WO2007028800A1 - Procédé de fabrication d'une hétérostructure de type semi-conducteur sur isolant - Google Patents

Procédé de fabrication d'une hétérostructure de type semi-conducteur sur isolant Download PDF

Info

Publication number
WO2007028800A1
WO2007028800A1 PCT/EP2006/066046 EP2006066046W WO2007028800A1 WO 2007028800 A1 WO2007028800 A1 WO 2007028800A1 EP 2006066046 W EP2006066046 W EP 2006066046W WO 2007028800 A1 WO2007028800 A1 WO 2007028800A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
substrate
implantation
trapping
heterostructure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2006/066046
Other languages
English (en)
Inventor
Xavier Hebras
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Soitec SA
Original Assignee
Soitec SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Soitec SA filed Critical Soitec SA
Priority to EP06793255A priority Critical patent/EP1922751B1/fr
Priority to AT06793255T priority patent/ATE521085T1/de
Priority to JP2008529625A priority patent/JP2009508329A/ja
Priority to CN2006800328950A priority patent/CN101258591B/zh
Publication of WO2007028800A1 publication Critical patent/WO2007028800A1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H10P90/1906—Preparing SOI wafers
    • H10P90/1914—Preparing SOI wafers using bonding
    • H10P90/1916—Preparing SOI wafers using bonding with separation or delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/181—Semiconductor-on-insulator [SOI] isolation regions, e.g. buried oxide regions of SOI wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/974—Substrate surface preparation

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a "semiconductor on insulator” type substrate, known by the acronym “SeOI”, according to the English terminology of "Semiconductor On Insulator”.
  • Such a substrate or heterostructure is used in particular in the fields of optics, electronics and optoelectronics.
  • a "SeOI" type substrate generally comprises at least one insulating layer interposed between two layers of semiconductor material.
  • insulator means an electrically insulating material, possibly having a high electrical permittivity.
  • the SeOI substrates are manufactured according to a process comprising, for example, the following steps:
  • a heterostructure is thus obtained successively comprising a support, an insulating layer and an active upper layer derived from the donor substrate.
  • the surface quality of the active layer of semiconductor material is of great importance. More precisely, the roughness, as well as the absence of defects on the surface of this active layer are parameters that must be optimized, so that the future components that will be made from these heterostructures are of optimal quality.
  • defects include:
  • voids known in the English terminology as "voids"
  • VOC Crystal Oriented Voids
  • the defects present at the bonding interfaces or bonding interfaces will become gas trapping sites during the various process steps and will thus swell and form VOC type blisters or voids.
  • the gaseous elements can have several origins.
  • LPCVD TEOS refers to a silicon oxide (SiO 2 ) obtained by a low pressure chemical vapor deposition, from a tetraethylorthosilicate precursor (TEOS).
  • gaseous elements can come in particular from:
  • FIG. 1 is a graph showing the concentration C in H + ions / cm 2 in a composite substrate, as a function of the depth in nanometers, the results having been obtained by secondary ion mass spectroscopy (SIMS).
  • SIMS secondary ion mass spectroscopy
  • this composite substrate is the result of a bonding between a support substrate (Si) having undergone thermal oxidation, and a Ge donor substrate on which a layer of SiO 2 has been deposited.
  • the bonding interface is therefore between two oxides, one belonging to the support substrate and the other belonging to the donor substrate.
  • graph 3 the bonding interface between the two layers of SiO 2 is at -200 nm.
  • the support substrate is not shown in FIG. 3, only its interface with the SiO 2 layer is and the interface is at -400 nm.
  • the solid line curve represents the results obtained in the SiO 2 -coated germanium (Ge) donor substrate before bonding the two substrates and before the implantation of Smart Cut TM atomic species for the formation of the zone. embrittlement inside the germanium layer.
  • the H + ions are mainly at the bonding interface between the first SiO 2 layer and the germanium layer.
  • the curve c in bold lines represents the results obtained in the same substrate after the implantation allowing the formation of the embrittlement zone and before bonding with the second SiO 2 layer.
  • the vertical line at -200 nm corresponds to an artifact.
  • the values start only at -200 nm since this corresponds to the implantation performed before gluing the second layer of SiO 2 .
  • germanium the detachment is not done at the level of the maximum implantation, but just a little later (about 550 nm), which explains the appearance of the curve b below.
  • Curve b in dotted lines represents the results obtained after the bonding of the two layers of SiO 2 and after the detachment and the transfer of the active layer of germanium.
  • the distribution of the hydrogen species shows an accumulation at the level of the SiO 2 / Ge and SiO 2 / support substrate bonding interfaces.
  • a very small peak at the SiO 2 layer appears at -200 nm: it corresponds to the bonding interface of the two layers of SiO 2 .
  • the author suggests having a so-called "anti-bubble" layer of amorphous silicon on the germanium substrate, before bonding, in order to make the bonding interface hydrophilic and thus reduce the formation hydrogen bubbles, when the germanium substrate is bonded to the silicon substrate.
  • an H + ion trapping layer is formed by implanting atomic species inside the donor substrate.
  • the latter is then bonded to the receiving substrate, using an adhesive capable of releasing H + ions by heating.
  • the H + ions contained in the adhesive migrate to the trapping layer and the latter is transformed after annealing into an embrittlement zone.
  • this document does not apply to the formation of a substrate
  • SeOI does not suggest making a trapping layer in an insulating layer, this trapping layer for retaining the various gaseous species present at different interfaces SeOI substrate.
  • US-2004/0171916 discloses a method of manufacturing an SOI-type substrate, which, in a manner similar to that described above, proposes forming an ion-trapping layer in a donor substrate, with a view to subsequently transforming it into an embrittlement zone.
  • the trapping layer according to the invention is distinguished by its position and its utility. It is indeed not intended to become a zone of weakness used during a layer transfer.
  • the object of the invention is to avoid the formation of defects on the surface of the transferred active layer, more precisely of the defects due to the agglomeration of gaseous elements at the different bonding and / or bonding interfaces.
  • the invention also aims to avoid the use of deposition of intermediate layers (amorphous layers or buffer layers), deposited or inserted between the insulating layer and the active layer, as is the case according to known methods of the state of the art. Indeed, such layers are likely to modify the electrical properties of the final structure.
  • intermediate layers amorphous layers or buffer layers
  • the invention relates to a method of manufacturing a heterostructure of the "semiconductor on insulator” type, comprising at least one insulating layer, interposed between a substrate, called “receiver”, and a layer, called
  • active derived from a substrate, called “donor”, at least one of said insulating layers comprising a so-called “trapping” layer capable of retaining any gaseous species present at the different interfaces of the heterostructure and limiting the formation of defects on the surface of the active layer of said heterostructure, said method comprising the steps of:
  • the formation of said trapping layer is carried out by implanting at least one class of atomic species inside at least one of the layers of insulation, this category of atomic species being chosen to be either identical to one of the atomic species constituting the layer of insulation in which these species are implanted, or to belong to the same column of the classification table Mendeleev periodically as one of the atomic species constituting the layer of insulation in which they are implanted.
