WO2006109562A1 - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents

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WO2006109562A1
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forming apparatus
film
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Tadahiro Ohmi
Takaaki Matsuoka
Shozo Nakayama
Hironori Ito
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Tohoku University
Toyota Industries Corp
Tokyo Electron Ltd
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Tohoku University
Toyota Industries Corp
Tokyo Electron Ltd
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Definitions

  • the present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method for forming a layer of a predetermined material.
  • the present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method for forming a predetermined material layer by vaporizing a raw material of a predetermined material.
  • a method of forming a predetermined material layer by vaporizing a raw material of a predetermined material is widely used in the manufacture of semiconductor devices, flat panel display devices, and other electronic devices.
  • an organic EL display device will be described below as an example.
  • Organic EL display devices with sufficiently bright brightness and a lifetime of more than tens of thousands of hours use organic EL elements that are self-luminous elements, and can be made thin because there are few peripheral parts such as backlights. Ideal as. Due to the characteristics of the display device, the organic EL elements that make up such an organic EL display device have a long element life, a large screen, and variations in light emission luminance and element life within the screen. Ganagu There are also demands for defects such as dark spots. The formation of an organic EL layer is extremely important to meet this requirement.
  • Patent Document 1 As a film forming apparatus for uniformly forming an organic EL layer on a large substrate, an apparatus described in Patent Document 1 is used.
  • the film forming apparatus disclosed in Patent Document 1 is intended to ensure the uniformity of film thickness on a large substrate by optimally arranging the piping configuration inside the injector installed in the apparatus in a tree shape.
  • the organic EL layer of the present situation is 10- 6 ⁇ : are formed by vacuum vapor deposition apparatus was maintained at below ambient ⁇ 10- 7 Torr. According to the experiments by the present inventors, in the current vacuum deposition apparatus, the organic EL layer is subjected to a large amount of organic contamination in the organic EL layer forming process, and as a result, the luminance and life of the organic EL light emitting diode (OLED) are reduced. It became clear that it reduced significantly.
  • X 10 Immediately after transporting to a load lock chamber maintained at a vacuum of about 7 Torr, NP D layer, Alq3 layer, a case of forming the MgAg electrode layer, 30 minutes when depositing each layer, 1 X 10- 7 ⁇ : Comparing the case where affirmed the substrate during the extent of the atmosphere , as in the latter case, the life of up to 30 minutes during each deposition, the luminance of the sample exposed to an atmosphere of about IX 10- 7 Torr changes to about 1/3, the brightness deteriorates in half, one third It turned out that it would decrease to the following.
  • an organic EL material may be deposited inside the injector, or inside the injector.
  • the organic EL material is decomposed, and the decomposed material accumulates on the substrate and does not function as an organic EL element.
  • the vaporized raw material is scattered without being directed, and is deposited on a portion other than the substrate, which is wasteful, and even if the heating of the evaporating dish is stopped for a while. Since vaporization continues, there is a lot of waste of raw materials during non-film formation.
  • the present inventors previously used a raw material such as a raw material container installed in a decompression vessel as a carrier gas (transport gas) in International Publication No. 2005Z093120 (Patent Document 2).
  • Patent Document 2 Proposed a film forming apparatus and film forming method that lead to the substrate surface.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-79904
  • Patent Document 2 International Publication No. 2005Z093120 Pamphlet
  • Patent Document 2 when the substrate to be deposited has a large area, it is difficult to uniformly apply the film thickness over the entire area of the substrate. Moreover, it was difficult to increase the film formation rate and to form the film efficiently. Furthermore, it is proposed to change the temperature, flow rate, and pressure of the organic EL raw material and transport gas, etc., when moving to the film formation process and when moving from the film formation process to the film formation stop. However, it does not propose a method for quickly and smoothly forming an atmosphere according to the process, that is, a means for quickly making a state transition. For this reason, it is difficult to form an organic EL thin film at high speed.
  • An object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of forming a film uniformly even on a large-area substrate.
  • Another object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of increasing the film forming speed and forming a film efficiently.
  • an object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of rapidly performing a state transition and, as a result, forming a high quality film at a high speed.
  • Another object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of continuously depositing a plurality of organic EL raw materials.
  • Still another object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of simultaneously forming a film having multiple component forces.
  • Another object of the present invention is to provide a film forming apparatus having a configuration in which a blowing container for blowing a raw material gas and a transport gas onto a substrate and a raw material container are connected by a piping system.
  • An object of the present invention is to provide a film forming apparatus capable of improving the piping system of a film forming apparatus having a piping system so that process transition can be performed quickly.
  • a raw material for forming a film of a predetermined material is vaporized, and the vaporized raw material gas is transported by a transport gas to deposit the film of the predetermined material on a substrate.
  • the transport gas is allowed to flow in the vaporizing means so that the gas phase pressure in the vaporization means becomes the same pressure as during film formation at least at one of the time before film formation and at the time of film formation stop.
  • a characteristic film forming apparatus and film forming method can be obtained.
  • the gas that flows through the vaporizing means and transports the vaporized material is discharged outside the vaporizing means.
  • the discharged gas may be sent to a recovery system, for example, or may be sent to another vaporization means provided separately.
  • a plurality of raw material containers constituting the vaporizing means are provided, and the raw material gas is transported from one container to the other raw material container by a transport gas when the film is not formed.
  • the source gas is blown out together with the transport gas into the blowing container.
  • the pressure and temperature of the plurality of raw material containers are kept the same during non-film formation and during film formation.
  • a gas pressure control unit having an orifice is provided in a piping system between the vaporizing means and the blowing container, and transport gas containing the vaporized raw material is supplied to the blowing container at a predetermined flow rate and flow rate.
  • the gas sent from the gas pressure control unit blows out into a plurality of supply force blowing containers provided in the blowing container. Therefore, it is possible to form a film uniformly and at high speed even on a large-area substrate.
  • a plurality of raw material containers are provided, these raw material containers are selectively placed in an organic EL molecule supply state, and the transition between the film formation time and the non-film formation time can be performed quickly and easily. By carrying out smoothly, it is possible to minimize the residue and deposition of organic molecules. This makes it possible to form high-quality and long-life organic EL films.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining a state before film formation of the film formation apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a state during film formation of the film forming apparatus shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a state during film formation of the film forming apparatus shown in FIG. 1.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a state of the film formation apparatus shown in FIG. 1 when film formation is stopped.
  • FIG. 5 is a schematic view illustrating a film forming apparatus according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic view illustrating a film forming apparatus according to still another embodiment of the present invention. Explanation of symbols
  • FIG. 1 a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention is shown.
  • an organic EL film for example, Alq3 (8-hydroxyquinoline aluminum) as a light emitting layer: hole transport layer
  • NPD (CHN) NPD (CHN)
  • the formed film forming apparatus is an apparatus for forming a single organic EL film, on two organic EL raw material containers (I) 11 and (II) 12, and a substrate (not shown) such as glass, A blowout container 15 for blowing out organic EL molecules is provided, and the two organic EL raw material containers 11 and 12 and the blowout container 15 are connected by a piping system (that is, a distribution channel) according to the present invention.
