WO2004080643A1 - レーザ加工方法 - Google Patents

レーザ加工方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2004080643A1
WO2004080643A1 PCT/JP2003/002944 JP0302944W WO2004080643A1 WO 2004080643 A1 WO2004080643 A1 WO 2004080643A1 JP 0302944 W JP0302944 W JP 0302944W WO 2004080643 A1 WO2004080643 A1 WO 2004080643A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
cut
processing
processed
along
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2003/002944
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Fumitsugu Fukuyo
Kenshi Fukumitsu
Naoki Uchiyama
Toshimitsu Wakuda
Kazuhiro Atsumi
Kenichi Muramatsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to PCT/JP2003/002944 priority Critical patent/WO2004080643A1/ja
Priority to DE60315515T priority patent/DE60315515T2/de
Priority to AU2003220847A priority patent/AU2003220847A1/en
Priority to CNA038261308A priority patent/CN1758985A/zh
Priority to US10/548,412 priority patent/US8685838B2/en
Priority to EP03712674A priority patent/EP1609559B1/en
Publication of WO2004080643A1 publication Critical patent/WO2004080643A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1 ns or less
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/60—Preliminary treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/22—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising
    • B28D1/221—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising by thermic methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/023—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor the sheet or ribbon being in a horizontal position
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic materials other than metals or composite materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Definitions

