper auch vertauscht werden können, so dass beispielsweise die größere Lochweite wahlweise auf der Chipseite des Anschluss-Substrats oder auf der Leiterplattenseite vorgesehen werden kann.
Nach der allseitigen Metallisierung des Substratkörpers 41 und auch des Durchgangslochs 42 werden dann zwei gegenüber- liegende Seiten, beispielsweise die Seiten 45 und 46, von der Metallisierung befreit, so dass zwei mit Metall beschichtete, voneinander isolierte Seitenflächen 43 und 44 bestehen bleiben. Diese bilden dann zwei getrennte Leiterbahn- Durchführungen von der Oberseite zu der Unterseite des Substrats. Durchführungen dieser Art können im Substratkörper jeweils dort vorgesehen werden, wo es am günstigsten ist. Vorteilhaft ist beispielsweise ein derartiges Durchgangsloch im Bereich eines Grabens 32 gemäß Figur 6. So könnte bei- spielsweise eine Leiterbahn 33 von Figur 6 mit einer Durchführungs-Leiterbahn 43 und eine Leiterbahn 34 mit einer Durchführungs-Leiterbahn 44 verbunden werden.
In den Figuren 8 und 9 sind jeweils schematisch mögliche Ges- taltungen der Oberseite eines Anschluss-Substrats (Figur 8) und der Unterseite (Figur 9) gezeigt. Die Schemata von Figur 8 und Figur 9 stehen jedoch nicht in Korrelation zueinander, es handelt sich lediglich um prinzipielle Anordnungsmöglichkeiten der jeweiligen Anschluss-Elemente des Substrats.
So zeigt Figur 8 eine Reihe von Innenkontakt-Höckern 3, wie sie in Figur 1 bis 5 gezeigt sind. Diese tragen jeweils einen Innenkontakt 4. Von diesen Innenkontakt-Höckern gehen teilweise Leiterbahnen 13 ab, die bei entsprechender Gestaltung auch wie die Leiterbahnen 33 bzw. 34 (Figur 6) in Gräben angeordnet sein können. Jeweils zwei dieser Leiterbahnen 13 führen zu einem rechteckigen Durchgangsloch 42 gemäß Figur 7 mit Durchgangs-Leiterbahnen 43 und 44.
Weitere Innenkontakt-Höcker 3 in Figur 8 mit Innenkontakten 4 sind jeweils mit runden Durchgangslöchern 5 wie in den Figuren 1 bis 4 verbunden. Diese Durchgangslöcher können unmittelbar neben den Höckern 3 im Bereich der ringförmigen Ein- kerbungen 2 angeordnet sein. Andere wiederum sind über zusätzliche Leiterbahnen 14 mit einem entfernten Durchgangsloch 5 verbunden.
Figur 9 zeigt eine mögliche Anordnung einer Leiterplatten-
Anschluss-Seite im Ausschnitt. Auch auf dieser Seite sind Höcker vorgesehen, nämlich die Außenkontakt-Höcker 9 mit den Außenkontakten 10, die durch ringförmige Einkerbungen 8 gebildet sind. Auch in diesem Fall sind zwei Arten von Durch- gangslöchern dargestellt, nämlich runde Durchgangslöcher 5, die unmittelbar im Bereich einer ringförmigen Einkerbung 8 angelegt sein können, und rechteckfδrmige Durchgangslöcher 42, die gemäß Figur 7 ausgebildet sind. Diese Durchgangslöcher sind jeweils mit Leiterbahnen verbunden, beispielsweise Leiterbahnpaaren 33 und 34, die gemäß Figur 6 in einem gemeinsamen Graben 32 angeordnet sind. In Figur 9 ist gezeigt, wie diese beiden Leiterbahnen 33, 34 mit den beiden leitenden Seitenwänden 43 und 44 eines Durchgangsloches verbunden sind.
