WO2004017452A1 - 色素増感型太陽電池の改良 - Google Patents

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electrode
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Shingo Ohno
Taichi Kobayashi
Takayuki Sugimura
Yoshinori Iwabuchi
Osamu Shiino
Hideo Sugiyama
Yasuo Horikawa
Shinichi Toyosawa
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    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2004Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
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    • HELECTRICITY
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    • H01G9/2031Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
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    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the first invention relates to an electrolyte for a dye-sensitized solar cell and a dye-sensitized solar cell, and in particular, to a solid electrolyte used for a dye-sensitized solar cell, and a dye sensitizer including such a solid electrolyte. It relates to a sensitive solar cell.
  • the second invention relates to an electrode for a dye-sensitized solar cell and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an improvement in a method for forming a titanium oxide thin film for sensitizing dye adsorption of a dye-sensitized solar cell.
  • the third invention relates to an organic dye-sensitized solar cell.
  • the fourth invention relates to an organic dye-sensitized solar cell and a building material such as a window glass and a roof material having the solar cell.
  • the fifth invention is directed to an organic dye-sensitized solar cell, an organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode used advantageously therefor, and a metal oxide semiconductor film advantageously used for the production of the same. About the method.
  • the sixth invention is directed to an organic dye-sensitized solar cell, an organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode which is advantageously used in the production thereof, a method for forming the same, and is advantageously used in the production of the semiconductor electrode
  • the present invention relates to a transparent electrode substrate and a method for forming the same.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a general structure of such a dye-sensitized solar cell.
  • a transparent electrode 2 is provided on a substrate 1 such as a glass substrate, and a metal oxide semiconductor film 3 on which a spectral dye is adsorbed is formed on the transparent electrode 2.
  • a counter electrode 4 is provided at an interval facing the transparent electrode 2 of the dye-sensitized semiconductor electrode, and a side portion is sealed with a sealing material 5 to form a pair with the dye-sensitized semiconductor electrode.
  • Electrolyte 6 is sealed between electrode 4.
  • the dye-adsorbing semiconductor film 3 is usually It is composed of a titanium oxide thin film on which a dye is adsorbed.
  • the dye adsorbed on the titanium oxide thin film is excited by visible light, and the generated electrons are passed to the titanium oxide fine particles to generate power.
  • the electrolyte of a dye-sensitive solar cell is generally a liquid electrolyte obtained by dissolving an oxidation-reduction substance in a solvent, and thus has a problem such as leakage of liquid from a sealing portion. This had an effect on the durability and reliability of solar cells.
  • liquid electrolyte be supported on various polymers to make it quasi-solid.However, it has been suggested that the dye-sensitized solar cell will not impair the power generation efficiency and provide more safety. An inexpensive solid electrolyte having excellent durability is desired.
  • a dye-sensitized solar cell is composed of a cell in which a power source electrode and an anode electrode are arranged to face each other, and an electrolyte is sealed therein.
  • the force Sword electrode made of a conductive glass, the anode electrode on the conductive glass, dyes are provided T io 2 thin film adsorbed.
  • the force cathode and anode electrodes, and have your interval of several tens / Zm ⁇ number mm, are oppositely arranged with an electrolyte, a dye adsorbed on the T i 0 2 thin film of the anode electrode is visible is excited by power generation is performed using the generated electrons One Manzanillo and be passed to T i 0 2 particles.
  • the anode electrode, the T i 0 2 particles Pesutoi spoon with organic binder this was applied to the transparent conductive glass substrate on which a thin film is formed, the bi Nda removed by firing at a high temperature, resulting to T i 0 2 thin film which is being prepared by adsorbing the ⁇ dye by impregnation method and the like.
  • T i 0 2 thin film coating of T i 0 2 particles of the paste in the manufacturing method of the conventional anode electrodes for forming the firing, it is necessary to use a glass having heat resistance as a substrate, a thin meat electrodes, lightweight However, it was disadvantageous for cost reduction.
  • the transparent conductive film below the T io 2 thin film is formed by normal sputtering method, T io 2 thin film of paste coating, the conventional method that form in the firing, the step of forming the transparent conductive thin film and T The method could not be carried out in an intermittent manner with the iO 2 thin film forming method, and this was industrially disadvantageous in the film forming operation.
  • a photoelectric conversion material is a material that converts light energy into electric energy by utilizing an electrochemical reaction between electrodes. For example, when light is irradiated on the photoelectric conversion material, electrons are generated on one electrode side and move to the counter electrode. The electrons that have moved to the counter electrode move as ions in the electrolyte and return to one electrode. That is, the photoelectric conversion material is a material that can continuously extract light energy as electric energy, and is therefore used for solar cells. ,
  • a solar cell using an oxide semiconductor sensitized with an organic dye without using silicon is known. Nature, 268 (1976), p. 402, a metal in which rose bengal was adsorbed as an organic dye on the surface of a sintered disk formed by compression-molding zinc oxide powder and sintering at 130 ° C for 1 hour.
  • a solar cell using an oxide semiconductor electrode has been proposed. The current Z voltage curve of this solar cell was as low as about 25 ⁇ A at an electromotive voltage of 0.2 V, and its practical application was considered to be almost impossible.
  • the oxide semiconductor and organic dye used are both mass-produced and relatively inexpensive. Obviously, this solar cell is very advantageous.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. H1-2220380 describes A metal oxide semiconductor having a spectral sensitizing dye layer such as a transition metal complex on the surface; or a metal oxide-doped titanium oxide semiconductor layer described in JP-A-5-50423 It is known to have a layer of a spectral sensitizing dye such as a transition metal complex on the surface thereof.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-92477 discloses an oxide composed of a baked oxide semiconductor fine particle aggregate.
  • semiconductor film A solar cell is disclosed. Such a semiconductor film is formed by applying a slurry of an oxide semiconductor fine powder on a transparent electrode, drying the slurry, and then baking it at 500 ° C. for about one hour.
  • An organic dye-sensitive solar cell using such an organic dye-sensitive metal oxide semiconductor film has a configuration in which both sides of a semiconductor film are sandwiched between glass substrates.
  • various studies have been made on organic dye-sensitized solar cells with regard to semiconductor films and dyes in order to bring their properties to a practical level. It is also important to study from the aspect of high efficiency utilization. Also, since both sides are glass substrates, there is a concern that scattering of glass fragments may be a problem when broken.
  • An organic dye-sensitized solar cell using such an organic dye-sensitized metal oxide semiconductor film generally has a configuration in which both sides of a semiconductor film are sandwiched between glass substrates.
  • Such solar cells are usually installed on the roof or on the roof. However, since the glass substrates are used, they are inflexible and difficult to bond, so the solar cells are installed independently. I was
  • a so-called sol-gel method is used to form an oxide semiconductor film of a fired product of an aggregate of oxide semiconductor fine particles. Since such a forming method requires long-time heating at a high temperature after coating, the base material and the transparent electrode also require heat resistance. Since ordinary transparent electrodes such as ITO do not have such heat resistance, it is necessary to use fluorine-doped tin oxide, which is a transparent electrode that is particularly excellent in heat resistance. It is not suitable for applications requiring a large area, such as solar cells, because of its poor performance.
  • an oxide semiconductor film with a large surface area that does not require high heat treatment that is, an organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode with high light energy conversion efficiency, and an oxide with a much larger surface area.
  • an organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode having a semiconductor film Purpose of the invention
  • the first invention is a solid electrolyte for a dye-sensitive solar cell which is effective for improving the power generation efficiency, durability and safety of the dye-sensitive solar cell and can be manufactured at low cost, and a dye-sensitized type.
  • the purpose is to provide solar batteries.
  • the second invention makes it possible to use an organic resin film as a substrate by forming a titanium oxide thin film by reactive sputtering, thereby achieving thinner, lighter weight, lower cost, and improved production efficiency. It is another object of the present invention to provide a dye-sensitive solar cell electrode and a method for producing the dye-sensitive solar cell electrode.
  • the third invention aims to provide an organic dye-sensitized solar cell having an organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode that can efficiently use light energy.
  • the third invention is to provide an organic dye-sensitive solar cell having an organic dye-sensitive metal oxide semiconductor electrode that can efficiently utilize light energy and has little risk of breakage. Aim.
  • the fourth invention aims to provide an organic dye-sensitized solar cell that is flexible and easy to install.
  • the fourth invention is to provide an organic dye-sensitized solar cell which is flexible and easy to attach, has design and decoration, and further provides a building material in which the organic dye-sensitized solar cell is installed. The purpose is to provide.
  • the fifth invention has an object to provide a method for forming a metal oxide semiconductor film which can easily obtain a metal oxide semiconductor film having improved dye adsorbability at a low temperature.
  • a fifth aspect of the present invention is to provide an organic dye-sensitized solar cell having the organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode obtained by the above-described method and having high light energy conversion efficiency, and an organic dye-sensitized solar cell having the same.
  • the sixth invention relates to a transparent electrode substrate having a large surface area and a low resistance suitable for forming a metal oxide semiconductor film capable of obtaining a metal oxide semiconductor film having improved dye adsorbability, and a method for forming the same.
  • the purpose is to provide.
  • the sixth invention provides a method for forming a metal oxide semiconductor film capable of easily obtaining a metal oxide semiconductor film having improved dye adsorbability at a low temperature, and a method for improving the energy conversion efficiency of light advantageously obtained by this method. It is an object of the present invention to provide a high organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode and an organic dye-sensitized solar cell having the same. Summary of the Invention
  • the electrolyte for a dye-sensitized solar cell of the present invention is characterized in that a vulcanized rubber carries an oxidation-reduction substance.
  • the electrolyte for a dye-sensitized solar cell of the present invention is obtained by supporting a redox substance on a porous body composed of a polymer material having a three-dimensional continuous network skeleton structure. It is characterized by.
  • the electrolyte for a dye-sensitive solar cell of the present invention is characterized in that a phosphazene-based polymer carries an oxidation-reduction substance.
  • the electrolyte for a dye-sensitized solar cell of the present invention is characterized by comprising an ethylene monoacetate biel copolymer resin (hereinafter referred to as “EVA resin”) film supporting an oxidation-reduction substance. .
  • EVA resin ethylene monoacetate biel copolymer resin
  • the electrolyte By supporting a redox substance on a vulcanized rubber, a porous material composed of a polymer material having a three-dimensional continuous network skeleton structure, a phosphazene-based polymer, or an EVA resin film, the electrolyte is formed. Can be pseudo-solidified. This electrolyte is a dye-sensitized type Provided with excellent safety and durability, at low cost, without affecting the power generation efficiency of solar cells.
  • the dye-sensitized solar cell of the present invention comprises: a dye-sensitized semiconductor electrode; a counter electrode provided to face the dye-sensitized semiconductor electrode;
  • the solid electrolyte is the electrolyte according to any one of (1 ⁇ i) to (1 ⁇ iv) of the present invention. It has excellent power generation efficiency, durability and safety, and is provided at a low cost.
  • the method for producing an electrode for a dye-sensitive solar cell according to the present invention includes the step of forming a titanium oxide thin film on a substrate, the method for producing an electrode for a dye-sensitive solar cell, comprising: It is characterized in that the thin film is formed by reactive spacks using a Ti metal target.
  • the titanium oxide thin film is formed by reactive sputtering, a light-weight, thin-film-forming and inexpensive organic resin fill can be used as the substrate, and the substrate can be continuously formed into a transparent conductive thin film.
  • a titanium oxide thin film can be formed. Therefore, it is possible to reduce the thickness, weight, and cost of the electrode, and to improve production efficiency.
  • the reactive sputtering using the Ti metal target has a very low deposition rate under normal conditions, resulting in poor productivity.
  • a stable film can be formed at a higher speed for a longer time.
  • the dye-sensitive solar cell electrode of the present invention is a reactive sputtering method using a Ti target on an organic resin film produced by the method of the present invention (2-i). It has a titanium oxide thin film formed by the method described above, and is provided with a thin wall, a light weight and a low cost.
  • the organic dye-sensitized solar cell of the present invention includes a transparent substrate having a transparent electrode on the surface, a metal oxide semiconductor film formed on the transparent electrode, and an organic dye adsorbed on the surface of the semiconductor film.
  • An organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode comprising: an organic dye-sensitive metal oxide semiconductor electrode comprising: a counter electrode provided opposite to the electrode; and a redox electrolyte injected between the electrodes.
  • An organic dye-sensitive solar cell of the present invention comprises a transparent substrate having a transparent electrode on the surface, a metal oxide semiconductor film formed on the transparent electrode, and an organic dye adsorbed on the surface of the semiconductor film.
  • An organic dye-sensitized metal oxide semiconductor cell comprising: an organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode comprising: a counter electrode provided opposite to the electrode; and a redox electrolyte injected between both electrodes.
  • an anti-reflection film having an anti-reflection film is provided on a surface of the transparent substrate on which the transparent electrode is not provided, with an adhesive layer interposed therebetween.
  • the anti-reflection film may reduce reflectance at a wavelength at which the absorbance of the organic dye is maximum, or may have a minimum reflectance at a wavelength at which the absorbance of the organic dye is maximum. Preferably, there is. The same applies to the antireflection film. Depending on the type of dye, it will result in an efficient decrease in reflectivity.
  • the antireflection film generally comprises a transparent polymer film and an antireflection film provided thereon.
  • the antireflection film is preferably an inorganic laminated film in which a low-refractive-index transparent inorganic thin film and a high-refractive-index transparent inorganic thin film are alternately laminated in this order from the upper side. Two to six layers are preferred. It is preferable from the viewpoint of efficient use of solar energy.
  • a low refractive index transparent inorganic thin film which is the uppermost layer of the inorganic laminated film, a low refractive index transparent organic thin film may be provided.
  • the antireflection film has an ultraviolet cut layer between the transparent polymer film and the antireflection film provided thereon. Prevents pigment deterioration.
  • the high-refractive-index transparent inorganic thin film of the antireflection film is made of ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ (tin indium oxide) or ⁇ ⁇ 0, or Z nO doped with A 1, T i 0 2, S n O 2 or Z r O consisting refractive index: 1. it is 8 or more thin, also the low refractive index transparent inorganic thin film of the antireflection film but, S i 0 2, Mg F 2 or a 1 2 0 3 having a refractive index of 1.6 or less of the thin film is it is likewise preferred les.
  • the adhesive layer contains an ethylene Z-butyl acetate copolymer or a tacky acrylic resin from the viewpoint of preventing glass scattering.
  • the transparent substrate is preferably a glass plate.
  • the present inventors have found that antireflection is performed according to the absorption characteristics of ruthenium-containing dyes (ruthenium-phenanthroline, ruthenium-diketonate) and / or coumarin derivative dyes commonly used in organic dye-sensitized solar cells. By designing the sheet, we found that solar energy could be used more efficiently.
  • ruthenium-containing dyes ruthenium-phenanthroline, ruthenium-diketonate
  • coumarin derivative dyes commonly used in organic dye-sensitized solar cells.
  • the dye is a ruthenium-containing dye (ruthenium / phenanthine phosphorus, ruthenium / diketonate), and the antireflection film has a light reflectance of 10% or less (particularly, in a wavelength range of 300 to 600 nm). (5% or less) in organic dye-sensitive solar cells. Further, those having a minimum value in this range are preferable.
  • the organic dye is a coumarin derivative dye
  • the antireflection film has an organic dye having a light reflectance of 10% or less (particularly 5% or less) in a wavelength range of 400 to 600 nm. There is also. Further, those having a minimum value in this range are preferable.
  • the organic dye-sensitized solar cell of the present invention includes a transparent substrate having a transparent electrode on the surface, a metal oxide semiconductor film formed on the transparent electrode, and an organic dye adsorbed on the surface of the semiconductor film.
  • An organic dye-sensitized solar cell comprising an organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode comprising: a counter electrode provided opposite to the electrode; and a redox electrolyte injected between the two electrodes.
  • the transparent substrate is a transparent organic polymer substrate, and the counter electrode is provided on the organic polymer substrate.
  • the transparent electrode is provided between the counter electrode and the organic polymer substrate.
  • the organic polymer substrate having the counter electrode has high reflectivity, coloring and Z or pattern showing design and decoration. It is preferable to have By making the reflectivity high, the light energy of sunlight can be used effectively. By providing design features, etc., the application range of the solar cell installation location is expanded, and it becomes easier to use.
  • the coloring and the pattern showing such a design property are formed on the back surface side of the solar cell, the amount of sunlight directly hitting the coloring and the pattern is drastically reduced. Therefore, the coloring and the pattern are protected from sunlight, and there is an advantage that deterioration of the coloring and the pattern is significantly reduced.
  • the material of the (transparent) organic polymer substrate is polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, or fluororesin (eg, PTFE (polytetrafluoroethylene), ETFE (ethylene Z tetrafluoroethylene copolymer)) It is preferred that it is. These are excellent in transparency.
  • a release film is adhered to the back surface of the organic polymer substrate having the counter electrode via an adhesive layer. It can be easily attached to various places such as glass windows and wall materials. It is preferable that the adhesive layer contains an ethylenenoacetate copolymer or a tacky acrylic resin. Has excellent durability.
  • the building material of the present invention is characterized in that the organic dye-sensitized solar cell according to (4_i) is formed by applying the back surface of an organic polymer substrate having a counter electrode to the surface of the base material via an adhesive layer. It is characterized by being joined by pasting.
  • the substrate is a window glass or a roofing material.
  • an oxide semiconductor film of a fired product of an aggregate of oxide semiconductor fine particles is formed by a so-called sol-gel method. Since such a forming method requires long-time heating at a high temperature after coating, the base material and the transparent electrode also require heat resistance. Since ordinary transparent electrodes such as ITO do not have such heat resistance, it is necessary to use fluorine-doped tin oxide, which is a transparent electrode having particularly excellent heat resistance. However, it has poor conductivity and is not suitable for applications requiring a large area such as solar cells.
  • the present applicant has filed an application for an organic dye-sensitive metal oxide semiconductor film capable of easily obtaining a metal oxide semiconductor film having improved dye adsorbability at a low temperature, and an organic dye-based solar cell using the same. It has already been conducted (Japanese Patent Application No. 2000-1—3 1 4 3 3 4). This makes it possible to form an organic dye-sensitive metal oxide semiconductor film on a transparent electrode with excellent conductivity. I got it.
  • the metal oxide semiconductor films of the third and fourth inventions are metal oxide semiconductor films having improved dye adsorbability, which can be easily obtained at a low temperature. That is, such a semiconductor film is generally formed by a vapor deposition method.
  • the vapor phase film forming method is preferably a physical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a CVD method, or a plasma CVD method.
  • the vapor deposition method is a facing two-electrode target sputtering method; or, it is preferably a reactive sputtering method.
  • the metal oxide semiconductor film preferably has a thickness of 10 nm or more.
  • the method for forming a metal oxide semiconductor film according to the present invention includes: applying a coating liquid in which a metal oxide is dispersed in a binder to a substrate having a transparent electrode on a surface; Forming a metal oxide semiconductor film having a large surface area by forming a metal oxide-containing coating layer and then subjecting the metal oxide-containing coating film to ultraviolet irradiation to remove a binder (organic binder).
  • the ultraviolet light to be used is generally used at a wavelength of 1 to 4 ° ⁇ , preferably 1 to 300 nm, particularly preferably 1 to 200 nm.
  • the binder can be removed at a high speed at a low temperature.
  • the obtained metal oxide semiconductor film is a film substantially composed of only the metal oxide. Generally, all organic matter including the binder is removed.
  • the metal oxide is titanium oxide, zinc oxide, tin oxide, antimony oxide, niobium oxide, tungsten oxide or indium oxide, or a metal oxide obtained by doping another metal or another metal oxide. so Preferably, there is.
  • the metal oxide is titanium oxide, particularly an anatase type titanium oxide (from the viewpoint of light energy conversion efficiency). It is preferable that the primary particle diameter (average) of the metal oxide fine particles be in the range of 10.01 to 5 ⁇ (it facilitates formation of a film having a large porosity).
  • the resulting semiconductor film is generally made of the same material.
  • the binder is typically an organic polymer (which facilitates plasma processing).
  • the thickness of the metal oxide semiconductor film is preferably 10 nm or more (from the viewpoint of light energy conversion efficiency).
  • the organic dye-sensitive metal oxide semiconductor electrode of the present invention comprises a substrate having a transparent electrode on the surface obtained by the above method, and a metal oxide semiconductor film formed on the transparent electrode. And an organic dye adsorbed on the surface of the semiconductor film.
  • the organic dye-sensitized solar cell of the present invention comprises the above-described organic dye-sensitive metal oxide semiconductor electrode, and a counter electrode provided to face the electrode. Characterized in that a redox electrolyte is injected into the liquid crystal.
  • the method for forming a transparent electrode according to the present invention comprises: applying a coating liquid in which conductive metal oxide fine particles are dispersed in a binder to the surface of the substrate; drying the coating liquid; A film is formed, and then a binder is removed from the conductive metal oxide-containing coating film to form a coating type transparent electrode film. Then, a conductive metal oxide is further vapor-deposited on the coating type transparent electrode film. It is characterized in that a laminated transparent electrode is provided by forming a vapor-phase transparent electrode film by forming a phase.
  • a vapor-phase transparent electrode film is formed by vapor-depositing a conductive metal oxide on the surface of a substrate.
  • a coating solution dispersed in a binder is applied and dried to form a conductive metal oxide-containing coating film.
  • the binder is removed from the conductive metal oxide-containing coating film to form a transparent electrode film. It is characterized by providing a laminated transparent electrode by forming.
  • the transparent electrode is formed by a vapor phase deposition method, so that the surface is smooth and an oxide semiconductor film having a large surface area is formed on this surface.
  • the present inventors have noticed that there is a limit. Immediately In other words, the present inventors conducted a study to increase the surface area of the surface of the transparent electrode by roughening the surface of the transparent electrode, and to improve the energy conversion efficiency of light based on this. The invention has been reached.
  • both have two transparent electrode films formed by a vapor deposition method and a coating method, and are different in that the formation order is opposite. ing.
  • organic dye sensitization with high efficiency of light energy conversion which has never existed before, effectively utilizes a coating-type transparent electrode film with a large surface area obtained by removing the binder from the conductive metal oxide-containing coating film. It is possible to obtain a metal oxide semiconductor electrode and an organic dye-sensitized solar cell.
  • the removal of the binder is preferably performed by plasma treatment or ultraviolet irradiation treatment. Processing at low temperatures becomes possible.
  • the plasma treatment is preferably performed using high-frequency plasma, microwave plasma, or a hybrid type thereof. Binder removal at a low temperature can be performed at high speed.
  • the plasma treatment is preferably performed in the presence of at least one gas selected from oxygen, fluorine, and chlorine. Promotes binder decomposition.
  • the wavelength of the ultraviolet light used for the ultraviolet irradiation treatment is preferably in the range of 1 to 400. Rapid processing becomes possible. Further, the ultraviolet irradiation treatment is preferably performed in the presence of at least one gas selected from ozone, oxygen, a fluorine atom-containing compound and a chlorine atom-containing compound. Promotes binder decomposition.
  • Conductive metal oxide used in the coating (fine) power I n 2 0 3 ⁇ S n (I TO), S n0 2: S b, S n0 2: F, ZnO: A l, S n0 2, Z nO: F, it is at least one selected from C d S n0 4. High conductivity is obtained.
  • the binder is generally an organic compound such as an organic polymer (particularly a polyalkylene glycol).
  • the vapor phase film forming method for forming the vapor type transparent electrode film is preferably a physical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a CVD method or a plasma CVD method.
  • the thickness of the vapor-phase transparent electrode film is preferably in the range of 0.1 to 100 nm,
  • the thickness of the coating type transparent electrode film is preferably in the range of 10 to 50 O nm. This ensures a large surface area.
  • the present invention also resides in a transparent electrode substrate having a transparent electrode film formed on a substrate surface according to the above-described method for forming a transparent electrode film.
  • the present invention is also a method for forming a metal oxide semiconductor film including a step of forming a metal oxide semiconductor film on a transparent electrode of the transparent electrode film substrate by a vapor deposition method.
  • the vapor deposition method is preferably a physical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a CVD method, or a plasma CVD method.
  • the metal oxide is titanium oxide, zinc oxide, tin oxide, antimony oxide, niobium oxide, tandasten oxide or indium oxide, or a metal oxide doped with another metal or another metal oxide.
  • the metal oxide is titanium oxide, particularly an anatase type titanium oxide (from the viewpoint of light energy conversion efficiency).
  • the thickness of the metal oxide semiconductor film is preferably 1 Onm or more (from the viewpoint of light energy conversion efficiency).
  • the organic dye-sensitive metal oxide semiconductor electrode of the present invention includes a substrate having a transparent electrode on the surface obtained by the above method, a metal oxide semiconductor film formed on the transparent electrode, And an organic dye adsorbed on the surface of the semiconductor film.
  • the organic dye-sensitive solar cell of the present invention comprises the above-described organic dye-sensitive metal oxide semiconductor electrode and a counter electrode provided to face the electrode. It is characterized in that a redox electrolyte is injected between the electrodes.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a general structure of a dye-sensitized solar cell.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a three-dimensionally continuous network skeleton structure of the porous body according to the invention (1-ii).
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an embodiment of the electrode for a dye-sensitized solar cell of the second invention.
  • FIG. 4 is a sectional view showing an example of the embodiment of the solar cell of the third invention.
  • FIG. 5 is a sectional view showing another example of the embodiment of the solar cell of the third invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the embodiment of the antireflection film of the third invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an example of the embodiment of the solar cell according to the fourth invention.
  • FIG. 8 is a sectional view showing an example of another embodiment of the solar cell of the fourth invention.
  • FIG. 9 is a sectional view showing an example of another embodiment of the solar cell of the fourth invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating an example of a method for forming a metal oxide semiconductor film according to the fifth invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating an example of an embodiment of a solar cell according to the fifth invention.
  • FIG. 12 is a schematic view for explaining an example of the method for forming a transparent electrode according to the sixth invention.
  • FIG. 13 is a schematic diagram for explaining another example of the method for forming a transparent electrode according to the sixth invention.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing one example of a plasma generating apparatus suitably used in the method for forming a transparent electrode film in the sixth invention.
  • FIG. 15 is a sectional view showing an example of the embodiment of the solar cell of the sixth invention. Detailed description
  • the rubber component of the vulcanized rubber supporting the acid-reducing substance is natural rubber (NR), and carbon-carbon double in the structural formula.
  • Natural rubber having a bond can be used alone or as a blend of two or more.
  • the synthetic rubber include polyisoprene rubber (IR), polybutadiene rubber (BR), and polychloroprene rubber, which are homopolymers of conjugated compounds such as isoprene, butadiene, and chloroprene.
  • Styrene-butadiene copolymer rubber which is a copolymer with vinyl compounds such as acrylonitrile, bierpyridine, acrylic acid, methacrylic acid, alkyl acrylates, alkyl methacrylates, and vinyl pyridine-butadiene-styrene Polymerized rubber, acrylonitrile-butadiene copolymer rubber, acrylate-butadiene copolymer rubber, butadiene methacrylate copolymer rubber, methyl acrylate-butadiene copolymer rubber, methyl methacrylate butadiene copolymer rubber, ethylene, propylene Copolymers of olefins such as butane and isobutylene with gen compounds (eg isobutylene-isoprene copolymer rubber (IIR)), copolymers of olefins with non-conjugated gens (EPDM) (For example, ethylene-propylene-cyclopen
  • halides of the various rubbers for example, chlorinated isobutylene-isoprene copolymer rubber (CI_IIR), brominated isobutylene-isoprene copolymer rubber (Br-IIR), and the like.
  • CI_IIR chlorinated isobutylene-isoprene copolymer rubber
  • Br-IIR brominated isobutylene-isoprene copolymer rubber
  • a ring-opened polymer of norpolene may be used.
  • a saturated elastic material such as epichlorohydrin rubber, polypropylene oxide rubber, or chlorosnorefone (polyethylene) may be blended with the above rubber to be used.
  • Vulcanized rubber is produced by vulcanizing and crosslinking such a rubber component with a vulcanizing agent.
  • a vulcanizing agent sulfur, organic sulfur compounds, organic peroxides, and other crosslinking agents can be used.
  • the proportion of the vulcanizing agent is preferably 100 parts by weight of the rubber component (parts by weight, hereinafter the same). Is from 0.1 to 10 parts, more preferably from 0.1 to 6 parts.
  • a vulcanization accelerator such as aldehyde ammonias, aldehyde amines, guanidines, thioperreas, thiazoles, dithiol carbamates, xanthates, thiurams, etc. is used in combination with the above rubber component.
  • a vulcanization accelerator such as aldehyde ammonias, aldehyde amines, guanidines, thioperreas, thiazoles, dithiol carbamates, xanthates, thiurams, etc.
  • a vulcanization accelerator such as aldehyde ammonias, aldehyde amines, guanidines, thioperreas, thiazoles, dithiol carbamates, xanthates, thiurams, etc.
  • a vulcanization accelerating aid such as zinc white or stearic acid may be preferably used in an amount of 0.1 to
  • Examples of the vulcanized rubber according to (1-i) include paraffinic, naphthenic, aromatic process oil, ethylene- ⁇ -olefin, and the like. It is preferable to mix oils such as mineral oils such as raffin wax and liquid paraffin, castor oil, cottonseed oil, linseed oil, rapeseed oil, soybean oil, palm oil, coconut oil, and vegetable oils such as peanut oil. Rubber processability can be improved. The mixing amount of these oils is preferably 3 to 50 parts, more preferably 4 to 10 parts, based on 100 parts of the rubber component.
  • the vulcanized rubber according to (11-i) may further include carbon black, silica, calcium carbonate, calcium sulfate, clay, My power, etc., according to the purpose and application, etc.
  • the filler is preferably used in an amount of 0.5 to 20 parts, more preferably 1 to 10 parts, based on 100 parts of the rubber component.
  • the vulcanized rubber of (1-i) can be produced by vulcanizing the rubber composition obtained by mixing the above components with heating and pressing.
  • an organic sulfur vulcanization method using an organic sulfur compound such as dithiomorpholine or thiuram vulcanization, thermal crosslinking with an organic peroxide, ultraviolet crosslinking, radiation crosslinking, or the like can also be used.
  • a method using sulfur carboxyl which hardly reacts with iodine which is a redox substance is most preferable.
  • the compounding amount of sulfur in the sulfur or the organic sulfur compound is preferably 0.5 to 7 parts, more preferably 1 to 6 parts, per 100 parts of the rubber component.
  • the vulcanized rubber used in (1-1) preferably has an aromatic ring, particularly a benzene ring or a pyridine ring, in the side chain in order to exhibit the effect of enhancing conductivity. It is preferable to use a rubber component containing styrene, bierpyridine, or the like as a copolymer component so that is introduced.
  • the content of an aromatic ring such as a benzene ring or a pyridine ring in the vulcanized rubber is preferably 5 to 50% by weight based on all rubber components. This ratio is 5 weight. If it is less than / 0 , the effect of improving conductivity is not sufficient, and if it exceeds 50% by weight, the film becomes hard, brittle, and tough.
  • an oxidation-reduction substance is supported on such a vulcanized rubber.
  • the vulcanized rubber is loaded with the redox substance by impregnating the vulcanized rubber with the redox substance solution, for example, by immersing the vulcanized rubber in a solution of the redox substance, and then drying.
  • the polymer material constituting the three-dimensional continuous network skeleton structure of the porous body having the three-dimensional continuous network skeleton supporting a redox substance is
  • it is preferably formed of an ethylene-propylene copolymer.
  • Such a copolymer is an ethylene-propylene rubber (EPR) containing ethylene and propylene as main components, and preferably has an ethylene content of 60% by weight or more. Ethylene content is 60% by weight. If it is less than / 0 , the physical properties of the polymer network are inferior.
  • the ethylene content is preferably at least 65% by weight, more preferably at least 70% by weight, and the upper limit is preferably 95% by weight, particularly preferably 90% by weight.
  • the three-dimensional continuous network skeleton has a hard block portion such as a crystal structure and an aggregated structure, and an amorphous structure.
  • the crystallinity of the EPR is 3% or more, preferably 5% or more, and most preferably 8 ° / 0 or more. Is preferably 60%, particularly preferably 50%.
  • the melting point (Tm) of the polyethylene part showing the blockiness of the ethylene is 25 ° C or more, preferably 30 ° C or more, more preferably 35 ° C or more by differential scanning calorimetry (DSC). This is desirable.
  • the number average molecular weight of the copolymer is preferably 20,000 or more, preferably 30,000 or more, and more preferably 40,000 or more.
  • the copolymer may contain a copolymer component other than ethylene and propylene as necessary.
  • the copolymerization component include 1,5-hexadiene, 1,4-hexadiene, dicyclopentadiene, ethylidene.norposolenene, and the like.
  • One of these third components or Two or more kinds may be blended to form EPDM.
  • the content of the third component is desirably 1 to 15% by weight, preferably 2 to 10% by weight of the whole copolymer.
  • the three-dimensional continuous network skeleton according to (l_ii) may be modified by introducing a hydrophilic group such as a hydroxyl group or a lipophilic group such as a nitro group into the above-mentioned EPR and EPDM, and changing its properties, depending on the application. It is valid.
  • the three-dimensional continuous network skeleton composed of such a copolymer has a microstructure as shown in FIG.
  • reference numeral 11 denotes a three-dimensional continuous network skeleton made of the above-described copolymer
  • reference numeral 12 denotes an opening (internal communication space).
  • the opening 12 holds an oxidation-reducing substance described later. .
  • the average diameter d of the skeleton 11 is 8 ⁇ or less, preferably 0.5 to 5 ⁇ , and the average diameter D of the apertures 12 is 80 ⁇ or less, preferably 1 to 5 ⁇ . Is desirable.
  • the porosity is desirably 40% or more, and preferably in the range of 50 to 95%.
  • Such a porous body includes, for example, a polymer material such as the above-mentioned ethylene-propylene copolymer, and a larger amount of a low-molecular material than the polymer material, and the polymer material has a three-dimensional continuous network skeleton structure. It is possible to obtain a precursor in which a high molecular material forms a three-dimensional continuous network skeleton structure by mixing under a mixing condition that can form a polymer, and remove the low molecular material in the precursor to produce the precursor. it can.
  • a high-speed stirrer such as a high-shear mixer is used, and the mixing speed is set to 300 rpm or more, preferably 500 rpm or more, and more preferably 100 rpm or more. No. If high-speed stirring is not used, for example, if a low-speed mixing is performed using a roll, rotor-type mixer, or cylinder-type mixer, a uniform three-dimensional continuous network of the desired polymer material such as an ethylene-propylene copolymer is obtained. Obtaining a skeletal structure is difficult.
  • the mixing temperature is preferably in the range of 100 to 250 ° C., preferably 150 to 200 ° C., and the mixing time is preferably 1 to 120 minutes, preferably about 2 to 90 minutes. Good les.
  • crosslinking may be performed by mixing a vulcanizing agent such as sulfur or an organic peroxide, or by irradiating an electron beam.
  • a vulcanizing agent such as sulfur or an organic peroxide
  • the low-molecular material mixed with the high-molecular material may be solid or liquid, and various materials can be used depending on the application. If the low molecular weight material is an organic material, its number average molecular weight is less than 2000, preferably 10000 or less, and more preferably 500000 or less. Although there is no particular limitation on the low molecular material, the following can be exemplified.
  • Softeners Softeners for various rubbers such as mineral oils, vegetable oils, and synthetics, or for resins.
  • Mineral oils include aromatics, naphthenes, paraffins and other process oils.
  • Vegetable oils include castor oil, cottonseed oil, linseed oil, rapeseed oil, soybean oil, palm oil, palm oil, peanut oil, wood wax, pine oil, olive oil and the like.
  • Plasticizers Various ester plasticizers such as phthalate ester, phthalate mixed ester, aliphatic dibasic ester, glycol ester, fatty acid ester, phosphate ester, stearic ester, etc., epoxy plasticizer, and other plastic plastics Plasticizers for NBR such as phthalate, azide, sebacate, phosphate, polyetherene, and polyester.
  • Tackifiers Various tackifiers such as coumarone resin, coumarone-indene resin, phenol terpine resin, petroleum hydrocarbons, and rosin derivatives (Takiki Firer).
  • Oligomer Crown ether, fluorinated oligomer, polybutene, xylene resin, chlorinated rubber, polyethylene wax, petroleum resin, rosin ester rubber, polyalkylene glycol diatalylate, liquid rubber (polybutadiene, styrene-butadiene Oligomer, butadiene-acrylonitrile rubber, polychloroprene, etc.), silicone oligomer, and polyolefin.
  • Lubricants hydrocarbon lubricants such as paraffin and wax; fatty acid lubricants such as higher fatty acids and oxy fatty acids; fatty acid amide lubricants such as fatty acid amides and alkylene bis fatty acid amides; fatty acid lower alcohol esters; fatty acid polyhydric alcohol esters Lubricants such as fatty alcohols, fatty alcohols, polyhydric alcohols, polyglycols, polyglycerols, etc .;
  • latex emulsion, liquid crystal, bituminous composition, clay, natural starch, sugar, inorganic silicon oil, phosphazene and the like can also be used.
  • animal oils such as beef oil, pig oil, horse oil, etc.
  • dairy products such as bird oil, fish oil, honey, fruit juice, chocolate, and chocolate
  • hydrocarbons such as bird oil, fish oil, honey, fruit juice, chocolate, and chocolate
  • hydrocarbons such as bird oil, fish oil, honey, fruit juice, chocolate, and chocolate
  • hydrocarbons such as bird oil, fish oil, honey, fruit juice, chocolate, and chocolate
  • hydrocarbons halogenated hydrocarbons
  • alcohols such as ether, acetal, ketone fatty acid, ester, nitrogen compound, sulfur compound, etc., or various medicinal ingredients, soil improvers, fertilizers, petroleum oils, water, aqueous solutions, etc. be able to.
  • the mixing ratio of the high molecular material and the low molecular material is such that when the amount of the high molecular material such as the copolymer constituting the three-dimensional continuous network skeleton is A and the amount of the other low molecular materials is B,
  • the weight fraction of the polymer material such as a polymer [ ⁇ AZ (A + B) XI 00 ⁇ ] is preferably 30% or less, and more preferably 7 to 25%.
  • the precursor obtained in this manner is a precursor in which the above-described low-molecular material is held between the three-dimensional continuous network skeletons (in the internal communication spaces) of the three-dimensional continuous network skeleton structure formed by the polymer material.
  • the porous body according to the present invention can be obtained.
  • the method for removing the low-molecular material is not particularly limited.
  • a method in which a low-molecular material is dissolved and extracted using an appropriate solvent and the remaining solvent is volatilized and dried is suitable.
  • the solvent that can be used any solvent can be used as long as the polymer material such as an ethylene-propylene copolymer is insoluble or hardly soluble and the low-molecular material and other components are easily soluble.
  • aromatic hydrocarbons such as xylene, toluene and benzene, unsaturated aliphatic hydrocarbons such as hexene and pentene, saturated aliphatic hydrocarbons such as hexane and pentane, acetone, methyl ethyl ketone, etc.
  • Ketones ethanol
  • Alcohols such as butanol
  • chlorinated aliphatic hydrocarbons such as methylene chloride and chloroform
  • alicyclic hydrocarbons such as cyclohexanone
  • ethers such as dioxane and tetrahydrofuran
  • esters such as butyl acetate.
  • Water, an aqueous alkali solution, an aqueous acid solution, and the like can be used. One or more of these can be used alone or in combination of two or more to perform one to multiple extraction operations.
  • the precursor of the high molecular material including the low molecular material When dissolving and extracting with these solvents, specifically, it is preferable to extract the precursor of the high molecular material including the low molecular material into small pieces or thin films and then immerse the precursor into the above solvent to extract the low molecular material. It is. In this case, in order to effectively recover the low molecular weight material, especially when the low molecular weight material is in a liquid state, the precursor is compressed with a roll press, a suction machine, vacuum It is expected that most of the low molecular weight materials will be extracted by applying physical force using a centrifuge, centrifuge, or ultrasonic device, and then dissolution and extraction with a solvent will be performed.
  • thermal stability can be increased by crosslinking the polymer component with ultraviolet light, electron beam, or heating. It is also effective to change the hydrophilicity, hydrophobicity, electrical properties, optical properties, strength, and the like of the porous body by, for example, etching with a surfactant, a coupling agent, or a gas, plasma treatment, or sputtering.
  • a redox substance is supported in the voids (internal communication spaces) from which the porous low molecular material has been removed.
  • the porous body is impregnated with the redox substance solution by dipping the porous body in a solution of the redox substance, and then dried.
  • the phosphazene-based polymer supporting the redox substance is obtained by polymerizing several to several thousands of phosphazene derivatives.
  • a phosphazene derivative for example, a chain phosphazene derivative represented by the following general formula (1) (hereinafter sometimes referred to as “phosphazene derivative (1)”) or the following general formula (2) (Hereinafter, may be referred to as “phosphazene derivative (2)”).
  • R 1 represents a monovalent substituent or a halogen element.
  • X is selected from the group consisting of carbon, silicon, germanium, tin, nitrogen, phosphorus, oxygen, and thiol. Represents an organic group containing at least one of the following elements.
  • R 2 represents a monovalent substituent or a halogen element.
  • N represents 2 to 14.
  • the substituent RR 2 in the general formulas (1) and (2) is not particularly limited as long as it is a monovalent substituent or a halogen element.
  • the monovalent substituent include a hydroxyl group, an alkoxy group, and a phenoxy group.
  • the halogen element fluorine, chlorine, bromine and the like are preferable, and among these, chlorine or fluorine is preferable.
  • R 1 in the general formula (1) or R 2 in the general formula (2) may all be the same type of substituent, or some of them may be different types of substituents.
  • alkoxy groups R 1, R 2 are main butoxy ⁇ ⁇ ethoxy group, a propoxy group, butoxy group or the like Ariruokishi group containing a double bond or a main Tokishetokishi groups, such as main butoxy ethoxy E butoxy group And alkoxy-substituted alkoxy groups. Among these, an ethoxy group and a methoxetoxy group are preferred.
  • the hydrogen element in these substituents may be substituted with a halogen element as described above. Further, these substituents may contain functional groups such as hydroxyl, mercaptan, amine, carboxyl, and epoxy. Such a functional group has a site as a reaction point and enables a polymerization reaction or a cross-linking reaction, which is convenient for obtaining a high-molecular-weight one or a three-dimensional one.
  • Examples of the alkyl group represented by R 2 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and a pentyl group
  • examples of the acyl group include a formyl group, an acetyl group, a pentionyl group, a butyryl group
  • examples include an isobutyryl group and a parenyl group
  • examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.
  • amino group examples include an amino group, a methylamino group, a dimethylamino group, an ethylamino group, a acetylamino group, an aziridyl group, and a pyrrolidyl group.
  • X represents at least one element selected from the group consisting of carbon, silicon, nitrogen, phosphorus, oxygen, and zeolite from the viewpoint of harmfulness, environment, and the like.
  • An organic group containing one kind is preferable, and an organic group having a structure represented by the following general formulas (3 ⁇ ) and '(3 ⁇ ) is more preferable.
  • R 3 and R 4 represent a monovalent substituent or a halogen element.
  • R 3 and R 4 are the same monovalent substituents or halogen elements as described for R 2 in the general formulas (1) and (2).
  • R 3 which can be suitably used in each case may be of the same type or different types within the same organic group. Further, they may be bonded to each other to form a ring.
  • Z represents, for example, a CH 2 group, a CHR (R represents an alkyl group, an alkoxyl group, a phenyl group, etc .; the same applies hereinafter), an NR group, oxygen, Sulfur, selenium, boron, aluminum, scandium, gallium, yttrium, indium, lanthanum, thallium, carbon, silicon, titanium, tin, tin / genium, zirconium, lead, phosphorus, vanadium, arsenic, niobium, antimony, tantalum , Bismuth, chromium, molybdenum, tellurium, polonium, tungsten, iron, copper, nickel, and other elements containing elements.
  • NR groups, oxygen, and sulfur are preferred. Good.
  • an organic group containing phosphorus as represented by the general formula (3A) is particularly preferable, in that the self-extinguishing property or the flame retardancy can be imparted particularly effectively.
  • an organic group containing iodide as represented by the general formula (3B) is particularly preferable in terms of small interface resistance.