  • the present invention relates to a laser processing method used for cutting an object to be processed such as a semiconductor material substrate, a piezoelectric material substrate, and a glass substrate.
  • the technology described in the above document is an extremely effective technology that can cut the workpiece with high precision along the line to be cut, and therefore cuts the workpiece with higher accuracy starting from the modified region. Technology was desired.
  • an object of the present invention is to provide a laser processing method that can accurately cut an object to be processed along a line to be cut.
  • a laser processing method provides a laser processing method in which a laser beam is radiated to a wafer-like processing object at a focused point, and the inside of the processing object is modified by multiphoton absorption. Forming a region, forming a cutting starting region in the predetermined distance inward from the laser light incident surface of the processing object along the planned cutting line of the processing object by using the modified region, and forming a cutting starting region After the cutting process, the workpiece is irradiated with a laser beam having absorptivity to the workpiece along the line to be cut, and stress is generated at the location where the workpiece is cut along the line to be cut. And a process.
  • a laser beam is focused by adjusting the focal point inside the object to be processed. Irradiation and utilizing the phenomenon of multiphoton absorption, a modified region is formed inside the object to be processed. If there is any starting point at the position where the workpiece is cut, the workpiece can be cut by relatively small force.
  • the processing object is irradiated with a laser beam having absorptivity along the line to be cut, and the processing object is heated, so that the temperature difference is obtained. This causes stress such as thermal stress. This stress allows cracks to grow in the thickness direction of the workpiece starting from the modified region, and allows the workpiece to be broken and cut. Therefore, the workpiece can be cut with a relatively small force such as a thermal stress due to a temperature difference, without generating unnecessary cracks on the surface of the workpiece from the cutting line. High-precision cutting of the workpiece is possible.
  • the modified region is formed by locally generating multiphoton absorption inside the object to be processed. Therefore, since the laser light is hardly absorbed on the surface of the object, the surface of the object is not melted in the step of forming the modified region. Since the intensity of laser light that is absorptive to the workpiece is such that the workpiece is heated and does not melt, the surface of the workpiece melts even in the process of generating stress. There is no.
  • the focal point is a point where the laser light is focused.
  • the line to be cut may be a line actually drawn on the surface or inside of the object to be cut, or a virtual line.
  • irradiating a laser beam having absorptivity to the object along the line to be cut along the line to be cut means not only the irradiation on the line to be cut but also the line to be cut. Includes irradiation near the line.
  • the laser processing method according to the present invention may be arranged such that the focal point at the focal point is 1 ⁇ 10 8 (W / cm 2 ) or more and the focal point is adjusted inside the wafer-shaped processing object.
  • a laser beam is irradiated under a condition of a width of 1 ⁇ s or less to form a modified region including a crack region inside the object to be processed.
  • the peak power density at the focal point 1 X 1 0 8 (W / cm 2) or more and a pulse width of 1 mu s or less The laser light is irradiated under the condition of For this reason, a phenomenon called optical damage occurs due to multiphoton absorption inside the object to be processed. This optical damage induces thermal strain inside the object to be processed, thereby forming a crack region inside the object to be processed. Since this crack region is an example of the modified region and the process of generating stress is the same as that described above, according to this laser processing method, the surface of the workpiece deviates from the line to be melted or cut. Laser processing can be performed without generating unnecessary cracks.
  • An object to be processed by this laser processing method includes, for example, a member containing glass. Note that the peak power density means the electric field strength at the focal point of the pulsed laser light.
  • the laser processing method according to the present invention may be arranged such that the focal point at the focal point is 1 ⁇ 10 8 (W / cm 2 ) or more and the focal point is adjusted inside the wafer-shaped processing object.
  • a laser beam is irradiated under the condition of a width of 1 s or less to form a modified area including a melt-processed area inside the object to be processed, and the modified area is processed along the cutting line of the object to be cut.
  • the focal point is set inside the object to be processed, Is irradiated with laser light under the condition that the peak power density at 1 ⁇ 10 8 (W / cm 2 ) or more and the pulse width is 1 s or less. Therefore, the inside of the object is locally heated by multiphoton absorption. This heating forms a melt processing area inside the object to be processed. Since this melting region is an example of the modified region and the step of causing a stress on the object is the same as that described above, according to this laser processing method, the surface of the object is melted or cut. Laser processing can be performed without causing unnecessary breaks off the scheduled line.
  • An object to be processed by this laser processing method includes, for example, a member containing a semiconductor material.
  • the laser processing method in accordance with the present invention while locating a converging point within the wafer-shaped workpiece, the peak power density is 1 X 1 0 8 at the focal point (W / cm 2) or greater in and pulse A laser beam is irradiated under the condition that the width is less than Ins, and a modified region including a refractive index change region, which is a region where the refractive index has changed, is formed inside the object to be processed.
  • the peak power density at the focal point 1 X 1 0 8 (W / cm 2) or more and a pulse width of less 1 ns The laser beam is irradiated under the conditions. In this way, make the pulse width extremely short
  • the energy due to the multiphoton absorption does not convert to thermal energy, and the ionic valence change, crystallization or polarization orientation, etc., persist inside the object.
  • a structural change is induced to form a refractive index change region.
  • This refractive index change region is an example of the modified region, and the process of causing stress on the object to be processed is equivalent to that described above. Therefore, according to this laser processing method, the surface of the object to be processed is This may cause unnecessary cracks that may come off the melting and cutting lines. In addition, laser processing becomes possible.
  • An object to be processed by this laser processing method is, for example, a member containing glass.
  • the focal point of the laser beam having absorptivity to the object to be processed is adjusted to the surface of the object to be processed.
  • the laser processing method according to the present invention is characterized in that a laser beam is irradiated by aligning a condensing point on a wafer-like processing object fixed to the surface of an expandable holding member, and Forming a modified starting region in the predetermined distance from the laser beam incident surface of the processing object along a line to be cut of the processing object by the modified region; After the step of forming the starting region, a step of irradiating a laser beam having absorptivity to the object along the line to be cut along the line to be cut to cut the object along the line to be cut And a step of separating the respective portions of the cut object by expanding the holding member after the step of cutting the object to be processed.
  • a cutting starting region is formed inside a processing object along a desired line to cut the processing object by a modified region formed by multiphoton absorption.
  • a laser beam having absorptivity to the object to be processed is irradiated on the object to be processed along the line to be cut, thereby generating a crack in the object to be processed starting from the cutting start area and cutting the line to be cut.
  • the object to be machined can be cut with high precision.
  • the holding member to which the workpiece is fixed the respective parts of the workpiece are separated from each other, so that the reliability of cutting the workpiece along the line to be cut is further improved. Can be improved.
  • the laser processing method provides a laser processing method in which a laser beam is irradiated by aligning a converging point inside a wafer-shaped processing object fixed to a surface of an expandable holding member. Forming a modified region inside the object, and forming a cutting starting region inside the object by a predetermined distance from the laser light incident surface of the object along the cut line of the object by the modified region; After the step of forming the cutting starting area, the step of irradiating the processing object with a laser beam having absorptivity to the processing object along the line to be cut, and the step of irradiating the processing object with the laser light.
  • a cutting starting point region can be formed inside the object to be processed along the line to be cut. Then, by irradiating the laser beam having absorptivity to the workpiece along the line to be cut along the cutting line, such irradiation is not performed. Cracks starting from the cutting start region can reach the front and back surfaces of the object. Therefore, the holding member to which the object to be processed is fixed can be expanded with a smaller force, and the object to be processed can be accurately cut along the line to be cut. Moreover, by expanding the holding member, the respective parts of the object to be processed are separated from each other, so that the reliability of cutting the object along the line to be cut can be further improved. it can.
  • the cutting starting point area means an area that becomes a starting point of cutting when the object to be processed is cut. Therefore, the cutting starting point area is a portion of the object to be cut that is to be cut.
  • the cutting start region may be formed by forming the modified region continuously, or may be formed by forming the modified region intermittently. Further, the object to be processed is formed of a semiconductor material, and the modified region may be a melt-processed region.
  • FIG. 1 is a plan view of an object to be processed during laser processing by the laser processing method according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the object illustrated in FIG. 1 along the line II-II.
  • FIG. 3 is a plan view of an object to be processed after laser processing by the laser processing method according to the present embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the object to be processed shown in FIG. 3 along the line IV-IV.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the object illustrated in FIG. 3 taken along line VV.
  • FIG. 6 is a plan view of a processing object cut by the laser processing method according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the electric field intensity and the size of the crack spot in the laser processing method according to the present embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a processing target in a first step of the laser processing method according to the present embodiment.
  • FIG. 9 is a sectional view of an object to be processed in a second step of the laser processing method according to the present embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a processing target in a third step of the laser processing method according to the present embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a processing target in a fourth step of the laser processing method according to the present embodiment.
  • FIG. 12 is a view showing a photograph of a cross section of a part of the silicon wafer cut by the laser processing method according to the present embodiment.
  • FIG. 13 is a graph showing the relationship between the wavelength of the laser beam and the transmittance inside the silicon substrate in the laser processing method according to the present embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic configuration diagram of the laser processing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 15 is a flowchart for explaining the laser processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of a processing target including a crack region during laser processing in the modified region forming step according to the first embodiment.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of a processing target including a crack region during laser processing in the stress process according to the first embodiment.
  • FIG. 18 is a plan view of an object to be processed for explaining a pattern that can be cut by the laser processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 19 is a plan view of a processing target according to the second embodiment.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view illustrating a state where a cutting starting area is formed in the processing target according to the second embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view illustrating a state in which an object to be processed according to Example 2 is irradiated with laser light having absorptivity.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view illustrating a state in which the object to be processed according to the second embodiment is set in the film expanding apparatus.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating a state where the expansion film to which the processing target according to the second embodiment is fixed is expanded.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view illustrating a state in which an object to be processed according to the third embodiment is irradiated with an absorptive laser beam.
  • the modified region is formed by multiphoton absorption.
  • Multiphoton absorption is a phenomenon that occurs when the intensity of laser light is extremely increased. First, multiphoton absorption will be briefly described.
  • the peak power density is obtained by (energy per pulse of laser light at the focal point) ⁇ (beam spot cross-sectional area of laser light X pulse width).
  • the intensity of the laser beam is determined by the electric field intensity (W / cm 2 ) at the laser beam converging point.
  • FIG. 1 is a plan view of the processing target 1 during laser processing
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the processing target 1 shown in FIG. 1 along the line ⁇
  • FIG. 3 is a view after laser processing.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of the workpiece 1 shown in FIG. 3
  • FIG. 5 is a V-V of the workpiece 1 shown in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along a line
  • FIG. 6 is a plan view of the processing target object 1 cut.
  • a cutting line 5 is provided on the surface 3 of the workpiece 1.
  • the planned cutting line 5 is a virtual line extending linearly.
  • the laser light L is irradiated to the processing target 1 with the focal point P being adjusted inside the processing target 1 under the condition where multiphoton absorption occurs, and the modified area 7 is formed. I do.
  • the condensing point is a point where the laser light L is condensed.
  • the focal point P is moved along the cut line 5.
  • the modified region 7 is formed only inside the object 1 along the line 5 to be cut.
  • the laser processing method according to the present embodiment does not form the modified region 7 by causing the processing target 1 to generate heat by absorbing the laser light L.
  • the modified region 7 is formed by transmitting the laser beam L to the object 1 to generate multiphoton absorption inside the object 1. Therefore, since the laser beam L is hardly absorbed on the surface 3 of the object 1, the surface 3 of the object 1 is not melted.
  • the workpiece 1 When cutting the workpiece 1, if there is a starting point at the location to be cut, the workpiece 1 breaks from the starting point, so the workpiece 1 is cut with relatively small force as shown in Fig. 6. can do. Therefore, the workpiece 1 can be cut without generating unnecessary cracks on the surface 3 of the workpiece 1.
  • the following two types of cutting of the workpiece from the modified region can be considered.
  • an artificial force is applied to the workpiece after forming the modified area, the workpiece is cracked starting from the modified area and the workpiece is cut. This is, for example, cutting when the thickness of the object to be processed is large.
  • An artificial force is applied when, for example, a bending stress or a shear stress is applied to a workpiece along a cutting line of the workpiece, or a thermal stress is generated by applying a temperature difference to the workpiece.
  • to generate The other is that, by forming the modified area, the object is cut spontaneously in the cross-sectional direction (thickness direction) of the workpiece starting from the modified area, resulting in cutting of the workpiece Is the case.
  • the thickness of the object to be processed is small, even one modified region is possible, and when the thickness of the object to be processed is large, it is possible to form a plurality of modified regions in the thickness direction.
  • the crack does not advance to the surface on the portion where the reformed region is not formed at the cut point, and only the surface on the portion where the reformed region is formed can be cut. Because it can be done, the cutting can be controlled well.
  • the thickness of semiconductor wafers such as silicon wafers has tended to be reduced, so such a controllable cutting method is very effective.
  • the modified regions formed by multiphoton absorption in the present embodiment include the following (1) to (3).
  • This optical damage induces thermal strain inside the object to be processed, thereby forming a crack region inside the object to be processed.
  • the upper limit of the electric field strength is, for example, 1 ⁇ 10 12 (W / cm 2 ).
  • the pulse width is preferably, for example, from 111 s to 200 ns.
  • the formation of a crack region by multiphoton absorption is described in, for example, “Solid-state lasers” on pages 23 to 28 of the 45th Laser Heating Research Society Transactions (1 February 1998). Internal marking of glass substrate by harmonics ”.
  • the present inventor has experimentally determined the relationship between the electric field strength and the crack size.
  • the experimental conditions are as follows.
  • Processing object Pyrex (registered trademark) glass (thickness 700 ⁇ , outer diameter 4 inches)
  • Light source semiconductor laser pumped Nd: YAG laser
  • FIG. 7 is a graph showing the results of the above experiment.
  • the horizontal axis is the peak power density, and the electric field strength is represented by the peak power density because the laser light is pulsed laser light.
  • the vertical axis indicates the size of the crack spot formed inside the object by one pulse of laser light.
  • the size of the crack spot is the size of the largest part of the shape of the crack spot.
  • the data indicated by the black circles in the graph are for the case where the magnification of the condenser lens (C) is 100 times and the numerical aperture (NA) is 0.80.
  • the data indicated by the white circles in the graph are for the case where the magnification of the condenser lens (C) is 50 times and the numerical aperture (NA) is 0.55. It can be seen that when the peak power density is about 101 1 (W / cm 2 ), a crack spot occurs inside the object to be processed, and the crack spot increases as the peak power density increases.
  • the laser beam L is applied to the processing target 1 by aligning the focal point P inside the processing target 1 under the condition where multiphoton absorption occurs, and the processing target 1 is cut inside along the cutting line.
  • a crack region 9 is formed.
  • the crack area 9 is an area including one or a plurality of crack spots.
  • cracks further grow from the crack region 9 as a starting point, and as shown in FIG. 10, the cracks reach the front surface 3 and the back surface 21 of the workpiece 1, and are processed as shown in FIG.
  • the work 1 is cut when the work 1 is cracked.
  • the crack reaching the front and back surfaces of the workpiece may grow spontaneously, or may grow by applying a force to the workpiece.
  • the electric field intensity at the focal point is 1 X 1 0 8 (W / cm 2) or more and the pulse width Irradiate under 1 as or less condition.
  • the inside of the object to be processed is locally heated by multiphoton absorption. This heating forms a melt-processed area inside the object to be processed.
  • the melt processing area is an area that has once melted and then re-solidified, Region, or a region in which the solidified state changes from a molten state to a solidified state.
  • a melt-processed region can also be referred to as a region in which one structure is changed to another in a single crystal structure, an amorphous structure, or a polycrystalline structure. That is, for example, a region that has changed from a single crystal structure to an amorphous structure, a region that has changed from a single crystal structure to a polycrystalline structure, and a region that has changed from a single crystal structure to a structure that includes an amorphous structure and a polycrystalline structure. I do.
  • the melt processing region has, for example, an amorphous silicon structure.
  • the pulse width is preferably, for example, 1 ns to 200 ns.
  • the present inventors have confirmed through experiments that a melt processing region is formed inside a silicon wafer.
  • the experimental conditions are as follows.
  • Light source semiconductor laser pumped Nd: YAG laser
  • FIG. 1 Transmittance for laser light wavelength: 60% (D) Moving speed of the mounting table on which the object is placed: 10 Omm / sec
  • Figure 12 shows a photograph of a cross section of a part of a silicon wafer cut by laser processing under the above conditions.
  • FIG. A melt processing area 13 is formed inside the silicon wafer 11. The size in the thickness direction of the melt-processed area 13 formed under the above conditions is about 100, _tm.
  • FIG. 13 is a graph showing the relationship between the wavelength of the laser beam and the transmittance inside the silicon substrate. However, the reflection components on the front and back sides of the silicon substrate are removed, and the transmittance is shown only inside. The above relationship was shown for each of the thickness t of the silicon substrate of 50 ⁇ m, 100 ⁇ m 200 ⁇ m, 500 ⁇ m ⁇ , and 100 ⁇ m.
  • the laser beam may transmit more than 80% inside the silicon substrate.
  • the thickness of the silicon wafer 11 shown in FIG. 12 is 350, the melted region 13 due to multiphoton absorption is formed near the center of the silicon wafer, that is, at a portion of 17.5 / m from the surface. .
  • the transmittance in this case is 90% or more with reference to a silicon wafer having a thickness of 200 ⁇ , so that the laser beam is slightly absorbed inside the silicon wafer 11 and almost all I do.
  • melt processing region 13 was formed by multiphoton absorption.
  • the formation of a melt-processed region by multiphoton absorption is described in, for example, “Picosecond pulse laser” on page 72 to page 73 of the Welding Society of Japan Annual Meeting Summary Vol. 66 (Apr. 2000). Evaluation of silicon processing characteristics ”.
  • the silicon wafer is cracked in the cross-section direction starting from the melt processing area, and the crack reaches the front and back surfaces of the silicon wafer, resulting in cutting.
  • This crack that reaches the front and back surfaces of the silicon wafer In some cases, the length of the workpiece may increase, and in other cases, the workpiece may grow when a force is applied to the workpiece. In the case where cracks naturally grow on the front and back surfaces of the wafer from the melted region, cracks grow from the melted region or grow when the solidified region is re-solidified from the melted state. There are both cases. However, also in these cases, the melt processing region is formed only inside the wafer, and the cut surface after cutting has the melt processing region formed only inside as shown in FIG. In the case of forming a melt-processed area inside the object to be processed, unnecessary cracks coming off the line to be cut are unlikely to occur at the time of cutting, so that the cutting control becomes easy.
  • the combined inside the focal point of the laser beam processing object e.g., glass
  • the pulse width is extremely short and multiphoton absorption occurs inside the object, the energy due to the multiphoton absorption does not convert to thermal energy, and the ionic valence changes inside the object, A permanent structural change such as crystallization or polarization orientation is induced to form a refractive index change region.
  • the upper limit of the electric field strength is, for example, IX 10 12 (W / cm 2 ).
  • the pulse width is preferably, for example, 1 ns or less, more preferably lps or less.
  • the formation of the refractive index change region by multiphoton absorption is described in, for example, “The 4th and 2nd Laser Thermal Processing Research Society Transactions” (1997. Photo-induced structure formation inside glass by femtosecond laser
  • the cases (1) to (3) have been described as the modified regions formed by multiphoton absorption.