  • a step is performed to anneal the insulating layer containing this trapping layer, a temperature of at least 350 ° C. for at least 30 minutes;
  • the parameters of the implantation are chosen so as to form said trapping layer, ie in the vicinity of said bonding interface, preferably at a distance of between 2 and 10 nanometers from the bonding interface, or close to a bonding interface between the insulation layer and one or the other of the two substrates;
  • the trapping layer consists of a two-dimensional layer of nanocavities or nanoparticles;
  • the insulator may be an oxide, for example silicon dioxide
  • SiO 2 silicon, germanium or oxygen atoms
  • the insulator may be a nitride, for example silicon nitride (Si 3 N 4 ), and the implanted species are then chosen from silicon, germanium or nitrogen atoms;
  • the removal of the rear part is carried out by mechanical-chemical polishing
  • embrittlement zone is formed inside the source substrate, this embrittlement zone delimiting the active layer, from the remainder of said substrate intended to be removed; this weakening zone can be formed by implantation of atomic species;
  • the invention also relates to a heterostructure of the "semiconductor on insulator” type, comprising at least one insulating layer, interposed between a so-called “receiver” substrate, made of semiconductor material, and a so-called “active” layer, semiconductor material.
  • At least one of said insulating layers comprises a trapping layer consisting of a two-dimensional layer of nanocavities or nanoparticles, this trapping layer being able to retain the gaseous species that may be present at the different levels. interfaces of the heterostructure and to limit the formation of defects on the surface of the active layer of said heterostructure.
  • FIGS. 1A to 1E are diagrams representing the different successive steps of the manufacturing method according to a first embodiment of the invention
  • FIGS. 2A to 2F are diagrams representing the different successive steps of the manufacturing method according to a second embodiment of the invention.
  • FIG. 3 is a graph showing the concentration C in H + / cm 2 ions, as a function of the depth expressed in nanometers, in a composite substrate resulting from a bonding between a support substrate (Si) having undergone thermal oxidation; , and a Ge donor substrate on which a layer of SiO 2 has been deposited.
  • the results were obtained by secondary ion mass spectroscopy (SIMS),
  • FIG. 4 is a drawing made from a photograph of a section of a portion of an oxidized support substrate before bonding SeOI, including a trapping layer formed in the SiO 2 layer, this photograph having been obtained by transmission electron microscopy (TEM).
  • TEM transmission electron microscopy
  • a substrate 1 As it appears better in FIGS. 1A and 1B, a substrate 1, called a "donor”, is used because it is from this substrate that the active layer emerges in the future composite substrate or hetero structure obtained at the end of the process.
  • This donor substrate 1 may be monolayer or multilayer, for example two-layer, as shown in FIG. 1B.
  • it consists of a primary layer 11, covered with a secondary layer 12.
  • the secondary layer is for example deposited by epitaxy on the primary layer.
  • a support or receiver substrate 2 is used, on which is deposited or in which an insulation layer 3 is formed, as shown in FIG. 1B, and as will be described in more detail later.
  • a reference interface 20 Between the insulator layer 3 and the receiving substrate 2 there is a reference interface 20. As shown in FIG. 1C, atomic species are then implanted inside the donor substrate 1, for example the inside of the secondary layer 12, so as to form an embrittlement zone 13. This zone 13 delimits an active upper layer 14, the remainder 15 of the substrate.
  • the remainder 15 comprises a portion of the secondary layer 12 and the primary layer 11.
  • atomic species are implanted inside the insulating layer 3, in order to form a trapping layer 31 therein.
  • molecular bonding of the two donor and recipient substrates 2 is then carried out by bringing the active layer 14 into close contact with the insulating layer 3.
  • the bonding interface bears the reference number 4.
  • the rear part 15 is then withdrawn.
  • this withdrawal corresponds to the detachment of the rear part or the remainder of the substrate.
  • This detachment is performed by applying constraints of mechanical, chemical or electrical origin, at the weakening zone 13.
  • FIGS. 2A to 2F illustrate a variant of the method that has just been described.
  • This variant differs from the preceding method, on the one hand in that an insulator layer 6 is deposited or formed on the source substrate 1, before the step of implantation of atomic species allowing the formation of the weakening zone 13 inside this substrate, and secondly, in that the trapping layer, which is here referred to as numeral 61, is formed by implantation of atomic species inside the layer of insulator 6, the latter resting on said source substrate. It is possible to carry out, successively, the formation of the embrittlement zone 13, then that of the trapping layer 61, as is also illustrated in FIGS. 2C and 2D.
  • the implant is first carried out allowing the formation of the trapping area 61, before that allowing the formation of the zone of weakness 13.
  • the heavy contaminating elements which are possibly present during implantation intended to form the weakening zone 13, are retained in the trapping layer 61, while the lighter elements, such as H + ions for example, pass through the insulating layer 6 without being retained and will form the zone of weakening 13. It will be noted that there exists between the insulating layer 6 and the source substrate
  • the insulation layer 3 does not undergo the same treatment. However, it would also be possible to form a trapping layer 31. In this case, the final composite substrate obtained would comprise two.
  • the two substrates 1 and 2 are bonded by molecular adhesion, so that there is a bonding interface between them 7.
  • the heterostructure 8 shown in FIG. 2F is obtained.
  • This heterostructure 8 comprises two insulating layers 3, 6 interposed between two layers of semiconductor material respectively 14 and 2.
  • the detachment of the rest of the source substrate 1 is carried out after formation of an embrittlement zone by implantation of atomic species.
  • this implantation step could also be omitted, the remainder then being removed by a mechanico-chemical polishing step known to those skilled in the art under the polishing terminology "CMP".
  • the donor 1 and recipient 2 substrates are constituted at least in part by semiconductor materials, especially those commonly used in the field of electronics. These are, for example, silicon (Si), germanium (Ge), gallium nitride (GaN), gallium arsenide (AsGa) and silicon germanium (SiGe).
  • the insulating layers 3, 6 are preferably chosen from oxides, such as silicon oxide (SiO 2 ). It can also be nitride, for example example of silicon nitride (Si 3 N 4 ) or oxynitride, for example Germanium oxynitride (Ge x OyN 2 ).
  • dielectric materials with high permeability such as, for example, hafnium dioxide (HfO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ) zirconium oxide (ZrO 2 ), tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ), titanium dioxide (TiO 2 ), their nitrides and silicides.
  • high k high permeability
  • the insulating layers 3 or 6 consist of an oxide, they can be obtained by thermal oxidation of the source substrate 1 or the support 2 on which they must be formed.
  • These insulating layers 3 or 6 may also be obtained by deposition, for example chemical vapor deposition.
  • TEOS tetraethylorthosilicate precursor
  • implantation of atomic species commonly refers to any type of treatment, capable of introducing atomic or ionic species within the implanted donor substrate, with a maximum concentration of species located at a predetermined depth from the treated surface.