  • a piping system that is, a distribution channel
  • An organic molecule ejection device 151 is disposed in the blowing container 15, and the organic molecule ejection device 151 is opposed to a plurality of gas dispersion plates (here, six gas dispersion plates) 152 and a substrate. As shown, a filter 153 made of ceramic, metal or the like is provided. In this relationship, the blowing container 15 may be called a gas discharge part.
  • a substrate such as a glass substrate is held by a substrate holder (not shown) so as to face the organic molecule ejection device 151, and the temperature of the substrate is lower than the temperature at which the raw material of the organic EL film evaporates. It is kept.
  • the predetermined part of the piping system and the blowing container 15 are maintained at a temperature higher than the temperature at which the raw material for the organic EL film is vaporized.
  • the substrate holding unit, the piping system, and the blowing container 15 are each provided with a temperature control device (not shown) for controlling the temperature to a predetermined temperature.
  • the two organic EL material containers 11 and 12 are provided with an evaporating dish and a heater for evaporating the organic EL material.
  • the two organic EL raw material containers 11 and 12 shown in the figure hold the same organic EL raw material and function as a raw material holding part, and vaporize the organic EL material in the containers 11 and 12 It also has a function as a vaporizing device.
  • indicated as “orifice” is a gas pressure control unit for adjusting and controlling the gas pressure provided with the orifice and the valve.
  • the illustrated piping system includes a transportation gas piping system that guides a transportation gas such as xenon (Xe), argon (Ar), and krypton (Kr) into the blowing container 15, and an organic EL raw material container 11 , 12 and the blowing container 15 are connected to the organic EL molecular gas piping system, and the organic EL raw material containers 11 and 12 are also provided with piping for introducing and exhausting the transport gas.
  • a transportation gas such as xenon (Xe), argon (Ar), and krypton (Kr)
  • the transportation gas piping system shown in the figure includes a first piping for supplying transportation gas to the upper and lower two gas dispersion plates 152 of the blowing container 15, and four pipes arranged in the center of the blowing container 15. And a second pipe for supplying gas to the gas dispersion plate 152.
  • the first pipe is connected to two gas distribution plates 152 via valve VI, mass flow controller (MFC1), and orifice 2, while the second pipe is connected to valves V2, MFC2, and valve.
  • MFC1 mass flow controller
  • V2 mass flow controller
  • a pipe for introducing transport gas is provided on the upstream side of the organic EL raw material container 11.
  • the pipe is provided between the two valves V3 and V5, and between these two valves V3 and V5.
  • a pipe having a nozzle V6 is provided as a pipe for exhausting the transport gas.
  • a piping system connected to the orifice 1 via the valves V9, V16, and V14 is provided, and further, the orifice system is connected via the valves V10 and VI3.
  • a piping system connected to S1 is provided.
  • a pipe for introducing a transport gas is provided, and the pipe is provided between two valves V4 and V7 and these two valves V3 and V5.
  • a pipe having a valve V8 is provided as a pipe for exhausting the transport gas.
  • a piping system connected to the orifice 1 through the valves VI I, V15, and V13 is provided, and further through the valves VI 2 and V14.
  • a piping system connected to the orifice 1 is provided, and these constitute a second gas supply means from the organic EL raw material container 12 to the blowing container 15.
  • the lengths of the pipes up to plate 152 are also equal.
  • the lengths of the pipes from the orifice 1 to these supply ports can be made equal. That is, the piping systems from the organic EL raw material containers 11 and 12 to the supply port are arranged symmetrically with each other, and as a result, have the same length. This is because the piping system connected to the orifice 1 from the organic EL raw material container 11 via valves VIO and V13 and the piping system connected to the orifice 1 from the organic EL raw material container 12 via valves V12 and V14. The same applies to.
  • the gas supply system constituted by the above-described piping system is maintained at a pressure near atmospheric pressure, while the pressure in the blowing container 15 is maintained at 1 to several lOTorr.
  • orifices 1 and 2 are provided to maintain the pressure difference between the two.
  • the flow rate of the transport gas is controlled by MFC1 to 4, and 2n gas supply ports are installed in the OLED molecular blowout container 15.Therefore, from the pressure adjustment orifice 1 to each gas supply port
  • the length of the pipe can be the same. In any case, by providing the above-described piping system, the gas can reach each gas supply port at the same pressure at the same time.
  • the raw material container 11 1 supplies the organic EL molecules at the temperature T
  • the raw material container 12 is the organic EL material.
  • the temperature is increased to a temperature ( ⁇ ) at which the surface is not converted to remove surface adsorbed impurities (for example, moisture and organic impurities).
  • the temperature of the piping system from the organic EL raw material container 11 to the blowout container 15 is V so that the organic EL molecules do not adsorb on the inner wall of the piping system, such as the raw material container that is supplying the organic EL molecules (for example, 11) Kept higher than temperature (T1) Yes.
  • the temperature T1 is about 270 ° C
  • the temperature of the blowing container 15 is about 300 ° C
  • the temperature of the piping system is maintained at 270 ° C to 300 ° C.
  • the temperature (T) of the raw material container 12 not supplied with the raw material is kept at 100 to 220 ° C.
  • mode 1, mode 2, and mode 3 respectively.
  • the state force of mode 1 before the start of film formation is characterized by the open / close state of valve VI to valve VI7.
  • the gray colored nozzle is in the open state and the uncolored valve is in the closed state.
  • valves VI, V2, V3, V5, V8, V10, VII, V15, and VI 7 are open, while valves V4, V6, V7, V9, V12, V13, V14, and V16 are closed. Therefore, in Mode 1, only the transport gas such as Xe, Kr, Ar, N2, etc.
  • the pressure in the blowing container 15 and the pressure on the substrate are controlled to a predetermined pressure.
  • the pressure in the blowing container 15 is controlled to 10 Torr, and the pressure on the substrate is controlled to lmTorr.
  • the valves V3, V5, V10, V15, VI I, and V8 are open, so the transport gas introduced into the organic EL raw material container 11 on the organic EL molecule supply side is V3, MFC3, After being led to the organic EL raw material container 12 through the routes V5, V10, V15, and VI I, it is exhausted through the valve V8.
  • the transport gas is given from one raw material container 11 to the other raw material container 12, and the temperatures of both raw material containers 11 and 12 are kept the same. .
  • FIG. 3 a mode II state during film formation is shown.
  • valves VI, V3, V4, V5, V7, V8, V10, V13 are open, while valves V2, V6, V9, VII, V12, V14 are open.
  • V15, V16, V17 are closed.
  • the transport gas is supplied to the upper and lower supply ports of the blowing container 15 through VI, MFC1 and the orifice 2, and the organic EL molecular gas vaporized in the raw material container 11 is applied to the nozzles V3, M.
  • the transport gas introduced through the route of FC3 and valve V5 the gas is supplied into the blowing container 15 through the route of V10, V13, and orifice 1.
  • the transport gas flow rate in the route of 10, 10, V13, and orifice 1 is equal to the flow rate fl of the transport gas supplied in the route of V2, MFC2, V17, and orifice 1 in mode 1.