  • the phosphazene-based polymer can be obtained by polymerizing the above-mentioned phosphazene derivative (1) or (2) by various methods. Generally, it can be prepared by heating the phosphazene derivative (1) or (2) to 200 to 400 ° C. At this time, when an organic substance such as benzoic acid or an inorganic salt such as aluminum chloride is used as a catalyst in an amount of 0.01 to 10% by weight based on the phosphazene derivative, the polymer is formed at a lower temperature and in a shorter time. Can be prepared. Polymerization using plasma, UV, etc. other than heat is also possible.
  • the polymer can also be prepared by a coupling reaction between molecules using a substituent on the phosphorus atom of the phosphazene derivative (1) or (2).
  • a polymer is obtained in which the molecular skeleton of the phosphazene-based polymer basically retains a linear or cyclic structure.
  • the phosphazene-based polymer used in (l_iii) is not limited to a polymer obtained by polymerizing only one type of phosphazene derivative, but may be a copolymer of two or more types of phosphazene derivatives by using the above-described polymerization method. It is also possible to obtain a copolymer comprising As long as the properties of the phosphazene-based polymer are not impaired, it may contain components other than the phosphazene derivative.
  • the phosphazene-based polymer obtained by polymerizing the phosphazene derivative used in (11 Mi) preferably has a molecular weight of 100,000 or more. If the molecular weight of the phosphazene-based polymer is less than 100,000, the strength is weak and the phosphazene-based polymer may become a sol rather than a gel.
  • the phosphazene-based polymer those having a substituent containing a halogen element in the molecular structure are preferable. If the molecular structure has a substituent containing a halogen element, the resulting electrolyte can exhibit self-extinguishing properties or flame retardancy by a halogen gas derived from the phosphazene-based polymer. It becomes.
  • the substituent The generation of halogen radicals may be a problem in compounds containing lipogen elements, but in phosphazene-based polymers, the phosphorus element in the molecular structure promotes the halogen radicals and forms stable phosphorus halides. Therefore, such a problem does not occur.
  • the content of the halogen element in the phosphazene-based polymer is preferably 2 to 80% by weight, more preferably 2 to 60% by weight, and still more preferably 2 to 50% by weight. If the content is less than 2% by weight, the effect obtained by incorporating halogen may not be obtained effectively. On the other hand, if it exceeds 80% by weight, the function as an electrolyte may be reduced. If the content is less than 2% by weight, the effect obtained by containing halogen may not be obtained effectively.
  • the halogen element fluorine, chlorine, bromine and the like are preferable, and among these, fluorine is particularly preferable.
  • the phosphazene-based polymer thus obtained is loaded with an oxidizing and reducing substance.
  • the supporting of the oxidation-reducing substance on the phosphazene-based polymer is performed, for example, by impregnating the oxidation-reduction substance solution by immersing the phosphazene-based polymer in a solution of the oxidation-reduction substance, dry.
  • the EVA resin constituting the EVA resin film supporting the redox substance has a vinyl acetate content of 5 to 50% by weight, particularly 15 to 50% by weight. 40% by weight is preferred. If the content of butyl acetate in the EVA resin is less than 5% by weight, there is a problem in weather resistance and transparency. If the content exceeds 40% by weight, mechanical properties are remarkably reduced, and film formation becomes difficult. Mutual blocking occurs.
  • a cross-linking agent is added to the EVA resin composition, which is a film-forming material for the EVA resin film, so that the obtained EVA resin film has a cross-linking structure.
  • the upper electrode and the lower electrode also function as an adhesive when integrated.
  • an organic peroxide is suitable as the crosslinking agent, and is selected in consideration of film processing temperature, crosslinking temperature, storage stability and the like.
  • peroxides examples include 2,5-dimethinolehexane-1,2,5-dihydride peroxide; 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane-13; di-t -Butyl peroxide; t-ptinoletamyl peroxide; 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane; dicuminoleperoxide; ⁇ , ⁇ , 1-bis (t-butylperoxyisopropyl) benzene; n-butyl-14,4-bis (t-butyltinoleoxy) parrelate 1,2-bis (t-butylperoxy) butane; 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclo
  • the organic peroxide is usually kneaded with the EVA resin by an extruder, roll mill, etc., but is dissolved in an organic solvent, plasticizer, vinyl monomer, etc., and added by impregnating the formed EVA resin film. 3 ⁇ 4 You can also mouth.
  • Various acryloxy or methacryloxy groups and compounds containing an aryl group were added to improve the physical properties (mechanical strength, optical properties, adhesion, weather resistance, whitening resistance, crosslinking rate, etc.) of the EVA resin. can do.
  • the most common compounds used for this purpose are acrylic acid or methacrylic acid derivatives, for example, esters and amides thereof.
  • the ester residue is an alkyl group such as methyl, ethyl, dodecyl, stearyl, lauryl, etc.
  • esters with polyfunctional alcohols such as ethylene glycol, triethylene glycol, polyethylene glycol, trimethylolpropane, and pentaerythritol can also be used.
  • a typical example of the amide is diacetone acrylamide.
  • trimethylolp Polyfunctional esters such as acrylic or methacrylic esters such as mouth bread, pentaerythritol and glycerin, and compounds containing an aryl group such as triaryl cyanurate, triaryl isocyanurate, diaryl phthalate, diaryl isophthalate, and diaryl maleate.
  • aryl group such as triaryl cyanurate, triaryl isocyanurate, diaryl phthalate, diaryl isophthalate, and diaryl maleate.
  • a photosensitizer is usually used in an amount of 10 parts by weight or less, preferably 0.1 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the EVA resin instead of the peroxide.
  • usable photosensitizers include, for example, benzoin, benzophenone, benzoinmethinoleatenore, benzoinetinoleatenole, benzoinisope pinoreatenole, benzoinisobutinoreatenole, dibenzinole, 5 12-Troacena phthene, Hexachlorocyclopentadiene, p-Nitrodiphenyl, p-Nitroirin, 2,4,6-trinitroaniline, 1,2-Benzanthraquinone, 3-Methyl-1,3- Diaza-1, 9-benzanthrone, etc., and these can be used alone or in combination of two or more.
  • a silane coupling agent is used as an accelerator.
  • the silane coupling agent include vinylinoletriethoxysilane, Burtris (/ 3-methoxetoxy) silane, ⁇ -methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinylinoletriacetoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ - Glycidoxypropyltriethoxysilane, ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ / —methyl propyl methoxysilane, vinyl trichloro silane, ⁇ -mercaptopropyl trimethoxy silane, ⁇ -aminopro Viltriethoxysilane, ⁇ -j3 (aminoethyl) - ⁇ -aminoprovirtrimethoxysilane, and the like.
  • One or two or more of these silane coupling agents include
  • the EVA resin film according to (11-iv) may further contain a small amount of an ultraviolet absorber, an infrared absorber, an antioxidant, and a paint processing aid. Colorants such as dyes and pigments to adjust the color of the battery itself, An appropriate amount of a filler such as hydrophobic silica or calcium carbonate may be blended. Further, as a means for improving the adhesion to the semiconductor electrode or the counter electrode, means such as corona discharge treatment, low-temperature plasma treatment, electron beam irradiation, and ultraviolet irradiation on the EVA resin film surface according to (l_iy) are also effective.
  • the EVA resin film according to (11-iv) should be formed to this thickness.
  • the film can be formed by dissolving a material such as EVA resin or the like in a solvent or the like when the film is thin, and forming the film by using a film extrusion device such as a T die when the film is thick.
  • a film extrusion device such as a T die when the film is thick.
  • the film thickness is between 50 and 2 mm
  • the EVA resin and the above-mentioned additives are mixed, kneaded with an extruder, a knurl, etc., and then formed with a force render, roll, T-die extrusion, inflation, etc.
  • the film is formed into a predetermined shape by the method, and embossing is applied as needed when forming the film.
  • the film thickness is 0.1 mm or less, after mixing the EVA resin and the above-mentioned additives, the liquid material diluted with a solvent or the like is used as a horn coater-die coater, knife coater-maikano coater, flow coater-1
  • a film can be easily formed by coating with a spray coater or the like.
  • the following method can be used to support a redox substance on such an EVA resin film.
  • a redox substance is mixed in advance with the EVA resin together with a cross-linking agent and other additives to the EVA resin thread material as a film forming material of the EVA resin film, and the film is formed according to an ordinary method. Then, an EVA resin film containing a redox substance is obtained.
  • Impregnate the formed EVA resin film with a redox substance For example, the EVA resin sheet is immersed in a solution of the oxidation-reduction substance, impregnated with the acid-reduction substance solution, and then dried.
  • vulcanized rubber a porous body composed of a polymer material having a three-dimensional continuous network skeleton, a phosphazene-based polymer or an EVA resin film (hereinafter These are sometimes referred to as “carriers.”
  • the oxidation-reduction substances carried on the substrate are not particularly limited as long as they can be generally used in batteries and solar cells.
  • I, KI, Ca 1 2 such as combining the metal iodide and ® ⁇ elements of, L i B r, NaB r , KB r, C a union of metal bromide and bromine, such as B r 2 And a combination of metal iodide and iodine is preferred.
  • the concentration of these redox substances in the redox substance solution used for impregnating the carrier may be in the range of 0.01 to 1 mol ZL, but is preferably in the range of 0.05 to 0.5 mol. Le ZL is preferred.
  • the solvent examples include carbonate compounds such as propylene carbonate, nitrile compounds such as acetonitrile, alcohols such as ethanol, water, aprotic polar substances, and the like. Tolyl compounds are preferred.
  • the immersion time is about 5 hours.However, if the immersion temperature is set high, the redox substance solution is activated and the permeation rate is high. This is preferable because the time for preparing the electrolyte can be shortened.
  • This immersion temperature needs to be suppressed to a level at which no radical reaction occurs, and specifically, is about 35 to 65 ° C.
  • Drying after impregnation is preferably performed at room temperature for about 0.5 to 1 hour.
  • the electrolyte for a dye-sensitized solar cell of the first invention obtained in this manner has an inferior function as an electrolyte when the amount of the redox substance carried on the carrier is too small.
  • the amount of the redox substance carried is preferably 5% by weight or more. If the supported amount is excessively large, there is a concern that the supported redox substance may bleed from the carrier, weaken or deteriorate the carrier, which may hinder handling during battery assembly. For this reason, the amount of the redox substance carried on the vulcanized rubber, phosphazene polymer or EVA resin film is usually preferably from 10 to 30% by weight. The amount of the redox substance carried on the porous body is usually preferably 5 to 90% by weight.
  • the dye-sensitized solar cell of the first invention uses such an electrolyte for a dye-sensitized solar cell of the first invention as an electrolyte, but other configurations other than the electrolyte are as shown in FIG.
  • the structure is the same as that of a conventional dye-sensitized solar cell.
  • the substrate 1 of the dye-sensitized solar cell is usually a glass plate, usually a silicate glass, but various plastic substrates and the like can be used as long as visible light transmission can be ensured.
  • the thickness of the substrate is generally 0.1 to 1 O mm, and 0.3 to 5 mm is preferred.
  • the glass plate is preferably chemically or thermally strengthened.
  • the transparent electrode 2, a substrate made of I n 2 0 3 and S n0 2 conductive metal oxide thin film of metal or other conductive material and also to form is used.
  • I n 2 ⁇ 3 S n (I TO) , Sn_ ⁇ 2: S b, Sn_ ⁇ 2: F, Z nO: A 1, Z nO: F, C d mention may be made of the S n0 4.
  • the metal oxide semiconductor of the metal oxide semiconductor film 3 to which the spectral sensitizing dye is adsorbed examples include titanium oxide, zinc oxide, tungsten oxide, antimony oxide, niobium oxide, tungsten oxide, indium oxide, barium titanate, One or more known semiconductors such as strontium titanate and cadmium sulfide can be used. Particularly, titanium oxide is preferable from the viewpoint of stability and safety. Examples of titanium oxide include various titanium oxides such as anatase-type titanium oxide, rutile-type titanium oxide, amorphous titanium oxide, metatitanic acid, and orthotitanic acid, titanium hydroxide, and hydrated titanium oxide. Titanium oxide is preferred. Further, the metal oxide semiconductor film preferably has a fine crystal structure. It is also preferable that the film is a porous film. The thickness of the metal oxide semiconductor is generally 10 nm or more,
  • the organic dye (spectral sensitizing dye) adsorbed on the oxide semiconductor film has an absorption in the visible light region and the Z or infrared light region, and is one or more of various metal complexes and organic dyes. Can be used. Those having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyalkyl group, a hydroxyl group, a sulfone group, or a carboxyalkyl group in the molecule of the spectrally sensitive dye are preferred because of their quick adsorption to a semiconductor. Further, a metal complex is preferable because of its excellent spectral sensitizing effect and durability. Examples of the metal complex include metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and titanyl phthalocyanine; chlorophyll; hemin;
  • the complexes of ruthenium, osmium, iron, and zinc described in JP-A No. 1-220380 and JP-T-5-504023 can be used.
  • organic dyes metal free phthalocyanine, cyanine dyes, merocyanine dyes, xanthene dyes, and triphenylmethane dyes can be used.
  • cyanine dyes include NK1194 and NK3422 (both manufactured by Japan Photosensitive Dye Laboratories, Inc.).
  • Specific examples of merocyanine dyes include NK2426 and NK2501 (All manufactured by Japan Photographic Dye Laboratories, Inc.).
  • xanthene dyes include peranine, eosin, rosebenganole, rhodamine B, and dibromofluorescein.
  • trifluoromethane dye include malachite green and crystal violet.
  • the oxide semiconductor film is added to the substrate at room temperature or under heating in an organic dye solution formed by dissolving the organic dye in an organic solvent. It may be immersed.
  • any solvent can be used as long as it dissolves the spectrally sensitive dye to be used, and specifically, water, alcohol, toluene, and dimethylformamide can be used.
  • the dye-sensitized semiconductor electrode is formed by coating a transparent electrode (transparent conductive film) 2 on a substrate 1, forming a semiconductor film for a photoelectric conversion material thereon, and adsorbing the dye as described above. You. A substrate such as a glass plate coated with another transparent conductive film as a counter electrode 4 is bonded to the dye-sensitized semiconductor electrode with a sealing material 5, and an electrolyte 6 of the first invention is sealed between these electrodes. Thus, the solar cell of the present invention can be obtained.
  • This electrolyte varies depending on the specifications of the dye-sensitized solar cell, but is usually about 0.01 to 0.3 mra.
  • the counter electrode 4 may have any conductivity as long as it has conductivity, and any conductive material may be used.
  • the reduction reaction of oxidized redox ions such as I 3 ions of the electrolyte can be performed at a sufficient speed. It is preferable to use one having a catalytic ability to be carried out. Examples of such a material include a platinum electrode, a material obtained by plating or depositing platinum on the surface of a conductive material, rhodium metal, ruthenium metal, ruthenium oxide, carbon, cobalt, nickel, chromium and the like.
  • the dye-sensitized semiconductor electrode, the electrolyte and the counter electrode may be housed and sealed in a case S, and the whole may be resin-sealed.
  • the dye-sensitized semiconductor electrode has a structure in which light is applied. In a battery with such a structure, when sunlight or visible light equivalent to sunlight is applied to the dye-sensitized semiconductor electrode, a potential difference is generated between the dye-sensitized semiconductor electrode and its counter electrode, and a voltage between the two electrodes is increased. The current will start to flow through.
  • a rubber composition having the following composition was heated and pressed at 150 ° C. and 1 OMPa to obtain a vulcanized rubber.
  • Rubber component (vinyl pyridine rubber): 100
  • the obtained vulcanized rubber is cut into 5 mm x 5 mm x 0.1 mm, and immersed in the following redox substance solution at room temperature for 6 hours to impregnate the redox substance solution to obtain the dye of the present invention.
  • An electrolyte for a sensitive solar cell was obtained. Before use, it was dried in the air to blow off low-boiling solvents (acetonitrile, etc.), and was placed between the following electrodes with the rubber surface remaining sticky.
  • the amount of the redox substance carried on the vulcanized rubber was 15% by weight.
  • a 3000 A thick ITO film was formed on a 5 x 3 cm glass substrate (thickness: 2 mm), and a titanium oxide film with a thickness of 10 ⁇ and an area of 5 mm was formed on this film.
  • spectral sensitizing dye cis-di (thiocyanato) -bis (2,2,1-biviridyl-14-dicanolepoxylate-4, -tetrabutynoleammonium mucanolepoxylate) ruthenium ( ⁇ ) in ethanol solution 3 X 10 —
  • the substrate on which the titanium oxide film was formed was placed in a solution dissolved at 4 mol ZL, and immersed at room temperature for 18 hours to obtain a dye-sensitized semiconductor electrode.
  • the adsorption amount of the spectral sensitizing dye was 10 ⁇ g / cm 2 of the specific surface area of the titanium oxide film.
  • This dye-sensitized semiconductor electrode was coated with fluorine-doped tin oxide as a counter electrode, and a transparent conductive glass plate carrying platinum was used thereon. The above-mentioned electrolyte was placed between the two electrodes. After sealing the side surface with a resin, a lead wire was attached thereto to produce a dye-sensitized solar cell of the present invention.
  • the ethylene-propylene copolymer (10% by weight) having the physical properties shown in Table 1 and the diisodecyl'adipate (DI DA) (90% by weight) were mixed with a high-shear mixer under the stirring conditions shown in Table 1 Then, a precursor was obtained. For the obtained precursor, the average diameter d of the skeleton and the average diameter D of the pores were determined. Next, DIDA was dissolved and extracted with acetone to obtain a porous body having a three-dimensional continuous network skeleton structure, and the average diameter d of the skeleton of the porous body and the average diameter D of the pores were measured. The results are shown in Table 1.
  • the obtained porous body was cut into 5 mm X 5 mm X 0.2 mm, and immersed in a redox substance solution having the same composition as that used in Example 1-1 at 25 ° C for 5 hours to obtain a redox property.
  • the substance solution was impregnated to obtain the dye-sensitized solar cell electrolyte of the present invention.
  • low-boiling solvents acetonitrile, etc.
  • the amount of the redox substance carried on the porous material was 20% by weight.
  • a dye-sensitized solar cell was manufactured in the same manner as in Example 11-1 using the dye-sensitized solar cell electrolyte, and the obtained dye-sensitized solar cell was added with a solar simulator at 10 OW / m2.
  • Vo c voltage in an open circuit state
  • Joe density of current flowing when the circuit is short-circuited
  • FF Frill factor
  • conversion efficiency
  • the diamine was heated in an autoclave at 250 ° C for 8 hours to obtain a rubbery phosphazene-based polymer.
  • This polymer was subjected to Soxhlet extraction for 6 hours using a toluene solvent to remove unreacted substances and impurities.
  • the number average molecular weight of the polymer was 140,000 as a result of the measurement of the molecular weight of the tetrahydrofuran soluble portion of the polymer.
  • the obtained phosphazene-based polymer After vacuum drying the obtained phosphazene-based polymer at 80 ° C. for 6 hours, it was cut into 5 mm ⁇ 5 mm ⁇ 0.2 mm, and a redox material solution having the same composition as that used in Example 11 was used. By immersing at 0 ° C. for 5 hours, a redox substance solution was impregnated to obtain an electrolyte for a dye-sensitized solar cell of the present invention. Thereafter, the solvent was dried in the air before use to evaporate the low-boiling solvent (acetonitrile and the like), and put it between the electrodes with the adhesiveness remaining on the surface of the phosphazene polymer.
  • the low-boiling solvent acetonitrile and the like
  • the amount of the redox substance carried on the phosphazene polymer was 18% by weight.
  • a dye-sensitized solar cell was manufactured in the same manner as in Example 11-1 using the dye-sensitized solar cell electrolyte, and the obtained dye-sensitized solar cell was added with a solar simulator at 10 OW / m2.
  • Vo c voltage in an open circuit state
  • Joe density of current flowing when the circuit is short-circuited
  • FF Finill factor
  • conversion efficiency
  • test flame did not ignite the test piece (combustion length: 0 mm) was evaluated as nonflammable. (Evaluation of flame retardancy) Flame retardancy was evaluated when the ignited test piece did not reach the 25 mm line of the device and no ignition was found on a falling object from the net.
  • the obtained phosphazene-based polymer was vacuum-dried at 80 ° C for 6 hours, and then the same operation as in Example 13 was performed to obtain an electrolyte for a dye-sensitive solar cell.
  • the EVA resin composition having the following composition was formed into a film by a force renderer to obtain an EVA resin film having a thickness of 0.2 mm.
  • the obtained EVA resin film was cut into 5 mm X 5 mm, and immersed in a redox substance solution having the same composition as that used in Example 11-1 at 30 ° C for 5 hours to obtain a redox property.
  • the substance solution was impregnated to obtain an electrolyte for a dye-sensitive solar cell of the present invention. Thereafter, the solvent was dried in the air before use to evaporate the low-boiling solvent (acetonitrile and the like), and then put between the following electrodes in a state where the adhesiveness remained on the surface of the EVA resin film.
  • the amount of the redox substance carried on the EVA resin was 18% by weight.
  • a dye-sensitized semiconductor electrode was manufactured in the same manner as in Example 11-11. Fluorine was doped into the dye-sensitized semiconductor electrode as a counter electrode. Using a transparent conductive glass plate coated with tin oxide, and carrying platinum on top of it, placing the above electrolyte between the two electrodes and applying heat and pressure to crosslink and harden the EVA resin. After adhering and sealing this side surface with resin, a lead wire was attached to produce a dye-sensitive solar cell of the present invention.
  • the dye-sensitized solar cell electrode of the second invention comprises a dye-adsorbed titanium oxide thin film 23 via a transparent conductive thin film 22 on a substrate such as a polyethylene terephthalate (PET) film 21.
  • the titanium oxide thin film of the dye-adsorbed titanium oxide thin film 23 is formed by reactive sputtering using a Ti metal target.
  • glass can be used as in the past, but it is preferable to use an organic resin film in order to achieve the purpose of thinning, weight reduction, and cost reduction.
  • organic resin film for example, polyester, polyethylene terephthalate (PET) ), Polybutylene terephthalate, polymethyl methacrylate (PMMA), acrylyl, polycarbonate (PC), polystyrene, triacetate (TAC), polybutyl alcohol, polychlorovinyl, polyvinylidene chloride, polyethylene, ethylene-butyl acetate Coal, polybutyral, metal ion cross-linked ethylene-methacrylic acid copolymer, polyurethane, cellophane, etc., but PET, PC, PMMA, TAC film, especially PET, TAC Films are preferred.
  • the thickness of such an organic resin film is usually about 50 to 300 ⁇ . If the thickness of the organic resin film is less than 25, sufficient durability as an electrode for a dye-sensitized solar cell cannot be obtained. This is not preferable because it causes the wall thickness to increase.
  • Examples of the transparent conductive thin film 22 formed on an organic resin film such as a PET film 21 include ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), and ATO (alumina-doped tin oxide). ) Or a transparent conductive thin film such as AZO (antimony-doped 'zinc oxide).
  • the thickness of the transparent conductive thin film 22 is usually about 20 to 2000 nm.
  • the transparent conductive thin film 22 is usually formed by a sputtering method. Therefore, in the second invention, the formation of the transparent conductive thin film 22 and the formation of the titanium oxide thin film on the transparent conductive thin film 22 can be continuously performed in the same sputtering apparatus.
  • the second invention reactive sputtering using a Ti metal target is performed.
  • the reactive sputtering by controlling the oxygen concentration in the atmosphere, by performed under conditions such that somewhat insufficient oxygen than the film formation conditions of T i 0 2 thin film, to be high-speed film formation of the titanium oxide thin film Yes, preferred.
  • T i O x (x * 2) titanium oxide thin film to be formed T i O x (x * 2), in particular, a thin film containing a lower oxide of T i as represented by T i O x ( x ⁇ 1.98), compared to forming a T i 0 2 thin film
  • a 5 to 6 times high-speed film formation can be performed, which is preferable.
  • T i O x (1. 7 ⁇ x) .
  • Such oxygen-deficient atmosphere control can be easily implemented by plasma emission control or plasma impedance control.
  • reactive sputtering is performed by using a dual force source, setting a Ti metal target on each of two parallel cathodes, and applying a voltage alternately. It is preferable that a further high-speed film formation can be performed.
  • the reactive sputtering conditions are not particularly limited, but the following conditions are preferred.
  • Atmosphere Ar + O 2 , O 2 Flow ratio 3 to 50%
  • the alternating voltage application frequency is preferably about 10 to 100 kHz.
  • the thickness of the titanium oxide thin film thus formed is usually about 0.5 to 10 ⁇ . If the film thickness is smaller than this range, the amount of the sensitizing dye to be adsorbed decreases, and the power generation effect due to light absorption deteriorates. If the film thickness is larger than this range, the electrical resistance of the titanium oxide thin film increases, and the performance as an electrode deteriorates.
  • the sensitizing dye adsorbed on the titanium oxide thin film thus formed may be a dye having absorption in a visible light region and / or an infrared light region, and is not particularly limited.
  • organic dyes examples include metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and titanyl phthalocyanine, chlorophyll or a derivative thereof, hemin, ruthenium, osmium, iron and zinc complexes (for example, cis-disocyanate-bis (2,2′-bipyridyl 4,4).
  • Metal-free phthalocyanine, cyanine dye, metalocyanine dye, xanthene dye, triphenylmethane dye, etc. can be used as organic dyes.
  • sensitizing dyes can be adsorbed on the titanium oxide thin film by, for example, immersing the substrate on which the titanium oxide thin film is formed in a liquid containing the sensitizing dye.
  • the dye-sensitized solar cell electrode of the second invention can use an organic resin film as the substrate, so that the electrode can be made thinner, lighter, and lower in cost, and is manufactured using this electrode.
  • Dye-sensitive solar cells can be made thinner, lighter, and lower in cost.
  • a 188 ⁇ m thick ⁇ ⁇ film was used as the substrate, and a thin 500-nm ITO transparent conductive film was formed on one side of this PET film by sputtering, and then a Ti metal target was used. Under the following conditions, a titanium oxide thin film having a thickness of 3 ⁇ was formed by reactive sputtering.
  • the reactive sputtering was performed by setting a Ti methanol target on a signal force source of a magnetron DC sputtering apparatus.
  • a plasma emitter Chillon Control or Purazumai emissions are impedance controlled, to control the 0 2 flow ratio in A r + 0 2 atmosphere to the values shown in Table 1.
  • the oxidation degree of the formed titanium oxide thin film was as shown in Table 1.
  • Example 2-1 to 2-3 a titanium oxide thin film was prepared in the same manner except that two Ti metal targets were set on a dual cathode of a magnetron DC sputtering apparatus, and reactive sputtering was performed under the following conditions. The oxidation degree and film formation rate of the formed titanium oxide thin film were examined, and the results are shown in Table 2.
  • FIG. 4 is a sectional view showing an example of an embodiment of the organic dye-sensitized solar cell of the third invention.
  • a glass substrate 31a, a transparent electrode 32a is provided on the surface thereof, and a metal oxide semiconductor film 33 on which a spectral sensitizing dye 34 is adsorbed is formed on the surface of the transparent electrode.
  • a counter electrode 36 eg, a Pt electrode
  • the counter electrode 36 is formed on a transparent electrode 32 b provided on a glass substrate 31 b.
  • the electrolyte (solution) 35 is sealed between the metal oxide semiconductor film 33 and the counter electrode 36.
  • an antireflection film 37 is formed on the glass substrate 31a.
  • FIG. 5 is a sectional view showing an example of an embodiment of the organic dye-sensitized solar cell of the third invention.
  • a glass substrate 31a a transparent electrode 32a is provided on the surface thereof, and a metal oxide semiconductor film 33 on which a spectral sensitizing dye 34 is adsorbed is formed on the surface of the transparent electrode.
  • a counter electrode 36 eg, a Pt electrode
  • the counter electrode 36 is formed on a transparent electrode 32 b provided on a glass substrate 31 b.
  • the electrolyte 35 is sealed between the metal oxide semiconductor film 33 and the counter electrode 34.
  • an antireflection film 39 is stuck on the glass substrate 3 la by an adhesive layer 38.
  • the anti-reflection film is obtained by forming an anti-reflection film on a transparent polymer film.
  • an anti-reflection film is
  • an antifouling function can be imparted in addition to the antireflection function. That is, since the organic thin film has excellent antifouling properties, an antifouling function can be imparted by forming the organic thin film on the outermost surface.
  • the transparent inorganic film immediately below the organic thin film is a high refractive index transparent inorganic thin film, a high refractive index And a high-performance anti-reflection function by multi-layering the low refractive index film.
  • FIG. 6 is a schematic sectional view showing an example of the antireflection film 39 of the third invention.
  • the anti-reflection film 39 of the third invention comprises an ultraviolet-cutting layer 39 B, a high-refractive-index transparent inorganic thin film 39 C, a low-refractive-index transparent inorganic thin film 39 D, The refractive index transparent inorganic thin film 39E and the low refractive index transparent inorganic thin film 39F are formed in this order.
  • the inorganic thin films 39C to 39F constitute an antireflection film.
  • This antireflection film may not have the ultraviolet cut layer 39B, and may be a simple undercoat layer or a hard coat layer.
  • the use of the anti-reflection film in the form of an anti-reflection film as described above has an advantage that productivity is improved.
  • Examples of the transparent polymer film 39A include polyester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polymethyl methacrylate (PMMA), acrylic, polycarbonate (PC), polystyrene, triacetate, polybutyl alcohol, and polychlorinated chloride.
  • Transparent films such as biel, polyvinylidene chloride, polyethylene, ethylene monobutyl acetate copolymer, polyurethane, cellophane, etc., preferably PET, PC, and PMMA can be mentioned.
  • the thickness of the transparent polymer film 39B is appropriately determined depending on the required characteristics (for example, strength, thin film property) depending on the use of the obtained antireflection film, and is generally in the range of 1 m to 10 mm.
  • the ultraviolet cut layer is provided on the transparent polymer film 39A as described above.
  • a hard coat layer generally containing an ultraviolet absorber (eg, 2-hydroxybenzophenone) is formed.
  • the material of the hard coat layer is not particularly limited, but an acrylic resin having a polyfunctional group (generally, a polymerizable group), a silicone resin having a polyfunctional group, or the like is used. These resins are preferably cross-linked by heat, light, electron beam or the like. In the case of light, in particular, an ultraviolet curable resin is used.
  • High-refractive-index transparent inorganic thin film 39 C as the 39E, I TO (indium tin oxide) or ZnO, Z nO doped with A 1, T i 0 2, S n0 2, the refractive index, such as Z r O 1. Eight or more thin films can be used.
  • the low-refractive-index transparent inorganic thin film 39D, 39 F may use the thin film made of S i 0 2, Mg F 2 , A 1 2 O 3 low refractive index material having a refractive index of 1.6 or less, such as it can.
  • the thickness of the high-refractive-index transparent inorganic thin film and the low-refractive-index transparent inorganic thin film varies depending on the film configuration, the film type, and the center wavelength because the reflectance in the visible light region is reduced by light interference.
  • Such a high-refractive-index transparent inorganic thin film and a low-refractive-index transparent inorganic thin film can be formed by vapor deposition, sputtering, ion plating, CVD, etc., particularly, zinc oxide as a high-refractive index transparent inorganic thin film.
  • the film is preferably formed by a reactive sputtering method using zinc metal as a target.
  • the sputtering condition is an atmosphere condition of O 2 100% or O 2 —Ar and O 2 40% or more.
  • a low refractive index organic thin film of fluorine or non-fluorine may be formed.
  • the non-fluorine-based organic thin film include an acrylic resin, a silicon resin, an acrylic silicon-based resin, and a urethane resin, which are used for a hard coat.
  • fluorinated organic thin films examples include FET (fluoroethylene / propylene copolymer), PTFE (polytetrafluoroethylene), ETFE (ethylene Z tetrachloroethylene), P VF (polyvinyl fluoride), PVD (polyvinylidene fluoride) And the like.
  • FET fluoroethylene / propylene copolymer
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • ETFE ethylene Z tetrachloroethylene
  • P VF polyvinyl fluoride
  • PVD polyvinylidene fluoride
  • a fluorine-based or silicon-based additive may be added.
  • silicone resin or acrylic resin is preferable because it is inexpensive.
  • this organic thin film is generally a low-refractive-index thin film having a refractive index of 1.3 to 1.6, this organic thin film should be formed on a high-refractive-index transparent inorganic thin film as the outermost surface layer of an antireflection film. By doing so, an antireflection function can be obtained, but it also has excellent antifouling properties and abrasion resistance.
  • the thickness of the low refractive index transparent inorganic thin film of the uppermost layer In the case of an anti-reflection film in which a transparent inorganic thin film is laminated on a transparent polymer film, the material may not have sufficient transparency. The transmittance tends to drop sharply and is not suitable for such applications.
  • the antireflection film looks yellowish tends to occur.
  • materials with high transparency have been proposed, the film formation rate is extremely slow, or there is considerable light transmission for ultraviolet light having a wavelength shorter than about 350 nm, so that the ultraviolet light power property is low. There is a disadvantage that it cannot be obtained.
  • the antireflection film of the third invention is adhered to the surface on the side where the transparent electrode is not provided by the adhesive layer 8.
  • the resin used for the adhesive layer include an ethylene / vinyl acetate copolymer and an adhesive acrylic resin (eg, butyl acrylate polymer). These resins may be crosslinked by heating or the like. In general, the thickness is preferably from 1 to 100 m, and from 10 to 500 m.
  • the metal oxide semiconductor electrode of the third invention and the organic dye-sensitized solar cell having the same, as shown in FIG. 4, have a metal oxide semiconductor film 33 provided on a transparent electrode on the substrate. It has a shape in which spherical particles of various sizes are joined, and has large irregularities on the surface and many voids inside.
  • the metal oxide semiconductor film of the third invention can also be formed by applying a conventional slurry of oxide semiconductor fine powder on a transparent electrode, drying it, and then baking it at 500 ° C. for about one hour. Alternatively, it may be formed by a vapor deposition method. ⁇ Metal oxide semiconductor film>
  • the metal oxide semiconductor film of the third invention is generally formed by a vapor deposition method, has a rough surface, and has a porosity of 25% or more. Further, the porosity is preferably at least 30%, particularly preferably at least 35%. Due to such a shape, the adsorption amount of the organic dye is increased. The upper limit of the porosity may be close to 100% as long as the amount of organic dye adsorbed increases, but is preferably about 95% from the viewpoint of maintaining the shape as a film. As described above, the metal oxide semiconductor film 33 of the third invention has a large surface area and a large internal cavity surface area, and therefore has a large area for adsorbing the organic dye.
  • the metal oxide semiconductor film 33 having such a structure can be obtained under various vapor deposition conditions, but basically, it is formed under high power for a short time and under high gas pressure.
  • a film is preferable, and the film formation can be performed by changing the gas mixture flow ratio, using arc ion sputtering, or by appropriately combining these methods.
  • a preferred method for forming the metal oxide semiconductor film 33 of the third invention is a sputtering method, in which 1.3 W / cm 2 or more, that is, 2.6 W / cm 2 or more, particularly 11 W / cm 2 or more. target input power density of 2 cm2 or more, and 0.6 Pa or more, more preferably 2.0 Pa or more, especially 2.6 Pa or more.
  • the facing two-electrode target type sputtering method is preferable, and the reactive sputtering method is also preferable.
  • the semiconductor film can be formed rapidly by performing under such extreme conditions as ordinary sputtering conditions, thereby obtaining a metal oxide semiconductor film having a specific shape and structure of the present invention. be able to. As a result, the amount of organic dye adsorbed can be greatly increased, and a high-efficiency solar cell having high energy conversion efficiency can be obtained.
  • the transparent substrates 31a and 31b may be transparent substrates, and are generally glass plates, usually silicate glass.
  • various plastic substrates and the like can be used as long as the transmission of visible light can be ensured.
  • the plastic include polyester such as polyethylene terephthalate, acrylic resin such as polymethyl methacrylate, polycarbonate, and the like.
  • the thickness of the substrate is generally from 0.3 to 1 Omm, preferably from 0.3 to 5 mm.
  • the glass plate is preferably chemically or thermally strengthened.
  • 31b does not have to be transparent. ⁇ Transparent electrode>
  • a substrate made of I n 2 0 3 and S n0 2 of the conductive metal oxide thin film that forms the shape of the or metallic conductive material or the like is used.
  • a metal oxide semiconductor film which is a semiconductor for a photoelectric conversion material and adsorbs a spectral dye.
  • the metal oxide semiconductor of the present invention include one or more known semiconductors such as titanium oxide, zinc oxide, tungsten oxide, antimony oxide, niobium oxide, indium oxide, barium titanate, strontium titanate, and cadmium sulfide. Can be used. Particularly, titanium oxide is preferable from the viewpoint of stability and safety.
  • titanium oxide examples include various titanium oxides such as anatase-type titanium oxide, rutile-type titanium oxide, amorphous titanium oxide, metatitanic acid, and orthotitanic acid, titanium hydroxide, and hydrated titanium oxide.
  • anatase type titanium oxide is preferred. It is general that the thickness of the metal oxide semiconductor is 10 nm or more, and 100 to: L000 nm is preferable.
  • the metal oxide semiconductor film of the third invention uses a metal and / or a metal oxide corresponding to the above material as a target, and is formed by a vapor deposition method, for example, a physical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, and a sputtering method.
  • a ring method, an ion plating method, a CVD method or a plasma CVD method can be formed by the sputtering method as described above under the above conditions.
  • a preferred method for forming the metal oxide semiconductor film 33 of the present invention is to use a sputtering method under the conditions of the above target input power density and pressure.
  • a two-electrode target sputtering method is preferable, and a reactive sputtering method is also preferable.
  • the opposed bipolar target type sputtering method of the third invention is preferably a reactive sputtering method, that is, sputtering a metal or metal oxide while introducing a reactive gas such as oxygen gas.
  • a reactive gas such as oxygen gas.
  • An organic dye (spectral dye) is adsorbed as a monomolecular film on the surface of the oxide semiconductor film on the substrate obtained as described above.
  • the spectral sensitizing dye has an absorption in the visible light region or in the infrared light region, and in the present invention, one or more of various metal complexes / organic dyes can be used.
  • Spectral sensitizing dye molecules that have carboxyl, hydroxyalkyl, hydroxyl, sulfone, or carboxyalkyl functional groups in the molecule adsorb to semiconductors Is faster in the present invention.
  • a metal complex is preferred because of its excellent spectral sensitizing effect and durability.
  • the metal complex include metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and titanyl phthalocyanine, chlorophyll, and hemin, described in Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • cyanine dyes include NK114 and NK3242 (both manufactured by Japan Photographic Dye Laboratories, Inc.).
  • merocyanine dyes include NK2426 and NK2501 (both manufactured by Japan Photographic Dye Laboratories).
  • xanthene dyes include peranine, eosin, rose bengal, rhodamine B, and dibromofunolescein.
  • triphenyl methane dyes include malachite green and crystal violet.
  • the use of a ruthenium complex for example, ruthenium 'phenanthone phosphorus, ruthenium diketonate
  • a coumarin derivative generally has high energy conversion efficiency.
  • solar energy can be used more effectively.
  • an antireflection film or an antireflection film designed in accordance with the light absorption characteristics of a ruthenium complex and / or a coumarin derivative solar energy can be used even more effectively.
  • Such an antireflection film preferably has a light reflectance of 10% or less (particularly 5% or less) in a wavelength range of 300 to 600 nm for a ruthenium complex, Further, those having a minimum value in this range are preferable.
  • the antireflection film has a light reflectance of 10% or less in a wavelength range of 400 to 600 nm.
  • the antireflection film is composed of the above four layers.
  • an organic dye solution is prepared by dissolving the organic dye in an organic solvent at room temperature or under heating. The film may be immersed in the substrate.
  • any solvent may be used as long as it dissolves the spectrally sensitive dye to be used, and specifically, water, alcohol, toluene, and dimethylformamide can be used.
  • the organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode (semiconductor for photoelectric conversion material) of the third invention is obtained.
  • a solar cell is manufactured using an organic dye-sensitive metal oxide semiconductor electrode having a transparent electrode and an organic dye-adsorbed metal oxide semiconductor formed on the substrate thus obtained. That is, a semiconductor film for a photoelectric conversion material is formed on a transparent electrode of a substrate such as a glass plate having a reflection enhancing film on one side and a transparent electrode (transparent conductive film) coated on the other side. Then, a substrate such as a glass plate coated with another transparent conductive film as a counter electrode is bonded with a sealant, and an electrolyte is sealed between these electrodes to form a solar cell.
  • the spectral sensitizing dye adsorbed on the semiconductor film of the third invention When the spectral sensitizing dye adsorbed on the semiconductor film of the third invention is irradiated with sunlight, the spectral sensitizing dye absorbs and excites light in the visible region. The electrons generated by this excitation move to the semiconductor and then to the counter electrode through the transparent conductive glass electrode. The electrons transferred to the counter electrode reduce the redox system in the electrolyte.
  • the spectral sensitizing dye that has transferred electrons to the semiconductor is in an oxidized state, which is reduced by the redox system in the electrolyte and returns to the original state. In this way, electrons flow and a solar cell using the semiconductor for photoelectric conversion materials of the present invention can be constructed.
  • electrolyte examples include an I ′′ / I 3 system, a Br— / Br 3 system, and a quinone / hydroquinone system.
  • a redox electrolyte can be obtained by a conventionally known method.
  • an IZI 3 _ based electrolyte can be obtained by mixing iodine with an ammonium salt of iodine.
  • the electrolyte is a liquid electrolyte or a solid polymer electrolyte containing the same in a polymer substance.
  • an electrochemically inert solvent is used as the solvent, for example, acetonitrile, propylene carbonate, ethylene carbonate, etc.
  • a conductive material is used as the counter electrode. Any conductive material can be used. It is but Les Shi preferred use despite having catalytic ability to I line fast enough the reduction reaction of oxidized-type redox ions such as I 3 first ion. Examples of such a material include a platinum electrode, a material obtained by plating or depositing platinum on the surface of a conductive material, rhodium metal, ruthenium metal, ruthenium oxide, and carbon.
  • the oxide semiconductor electrode, the electrolyte, and the counter electrode are housed and sealed in a case, but may be entirely resin-sealed.
  • the oxide semiconductor electrode has a structure in which light is applied.
  • a potential difference is generated between the oxide semiconductor electrode and its counter electrode, and a current flows between the two electrodes.
  • T i 0 2 layer (thickness 20 nm), S i 0 2 layer (thickness 25 ⁇ m), T i 0 2 layer (thickness 90 nm) and S i 0 2 layers ( (Thickness: 80 nm) were sequentially laminated by sputtering. Thus, an antireflection film was obtained.
  • a transparent electrode film was formed using a sputtering device. .
  • the side of the glass substrate on which the transparent electrode is not provided is laminated with the side of the antireflection film on which the thin film is not provided via an ethylene-vinyl acetate copolymer film (25 jum). Pressed for 30 minutes.
  • a facing target type sputtering device two metal titanium targets with a diameter of 10 Omm are placed on the above ITO transparent electrode glass plate, and oxygen gas is supplied at 5 cc and argon gas is supplied at 5 cc / min. After that, the pressure inside the equipment was set to 5 mTorr (0.7 Pa), and sputtering was performed for 32 minutes under the conditions of a supply power of 3 kW (power density of 19 WZcm 2 ), and a titanium oxide film with a thickness of 300 OA was deposited. Formed.
  • the porosity of the obtained semiconductor film was measured.
  • the porosity of the semiconductor film was 17%.
  • the concentration of the spectral sensitizing dye was 3 X 1 0 one 4 mol / 1.
  • the substrate on which the film-like titanium oxide was formed was put into this ethanol liquid, and immersed at room temperature for 18 hours to obtain a metal oxide semiconductor electrode of the present invention.
  • the adsorption amount of the spectral sensitizing dye of this sample was 10 / g per 1 cm 2 of the specific surface area of the titanium oxide film.
  • the above-mentioned metal oxide semiconductor electrode was provided as one electrode, and as a counter electrode, a transparent conductive glass plate coated with fluorine-doped tin oxide and further supporting platinum thereon was used. An electrolyte was put between the two electrodes, the side face was sealed with a resin, and a lead wire was attached, thereby producing a solar cell of the present invention.
  • the electrolyte was acetonitrile solvent, lithium iodide, 1,2-dimethyl-3-propylimidazolymide.
  • Oxide, iodine and t-butylpyridine were used in a concentration of 0.1 mol / l, 0.3 mol / l, 0.05 mol / 1, 0.5 mol / l, respectively.
  • Vo c voltage in an open circuit state
  • J oc circuit was short-circuited
  • the density of the current flowing 1.