  • the cutting starting region is taken into consideration in consideration of the crystal structure of the wafer-shaped object to be processed and its cleavage. Is formed as described below, it is possible to cut the object to be processed with a smaller force and with higher accuracy starting from the cutting starting point region.
  • the direction along the (111) plane (first cleavage plane) or the (110) plane (second cleavage plane) It is preferable to form a cutting starting area at the bottom.
  • a substrate made of a Group III-V compound semiconductor having a zinc blende structure such as GaAs it is preferable to form a cutting start region in a direction along the (110) plane.
  • a substrate having a crystal structure of hexagonal cubic crystal system such as sapphire (A 1 2 0 3), (000 1) plane (C plane) as a principal plane (1 1 20) plane (A plane) or It is preferable to form a cutting starting area in a direction along the (1 100) plane (M plane).
  • the substrate may be formed along a direction in which the above-mentioned cutting start region is to be formed (for example, a direction along the (111) plane of the single crystal silicon substrate) or a direction perpendicular to the direction in which the cutting starting region should be formed.
  • a direction in which the above-mentioned cutting start region is to be formed for example, a direction along the (111) plane of the single crystal silicon substrate
  • a direction perpendicular to the direction in which the cutting starting region should be formed for example, a direction along the (111) plane of the single crystal silicon substrate
  • the orientation flat is formed on the substrate, it is possible to easily and accurately form a cutting starting area along the direction in which the cutting starting area is to be formed on the substrate by using the orientation flat as a reference.
  • Example 1 of the present invention will be described.
  • the laser processing method according to the first embodiment includes a modified region forming step of forming a modified region by multiphoton absorption inside a processing object, and a stress step of generating a stress at a position where the processing object is cut.
  • a laser processing apparatus 100 includes a laser light source 101 that generates a laser light L, and a laser light source control unit 102 that controls a laser light source 101 to adjust the output and pulse width of the laser light.
  • a dichroic mirror 103 having a function of reflecting the laser beam L and arranged so as to change the direction of the optical axis of the laser beam L by 90 °, and condensing the laser beam L reflected by the dichroic mirror 103
  • a stage control unit 115 for controlling the movement.
  • the object 1 to be processed is Pyrex (registered trademark) glass wafer.
  • the Z-axis direction is a direction orthogonal to the surface 3 of the processing target 1, it is the direction of the depth of focus of the laser light L incident on the processing target 1. Therefore, by moving the Z-axis stage 113 in the Z-axis direction, the focal point P of the laser beam L can be adjusted inside the object 1 to be processed.
  • the movement of the focal point P in the X (Y) axis direction is performed by moving the workpiece 1 in the X (Y) axis direction by the X (Y) axis stage 109 (1 1 1). Do.
  • the laser light source 101 is an Nd: YAG laser that generates pulsed laser light.
  • Nd YV 0 4 Les Ichizaya N d: is a YLF laser.
  • the laser light source it is preferable to use the above-mentioned laser light source when forming a crack region and a melting process region, and it is preferable to use a titanium sapphire laser when forming a refractive index changing region.
  • a pulse laser beam is used for processing the processing target 1.
  • a continuous wave laser beam may be used as long as multiphoton absorption can be caused.
  • the laser processing apparatus 100 further includes an observation light source 1 17 for generating visible light to illuminate the processing target 1 placed on the mounting table 107 with visible light, and a dike port mirror 100. 3 and a visible light beam splitter 1 19 disposed on the same optical axis as the condenser lens 105.
  • a dichroic mirror 103 is arranged between the beam splitter 1 19 and the focusing lens 105.
  • the beam splitter 119 has a function of reflecting about half of visible light and transmitting the other half, and is arranged so as to change the direction of the optical axis of visible light by 90 °.
  • the laser processing device 100 further includes a beam splitter 1 19, a dichroic mirror 103, and an image sensor 122 and an imaging lens arranged on the same optical axis as the condensing lens 105. 1 2 3 is provided.
  • An example of the imaging device 121 is a CCD (charge-coupled device) camera.
  • the reflected visible light illuminating the surface 3 including the line 5 to be cut passes through the condenser lens 105, the dichroic mirror 103, and the beam splitter 119, and passes through the imaging lens 123.
  • An image is formed and imaged by the image sensor 122 to become imaged data.
  • the laser processing device 100 further includes an imaging data processing unit 125 to which the imaging data output from the imaging element 122 is input, and an overall control unit 127 that controls the entire laser processing device 100. And a monitor 12 9.
  • the imaging data processing section 125 calculates focus data for focusing the visible light generated by the observation light source 117 on the surface 3 based on the imaging data.
  • the stage controller 115 controls the movement of the Z-axis stage 113 based on the focus data, so that the visible light is focused on the surface 3. Therefore, the imaging data processing unit 125 functions as an autofocus unit.
  • the focal point of the visible light coincides with the focal point of the laser light L.
  • the imaging data processing unit 125 calculates image data such as an enlarged image of the front surface 3 based on the imaging data. This image data is sent to the overall control unit 127, where various processes are performed and sent to the monitor 127. As a result, an enlarged image or the like is displayed on the monitor 129.
  • the overall control unit 127 receives data from the stage control unit 115, image data from the imaging data processing unit 125, and the like. Based on these data, the laser light source control unit 102, The entire laser processing apparatus 100 is controlled by controlling the observation light source 117 and the stage control unit 115. Therefore, the overall control unit 127 functions as a convenience unit.
  • the absorptive laser irradiation device used in the stress process is the same as that of the above-described laser processing.
  • the laser light source of the absorbable laser irradiating apparatus generates a continuous wave laser beam, a wavelength was used 1 0. C_ ⁇ 2 laser 6 ⁇ ⁇ . This is because Pyrex (registered trademark) has absorptivity for the processing object 1 which is a glass wafer.
  • the laser light generated by this laser light source is referred to as “absorptive laser light”.
  • the beam quality is TEM. .
  • the polarization characteristic is linearly polarized light.
  • the output of the laser light source is set to 10 W or less so that the processing target 1 is heated and does not melt.
  • the dichroic mirror of the absorptive laser irradiator has the function of reflecting the absorptive laser light and the direction of the optical axis of the absorptive laser light is 90. It is arranged to change.
  • FIG. 15 is a flowchart for explaining the laser processing method.
  • the light absorption characteristics of the processing target 1 are measured by a spectrophotometer (not shown) or the like. Based on the measurement results, a laser light source 101 that generates a laser beam L having a transparent wavelength or a wavelength with little absorption for the processing target 1, and an absorption of an absorbing wavelength for the processing target 1.
  • a laser light source that generates an absorptive laser beam is selected and set to a laser processing apparatus 100 and an absorptive laser irradiation apparatus, respectively (S101).
  • the thickness of the workpiece 1 is measured.
  • the moving amount of the object 1 in the laser processing apparatus 100 in the Z-axis direction is determined (S103). This is because, in order to position the focal point P of the laser beam L inside the workpiece 1, the workpiece 1 is positioned with respect to the focal point of the laser beam L located on the surface 3 of the workpiece 1. This is the amount of movement in the Z-axis direction. This movement amount is input to the overall control unit 127 of the laser processing apparatus 100 used in the modified region forming step.
  • the workpiece 1 is placed on the mounting table 107 of the laser processing apparatus 100 (S104). Then, visible light is generated from the observation light source 1 17 to illuminate the processing target 1 (S 105). Image sensor for surface 3 of workpiece 1 including illuminated cutting line 5 Take an image with 1 2 1. This imaging data is sent to the imaging data processing unit 125. Based on the image data, the image data processing section 125 calculates focus data such that the focus of the visible light of the observation light source 117 is located on the surface 3 (S107).
  • This focus data is sent to the stage control unit 115.
  • the stage controller 1 15 moves the Z-axis stage 113 in the Z-axis direction based on the focus data (S 1
  • the imaging data processing unit 125 calculates the enlarged image data of the surface 3 of the object 1 to be cut including the cutting line 5 based on the imaging data. This enlarged image data is sent to the monitor 12 9 via the overall control unit 127, whereby an enlarged image near the line 5 to be cut is displayed on the monitor 12 9.
  • the movement amount data determined in step S103 is input to the overall control unit 127 in advance, and the movement amount data is sent to the stage control unit 115. Based on the movement amount data, the stage controller 1 15 moves the work 1 to the Z-axis by the Z-axis stage 1 13 at the position where the focal point P of the laser beam L is inside the work 1. In the direction (S111).
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the processing target 1 including a crack region 9 during laser processing in the modified region forming step. As shown in the figure, since the focal point P of the laser beam L is located inside the object 1, the crack region 9 is formed only inside the object 1. Then, the X-axis stage 109 and the Y-axis stage 111 are moved along the cut line 5 to form the crack region 9 inside the workpiece 1 along the cut line 5. (S111).
  • the object 1 to be processed is conveyed to the mounting table 107 of the absorptive laser irradiation device and set there (S115). Since the crack region 9 in the modified region forming step is formed only inside the processing target 1, the processing target The work 1 does not fall apart, so that the work 1 can be easily transported.
  • the work 1 is illuminated in step 117 and the visible light of the observation light source in step 119 Calculates focus data such that the focal point of the object 1 is located on the surface 3 of the object 1, and moves the object 1 in the Z axis so that the focal point is located on the surface 3 of the object 1 in step 121.
  • step 117, step 119, and step 121 are described in step 105, step 107, and step 109 in the laser processing apparatus 100 described above, respectively. It is the same.
  • an absorptive laser beam is generated from the laser light source of the absorptive laser irradiator, and the absorptive laser beam is applied to the cut line 5 of the surface 3 of the workpiece 1.
  • This irradiation may be irradiation to the vicinity of the line 5 to be cut.
  • the X-axis stage and the Y-axis stage of the absorptive laser irradiator are moved along the line 5 to be cut, and the workpiece 1 is heated along the line 5 to be cut.
  • a stress such as a thermal stress due to a temperature difference is generated at a position where the workpiece 1 is cut along 5 (S123).
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a processing target 1 including As shown in the figure, the irradiation with the absorptive laser beam causes cracks to grow further starting from the crack region 9 and reach the front surface 3 and the back surface 21 of the object 1 to be cut into the object 1. The surface 10 is formed and the object 1 is cut (S125). As a result, the workpiece 1 is divided into silicon chips.
  • the bending stress and the shear stress By applying an artificial force such as that described above, the workpiece can be broken and cut. Since this artificial force is sufficient with a smaller force, it is possible to prevent the generation of unnecessary cracks off the cutting line on the surface of the workpiece.
  • the pulse laser beam L is irradiated to the line 5 to be cut under the conditions that cause multiphoton absorption and the focusing point P is set inside the object 1 to be processed.
  • the focal point P is moved along the line 5 to be cut.
  • a modified region for example, a crack region, a melt processing region, a refractive index change region
  • the workpiece can be cut by relatively small force.
  • the workpiece 1 in the stress process, is irradiated with the absorptive laser beam along the line 5 to be cut, thereby causing stress such as thermal stress due to a temperature difference. Therefore, the workpiece 1 can be cut with a relatively small force such as a stress such as a thermal stress due to a temperature difference. As a result, the object 1 can be cut without generating unnecessary cracks off the cutting line 5 on the surface 3 of the object 1.
  • the pulse laser light L is adjusted under the condition that multi-photon absorption occurs in the processing target 1 and the focusing point P is set inside the processing target 1.
  • Laser beam L passes through the workpiece 1 and The pulse laser beam L is hardly absorbed on the surface 3 of the target 1.
  • the intensity of the absorptive laser beam is such that the workpiece 1 is heated and does not melt. Therefore, the surface 3 is not damaged by the laser beam irradiation such as melting.
  • the processing target 1 can be cut without causing unnecessary cracks or melting off the cutting target line 5 on the surface 3 of the processing target 1. Therefore, when the object to be processed 1 is, for example, a semiconductor wafer, the semiconductor chip can be cut out from the semiconductor wafer without generating unnecessary cracks or melting off the line to be cut in the semiconductor chip.
  • a processing object having an electrode pattern formed on the surface or a processing object having an electronic device formed on the surface, such as a glass substrate on which a display device such as a piezoelectric element wafer or liquid crystal is formed. You. Therefore, according to the first embodiment, the yield of products (for example, display devices such as semiconductor chips, piezoelectric device chips, and liquid crystals) manufactured by cutting the object to be processed can be improved.
  • the line 5 to be cut on the surface 3 of the workpiece 1 is not melted, so the width of the line 5 to be cut (this width is, for example, a semiconductor chip in the case of a semiconductor wafer). This is the distance between the regions.) As a result, the number of products manufactured from one processing object 1 increases, and the productivity of the products can be improved.
  • the dicing tool using the diamond cutter can also perform complicated processing. For example, as shown in FIG. 18, even if the line 5 to be cut has a complicated shape, cutting can be performed.
  • FIGS. 20 to 23 are partial cross-sectional views of the workpiece 1 shown in FIG. 19 along the line XX-XX.
  • an expandable expansion film (holding member) 19 is attached to the back surface 21 of the object 1 and the expansion film 19 is attached to the front surface 19 a of the expansion film 19.
  • Workpiece 1 is fixed.
  • the outer peripheral portion of the extension film 19 is attached to a ring-shaped film fixing frame 20, and is fixed to the film fixing frame 20.
  • the object to be processed 1 is a silicon wafer having a thickness of 100 ⁇ .
  • the unit U composed of the processing object 1, the extension film 19, and the film fixing frame 20 is placed on the mounting table 107 of the laser processing apparatus 100, for example, on the surface of the processing object 1, It is placed so that the 3 side faces the condenser lens 105. Then, the film fixing frame 20 is fixed to the mounting table 107 by the holding member 107a, and the extension film 19 is vacuum-adsorbed to the mounting table 107.
  • the planned cutting lines 5 extending in a direction parallel to and perpendicular to the orientation flat 16 of the workpiece 1 are set in a grid pattern.
  • the line to be cut is set between a circuit element formed on the wafer and a device forming surface 700 including functional elements such as a light receiving surface.
  • the device formation surface 700 is shown only partially.
  • the laser beam L1 is irradiated with the focal point P1 aligned with the inside of the workpiece 1, and the focal point P1 is cut along the line 5 to be cut.
  • the modified region 7 is formed inside the object 1 to be processed.
  • a cutting starting point region 8 is formed along the scheduled cutting line 5 inside a predetermined distance from the surface (laser light incident surface) 3 of the processing object 1. Since the object to be processed 1 is a silicon wafer, a melt-processed area is formed as the modified area 7.
  • the converging point P 2 is aligned with the surface 3 of the processing target 1, and the processing target 1 is irradiated with an absorptive laser beam L 2, and the light is collected.
  • the point P 2 is moved along the cut line 5.
  • cracks 24 occur starting from the cutting start point region 8, and the cracks 24 reach the front surface 3 and the back surface 21 of the workpiece 1.
  • workpiece 1 is Along the chip is divided into 25.
  • the main cause of such cracks 24 is that the workpiece 1 is heated along the line 5 to be cut by the irradiation of the laser beam L2, and thermal stress is generated in the workpiece 1.
  • irradiation of the laser beam L2 causes minute cracks or distortion in the interface between the modified region 7 and the non-modified region of the workpiece 1 (the part other than the modified region 7 in the workpiece 1).
  • These cracks and strains cause a tensile stress that causes the cracks to propagate toward the irradiated part of the laser beam L2 as a heating source, and the cracks and strains form the modified region 7 to the front surface 3 or the back surface 21. And cracks 24 occur.
  • Example 2 laser light having a wavelength of 808 nm and an output of about 4 W was used as the laser light L2, and a laser diode was used as the light source.
  • the beam diameter at the focal point P 2 was set to about 200 m. According to the irradiation of the laser beam L2, the workpiece 1 can be heated while preventing the surface 3 of the workpiece 1 from melting. Then, as the beam diameter at the focal point P2 is reduced, the object 1 can be more accurately divided along the line 5 to be cut. Also, by narrowing the beam diameter, laser irradiation can be performed only between the device forming surfaces formed on the wafer surface, so that the device forming surface can be protected without irradiating unnecessary laser light L2.
  • the unit U After cutting the workpiece 1 into a plurality of chips 25, the unit U is transported to the film expansion device 200. As shown in FIG. 22, the unit U has a film fixing frame 20 sandwiched between a ring-shaped receiving member 201 and a ring-shaped pressing member 202, and is fixed to the film expanding device 200. Is done. Then, a columnar pressing member 203 arranged inside the receiving member 201 is pressed against the back surface 19 b of the expansion film 19 from below the cutout U, and further, FIG. The pressing member 203 is raised as shown in FIG. As a result, the contact portions of the chips 25 in the extension film 19 are expanded outward, and the chips 25 are separated from each other, so that the chips 25 can be easily and reliably picked up. Will be possible.
  • the cutting starting region 8 is formed inside the workpiece 1 along the planned cutting line 5 by the modified region 7 formed by multiphoton absorption. can do. Then, by irradiating the laser beam L 2 having absorptivity to the processing object 1 to the processing object 1 along the planned cutting line 5, the processing object 1 is started from the cutting starting point area 5. Cracks 24 are generated, and the workpiece 1 can be accurately cut along the cut line 5. Moreover, since the chips 25 are separated by extending the extension film 19 to which the workpiece 1 is fixed, the reliability of cutting the workpiece 1 along the line 5 to be cut is further improved. It can be further improved.
  • FIG. 24 is a partial cross-sectional view of the object 1 shown in FIG. 19, taken along the line XX—XX.
  • a unit U including a processing object 1, an extension film 19, and a film fixing frame 20 is prepared, and the inside of the processing object 1 is converted into the processing object 1 using, for example, the laser processing apparatus 100 described above.
  • the quality region 7 is formed, and the modified starting region 7 forms a cutting starting point region 8 along the planned cutting line 5 inside a predetermined distance from the surface 3 of the workpiece 1.
  • the object to be processed 1 is a silicon wafer having a thickness of 300 ⁇ .
  • the focusing point ⁇ 2 is aligned with the surface 3 of the object 1 to be processed.
  • the processing target 1 is irradiated with the laser beam L 2 having absorptivity, and the focal point ⁇ 2 is moved along the line 5 to be cut.
  • the irradiation of the laser beam L2 cracks 24 are generated starting from the cutting start point region 8.
  • the thickness (300 m) of the workpiece 1 of the third embodiment is thicker than the thickness (100 ⁇ ) of the workpiece 1 of the second embodiment, It does not reach the front surface 3 and the back surface 21 of the object 1 but stays inside the object 1.
  • the irradiation conditions of the laser beam L2 were the same as in Example 2. is there.
  • the unit U is transported to the film extending device 200.
  • the pressing member 203 is pressed against the back surface 19b of the expansion film 19 from below the unit U, and the pressing member 203 is further raised.
  • the contact portion of the processing object 1 in the extension film 19 is extended outward.
  • the tip of the slit 24 in the processing object 1 reaches the front surface 3 and the back surface 21 of the processing object 1, and the processing object 1 moves to the cutting line 5.
  • the plurality of chips 25, and the chips 25 are separated from each other.
  • the cutting starting region 8 is formed inside the workpiece 1 along the line 5 to be cut. can do.
  • the laser beam L 2 having absorptivity to the processing object 1 along the line 5 to be cut
  • the force can cause the cracks 24 starting from the cutting starting point region 8 to reach the front surface 3 and the back surface 21 of the workpiece 1. Therefore, the expansion film 19 to which the processing object 1 is fixed can be expanded with a smaller force, and the processing object 1 can be cut accurately along the planned cutting line 5.
  • the chips 24 are separated from each other, so that it is possible to further improve the reliability of cutting the workpiece 1 along the line 5 to be cut. it can.
  • the present invention is not limited to Embodiments 1 to 3 described above.
  • the material of Workpiece 1 and its absorbability to Workpiece 1 The following is preferable as the type of the laser beam L2. That is, when the object 1 to be processed is a silicon wafer or a GaAs-based wafer, it is preferable to use a laser beam having a wavelength of 500 nm to 100 nm as the laser beam L2. Specifically, it is a second harmonic of a YAG laser (wavelength: 532 nm), a GaAs semiconductor laser (wavelength: 780 nm or 808 nm), an Nd-doped fiber laser (wavelength: 1 nm). 0 6 0 ⁇ m).
  • C_ ⁇ 2 laser (wavelength 1 0. 6 ⁇ ⁇ )
  • CO laser (with a wavelength of about 5. 5 mu m)
  • hydrogen fluoride laser (wavelength: about 2. 9 ⁇ ⁇ ), and the like.
  • the cracks 24 generated by the irradiation of the laser beam L2 may reach either the front surface 3 or the back surface 21 of the object 1.
  • Such control can be achieved by forming the modified region 7 by being deviated from the center position in the thickness direction of the workpiece 1 to either the front surface 3 or the back surface 21.
  • the cracks 24 reach the surface of the workpiece 1 on the side of the extension film 19 by the irradiation of the laser beam L2
  • the cutting accuracy of the workpiece 1 by the extension of the extension film 19 is further improved.
  • "forming the modified region 7 by deviating from the center position in the thickness direction of the workpiece 1 to the surface 3 side of the workpiece 1" means that the modified region 7 forming the cutting starting point region 8 is formed.
  • the region 7 is formed so as to be deviated from the position of half the thickness in the thickness direction of the workpiece 1 to the surface 3 side.
  • this means a case where the center position of the width of the modification area 7 in the thickness direction of the workpiece 1 is offset from the center position in the thickness direction of the processing object 1 toward the surface 3.
  • this is not limited to the case where all the portions of the modified region 7 are located on the front surface 3 side with respect to the center position in the thickness direction of the workpiece 1.
  • the modified region 7 is formed by being deviated toward the back surface 21 side of the object 1 to be processed.
  • the above-described irradiation of the laser beam L2 is irradiation on the line 5 to be cut.
  • irradiation to the vicinity of the line 5 to be cut may be performed.
  • the position of the focal point P 2 of the laser beam L 2 does not have to be on the surface 3 of the processing target 1.
  • the object to be processed can be accurately cut along the line to be cut.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