  • mode III when the film formation is stopped will be described.
  • V13 is closed, V15 is opened, and V2 and V17 are opened at the same time.
  • the Noreb VI, V2, V3, V5, V8, V10, VI I, V15, VI 7 are open, while the Noreb V4, V6, V7, V9, V12, V13, V14, V16 force closed state, same as mode I.
  • V13 is in the open state and V15 is in the closed state, so that the transport gas containing the organic EL molecules flows into the raw material container 12 at the flow rate fl in mode II.
  • the transport gas flows into the blowing container 15 through the orifice 1 at the same flow rate fl as in mode I.
  • This transport gas blows out the organic EL molecules in the pipe from the valves V13, V14 to the blowout container 15 and the pipe from the valve V17 to the blowout container 15 that were open in Mode II. .
  • Valves V13 and V15 operate as a control unit that discharges gas containing organic EL molecules.
  • the film forming apparatus operates in the operation sequence from mode I to mode III.
  • the operation is completely symmetric to the above-described operation, and the same operation is performed. Processing is performed.
  • the piping system shown in FIGS. 1 to 4 has a completely symmetrical structure with respect to the raw material containers 11 and 12, even when the organic EL molecules are supplied from the raw material container 12, the raw material container Provide organic EL molecules from 11. The same operation as when feeding is performed.
  • the transport gas containing the organic EL molecules is transferred from one of the raw material containers (at a temperature at which the raw material evaporates!). It is used for the purpose of separating and discharging the moisture, etc. of the other raw material, and then discharged to a discharge system (gas recovery system, etc.). It may be sent directly to (gas recovery system, etc.).
  • FIG. 5 shows a film forming apparatus used for manufacturing an organic EL device by sequentially forming an organic EL film on a glass substrate or the like.
  • six layers are formed on the substrate.
  • a film is sequentially formed.
  • substrates of sizes from 730 X 920 (mm) to 3000 X 5000 (mm) can be used.
  • the film forming apparatus shown in the figure is provided with six blowing containers by partition walls 1 to 7, and the substrate advances to the right in the left direction of the figure on the upper part of the six blowing containers, and the organic EL film is placed on each blowing container.
  • a film is formed.
  • a piping system as shown in Figs.
  • the width of the blowing container in the direction of travel is 100 mm
  • the partition pitch is 200 mm
  • the distance between the blowing container and the substrate is 20 mm
  • the distance between the partition and the substrate is 2 mm
  • the pressure in the chamber is lmTorr
  • the overall length of the film forming unit The length is 1,200mm.
  • blowing containers have the same structure, and the same piping system is connected so that the carrier flow rate is the same. It is desirable to set the temperature of each blowing container according to the individuality of the organic EL molecule.
  • the blowing container is preferably made of stainless steel, and the blowing part of the blowing container is made of a stainless steel filter and welded to the main body. The entire inner surface of the blowing container may be A10 treated.
  • FIG. 6 a configuration of a film forming apparatus according to another embodiment of the present invention will be described.
  • the illustrated film forming apparatus includes a C material container l la, a D material container l lb, an Alq3 material container 11c, and a single blowing container 15.
  • Material containers 11a to 11 A plurality of Lie are provided, and the material containers lla to llc and the blowing container 15 are connected to each other by piping systems (not shown) shown in FIGS. Yes. That is, in FIG.
  • the piping system of the material container 11a is the valve V3a, It is characterized by MFC3a, valve V5a, valve VlOa, 17a, and orifice la.
  • the piping system of material container l ib is valve V3b, MFC3b, valve V5b, valve VlOb, 17b, and orifice.
  • the piping system of the material container 11c is characterized by the valve lb V3c, MFC3c, Norreb V5c, Norreb VlOc, 17c, and the old reface lc.
  • a piping system for supplying a gas for promoting mixing which is composed of a nozzle V21, an MFC5, a nozzle V22, and an orifice 3, is provided.
  • the transport gas is supplied and exhausted at the same gas flow rate during film formation and during non-film formation. Is done.
  • the flow rate of the gas for promoting mixing is fl
  • the flow rates of the organic EL molecule supply gas composed of C, D, and Alq3 are f2, f3, and f4, respectively.
  • the quantity f 0 is expressed as fl + f2 + f3 + f4.
  • fO is preferably about 150cc Zmin.
  • fl is preferably about 50ccZmin.
  • f2 + f3 + f4 is about lOOccZmin, and it is preferable to set it so that there is no excessively low flow rate. Specifically, the range of 100cc / min> f2, f3, f4> lccZmin is preferable.
  • the concentration of each component of the organic EL film can be adjusted by controlling the gas flow rates f2, f3, f4 and the temperatures T1, T3 of the material containers lla to llc.
  • the temperature TO of the blowing container 15 is set to 300 ° C
  • the temperature Tl 'to T3' of the material container lla to llc is, for example, 200 ° C, 210 ° C, and 270 ° C
  • the temperature of the piping system between each material container l la to l lc and the blowout container 15 is set to a temperature between TO and Tl, TO and T2, and TO and T3, respectively. Therefore, it is possible to prevent organic EL molecules from adsorbing on the surface of the piping system.
  • the present invention can be applied to organic EL film formation to obtain a high quality organic EL device. Furthermore, the present invention can also be applied to film formation for various display devices and the like that require high quality and long life as well as film formation for organic EL.