  • a 3 OmAZc m 2 an FF (fill factor) of 0. 53, ⁇ (conversion efficiency) was 0.1% 4.. This proved to be useful as a solar cell.
  • a solar cell was produced in the same manner as in Example 3-1 except that a coumarin derivative-based dye was used as the spectral sensitizing dye.
  • a solar cell was produced in the same manner as in Example 3-1 except that the antireflection film was not provided.
  • the solar cell is an organic dye-sensitive solar cell, and the absorption of light energy is large due to the installation of an antireflection film. Therefore, the efficiency of using light energy is high, and it has sufficient performance as a solar cell.
  • an organic dye-sensitized solar cell having an increased amount of dye adsorption is obtained.
  • the solar cell according to the third aspect of the present invention has high utilization efficiency of light energy and has sufficient performance as a solar cell. Furthermore, the presence of an anti-reflection film, particularly an anti-reflection film, prevents scattering when the glass plate is broken, and can be said to be a solar cell excellent in safety.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of an organic dye-sensitized solar cell having the release sheet of the fourth invention.
  • a transparent organic polymer substrate 41 a is provided with a transparent electrode 42 a on the surface thereof, and a metal oxide semiconductor film 43 on which a spectral sensitizing dye 44 is adsorbed is formed on the transparent electrode surface.
  • a counter electrode 46 (eg, a Pt electrode) is provided below the transparent electrode so as to face the transparent electrode.
  • the counter electrode 46 is disposed on the transparent electrode 42 b provided on the organic polymer substrate 41 b. And an electrolyte between the metal oxide semiconductor film 43 and the counter electrode 46.
  • (Solution) 45 is enclosed. Further, a release film 48 is attached to the back surface of the transparent organic polymer substrate 41b via a transparent adhesive layer 47.
  • the solar cell can be attached to various places by removing the release film. Because of the flexibility of the solar cells, they can be uniformly bonded even if the place where they are to be attached is not completely flat.
  • the organic polymer substrate 41b may be a transparent one, a light-reflective one described later, or one having a design property.
  • the adhesive layer 47 and the release film 48 may be omitted, and in this case, the adhesive layer 47 and the release film 48 are bonded to a base material such as a roof. The materials commonly used above and below will be described later.
  • As the release film a polycarbonate film, a PET film or the like is used.
  • the thickness is preferably 1 to 1000 / zm and 10 to 500 ⁇ .
  • the resin used for the adhesive layer include an ethylene / butyl acetate copolymer and an adhesive acrylic resin (eg, butyl acrylate polymer). These resins may be crosslinked by heating or the like.
  • the thickness is generally from 1 to: L 000 ⁇ , preferably 10 to 500 ⁇ .
  • FIG. 8 is a sectional view showing an example of an embodiment of a roofing material having the organic dye-sensitive solar cell of the fourth invention.
  • a transparent organic polymer substrate 41a, a transparent electrode 42a is provided on the surface thereof, and a metal oxide semiconductor film 43 having a spectral dye 44 adsorbed thereon is formed on the surface of the transparent electrode.
  • a counter electrode 46 eg, a Pt electrode
  • the counter electrode 46 is formed on a transparent electrode 42 b provided on the light-reflective transparent organic polymer substrate 40 A.
  • the electrolyte (solution) 45 is sealed between the metal oxide semiconductor film 43 and the counter electrode 46.
  • a transparent adhesive layer 47 is formed on the back surface of the light-reflective organic polymer substrate 4OA, whereby the solar cell is attached to the roofing material 40Y.
  • upper and lower substrates are made of a flexible organic polymer film, and are bonded to a roof material in advance. Therefore, it can be used as a normal roofing material and also has the function of a solar cell. That is, there is an advantage that the solar cell can be automatically installed together with the installation of the roof.
  • the roofing material may be another building material such as a glass window or a wall material.
  • the light-reflective organic polymer substrate 4OA generally has a reflective layer on its surface, from which sunlight not absorbed by the metal oxide electrode is reflected, and the reflected light is again absorbed by this electrode. Will be. Therefore, light energy can be effectively used together with the design.
  • the light-reflective organic polymer substrate 4OA generally has a reflective layer formed by performing vapor deposition, sputtering, or the like on an organic polymer film described later using aluminum, silver, or the like, and a transparent electrode is formed thereon. It is a thing.
  • the thickness of the reflective layer is preferably 1 Onm to 50 ⁇ , and 10 nm to 10 / im. If such a reflective layer can be energized, the reflective layer can also function as a transparent electrode.
  • the adhesive layer described above can be used.
  • an ordinary non-reflective organic polymer substrate may be used.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a wall material having the organic dye-sensitized solar cell of the fourth invention.
  • a transparent organic polymer substrate 41a, a transparent electrode 42a on the surface thereof, a metal oxide semiconductor film 43 having a spectral dye 44 adsorbed on the transparent electrode surface are formed.
  • a counter electrode 46 eg, a Pt electrode
  • the counter electrode 46 is a transparent electrode provided on the designable transparent organic polymer substrate 40B.
  • An electrolyte (solution) 45 is sealed between the metal oxide semiconductor film 43 and the counter electrode 46.
  • a transparent adhesive layer 47 is formed on the back surface of the designable organic polymer substrate 40B, whereby the solar cell is attached to the wall material 40K.
  • the upper and lower substrates are made of a flexible organic polymer film, and are bonded to a wall material in advance. Therefore, it can be used as a normal wall material, and also has the function of a solar cell. That is, there is an advantage that the solar cell can be automatically installed together with the installation of the wall material.
  • This wall material can be any construction material, such as glass windows, roofing materials, etc.
  • the designable organic polymer substrate 40B is colored, has patterns, characters, etc., and has designability or decoration.
  • the organic polymer substrate (film) described later generally contains a coloring agent (pigment, dye).
  • a coloring agent pigment, dye
  • the polymer material and the coloring agent are melted. It is obtained by kneading and forming a film.
  • the pattern can be applied by printing or the like on the substrate or by attaching a film having the pattern.
  • the adhesive layer those described above can be used. Examples of the pattern include a woodgrain pattern and a brick pattern.
  • the above-described metal oxide semiconductor electrode of the fourth invention and the organic dye-sensitive solar cell having the same are described in FIGS. 7 to 9.
  • the metal oxide semiconductor film 43 provided on the transparent electrode on the substrate is clearly shown in FIGS. In this way, it has a shape in which spherical particles of various sizes are joined, and large irregularities on the surface, It has many voids inside.
  • the metal oxide semiconductor film of the present invention is preferably formed by a vapor deposition method.
  • the transparent organic polymer substrates 41a, 41, 40A, and 40B various transparent organic polymer substrates or the like that can ensure the transmission of visible light can be used.
  • the thickness of the substrate is generally from 25 ⁇ to 1 Omm, preferably from 0.1 to 1 Omm.
  • organic polymers include polyesters such as polyethylene terephthalate, acrylic resins such as polymethyl methacrylate, polycarbonate, fluorine such as PTFE (polytetrafluoroethylene) and ETFE (ethylene / tetrafluoroethylene copolymer). Resins and the like can be mentioned.
  • Non-transparent organic polymer substrates are also made of the same materials as described above, and are further colored and patterned.
  • the metal oxide semiconductor film for absorbing the spectral dye which is the semiconductor for the photoelectric conversion material on the transparent electrode 42 a of the fourth invention, is the same as the ⁇ semiconductor for photoelectric conversion material> of the third invention. The description of applies.
  • a solar cell is manufactured using an organic dye-sensitive metal oxide semiconductor electrode in which a transparent electrode and an organic dye-adsorbed metal oxide semiconductor are formed on a substrate.
  • a transparent organic polymer coated with a transparent electrode transparent conductive film
  • a semiconductor film for a photoelectric conversion material is formed on one substrate to form an electrode, and then an organic polymer coated with another transparent conductive film as a counter electrode.
  • a substrate (generally coated on a transparent electrode having a transparent electrode) is bonded with a sealant, and an electrolyte is sealed between these electrodes to form a solar cell.
  • the spectral sensitizing dye adsorbed on the semiconductor film of the fourth invention is irradiated with sunlight, the spectral sensitizing dye absorbs and excites light in the visible region.
  • the electrons generated by this excitation move to the semiconductor, and then to the counter electrode through the transparent conductive electrode.
  • the electrons transferred to the counter electrode reduce the redox system in the electrolyte.
  • the spectral dye which has transferred electrons to the semiconductor is in an oxidized state, which is reduced by a redox system in the electrolyte and returns to the original state. In this manner, electrons flow and a solar cell using the semiconductor for a photoelectric conversion material of the present invention can be formed.
  • the solar cell according to the fourth invention encloses and seals the oxide semiconductor electrode, the electrolyte, and the counter electrode in a case, but may entirely seal them with a resin.
  • the oxide semiconductor electrode has a structure in which light is applied. In a battery having such a structure, when sunlight or visible light equivalent to sunlight is applied to the oxide semiconductor electrode, a potential difference is generated between the oxide semiconductor electrode and its counter electrode, and a current flows between the two electrodes. It will flow.
  • a transparent electrode film was formed on a transparent organic polymer substrate using a sputtering apparatus.
  • a 10 ⁇ ITO (indium oxide) ceramic target on a 5 ⁇ 5 cm polyethylene terephthalate substrate (thickness: 188 / m)
  • argon gas at 10 cc / min
  • oxygen gas at 1.5 cc
  • the pressure in the apparatus was set to 5 millitorr (mTorr) while supplying at a rate of / min, and sputtering was performed for 5 minutes at a supply power of 500 W to form an ITO film having a thickness of 300 OA.
  • the surface resistance was 10 ⁇ .
  • a facing-target-type sputtering device two metal titanium targets with a diameter of 10 Omm were placed on the above ITO transparent electrode glass, and oxygen gas was supplied at 5 cCZ and argon gas was supplied at 5 cCZ. After that, set the pressure inside the equipment to 5 mTorr (0.7 Pa) and scan for 32 minutes under the conditions of 3 kW of supplied power (power density of 19 W / cm 2 ). Puttering was performed to form a titanium oxide film having a thickness of 300 OA.
  • the porosity of the obtained semiconductor film was measured.
  • the porosity of the semiconductor film was 17%.
  • the spectral sensitizing dye represented by cis-di (thiocyanato) -bis (2,2'-biviridyl-4-dicarboxylate-14-tetrabutylammoniumcarboxylate) ruthenium (II) was dissolved in an ethanol solution.
  • the concentration of the spectral sensitizing dye was 3 X 1 0- 4 mol / 1.
  • the substrate on which the film-like titanium oxide was formed was put into this ethanol liquid, and immersed at room temperature for 18 hours to obtain a metal oxide semiconductor electrode of the present invention.
  • the adsorption amount of the spectrally sensitive dye in this sample was 10 g per 1 cm 2 of the specific surface area of the titanium oxide film.
  • a release sheet (thickness: 75 ⁇ ; trade name No. 23, manufactured by Fujimori Kogyo Co., Ltd.) is applied to the back surface of the transparent conductive organic polymer substrate at 80 ° C via an adhesive layer (ethylene-vinyl acetate copolymer). And pressed.
  • the electrolyte was put between the two obtained electrodes, the side face was sealed with a resin, and then a lead wire was attached thereto to produce a solar cell of the present invention.
  • the electrolyte is: acetonitrile: lithium iodide, 1,2-dimethyl-13-propylimidazolym Dissolve soybean, iodine and t-butyl pyridine so that their concentrations are 0.1 mol / 1, 0.3 mol / 1, 0.05 mol 1, 0.5 mol Z 1 Using.
  • a solar cell was produced in the same manner as in Example 4-1 except that the adhesive layer and the release film were placed on the transparent organic polymer substrate with a counter electrode as follows.
  • Aluminum was deposited on the surface of a 5 x 5 cm polyethylene terephthalate substrate (thickness: 188 m) to form an aluminum reflective layer (thickness: 300 nm).
  • This reflective layer also serves as an electrode.
  • An adhesive layer and a release sheet were provided on the back surface of the transparent conductive organic polymer substrate in the same manner as in Example 41-11.
  • the porosity obtained by the same measurement as in Example 4_1 was 19%.
  • the obtained solar cell with a reflective layer was attached to the surface of the roofing material with a roll to obtain a roofing material with a solar cell.
  • Example 4 1-3 A solar cell was produced in the same manner as in Example 41-11, except that the adhesive layer and the release film were placed on the transparent organic polymer substrate with the counter electrode as described below.
  • a transparent conductive organic polymer substrate coated with tin oxide doped with and further supporting platinum thereon was used.
  • An adhesive layer and a release sheet were provided on the back surface of the transparent conductive organic polymer substrate in the same manner as in Example 41-11.
  • the solar cell was attached to the surface of a glass plate to obtain a glass plate with a solar cell.
  • the porosity obtained by the same measurement as in Example 4-11 was 19%.
  • the organic dye-sensitized solar cell of the fourth invention uses a flexible organic polymer film as a substrate, and thus can be attached to the surface of any material, or Can be installed.
  • the organic dye-sensitive solar cell of the present invention is a solar cell which is flexible and has a design property and a decorative property (coloring, pattern, high reflection) and a stickable decorative property. It can be installed in places where decorativeness is required.
  • the construction material such as a roof material and a wall material on which such a solar cell is installed by pasting or the like according to the present invention has an advantage that the function as a solar cell can be obtained by using the building material as a building material. Have.
  • FIG. 10 is a schematic diagram for explaining the metal oxide semiconductor film forming method of the fifth invention.
  • a coating liquid in which metal oxide fine particles are dispersed in a binder (generally, an organic binder) is applied on a transparent electrode 52 provided on a substrate 51, and dried to be dried. Then, a coating film 55 mainly composed of is formed. Then this coating film Is irradiated with ultraviolet rays to remove the binder 54, thereby forming a metal oxide semiconductor film 56 having a large surface area.
  • a binder generally, an organic binder
  • Pinda 54 organic substances such as polymers and surfactants
  • low molecular substances organic acids, carbon dioxide, etc.
  • UV rays are preferably short-wavelength UV rays, generally 1 to 400 nm, preferably 1 to 300 nm, and particularly preferably 1 to 200 nm. This is done using a range of light.
  • the binder can be removed at a low temperature at a high speed.
  • the binder When the binder is irradiated with ultraviolet rays, the binder absorbs the ultraviolet rays, and the bonds of the molecules constituting the binder are cut directly.
  • the atmosphere gas is decomposed by the energy of ultraviolet rays to generate radicals, and the radicals decompose the binder (in this case, a gas containing 0, F, C1, etc. is effective),
  • a metal oxide semiconductor (T I_ ⁇ 2, etc.) absorbs ultraviolet excitation, binder minute angle to early (i.e., oxidative decomposition reaction by the photocatalyst)
  • irradiation with light of a short wavelength such as 185 nm generates radicals having extremely strong oxidizing power (for example, ⁇ ⁇ ⁇ ), which decompose the pinda.
  • the reaction in order to generate radicals having a strong oxidizing power, the reaction is generally performed in the presence of a reaction gas such as oxygen, a compound containing a fluorine atom (such as CF 4 ), and a compound containing a chlorine atom. Reacts with and decomposes.
  • a transparent electrode, a substrate, or the like whose material does not have excellent heat resistance (for example, a plastic substrate as a substrate and ITO as an electrode).
  • titanium oxide particularly an anatase type titanium oxide, as the metal oxide.
  • a binder which is easily decomposed by ultraviolet irradiation is preferable.
  • those containing a carbonyl group, a hydroperoxide group, or the like, or those which are likely to be generated are preferred. Examples of preferred binders will be described later.
  • a mercury lamp As an ultraviolet lamp used for the ultraviolet irradiation, a mercury lamp is generally used. When a current is passed between two electrodes in a gas or vapor, light of various wavelengths is emitted. The intensity and wavelength of the emitted light depend on the type of gas, pressure, current, and tube diameter.
  • Mercury lamps use mercury as gas or vapor, and are known to have high, medium and low pressures.
  • a high-pressure mercury lamp is suitable for high-speed decomposition of the binder.
  • low-pressure mercury lamps and Xe excimer lamps are preferable.
  • the UV irradiation is generally performed on the coating film for 1 second to 60 minutes, preferably 15 seconds to 30 minutes, particularly preferably 10 to 20 minutes when using a high-pressure mercury lamp.
  • the irradiation distance is generally from 1 to 100 cm, preferably from 1 to 20 cm, particularly preferably from 1 to 10 cm.
  • Ultraviolet lamps are applied to the coating film 55 provided on the substrate 51, which is mainly composed of the metal oxide fine particles 53 and the binder 54, as described above. It is preferable to irradiate ultraviolet rays with the above-mentioned reactive gas interposed between the film and the lamp in order to accelerate the decomposition of the binder.
  • binder polymer
  • a preferable combination such as a reactive gas, a polyester resin as a binder, and ozone using a high pressure mercury lamp in an atmosphere such as C 1 2, CF 4, a method to decompose Painda Can be mentioned.
  • the transparent electrode substrate with a metal oxide semiconductor film of the fifth invention is obtained.
  • An embodiment of a metal oxide semiconductor electrode of the present invention using the above-mentioned transparent electrode substrate with a metal oxide semiconductor film and an organic dye-sensitized solar cell having the same will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 11 is a sectional view showing an example of an embodiment of the organic dye-sensitized solar cell of the fifth invention.
  • a substrate 51 and a transparent electrode 52 are provided thereon, and a dye-adsorbed metal oxide semiconductor film 63 in which a spectrally sensitive dye is adsorbed on the metal oxide semiconductor film on the transparent electrode is formed.
  • a counter electrode 64 is disposed above the transparent electrode so as to face the transparent electrode, and a side portion is sealed with a sealant 65. Further, the metal oxide semiconductor film 63 and the counter electrode 64 are formed. An electrolyte (solution) 66 is enclosed between them.
  • the metal oxide semiconductor electrode of the present invention is basically composed of the substrate 51, a transparent electrode 52 and a metal oxide semiconductor film 63 having a transparent dye adsorbed on the transparent electrode. Be composed.
  • the metal oxide semiconductor films 53 and 63 provided on the transparent electrode on the substrate have a shape in which various large and small spherical particles are bonded, and have a large surface. It has irregularities and a number of voids inside. That is, in the metal oxide semiconductor film of the fifth invention, since the binder is removed from the coating film containing the binder by the ultraviolet irradiation treatment as described above, countless cavities are formed in the removed portion, Porosity is high.
  • the porosity is preferably at least 30%, particularly preferably at least 35%.
  • the upper limit of the porosity may be close to 100% as long as the amount of organic dye adsorbed is large. From the viewpoint of maintaining the above shape, about 95% is preferable.
  • the metal oxide semiconductor film 53 of the fifth invention has a large surface area and a large internal cavity surface area, and therefore has a large area for adsorbing the organic dye. Furthermore, because of such a structure (shape), it is easy for the organic dye to enter the surface and inside, and the dye adsorption can be completed in a short time. In addition, since both the surface and the inside have large surface areas, the amount of organic dye adsorbed is increased, and the light energy conversion efficiency is improved.
  • the metal oxide semiconductor film 53 having such a structure is obtained by coating, drying, and ultraviolet irradiation as described above.
  • a coating liquid in which metal oxide fine particles are dispersed in a binder is applied onto a transparent electrode provided on a substrate (preferably a plastic substrate).
  • metal oxide semiconductors examples include one of known semiconductors such as titanium oxide, zinc oxide, tungsten oxide, antimony oxide, niobium oxide, indium oxide, barium titanate, strontium titanate, sulfide dominate and the like. Alternatively, two or more kinds can be used. Particularly, titanium oxide is preferable from the viewpoint of stability and safety. Examples of the titanium oxide include various titanium oxides such as anatase-type titanium oxide, rutile-type titanium oxide, amorphous titanium oxide, metatitanic acid, and orthotitanic acid, titanium hydroxide, and hydrous titanium oxide. In the present invention, anatase type titanium oxide is preferred.
  • the metal oxide is in the form of fine particles, and its primary particle diameter is 0.001 to 5 ⁇ , and further 0.001 to 0.5111, especially 0.01 to 0.05 ⁇ m. Is preferable.
  • any binder can be used as long as it can be used to disperse the fine particles and is easily decomposed by ultraviolet irradiation, and a polymer is generally used.
  • Polymer One example is polyalkylene glycol (eg, polyethylene glycol), acrylic resin, polyester, polyurethane, epoxy resin, silicone resin, fluorine resin, polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol, polyacetal, polybutylanole, petroleum resin, Examples include polystyrene and cellulose resin.
  • the ataryl resin examples include alkyl acrylates (eg, methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate) and z or alkyl methacrylates (eg, methino methacrylate, ethynole methacrylate, butyl methacrylate). Homopolymers or copolymers. Copolymers of these monomers with other copolymerizable monomers can also be mentioned. In particular, polymethyl methacrylate (PMMA) is preferred from the viewpoint of reactivity during photocuring, durability after curing, and transparency.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • a surfactant can also be used as a binder.
  • a nonionic surfactant such as polyethylene glycol and polypropylene glycol, or an anionic surfactant and a cationic surfactant can be used.
  • the polymer and the surfactant may be used in combination.
  • binder examples include polyalkylene dalicol (eg, polyethylene glycol), polyester, acrylic resin, polyacetal, polybutyral, petroleum resin, polystyrene, and cellulose resin.
  • polyalkylene dalicol eg, polyethylene glycol
  • polyester acrylic resin
  • acrylic resin polyacetal
  • polybutyral polybutyral
  • petroleum resin polystyrene
  • cellulose resin e.g., cellulose resin
  • a condensate of tetraalkoxysilane and / or trialkoxysilane may be used in order to obtain good adhesion.
  • the thickness of the metal oxide semiconductor film is generally 0.1 ⁇ ⁇ or more, preferably 0.1 to 100 / Xm, particularly preferably 1 to 0 ⁇ m.
  • the substrate 51 may be a transparent substrate, and is generally a glass plate, usually a silicate glass, or a plastic substrate. Various plastic substrates can be used as long as visible light transmission can be ensured.
  • the thickness of the substrate is generally from 0.3 to 10 mm, preferably from 0.3 to 5 mm.
  • the glass plate is preferably chemically or thermally reinforced.
  • a transparent organic resin having a glass transition temperature of 50 ° C. or more is preferable.
  • a transparent organic resin having a glass transition temperature of 50 ° C. or more is preferable.
  • sulfone resins such as ketone resins, polysulfone, and polyether sulfone
  • a transparent resin substrate mainly containing an organic resin such as polyvinyl chloride can be used.
  • polycarbonate, polymethyl methacrylate, polybutyl chloride, polystyrene, and polyethylene terephthalate are excellent in transparency and birefringence, and can be suitably used.
  • a substrate made of I n 2 O 3 and S n0 2 of the conductive metal oxide thin film obtained by the formation and metallic conductive material or the like is used as the transparent electrode 52.
  • the good preferable examples of the conductive metal oxide, I n 2 0 3: Sn (I TO), S ⁇ 0 2: S b (ATO), S n 0 2: F (FTO), Z nO: A 1 (AZO), Z nO: F can be mentioned C d S n O 4.
  • An organic dye (spectral dye) is adsorbed as a monomolecular film on the surface of the oxide semiconductor film on the substrate obtained as described above.
  • the organic dye spectral sensitizing dye
  • the organic dye to be adsorbed as a monomolecular film on the surface of the oxide semiconductor film on the substrate and the method of adsorbing the organic dye.
  • the organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode (semiconductor for photoelectric conversion material) of the fifth invention is obtained.
  • a solar cell is manufactured using an organic dye-sensitive metal oxide semiconductor electrode having a transparent electrode and an organic dye-adsorbed metal oxide semiconductor formed on the substrate thus obtained. That is, a metal oxide semiconductor film for a photoelectric conversion material is formed on a glass plate or a plastic substrate coated with a transparent electrode (transparent conductive film) to form an electrode, and then another transparent conductive film is used as a counter electrode. A substrate such as a glass plate coated with is sealed with a sealant, and an electrolyte is sealed between these electrodes to form a solar cell.
  • the spectral sensitizing dye adsorbed on the semiconductor film of the fifth invention When the spectral sensitizing dye adsorbed on the semiconductor film of the fifth invention is irradiated with sunlight, the spectral sensitizing dye absorbs and excites light in the visible region. The electrons generated by this excitation are transferred to the semiconductor. And then through the transparent conductive glass electrode to the counter electrode. The electrons transferred to the counter electrode reduce the redox system in the electrolyte.
  • the spectral sensitizing dye that has transferred electrons to the semiconductor is in an oxidized state, which is reduced by the redox system in the electrolyte and returns to the original state. In this way, electrons flow and a solar cell using the semiconductor for photoelectric conversion materials of the present invention can be formed.
  • electrolyte (redox electrolyte) of the third invention is applied to the electrolyte (redox electrolyte).
  • the oxide semiconductor electrode, the electrolyte, and the counter electrode are housed and sealed in a case, but may be entirely resin-sealed.
  • the oxide semiconductor electrode has a structure in which light is applied.
  • a potential difference is generated between the oxide semiconductor electrode and its counter electrode, and a current flows between the two electrodes.
  • a transparent electrode film was formed using a sputtering device.
  • a 100 mm ⁇ I ⁇ ⁇ (indium oxide) ceramic target was used, with 10 cCZ of argon gas and 1.5 of oxygen gas. While supplying at a rate of cc / min, the pressure in the apparatus was set to 5 millitorr (mTorr), and sputtering was performed for 5 minutes at a supply power of 500 W to form an ITO film having a thickness of 300 nm. The surface resistance was 10 ⁇ square.
  • anatase type titanium dioxide (primary particle size: 30 nm) of the water and Asechiruaseton comprising polyethylene grayed recall 20 mass 0/0 (volume ratio: 20/1) was dispersed in 30 wt% of titanium dioxide A dispersion was obtained.
  • the dispersion was coated on the ITO film of the polycarbonate substrate obtained in (1) using a bar coater, and dried at 120 ° C. for 30 minutes to form a titanium dioxide-containing coating film having a thickness of 10 ⁇ .
  • a substrate having a titanium dioxide-containing coating film is placed in an ultraviolet irradiation apparatus equipped with a high-pressure mercury lamp. After applying oxygen gas at 5 ccZ and argon gas at 5 cc / min, irradiate the coating film with ultraviolet light from a high-pressure mercury lamp (irradiation distance 2 cm, For 20 minutes), a titanium dioxide film having a thickness of 10 was formed.
  • the porosity of the obtained semiconductor film was measured.
  • the porosity of the semiconductor film was 38%.
  • a spectral sensitizing dye represented by cis- (thiocyanato) -bis (2,2'-biviridyl-14-dicarboxyl- 1,4-tetrabutylammonium carboxylate) ruthenium (II) was dissolved in ethanol solution.
  • the concentration of this spectral sensitizing dye was 3 ⁇ 10 4 mol / 1.
  • the substrate on which the film-like titanium oxide was formed was put into this ethanol liquid, and immersed at room temperature for 18 hours to obtain a metal oxide semiconductor electrode of the present invention.
  • the adsorption amount of the spectral sensitizing dye of this sample was 10 ⁇ g per 1 cm 2 of the specific surface area of the titanium oxide film.
  • the above-mentioned metal oxide semiconductor electrode was provided as one electrode, and as a counter electrode, a transparent conductive glass plate coated with fluorine-doped tin oxide and further supporting platinum thereon was used. An electrolyte was put between the two electrodes, the side face was sealed with a resin, and a lead wire was attached, thereby producing a solar cell of the present invention.
  • the electrokeratosis lithium iodide, 1,2-dimethyl-13-propylimidazolidum iodide, iodine and t-butyl pyridine were added to acetonitrile solvent at a concentration of 0.1 mol / l, respectively.
  • a solar cell was fabricated in the same manner as in Example 5-1 except that the fabrication of the metal oxide semiconductor film (2) was performed as follows.
  • Example 5-1 a titanium dioxide dispersion having a concentration of 50% by mass was used, and the steps of diving the substrate therein and drying were repeated to form a titanium dioxide-containing coating film.
  • the porosity of the semiconductor film obtained by the same measurement as in Example 5-1 was 38%.
  • the solar cell having the organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode formed by the method of the fifth invention has a metal oxide conductor film easily obtained at low temperature, This is an organic dye-sensitized solar cell with a significantly increased amount of adsorption. Therefore, it has high light-to-energy conversion efficiency and has sufficient performance as a solar cell.
  • FIG. 12 shows an example of a schematic diagram for explaining the method for forming a transparent electrode according to the sixth invention (6-i).
  • the conductive metal oxide fine particles dispersed in the A layer of particles 73 is formed, the binder 72 is removed from this layer, and a coating type transparent electrode film made of conductive metal oxide fine particles 73 is provided.
  • a vapor-phase transparent electrode film 74 of a reactive metal oxide is formed.
  • the coating type transparent electrode film since the binder is removed from the layer of the conductive metal oxide fine particles dispersed in the binder, the binder portion becomes a cavity, and the conductive metal oxide fine particles 73 are bonded to each other. Therefore, the coating type transparent electrode film has a rough surface having a large surface area.
  • a vapor-phase transparent electrode film 74 is formed on the coating-type transparent electrode film having a myriad of voids by a vapor-phase film-forming method. Not only the exposed portion of the surface of the electrode film 72 but also the inside of the cavity is covered, and almost all of the exposed portion of the coating type transparent electrode film 72 is covered while maintaining countless voids.
  • FIG. 13 shows an example of a schematic diagram for explaining the method for forming a transparent electrode according to the sixth invention (6-ii).
  • a vapor-phase transparent electrode film 84 of a conductive metal oxide is formed on the surface of the transparent substrate 81 by a vapor deposition method, and further, conductive metal oxide fine particles 83 are formed on the surface of the transparent electrode film 84.
  • the coating liquid dispersed in the binder 82 is applied and dried to form a coating film containing the conductive metal oxide, and then the binder is removed from the coating film containing the conductive metal oxide to remove the conductive metal oxide.
  • a coating type transparent electrode film composed of the fine particles 83 is formed.
  • the vapor-phase transparent electrode film 84 provided directly on the transparent substrate is a conventional transparent electrode, and its surface is generally smooth.
  • the coating type transparent electrode film provided thereon since the binder is removed from the layer of the conductive metal oxide fine particles dispersed in the binder, the portion becomes a cavity, and the conductive metal oxide fine particles are removed. A layer in which 83 are bonded to each other is formed, and this layer has a rough surface having a large surface area. For this reason, since the metal oxide semiconductor film provided on the rough surface also has a large surface area, a large amount of organic dye is adsorbed on the surface of the semiconductor film. Therefore, such an organic dye-sensitized metal oxide semiconductor Organic dye-sensitized solar cells using body electrodes exhibit high light energy conversion rates.
  • the transparent electrode can be formed at a relatively low temperature, a material having low resistance and low heat resistance such as ITO is also used as the transparent electrode. be able to.
  • the removal of the binders 72, 82 (generally, organic substances such as polymers and surfactants) of the coating film is generally performed by plasma treatment or ultraviolet irradiation treatment. Reacts with cations, anions and radicals in the plasma and is decomposed and removed. Plasma is generated by applying an electric field to the reaction gas introduced into the plasma generator and causing gas molecules to collide with high-speed electrons and ionize them. Generally, the reaction is performed in the presence of a reaction gas such as oxygen, fluorine, and chlorine, and these ions and radicals react with pinda and the like to be decomposed. Since such a reaction is performed at a relatively low temperature, it is possible to use a transparent electrode or a substrate whose substrate is not excellent in heat resistance (for example, a plastic substrate as a substrate and an ITO as an electrode).
  • a transparent electrode or a substrate whose substrate is not excellent in heat resistance (for example, a plastic substrate as a substrate and an ITO as an electrode).
  • the plasma treatment is preferably performed using high-frequency plasma, microwave plasma, or a hybrid type thereof. Further, when plasma is performed under reduced pressure, the ionization rate increases, the directionality of ions becomes anisotropic, and uniform removal of the binder and the like becomes possible. However, in high-frequency discharges (13.56 MHz, 2.45 GHz), when the pressure decreases, the number of collisions between electrons and gas molecules decreases. Alternatively, a method of applying an inductive magnetic field has been adopted (for example, magnetron discharge, ECR discharge, helicon wave discharge, inductive coupling discharge, etc.). Also in the present invention, high-frequency plasma and microwave plasma to which such a magnetic field is applied are preferable.
  • the binder and the like of the coating film on the substrate are removed using an ECR plasma generator shown in FIG.
  • a substrate 90 having a coating film is placed below the etching chamber 97 and is evacuated from underneath.
  • the reaction gas 92 is introduced from the upper part, and the microwave 93 is introduced from the upper central part.
  • the microwave 93 is introduced into the reaction gas in the magnetic field generated by the electromagnetic coil 31 to generate plasma, and the plasma stream 95 collides with the substrate.
  • the binder and the like in the coating film are decomposed and removed.
  • the pressure 1 0- 3 Torr or less, especially 1 0- 3 Torr ⁇ l 0- 4 Torr It is preferable that
  • the removal of the binder from the coating film can be performed by an ultraviolet irradiation treatment.
  • the binder is accelerated by a UV irradiation to a low-molecular substance (organic acid, carbon dioxide, etc.) and removed.
  • UV rays are preferably short-wavelength UV rays, generally 1 to 400 nm, preferably 1 to 300 nm, and particularly preferably 1 to 200 nm. Light in the nm range. Thereby, the binder can be removed at a high speed at a low temperature.
  • the mechanism of decomposition of the binder (organic matter) is as follows.
  • the binder When the binder is irradiated with ultraviolet rays, the binder absorbs the ultraviolet rays and the bonds of the molecules constituting the binder are directly broken,
  • Atmospheric gas is decomposed by the energy of ultraviolet rays to generate radicals, and the radical is used to decompose the binder (in this case, a gas containing 0, F, CI, etc. is effective).
  • irradiation with light of a short wavelength such as 185 nm generates radicals having a very strong oxidizing power (for example, ⁇ ⁇ ⁇ ), thereby decomposing the binder.
  • the reaction in order to generate radicals having a strong oxidizing power, the reaction is generally performed in the presence of a reaction gas such as oxygen, a compound containing a fluorine atom (such as CF 4 ), and a compound containing a chlorine atom. Reacts with and decomposes. Since such a reaction is carried out at a relatively low temperature, it is possible to use a transparent electrode or a substrate whose substrate is not excellent in heat resistance (for example, a plastic substrate as a substrate, ITO as an electrode, etc.).
  • a binder which is easily decomposed by ultraviolet irradiation is preferable.
  • those containing a carbonyl group, a hydroperoxide group, or the like, or those which are likely to be generated are preferred. Examples of preferred binders will be described later.
  • the ultraviolet lamp used for the ultraviolet irradiation the same description as the ultraviolet lamp used for the ultraviolet irradiation in the fifth invention is applied.
  • Ultraviolet lamps are applied to the conductive metal oxide-containing coating film, which is mainly composed of metal oxide fine particles and a binder, provided on a transparent substrate, and as described above, these coating films are used.
  • the above reactive gas is interposed between the Irradiation is preferred for accelerating the decomposition of the pinda.
  • type of Painda organic polymer first class
  • the substrate that can be used in the present invention may be a transparent substrate, and is generally a glass plate, usually a silicate glass, or a plastic substrate. Various plastic substrates can be used as long as the transmission of visible light can be ensured.
  • the thickness of the substrate is generally 0.1 to 1 Oram, preferably 0.3 to 5 mm.
  • the glass plate is preferably chemically or thermally strengthened. When a glass plate is used as the substrate, a condensate of tetraalkoxysilane and silane or trialkoxysilane may be used in order to obtain good adhesion.
  • the solar cell substrate 46 described later does not have to be transparent.
  • the same description as that of the plastic substrate in the fifth invention is applied.
  • conductive metal oxide in any of the vapor deposition and the coating method is used, in general, I n 2 0 3: S n ( IT_ ⁇ ), S Ita_ ⁇ 2: S b, S n 0 2: F , Z nO: a l, S n0 2, ZnO: F, Ru can be mentioned C d S n O 4.
  • vapor-type transparent electrode-bearing substrate may be used a substrate made of I n 2 0 3 and S N_ ⁇ second conductive metal oxide thin film that is formed and conductive material such as metal.
  • the conductive metal oxide is used in the form of fine particles.
  • the average primary particle size of the conductive metal oxide fine particles is preferably in the range of 0.001 to 5 m, particularly preferably in the range of 0.001 to 0.05 m.
  • the binder may be any binder that can be used to disperse the fine particles, and generally an organic polymer is used.
  • polymers include polyalkylene glycol (eg, polyethylene glycol), acrylic resin, polyester, polyurethane, epoxy resin, silicone resin, fluororesin, polyvinyl acetate, polybutyl alcohol, polyacetal, polybutyral, petroleum resin, Examples include polystyrene and cellulose resin.
  • the acrylic resin of Pinda, the surfactant used as Pinda is the fifth invention.
  • the same explanations as in [1] apply.
  • a coating liquid in which conductive metal oxide fine particles are dispersed in a binder can be obtained by mixing the above materials and using them. If necessary, fine particles are dispersed by kneading.
  • the content of the fine particles in the coating liquid is preferably from 20 to 60% by mass, and particularly preferably from 20 to 50% by mass.
  • the content of the binder in the coating solution is preferably 1 to 20% by mass,
  • the solvent examples include water, acetylacetone, alcohol, toluene, methylformamide and the like. If necessary, additives such as a surfactant can be added.
  • the coating can be performed by a known method such as a spray, a bar coater, and a roll coater. In general, drying is preferably performed at room temperature. Thereafter, the binder is removed as described above.
  • the thickness of the vapor-phase transparent electrode film is preferably in the range of 0.1 to 100 nm in order to secure voids and obtain a large surface area.
  • the range of 100 ⁇ is preferable, and the thickness of the coating type transparent electrode film is preferably in the range of 100 to 500 nm, particularly preferably in the range of 100 to 300 nm.
  • FIG. 15 is a sectional view showing an example of the embodiment of the organic dye-sensitized solar cell of the sixth invention.
  • a transparent substrate 101, a transparent electrode 103 of the present invention are provided thereon, and a dye-adsorbed metal oxide semiconductor in which a spectral sensitizing dye is adsorbed on a metal oxide semiconductor film on the transparent electrode.
  • a film 105 is formed, a counter electrode 106 is placed above the film, facing the transparent electrode, and a side portion is sealed with a sealant 107.
  • the metal oxide semiconductor electrode of the present invention is basically composed of the substrate 101, a transparent electrode 103 thereon, and a metal oxide semiconductor film 105 in which a spectral sensitizing dye is adsorbed on the transparent electrode. It is configured in a typical manner.
  • a metal oxide semiconductor film is provided on the transparent electrode of the sixth invention as shown in FIG. 15 .
  • the metal oxide semiconductor film provided on the transparent electrode on the substrate is: Generally, it has a shape in which spherical particles of various sizes are joined, and has large irregularities on the surface and many voids inside.
  • the metal oxide semiconductor film of the present invention is obtained by applying a conventional slurry of oxide semiconductor fine powder onto a transparent electrode, drying the slurry, It may be formed by baking at 00 ° C. for about one hour, but is preferably formed by a vapor phase film forming method from the viewpoint of reducing heat application.
  • the metal oxide semiconductor film of the sixth invention is provided on the transparent electrode having a rough surface of the present invention, a film having an extremely high porosity can be obtained.
  • the metal oxide semiconductor film of the present invention is generally formed by a vapor deposition method, has a rough surface, and has a porosity of 25% or more. Further, the porosity is preferably at least 30%, particularly preferably at least 35%. Due to such a shape, the adsorption amount of the organic dye is large. The upper limit of the porosity may be close to 100% as long as the amount of organic dye adsorbed increases, but is preferably about 95% from the viewpoint of maintaining the shape of the film.
  • the metal oxide semiconductor film of the sixth invention has a large surface area and a large internal cavity surface area, and therefore has a large area for adsorbing the organic dye. Furthermore, because of such a structure (shape), it is easy for the organic dye to enter the surface and the inside, and the dye adsorption can be completed in a short time. In addition, the large surface area on both the surface and the inside increases the amount of organic dye adsorbed and improves the energy conversion efficiency of light.
  • the metal oxide semiconductor film of the present invention uses a metal corresponding to the above materials and Z or a metal oxide as a target, and uses a vapor phase film forming method, for example, a physical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method. It can be formed by sputtering, CVD or plasma CVD under the above conditions by sputtering.
  • a preferred method for forming the metal oxide semiconductor film of the present invention is to use a sputtering method, which is performed under the conditions of the target input power density and the pressure described above.
  • the facing bipolar target type sputtering method is preferable, and the reactive sputtering method is also preferable.
  • the opposed bipolar target type sputtering method of the sixth invention is preferably a reactive sputtering method, that is, sputtering a metal or metal oxide while introducing a reactive gas such as an oxygen gas.
  • a reactive sputtering method that is, sputtering a metal or metal oxide while introducing a reactive gas such as an oxygen gas.
  • metal titanium, titanium oxide, particularly conductive titanium oxide as a target, and performing sputtering while supplying oxygen gas. Is preferred.
  • the metal oxide semiconductor film of the sixth invention is basically preferably formed in a short time at a high power and under a high gas pressure.
  • a change in a gas mixing flow rate ratio and an arc ion sputtering It can be carried out by use or the like, or by appropriately combining these methods.
  • a preferred method for forming the metal oxide semiconductor film of the present invention is a sputtering method, in which 1.3 W / cm 2 or more, further 2.6 WZ cm 2 or more, particularly 11 W / cm 2 or more Target power density, and a pressure of 0.6 Pa or more, furthermore, a pressure of 2.6 OPa or more, and especially 2.6 Pa or more.
  • the polar target sputtering method is preferable, and the reactive sputtering method is also preferable.
  • the semiconductor film can be formed rapidly by performing under such extreme conditions as ordinary sputtering conditions, whereby the metal oxide semiconductor film having the specific shape and structure of the present invention can be obtained. it can. As a result, the amount of organic dye adsorbed can be greatly increased, and a high-efficiency solar cell having high energy conversion efficiency can be obtained.
  • a coating liquid in which metal oxide fine particles are dispersed in a binder is applied to the surface of the transparent electrode of the sixth invention, and dried to form a coating film mainly composed of metal oxide fine particles and a binder. Then, the binder may be removed from the coating film by plasma treatment or ultraviolet irradiation treatment, and the metal oxide fine particles may be combined to form a metal oxide semiconductor film.
  • An organic dye (spectral sensitizing dye) is adsorbed as a monomolecular film on the surface of the oxide semiconductor film on the substrate obtained as described above.
  • the organic dye spectral dye
  • the organic dye to be adsorbed as a monomolecular film on the surface of the oxide semiconductor film on the substrate and the method of adsorbing the organic dye.
  • the organic dye-sensitive metal oxide semiconductor electrode (semiconductor for photoelectric conversion material) of the sixth invention is obtained.
  • a solar cell is manufactured using an organic dye-sensitized metal oxide semiconductor electrode having a transparent electrode and an organic dye-adsorbed metal oxide semiconductor formed on the substrate thus obtained. That is, a metal oxide semiconductor film which is a photoelectric conversion material is formed on a glass plate or a plastic substrate coated with a transparent electrode (transparent conductive film) to form an electrode. A substrate such as a glass plate coated with another transparent conductive film as an electrode is bonded with a sealing agent, and an electrolyte is sealed between these electrodes to form a solar cell.
  • the spectral sensitizing dye adsorbed on the semiconductor film of the sixth invention When the spectral sensitizing dye adsorbed on the semiconductor film of the sixth invention is irradiated with sunlight, the spectral sensitizing dye absorbs and excites light in the visible region. The electrons generated by this excitation move to the semiconductor and then to the counter electrode through the transparent conductive glass electrode. The electrons transferred to the counter electrode reduce the redox system in the electrolyte.
  • the spectral sensitizing dye that has transferred electrons to the semiconductor is in an oxidized state, which is reduced by the redox system in the electrolyte and returns to the original state. In this way, electrons flow and a solar cell using the semiconductor for photoelectric conversion materials of the present invention can be formed.
  • electrolyte (redox electrolyte) of the third invention is applied to the electrolyte (redox electrolyte).
  • the oxide semiconductor electrode, the electrolyte, and the counter electrode are housed in a case and sealed, but may be entirely resin-sealed.
  • the oxide semiconductor electrode has a structure in which light is applied.
  • a potential difference is generated between the oxide semiconductor electrode and its counter electrode, and a current flows between the two electrodes.
  • a laminated transparent electrode film was produced as follows.
