WO2005106954A2 - Leistungshalbleiterschaltung und verfahren zum herstellen einer leistungshalbleiterschaltung - Google Patents

Leistungshalbleiterschaltung und verfahren zum herstellen einer leistungshalbleiterschaltung Download PDF

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Definitions

  • the invention is in the field of power semiconductor technology and relates to a power semiconductor circuit, in particular for a converter circuit, and a method for its production.
  • a power semiconductor module is constructed using classic technology, in that one or more individual power semiconductor elements, e.g. IGBTs (hereinafter also referred to as power semiconductors) are connected to the top of an aluminum nitride substrate via a solder layer and a metallization.
  • the underside of the substrate is encapsulated with a cooling device in the form of a finned heat sink.
  • a substrate with a component having a contact area can be provided.
  • low-induction contacting is realized by bringing the contact area together with a connection area which is formed on a relatively thin film. Bringing together The contact surface and connection surface are made by laminating the film under isostatic pressure in a vacuum press.
  • the object of the present invention is to provide a power semiconductor circuit which is characterized by an automatable production and a particularly space-saving design.
  • the object is achieved by a power semiconductor circuit according to claim 1 or a method for its production according to claim 10.
  • a power semiconductor circuit with a power semiconductor module which is designed as a flat assembly, in that at least one electronic power component is arranged on a substrate and is contacted with an upper-side contact surface with a connection surface of a laminated film, the substrate directly at an as Cooling element acting heat-conducting base plate is attached.
  • Gluing, crimping, snapping in using locking hooks, screws using threaded elements, etc. come into question as fastening methods and means.
  • An essential aspect of the invention therefore consists in using the flat design of the novel power semiconductor module described above for realizing a particularly flat power semiconductor circuit.
  • a technology is provided which, in departure from the previously customary design and the usual housing of power semiconductor modules, allows a particularly flat and compact design.
  • the power semiconductor modules or the power semiconductor circuit no longer have to be accommodated in housings or be potted, since the structure according to the invention enables a design with passivated elements.
  • the invention allows the individual components of the power semiconductor circuit to be placed and assembled fully automatically.
  • the components can preferably be supplied with a belt and the electrical connections can be made to one another by bonding and / or laser welding.
  • the base plate is preferably made of a metal, e.g. Aluminum.
  • a preferred embodiment of the invention provides that the substrate is a ceramic substrate and is glued to the base plate with its ceramic underside.
  • the substrate and / or its placement area provided on the base plate can be printed with adhesive beforehand.
  • the substrate must not be pretreated on the underside (e.g. metallized).
  • the base plate can be designed as an air cooling body or as a liquid-cooled cooling device. This ensures not only homogenized heat distribution, but also effective heat dissipation through the base plate.
  • a further preferred embodiment of the invention provides that a high-current-conducting metallization is applied to the top of the substrate.
  • the layer thickness is selected depending on the application (power line requirement) and can be, for example, as a copper or aluminum layer, for example between 50 ⁇ m and 4 mm.
  • heat loss management it is advantageous if, in the case of a large number of heat-generating components, a plurality of power semiconductor modules, each with power semiconductors which develop heat loss, are arranged distributed on the upper side of the base plate.
  • the invention further relates to a method for producing a power semiconductor circuit, in which
  • At least one electronic power component with a contact surface on the top is applied to a substrate
  • a film is laminated with a connection surface for contacting the contact surface
  • thermally conductive base plate is equipped with the substrate by the substrate is connected with its underside directly to the base plate by thermally conductive adhesive, and
  • circuits in flat design and / or components with bondable connections are glued to the base plate and connected to connection areas formed on the film.
  • the power semiconductor module have bondable connection surfaces with which they can be connected to one another and to further printed circuit boards, such as a control circuit.
  • the control circuit can preferably be on a ceramic, for example as Thick film hybrid built and also glued to the base plate.
  • discrete components such as, for example, storage capacitors, can also be provided with bondable connection surfaces and arranged on the base plate.
  • connection techniques such as screw connections
  • complex connection techniques such as screw connections
  • adhesive connections there are also gluing, crimping, snap-in using snap-in hooks, screws using threaded elements etc. for the indirect or direct, spaced or spaced attachment of circuit boards and / or assemblies and / or connection elements and / or passive components and / or contacting elements etc. in question.