切断予定ラインに沿って加工対象物を精度良く切断することのできるレーザ加工方法を提供する。多光子吸収により形成される改質領域７によって、切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に切断起点領域８を形成する。その後、加工対象物１に対して吸収性を有するレーザ光Ｌ２を切断予定ライン５に沿って加工対象物１に照射することで、切断起点領域５を起点として加工対象物１に割れ２４を発生させ、切断予定ライン５に沿って加工対象物１を精度良く切断することができる。しかも、加工対象物１が固定された拡張フィルム１９を拡張させることで、各チップ２５が離間することになるため、切断予定ライン５に沿った加工対象物１の切断の確実性をより一層向上させることができる。

Description

5¾糸田 »
レーザ加工方法
技術分野
本発明は、 半導体材料基板、 圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断 に使用されるレーザ加工方法に関する。
背景技術
従来におけるこの種の技術を開示する文献として、 国際公開第 0 2 / 2 2 3 0 1号パンフレットを例示することができる。 この文献の明細書には、 レーザ光を 照射することにより加工対象物の内部に切断予定ラインに沿って改質領域を形成 し、 この改質領域を起点として加工対象物を切断する技術が記載されている。 発明の開示
上記文献記載の技術は、 加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断す ることのできる極めて有効な技術であるため、 改質領域を起点として加工対象物 をより一層高精度に切断する技術が望まれていた。
そこで、 本発明は、 このような事情に鑑みてなされたものであり、 切断予定ラ ィンに沿って加工対象物を精度良く切断することのできるレーザ加工方法を提供 することを目的とする。
上記目的を達成するために、 本発明に係るレーザ加工方法は、 ウェハ状の加工 対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、 加工対象物の内部に多光子 吸収による改質領域を形成し、 この改質領域によって、 加工対象物の切断予定ラ インに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形 成する工程と、 切断起点領域を形成する工程後、 加工対象物に対して吸収性を有 するレーザ光を切断予定ラィンに沿つて加工対象物に照射し、 切断予定ラインに 沿って加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる工程とを備えること を特徴とする。
このレーザ加ェ方法によれば、 加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光 を照射しかつ多光子吸収という現象を利用することにより、 加工対象物の内部に 改質領域を形成している。 加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、 加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。 このレーザ加工方 法によれば、 改質領域を形成した後、 加工対象物に対して吸収性を有するレーザ 光を切断予定ラインに沿って照射し、 加工対象物を加熱することで、 温度差によ る熱応力等のストレスを生じさせる。 このストレスにより、 改質領域を起点とし て加工対象物の厚さ方向にクラックを成長させ、 加工対象物を割って切断するこ とが可能となる。 よって、 温度差による熱応力等のストレスといった比較的小さ な力で加工対象物を切断することができるので、 加工対象物の表面に切断予定ラ インから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の高精度な切断が 可能となる。
さらに、 このレーザ加工方法によれば、 加工対象物の内部に局所的に多光子吸 収を発生させて改質領域を形成している。 よって、 加工対象物の表面ではレーザ 光がほとんど吸収されないので、 改質領域を形成する工程において、 加工対象物 の表面が溶融することはない。 そして、 加工対象物に対して吸収性を有するレー ザ光の強度は、 加工対象物を加熱しかつ溶融させない程度であるため、 ストレス を生じさせる工程においても、 加工対象物の表面が溶融することはない。
なお、 集光点とはレーザ光が集光した箇所のことである。 切断予定ラインは加 ェ対象物の表面や内部に実際に引かれた線でもよいし、 仮想の線でもよい。 また 、 ス トレスを生じさせる工程において、 加工対象物に対して吸収性を有するレー ザを切断予定ラインに沿って加工対象物に照射するとは、 切断予定ライン上への 照射のみならず、 切断予定ライン近傍への照射をも含む。
また、 本発明に係るレーザ加工方法は、 ウェハ状の加工対象物の内部に集光点 を合わせて、 集光点におけるピークパワー密度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2 ) 以上で かつパルス幅が 1 μ s以下の条件でレーザ光を照射し、 加工対象物の内部にクラ ック領域を含む改質領域を形成し、 この改質領域によって、 加工対象物の切断予 定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域 を形成する工程と、 切断起点領域を形成する工程後、 加工対象物に対して吸収性 を有するレーザ光を切断予定ラインに沿つて加工対象物に照射し、 切断予定ラィ ンに沿って加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる工程とを備える ことを特徴とする。
このレーザ加工方法によれば、 加工対象物の内部に集光点を合わせて、 集光点 におけるピークパワー密度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2 ) 以上でかつパルス幅が 1 μ s以下の条件でレーザ光を照射している。 このため、 加工対象物の内部では多光 子吸収による光学的損傷という現象が発生する。 この光学的損傷により加工対象 物の内部に熱ひずみが誘起され、 これにより加工対象物の内部にクラック領域が 形成される。 このクラック領域は上記改質領域の一例でありかつストレスを生じ させる工程は上述したものと同等であるので、 このレーザ加工方法によれば、 加 ェ対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させるこ となく、 レーザ加工が可能となる。 このレーザ加工方法の加工対象物としては、 例えば、 ガラスを含む部材がある。 なお、 ピークパワー密度とは、 パルスレーザ 光の集光点の電界強度を意味する。
また、 本発明に係るレーザ加工方法は、 ウェハ状の加工対象物の内部に集光点 を合わせて、 集光点におけるピークパワー密度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2 ) 以上で かつパルス幅が 1 s以下の条件でレーザ光を照射し、 加工対象物の内部に溶融 処理領域を含む改質領域を形成し、 この改質領域によって、 加工対象物の切断予 定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域 を形成する工程と、 切断起点領域を形成する工程後、 加工対象物に対して吸収性 を有するレーザ光を切断予定ラインに沿って加工対象物に照射し、 切断予定ライ ンに沿つて加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる工程とを備える ことを特徴とする。
このレーザ加工方法によれば、 加工対象物の内部に集光点を合わせて、 集光点 におけるピークパワー密度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2) 以上でかつパルス幅が 1 s以下の条件でレーザ光を照射している。 よって、 加工対象物の内部は多光子吸 収によって局所的に加熱される。 この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領 域が形成される。 この溶融処理領域は上記改質領域の一例でありかつ加工対象物 にストレスを生じさせる工程は上述したものと同等であるので、 このレーザ加工 方法によれば、 加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割 れを発生させることなく、 レーザ加工が可能となる。 このレーザ加工方法の加工 対象物としては、 例えば、 半導体材料を含む部材がある。
また、 本発明に係るレーザ加工方法は、 ウェハ状の加工対象物の内部に集光点 を合わせて、 集光点におけるピークパワー密度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2 ) 以上で かつパルス幅が I n s以下の条件でレーザ光を照射し、 加工対象物の内部に屈折 率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成し、 この改質領域 によって、 加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物のレーザ光入射面か ら所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、 切断起点領域を形成する工程 後、 加工対象物に対して吸収性を有するレーザ光を切断予定ラインに沿って加工 対象物に照射し、 切断予定ラインに沿って加工対象物が切断される箇所にス トレ スを生じさせる工程とを備えることを特徴とする。
このレーザ加工方法によれば、 加工対象物の内部に集光点を合わせて、 集光点 におけるピークパワー密度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2) 以上でかつパルス幅が 1 n s以下の条件でレーザ光を照射している。 このようにパルス幅を極めて短くして
、 多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、 多光子吸収によるエネルギー が熱エネルギーに転化せずに、 加工対象物の内部にはイオン価数変化、 結晶化又 は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。 こ の屈折率変化領域は上記改質領域の一例でありかつ加工対象物にス トレスを生じ させる工程は上述したものと同等であるので、 このレーザ加工方法によれば、 加 ェ対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させるこ となく、 レーザ加工が可能となる。 このレーザ加工方法の加工対象物としては、 例えば、 ガラスを含む部材である。
また、 加ェ対象物に対して吸収性を有するレーザ光の集光点は、 加工対象物の 表面に合わされることが好ましい。 これにより、 改質領域を起点としてより一層 精度良く割れを発生させることができ、 切断予定ラインに沿つて加ェ対象物をよ り一層精度良く切断することが可能になる。
また、 本発明に係るレーザ加工方法は、 拡張可能な保持部材の表面に固定され たウェハ状の加ェ対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、 加ェ対象 物の内部に改質領域を形成し、 この改質領域によって、 加工対象物の切断予定ラ ィンに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形 成する工程と、 切断起点領域を形成する工程後、 加工対象物に対して吸収性を有 するレーザ光を切断予定ラインに沿って加工対象物に照射することで、 切断予定 ラインに沿って加工対象物を切断する工程と、 加ェ対象物を切断する工程後、 保 持部材を拡張させることで、 切断された加工対象物のそれぞれの部分を離間させ る工程とを備えることを特徴とする。
このレーザ加工方法においては、 多光子吸収により形成される改質領域によつ て、 加工対象物を切断すべき所望の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に 切断起点領域を形成することができる。 そして、 加工対象物に対して吸収性を有 するレーザ光を切断予定ラインに沿つて加ェ対象物に照射することで、 切断起点 領域を起点として加工対象物に割れを発生させ、 切断予定ラインに沿って加工対 象物を精度良く切断することができる。 しかも、 加工対象物が固定された保持部 材を拡張させることで、 加工対象物のそれぞれの部分が離間することになるため 、 切断予定ラインに沿った加工対象物の切断の確実性をより一層向上させること ができる。
また、 本発明に係るレーザ加工方法は、 拡張可能な保持部材の表面に固定され たウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、 加工対象 物の内部に改質領域を形成し、 この改質領域によって、 加工対象物の切断予定ラ ィンに沿って加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形 成する工程と、 切断起点領域を形成する工程後、 加工対象物に対して吸収性を有 するレーザ光を切断予定ラインに沿って加工対象物に照射する工程と、 加工対象 物に照射する工程後、 保持部材を拡張させることで、 加工対象物を切断し、 かつ 切断された加ェ対象物のそれぞれの部分を離間させる工程とを備えることを特徴 とする。
このレーザ加ェ方法においては、 上述したレーザ加工方法と同様に、 切断予定 ラインに沿つて加工対象物の内部に切断起点領域を形成することができる。 そし て、 加工対象物に対して吸収性を有するレーザ光を切断予定ラインに沿って加工 対象物に照射することで、 このような照射を行わなレ、場合に比べて小さな力によ つて、 切断起点領域を起点とした割れを加工対象物の表面と裏面とに到達させる ことができる。 したがって、 加工対象物が固定された保持部材をより小さな力で 拡張させることができ、 切断予定ラインに沿って加工対象物を精度良く切断する ことが可能になる。 しかも、 この保持部材を拡張させることで、 加工対象物のそ れぞれの部分が離間することになるため、 切断予定ラィンに沿つた加工対象物の 切断の確実性をより一層向上させることができる。
なお、 切断起点領域とは、 加工対象物が切断される際に切断の起点となる領域 を意味する。 したがって、 切断起点領域は、 加工対象物において切断が予定され る切断予定部である。 そして、 切断起点領域は、 改質領域が連続的に形成される ことで形成される場合もあるし、 改質領域が断続的に形成されることで形成され る場合もある。 また、 加工対象物は半導体材料により形成され、 改質領域は溶融 処理領域である場合がある。
図面の簡単な説明
図 1は、 本実施形態に係るレーザ加工方法によってレーザ加工中の加工対象物 の平面図である。 図 2は、 図 1に示す加工対象物の II— II線に沿った断面図である。
図 3は、 本実施形態に係るレーザ加工方法によるレーザ加工後の加工対象物の 平面図である。
図 4は、 図 3に示す加ェ対象物の IV - IV線に沿つた断面図である。
図 5は、 図 3に示す加工対象物の V— V線に沿った断面図である。
図 6は、 本実施形態に係るレーザ加工方法によって切断された加工対象物の平 面図である。
図 7は、 本実施形態に係るレーザ加工方法における電界強度とクラックスポッ トの大きさとの関係を示すグラフである。
図 8は、 本実施形態に係るレーザ加工方法の第 1工程における加工対象物の断 面図である。
図 9は、 本実施形態に係るレーザ加工方法の第 2工程における加工対象物の断 面図である。
図 1 0は、 本実施形態に係るレーザ加工方法の第 3工程における加工対象物の 断面図である。
図 1 1は、 本実施形態に係るレーザ加工方法の第 4工程における加工対象物の 断面図である。
図 1 2は、 本実施形態に係るレーザ加工方法により切断されたシリコンウェハ の一部における断面の写真を表した図である。
図 1 3は、 本実施形態に係るレーザ加工方法におけるレーザ光の波長とシリコ ン基板の内部の透過率との関係を示すグラフである。
図 1 4は、 実施例 1に係るレーザ加工装置の概略構成図である。
図 1 5は、 実施例 1に係るレーザ加工方法を説明するためのフローチヤ一トで め
図 1 6は、 実施例 1に係る改質領域形成工程においてレーザ加工中のクラック 領域を含む加工対象物の断面図である。 図 1 7は、 実施例 1に係るス トレス工程においてレーザ加工中のクラック領域 を含む加工対象物の断面図である。
図 1 8は、 実施例 1に係るレーザ加工方法により切断可能なパターンを説明す るための加ェ対象物の平面図である。
図 1 9は、 実施例 2に係る加工対象物の平面図である。
図 2 0は、 実施例 2に係る加ェ対象物に切断起点領域を形成している様子を示 す断面図である。
図 2 1は、 実施例 2に係る加工対象物に吸収性を有するレーザ光を照射してい る様子を示す断面図である。
図 2 2は、 実施例 2に係る加工対象物をフィルム拡張装置にセットした様子を 示す断面図である。
図 2 3は、 実施例 2に係る加工対象物が固定された拡張フィルムを拡張させた 様子を示す断面図である。
図 2 4は、 実施例 3に係る加工対象物に吸収性を有するレーザ光を照射してい る様子を示す断面図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の好適な実施形態について図面を用いて説明する。 本実施形態に 係るレーザ加工方法は、 多光子吸収により改質領域を形成している。 多光子吸収 はレーザ光の強度を非常に大きくした場合に発生する現象である。 まず、 多光子 吸収について簡単に説明する。
材料の吸収のバンドギヤップ E Gよりも光子のエネルギー h Vが小さいと光学 的に透明となる。 よって、 材料に吸収が生じる条件は h V〉E Gである。 しかし 、 光学的に透明でも、 レーザ光の強度を非常に大きくすると n h 1 > E eの条件 ( n = 2， 3， 4 , · · 'である） で材料に吸収が生じる。 この現象を多光子吸収 という。 パルス波の場合、 レーザ光の強度はレーザ光の集光点のピークパワー密 度 （W/ c m 2 ) で決まり、 例えばピークパワー密度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2 ) 以上の条件で多光子吸収が生じる。ピークパワー密度は、 （集光点におけるレーザ 光の 1パルス当たりのエネルギー） ÷ (レーザ光のビームスポット断面積 Xパル ス幅） により求められる。 また、 連続波の場合、 レーザ光の強度はレーザ光の集 光点の電界強度 (W/ c m 2 ) で決まる。
このような多光子吸収を利用する本実施形態に係るレーザ加工の原理について 図 1〜図 6を用いて説明する。 図 1はレーザ加工中の加工対象物 1の平面図であ り、 図 2は図 1に示す加工対象物 1の Π— ΙΙ線に沿った断面図であり、 図 3はレ 一ザ加工後の加工対象物 1の平面図であり、 図 4は図 3に示す加工対象物 1の IV —IV線に沿った断面図であり、 図 5は図 3に示す加工対象物 1の V— V線に沿った 断面図であり、 図 6は切断された加工対象物 1の平面図である。
図 1及び図 2に示すように、 加工対象物 1の表面 3には切断予定ライン 5があ る。 切断予定ライン 5は直線状に延びた仮想線である。 本実施形態に係るレーザ 加工は、 多光子吸収が生じる条件で加工対象物 1の内部に集光点 Pを合わせてレ 一ザ光 Lを加工対象物 1に照射して改質領域 7を形成する。 なお、 集光点とはレ 一ザ光 Lが集光した箇所のことである。
レーザ光 Lを切断予定ライン 5に沿って （すなわち矢印 A方向に沿って） 相対 的に移動させることにより、 集光点 Pを切断予定ライン 5に沿って移動させる。 これにより、 図 3〜図 5に示すように改質領域 7が切断予定ライン 5に沿って加 ェ対象物 1の内部にのみ形成される。 本実施形態に係るレーザ加工方法は、 加工 対象物 1がレーザ光 Lを吸収することにより加工対象物 1を発熱させて改質領域 7を形成するのではない。 加工対象物 1にレーザ光 Lを透過させ加工対象物 1の 内部に多光子吸収を発生させて改質領域 7を形成している。 よって、 加工対象物 1の表面 3ではレーザ光 Lがほとんど吸収されないので、 加工対象物 1の表面 3 が溶融することはない。
加工対象物 1の切断において、 切断する箇所に起点があると加工対象物 1はそ の起点から割れるので、 図 6に示すように比較的小さな力で加工対象物 1を切断 することができる。 よって、 加工対象物 1の表面 3に不必要な割れを発生させる ことなく加工対象物 1の切断が可能となる。