  • the above dispersion liquid was applied on a 5 ⁇ 5 cm polycarbonate substrate (thickness: 2 mm) using a per coater, dried at 120 ° C. for 30 minutes, and dried at a temperature of 300 nm. ⁇ A coating film was formed.
  • a substrate with an ITO coating film is placed in a chamber of a plasma generator shown in Fig. 15 with the coating film facing upward, and oxygen gas is supplied at 5 cc Z and argon gas is supplied at 5 cc Z.
  • the pressure inside the equipment was set to 1 mTorr (0.13 Pa), and the microwaves were introduced under the conditions of 2.45 GHz of introduced microwave, 875 gauss of magnetic force, and 3 kW of supplied power (power density of 19 WZcm 2 ).
  • the polyethylene dalycol was removed by plasma treatment for 1 minute, and a coating type ITO film having a thickness of 100 nm was formed.
  • the porosity of the obtained transparent electrode was measured.
  • the porosity of the transparent electrode was 38%.
  • Two metal titanium targets with a diameter of 100 mm were placed on the above ITO transparent electrode glass plate using a facing target type sputtering device, and oxygen gas was supplied at 5 cc / min and argon gas was supplied at 5 cc / min. After that, the pressure inside the equipment was set to 5 mTorr (0.7 Pa), and sputtering was performed for 32 minutes under the conditions of a supplied power of 3 kW (power density of 19 W / cm 2 ), and a thickness of 300 nm was applied. A titanium oxide film was formed.
  • the porosity of the obtained semiconductor film was measured in the same manner as in (1).
  • the porosity of the semiconductor film was 42%.
  • the obtained spectral sensitizing dye was dissolved in an ethanol solution.
  • the concentration of the spectral sensitizing dye was 3 X 1 0 one 4 mol.
  • the substrate on which the film-like titanium oxide was formed was put into this ethanol liquid, and immersed at room temperature for 18 hours to obtain a metal oxide semiconductor electrode of the present invention.
  • the adsorption amount of the spectral sensitizing dye of this sample was 10 ⁇ g per 1 cm 2 of the specific surface area of the titanium oxide film.
  • the above-mentioned metal oxide semiconductor electrode was provided as one electrode, and as a counter electrode, a transparent conductive glass plate coated with fluorine-doped tin oxide and further supporting platinum thereon was used. An electrolyte was put between the two electrodes, the side face was sealed with a resin, and a lead wire was attached, thereby producing a solar cell of the present invention.
  • the electrolyte lithium iodide, 1,2-dimethyl-3-propylimidazolidum iodide, iodine and t-butylpyridine were used in an acetonitrile solvent at a concentration of 0.1 molno 1 and 0.3 mol, respectively.
  • a laminated transparent electrode film was produced as follows.
  • ITO indium oxide fine powder (average particle size: 0.05 nm)
  • the dispersion was applied on the obtained gas-phase ITO film using a per coater and dried at 120 ° C. for 30 minutes to form an ITO coating film having a thickness of 300 nm.
  • the substrate with the ITO coating film is placed in a UV irradiation device equipped with a high-pressure mercury lamp with the coating film facing up.Oxygen gas is supplied at 5 cc / min and argon gas is supplied at 5 cCZ, Ultraviolet rays were irradiated from the mercury lamp onto the coating film (irradiation distance: 2 cm, irradiation time: 20 minutes) to form a coating type ITO film with a thickness of 300 nm.
  • the surface resistance was 10 ⁇ square.
  • the porosity of the obtained transparent electrode was measured.
  • the porosity of the transparent electrode was 38%.
  • the porosity of the semiconductor film obtained by the same measurement as in Example 6-1 was 42%.
  • a solar cell was fabricated in the same manner as in Example 6-1 except that the fabrication of the transparent electrode and the fabrication of the metal oxide semiconductor film were performed as follows.
  • oxygen gas is supplied at 10 c cZ and oxygen gas is used.
  • the pressure in the apparatus was set to 5 mTorr (mTorr) while sputtering at 1.5 c cZ, and sputtering was performed for 5 minutes under the condition of a supply power of 500 W.
  • a TO film was formed.
  • the surface resistance was 10 ⁇ / mouth.
  • the adsorption amount of the spectral sensitizing dye on this semiconductor was 10 ⁇ g per 1 cm 2 of the specific surface area of titanium oxide.
  • the porosity of the semiconductor film obtained by the same measurement as in Example 6-1 was 38%.
  • V oc voltage in an open circuit state
  • J sc The density of the current flowing when short-circuited
  • the FF fill factor
  • the 77 conversion efficiency
  • the transparent electrode formed by the method of the sixth invention can be obtained at a relatively low temperature, has a low resistance value, and has a large surface area because it has numerous voids. Therefore, a metal oxide semiconductor electrode using such a transparent electrode also has a large surface area, and a solar cell having an organic dye-sensitive metal oxide semiconductor electrode obtained therefrom can be easily obtained at a low temperature and has a high dye adsorption amount. Therefore, the energy conversion efficiency of light is high, and it has sufficient performance as a solar cell.

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Abstract

 加硫ゴム、ホスファゼン系重合体、三次元連続の網状骨格構造を有する高分子材料で構成された多孔質体又はEVA樹脂フィルムに、酸化還元性物質を担持させてなる色素増感型太陽電池用電解質。色素増感型半導体電極2,3と、この電極に対向して設けられた対電極4との間に、この電解質6を有する色素増感型太陽電池。色素増感型太陽電池の発電効率、耐久性、安全性の向上に有効でしかも安価に製造可能な色素増感型太陽電池用固体状電解質が提供される。

Description

色素增感型太陽電池の改良 発明の分野
( 1 ) 第 1発明は色素増感型太陽電池用電解質及び色素増感型太陽電池に係り、 特に色素増感型太陽電池に用いられる固体状電解質と、 このような固体状電解質を 備える色素増感型太陽電池に関する。
( 2 ) 第 2発明は、 色素增感型太陽電池用電極及びその製造方法に係り、 詳しく は、 色素増感型太陽電池の増感色素吸着用酸化チタン薄膜の形成方法の改良に関す る。
( 3 ) 第 3発明は、 有機色素増感型太陽電池に関する。
( 4 ) 第 4発明は、有機色素増感型太陽電池と、この太陽電池を有する窓ガラス、 屋根材等の建材に関する。
( 5 ) 第 5発明は、 有機色素增感型太陽電池、 これに有利に使用される有機色素 増感型金属酸化物半導体電極、 及びこの製造に有利に利用される金属酸化物半導体 膜の形成方法に関する。
( 6 ) 第 6発明は、 有機色素増感型太陽電池、 この製造に有利に使用される有機 色素増感型金属酸化物半導体電極及びその形成方法並びにこの半導体電極の製造に 有利に使用される透明電極基板及びその形成方法に関する。 発明の背景
( 1 ) 増感色素を吸着させた酸ィヒ物半導体を電極に用いて太陽電池を構成するこ とは既に知られている。 図 1は、 このような色素増感型太陽電池の一般的な構造を 示す断面図である。 図 1に示す如く、 ガラス基板等の基板 1上に透明電極 2が設け られ、 この透明電極 2上に分光增感色素を吸着させた金属酸化物半導体膜 3が形成 されている。 この色素増感型半導体電極の透明電極 2と対向して間隔をあけて対電 極 4が設置されており、 そして側部が封止材 5により封止され、 色素增感型半導体 電極と対電極 4との間に電解質 6が封入されている。色素吸着半導体膜 3は、通常、 色素を吸着させた酸化チタン薄膜よりなり、 この酸化チタン薄膜に吸着されている 色素が可視光によつて励起され、 発生した電子を酸化チタン微粒子に渡すことによ つて発電が行われる。
従来、 色素增感型太陽電池の電解質は、 一般に酸化還元性物質を溶媒に溶解して なる液状電解質であるため、 封止部分からの液漏れ等の問題があり、 このことが色 素増感型太陽電池の耐久性、 信頼性に影響を及ぼしていた。
この問題を解決するために、 従来、 液状電解質を各種のポリマーに担持させて擬 固体化することも提案されているが、 色素増感型太陽電池の発電効率を損なうこと のない、 より安全性、 耐久性に優れかつ安価な固体状電解質が望まれている。
( 2 ) 色素増感型太陽電池は、 力ソード電極とアノード電極とを対向配置してセ ルを構成し、 その内部に電解質を封入したものである。 力ソード電極は導電性ガラ スからなり、 アノード電極は導電性ガラス上に、 色素が吸着された T i o 2薄膜が 設けられている。 力ソード電極とアノード電極とは、 数十 /z m〜数 mmの間隔をお いて、 電解質を介して対向配置されており、 アノード電極の T i 0 2薄膜に吸着さ れている色素が可視光によって励起され、 発生した電子を T i 0 2微粒子に渡すこ とによつて発電が行われる。
従来、アノード電極は、 T i 02粒子を有機質バインダーを用いてペーストイ匕し、 これを透明導電薄膜が形成されたガラス基板上に塗布した後、 高温で焼成してバイ ンダーを除去し、 得られた T i 02薄膜に、 含浸法等により增感色素を吸着させる ことにより製造されている。
T i 02薄膜を T i 02粒子のペーストの塗布、焼成で形成する従来のアノード電 極の製造方法では、 基板として耐熱性のあるガラスを用いる必要があり、 電極の薄 肉、 軽量化、 低コスト化に不利であった。 また、 T i o 2薄膜の下の透明導電薄膜 は通常スパッタ法により形成されるが、 T i o 2薄膜をペース トの塗布、 焼成で形 成する従来法では、 透明導電薄膜の成膜工程と T i O 2薄膜の成膜工法とを違続し て行うことができず、 成膜操作においても工業的に不利であった。
( 3 ) 近年、 省エネルギー、 資源の有効利用や環境汚染の防止等の面から、 太陽 光を直接電気エネルギーに変換する太陽電池が注目され、 開発が進められている。 太陽電池は、 光電変換材料として、 結晶性シリコン、 アモルファスシリコンを用 いたものが主流である。 しかしながら、 このような結晶性シリコン等を形成するに は多大なエネルギーを要し、 従ってシリコンの利用は、 太陽光を利用する省エネノレ ギー電池である太陽電池の本来の目的とは相反するものとなっている。 また多大な エネルギーを使用する結果として、 光電変換材料としてシリコンを用いる太陽電池 は高価なものとならざるを得ない。
光電変換材料は、 電極間の電気化学反応を利用して光エネルギーを電気工ネルギ 一に変換する材料である。 例えば、 光電変換材料に光を照射すると、 一方の電極側 で電子が発生し、 対電極に移動する。 対電極に移動した電子は、 電解質中をイオン として移動して一方の電極にもどる。 すなわち、 光電変換材料は光エネルギーを電 気エネルギーとして連続して取り出せる材料であり、 このため太陽電池に利用され る。 ,
光電変換材料として、 シリコンを用いず、 有機色素で増感された酸化物半導体を 用いた太陽電池が知られている。 Nature, 268 (1976), 402 頁に、 酸化亜鉛粉末を 圧縮成形し、 1 3 0 0 °Cで 1時間焼結して形成した焼結体ディスク表面に有機色素 としてローズベンガルを吸着させた金属酸化物半導体電極を用いた太陽電池が提案 されている。 この太陽電池の電流 Z電圧曲線は、 0 . 2 Vの起電圧時の電流値は約 2 5 μ A程度と非常に低く、 その実用化は殆ど不可能と考えられるものであった。 しかしながら、 前記シリコンを用いる太陽電池とは異なり、 使用される酸化物半導 体及ぴ有機色素はいずれも大量生産されており、 且つ比較的安価なものであること から、材料の点からみると、この太陽電池は非常に有利であることは明らかである。 光電変換材料として、 前記のように有機色素で増感された酸化物半導体を用いた 太陽電池としては、 前記のもの以外に、 たとえば、 特開平 1一 2 2 0 3 8 0号公報 に記載の金属酸化物半導体の表面に、 遷移金属錯体などの分光増感色素層を有する もの、 また、 特表平 5— 5 0 4 0 2 3号に記載の、 金属イオンでドープした酸化チ タン半導体層の表面に、 遷移金属錯体などの分光増感色素層を有するものが知られ ている。
上記太陽電池は実用性のある電流/電圧曲線が得られない。 電流 Z電圧曲線が実 用性レベルに達した分光增感色素層を有する太陽電池として、 特開平 1 0— 9 2 4 7 7号公報に、 酸化物半導体微粒子集合体の焼成物からなる酸化物半導体膜を用い た太陽電池が開示されている。 このような半導体膜は、 酸化物半導体微粉末のスラ リーを透明電極上に塗布し、 乾燥させ、 その後 5 0 0 °C、 1時間程度で焼成させる ことにより形成している。
このような有機色素增感型金属酸化物半導体膜を用いた有機色素增感太陽電池は、 半導体膜の両側をガラス基板で挟んだ構成を採っている。有機色素増感太陽電池は、 前記のようにその特性を実用性のレベルにするために半導体膜、 色素について種々 検討されているが、 このような側面からの研究に劣らず、 太陽光エネルギーをさら に高効率利用するとの側面から研究することも重要である。 また、 両側がガラス基 板のため、 破損時にはガラスの破片の飛散が問題となることも懸念される
( 4 ) このような有機色素増感型金属酸化物半導体膜を用いた有機色素増感太陽 電池は、 一般に半導体膜の両側をガラス基板で挟んだ構成を採っている。 このよう な太陽電池の設置場所としては、 通常、 屋上或いは屋根の上であるが、 ガラス基板 を使用しているため柔軟性が無く、 貼り合わせが困難なことから太陽電池は独立し て設置されていた。
本発明者等は、 今後、 さらに使い易い太陽電池が求められるであろうとの観点か ら検討を重ねた。 その結果、 以下の結論に到った。 即ち、 柔軟で貼付しやすく、 ま たガラス等に貼付しても透明性が維持されるような有機色素増感太陽電池、 また柔 軟性があって且つ着色、 模様、 高反射性等を有することにより意匠性、 装飾性を備 えた貼付可能な太陽電池が、 使いやすさの点から有用であり、 さらにまたこのよう な太陽電池が貼付等により設置された屋根材、 壁材等の建材も、 容易に使用するこ とができ便利である。
( 5 ) 前記特開平 1 0— 9 2 4 7 7号公報の太陽電池では、 いわゆるゾルゲル法 により、 酸化物半導体微粒子集合体の焼成物の酸化物半導体膜を形成している。 こ のような形成方法は、 塗布後、 高温で長時間の加熱が必要なため、 基材、 透明電極 にも耐熱性が要求される。 通常の透明電極である I T O等では、 このような耐熱性 を有していないため、 特に耐熱性に優れた透明電極であるフッ素ドープ酸化スズを 用いる必要があるが、 フッ素ドープ酸化スズは、 導電性が劣り、 太陽電池のような 大面積を必要とする用途には不適当である。
( 6 ) 前記特開平 1 0— 9 2 4 7 7号公報の太陽電池では、 いわゆるゾルゲル法 により、 酸化物半導体微粒子集合体の焼成物の酸化物半導体膜を形成している。 こ のような形成方法は、 塗布後、 高温で長時間の加熱が必要なため、 基材、 透明電極 にも耐熱性が要求される。 このような焼成物の酸化物半導体は、 比較的表面積が大 きく、 このため色素吸着量も高く、 光のエネルギー変換効率の大きくなり、 実用性 のある電流 Z電圧曲線が得られる。 しかしながら、 長時間の高温加熱処理が必要な ため、耐熱性が充分でない I T O等の通常の透明電極の使用が困難である。従って、 高熱処理の必要のない、 表面積の大きい酸化物半導体膜、 即ち光のエネルギー変換 効率の高い有機色素増感型金属酸化物半導体電極が求められていると共に、 さらに より一層表面積の大きい酸化物半導体膜を有する有機色素増感型金属酸化物半導体 電極が求められている。 発明の目的
( 1 ) 第 1発明は、 色素增感型太陽電池の発電効率、 耐久性、 安全性の向上に有 効でしかも安価に製造可能な色素增感型太陽電池用固体状電解質及び色素増感型太 陽電池を提供することを目的とする。
( 2 ) 第 2発明は、酸化チタン薄膜を反応性スパッタにより形成することにより、 基板として有機樹脂フィルムを用いることを可能とし、 これにより薄肉、 軽量化、 低コスト化と生産効率の向上を図った色素增感型太陽電池用電極と、 この色素增感 型太陽電池用電極の製造方法を提供することを目的とする。
( 3 ) 第 3発明は、 光のエネルギーを効率よく利用することができる有機色素増 感型金属酸化物半導体電極を有する有機色素増感太陽電池を提供することを目的と する。
また第 3発明は、 光のエネルギーを効率よく利用することができ、 さらに破損危 険性のほとんどない有機色素增感型金属酸化物半導体電極を有する有機色素增感太 陽電池を提供することを目的とする。
( 4 ) 第 4発明は、 柔軟で設置しやすい有機色素増感型太陽電池を提供すること を目的とする。
また、 第 4発明は、 柔軟で貼付しやすく、 意匠性、 装飾性のある有機色素増感型 太陽電池を提供すること、 更には、 有機色素増感型太陽電池が設置された建材を提 供することを目的とする。
( 5 ) 第 5発明は、 色素吸着性の向上した金属酸化物半導体膜を低温で簡易に得 ることができる金属酸化物半導体膜の形成方法を提供する.ことを目的とする。
また、 第 5発明は、 前述の方法により得られる光のエネルギー変換効率の高い有 機色素増感型金属酸化物半導体電極及びこれを有する有機色素増感太陽電池を提供 することを目的とする。
( 6 ) 第 6発明は、 色素吸着性の向上した金属酸化物半導体膜を得ることができ る金属酸化物半導体膜の形成に好適な表面積が大きく且つ低抵抗の透明電極基板及 びその形成方法を提供することを目的とする。
また、 第 6発明は、 色素吸着性の向上した金属酸化物半導体膜を低温で簡易に得 ることができる金属酸化物半導体膜の形成方法、 この方法により有利に得られる光 のエネルギー変換効率の高い有機色素増感型金属酸化物半導体電極及びこれを有す る有機色素増感太陽電池を提供することを目的とする。 発明の概要
( 1 ) 第 1発明
( 1一 i ) 本発明の色素増感型太陽電池用電解質は、 加硫ゴムに、 酸化還元性物 質を担持させてなることを特徴とする。
( 1 - ii ) 本発明の色素増感型太陽電池用電解質は、 三次元連続の網状骨格構造 を有する高分子材料で構成された多孔質体に、 酸化還元性物質を担持させてなるこ とを特徴とする。
( 1一迅) 本発明の色素增感型太陽電池用電解質は、 ホスファゼン系重合体に、 酸化還元性物質を担持させてなることを特徴とする。
本発明の色素増感型太陽電池用電解質は、 酸化還元性物質を担持させ た、 エチレン一酢酸ビエル系共重合樹脂 (以下 「E VA樹脂」 と称す。) フィルムよ りなることを特徴とする。
加硫ゴム、三次元連続の網状骨格構造を有する高分子材料で構成された多孔質体、 ホスファゼン系重合体、 或いは、 E VA樹脂フィルムに、 酸化還元性物質を担持さ せることにより、 電解質を擬固体化することができる。 この電解質は、 色素増感型 太陽電池の発電効率に影響を及ぼすことなく、 安全性、 耐久性に優れ、 かつ安価に 提供される。
( 1一 V ) 本発明の色素增感型太陽電池は、 色素增感型半導体電極と、 この色素 増感型半導体電極に対向して設けられた対電極と、 該色素増感型半導体電極と対電 極との間に配置された固体状電解質とを有する色素增感型太陽電池において、 該固 体状電解質が、 このような本発明の (1— i ) 〜 (1— iv) の電解質であるもので あり、 発電効率、 耐久性、 安全性に優れ、 安価に提供される。
( 2 ) 第 2発明
( 2— i ) 本発明の色素增感型太陽電池用電極の製造方法は、 基板上に酸化チタ ン薄膜を形成する工程を有する色素增感型太陽電池用電極の製造方法において、 該 酸化チタン薄膜を T iメタルターゲットを用いた反応性スパックにより形成するこ とを特徴とする。
本発明では、酸ィ匕チタン薄膜を反応性スパッタにより形成するため、基板として、 軽量で薄膜成形が可能で安価な有機樹脂フィルを用いることができ、 また、 透明導 電薄膜の成膜に連続して酸ィヒチタン薄膜を成膜することができる。 このため、 電極 の薄肉、 軽量化、 低コスト化と生産効率の向上を図ることができる。
ところで、 T iメタルターゲットを用いる反応性スパッタは通常の条件では成膜 速度が極めて遅く、 生産性が悪い。
本発明では、 反応性スパッタ時に、 T i o 2の生成には酸素がわずかに不足する 雰囲気で成膜することにより、 酸素過剰でスパッタする場合に比べて、 成膜速度を 著しく速くすることができる。 この酸素濃度は、 プラズマェミッションやインピー ダンスコントロールにより容易に制御することができる。
更に、 反応性スパッタに、 デュアル力ソードを用いることにより、 より高速で、 長時間安定した成膜を行うことができる。
( 2 - ii ) 本発明の色素增感型太陽電池用電極は、 このような本発明 (2— i ) の方法により製造された、 有機樹脂フィルム上に T iターゲットを用いた反応性ス パッタにより形成された酸化チタン薄膜を有するものであり、 薄肉、 軽量で安価に 提供される。 ( 3 ) 第 3発明
( 3— i ) 本発明の有機色素増感型太陽電池は、 表面に透明電極を有する透明基 板、 その透明電極上に形成された金属酸化物半導体膜及びその半導体膜表面に吸着 した有機色素を含むからなる有機色素增感型金属酸化物半導体電極と、 この電極に 対向して設けられた対電極とからなり、 さらに両電極間にレツドクス電解質が注入 されてなる有機色素増感型太陽電池において、 前記透明基板の透明電極の設けられ ていない側の表面に、 反射防止膜が設けられていることを特徴とする有機色素增感 型太陽電池。
( 3 - ϋ ) 本発明の有機色素增感型太陽電池は、 表面に透明電極を有する透明基 板、 その透明電極上に形成された金属酸化物半導体膜及びその半導体膜表面に吸着 した有機色素を含むからなる有機色素増感型金属酸化物半導体電極と、 この電極に 対向して設けられた対電極とからなり、 さらに両電極間にレツドクス電解質が注入 されてなる有機色素増感型太陽電池において、 前記透明基板の透明電極の設けられ ていない側の表面に、 接着剤層を介して反射防止膜を有する反射防止フィルムが設 けられていることを特徴とする。
上記太陽電池において、 前記反射防止膜が、 有機色素の吸光度が極大となる波長 の反射率を低下させるものであること、 或いは有機色素の吸光度が極大となる波長 に反射率の極小を有するものであることが好ましい。 反射防止フィルムについても 同様である。 色素の種類に従い、 効率的な反射率の低下をもたらす。
また前記反射防止フィルムは、 透明ポリマーフィルムと、 その上に設けられた反 射防止膜からなるのが一般的である。
さらに前記反射防止膜が、 低屈折率透明無機薄膜と高屈折率透明無機薄膜とが、 上側からこの順で交互積層された無機積層膜であることが好ましい。 2〜 6層が好 ましい。 太陽エネルギーの効率的利用の点から好ましい。 無機積層膜の最上層であ る低屈折率透明無機薄膜の代わりに、 低屈折率透明有機薄膜が設けられても良い。 また前記反射防止フィルムが、 透明ポリマーフィルムと、 その上に設けられた反 射防止膜との間に紫外線カツト層を有することが好ましい。色素の劣化を防止する。 反射防止膜の高屈折率透明無機薄膜が、 Ι Τ Ο (スズインジウム酸化物) 又は Ζ η 0、 或いは A 1をドープした Z nO、 T i 02、 S n O 2又は Z r Oからなる屈折率 1. 8以上の薄膜であることが、 また反射防止膜の低屈折率透明無機薄膜が、 S i 02、 Mg F2又は A 1203の屈折率が1. 6以下の薄膜であることが同様に好まし レ、。
前記接着剤層が、 エチレン Z酢酸ビュル共重合体又は粘着性アクリル樹脂を含 むことが、 ガラス飛散防止の点から好ましい。
また前記透明基板はガラス板が好ましい。
本発明者等はさらに検討した結果、 有機色素増感型太陽電池に一般に使用される ルテニウム含有色素 (ルテニウム ·フエナントロリン、 ルテニウム ·ジケトナート) 及び/又はクマリン誘導体色素の吸収特性に応じて反射防止シートを設計すること により、 太陽エネルギーをさらに効率的に利用できることを見出した。
従って、 本発明は、 前記色素が、 ルテニウム含有色素 (ルテニウム ·フエナント 口リン、 ルテニウム ·ジケトナート) であり、 反射防止膜が、 300〜600 nm の波長範囲において光の反射率が 10%以下 (特に 5%以下) である有機色素增感 型太陽電池にもある。 さらにこの範囲で極小値を有するものが好ましい。
また、 前記有機色素が、 クマリン誘導体色素であり、 反射防止膜が、 400〜6 00 nmの波長範囲において光の反射率が 10%以下 (特に 5%以下) である有機 色素增感型太陽電池にもある。 さらにこの範囲で極小値を有するものが好ましい。
(4) 第 4発明
(4- i ) 本発明の有機色素増感型太陽電池は、 表面に透明電極を有する透明基 板、 その透明電極上に形成された金属酸化物半導体膜及びその半導体膜表面に吸着 した有機色素からなる有機色素増感型金属酸化物半導体電極と、 この電極に対向し て設けられた対電極とからなり、 さらに両電極間にレツドクス電解質が注入されて なる有機色素増感型太陽電池であって、該透明基板が透明有機ポリマー基板であり、 且つ該対電極が有機ポリマー基板上に設けられていることを特徴とする。
上記太陽電池において、 該対電極と有機ポリマー基板との間に、 該透明電極が設 けられていることが好ましい。 これにより通電性が向上する。 対電極を有する有機 ポリマー基板が、 高反射率を有すること、 意匠性、 装飾性を示す着色及ぴ Z又は模 様を有することが好ましい。 高反射率にすることにより、 太陽光の光エネルギーを 有効に利用することができる。 意匠性等を持たせることにより、 太陽電池の設置場 所の適用範囲が広がり、 使いやすくなる。 また、 このような意匠性等を示す着色、 模様は、 太陽電池の裏面側に形成されているため着色、 模様に直接当たる太陽光は 光量は激減している。 従って、 この着色、 模様は、 太陽光から保護されることとな り、 着色 ·模様の劣化が大幅に少なくなるとの利点を有する。
さらに (透明) 有機ポリマー基板の材料は、 ポリエチレンテレフタレート、 ポリ カーボネート、 ポリメチルメタクリレート又はフッ素樹脂 (例、 P T F E (ポリテ トラフルォロエチレン)、 E T F E (エチレン Zテトラフルォロエチレン共重合体)) であるであることが好ましい。 これらは透明性に優れている。
また、 対電極を有する有機ポリマー基板の裏面に、 接着剤層を介して離型フィル ムが貼付されていることが好ましい。 ガラス窓、 壁材等の種々な場所への貼付が容 易になる。 接着剤層が、 エチレンノ酢酸ビュル共重合体又は粘着性アクリル樹脂を 含むことが好ましい。 耐久性に優れている。
( 4 - ii ) 本発明の建材は、 上記 (4 _ i ) の有機色素増感型太陽電池が、 対電 極を有する有機ポリマー基板の裏面を、 接着剤層を介して基材の表面に貼付するこ とにより接合されていることを特徴とする。
基材が窓ガラスまたは屋根材であることが好ましい。
なお、 前記特開平 1 0— 9 2 4 7 7号公報の太陽電池では、 いわゆるゾルゲル法 により、 酸化物半導体微粒子集合体の焼成物の酸化物半導体膜を形成している。 こ のような形成方法は、 塗布後、 高温で長時間の加熱が必要なため、 基材、 透明電極 にも耐熱性が要求される。 通常の透明電極である I T O等では、 このような耐熱性 を有していないため、 特に耐熱性に優れた透明電極であるフッ素ドープ酸化スズを 用いる必要があるが、 フッ素ドープ酸ィ匕スズは、 導電性が劣り、 太陽電池のような 大面積を必要とする用途には不適当である。
本出願人は、 色素吸着性の向上した金属酸化物半導体膜を低温で簡易に得ること ができる有機色素增感型金属酸化物半導体膜及びこれを用いた有機色素增感太陽電 池に関する出願を既に行っている (特願 2 0 0 1— 3 1 4 3 3 4号等)。 これにより 導電性に優れた透明電極上に有機色素增感型金属酸化物半導体膜の形成が可能とな つた。
従って、 第 3発明、 第 4発明の金属酸化物半導体膜は、 色素吸着性の向上した金 属酸化物半導体膜で、 低温で簡易に得ることができるものであることが好ましい。 即ち、 このような半導体膜は、 一般に気相成膜法により形成されている。 気相成膜 法が、 物理蒸着法、 真空蒸着法、 スパッタリング法、 イオンプレーティング法、 C V D法またはプラズマ C V D法であることが好ましい。 気相成膜法が、 対向 2極タ ーゲット方式スパッタリング法である;或いは反応性スパッタリング法であること が好ましい。 金属酸化物半導体膜が、 酸化チタン、 酸化亜鉛、 酸化スズ、 酸化アン チモン、 酸化ニオブ、 酸化タングステン又は酸化インジウム、 或いはこれらの金属 酸化物に他の金属若しくは他の金属酸化物をドーピングしたもの、特に酸化チタン、 中でもアナタース型酸化チタンから形成されたものであることが好ましい。 金属酸 化物半導体膜の膜厚が、 1 0 n m以上であることが好ましい。
( 5 ) 第 5発明
( 5 - i ) 本発明の金属酸化物半導体膜の形成方法は、 表面に透明電極を有する 基板上に、 金属酸化物がバインダに分散されて成る塗布液を塗布し、 乾燥して金属 酸化物含有塗布層を形成し、 次いで該金属酸化物含有塗布膜を紫外線照射処理して バインダ (有機バインダ) を除去することにより表面積の大きな金属酸化物半導体 膜を形成することを特徴とする。
上記方法において、 紫外線照射処理を行う際、 用いる紫外線の波長が、 一般に 1 〜4◦ 0 η πι、 好ましくは 1〜3 0 0 n m、 特に好ましくは 1〜 2 0 0 n mの範囲 を用いて行われることが好ましい。 これにより低温下でのバインダ除去が高速で行 うことができる。 また紫外線照射処理が、 酸素、 フッ素原子含有化合物 (C F 4等) 及び塩素原子含有化合物から選択される少なくとも 1種のガスの存在下に行われる ことが好ましい。 バインダの分解を促進する。 得られる金属酸化物半導体膜が、 実 質的に金属酸化物のみからなる膜であることが好ましい。 一般に、 バインダを含む 有機物は全て除去されるためである。 金属酸化物が、 酸化チタン、 酸化亜鉛、 酸ィ匕 スズ、 酸化アンチモン、 酸化ニオブ、 酸化タングステン又は酸化インジウム、 或い はこれらの金属酸化物に他の金属若しくは他の金属酸化物をドーピングしたもので あることが好ましい。 金属酸化物が、 酸化チタン、 特にアナタース型酸化チタンで あることが好ましい(光のエネルギー変換効率の観点から)。金属酸化物微粒子の一 次粒径 (平均) 1 0 . 0 0 1〜5 μ πιの範囲にあることが好ましい (空隙率の大 きい膜の形成が容易となる)。得られる半導体膜も同様の材料から成るのが一般的で ある。 バインダは、 一般に有機ポリマーである (プラズマ処理が容易となる)。金属 酸化物半導体膜の膜厚が、 1 0 n m以上であることが好ましい (光のエネルギー変 換効率の観点から)。
( 5 - ϋ ) 本発明の有機色素增感型金属酸化物半導体電極は、 上記の方法により 得られた表面に透明電極を有する基板及ぴその透明電極上に形成された金属酸化物 半導体膜と、 その半導体膜表面に吸着した有機色素とを含むことを特徴とする。
( 5 - iii) 本発明の有機色素増感型太陽電池は、 上記の有機色素增感型金属酸化 物半導体電極と、 この電極に対向して設けられた対電極とからなり、 さらに両電極 間にレッドクス電解質が注入されてなることを特徴とする。
( 6 ) 第 6発明
( 6 - i ) 本発明の透明電極の形成方法は、 基板の表面に、 導電性金属酸化物微 粒子がバインダに分散されてなる塗布液を塗布し、 乾燥して導電性金属酸化物含有 塗布膜を形成し、 その後該導電性金属酸化物含有塗布膜からバインダを除去するこ とにより塗布型透明電極膜を形成し、 次いで該塗布型透明電極膜の上に更に導電性 金属酸化物を気相成膜することにより気相型透明電極膜を形成することにより積層 型透明電極を設けることを特徴とする。
( 6 - ii ) 本発明の透明電極の形成方法は、 基板の表面に導電性金属酸化物を気 相成膜することにより気相型透明電極膜を形成し、 次いで導電性金属酸化物微粒子 がバインダに分散されてなる塗布液を塗布し、 乾燥して導電性金属酸化物含有塗布 膜を形成し、 その後該導電性金属酸ィヒ物含有塗布膜からパインダを除去して透明電 極膜を形成することにより積層型透明電極を設けることを特徴とする。
従来の太陽電池及び前記公報に記載の太陽電池においては、 透明電極の形成を気 相成膜法により行われていたため、 表面が平滑であり、 この表面に表面積の大きい 酸化物半導体膜を形成しょうとしても限界があることに本発明者等は注目した。 即 ち、 本発明者等は、 透明電極の表面を粗面化することにより、 透明電極表面の表面 積を増加させ、 これに基づいて光のエネルギー変換効率を向上させるベく検討を行 い、 本発明に到達したものである。
上記発明 (6— i ) 及び (6— ii) において、 いずれも気相成膜法と塗布法によ る 2層の透明電極膜を有するものであり、 その形成順序が反対である点で異なって いる。 共に、 導電性金属酸ィヒ物含有塗布膜からパインダを除去することにより得ら れる表面積の大きい塗布型透明電極膜を有効に利用し、 従来にない光のエネルギー 変換効率の高い有機色素増感型金属酸化物半導体電極及び有機色素増感太陽電池を 得ることを可能にしている。
バインダの除去は、 プラズマ処理又は紫外線照射処理により行われることが好ま しい。 低温下での処理が可能となる。 プラズマ処理は、 高周波プラズマ、 マイクロ 波プラズマ又はこれらのハイプリッド型を用いて行われることが好ましい。 低温下 でのバインダ除去が高速で行うことができる。 またプラズマ処理が、 酸素、 フッ素 及ぴ塩素から選択される少なくとも 1種のガスの存在下に行われることが好ましい。 バインダの分解を促進する。
紫外線照射処理に用いる紫外線の波長は 1〜400 の範囲にあることが好ま しい。 迅速な処理が可能となる。 また紫外線照射処理が、 オゾン、 酸素、 フッ素原 子含有化合物及ぴ塩素原子含有化合物から選択される少なくとも 1種のガスの存在 下に行われることが好ましい。 バインダの分解を促進する。
塗布に用いられる導電性金属酸化物 (微粒子) 力 I n 203 ·· S n (I TO), S n02 : S b、 S n02 : F、 ZnO : A l、 S n02、 Z nO : F、 C d S n04 から選択される少なくとも 1種である。 高い導電性が得られる。 バインダは、 一般 に有機ポリマー等の有機化合物 (特にポリアルキレングリコール) である。
気相型透明電極膜を形成するための気相成膜法が、 物理蒸着法、 真空蒸着法、 ス パッタリング法、 イオンプレーティング法、 CVD法またはプラズマ CVD法であ ることが好ましい。 気相型透明電極膜が、 I n203 : Sn ( I TO), S ηΟζ: S b、 S n02 : F、 S n〇2、 Z nO : A l、 Z nO : F、 C d S n04から選択さ れる少なくとも 1種からなる膜であることが好ましい。
気相型透明電極膜の膜厚は、 0. 1〜100 nmの範囲にあることが好ましく、 塗布型透明電極膜の膜厚が、 1 0〜5 0 O n mの範囲にあることが好ましい。 これ により大きな表面積を確保できる。
本発明は、 上記透明電極膜の形成方法に従い、 基板表面に透明電極膜が形成され てなる透明電極基板にもある。
また、 本発明は、 上記透明電極膜基板の透明電極上に、 気相成膜法により金属酸 化物半導体膜を形成する工程を含む金属酸化物半導体膜の形成方法にもある。
気相成膜法が、 物理蒸着法、 真空蒸着法、 スパッタリング法、 イオンプレーティ ング法、 C V D法またはプラズマ C V D法であることが好ましい。
金属酸化物が、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化ニオブ、 酸化タンダステン又は酸化ィンジゥム、 或いはこれらの金属酸化物に他の金属若し くは他の金属酸化物をドーピングしたものであることが好ましい。 金属酸化物が、 酸化チタン、 特にアナタース型酸化チタンであることが好ましい (光のエネルギー 変換効率の観点から)。金属酸化物半導体膜の膜厚が、 1 O n m以上であることが好 ましい (光のエネルギー変換効率の観点から)。
