JPH10305420A - 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 - Google Patents

酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法

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JPH10305420A
JPH10305420A JP22032097A JP22032097A JPH10305420A JP H10305420 A JPH10305420 A JP H10305420A JP 22032097 A JP22032097 A JP 22032097A JP 22032097 A JP22032097 A JP 22032097A JP H10305420 A JPH10305420 A JP H10305420A
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single crystal
wafer
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oxide single
functional device
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Takashi Yoshino
隆史 吉野
Kenji Kato
賢治 加藤
Minoru Imaeda
美能留 今枝
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NGK Insulators Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】酸化物単結晶からなる母材をダイシング加工す
るための、ドライプロセスによる新たな方法を提供す
る。 【解決手段】酸化物単結晶からなる母材１に対して、レ
ーザー光６を照射し、光化学的な反応によって酸化物単
結晶の分子を解離および蒸発させて除去加工することに
よって、母材１に溝３、４を形成する。溝３、４に沿っ
て、母材１を劈開させることによって、ダイシング加工
を行い、所定形状の切断片を得る。好ましくは、母材１
がウエハーであり、ウエハー１上において、各切断片に
対応する位置に各機能性デバイスを形成しておく。こう
した機能性デバイスとしては、光デバイスや圧電振動子
がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物単結晶から
なる母材をダイシング加工する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）、タ
ンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3 ）、水晶等の酸化物単
結晶を光導波路に適用した進行波形光変調器は、優れた
特性を備えており、高能率で高帯域化を達成できる可能
性がある。ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムは、
強誘電体として非常に優れた材料であり、電気光学定数
が大きく、短い光路で光の制御が可能であるという利点
を有している。また、酸化物単結晶基板上に、ＳＨＧ素
子（第二高調波発生素子）を形成する研究も進展してき
ている。
【０００３】また、このような光デバイスの他、最近
は、酸化物単結晶によって圧電振動子等の圧電デバイス
を形成する研究も行われてきている。
【０００４】光デバイスの場合も、圧電デバイスの場合
も、ウエハーの表面に多数のデバイスを形成した後に、
このウエハーをダイシング加工することによって、１枚
のウエハーから多数のデバイスを切り出す工程が必要で
ある。
【０００５】従来、酸化物単結晶ウエハーをダイシング
加工する方法としては、外周形極薄砥石を使用した切断
方法が知られている（「最新切断技術総覧」最新切断技
術総覧編集委員会編 株式会社 産業技術サービスセン
ター発行 第７０頁〜７３頁）。この方法においては、
微細なダイヤモンド砥粒と、厚さ２０〜４０μｍのレジ
ノイド砥石またはメタルボンド砥石を使用する。この方
法では、高番手の砥石を使用すれば、非常に高精度の加
工が可能であり、かつ切断面の状態も非常に良好であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、酸化物単結晶
ウエハー等をこの方法でダイシング加工することには、
次の問題点がある。 （１）切断時の摩擦熱による温度の上昇を防止するため
に、冷却水をウエハーにかけながら切断する必要があ
る。この冷却水によってデバイスが汚染されるため、こ
の後に洗浄工程が必要になる。 （２）ウエハーを移動させるための送りステージやスピ
ンドルの機械的精度を相当に高くしないと、砥石のぶれ
によって切断片の中にチッピングやクラックが発生す
る。これと同様に、ウエハーの固定精度も相当に高くす
る必要がある。 （３）高番手の砥石は、早く摩耗するので、切断面の形
状の変化量を考慮して、毎回の加工ごとに溝の深さが同
じになるように調節する必要がある。
【０００７】（４）これらの問題点の上、加工条件を最
適化することによって切削速度を高速化しても、表面コ
ーティング等の前工程と表面コーティングの剥離洗浄工
程が必要になるために、ダイシング加工に要する全工程
時間が長くなる。これに加えて、表面コーティング時、
樹脂固定時、洗浄後の乾燥時などに、それぞれ加熱処理
が必要になってくる。酸化物単結晶は、熱衝撃に弱いた
めに、熱処理工程時には細心の注意が必要であり、製品
の特性がばらつきやすい。
【０００８】本発明者は、こうした問題点を回避するた
めに、劈開によって酸化物単結晶ウエハーを切断するこ
とも試みた。ＬｉＦ、ＮａＣｌ等のイオン結晶は、ナイ
フエッジで叩くことによって、特定の結晶面に沿って劈
開させ、切断することができる（最新切断技術総覧、産
業技術サービスセンター発行、第２５８〜２５９頁）。
また、半導体レーザー用のＧａＡｓ単結晶基板、ＩｎＰ
単結晶基板も、劈開によって切断でき、かつ共振器ミラ
ーも同時に作製できる。劈開性の良好な結晶は、その劈
開面が原子レベルで平滑になっているので、光学研磨す
る必要がない。
【０００９】しかし、酸化物単結晶の場合には、一般に
劈開しにくく、実用化できない。
【００１０】また、例えばシリコンウエハーの場合に
は、シリコンウエハーにダイヤモンドカッターを使用し
て刻み溝を付け、この刻み溝に沿って劈開できる。こう
した方法は、ガラスを切断する場合にも使用されてい
る。
【００１１】しかし、酸化物単結晶は、例えばシリコン
と比べて加工しにくく、かりに劈開用の刻み線を酸化物
単結晶ウエハーの表面に入れてからウエハーを叩いて
も、刻み溝から一定方向に割れず、あらゆる方向に向か
って割れていき易いために、切断面が凹凸の多い形状に
なる。また、酸化物単結晶は一般に硬度が高く、深い刻
み溝を形成することが困難であるために、この方法では
非常に切断が困難であり、かつ不良品の発生割合が高く
なり、デバイスの歩留りが低下する。
【００１２】本発明の課題は、酸化物単結晶からなる母
材をダイシング加工するための、ドライプロセスによる
新たな方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物単結晶
からなる母材をダイシング加工して所定形状の切断片を
得る加工方法であって、母材に対してレーザー光を照射
し、光化学的な反応によって酸化物単結晶の分子を解離
および蒸発させて除去加工することによって、母材に溝
を形成し、次いでこの溝に沿って母材を劈開させること
を特徴とする。
【００１４】また、本発明は、酸化物単結晶からなる所
定形状の切断片上に設けられている機能性デバイスを製
造するための方法であって、ウエハー上に各切断片に対
応する位置にそれぞれ機能性デバイスを形成し、次いで
ウエハーに対してレーザー光を照射し、光化学的な反応
によって酸化物単結晶の分子を解離および蒸発させて除
去加工することによって、母材に各機能性デバイスを囲
むように溝を形成し、次いでこの溝に沿って母材を劈開
させることによって各切断片を得ることを特徴とする。
【００１５】本発明者は、ニオブ酸リチウム単結晶ウエ
ハー等の種々の酸化物単結晶の母材をダイシング加工す
るために、この母材に所定のレーザー光を照射して光化
学的な反応によって酸化物単結晶の分子を解離および蒸
発させて除去加工することによって、母材に溝を形成す
ると、この溝に沿って母材が容易に劈開し、劈開面の形
状も良好であり、不良品の割合も少なくなることを発見
し、本発明に到達した。
【００１６】このダイシング加工方法によって、特に酸
化物単結晶ウエハー等の母材上に、進行波形光変調器、
第二高調波発生素子等の光デバイスや、圧電デバイスを
形成した場合にも、ドライプロセスで極めて容易に各デ
バイスを高い歩留りで製造できるようになった。
【００１７】ここで、酸化物単結晶の母材に対してレー
ザー光を照射し、光化学的な反応によって酸化物単結晶
の分子を解離および蒸発させて除去加工することによっ
て、母材に溝を形成する加工について説明する。
【００１８】本発明者は、高分子材料の微細加工に利用
されている、いわゆるレーザーアブレーション技術に着
目した。従来、酸化物単結晶材料に、劈開用の刻み溝を
形成する目的でレーザーアブレーション技術を適用する
ことは、まったく類例がなかった。
【００１９】レーザーアブレーションとは、加工対象で
ある材料を構成する各分子間の結合エネルギーと同等の
エネルギーの波長の光を、材料へと向かって照射するこ
とによって、各分子を解離、蒸発させて除去加工する方
法である。これは、熱的加工ではないので、レーザー照
射部分のみを選択的に加工することができ、加工部分の
周辺への影響がないので、高精度の加工が可能である。
【００２０】このレーザーアブレーション法を酸化物単
結晶に適用した場合には、例えば、ニオブ酸リチウム単
結晶の結合エネルギーは８〜９ｅＶであるので、これ以
上のエネルギーを有するレーザー光を照射すると、純粋
なアブレーション加工が可能になるはずである。しか
し、８ｅＶのエネルギーは、波長に換算すると約１５０
ｎｍとなるが、１５０ｎｍ以下の波長を有するレーザー
光は極めて特殊なものしかないため、実用的ではない。
【００２１】本発明者は、純粋なレーザーアブレーショ
ン技術ではなく、酸化物単結晶の吸収端の波長の近傍の
レーザー光を高密度に集光して母材の表面に照射するこ
とによって、多光子吸収過程によって、母材を切断でき
ることを見いだした。この場合には、酸化物単結晶の母
材の切断加工プロセスにおいて、若干の熱的影響がある
ので、擬似熱的加工と呼ぶ。
【００２２】具体的には、母材を構成する酸化物単結晶
の吸収端の波長と、レーザー光の波長との差を、１００
ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とするこ
とが一層好ましい。
【００２３】こうした方法によって、ニオブ酸リチウ
ム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル
酸リチウム固溶体、Ｋ3 Ｌｉ2 Ｎｂ5 Ｏ1 5 、Ｌａ 3 Ｇ
ａ5 ＳｉＯ1 4 または酸化アルミニウムからなる母材
を、波長２００〜３００ｎｍのレーザー光で加工して溝
を形成できる。
【００２４】母材に形成した溝の深さは、０．１ｍｍ以
上とすることが好ましい。
【００２５】母材を加工するためのレーザービームの種
類としてはエキシマレーザー、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーの
第４次高調波等を好ましく使用できる。
【００２６】エキシマレーザーは、紫外線のパルス繰り
返し発振レーザーであり、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）、
ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長３０８ｎ
ｍ）などの気体状の化合物が発振する紫外光を、光共振
機により方向性を揃えて取り出したものである。
【００２７】エキシマレーザーを用いたアブレーション
加工は、例えば、ポリイミド等の微細加工のために孔を
開けるのに使用され、良好な形状の微細な孔の形成が可
能であることが報告されている。エキシマレーザーの応
用技術に関する文献としては、「Ｏ ｐｌｕｓ Ｅ」１
９９５年１１月号、第６４〜１０８頁の特集「実用期に
入ったエキシマレーザー」を挙げることができる。
【００２８】一方、酸化物単結晶の母材に対して、ＣＯ
2 レーザービーム（波長１０．６μｍ）のような比較的
に長波長のレーザービームを照射して、母材を加熱溶融
させ、溝を形成することも試みた。この場合には、母材
の照射部分で、局所的に急熱と急冷とが起こる。しか
し、酸化物単結晶、特にニオブ酸リチウム、タンタル酸
リチウム等の酸化物圧電単結晶は、熱衝撃に非常に弱
い。なぜなら、圧電単結晶の内部で急激な温度変化があ
ると、温度が変化した部分とその周辺で急激に焦電が発
生し、クラックが不可避的に発生するからである。例え
ば、ＣＯ 2 レーザービームを照射すると、こうした焦電
に起因するものと見られるクラックが、母材に多数発生
し、これを抑制することはできず、劈開性の良好な溝の
形成は困難であった。
【００２９】レーザー光の照射装置としては、いわゆる
一括露光方式の装置と多重反射方式の装置とが知られて
いる。多重反射方式の場合には、マスクの開孔率が小さ
い場合にも、光の利用率が高いという特徴を有してい
る。本発明においては、多重反射系による照射装置を使
用することが一層好ましい。
【００３０】レーザー光によって酸化物単結晶単結晶を
加工する際の走査法としては、いわゆるスポットスキャ
ン加工、一括転写加工、スリットスキャン加工を挙げる
ことができる。
【００３１】図１〜図３は、本発明の方法の一例を説明
するためのものである。図１（ａ）の斜視図において、
酸化物単結晶のウエハー１の表面１ａ側には、図示しな
い機能性デバイスが形成されている。機能性デバイスと
は、酸化物単結晶の特定の機能を利用したデバイスと言
う意味である。具体的には、圧電振動子、ＳＡＷフィル
ター、光導波路基板、第二高調波発生素子等の各種の光
デバイスに適用できる。
【００３２】ウエハー１の裏面１ｂに、矢印Ａのよう
に、粘着テープ２を粘着させ、ウエハー１を加工ステー
ジ上に固定する。次いで、図１（ｂ）に示すように、ウ
エハー１の表面１に対して矢印６のようにレーザー光を
照射し、前記のように溝を形成していく。
【００３３】本実施形態においては、ウエハー１の表面
には碁盤目形状に機能性デバイスが形成されている。こ
のため、レーザー光６の照射によって、ウエハー１の表
面１ａを縦横に走査し、溝３、４を碁盤目形状に形成し
ていく。各溝３と４とは互いに直交しており、溝３と溝
４とに囲まれた領域５内に、それぞれ所定の機能性デバ
イスが形成されている。
【００３４】次いで、図２に示すように、ウエハー１の
表面１ａ上にレジスト材料を塗布し、レジスト膜７を形
成する。次いで、図３に示すようにして劈開する。
【００３５】即ち、固定ステージ１１の固定面１１ａ上
にウエハー１を載置し、この際ウエハー１の表面１ａが
上向きになるようにする。ウエハー１のレジスト膜７側
を固定治具１０の押圧面１０ａ側に接触させる。ウエハ
ー１の劈開させようとしている溝４の位置を、固定台１
１の端面１１ｂに位置合わせし、かつ、固定治具１０の
端面１０ｂの位置に位置合わせする。固定治具１０に矢
印Ｂで示すように圧力を加え、ウエハー１が動かないよ
うにし、ウエハー１のうち固定治具１０から突出してい
る部分に上から矢印Ｃのように力を加える。
【００３６】この結果、溝４に沿って劈開が起こり、ウ
エハー１は、切断片８と９とに分離される。１２と１３
とは各劈開面である。
【００３７】
【実施例】以下、更に具体的な実験結果について述べ
る。 （実施例１）厚さ０．５ｍｍの、Ｘカットされた３イン
チウエハー（ＬｉＮｂＯ3 単結晶）を準備した。チタン
拡散プロセスとフォトリソグラフィー法とによって、ウ
エハー１の表面１ａに、マッハツェンダー型の光導波路
および制御電極を形成した。これによって、ウエハー１
に、進行波形光変調器を、１６個作製した。このウエハ
ー１の裏面１ｂに粘着フィルム２を貼りつけ、加工ステ
ージの上に直接に機械的に固定した。
【００３８】パルスＮｄ−ＹＡＧレーザーの第４次高調
波（波長２６６ｎｍ）を使用し、スポットスキャン方式
によって露光し、溝３、４を形成した。ウエハー１の表
面におけるレーザー光の出力が３００ｍＷとなるように
し、レーザー光の走査速度を０．５ｍｍ／秒とし、パル
スの繰り返し周波数を２ｋＨｚとし、パルス幅を４５ｎ
ｓｅｃとした。この加工によって、深さ１００μｍ、幅
４０μｍの溝３、４を形成した。
【００３９】ウエハー１の表面１ａ側にレジスト膜７を
コーティングし、図３に示すように、ウエハー１を固定
ステージ１１上に固定し、手によって矢印Ｃ方向へと力
を加え、劈開させた。この劈開操作を繰り返して、１６
個の各切断片を得た。粘着フィルム２から、１６個の各
切断片をそれぞれ剥離させた。
【００４０】（実施例２）厚さ０．５ｍｍの、Ｚカット
された３インチウエハー（ＬｉＴａＯ3 単結晶）を準備
した。フォトリソグラフィー法によって、ウエハー１の
表面１ａに、第二高調波発生素子（ＳＨＧ素子）用の光
導波路を３００個作製した。このウエハー１の裏面１ｂ
に粘着フィルム２を貼りつけ、加工ステージの上に直接
に機械的に固定した。
【００４１】ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）を使用し、スポットスキャン方式によって露光し、
溝３、４を形成した。ウエハー１の表面におけるレーザ
ー光の出力が２００ｍＷとなるようにし、レーザー光の
走査速度を０．３ｍｍ／秒とし、パルスの繰り返し周波
数を２．５ｋＨｚとし、パルス幅を３０ｎｓｅｃとし
た。この加工によって、深さ８０μｍ、幅４０μｍの溝
３、４を形成した。
【００４２】ウエハー１の表面１ａ側にレジスト膜７を
コーティングした。次いで、図３に示すように、ウエハ
ー１を固定ステージ１１上に固定し、手によって矢印Ｃ
方向へと力を加え、劈開させた。この劈開操作を繰り返
して、３００個の各切断片を得た。粘着フィルム２か
ら、３００個の各切断片をそれぞれ剥離させた。
【００４３】（比較例１）厚さ０．５ｍｍの、Ｚカット
された３インチウエハー（ＬｉＴａＯ3 単結晶）を準備
した。フォトリソグラフィー法によって、ウエハー１の
表面１ａに、第二高調波発生素子（ＳＨＧ素子）用の光
導波路を３００個作製した。
【００４４】このウエハー１の表面１ａを、フォトレジ
ストでコーティングした後、ウエハー１の裏面１ｂに粘
着フィルム２を貼りつけ、ウエハー１を、真空チャック
付きの加工ステージ上に固定した。
【００４５】砥石としては、♯４００のダイヤモンド砥
粒と、厚さ０．３ｍｍのレジノイドまたはメタルボンド
を使用した。砥石の回転速度を２００００ｒｐｍとし、
砥石の送り速度を１００ｍｍ／分間とし、ウエハー１の
切断加工を行った。この間、冷却水をウエハー１へとか
け続ける必要があった。
【００４６】各第二高調波発生素子を有する切断片を、
１個ごと、粘着テープから剥離させた。次いで、アセト
ンによって、各切断片の表面のフォトレジストを溶解さ
せた。次いで、ＩＰＡ超音波洗浄を行い、中性洗剤を使
用して超音波洗浄を行い、再びＩＰＡ超音波洗浄を行
い、純水を流し、更に窒素ガスを流して乾燥させる必要
があった。最終的に得られた第二高調波発生素子は、２
１８個であった。
【００４７】（比較例２）厚さ０．５ｍｍの、Ｘカット
された３インチウエハー（ＬｉＮｂＯ3 単結晶）を準備