In den Figuren 10 bis 12 sind schematisch weitere Abwandlungen des Anschluss-Substrats bzw. des erfindungsgemäßen Moduls gezeigt. Figur 10 zeigt schematisch einen Substratkδrper 51, auf dessen Oberseite Innenanschluss-Höcker 53 im Vergleich mit Figur 2 nicht durch ringförmige Einkerbungen, sondern durch großflächige Abtragung bzw. Verformung der Bereiche 52 unter die Oberflächenebene 55 erzeugt sind. Neben den Innenkontakt-Höckern 53 bleiben in diesem Fall lediglich Randbereiche 56 und ein Zwischensteg 57 in der ursprünglichen Höhe bestehen. Die Innenkontakt-Höcker 53 werden dann - nach einer vorherigen Grund-Metallisierung - mit einer Lotschicht 54 zur
Bildung der lötbaren Innenkontakte versehen. Vor dem Aufbringen der Lotschicht 54 werden zweckmäßigerweise die Bereiche um die Innenkontakt-Höcker 53 mit einem Lotre- sist 58 bedeckt (Figur 11) , um den notwendigen Isolationsabstand zwischen den einzelnen Höckern sicherzustellen. Dieses Lotresist wird beispielsweise durch Aufsprühen mit nachfolgender Laserstrukturierung oder durch Aufbringen einer lichtempfindlichen Schicht mit nachfolgender Belichtung erzeugt und strukturiert . Für das Aufbringen der Lotbeschichtung 54 kommen bekannte Verfahren, wie Siebdruck, in Betracht.
Figur 12 zeigt noch einmal im Schnitt ein erfindungsgemäßes Modul, wobei auf einem Substratkδrper 61 die Oberseite zur Bildung von Innenkontakt-Höckern 63 abgetragen bzw. verformt ist, so daß lediglich Randbereiche 66 stehen bleiben. Auf diesen Innenkontakt-Höckern 63 mit ihrer Lotbeschichtung 64 wird ein Halbleiterchip 7 über seine Anschlüsse 17 im engen Rasterabstand kontaktiert.
Die Unterseite des Substratkörpers 61 ist in gleicher Weise zur Bildung von Außenkontakt-Höckern 68 zwischen den Randbereichen 67 weitgehend abgetragen. Da aber die Außenkontakt- Höcker 68 in Anpassung an die Leiterplatten-Anschlüsse einen größeren Rasterabstand besitzen als die Innenkontakt-Höcker 63, können auf der Unterseite des Substratkörpers 61 weitere Zwischenstege 69 stehen bleiben, auf denen beispielsweise
Leiterbahnen oder dergleichen angeordnet sein können. Es sei darauf hingewiesen, daß die Gestaltung der Vertiefungen zwischen den einzelnen Höckern auf der Oberseite bzw. Unterseite des Substratkörpers beliebig sein kann, je nach dem angewen- deten Verformungsverfahren. In jedem Fall sind die Höcker unter das ursprüngliche Oberflächenniveau des Substratkörpers versenkt, also unter das oberseitige Oberflächenniveau 65 und unter das unterseitige Oberflächenniveau 70 des Substratkörpers .

Claims

Patentansprüche
1. Elektronisches Bauelement-Modul mit einem Anschluss- Substrat und mindestens einem elektronischen Bauelement (7) mit folgenden Merkmalen:
- ein flacher Substratkörper (1; 21, 22, 23; 31; 411; 61) besitzt auf seiner ebenen Oberseite (la) einen Kontaktbereich mit Innenkontakten (4) für das Bauelement (7) und auf seiner Unterseite (lb) Außenkontakte (10) ; in dem Kontaktbereich sind durch Teilabtragung (2) oder Verformung des Substratmaterials jeweils vertieft angeordnete Innenkontakt-Höcker (3,-53; 63) im Abstand der Anschlüsse des Bauelementes ausgebildet; - auf den Innenkontakt-Höckern (3; 53; 63) ist jeweils durch Metallisierung ein Innenkontakt (4; 54; 64) ausgebildet und mit einer LotSchicht versehen; auf den Innenkontakten ist das Bauelement (7) in Flip- Chip-Technik kontaktiert und - von den Innenkontakten (4) erstrecken sich Leiterbahnen
(6, 12, 13, 14, 33, 34, 43, 44) über Durchgangslöcher (5; 42) zu den Außenkontakten (10) auf der Unterseite des Substratkörpers (1; 21, 22, 23; 31; 41).