( 6— ffi) 本発明の有機色素增感型金属酸化物半導体電極は、 上記の方法により 得られた表面に透明電極を有する基板、 その透明電極上に形成された金属酸化物半 導体膜、 及びその半導体膜表面に吸着した有機色素を含むことを特徴とする。
( 6 - k) 本発明の有機色素增感型太陽電池は、 上記の有機色素增感型金属酸ィ匕 物半導体電極と、 この電極に対向して設けられた対電極とからなり、 さらに両電極 間にレツドクス電解質が注入されてなることを特徴とする。 図面の簡単な説明
図 1は、 色素増感型太陽電池の一般的な構造を示す断面図である。
図 2は、 ( 1— ii )の発明に係る多孔質体の三次元連続の網状骨格構造を示す模式 図である。
図 3は、第 2発明の色素増感型太陽電池用電極の実施の形態を示す断面図である。 図 4は、 第 3発明の太陽電池の実施形態の一例を示す断面図である。
図 5は、 第 3発明の太陽電池の実施形態の別の一例を示す断面図である。
図 6は、 第 3発明の反射防止フィルムの実施形態の一例を示す断面図である。 図 7は、 第 4発明の太陽電池の実施形態の一例を示す断面図である。 図 8は、 第 4発明の太陽電池の別の実施形態の一例を示す断面図である。
図 9は、 第 4発明の太陽電池の別の実施形態の一例を示す断面図である。
図 1 0は、 第 5発明の金属酸化物半導体膜の形成方法の一例を示す断面図である 図 1 1は、 第 5発明の太陽電池の実施形態の一例を示す断面図である。
図 1 2は、第 6発明の透明電極の形成方法の一例を説明するための概略図である。 図 1 3は、 第 6発明の透明電極の形成方法の別の一例を説明するための概略図で める。
図 1 4は、 第 6発明で透明電極膜の形成方法で好適に用いられるプラズマ発生装 置の一例を示す断面図である。
図 1 5は、 第 6発明の太陽電池の実施形態の一例を示す断面図である。 詳細な説明
( 1 ) 第 1発明の色素増感型太陽電池用電解質及び色素増感型太陽電池の実施の形 態を詳細に説明する。
( 1一 i ) の色素増感型太陽電池用電解質において、 酸ィヒ還元性物質を担持する 加硫ゴムのゴム成分としては、天然ゴム (N R)、及び構造式中に炭素一炭素二重結 合を有する合成ゴムを単独で或いは 2種以上プレンドして使用することができる。 上記合成ゴムとしては、 イソプレン、 ブタジエン、 クロ口プレン等の共役ジェン化 合物の単独重合体であるポリイソプレンゴム( I R)、ポリブタジエンゴム(B R)、 ポリクロロプレンゴム等、 前記共役ジェン化合物とスチレン、 アクリロニトリル、 ビエルピリジン、 アクリル酸、 メタクリル酸、 アルキルアタリ レート類、 アルキル メタクリ レート類等のビュル化合物との共重合体であるスチレン一ブタジエン共重 合ゴム (S B R)、 ビニルピリジン一ブタジエン一スチレン共重合ゴム、 アタリロニ トリル一ブタジエン共重合ゴム、 アクリル酸一ブタジエン共重合ゴム、 メタアタリ ル酸ーブタジエン共重合ゴム、 メチルアタリレート一ブタジエン共重合ゴム、 メチ ルメタァクリ レートーブタジエン共重合ゴム等、 エチレン、 プロピレン、 イソブチ レン等のォレフィン類とジェン化合物との共重合体 (例えばイソブチレン一イソプ レン共重合ゴム ( I I R) )、 ォレフイン類と非共役ジェンとの共重合体(E P DM) (例えばェチレン一プロピレンーシクロペンタジェン三元共重合体、 エチレンープ 口ピレン一 5—ェチリデン一 2—ノルボルネン三元共重合体、 エチレン一プロピレ ン一 1, 4一へキサジェン三元共重合体)、シクロォレフインを開環重合させて得ら れるポリアルケナマー(例えばポリペンテナマー)、ォキシラン環の開環重合によつ て得られるゴム (例えば硫黄加硫が可能なポリェピクロロヒ ドリンゴム)、ポリプロ ピレンォキシドゴム等が含まれる。 また、 前記各種ゴムのハロゲン化物、 例えば塩 素化イソブチレン一イソプレン共重合ゴム(C I _ I I R)、臭素化イソプチレン一 イソプレン共重合ゴム (B r— I I R) 等も含まれる。 更に、 ノルポルネンの開環 重合体も用い得る。 また更に、 ブレンドゴムとしては上述のゴムにェピクロロヒ ド リンゴム、 ポリプロピレンォキシドゴム、 クロロスノレフォン^ (ヒポリエチレン等の飽 和弾性体をプレンドして用いることもできる。
加硫ゴムはこのようなゴム成分を加硫剤により加硫、 架橋して製造される。 この 加硫剤としては、 硫黄、 有機硫黄化合物、 有機過酸化物、 その他の架橋剤を用いる ことができ、 その使用割合は、 上記ゴム成分 1 0 0部 (重量部、 以下同様) 当り、 好ましくは 0 . 0 1〜1 0部、 より好ましくは 0 . 1〜6部である。
この加硫に当っては、 アルデヒ ドアンモニア類、 アルデヒドアミン類、 グァニジ ン類、 チォゥレア類、 チアゾール類、 ジチォ力ルバミン酸塩類、 キサントゲン酸塩 類、 チウラム類等の加硫促進剤を上記ゴム成分 1 0 0部に対して好ましくは 0 . 0 1〜1 0部、 より好ましくは 0 . 1〜 5部用いても良い。 更に、 亜鉛華、 ステアリ ン酸等の加硫促進助剤を上記ゴム成分 1 0 0部に対して好ましくは 0 . 1〜1 0部、 より好ましくは 0 . 5〜 5部用いても良い。
( 1 - i ) に係る加硫ゴムには、 例えばパラフィン系、 ナフテン系、 芳香族系プ ロセスオイノレ、 エチレン一 α—ォレフインのコ才リゴマー、 ノ、。ラフィンワックス、 流動パラフィン等の鉱物油、 ひまし油、 綿実油、 あまに油、 なたね油、 大豆油、 パ ーム油、 やし油、 落花生油等の植物油などのオイルを配合することが好ましく、 こ れによりゴム加工性を向上させることができる。 これらのオイルの配合量はゴム成 分 1 0 0部に対して 3〜5 0部、 特に 4〜1 0部とすることが好ましい。
また、 (1一 i ) に係る加硫ゴムには、 更に常法に従い、 目的、 用途などに応じて カーボンブラック、 シリカ、 炭酸カルシウム、 硫酸カルシウム、 クレイ、 マイ力等 の充填剤を配合することができ、 これらの充填剤の配合量はゴム成分 1 0 0部に対 して好ましくは 0 . 5〜2 0部、 より好ましくは 1〜1 0部である。
( 1 - i ) の加硫ゴムは、 上記成分を混合してなるゴム組成物を加熱カ卩圧して加 硫成形することにより製造することができる。
なお、 硫黄加硫の他、 ジチオモルフォリン、 チウラム加硫等の有機硫黄化合物に よる有機硫黄加硫法、 有機過酸化物による熱架橋、 紫外線架橋、 放射線架橋などを 採用することもできるが、 特に酸化還元性物質であるョゥ素と反応しにくい硫黄カロ 硫による方法が最も好ましい。 この場合、 硫黄や有機硫黄化合物中の硫黄の配合量 はゴム成分 1 0 0部に対して 0 . 5〜7部、 特に 1〜6部とすることが好ましい。 また、 (1— i ) で用いる加硫ゴムは、導電性を高める効果を発現するために、側 鎖に芳香環、 特にベンゼン環やピリジン環を有するものが好ましく、 従って、 この ような芳香環が導入されるように、 スチレン、 ビエルピリジン等を共重合成分とし て含むゴム成分を用いることが好ましい。
加硫ゴム中のベンゼン環やピリジン環等の芳香環の含有量は、 全ゴム成分に対し て 5〜 5 0重量%であることが好ましい。 この割合が 5重量。 /0未満では導電性向上 効果が十分でなく、 5 0重量%を超えると硬く、 脆く、 靭性のない膜となる。
( 1 - i ) においては、 このような加硫ゴムに、 酸化還元性物質を担持させる。 加硫ゴムへの酸化還元性物質の担持は、 例えば、 酸化還元性物質の溶液中にこの加 硫ゴムを浸漬するなどして酸化還元性物質溶液を含浸させた後、 乾燥する。
( 1 - ii ) の色素増感型太陽電池用電解質において、 酸化還元性物質を担持する 三次元連続の網状骨格構造の多孔質体の三次元連続の網状骨格構造を構成する高分 子材料は、 エチレン一プロピレン共重合体により形成されたものであることが好ま しい。
かかる共重合体は、 エチレンとプロピレンとを主成分とするエチレン一プロピレ ン系ゴム (E P R) であり、 エチレン含有量が 6 0重量%以上であることが好まし レ、。 エチレン含有量が 6 0重量。 /0未満では高分子網状構造体の物性に劣る。 ェチレ ン含有量は、好ましくは 6 5重量%以上、更に好ましくは 7 0重量%以上であるが、 その上限は 9 5重量%、 特に 9 0重量%であることが好ましい。 また、 三次元連続 網状骨格は、 結晶構造、 凝集構造等の硬質ブロック部分と、 アモルファス構造など の軟質プロック部分とを一緒に持ち合わせていることが好ましく、 このため E P R の結晶化度は 3%以上、 好ましくは 5%以上、 最も好ましくは 8 °/0以上であること が好ましいが、 その上限は 60%、 特に 50%であることが好ましい。 更に、 ェチ レンのブロック性を表すポリエチレン部の融点(Tm)は、示差走査熱量測定法(D SC) で 25°C以上、 好ましくは 30°C以上、 更に好ましくは 35°C以上とするこ とが望ましい。 なお、 共重合体の数平均分子量は、 20000以上、 好ましくは 3 0000以上、 更に好ましくは 40000以上であることが好ましい。
上記共重合体は、 必要によりエチレンとプロピレン以外の共重合成分を含んでい ても良い。 この共重合成分としては、 例えば 1, 5—へキサジェン、 1, 4一へキ サジェン、 ジシクロペンタジェン、 ェチリデン . ノルポゾレネン等が挙げられ、 ェチ レン、 プロピレンにこれら第三成分の 1種又は 2種以上を配合して、 EPDMとし てもよい。 この場合、 第三成分の含有量は共重合体全体の 1〜 1 5重量%、 好まし くは 2〜10重量%とすることが望ましい。
更に、 (l_ii) にかかる三次元連続網状骨格は、上記 EPR、 EPDMに例えば 水酸基などの親水基や、 ニトロ基等の親油基を導入して変性し、 その特性を変える ことも用途によっては有効である。
このような共重合体から構成される三次元連続網状骨格は、 図 2に示すようなミ クロ構造を有する。 なお、 図 2において、 1 1は上記共重合体からなる三次元連続 網状骨格、 12は開孔 (内部連通空間) であり、 この開孔 12内に後述する酸化還 元性物質が保持される。
ここで、 骨格 11の平均径 dは 8 μπι以下、 好ましくは 0. 5〜5 μΐηの範囲、 また開孔 12の平均径 Dは 80 μΐη以下、 好ましくは 1〜5 Ομπιの範囲であるも のが望ましい。 更に、 開孔率は 40%以上、 好ましくは 50〜95%の範囲である ことが望ましい。
このような多孔質体は、 例えば、 上述したエチレン一プロピレン系共重合体等の 高分子材料と、 この高分子材料よりも多量の低分子材料を、 該高分子材料が三次元 連続網状骨格構造を形成し得る混合条件にて混合して高分子材料が三次元連続の網 状骨格構造を形成している前駆体を得、 この前駆体中の低分子材料を除去すること により製造することができる。 具体的には、 高剪断型混合機などの高速撹拌機を用い、 撹拌速度を 3 0 0 r p m 以上、 好ましくは 5 0 0 r p m以上、 更に好ましくは 1 0 0 0 r p m以上として混 合する方法が挙げられる。 高速に撹拌しない場合、 例えばロールやローター型ミキ サー、 シリンダー型ミキサーを用い、 低速度で混合したのでは、 目的とするェチレ ンープロピレン系共重合体等の高分子材料の均一な三次元連続網状骨格構造を得る ことは困難である。 また、 混合温度は 1 0 0〜2 5 0 °C、 好ましくは 1 5 0〜2 0 0 °Cの範囲が望ましく、 混合時間は 1〜 1 2 0分、 好ましくは 2〜 9 0分程度が良 レ、。
なお、 上述した混合を行った後、 硫黄や有機過酸化物等の加硫剤を混合するか、 或いは電子線照射するなどの方法で架橋を行うこともできる。
高分子材料と混合する低分子材料としては、 固体でも液体でも良く、 用途に応じ て種々のものが使用可能である。 低分子材料が有機材料であれば、 その数平均分子 量は 2 0 0 0 0未満であり、 好ましくは 1 0 0 0 0以下、 更に 5 0 0 0以下である ものが良い。 低分子材料としては特に制限はないが、 次のものを例示することがで きる。
軟化剤:鉱物油系、 植物油系、 合成系などの各種ゴム用、 或いは樹脂用軟化剤。 鉱物油系としては、 ァロマティック系、 ナフテン系、 パラフィン系等のプロセス油 などが挙げられる。 植物油としては、 ひまし油、 綿実油、 あまに油、 菜種油、 大豆 油、 パーム油、 やし油、 落花生油、 木ろう、 パインオイル、 ォリーブ油など。 可塑剤: フタル酸エステル、 フタル酸混基エステル、 脂肪族二塩基酸エステル、 グリコールエステル、 脂肪酸エステル、 リン酸エステル、 ステアリン酸エステル等 の各種エステル系可塑剤、 エポキシ系可塑剤、 その他プラスチック用可塑剤、 又は フタレート系、アジぺート系、セバケ一ト系、フォスフエ一ト系、ポリエーテノレ系、 ポリエステル系などの N B R用可塑剤。
粘着付与剤:クマロン樹脂、クマロンーィンデン樹脂、フエノールテルピン樹脂、 石油系炭化水素、 ロジン誘導体等の各種粘着付与剤 (タツキフアイヤー)。
オリゴマー: クラウンエーテル、 含フッ素オリゴマー、 ポリブテン、 キシレン樹 脂、 塩化ゴム、 ポリエチレンワックス、 石油樹脂、 ロジンエステルゴム、 ポリアル キレングリコールジアタリレート、 液状ゴム (ポリブタジエン、 スチレン一ブタジ ェンゴム、 ブタジエン一ァクリロニトリルゴム、 ポリクロ口プレン等)、 シリコーン 系オリゴマー、 ポリ一 ーォレフイン等の各種オリゴマー。
滑剤:パラフィン、 ワックス等の炭化水素系滑剤、 高級脂肪酸、 ォキシ脂肪酸等 の脂肪酸系滑剤、 脂肪酸アミ ド、 アルキレンビス脂肪酸アミ ド等の脂肪酸アミ ド系 滑剤、 脂肪酸低級アルコールエステル、 脂肪酸多価アルコールエステル、 脂肪アル コーノレ、 多価アルコーノレ、 ポリグリコール、 ポリグリセロール等のァノレコール系滑 剤、 金属石験、 混合系滑剤等の各種滑剤。
その他、 ラテックス、 ェマルジヨン、液晶、歴青組成物、粘土、天然のデンプン、 糖、 更に無機系のシリコンオイル、 フォスファゼン等も使用することができる。 更 に、 牛油、 豚油、 馬油等の動物油、 鳥油、 魚油、 蜂蜜、 果汁、 チョコレート、 ョー ダルトなどの乳製品、 炭化水素系、 ハロゲン化炭化水素系、 アルコール系、 フエノ ール系、 エーテル系、 ァセタール系、 ケトン系脂肪酸系、 エステル系、 窒素化合物 系、 硫黄化合物系等の有機溶剤、 或いは種々の薬効成分、 土壌改良剤、 肥料類、 石 油類、 水、 水溶液なども用いることができる。
高分子材料と低分子材料との混合割合は、 三次元連続網状骨格を構成する前記共 重合体等の高分子材料の量を A、 これ以外の低分子材料の量を Bとしたとき、 共重 合体等の高分子材料の重量分率 [{AZ (A + B ) X I 0 0 }] 力 3 0 %以下、 好 ましくは 7〜2 5 %であることが望ましい。
このようにして得られる前駆体は、 高分子材料により形成される三次元連続の網 状骨格構造の三次元連続網状骨格間 (内部連通空間内) に上述した低分子材料が保 持されたものであり、この前駆体から多量成分の低分子材料を除去することにより、 本発明にかかる多孔質体を得ることができる。
この低分子材料の除去方法としては特に制限はないが、 例えば適当な溶媒を用い て低分子材料を溶解抽出させた後、残留する溶媒を揮発乾燥する方法が適当である。 ここで、 使用できる溶媒としては、 エチレン一プロピレン系共重合体等の高分子 材料が不溶又は難溶性で、 低分子材料その他の成分が易溶性のものであればいずれ のものも使用可能であり、 例えばキシレン、 トルエン、 ベンゼン等の芳香族炭化水 素類、 へキセン、 ペンテン等の不飽和脂肪族炭化水素類、 へキサン、 ペンタン等の 飽和脂肪族炭化水素類、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン類、エタノール、 ブタノール等のアルコール類、 塩化メチレン、 クロ口ホルム等の塩化脂肪族炭化水 素類、 シクロへキサノン等の脂環式炭化水素類、 ジォキサン、 テトラヒドロフラン 等のエーテル類、 酢酸ブチルなどのエステル類、 更に水、 アルカリ水溶液、 酸水溶 液等が挙げられ、 これらの 1種を単独で又は 2種以上を混合して 1回〜複数回の抽 出操作を行うことができる。
これらの溶媒による溶解抽出に際し、 具体的には低分子材料を含む高分子材料の 前駆体を小片又は薄膜化した後、 これを上記溶媒中に浸潰して低分子材料の抽出を 行うことが好適である。 この場合、 低分子材料を有効に回収するために、 特に低分 子材料が液状の場合、 溶媒による溶解抽出の前段階として、 前駆体をロールゃプレ スなどで圧縮したり、 吸引機、 真空機、 遠心分離機、 超音波装置などで物理的な力 を加えて低分子材料の大部分を取り出し、 その後溶媒による溶解抽出を行うことが 推 ¾される。
なお、 このような抽出操作で得られた三次元連続の網状骨格構造の多孔質体に後 処理を加えてその特性を変えることも有効である。 例えば、 紫外線、 電子線、 又は 加熱によってポリマー成分を架橋させることによって、 熱的安定性を増加させるこ とができる。 また、 例えば界面活性剤、 カップリング剤、 ガスによるエッチング、 プラズマ処理、 スパッタ処理等により、 多孔質体の親水性、 疎水性、 電気特性、 光 学特性、 強度などを変えることも有効である。
( l - ϋ ) においては、 このようにして得られる多孔質体の低分子材料が除去さ れた空隙 (内部連通空間) に、 酸化還元性物質を担持させる。 多孔質体への酸化還 元性物質の担持は、 例えば、 酸化還元性物質の溶液中にこの多孔質体を浸漬するな どして酸化還元性物質溶液を含浸させた後、 乾燥する。
( l - iii) の色素增感型太陽電池用電解質において、 酸化還元性物質を担持する ホスファゼン系重合体は、ホスファゼン誘導体を数〜数千重合してなるものである。 このようなホスファゼン誘導体としては、 例えば、 下記一般式 (1 ) で表される 鎖状ホスファゼン誘導体(以下、 「ホスファゼン誘導体(1 )」と称す場合がある。)、 又は、下記一般式(2 ) で表される環状ホスファゼン誘導体(以下、 「ホスファゼン 誘導体 (2 )」 と称す場合がある。) が好適に挙げられる。
(R1) 3 P = N— X ( 1 ) (但し、 一般式 (1 ) において、 R1は、一価の置換基又はハロゲン元素を表す。 X は、 炭素、 ケィ素、 ゲルマニウム、 スズ、 窒素、 リン、 酸素、 及びィォゥからなる 群から選ばれる元素の少なくとも 1種を含む有機基を表す。)
( P N R2 2) n ( 2 )
(伹し、 一般式 (2 ) において、 R2は、一価の置換基又はハロゲン元素を表す。 n は、 2〜1 4を表す。)
—般式 (1 ) ( 2 ) における置換基 R R2としては、一価の置換基又はハロゲン 元素であれば特に制限はなく、 一価の置換基としては、 ヒドロキシル基、 アルコキ シ基、 フエノキシ基、 アルキル基、 カルボキシル基、 ァシル基、 ァリール基、 アミ ノ基、 アルキルチオ基等が挙げられる。 これらの中でも、 アルコキシ基、 フエノキ シ基、 ァミノ基が好ましい。 また、 ハロゲン元素としては、 フッ素、 塩素、 臭素等 が好適であり、 これらの中でも塩素またはフッ素が好ましい。 一般式 (1 ) の R1 または一般式 (2 ) の R2は、 総て同一の種類の置換基でも良く、 それらのうちのい くつかが異なる種類の置換基でも良い。
R1, R2のアルコキシ基の例としては、 メ トキシ^ エトキシ基、 プロポキシ基、 ブトキシ基等や、 二重結合を含むァリルォキシ基等、 またはメ トキシェトキシ基、 メ トキシエトキシェトキシ基等のアルコキシ置換アルコキシ基等が挙げられる。 こ れらの中でも、 エトキシ基、 メ トキシェトキシ基が好適である。 これらの置換基中 の水素元素は、 前述のようにハロゲン元素で置換されていてもよい。 さらにこれら の置換基中に、 ヒドロキシル、 メルカプタン、 ァミン、 .カルボキシル、 エポキシ等 の官能基が含まれていてもよい。 このような官能基は、 その部位が反応点となり重 合反応や架橋反応が可能となり、 高分子量のものや、 三次元形状のものを得るのに 都合がよい。
また、 Ε R2のアルキル基としては、 メチル基、 ェチル基、 プロピル基、 プチ ル基、 ペンチル基等が挙げられ、 ァシル基としては、 ホルミル基、 ァセチル基、 プ 口ピオニル基、 ブチリル基、 イソブチリル基、 パレリル基等が挙げられ、 ァリール 基としては、 フヱニル基、 トリル基、 ナフチル基等が挙げられる。
アミノ基としてはァミノ基、 メチルァミノ基、 ジメチルァミノ基、 ェチルァミノ 基、 ジェチルァミノ基、 アジリジル基、 ピロリジル基等が挙げられる。 前記一般式(1) において、 Xとしては、有害性、環境等への配慮の観点からは、 炭素、 ケィ素、 窒素、 リン、 酸素、 及び、 ィォゥからなる群から選ばれる元素の少 なくとも 1種を含む有機基が好ましく、 以下の一般式 (3Α),' (3 Β) で表される 構造を有する有機基がより好ましい。
化 1
= Z (3A)
Figure imgf000025_0001
但し、 一般式 (3A)、 (3 B) において、 R3、 R4は、 一価の置換基又はハロゲ ン元素を表す。
一般式 (3A)、 (3 B) において、 R3、 R4としては、 一般式 (1) (2) におけ る Κ R2で述べたのと同様の一価の置換基又はハロゲン元素がいずれも好適に拳 げられる R3は、 同一有機基内において、 それぞれ同一の種類でも良く、 互いに異 なる種類でも良い。 また、 互いに結合して環を形成していても良い。 一般式 (3A) において、 Zとしては、 例えば、 CH2基、 CHR (Rは、 アルキル基、 アルコキシ ル基、 フエ二ル基等を表す。 以下同様。) 基、 NR基のほか、 酸素、 硫黄、 セレン、 ホウ素、 アルミニウム、 スカンジウム、 ガリウム、 イツトリゥム、 インジウム、 ラ ンタン、 タリウム、 炭素、 ケィ素、 チタン、 スズ、 ゲ^/マニウム、 ジルコニウム、 鉛、 リン、 バナジウム、 ヒ素、 ニオブ、 アンチモン、 タンタノレ、 ビスマス、 クロム、 モリブデン、 テルル、 ポロニウム、 タングステン、 鉄、 コパレト、 二ッケ/レ等の元 素を含む基等が挙げられ、 これらの中でも NR基、 酸素、 硫黄の元素を含むのが好 ましい。
一般式 (3A)、 (3B) のうち、 特に効果的に自己消火性ないし難燃性を付与し 得る点で、 一般式 (3A) で表されるようなリンを含む有機基が特に好ましい。 ま た、 一般式 (3B) で表されるようなィォゥを含む有機基である場合には、 小界面 抵抗化の点で特に好ましい。 前記一般式 (2 ) において、 nとしては特に制限はなく、 2〜 1 4のいずれの混 合物でもよいが、 安定性、 汎用性 (原料入手の容易性) の点で n = 3がもっとも好 ましい。
ホスファゼン系重合体は前述のホスファゼン誘導体 (1 ) または (2 ) をさま'ざ まな方法で重合することにより得られる。 一般にはホスファゼン誘導体 (1 ) また は (2 ) を 2 0 0〜4 0 0 °Cに加熱することにより調製することができる。 このと きに安息香酸等の有機物や塩ィ匕アルミ二ゥム等の無機塩を触媒としてホスファゼン 誘導体に対して 0 . 0 1〜1 0重量%加えると、より低温、短時間に重合体が調製で きる。 また熱以外にもプラズマや UV等を用いた重合も可能である。 得られるホス ファゼン系重合体の分子骨格は基本的に一 (N = P R2) n—の直鎖状構造を有して いるものであるが、 重合条件によっては、 環状、 三次元形状のものを得ることがで さる。
またホスファゼン誘導体 (1 ) または (2 ) のリン原子上の置換基を用いた分子 間でのカツプリング用いた反応によっても重合体の調製が可能である。 この場合、 ホスファゼン系重合体の分子骨格は基本的に直鎖、 または環状構造を保持した重合 体が得られる。
なお、 (l _ iii)で用いるホスファゼン系重合体は、前述の重合方法を用いること により、 1種のホスファゼン誘導体のみを重合してなる重合体に限らず、 2種以上 のホスファゼン誘導体を共重合してなる共重合体にすることも可能である。 ホスフ ァゼン系重合体の特性を損なわない範囲で、 ホスファゼン誘導体以外の成分を含有 するものであっても良い。
( 1一 Mi) で用いる、 上記ホスファゼン誘導体を重合して得られるホスファゼン 系重合体は、 その分子量が 1 0万以上であることが好ましい。 ホスファゼン系重合 体の分子量が 1 0万未満では、 強度が弱く、 ゲルよりはむしろゾルに近い常態とな ることがある。
ホスファゼン系重合体としては、 分子構造中にハロゲン元素を含む置換基を有す るものが好ましい。 分子構造中に、 ハロゲン元素を含む置換基を有するものであれ ば、 前記ホスファゼン系重合体から誘導されるハロゲンガスによって、 得られる電 解質に自己消火性ないし難燃性を発現させることが可能となる。 なお、 置換基にハ 口ゲン元素を含む化合物においてはハロゲンラジカルの発生が問題となることがあ るが、 ホスファゼン系重合体は、 分子構造中のリン元素がハロゲンラジカルを捕促 し、 安定なハロゲン化リンを形成するため、 このような問題は発生しない。
ハロゲン元素のホスファゼン系重合体における含有量としては、 2〜 8 0重量% が好ましく、 2〜 6 0重量%がより好ましく、 2〜 5 0重量%が更に好ましい。 こ の含有量が、 2重量%未満では、 ハロゲンを含有させることにより得られる効果が 有効に得られないことがある。 一方、 8 0重量%を超えると、 電解質として機能が 低下することがある。 この含有量が、 2重量%未満では、 ハロゲンを含有させるこ とにより得られる効果が有効に得られないことがある。前記ハロゲン元素としては、 フッ素、 塩素、 臭素等が好適であり、 これらの中でも、 特にフッ素が好ましい。
( 1一 ffi) においては、 このようにして得られるホスファゼン系重合体に、 酸ィ匕 還元性物質を担持させる。 ホスファゼン系重合体への酸ィ匕還元性物質の担持は、 例 えば、 酸化還元性物質の溶液中にこのホスファゼン系重合体を浸漬するなどして酸 化還元性物質溶液を含浸させた後、 乾燥する。
( 1 - iv) の色素増感型太陽電池用電解質において、 酸化還元性物質を担持する E V A樹脂フィルムを構成する E V A樹脂としては、 酢酸ビニル含有量が 5〜 5 0 重量%、 特に 1 5〜4 0重量%のものが好ましい。 E V A樹脂の酢酸ビュル含有量 が 5重量%より少ないと耐候性及ぴ透明性に問題があり、 また 4 0重量%を超すと 機械的性質が著しく低下する上に、 成膜が困難となり、 フィルム相互のブロッキン グが生ずる。
E V A樹脂ブイルムの成膜材料である E V A樹脂組成物には、 架橋剤を配合し、 得られる E V A樹脂フィルムに架橋構造を持たせることが、 電解質を担持させるた めに、 また、 太陽電池セル構造において上部電極と下部電極の一体化にも接着剤的 な役目を果たす点で好ましい。
架橋剤としては加熱架橋する場合は、 有機過酸ィヒ物が適当であり、 フィルム加工 温度、架橋温度、貯蔵安定性等を考慮して選ばれる。使用可能な過酸化物としては、 例えば 2, 5—ジメチノレへキサン一 2, 5—ジハイド口パーオキサイド; 2, 5— ジメチルー 2 , 5—ジ ( t一ブチルパーォキシ) へキサン一 3 ;ジ— tーブチルパ 一オキサイド; t—プチノレタミルパーオキサイド; 2, 5—ジメチルー 2, 5—ジ ( t一ブチルパーォキシ)へキサン;ジクミノレパーォキサイド; α, α,一ビス ( t 一ブチルパーォキシィソプロピル) ベンゼン; n—ブチル一 4 , 4一ビス ( tーブ チノレパーォキシ) パレレート ; 2, 2 _ビス ( t—ブチノレパーォキシ) ブタン; 1 , 1—ビス (t一ブチルパーォキシ) シクロへキサン; 1, 1一ビス (t—ブチルバ ーォキシ) 一 3, 3, 5—トリメチノレシクロへキサン; tーブチノレパーォキシベン ゾエート ;ベンゾィルパーォキサイ ド; t一ブチルパーォキシァセテ一ト ; 2, 5 —ジメチルー 2, 5—ビス (t一ブチルパーォキシ) へキシン一 3 ; 1, 1一ビス
( t一プチルパーォキシ) 一 3, 3, 5—トリメチルシクロへキサン; 1, 1—ビ ス ( t—プチ/レパーォキシ) シク口へキサン;メチゾレエチノレケトンパーォキサイド; 2, 5 _ジメチノレへキシノレ一 2, 5—ビスパーォキシベンゾエート ; t _プチノレノヽ ィ ドロパーォキサイ ド; p—メンタンハイド口パーオキサイド; p一クロルべンゾ ィノレパーォキサイド; t一ブチルパーォキシィソブチレ一ト ; ヒ ドロキシヘプチル パーォキサイド;クロルへキサノンパーォキサイドなどが挙げられる。 これらの過 酸化物は 1種を単独で又は 2種以上を混合して、 通常 E V A樹脂 1 0 0重量部に対 して、 1 0重量部以下、 好ましくは 0 . 1〜1 0重量部の割合で使用される。
有機過酸化物は通常 E VA樹脂に対し押出機、 ロールミル等で混練されるが、 有 機溶媒、 可塑剤、 ビニルモノマー等に溶解し、 成膜された E V A樹脂フィルムに含 浸させることにより添 ¾口しても良い。
なお、 E VA樹脂の物性(機械的強度、光学的特性、接着性、耐候性、耐白化性、 架橋速度など) の改良のために、 各種ァクリロキシ基又はメタクリロキシ基及びァ リル基含有化合物を添加することができる。 この目的で用いられる化合物としては アクリル酸又はメタクリル酸誘導体、 例えばそのエステル及びアミ ドが最も一般的 であり、 エステル残基としてはメチル、 ェチル、 ドデシル、 ステアリル、 ラウリル 等のアルキル基の他、 シクロへキシル基、 テトラヒ ドロフルフリル基、 アミノエチ ル基、 2—ヒドロキシェチル基、 3—ヒ ドロキシプロピル基、 3 _クロ口一 2—ヒ ドロキシプロピル基などが挙げられる。 また、 エチレングリコール、 トリエチレン グリコール、 ポリエチレングリコール、 トリメチロールプロパン、 ペンタエリスリ トール等の多官能アルコールとのエステルを用いることもできる。 アミ ドとしては ダイアセトンアクリルアミ ドが代表的である。 より具体的には、 トリメチロールプ 口パン、 ペンタエリスリ トール、 グリセリン等のアクリル又はメタクリル酸エステ ル等の多官能エステルや、トリァリルシアヌレート、 トリァリルイソシァヌレート、 フタル酸ジァリル、 イソフタル酸ジァリル、 マレイン酸ジァリル等のァリル基含有 化合物が挙げられ、 これらは 1種を単独で、 或いは 2種以上を混合して、 通常 E V A榭脂 1 0 0重量部に対して 0 . 1〜 2重量部、 好ましくは 0 . 5〜 5重量部用い られる。
E V A樹脂を光により架橋する場合、 前記過酸化物の代りに光増感剤が通常 E V A榭脂 1 0 0重量部に対して 1 0重量部以下、 好ましくは 0 . 1 〜 1 0重量部使用 される。 この場合、 使用可能な光増感剤としては、 例えばべンゾイン、 ベンゾフヱ ノン、 ベンゾインメチノレエーテノレ、 ベンゾインェチノレエーテノレ、 ベンゾインイソプ 口ピノレエーテノレ、 ベンゾィンィソブチノレエーテノレ、 ジベンジノレ、 5 一二トロアセナ フテン、 へキサクロロシクロペンタジェン、 p —二トロジフエ二ノレ、 p —二トロア 二リン、 2, 4, 6 _ トリニトロァニリン、 1 , 2—ベンズアントラキノン、 3 - メチルー 1 , 3—ジァザ— 1 , 9—ベンズアンスロンなどが挙げられ、 これらは 1 種を単独で或いは 2種以上を混合して用いることができる。
また、 この場合、 促進剤としてシランカップリング剤が併用される。 このシラン カツプリング剤としては、 ビニノレトリエトキシシラン、 ビュルトリス ( /3—メ トキ シェトキシ) シラン、 γ—メタクリロキシプロビルトリメ トキシシラン、 ビニノレト リアセトキシシラン、 γ—グリシドキシプロビルトリメ トキシシラン、 γ—グリシ ドキシプロピルトリエトキシシラン、 β— ( 3, 4一エポキシシクロへキシル) ェ チルトリメ トキシシラン、 τ / —クロ口プロピルメ トキシシラン、 ビニルトリクロ口 シラン、 γ—メルカプトプロビルトリメ トキシシラン、 γ—ァミノプロビルトリエ トキシシラン、 Ν— j3 (アミノエチル) 一 γ—ァミノプロビルトリメ トキシシラン などが挙げられる。 これらのシランカップリング剤は通常 E V A樹脂 1 0 0重量部 に対して 0 . 0 0 1 〜 1 0重量部、 好ましくは 0 . 0 0 1〜 5重量部の割合で 1種 又は 2種以上が混合使用される。
なお、 (1一 iv) に係る E V A樹脂フィルムには、 その他、 紫外線吸収剤、 赤外線 吸収剤、 老化防止剤、 塗料加工助剤を少量含んでいても良く、 また、 必要に応じて 得られる太陽電池自体の色合いを調整するために染料、 顔料などの着色剤、 カーボ 、 疎水性シリカ、 炭酸カルシウム等の充填剤を適量配合しても良い。 また、半導体電極や対電極との密着性改良の手段として、 (l_iy)に係る EVA 榭脂フィルム面へのコロナ放電処理、 低温プラズマ処理、 電子線照射、 紫外線照射 などの手段も有効である。
なお、 色素増感型太陽電池の電解質の厚さは、 通常の場合 10 nm〜2mm程度 であるため、 (1一 iv)に係る EVA樹脂フィルムはこの程度の厚さに成膜されるこ とが好ましい。 成膜は、 フィルム厚みが薄い場合は EVA樹脂等の材料を溶媒など に溶解しフィルムを作製し、 厚い場合は Tダイ等のフィルム押出し装置により成形 することにより行うことができる。例えば、膜厚 50 以上 2 mm以下の場合は、 E V A樹脂と上述の添加剤とを混合し、押出機、口ール等で混練した後力レンダー、 ロール、 Tダイ押出、 インフレーション等の成膜法により所定の形状にフィルム成 形し、 成膜に際して、 必要に応じてエンボスを付与する。 膜厚 0. 1mm以下の場 合は、 EVA樹脂と上述の添加剤とを混合した後、 溶剤等で希釈した液状物をロー ノレコーター- ダイコータ一、 ナイフコーター- マイカノ ーコ一ター、 フローコータ 一、 スプレーコータ一等により塗工することにより容易に成膜することができる。 このような EVA樹脂フィルムに、 酸化還元性物質を担持させるには、 次のよう な方法を採用することができる。
① EVA樹脂フィルムの成膜材料としての EVA樹脂糸且成物に、 予め EVA樹 脂に対して架橋剤やその他の添加剤と共に、 酸化還元性物質を混合し、 常法に従つ て成膜し、 酸化還元性物質含有 E V A樹脂フィルムを得る。
② 成膜された EVA樹脂フィルムに酸化還元性物質を含浸させる。 例えば、 酸 化還元性物質の溶液中にこの E V A樹脂シートを浸漬するなどして酸ィ匕還元性物質 溶液を含浸させた後、 乾燥する。
(1 - i ) 〜 (l〜iv) において、 加硫ゴム、 三次元連続の網状骨格構造を有す る高分子材料で構成された多孔質体、 ホスファゼン系重合体又は E V A樹脂フィル ム (以下、 これらを 「担体」 と称す場合がある。) に担持する酸化還元性物質として は、 一般に電池や太陽電池などにおいて使用することができるものであれば特に限 定されないが、 L i I、 Na I、 K I、 Ca 12などの金属ヨウ化物とョゥ素の組み 合わせ、 L i B r、 NaB r、 KB r、 C a B r 2などの金属臭化物と臭素の組み合 わせが好ましく、これらの中でも、金属ヨウ化物とョゥ素の組み合わせが好ましい。 担体への含浸に用いる酸化還元性物質溶液中の、 これらの酸化還元性物質の濃度 としては、 0 . 0 1〜1モル ZLの範囲が挙げられるが、 特に 0 . 0 5〜0 . 5モ ル ZLが好ましい。
また、 溶媒としては、 プロピレンカーボネートなどのカーボネート化合物、 ァセ トニトリルなどの二トリル化合物、 エタノールなどのアルコール類、 その他、 水や 非プロトン極性物質などが挙げられるが、 これらの中でも、 カーボネート化合物や 二トリル化合物が好ましい。
このような酸化還元性物質溶液に、 担体を浸漬する場合、 浸漬時間は 5時間程度 必要であるが、 浸漬温度を高く設定すれば、 酸化還元性物質溶液が活性化されて浸 透速度が速くなり、電解質の作製時間が短縮できるので好ましい。この浸漬温度は、 ラジカル反応が起こらない程度に抑える必要があり、 具体的には 3 5〜6 5 °C程度 である。
含浸後の乾燥は室温で 0 . 5〜 1時間程度行うことが好ましい。
このようにして得られる第 1発明の色素増感型太陽電池用電解質は、 担体に対す る酸化還元性物質の担持量が少な過ぎると、 電解質として機能に劣るものとなるこ とから、担体に対する酸化還元性物質担持量で 5重量%以上であることが好ましい。 この担持量が過度に多いと担持させた酸化還元物質が、 担体からブリードしたり、 担体の強度が弱くなつたり、 劣化するなどのために、 電池組み立て時の取り扱いに 支障が出るなどの懸念があるため、 加硫ゴム、 ホスファゼン系重合体又は E VA樹 脂フィルムに対する酸化還元性物質の担持量は、 通常 1 0〜3 0重量%であること が好ましい。 また、 多孔質体に対する酸化還元性物質の担持量は、 通常 5〜9 0重 量%であることが好ましい。
第 1発明の色素増感型太陽電池は、 電解質としてこのような第 1発明の色素增感 型太陽電池用電解質を用いたものであるが、 電解質以外の他の構成は、 図 1に示す ような従来の色素増感型太陽電池と同様の構成とされる。
色素増感型太陽電池の基板 1としては、 通常ガラス板であり、 通常珪酸塩ガラス であるが、 可視光線の透過性を確保できる限り、 種々のプラスチック基板等を使用 することができる。 基板の厚さは、 0 . 1〜1 O mmが一般的であり、 0 . 3〜5 mmが好ましい。 ガラス板は、 化学的に或いは熱的に強化させたものが好ましい。 透明電極 2としては、 I n203や S n02の導電性金属酸化物薄膜を形成したも のや金属等の導電性材料からなる基板が用いられる。 導電性金属酸化物の好ましい 例としては、 I n23 : S n ( I TO), Sn〇2 : S b、 Sn〇2 : F、 Z nO : A 1、 Z nO : F、 C d S n04を挙げることができる。
分光増感色素を吸着させた金属酸ィヒ物半導体膜 3の金属酸化物半導体としては、 酸化チタン、 酸化亜鉛、 酸化タングステン、 酸化アンチモン、 酸化ニオブ、 酸化タ ングステン、 酸化インジウム、 チタン酸バリウム、 チタン酸ストロンチウム、 硫化 カドミゥムなどの公知の半導体の 1種又は 2種以上を用いることができる。 特に、 安定性、 安全性の点から酸化チタンが好ましい。 酸化チタンとしてはアナタース型 酸化チタン、 ルチル型酸化チタン、 無定形酸化チタン、 メタチタン酸、 オルソチタ ン酸などの各種の酸化チタン或いは水酸化チタン、 含水酸化チタンが含まれるが、 特に本発明ではアナタース型酸化チタンが好ましい。 また金属酸化物半導体膜は微 細な結晶構造を有することが好ましい。 また多孔質膜であることも好ましい。 金属 酸化物半導体の膜厚は、 10 nm以上であることが一般的であり、 100〜100
0 nmが好ましレ、。
酸化物半導体膜に吸着させる有機色素 (分光増感色素) は、 可視光領域及び Z又 は赤外光領域に吸収を持つものであり、 種々の金属錯体ゃ有機色素の 1種又は 2種 以上を用いることができる。 分光增感色素の分子中にカルボキシル基、 ヒドロキシ アルキル基、 ヒ ドロキシル基、 スルホン基、 カルボキシアルキル基の官能基を有す るものが半導体への吸着が速いため、 好ましい。 また、 分光増感の効果や耐久性に 優れているため、 金属錯体が好ましい。 金属錯体としては、 銅フタロシアニン、 チ タニルフタロシアニンなどの金属フタロシアニン、 クロロフィル、 へミン、 特開平
1 - 220380号公報、 特表平 5— 504023号公報に記載のルテニウム、 ォ スミゥム、 鉄、 亜鉛の錯体を用いることができる。 有機色素としては、 メタルフリ 一フタロシアニン、 シァニン系色素、 メロシアニン系色素、 キサンテン系色素、 ト リフエニルメタン色素を用いることができる。 シァニン系色素としては、 具体的に は、 NK1194、 NK3422 (いずれも日本感光色素研究所 (株) 製) が挙げ られる。 メロシアニン系色素としては、 具体的には、 NK2426、 NK2501 (いずれも日本感光色素研究所 (株) 製) が挙げられる。 キサンテン系色素として は、 具体的には、 ゥラニン、 ェォシン、 ローズべンガノレ、 ローダミン B、 ジブロム フルォレセインが挙げられる。 トリフヱニルメタン色素としては、 具体的には、 マ ラカイ トグリーン、 クリスタルバイオレツトが挙げられる。
有機色素 (分光増感色素) を半導体膜に吸着させるこのためには、 有機色素を有 機溶媒に溶解させて形成した有機色素溶液中に、 常温又は加熱下に酸化物半導体膜 を基板ととも浸漬すれば良い。 前記の溶液の溶媒としては、 使用する分光增感色素 を溶解するものであれば良く、 具体的には、 水、 アルコール、 トルエン、 ジメチル ホルムアミドを用いることができる。
色素増感型半導体電極は、基板 1上に、透明電極(透明性導電膜) 2をコートし、 その上に光電変換材料用半導体膜を形成し、 上述のように色素を吸着して形成され る。 この色素増感型半導体電極に対電極 4として別の透明性導電膜をコートしたガ ラス板などの基板を封止材 5により接合させ、 これらの電極間に第 1発明の電解質 6を封入して本発明の太陽電池とすることができる。
この電解質の厚さは、色素増感型太陽電池の仕様によつて異なるが、通常の場合、 0 . 0 1〜 0 . 3 mra程度である。
また、 対電極 4としては、 導電性を有するものであれば良く、 任意の導電性材料 が用いられるが、電解質の I 3一イオン等の酸化型のレドックスイオンの還元反応を 充分な速さで行わせる触媒能を持ったものの使用が好ましい。 このようなものとし ては、 白金電極、 導電材料表面に白金めつきや白金蒸着を施したもの、 ロジウム金 属、 ルテニウム金属、 酸化ルテニウム、 カーボン、 コバルト、 ニッケル、 クロム等 が挙げられる。
第 1発明の色素増感型太陽電池は、 前記色素増感型半導体電極、 電解質及ぴ対電 極をケース内に収納して封止する力 S、それら全体を樹脂封止しても良い。この場合、 その色素増感型半導体電極には光があたる構造とする。このような構造の電池では、 その色素增感型半導体電極に太陽光又は太陽光と同等な可視光を当てると、 色素増 感型半導体電極とその対電極との間に電位差が生じ、 両極間に電流が流れるように なる。
〈第 1発明の実施例〉 実施例 1一 1
[電解質の製造]
下記配合のゴム組成物を 1 50°C、 1 OMP aで加熱加圧することにより加硫ゴ ムを得た。
<ゴム組成物配合 (部) >
ゴム成分 (ビニルビリジンゴム) : 100
(スチレン 20w t%、 ビニノレピリジン 20 w t %、 ブタジエン 60 t %)