した。チタン拡散プロセスとフォトリソグラフィー法と
によって、ウエハー１の表面１ａに、マッハツェンダー
型の光導波路および制御電極を形成した。これによっ
て、ウエハー１に、進行波形光変調器を、１６個作製し
た。このウエハー１の裏面１ｂに粘着フィルム２を貼り
つけ、加工ステージの上に直接に機械的に固定した。
【００４８】ウエハー１に対して、ＣＯ2 レーザー（波
長１０６００ｎｍ）のパルスレーザーを照射し、ウエハ
ー１に、劈開用の溝を形成することを試みた。母材の表
面におけるレーザー光のパワーを３００Ｗとし、レーザ
ー光の走査速度を０．５ｍｍ／秒とし、パルスの繰り返
し周波数を２ｋＨＺとし、パルスの幅を４５ｎｓｅｃと
した。この加工によって、深さ２００μｍ、幅３００μ
ｍの溝を形成した。
【００４９】しかし、母材に微細なクラックが無数に発
生した。しかも、レーザー照射時の熱によって、ウエハ
ーの表面に形成されていた制御電極が破損したために、
完全なマッハツェダー型光変調素子を得ることはできな
かった。
【００５０】（実施例３）厚さ０．４ｍｍのＲ面カット
されたα−Ａｌ2 Ｏ3 単結晶ウエハー上に、ＭＯＣＶＤ
法により、窒化アルミニウム単結晶膜をエピタキシャル
成長させた。この表面を研磨し、厚さ５０ｎｍのアルミ
ニウム膜を成膜し、フォトリソグラフィー法によって櫛
形電極を形成した。これによって、ＲＦ−ＳＡＷフィル
ター用素子を９８２個作製した。
【００５１】このウエハー１の表面１ａにレジスト膜を
コーティングし、ウエハー１の裏面１ｂに粘着フィルム
２を貼りつけ、ウエハー１を加工ステージの上に機械的
に固定した。
【００５２】ＱスイッチパルスＮｄ−ＹＡＧレーザーの
第４次高調波（波長２６６ｎｍ）を使用し、スポットス
キャン方式によって露光し、溝を形成した。具体的に
は、ウエハーの表面におけるビームスポットサイズはφ
２０μｍであり、レーザー光の出力が３５０ｍＷになる
ようにし、加工ステージの走査速度を０．５ｍｍ／秒と
し、パルスの繰り返し周波数を３ｋＨｚとし、パルス幅
を４５ｎ秒とした。この加工によって、深さ２００μ
ｍ、幅２０μｍの溝を形成した。
【００５３】ウエハーを割断用のステージ上に固定し、
適当な治具によって劈開させた。この劈開操作を繰り返
すことによって、９６５個の各切断片を得た。粘着フィ
ルムから９６５個の各切断片をそれぞれ剥離させ、各切
断片の表面をアセトンによって洗浄し、各切断片の表面
のレジスト膜を溶解させた。
【００５４】（比較例３）厚さ０．４５ｍｍのＲ面カッ
トされたα−Ａｌ2 Ｏ3 単結晶ウエハー上に、ＭＯＣＶ
Ｄ法により、窒化アルミニウム単結晶膜をエピタキシャ
ル成長させた。この表面を研磨し、厚さ５０ｎｍのアル
ミニウム膜を成膜し、フォトリソグラフィー法によって
櫛形電極を形成した。これによって、ＲＦ−ＳＡＷフィ
ルター用素子を９８２個作製した。
【００５５】このウエハー１の表面１ａにレジスト膜を
コーティングし、ウエハー１の裏面１ｂに粘着フィルム
２を貼りつけ、ウエハー１を真空チャック付きの加工ス
テージの上に固定した。
【００５６】この状態でウエハーを切断加工することに
よって、各ＲＦ−ＳＡＷフィルター用素子を切り離し
た。具体的には、♯４００のダイヤモンド砥粒と厚さ
０．２ｍｍのレジノイドとを使用した。砥石の回転速度
を３０，０００ｒｐｍとし、砥石の送り速度を４ｍｍ／
秒とした。砥石を１回目に送ったときに、深さ約０．２
５ｍｍの溝を形成し、二回目に送ったときに、残りの部
分を切断加工した。切断の間、冷却水をウエハーにかけ
続ける必要があった。これによって８３６個の各切断片
を得た。粘着フィルムから８３６個の各切断片をそれぞ
れ剥離させ、各切断片の表面をアセトンによって洗浄
し、各切断片の表面のレジスト膜を溶解させた。
【００５７】（実施例４）厚さ０．３ｍｍのＺ面カット
された２インチのα−Ａｌ2 Ｏ3 単結晶ウエハー上に、
ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ系単結晶膜をエピタキシャ
ル成長させ、フォトリソグラフィー法によって電極パタ
ーンを成膜した。これによって、ウエハーの表面に３，
６５８個の発光ダイオードを作製した。このウエハーの
表面に粘着フィルムを貼りつけ、ウエハーを加工ステー
ジの上に機械的に固定した。
【００５８】ＱスイッチパルスＮｄ−ＹＡＧレーザーの
第４次高調波（波長２６６ｎｍ）を使用し、スポットス
キャン方式によって露光し、ウエハーの裏面に溝を形成
した。具体的には、ウエハーの裏面におけるビームスポ
ットサイズはφ２０μｍであり、レーザー光の出力が３
５０ｍＷになるようにし、加工ステージの走査速度を
１．０ｍｍ／秒とし、パルスの繰り返し周波数を３ｋＨ
ｚとし、パルス幅を４５ｎ秒とした。この加工によっ
て、深さ１００μｍ、幅２０μｍの溝を形成した。
【００５９】ウエハーを割断用のステージ上に固定し、
適当な治具によって劈開させた。この劈開操作を繰り返
すことによって、３，２６２個の各切断片を得た。粘着
フィルムから３，２６２個の各切断片をそれぞれ剥離さ
せた。
【００６０】（比較例４）厚さ０．３ｍｍのＺ面カット
された２インチのα−Ａｌ2 Ｏ3 単結晶ウエハー上に、
ＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮ系単結晶膜をエピタキシャ
ル成長させ、フォトリソグラフィー法によって電極パタ
ーンを成膜した。これによって、ウエハーの表面に３，
６５８個の発光ダイオードを作製した。このウエハーを
適当な治具によって加工ステージの上に機械的に固定し
た。
【００６１】このウエハーの表面及び裏面にダイヤモン
ドポイントカッターで溝を作製した。カッターをウエハ
ーに押しつける荷重を５０ｇｆとし、５０ｍｍ／秒の速
度でウエハーの表面及び裏面をひっかいて、幅５０μ
ｍ、深さ２μｍの溝を形成した。ウエハーを割断用のス
テージ上に固定し、適当な治具によって劈開させた。こ
の劈開操作を繰り返すことによって、１，４６０個の各
切断片を得た。
【００６２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、酸
化物単結晶からなる母材をダイシング加工するための、
ドライプロセスによる新たな方法を提供するができ、こ
れによって高い歩留りで、かつ短い加工時間、低い加工
コストで、ダイシング加工を実施できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、ウエハー１の裏面１ｂ側に粘着テー
プ２を付着させつつある状態を示す斜視図であり、
（ｂ）は、ウエハー１の表面１ａ側にレーザー光６を照
射して溝３、４を形成している状態を概略的に示す斜視
図である。
【図２】溝３、４が形成されているウエハー１の表面１
ａ側にレジスト膜７を形成した状態を示す斜視図であ
る。
【図３】図２のウエハー１を劈開させている状態を概略
的に示す斜視図である。
【符号の説明】
１ ウエハー １ａ ウエハー１の表面 １ｂ ウ
エハー１の裏面 ２ 粘着テープ ３、４ 溝
５ 溝３、４によって囲まれた機能性デバイスの形成領
域 ６ レーザー光 ７ レジスト膜 ８、９
切断片 １０ 固定治具 １１ 固定ステージ
Ｂ 固定治具１０の加圧方向 Ｃ ウエハー１への圧
力の方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｂ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】酸化物単結晶からなる母材をダイシング加
    工して所定形状の切断片を得る加工方法であって、前記
    母材に対してレーザー光を照射し、光化学的な反応によ
    って前記酸化物単結晶の分子を解離および蒸発させて除
    去加工することによって、前記母材に溝を形成し、次い
    でこの溝に沿って前記母材を劈開させることを特徴とす
    る、酸化物単結晶からなる母材の加工方法。
  2. 【請求項２】前記母材がウエハーであることを特徴とす
    る、請求項１記載の酸化物単結晶からなる母材の加工方
    法。
  3. 【請求項３】前記ウエハー上において前記の各切断片に
    対応する位置に各機能性デバイスを形成し、前記ウエハ
    ーを劈開させることによって、前記機能性デバイスを備
    える各切断片を得ることを特徴とする、請求項２記載の
    酸化物単結晶からなる母材の加工方法。
  4. 【請求項４】前記酸化物単結晶が、ニオブ酸リチウム単
    結晶、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム−
    タンタル酸リチウム固溶体単結晶、Ｋ3 Ｌｉ2 Ｎｂ5 Ｏ
    1 5 単結晶およびＬａ3 Ｇａ5 ＳｉＯ1 4 単結晶からな
    る群より選ばれた一種以上の酸化物単結晶であることを
    特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記
    載の酸化物単結晶からなる母材の加工方法。
  5. 【請求項５】前記酸化物単結晶が酸化アルミニウム単結
    晶であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一
    つの請求項に記載の酸化物単結晶からなる母材の加工方
    法。
  6. 【請求項６】酸化物単結晶からなる所定形状の切断片上
    に設けられている機能性デバイスを製造するための方法
    であって、 前記ウエハー上に前記の各切断片に対応する位置にそれ
    ぞれ前記機能性デバイスを形成し、次いで前記ウエハー
    に対してレーザー光を照射し、光化学的な反応によって
    前記酸化物単結晶の分子を解離および蒸発させて除去加
    工することによって、前記母材に前記の各機能性デバイ
    スを囲むように溝を形成し、次いでこの溝に沿って前記
    母材を劈開させることによって前記の各切断片を得るこ
    とを特徴とする、機能性デバイスの製造方法。
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DE69801455T DE69801455T2 (de) 1997-03-04 1998-03-02 Verfahren zum Schneiden der Vorform eines Oxyd-Einkristalls, und ein Verfahren zur Herstellung von funktionellen Vorrichtungen
EP19980301507 EP0863231B1 (en) 1997-03-04 1998-03-02 A process for dicing a preform made of an oxide single crystal, and a process for producing functional devices

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Cited By (215)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002192370A (ja) * 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
WO2003076119A1 (fr) * 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Procede de decoupe d'objet traite
WO2003076118A1 (en) * 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate, semiconductor chip, and semiconductor device manufacturing method
JP2004009139A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 New Wave Research ダイを製造する方法及びシステム
KR100542850B1 (ko) * 2001-11-30 2006-01-20 가부시끼가이샤 도시바 반도체 장치의 제조 방법
US7101797B2 (en) 2002-09-02 2006-09-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing device and processing method
JP2006269507A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を照射してウエーハに溝を形成する溝形成方法
JP2006324502A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Disco Abrasive Syst Ltd テープ貼り機
JP2007103718A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Koha Co Ltd 基板加工方法及び発光素子の製造方法
JP2007201178A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2007214266A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Disco Abrasive Syst Ltd 液状樹脂被覆装置およびレーザー加工装置
JP2007531640A (ja) * 2003-07-11 2007-11-08 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 受動電子素子基板上にスクライブラインを形成する方法
JP2007311450A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜被覆装置
US7355157B2 (en) 2005-03-15 2008-04-08 Disco Corporation Laser beam processing machine employing two beam spots having arcuate portions for forming a substantially rectangular combined spot
US7396742B2 (en) 2000-09-13 2008-07-08 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for cutting a wafer-like object by using a laser to form modified regions within the object
DE102008004438A1 (de) 2007-01-15 2008-07-17 Disco Corp. Messvorrichtung für durch Einspanntisch gehaltenes Werkstück und Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung
DE102008003761A1 (de) 2007-01-11 2008-08-21 Disco Corp. Laserstrahlbearbeitunsvorrichtung
DE102008011057A1 (de) 2007-02-27 2008-08-28 Disco Corp. Messvorrichtung für ein Werkstück, das auf einem Einspanntisch gehaltert ist
US7446022B2 (en) 2005-03-25 2008-11-04 Disco Corporation Wafer laser processing method
DE102008024468A1 (de) 2007-05-22 2008-11-27 Disco Corp. Laserbearbeitungsmaschine
US7470566B2 (en) 2005-06-09 2008-12-30 Disco Corporation Wafer dividing method
US7473866B2 (en) 2005-07-12 2009-01-06 Disco Corporation Laser processing apparatus
US7544588B2 (en) 2005-07-07 2009-06-09 Disco Corporation Laser processing method for wafer
US7544590B2 (en) 2006-08-29 2009-06-09 Disco Corporation Wafer laser processing method
DE102008059359A1 (de) 2007-12-18 2009-06-25 Disco Corp. Vorrichtung zum Detektieren der Kanten eines Werkstückes sowie Laserstrahlbearbeitungsmaschine
US7557904B2 (en) 2005-03-11 2009-07-07 Disco Corporation Wafer holding mechanism
US7566635B2 (en) 2002-03-12 2009-07-28 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
JP2009184002A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工方法
CN101533801A (zh) * 2008-03-14 2009-09-16 株式会社迪思科 光器件制造方法
US7605344B2 (en) 2003-07-18 2009-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product
US7608523B2 (en) 2005-08-26 2009-10-27 Disco Corporation Wafer processing method and adhesive tape used in the wafer processing method
US7629229B2 (en) 2008-02-06 2009-12-08 Disco Corporation Laser processing method
DE102009023739A1 (de) 2008-06-13 2009-12-17 Disco Co., Ltd. Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren
US7642485B2 (en) 2005-01-26 2010-01-05 Disco Corporation Laser beam processing machine
JP2010045151A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP2010045117A (ja) * 2008-08-11 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
DE102009028792A1 (de) 2008-08-25 2010-03-04 Disco Corp. Laserbearbeitungseinrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