  • the implantation of atomic species inside the insulation layer commonly refers to any type of treatment, capable of introducing atomic or ionic species within the implanted donor substrate, with a maximum concentration of species located at a predetermined depth from the treated surface.
  • the layer 31, 61 is intended to trap the diffusing gaseous species.
  • the formation of the trapping layer consists in implanting at least one class of atomic species inside the insulating layer, these species atomic atoms being chosen to be either identical or "isoelectric" to one of the atomic species constituting said insulator.
  • atomic species means any atomic species belonging to the same column of the periodic table of Mendeleev as one of the atomic species constituting said insulator. However, the choice of the atomic species in this column will depend on its chemical reactivity vis-à-vis the categories of atomic species constituting the insulator.
  • silicon oxide (SiO 2 ) layer it is possible to implant oxygen, silicon and / or germanium (the germanium belonging to column 4a of the periodic table such as silicon ).
  • silicon nitride Si 3 N 4
  • nitrogen, silicon and / or germanium can be implanted.
  • the trapping layer obtained may consist of two types of traps depending on the nature of the implanted element, namely: nano-cavities (in English "voids") in the case of an implantation of atoms such as oxygen or nitrogen,
  • nanoparticles for implantation of silicon or germanium.
  • the implantation parameters that can be used are, on the one hand, the implantation energy that makes it possible to vary the depth at which the trapping layer will be formed, and on the other hand, the implantation dose that makes it possible to modify the size of the agglomerates of atoms and the density of nanoparticles or nano-cavities formed.
  • the trapping layer can be formed at any depth of the insulating layer. According to a first variant, it is formed as close as possible to the bonding interface which is at the origin of the accumulation of gases. Thus, it acts as a chemical pump. It is also much more effective in this case.
  • the trapping layer may also be formed as close as possible to the bonding interface between the insulator layer and the substrate. This is particularly interesting in the case of a deposited oxide, where the bonding interface may be an important zone of accumulation of gaseous atomic species. The trapping zone will then help to reduce the concentration of gas accumulated at the binding interface.
  • the bonding interface may be an important zone of accumulation of gaseous atomic species.
  • the trapping zone will then help to reduce the concentration of gas accumulated at the binding interface.
  • the heterostructure 5 or 8 formed may be advantageous, once the heterostructure 5 or 8 formed, to carry out thermal annealing.
  • the purpose of this one is to reinforce collage and to evolve the trap layer.
  • this annealing process is limited by the maximum thermal balance applicable, as will be explained later.
  • the traps are nanoparticles, they will be formed in the insulator, as and when implantation, then some will partially coalesce to form small particle agglomerates.
  • coalescence will result in the formation of a two-dimensional layer of nanoparticles and small agglomerates that will trap the gaseous species, including hydrogen, by mechanical effect and chemical effect.
  • the term "coalescence” refers to the distribution and reorganization of the nanoparticles in the same plane as the implantation.
  • the trapping layer is two-dimensional because it extends over the entire surface of the structure at a depth controlled by the implantation energy. It will trap the diffusing species, thus preventing them from reaching the nearby bonding or bonding interfaces.
  • the chemical effect of trapping corresponds to the formation of bonds between the elements present.
  • the silicon or germanium atoms introduced into a SiO 2 layer will form Si-H or Ge-H bonds, when hydrogen will be released nearby.
  • the chemical hydrogen scavenging reaction is particularly favored in the case of germanium implantation, since the formation energy of the Ge-H bond is much smaller.
  • the mechanical effect of trapping corresponds to the establishment of a concentration gradient between the bonding or bonding interface and the trapping area.
  • the coalescence of the nanoparticles makes it possible to increase the density of the traps.
  • the concentration of atoms trapped on these traps increases.
  • a gradient of free gas atoms is then set up between the bonding or bonding interface and the trapping layer. We then increase the phenomenon of diffusion of gaseous species to the traps until saturation of the latter.
  • the traps are nano-cavities
  • the free gas particles are trapped there.
  • the species will accumulate in these nano-tanks buried in the insulation.
  • a concentration gradient is established between the free gaseous species and the gaseous species retained on the defects created in the oxide. This concentration gradient will be the driving force of the trapping until saturation of the nano-cavities.
  • a donor substrate was prepared by epitaxially growing a layer of germanium on silicon. Hydrogen and / or helium implantation was then carried out inside the germanium, in order to create an embrittlement zone therein.
  • a silicon receptor substrate was prepared by depositing an insulating layer of silicon oxide (SiO 2 ) of 250 to 300 nm.
  • Silicon was then implanted in the SiO 2 layer to create a two-dimensional trapping layer. This implantation was effected at an energy of 0.5 to 5 keV for a dose of 5.10 15 to 5.10 16 Si + ions / cm.
  • FIG. 4 is a drawing made from a photo obtained by transmission electron microscopy (TEM), which represents a trapping layer formed in a SiO 2 layer, by implantation of silicon with an energy of 1 keV and a dose of 1.10 16 If + / cm 2 .
  • TEM transmission electron microscopy
  • the implanted species are selected from silicon, germanium and oxygen atoms.
  • the nanoparticle layer will be between 15 nm and 40 nm under the bonding interface.
  • the increase of the implantation dose makes it possible to increase the surface density of the traps and thus to modulate the total quantity of gas atoms trapped on these traps.
  • germanium atoms with an implantation energy of between 0.7 and 10 keV and an implantation dose of between 5. 10 15 and 1. 10 17 Ge + / cm 2 . Since germanium is heavier, the range of implantation energy is wider to position the nano-particle plane in the same depth range.
  • the implantation energy window is here reduced compared to the silicon implantation because the oxygen is lighter.
  • the implanted species are chosen from silicon, germanium or nitrogen atoms.
  • germanium atoms with an implantation energy of between 0.7 and 10 keV and an implantation dose of between 5. 10 15 and 1. 10 17 Ge + W;
  • the method of manufacturing SeOI according to the invention makes it possible to overcome all the defects due to the accumulation of gas at the bonding or bonding interfaces of a heterostructure.
  • the method according to the invention is applicable to the manufacture of semiconductor substrates on insulator, with any type of semiconductor material, since the trapping layer is formed in the insulator.
  • the advantages will of course be more pronounced in the case of GeOI, because according to the SIMS profiles, a large amount of hydrogen present in the oxide is observed.