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Abstract

 吹き出し容器に有機EL分子ガスを吹き出す構成を備えた成膜装置において、複数の有機EL原料容器と、複数の有機EL原料容器と吹き出し容器とを接続する配管系を有し、複数の有機EL原料容器は選択的に有機EL分子供給状態となり、当該配管系は、各有機EL原料容器内に、成膜時と非成膜時において同じ圧力となるように、輸送ガスを供給するように構成されている。非成膜時、輸送ガスは有機EL原料容器の一つから他の原料容器に流される。

Description

明 細 書
成膜装置および成膜方法
技術分野
[0001] 本発明は、所定材料の層を成膜するための成膜装置および成膜方法に関し、特に
、所定材料の原料を気化させて所定材料層を成膜する成膜装置および成膜方法に 関するものである。
背景技術
[0002] 所定材料の原料を気化させて所定材料層を成膜する方法は、半導体装置又はフ ラットパネルディスプレイ装置、その他の電子装置の製造にぉ 、て広く用いられて!/ヽ る。このような電子装置の一例として、以下では有機 EL表示装置に例をとつて説明 する。輝度が十分に明るくかつ寿命が数万時間以上となる有機 EL表示装置は、自 発光型素子である有機 EL素子を用いており、バックライトなどの周辺部品が少ない ため薄く構成でき、平面表示装置として理想的である。このような有機 EL表示装置を 構成する有機 EL素子には表示装置としての特性から、大型の画面でありながら、素 子寿命が長寿命であること、画面内での発光輝度及び素子寿命にばらつきがなぐ またダークスポットなどに代表される欠陥が無いことなどが要求されている。その要求 を満たすには有機 EL層の成膜がきわめて重要である。
[0003] 大型の基板において、有機 EL層を均一に成膜するための成膜装置としては、特許 文献 1に記載の装置などが用いられている。特許文献 1の成膜装置は、装置内に設 置されたインジェクタ内部の配管構成をツリー状に最適配置することにより、大型基 板における膜厚の均一性を確保しょうとしたものである。
[0004] 現状の有機 EL層は 10—6Τοπ:〜 10—7Torr以下の雰囲気に保たれた真空蒸着装置 で形成されている。本発明者等の実験によれば、現状の真空蒸着装置では、有機 E L層形成工程で有機 EL層が大量の有機物汚染を受け、その結果、有機 EL発光ダイ オード (OLED)の輝度並びに寿命が大幅に低減することが明らかになった。
[0005] また、ロードロックチャンバを有する連続真空蒸着装置において、ガラス基板を、 1
X 10— 7Torr程度の真空に保たれたロードロックチャンバに搬送した後、直ちに、 NP D層、 Alq3層、 MgAg電極層を成膜した場合と、それぞれの層を成膜する際に 30分 間、 1 X 10— 7Τοπ:程度の雰囲気中に基板を据え置いた場合とを比較すると、後者の ように、各層成膜時に 30分間、 I X 10—7Torr程度の雰囲気に曝したサンプルの輝度 は 1/3程度に変化し、輝度が半分に劣化するまでの寿命は、 1/3以下に減少してし まうことが判明した。
[0006] 本発明の発明者等は、上述の寿命劣化に対して鋭意検討を重ねた結果、真空状 態は、汚染源となる有機物成分の分圧が高くなり、同時に有機物分子の平均自由行 程が圧倒的に長くなるために、基板表面の有機物汚染が極めて多くなり、これらが有 機 EL素子の寿命を低下させて 、ることを見出した。
[0007] さらに、画面内の発光輝度や素子寿命のばらつきを低減するためには、有機 EL素 子成膜時の膜質及び膜厚の均一性が極めて重要であることが突き止められた。有機 EL薄膜を均一に堆積するための成膜装置としては特許文献 1に記載される装置が 例示される。し力しながら、このような構成の装置において成膜された有機 EL素子の 膜厚が均一でありながらもダークスポット、または、素子寿命のばらつきが発生してい る。
[0008] さらに、特許文献 1に記載のインジヱクタによれば、インジェクタの材料及び温度に つ!、ての開示が無く、条件によってはインジェクタ内部に有機 EL材料が堆積してし まったり、インジェクタ内部で有機 EL材料が分解してしまい、分解物が基板に堆積し 有機 EL素子として機能しな 、と 、つた問題を生じて 、る。
[0009] 更に、従来の成膜方法では、気化した原料が方向付けなしに飛散して、基板以外の 部分に被着してしまい、無駄が多ぐまた、蒸発皿の加熱を止めても暫くは気化が続 くため非成膜時に原料の無駄が多い。これらの無駄を軽減するために、本発明者等 は先に、国際公開第 2005Z093120号パンフレット (特許文献 2)で、減圧容器内に 設置された原料容器力ゝらの原料をキャリアガス (輸送ガス)によって基板表面まで導く 成膜装置及び成膜方法を提案した。
[0010] 特許文献 1 :特開 2004— 79904号公報
特許文献 2:国際公開第 2005Z093120号パンフレット
発明の開示 発明が解決しょうとする課題
[0011] 特許文献 2で提案された成膜装置及び成膜方法では、成膜材料の特性に悪影響 を与える有機汚染物質、材料分解解離物の発生を抑えることができるため、高品質 の薄膜を堆積することができる。したがって、このような成膜装置及び成膜方法を有 機 EL装置の形成に適用した場合、輝度が高ぐ寿命の長い高品質の有機 EL装置 を得ることができる。
[0012] 更に、特許文献 2は、成膜すべき基板が大きい面積を有する場合には、基板の全 面積にわたって膜厚等を均一に施すことが困難であった。また成膜速度を高め効率 よく成膜することが困難であった。さらに、成膜開始力 成膜工程に移行する場合、 及び、成膜工程から成膜停止に移行する場合、有機 EL原料及び輸送ガス等のガス の温度、流量、圧力を変化させることを提案しているが、工程に応じた雰囲気を迅速 、且つ、スムーズに形成することについて、即ち、状態遷移を迅速に行う手段につい ては提案していない。このため、有機 EL薄膜を高速で成膜することは困難である。
[0013] 本発明の目的は、大面積の基板であっても均一に成膜できる成膜装置及び成膜 方法を提供することである。
[0014] また本発明の目的は、成膜速度を高め効率よく成膜することができる成膜装置及び 成膜方法を提供することである。
[0015] さらに本発明の目的は、状態遷移を迅速に行うことができ、この結果、高品質の膜 を高速で成膜できる成膜装置及び成膜方法を提供することである。
[0016] 本発明の他の目的は、複数の有機 EL原料を連続的に堆積できる成膜装置及び成 膜方法を提供することである。
[0017] 本発明の更に他の目的は、複数成分力もなる膜を同時的に成膜できる成膜装置及 び成膜方法を提供することである。
[0018] 本発明の他の目的は、原料ガスと輸送ガスとを基板上に吹き出す吹き出し容器と原 料容器とを配管系によって接続した構成を備えた成膜装置を提供することである。
[0019] 本発明の目的は、配管系を有する成膜装置の配管系を改善して、工程遷移を迅速 に行うことができる成膜装置を提供することである。