DE102009038642A1 (de) 2008-08-25 2010-03-25 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
JP2010091562A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 ３Ｄ−マイクロマック アーゲー 透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法および装置
JP2010098116A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd 分割方法
US7713845B2 (en) 2006-09-25 2010-05-11 Disco Corporation Laser processing method for wafer
JP2010131806A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Disco Abrasive Syst Ltd アルチック基板の分割方法
US7745311B2 (en) 2008-08-22 2010-06-29 Disco Corporation Working method for an optical device wafer
US7767550B2 (en) 2007-02-05 2010-08-03 Disco Corporation Wafer laser processing method and laser processing equipment
US7776721B2 (en) 2006-10-17 2010-08-17 Disco Corporation Laser processing method for gallium arsenide wafer
JP2010214428A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 光学系及びレーザ加工装置
JP2010217113A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 断面形状測定装置
JP2010214431A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 光学系及びレーザ加工装置
DE102010015739A1 (de) 2009-04-23 2010-11-18 Disco Corp. Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung
US7842902B2 (en) 2006-09-11 2010-11-30 Disco Corporation Laser processing method and laser beam processing machine
US7915142B2 (en) 2009-06-03 2011-03-29 Disco Corporation Wafer processing method
DE102010047805A1 (de) 2009-10-09 2011-04-14 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
JP2011073064A (ja) * 2003-02-19 2011-04-14 Jp Sercel Associates Inc 可変非点焦点ビームスポットを用いたカッティング装置及びその方法
KR20110055395A (ko) 2009-11-18 2011-05-25 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
JP2011124263A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
US7978408B2 (en) 2008-12-08 2011-07-12 Disco Corporation Polarizing device and laser unit
KR20110092213A (ko) 2010-02-08 2011-08-17 가부시기가이샤 디스코 접착 필름 유지 기구
US8058103B2 (en) 2003-09-10 2011-11-15 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate cutting method
CN102248608A (zh) * 2010-05-19 2011-11-23 株式会社迪思科 板状物的分割装置
US8071464B2 (en) 2009-12-25 2011-12-06 Disco Corporation Manufacturing method for light emitting device
JP2011248241A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の加工方法及びレーザー加工装置
US8124909B2 (en) 2008-04-28 2012-02-28 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20120028215A (ko) 2010-09-14 2012-03-22 가부시기가이샤 디스코 광디바이스 웨이퍼의 가공 방법
US8148184B2 (en) 2010-02-05 2012-04-03 Disco Corporation Optical device wafer processing method
US8178423B2 (en) 2008-10-02 2012-05-15 Disco Corporation Laser beam machining method and laser beam machining apparatus
US8178425B2 (en) 2010-02-05 2012-05-15 Disco Corporation Optical device wafer processing method
DE102012201419A1 (de) 2011-02-03 2012-08-09 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
JP2012223783A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Panasonic Corp レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US8318518B2 (en) 2009-12-09 2012-11-27 Disco Corporation Light emitting device and manufacturing method thereof
DE102012211984A1 (de) 2011-07-11 2013-01-17 Disco Corporation Trennverfahren für ein Substrat einer optischen Einrichtung
DE102012212315A1 (de) 2011-07-13 2013-01-17 Disco Corp. Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers für eine optische Einrichtung
DE102012212940A1 (de) 2011-07-25 2013-01-31 Disco Corporation Verfahren zum Detektieren der Form eines Laserstrahlleuchtflecks
JP2013022608A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Disco Corp レーザ加工装置
US8378257B2 (en) 2008-12-01 2013-02-19 Disco Corporation Laser processing apparatus
DE102012218209A1 (de) 2011-10-06 2013-04-11 Disco Corporation Ableitungsverfahren für ein Substrat, an dem eine Passivierungsschicht ausgebildet ist
DE102012218210A1 (de) 2011-10-06 2013-04-11 Disco Corporation Ablationsverfahren
DE102012218916A1 (de) 2011-10-18 2013-04-18 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung aufweisend eine Plasmaerfassungseinrichtung
US8431428B2 (en) 2010-04-22 2013-04-30 Disco Corporation Optical device wafer processing method and laser processing apparatus
JP2013081957A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Corp パシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法
KR20130052512A (ko) 2011-11-11 2013-05-22 가부시기가이샤 디스코 광디바이스 웨이퍼의 가공 방법
US8461025B2 (en) 2009-09-07 2013-06-11 Disco Corporation Protective film forming method and apparatus
DE102012212095A1 (de) 2011-12-26 2013-06-27 Disco Corporation Laserbearbeitungsverfahren für einen Wafer
US8497189B1 (en) 2012-01-24 2013-07-30 Disco Corporation Processing method for wafer
KR20130086517A (ko) 2012-01-25 2013-08-02 가부시기가이샤 디스코 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법 및 스폿 형상 검출 장치
US8518730B2 (en) 2010-09-30 2013-08-27 Disco Corporation Sapphire wafer dividing method
US8569649B2 (en) 2010-07-20 2013-10-29 Disco Corporation Optical device and laser beam machining apparatus having optical device
KR20130119864A (ko) 2012-04-24 2013-11-01 가부시기가이샤 디스코 리프트 오프 방법
KR20130121719A (ko) 2012-04-27 2013-11-06 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
DE102013208490A1 (de) 2012-05-09 2013-11-14 Disco Corporation Werkstückteilungsverfahren
DE102013211896A1 (de) 2012-06-25 2014-01-02 Disco Corporation Bearbeitungsverfahren und Bearbeitungsvorrichtung
JP2014011568A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスおよびその製造方法
KR20140008497A (ko) 2012-07-11 2014-01-21 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 및 광 디바이스의 가공 방법
US8673695B2 (en) 2010-12-16 2014-03-18 Disco Corporation Sapphire wafer dividing method
KR20140045878A (ko) 2012-09-26 2014-04-17 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치 및 보호막 피복 방법
US8728911B2 (en) 2011-11-24 2014-05-20 Disco Corporation Optical device wafer processing method
US8759195B2 (en) 2010-12-24 2014-06-24 Disco Corporation Optical device wafer processing method
DE102013226651A1 (de) 2012-12-25 2014-06-26 Disco Corporation Laserverarbeitungsverfahren und Feinpartikellage-Ausbildungsmittel
DE102014201193A1 (de) 2013-01-25 2014-07-31 Disco Corporation Laserbearbeitungsverfahren
US8796113B2 (en) 2011-06-01 2014-08-05 Disco Corporation Laser processing method for wafer
US8828847B2 (en) 2011-06-01 2014-09-09 Disco Corporation Laser beam processing method for a wafer
KR20140109306A (ko) 2013-03-01 2014-09-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 가공 방법
US8865566B2 (en) 2002-12-03 2014-10-21 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
DE102014209012A1 (de) 2013-05-13 2014-11-13 Disco Corp. Laserbearbeitungsverfahren
DE102014215392A1 (de) 2013-08-06 2015-02-12 Disco Corporation Optikbauelementwafer-Bearbeitungsverfahren
US8957347B2 (en) 2011-10-04 2015-02-17 Disco Corporation Method of detecting condensing spot position in laser beam processing apparatus
US8969752B2 (en) 2003-03-12 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
US9048349B2 (en) 2010-12-17 2015-06-02 Disco Corporation Optical device wafer processing method
KR20150103631A (ko) 2014-03-03 2015-09-11 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스
DE102015207193A1 (de) 2014-04-21 2015-10-22 Disco Corporation Einkristallsubstrat-Bearbeitungsverfahren
KR20150133127A (ko) 2014-05-19 2015-11-27 가부시기가이샤 디스코 리프트 오프 방법
KR20160004640A (ko) * 2014-07-03 2016-01-13 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 마킹 방법
DE102015213054A1 (de) 2014-07-14 2016-01-14 Disco Corporation Abhebeverfahren
US9275848B2 (en) 2013-12-05 2016-03-01 Disco Corporation Processing method for optical device wafer
US9287176B2 (en) 2013-09-04 2016-03-15 Disco Corporation Optical device and manufacturing method therefor
US9305793B2 (en) 2013-03-05 2016-04-05 Disco Corporation Wafer processing method
US9337620B2 (en) 2014-01-21 2016-05-10 Disco Corporation Optical device and manufacturing method therefor
KR20160051595A (ko) 2014-10-30 2016-05-11 가부시기가이샤 디스코 보호막 검출 장치 및 보호막 검출 방법
KR20160067779A (ko) 2014-12-04 2016-06-14 가부시기가이샤 디스코 광디바이스의 가공 방법
KR20160069473A (ko) 2014-12-08 2016-06-16 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
DE102015224575A1 (de) 2014-12-12 2016-06-16 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102016201252A1 (de) 2015-02-02 2016-08-04 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallelements
DE102016203396A1 (de) 2015-03-06 2016-09-08 Disco Corporation Bearbeitungsverfahren eines Einzelkristallsubstrats
DE102016203836A1 (de) 2015-03-12 2016-09-15 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats
KR20160108166A (ko) 2015-03-06 2016-09-19 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 칩의 제조 방법
KR20160110176A (ko) 2015-03-11 2016-09-21 가부시기가이샤 디스코 보호막 검출 방법
DE102016205915A1 (de) 2015-04-09 2016-10-13 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