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

L'invention concerne un de fabrication d'une hétérostructure du type "semi-conducteur sur isolant", comprenant au moins une couche d'isolant (3, 6) intercalée entre un substrat receveur (2) et une couche active (14), issue d'un substrat donneur (1), au moins l'une desdites couches d'isolant comprenant une couche de piégeage (61), apte à retenir les espèces gazeuses présentes au niveau des différentes interfaces de l'hétérostructure et à limiter la formation de défauts à la surface de ladite couche active (14), ce procédé comprenant des étapes de collage et de transfert de couche. Conformément à l'invention, avant le collage, on procède à la formation de ladite couche de piégeage (61) par une l'implantation d'au moins une catégorie d'espèces atomiques à l'intérieur d'au moins l'une des couches d'isolant (3, 6), ces espèces atomiques étant choisies de façon à être soit identiques à l'une de celles constituant ladite couche d'isolant (3, 6), soit à appartenir à la même colonne du tableau de la classification périodique que l'une de celles-ci.

Description

Procédé de fabrication d'une hétérostructure de type semi-conducteur sur isolant.
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de type "semi-conducteur sur isolant", connu sous l'acronyme "SeOI", d'après la terminologie anglaise de "Semiconductor On Insulator" .
Un tel substrat ou hétérostructure est utilisé en particulier dans les domaines de l'optique, l'électronique et l'optoélectronique.
Un substrat de type "SeOI" comprend généralement au moins une couche d'isolant, intercalée entre deux couches de matériau semi-conducteur.
Dans la suite de la description et des revendications, le terme "isolant" désigne un matériau électriquement isolant, présentant éventuellement une permittivité électrique élevée.
Les substrats SeOI sont fabriqués selon un procédé comprenant, par exemple, les étapes suivantes :
- formation ou dépôt d'une couche d'isolant sur un premier substrat, dit "donneur", de sorte qu'il existe entre eux une interface dite de « liaison », - implantation d'espèces atomiques à l'intérieur dudit substrat donneur, par un procédé connu selon la nomination commerciale "Smart Cut™", de façon à y former une zone de fragilisation,
- collage par adhésion moléculaire d'un second substrat, dit "receveur", sur la surface libre de l'isolant, et - détachement de la partie arrière dudit substrat donneur, le long de la zone de fragilisation.
On obtient ainsi une hétérostructure comprenant successivement un support, une couche d'isolant et une couche supérieure active issue du substrat donneur. Dans le domaine de la microélectronique, la qualité de surface de la couche active de matériau semi-conducteur est d'une très grande importance. Plus précisément, la rugosité, ainsi que l'absence de défauts à la surface de cette couche active sont des paramètres qui doivent être optimisés, pour que les futurs composants qui seront réalisés à partir de ces hétérostructures soient d'une qualité optimale.
Or, différents types de défauts de surface peuvent apparaître après le transfert de la couche active, sur le substrat receveur. Ces défauts sont notamment :
- les zones non transférées (connues sous l'abréviation ZNT),
FEUILLE DE REMPLACEMENT (RÈGLE 26) - les cloques,
- les vides, connus sous la terminologie anglaise de "voids",
- les "cloques à bords orientés suivant un plan cristallin", connues de l'homme du métier sous l'acronyme "COV", d'après la terminologie anglaise de "Crystal Orientated Voids".
Tous ces défauts sont dus à un mauvais transfert, à la présence de défauts sous-jacents dans les diverses couches de l'hétérostructure, à la qualité du collage au niveau de l'interface de collage ou tout simplement, aux procédés mis en œuvre pour fabriquer de telles hétérostructures, tels que l'implantation d'espèces atomiques ou le traitement thermique, par exemple.
Les défauts présents au niveau des interfaces de collage ou des interfaces de liaison vont devenir des lieux de piégeage de gaz, lors des différentes étapes du procédé et vont ainsi gonfler et former des cloques de type COV ou des vides. Ainsi, par exemple, dans le cas d'une hétérostructure comprenant successivement un substrat support en silicium, recouvert d'une couche d'oxyde thermique, puis d'une couche d'oxyde TEOS obtenue par dépôt LPCVD, et enfin d'une couche de germanium, les éléments gazeux peuvent avoir plusieurs origines. L'expression « LPCVD TEOS » désigne un oxyde de silicium (SiO2) obtenu par un dépôt chimique en phase vapeur à basse pression, à partir d'un précurseur de type tétraéthylorthosilicate (TEOS).
Ces éléments gazeux peuvent provenir notamment de :
- de l'hydrogène ou de l'hélium amené lors de l'étape d'implantation d'espèces atomiques visant à former la zone de fragilisation, la quantité de ces éléments gazeux dépendant du type d'implanteur utilisé et des conditions d'implantation (dose et énergie),
- de la désorption des molécules d'eau (H2O), présentes à l'interface de collage entre l'oxyde thermique et l'oxyde TEOS,
- de l'oxyde TEOS, si la densification de ce dernier n'a pas été suffisante, à cause de la diffusion de composés carbonés.
De plus, on notera que plus l'épaisseur de la couche utile est faible, plus le nombre de défauts est important. En effet, lorsque la couche active est épaisse, les défauts du type cloques ou vides sont généralement retenus dans l'épaisseur de la couche active, et de ce fait, apparaissent moins à sa surface. A titre d'exemple illustratif de ces problèmes de défauts, on peut se reporter à la figure 3 jointe. Celle-ci est un graphique représentant la concentration C en ions H+/cm2 dans un substrat composite, en fonction de la profondeur en nanomètres, les résultats ayant été obtenus par spectroscopie de masse d'ions secondaires (SIMS).
Plus précisément, ce substrat composite est le résultat d'un collage entre un substrat support (Si) ayant subit une oxydation thermique, et un substrat donneur de Ge sur lequel a été déposé une couche de SiO2. L'interface de collage se fait donc entre deux oxydes, l'un appartenant au substrat support et l'autre appartenant au substrat donneur. Sur le graphe 3, l'interface de collage entre les deux couches de SiO2 est située à -200 nm. Le substrat support n'est pas représenté sur la figure 3, seule son interface de liaison avec la couche de SiO2 l'est et cette interface se situe à -400 nm.
La courbe a en trait plein représente les résultats obtenus dans le substrat donneur en germanium (Ge) recouvert de SiO2, avant le collage des deux substrats et avant l'implantation d'espèces atomiques Smart Cut™ en vue de la formation de la zone de fragilisation à l'intérieur de la couche de germanium. Les ions H+ se trouvent principalement à l'interface de liaison entre la première couche de SiO2 et la couche de germanium.
La courbe c en trait gras représente les résultats obtenus dans le même substrat après l'implantation permettant la formation de la zone de fragilisation et avant le collage avec la seconde couche de SiO2. On notera que le trait vertical à -200 nm correspond à un artefact. Les valeurs ne commencent que vers -200 nm car ceci correspond à l'implantation réalisée avant de coller la seconde couche de SiO2. Dans le cas particulier du germanium, le détachement ne se fait pas au niveau de l'implantation maximale, mais juste un peu après (env. 550 nm), ce qui explique l'allure de la courbe b ci-après.
La courbe b en traits pointillés représente les résultats obtenus après le collage des deux couches de SiO2 et après le détachement et le transfert de la couche active de germanium. La répartition des espèces hydrogène montre une accumulation au niveau des interfaces de liaison SiO2/Ge et SiO2/substrat support. Un tout petit pic au niveau de la couche de SiO2 apparaît à -200 nm : il correspond à l'interface de collage des deux couches de SiO2.