課題を解決するための手段 [0020] 本発明の一態様によれば、所定材料の膜を形成するための原料を気化させ、気化 した前記原料ガスを輸送ガスで輸送して基板上に前記所定材料の膜を堆積させる成 膜方法において、成膜前及び成膜停止時のうちの少なくとも一方の時期に、気化手 段内の気相圧力が成膜時と同一圧力になるように気化手段内に輸送ガスを流すこと を特徴とする成膜装置、成膜方法が得られる。気化手段内を流れて気化した原料を 輸送するガスは気化手段の外部に排出される。排出されたガスは、たとえば回収系 に送られてもよいし、別に設けられた他の気化手段に送られてもよい。この場合、気 化手段を構成する原料容器を複数設けて、非成膜時には一つの容器から他の原料 容器に、原料ガスを輸送ガスで輸送する。
[0021] 成膜時には、吹き出し容器に輸送ガスと共に原料ガスを吹き出させる。これによつ て、複数の原料容器の圧力及び温度は、非成膜時及び成膜時に同一に保たれる。
[0022] 気化手段と吹き出し容器との間の配管系にはオリフィスを備えたガス圧力制御部を 設け、気化した原料を含む輸送ガスを所定の流量、流速で吹き出し容器に供給する 。ガス圧力制御部カゝら送られたガスは、吹き出し容器内に複数個設けられた供給口 力 吹き出し容器内に吹き出る。このため、大面積の基板でも均一にかつ高速に成 膜することが可能になる。
発明の効果
[0023] また本発明では、複数の原料容器を設けると共に、これら原料容器を選択的に有 機 EL分子供給状態にし、且つ、成膜時と非成膜時との間における遷移を迅速に且 つスムーズに行うことにより、有機分子等の残留並びに被着を最低限に抑えることが できる。これによつて、高品質で長寿命の有機 EL膜を形成できる。
図面の簡単な説明
[0024] [図 1]本発明の一実施形態に係る成膜装置を示す概略構成図である。
[図 2]図 1に示された成膜装置の成膜開始前の状態を説明する図である。
[図 3]図 1に示された成膜装置の成膜時の状態を説明する図である。
[図 4]図 1に示された成膜装置の成膜停止時の状態を説明する図である。
[図 5]本発明の他の実施形態に係る成膜装置を説明する概略図である。
[図 6]本発明の更に他の実施形態に係る成膜装置を説明する概略図である。 符号の説明
[0025] V バノレブ
MFC マスフローコントローラ
11、 12 原料容器
15 吹き出し容器
151 有機物分子噴出装置
152 ガス分散板
153 フイノレタ
発明を実施するための最良の形態
[0026] 図 1を参照すると、本発明の一実施形態に係る成膜装置が示されおり、ここでは、 有機 EL膜(例えば、発光層である Alq3 (8- hydroxyquinoline aluminum ):ホール輸 送層である NPD(C H N ))等)を形成するための成膜装置が示されている。図示
44 32 2
された成膜装置は、単一の有機 EL膜を形成する装置であり、 2つの有機 EL原料容 器 (I) 11及び (II) 12と、ガラス等の基板(図示せず)上に、有機 EL分子を吹き出す吹 き出し容器 15とを有し、 2つの有機 EL原料容器 11、 12と吹き出し容器 15とは、本発 明に係る配管系(即ち、流通経路)によって接続されている。尚、複数の有機 EL膜を 形成する場合には、有機 EL膜の原料毎に同様な構成が設けられる。
[0027] 吹き出し容器 15内には、有機物分子噴出装置 151が配置されており、当該有機物 分子噴出装置 151は、複数のガス分散板 (ここでは、 6つのガス分散板) 152と、基板 と対向するように、セラミック、メタル等によって構成されたフィルタ 153とを備えている 。この関係で、吹き出し容器 15はガス放出部と呼ばれても良い。有機物分子噴出装 置 151に対向して、ガラス基板等の基板が基板保持部(図示せず)により保持され、 当該基板の温度は、有機 EL膜の原料が気化する温度よりも低 、温度に保たれて 、 る。他方、配管系の所定部分及び吹き出し容器 15は、有機 EL膜の原料が気化する 温度よりも高い温度に維持されている。この関係で、基板保持部、配管系、及び、吹 き出し容器 15には、それぞれ所定の温度に制御するための温度制御装置(図示せ ず)が設けられている。
[0028] 一方、 2つの有機 EL原料容器 11、 12は、有機 EL材料を蒸発させる蒸発皿及びヒ ータを備え、図示された 2つの有機 EL原料容器 11、 12は、同一の有機 EL原料が保 持されて原料保持部としての機能を備えると共に、容器 11、 12中の有機 EL材料を 気化させる気化装置としての機能も備えて 、る。図で「オリフィス」として示されて!/、る のは、オリフィスとバルブとを備えたガス圧力を調整制御するためのガス圧力制御部 である。
[0029] 更に、図示された配管系は、キセノン (Xe)、アルゴン (Ar)、クリプトン (Kr)等の輸 送ガスを吹き出し容器 15内に導く輸送ガス用配管系と、有機 EL原料容器 11、 12と 吹き出し容器 15とを接続する有機 EL分子ガス用配管系とを有し、有機 EL原料容器 11、 12にも輸送ガス導入、排気用の配管が設けられている。
[0030] 図示された輸送ガス用配管系は、吹き出し容器 15の上下 2つのガス分散板 152に 輸送ガスを供給するための第 1の配管と、吹き出し容器 15の中央に配置された 4つ のガス分散板 152にガスを供給する第 2の配管とを備えている。ここで、第 1の配管は バルブ VI、マスフローコントローラ(MFC1)、及び、オリフィス 2を介して 2つのガス分 散板 152に接続されており、他方、第 2の配管はバルブ V2、 MFC2、バルブ V17、 及び、オリフィス 1を介して 4つのガス分散板 152に接続されて!、る。
[0031] 他方、有機 EL原料容器 11の上流側には、輸送ガス導入用の配管が設けられてお り、当該配管は 2つのバルブ V3及び V5と、これら 2つのバルブ V3、 V5間に設けられ た MFC3とを備え、他方、輸送ガス排気用の配管として、ノ レブ V6を有する配管が 設けられている。
[0032] また、有機 EL原料容器 11の下流側には、バルブ V9、 V16、及び V14を介してオリ フィス 1に接続された配管系が設けられ、更に、バルブ V10及び VI 3を介してオリフィ ス 1に接続された配管系が設けられている。これらのバルブ、オリフィス 1、及び、 MF C3によって有機 EL原料容器 11から吹き出し容器 15に至る第 1のガス供給手段を構 成している。
[0033] 同様に、有機 EL原料容器 12の上流側には、輸送ガス導入用の配管が設けられて おり、当該配管は 2つのバルブ V4及び V7と、これら 2つのバルブ V3、 V5間に設けら れた MFC4とを備え、他方、輸送ガス排気用の配管として、バルブ V8を有する配管 が設けられている。 [0034] また、有機 EL原料容器 12の下流側には、バルブ VI I、 V15、及び V13を介してォ リフィス 1に接続された配管系が設けられ、更に、バルブ VI 2及び V14を介してオリフ イス 1に接続された配管系が設けられ、これらによって、有機 EL原料容器 12から吹き 出し容器 15に至る第 2のガス供給手段を構成している。
[0035] 図示された配管系のうち、各有機 EL原料容器 11、 12からオリフィス 1に至る配管系