2
オイル 5
加硫促進剤 (ノクセラー M) 2
3
カーボンブラック (SAF) : 20
得られた加硫ゴムを 5mniX 5mmX 0. 1 mmに裁断し、 下記の酸化還元性物 質溶液に室温で 6時間浸漬することにより、 酸化還元性物質溶液を含浸させること により、 本発明の色素增感型太陽電池用電解質を得た。 使用前に大気中で乾燥する ことで低沸点溶媒 (ァセトニトリル等) を飛ばし、 ゴム表面に粘着性が残っている 状態で下記の電極間に入れた。
[酸化還元性物質溶液]
溶媒:ァセトニトリル: 1 L
酸化還元性物質
ョウイ匕リチウム: 0. 2モ /レ
1, 2ジメチルー 3—プロピルイミダゾリゥムアイォダイド: 0. 2モル ョゥ素: 0. 1モル
t一プチ/レビリジン: 0. 4モノレ
なお、 加硫ゴムに対する酸化還元性物質の担持量は 1 5重量%であった。
[色素増感型太陽電池の製造]
2. 5 X 3 cmのガラス基板 (厚さ : 2 mm) 上に、 厚さ 3000 Aの I TO膜 を形成し、 この上に厚さ 10 μπι、 面積 5 mm口の酸化チタン膜を形成した。 分光増感色素として、 シスージ (チオシアナト) 一ビス (2, 2, 一ビビリジル 一 4ージカノレポキシレートー 4, ーテトラブチノレアンモニゥムカノレポキシレート) ルテニウム (Π) をエタノール液に 3 X 10— 4モル ZLで溶解した液に上記酸化チ タン膜を形成した基板を入れ、 室温で 18時間浸漬して、 色素増感型半導体電極を 得た。 分光増感色素の吸着量は、 酸化チタン膜の比表面積 1 cm2あたり 10 ^ g であった。
この色素増感型半導体電極に、 対電極として、 フッ素をドープした酸化スズをコ ートし、 さらにその上に白金を担持した透明導電性ガラス板を用い、 2つの電極の 間に上記の電解質を入れ、 この側面を樹脂で封止した後、 リード線を取付けて、 本 発明の色素増感型太陽電池を作製した。
得られた色素増感型太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 10 OWZm2の強 度の光を照射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 72 Vであり、 J o c (回路を短絡したとき流れる電流の密度) は 9. 5 mA/ cm2であり、 F F (曲 線因子) は 0. 52であり、 η (変換効率) は 4. 5%であった。 この結果から、 色素増感型太陽電池として有用であることが確認された。
実施例 1一 2
数平均分子量が表 1に示す物性のエチレン一プロピレン共重合体 (10重量%) とジイソデシル'アジペート (D I DA) (90重量%) とを高剪断型混合機により 表 1に示す撹拌条件で混合し、 前駆体を得た。 得られた前駆体について、 骨格の平 均径 dと開孔の平均径 Dを求めた。 次に、 アセトンで D I D Aを溶解抽出して三次 元連続の網状骨格構造の多孔質体を得、 この多孔質体の骨格の平均径 d、 開孔の平 均径 Dを測定した。 結果を表 1に併記する。
表 1
Figure imgf000036_0001
得られた多孔質体を 5mmX 5mmX 0. 2 mmに裁断し、 実施例 1—1で用い たものと同組成の酸化還元性物質溶液に 25 °Cで 5時間浸漬することにより、 酸化 還元性物質溶液を含浸させて、 本発明の色素増感型太陽電池用電解質を得た。 使用 前に大気中で乾燥することで低沸点溶媒 (ァセトニトリル等) を飛ばし、 多孔質体 表面に粘着性が残っている状態で下記の電極間に入れた。
なお、 多孔質に対する酸化還元性物質の担持量は 20重量%であった。
この色素増感型太陽電池用電解質を用いて実施例 1一 1と同様にして、 色素増感 型太陽電池を製造し、 得られた色素増感型太陽電池に、 ソーラーシュミレーターで 10 OW/m2の強度の光を照射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 72Vであり、 J o e (回路を短絡したとき流れる電流の密度) は 9. 2mA/c m2であり、 FF (曲線因子) は 0. 51であり、 η (変換効率) は 4. 2%であ つた。 この結果から、 色素増感型太陽電池として有用であることが確認された。 実施例 1一 3 前記一般式(1) において、 I^ C 1、一般式(3 A) において R3=OC2H5、 Z = 0であるホスファゼン誘導体と、 そのホスファゼン誘導体に対して 50%の p 一フエ二レンジアミンをオートクレーブ中で 250°C、 8時間加熱し、 ゴム状のホ スファゼン系重合体を得た。 この重合体はトルェン溶媒を用いてソックスレー抽出 を 6時間行い、 未反応物おょぴ不純物を取り除いた。 なお、 重合体のテトラヒドロ フラン可溶分の分子量測定を行った結果、 数平均分子量 14万であった。 得られた ホスファゼン系重合体を 80°Cで 6時間真空乾燥したの後、 5mmX 5mmX 0. 2 mmに裁断し、 実施例 1一 1で用いたものと同組成の酸化還元性物質溶液に 3 0 °Cで 5時間浸漬することにより、 酸化還元性物質溶液を含浸させ本発明の色素増 感型太陽電池用電解質を得た。 その後、 使用前に大気中で乾燥させることにより低 沸点溶媒 (ァセトニトリル等) を蒸発させ、 ホスファゼン系重合体の表面に粘着性 が残っている状態での電極間に入れた。
なお、 ホスファゼン系重合体に対する酸化還元性物質の担持量は 18重量%であ つた。
この色素増感型太陽電池用電解質を用いて実施例 1一 1と同様にして、 色素増感 型太陽電池を製造し、 得られた色素増感型太陽電池に、 ソーラーシュミレーターで 10 OW/m2の強度の光を照射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 70Vであり、 J o e (回路を短絡したとき流れる電流の密度) は 8. 8mA/c m2であり、 FF (曲線因子) は 0. 65であり、 η (変換効率) は 4. 0%であ つた。 この結果から、 色素増感型太陽電池として有用であることが確認された。
[自己消化性、 難燃性、 不燃性評価]
ホスファゼン系重合体を用いた上記色素増感型太陽電池用電解質について、 UL
(アンダーライティングラボラトリー) 規格の UL94HB法をアレンジした方法を 用い、 大気環境下において着火した炎の燃焼挙動を測定'評価した。 具体的には U L試験基準に基づき、 この色素増感型太陽電池用電解質を下記に示すように評価を 行った。
(不燃性の評価)
試験炎が試験片に着火しなかった (燃焼長: 0mm) 場合を不燃性と評価した。 (難燃性の評価) 着火した試験片が、 装置の 25 mmラインまで到達せず、 かつ網からの落下物に も着火が認められなかつた場合を難燃性と評価した。
(自己消化性の評価)
着火した試験片が、 装置の 25〜100 mmラインの間で消化し、 かつ網からの 落下物にも着火が認められなかった場合を自己消化性と評価した。
(燃焼性の評価)
着火した炎が、 10 Ommラインを超えた場合を燃焼性と評価した。
上記評価の結果、 難燃性であることが確認された。 一方、 ホスファゼン系重合体 を用いず、 電解液のみの太陽電池を作製し、 同様のテストを行ったところ燃焼性を 示した。
実施例 1一 4
前記一般式(2) において、 n = 3でありその誘導体の 6つの R2のうち 3つが一 OC2H5であり、 3つが一 NH2であるホスファゼン誘導体をオートクレーブ中に 塩化アルミニウム (ホスファゼン誘導体に対し) 0. 5%と 2,2,3,3 -テトラフルォ 口 -1,4-ブタンジオールを 20%加え、 300°C、 20時間加熱することによりゴム 状のホスファゼン系重合体を得た。 この重合体はテトラヒドロフラン溶媒に不溶で あった。 テトラヒドロフラン溶媒を用いてソックスレー抽出を 6時間行い、 重合体 中の未反応物および不純物を取り除いた。 得られたホスファゼン系重合体を 80°C で 6時間真空乾燥した後、 実施例 1一 3と同様な操作を行い色素增感型太陽電池用 電解質を得、 また、 同様にして、 酸化還元性物質溶液、 色素増感型太陽電池の製造 を行った。
得られた色素增感型太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 10 OW/m2の強 度の光を照射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 68Vであり、 J o c (回路を短絡したとき流れる電流の密度) は 9. lmAZcm2であり、 F F (曲 線因子) は 0. 68であり、 η (変換効率) は 4. 2%であった。 この結果から、 色素增感型太陽電池として有用であることが確認された。
また、 実施例 1— 3と同じ方法で不燃性評価を行つて難燃性であることが確認さ れた。
実施例 1一 5 前記一般式(2) において、 n= 3でありその誘導体の 6つの R2のうち 3つが一 OCH2CH20 (O) C— CH=CH2、 他の 3つが Fであるホスファゼン誘導体に 過酸化べンゾィルを 1 %添加し、 2 2 0 で 8時間加熱することにより、 樹脂状の 重合体を製造した。 この重合体はテトラヒドロフラン溶媒に不溶であった。 得られ たホスファゼン系重合体をそのまま実施例 1一 3と同様な操作を行い色素増感型太 陽電池用電解質を得た。 また、 同様にして、 酸化還元性物質溶液、 色素増感型太陽 電池の製造を行った。
得られた色素増感型太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 1 0 OW/m2の強 度の光を照射したところ、 V o c (開回路状態の電圧) は 0. 7 I Vであり、 J o c (回路を短絡したとき流れる電流の密度) は 8. 9 mA/ c m2であり、 F F (曲 線因子) は 0. 6 5であり、 η (変換効率) は 4. 1 %であった。 この結果から、 色素增感型太陽電池として有用であることが確認された。
また、 実施例 1一 3と同じ方法で不燃性評価を行って自己消化性であることが確 れた。
実施例 1一 6
下記配合の EVA樹脂組成物を力レンダー加工機により成膜して厚さ 0. 2 mm の E V A樹脂フィルムを得た。
く EVA樹脂組成物配合 (部) 〉
EVA樹脂: 1 0 0
有機過酸化物 (ジクミルパーォキサイド) : 2
トリメチロールプロパントリァクリ レート : 5
得られた E V A榭脂フィルムを 5mmX 5 mmに裁断し、 実施例 1一 1で用いた ものと同組成の酸化還元性物質溶液に 3 0 °Cで 5時間浸漬することにより、 酸化還 元性物質溶液を含浸させ、 本発明の色素增感型太陽電池用電解質を得た。 その後、 使用前に大気中で乾燥させることにより低沸点溶媒 (ァセトニトリル等) を蒸発さ せ、 EVA樹脂フィルムの表面に粘着性が残っている状態で下記の電極間に入れた。 なお、 EVA樹脂に対する酸化還元性物質の担持量は 1 8重量%であった。
この色素増感型太陽電池用電解質を用いて、 実施例 1一 1と同様にして色素増感 型半導体電極を製造し、 この色素増感型半導体電極に、 対電極として、 フッ素をド ープした酸化スズをコートし、 さらにその上に白金を担持した透明導電性ガラス板 を用い、 2つの電極の間に上記の電解質を入れて加熱加圧して EVA樹脂を架橋硬 化させることにより接着し、 この側面を樹脂で封止した後、 リード線を取付けて、 本発明の色素增感型太陽電池を作製した。
得られた色素増感型太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 10 OW/m2の強 度の光を照射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 72 Vであり、 J o c (回路を短絡したとき流れる電流の密度) は 8. 8mA/c πι2であり、 F F (曲 線因子) は 0. 51であり、 η (変換効率) は 4. 0%であった。 この結果から、 色素増感型太陽電池として有用であることが確認された。
( 2 ) 第 2発明の色素增感型太陽電池用電極及びその製造方法の実施の形態を図 3 を参照して説明する。
図 3の如く、 第 2発明の色素増感型太陽電池用電極は、 ポリエチレンテレフタレ ート (PET) フィルム 21等の基板上に、 透明導電薄膜 22を介して色素吸着酸 化チタン薄膜 23を形成したものであり、 この色素吸着酸化チタン薄膜 23の酸化 チタン薄膜は T iメタルターゲットを用いた反応性スパッタにより形成される。 基板としては、従来と同様、ガラスを用いることも可能であるが、薄肉、軽量化、 低コスト化の目的を達成するためには有機樹脂フィルムを用いることが好ましく、 例えばポリエステル、 ポリエチレンテレフタレート (PET), ポリブチレンテレフ タレート、ポリメチルメタクリレート (PMMA)、ァクリル、ポリカーボネート (P C)、 ポリスチレン、 トリアセテート (TAC)、 ポリ ビュルアルコール、 ポリ塩ィ匕 ビニル、 ポリ塩化ビニリデン、 ポリエチレン、 エチレン—酢酸ビュル共重合体、 ポ リビュルブチラール、 金属イオン架橋エチレンーメタクリル酸共重合体、 ポリウレ タン、 セロファン等のフィルムが挙げられるが、 特に強度面で PET、 PC、 PM MA、 T ACフィルム、 とりわけ PET、 T ACフィルムが好ましい。
このような有機樹脂フィルムの厚さは、 通常の場合 50〜300 μΐη程度とされ る。 この有機樹脂フィ ムの厚さが 25 未満では、 色素増感型太陽電池用電極 としての十分な耐久性を得ることができず、 1000 μπιを超えると得られる電極 の厚肉化を招き、 好ましくない。
PETフィルム 21等の有機樹脂フィルム上に形成される透明導電薄膜 22とし ては、 I TO (インジウム ·スズ酸化物)、 I ZO (インジウム .亜鉛酸化物)、 A TO (アルミナドープ ·スズ酸化物)、又は AZO (アンチモンドープ '亜鉛酸化物) 等の透明導電薄膜が挙げられ、 この透明導電薄膜 22の膜厚は通常 20〜 2000 nm程度である。 この透明導電薄膜 22は、 通常スパッタ法により成膜される。 従って、 第 2発明では、 この透明導電薄膜 22の成膜と、 透明導電薄膜 22上の 酸化チタン薄膜の成膜とを同一のスパッタ装置内で連続して行うことができる。 この透明導電薄膜 22上に酸化チタン薄膜を成膜するに際し、 第 2発明では T i メタルターゲットを用いた反応性スパッタを行う。 この反応性スパッタは、 雰囲気 中の酸素濃度を制御して、 T i 02薄膜の成膜条件よりも若干酸素が不足するよう な条件で行うことにより、 酸化チタン薄膜を高速成膜することができ、 好ましい。 この雰囲気中の酸素濃度は、 チャンバ一内の全圧、 排気速度等の他のスパッタ条 件によっても異なり、 一概に特定することは困難であるが、 形成される酸化チタン 薄膜が T i Ox (xく 2)、 特に、 T i Ox (x≤ 1. 98) で表されるような T i の低級酸化物を含む薄膜であると、 T i 02薄膜を成膜する場合に比べて、 5〜6 倍の高速成膜を行うことができ、 好ましい。
なお、 T i Oxの Xが過度に少ないと、 T i〇2の半導体特性が損なわれることか ら、 T i Ox (1. 7≤x) であることが好ましい。
このような、 酸素不足の雰囲気制御は、 プラズマェミッションコントロール又は プラズマインピーダンスコントロールにより容易に実施することができる。
また、 酸化チタン薄膜の成膜に当たっては、 特に、 デュアル力ソードを用い、 並 設された 2個のカソードに各々 T iメタルターゲットをセットし、 交互に電圧をか けることにより反応性スパッタを行うことが好ましく、 これによりより一層の高速 成膜を行うことができる。
この反応性スパッタ条件としては特に制限はないが、 次のような条件とすること が好ましい。
圧力 : 0. 2〜 5 P a
雰囲気: Ar +02, 02流量比 3〜50% また、 デュアル力ソードを用いる場合、 交互電圧印加周波数は 1 0〜1 0 0 k H z程度であることが好ましい。
このようにして成膜される酸化チタン薄膜の膜厚は通常 0 . 5〜 1 0 μ ΐη程度で ある。 この範囲よりも膜厚が薄いと吸着させる増感色素量が少なくなり、 光の吸収 による発電効果が悪くなる。 膜厚がこの範囲よりも厚いと酸化チタン薄膜の電気抵 抗が大きくなり、 電極としての性能が劣るものとなる。
このようにして成膜された酸化チタン薄膜に吸着させる増感色素とは、 可視光領 域及ぴ Ζ又は赤外光領域に吸収をもつ色素であれば良く、 特に制限はなく、 金属錯 体や有機色素を用いることができる。 金属錯体としては銅フタロシアニン、 チタ二 ルフタロシアニン等の金属フタロシアニン、クロロフィル又はその誘導体、へミン、 ルテニウム、ォスミゥム、鉄及ぴ亜鉛の錯体(例えばシス—ジシァネート—ビス( 2, 2 ' ービピリジルー 4, 4, —ジカルポキシレート レテニゥム (II) ) が挙げられ る。 有機色素としてはメタルフリーフタロシアニン、 シァニン系色素、 メタロシア ニン系色素、 キサンテン系色素、 トリフエニルメタン系色素等を用いることができ る。
これらの増感色素は、 例えばこの増感色素を含む液中に酸化チタン薄膜を形成し た基板を浸漬するなどの方法により、 酸化チタン薄膜に吸着させることができる。 第 2発明の色素増感型太陽電池用電極は、 基板として有機樹脂フィルムを用いる ことが可能であることから、 電極の薄肉、 軽量、 低コスト化が可能で、 この電極を 用いて製造される色素增感型太陽電池の薄肉、 軽量、 低コス ト化を図ることができ る。
〈第 2発明の実施例〉
実施例 2—:!〜 2— 3
基板として、 厚さ 1 8 8 μ παの Ρ Ε Τフィルムを用い、 この P E Tフィルムの片 面に薄膜 5 0 0 n mの I T O透明導電膜をスパッタリング法により形成し、 次いで T iメタルターゲットを用いた反応性スパッタにより、 下記条件で膜厚 3 μ ηιの酸 化チタン薄膜を成膜した。 反応性スパッタはマグネトロン D Cスパッタ装置のシン グノレ力ソードに T iメタノレターゲットをセットして行った。
[反応性スパッタ条件] 圧力: ◦ . 5 P a
電力: 2 k w
この反応性スパッタ時には、 プラズマエミッシヨンコントロー 又はプラズマィ ンピーダンスコントロールにより、 A r + 0 2雰囲気中の 02流量比を表 1に示す値 に制御した。 形成された酸化チタン薄膜の酸化度は表 1に示す通りであった。
このときの成膜速度 (単位時間当りに成膜された膜厚) を調べ、 結果を表 2に示 した。
実施例 2 _ 4〜 2— 6
実施例 2— 1〜 2— 3において、 マグネトロン D Cスパッタ装置のデュアルカソ 一ドに 2つの T iメタルターゲットをセットし、 下記の条件で反応性スパッタを行 つたこと以外は同様にして酸化チタン薄膜を形成し、 形成された酸化チタン薄膜の 酸化度と成膜速度を調べ、 結果を表 2に示した。
[反応性スパッタ条件]
圧力: 0 . 5 P a
電力: 1 0 k w
デュアル力ソードの電力印加周期: 5 0 k H z
表 2
Figure imgf000043_0001
表 2より酸素がわずかに不足する反応性スパック、 好ましくはデュアルカソード を用いた反応性スパッタであれば、 高速成膜が可能であることがわかる。 なお、 実施例 2— 1〜2— 6で酸化チタン薄膜を形成した P E Tフィルムを、 N 3色素のァセトニトリ口溶液に浸漬することにより増感色素としての N 3色素を吸 着させて電極を製造し、 この電極を用いて常法に従って色素增感型太陽電池を組み 立てたところ、 従来品と同等の発電効率を得ることができることが確認された。
( 3 ) 第 3発明の金属酸化物半導体電極を有する有機色素増感型太陽電池の実施 の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図 4は第 3発明の有機色素増感太陽電池の実施形態の一例を示す断面図である。 図 4において、 ガラス基板 3 1 a、 その表面に透明電極 3 2 aが設けられ、 透明 電極表面に分光増感色素 3 4を吸着させた金属酸化物半導体膜 3 3が形成され、 そ の下方に透明電極と対向して対電極 3 6 (例、 P t電極) が設置されており、 この 対電極 3 6はガラス基板 3 1 bの上に設けられた透明電極 3 2 b上に形成されてお り、 そして金属酸化物半導体膜 3 3と対電極 3 6との間に電解質 (溶液) 3 5が封 入されている。 さらに、 ガラス基板 3 1 a上には、 反射防止膜 3 7が形成されてい る。
図 5は第 3発明の有機色素増感太陽電池の実施形態の一例を示す断面図である。 図 5において、 ガラス基板 3 1 a、 その表面に透明電極 3 2 aが設けられ、 透明 電極表面に分光増感色素 3 4を吸着させた金属酸化物半導体膜 3 3が形成され、 そ の下方に透明電極と対向して対電極 3 6 (例、 P t電極) が設置されており、 この 対電極 3 6はガラス基板 3 1 bの上に設けられた透明電極 3 2 b上に形成されてお り、 そして金属酸化物半導体膜 3 3と対電極 3 4との間に電解質 3 5が封入されて いる。 さらに、 ガラス基板 3 l a上には、 接着剤層 3 8により反射防止フィルム 3 9が貼付されている。
有機色素増感型金属酸化物半導体膜を用いた有機色素増感太陽電池においては、 その特性を実用性のレベルとするために、 半導体膜、 色素について種々検討されて いるが、 太陽光エネルギー自体を高効率で利用することについては目が向けられて いない。 本発明者等は、 この点に注目して検討した。 即ち、 有機色素增感太陽電池 のガラス基板上に反射防止膜又は反射防止フィルムを設けることにより、 太陽光ェ ネルギ一の高効率受光が可能となると共に、 特に反射防止フィルムを設けた場合は 太陽電池のガラス基板の破損時のガラスの破片の飛散の防止も可能となる。
上記反射防止フィルムは、 透明ポリマーフィルム上に反射防止膜が形成されたも のである。 反射防止膜は、 一般に、
(1) 上から、 低屈折率透明無機薄膜と高屈折率透明無機薄膜とが交互積層された
(2) 低屈折率透明無機薄膜と高屈折率透明無機薄膜とが交互積層された無機積層 膜であって、 最上層の低屈折率透明無機薄膜が低屈折率有機薄膜である積層膜;で
¾>る。
反射防止膜としては、
( a ) 中 (低) 屈折率透明無機薄膜/高屈折率透明無機薄膜の順で 1層ずつ、 合 計 2層に積層したもの
( b ) 中 (低) 屈折率透明無機薄膜/低屈折率透明無機薄膜/高屈折率透明無機 薄膜の順で 1層ずつ、 合計 3層に積層したもの
( c ) 低屈折率透明無機薄膜/高屈折率透明無機薄膜 Z低屈折率透明無機薄膜 Z 高屈折率透明無機薄膜の順で 1層ずつ、 合計 4層に積層したもの
等を挙げることができる。 一般に無機薄膜は 2〜 6層設けられる。
上記 (2)において、 (フッ素系或いは非フッ素系)有機薄膜を形成することにより、 反射防止機能に加えて防汚機能を付与することができる。 即ち、 有機薄膜は防汚性 に優れるため、 有機薄膜を最表面に形成することで、 防汚機能を付与することがで きる。 (2)では、この有機薄膜の直下の透明無機膜は高屈折率透明無機薄膜であるの で、 この高屈折率透明無機薄膜上に低屈折率の有機薄膜を形成することで高屈折率 膜と低屈折率膜の多層化による高性能な反射防止機能を得ることができる。さらに、 この有機薄膜の直下の透明無機膜を多層化することにより、 高屈折率透明無機薄膜 と低屈折率透明無機膜との積層構造による光の干渉作用で光の反射を効果的に防止 し、 光透過性に優れ、 高透明性で色調の良い反射防止フィルムを実現できる。
図 6に第 3発明の反射防止フィルム 3 9の一例を示す模式的な断面図である。 第 3発明の反射防止フィルム 3 9は、 透明ポリマーフィルム 3 9 A上に、 紫外線 カット層 3 9 B、 高屈折率透明無機薄膜 3 9 C、 低屈折率透明無機薄膜 3 9 D、 高 屈折率透明無機薄膜 39 E及び低屈折率透明無機薄膜 39 Fがこの順で形成されて いる。 無機薄膜 39C〜39 Fが反射防止膜を構成している。 この反射防止フィル ムは、 紫外線カット層 39 Bが無くても良く、 また単なる下塗層又はハードコート 層であっても良い。
このように反射防止膜を反射防止フィルムの形態で使用することにより、 生産性 の向上につながるとの利点がある。
上記透明ポリマーフィルム 39 Aとしては、 ポリエステル、 ポリエチレンテレフ タレート (PET)、ポリプチレンテレフタレート、ポリメチルメタァクリレート(P MMA)、 アクリル、 ポリカーボネート (PC)、 ポリスチレン、 トリアセテート、 ポリビュルアルコール、 ポリ塩化ビエル、 ポリ塩化ビニリデン、 ポリエチレン、 ェ チレン一酢酸ビュル共重合体、 ポリウレタン、 セロファン等、 好ましくは PET、 PC、 P MM Aの透明フィルムを挙げることができる。
透明ポリマーフィルム 39 Bの厚さは得られる反射防止フィルムの用途による要 求特性 (例えば、 強度、 薄膜性) 等によって適宜決定されるが、 一般に 1 m〜l Ommの範囲である。
透明ポリマーフィルム 39 A上には、 上記のように紫外線カツト層が設けられて いる。 紫外線カット層としては、 一般に紫外線吸収剤 (例、 2—ヒドロキシベンゾ フエノン等) を含むハードコート層が形成されている。 このハードコート層の材料 として特に規定はないが、 多官能基 (一般に重合性基) を有するアクリル樹脂、 多 官能基を有するシリコン樹脂等が用いられる。 これら樹脂は熱、 光、 電子線等で架 橋させることが好ましく、 特に光の場合、 紫外線硬化樹脂が用いられる。
高屈折率透明無機薄膜 39 C, 39Eとしては、 I TO (スズインジウム酸化物) 又は ZnO、 A 1をドープした Z nO、 T i 02、 S n02、 Z r O等の屈折率 1. 8以上の薄膜を使用することができる。
一方、 低屈折率透明無機薄膜 39D, 39 Fとしては S i 02、 Mg F2、 A 12 O 3等の屈折率が 1. 6以下の低屈折率材料よりなる薄膜を使用することができる。 これら高屈折率透明無機薄膜及ぴ低屈折率透明無機薄膜の膜厚は光の干渉で可視光 領域での反射率を下げるため、 膜構成、 膜種、 中心波長により異なってくる。
図 6に示すような 4層構造の場合、 透明ポリマーフィルム側の第 1層 (高屈折率 透明無機薄膜)が 5〜50nm、第 2層(低屈折率透明無機薄膜)が 5〜 50 n m、 第 3層 (高屈折率透明無機薄膜) が 50〜 1 50n m、 第 4層 (高屈折率透明無機 薄膜) が 50〜 150 n m程度の膜厚で形成することが好ましい。
このような高屈折率透明無機薄膜及び低屈折率透明無機薄膜は、 蒸着、 スパッタ リング、ィオンプレーテイング、 C V D法等により形成することができる力、特に、 高屈折率透明無機薄膜としての酸化亜鉛膜は、 金属亜鉛をターゲットとする反応性 スパッタ法で形成するのが好ましい。 この場合、 スパッタ条件は、 O2100%又 は O 2— A rで O 240 %以上の雰囲気条件とするのが好ましい。
最上層の低屈折率透明無機薄膜の代わりに、 フッ素系或いは非フッ素系等の低屈 折率有機薄膜を形成しても良い。 非フッ素系有機薄膜としては、 ハードコートに用 いられるようなアクリル系樹脂、 シリコン樹脂、 アクリルシリコン系樹脂、 ウレタ ン樹脂等が挙げることができる。
フッ素系有機薄膜としては、 FET (フルォロエチレン/プロピレン共重合体)、 PTFE (ポリテトラフルォロエチレン)、 ETFE (エチレン Zテトラブルォロェ チレン)、 P VF (ポリフッ化ビュル)、 P VD (ポリフッ化ビニリデン) 等を挙げ ることができる。
また、 防汚性、 易滑性等を付与するために、 フッ素系、 シリコン系の添加物を加 えることもある。 中でも、 シリコン樹脂又はアクリル樹脂が、 安価であることもあ り、 好適である。
このような有機薄膜は、一般に屈折率 1. 3〜1. 6の低屈折率薄膜であるため、 この有機薄膜を反射防止膜の最表面層として高屈折率透明無機薄膜上に形成するこ とにより、 反射防止機能を得ることができるが、 さらに防汚性及ぴ耐擦傷性にも優 れたものである。
上記有機薄膜は、光の干渉による反射防止機能と防汚機能を両立させるためには、 防汚機能を得ることができる範囲で光学的な膜厚であることが好ましく、 50〜 5 00 nmの範囲、 例えば 500 nmの波長の光の 1/4 λ (= 125 nm) 程度と するのが好ましい。 最上層の低屈折率透明無機薄膜の膜厚についても同様である。 なお、透明ポリマーフィルム上に透明無機薄膜を積層する反射防止フィルムでは、 材料に十分な透明性がない場合があり、 特に 400 nm付近から短い波長での光の 透過率が急激に下がる傾向にあり、 このような用途には適当とは言えない。 そのた め、 反射防止フィルムが黄色味がかって見えるという欠点が生じやすい。 透明性の 高い材料も提案されてはいるが、 成膜速度が著しく遅い、 或いは、 3 5 0 n m付近 よりも波長の短い紫外線に対してかなりの光透過があるため、 紫外線力ット性が得 られないという欠点がある。
これに対して、 上記のように紫外線カット層を設けることにより、 優れた可視光 透過性と紫外線カツト性とを兼備し、 しかも生産性も良好な反射防止フィルムが得 られる。
第 3発明の反射防止フィルムは、 透明電極を設けない側の表面に、 接着剤層 8に より貼付される。 接着剤層に使用される樹脂としては、 エチレン/酢酸ビニル共重 合体、 粘着性アクリル樹脂 (例、 ブチルアタリレート重合体) を挙げることができ る。 これらの樹脂は加熱等により架橋されても良い。 その厚さは、 一般に 1〜1 0 0 0 m, 1 0〜5 0 0 μ mが好ましい。
前述の第 3発明の金属酸化物半導体電極及びこれを有する有機色素増感型太陽電 池は、 基板上の透明電極に設けられる金属酸化物半導体膜 3 3は、 図 4から明らか なように、 大小様々な球状粒子が接合した形状を有し、 表面に大きな凹凸と、 内部 に多数の空隙を有するものである。 第 3発明の金属酸化物半導体膜は、 従来の酸化 物半導体微粉末のスラリーを透明電極上に塗布し、 乾燥させ、 その後 5 0 0 °C、 1 時間程度で焼成させることにより形成しても良いし、気相成膜法で形成しても良い。 <金属酸化物半導体膜 >
第 3発明の金属酸化物半導体膜は、 一般に気相成膜法により形成され、 且つその 表面が粗く、 空隙率が 2 5 %以上であることが好ましい。 さらに、 空隙率は 3 0 % 以上、 特に 3 5 %以上であることが好ましい。 このような形状により、 有機色素の 吸着量が多くな。 空隙率の上限も有機色素の吸着量が多くなるのであれば 1 0 0 % 近くであっても良いが、膜としての形状を保持する観点から 9 5 %程度が好ましい。 このように、 第 3発明の金属酸化物半導体膜 3 3は、 表面の表面積が大きく、 且 つ内部の空洞の表面積も大きく、 このため有機色素が吸着する面積が大きい。 さら には、 このような構造 (形状) のため、 有機色素の表面及び內部への侵入が容易で あり、 短時間に色素吸着を完遂することができる。 また、 表面及び内部共に大きな 表面積を有しているため、 有機色素吸着量が増大しており、 光のエネルギー変換効 率が向上している。
このような構造を有する金属酸化物半導体膜 33は、 種々の気相成膜の形成条件 により得ることができるが、 基本的には、 高電力での短時間成膜、 高ガス圧下での 成膜が好ましく、 さらにガス混合流量比の変化、 アークイオンスパッタリングの使 用等により、 或いはこれらの方法を適宜組合せることにより行うことができる。 上記第 3発明の金属酸化物半導体膜 33を形成するための好ましい方法は、 スパ ッタリング法を用い、 1. 3W/c m2以上、 さちに 2. 6 W/ cm2以上、 特に 1 1 W/cm2以上のターゲット投入電力密度、 及ぴ 0. 6 P a以上、 さらに 2. 0 P a以上、 特に 2. 6 P a以上の圧力の条件下に行うことであり、 スパッタリング 法としては、 特に対向 2極ターゲット方式スパッタリング法が好適であり、 また反 応性スパッタリング法も好ましい。 このような、 通常のスパッタリング条件より、 過激な条件で行うことにより、 半導体膜を急速に形成することができ、 これにより 本発明の特定の形状、 構造を有する金属酸ィ匕物半導体膜を得ることができる。 これ により有機色素の吸着量を大幅に増加させることが可能で、 高いエネルギー変換効 率を有し、 高効率の太陽電池を得ることができる。
上記透明基板 31 a, 31 bとしては、 透明な基板であればよく、 一般にガラス 板であり、 通常珪酸塩ガラスである。 しかしながら、 可視光線の透過性を確保でき る限り、 種々のプラスチック基板等を使用することができる。 プラスチックの例と しては、 ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、 ポリメチルメタクリレー ト等のアクリル樹脂、 ポリカーボネート等を挙げることができる。 基板の厚さは、 0. :!〜 1 Ommが一般的であり、 0. 3〜5mmが好ましい。 ガラス板は、 化学 的に、或いは熱的に強化させたものが好ましい。尚、 31 bは透明でなくても良い。 <透明電極〉
上記透明電極 32 aとしては、 I n203や S n02の導電性金属酸化物薄膜を形 成したものや金属等の導電性材料からなる基板が用いられる。 導電性金属酸化物の 好ましい例としては、 I n203 : Sn ( I TO), Sn02 : S b、 Sn02 : F、 ZnO : Al、 ZnO : F、 C d S n 04を挙げることができる。
<光電変換材料用半導体〉 上記透明電極上には、 光電変換材料用半導体である、 分光增感色素を吸着させる 金属酸化物半導体膜が形成される。 本発明の金属酸化物半導体としては、 酸化チタ ン、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸化インジウム、 チタン酸バリウム、 チタン酸ストロンチウム、 硫化カドミウムなどの公知の半導体 の一種または二種以上を用いることができる。 特に、 安定性、 安全性の点から酸化 チタンが好ましい。 酸化チタンとしてはアナタース型酸化チタン、 ルチル型酸化チ タン、 無定形酸化チタン、 メタチタン酸、 オルソチタン酸などの各種の酸化チタン あるいは水酸化チタン、 含水酸ィヒチタンが含まれる。 本発明ではアナタース型酸化 チタンが好ましい。 金属酸化物半導体の膜厚が、 1 0 n m以上であることが一般的 であり、 1 0 0〜: L 0 0 0 n mが好ましい。
第 3発明の金属酸化物半導体膜は、 上記材料に対応する金属及び/又は'金属酸ィ匕 物をターゲットとして用いて、 気相成膜法、 例えば、 物理蒸着法、 真空蒸着法、 ス パッタリング法、 イオンプレーティング法、 C V D法またはプラズマ C V D法前記 のようにスパッタリング法により、 上記のような条件で形成することができる。 本 発明の金属酸化物半導体膜 3 3を形成するための好ましい方法は、 スパッタリング 法を用い、 前記のターゲット投入電力密度及び圧力の条件下に行うことであり、 ス パッタリング法としては、 特に対向 2極ターゲット方式スパッタリング法が好適で あり、 また反応性スパッタリング法も好ましい。
第 3発明の対向 2極ターゲット方式スパッタリング法は、 反応性スパッタリング 法、 即ち酸素ガス等の反応性のガスを導入しながら金属又は金属酸化物をスパッタ リングすることが好ましい。 特にターゲットとして金属チタン、 酸化チタン、 とり わけ導電性酸化チタンを用いて、 酸素ガスを供給しながらスパッタリングを行うこ とが好ましい。
前記のようにして得られた基板上の酸化物半導体膜表面に、 有機色素 (分光增感 色素) を単分子膜として吸着させる。
分光増感色素は、可視光領域おょぴノまたは赤外光領域に吸収を持つものであり、 本発明では、 種々の金属錯体ゃ有機色素の一種または二種以上を用いることができ る。 分光増感色素の分子中にカルボキシル基、 ヒドロキシアルキル基、 ヒドロキシ ル基、 スルホン基、 カルボキシアルキル基の官能基を有するものが半導体への吸着 が早いため、 本発明では好ましい。 また、 分光増感の効果や耐久性に優れているた め、 金属錯体が好ましい。 金属錯体としては、 銅フタロシアニン、 チタニルフタ口 シァニンなどの金属フタロシアニン、 クロロフィル、 へミン、 特開平 1— 2 2 0 3 8 0号公報、 特許出願公表平 5— 5 0 4 0 2 3号公報に記載のルテニウム、 ォスミ ゥム、 鉄、 亜鉛の錯体を用いることができる。 有機色素としては、 メタルフリーフ タロシアニン、 シァニン系色素、 メロシアユン系色素、 キサンテン系色素、 トリフ ェニルメタン色素を用いることができる。 シァニン系色素としては、 具体的には、 N K 1 1 9 4、 NK 3 4 2 2 (いずれも日本感光色素研究所 (株) 製) が挙げられ る。 メロシアニン系色素としては、 具体的には、 NK 2 4 2 6、 N K 2 5 0 1 (い ずれも日本感光色素研究所 (株) 製) が挙げられる。 キサンテン系色素としては、 具体的には、 ゥラニン、 ェォシン、 ローズベンガル、 ローダミン B、 ジブロムフノレ ォレセインが挙げられる。 トリフエニルメタン色素としては、 具体的には、 マラカ ィ卜グリーン、 クリスタルバイオレツトが挙げられる。
上記の中では、 ルテニウム錯体 (例えばルテニウム 'フエナント口リン、 ルテニ ゥム ·ジケトナート) 及ぴ 又はクマリン誘導体を使用すると、 一般にエネルギー 変換効率が高く、 この色素を用い、 本発明の反射防止膜又は反射防止フィルムを用 いることにより、 一層太陽エネルギーを有効に利用することができる。 さらに反射 防止膜又は反射防止フィルムとして、 ルテニウム錯体及び/又はクマリン誘導体の 光の吸収特性に合わせて設計されたものを用いることによりさらに一層太陽エネル ギーを有効に利用することができる。このような反射防止膜(フィルム)としては、 ルテニウム錯体用として、 3 0 0〜6 0 0 n mの波長範囲において光の反射率を 1 0 %以下 (特に 5 %以下) で有ることが好ましく、 さらにこの範囲での極小値を有 するものが好ましい。 クマリン誘導体色素用としては、 反射防止膜が、 4 0 0〜6 0 0 n mの波長範囲において光の反射率が 1 0 %以下であるものが好ましい。 これ らの両方の色素に好適な反射防止フィルムとしては、 例えば、 P E Tフィルム (厚 さ 1 0 0 μ πι) 上に、 紫外線吸収剤を含有した紫外線カツト層、 T i 02層 (厚さ 2 0 n m)、 S i 02層 (厚さ 2 5 n m)、 T i 0 2層 (厚さ 9 0 n m) 及ぴ S i 0 2 層 (厚さ 8 0 n m) が設けられたものが好ましレ、。 従って、 反射防止膜としては、 上の 4層からなるものである。 上記有機色素 (分光増感色素) を導電体膜に吸着させるこのためには、 有機色素 を有機溶媒に溶解させて形成した有機色素溶液中に、 常温又は加熱下に酸ィヒ物半導 体膜を基板ととも浸漬すればよい。 前記の溶液の溶媒としては、 使用する分光增感 色素を溶解するものであればよく、 具体的には、 水、 アルコール、 トルエン、 ジメ チルホルムアミドを用いることができる。
このようにして、 第 3発明の有機色素増感型金属酸化物半導体電極 (光電変換材 料用半導体) を得る。
このようにして得られた基板上に、 透明電極及び有機色素吸着金属酸化物半導体 が形成された有機色素增感型金属酸化物半導体電極を用いて、太陽電池を作製する。 すなわち、一方の側に上記反射増資膜を有し、他方の側に透明電極(透明性導電膜) をコートしたガラス板などの基板の透明電極上に光電変換材料用半導体膜を形成し て電極とし、 次に対電極として別の透明性導電膜をコートしたガラス板などの基板 を封止剤により接合させ、 これらの電極間に電解質を封入して太陽電池とすること ができる。
第 3発明の半導体膜に吸着した分光増感色素に太陽光を照射すると、 分光増感色 素は可視領域の光を吸収して励起する。 この励起によって発生する電子は半導体に 移動し、 次いで、 透明導電性ガラス電極を通って対電極に移動する。 対電極に移動 した電子は、 電解質中の酸化還元系を還元する。 一方、 半導体に電子を移動させた 分光増感色素は、 酸化体の状態になっているが、 この酸化体は電解質中の酸化還元 系によって還元され、 元の状態に戻る。 このようにして、 電子が流れ、 本努明の光 電変換材料用半導体を用いた太陽電池を構成することができる。
上記電解質(レドックス電解質) としては、 I "/ I 3 系や、 B r -/B r 3 系、 キノン/ハイドロキノン系等が挙げられる。 このようなレドックス電解質は、 従来 公知の方法によって得ることができ、 例えば、 I Z I 3_系の電解質は、 ヨウ素の アンモニゥム塩とヨウ素を混合することによって得ることができる。 電解質は、 液 体電解質又はこれを高分子物質中に含有させた固体高分子電解質であることができ る。 液体電解質において、 その溶媒としては、 電気化学的に不活性なものが用いら れ、 例えば、 ァセトニトリル、 炭酸プロピレン、 エチレンカーボネート等が用いら れる。 対極としては、 導電性を有するものであればよく、 任意の導電性材料が用い られるが、 I 3一イオン等の酸化型のレドックスイオンの還元反応を充分な速さで行 わせる触媒能を持ったものの使用が好ましレ、。このようなものとしては、白金電極、 導電材料表面に白金めつきや白金蒸着を施したもの、 ロジウム金属、 ルテニウム金 属、 酸化ルテニウム、 カーボン等が挙げられる。
第 3発明の太陽電池は、 前記酸化物半導体電極、 電解質及び対極をケース内に収 納して封止するが、 それら全体を樹脂封止しても良い。 この場合、 その酸化物半導 体電極には光があたる構造とする。 このような構造の電池は、 その酸化物半導体電 極に太陽光又は太陽光と同等な可視光をあてると、 酸化物半導体電極とその対極と の間に電位差が生じ、 両極間に電流が流れるようになる。
〈第 3発明の実施例〉
実施例 3— 1
(1) 反射防止フィルムの作製
PETフィルム (厚さ Ι Ο Ομπι) 上に、 紫外線吸収剤として 2—ヒ ドロキシべ ンゾフヱノンを 2質量部を添加したアタリル系紫外線硬化樹脂液 ( Ζ 7501、 J SR (株) 製) を塗布し、 紫外線照射して、 紫外線カット層 (厚さ 5μπι) を形成 した。
上記紫外線カツト層上に、 T i 02層 (厚さ 20 nm)、 S i 02層 (厚さ 25 η m)、 T i 02層 (厚さ 90 nm) 及び S i 02層 (厚さ 80 nm) を、 スパッタリ ングにより順に積層した。 これにより反射防止フィルムを得た。
(2) 透明電極の作製及び反射防止フィルムの設置
スパッタリング装置を用いて、 透明電極膜を作製した。 .