On constate une nette augmentation de la quantité de gaz dans la couche d'isolant (SiO2) après l'étape de détachement et de report de la couche active de germanium. Cette augmentation est à l'origine des défauts visibles après transfert sur la face supérieure de la couche de germanium reportée. On connaît déjà d'après le document US-2002/0190269, un procédé de fabrication d'une hétérostructure comprenant une couche de germanium sur du silicium, ce procédé ayant pour but de réduire la formation de bulles au niveau de l'interface de collage. Plus précisément, cette hétérostructure est obtenue par implantation d'hydrogène dans un substrat donneur en germanium pour y former une zone de fragilisation, puis collage sur un substrat receveur en silicium, et enfin traitement thermique pour détacher la partie arrière du substrat en germanium.
Dans un mode particulier de réalisation, l'auteur suggère de disposer une couche dénommée "anti-bulles" de silicium amorphe, sur le substrat en germanium, avant le collage, afin de rendre l'interface de collage hydrophile et de réduire ainsi la formation de bulles d'hydrogène, lorsque le substrat en germanium est collé au substrat en silicium.
Selon une autre variante de réalisation, il est suggéré d'améliorer la rugosité de la couche de germanium transférée, en déposant sur celle-ci, une couche tampon de germanium, formée par épitaxie.
Ces deux solutions ont pour but d'améliorer la qualité de l'interface de collage entre les deux substrats, toutefois, elles nécessitent l'ajout d'une couche supplémentaire, ce qui complique le procédé.
On connaît également d'après le document US 6 696 352 un procédé de fabrication d'un substrat multicouches comportant une couche cristalline mince et une couche sacrificielle. Dans ce procédé, il est proposé de former une zone de fragilisation à l'intérieur d'un substrat source, afin de pouvoir reporter ultérieurement une partie de ce substrat, sur un substrat receveur.
Pour ce faire, une couche de piégeage d'ions H+ est formée par implantation d'espèces atomiques à l'intérieur du substrat donneur. Ce dernier est ensuite collé sur le substrat receveur, à l'aide d'un adhésif apte à libérer des ions H+ par chauffage. Après traitement thermique de ce substrat, les ions H+ contenus dans l'adhésif migrent vers la couche de piégeage et celle-ci se transforme après recuit en une zone de fragilisation. Toutefois, ce document ne s'applique pas à la formation d'un substrat
SeOI, et ne suggère pas de réaliser une couche de piégeage dans une couche d'isolant, cette couche de piégeage servant à retenir les diverses espèces gazeuses présentes au niveau des différents interfaces du substrat SeOI.
On connaît enfin d'après le document US-2004/0171916, un procédé de fabrication d'un substrat de type SOI, qui, de façon similaire à ce qui a été décrit ci-dessus, propose de former une couche de piégeage d'ions dans un substrat donneur, en vue de la transformer ultérieurement en zone de fragilisation.
La couche de piégeage conforme à l'invention s'en distingue de par sa position et son utilité. Elle n'est en effet pas destinée à devenir une zone de fragilisation utilisée lors d'un report de couche.
L'invention a pour but d'éviter la formation des défauts à la surface de la couche active transférée, plus précisément des défauts dus à l'agglomération d'éléments gazeux au niveau des différentes interfaces de collage et/ou de liaison.
L'invention a également pour but d'éviter le recours au dépôt de couches intermédiaires (couches amorphes ou couches tampons), déposées ou intercalées entre la couche d'isolant et la couche active, comme cela est le cas d'après les procédés connus de l'état de la technique. En effet, de telles couches sont susceptibles de modifier les propriétés électriques de la structure finale.
A cet effet, l'invention concerne un procédé de fabrication d'une hétérostructure du type "semi-conducteur sur isolant", comprenant au moins une couche d'isolant, intercalée entre un substrat, dit "receveur", et une couche, dite
"active", issue d'un substrat, dit "donneur", au moins l'une desdites couches d'isolant comprenant une couche, dite "de piégeage", apte à retenir les espèces gazeuses éventuellement présentes au niveau des différentes interfaces de l'hétérostructure et à limiter la formation de défauts à la surface de la couche active de ladite hétérostructure, ce procédé comprenant les étapes consistant à :
- former ou déposer au moins une couche d'isolant sur au moins l'un des deux substrats donneur et receveur, ces deux substrats étant réalisés en matériau semi-conducteur, - coller ledit substrat donneur et ledit substrat receveur, par adhésion moléculaire, de façon que la ou les couche(s) d'isolant soi(ent) intercalée(s) entre eux et qu'il existe entre l'un des deux substrats et l'une des couches d'isolant ou entre les deux couches d'isolant, une interface de collage,
- retirer une partie, dite "reste", du substrat donneur, de façon à ne conserver que ladite couche active et à obtenir ladite hétérostructure.
Ce procédé est remarquable en ce qu'avant le collage, on procède à la formation de ladite couche de piégeage en implantant au moins une catégorie d'espèces atomiques à l'intérieur d'au moins l'une des couches d'isolant, cette catégorie d'espèces atomiques étant choisie de façon à être soit identique à l'une des espèces atomiques constituant la couche d'isolant dans laquelle ces espèces sont implantées, soit à appartenir à la même colonne du tableau de la classification périodique de Mendeleïev que l'une des espèces atomiques constituant la couche d'isolant dans laquelle elles sont implantées.
Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou en combinaison : - après la formation de la couche de piégeage, on procède à une étape de recuit de la couche d'isolant contenant cette couche de piégeage, à une température d'au moins 3500C, pendant au moins 30 minutes ;
- les paramètres de l'implantation sont choisis de façon à former ladite couche de piégeage, soit à proximité de ladite interface de collage, de préférence à une distance comprise entre 2 et 10 nanomètres de l'interface de collage, soit à proximité d'une interface de liaison entre la couche d'isolant et l'un ou l'autre des deux substrats ;
- la couche de piégeage est constituée d'une couche bidimensionnelle de nanocavités ou de nanoparticules ; - l'isolant peut être un oxyde, par exemple du dioxyde de silicium
(SiO2) et les espèces implantées sont alors choisies parmi les atomes de silicium, de germanium ou d'oxygène ;
- l'isolant peut être un nitrure, par exemple du nitrure de silicium (Si3N4) et les espèces implantées sont alors choisies parmi les atomes de silicium, de germanium ou d'azote ;
- le retrait de la partie arrière est effectué par polissage mécanico- chimique ;
- avant le collage, on forme une zone de fragilisation à l'intérieur du substrat source, cette zone de fragilisation délimitant la couche active, du reste dudit substrat destiné à être retiré ; cette zone de fragilisation pouvant être formée par implantation d'espèces atomiques ;
L'invention concerne également une hétérostructure du type "semiconducteur sur isolant", comprenant au moins une couche d'isolant, intercalée entre un substrat, dit "receveur", en matériau semi- conducteur, et une couche, dite "active", en matériau semi-conducteur.
