WO2004073009A3 - Anlage zur magnetfeldbeeinflussten plasmaprozessierung eines endlosmaterials oder werkstücks - Google Patents

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Abstract

Bei einer Anlage zu einer magnetfeldbeeinflussten Plasmaprozessierung eines Endlosmaterials (1) oder eines Werkstücks, umfassend wenigstens eine evakuierbare Entladungskammer (3a), darin eine Anode (5), die elektrisch isoliert um das Endlosmaterial oder das Werkstück angeordnet ist, eine Einrichtung zur Einstellung einer Gas-Atmosphäre in der wenigstens einen Entladungskammer, eine Energieversorgungseinrichtung zur Bereitstellung einer(s) für eine Gasentladung zwischen dem Endlosmaterial oder dem Werkstück als innere Elektrode und der äusseren Elektrode ausreichenden Spannung bzw. Stroms wird zur Erzielung wesentlich höhere Plasmastromdichten, insbesondere in der Grössenordnung von einem A/cm2, und somit deutlich höhere Prozessgeschwindigkeiten vorgeschlagen, dass zur Erhöhung der erzielbaren Energiedichte der Gasentladung im Bereich der äusseren Elektrode eine Hochleistungsmagnetanordnung (61, 62) zur Erzeugung eines Magnetfelds, insbesondere von wenigstens 50mT, vorzugsweise von wenigstens 100mT, gegebenenfalls von über 400mT angeordnet ist.
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