5 X 5 cmのガラス基板 (厚さ : 2 mm) 上に、 100 mm φ の I TO (ィンジ ゥムースズ酸化物)のセラミックターゲットを用い、アルゴンガスを 10 c cZ分、 酸素ガスを 1. 5 c c/分で供給しながら、 装置内の圧力を 5ミリ トール (mTorr) に設定し、 供給電力 500Wの条件で 5分間スパッタリングを行い、 厚さ 3000 Aの I T O膜を形成した。 表面抵抗は 10 Ωノロであった。
上記ガラス基板の透明電極の設けられていない側に、 前記反射防止フィルムの薄 膜の設けられていない側を、 エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム (25 jum) を 介して積層し、 1 50でで 30分間押圧した。 (3) 金属酸化物半導体膜の作製
対向ターゲット方式スパッタリング装置を用いて、 上記の I TO透明電極ガラス 板上に、 直径 10 Ommの金属チタンターゲットを 2枚配置し、 酸素ガスを 5 c c ノ分、 アルゴンガスを 5 c c/分で供給した後、 装置内の圧力を 5ミリ トール(0. 7 P a) に設定し、 供給電力 3 kW (電力密度 19WZcm2) の条件で 32分間 スパッタリングを行い、 厚さ 300 OAの酸化チタン膜を形成した。
得られた半導体膜の空隙率を測定した。
空隙率の測定方法:
下記の重量をそれぞれ測定し、 下記式より求めた (測定は J I S Z 8807に準 じて行った) :
wl :水を充分に含ませた試料質量 (g)
w2 :試料の絶乾質量 (g)
w3 :試料の浮力 (g)
空隙率 = (w 1 -w 2) /w3 X 100
上記測定により、 上記半導体膜の空隙率は 1 7%であった。
(4) 分光増感色素の吸着
シスージ (チオシアナト) 一ビス (2, 2 ' —ビピリジ Λ^— 4—ジカ^^ボキシレ ート一 4, ーテトラブチノレアンモニゥムカルボキシレート) ルテニウム (II) で表 される分光増感色素をエタノール液に溶解した。 この分光増感色素の濃度は 3 X 1 0一4モル /1であった。 次に、 このエタノールの液体に、 膜状の酸化チタンを形成 した前記の基板を入れ、 室温で 18時間浸漬して、 本発明の金属酸化物半導体電極 を得た。 この試料の分光増感色素の吸着量は、 酸化チタン膜の比表面積 1 cm2あ たり 10 / gであった。
(5) 太陽電池の作製
前記の金属酸化物半導体電極を一方の電極として備え、 対電極として、 フッ素を ドープした酸化スズをコートし、 さらにその上に白金を担持した透明導電性ガラス 板を用いた。 2つの電極の間に電解質を入れ、 この側面を樹脂で封入した後、 リー ド線を取付けて、 本発明の太陽電池を作製した。 なお、 電解質は、 ァセトニトリル の溶媒に、 ヨウ化リチウム、 1, 2 _ジメチルー 3—プロピルイミダゾリゥムアイ オダイド、 ヨウ素及び t一ブチルピリジンを、 それぞれの濃度が 0. 1モルノ1、 0. 3モル Zl、 0. 05モル/1、 0. 5モルダ1となるように溶解したものを 用いた。 得られた太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 10 OW/m2の強度の 光を照射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 58 Vであり、 J o c (回 路を短絡したとき流れる電流の密度) は 1. 3 OmAZc m2であり、 FF (曲線 因子) は 0. 53であり、 η (変換効率) は 4. 01%であった。 これは太陽電池 として有用であることがわかった。
実施例 3— 2
分光増感色素としてクマリン誘導体系色素を用いた以外、 実施例 3— 1と同様に して太陽電池を作製した。
得られた太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 10 OW/m2の強度の光を照 射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 59 Vであり、 J o e (回路を 短絡したとき流れる電流の密度) は 6. SmA/cm2 であり、 FF (曲線因子) は 0. 53であり、 η (変換効率) は 2. 05 %であり、 太陽電池として有用であ ることがわかった。
比較例 3— 1
反射防止フィルムを設けなかった以外、 実施例 3—1と同様にして太陽電池を作 製した。
得られた太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 10 OW/m2の強度の光を照 射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 62 Vであり、 J o e (回路を 短絡したとき流れる電流の密度) は 1. 0 OmA/ cm2であり、 FF (曲線因子) は 0. 56であり、 η (変換効率) は 3. 50 %であった。 これは前記実施例の太 陽電池に比較して、 光の利用効率が低く、 太陽電池として有用で
あるとは言えない。
更に、 実施例 3— 1、 3— 2及び比較例 3—1で得られた太陽電池のガラス板の 表面を金槌で破壊したところ、 実施例 3— 1、 3— 2の太陽電池のガラス板は飛散 しなかったが、 比較例 3— 1で得られた太陽電池のガラス板は、 破壊により飛散し た。
以上から明らかなように、 第 3発明の有機色素増感型金属酸化物半導体電極を有 する太陽電池は、 有機色素增感太陽電池であって、 反射防止膜の設置により光のェ ネルギの吸収量が大きい。 従って光のエネルギーの利用効率が高く、 太陽電池とし ての十分な性能を備えたものである。 特に、 気相成膜法で得られる低温で簡易に得 られる金属酸化物導電体膜として場合には、 色素吸着量についても増大した有機色 素増感太陽電池となる。
上記のように、 第 3発明の太陽電池は、 光のエネルギーの利用効率が高く、 太陽 電池としての十分な性能を備えたものである。 さらに、 反射防止膜、 特に反射防止 フィルムの存在により、 ガラス板の破壊の際の飛散が防止されており、 安全性にお いても優れた太陽電池と言うことができる。
( 4 ) 第 4発明
第 4発明の金属酸化物半導体電極を有する有機色素増感型太陽電池の実施の形態 を図面を参照して詳細に説明する。
図 7は第 4発明の剥離シートを有する有機色素増感型太陽電池の実施形態の一例 を示す断面図である。
図 7において、 透明有機ポリマー基板 4 1 a、 その表面に透明電極 4 2 aが設け られ、 透明電極表面に、 分光増感色素 4 4が吸着した金属酸化物半導体膜 4 3が形 成され、 その下方に透明電極と対向して対電極 4 6 (例、 P t電極) が設置されて おり、 この対電極 4 6は有機ポリマー基板 4 1 bの上に設けられた透明電極 4 2 b 上に形成されており、 そして金属酸化物半導体膜 4 3と対電極 4 6との間に電解質
(溶液) 4 5が封入されている。さらに、透明有機ポリマー基板 4 1 bの裏面には、 透明な接着剤層 4 7を介して剥離フィルム 4 8が貼付されている。
この太陽電池は、上下の基板を可撓性のある有機ポリマーのフ ルムであるため、 剥離フィルムを除去して、 種々な場所に貼付することができる。 太陽電池に可撓性 があるため、 貼付すべき場所が完全に平面でなくても均一に結合させることができ る。 有機ポリマー基板 4 1 bは、 透明なものでも、 後述する光反射性のものでも、 意匠性を有するものでも良い。 接着剤層 4 7及ぴ剥離フィルム 4 8も無くて も良く、 この場合接着剤を用いて屋根等の基材に接着される。 上記及ぴ以下で共通に使用される各材料は後述する。上記剥離フィルムとしては、 ポリカーボネートフィルム、 PETフィルム等が利用される。 その厚さは、 一般に l〜1000/zm、 10〜500 μηιが好ましい。 接着剤層に使用される樹脂とし ては、 エチレン/酢酸ビュル共重合体、 粘着性アクリル樹脂 (例、 プチルァクリレ ート重合体) を挙げることができる。 これらの樹脂は加熱等により架橋されても良 い。 その厚さは、 一般に 1〜: L 000 μιη、 10〜500 μπιが好ましレヽ。
図 8は第 4発明の有機色素增感型太陽電池を有する屋根材の実施形態の一例を示 す断面図である。
図 8において、 透明有機ポリマー基板 41 a、 その表面に透明電極 42 aが設け られ、 透明電極表面に分光增感色素 44を吸着させた金属酸化物半導体膜 43が形 成され、 その下方に透明電極と対向して対電極 46 (例、 P t電極) が設置されて おり、 この対電極 46は 光反射性透明有機ポリマー基板 40 Aの上に設けられた 透明電極 42 b上に形成されており、 そして金属酸化物半導体膜 43と対電極 46 との間に電解質 (溶液) 45が封入されている。 さらに、 光反射性有機ポリマー基 板 4 OAの裏面には、 透明な接着剤層 47が形成され、 これにより屋根材 40Yに 太陽電池が貼付されている。
この太陽電池は、 上下の基板を可撓性のある有機ポリマーのフィルムであり、 屋 根材に予め接合されたものである。 従って、 通常の屋根材として使用することがで き、 且つ太陽電池の機能も併せ持つものである。 即ち、 屋根の設置と共に自動的に 太陽電池の設置も行うことができるとの優位性を有する。この屋根材は、他の建材、 例えばガラス窓、 壁材であっても良い。 光反射性有機ポリマー基板 4 OAは、 一般 に表面に反射層を有するものであり、 これより金属酸化物電極で吸収されなかった 太陽光が反射され、 再度その反射光がこの電極に吸収されることになる。 従って、 意匠性と共に光エネルギーの有効利用が可能なものである。
光反射性有機ポリマー基板 4 OAは、 一般に後述する有機ポリマーフィルムにァ ルミ-ゥム、 銀等を用いて蒸着、 スパッタリング等を行うことにより反射層を形成 し、 その上に透明電極を形成されたものである。 反射層の厚さは、 一般に 1 Onm 〜50 μπι、 10 nm〜 10 /imが好ましい。 このような反射層が通電は可能な場 合は、 反射層が透明電極の機能を兼ねることができる。 また、 接着剤層は、 前記のものを使用することができる。 光反射性有機ポリマー 基板 4 O Aの代わりに、 反射性のない通常の有機ポリマー基板を用いても良い。 図 9は第 4発明の有機色素増感型太陽電池を有する壁材の実施形態の一例を示す 断面図である。
図 9において、 透明有機ポリマー基板 4 1 a、 その表面に透明電極 4 2 aが設け られ、 透明電極表面に分光增感色素 4 4を吸着させた金属酸化物半導体膜 4 3が形 成され、 その下方に透明電極と対向して対電極 4 6 (例、 P t電極) が設置されて おり、 この対電極 4 6は 意匠性透明有機ポリマー基板 4 0 Bの上に設けられた透 明電極 4 2 b上に形成されており、 そして金属酸化物半導体膜 4 3と対電極 4 6と の間に電解質 (溶液) 4 5が封入されている。 さらに、 意匠性有機ポリマー基板 4 0 Bの裏面には、 透明な接着剤層 4 7が形成され、 これにより壁材 4 0 Kに太陽電 池が貼付されて
いる。
この太陽電池は、 上下の基板を可撓性のある有機ポリマーのフィルムであり、 壁 材に予め接合されたものである。 従って、 通常の壁材として使用することができ、 · 且つ太陽電池の機能も併せ持つものである。 即ち、 壁材の設置と共に自動的に太陽 電池の設置も行うことができるとの優位性を有する。 この壁材は、 他の建材、 例え ばガラス窓、屋根材等どのようなものでも良レ、。意匠性有機ポリマー基板 4 0 Bは、 着色されていたり、 模様、 文字等が施されていたりしており、 意匠性或いは装飾性 のあるものである。
意匠性有機ポリマー基板 4 0 Bが着色された基板の場合、 一般に後述する有機ポ リマー基板 (フィルム) に着色剤 (顔料、 染料) を含有させたもので、 例えばポリ マー材料と着色剤を溶融混練し、 成膜することにより得られる。 模様を付ける場合 は、 基板上に印刷等により、 あるいは模様を有するフィルムを貼付することにより 行うことができる。 接着剤層は、 前記のものを使用することができる。 模様として は、 木目調、 煉瓦模様等を挙げることができる。
前述の第 4発明の金属酸化物半導体電極及びこれを有する有機色素增感型太陽電 池は、 基板上の透明電極に設けられる金属酸化物半導体膜 4 3は、 図 7〜9から明 らかなように、 大小様々な球状粒子が接合した形状を有し、 表面に大きな凹凸と、 内部に多数の空隙を有するものである。 本発明の金属酸化物半導体膜は、 気相成膜 法により形成することが好ましい。
第 4発明の金属酸化物半導体膜 4 3については、 第 3発明の <金属酸化物半導体 膜 >と同様の説明が適用される。
上記透明有機ポリマー基板 4 1 a, 4 1 , 4 O A, 4 0 Bとしては、 可視光線 の透過性を確保できる、透明な種々の有機ポリマー基板等を使用することができる。 基板の厚さは、 2 5 μ πι〜1 O mmが一般的であり、 0 . 1〜1 O mmが好ましい。 有機ポリマーの例としては、 ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、 ポリ メチルメタタリレート等のアクリル樹脂、 ポリカーボネート、 P T F E (ポリテト ラフルォロエチレン)及び E T F E (エチレン/テトラフルォロエチレン共重合体) 等のフッ素樹脂等を挙げることができる。
また透明でない有機ポリマー基板も、上記と同様な材料が使用され、さらに着色、 模様の付与がなされたものである。
第 4発明の透明電極 4 2 a, 4 2 bについては、 第 3発明の <透明電極 >と同様 の説明が適用される。
第 4発明の透明電極 4 2 a上の光電変換材料用半導体である、 分光增感色素を吸 着させるための金属酸化物半導体膜としては、 第 3発明の <光電変換材料用半導体 >と同様の説明が適用される。
第 4発明の金属酸化物半導体膜の形成方法についても、 第 3発明のそれと同様の 説明が適用される。
また、 基板上の酸化物半導体膜表面に、 単分子膜として吸着させる有機色素 (分 光増感色素) 及びその吸着方法についても、 第 3発明と同様の説明が適用される。 第 4発明においても、 第 3発明と同様に、 基板上に透明電極及び有機色素吸着金 属酸化物半導体が形成された有機色素增感型金属酸化物半導体電極を用いて、 太陽 電池を作製する。 例えば、 透明電極 (透明性導電膜) をコートした透明有機ポリマ 一基板上に光電変換材料用半導体膜を形成して電極とし、 次に、 対電極として別の 透明性導電膜をコートした有機ポリマー基板 (一般に透明電極を有する基板のその 電極上にコートされる) を封止剤により接合させ、 これらの電極間に電解質を封入 して太陽電池とすることができる。 . 第 4発明の半導体膜に吸着した分光增感色素に太陽光を照射すると、 分光増感色 素は可視領域の光を吸収して励起する。 この励起によつて発生する電子は半導体に 移動し、 次いで、 透明導電性電極を通って対電極に移動する。 対電極に移動した電 子は、 電解質中の酸化還元系を還元する。 一方、 半導体に電子を移動させた分光增 感色素は、 酸化体の状態になっているが、 この酸化体は電解質中の酸化還元系によ つて還元され、 元の状態に戻る。 このようにして、 電子が流れ、 本発明の光電変換 材料用半導体を用いた太陽電池を構成することができる。
上記電解質 (レドックス電解質) としても、 第 3発明のそれと同様の説明が適用 される。
第 4発明の太陽電池も第 3発明と同様に、 前記酸化物半導体電極、 電解質及び対 電極をケース内に収納して封止するが、 それら全体を樹脂封止しても良い。 この場 合、 その酸化物半導体電極には光があたる構造とする。 このような構造の電池は、 その酸化物半導体電極に太陽光又は太陽光と同等な可視光をあてると、 酸化物半導 体電極とその対極との間に電位差が生じ、 両極間に電流が流れるようになる。
〈第 4発明の実施例〉
実施例 4一 1
(1) 透明電極付き透明有機ポリマー基板の作製
スパッタリング装置を用いて、透明有機ポリマー基板上に透明電極膜を形成した。 5 X 5 c mのポリエチレンテレフタレート基板 (厚さ : 188 / m) 上に、 10 Οπχπιφ の I TO (インジウムースズ酸化物) のセラミックターゲットを用い、 ァ ルゴンガスを 10 c c/分、 酸素ガスを 1. 5 c c/分で供給しながら、 装置内の 圧力を 5ミリ トール (mTorr)に設定し、供給電力 500 Wの条件で 5分間スパッタリ ングを行い、 厚さ 300 OAの I TO膜を形成した。 表面抵抗は 10 ΩΖ口であつ た。
(2) 金属酸化物半導体膜の作製
対向ターゲット方式スパッタリング装置を用いて、 上記の I TO透明電極ガラス 上に、 直径 10 Ommの金属チタンターゲットを 2枚配置し、 酸素ガスを 5 c cZ 分、アルゴンガスを 5 c cZ分で供給した後、装置内の圧力を 5ミリ トール(0. 7 P a) に設定し、 供給電力 3 kW (電力密度 19W/cm2) の条件で 32分間ス パッタリングを行い、 厚さ 300 OAの酸化チタン膜を形成した。
得られた半導体膜の空隙率を測定した。
空隙率の測定方法:
下記の重量をそれぞれ測定し、 下記式より求めた (測定は J I S Z 8807に準 じて行った) :
wl :水を充分に含ませた試料質量 (g)
w 2 :試料の絶乾質量 ( g )
w 3 :試料の浮力 ( g )
空隙率 = (w 1 -w 2) /w 3 X 100
上記測定により、 上記半導体膜の空隙率は 1 7%であった。
(3) 分光增感色素の吸着
シス一ジ (チオシアナト) —ビス (2, 2 ' 一ビビリジルー 4ージカルボキシレ ート一 4, ーテトラブチルアンモニゥムカルボキシレート) ルテニウム (II) で表 される分光增感色素をエタノール液に溶解した。 この分光増感色素の濃度は 3 X 1 0— 4モル /1であった。 次に、 このエタノールの液体に、 膜状の酸化チタンを形成 した前記の基板を入れ、 室温で 18時間浸漬して、 本発明の金属酸化物半導体電極 を得た。 この試料め分光增感色素の吸着量は、 酸化チタン膜の比表面積 1 cm 2あ たり 10 gであった。
(4) 対電極付き透明有機ポリマー基板への接着剤層、 剥離フィルムの設置対電極 として、 ポリエチレンテレフタレート基板 (厚さ : 188 μηι) 上にフッ素をドー プした酸化スズをコートし、 さらにその上に白金を担持した透明導電性有機ポリマ 一基板を用いた。
透明導電性有機ポリマー基板の裏面に、接着剤層(エチレン酢酸ビニル共重合体) を介して、 剥離シート (厚さ 75 μπι;商品名 No. 23、 藤森工業 (株) 製) を 80°Cで押圧して、 貼付した。
(5) 太陽電池の作製
得られた 2つの電極の間に電解質を入れ、 この側面を樹脂で封入した後、 リード 線を取付けて、 本発明の太陽電池を作製した。 なお、 電解質は、 ァセトニトリルの :、 ヨウ化リチウム、 1, 2—ジメチル一 3—プロピルイミダゾリゥムアイォ ダイド、 ョゥ素及ぴ t一プチルビリジンを、それぞれの濃度が 0. 1モル/ 1、 0. 3モル /1、 0. 05モル 1、 0. 5モル Z 1となるように溶解したものを用い た。
得られた太陽電池に、 ソーラーシュミレーターで 1 0 OW/m2の強度の光を照 射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 58 Vであり、 J o e (回路を 短絡したとき流れる電流の密度) は 1. 3 OmAZcm2であり、 FF (曲線因子) は 0. 53であり、 η (変換効率) は 4. 01%であった。 これは太陽電池として 有用であることがわかった。
実施例 4一 2
(4) 対電極付き透明有機ポリマー基板への接着剤層、 剥離フィルムの設置を下記 のように行った以外、 実施例 4— 1と同様にして太陽電池を作製した。
(4) 対電極付き透明有機ポリマー基板への接着剤層、 剥離フィルムの設置スパッ タリング装置を用いて、 透明電極膜を作製した。
5 X 5 c mのポリエチレンテレフタレート基板 (厚さ : 188 m) の表面にァ ルミ二ゥムを蒸着してアルミニウムの反射層 (厚さ 300 nm) を形成した。
この反射層は電極を兼ねるものである。
上記透明導電性有機ポリマー基板の裏面に、 実施例 4一 1と同様にして接着剤層 及び剥離シートを設置した。
実施例 4_ 1と同じ測定により得られた、 空隙率は 1 9%であった。
得られた反射層付き太陽電池を屋根材の表面にロールにより貼付し、 太陽電池付 き屋根材を得た。
得られた屋根材に、 ソーラーシユミレーターで 10 OWZm2の強度の光を照射 したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 59 Vであり、 J o e (回路を短 絡したとき流れる電流の密度) は 1. 31mA/cm2 であり、 FF (曲線因子) は 0. 53であり、 η (変換効率) は 4. 1 2 %であり、 太陽電池として有用であ ることがわかった。
この太陽電池を屋外に 1ヶ月曝した後、 上記特性の低下はほとんど見られなかつ た。 ·
実施例 4一 3 ( 4 ) 対電極付き透明有機ポリマー基板への接着剤層、 剥離フィルムの設置を下記 のように行つた以外、 実施例 4一 1と同様にして太陽電池を作製した。
( 4 ) 対電極付き透明有機ポリマー基板への接着剤層、 剥離フィルムの設置表面に 印刷により木目調の模様を形成した 5 X 5 c mのポリエチレンテレフタレート基板 (厚さ : 2 mm) の表面にフッ素をドープした酸化スズをコートし、 さらにその上 に白金を担持した透明導電性有機ポリマー基板を用いた。
上記透明導電性有機ポリマー基板の裏面に、 実施例 4一 1と同様にして接着剤層 及び剥離シートを設置した。
上記太陽電池を、 剥離シートを除去して、 ガラス板の表面に貼付し、 太陽電池付 きガラス板を得た。
実施例 4一 1と同じ測定により得られた、 空隙率は 1 9 %であった。
この太陽電池を屋外に 1ヶ月曝した後、 木目調の模様を観察したが、 退色現象は ほとんど見られなかった。
以上から明らかなように、 第 4発明の有機色素増感型太陽電池は、 基板として可 橈性のある有機ポリマーフィルムを使用しており、 これによりどのような材料の表 面にでも貼付、 或いは設置することができる。 また本発明の有機色素增感型太陽電 池は、 柔軟性があって且つ意匠性、 装飾性 (着色、 模様、 高反射) のある貼付可能 な装飾性が備えられた太陽電池であるので、 装飾性の必要なところにも設置するこ とができる。 さらにまた本発明のこのような太陽電池が貼付等により設置された屋 根材、 壁材等の建材は、 建材として利用することにより、 太陽電池としての機能も 得ることができるとの優位性を有する。
( 5 ) 第 5発明の金属酸化物半導体膜の形成方法の実施の形態を図面を参照して 説明する。
図 1 0に第 5発明の金属酸化物半導体膜形成方法を説明するための概略図を示す。 基板 5 1上に設けられた透明電極 5 2上に、 金属酸化物微粒子がバインダ (一般に 有機パインダ) に分散されてなる塗布液を塗布し、 乾燥して金属酸化物微粒子 5 3 とパインダ 5 4から主として構成される塗布膜 5 5を形成する。 次いでこの塗布膜 を紫外線照射してバインダ 5 4を除去することにより表面積の大きな金属酸化物半 導体膜 5 6を形成チる。
塗布膜のパインダ 5 4 (ポリマー、 界面活性剤等の有機物) は、 紫外線の照射に より、 低分子物質 (有機酸、 二酸化炭素等) まで分解され、 除去される。 このよう に低分子物質まで分解するには、 紫外線としては短波長の紫外線が好ましく、 一般 に 1〜 4 0 0 n m、 好ましくは l〜3 O 0 n m、 特に好ましくは l〜2 0 0 n mの 範囲の光を用いて行われる。 これにより低温下でのバインダ除去が高速で行うこと ができる。
上記パインダ (有機物) の分解のメカニズムとしては、
(1)バインダに紫外線が照射されると、パインダがその紫外線を吸収して、直接バ インダを構成する分子の結合が切断される、
(2)紫外線のエネルギーにより雰囲気ガスが分解されてラジカルが発生し、このラ ジカルによりバインダが分解される (この場合 0、 F、 C 1等を含むガスが有効)、
(3)金属酸化物半導体 (T i〇2等) が紫外線を吸収して励起し、 バインダを分角早 する (即ち、 光触媒による酸化分解反応)
を挙げることができる。
例えば、上記(2)の例として、 1 8 5 n m等の短波長の光を照射すると、非常に酸 化力の強いラジカル (例えば、 Ο Η · ) が発生し、 これによりパインダが分解され る。 この際、 酸化力の強いラジカルを発生させるために、 一般に酸素、 フッ素原子 含有化合物 (C F 4等) 及び塩素原子含有化合物等の反応ガスの存在下に行われ、 これらから発生したラジカルがパインダ等と反応し、分解する。このような反応は、 比較的低温で行われるので、 透明電極、 基板等として、 その材料が耐熱性に優れて いないものでも用いることができる (例えば、 基板としてプラスチック基板、 電極 として I T O等)。また光のエネルギー変換効率の観点から上記金属酸化物として酸 化チタン、 特にアナタース型酸化チタンを使用することが好ましい。
また、 使用されるバインダとしては、 紫外線照射により分解されやすいものが好 ましい。 一般にカルボ二ル基、 ヒドロペルォキシド基等を含むもの或いは発生しや すいものが好ましい。 好ましいバインダの例は後述する。
上記紫外線照射に使用される紫外線ランプとしては、一般に水銀灯が使用される。 気体或いは蒸気中で、 2つの電極間に電流を流すと種々の波長の光の放射が起こる。 この放射光の強度と波長は、 気体の種類、 圧力、 電流量、 管の直径等に依存する。 気体或いは蒸気として水銀を用いたのが、 水銀灯であり、 高圧、 中圧、 低圧が知ら れている。 バインダを高速分解するためには、 高圧水銀灯が適当である。 短波長紫 外線を発生させるには、 低圧水銀灯、 X eエキシマランプが好ましい。 紫外線照射 は、 例えば高圧水銀灯を用いた場合、 一般に 1秒〜 6 0分間、 好ましくは 1 5秒〜 3 0分、 特に好ましくは 1 0〜 2 0分塗布膜上に行われる。
照射距離は一般に 1〜 1 0 0 c m、 好ましくは 1〜 2 0 c m、 特に好ましくは 1〜 1 0 c mである。
基板 5 1上に設けられた、 金属酸化物微粒子 5 3とバインダ 5 4から主として構 成される塗布膜 5 5上に、紫外線ランプで紫外線が照射されるが、上述したように、 これらの塗布膜とランプとの間に前記の反応性ガスを介在させて紫外線照射するこ とが、 バインダの分解を促進する上で好ましい。
バインダ (ポリマー) の種類と、 反応性ガス等の好ましい組み合わせとしては、 バインダとしてポリエステル系樹脂、 そしてオゾン、 C 1 2、 C F 4等の雰囲気で高 圧水銀灯を用いて、 パインダを分解させる方法を挙げることができる。
上記のようにして第 5発明の金属酸化物半導体膜付き透明電極基板が得られる。 上記金属酸化物半導体膜付き透明電極基板を用いた本発明の金属酸化物半導体電 極及びこれを有する有機色素増感型太陽電池の実施の形態を、 図面を参照しながら 説明する。
図 1 1は第 5発明の有機色素増感太陽電池の実施形態の一例を示す断面図である。 図 1 1において、 基板 5 1、 その上に透明電極 5 2が設けられ、 透明電極上の金 属酸化物半導体膜に分光增感色素を吸着させた色素吸着金属酸化物半導体膜 6 3が 形成され、 その上方に透明電極と対向して対電極 6 4が設置されており、 そして側 部が封止剤 6 5により封止され、 さらに金属酸化物半導体膜 6 3と対電極 6 4との 間に電解質 (溶液) 6 6が封入されている。 なお、 本発明の金属酸化物半導体電極 は、 上記基板 5 1、 その上に透明電極 5 2及ぴ、 透明電極上に分光增感色素を吸着 させた金属酸化物半導体膜 6 3から基本的に構成される。
第 5発明の金属酸化物半導体電極及びこれを有する有機色素増感型太陽電池は、 基板上の透明電極に設けられる金属酸化物半導体膜 5 3、 6 3は、 図 1 0及ぴ図 1 1から明らかなように、 大小様々な球状粒子が接合した形状を有し、 表面に大きな 凹凸と、 内部に多数の空隙を有するものである。 すなわち、 第 5発明の金属酸化物 半導体膜は、 上記のようにバインダを含む塗布膜を、 紫外線照射処理によりパイン ダを除去しているので、 除去された部分に無数の空洞が形成され、 その空隙率は高 い。 その空隙率は 3 0 %以上、 特に 3 5 %以上であることが好ましい、 空隙率の上 限も有機色素の吸着量が多くなるのであれば 1 0 0 %近くであっても良いが、 膜と しての形状を保持する観点から 9 5 %程度が好ましい。
このように、 第 5発明の金属酸化物半導体膜 5 3は、 表面の表面積が大きく、 且 つ内部の空洞の表面積も大きく、 このため有機色素が吸着する面積が大きい。 さら には、 このような構造 (形状) のため、 有機色素の表面及び内部への侵入が容易で あり、 短時間に色素吸着を完遂することができる。 また、 表面及び内部共に大きな 表面積を有しているため、 有機色素吸着量が増大しており、 光のエネルギー変換効 率が向上している。
このような構造を有する金属酸化物半導体膜 5 3は、上記のように、塗布、乾燥、 紫外線照射処理により得られる。
まず基板 (好ましくはプラスチック基板) 上に設けられた透明電極上に、 金属酸 化物微粒子がバインダに分散されてなる塗布液が塗布される。
上記金属酸化物 (金属酸化物半導体) としては、 酸化チタン、 酸化亜鉛、 酸化タ ングステン、 酸化アンチモン、 酸化ニオブ、 酸化インジウム、 チタン酸バリウム、 チタン酸ストロンチウム、 硫化力ドミゥムなどの公知の半導体の一種または二種以 上を用いることができる。 特に、 安定性、 安全性の点から酸化チタンが好ましい。 酸化チタンとしてはアナタース型酸ィ匕チタン、 ルチル型酸化チタン、 無定形酸化チ タン、 メタチタン酸、 オルソチタン酸などの各種の酸化チタンあるいは水酸化チタ ン、 含水酸化チタンが含まれる。 本発明ではアナタース型酸化チタンが好ましい。 金属酸化物は微粒子状であり、 その一次粒子径は 0 . 0 0 1〜5 μ πι、'さらに 0 . 0 0 1〜0 . 5 111、 特に0 . 0 0 1〜0 . 0 5 μ mの範囲が好ましい。
上記バインダとしては、 微粒子を分散させるのに使用することができ、 紫外線照 射により分解されやすいものであれば良く、 一般にポリマーが使用される。 ポリマ 一の例としては、 ポリアルキレングリコール (例、 ポリエチレングリコール)、 ァク リル樹脂、 ポリエステル、 ポリウレタン、 エポキシ樹脂、 シリコン樹脂、 フッ素樹 脂、 ポリ酢酸ビニル、 ポリビエルアルコール、 ポリアセタール、 ポリプチラーノレ、 石油樹脂、 ポリスチレン、 繊維素系樹脂等を挙げることができる。
アタリル樹脂としては、 例えば、 アルキルァクリレート (例、 メチルァクリ レー ト、 ェチルァクリ レート、 プチルァクリ レート) 及ぴ z又はアルキルメタクリ レー ト (例、 メチノレメタクリ レート、 ェチノレメタタリレート、 ブチルメタクリ レート) から得られる単独重合体又は共重合体を挙げることができる。 またこれらのモノマ 一と、 他の共重合可能なモノマーとの共重合体も挙げることができる。 特に、 光硬 化時の反応性や硬化後の耐久性、 透明性の点からポリメチルメタクリレート (P M MA) が好ましい。
バインダとして界面活性剤を用いることもできる。 例えば、 ポリエチレングリコ ール、 ポリプロピレングリコール等の非イオン界面活性剤、 或いは陰イオン界面活 性剤、 陽イオン界面活性剤を挙げることができる。 前記ポリマーと界面活性剤を組 み合わせて使用することもできる。
好ましいパインダとしては、 ポリアルキレンダリコール (例、 ポリエチレングリ コール)、 ポリエステル、 アクリル樹脂、 ポリアセタール、 ポリブチラール、 石油樹 脂、 ポリスチレン、 繊維素系樹脂を挙げることができる。
基板にガラス板を用いる場合は、 良好な密着性を得るためにテトラアルコキシシ ラン及び/又はトリアルコキシシランの縮合物を使用しても良い。
金属酸化物半導体膜の膜厚は、 0 . 0 1 μ ΐη以上が一般的であり、 0 . 1〜1 0 0 /X m、 特に 1〜: L 0 μ mが好ましい。
上記基板 5 1としては、 透明な基板であればよく、 一般にガラス板、 通常珪酸塩 ガラス、 或いはプラスチック基板である。 種々のプラスチック基板を、 可視光線の 透過性を確保できる限り使用することができる。 基板の厚さは、 0 . l〜1 0 mm が一般的であり、 0 . 3〜 5 mmが好ましい。 ガラス板は、 化学的に、 或いは熱的 に強化させたものが好ましい。
上記プラスチック基板の材料としては、 ガラス転移温度が 5 0 °C以上の透明の有 機樹脂が好ましく、 このような支持体としては、 ポリエチレンテレフタレート、 ポ リシクロへキシレンテレフタレート、 ポリエチレンナフタレート等のポリエステノレ 系樹脂、 ナイロン 46、 変性ナイロン 6 T、 ナイロン MXD6、 ポリフタルアミド 等のポリアミ ド系樹脂、 ポリフヱニレンスルフイド、 ポリチォエーテルサルフォン 等のケトン系樹脂、 ポリサルフォン、 ポリエーテルサルフォン等のサルフォン系樹 脂の他に、 ポリエーテル二トリル、 ポリアリレート、 ポリエーテルイミ ド、 ポリア ミ ドィミ ド、 ポリカーボネート、 ポリメチルメタクリレート、 トリァセチルセル口 ース、 ポリスチレン、 ポリビニルクロライド等の有機樹脂を主成分とする透明樹脂 基板を用いることができる。 これら中で、 ポリカーボネート、 ポリメチルメタァク リレート、 ポリビュルクロライド、 ポリスチレン、 ポリエチレンテレフタレートが 透明性、 複屈折の点で優れており、 好適に用いることができる。
上記透明電極 52としては、 I n2O3や S n02の導電性金属酸化物薄膜を形成 したものや金属等の導電性材料からなる基板が用いられる。 導電性金属酸化物の好 ましい例としては、 I n203 : Sn (I TO)、 S η 02: S b (ATO)、 S n 02: F (FTO)、 Z nO: A 1 (AZO)、 Z nO : F、 C d S n O 4を挙げることが できる。
前記のようにして得られた基板上の酸化物半導体膜表面に、 有機色素 (分光增感 色素) を単分子膜として吸着させる。
基板上の酸化物半導体膜表面に、 単分子膜として吸着させる有機色素 (分光増感 色素) 及びその吸着方法については、 第 3発明と同様の説明が適用される。
このようにして、 第 5発明の有機色素増感型金属酸化物半導体電極 (光電変換材 料用半導体) を得る。
このようにして得られた基板上に、 透明電極及び有機色素吸着金属酸化物半導体 が形成された有機色素增感型金属酸化物半導体電極を用いて、太陽電池を作製する。 すなわち、 透明電極 (透明性導電膜) をコートしたガラス板又はプラスチック基板 の基板上に光電変換材料用金属酸化物半導体膜を形成して電極とし、 次に、 対電極 として別の透明性導電膜をコートしたガラス板などの基板を封止剤により接合させ、 これらの電極間に電解質を封入して太陽電池とすることができる。
第 5発明の半導体膜に吸着した分光増感色素に太陽光を照射すると、 分光增感色 素は可視領域の光を吸収して励起する。 この励起によつて発生する電子は半導体に 移動し、 次いで、 透明導電性ガラス電極を通って対電極に移動する。 対電極に移動 した電子は、 電解質中の酸化還元系を還元する。 一方、 半導体に電子を移動させた 分光増感色素は、 酸化体の状態になっているが、 この酸化体は電解質中の酸化還元 系によって還元され、 元の状態に戻る。 このようにして、 電子が流れ、 本発明の光 電変換材料用半導体を用いた太陽電池を構成することができる。
上記電解質 (レドックス電解質) としては、 第 3発明の電解質 (レドックス電解 質) と同様の説明が適用される。
第 5発明の太陽電池は、 前記酸化物半導体電極、 電解質及び対極をケース内に収 納して封止するが、 それら全体を樹脂封止しても良い。 この場合、 その酸化物半導 体電極には光があたる構造とする。 このような構造の電池は、 その酸化物半導体電 極に太陽光又は太陽光と同等な可視光をあてると、 酸化物半導体電極とその対極と の間に電位差が生じ、 両極間に電流が流れるようになる。
〈第 5発明の実施例〉
実施例 5— 1
(1) 透明電極の作製
スパッタリング装置を用いて、 透明電極膜を作製した。
5 X 5 cmのポリカーボネート基板 (厚さ: 2 mm) 上に、 100 mm φ の I Τ Ο (インジウムースズ酸化物) のセラミックターゲットを用い、 アルゴンガスを 1 0 c cZ分、 酸素ガスを 1. 5 c c/分で供給しながら、 装置内の圧力を 5ミリ ト ール (mTorr)に設定し、供給電力 500 Wの条件で 5分間スパッタリングを行い、厚 さ 300 nmの I TO膜を形成した。 表面抵抗は 10 ΩΖ口であった。
(2) 金属酸化物半導体膜の作製
まず、 アナタース型の二酸化チタン (一次粒径: 30 nm) を、 ポリエチレング リコールを 20質量0 /0で含む水とァセチルァセトン (容量比: 20/1) 中に分散 させ、 30質量%の二酸化チタン分散液を得た。
上記分散液を、 (1)で得られたポリカーボネート基板の I TO膜上にバーコータ を用いて塗布し、 120°Cで 30分間乾燥させ、 厚さ 10 μπιの二酸化チタン含有 塗布膜を形成した。
二酸化チタン含有塗布膜を有する基板を、 高圧水銀灯を備えた紫外線照射装置内 に塗布膜を上にして載置し、 酸素ガスを 5 c cZ分、 アルゴンガスを 5 c c/分で 供給した後、 高圧水銀灯から塗布膜上に紫外線を照射し (照射距離 2 c m、 照射時 間 20分)、 厚さ 10 の二酸ィ匕チタン膜を形成した。
得られた半導体膜の空隙率を測定した。
空隙率の測定方法:
下記の重量をそれぞれ測定し、 下記式より求めた (測定は J I S Z 8807に準 じて行った) :
wl :水を充分に含ませた試料質量 (g)
2 :試料の絶乾質量 ( g )
w 3 :試料の浮力 ( g )
空隙率 = (w 1 - 2) /w 3 X 100
上記測定により、 上記半導体膜の空隙率は 38%であった。
(3) 分光増感色素の吸着
シスージ (チオシアナト) 一ビス (2, 2 ' 一ビビリジル一 4ージカルポキシレ 一トー 4, ーテトラブチルアンモニゥムカルボキシレート) ルテニウム (II) で表 される分光増感色素をエタノール液に溶解した。 この分光増感色素の濃度は 3 X 1 0_4モル /1であった。 次に、 このエタノールの液体に、 膜状の酸化チタンを形成 した前記の基板を入れ、 室温で 18時間浸瀆して、 本発明の金属酸化物半導体電極 を得た。 この試料の分光増感色素の吸着量は、 酸化チタン膜の比表面積 1 cm 2あ たり 10 μ gであった。
(4) 太陽電池の作製
前記の金属酸化物半導体電極を一方の電極として備え、 対電極として、 フッ素を ドープした酸化スズをコートし、 さらにその上に白金を担持した透明導電性ガラス 板を用いた。 2つの電極の間に電解質を入れ、 この側面を樹脂で封入した後、 リー ド線を取付けて、 本発明の太陽電池を作製した。 なお、 電角質は、 ァセトニトリル の溶媒に、 ヨウ化リチウム、 1, 2—ジメチル一 3—プロピルィミダゾリゥムアイ ォダイド、 ョゥ素及び tーブチルビリジンを、 それぞれの濃度が 0. 1モル/ 1、 0. 3モル Z l、 0. 05モル/1、 0. 5モル / 1となるように溶解したものを 用いた。 得られた太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 10 OW/m2の強度の 光を照射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 58 Vであり、 J s c (回 路を短絡したとき流れる電流の密度) は 1. 3 OmA/ cm2であり、 FF (曲線 因子) は 0. 53であり、 η (変換効率) は 4. 01%であった。 これは太陽電池 として有用であることがわかった。
実施例 5— ·2
金属酸化物半導体膜の作製 ( 2 ) を下記のように行つた以外、 実施例 5— 1と同 様にして太陽電池を作製した。
(2) 金属酸化物半導体膜の作製
実施例 5— 1において、 二酸化チタン分散液として、 50質量%の濃度のものを 用い、 その中に基板をデイツビングし、 乾燥する工程を繰り返し行い、 二酸化チタ ン含有塗布膜を形成した。
その後は実施例 5— 1と同様に処理した。
実施例 5— 1と同じ測定により得られた、 上記半導体膜の空隙率は 38%であつ た。
得られた太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 10 OW/m2の強度の光を照 射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 59Vであり、 J s c (回路を 短絡したとき流れる電流の密度) は 1. 3 lmAZcm2であり、 FF (曲線因子) は 0. 53であり、 η (変換効率) は 4. 1 2%であり、 太陽電池として有用であ ることがわかった。
以上から明らかなように、 第 5発明の方法で形成された有機色素増感型金属酸化 物半導体電極を有する太陽電池は、 低温で簡易に得られる金属酸化物導電体膜を有 し、 且つ色素吸着量が大幅に増大した有機色素増感太陽電池であり、 従って光のェ ネルギー変換効率が高く、 太陽電池としての十分な性能を備えたものである。
(6) 第 6発明
第 6発明の透明基板の形成方法の実施の形態を図面を参照して説明する。
図 1 2に第 6発明 (6— i ) の透明電極の形成方法を説明するための概略図の一 例を示す。 透明基板 71の表面に、 パインダ 72中に分散した導電性金属酸ィ匕物微 粒子 7 3の層が形成され、 この層からバインダ 7 2が除去されて導電性金属酸化物 微粒子 7 3からなる塗布型透明電極膜が設けられ、 次いでその表面に気相成膜法に より導電性金属酸化物の気相型透明電極膜 7 4が形成される。
塗布型透明電極膜は、 バインダ中に分散した導電性金属酸化物微粒子の層からパ インダが除去されるため、 そのバインダ部分が空洞となり、 導電性金属酸化物微粒 子 7 3同士が結合した層となることから、 塗布型透明電極膜は表面積の大きな粗表 面を有することとなる。 この無数の空隙を有する塗布型透明電極膜の上に気相型透 明電極膜 7 4が気相成膜法により形成されるが、 この時気相成膜法による膜は、 塗 布型透明電極膜 7 2の表面の露出部分だけでなく、 空洞内部まで入り込んで、 無数 の空隙部分を保持しながら塗布型透明電極膜 7 2の露出部分全てをほぼ覆ってしま う。このため、バインダ除去により、寸断された膜部分があっても接合されるため、 透明電極全体 (即ち積層型透明電極膜) に電流は流れる。 従って、 抵抗値が低く且 つ表面積の大きな透明電極が得られる。 このため、 この透明電極の粗表面上に設け られる金属酸化物半導体膜も当然大きな表面積を有することから、 その半導体膜表 面に大量の有機色素が吸着する。 従って、 このような有機色素増感型金属酸化物半 導体電極を用いた有機色素増感型太陽電池は高い光エネルギー変換率を示す。
図 1 3に第 6発明 (6— ii ) の透明電極の形成方法を説明するための概略図の一 例を示す。 透明基板 8 1の表面に気相成膜法により導電性金属酸化物の気相型透明 電極膜 8 4を形成し、 さらにその透明電極膜 8 4の表面に導電性金属酸化物微粒子 8 3がバインダ 8 2に分散されてなる塗布液を塗布し、 乾燥して導電性金属酸化物 含有塗布膜を形成し、 次いでこの導電性金属酸化物含有塗布膜からバインダを除去 することにより導電性金属酸化物微粒子 8 3から成る塗布型透明電極膜を形成する。 透明基板に直接設けられた気相型透明電極膜 8 4は、 従来の透明電極であり、 そ の表面は一般に平滑である。 一方、 この上に設けられた塗布型透明電極膜は、 バイ ンダ中に分散した導電性金属酸化物微粒子の層からバインダが除去されるため、 そ の部分が空洞となり、 導電性金属酸化物微粒子 8 3同士が結合した層が形成され、 この層は表面積の大きな粗表面を有することとなる。 このため、 この粗表面上に設 けられる金属酸化物半導体膜も大きな表面積を有することから、 その半導体膜表面 に大量の有機色素が吸着する。 従って、 このような有機色素増感型金属酸化物半導 体電極を用いた有機色素増感型太陽電池は高い光エネルギー変換率を示す。
上記方法 (6— i ) 及び (6— ii ) のいずれにおいても、 透 電極は比較的低温 で形成することができるので、 透明電極として I T O等の低抵抗で耐熱性の低い材 料も使用することができる。
上記方法において、 塗布膜のバインダ 7 2、 8 2 (—般に、 ポリマー、 界面活性 剤等の有機物)の除去は、一般にプラズマ処理又は紫外線照射処理により行われる。 プラズマ中の陽イオン、 陰イオン、 ラジカルと反応し、 分解され除去される。 ブラ ズマは、 プラズマ発生装置中に導入した反応ガスに電場をかけ、 ガス分子を高速電 子と衝突させて電離させることにより発生する。 一般に酸素、 フッ素及び塩素等の' 反応ガスの存在下に行われ、 これらのイオン、 ラジカルがパインダ等と反応し、 こ れらが分解する。 このような反応は、 比較的低温で行われるので、 透明電極、 基板 の材料が耐熱性に優れていないものでも用いることができる (例えば、 基板として プラスチック基板、 電極として I T O等)。
上記プラズマ処理は、 高周波プラズマ、 マイクロ波プラズマ又はこれらのハイブ リッド型を用いて行うことが好ましい。 また減圧下でプラズマを行う方がイオン化 率が上昇し、イオンの方向性が異方性となり均一なバインダ等の除去が可能となる。 しかしながら、 高周波放電 (1 3 . 5 6 MH z、 2 . 4 5 G H z ) で、 圧力が低下 すると電子とガス分子との衝突回数が低下するので、 プラズマ密度を向上させるた めに静電的或いは誘導的な磁場を印加する方法が採られている (例えば、 マグネト ロン放電、 E C R放電、ヘリコン波放電、誘導結合放電等)。 本発明でもこのような 磁場を印加した高周波プラズマ、 マイクロ波プラズマが好ましい。