2. Modul nach Anspruch 1, wobei auf der Unterseite des Substratkörpers (1; 21, 22, 23;.63) durch Teilabtragung (8) oder Verformung des Substratmaterials vertieft angeordnete Außenkontakt-Höcker (9; 69) gebildet sind, welche im Abstand von Leiterplatten-Anschlüssen angeordnet sind und die Außenkontakte (10) des Substrats tragen.
3. Modul nach Anspruch 1 oder 2 , wobei die Innenkontakt-Höcker (3) und/oder die Außenkontakt-Höcker (9) jeweils durch ringförmige Einkerbungen (2; 8) im Substrat- material gebildet sind.
4. Modul nach Anspruch 3 , wobei die ringförmigen Einkerbungen (2; 8) jeweils an ihren Innenseiten (6) metallisiert sind und an ihren Außenseiten zumindest teilweise isoliert sind.
5. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei in der Oberfläche der Oberseite und/oder Unterseite des Substratkörpers (31) jeweils Längsgräben (32) ausgebildet sind, deren Seitenwände (33, 34) zumindest teilweise mit ei- ner Metallschicht zur Bildung von Leiterbahnen versehen sind.
6. Modul nach Anspruch 5 , wobei der Bodenbereich (35) der Gräben (32) isoliert ist, um an den Seitenwänden zwei voneinander isolierte Leiterbahnen (33, 34) zu bilden.
7. Modul nach einem der Ansprüche 3 bis 6, wobei jeweils Durchgangslöcher (5) mit rundem Querschnitt im Bereich jeweils einer Einkerbung (2; 8) angeordnet und an ih- ren Umfangswänden zur Bildung von Leiterbahnen metallisiert sind.
8. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei Durchgangslδcher (42) mit rechteckigem Querschnitt je- weils nur an zwei gegenüberliegenden Seitenwänden (43, 44) metallisiert sind, um zwei voneinander isolierte Durchgangs- Leiterbahnen von der Oberseite zur Unterseite des Substrats (41) zu bilden.
9. Modul nach den Ansprüchen 6 und 8 , wobei jeweils rechteckige Durchgangslöcher (43) im Bereich von Längsgräben (32) ausgebildet sind und wobei jeweils eine Leiterbahn (33, 34) auf einer Seitenwand des Längsgrabens (32) mit einer Durchgangs-Leiterbahn (43, 44) auf einer Seitenwand des Durchgangsloches (42) leitend verbunden ist.
10. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Substratkörper aus einem Basis-Substrat (21) und einer auf der Oberseite und/oder auf der Unterseite auflami- nierten Höckerschicht (22, 23) besteht und wobei in der jeweiligen Hδckerschicht (22, 23) die Innenkontakt-Höcker (3) bzw. die Außenkontakt-Höcker (9) ausgebildet sind.
11. Modul nach Anspruch 10, wobei eine auf der Oberseite des Basis-Substrats (21) angeordnete erste Höckerschicht (22) aus einem Material besteht, dessen Wärmeausdehnungs-Eigenschaften an die eines aufzubringenden Bauelementes (7) , vorzugsweise eines Halbleiter- Bauelementes, angepasst sind.
12. Modul nach Anspruch 10 oder 11, wobei eine auf der Unterseite des Basis-Substrats (21) angeordnete zweite Höckerschicht (23) aus einem Material besteht, dessen Temperaturverhalten an das einer Leiterplatte (11) angepasst ist.
13. Modul nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei unterhalb der auflaminierten Höckerschicht (22, 23) ei- ne Leiterbahnstruktur (24; 25) angeordnet ist.
14. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei das Verhältnis der Höhe eines Höckers (3; 9) zum Durchmesser der Lötstelle größer als 1, vorzugsweise größer als 1,3, ist.