Conformément à l'invention, au moins l'une desdites couches d'isolant comprend une couche de piégeage constituée d'une couche bidimensionnelle de nanocavités ou de nanoparticules, cette couche de piégeage étant apte à retenir les espèces gazeuses éventuellement présentes au niveau des différentes interfaces de l'hétérostructure et à limiter la formation de défauts à la surface de la couche active de ladite hétérostructure. D'autres caractéristiques de l'invention apparaîtront de la description qui va maintenant être faite, en référence aux dessins annexés, qui en représentent, à titre indicatif mais non limitatif, des modes de réalisations possibles.
Sur ces dessins : - les figures IA à IE sont des schémas représentant les différentes étapes successives du procédé de fabrication conforme à un premier mode de réalisation de l'invention,
- les figures 2A à 2F sont des schémas représentant les différentes étapes successives du procédé de fabrication conforme à un second mode de réalisation de l'invention,
- la figure 3 est un graphique représentant la concentration C en ions H+/cm2, en fonction de la profondeur exprimé e en nanomètres, dans un substrat composite résultant d'un collage entre un substrat support (Si) ayant subit une oxydation thermique, et un substrat donneur de Ge sur lequel à été déposé une couche de SiO2. Les résultats ont été obtenus par spectroscopie de masse d'ions secondaires (SIMS),
- la figure 4 est un dessin réalisé à partir d'une photographie d'une coupe d'une partie d'un substrat support oxydé avant collage SeOI, incluant une couche de piégeage formée dans la couche de SiO2, cette photographie ayant été obtenue par microscopie électronique à transmission (TEM).
Un premier mode de réalisation de l'invention va être maintenant être décrit en faisant référence aux figures IA à IE.
Comme cela apparaît mieux sur les figures IA et IB, on utilise un substrat 1, dit "donneur", car c'est de ce substrat qu'est issue la couche active dans le futur substrat composite ou hétéro structure obtenu en fin de procédé.
Ce substrat donneur 1 peut être monocouche ou multicouche, par exemple à deux couches, comme représenté sur la figure IB. Dans ce cas, il se compose d'une couche primaire 11, recouverte d'une couche secondaire 12. La couche secondaire est par exemple déposée par épitaxie sur la couche primaire. Par ailleurs, on utilise un substrat support ou receveur 2, sur lequel on dépose ou dans lequel on forme une couche d'isolant 3, comme représenté sur la figure IB, et comme cela sera décrit plus en détail ultérieurement.
Entre la couche d'isolant 3 et le substrat receveur 2 existe une interface de liaison référencée 20. Comme représenté sur la figure IC, on procède ensuite à une implantation d'espèces atomiques à l'intérieur du substrat donneur 1 , par exemple à l'intérieur de la couche secondaire 12, de façon à y former une zone de fragilisation 13. Cette zone 13 délimite une couche supérieure active 14, du reste 15 du substrat.
Dans la variante du substrat à deux couches, représentée sur la figure IC, le reste 15 comprend une partie de la couche secondaire 12 et la couche primaire 11.
Par ailleurs, conformément à l'invention, on procède à une implantation d'espèces atomiques à l'intérieur de la couche d'isolant 3, en vue d'y former une couche de piégeage 31.
Comme on peut le voir sur la figure ID, on procède ensuite au collage par adhésion moléculaire des deux substrats donneur 1 et receveur 2, par mise en contact intime de la couche active 14 avec la couche d'isolant 3. L'interface de collage porte la référence numérique 4.
Comme représenté sur la figure IE, on procède ensuite au retrait de la partie arrière 15. Dans le cas particulier, où il existe une zone de fragilisation 13, ce retrait correspond au détachement de la partie arrière ou reste 15 du substrat. Ce détachement est effectué par application de contraintes d'origine mécanique, chimique ou électrique, au niveau de la zone de fragilisation 13.
On obtient l'hétérostructure référencée 5. Les figures 2A à 2F illustrent une variante de réalisation de procédé qui vient d'être décrit.
Les mêmes éléments portent les mêmes références numériques.
Cette variante diffère du procédé précédent, d'une part en ce que l'on dépose ou l'on forme une couche d'isolant 6 sur le substrat source 1, avant l'étape d'implantation d'espèces atomiques permettant la formation de la zone de fragilisation 13 à l'intérieur de ce substrat, et d'autre part, en ce que la couche de piégeage, qui porte ici la référence numérique 61, est formée par implantation d'espèces atomiques à l'intérieur de la couche d'isolant 6, cette dernière reposant sur ledit substrat source. II est possible de réaliser successivement, la formation de la zone de fragilisation 13, puis celle de la couche de piégeage 61, comme cela est d'ailleurs illustré sur les figures 2C et 2D.
Toutefois, de préférence, on effectue d'abord l'implantation permettant la formation de la zone de piégeage 61, avant celle permettant la formation de la zone de fragilisation 13. En précédant ainsi, les éléments contaminants lourds, qui sont éventuellement présents lors de l'implantation destinée à former la zone de fragilisation 13, se trouvent retenus dans la couche de piégeage 61, tandis que les éléments plus légers, tels que les ions H+ par exemple, traversent la couche d'isolant 6 sans y être retenus et vont former la zone de fragilisation 13. On notera qu'il existe entre la couche d'isolant 6 et le substrat source
1, une interface de liaison 60.
Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 2D, la couche d'isolant 3 ne subit pas le même traitement. Toutefois, il serait également possible d'y former une couche de piégeage 31. Dans ce cas, le substrat composite final obtenu en comporterait deux.
Il serait également possible de ne pas former de couche d'isolant 3 sur le substrat receveur 2, puisqu'il y a une couche d'isolant 6 sur le substrat donneur 1.
Enfin, comme on peut le voir sur la figure 2E, on procède au collage par adhésion moléculaire des deux substrats 1 et 2, de sorte qu'il existe entre eux une interface de collage 7.
Après détachement du reste 15 du substrat source 1, on obtient l'hétérostructure 8 représentée sur la figure 2F.
Cette hétérostructure 8 comprend deux couches d'isolant 3, 6, intercalées entre deux couches de matériau semi-conducteur respectivement 14 et 2.
Dans les deux modes de réalisation qui viennent d'être décrits, le détachement du reste 15 du substrat source 1 est effectué après formation d'une zone de fragilisation par implantation d'espèces atomiques.
Toutefois, cette étape d'implantation pourrait également être supprimée, le reste 15 étant alors retiré par une étape de polissage mécanico- chimique, connu de l'homme du métier sous la terminologie de polissage "CMP".