  • Figure 1 shows a power semiconductor circuit according to the invention in a perspective view
  • Figure 2 shows the power semiconductor circuit of Figure 1 in side view.
  • Figures 1 and 2 show a power semiconductor circuit which is built on an aluminum base plate 1.
  • Several power semiconductor modules, for example 2, 3, are arranged on the flat upper side 4 of the base plate.
  • the base plate is designed as a cooling device 5, which as an air cooler Has cooling fins 6.
  • the base plate therefore has a double function; it is the carrier of the power semiconductor circuit and at the same time ensures very effective dissipation of the heat loss generated during operation.
  • module 2 On the top 10 of a substrate 11, which is made of ceramic, there is an electronic power component, e.g. an IGBT, soldered on. For this purpose, a high current conductive, structured metallization is applied to the substrate.
  • an electronic power component e.g. an IGBT
  • a film 12 of the type described at the outset with conductor tracks and connection areas is laminated on top of the component and realizes electrical connections. These connections can also include an electrical contact between a connection contact surface (pad) provided on the upper side of the component and a corresponding connection surface on the film, as explained in detail at the beginning and in the German patent application with the official file number
  • the film 12 has upper-side connection areas 13, 14 which are electrically connected to corresponding connection areas (e.g. 16) via bonding wires (e.g. 15).
  • This module is characterized by a very flat and compact design.
  • the substrate 11 is glued directly onto the upper side 4 of the base plate by means of a good heat-conducting adhesive 20 (e.g. silicone).
  • a good heat-conducting adhesive 20 e.g. silicone
  • no metallization on the underside of the substrate is provided, so that the
  • Adhesive or the adhesive 20 connects the ceramic / aluminum material pairing.
  • the power semiconductor modules 2, 3 are arranged distributed on the top 4.
  • a board 25 is arranged on the post 24, which carries a control circuit 26 and is connected to the module 2 and further components via bonding wires (e.g. 15, 29).
  • a further component shown as an example is a buffer capacitor 30.
  • terminal strips 32, 33 are provided on both end faces of the base plate, which for external connection e.g. Have screw or plug connections.
  • connection strips can also be assembled using surface mounting technology, have bondable connection surfaces and are connected to the base plate by adhesive bonds 34, 35 (FIG. 2).
  • At least one electronic power component with an upper-side contact surface is first applied to the substrate 11 and the film 12 is laminated with a connection surface for contacting the contact surface.
  • This unit is then connected to the upper side 4 of the base plate 1 in that the underside of the substrate is glued directly to the base plate by means of heat-conducting adhesive.
  • other components and / or circuits in flat design with bondable connections are glued to the base plate. Connection areas formed on the module are then also used in accordance with the circuit to be implemented the other components connected, for example, by copper wire bonding.
  • the space-saving possibilities resulting from the flat structure of a power semiconductor module constructed in layers are optimally exploited.
  • a major advantage is that this power semiconductor circuit can do without internal screw connections and thermal grease during internal connection and assembly.

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Abstract

Die Leistungshalbleiterschaltung umfasst ein Leistungschalbleitermodul (2), das als flache Baugruppe ausgebildet ist. Um die sich damit ergebeden Gestaltungsmöglichkeiten zu nutzen und eine Leistungshalbleiterschaltung anzugeben, die sich durch eine automatisierbare Herstellung und eine besonders raumsparende Bauform auszeichnet, ist vorgesehen, dass die flache Baugruppe mit ihrem Substrat (11) mittels Wärmeleitkleber (20) unmittelbar auf eine als Kühlelement (5) fungierende wärmleitende Grundplatte (1) aufgeklebt ist.

Description

Beschreibung
Leistungshalbleiterschaltung und Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiterschaltung
Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Leistungshalbleitertechnik und betrifft eine Leistungshalbleiterschaltung, insbesondere für eine UmrichterSchaltung, und ein Verfahren zu deren Herstellung.