(V9, V16, V14と、 VI I, V15, V13)と ίま互!ヽ【こ等し!/ヽ長さを有し、且つ、オリフィ ス 1から、供給口を構成する 4つのガス分散板 152までの配管の長さも互いに等しい 。換言すれば、有機 EL分子ガスを供給する供給口を 2η (ηは正整数)個設けることに より、オリフィス 1からこれら供給口に至る配管の長さを等しくすることができる。即ち、 各有機 EL原料容器 11、 12から供給口に至る配管系は互いに対称になるように配管 されており、この結果、互いに等しい長さを有している。このことは、有機 EL原料容器 11からバルブ VIO, V13を介してオリフィス 1に接続される配管系と、有機 EL原料容 器 12からバルブ V12, V14を介してオリフィス 1に接続される配管系についても同様 である。
[0036] 前述した配管系によって構成されるガス供給システムは、大気圧近傍の圧力に保 たれており、他方、吹き出し容器 15内の圧力は 1〜数 lOTorrに維持される。両者間の 圧力差を維持するために、図示された例では、オリフィス 1及び 2が設けられている。 また、輸送ガスの流量は MFC1〜4によって行われ、更に、有機 EL分子吹き出し容 器 15内のガス供給口の数は 2n個設置されているため、圧力調整用オリフィス 1から 各ガス供給口までの配管の長さを同じにすることができる。いずれにしても、上記した 配管系を備えることにより、各ガス供給口にガスを同時に同一の圧力で到達させるこ とがでさる。
[0037] 図 1に示された例では、 2つ設けられた有機 EL原料容器 11、 12のうち、原料容器 1 1が温度 Tで有機 EL分子を供給しており、原料容器 12は有機 EL分子が絶対に気
1
化しない温度 (τ )に昇温して、表面吸着不純物 (例えば水分や有機物不純物)を除
2
去するためのクリーニングパージが行われている。この場合、有機 EL原料容器 11か ら吹き出し容器 15までの配管系の温度は、有機 EL分子が配管系の内壁に吸着しな V、ように有機 EL分子供給中の原料容器 (例えば、 11)の温度 (T1)より高く保たれて いる。
[0038] 例えば、有機 EL原料が Alq3の場合、温度 T1は約 270°Cであり、吹き出し容器 15 の温度は約 300°Cであり、配管系の温度は 270°C〜300°Cに保たれ、他方、原料供 給していない原料容器 12の温度(T )は 100〜220°Cに保たれている。
2
[0039] 以下、図 1に示された成膜装置の動作シーケンスを図 2〜4をも参照して説明する。
ここでは、成膜開始前、成膜時、及び、成膜停止時における動作モードをそれぞれ モード 1、モード 2、及び、モード 3として説明する。
[0040] 図 2を参照すると、成膜開始前のモード 1の状態力 バルブ VIからバルブ VI 7の開 閉状態によって特徴付けられている。図 2において、グレイに着色されたノ レブは開 状態にあり、着色されていないバルブは閉状態にあるものとする。具体的に云えば、 図 2に示されたモード 1では、バルブ VI、 V2、 V3、 V5、 V8、 V10、 VII、 V15、及び、 VI 7が開状態にあり、他方、バルブ V4、 V6、 V7、 V9、 V12、 V13、 V14、及び、 V16が閉状 態にある。したがって、モード 1においては、バルブ VIから MFC1及びオリフィス 2を 介して、バルブ V2から MFC2、バルブ V17、及び、オリフィス 1を介して、 Xe、 Kr、 Ar 、 N2等の輸送ガスだけが吹き出し容器 15に流れていて、吹き出し容器 15内の圧力、 及び、基板上の圧力は所定の圧力に制御されている。この場合、例えば、吹き出し 容器 15内の圧力は 10Torr、基板上の圧力は lmTorrに制御される。モード 1の状態 では、バルブ V3, V5, V10, V15, VI I, V8が開状態にあるから、有機 EL分子を 供給する側の有機 EL原料容器 11に導入された輸送ガスは V3, MFC3, V5, V10 , V15,及び、 VI Iの経路で、有機 EL原料容器 12に導かれた後、バルブ V8を介し て排気されている。このように、成膜開始前の状態では、一方の原料容器 11から他 方の原料容器 12に対して輸送ガスが与えられており、両原料容器 11及び 12の温度 は同一に保たれている。
[0041] 図 3を参照すると、成膜時におけるモード IIの状態が示されている。図 3に示されて いるように、モード IIでは、バルブ VI、 V3、 V4、 V5、 V7、 V8、 V10、 V13が開状態になり 、他方、バルブ V2、 V6、 V9、 VII、 V12、 V14、 V15、 V16、 V17が閉状態になる。この 結果、輸送ガスが VI, MFC1及びオリフィス 2を介して、吹き出し容器 15の上下の供 給口に与えられると共に、原料容器 11で気化した有機 EL分子ガスがノ レブ V3, M FC3,バルブ V5の経路で導入される輸送ガスによって、 V10, V13,及び、オリフィ ス 1の経路で、吹き出し容器 15内に供給される。
[0042] このモード 2では、バルブ V2、 MFC2、 V17、及び、オリフィス 1を介して供給されてい た輸送ガス (流量 f )は停止されている。他方、吹き出し容器 15内圧力やチャンバ内
1
圧力を一定に保っために、吹き出し容器 15に有機 EL分子を供給する原料容器 11 力もの輸送ガス流量は、原則、上記流量 fに一致させておくことが望ましい。即ち、 V
1
10, V13,及び、オリフィス 1の経路における輸送ガス流量は、モード 1において、 V2 、 MFC2、 V17、及び、オリフィス 1の経路で供給されていた輸送ガスの流量 flに等し いことが望ましい。
[0043] 図 4を参照して、成膜停止時におけるモード IIIを説明する。モード IIの状態からモー ド IIIの状態に移行する場合、 V13を閉、 V15を開にすると共に、同時に、 V2、 V17を開 にする。良卩ち、モード IIIでは、ノ ノレブ VI, V2, V3, V5, V8, V10, VI I, V15, VI 7力開状態となり、他方、ノ ノレブ V4, V6, V7, V9, V12, V13, V14, V16力閉状 態となり、モード Iと同じ状態となる。
[0044] モード IIIでは、 V13が開状態、 V15が閉状態になるため、有機 EL分子を含む輸送 ガスがモード IIにおける流量 flで原料容器 11側力も原料容器 12に流れる。他方、バ ルブ V2, V17が開状態となることによって、輸送ガスがモード Iと同じ流量 flでオリフ イス 1を介して吹き出し容器 15内に流れる。この輸送ガスによって、モード IIで開状態 にあったバルブ V13, V14から吹き出し容器 15までの配管中の有機 EL分子、バル ブ V17から吹き出し容器 15までの配管中の有機 EL分子は吹き出されてしまう。この ため、成膜停止時の有機 EL分子の切れは極めて速い。バルブ V13, V15は有機 E L分子を含むガスを排出する制御部として動作する。
[0045] 以上説明したように、本発明に係る成膜装置はモード Iから IIIの動作シーケンスで 動作を行う。上記した動作シーケンスは原料容器 11から有機 EL分子を供給する場 合について説明したが、原料容器 12から有機 EL分子を供給する場合、前述した動 作とは全く対称的な動作が行われ、同様な処理が行われる。この場合、図 1〜4に示 された配管系は、原料容器 11と 12に関して全く対称的な構造を有しているから、原 料容器 12から有機 EL分子を供給する場合にも、原料容器 11から有機 EL分子を供 給する場合と全く同一の動作が行われる。