JP2016197701A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 株式会社ディスコ 光デバイスチップの製造方法
US9530929B2 (en) 2014-01-31 2016-12-27 Disco Corporation Lift-off method
KR20170028258A (ko) 2015-09-03 2017-03-13 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스층의 박리 방법
KR20170041141A (ko) 2015-10-06 2017-04-14 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
KR20170053112A (ko) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20170053113A (ko) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20170053111A (ko) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
US9700961B2 (en) 2011-10-06 2017-07-11 Disco Corporation Ablation method for die attach film
DE102017103737A1 (de) 2016-02-25 2017-08-31 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
US9761492B2 (en) 2015-10-13 2017-09-12 Disco Corporation Processing method of optical device wafer
JP2017191851A (ja) * 2016-04-13 2017-10-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102017207693A1 (de) 2016-05-09 2017-11-09 Disco Corporation Bearbeitungsvorrichtung für einen Wafer
DE102017207795A1 (de) 2016-05-12 2017-11-16 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20170126792A (ko) 2016-05-10 2017-11-20 가부시기가이샤 디스코 분할 공구 및 분할 공구의 사용 방법
JP2018046289A (ja) * 2017-11-21 2018-03-22 エイブリック株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE102017220759A1 (de) 2016-11-28 2018-05-30 Disco Corporation Aufbauverfahren für leds
KR20180065923A (ko) 2016-12-08 2018-06-18 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 분할 방법 및 레이저 가공 장치
KR20180070479A (ko) 2016-12-16 2018-06-26 가부시기가이샤 디스코 다이 본더
DE102018200981A1 (de) 2017-01-24 2018-07-26 Disco Corporation Detektionsvorrichtung für eine Fleckform
KR20180087154A (ko) 2017-01-23 2018-08-01 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
KR20180104564A (ko) 2017-03-13 2018-09-21 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
KR20180104565A (ko) 2017-03-13 2018-09-21 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20180105079A (ko) 2017-03-14 2018-09-27 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102018205546A1 (de) 2017-04-13 2018-10-18 Disco Corporation Detektionsverfahren für eine position eines bündelpunkts
DE102018206303A1 (de) 2017-04-25 2018-10-25 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
KR20180128346A (ko) 2017-05-23 2018-12-03 가부시기가이샤 디스코 반사율 검출 방법 및 반사율 검출 장치
KR20180132538A (ko) 2017-06-02 2018-12-12 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법
US10157793B2 (en) 2015-03-10 2018-12-18 Disco Corporation Method of processing single-crystal substrate
DE102018210843A1 (de) 2017-07-07 2019-01-10 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102018210573A1 (de) 2017-07-06 2019-01-10 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung und laserbearbeitungsverfahren
DE102018212918A1 (de) 2017-08-04 2019-02-07 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20190016445A (ko) 2017-08-08 2019-02-18 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 방법
DE102018213786A1 (de) 2017-08-17 2019-02-21 Disco Corporation Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
JP2019034330A (ja) * 2017-08-21 2019-03-07 株式会社ディスコ チップの製造方法
KR20190024683A (ko) 2017-08-30 2019-03-08 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20190027333A (ko) 2017-09-06 2019-03-14 가부시기가이샤 디스코 높이 검출 장치 및 레이저 가공 장치
DE102018216923A1 (de) 2017-10-03 2019-04-04 Disco Corporation Laseraufbringmechanismus
DE102018217293A1 (de) 2017-10-11 2019-04-11 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102018217750A1 (de) 2017-10-17 2019-04-18 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20190043088A (ko) 2017-10-17 2019-04-25 가부시기가이샤 디스코 리프트 오프 방법
DE102018217751A1 (de) 2017-10-19 2019-04-25 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102018218221A1 (de) 2017-10-25 2019-04-25 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102018218563A1 (de) 2017-10-31 2019-05-02 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102018218370A1 (de) 2017-11-02 2019-05-02 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20190045836A (ko) 2017-10-24 2019-05-03 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20190051822A (ko) 2017-11-07 2019-05-15 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20190064440A (ko) 2017-11-30 2019-06-10 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치
KR20190064456A (ko) 2017-11-30 2019-06-10 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
DE102019202876A1 (de) 2018-03-05 2019-09-05 Disco Corporation Bauelementübertragungsverfahren
KR20190122552A (ko) 2018-04-20 2019-10-30 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20190122551A (ko) 2018-04-20 2019-10-30 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20190130961A (ko) 2018-05-15 2019-11-25 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20190130970A (ko) 2018-05-15 2019-11-25 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 가공 방법
DE102019208341A1 (de) 2018-06-11 2019-12-12 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102019208702A1 (de) 2018-06-19 2019-12-19 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20200007660A (ko) 2018-07-13 2020-01-22 가부시기가이샤 디스코 Led 웨이퍼의 가공 방법
KR20200010042A (ko) 2018-07-20 2020-01-30 가부시기가이샤 디스코 Led 웨이퍼의 가공 방법
KR20200024706A (ko) 2018-08-28 2020-03-09 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
DE102019215999A1 (de) 2018-10-17 2020-04-23 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
DE102019215998A1 (de) 2018-10-17 2020-04-23 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
DE102019217091A1 (de) 2018-11-06 2020-05-07 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
DE102019217093A1 (de) 2018-11-06 2020-05-07 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
KR20200054895A (ko) 2018-11-12 2020-05-20 가부시기가이샤 디스코 리프트 오프 방법
DE102019219079A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
DE102019219077A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
DE102020200439A1 (de) 2019-01-17 2020-07-23 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
DE102020200438A1 (de) 2019-01-17 2020-07-23 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
KR20200099979A (ko) 2019-02-15 2020-08-25 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20200099980A (ko) 2019-02-15 2020-08-25 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
US10847420B2 (en) 2018-05-14 2020-11-24 Disco Corporation Wafer processing method
US10847404B2 (en) 2017-05-11 2020-11-24 Disco Corporation Sheet sticking method
KR20200145677A (ko) 2019-06-21 2020-12-30 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
FR3097787A1 (fr) 2019-06-28 2021-01-01 Disco Corporation Appareil de traitement laser
KR20210052223A (ko) 2019-10-30 2021-05-10 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20210088422A (ko) 2020-01-06 2021-07-14 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 가공 방법 및 웨이퍼 가공 장치
KR20210095792A (ko) 2020-01-24 2021-08-03 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 가공 방법, 및 웨이퍼 가공 장치
DE102021202379A1 (de) 2020-03-18 2021-09-23 Disco Corporation Untersuchungsvorrichtung und untersuchungsverfahren
DE102021203024A1 (de) 2020-03-30 2021-09-30 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
WO2021210395A1 (ja) 2020-04-14 2021-10-21 学校法人関西学院 窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、レーザー加工により窒化アルミニウム基板に導入された歪層を除去する方法
WO2021210394A1 (ja) 2020-04-14 2021-10-21 学校法人関西学院 炭化ケイ素基板の製造方法、炭化ケイ素基板、及び、レーザー加工により炭化ケイ素基板に導入された歪層を除去する方法
DE102021204838A1 (de) 2020-05-12 2021-11-18 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102021205568A1 (de) 2020-06-05 2021-12-09 Disco Corporation Wafer-bearbeitungsverfahren und -maschine
KR20220064299A (ko) 2020-11-11 2022-05-18 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20220067486A (ko) 2020-11-17 2022-05-24 가부시기가이샤 디스코 척 테이블 및 레이저 가공 장치
KR20220143575A (ko) 2021-04-16 2022-10-25 가부시기가이샤 디스코 Led 디스플레이 패널의 제조 방법
KR20220169899A (ko) 2021-06-21 2022-12-28 가부시기가이샤 디스코 가공 방법
KR20230000423A (ko) 2021-06-24 2023-01-02 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20240018366A (ko) 2022-08-02 2024-02-13 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20240083022A (ko) 2022-12-02 2024-06-11 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124161A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Disco Abrasive Syst Ltd 基盤の分割方法
US6555447B2 (en) * 1999-06-08 2003-04-29 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for laser scribing of wafers
US6562698B2 (en) 1999-06-08 2003-05-13 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Dual laser cutting of wafers
US6420245B1 (en) * 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
ES2302807T3 (es) * 2001-05-03 2008-08-01 Jemtex Ink Jet Printing Ltd. Impresoras y metodos de inyeccion de tinta.