なお、 改質領域を起点とした加工対象物の切断は、 次の二通りが考えられる。 —つは、 改質領域形成後、 加工対象物に人為的な力が印加されることにより、 改 質領域を起点として加工対象物が割れ、 加工対象物が切断される場合である。 こ れは、 例えば加工対象物の厚みが大きい場合の切断である。 人為的な力が印加さ れるとは、 例えば、 加ェ対象物の切断予定ラィンに沿つて加ェ対象物に曲げ応力 やせん断応力を加えたり、 加工対象物に温度差を与えることにより熱応力を発生 させたりすることである。 他の一つは、 改質領域を形成することにより、 改質領 域を起点として加工対象物の断面方向 （厚さ方向） に向かって自然に割れ、 結果 的に加工対象物が切断される場合である。 これは、 例えば加工対象物の厚みが小 さい場合、 改質領域が 1つでも可能であり、 加工対象物の厚みが大きい場合、 厚 さ方向に複数の改質領域を形成することで可能となる。 なお、 この自然に割れる 場合も、 切断する箇所において、 改質領域が形成されていない部分上の表面まで 割れが先走ることがなく、 改質領域を形成した部分上の表面のみを割断すること ができるので、 割断を制御よくすることができる。 近年、 シリコンウェハ等の半 導体ウェハの厚みは薄くなる傾向にあるので、 このような制御性のよい割断方法 は大変有効である。
さて、 本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域として、 次の ( 1 ) 〜 （3 ) がある。
( 1 ) 改質領域が一つ又は複数のクラックスポットを含むクラック領域の場合 レーザ光を加工対象物 (例えばガラスや L i T a 0 3からなる圧電材料) の内 部に集光点を合わせて、 集光点における電界強度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2) 以上 でかつパルス幅が 1 μ s以下の条件で照射する。 このパルス幅の大きさは、 多光 子吸収を生じさせつつ加工対象物に余計なダメージを与えずに、 加工対象物の内 部にクラック領域を形成できる条件である。 これにより、 加工対象物の内部には 多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。 この光学的損傷により加工 対象物の内部に熱ひずみが誘起され、 これにより加工対象物の内部にクラック領 域が形成される。 電界強度の上限値としては、 例えば 1 X 1012 (W/cm2) である。 パルス幅は例えば 111 s〜200 n sが好ましい。 なお、 多光子吸収に よるクラック領域の形成は、 例えば、 第 45回レ一ザ熱加ェ研究会論文集 ( 1 9 98年. 1 2月） の第 23頁〜第 28頁の 「固体レーザー高調波によるガラス基 板の内部マーキング」 に記載されている。
本発明者は、 電界強度とクラックの大きさとの関係を実験により求めた。 実験 条件は次ぎの通りである。
(A) 加工対象物：パイレックス （登録商標） ガラス （厚さ 700 ζπι、 外 径 4インチ）
(Β) レーザ
光源：半導体レーザ励起 Nd ： Y AGレーザ
波長： 1064 nm
レーザ光スポッ ト断面積： 3. 14 X 10— 8 cm2
発振形態： Qスィツチパルス
繰り返し周波数： 100 kH z
ノ ノレス幅： 30 n s
出力 ： 出力 < lm J/パルス
レーザ光品質： TEM00
偏光特性：直線偏光
(C) 集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率： 60パーセント
(D) 加工対象物が载置される載置台の移動速度： 1 00mm/秒 なお、 レーザ光品質が TEM。。とは、 集光性が高くレーザ光の波長程度まで集 光可能を意味する。 図 7は上記実験の結果を示すグラフである。 横軸はピークパワー密度であり、 レーザ光がパルスレーザ光なので電界強度はピークパワー密度で表される。 縦軸 は 1パルスのレーザ光により加工対象物の内部に形成されたクラックスポッ トの 大きさを示している。 クラックスポットの大きさは、 クラックスポットの形状の うち最大の長さとなる部分の大きさである。 グラフ中の黒丸で示すデータは集光 用レンズ ( C ) の倍率が 1 0 0倍、 開口数 (N A) が 0 . 8 0の場合である。 一 方、 グラフ中の白丸で示すデータは集光用レンズ ( C ) の倍率が 5 0倍、 開口数 (N A) が 0 . 5 5の場合である。 ピークパワー密度が 1 0 1 1 (W/ c m 2 ) 程 度では加ェ対象物の内部にクラックスポットが発生し、 ピークパワー密度が大き くなるに従いクラックスポットも大きくなることが分かる。
次に、 クラック領域形成による加工対象物の切断のメカニズムについて図 8〜 図 1 1を用いて説明する。 図 8に示すように、 多光子吸収が生じる条件で加工対 象物 1の内部に集光点 Pを合わせてレーザ光 Lを加工対象物 1に照射して切断予 定ラインに沿って内部にクラック領域 9を形成する。 クラック領域 9は一つ又は 複数のクラックスポットを含む領域である。 図 9に示すようにクラック領域 9を 起点としてクラックがさらに成長し、 図 1 0に示すようにクラックが加工对象物 1の表面 3と裏面 2 1に到達し、 図 1 1に示すように加工対象物 1が割れること により加工対象物 1が切断される。 加工対象物の表面と裏面とに到達するクラッ クは自然に成長する場合もあるし、 加工対象物に力が印加されることにより成長 する場合もある。
( 2 ) 改質領域が溶融処理領域の場合
レーザ光を加工対象物 (例えばシリコンのような半導体材料) の内部に集光点 を合わせて、 集光点における電界強度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2) 以上でかつパル ス幅が 1 a s以下の条件で照射する。 これにより加工対象物の内部は多光子吸収 によって局所的に加熱される。 この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域 が形成される。 溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域や、 まさに溶融状態 の領域や、 溶融状態から再固化する状態の領域であり、 相変化した領域や結晶構 造が変化した領域ということもできる。 また、 溶融処理領域とは単結晶構造、 非 晶質構造、 多結晶構造において、 ある構造が別の構造に変化した領域ということ もできる。 つまり、 例えば、 単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、 単結晶 構造から多結晶構造に変化した領域、 単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造 を含む構造に変化した領域を意味する。 加工対象物がシリコン単結晶構造の場合 、 溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。 電界強度の上限値としては
、 例えば 1 X 1 012 (W/cm2) である。 パルス幅は例えば 1 n s〜 200 n sが好ましい。
本発明者は、 シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることを実験に より確認した。 実験条件は次ぎの通りである。
(A) 加工対象物：シリコンゥヱハ （厚さ 350 /zm、 外径 4インチ）
(B) レーザ
光源：半導体レーザ励起 N d ： YAGレーザ
波長： 1064 nm
レーザ光スポッ ト断面積： 3. 14 X 1 0"8 c m2
発振形態： Qスィツチパルス
繰り返し周波数： 100 kH z
パルス幅 : 30 n s
出力： 20 μ J /パルス
レーザ光品質： TEM00
偏光特性：直線偏光
(C) 集光用レンズ
倍率： 50倍
N. A. ： 0. 55
レーザ光波長に対する透過率： 60パーセント ( D ) 加工対象物が載置される载置台の移動速度： 1 0 O mm/秒 図 1 2は上記条件でのレーザ加工により切断されたシリコンウェハの一部にお ける断面の写真を表した図である。 シリコンウェハ 1 1の内部に溶融処理領域 1 3が形成されている。 なお、 上記条件により形成された溶融処理領域 1 3の厚さ 方向の大きさは 1 0 0 ,,_t m程度である。
溶融処理領域 1 3が多光子吸収により形成されたことを説明する。 図 1 3は、 レーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を示すグラフである。 た だし、 シリコン基板の表面側と裏面側それぞれの反射成分を除去し、 内部のみの 透過率を示している。 シリコン基板の厚み tが 5 0 μ m、 1 0 0 μ 2 0 0 μ m、 5 0 0 μ πι、 1 0 0 0 μ mの各々について上記関係を示した。
例えば、 N d ： Y A Gレーザの波長である 1 0 6 4 n mにおいて、 シリコン基 板の厚みが 5 0 0 μ m以下の場合、 シリコン基板の内部ではレーザ光が 8 0 %以 上透過することが分かる。 図 1 2に示すシリコンウェハ 1 1の厚さは 3 5 0 であるので、 多光子吸収による溶融処理領域 1 3はシリコンウェハの中心付近、 つまり表面から 1 7 5 / mの部分に形成される。 この場合の透過率は、 厚さ 2 0 0 μ πιのシリコンウェハを参考にすると、 9 0 %以上なので、 レーザ光がシリコ ンウェハ 1 1の内部で吸収されるのは僅かであり、 ほとんどが透過する。 このこ とは、 シリコンウェハ 1 1の内部でレーザ光が吸収されて、 溶融処理領域 1 3が シリコンウェハ 1 1の内部に形成 （つまりレーザ光による通常の加熱で溶融処理 領域が形成） されたものではなく、 溶融処理領域 1 3が多光子吸収により形成さ れたことを意味する。 多光子吸収による溶融処理領域の形成は、 例えば、 溶接学 会全国大会講演概要第 6 6集 （2 0 0 0年 4月） の第 7 2頁〜第 7 3頁の 「ピコ 秒パルスレーザによるシリコンの加工特性評価」 に記載されている。
なお、 シリコンゥヱハは、 溶融処理領域を起点として断面方向に向かって割れ を発生させ、 その割れがシリコンウェハの表面と裏面に到達することにより、 結 果的に切断される。 シリコンウェハの表面と裏面に到達するこの割れは自然に成 長する場合もあるし、 加工対象物に力が印加されることにより成長する場合もあ る。 なお、 溶融処理領域からウェハの表面と裏面に割れが自然に成長する場合に おいて、 溶融処理領域が溶融の状態から割れが成長するか、 もしくは溶融の状態 から再固化する際に割れが成長する場合のいずれもある。 ただし、 これらの場合 も溶融処理領域はウェハの内部のみに形成され、 切断後の切断面は図 1 2のよう に内部にのみ溶融処理領域が形成されている。 加ェ対象物の内部に溶融処理領域 を形成する場合、 割断時、 切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにくレ、 ので、 割断制御が容易となる。
( 3 ) 改質領域が屈折率変化領域の場合
レーザ光を加工対象物 （例えばガラス） の内部に集光点を合わせて、 集光点に おける電界強度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2) 以上でかつパルス幅が 1 n s以下の条 件で照射する。 パルス幅を極めて短くして、 多光子吸収を加工対象物の内部に起 こさせると、 多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、 加工対 象物の内部にはイオン価数変化、 結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘 起されて屈折率変化領域が形成される。 電界強度の上限値としては、 例えば I X 1 0 1 2 (W/ c m 2) である。 パルス幅は例えば 1 n s以下が好ましく、 l p s 以下がさらに好ましい。 多光子吸収による屈折率変化領域の形成は、 例えば、 第 4 2回レーザ熱加工研究会論文集 （1 9 9 7年. 1 1月） の第 1 0 5頁〜第 1 1 1頁の 「フェムト秒レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」 に記載 されている。
以上、 多光子吸収により形成される改質領域として （1 ) 〜 （3 ) の場合を説 明したが、 ウェハ状の加工対象物の結晶構造やその劈開性などを考慮して切断起 点領域を次のように形成すれば、 その切断起点領域を起点として、 より一層小さ な力で、 しかも精度良く加工対象物を切断することが可能になる。
すなわち、 シリコンなどのダイヤモンド構造の単結晶半導体からなる基板の場 合は、 （1 1 1 ) 面 （第 1劈開面） や （1 1 0 ) 面 （第 2劈開面） に沿った方向 に切断起点領域を形成するのが好ましい。 また、 Ga A sなどの閃亜鉛鉱型構造 の III一 V族化合物半導体からなる基板の場合は、 （1 10) 面に沿った方向に切 断起点領域を形成するのが好ましい。 さらに、 サファイア (A 1203) などの六 方晶系の結晶構造を有する基板の場合は、 （000 1) 面 （C面） を主面として (1 1 20) 面 (A面) 或いは (1 1 00) 面 (M面) に沿った方向に切断起点 領域を形成するのが好ましい。
なお、 上述した切断起点領域を形成すベき方向 (例えば、 単結晶シリコン基板 における (1 1 1) 面に沿った方向) 、 或いは切断起点領域を形成すべき方向に 直交する方向に沿って基板にオリエンテーションフラットを形成すれば、 そのォ リエンテーションフラットを基準とすることで、 切断起点領域を形成すべき方向 に沿った切断起点領域を容易且つ正確に基板に形成することが可能になる。 以下、 実施例により、 本発明についてより具体的に説明する。
[実施例 1 ]
本発明の実施例 1について説明する。 実施例 1に係るレーザ加工方法は、 加工 対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、 加工 対象物が切断される箇所にストレスを生じさせるストレス工程とを備えている。 実施例 1に係るレーザ加工装置について説明する。 図 14は改質領域形成工程 で用いられるレーザ加工装置 1 00の概略構成図である。 図示するように、 レー ザ加工装置 100は、 レーザ光 Lを発生するレーザ光源 1 0 1と、 レーザ光 の 出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源 10 1を制御するレーザ光源制御 部 102と、 レーザ光 Lの反射機能を有しかつレーザ光 Lの光軸の向きを 90° 変えるように配置されたダイクロイツクミラー 103と、 ダイクロイツクミラー 1 03で反射されたレーザ光 Lを集光する集光用レンズ 1 05と、 集光用レンズ 1 05で集光されたレーザ光 Lが照射される加工対象物 1が載置される載置台 1 07と、 载置台 107を X軸方向に移動させるための X軸ステージ 109と、 载 置台 1 07を X軸方向に直交する Y軸方向に移動させるための Y軸ステージ 1 1 1と、 载置台 1 0 7を X軸及び Y軸方向に直交する Z軸方向に移動させるための Z軸ステージ 1 1 3と、 これら三つのステージ 1 0 9 , 1 1 1 , 1 1 3の移動を 制御するステージ制御部 1 1 5と、 を備える。 なお、 実施例 1において、 加工対 象物 1はパイレックス （登録商標） ガラスゥェハである。
Z軸方向は加工対象物 1の表面 3と直交する方向なので、 加工対象物 1に入射 するレーザ光 Lの焦点深度の方向となる。 よって、 Z軸ステージ 1 1 3を Z軸方 向に移動させることにより、 加工対象物 1の内部にレーザ光 Lの集光点 Pを合わ せることができる。 また、 この集光点 Pの X (Y) 軸方向の移動は、 加工対象物 1を X (Y) 軸ステージ 1 0 9 ( 1 1 1 ) により X (Y) 軸方向に移動させるこ とにより行う。
レーザ光源 1 0 1はパルスレーザ光を発生する N d ： Y A Gレーザである。 レ 一ザ光源 1 0 1に用いることができるレーザとして、 この他、 N d : Y V 0 4レ 一ザや N d ： Y L Fレーザがある。 レーザ光源は、 クラック領域、 溶融処理領域 を形成する場合、 前述のレーザ光源を用いるのが好適であり、 屈折率変化領域を 形成する場合、 チタンサファイアレーザを用いるのが好適である。 実施例 1では 加工対象物 1の加工にパルスレーザ光を用いているが、 多光子吸収を起こさせる ことができるなら連続波レーザ光でもよい。
レーザ加工装置 1 0 0はさらに、 載置台 1 0 7に载置された加工対象物 1を可 視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源 1 1 7と、 ダイク口 イツクミラー 1 0 3及ぴ集光用レンズ 1 0 5と同じ光軸上に配置された可視光用 のビームスプリッタ 1 1 9と、 を備える。 ビ一ムスプリッタ 1 1 9と集光用レン ズ 1 0 5との間にダイクロイックミラー 1 0 3が配置されている。 ビームスプリ ッタ 1 1 9は、 可視光線の約半分を反射し残りの半分を透過する機能を有しかつ 可視光線の光軸の向きを 9 0 ° 変えるように配置されている。 観察用光源 1 1 7 から発生した可視光線はビームスプリッタ 1 1 9で約半分が反射され、 この反射 された可視光線がダイクロイツクミラー 1 0 3及び集光用レンズ 1 0 5を透過し 、 加工対象物 1の切断予定ライン 5等を含む表面 3を照明する。
レーザ加工装置 1 0 0はさらに、 ビームスプリッタ 1 1 9、 ダイクロイツクミ ラー 1 0 3及ぴ集光用レンズ 1 0 5と同じ光軸上に配置された撮像素子 1 2 1及 ぴ結像レンズ 1 2 3を備える。 撮像素子 1 2 1としては例えば C C D (charge-c oupled device)カメラがある。切断予定ライン 5等を含む表面 3を照明した可視 光線の反射光は、 集光用レンズ 1 0 5、 ダイクロイツクミラー 1 0 3、 ビームス プリッタ 1 1 9を透過し、 結像レンズ 1 2 3で結像されて撮像素子 1 2 1で撮像 され、 撮像データとなる。
レーザ加工装置 1 0 0はさらに、 撮像素子 1 2 1から出力された撮像データが 入力される撮像データ処理部 1 2 5と、 レーザ加工装置 1 0 0全体を制御する全 体制御部 1 2 7と、 モニタ 1 2 9と、 を備える。 撮像データ処理部 1 2 5は、 撮 像データを基にして観察用光源 1 1 7で発生した可視光の焦点を表面 3上に合わ せるための焦点データを演算する。 この焦点データを基にしてステージ制御部 1 1 5が Z軸ステージ 1 1 3を移動制御することにより、 可視光の焦点が表面 3に 合うようにする。 よって、 撮像データ処理部 1 2 5はオートフォーカスユニット として機能する。 なお、 可視光の焦点はレーザ光 Lの集光点に一致している。 ま た、 撮像データ処理部 1 2 5は、 撮像データを基にして表面 3の拡大画像等の画 像データを演算する。 この画像データは全体制御部 1 2 7に送られ、 全体制御部 で各種処理がなされ、 モニタ 1 2 9に送られる。 これにより、 モニタ 1 2 9に拡 大画像等が表示される。
全体制御部 1 2 7には、 ステージ制御部 1 1 5からのデータ、 撮像データ処理 部 1 2 5からの画像データ等が入力され、 これらのデータも基にしてレーザ光源 制御部 1 0 2、 観察用光源 1 1 7及ぴステージ制御部 1 1 5を制御することによ り、 レーザ加工装置 1 0 0全体を制御する。 よって、 全体制御部 1 2 7はコンビ ュ一タュニットとして機能する。
また、 ス トレス工程で用いられる吸収性レーザ照射装置は、 上述したレーザ加 ェ装置 1 0 0に対して、 レーザ光源とダイクロイツクミラーとだけが異なつた構 成を採っている。 吸収性レーザ照射装置のレーザ光源としては、 連続波レーザ光 を発生する、 波長が 1 0 . 6 μ ηιの C〇2レーザを用いた。 パイレックス (登録 商標） ガラスウェハである加工対象物 1に対して吸収性を有するからである。 以 下、 このレーザ光源で発生するレーザ光を 「吸収性レーザ光」 とする。 なお、 ビ ーム品質は T E M。。であり、 偏光特性は直線偏光である。 また、 加工対象物 1を 加熱しかつ溶融させない程度の強度とするために、 このレ一ザ光源の出力は 1 0 W以下とされている。 吸収性レーザ照射装置のダイクロイツクミラーは、 吸収性 レーザ光の反射機能を有しかつ吸収性レーザ光の光軸の向きを 9 0。 変えるよう に配置されている。
次に、 図 1 4及び図 1 5を参照して、 実施例 1に係るレーザ加工方法について 説明する。 図 1 5はレーザ加工方法を説明するためのフローチャートである。 まず、 加工対象物 1の光吸収特性を図示しない分光光度計等により測定する。 この測定結果に基づいて、 加工対象物 1に対して透明な波長又は吸収の少ない波 長のレーザ光 Lを発生するレーザ光源 1 0 1と、 加工対象物 1に対して吸収性波 長の吸収性レーザ光を発生するレーザ光源とを選定し、 それぞれレーザ加工装置 1 0 0と吸収性レーザ照射装置とに設定される （S 1 0 1 )。次に、加工対象物 1 の厚さを測定する。 厚さの測定結果及び加工対象物 1の屈折率を基にして、 レー ザ加工装置 1 0 0における加工対象物 1の Z軸方向の移動量を決定する （S 1 0 3 )。 これは、 レーザ光 Lの集光点 Pを加工対象物 1の内部に位置させるために、 加工対象物 1の表面 3に位置するレーザ光 Lの集光点を基準とした加工対象物 1 の Z軸方向の移動量である。 この移動量は、 改質領域形成工程で用いられるレー ザ加工装置 1 0 0の全体制御部 1 2 7に入力される。