La nature et les caractéristiques des matériaux constituant les substrats source et receveur, et la couche d'isolant vont être maintenant décrits plus en détails. Les substrats donneur 1 et receveur 2 sont constitués au moins en partie par des matériaux semi-conducteurs, notamment ceux couramment utilisés dans le domaine de l'électronique. Il s'agit, par exemple, du silicium (Si), du germanium (Ge), du nitrure de Gallium (GaN), de l'arséniure de gallium (AsGa) et du silicium germanium (SiGe). Les couches d'isolant 3, 6 sont choisies de préférence parmi les oxydes, tels que l'oxyde silicium (SiO2). Il peut également s'agir de nitrure, par exemple du nitrure de silicium (Si3N4) ou d'oxynitrure, par exemple l'oxynitrure de Germanium (GexOyN2).
Il est également possible d'utiliser des matériaux diélectriques à forte permetivité ("high k" selon la terminologie anglaise), tels que par exemple du dioxyde de hafnium (HfO2), de l'alumine (Al2O3), de l'oxyde de zirconium (ZrO2), du pentoxyde de tantale (Ta2O5), du dioxyde de titane (TiO2), leurs nitrures et leurs siliciures.
Lorsque les couches d'isolant 3 ou 6 sont constituées par un oxyde, elles peuvent être obtenues par oxydation thermique du substrat source 1 ou du support 2 sur lequel elles doivent être formées.
Ces couches d'isolant 3 ou 6 peuvent également être obtenues par dépôt, par exemple dépôt chimique en phase vapeur.
A titre d'exemple, pour du dioxyde de silicium (SiO2), il est possible d'utiliser le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) ou un procédé de dépôt en couches atomiques, connu sous l'acronyme "ALD" ("Atomic loyer déposition ") .
Dans le cas du dépôt d'une couche de SiO2, il est également possible de procéder au dépôt par LPCVD, à partir d'un précurseur de type tétraéthylorthosilicate (TEOS). L'implantation d'espèces atomiques permettant la formation d'une zone de fragilisation à l'intérieur du substrat source peut être effectuée, par exemple, par le procédé connu sous la dénomination commerciale "Smart Cut™".
Pour de plus amples détails sur ce procédé, on pourra se reporter au document "Silicium on insulator technology" ; matérials to VLSI, 2eme édition, par JP Collinge, Kluwer académie publishers, pp 50-51.
Le terme "implantation d'espèces atomiques" désigne couramment tout type de traitement, susceptible d'introduire des espèces atomiques ou ioniques à l'intérieur du substrat donneur implanté, avec une concentration maximale des espèces situées à une profondeur prédéterminée depuis la surface traitée. L'implantation d'espèces atomiques à l'intérieur de la couche d'isolant
3, 6 visant à y former une couche de piégeage 31, respectivement 61, va maintenant être décrite plus en détails.
La couche 31, 61 a pour but de piéger les espèces gazeuses diffusantes. La formation de la couche de piégeage consiste à implanter au moins une catégorie d'espèces atomiques à l'intérieur de la couche d'isolant, ces espèces atomiques étant choisies de façon à être soit identiques, soit "isoélectriques", à l'une des espèces atomiques constituant ledit isolant.
Plus précisément, il est possible d'implanter une seule catégorie d'espèces atomiques ou successivement plusieurs. Cette étape permet soit de sursaturer l'isolant avec au moins une catégorie des atomes ou espèces atomiques contenus dans celui-ci, soit d'y introduire une espèce atomique "isoélectrique". Par « espèce atomique isoélectrique », on désigne toute espèce atomique appartenant à la même colonne du tableau de la classification périodique de Mendeleïev que l'une des espèces atomiques constituant ledit isolant. Toutefois, le choix de l'espèce atomique dans cette colonne dépendra de sa réactivité chimique vis-à-vis des catégories d'espèces atomiques constituant l'isolant.
A titre d'exemple purement illustratif, dans une couche d'oxyde de silicium (SiO2), on peut implanter de l'oxygène, du silicium et/ou du germanium (le germanium appartenant à la colonne 4a du tableau périodique comme le silicium).
Dans une couche de nitrure de silicium (Si3N4), on peut implanter de l'azote, du silicium et/ou du germanium.
La couche de piégeage obtenue peut être constituée de deux types de pièges suivant la nature de l'élément implanté, à savoir : - des nano-cavités (en anglais "voids") dans le cas d'une implantation d'atomes tels que l'oxygène ou l'azote,
- des nanoparticules, pour une implantation de silicium ou de germanium.
Les paramètres d'implantation sur lesquels on peut agir sont d'une part, l'énergie d'implantation qui permet de faire varier la profondeur à laquelle sera formée la couche de piégeage, et d'autre part, la dose d'implantation qui permet de modifier la taille des agglomérats d'atomes et la densité de nanoparticules ou de nano-cavités formées.
A titre d'exemple, en implantant du silicium dans du SiO2, avec une énergie d'implantation comprise entre 0,65 keV et 3 keV et des doses d'implantation comprises entre 5.1015 et 2.1016 Si+/cm2, on obtient une couche de piégeage située à une profondeur comprise entre -4 nm et -6 nm, sous la surface libre du SiO2, cette couche de piégeage présentant une épaisseur comprise entre 2 et
3 nm et une densité surfacique de nanoparticules très forte, supérieure à 1.1015 cm"2. La couche de piégeage peut être toutefois formée à n'importe quelle profondeur de la couche isolante. Selon une première variante, elle est formée le plus près possible de l'interface de collage qui est à l'origine de l'accumulation des gaz. Ainsi, elle agit comme une pompe chimique. Elle est de plus beaucoup plus efficace dans ce cas.
La couche de piégeage peut également être formée le plus près possible de l'interface de liaison entre la couche d'isolant et le substrat. Ceci est particulièrement intéressant dans le cas d'un oxyde déposé, où l'interface de liaison peut être une zone importante d'accumulation d'espèces atomiques gazeuses. La zone de piégeage va alors aider à diminuer la concentration de gaz accumulé à l'interface de liaison. Lorsque l'on a deux couches d'isolant 3 et 6, comme dans le mode de réalisation représenté sur la figure 2, il peut également être intéressant de réaliser une couche piégeage dans chacune des deux couches d'isolant. De préférence, ces couches de piégeage seront alors formées à des profondeurs différentes, de façon que l'une soit proche d'une interface de liaison et que l'autre soit proche de l'interface de collage.
Enfin, il peut être avantageux, une fois l'hétérostructure 5 ou 8 formée, de procéder à un recuit thermique. Celui-ci a pour but d'une part de renforcer le collage et d'autre part, de faire évoluer la couche de pièges. Toutefois, ce procédé de recuit est limité par le bilan thermique maximal applicable, comme cela sera expliqué ultérieurement.
Plusieurs phénomènes physico-chimiques vont entraîner la formation des pièges, puis la capture des espèces gazeuses.
Dans le cas où les pièges sont des nanoparticules, celles-ci vont être formées dans l'isolant, au fur et à mesure de l'implantation, puis certaines vont coalescer partiellement jusqu'à former de petits agglomérats de particules.