JP2002372641A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Ngk Insulators Ltd 光導波路の製造方法、光導波路および波長変換デバイス
CN1289298C (zh) * 2001-09-06 2006-12-13 株式会社理光 液滴喷射头及其制造方法、微型器件、喷墨头、墨盒以及喷墨打印设备
SG139508A1 (en) * 2001-09-10 2008-02-29 Micron Technology Inc Wafer dicing device and method
SG102639A1 (en) * 2001-10-08 2004-03-26 Micron Technology Inc Apparatus and method for packing circuits
US6960813B2 (en) * 2002-06-10 2005-11-01 New Wave Research Method and apparatus for cutting devices from substrates
SG142115A1 (en) * 2002-06-14 2008-05-28 Micron Technology Inc Wafer level packaging
JP2004066293A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Namiki Precision Jewel Co Ltd レーザ加工方法
JP4334864B2 (ja) * 2002-12-27 2009-09-30 日本電波工業株式会社 薄板水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
AU2003220847A1 (en) 2003-03-12 2004-09-30 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
US20060246279A1 (en) 2003-04-25 2006-11-02 Masakatsu Urairi Method of producing laser-processed product and adhesive sheet, for laser processing used therefor
SG119185A1 (en) 2003-05-06 2006-02-28 Micron Technology Inc Method for packaging circuits and packaged circuits
JP2005101413A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd 薄板状被加工物の分割方法及び装置
ATE553638T1 (de) 2003-12-25 2012-04-15 Nitto Denko Corp Verfahren zur herstellung durch laser werkstücke
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4854061B2 (ja) 2005-01-14 2012-01-11 日東電工株式会社 レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用保護シート
JP4873863B2 (ja) 2005-01-14 2012-02-08 日東電工株式会社 レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用粘着シート
JP2006315017A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Canon Inc レーザ切断方法および被切断部材
US9138913B2 (en) * 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
US7626138B2 (en) * 2005-09-08 2009-12-01 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
US20070134833A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Semiconductor element and method of making same
JP2008053500A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2008277414A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
ITPD20070201A1 (it) * 2007-06-08 2008-12-09 Helios Technology Societa A Re Macchina per la rimozione di superfici di semiconduttori, ed in particolare di superfici con circuiti integrati
JP5090897B2 (ja) * 2007-12-28 2012-12-05 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP5324180B2 (ja) * 2008-10-07 2013-10-23 株式会社ディスコ レーザ加工方法およびレーザ加工装置
US8591287B2 (en) * 2010-02-26 2013-11-26 Corning Incorporated Methods of fabricating a honeycomb extrusion die from a die body
CN102749746B (zh) * 2012-06-21 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 液晶基板切割装置及液晶基板切割方法
WO2015008189A2 (en) * 2013-07-18 2015-01-22 Koninklijke Philips N.V. Dicing a wafer of light emitting devices
CN104129000B (zh) * 2014-07-28 2016-02-10 江苏吉星新材料有限公司 一种热交换法蓝宝石籽晶的加工方法
CN105436710B (zh) * 2015-12-30 2019-03-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种硅晶圆的激光剥离方法
US11088082B2 (en) 2018-08-29 2021-08-10 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device with partial EMI shielding and method of making the same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3247576A (en) * 1962-10-30 1966-04-26 Ibm Method of fabrication of crystalline shapes
NL299821A (ja) 1962-10-31 1900-01-01
US3257626A (en) * 1962-12-31 1966-06-21 Ibm Semiconductor laser structures
JPS546456A (en) 1977-06-17 1979-01-18 Hitachi Ltd Separating method into semiconductor pellet
US4227348A (en) * 1978-12-26 1980-10-14 Rca Corporation Method of slicing a wafer
JPS5836939A (ja) 1981-08-26 1983-03-04 Toshiba Corp ガラスウエハの切断方法
JPS5844739A (ja) 1981-09-10 1983-03-15 Toshiba Corp サファイヤ基板のスクライビング方法
FR2557732B1 (fr) 1983-12-28 1986-04-11 Lefevre Rene Procede de realisation de dispositifs piezoelectriques miniatures utilisant un usinage par laser et dispositifs obtenus par ce procede
JPS61251132A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
DD249797A1 (de) * 1986-06-06 1987-09-16 Elektronische Bauelemente C Vo Verfahren zum einkerben bzw. vereinzeln von piezoelektrischen substraten
JPS6469304A (en) 1987-09-09 1989-03-15 Sharp Kk Cleaving device
JPS63288714A (ja) * 1988-05-02 1988-11-25 Hitachi Ltd ダイシング治具
JPH0676269B2 (ja) 1990-02-28 1994-09-28 太陽誘電株式会社 セラミック基板のレーザースクライブ方法
US5387776A (en) 1993-05-11 1995-02-07 General Electric Company Method of separation of pieces from super hard material by partial laser cut and pressure cleavage
US5776220A (en) * 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
JPH0929472A (ja) * 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料

Cited By (419)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7615721B2 (en) 2000-09-13 2009-11-10 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
JP2009241154A (ja) * 2000-09-13 2009-10-22 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物の切断方法
US8927900B2 (en) 2000-09-13 2015-01-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of processing a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US8933369B2 (en) 2000-09-13 2015-01-13 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate and method of manufacturing a semiconductor device
US8937264B2 (en) 2000-09-13 2015-01-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8946589B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a substrate, method of cutting a wafer-like object, and method of manufacturing a semiconductor device
US7396742B2 (en) 2000-09-13 2008-07-08 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for cutting a wafer-like object by using a laser to form modified regions within the object
US8946592B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US10796959B2 (en) 2000-09-13 2020-10-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US7626137B2 (en) 2000-09-13 2009-12-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser cutting by forming a modified region within an object and generating fractures
US7592238B2 (en) 2000-09-13 2009-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8946591B2 (en) 2000-09-13 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of manufacturing a semiconductor device formed using a substrate cutting method
JP2002192370A (ja) * 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
US9837315B2 (en) 2000-09-13 2017-12-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and laser processing apparatus
US8969761B2 (en) 2000-09-13 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting a wafer-like object and semiconductor chip
KR100542850B1 (ko) * 2001-11-30 2006-01-20 가부시끼가이샤 도시바 반도체 장치의 제조 방법
KR100866171B1 (ko) * 2002-03-12 2008-10-30 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
US9287177B2 (en) 2002-03-12 2016-03-15 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US10622255B2 (en) 2002-03-12 2020-04-14 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
JP4515096B2 (ja) * 2002-03-12 2010-07-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US9543207B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9543256B2 (en) 2002-03-12 2017-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9548246B2 (en) 2002-03-12 2017-01-17 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9142458B2 (en) 2002-03-12 2015-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US8889525B2 (en) 2002-03-12 2014-11-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
JP4509573B2 (ja) * 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板、半導体チップ、及び半導体デバイスの製造方法
US9553023B2 (en) 2002-03-12 2017-01-24 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
KR100832941B1 (ko) * 2002-03-12 2008-05-27 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법
US11424162B2 (en) 2002-03-12 2022-08-23 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US10068801B2 (en) 2002-03-12 2018-09-04 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
WO2003076119A1 (fr) * 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Procede de decoupe d'objet traite
WO2003076120A1 (fr) * 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Procede de traitement au laser
WO2003076118A1 (en) * 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate, semiconductor chip, and semiconductor device manufacturing method
JPWO2003076118A1 (ja) * 2002-03-12 2005-06-30 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板、半導体チップ、及び半導体デバイスの製造方法
US7566635B2 (en) 2002-03-12 2009-07-28 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
US9711405B2 (en) 2002-03-12 2017-07-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
JPWO2003076120A1 (ja) * 2002-03-12 2005-07-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR100749972B1 (ko) * 2002-03-12 2007-08-16 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 가공 대상물 절단 방법
JP2004009139A (ja) * 2002-06-10 2004-01-15 New Wave Research ダイを製造する方法及びシステム
US8822882B2 (en) 2002-06-10 2014-09-02 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser with edge detection
US7101797B2 (en) 2002-09-02 2006-09-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing device and processing method
US8865566B2 (en) 2002-12-03 2014-10-21 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting semiconductor substrate
JP2011073064A (ja) * 2003-02-19 2011-04-14 Jp Sercel Associates Inc 可変非点焦点ビームスポットを用いたカッティング装置及びその方法
US8502112B2 (en) 2003-02-19 2013-08-06 Ipg Microsystems Llc System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot
US8969752B2 (en) 2003-03-12 2015-03-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP2007531640A (ja) * 2003-07-11 2007-11-08 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 受動電子素子基板上にスクライブラインを形成する方法
US8852698B2 (en) 2003-07-18 2014-10-07 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product
US7605344B2 (en) 2003-07-18 2009-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product
US8058103B2 (en) 2003-09-10 2011-11-15 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate cutting method
US7642485B2 (en) 2005-01-26 2010-01-05 Disco Corporation Laser beam processing machine
US7557904B2 (en) 2005-03-11 2009-07-07 Disco Corporation Wafer holding mechanism
US7355157B2 (en) 2005-03-15 2008-04-08 Disco Corporation Laser beam processing machine employing two beam spots having arcuate portions for forming a substantially rectangular combined spot
JP2006269507A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を照射してウエーハに溝を形成する溝形成方法
US7446022B2 (en) 2005-03-25 2008-11-04 Disco Corporation Wafer laser processing method
JP2006324502A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Disco Abrasive Syst Ltd テープ貼り機
US7618878B2 (en) 2005-06-09 2009-11-17 Disco Corporation Wafer dividing method
US7470566B2 (en) 2005-06-09 2008-12-30 Disco Corporation Wafer dividing method
US7544588B2 (en) 2005-07-07 2009-06-09 Disco Corporation Laser processing method for wafer
US7473866B2 (en) 2005-07-12 2009-01-06 Disco Corporation Laser processing apparatus
US7608523B2 (en) 2005-08-26 2009-10-27 Disco Corporation Wafer processing method and adhesive tape used in the wafer processing method
JP2007103718A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Koha Co Ltd 基板加工方法及び発光素子の製造方法
JP2007201178A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2007214266A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Disco Abrasive Syst Ltd 液状樹脂被覆装置およびレーザー加工装置
JP2007311450A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜被覆装置
US7544590B2 (en) 2006-08-29 2009-06-09 Disco Corporation Wafer laser processing method
US7842902B2 (en) 2006-09-11 2010-11-30 Disco Corporation Laser processing method and laser beam processing machine