加工対象物 1をレーザ加工装置 1 0 0の載置台 1 0 7に载置する （ S 1 0 4 ) 。 そして、 観察用光源 1 1 7から可視光を発生させて加工対象物 1を照明する ( S 1 0 5 )。照明された切断予定ライン 5を含む加工対象物 1の表面 3を撮像素子 1 2 1により撮像する。 この撮像データは撮像データ処理部 1 2 5に送られる。 この撮像データに基づいて撮像データ処理部 1 2 5は観察用光源 1 1 7の可視光 の焦点が表面 3に位置するような焦点データを演算する （S 1 0 7 )。
この焦点データはステージ制御部 1 1 5に送られる。 ステージ制御部 1 1 5は 、 この焦点データを基にして Z軸ステージ 1 1 3を Z軸方向の移動させる ( S 1
0 9 )。 これにより、観察用光源 1 1 7の可視光の焦点が表面 3に位置する。 なお 、 撮像データ処理部 1 2 5は撮像データに基づいて、 切断予定ライン 5を含む加 ェ対象物 1の表面 3の拡大画像データを演算する。 この拡大画像データは全体制 御部 1 2 7を介してモニタ 1 2 9に送られ、 これによりモニタ 1 2 9に切断予定 ライン 5付近の拡大画像が表示される。
全体制御部 1 2 7には予めステップ S 1 0 3で決定された移動量データが入力 されており、 この移動量データがステージ制御部 1 1 5に送られる。 ステージ制 御部 1 1 5はこの移動量データに基づいて、 レーザ光 Lの集光点 Pが加工対象物 1の内部となる位置に、 Z軸ステージ 1 1 3により加工対象物 1を Z軸方向に移 動させる （S 1 1 1 )。
次に、 レーザ光源 1 0 1からレーザ光 Lを発生させて、 レーザ光 Lを加工対象 物 1の表面 3の切断予定ライン 5に照射する。 図 1 6は、 改質領域形成工程にお いてレーザ加工中のクラック領域 9を含む加工対象物 1の断面図である。 図示す るように、 レーザ光 Lの集光点 Pは加工対象物 1の内部に位置しているので、 ク ラック領域 9は加工対象物 1の内部にのみ形成される。 そして、 切断予定ライン 5に沿うように X軸ステージ 1 0 9や Y軸ステージ 1 1 1を移動させて、 クラッ ク領域 9を切断予定ライン 5に沿うように加工対象物 1の内部に形成する ( S 1 1 3 )。
レーザ加工装置 1 0 0により改質領域を形成した後、 加工対象物 1を吸収性レ 一ザ照射装置の载置台 1 0 7に搬送し、载置する （S 1 1 5 )。改質領域形成工程 におけるクラック領域 9は加工対象物 1の内部のみに形成されるため、 加工対象 物 1はばらばらにならず、 よって、 加工対象物 1を容易に搬送することができる そして、 ステップ 1 1 7において加工対象物 1を照明し、 ステップ 1 1 9にお いて観察用光源の可視光の焦点が加工対象物 1の表面 3に位置するような焦点デ ータを演算し、 ステップ 1 2 1において前記焦点が加工対象物 1の表面 3に位置 するように加工対象物 1を Z軸方向に移動し、 これにより、 吸収性レーザ光の集 光点が加工対象物 1の表面 3に合わされる。 なお、 これらのステップ 1 1 7、 ス テツプ 1 1 9、 ステップ 1 2 1における動作の詳細は、 上述したレーザ加工装置 1 0 0におけるステップ 1 0 5、 ステップ 1 0 7、 ステップ 1 0 9とそれぞれ同 様である。
次に、 吸収性レーザ照射装置のレーザ光源から吸収性レーザ光を発生させて、 吸収性レーザ光を加工対象物 1の表面 3の切断予定ライン 5に照射する。 なお、 この照射は切断予定ライン 5近傍への照射であってもよい。 そして、 切断予定ラ イン 5に沿うように吸収性レーザ照射装置の X軸ステージや Y軸ステージを移動 させて、 切断予定ライン 5に沿って加工対象物 1を加熱することで、 切断予定ラ イン 5に沿って加工対象物 1が切断される箇所に温度差による熱応力等のストレ スを生じさせる （S 1 2 3 )。 このとき、 吸収性レーザの強度は加工対象物 1を加 熱しかつ溶融させない程度であるため、 加工対象物の表面が溶融することはない 図 1 7は、 ストレス工程においてレーザ加工中のクラック領域 9を含む加工対 象物 1の断面図である。 図示するように、 吸収性レーザ光の照射により、 クラッ ク領域 9を起点としてクラックがさらに成長しクラックが加工対象物 1の表面 3 と裏面 2 1とに到達して、 加工対象物 1に切断面 1 0が形成され加工対象物 1が 切断される ( S 1 2 5 )。 これにより、加工対象物 1をシリコンチップに分割する 。
なお、 実施例 1においては、 改質領域としてクラック領域が形成される場合に ついて説明したが、 改質領域として上述したような溶融処理領域や屈折率変化領 域が形成される場合についても同様であり、 吸収性レーザ光の照射によりストレ スを生じさせ、 溶融処理領域や屈折率変化領域を起点としてクラックを発生、 成 長させて加ェ対象物を切断することができる。
また、 加工対象物の厚みが大きい場合等で、 ストレス工程により改質領域を起 点として成長したクラックが加ェ対象物の表面と裏面とに到達しない場合であつ ても、 曲げ応力やせん断応力等の人為的な力を印加することにより加工対象物を 割って切断することができる。 この人為的な力はより小さな力で足りるため、 加 ェ対象物の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れが発生するのを防止す ることができる。
実施例 1の効果を説明する。 これによれば、 改質領域形成工程において、 多光 子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物 1の内部に集光点 Pを合わせて、 パル スレーザ光 Lを切断予定ライン 5に照射している。 そして、 X軸ステージ 1 0 9 や Y軸ステージ 1 1 1を移動させることにより、 集光点 Pを切断予定ライン 5に 沿って移動させている。 これにより、 改質領域 （例えばクラック領域、 溶融処理 領域、 屈折率変化領域） を切断予定ライン 5に沿うように加工対象物 1の内部に 形成している。 加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、 加工対象物 を比較的小さな力で割って切断することができる。 実施例 1によれば、 ス トレス 工程において、 加工対象物 1に切断予定ライン 5に沿って吸収性レーザ光を照射 し、 温度差による熱応力等のス トレスを生じさせている。 よって、 温度差による 熱応力等のストレスといった比較的小さな力で加工対象物 1を切断することがで きる。 これにより、 加工対象物 1の表面 3に切断予定ライン 5から外れた不必要 な割れを発生させることなく加工対象物 1を切断することができる。
また、 実施例 1によれば、 改質領域形成工程においては、 加工対象物 1に多光 子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物 1の内部に集光点 Pを合わせてパルス レーザ光 Lを照射しているため、 パノレスレーザ光 Lは加工対象物 1を透過し、 加 ェ対象物 1の表面 3ではパルスレーザ光 Lがほとんど吸収されない。 また、 スト レス工程においては、 吸収性レーザ光の強度は加工対象物 1を加熱しかつ溶融さ せない程度である。 したがって、 レーザ光の照射が原因で表面 3が溶融等のダメ —ジを受けることはない。
以上説明したように実施例 1によれば、 加工対象物 1の表面 3に切断予定ライ ン 5から外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、 加工対象物 1を切断する ことができる。 よって、 加工対象物 1が例えば半導体ウェハの場合、 半導体チッ プに切断予定ラインから外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、 半導体チ ップを半導体ウェハから切り出すことができる。 表面に電極パターンが形成され ている加工対象物や、 圧電素子ウェハや液晶等の表示装置が形成されたガラス基 板のように表面に電子デバイスが形成されている加工対象物についても同様であ る。 よって、 実施例 1によれば、 加工対象物を切断することにより作製される製 品 （例えば半導体チップ、 圧電デバイスチップ、 液晶等の表示装置） の歩留まり を向上させることができる。
また、 実施例 1によれば、 加工対象物 1の表面 3の切断予定ライン 5は溶融し ないので、 切断予定ライン 5の幅 （この幅は、 例えば半導体ウェハの場合、 半導 体チップとなる領域同士の間隔である。） を小さくできる。 これにより、一枚の加 ェ対象物 1から作製される製品の数が増え、 製品の生産性を向上させることがで きる。
また、 実施例 1によれば、 加工対象物 1の切断加工にレーザ光を用いるので、 ダイヤモンドカツタを用いたダイシングょりも複雑な加工が可能となる。 例えば 、 図 1 8に示すように切断予定ライン 5が複雑な形状であっても、 切断加工が可 能となる。
[実施例 2〕
本発明の実施例 2について説明する。 なお、 図 2 0〜図 2 3は、 図 1 9に示す 加工対象物 1の XX— XX線に沿った部分断面図である。 図 1 9及び図 2 0に示すように、 加工対象物 1の裏面 2 1に拡張可能な拡張フ イルム （保持部材） 1 9を貼り付けて、 この拡張フィルム 1 9の表面 1 9 a上に 加工対象物 1を固定する。 拡張フィルム 1 9は、 その外周部分がリング状のフィ ルム固定枠 2 0に貼り付けられて、 このフィルム固定枠 2 0に固定されている。 なお、 この加工対象物 1は、 厚さ 1 0 0 μ πιのシリコンウェハである。
このように、 加工対象物 1、 拡張フィルム 1 9及びフィルム固定枠 2 0からな るュニット Uを、 例えば上述のレーザ加工装置 1 0 0の载置台 1 0 7上に、 加工 対象物 1の表面 3側が集光用レンズ 1 0 5に対面するように載置する。 そして、 押え部材 1 0 7 aによりフィルム固定枠 2 0を载置台 1 0 7に固定すると共に、 拡張フィルム 1 9を載置台 1 0 7に真空吸着する。
続いて、 図 1 9に示すように、 加工対象物 1のオリエンテーションフラット 1 6に平行な方向と垂直な方向とに延在する切断予定ライン 5を格子状に設定する 。 この切断予定ラインはウェハ上に形成されている回路素子ゃ受光面などの機能 素子からなるデバイス形成面 7 0 0の間に設定されている。 尚、 図面では簡略し てデバイス形成面 7 0 0は一部のみに記載している。
そして、 図 2 .0に示すように、 加工対象物 1の内部に集光点 P 1を合わせてレ 一ザ光 L 1を照射し、 その集光点 P 1を切断予定ライン 5に沿って移動させるこ とで、 加工対象物 1の内部に改質領域 7を形成する。 この改質領域 7によって、 加工対象物 1の表面 （レーザ光入射面） 3から所定距離内側に切断起点領域 8が 切断予定ライン 5に沿って形成される。 なお、 加工対象物 1がシリコンウェハで あるため、 改質領域 7としては溶融処理領域が形成される。
続いて、 図 2 1に示すように、 加工対象物 1の表面 3に集光点 P 2を合わせて 、 加工対象物 1に対して吸収性を有するレーザ光 L 2を照射し、 その集光点 P 2 を切断予定ライン 5に沿って移動させる。 このレーザ光 L 2の照射によって、 切 断起点領域 8を起点として割れ 2 4が発生し、 この割れ 2 4が加工対象物 1の表 面 3と裏面 2 1とに到達する。 これにより、 加工対象物 1は、 切断予定ライン 5 に沿って複数のチップ 2 5に分割される。
このような割れ 2 4の主な発生原因としては、 レーザ光 L 2の照射により切断 予定ライン 5に沿って加工対象物 1が加熱されて、 加工対象物 1に熱応力が生じ ることが挙げられる。 一例として、 レーザ光 L 2の照射により、 改質領域 7と加 ェ対象物 1の非改質領域 (加工対象物 1における改質領域 7以外の部分) との界 面に微細な亀裂や歪みが生じ、 これらの亀裂や歪みを起点として加熱源としての レーザ光 L 2の照射部位に向かって割れが進展するような引張応力が生じること で、 改質領域 7から表面 3又は裏面 2 1へと割れ 2 4が発生する。
なお、 実施例 2では、 レーザ光 L 2として波長 8 0 8 n m, 出力 Γ 4 Wのレー ザ光を用い、 その光源としてレーザダイオードを用いた。 また、 集光点 P 2にお けるビーム径は約 2 0 0 mとした。 このようなレーザ光 L 2の照射によれば、 加工対象物 1の表面 3の溶融を防止しつつ、 加工対象物 1を加熱することができ る。 そして、 集光点 P 2におけるビーム径を絞れば絞るほど、 加工対象物 1を切 断予定ライン 5に沿って精度良く分割することができる。 また、 ビーム径を絞る ことでウェハ表面に形成されているデバイス形成面間のみにレーザ照射できるの で、 デバイス形成面に無用なレーザ光 L 2を照射せずにすみデバイス面を保護で きる。
加工対象物 1を複数のチップ 2 5に切断した後、 ュニット Uをフィルム拡張装 置 2 0 0に搬送する。 図 2 2に示すように、 ユニット Uは、 そのフィルム固定枠 2 0がリング状の受け部材 2 0 1とリング状の押え部材 2 0 2とで挟持されて、 フィルム拡張装置 2 0 0に固定される。 そして、 受け部材 2 0 1の内側に配置さ れた円柱状の押圧部材 2 0 3をュ-ット Uの下側から拡張フィルム 1 9の裏面 1 9 bに押し当て、 さらに、 図 2 3に示すように押圧部材 2 0 3を上昇させる。 こ れにより、 拡張フィルム 1 9における各チップ 2 5の接触部分が外方側に拡張さ れて各チップ 2 5が互いに離間することになり、 各チップ 2 5を容易且つ確実に ピックアップすることが可能になる。 以上の実施例 2に係るレ一ザ加ェ方法においては、 多光子吸収により形成され る改質領域 7によって、 切断予定ライン 5に沿って加工対象物 1の内部に切断起 点領域 8を形成することができる。 そして、 加工対象物 1に対して吸収性を有す るレーザ光 L 2を切断予定ライン 5に沿って加工対象物 1に照射することで、 切 断起点領域 5を起点として加工対象物 1に割れ 2 4を発生させ、 切断予定ライン 5に沿って加工対象物 1を精度良く切断することができる。 しかも、 加工対象物 1が固定された拡張フィルム 1 9を拡張させることで、 各チップ 2 5が離間する ことになるため、 切断予定ライン 5に沿った加工対象物 1の切断の確実性をより 一層向上させることができる。
[実施例 3 ]
本発明の実施例 3について説明する。 実施例 3は、 レーザ光 L 2を照射した際 に発生する割れ 2 4が加工対象物 1の表面 3と裏面 2 1とに到達しない点で、 実 施例 2と異なる。 以下、 この実施例 2との相異点を中心に説明する。 なお、 図 2 4は、 図 1 9に示す加工対象物 1の XX— XX線に沿った部分断面図である。
実施例 2と同様に、 加工対象物 1、 拡張フィルム 1 9及びフィルム固定枠 2 0 からなるュニット Uを用意し、 例えば上述のレーザ加工装置 1 0 0を用いて加工 対象物 1の内部に改質領域 7を形成し、 この改質領域 7によって、 加工対象物 1 の表面 3から所定距離内側に切断起点領域 8を切断予定ライン 5に沿つて形成す る。 なお、 加工対象物 1は、 厚さ 3 0 0 μ ηιのシリコンウェハである。
続いて、 図 2 4に示すように、 加工対象物 1の表面 3に集光点 Ρ 2を合わせて
、 加工対象物 1に対して吸収性を有するレーザ光 L 2を照射し、 その集光点 Ρ 2 を切断予定ライン 5に沿って移動させる。 このレーザ光 L 2の照射によって、 切 断起点領域 8を起点として割れ 2 4が発生する。 ただし、 実施例 3の加工対象物 1の厚さ ( 3 0 0 ^ m) は実施例 2の加工対象物 1の厚さ ( 1 0 0 μ πι) に比べ て厚いため、 割れ 2 4は、 加工対象物 1の表面 3と裏面 2 1とには到達せず、 加 ェ対象物 1の内部に留まる。 なお、 レーザ光 L 2の照射条件は実施例 2と同様で ある。
続いて、 実施例 2と同様に、 ユニット Uをフィルム拡張装置 2 0 0に搬送する 。 そして、 フィルム拡張装置 2 0 0において、 ュニッ ト Uの下側から拡張フィル ム 1 9の裏面 1 9 bに押圧部材 2 0 3押し当て、 さらに、 この押圧部材 2 0 3を 上昇させる。 これにより、 拡張フィルム 1 9における加工対象物 1の接触部分が 外方側に拡張される。 この拡張フィルム 1 9の拡張に伴い、 加工対象物 1内の割 れ 2 4の先端が加工対象物 1の表面 3と裏面 2 1とに到達して、 加工対象物 1が 切断予定ライン 5に沿って複数の各チップ 2 5に分割され、 各チップ 2 5が互い に離間することになる。
なお、 レーザ光 L 2の照射条件によっては、 レーザ光 L 2の照射時に割れ 2 4 が発生しない場合がある。 このような場合であっても、 レーザ光 L 2を照射しな い場合に比べれば、 拡張フィルム 1 9の拡張によって、 加工対象物 1を切断予定 ライン 5に沿って容易且つ高精度に分割することができる。
以上の実施例 3に係るレーザ加工方法においては、 上述した実施例 2に係るレ 一ザ加工方法と同様に、 切断予定ライン 5に沿って加工対象物 1の内部に切断起 点領域 8を形成することができる。 そして、 加工対象物 1に対して吸収性を有す るレーザ光 L 2を切断予定ライン 5に沿って加工対象物 1に照射することで、 こ のような照射を行わない場合に比べて小さな力によって、 切断起点領域 8を起点 とした割れ 2 4を加工対象物 1の表面 3と裏面 2 1とに到達させることができる 。 したがって、 加工対象物 1が固定された拡張フィルム 1 9をより小さな力で拡 張させることができ、 切断予定ライン 5に沿って加工対象物 1を精度良く切断す ることが可能になる。 しかも、 この拡張フィルム 1 9を拡張させることで、 各チ ップ 2 4が離間することになるため、 切断予定ライン 5に沿った加工対象物 1の 切断の確実性をより一層向上させることができる。
本発明は、 上述した実施例 1〜実施例 3には限定されない。
例えば、 加工対象物 1の材料、 及ぴその加工対象物 1に対して吸収性を有する レーザ光 L 2の種類としては、 次のようなものが好ましい。 すなわち、 加工対象 物 1がシリコンウェハや G a A s系ウェハの場合は、 レーザ光 L 2として、 波長 が 5 0 0 n m〜l 1 0 0 n mのレーザ光を用いることが好ましい。 具体的には、 Y A Gレーザの 2倍波 (波長 5 3 2 n m ) 、 G a A s系の半導体レーザ (波長 7 8 0 n mや波長 8 0 8 n m) 、 N d ドープのファィバーレーザ (波長 1 0 6 0 η m) 等がある。 また、 加工対象物 1がガラスの場合は、 レーザ光 L 2として、 波 長が 2 μ m以上のレーザ光を用いることが好ましい。 具体的には、 C〇2レーザ (波長 1 0 . 6 μ πι) 、 C Oレーザ (波長約 5 . 5 μ m) 、 フッ化水素レーザ ( 波長約 2 . 9 μ τη) 等がある。
また、 レーザ光 L 2の照射により発生する割れ 2 4を加工対象物 1の表面 3又 は裏面 2 1のいずれか一方に到達させてもよい。 このような制御は、 加工対象物 1の厚さ方向における中心位置から表面 3又は裏面 2 1のいずれか一方に偏倚さ せて改質領域 7を形成することで可能になる。 特に、 レーザ光 L 2の照射により 割れ 2 4を加工対象物 1の拡張フィルム 1 9側の面に到達させると、 拡張フィル ム 1 9の拡張による加工対象物 1の割断精度をより一層向上させることができる なお、 「加工対象物 1の厚さ方向における中心位置から加工対象物 1の表面 3 側に偏倚させて改質領域 7を形成する」 とは、 切断起点領域 8を構成する改質領 域 7が、 加工対象物 1の厚さ方向における厚さの半分の位置から表面 3側に偏倚 して形成されることを意味する。 つまり、 加工対象物 1の厚さ方向における改黉 領域 7の幅の中心位置が、 加ェ対象物 1の厚さ方向における中心位置から表面 3 側に偏倚して位置している場合を意味し、 改質領域 7の全ての部分が加工対象物 1の厚さ方向における中心位置に対して表面 3側に位置している場合のみに限る 意味ではない。 加工対象物 1の裏面 2 1側に偏倚させて改質領域 7を形成する場 合についても同様である。
また、 上述したレーザ光 L 2の照射は切断予定ライン 5上への照射であつたが 、 切断予定ライン 5近傍への照射であってもよい。 また、 レーザ光 L 2の集光点 P 2の位置は加工対象物 1の表面 3上でなくてもよい。
産業上の利用可能性
以上説明したように、 本発明に係るレーザ加工方法によれば、 切断予定ライン に沿つて加工対象物を精度良く切断することができる。