[0046] 尚、図示された例では、非成膜状態に切り替える際、有機 EL分子を含む輸送ガス を原料容器の一方 (原料が気化する温度になって!/ヽる)から他方 (原料が気化しな ヽ 温度になって!/、る)へと流通させ、他方の原料の水分等を分離排出するために用い られたのち排出系(ガス回収系等)に排出されて 、るが外部 (ガス回収系等)へ直接 出されても良い。
[0047] 図 5を参照して、本発明の他の実施形態に係る成膜装置を説明する。図 5では、ガ ラス等の基板上に、順次、有機 EL膜を形成して有機 EL装置を製造するのに使用さ れる成膜装置が示されており、ここでは、基板上に 6層の膜を順次成膜する。この場 合、 730 X 920 (mm)から 3000 X 5000 (mm)までのサイズの基板を使用できる。図 示された成膜装置は隔壁 1〜7によって 6つの吹き出し容器を備え、基板は 6つの吹 き出し容器の上部を図の左力も右に進行し、各吹き出し容器上において、有機 EL膜 が成膜される。各吹き出し容器には、図 1から図 4に示されたような配管系が接続され ている。具体的には、吹き出し容器の進行方向の幅は 100mm、隔壁ピッチは 200mm 、吹き出し容器一基板間距離は 20mm、隔壁一基板間距離は 2mm、チャンバ内圧力 は lmTorr、成膜部の全体の長さは 1 ,200mmである。
[0048] 全ての吹き出し容器をまったく同じ構造にすると共に、同じ配管系を接続して、流 すキャリア流量も同じにする。各吹き出し容器の温度は有機 EL分子の個性に合わせ て設定することが望ましい。また、吹き出し容器はステンレスで製作することが望ましく 、吹き出し容器の吹き出し部はステンレスフィルタ一とし、本体に溶接施工する。尚、 吹き出し容器内面全てを A1 0処理しても良い。
2 3
[0049] 図 6を参照して、本発明の他の実施形態に係る成膜装置の構成を説明する。この 実施形態では、有機 EL装置を形成する 3成分 (C材料、 D材料、及び、 Alq3材料とす る)を同時的に成膜する場合の構成が示されている。このため、図示された成膜装置 は C材料容器 l la、 D材料容器 l lb、及び Alq3材料容器 11cと、単一の吹き出し容 器 15とを備えている。材料容器 11a〜: L ieはそれぞれ複数個備えられており、材料 容器 l la〜l lcと吹き出し容器 15とは、それぞれ図 1〜4に示された配管系(図示省 略)によって接続されている。即ち、図 6では、材料容器 11aの配管系がバルブ V3a, MFC3a,バルブ V5a,バルブ VlOa, 17a,及び、オリフィス laによって特徴付けら れており、同様に、材料容器 l ibの配管系がバルブ V3b, MFC3b,バルブ V5b,バ ルブ VlOb, 17b、及び、オリフィス lbによって、更に、材料容器 11cの配管系がバル ブ V3c, MFC3c, ノ ノレブ V5c, ノ ノレブ VlOc, 17c、及び、才リフィス lc【こよって特 徴付けられている。尚、図示された例では、ノ レブ V21、 MFC5、 ノ レブ V22、及び 、オリフィス 3によって構成される混合促進用ガス供給用の配管系が設けられている。
[0050] 材料容器 l la〜l lcの配管系は、それぞれ図 1〜4で説明された形式で制御される ため、成膜時も非成膜時も同じガス流量で輸送ガスが供給、排気される。ここで、混 合促進用ガスの流量を flとし、 C、 D、及び、 Alq3からなる有機 EL分子供給用ガス の流量をそれぞれ f2、 f3、及び、 f4とすると、吹き出し容器 15からのガス吹き出し量 f 0は fl +f2+f3+f4であらわされる。吹き出し温度を 300°Cとした場合、 fOは 150cc Zmin程度が好ましい。この場合、 flは 50ccZmin程度が望ましい。このため、 f2 + f3+f4は lOOccZmin程度となり、過度に流量の少ないものが無い様に設定するこ とが好ましい。具体的には、 100cc/min>f2, f3, f4> lccZminの範囲が好まし い。有機 EL膜の各成分の濃度は、ガス流量 f 2, f3, f4と材料容器 l la〜l lcの温度 T1,〜T3,を制御することによって調整できる。
[0051] 吹き出し容器 15の温度 TOを 300°Cとした場合、材料容器 l la〜l lcの温度 Tl '〜 T3'は例えば、 200°C、 210°C、及び、 270°Cであり、各材料容器 l la〜l lcと吹き 出し容器 15との間の配管系の温度は、それぞれ、 TOと Tl,、 TOと T2,、 TOと T3,と の間の温度に設定され、これによつて、有機 EL分子が配管系の表面に吸着しないよ うにすることができる。尚、吹き出し容器 15内のガス圧力は、粘性流域で十分に原料 ガスが混合されるような圧力(例えば、数 Torr力ゝら数 lOTorrの圧力)になるようにフィ ルタを選択することが望ま 、。
産業上の利用可能性
[0052] 本発明は有機 EL膜形成に適用して高品質な有機 EL装置を得ることができる。更 に、本発明は単に有機 EL用膜形成だけでなぐ高品質、長寿命が要求される各種 表示装置等の膜形成にも適用できる。

Claims

請求の範囲
[1] 所定材料の膜を形成するための原料を気化させ、気化した前記原料をガスで輸送 して基板上に前記所定材料の膜を堆積させる成膜装置にぉ ヽて、同一の原料を気 化させうる気化手段を複数個設け、前記複数の気化手段間および前記気化手段と 前記基板の近傍との間に前記ガスの流通経路を設けたことを特徴とする成膜装置。
[2] 請求項 1に記載の成膜装置にぉ ヽて、前記基板を保持するための基板保持部と、 前記基板保持部に保持されるべき基板に対向するように設置され前記気化手段と前 記基板の近傍との間に設けられた前記ガスの流通経路から供給されたガスを放出す るガス放出部と、前記基板保持部に保持される基板の温度を前記原料が気化する温 度より低!、温度に維持する手段と、前記ガスの流通経路の所定の部分および前記ガ ス放出部を前記原料が気化する温度を超える温度に保持する手段とをさらに含むこ とを特徴とする成膜装置。
[3] 請求項 2に記載の成膜装置において、前記ガスと同種のガスを前記気化手段を介 さずに前記ガス放出部に供給するガス供給手段をさらに含むことを特徴とする成膜 装置。
[4] 請求項 3に記載の成膜装置において、前記ガス供給手段は前記気化手段と前記 基板の近傍との間に設けられた前記ガスの流通経路を用いて前記ガス放出部に前 記ガスを供給する第 1のガス供給手段と、前記第 1のガス供給手段とは独立して前記 ガス放出部に前記ガスを供給する第 2のガス供給手段とを有することを特徴とする成 膜装置。
[5] 請求項 1乃至 4のうちの一つに記載の成膜装置において、前記複数の気化手段間 に設けられたガスの流通経路と、前記気化手段と前記基板の近傍との間に設けられ たガスの流通経路とは、部分的に重複していることを特徴とする成膜装置。
[6] 請求項 1乃至 5のうちの一つに記載の成膜装置において、成膜前および成膜停止 時のうちの少なくとも一方の時期に、前記複数の気化手段間に設けられたガスの流 通経路を介して、前記複数の気化手段のうちの少なくとも一つ力 前記複数の気化 手段の残余のうちの少なくとも一つに前記気化した原料を含むガスを流通させるよう に制御する第 1の制御部を含むことを特徴とする成膜装置。