15. Verfahren zur Herstellung eines Moduls nach einem der Ansprüche 1 bis 14 mit folgenden Schritten:
a) In der Oberfläche eines folienförmigen Substratkörpers (1; 21, 22, 23; 31; 41; 51,-61) aus Polymer-Material werden zumindest auf einer Seite durch Teilabtragung oder Verformung der Oberfläche jeweils Innenkontakt-Höcker (3,-53; 63) geformt ; b) zwischen der Oberseite und der Unterseite des Substrat - körpers (1; 21, 22, 23; 31; 41;51;61) werden Durchgangslöcher (5; 42) erzeugt; c) durch Metallisierung der Oberseite und der Unterseite des Substratkörpers (1;51;61) sowie der Durchgangslöcher (5; 42) wird eine Leiterschicht erzeugt; d) durch gezielte Strukturierung der Leiterschicht werden Innenkontakte (4; 54; 64) auf den Innenkontakt-Höckern der O- berseite, Außenkontakte (10) auf der Unterseite und Leiterbahnen (6, 12, 24, 25, 33, 34, 43, 44) zur Bildung e- lektrisch leitender Verbindungen zwischen den Innenkontak- ten (4) und den Außenkontakten (10) erzeugt; e) die Innenkontakte (4; 54; 64) werden mit einem Lot- Material beschichtet; und f) auf die Innenkontakte (4) wird das Bauelement (7) aufgesetzt, und seine Anschlüsse (17) werden mit den Innenkon- takten verlötet.
16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei im Schritt a) auch auf der Unterseite des Substratkörpers durch Abtragung oder Verformung des Substratmaterials jeweils in der Oberfläche vertiefte Außenkontakt-Höcker (9) geformt und auf diesen im Schritt c) jeweils die Außenkontakte (10) erzeugt werden.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, wobei die Innenkontakt-Höcker (3) und/oder die Außenkontakt-Höcker (9) durch annähernd ringförmige Einkerbungen gebildet werden.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei die Höcker (3; 9; 53,-63; 64) und die Durchgangslöcher (5; 42) jeweils durch Heißprägen erzeugt werden.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17,, wobei die Höcker (2; 8) und die Durchgangslöcher (5; 42) jeweils unter Verwendung eines Laserstrahls erzeugt werden.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, wobei die Strukturierung der Metallisierung gemäß Schritt c) unter Verwendung eines Laserstrahls erfolgt.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, wobei im Schritt a) in der Oberfläche des Substratkörpers
(31) nutartige Gräben (32) mit schrägen Seitenwänden (33, 34) angeformt werden, welche im Schritt c) metallisiert werden, wobei im Schritt d) die Bodenfläche der Gräben (35) und der Randbereich (36) an der Oberfläche des Substratkörpers (31) von der Metallschicht befreit wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 20, wobei im Schritt a) Durchgangslöcher (42) mit einem sich verjüngenden rechteckigen Querschnitt erzeugt werden, wobei weiterhin im Schritt c) die Seitenwände der Durchgangslδcher me- tallisiert werden und wobei jeweils zwei gegenüberliegende Seitenwände (45, 46) der Durchgangslöcher im Schritt d) von der Metallschicht bereit werden.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 22, wobei vor dem Schritt e) die Oberfläche des Substratkörpers (51) in den die Höcker (53) umgebenden Bereichen mit einer Lotre- sistschicht (57) bedeckt werden und wobei im Schritt e) das Lotmaterial (54) auf die Höcker (53) aufgebracht wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 23, wobei vor dem Schritt a) auf ein Basissubstrat (21) oberseitig und/oder unterseitig eine Höckerschicht (22, 23) auflaminiert wird und im Schritt a) die Höcker (3; 9) jeweils in der Höckerschicht (22; 23) erzeugt werden.
25. Verfahren nach Anspruch 24, wobei vor dem Auflaminieren der Höckerschicht (22; 23) jeweils eine Leiterbahnstruktur (24; 25) auf der Oberseite bzw. der Unterseite des Basis-Substrats (21) erzeugt wird.
26. Verfahren nach Anspruch 25, wobei die Durchgangslöcher (5) in dem Basis-Substrat (21) erzeugt werden und eine leitende Verbindung von den Durchgangs- löchern (5) zu den Innenkontakten (4) bzw. den Außenkontakten (10) jeweils über Einkerbungen (2) in der Höckerschicht (22; 23) erzeugt wird.
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