Claims

請求の範囲
1 . ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、 前記 加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改寳領域によって、 前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から 所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、
前記切断起点領域を形成する工程後、 前記加工対象物に対して吸収性を有する レーザ光を前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物に照射し、 前記切断予定 ラインに沿つて前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる工程と を備えることを特徴とするレーザ加工方法。
2 . ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、 集光点におけるピーク パワー密度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2 ) 以上でかつパルス幅が 1 μ s以下の条件で レーザ光を照射し、 前記加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領域を形成 し、 この改質領域によって、 前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工 対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、 前記切断起点領域を形成する工程後、 前記加工対象物に対して吸収性を有する レーザ光を前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物に照射し、 前記切断予定 ラインに沿つて前記加ェ対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる工程と を備えることを特徴とするレーザ加工方法。
3 . ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、 集光点におけるピーク パワー密度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2 ) 以上でかつパルス幅が 1 μ s以下の条件で レーザ光を照射し、 前記加工対象物の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成 し、 この改質領域によって、 前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工 対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、 前記切断起点領域を形成する工程後、 前記加工対象物に対して吸収性を有する レーザ光を前記切断予定ラインに沿って前記加ェ対象物に照射し、 前記切断予定 ラインに沿つて前記加ェ対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる工程と を備えることを特徴とするレーザ加工方法。
4 . ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、 集光点におけるピーク パワー密度が 1 X 1 0 8 (W/ c m 2 ) 以上でかつパルス幅が 1 n s以下の条件で レーザ光を照射し、 前記加工対象物の内部に屈折率が変化した領域である屈折率 変化領域を含む改質領域を形成し、 この改質領域によって、 前記加工対象物の切 断予定ラインに沿つて前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断 起点領域を形成する工程と、
前記切断起点領域を形成する工程後、 前記加工対象物に対して吸収性を有する レーザ光を前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物に照射し、 前記切断予定 ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる工程と を備えることを特徴とするレーザ加工方法。
5 . 前記加工対象物に対して吸収性を有するレーザ光の集光点は、 前記加工対 象物の表面に合わされることを特徴とする請求の範囲第 1項〜第 4項のいずれか —項記載のレーザ加工方法。
6 . 拡張可能な保持部材の表面に固定されたウェハ状の加工対象物の内部に集 光点を合わせてレーザ光を照射し、 前記加工対象物の内部に改質領域を形成し、 この改質領域によって、 前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象 物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、 前記切断起点領域を形成する工程後、 前記加工対象物に対して吸収性を有する レーザ光を前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物に照射することで、 前記 切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する工程と、
前記加工対象物を切断する工程後、 前記保持部材を拡張させることで、 切断さ れた前記加工対象物のそれぞれの部分を離間させる工程とを備えることを特徴と するレーザ加工方法。
7 . 拡張可能な保持部材の表面に固定されたウェハ状の加工対象物の内部に集 光点を合わせてレーザ光を照射し、 前記加工対象物の内部に改質領域を形成し、 この改質領域によって、 前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象 物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、
前記切断起点領域を形成する工程後、 前記加工対象物に対して吸収性を有する レーザ光を前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物に照射する工程と、 前記加工対象物に照射する工程後、 前記保持部材を拡張させることで、 前記加 ェ対象物を切断し、 かつ切断された前記加工対象物のそれぞれの部分を離間させ- る工程とを備えることを特徴とするレーザ加工方法。
8 . 前記加工対象物は半導体材料により形成され、 前記改質領域は溶融処理領 域であることを特徴とする請求の範囲第 6項又は第 7項記載のレーザ加工方法。
9 . 半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレー ザ光を照射し、 前記加工対象物の内部に溶融処理領域を形成し、 この溶融処理領 域によって、 前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域 を形成する工程と、
前記切断起点領域を形成する工程後、 前記加工対象物に対して吸収性を有する レーザ光を前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物に照射する工程と を備えるレーザ加工方法。
PCT/JP2003/002944 2003-03-12 2003-03-12 レーザ加工方法 Ceased WO2004080643A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2003/002944 WO2004080643A1 (ja) 2003-03-12 2003-03-12 レーザ加工方法
DE60315515T DE60315515T2 (de) 2003-03-12 2003-03-12 Laserstrahlbearbeitungsverfahren
AU2003220847A AU2003220847A1 (en) 2003-03-12 2003-03-12 Laser beam machining method
CNA038261308A CN1758985A (zh) 2003-03-12 2003-03-12 激光加工方法
US10/548,412 US8685838B2 (en) 2003-03-12 2003-03-12 Laser beam machining method
EP03712674A EP1609559B1 (en) 2003-03-12 2003-03-12 Laser beam machining method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2003/002944 WO2004080643A1 (ja) 2003-03-12 2003-03-12 レーザ加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004080643A1 true WO2004080643A1 (ja) 2004-09-23

Family

ID=32983451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/002944 Ceased WO2004080643A1 (ja) 2003-03-12 2003-03-12 レーザ加工方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8685838B2 (ja)
EP (1) EP1609559B1 (ja)
CN (1) CN1758985A (ja)
AU (1) AU2003220847A1 (ja)
DE (1) DE60315515T2 (ja)
WO (1) WO2004080643A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102990227A (zh) * 2011-09-08 2013-03-27 技鼎股份有限公司 单一波长多层雷射加工的方法
KR101325200B1 (ko) * 2005-04-27 2013-11-04 사이버 레이저 가부시끼가이샤 판 형상체 절단방법 및 레이저 가공장치
CN108145307A (zh) * 2016-12-02 2018-06-12 株式会社迪思科 SiC晶片的生成方法

Families Citing this family (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
WO2003076119A1 (fr) 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Procede de decoupe d'objet traite
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
AU2003211763A1 (en) 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 濱松赫德尼古斯股份有限公司 Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
ES2523432T3 (es) * 2003-07-18 2014-11-25 Hamamatsu Photonics K.K. Chip semiconductor cortado
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
CN100527360C (zh) 2004-03-30 2009-08-12 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体芯片
JP4200177B2 (ja) * 2004-08-06 2008-12-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体装置
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
EP1875983B1 (en) * 2006-07-03 2013-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101428823B1 (ko) * 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN101522362B (zh) * 2006-10-04 2012-11-14 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
CN102307699B (zh) 2009-02-09 2015-07-15 浜松光子学株式会社 加工对象物的切断方法
WO2010116917A1 (ja) 2009-04-07 2010-10-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5476063B2 (ja) 2009-07-28 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
EP2465634B1 (en) * 2009-08-11 2021-11-10 Hamamatsu Photonics K.K. Laser machining device and laser machining method
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
WO2011025908A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-03 Corning Incorporated Methods for laser cutting articles from chemically strengthened glass substrates
JP5414467B2 (ja) * 2009-11-09 2014-02-12 キヤノン株式会社 レーザ加工方法
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
US8950217B2 (en) 2010-05-14 2015-02-10 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member
JP5670647B2 (ja) 2010-05-14 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
KR101800224B1 (ko) * 2011-06-08 2017-11-22 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 판형상 유리의 절단방법 및 그 절단장치
JP6050002B2 (ja) * 2012-01-31 2016-12-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US9938180B2 (en) * 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
US9610653B2 (en) * 2012-09-21 2017-04-04 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US20150165563A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Stacked transparent material cutting with ultrafast laser beam optics, disruptive layers and other layers
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
KR102445217B1 (ko) 2014-07-08 2022-09-20 코닝 인코포레이티드 재료를 레이저 가공하는 방법 및 장치
WO2016010949A1 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
WO2016010991A1 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Interface block; system for and method of cutting a substrate being transparent within a range of wavelengths using such interface block
LT3169477T (lt) * 2014-07-14 2020-05-25 Corning Incorporated Skaidrių medžiagų apdorojimo sistema ir būdas, naudojant lazerio pluošto židinio linijas, kurių ilgis ir skersmuo yra reguliuojami
EP3536440A1 (en) 2014-07-14 2019-09-11 Corning Incorporated Glass article with a defect pattern
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
JP2018507154A (ja) 2015-01-12 2018-03-15 コーニング インコーポレイテッド マルチフォトン吸収方法を用いた熱強化基板のレーザー切断
WO2016154284A1 (en) 2015-03-24 2016-09-29 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions
CN107666983B (zh) 2015-03-27 2020-10-02 康宁股份有限公司 可透气窗及其制造方法
DE102015008037A1 (de) * 2015-06-23 2016-12-29 Siltectra Gmbh Verfahren zum Führen eines Risses im Randbereich eines Spendersubstrats
KR102499697B1 (ko) 2015-07-10 2023-02-14 코닝 인코포레이티드 유연한 기판 시트에서의 홀의 연속 제조 방법 및 이에 관한 물품
JP2017166961A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 株式会社ディスコ 被加工物の内部検出装置、および内部検出方法
KR102405144B1 (ko) 2016-05-06 2022-06-07 코닝 인코포레이티드 투명 기판들로부터의 윤곽 형상들의 레이저 절단 및 제거
CN107398644A (zh) * 2016-05-18 2017-11-28 南京魔迪多维数码科技有限公司 一种切割脆性材料的方法
CN107398640A (zh) * 2016-05-18 2017-11-28 南京魔迪多维数码科技有限公司 一种切割脆性材料的方法及系统
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
JP7090594B2 (ja) 2016-07-29 2022-06-24 コーニング インコーポレイテッド レーザ加工するための装置および方法
US10522963B2 (en) 2016-08-30 2019-12-31 Corning Incorporated Laser cutting of materials with intensity mapping optical system
WO2018064409A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
LT3529214T (lt) 2016-10-24 2021-02-25 Corning Incorporated Substrato apdorojimo stotis lakšto formos stiklo substratų lazeriniam mašininiam apdorojimui
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
JP6887641B2 (ja) * 2017-03-30 2021-06-16 国立大学法人埼玉大学 ガラススライシング方法
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
JP2020531392A (ja) * 2017-08-25 2020-11-05 コーニング インコーポレイテッド アフォーカルビーム調整アセンブリを用いて透明被加工物をレーザ加工するための装置及び方法
US12180108B2 (en) 2017-12-19 2024-12-31 Corning Incorporated Methods for etching vias in glass-based articles employing positive charge organic molecules
JP7112204B2 (ja) 2018-02-07 2022-08-03 株式会社ディスコ 非破壊検出方法
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7330771B2 (ja) * 2019-06-14 2023-08-22 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
CN110216389A (zh) * 2019-07-01 2019-09-10 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种晶圆的激光加工方法及系统
US11081393B2 (en) 2019-12-09 2021-08-03 Infineon Technologies Ag Method for splitting semiconductor wafers
US11282746B2 (en) * 2019-12-27 2022-03-22 Micron Technology, Inc. Method of manufacturing microelectronic devices, related tools and apparatus
US11377758B2 (en) 2020-11-23 2022-07-05 Stephen C. Baer Cleaving thin wafers from crystals
DE102021110742B4 (de) * 2021-04-27 2025-01-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zum teilen von halbleiterwerkstücken, halbleiterwerkstück und gerät zum definieren eines trennbereichs in halbleiterwerkstücken
US12564068B2 (en) 2022-10-06 2026-02-24 Thinsic Inc. Carbon assisted semiconductor dicing and method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5968382A (en) * 1995-07-14 1999-10-19 Hitachi, Ltd. Laser cleavage cutting method and system
JP2001127015A (ja) * 2000-11-15 2001-05-11 Nec Machinery Corp ウェハシートのエキスパンダ
WO2002022301A1 (fr) * 2000-09-13 2002-03-21 Hamamatsu Photonics K.K. Procede et dispositif d'usinage par rayonnement laser