例えば、 図 1 4に示す E C Rプラズマ発生装置を用いて、 基板上の塗布膜のバイ ンダ等の除去が行われる。 エッチングチャンバ 9 7の下部に塗布膜を有する基板 9 0が載置され、 その下から排気されている。 上部から反応ガス 9 2が導入され上部 中央からマイクロ波 9 3が導入される。 プラズマチャンバ 9 4で、 電磁コイル 3 1 による磁界の中で反応ガスにマイクロ波 9 3が導入されプラズマが発生、 そのプラ ズマ流 9 5が基板に衝突する。 これにより塗布膜中のバインダ等が分解、 除去され る。
上記プラズマ処理では、 圧力を 1 0— 3Torr以下、 特に 1 0— 3Torr〜l 0— 4Torr とすることが好ましい。
或いは、塗布膜のバインダの除去は紫外線照射処理によっても行うことができる。 この場合、 紫外線の照射により、 バインダが低分子物質 (有機酸、 二酸化炭素等) まで分角早され、 除去される。 このように低分子物質まで分解するには、 紫外線とし ては短波長の紫外線が好ましく、 一般に l〜4 0 0 n m、 好ま ύくは l〜3 0 0 n m、 特に好ましくは 1〜2 0 0 n mの範囲の光である。 これにより低温下でのバイ ンダ除去が高速で行うことができる。
上記バインダ (有機物) の分解のメカニズムとしては、
(1)バインダに紫外線が照射されると、バインダがその紫外線を吸収して、直接パ ィンダを構成する分子の結合が切断される、
(2)紫外線のエネルギーにより雰囲気ガスが分解されてラジカルが発生し、このラ ジカルによりバインダが分解される (この場合 0、 F、 C I等を含むガスが有効) を挙げることができる。
例えば、上記(2)の例として、 1 8 5 n m等の短波長の光を照射すると、非常に酸 化力の強いラジカル (例えば、 Ο Η · ) が発生し、 これによりバインダが分解され る。 この際、 酸化力の強いラジカルを発生させるために、 一般に酸素、 フッ素原子 含有化合物 (C F 4等) 及び塩素原子含有化合物等の反応ガスの存在下に行われ、 これらから発生したラジカルがパインダ等と反応し、分解する。このような反応は、 比較的低温で行われるので、 透明電極、 基板の材料が耐熱性に優れていないもので も用いることができる (例えば、 基板としてプラスチック基板、 電極として I T O 等)。
また、 使用されるバインダとしては、 紫外線照射により分解されやすいものが好 ましい。 一般にカルボニル基、 ヒ ドロペルォキシド基等を含むもの或いは発生しや すいものが好ましい。 好ましいバインダの例は後述する。
上記紫外線照射に使用される紫外線ランプとしては、 第 5発明における紫外線照 射に使用される紫外線ランプと同様の説明が適用される。
透明基板上に設けられた、 金属酸化物微粒子とバインダから主として構成される 導電性金属酸化物含有塗布膜上に、 紫外線ランプで紫外線が照射されるが、 上述し たように、 これらの塗布膜とランプとの間に前記の反応性ガスを介在させて紫外線 照射することが、 パインダの分解を促進する上で好ましい。 パインダ (有機ポリマ 一等) の種類と、 反応性ガス等の好ましい組み合わせとしては、 バインダとしてポ リエステル系樹脂、そしてオゾン、 c 12、 CF4等の雰囲気で高圧水銀灯を用いて、 バインダを分解させる方法を挙げることができる。
本発明で使用することができる基板としては、 透明な基板であればよく、 一般に ガラス板、 通常珪酸塩ガラス、 或いはプラスチック基板である。 種々のプラスチッ ク基板を、 可視光線の透過性を確保できる限り使用することができる。 基板の厚さ は、 0. 1〜1 Oramが一般的であり、 0. 3〜5mmが好ましい。 ガラス板は、 化学的に、 或いは熱的に強化させたものが好ましい。 基板にガラス板を用いる場合 は、 良好な密着性を得るためにテトラアルコキシシラン及びノ又はトリアルコキシ シランの縮合物を使用しても良い。 尚、 後述する太陽電池の基板 46は透明でなく ても良い。
上記プラスチック基板の材料としては、 第 5発明におけるプラスチック基板と同 様の説明が適用される。
上記透明電極の材料としては、 気相成膜法及び塗布法のいずれにおいても導電性 金属酸化物が使用され、 一般に、 I n203 : S n ( I T〇)、 S η〇2: S b、 S n 02 : F、 Z nO : A l、 S n02、 ZnO : F、 C d S n O 4を挙げることができ る。 気相型透明電極付き基板として、 I n203や S n〇2の導電性金属酸化物薄膜 を形成したものや金属等の導電性材料からなる基板を用いても良い。
塗布型透明電極膜の形成においては、 導電性金属酸化物は微粒子の形で使用され る。 導電性金属酸化物微粒子の平均一次粒径が、 0. 001〜5 mの範囲が好ま しく、 特に 0. 001〜0. 05 mの範囲が好ましい。
上記バインダとしては、 微粒子を分散させるのに使用することができるもので あれば良く、 一般に有機ポリマーが使用される。 ポリマーの例としては、 ポリア ルキレンダリ コール (例、 ポリエチレングリコール)、 アクリル樹脂、 ポリエス テル、 ポリウレタン、 エポキシ樹脂、 シリコン樹脂、 フッ素樹脂、 ポリ酢酸ビニ ル、 ポリビュルアルコール、 ポリアセタール、 ポリブチラール、 石油樹脂、 ポリ スチレン、 繊維素系樹脂等を挙げることができる。
パインダのアクリル樹脂、 パインダとして用いる界面活性剤としては、 第 5発明 におけるそれと同様の説明が適用される。
導電性金属酸化物微粒子がバインダに分散されてなる塗布液は、 上記材料を用い てこれらを混合することにより得られる。 必要により混練により微粒子を分散させ る。 塗布液中の微粒子の含有量は 2 0〜 6 0質量%が好ましく、 特に 2 0〜 5 0質 量%が好ましい。 塗布液中のバインダの含有量は 1〜 2 0質量%が好ましく、 特に
5〜1 0質量0 /0が好ましい。 溶剤としては、 水、 ァセチルアセトン、 アルコール、 トルエン、 メチルホルムアミ ド等を挙げることができる。 更に必要により界面活性 剤等の添加剤を加えることができる。
塗布は、 スプレー、 バーコータ、 ロールコータ等の公知の方法により行うことが できる。 乾燥は、 一般に常温で行うことが好ましい。 その後、 上記のようにしてバ インダが除去される。
第 6発明の積層型透明電極は、 空隙を確保し、 大きな表面積を得るために、 気相 型透明電極膜の膜厚を 0 . 1〜1 0 0 n mの範囲とすることが好ましく、 特に 1〜
1 0 η ιηの範囲が好ましく、 また塗布型透明電極膜の膜厚を、 1 0〜 5 0 0 n mの 範囲にあることが好ましく、 特に 1 0 0〜3 0 0 n mの範囲が好ましい。
図 1 5は第 6発明の有機色素増感太陽電池の実施形態の一例を示す断面図である。 図 1 5において、透明基板 1 0 1、その上に本発明の透明電極 1 0 3が設けられ、 透明電極上の金属酸化物半導体膜に分光増感色素を吸着させた色素吸着金属酸化物 半導体膜 1 0 5が形成され、 その上方に透明電極と対向して対電極 1 0 6が設置さ れており、 そして側部が封止剤 1 0 7により封止され、 さらに金属酸ィヒ物半導体膜
1 0 5と対電極 1 0 6との間に電解質 (溶液) 1 0 8が封入されている。 なお、 本 発明の金属酸化物半導体電極は、 上記基板 1 0 1、 その上に透明電極 1 0 3及び、 透明電極上に分光増感色素を吸着させた金属酸化物半導体膜 1 0 5から基本的に構 成される。
第 6発明の透明電極上には図 1 5に示すように金属酸化物半導体膜が設けられる 第 6発明の金属酸化物半導体電極において、 基板上の透明電極に設けられる金属 酸化物半導体膜は、 一般に大小様々な球状粒子が接合した形状を有し、 表面に大き な凹凸と、内部に多数の空隙を有するものである。本発明の金属酸化物半導体膜は、 従来の酸化物半導体微粉末のスラリーを透明電極上に塗布し、 乾燥させ、 その後 5 0 0 °C、 1時間程度で焼成させることにより形成しても良いが、 熱付与を低減させ る観点から気相成膜法で形成することが好ましい。
第 6発明の金属酸化物半導体膜は、 前記の本発明の粗表面を有する透明電極上に 設けられるので、 極めて空隙率の大きい膜をとなり得る。 本発明の金属酸化物半導 体膜は一般に気相成膜法により形成され、 且つその表面が粗く、 空隙率が 2 5 %以 上であることが好ましい。 さらに、 空隙率は 3 0 %以上、 特に 3 5 %以上であるこ とが好ましい。 このような形状により、 有機色素の吸着量が多くな。 空隙率の上限 も有機色素の吸着量が多くなるのであれば 1 0 0 %近くであっても良いが、 膜とし ての形状を保持する観点から 9 5 %程度が好ましい。
このように、 第 6発明の金属酸化物半導体膜は、 表面の表面積が大きく、 且つ内 部の空洞の表面積も大きく、このため有機色素が吸着する面積が大きい。さらには、 このような構造 (形状) のため、 有機色素の表面及び内部への侵入が容易であり、 短時間に色素吸着を完遂することができる。 また、 表面及び内部共に大きな表面積 を有しているため、 有機色素吸着量が増大しており、 光のエネルギー変換効率が向 上している。
上記金属酸化物半導体としては、 第 5発明における金属酸化物半導体の説明と同 様の説明が適用される。
本発明の金属酸化物半導体膜は、 上記材料に対応する金属及び Z又は金属酸化物 をターゲットとして用いて、 気相成膜法、 例えば、 物理蒸着法、 真空蒸着法、 スパ ッタリング法、 イオンプレーティング法、 C V D法またはプラズマ C V D法前記の ようにスパッタリング法により、 上記のような条件で形成することができる。 本発 明の金属酸ィ匕物半導体膜を形成するための好ましい方法は、 スパッタリング法を用 レ、、 前記のターゲット投入電力密度及ぴ圧力の条件下に行うことであり、 スパッタ リング法としては、 特に対向 2極ターゲット方式スパッタリング法が好適であり、 また反応性スパッタリング法も好ましい。
第 6発明の対向 2極ターゲット方式スパッタリング法は、 反応性スパッタリング 法、 即ち酸素ガス等の反応性のガスを導入しながら金属又は金属酸化物をスパッタ リングすることが好ましい。 特にターゲットとして金属チタン、 酸化チタン、 とり わけ導電性酸化チタンを用いて、 酸素ガスを供給しながらスパッタリングを行うこ とが好ましい。
特に、 第 6発明の金属酸化物半導体膜は、 基本的には、 高電力での短時間成膜、 高ガス圧下での成膜が好ましく、 さらにガス混合流量比の変化、 アークイオンスパ ッタリングの使用等により、 或いはこれらの方法を適宜組合せることにより行うこ とができる。 上記本発明の金属酸化物半導体膜を形成するための好ましい方法は、 スパッタリング法を用い、 1 . 3 W/ c m 2以上、 さらに 2 . 6 WZ c m 2以上、 特 に 1 1 W/ c m2以上のターゲット投入電力密度、及ぴ 0 . 6 P a以上、 さらに 2 . O P a以上、 特に 2 . 6 P a以上の圧力の条件下に行うことであり、 スパッタリン グ法としては、 特に対向 2極ターゲット方式スパッタリング法が好適であり、 また 反応性スパッタリング法も好ましい。このような、通常のスパッタリング条件より、 過激な条件で行うことにより、 半導体膜を急速に形成することができ、 これにより 本発明の特定の形状、 構造を有する金属酸化物半導体膜を得ることができる。 これ により有機色素の吸着量を大幅に増加させることが可能で、 高いエネルギー変換効 率を有し、 高効率の太陽電池を得ることができる。
或いは、 第 6発明の透明電極の表面に、 金属酸化物微粒子がパインダに分散され て成る塗布液を塗布し、 乾燥して金属酸ィヒ物微粒子とバインダから主として構成ざ れる塗布膜を形成し、 次いでこの塗布膜をプラズマ処理又は紫外線照射処理により バインダを除去すると共に金属酸化物微粒子を結合させて金属酸化物半導体膜を形 成しても良い。
前記のようにして得られた基板上の酸化物半導体膜表面に、 有機色素 (分光増 感色素) を単分子膜として吸着させる。
基板上の酸化物半導体膜表面に、 単分子膜として吸着させる有機色素 (分光增感 色素) 及びその吸着方法については、 第 3発明と同様の説明が適用される。
このようにして、 第 6発明の有機色素增感型金属酸化物半導体電極 (光電変換材 料用半導体) を得る。
このようにして得られた基板上に、 透明電極及び有機色素吸着金属酸化物半導体 が形成された有機色素増感型金属酸化物半導体電極を用いて、太陽電池を作製する。 すなわち、 透明電極 (透明性導電膜) をコートしたガラス板又はプラスチック基板 の基板上に光電変換材料である金属酸化物半導体膜を形成して電極とし、 次に、 対 電極として別の透明性導電膜をコートしたガラス板などの基板を封止剤により接合 させ、 これらの電極間に電解質を封入して太陽電池とすることができる。
第 6発明の半導体膜に吸着した分光増感色素に太陽光を照射すると、 分光増感色 素は可視領域の光を吸収して励起する。 この励起によつて発生する電子は半導体に 移動し、 次いで、 透明導電性ガラス電極を通って対電極に移動する。 対電極に移動 した電子は、 電解質中の酸化還元系を還元する。 一方、 半導体に電子を移動させた 分光増感色素は、 酸化体の状態になっているが、 この酸化体は電解質中の酸化還元 系によって還元され、 元の状態に戻る。 このようにして、 電子が流れ、 本発明の光 電変換材料用半導体を用いた太陽電池を構成することができる。
上記電解質 (レドックス電解質) としては、 第 3発明の電解質 (レドックス電解 質) と同様の説明が適用される。
第 6発明の太陽電池は、 前記酸化物半導体電極、 電解質及ぴ対極をケース内に収 納して封止するが、 それら全体を樹脂封止しても良い。 この場合、 その酸化物半導 体電極には光があたる構造とする。 このような構造の電池は、 その酸化物半導体電 極に太陽光又は太陽光と同等な可視光をあてると、 酸化物半導体電極とその対極と の間に電位差が生じ、 両極間に電流が流れるようになる。
〈第 6発明の実施例〉
実施例 6— 1
( 1 ) 透明電極の作製
積層型透明電極膜を下記のように作製した。
1 ) 5 X 5 c mのポリカーボネート基板 (厚さ : 2 mm) 上に、 I T O (インジ ゥムースズ酸化物) の微粉末 (平均粒径: 0 . 0 5 n m) を、 ポリエチレングリコ ールを 2 0質量0 /0で含む水とァセチルアセトン(容量比: 2 0ノ 1 )中に分散させ、 3 0質量%の I T O分散液を得た。
上記分散液を、 5 X 5 c mのポリカーボネート基板 (厚さ : 2 mm) 上に、 パー コータを用いて塗布し、 1 2 0 °Cで 3 0分間乾燥させ、 厚さ 3 0 0 n mの I T〇塗 布膜を形成した。
I T O塗布膜付き基板を、 図 1 5に示すプラズマ発生装置のチャンバ一内に塗布 膜を上にして载置し、 酸素ガスを 5 c c Z分、 アルゴンガスを 5 c c Z分で供給し た後、 装置内の圧力を 1ミリ トール(0. 1 3 P a) に設定し、 導入マイクロ波 2. 45 GHz、 磁力 875ガウス、 供給電力 3 kW (電力密度 19WZcm2) の条 件で 60分間プラズマ処理を行ってポリエチレンダリコールを除去し、 厚さ 100 nmの塗布型 I TO膜を形成した。
2) 得られた塗布型 I TO膜上に、 Ι Ο Οπιηιφ の I TO (インジウム—スズ酸 化物) のセラミックターゲットを用い、 アルゴンガスを 10 c c//分、 酸素ガスを 1. 5 c c/分で供給しながら、 装置内の圧力を 5ミリ トール (mTorr)に設定し、供 給電力 500Wの条件で 5分間スパッタリングを行い、 厚さ 100 nmの気相型 I TO膜を形成した。 表面抵抗は 10 Ω /口であった。
得られた透明電極の空隙率を測定した。
空隙率の測定方法:
下記の重量をそれぞれ測定し、 下記式より求めた (測定は J I S Z 8807に準 じて行った) :
wl :水を充分に含ませた試料質量 (g)
w2 :試料の絶乾質量 (g)
3 :試料の浮力 ( g )
空隙率 = (w 1 -w 2) /w 3 X 100
上記測定により、 上記透明電極の空隙率は 38 %であった。
(2) 金属酸化物半導体膜の作製
対向ターゲット方式スパッタリング装置を用いて、 上記の I TO透明電極ガラス 板上に、 直径 100 mmの金属チタンターゲットを 2枚配置し、 酸素ガスを 5 c c /分、 アルゴンガスを 5 c c/分で供給した後、 装置内の圧力を 5ミリ トール(0. 7 P a) に設定し、 供給電力 3 kW (電力密度 1 9 W/ cm2) の条件で 32分間 スパッタリングを行い、 厚さ 300 nmの酸化チタン膜を形成した。
得られた半導体膜の空隙率を (1) におけると同様にして測定した。
上記半導体膜の空隙率は 42%であった。
(3) 分光増感色素の吸着
シスージ (チオシアナト) 一ビス (2, 2, 一ビビリジル— 4 -ジカルボキシレ ート— 4, ーテトラプチルアンモニゥムカルポキシレート) ルテニウム (II) で表 される分光増感色素をエタノール液に溶解した。 この分光増感色素の濃度は 3 X 1 0一4モル であった。 次に、 このエタノールの液体に、 膜状の酸化チタンを形成 した前記の基板を入れ、 室温で 18時間浸漬して、 本発明の金属酸化物半導体電極 を得た。 この試料の分光増感色素の吸着量は、 酸化チタン膜の比表面積 1 cm2あ たり 1 0 μ gであった。
(4) 太陽電池の作製
前記の金属酸化物半導体電極を一方の電極として備え、 対電極として、 フッ素を ドープした酸化スズをコートし、 さらにその上に白金を担持した透明導電性ガラス 板を用いた。 2つの電極の間に電解質を入れ、 この側面を樹脂で封入した後、 リー ド線を取付けて、 本発明の太陽電池を作製した。 なお、 電解質は、 ァセトニトリル の溶媒に、 ヨウ化リチウム、 1, 2—ジメチルー 3—プロピルイミダゾリゥムアイ ォダイド、 ョゥ素及び t一ブチルピリジンを、 それぞれの濃度が 0. 1モルノ 1、 0. 3モル/ 1、 0. 05モル/ 1、 0. 5モル/ 1となるように溶解したものを 用いた。 得られた太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 10 OW/m2の強度の 光を照射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 58 Vであり、 J s c (回 路を短絡したとき流れる電流の密度) は 1. 3 OmA/ c m2であり、 FF (曲線 因子) は 0. 53であり、 η (変換効率) は 4. 01%であった。 これは太陽電池 として有用であることがわかった ώ
実施例 6— 2
透明電極の作製 (1) を下記のように行った以外、 実施例 6— 1と同様にして太 陽電池を作製した。
(1) 透明電極の作製
積層型透明電極膜を下記のように作製した。
1) 5 X 5 c mのポリカーボネート基板 (厚さ : 2 mm) 上に、 10 Οπιηιφ の I TO (ィンジゥムースズ酸化物) のセラミックターゲットを用い、 アルゴンガス を 1 0 c c/分、 酸素ガスを 1. 5 c c/分で供給しながら、 装置内の圧力を 5ミ リ トール (mTorr)に設定し、供給電力 500 Wの条件で 5分間スパッタリングを行い、 厚さ 100 nmの気相型 I TO膜を形成した。
2) I TO (インジウムースズ酸化物) の微粉末(平均粒径: 0. 05 nm) を、 ポリエチレングリコールを 20質量%で含む水とァセチルァセトン (容量比: 20 /1) 中に分散させ、 30質量%の I TO分散液を得た。
得られた前記気相型 I TO膜上に、 上記分散液を、 パーコータを用いて塗布し、 120°Cで 30分間乾燥させ、 厚さ 300 nmの I TO塗布膜を形成した。
I TO塗布膜を有する基板を、 高圧水銀灯を備えた紫外線照射装置内に塗布膜を 上にして载置し、酸素ガスを 5 c c/分、アルゴンガスを 5 c cZ分で供給した後、 高圧水銀灯から塗布膜上に紫外線を照射し (照射距離 2 cm、照射時間 20分)、厚 さ 300 nmの塗布型 I TO膜を形成した。 表面抵抗は 10 ΩΖ口であった。
得られた透明電極の空隙率を測定した。
空隙率の測定方法:
下記の重量をそれぞれ測定し、 下記式より求めた (測定は J I S Z 8807に準 じて行った) :
wl :水を充分に含ませた試料質量 (g)
w2 :試料の絶乾質量 (g)
3 :試料の浮力 ( g )
空隙率 = (w 1 -w 2) /w 3X 100
上記測定により、 上記透明電極の空隙率は 38%であった。
その後は実施例 6— 1と同様に処理した。
実施例 6— 1と同じ測定により得られた、 上記半導体膜の空隙率は 42%であつ た。 '
得られた太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 10 OWZm2の強度の光を照 射したところ、 Vo c (開回路状態の電圧) は 0. 59 Vであり、 J s c (回路を 短絡したとき流れる電流の密度) は 1. 31mA/cm2であり、 FF (曲線因子) は 0. 53であり、 η (変換効率) は 4. 12 %であり、 太陽電池として有用であ ることがわかった。
比較例 6— 1
透明電極の作製と金属酸ィヒ物半導体膜の作製を下記のように行った以外、 実施例 6-1と同様にして太陽電池を作製した。
(1) 透明電極の作製 リング装置を用いて、 透明電極膜を作製した。
5 X 5 c mのガラス基板 (厚さ: 2mm) 上に、 1 0 Οηιπιφ の I TO (インジ ゥム一スズ酸化物)のセラミックターゲットを用い、ア^^ゴンガスを 1 0 c cZ分、 酸素ガスを 1. 5 c cZ分で供給しながら、 装置内の圧力を 5ミリ トール (mTorr) に設定し、 供給電力 5 0 0Wの条件で 5分間スパッタリングを.行い、 厚さ 3 0 0 n mの I TO膜を形成した。 表面抵抗は 1 0 Ω /口であった。
(2) 金属酸化物半導体膜の作製
酸化チタン粉末 (P— 2 5、 日本ァエロジル (株) 製) 6 gを、 脱イオン水 8 m 1、 ァセチルァセトン 0. 2m l及び界面活性剤 0. 2 m 1を、 均一に分散し、 I TO透明電極上に塗布し、 5 0 0°Cで 1時間焼成し、 1 0 At mの厚さの半導体電極 を得た。
この半導体の分光增感色素の吸着量は、 酸化チタンの比表面積 1 c m2当たり 1 0 μ gであった。
実施例 6— 1と同じ測定により得られた、 上記半導体膜の空隙率は 3 8 %であつ た。
得られた太陽電池に、 ソーラーシユミレーターで 1 0 OW/m2の強度の光を照 射したところ、 V o c (開回路状態の電圧) は 0. 6 2 Vであり、 J s c (回路を 短絡したとき流れる電流の密度) は 1. 0 0 mA/ c m2であり、 F F (曲線因子) は 0. 5 6であり、 77 (変換効率) は 3. 5 0%であった。 これは前記実施例の太 陽電池に比較して、 変換効率が低く、 太陽電池として有用であるとは言えない。 こ れは高温長時間焼成により透明電極が劣化したためと考えられる。
以上から明らかなように、 第 6発明の方法で形成された透明電極は、 比較的低温 で得ることができ、 且つ抵抗値が低く、 無数の空隙を有するため大きな表面積を有 している。 従って、 このような透明電極を用いた金属酸化物半導体電極も表面積が 大きく、 これから得られる有機色素增感型金属酸化物半導体電極を有する太陽電池 は、 低温で簡易に得られ、 且つ色素吸着量が大幅に増大したものでであり、 従って 光のエネルギー変換効率が高く、太陽電池としての十分な性能を備えたものである。

Claims

請求の範囲
( 1 ) 加硫ゴムに、 酸ィヒ還元性物質を担持させてなることを特徴とする色素增感 型太陽電池用電解質。
( 2 ) 請求項 1において、 該加硫ゴムは、 加硫剤として硫黄及ぴ Z又は有機硫黄 化合物を用いたものであることを特徴とする色素増感型太陽電池用電解質。
( 3 ) 請求項 1又は 2において、 該加硫ゴムは側鎖に芳香環を有することを特徴 とする色素増感型太陽電池用電解質。
( 4 ) 請求項 3において、 該芳香環はベンゼン環及び/又はピリジン環であるこ とを特徴とする色素増感型太陽電池用電解質。
( 5 ) 請求項 1ないし 4のいずれか 1項において、 該加硫ゴムに酸化還元性物質 の溶液を含浸し乾燥することにより酸化還元性物質を担持させてなることを特徴と する色素増感型太陽電池用電解質。
( 6 ) 請求項 1ないし 5のいずれか 1項において、 該酸化還元性物質の担持量が 該加硫ゴムに対して 5〜5 0重量%であることを特徴とする色素增感型太陽電池用
( 7 ) 三次元連続の網状骨格構造を有する高分子材料で構成された多孔質体に、 酸化還元性物質を担持させてなることを特徴とする色素増感型太陽電池用電解質。
( 8 ) 請求項 7において、 該多孔質体は、 高分子材料と、 該高分子材料よりも多 量の低分子材料とを混合して該高分子材料が三次元連続の網状骨格構造を形成して V、る前駆体を得、 次いで該前駆体中の低分子材料を除去することにより製造される ことを特徴とする色素増感型太陽電池用電解質。
( 9 ) 請求項 7又は 8において、 該高分子材料が、 エチレンとプロピレンとを主 成分とし、 エチレン含有量が 6 0重量%以上のエチレン一プロピレン系共重合体で あることを特徴とする色素増感型太陽電池用電解質。
( 1 0 ) 請求項 8又は 9において、 該高分子材料と低分子材料との混合物中の高 分子材料の割合が 3 0重量%以下であることを特徴とする色素増感型太陽電池用電
( 1 1 ) 請求項 7ないし 1 0のいずれか 1項において、 該多孔質体の三次元連続 の網状骨格構造の骨格の平均径が 8 μ m以下であり、 網目の開口の平均径が 8· 0 μ m以下であることを特徴とする色素增感型太陽電池用電解質。
(1 2) 請求項 7ないし 1 1のいずれか 1項において、 該多孔質体に酸化還元性 物質の溶液を含浸し乾燥することにより酸化還元性物質を担持させてなることを特 徴とする色素増感型太陽電池用電解質。
(1 3) 請求項 7ないし 1 2のいずれか 1項において、 該酸化還元性物質の担持 量が該多孔質体に対して 5〜 9 0重量%であることを特徴とする色素增感型太陽電 池用電解質。
(14) ホスファゼン系重合体に、 酸化還元性物質を担持させてなることを特徴 とする色素増感型太陽電池用電解質。
(1 5) 請求項 14において、 該ホスファゼン系重合体は、 一般式 (1) : (R1) 3P=N— X (伹し、 一般式 (1) において、 R1は、 一価の置換基又はハロゲン元 素を表す。 Xは、 炭素、 ケィ素、 ゲルマニウム、 スズ、 窒素、 リン、 酸素、 及ぴィ ォゥからなる群から選ばれる元素の少なくとも 1種を含む有機基を表す。)で表され る鎖状ホスファゼン誘導体を重合してなることを特徴とする色素増感型太陽電池用
(1 6) 請求項 14において、 該ホスファゼン系重合体は、 一般式 (2) : (NP R2 2) n (但し、 一般式 (2) において、 R2は、一価の置換基又はハロゲン元素を表 す。 nは、 2〜1 4を表す。) で表される環状ホスファゼン誘導体を重合してなるこ とを特徴とする色素増感型太陽電池用電解質。
(1 7) 請求項 1 4ないし 1 6のいずれか 1項において、 該ホスファゼン系重合 体の分子量が 1 0万以上であることを特徴とする色素增感型太陽電池用電解質。
(1 8) 請求項 14ないし 1 7のいずれか 1項において、 該ホスファゼン系重合 体に酸化還元性物質の溶液を含浸し乾燥することにより酸化還元性物質を担持させ てなることを特徴とする色素増感型太陽電池用電解質。
(1 9) 請求項 1 4ないし 1 9のいずれか 1項において、 該酸化還元性物質の担 持量が該ホスファゼン系重合体に対して 5〜 50重量。 /0であることを特徴とする色
(20) 酸化還元性物質を担持させた、 エチレン一酢酸ビュル系共重合樹脂フィ ルムよりなることを特徴とする色素增感型太陽電池用電解質。
(21) 請求項 20において、該エチレン—酢酸ビニル系共重合樹脂フィルムは、 架橋剤を含むものであることを特徴とする色素増感型太陽電池用電解質。
(22) 請求項 20又は 21において、 該エチレン—酢酸ビニル系共重合樹脂の 酢酸ビニル含有量が 5〜 50重量%であることを特徴とする色素増感型太陽電池用
(23) 請求項 20ないし 22のいずれか 1項において、 酸化還元性物質を含む エチレン一酢酸ビュル系共重合樹脂組成物を成膜してなることを特徴とする色素増 感型太陽電池用電解質。
(24) 請求項 20ないし 22のいずれか 1項において、 該エチレン—酢酸ビニ ル系共重合樹脂フィルムに酸化還元性物質の溶液を含浸させて乾燥することにより 酸化還元性物質を担持させてなることを特徴とする色素増感型太陽電池用電解質。
(25) 請求項 1ないし 24のいずれか 1項において、 該酸化還元性物質の担持 量が該エチレン—酢酸ビニル系共重合樹脂に対して 5〜 50重量%であることを特 徴とする色素増感型太陽電池用電解質。
(26) 色素増感型半導体電極と、 この色素増感型半導体電極に対向して設けら れた対電極と、 該色素增感型半導体電極と対電極との間に配置された固体状電解質 とを有する色素増感型太陽電池において、 該固体状電解質が請求項 1ないし 25の いずれか 1項に記載の色素増感型太陽電池用電解質であることを特徴とする色素増 感型太陽電池。
(27) 基板上に酸化チタン薄膜を形成する工程を有する色素増感型太陽電池用 電極の製造方法において、
該酸化チタン薄膜を T iメタルターゲットを用いた反応性スパッタにより形成す ることを特徴とする色素増感型太陽電池用電極の製造方法。
(28) 請求項 27において、 酸素濃度の制御雰囲気における反応性スパッタに より、 T i Ox (x< 2) 薄膜を形成することを特徴とする色素増感型太陽電池用 電極の製造方法。
(29) 請求項 28において、 プラズマェミッションコントロールにより酸素濃 度を制御することを特徴とする色素増感型太陽電池用電極の製造方法。
( 3 0 ) 請求項 2 8において、 プラズマインピーダンスコントロールにより酸素 濃度を制御することを特徴とする色素増感型太陽電池用電極の製造方法。
( 3 1 ) 請求項 2 7ないし 3 0のいずれか 1項において、 デュアル力ソードを用 レ、、 並設された 2個のカソードに交互に電圧をかけることにより反応性スパッタを 行うことを特徴とする色素増感型太陽電池用電極の製造方法。
( 3 2 ) 請求項 2 7ないし 3 1のいずれか 1項において、 基板が有機樹脂フィル ムであることを特徴とする色素増感型太陽電池用電極の製造方法。
( 3 3 ) 請求項 2 7ないし 3 2のいずれか 1項に記載の方法により製造された色 素增感型太陽電池用電極。
( 3 4 ) 有機樹脂フィルム上に、 T iメタルターゲットを用いた反応性スパッタ により形成された酸化チタン薄膜を有することを特徴とする色素増感型太陽電池用
( 3 5 ) 請求項 3 3又は 3 4において、 酸化チタン薄膜が T i O x ( x < 2 ) 薄 膜であることを特徴とする色素增感型太陽電池用電極。
( 3 6 ) 表面に透明電極を有する透明基板、 その透明電極上に形成された金属酸 化物半導体膜及びその半導体膜表面に吸着した有機色素を含むからなる有機色素増 感型金属酸化物半導体電極と、 この電極に対向して設けられた対電極とからなり、 さらに両電極間にレツドクス電解質が注入されてなる有機色素増感型太陽電池にお いて、
前記透明基板の透明電極の設けられていない側の表面に、 反射防止膜が設けられ ていることを特徴とする有機色素增感型太陽電池。
( 3 7 ) 表面に透明電極を有する透明基板、 その透明電極上に形成された金属酸 化物半導体膜及びその半導体膜表面に吸着した有機色素を含むからなる有機色素増 感型金属酸化物半導体電極と、 この電極に対向して設けられた対電極とからなり、 さらに両電極間にレツドクス電解質が注入されてなる有機色素増感型太陽電池にお いて、
前記透明基板の透明電極の設けられていない側の表面に、 接着剤層を介して反射 防止膜を有する反射防止フィルムが設けられていることを特徴とする有機色素增感 型太陽電池。
(38) 前記反射防止膜が、 有機色素の吸光度が極大となる波長の反射率を低下 させるものである請求項 36又は 37に記載の有機色素增感型太陽電池。
(39) 前記反射防止膜が、 有機色素の吸光度が極大となる波長に反射率の極小 を有する請求項 36又は 37に記載の有機色素増感型太陽電池。
(40) 前記反射防止フィルムが、 透明ポリマーフィルムと、 その上に設けられ た反射防止膜からなる請求項 37〜39のいずれかに記載の有機色素増感型太陽電 池。
(41) 前記反射防止膜が、 低屈折率透明無機薄膜と高屈折率透明無機薄膜とが 上側からこの順で交互積層された無機積層膜である請求項 36〜40のいずれかに 記載の有機色素增感型太陽電池。
(42) 無機積層膜の最上層である低屈折率透明無機薄膜の代わりに、 低屈折率 透明有機薄膜が設けられている請求項 41に記載の有機色素増感型太陽電池。
(43) 前記反射防止フィルムが、 透明ポリマーフィルムと、 その上に設けられ た反射防止膜との間に紫外線カツト層を有する請求項 37〜42のいずれかに記載 の有機色素増感型太陽電池。
(44) 前記高屈折率透明無機薄膜が、 I TO (スズインジウム酸化物) 又は Z nO、 或いは A 1をドープした Z n〇、 T i 02、 S n02又は Z r Oからなる屈折 率 1. 8以上の薄膜である請求項 41〜43のいずれかに記載の有機色素増感型太
(45) 前記低屈折率透明無機薄膜が、 S i 02、 MgF2又は A 1203からなる 屈折率が 1. 6以下の薄膜である請求項 41〜44のいずれかに記載の有機色素增 感型太陽電池。
(46) 前記接着剤層が、 エチレンノ酢酸ビュル共重合体又は粘着性ァクリル樹 脂を含む請求項 37〜45のいずれかに記載の有機色素増感型太陽電池。
(47) 金属酸化物半導体膜が気相成膜法により形成されている請求項 37〜4 6に記載の有機色素増感型太陽電池。
(48) 気相成膜法が、 物理蒸着法、 真空蒸着法、 スパッタリング法、 イオンプ レーティング法、 CVD法またはプラズマ CVD法である請求項 47に記載の有機 色素増感型太陽電池。
(49) 気相成膜法が、 対向 2極ターゲット方式スパッタリング法又はデュアル カソード型スパッタリング法である請求項 48に記載の有機色素増感型太陽電池。
(50) 気相成膜法が、 反応性スパッタリング法である請求項 48又は 49に記 載の有機色素增感型太陽電池。
(51) 金属酸化物半導体膜が、 酸化チタン、 酸化亜鉛、 酸化スズ、 酸化アンチ モン、 酸化ニオブ、 酸化タングステン又は酸化インジウム、 或いはこれらの金属酸 化物に他の金属若しくは他の金属酸化物をドーピングしたものである請求項 36〜
50のいずれかに記載の有機色素増感型太陽電池。
(52) 金属酸化物半導体膜が、 酸化チタンから形成されている請求項 36〜5 1のいずれかに記載の有機色素増感型太陽電池。
(53) 金属酸化物半導体膜が、 アナタース型酸化チタンから形成されている請 求項 52に記載の有機色素増感型太陽電池。
(54) 金属酸化物半導体膜の膜厚が、 1 0 nm以上である請求項 36〜53の いずれかに記載の有機色素増感型太陽電池。
(55) 前記有機色素が、ルテニウム含有色素(ルテニウム 'フヱナントロリン、 ルテニウム ·ジケトナート) であり、 反射防止膜が、 300〜600 nmの波長範 囲において光の反射率が 10%以下である請求項 36〜54のいずれかに記載の有 機色素増感型太陽電池。
(56) 前記有機色素が、 タマリン誘導体色素であり、 反射防止膜が、 400〜
600 nmの波長範囲において光の反射率が 10%以下である請求項 36〜54の いずれかに記載の有機色素増感型太陽電池。
(57) 表面に透明電極を有する透明基板、 その透明電極上に形成された金属酸 化物半導体膜及びその半導体膜表面に吸着した有機色素からなる有機色素増感型金 属酸化物半導体電極と、 この電極に対向して設けられた対電極とからなり、 さらに 両電極間にレッドタス電解質が注入されてなる有機色素増感型太陽電池であって、 該透明基板が透明有機ポリマー基板であり、 且つ該対電極が、 有機ポリマー基板 上に設けられていることを特徴とする有機色素増感型太陽電池。
(58) 該対電極と有機ポリマー基板との間に、 該透明電極が設けられているこ とを特徴とする請求項 57に記載の有機色素増感型太陽電池。
(59) 対電極を有する有機ポリマー基板が、 高反射率を有する請求項 57又は
58に記載の有機色素増感型太陽電池。
(60) 対電極を有する有機ポリマー基板が、 模様及び Z又は着色を有する請求 項 57〜 59のいずれかに記載の有機色素増感型太陽電池。
(61) 対電極を有する有機ポリマー基板が、 透明基板である請求項 57〜60 のいずれかに記載の有機色素増感型太陽電池。
(62) 透明有機ポリマー基板又は有機ポリマー基板の材料が、 ポリエチレンテ レフタレート、 ポリカーボネート、 ポリメチルメタクリレート又はフッ素樹脂であ る請求項 57〜61のいずれかに記載の有機色素増感型太陽電池。
(63) 金属酸化物半導体膜が、 気相成膜法により形成されている請求項 57〜
62に記載の有機色素增感型太陽電池。
(64) 気相成膜法が、 物理蒸着法、 真空蒸着法、 スパッタリング法、 イオンプ レーティング法、 CVD法またはプラズマ CVD法である請求項 63に記載の有機 色素増感型太陽電池。
(65) 気相成膜法が、 対向 2極ターゲット方式スパッタリング法、 デュアル力 ソード型スパッタリング法又は反応性スパッタリング法である請求項 64に記載の 有機色素増感型太陽電池。
(66) 金属酸化物半導体膜が、 酸化チタン、 酸化亜鈴、 酸化スズ、 酸化アンチ モン、 酸化ニオブ、 酸化タングステン又は酸化インジウム、 或いはこれらの金属酸 化物に他の金属若しくは他の金属酸化物をドーピングしたものから形成されている 請求項 57〜 65のいずれかに記載の有機色素增感型太陽電池。
(67) 金属酸化物半導体膜が、 酸化チタンである請求項 66に記載の有機色素 増感型太陽電池。
(68) 金属酸化物半導体膜が、 アナタース型酸化チタンである請求項 67に記 載の有機色素増感型太陽電池。
(69) 対電極を有する有機ポリマー基板の裏面に、 接着剤層を介して離型フィ ルムは貼付されている請求項 57〜68のいずれかに記載の有機色素增感型太陽電 池。
(70) 接着剤層が、 エチレン/酢酸ビニル共重合体又は粘着性アクリル樹脂を 含む請求項 69に記載の有機色素増感型太陽電池。
(71) 請求項 57〜 70のいずれかに記載の有機色素増感型太陽電池が、 対電 極を有する透明有機ポリマー基板の裏面を、 接着剤層を介して基材の表面に貼付す ることにより接合されている建材。
(72) 基材が窓ガラスである請求項 71に記載の建材。
(73) 基材が屋根材である請求項 71に記載の建材。
(74) 表面に透明電極を有する基板上に、 金属酸化物微粒子がバインダに分散 されてなる塗布液を塗布し、 乾燥して金属酸化物含有塗布層を形成し、 次いで該金 属酸化物含有塗布膜を紫外線照射処理してバインダを除去することにより表面積の 大きな金属酸化物半導体膜を形成することを特徴とする金属酸化物半導体膜の形成 方法。
(75) 紫外線照射処理に用いる紫外線の波長が、 1〜400 nmの範囲にある 請求項 Ί 4に記載の方法。
(76) 紫外線照射処理が、 オゾン、 酸素、 フッ素原子含有化合物及び塩素原子 含有化合物から選択される少なくとも 1種のガスの存在下に行われる請
求項 74又は 75に記載の方法。
(77) 金属酸化物半導体膜が、 実質的に金属酸化物のみからなる膜である請求 項 74〜 76のいずれかに記載の方法。
(78) 金属酸化物が、 酸化チタン、 酸化亜鉛、 酸化スズ、 酸化アンチモン、 酸 化ニオブ、 酸化タングステン又は酸化インジウム、 或いはこれらの金属酸化物に他 の金属若しくは他の金属酸化物をドーピングしたものである請求項 74〜77のい ずれかに記載の方法。
(79) 金属酸化物が、 酸化チタンである請求項 78に記載の方法。
(80) 金属酸ィヒ物が、アナタース型酸化チタンである請求項 79に記載の方法。
(81) 金属酸化物微粒子の一次粒径が、 0. 001〜5 niの範囲にある請求 項 74〜 80のいずれかに記載の方法。
(82) 金属酸化物半導体膜が、 酸化チタン、 酸化亜鉛、 酸化スズ、 酸化アンチ モン、 酸化ニオブ、 酸化タングステン又は酸化インジウム、 或いはこれらの金属酸 化物に他の金属若しくは他の金属酸化物をドーピングしたものである請求項 74〜 81のいずれかに記載の方法。
(83) 金属酸化物半導体膜が、 酸化チタンである請求項 82に記載の方法。
(84) 金属酸化物半導体膜が、 アナタース型酸化チタンである請求項 83に記 載の方法。
(85) パインダが、 有機ポリマーである請求項 74〜84のいずれかに記載の 方法。
(86) 金属酸化物半導体膜の膜厚が、 10 nm以上である請求項 7 :〜 85の いずれかに記載の方法。
(87) 請求項 74〜86のいずれかに記載の方法により得られた表面に透明電 極を有する基板及びその透明電極上に形成された金属酸化物半導体膜と、 その半導 体膜表面に吸着した有機色素とを含む有機色素増感型金属酸化物半導体電極。
(88) 請求項 87に記載の有機色素増感型金属酸化物半導体電極
と、 この電極に対向して設けられた対電極とからなり、 さらに両電極間にレツドク ス電解質が注入されてなる有機色素增感型太陽電池。
(89) 基板の表面に、 導電性金属酸ィ匕物微粒子がバインダに分散されてなる塗 布液を塗布し、 乾燥して導電性金属酸化物含有塗布膜を形成し、 その後該導電性金 属酸化物含有塗布膜からバインダを除去することにより塗布型透明電極膜を形成し、 次いで該塗布型透明電極膜の上に導電性金属酸化物を気相成膜することにより気相 型透明電極膜を形成することにより積層型透明電極を設けることを特徴とする透明 電極の形成方法。
(90) 基板の表面に導電性金属酸化物を気相成膜することにより気相型透明電 極膜を形成し、 次いで該気相型透明電極膜上に、 導電性金属酸化物微粒子がパイン ダに分散されてなる塗布液を塗布し、 乾燥して導電性金属酸化物含有塗布膜を形成 し、 その後該導電性金属酸化物含有塗布膜からパインダを除去して塗布型透明電極 膜を形成することことにより積層型透明電極を設けることを特徴とする透明電極の 形成方法。
(91) パインダの除去が、 プラズマ処理により行われる請求項 89又は 90に 記載の方法。
(92) プラズマ処理が、 高周波プラズマ、 マイクロ波プラズマ又はこれらのハ イブリツド型を用いて行われる請求項 91に記載の方法。
(93) プラズマ処理が、 酸素、 フッ素及び塩素から選択される少なくとも 1種 のガスの存在下に行われる請求項 91又は 92に記載の方法。
(94) バインダの除去が、 紫外線照射処理により行われる請求項 89又は 90 に記載の方法。
(95) 紫外線照射処理に用いる紫外線の波長が、 1〜400 nmの範囲にある 請求項 94に記載の方法。
(96) 紫外線照射処理が、 オゾン、 酸素、 フッ素原子含有化合物及び塩素原子 含有化合物から選択される少なくとも 1種のガスの存在下に行われる請求項 94又 は 95に記載の方法。
(97) 導電性金属酸化物が、 I n203 : S n ( I TO). S n02 : S b、 S n 02 : F、 Z n O: A U S n〇2、 ZnO : F、 C d S n 04から選択される少な くとも 1種である請求項 89〜96のいずれかに記載の方法。
(98) 塗布型透明電極膜が、 実質的に導電性金属酸化物のみからなる膜である 請求項 89〜97のいずれかに記載の方法。
(99) 導電性金属酸化物微粒子の一次粒径が、 0. 001〜 5 μ mの範囲にあ る請求項 89〜98のいずれかに記載の方法。
(100) バインダが、 ポリアルキレングリコールである請求項 89〜99のい ずれかに記載の方法。
(101) 気相型透明電極膜を形成するための気相成膜法が、 物理蒸着法、 真空 蒸着法、 スパッタリング法、 イオンプレーティング法、 CVD法またはプラズマ C VD法である請求項 89〜100のいずれかに記載の方法。
(102) 気相型透明電極膜が、 I n 203: S n (I TO)、 S ηΟ2: S b、 S n02 : F、 Z nO : A l、 S n〇2、 Z nO : F、 C d S n 04から選択される少 なくとも 1種からなる膜である請求項 89〜101のいずれかに記載の方法。
(103) 気相型透明電極膜の膜厚が、 0. 1〜100 nmの範囲にある請求項 89〜102のいずれかに記載の方法。
(104) 塗布型透明電極膜の膜厚が、 10〜500 nmの範囲にある請求項 8 9〜 103のいずれかに記載の方法。
(105) 請求項 89〜 104のいずれかに記載の方法に従い、 基板表面 に透明電極膜が形成されてなる透明電極基板。
(106) 請求項 105に記載の透明電極基板の透明電極上に、 気相成膜法によ り金属酸化物半導体膜を形成する工程を含む金属酸化物半導体膜の形成方法。
(107) 気相成膜の方法が、 物理蒸着法、 真空蒸着法、 スパッタリング法、 ィ オンプレーティング法、 CVD法またはプラズマ CVD法である請求項 106に記 載の方法。
(108) 金属酸化物半導体膜が、 酸化チタン、 酸化亜鉛、 酸化スズ、 酸化アン チモン、 酸化ニオブ、 酸化タングステン又は酸化インジウム、 或いはこれらの金属 酸化物に他の金属若しくは他の金属酸化物をドーピングを気相成膜した膜である請 求項 106に記載の方法。
(109) 金属酸化物半導体膜が、 酸化チタンの膜である請求項 108に記載の 方法。
(1 10) 金属酸化物半導体膜が、 アナタース型酸化チタンの膜である請求項 1 09に記載の方法。
(1 1 1) 請求項 106〜1 10のいずれかに記載の方法により得られた表面に 透明電極を有する基板、 その透明電極上に形成された金属酸化物半導体膜、 及ぴそ の半導体膜表面に吸着した有機色素とを含む有機色素増感型金属酸化物半導体電極。
(1 1 2) 請求項 1 1 1に記載の有機色素増感型金属酸化物半導体電極と、 この 電極に対向して設けられた対電極とからなり、 さらに両電極間にレツドクス電解質 が注入されてなる有機色素増感型太陽電池。
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