US7713845B2 (en) 2006-09-25 2010-05-11 Disco Corporation Laser processing method for wafer
DE102007049553B4 (de) 2006-10-17 2022-07-14 Disco Corp. Laserbearbeitungsverfahren für Galliumarsenid-Wafer
US7776721B2 (en) 2006-10-17 2010-08-17 Disco Corporation Laser processing method for gallium arsenide wafer
US7994452B2 (en) 2007-01-11 2011-08-09 Disco Corporation Laser beam machining apparatus
DE102008003761B4 (de) * 2007-01-11 2016-08-18 Disco Corp. Laserstrahlbearbeitunsvorrichtung
DE102008003761A1 (de) 2007-01-11 2008-08-21 Disco Corp. Laserstrahlbearbeitunsvorrichtung
DE102008004438B4 (de) 2007-01-15 2024-06-06 Disco Corp. Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung
DE102008004438A1 (de) 2007-01-15 2008-07-17 Disco Corp. Messvorrichtung für durch Einspanntisch gehaltenes Werkstück und Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung
US7428062B2 (en) 2007-01-15 2008-09-23 Disco Corporation Measuring apparatus for work held by chuck table, and laser beam machining apparatus
US7767550B2 (en) 2007-02-05 2010-08-03 Disco Corporation Wafer laser processing method and laser processing equipment
US7499185B2 (en) 2007-02-27 2009-03-03 Disco Corporation Measuring device for workpiece held on chuck table
DE102008011057B4 (de) * 2007-02-27 2020-12-10 Disco Corp. Messvorrichtung für ein Werkstück, das auf einem Einspanntisch gehaltert ist, sowie Laserbearbeitungsmaschine
DE102008011057A1 (de) 2007-02-27 2008-08-28 Disco Corp. Messvorrichtung für ein Werkstück, das auf einem Einspanntisch gehaltert ist
US8049134B2 (en) 2007-05-22 2011-11-01 Disco Corporation Laser processing machine
DE102008024468A1 (de) 2007-05-22 2008-11-27 Disco Corp. Laserbearbeitungsmaschine
DE102008024468B4 (de) * 2007-05-22 2016-08-18 Disco Corporation Laserbearbeitungsmaschine
DE102008059359B4 (de) * 2007-12-18 2017-10-12 Disco Corp. Vorrichtung zum Detektieren der Kanten eines Werkstückes sowie Laserstrahlbearbeitungsmaschine
DE102008059359A1 (de) 2007-12-18 2009-06-25 Disco Corp. Vorrichtung zum Detektieren der Kanten eines Werkstückes sowie Laserstrahlbearbeitungsmaschine
US8040520B2 (en) 2007-12-18 2011-10-18 Disco Corporation Device for detecting the edges of a workpiece, and a laser beam processing machine
US7629229B2 (en) 2008-02-06 2009-12-08 Disco Corporation Laser processing method
US7754582B2 (en) 2008-02-08 2010-07-13 Disco Corporation Laser processing method
JP2009184002A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工方法
US7704769B2 (en) 2008-03-14 2010-04-27 Disco Corporation Optical device manufacturing method
CN101533801A (zh) * 2008-03-14 2009-09-16 株式会社迪思科 光器件制造方法
US8124909B2 (en) 2008-04-28 2012-02-28 Disco Corporation Laser processing apparatus
US7662700B2 (en) 2008-06-13 2010-02-16 Disco Corporation Optical device wafer dividing method
DE102009023739A1 (de) 2008-06-13 2009-12-17 Disco Co., Ltd. Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren
JP2010045117A (ja) * 2008-08-11 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
US7977215B2 (en) 2008-08-11 2011-07-12 Disco Corporation Method of processing optical device wafer
US8048780B2 (en) 2008-08-12 2011-11-01 Disco Corporation Method of processing optical device wafer
TWI455196B (zh) * 2008-08-12 2014-10-01 迪思科股份有限公司 Processing method of optical element wafers (2)
JP2010045151A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
US7745311B2 (en) 2008-08-22 2010-06-29 Disco Corporation Working method for an optical device wafer
DE102009028792B4 (de) 2008-08-25 2024-10-02 Disco Corp. Laserbearbeitungseinrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
DE102009028792A1 (de) 2008-08-25 2010-03-04 Disco Corp. Laserbearbeitungseinrichtung und Laserbearbeitungsverfahren
DE102009038642A1 (de) 2008-08-25 2010-03-25 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102009038642B4 (de) 2008-08-25 2023-11-16 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US8319143B2 (en) 2008-08-25 2012-11-27 Disco Corporation Laser processing apparatus
US8581144B2 (en) 2008-08-25 2013-11-12 Disco Corporation Laser processing apparatus and laser processing method
US8178423B2 (en) 2008-10-02 2012-05-15 Disco Corporation Laser beam machining method and laser beam machining apparatus
JP2010091562A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 ３Ｄ−マイクロマック アーゲー 透過型電子顕微鏡法用サンプルの作成方法および装置
JP2010098116A (ja) * 2008-10-16 2010-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd 分割方法
US8378257B2 (en) 2008-12-01 2013-02-19 Disco Corporation Laser processing apparatus
JP2010131806A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Disco Abrasive Syst Ltd アルチック基板の分割方法
US7978408B2 (en) 2008-12-08 2011-07-12 Disco Corporation Polarizing device and laser unit
JP2010214428A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 光学系及びレーザ加工装置
JP2010214431A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 光学系及びレーザ加工装置
JP2010217113A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 断面形状測定装置
DE102010015739A1 (de) 2009-04-23 2010-11-18 Disco Corp. Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung
US7915142B2 (en) 2009-06-03 2011-03-29 Disco Corporation Wafer processing method
US8461025B2 (en) 2009-09-07 2013-06-11 Disco Corporation Protective film forming method and apparatus
DE102010047805A1 (de) 2009-10-09 2011-04-14 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102010047805B4 (de) * 2009-10-09 2025-09-18 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US8404999B2 (en) 2009-10-09 2013-03-26 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20110055395A (ko) 2009-11-18 2011-05-25 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
JP2011124263A (ja) * 2009-12-08 2011-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
US8318518B2 (en) 2009-12-09 2012-11-27 Disco Corporation Light emitting device and manufacturing method thereof
US8071464B2 (en) 2009-12-25 2011-12-06 Disco Corporation Manufacturing method for light emitting device
US8148184B2 (en) 2010-02-05 2012-04-03 Disco Corporation Optical device wafer processing method
US8178425B2 (en) 2010-02-05 2012-05-15 Disco Corporation Optical device wafer processing method
KR20110092213A (ko) 2010-02-08 2011-08-17 가부시기가이샤 디스코 접착 필름 유지 기구
US8431428B2 (en) 2010-04-22 2013-04-30 Disco Corporation Optical device wafer processing method and laser processing apparatus
CN102248608A (zh) * 2010-05-19 2011-11-23 株式会社迪思科 板状物的分割装置
JP2011248241A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の加工方法及びレーザー加工装置
US8569649B2 (en) 2010-07-20 2013-10-29 Disco Corporation Optical device and laser beam machining apparatus having optical device
US8409969B2 (en) 2010-09-14 2013-04-02 Disco Corporation Optical device wafer processing method
KR20120028215A (ko) 2010-09-14 2012-03-22 가부시기가이샤 디스코 광디바이스 웨이퍼의 가공 방법
US8518730B2 (en) 2010-09-30 2013-08-27 Disco Corporation Sapphire wafer dividing method
US8673695B2 (en) 2010-12-16 2014-03-18 Disco Corporation Sapphire wafer dividing method
US9048349B2 (en) 2010-12-17 2015-06-02 Disco Corporation Optical device wafer processing method
US8759195B2 (en) 2010-12-24 2014-06-24 Disco Corporation Optical device wafer processing method
DE102012201419B4 (de) 2011-02-03 2023-10-26 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102012201419A1 (de) 2011-02-03 2012-08-09 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
JP2012223783A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Panasonic Corp レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US8828847B2 (en) 2011-06-01 2014-09-09 Disco Corporation Laser beam processing method for a wafer
US8796113B2 (en) 2011-06-01 2014-08-05 Disco Corporation Laser processing method for wafer
DE102012211984A1 (de) 2011-07-11 2013-01-17 Disco Corporation Trennverfahren für ein Substrat einer optischen Einrichtung
DE102012212315A1 (de) 2011-07-13 2013-01-17 Disco Corp. Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers für eine optische Einrichtung
JP2013022608A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Disco Corp レーザ加工装置
US9358637B2 (en) 2011-07-25 2016-06-07 Disco Corporation Laser beam spot shape detecting method
DE102012212940A1 (de) 2011-07-25 2013-01-31 Disco Corporation Verfahren zum Detektieren der Form eines Laserstrahlleuchtflecks
US8957347B2 (en) 2011-10-04 2015-02-17 Disco Corporation Method of detecting condensing spot position in laser beam processing apparatus
DE102012218209A1 (de) 2011-10-06 2013-04-11 Disco Corporation Ableitungsverfahren für ein Substrat, an dem eine Passivierungsschicht ausgebildet ist
DE102012218210A1 (de) 2011-10-06 2013-04-11 Disco Corporation Ablationsverfahren
US9700961B2 (en) 2011-10-06 2017-07-11 Disco Corporation Ablation method for die attach film
JP2013081957A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Disco Corp パシベーション膜が積層された基板のアブレーション加工方法
US9174305B2 (en) 2011-10-18 2015-11-03 Disco Corporation Laser processing apparatus including plasma detecting means
DE102012218916A1 (de) 2011-10-18 2013-04-18 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung aufweisend eine Plasmaerfassungseinrichtung
KR20130052512A (ko) 2011-11-11 2013-05-22 가부시기가이샤 디스코 광디바이스 웨이퍼의 가공 방법
US8728911B2 (en) 2011-11-24 2014-05-20 Disco Corporation Optical device wafer processing method
DE102012212095B4 (de) * 2011-12-26 2025-07-10 Disco Corporation Laserbearbeitungsverfahren für einen Wafer
DE102012212095A1 (de) 2011-12-26 2013-06-27 Disco Corporation Laserbearbeitungsverfahren für einen Wafer
US8541287B2 (en) 2011-12-26 2013-09-24 Disco Corporation Laser processing method for wafer
US8497189B1 (en) 2012-01-24 2013-07-30 Disco Corporation Processing method for wafer
KR20130086517A (ko) 2012-01-25 2013-08-02 가부시기가이샤 디스코 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법 및 스폿 형상 검출 장치
KR20130119864A (ko) 2012-04-24 2013-11-01 가부시기가이샤 디스코 리프트 오프 방법
KR20130121719A (ko) 2012-04-27 2013-11-06 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
DE102013208490A1 (de) 2012-05-09 2013-11-14 Disco Corporation Werkstückteilungsverfahren
US9649775B2 (en) 2012-05-09 2017-05-16 Disco Corporation Workpiece dividing method
DE102013208490B4 (de) 2012-05-09 2025-07-24 Disco Corporation Werkstückteilungsverfahren
KR20140000630A (ko) 2012-06-25 2014-01-03 가부시기가이샤 디스코 가공 방법 및 가공 장치
DE102013211896A1 (de) 2012-06-25 2014-01-02 Disco Corporation Bearbeitungsverfahren und Bearbeitungsvorrichtung
DE102013211896B4 (de) 2012-06-25 2024-10-10 Disco Corporation Bearbeitungsverfahren und Bearbeitungsvorrichtung
JP2014011568A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスおよびその製造方法
KR20140008497A (ko) 2012-07-11 2014-01-21 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 및 광 디바이스의 가공 방법
JP2014017433A (ja) * 2012-07-11 2014-01-30 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイス及び光デバイスの加工方法
KR20140045878A (ko) 2012-09-26 2014-04-17 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치 및 보호막 피복 방법
DE102013226651A1 (de) 2012-12-25 2014-06-26 Disco Corporation Laserverarbeitungsverfahren und Feinpartikellage-Ausbildungsmittel
KR20140096237A (ko) 2013-01-25 2014-08-05 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 방법
DE102014201193A1 (de) 2013-01-25 2014-07-31 Disco Corporation Laserbearbeitungsverfahren
DE102014201193B4 (de) 2013-01-25 2024-12-12 Disco Corporation Laserbearbeitungsverfahren
US9117895B2 (en) 2013-01-25 2015-08-25 Disco Corporation Laser processing method
KR20140109306A (ko) 2013-03-01 2014-09-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 가공 방법
US9349646B2 (en) 2013-03-01 2016-05-24 Disco Corporation Wafer processing method including a filament forming step and an etching step