[7] 請求項 1乃至 6のうちの一つに記載の成膜装置において、成膜前および成膜停止 時に前記ガス供給手段力 前記ガスを前記ガス放出部に供給するように制御する第 2の制御部を含むことを特徴とする成膜装置。
[8] 請求項 1乃至 7のうちの一つに記載の成膜装置において、前記第 1の制御部は、成 膜時に前記複数の気化手段のうちの少なくとも一つ力 前記気化した原料を含むガ スを前記気化手段と前記基板の近傍との間に設けられた前記ガスの流通経路を用 いて前記ガス放出部に供給するように制御することを特徴とする成膜装置。
[9] 請求項 4に記載の成膜装置において、成膜前および成膜停止時に、前記複数の 気化手段間に設けられたガスの流通経路を介して前記複数の気化手段のうちの少 なくとも一つ力 前記複数の気化手段の残余のうちの少なくとも一つに前記気化した 原料を含むガスを流通させるように制御するとともに前記第 1および第 2のガス供給 手段力 前記ガスを前記ガス放出部に供給するように制御し、成膜時に、前記複数 の気化手段のうちの少なくとも一つ力 前記気化した原料を含むガスを前記気化手 段と前記基板の近傍との間に設けられた前記ガスの流通経路を用いて前記ガス放 出部に供給するように制御するとともに前記第 2のガス供給手段力 前記ガスを前記 ガス放出部に供給するように制御することを特徴とする成膜装置。
[10] 請求項 1乃至 9のうちの一つに記載の成膜装置において、前記気化手段は、輸送 ガスが供給される第 1の入り口と、他の気化手段力 のガスが供給される第 2の入り口 と、気化した原料を含むガスを前記流通経路に出力する第 1の出口と、ガスを回収シ ステムへ出力する第 2の出口とを有することを特徴とする成膜装置。
[11] 請求項 10に記載の成膜装置において、前記気化手段は、前記第 1および第 2の入 り口と前記第 1および第 2の出口との間に設けられ気体の流通が可能なように前記原 料を保持する原料保持部をさらに含むことを特徴とする成膜装置。
[12] 請求項 8に記載の成膜装置において、前記少なくとも一つの気化手段は前記原料 が気化される温度に加熱され、残余の気化手段は前記原料が気化しない温度に維 持されることを特徴とする成膜装置。
[13] 請求項 1乃至 12のうちの一つに記載の成膜装置において、前記ガスが不活性ガス を主成分とすることを特徴とする成膜装置。
[14] 請求項 1乃至 12のうちの一つに記載の成膜装置において、前記ガスが窒素、 Xe、 Kr、 Ar、 Neおよび Heの内の少なくとも一つを含むことを特徴とする成膜装置。
[15] 請求項 1乃至 14のうちの一つに記載の成膜装置において、前記所定材料が有機 EL素子材料であることを特徴とする成膜装置。
[16] 所定材料の膜を形成するための原料を気化させ、気化した前記原料を輸送ガスで ガス放出部へ輸送して基板上に前記所定材料の膜を堆積させる成膜方法において 、成膜前および成膜停止時のうちの少なくとも一方の時期に、気化手段内の気相圧 力が成膜時と同一圧力となるように気化手段内に輸送ガスを流すことを特徴とする成 膜方法。
[17] 請求項 16において、前記気化手段は第 1及び第 2の原料保持部によって構成され 、前記原料を保持する第 1の原料保持部において前記原料を気化させる工程と、前 記第 1の原料保持部から前記気化した原料を含む輸送ガスを前記原料と同一の原 料を保持する第 2の原料保持部に流通させる工程とを含むことを特徴とする成膜方 法。
[18] 請求項 17に記載の成膜方法において、前記成膜前および成膜停止時のうちの少 なくとも一方の時期に、前記輸送ガスを前記ガス放出部に供給する工程をさらに含 むことを特徴とする成膜方法。
[19] 請求項 17または 18に記載の成膜方法において、成膜時に、前記第 1の原料保持 部において前記原料を気化させる工程と、前記第 1の原料保持部から前記気化した 原料を含む輸送ガスを前記ガス放出部に供給する工程とを含むことを特徴とする成 膜方法。
[20] 請求項 19に記載の成膜方法にぉ 、て、前記成膜時に、前記原料を含まな!/、輸送 ガスを前記ガス放出部に供給する工程をさらに含むことを特徴とする成膜方法。
[21] 所定材料の膜を形成するための原料を気化させ、気化した前記原料を輸送ガスで ガス放出部へ輸送して基板上に前記所定材料の膜を堆積させる成膜方法において 、第 1の時期において前記原料を保持する第 1の原料保持部において前記原料を気 化させる第 1の工程と、前記第 1の時期において前記第 1の原料保持部から前記気 化した原料を含む輸送ガスを前記第 1の原料保持部の外に排出させる第 2の工程と 、前記第 1の時期において前記原料を含まない前記輸送ガスを前記ガス放出部に供 給する第 3の工程と、前記第 1の時期とは異なる第 2の時期において前記第 1の原料 保持部において前記原料を気化させる第 4の工程と、前記第 2の時期において前記 第 1の原料保持部から前記気化した原料を含む輸送ガスを前記ガス放出部に供給 する第 5の工程とを含むことを特徴とする成膜方法。
[22] 請求項 21に記載の成膜方法において、前記第 2の時期において、前記原料を含 まない輸送ガスを前記ガス放出部に供給する第 6の工程をさらに含むことを特徴とす る成膜方法。
[23] 請求項 17乃至 20のうちの一つに記載の成膜方法において、前記第 2の工程は前 記気化した原料を含む輸送ガスを前記原料と実質的に同一の原料を保持する第 2の 原料保持部に流通させる工程を有することを特徴とする成膜方法。
[24] 請求項 23に記載の成膜方法にぉ 、て、前記第 2の原料保持部にぉ 、て前記原料 を気化しない温度に維持する工程を含むことを特徴とする成膜方法。
[25] 請求項 16乃至 24のうちの一つに記載の成膜方法において、前記ガスが窒素、 Xe 、 Kr、 Ar、 Neおよび Heの内の少なくとも一つを含むことを特徴とする成膜方法。
[26] 請求項 16乃至 25のうちの一つに記載の成膜方法において、前記所定材料が有機 EL素子材料であることを特徴とする成膜方法。
[27] 所定材料の膜を形成するための原料を気化させる複数の原料容器と、気化した前 記原料を輸送ガスで輸送する配管系と、前記配管系に設置されたガス圧力制御部と 、基板上に前記所定材料の膜を堆積する吹き出し容器とを備え、前記複数の原料容 器は選択的に前記気化した原料を前記吹き出し容器に供給するように制御されると 共に、前記配管系は前記吹き出し容器内に複数の供給口を備え、前記複数の原料 容器と前記吹き出し容器間の配管系において前記ガス圧力制御部と前記吹き出し 容器内の複数の供給口との間の配管は、互いに等しい長さを有していることを特徴と する成膜装置。
[28] 請求項 27において、前記配管系は前記吹き出し容器内に、 2n個(nは正整数)の 供給口を備えて!/ヽることを特徴とする成膜装置。
[29] 請求項 28にお 、て、前記ガス圧力制御部と前記吹き出し容器内の供給口との間の 前記配管系は互 、に対称的な構成を有して!ヽることを特徴とする成膜装置。
請求項 29において、前記配管系は輸送ガス用の配管系を含んでいることを特徴と する成膜装置。
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