Bei einer aus der EP 0 901 166 AI bekannten Leistungshalbleiterschaltung ist ein Leistungshalbleitermodul in klassischer Technik aufgebaut, indem ein oder mehrere einzelne Leistungshalbleiterelemente, z.B. IGBTs, (nachfolgend auch Leistungs- halbleiter genannt) über eine Lotschicht und eine Metallisierung mit der Oberseite eines Aluminiumnitrid-Substrats verbunden sind. Die Unterseite des Substrats ist mit einer Kühleinrichtung in Form eines Rippen-Kühlkörpers vergossen.
Ein neuer Trend der Modulgestaltung geht unter Verwendung von Laminierverfahren, wie sie beispielsweise in dem Aufsatz „A High Performance Polymer Thin Film Power Electronics Packa- ging Technologie" von Ray Fillion et al. in Advancing Microe- lectronics September/October 2003 beschrieben sind, in Rich- tung flacher Modulgeometrien.
So kann beispielsweise zur Herstellung eines derartigen Moduls ein Substrat mit einem eine Kontaktfläche aufweisenden Bauelement bereitgestellt werden. Dabei wird eine induktions- arme Kontaktierung realisiert, indem die Kontaktfläche mit einer Anschlussfläche zusammengebracht wird, die auf einer relativ dünnen Folie ausgebildet ist. Das Zusammenbringen von Kontaktfläche und Anschlussfläche erfolgt durch Auflaminieren der Folie unter isostatischem Druck in einer Vakuumpresse.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Leistungshalbleiterschaltung anzugeben, die sich durch eine automatisierbare Herstellung und eine besonders raumsparende Bauform auszeichnet.
Die Aufgabe wird durch eine Leistungshalbleiterschaltung ge- maß Anspruch 1 bzw. ein Verfahren zu dessen Herstellung gemäß Anspruch 10 gelöst.
Erfindungsgemäß ist eine Leistungshalbleiterschaltung mit einem Leistungshalbleitermodul vorgesehen, das als flache Bau- gruppe ausgebildet ist, indem mindestens ein elektronisches Leistungs-Bauelement auf einem Substrat angeordnet und mit einer oberseitigen Kontaktfläche mit einer Anschlussfläche einer auflaminierten Folie kontaktiert ist, wobei das Substrat unmittelbar an einer als Kühlelement fungierenden wär- meleitenden Grundplatte befestigt ist. Als Befestigungsverfahren und -mittel kommen dabei Kleben, Crimpen, Einrasten mittels Rasthaken, Schrauben mittels Gewindeelementen etc. in Frage .
Ein wesentlicher Aspekt der Erfindung besteht also darin, die flache Bauform des vorbeschriebenen neuartigen Leistungshalbleitermoduls zur Realisierung einer besonders flach ausgebildeten Leistungshalbleiterschaltung zu nutzen. Damit wird eine Technik bereitgestellt, die in Abkehr von dem bisher üblichen Aufbau und der üblichen Häusung von Leistungshalbleitermodulen eine besonders flache und kompakte Gestaltung erlaubt . Die Leistungshalbleitermodule bzw. die Leistungshalbleiterschaltung müssen nicht mehr in Gehäusen untergebracht oder vergossen werden, da der erfindungsgemäße Aufbau eine Gestaltung mit passivierten Elementen ermöglicht.
Außerdem erlaubt die Erfindung, die einzelnen Komponenten der Leistungshalbleiterschaltung vollautomatisiert zu platzieren und zu montieren. Bevorzugt können dabei die Komponenten ge- gurtet zugeführt werden und die elektrischen Verbindungen untereinander durch Bonden und/oder Laserschweißen hergestellt werden. Die Grundplatte besteht bevorzugt aus einem Metall, z.B. Aluminium.
Eine bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass das Substrat ein Keramiksubstrat ist und mit seiner keramischen Unterseite auf die Grundplatte geklebt ist . Dazu kann das Substrat und/oder dessen auf der Grundplatte vorgesehener Platzierungsbereich vorab mit Klebstoff bedruckt sein. Gegenüber konventioneller Montagetechnik uss das Substrat also unterseitig nicht vorbehandelt (z.B. metallisiert) sein.
Die Grundplatte kann als Luftkühlkörper oder als flüssig- keitsgekühlte Kühleinrichtung ausgestaltet sein. Damit ist nicht nur eine homogenisierte Wärmeverteilung, sondern auch eine effektive Wärmeabfuhr durch die Grundplatte gewährleistet.