US9305793B2 (en) 2013-03-05 2016-04-05 Disco Corporation Wafer processing method
US9209591B2 (en) 2013-05-13 2015-12-08 Disco Corporation Laser processing method
KR20140134220A (ko) 2013-05-13 2014-11-21 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 방법
DE102014209012A1 (de) 2013-05-13 2014-11-13 Disco Corp. Laserbearbeitungsverfahren
DE202014011497U1 (de) 2013-05-13 2021-06-29 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102014215392A1 (de) 2013-08-06 2015-02-12 Disco Corporation Optikbauelementwafer-Bearbeitungsverfahren
US9287176B2 (en) 2013-09-04 2016-03-15 Disco Corporation Optical device and manufacturing method therefor
US9275848B2 (en) 2013-12-05 2016-03-01 Disco Corporation Processing method for optical device wafer
US9337620B2 (en) 2014-01-21 2016-05-10 Disco Corporation Optical device and manufacturing method therefor
US9530929B2 (en) 2014-01-31 2016-12-27 Disco Corporation Lift-off method
KR20150103631A (ko) 2014-03-03 2015-09-11 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스
KR20150121659A (ko) 2014-04-21 2015-10-29 가부시기가이샤 디스코 단결정 기판의 가공 방법
DE102015207193A1 (de) 2014-04-21 2015-10-22 Disco Corporation Einkristallsubstrat-Bearbeitungsverfahren
KR20150133127A (ko) 2014-05-19 2015-11-27 가부시기가이샤 디스코 리프트 오프 방법
US9793166B2 (en) 2014-05-19 2017-10-17 Disco Corporation Lift-off method
US10304778B2 (en) 2014-07-03 2019-05-28 Eo Technics Co., Ltd Wafer marking method
KR20160004640A (ko) * 2014-07-03 2016-01-13 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 마킹 방법
US9531154B2 (en) 2014-07-14 2016-12-27 Disco Corporation Lift-off method
KR20160008458A (ko) 2014-07-14 2016-01-22 가부시기가이샤 디스코 리프트오프 방법
DE102015213054A1 (de) 2014-07-14 2016-01-14 Disco Corporation Abhebeverfahren
US9613415B2 (en) 2014-10-30 2017-04-04 Disco Corporation Protective film detecting apparatus and protective film detecting method
KR20160051595A (ko) 2014-10-30 2016-05-11 가부시기가이샤 디스코 보호막 검출 장치 및 보호막 검출 방법
KR20160067779A (ko) 2014-12-04 2016-06-14 가부시기가이샤 디스코 광디바이스의 가공 방법
US9786561B2 (en) 2014-12-08 2017-10-10 Disco Corporation Wafer processing method
KR20160069473A (ko) 2014-12-08 2016-06-16 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
DE102015224575A1 (de) 2014-12-12 2016-06-16 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US9543466B2 (en) 2015-02-02 2017-01-10 Disco Corporation Method for forming shield tunnels in single-crystal substrates
KR20160094859A (ko) 2015-02-02 2016-08-10 가부시기가이샤 디스코 단결정 부재의 가공 방법
DE102016201252A1 (de) 2015-02-02 2016-08-04 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallelements
KR20160108166A (ko) 2015-03-06 2016-09-19 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 칩의 제조 방법
DE102016203396A1 (de) 2015-03-06 2016-09-08 Disco Corporation Bearbeitungsverfahren eines Einzelkristallsubstrats
US10103061B2 (en) 2015-03-06 2018-10-16 Disco Corporation Processing method of single-crystal substrate
US10157793B2 (en) 2015-03-10 2018-12-18 Disco Corporation Method of processing single-crystal substrate
KR20160110176A (ko) 2015-03-11 2016-09-21 가부시기가이샤 디스코 보호막 검출 방법
US9976951B2 (en) 2015-03-11 2018-05-22 Disco Corporation Protective film detecting method
DE102016203836A1 (de) 2015-03-12 2016-09-15 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Einzelkristallsubstrats
US9735040B2 (en) 2015-03-12 2017-08-15 Disco Corporation Method of processing single-crystal substrate
JP2016197701A (ja) * 2015-04-06 2016-11-24 株式会社ディスコ 光デバイスチップの製造方法
DE102016205915A1 (de) 2015-04-09 2016-10-13 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US10071442B2 (en) 2015-04-09 2018-09-11 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20160121430A (ko) 2015-04-09 2016-10-19 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20170028258A (ko) 2015-09-03 2017-03-13 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스층의 박리 방법
KR20170041141A (ko) 2015-10-06 2017-04-14 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
US10109527B2 (en) 2015-10-06 2018-10-23 Disco Corporation Optical device wafer processing method
US9761492B2 (en) 2015-10-13 2017-09-12 Disco Corporation Processing method of optical device wafer
KR20170053112A (ko) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20170053113A (ko) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20170053111A (ko) 2015-11-05 2017-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
US9997392B2 (en) 2016-02-25 2018-06-12 Disco Corporation Wafer processing method
DE102017103737A1 (de) 2016-02-25 2017-08-31 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
KR20170117318A (ko) 2016-04-13 2017-10-23 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
DE102017206324B4 (de) 2016-04-13 2020-07-02 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
JP2017191851A (ja) * 2016-04-13 2017-10-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN107301974A (zh) * 2016-04-13 2017-10-27 株式会社迪思科 晶片的加工方法
DE102017206324A1 (de) 2016-04-13 2017-10-19 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
US9887140B2 (en) 2016-04-13 2018-02-06 Disco Corporation Wafer processing method
CN107301974B (zh) * 2016-04-13 2021-02-19 株式会社迪思科 晶片的加工方法
US10388508B2 (en) 2016-05-09 2019-08-20 Disco Corporation Wafer processing apparatus
DE102017207693A1 (de) 2016-05-09 2017-11-09 Disco Corporation Bearbeitungsvorrichtung für einen Wafer
US10658171B2 (en) 2016-05-09 2020-05-19 Disco Corporation Wafer processing apparatus
KR20170126792A (ko) 2016-05-10 2017-11-20 가부시기가이샤 디스코 분할 공구 및 분할 공구의 사용 방법
DE102017207795A1 (de) 2016-05-12 2017-11-16 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102017207795B4 (de) * 2016-05-12 2026-02-12 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US10692740B2 (en) 2016-05-12 2020-06-23 Disco Corporation Laser processing apparatus
DE102017220759A1 (de) 2016-11-28 2018-05-30 Disco Corporation Aufbauverfahren für leds
US10109765B2 (en) 2016-11-28 2018-10-23 Disco Corporation LED assembling method
KR20180061023A (ko) 2016-11-28 2018-06-07 가부시기가이샤 디스코 Led 조립 방법
DE102017220759B4 (de) 2016-11-28 2023-09-28 Disco Corporation LED-Zusammenbauverfahren zum Zusammenbau von Modulchips
KR20180065923A (ko) 2016-12-08 2018-06-18 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 분할 방법 및 레이저 가공 장치
US10758998B2 (en) 2016-12-08 2020-09-01 Disco Corporation Dividing method of workpiece and laser processing apparatus
KR20180070479A (ko) 2016-12-16 2018-06-26 가부시기가이샤 디스코 다이 본더
US10763390B2 (en) 2017-01-23 2020-09-01 Disco Corporation Optical device wafer processing method
KR20180087154A (ko) 2017-01-23 2018-08-01 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
KR20180087147A (ko) 2017-01-24 2018-08-01 가부시기가이샤 디스코 스폿 형상 검출 장치
US10132619B2 (en) 2017-01-24 2018-11-20 Disco Corporation Spot shape detection apparatus
DE102018200981A1 (de) 2017-01-24 2018-07-26 Disco Corporation Detektionsvorrichtung für eine Fleckform
DE102018200981B4 (de) * 2017-01-24 2025-06-26 Disco Corporation Detektionsvorrichtung für eine Fleckform
KR20180104565A (ko) 2017-03-13 2018-09-21 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102018203676B4 (de) * 2017-03-13 2024-10-17 Disco Corporation Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102018203674B4 (de) 2017-03-13 2024-10-17 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US10780524B2 (en) 2017-03-13 2020-09-22 Disco Corporation Laser processing method and laser processing apparatus
KR20180104564A (ko) 2017-03-13 2018-09-21 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
US11597040B2 (en) 2017-03-13 2023-03-07 Disco Corporation Laser processing apparatus
US10695870B2 (en) 2017-03-14 2020-06-30 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20180105079A (ko) 2017-03-14 2018-09-27 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102018205546A1 (de) 2017-04-13 2018-10-18 Disco Corporation Detektionsverfahren für eine position eines bündelpunkts
US10183359B2 (en) 2017-04-13 2019-01-22 Disco Corporation Condensing point position detecting method
KR20180115618A (ko) 2017-04-13 2018-10-23 가부시기가이샤 디스코 집광점 위치 검출 방법
DE102018205546B4 (de) 2017-04-13 2024-10-17 Disco Corporation Detektionsverfahren für eine position eines bündelpunkts
US10297710B2 (en) 2017-04-25 2019-05-21 Disco Corporation Method of processing wafer
KR20180119482A (ko) 2017-04-25 2018-11-02 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
DE102018206303B4 (de) 2017-04-25 2024-05-02 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
DE102018206303A1 (de) 2017-04-25 2018-10-25 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
US10847404B2 (en) 2017-05-11 2020-11-24 Disco Corporation Sheet sticking method
KR20180128346A (ko) 2017-05-23 2018-12-03 가부시기가이샤 디스코 반사율 검출 방법 및 반사율 검출 장치
US10471536B2 (en) 2017-05-23 2019-11-12 Disco Corporation Reflective detection method and reflectance detection apparatus
KR20180132538A (ko) 2017-06-02 2018-12-12 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치의 광축 확인 방법
KR20190005747A (ko) 2017-07-06 2019-01-16 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
DE102018210573A1 (de) 2017-07-06 2019-01-10 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung und laserbearbeitungsverfahren
US10610974B2 (en) 2017-07-06 2020-04-07 Disco Corporation Laser processing apparatus and laser processing method
KR20190005778A (ko) 2017-07-07 2019-01-16 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102018210843A1 (de) 2017-07-07 2019-01-10 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US11090766B2 (en) 2017-08-04 2021-08-17 Disco Corporation Laser processing apparatus
DE102018212918A1 (de) 2017-08-04 2019-02-07 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20190016445A (ko) 2017-08-08 2019-02-18 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 방법
DE102018213786A1 (de) 2017-08-17 2019-02-21 Disco Corporation Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
KR20190019839A (ko) 2017-08-17 2019-02-27 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
DE102018213786B4 (de) 2017-08-17 2024-11-21 Disco Corporation Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
US10483149B2 (en) 2017-08-17 2019-11-19 Disco Corporation Wafer processing method for dividing a wafer, including a shield tunnel forming step
JP2019034330A (ja) * 2017-08-21 2019-03-07 株式会社ディスコ チップの製造方法
US10946482B2 (en) 2017-08-30 2021-03-16 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20190024683A (ko) 2017-08-30 2019-03-08 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
US11361996B2 (en) 2017-09-06 2022-06-14 Disco Corporation Height detecting apparatus and laser processing apparatus
KR20190027333A (ko) 2017-09-06 2019-03-14 가부시기가이샤 디스코 높이 검출 장치 및 레이저 가공 장치
KR20190039381A (ko) 2017-10-03 2019-04-11 가부시기가이샤 디스코 레이저 조사 기구
US11027371B2 (en) 2017-10-03 2021-06-08 Disco Corporation Laser applying mechanism
DE102018216923A1 (de) 2017-10-03 2019-04-04 Disco Corporation Laseraufbringmechanismus
DE102018217293B4 (de) 2017-10-11 2022-10-06 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US11090762B2 (en) 2017-10-11 2021-08-17 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20190040906A (ko) 2017-10-11 2019-04-19 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102018217293A1 (de) 2017-10-11 2019-04-11 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US10854774B2 (en) 2017-10-17 2020-12-01 Disco Corporation Lift-off method
KR20190043090A (ko) 2017-10-17 2019-04-25 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102018217750A1 (de) 2017-10-17 2019-04-18 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102018217750B4 (de) 2017-10-17 2024-10-31 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20190043088A (ko) 2017-10-17 2019-04-25 가부시기가이샤 디스코 리프트 오프 방법