Family Cites Families (242)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US759237A (en) * 1903-06-15 1904-05-10 Williams Abbott Electric Company Circuit-changer.
US3448510A (en) * 1966-05-20 1969-06-10 Western Electric Co Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed
US3629545A (en) 1967-12-19 1971-12-21 Western Electric Co Laser substrate parting
GB1246481A (en) 1968-03-29 1971-09-15 Pilkington Brothers Ltd Improvements in or relating to the cutting of glass
US3613974A (en) 1969-03-10 1971-10-19 Saint Gobain Apparatus for cutting glass
US3610871A (en) * 1970-02-19 1971-10-05 Western Electric Co Initiation of a controlled fracture
US3626141A (en) 1970-04-30 1971-12-07 Quantronix Corp Laser scribing apparatus
US3824678A (en) * 1970-08-31 1974-07-23 North American Rockwell Process for laser scribing beam lead semiconductor wafers
US3909582A (en) 1971-07-19 1975-09-30 American Can Co Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate
US3790744A (en) * 1971-07-19 1974-02-05 American Can Co Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate
US3790051A (en) 1971-09-07 1974-02-05 Radiant Energy Systems Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller
US3970819A (en) * 1974-11-25 1976-07-20 International Business Machines Corporation Backside laser dicing system
US4092518A (en) * 1976-12-07 1978-05-30 Laser Technique S.A. Method of decorating a transparent plastics material article by means of a laser beam
US4242152A (en) 1979-05-14 1980-12-30 National Semiconductor Corporation Method for adjusting the focus and power of a trimming laser
JPS6041478B2 (ja) 1979-09-10 1985-09-17 富士通株式会社 半導体レ−ザ素子の製造方法
US4336439A (en) * 1980-10-02 1982-06-22 Coherent, Inc. Method and apparatus for laser scribing and cutting
JPS5854648A (ja) 1981-09-28 1983-03-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ装置
US4475027A (en) 1981-11-17 1984-10-02 Allied Corporation Optical beam homogenizer
WO1984002296A1 (fr) 1982-12-17 1984-06-21 Inoue Japax Res Appareil d'usinage a laser
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
US4650619A (en) * 1983-12-29 1987-03-17 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Method of machining a ceramic member
US4562333A (en) 1984-09-04 1985-12-31 General Electric Company Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials
JPS61229487A (ja) * 1985-04-03 1986-10-13 Sasaki Glass Kk レ−ザビ−ムによるガラス切断方法
JPS6240986A (ja) * 1985-08-20 1987-02-21 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd レ−ザ−加工方法
AU584563B2 (en) 1986-01-31 1989-05-25 Ciba-Geigy Ag Laser marking of ceramic materials, glazes, glass ceramics and glasses
JPS62201479A (ja) * 1986-02-28 1987-09-05 Mita Ind Co Ltd 画像形成装置
US4691093A (en) 1986-04-22 1987-09-01 United Technologies Corporation Twin spot laser welding
FR2605310B1 (fr) * 1986-10-16 1992-04-30 Comp Generale Electricite Procede de renforcement de pieces ceramiques par traitement au laser
US4815854A (en) * 1987-01-19 1989-03-28 Nec Corporation Method of alignment between mask and semiconductor wafer
US4981525A (en) * 1988-02-19 1991-01-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPH0256987A (ja) * 1988-02-23 1990-02-26 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路の実装方法
JPH01133701U (ja) * 1988-03-07 1989-09-12
JP2680039B2 (ja) 1988-06-08 1997-11-19 株式会社日立製作所 光情報記録再生方法及び記録再生装置
JP2507665B2 (ja) * 1989-05-09 1996-06-12 株式会社東芝 電子管用金属円筒部材の製造方法
US5132505A (en) * 1990-03-21 1992-07-21 U.S. Philips Corporation Method of cleaving a brittle plate and device for carrying out the method
FR2669427B1 (fr) 1990-11-16 1993-01-22 Thomson Csf Dispositif de controle d'alignement de deux voies optiques et systeme de designation laser equipe d'un tel dispositif de controle.
US5211805A (en) 1990-12-19 1993-05-18 Rangaswamy Srinivasan Cutting of organic solids by continuous wave ultraviolet irradiation
JPH0639572A (ja) 1991-01-11 1994-02-15 Souei Tsusho Kk ウェハ割断装置
US5171249A (en) 1991-04-04 1992-12-15 Ethicon, Inc. Endoscopic multiple ligating clip applier
JP3213338B2 (ja) * 1991-05-15 2001-10-02 株式会社リコー 薄膜半導体装置の製法
US5230184A (en) 1991-07-05 1993-07-27 Motorola, Inc. Distributed polishing head
US5762744A (en) * 1991-12-27 1998-06-09 Rohm Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device using an expand tape
SG52223A1 (en) * 1992-01-08 1998-09-28 Murata Manufacturing Co Component supply method
RU2024441C1 (ru) * 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
US5254149A (en) 1992-04-06 1993-10-19 Ford Motor Company Process for determining the quality of temper of a glass sheet using a laser beam
JP3088193B2 (ja) * 1992-06-05 2000-09-18 三菱電機株式会社 Ｌｏｃ構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム
GB9216643D0 (en) * 1992-08-05 1992-09-16 Univ Loughborough Automatic operations on materials
JP3281073B2 (ja) 1992-12-14 2002-05-13 日精エー・エス・ビー機械株式会社 射出延伸吹込成形機
WO1994014567A1 (en) 1992-12-18 1994-07-07 Firebird Traders Ltd. Process and apparatus for etching an image within a solid article
JP2720744B2 (ja) 1992-12-28 1998-03-04 三菱電機株式会社 レーザ加工機
US5382770A (en) * 1993-01-14 1995-01-17 Reliant Laser Corporation Mirror-based laser-processing system with visual tracking and position control of a moving laser spot
US5637244A (en) 1993-05-13 1997-06-10 Podarok International, Inc. Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material
DE69415484T2 (de) 1993-06-04 1999-06-24 Seiko Epson Corp Vorrichtung und verfahren zum laserbearbeiten
US5580473A (en) 1993-06-21 1996-12-03 Sanyo Electric Co. Ltd. Methods of removing semiconductor film with energy beams
GB2281129B (en) * 1993-08-19 1997-04-09 United Distillers Plc Method of marking a body of glass
US5376793A (en) 1993-09-15 1994-12-27 Stress Photonics, Inc. Forced-diffusion thermal imaging apparatus and method
DE4404141A1 (de) 1994-02-09 1995-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrahlformung, insbesondere bei der Laserstrahl-Oberflächenbearbeitung
US5656186A (en) 1994-04-08 1997-08-12 The Regents Of The University Of Michigan Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation
US5776220A (en) 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US5622540A (en) 1994-09-19 1997-04-22 Corning Incorporated Method for breaking a glass sheet
JP3374880B2 (ja) 1994-10-26 2003-02-10 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP3535241B2 (ja) 1994-11-18 2004-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体デバイス及びその作製方法
US5543365A (en) 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
US5841543A (en) 1995-03-09 1998-11-24 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for verifying the presence of a material applied to a substrate
US5786560A (en) * 1995-03-31 1998-07-28 Panasonic Technologies, Inc. 3-dimensional micromachining with femtosecond laser pulses
KR970008386A (ko) * 1995-07-07 1997-02-24 하라 세이지 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치
JP3923526B2 (ja) 1995-08-31 2007-06-06 コーニング インコーポレイテッド 壊れやすい材料の分断方法および装置
US6057525A (en) * 1995-09-05 2000-05-02 United States Enrichment Corporation Method and apparatus for precision laser micromachining
US5641416A (en) * 1995-10-25 1997-06-24 Micron Display Technology, Inc. Method for particulate-free energy beam cutting of a wafer of die assemblies
KR0171947B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-20 김주용 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
AU1941397A (en) 1996-03-25 1997-10-17 Nippon Sheet Glass Co. Ltd. A laser processing method for a glass substrate, and a diffraction grating and a microlens array obtained therefrom
JPH09298339A (ja) 1996-04-30 1997-11-18 Rohm Co Ltd 半導体レーザの製法
DK109197A (da) 1996-09-30 1998-03-31 Force Instituttet Fremgangsmåde til bearbejdning af et materiale ved hjælp af en laserstråle
JPH10128567A (ja) * 1996-10-30 1998-05-19 Nec Kansai Ltd レーザ割断方法
DE19646332C2 (de) 1996-11-09 2000-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Veränderung des optischen Verhaltens an der Oberfläche und/oder innerhalb eines Werkstückes mittels eines Lasers
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
US6529362B2 (en) 1997-03-06 2003-03-04 Applied Materials Inc. Monocrystalline ceramic electrostatic chuck
US5976392A (en) 1997-03-07 1999-11-02 Yageo Corporation Method for fabrication of thin film resistor
US6156030A (en) 1997-06-04 2000-12-05 Y-Beam Technologies, Inc. Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification
BE1011208A4 (fr) 1997-06-11 1999-06-01 Cuvelier Georges Procede de decalottage de pieces en verre.
DE19728766C1 (de) 1997-07-07 1998-12-17 Schott Rohrglas Gmbh Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper
US6294439B1 (en) 1997-07-23 2001-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP3498895B2 (ja) * 1997-09-25 2004-02-23 シャープ株式会社 基板の切断方法および表示パネルの製造方法
US6641662B2 (en) * 1998-02-17 2003-11-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and waveguide polarization mode converter using the same
US6057180A (en) 1998-06-05 2000-05-02 Electro Scientific Industries, Inc. Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output
JP3152206B2 (ja) 1998-06-19 2001-04-03 日本電気株式会社 オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法
JP2000015467A (ja) 1998-07-01 2000-01-18 Shin Meiwa Ind Co Ltd 光による被加工材の加工方法および加工装置
US6181728B1 (en) 1998-07-02 2001-01-30 General Scanning, Inc. Controlling laser polarization
JP3784543B2 (ja) 1998-07-29 2006-06-14 Ｎｔｎ株式会社 パターン修正装置および修正方法
JP3156776B2 (ja) * 1998-08-03 2001-04-16 日本電気株式会社 レーザ照射方法
US6402004B1 (en) * 1998-09-16 2002-06-11 Hoya Corporation Cutting method for plate glass mother material
JP3605651B2 (ja) 1998-09-30 2004-12-22 日立化成工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000124537A (ja) 1998-10-21 2000-04-28 Sharp Corp 半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置
US6413839B1 (en) * 1998-10-23 2002-07-02 Emcore Corporation Semiconductor device separation using a patterned laser projection
US6172329B1 (en) * 1998-11-23 2001-01-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ablated laser feature shape reproduction control
JP3178524B2 (ja) 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
KR100338983B1 (ko) 1998-11-30 2002-07-18 윤종용 웨이퍼분리도구및이를이용하는웨이퍼분리방법
US6420678B1 (en) * 1998-12-01 2002-07-16 Brian L. Hoekstra Method for separating non-metallic substrates
US6252197B1 (en) 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
US6211488B1 (en) 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
US6259058B1 (en) 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
JP2000195828A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Denso Corp ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置
US6127005A (en) 1999-01-08 2000-10-03 Rutgers University Method of thermally glazing an article
JP2000219528A (ja) 1999-01-18 2000-08-08 Samsung Sdi Co Ltd ガラス基板の切断方法及びその装置
EP1022778A1 (en) 1999-01-22 2000-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP2000210785A (ja) 1999-01-26 2000-08-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 複数ビ―ムレ―ザ加工装置
JP3569147B2 (ja) 1999-01-26 2004-09-22 松下電器産業株式会社 基板の切断方法
JP4040819B2 (ja) 1999-02-03 2008-01-30 株式会社東芝 ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP4119028B2 (ja) 1999-02-19 2008-07-16 小池酸素工業株式会社 レーザーピアシング方法
JP2000237885A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Koike Sanso Kogyo Co Ltd レーザー切断方法
TW428295B (en) 1999-02-24 2001-04-01 Matsushita Electronics Corp Resin-sealing semiconductor device, the manufacturing method and the lead frame thereof
JP3426154B2 (ja) 1999-02-26 2003-07-14 科学技術振興事業団 グレーティング付き光導波路の製造方法
JP2000247671A (ja) 1999-03-04 2000-09-12 Takatori Corp ガラスの分断方法
TW445545B (en) * 1999-03-10 2001-07-11 Mitsubishi Electric Corp Laser heat treatment method, laser heat treatment apparatus and semiconductor device
JP3648399B2 (ja) 1999-03-18 2005-05-18 株式会社東芝 半導体装置
US6285002B1 (en) 1999-05-10 2001-09-04 Bryan Kok Ann Ngoi Three dimensional micro machining with a modulated ultra-short laser pulse
JP2000323441A (ja) 1999-05-10 2000-11-24 Hitachi Cable Ltd セラミックス基板上に形成した光導波回路チップの切断方法
US6420245B1 (en) 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
US6562698B2 (en) * 1999-06-08 2003-05-13 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Dual laser cutting of wafers
JP2000349107A (ja) 1999-06-09 2000-12-15 Nitto Denko Corp 半導体封止チップモジュールの製造方法及びその固定シート
US6229113B1 (en) * 1999-07-19 2001-05-08 United Technologies Corporation Method and apparatus for producing a laser drilled hole in a structure
US6344402B1 (en) * 1999-07-28 2002-02-05 Disco Corporation Method of dicing workpiece
TW404871B (en) 1999-08-02 2000-09-11 Lg Electronics Inc Device and method for machining transparent medium by laser
KR100578309B1 (ko) * 1999-08-13 2006-05-11 삼성전자주식회사 레이저 커팅 장치 및 이를 이용한 유리 기판 커팅 방법
JP2001064029A (ja) 1999-08-27 2001-03-13 Toyo Commun Equip Co Ltd 多層ガラス基板及び、その切断方法
JP4493127B2 (ja) 1999-09-10 2010-06-30 シャープ株式会社 窒化物半導体チップの製造方法
US6229114B1 (en) * 1999-09-30 2001-05-08 Xerox Corporation Precision laser cutting of adhesive members
US6359254B1 (en) * 1999-09-30 2002-03-19 United Technologies Corporation Method for producing shaped hole in a structure
JP3932743B2 (ja) 1999-11-08 2007-06-20 株式会社デンソー 圧接型半導体装置の製造方法
JP4180206B2 (ja) 1999-11-12 2008-11-12 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
ATE392984T1 (de) 1999-11-24 2008-05-15 Applied Photonics Inc Verfahren und vorrichtung zum trennen nichtmetallischer materialien
US6612035B2 (en) 2000-01-05 2003-09-02 Patrick H. Brown Drywall cutting tool
JP2001196282A (ja) 2000-01-13 2001-07-19 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2001250798A (ja) 2000-03-06 2001-09-14 Sony Corp ケガキ線で材料を分割する方法及び装置
DE10015702A1 (de) 2000-03-29 2001-10-18 Vitro Laser Gmbh Verfahren zum Einbringen wenigstens einer Innengravur in einen flachen Körper und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
TW504425B (en) * 2000-03-30 2002-10-01 Electro Scient Ind Inc Laser system and method for single pass micromachining of multilayer workpieces
JP2001284292A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体ウエハーのチップ分割方法
JP2003531492A (ja) * 2000-04-14 2003-10-21 エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース 特に半導体材料製の基板又はインゴットから少なくとも一枚の薄層を切り出す方法
US6333486B1 (en) 2000-04-25 2001-12-25 Igor Troitski Method and laser system for creation of laser-induced damages to produce high quality images
US20020006765A1 (en) 2000-05-11 2002-01-17 Thomas Michel System for cutting brittle materials
JP4697823B2 (ja) 2000-05-16 2011-06-08 株式会社ディスコ 脆性基板の分割方法
TW443581U (en) 2000-05-20 2001-06-23 Chipmos Technologies Inc Wafer-sized semiconductor package structure
JP2001339638A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Hamamatsu Photonics Kk ストリークカメラ装置
JP2001345252A (ja) 2000-05-30 2001-12-14 Hyper Photon Systens Inc レーザ切断機
JP3650000B2 (ja) 2000-07-04 2005-05-18 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置の製造方法
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6376797B1 (en) 2000-07-26 2002-04-23 Ase Americas, Inc. Laser cutting of semiconductor materials
JP2002050589A (ja) 2000-08-03 2002-02-15 Sony Corp 半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置
US6726631B2 (en) * 2000-08-08 2004-04-27 Ge Parallel Designs, Inc. Frequency and amplitude apodization of transducers
US6325855B1 (en) 2000-08-09 2001-12-04 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Gas collector for epitaxial reactors
JP2002192371A (ja) 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4762458B2 (ja) 2000-09-13 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP2003039184A (ja) 2000-09-13 2003-02-12 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP4837320B2 (ja) 2000-09-13 2011-12-14 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4964376B2 (ja) 2000-09-13 2012-06-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2003001458A (ja) 2000-09-13 2003-01-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP3751970B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3761565B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3626442B2 (ja) 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3722731B2 (ja) 2000-09-13 2005-11-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3761567B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3660294B2 (ja) 2000-10-26 2005-06-15 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2002158276A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
US6875379B2 (en) 2000-12-29 2005-04-05 Amkor Technology, Inc. Tool and method for forming an integrated optical circuit
JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
TW521310B (en) 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
US6770544B2 (en) 2001-02-21 2004-08-03 Nec Machinery Corporation Substrate cutting method
SG179310A1 (en) 2001-02-28 2012-04-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW473896B (en) 2001-03-20 2002-01-21 Chipmos Technologies Inc A manufacturing process of semiconductor devices
WO2002082540A1 (en) 2001-03-30 2002-10-17 Fujitsu Limited Semiconductor device, method of manufacture thereof, and semiconductor substrate
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
JP2003017790A (ja) 2001-07-03 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物系半導体素子及び製造方法
JP2003046177A (ja) 2001-07-31 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザの製造方法
JP2003154517A (ja) 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
US6608370B1 (en) * 2002-01-28 2003-08-19 Motorola, Inc. Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same
US6908784B1 (en) * 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
WO2003076119A1 (fr) * 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Procede de decoupe d'objet traite
JP4358502B2 (ja) 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4509720B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2006135355A (ja) 2002-03-12 2006-05-25 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法
AU2003211763A1 (en) 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
JP3670267B2 (ja) 2002-03-12 2005-07-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3935186B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4509573B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板、半導体チップ、及び半導体デバイスの製造方法
JP2003338468A (ja) 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子
JP2003338636A (ja) 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子
US6787732B1 (en) 2002-04-02 2004-09-07 Seagate Technology Llc Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor
US6744009B1 (en) * 2002-04-02 2004-06-01 Seagate Technology Llc Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 濱松赫德尼古斯股份有限公司 Cutting method of semiconductor substrate
CN100445014C (zh) * 2002-12-05 2008-12-24 浜松光子学株式会社 激光加工装置
JP2004188422A (ja) * 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4334864B2 (ja) * 2002-12-27 2009-09-30 日本電波工業株式会社 薄板水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法
US7341007B2 (en) 2003-03-05 2008-03-11 Joel Vatsky Balancing damper
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
GB2404280B (en) 2003-07-03 2006-09-27 Xsil Technology Ltd Die bonding
ES2523432T3 (es) 2003-07-18 2014-11-25 Hamamatsu Photonics K.K. Chip semiconductor cortado
JP4563097B2 (ja) * 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
JP4300084B2 (ja) 2003-09-19 2009-07-22 株式会社リコー 画像形成装置
US7719017B2 (en) * 2004-01-07 2010-05-18 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor light-emitting device and its manufacturing method
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
CN100527360C (zh) * 2004-03-30 2009-08-12 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体芯片
CN1938827B (zh) * 2004-03-30 2010-05-26 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体芯片
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
JP4733934B2 (ja) 2004-06-22 2011-07-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4634089B2 (ja) * 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4200177B2 (ja) * 2004-08-06 2008-12-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体装置
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) * 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) * 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) * 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4776994B2 (ja) * 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) * 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP5183892B2 (ja) * 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP1875983B1 (en) * 2006-07-03 2013-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
KR101428823B1 (ko) 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP4954653B2 (ja) * 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN101522362B (zh) * 2006-10-04 2012-11-14 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP4812599B2 (ja) 2006-11-17 2011-11-09 倉敷紡績株式会社 染料濃度測定方法及び装置
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) * 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5333050B2 (ja) 2009-08-25 2013-11-06 ソニー株式会社 立体映像表示装置および立体映像表示装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5968382A (en) * 1995-07-14 1999-10-19 Hitachi, Ltd. Laser cleavage cutting method and system
WO2002022301A1 (fr) * 2000-09-13 2002-03-21 Hamamatsu Photonics K.K. Procede et dispositif d'usinage par rayonnement laser
JP2001127015A (ja) * 2000-11-15 2001-05-11 Nec Machinery Corp ウェハシートのエキスパンダ

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HAYASHI K.: "Kotai laser kochoha ni yoru glass kiban no naibu marking", DAI 45 KAI LASER NETSUKAKO KENKYUKAI RONBUNSHU, October 1998 (1998-10-01), XP002980104 *
MIURA K., HIRAO K.: "Femto-byo laser shosha ni yoru glass naibu eno hikari yuki kozo keisei", DAI 42 KAI LASER NETSUKAKO KANKYUKAI RONBUNSHU, November 1997 (1997-11-01), pages 107,109, XP002972176 *
SANO T. ET AL.: "Pico-byo pulse laser ni yoru silicon no kako tokusei hyoka-tan-pals.tanhacho laser ni yoru denshi zairyo no semitsu bisai kako (dai 1ho)", JAPAN WELDING SOCIETY ZENKOKU TAIKAI KOEN GAIYO, vol. 66, 13 March 2000 (2000-03-13), pages 72 - 73, XP002969944 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101325200B1 (ko) * 2005-04-27 2013-11-04 사이버 레이저 가부시끼가이샤 판 형상체 절단방법 및 레이저 가공장치
CN102990227A (zh) * 2011-09-08 2013-03-27 技鼎股份有限公司 单一波长多层雷射加工的方法
CN108145307A (zh) * 2016-12-02 2018-06-12 株式会社迪思科 SiC晶片的生成方法
CN108145307B (zh) * 2016-12-02 2021-12-07 株式会社迪思科 SiC晶片的生成方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1609559A1 (en) 2005-12-28
AU2003220847A1 (en) 2004-09-30
US8685838B2 (en) 2014-04-01
CN1758985A (zh) 2006-04-12
DE60315515T2 (de) 2007-12-13
EP1609559A4 (en) 2006-04-26
EP1609559B1 (en) 2007-08-08
DE60315515D1 (de) 2007-09-20
US20070125757A1 (en) 2007-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4606741B2 (ja) 加工対象物切断方法
JP3762409B2 (ja) 基板の分割方法
JP3670267B2 (ja) レーザ加工方法
US8685838B2 (en) Laser beam machining method
JP3624909B2 (ja) レーザ加工方法
JP4409840B2 (ja) 加工対象物切断方法
JP2002192367A (ja) レーザ加工方法
JP2003338467A (ja) 半導体基板の切断方法
WO2004082006A1 (ja) レーザ加工方法
JP4167094B2 (ja) レーザ加工方法
JP4509720B2 (ja) レーザ加工方法
JP4659301B2 (ja) レーザ加工方法
JP3935186B2 (ja) 半導体基板の切断方法
WO2004080642A1 (ja) レーザ加工方法
JP2006135355A (ja) 半導体基板の切断方法
JP3867108B2 (ja) レーザ加工装置
TW200417437A (en) Laser processing method
JP4146863B2 (ja) 半導体基板の切断方法
JP3867100B2 (ja) 半導体基板の切断方法
JP3867105B2 (ja) 半導体基板の切断方法
JP3867104B2 (ja) 半導体基板の切断方法
JP2004268103A (ja) レーザ加工方法
JP2006148175A (ja) レーザ加工方法
KR100813351B1 (ko) 레이저 가공 방법

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NI NO NZ OM PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057015298

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20038261308

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003712674

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057015298

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2003712674

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007125757

Country of ref document: US

Ref document number: 10548412

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10548412

Country of ref document: US

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 2003712674

Country of ref document: EP