Eine weitere bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass auf der Oberseite des Substrats eine hochstromlei- tende Metallisierung aufgebracht ist. Deren Schichtdicke ist je nach Anwendungsfall (Stromleitungsbedarf) gewählt und kann z.B. als Kupfer- oder Aluminiumschicht beispielsweise zwischen 50μm und 4 mm liegen. Hinsichtlich des Verlustwärmemanagements ist es vorteilhaft, wenn bei einer Vielzahl von wärmeerzeugenden Bauteilen mehrere Leistungshalbleitermodule mit jeweils Verlustwärme entwickelnden Leistungshalbleitern auf der Oberseite der Grund- platte verteilt angeordnet sind.
Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiterschaltung, bei dem
auf ein Substrat mindestens ein elektronisches Leistungs- Bauelement mit einer oberseitigen Kontaktfläche aufgebracht wird,
eine Folie mit einer Anschlussfläche zur Kontaktierung der Kontaktfläche auflaminiert wird,
eine wärmeleitende Grundplatte mit dem Substrat bestückt wird, indem das Substrat mit seiner Unterseite unmittelbar mit der Grundplatte durch wärmeleitende Klebung verbunden wird, und
weitere Schaltungen in Flachbauform und/oder Bauteile mit bondbaren Anschlüssen auf der Grundplatte aufgeklebt und mit auf der Folie ausgebildeten Anschlussflächen verbunden wer- den.
Ein wesentlicher Aspekt des erfindungsgemäßen Verfahrens ist die Möglichkeit, dass alle Verfahrensschritte vollautomatisiert durchgeführt werden können. Das oder die Leistungshalb- leitermodul (e) hat/haben dazu z.B. bondbare Anschlussflächen, mit denen sie untereinander und mit weiteren Flachbaugruppen, wie z.B. einer Steuerschaltung, verbunden werden können. Die Steuerschaltung kann bevorzugt auf einer Keramik z.B. als Dickschichthybrid aufgebaut und auf der Grundplatte ebenfalls aufgeklebt sein. Zusätzlich können, z.B. bei einer Umrichterschaltung, auch diskrete Bauteile, wie z.B. Speicherkondensatoren, mit bondbaren Anschlussflächen versehen und auf der Grundplatte angeordnet sein. Diese und weitere Komponenten - wie. z.B. Anschlussklemmen oder Anschlussstecker zum externen elektrischen Anschluss - können bevorzugt in Trays, Gurten oder Schienen automatisch dem Montageprozess zugeführt und sämtlich durch Klebung mit der Grundplatte verbunden werden. Dadurch kann auf aufwendige Verbindungstechniken, wie z.B. Schraubverbindungen, verzichtet werden. Jedoch sind außer Klebeverbindungen jedoch auch Kleben, Crimpen, Einrasten mittels Rasthaken, Schrauben mittels Gewindeelementen etc. zum mittelbaren oder unmittelbarem, abstandslosem oder von der Grundplatte beabstandetem Befestigen von Platinen und/oder Baugruppen und/oder Anschlusselemente und/oder passive Bauelemente und/oder Kontaktierungselemente etc. in Frage.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Dabei zeigen:
Figur 1 eine erfindungsgemäße Leistungshalbleiterschaltung in perspektivischer Ansicht und
Figur 2 die Leistungshalbleiterschaltung aus Figur 1 in Seitenansicht .
Die Figuren 1 und 2 zeigen eine Leistungshalbleiterschaltung, die auf einer Aluminium-Grundplatte 1 aufgebaut ist. Dabei sind mehrere Leistungshalbleitermodule z.B. 2, 3 auf der flachen Oberseite 4 der Grundplatte angeordnet. Die Grundplatte ist als Kühleinrichtung 5 ausgebildet, die als Luftkühler Kühlrippen 6 aufweist. Die Grundplatte hat damit eine Doppel- funktion; sie ist Träger der Leistungshalbleiterschaltung und sorgt zugleich für eine sehr effektive Abfuhr der beim Betrieb entstehenden Verlustwärme.