US11065717B2 (en) 2017-10-17 2021-07-20 Disco Corporation Laser processing apparatus
US10978318B2 (en) 2017-10-19 2021-04-13 Disco Corporation Laser processing apparatus
DE102018217751B4 (de) 2017-10-19 2025-02-06 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102018217751A1 (de) 2017-10-19 2019-04-25 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20190044003A (ko) 2017-10-19 2019-04-29 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
US11007605B2 (en) 2017-10-24 2021-05-18 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20190045836A (ko) 2017-10-24 2019-05-03 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102018218100B4 (de) * 2017-10-24 2025-07-24 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20190046634A (ko) 2017-10-25 2019-05-07 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102018218221B4 (de) * 2017-10-25 2025-07-10 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US11224941B2 (en) 2017-10-25 2022-01-18 Disco Corporation Laser processing apparatus
DE102018218221A1 (de) 2017-10-25 2019-04-25 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102018218563B4 (de) 2017-10-31 2022-10-27 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20190049460A (ko) 2017-10-31 2019-05-09 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102018218563A1 (de) 2017-10-31 2019-05-02 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US10940560B2 (en) 2017-10-31 2021-03-09 Disco Corporation Laser processing apparatus
DE102018218370A1 (de) 2017-11-02 2019-05-02 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102018218370B4 (de) 2017-11-02 2022-10-27 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US10504783B2 (en) 2017-11-02 2019-12-10 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20190050289A (ko) 2017-11-02 2019-05-10 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20190051822A (ko) 2017-11-07 2019-05-15 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
JP2018046289A (ja) * 2017-11-21 2018-03-22 エイブリック株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR20190064440A (ko) 2017-11-30 2019-06-10 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 분할 방법 및 웨이퍼의 분할 장치
US11420294B2 (en) 2017-11-30 2022-08-23 Disco Corporation Wafer processing method
KR20190064456A (ko) 2017-11-30 2019-06-10 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
US10658220B2 (en) 2018-03-05 2020-05-19 Disco Corporation Device transferring method
DE102019202876A1 (de) 2018-03-05 2019-09-05 Disco Corporation Bauelementübertragungsverfahren
DE102019202876B4 (de) 2018-03-05 2023-06-15 Disco Corporation Bauelementübertragungsverfahren
KR20190105504A (ko) 2018-03-05 2019-09-17 가부시기가이샤 디스코 디바이스의 이설 방법
KR20190122551A (ko) 2018-04-20 2019-10-30 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20190122552A (ko) 2018-04-20 2019-10-30 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
US10847420B2 (en) 2018-05-14 2020-11-24 Disco Corporation Wafer processing method
KR20190130970A (ko) 2018-05-15 2019-11-25 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 가공 방법
KR20190130961A (ko) 2018-05-15 2019-11-25 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20250029086A (ko) 2018-06-11 2025-03-04 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102019208341A1 (de) 2018-06-11 2019-12-12 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US11154952B2 (en) 2018-06-19 2021-10-26 Disco Corporation Laser processing apparatus
DE102019208702A1 (de) 2018-06-19 2019-12-19 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20190143365A (ko) 2018-06-19 2019-12-30 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20200007660A (ko) 2018-07-13 2020-01-22 가부시기가이샤 디스코 Led 웨이퍼의 가공 방법
US10843381B2 (en) 2018-07-13 2020-11-24 Disco Corporation LED wafer processing method
US10937658B2 (en) 2018-07-20 2021-03-02 Disco Corporation LED wafer processing method
KR20200010042A (ko) 2018-07-20 2020-01-30 가부시기가이샤 디스코 Led 웨이퍼의 가공 방법
US10916679B2 (en) 2018-08-28 2021-02-09 Disco Corporation Optical device wafer processing method
KR20200024706A (ko) 2018-08-28 2020-03-09 가부시기가이샤 디스코 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법
KR20200043282A (ko) 2018-10-17 2020-04-27 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20200043906A (ko) 2018-10-17 2020-04-28 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
DE102019215998A1 (de) 2018-10-17 2020-04-23 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
US10991587B2 (en) 2018-10-17 2021-04-27 Disco Corporation Wafer processing method including applying a polyester sheet to a wafer
DE102019215999A1 (de) 2018-10-17 2020-04-23 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
US10720355B2 (en) 2018-10-17 2020-07-21 Disco Corporation Wafer processing method
DE102019217093A1 (de) 2018-11-06 2020-05-07 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
US11031234B2 (en) 2018-11-06 2021-06-08 Disco Corporation Wafer processing method including applying a polyolefin sheet to a wafer
KR20200052831A (ko) 2018-11-06 2020-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
US11056334B2 (en) 2018-11-06 2021-07-06 Disco Corporation Wafer processing method using a ring frame and a polyester sheet
KR20200052832A (ko) 2018-11-06 2020-05-15 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
DE102019217091A1 (de) 2018-11-06 2020-05-07 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
US11600527B2 (en) 2018-11-12 2023-03-07 Disco Corporation Lift-off method for transferring optical device layer
KR20200054895A (ko) 2018-11-12 2020-05-20 가부시기가이샤 디스코 리프트 오프 방법
DE102019219079A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
KR20200070106A (ko) 2018-12-06 2020-06-17 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
US11037814B2 (en) 2018-12-06 2021-06-15 Disco Corporation Wafer processing method using a ring frame with a polyester sheet with no adhesive layer
DE102019219077A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
KR20200070105A (ko) 2018-12-06 2020-06-17 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
US11011407B2 (en) 2018-12-06 2021-05-18 Disco Corporation Wafer processing method using a ring frame and a polyolefin sheet
KR20200089603A (ko) 2019-01-17 2020-07-27 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20200089602A (ko) 2019-01-17 2020-07-27 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
DE102020200438A1 (de) 2019-01-17 2020-07-23 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
US11018058B2 (en) 2019-01-17 2021-05-25 Disco Corporation Wafer processing method for dividing a wafer along predefined division lines using polyester sheet
DE102020200439A1 (de) 2019-01-17 2020-07-23 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
US10991624B2 (en) 2019-01-17 2021-04-27 Disco Corporation Wafer processing method including applying a polyolefin sheet to a wafer
US11004744B2 (en) 2019-02-15 2021-05-11 Disco Corporation Wafer processing method for dividing a wafer along predefined division lines
DE102020201866B4 (de) 2019-02-15 2024-05-02 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
KR20200099979A (ko) 2019-02-15 2020-08-25 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20200099980A (ko) 2019-02-15 2020-08-25 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
US11049757B2 (en) 2019-02-15 2021-06-29 Disco Corporation Wafer processing method including applying a polyester sheet to a wafer
DE102020201864B4 (de) 2019-02-15 2024-05-08 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
KR20200145677A (ko) 2019-06-21 2020-12-30 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
FR3097787A1 (fr) 2019-06-28 2021-01-01 Disco Corporation Appareil de traitement laser
US11654511B2 (en) 2019-06-28 2023-05-23 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20210052223A (ko) 2019-10-30 2021-05-10 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102020213612B4 (de) 2019-10-30 2023-07-20 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US11565347B2 (en) 2019-10-30 2023-01-31 Disco Corporation Laser processing machine
KR20210088422A (ko) 2020-01-06 2021-07-14 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 가공 방법 및 웨이퍼 가공 장치
KR20210095792A (ko) 2020-01-24 2021-08-03 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 가공 방법, 및 웨이퍼 가공 장치
US11721584B2 (en) 2020-01-24 2023-08-08 Disco Corporation Wafer processing method including crushed layer and wafer processing apparatus
US11933667B2 (en) 2020-03-18 2024-03-19 Disco Corporation Inspection apparatus and inspection method
DE102021202379A1 (de) 2020-03-18 2021-09-23 Disco Corporation Untersuchungsvorrichtung und untersuchungsverfahren
KR20210117149A (ko) 2020-03-18 2021-09-28 가부시기가이샤 디스코 검사 장치 및 검사 방법
US12151312B2 (en) 2020-03-30 2024-11-26 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20210122081A (ko) 2020-03-30 2021-10-08 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102021203024A1 (de) 2020-03-30 2021-09-30 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
US12255073B2 (en) 2020-04-14 2025-03-18 Kwansei Gakuin Educational Foundation Silicon carbide substrate manufacturing method, silicon carbide substrate, and method of removing strain layer introduced into silicon carbide substrate by laser processing
WO2021210394A1 (ja) 2020-04-14 2021-10-21 学校法人関西学院 炭化ケイ素基板の製造方法、炭化ケイ素基板、及び、レーザー加工により炭化ケイ素基板に導入された歪層を除去する方法
US12325936B2 (en) 2020-04-14 2025-06-10 Kwansei Gakuin Educational Foundation Aluminum nitride substrate manufacturing method, aluminum nitride substrate, and method of removing strain layer introduced into aluminum nitride substrate by laser processing
WO2021210395A1 (ja) 2020-04-14 2021-10-21 学校法人関西学院 窒化アルミニウム基板の製造方法、窒化アルミニウム基板、及び、レーザー加工により窒化アルミニウム基板に導入された歪層を除去する方法
DE102021204838A1 (de) 2020-05-12 2021-11-18 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20210138488A (ko) 2020-05-12 2021-11-19 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
KR20210151682A (ko) 2020-06-05 2021-12-14 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법 및 가공 장치
US12100620B2 (en) 2020-06-05 2024-09-24 Disco Corporation Wafer processing method and machine
DE102021205568A1 (de) 2020-06-05 2021-12-09 Disco Corporation Wafer-bearbeitungsverfahren und -maschine
US11839931B2 (en) 2020-11-11 2023-12-12 Disco Corporation Laser processing apparatus
KR20220064299A (ko) 2020-11-11 2022-05-18 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
JP2022079812A (ja) * 2020-11-17 2022-05-27 株式会社ディスコ チャックテーブル及びレーザー加工装置
KR20220067486A (ko) 2020-11-17 2022-05-24 가부시기가이샤 디스코 척 테이블 및 레이저 가공 장치
US12317653B2 (en) 2021-04-16 2025-05-27 Disco Corporation Method of manufacturing LED display panel
KR20220143575A (ko) 2021-04-16 2022-10-25 가부시기가이샤 디스코 Led 디스플레이 패널의 제조 방법
US12599989B2 (en) 2021-06-21 2026-04-14 Disco Corporation Laser processing method that includes use of a sheet that has transmissibility
KR20220169899A (ko) 2021-06-21 2022-12-28 가부시기가이샤 디스코 가공 방법
KR20230000423A (ko) 2021-06-24 2023-01-02 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR20240018366A (ko) 2022-08-02 2024-02-13 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치
DE102023211731A1 (de) 2022-12-02 2024-06-13 Disco Corporation Laserbearbeitungsvorrichtung
KR20240083022A (ko) 2022-12-02 2024-06-11 가부시기가이샤 디스코 레이저 가공 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0863231B1 (en) 2001-08-29
DE69801455T2 (de) 2002-05-02
US6257224B1 (en) 2001-07-10
EP0863231A1 (en) 1998-09-09
DE69801455D1 (de) 2001-10-04

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