Beispielhaft sei anhand des Moduls 2 dessen grundsätzlicher Aufbau beschrieben: Auf der Oberseite 10 eines Substrats 11, das aus Keramik besteht, ist ein elektronisches Leistungs- Bauelement, z.B. ein IGBT, aufgelötet. Dazu ist auf dem Sub- strat eine hochstromleitende, strukturierte Metallisierung aufgebracht .
Über dem Bauelement ist eine Folie 12 der eingangs beschriebenen Art mit Leiterbahnen und Anschlussflächen auflaminiert, die elektrische Verbindungen realisiert. Diese Verbindungen können auch einen elektrischen Kontakt zwischen einer auf der Oberseite des Bauelements vorgesehenen Anschlusskontaktfläche (Pad) und einer korrespondierenden Anschlussfläche auf der Folie umfassen, wie im einzelnen eingangs erläutert und in der deutschen Patentanmeldung mit dem amtlichen Aktenzeichen
103 14 172.3 beschrieben. Die Folie 12 weist oberseitige Anschlussflächen 13, 14 auf, die über Bonddrähte (z.B. 15) mit korrespondierenden Anschlussflächen (z.B. 16) elektrisch verbunden sind. Dieses Modul zeichnet sich durch eine sehr fla- ehe und kompakte Bauform aus.
Das Substrat 11 ist seinerseits mittels gut wärmeleitendem Klebstoff 20 (z.B. Silikon) unmittelbar auf die Oberseite 4 der Grundplatte aufgeklebt. Insbesondere ist keine untersei- tige Metallisierung des Substrats vorgesehen, so dass der
Klebstoff bzw. die Klebung 20 die Werkstoffpaarung Keramik/ Aluminium verbindet . Um eine gleichmäßige Wärmeverteilung zu erreichen, sind die Leistungshalbleitermodule 2, 3 auf der Oberseite 4 verteilt angeordnet .
Über dem Modul 2 ist auf Pfosten 24 eine Platine 25 angeordnet, die eine Steuerschaltung 26 trägt und über Bonddrähte (z.B. 15, 29) mit dem Modul 2 und weiteren Komponenten verbunden ist. Eine beispielhaft dargestellte weitere Komponente ist ein Zwischenspeicher-Kondensator 30.
Um die Leistungshalbleiterschaltung mit externen Komponenten und/oder Steuerungen und/oder zu schaltenden Elementen zu verbinden, sind an beiden Stirnseiten der Grundplatte Anschlussleisten 32, 33 vorgesehen, die zur externen Verbindung außenseitig z.B. Schraub- oder Steckverbindungen aufweisen.
Auch diese Anschlussleisten sind in Oberflächenmontagetechnik montierbar, weisen bondbare Anschlussflächen auf und sind durch Klebungen 34, 35 (Figur 2) mit der Grundplatte verbunden.
Zum Herstellen der Leistungshalbleiterschaltung wird wie vorstehend beschrieben zunächst auf das Substrat 11 mindestens ein elektronisches Leistungs-Bauelement mit einer oberseitigen Kontaktfläche aufgebracht und die Folie 12 mit einer An- Schlussfläche zur Kontaktierung der Kontaktfläche auflaminiert . Diese Einheit wird dann mit der Oberseite 4 der Grundplatte 1 verbunden, indem das Substrat mit seiner Unterseite unmittelbar mit der Grundplatte mittels wärmeleitendem Kleber verklebt wird. Außerdem werden weitere Komponenten und/oder Schaltungen in Flachbauform mit bondbaren Anschlüssen auf die Grundplatte aufgeklebt. Auf dem Modul ausgebildete Anschlussflächen werden dann gemäß der zu realisierenden Schaltung mit den weiteren Komponenten z.B. durch Kupferdraht-Bonden verbunden.
Damit ist eine insgesamt sehr kompakte Leistungshalbleiter- schaltung, z.B. einer Umrichterschaltung, realisiert, die in ein relativ kleines (nicht dargestelltes) Gehäuse eingesetzt werden kann. Dort kann bedarfsweise eine Vergussmasse eingebracht werden. Aufgrund einer relativ leicht zu realisierenden Passivierung der Module kann unter elektrischen Aspekten auf einen Verguss aber auch verzichtet werden.
Mit der erfindungsgemäßen Leistungshalbleiterschaltung werden die sich durch den flachen Aufbau eines Schichtartig aufgebauten Leistungshalbleitermoduls ergebenden Raumsparmöglich- keiten optimal ausgeschöpft. Ein wesentlicher Vorteil ist dabei schließlich noch, dass diese Leistungshalbleiterschaltung bei der internen Verbindung und Montage ohne interne Ver- schraubungen und Wärmeleitpasten auskommen kann.
Bezugszeichenliste :
1 Grundplatte 2 Leistungshalbleitermodul
3 Leistungshalbleitermodul
4 Oberseite
5 Kühleinrichtung
6 Kühlrippen 10 Oberseite
11 Substrat
12 Folie
13 Anschlussfläche
14 Anschlussfläche 15 Bonddraht
16 Anschlussfläche
20 Klebung
24 Pfosten
25 Platine 26 Steuerschaltung
29 Bonddraht
30 Zwischenspeicher-Kondensator
32 Anschlussleiste
33 Anschlussleiste 34 Klebung
35 Klebung

Claims

Patentansprüche
1. Leistungshalbleiterschaltung
mit einem Leistungshalbleitermodul (2, 3) , das als flache Baugruppe ausgebildet ist, indem mindestens ein elektronisches Leistungs-Bauelement auf einem Substrat (11) angeordnet und mit einer oberseitigen Kontaktfläche mit einer Anschlussfläche einer auflaminierten Folie (12) kontaktiert ist,
wobei das Substrat (11) unmittelbar an einer als Kühlelement (5) fungierenden wärmeleitenden Grundplatte (1) befestigt ist.
2. Leistungshalbleiterschaltung nach Anspruch 1, wobei das
Substrat (11) ein Keramiksubstrat ist und mit seiner keramischen Unterseite auf die Grundplatte (1) geklebt ist.
3. Leistungshalbleiterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Grundplatte (1) ein Luftkühlkörper (5) ist.
4. Leistungshalbleiterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Grundplatte flüssigkeitsgekühlt ist.
5. Leistungshalbleiterschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei auf der Oberseite (10) des Substrats (11) eine hochstromleitende Metallisierung aufgebracht ist.
6. Leistungshalbleiterschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei mehrere Leistungshalbleitermodule (2, 3) mit jeweils Verlustwärme entwickelnden Leistungshalbleitern auf der Oberseite (4) der Grundplatte (1) verteilt angeordnet sind.
7. Leistungshalbleiterschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat (11) mittels Wärmeleitkleber (20) unmittelbar auf die wärmeleitende Grundplatte (1) aufge- klebt ist.
8. Leistungshalbleiterschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei Platinen (25) und/oder Baugruppen (26) und/oder Anschlusselemente (32) und/oder passive Bauelemen- te(30) und/oder Kontaktierungselemente (15, 29) auf der Oberseite (4) der Grundplatte (1) verteilt angeordnet sind.
9. Leistungshalbleiterschaltung nach Anspruch 8, wobei die Platinen (25) und/oder Baugruppen (26) und/oder Anschlussele- mente (32) und/oder passive Bauelemente (30) und/oder Kontak- tierungselemente (15, 29) mittelbar oder unmittelbar an der Grundplatte befestigt sind.
10. Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiterschal- tung, bei dem
auf ein Substrat (11) mindestens ein elektronisches Leistungs-Bauelement mit einer oberseitigen Kontaktfläche aufgebracht wird,
eine Folie (12) mit einer Anschlussfläche zur Kontaktierung der Kontaktfläche auflaminiert wird,
eine wärmeleitende Grundplatte (1) mit dem Substrat (11) be- stückt wird, indem das Substrat (11) mit seiner Unterseite unmittelbar mit der Grundplatte (1) durch wärmeleitende Klebung (20) verbunden wird, und weitere Schaltungen (26) in Flachbauform und/oder Bauteile (30) mit bondbaren Anschlüssen auf der Grundplatte (1) aufgeklebt werden und mit auf der Folie (12) ausgebildeten Anschlussflächen (13, 14) verbunden werden.
PCT/EP2005/002708 2004-04-16 2005-03-14 Leistungshalbleiterschaltung und verfahren zum herstellen einer leistungshalbleiterschaltung Ceased WO2005106954A2 (de)

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