Cette coalescence va aboutir à la formation d'une couche bidimensionnelle de nanoparticules et de petits agglomérats qui vont piéger les espèces gazeuses, notamment l'hydrogène, par effet mécanique et par effet chimique. Le terme "coalescence" désigne dans ce cas, la répartition et la réorganisation des nanoparticules dans le même plan que l'implantation.
La couche de piégeage est bidimensionnelle parce qu'elle s'étend sur toute la surface de la structure, à une profondeur contrôlée par l'énergie d'implantation. Elle va piéger les espèces diffusantes en les empêchant ainsi d'atteindre les interfaces de collage ou de liaison proches. L'effet chimique du piégeage correspond à la formation de liaisons entre les éléments présents. Ainsi, par exemple les atomes de silicium ou de germanium introduits dans une couche de SiO2 formeront des liaisons Si-H ou Ge- H, lorsque de l'hydrogène sera libéré à proximité. La réaction chimique de piégeage de l'hydrogène est particulièrement favorisée dans le cas d'une implantation de germanium, car l'énergie de formation de la liaison Ge-H est beaucoup plus petite.
L'effet mécanique du piégeage correspond à l'établissement d'un gradient de concentration entre l'interface de collage ou de liaison et la zone de piégeage. La coalescence des nanoparticules permet d'augmenter la densité des pièges. La concentration d'atomes emprisonnés sur ces pièges s'accroît. Il s'installe alors un gradient d'atomes de gaz libres entre l'interface de collage ou de liaison et la couche de piégeage. On augmente alors le phénomène de diffusion des espèces gazeuses vers les pièges jusqu'à saturation de ces derniers.
Enfin, on notera que même lorsqu'un recuit est réalisé après la formation de la couche de piégeage, (voir figures IC et 2D), les agglomérats de particules obtenus restent petits. En effet, ce recuit doit être effectué à une température inférieure à celle de l'étape ultérieure de détachement, réalisée après le collage, (voir respectivement les figures IE et 2 F).
Il y aura donc une multitude de petits agglomérats de quelques angstrôms qui commencent à coalescer sous forme de nanoparticules. Le piégeage est principalement assuré par ces petits agglomérats, produits à faible bilan thermique.
Dans le cas, où les pièges sont des nano-cavités, les particules de gaz libres viennent s'y piéger. Les espèces vont s'accumuler dans ces nano-réservoirs enfouis dans l'isolant . Un gradient de concentration s'installe entre les espèces gazeuses libres et les espèces gazeuses retenues sur les défauts créés dans l'oxyde. Ce gradient de concentration sera la force motrice du piégeage jusqu'à saturation des nano-cavités.
Plusieurs exemples de réalisation vont maintenant être décrits plus en détails.
Exemple 1 :
On a préparé un substrat donneur en faisant croître par épitaxie une couche de germanium, sur du silicium. On a alors effectué à l'intérieur du germanium, une implantation d'hydrogène et/ou d'hélium, afin d'y créer une zone de fragilisation. On a préparé par ailleurs un substrat récepteur en silicium en y déposant une couche isolante d'oxyde de silicium (SiO2) de 250 à 300 nm.
On a ensuite procédé à l'implantation de silicium, dans la couche de SiO2, pour y créer une couche bidimensionnelle de piégeage. Cette implantation s'effectuait à une énergie de 0,5 à 5 keV, pour une dose de 5.1015 à 5.1016 d'ions Si+/cm .
Ceci a conduit à la formation d'une couche de nanoparticules située entre 1,5 nm et 4 nm (nanomètres), sous la surface de la couche de SiO2, et dont l'épaisseur est comprise entre 2 et 3 nm. Le collage et le détachement sont effectués comme décrit précédemment en liaison avec les figures 1 et 2.
Exemple 2 :
La figure 4 est un dessin réalisé à partir d'une photo obtenue par microscopie électronique à transmission (TEM), qui représente une couche de piégeage formée dans une couche de SiO2, par implantation de silicium avec une énergie de 1 keV et une dose de 1.1016 Si +/cm2. Cette couche de piégeage 31 apparaît comme une ligne plus sombre au milieu de l'oxyde 3.
Par ailleurs, des essais ont été effectués pour déterminer les gammes d'énergie et de dose d'implantation à utiliser pour réaliser la couche de piégeage, lorsque l'isolant est respectivement du dioxyde de silicium (SiO2) ou du nitrure de silicium (Si3N4). Les valeurs sont données ci-après.
Lorsque l'isolant est du dioxyde de silicium (SiO2), les espèces implantées sont choisies parmi les atomes de silicium, germanium et d'oxygène.
Dans ce cas, on peut implanter au choix, soit uniquement l'une des catégories d'espèces atomiques mentionnées ci-dessous, soit successivement plusieurs d'entre elles :
- des atomes de silicium avec une énergie d'implantation comprise entre 0,5 et 5 keV et une dose d'implantation comprise entre 5. 1015 et 5. 1016 Si+/cm2. Dans ces conditions, la couche de nanoparticules sera située entre 15 nm et 40 nm sous l'interface de collage. L'augmentation de la dose d'implantation permet d'augmenter la densité surfacique des pièges et donc de moduler la quantité totale d'atomes de gaz emprisonnés sur ces pièges.
- des atomes de germanium avec une énergie d'implantation comprise entre 0,7 et 10 keV et une dose d'implantation comprise entre 5. 1015 et 1. 1017 Ge+/cm2. Le germanium étant plus lourd, la gamme d'énergie d'implantation est plus large pour positionner le plan de nano-particules dans la même gamme de profondeur.
- des atomes d'oxygène avec une énergie d'implantation comprise entre 0,5 et 3 keV et une dose d'implantation comprise entre 1. 1015 et 1. 1017 0+/cm2. Pour positionner la zone de piégeage à la même profondeur que précédemment, la fenêtre d'énergie d'implantation est ici réduite par rapport à l'implantation de silicium car l'oxygène est plus léger.
Lorsque l'isolant est du nitrure de silicium (Si3N4), les espèces implantées sont choisies parmi les atomes de silicium, de germanium ou d'azote. Dans ce cas, on peut implanter au choix, soit uniquement l'une des catégories d'espèces atomiques mentionnées ci-dessous, soit successivement plusieurs d'entre elles :
- des atomes de silicium avec une énergie d'implantation comprise entre 0,5 et 5 keV et une dose d'implantation comprise entre 5. 1015 et 5. 1016 Si+/cm2 ;
- des atomes de germanium avec une énergie d'implantation comprise entre 0,7 et 10 keV et une dose d'implantation comprise entre 5. 1015 et 1. 1017 Ge+W ;
- des atomes d'azote avec une énergie d'implantation comprise entre 0,5 et 3 keV et une dose d'implantation comprise entre 1. 1015 et 1. 1017 N+/cm2.
Le procédé de fabrication de SeOI conforme à l'invention permet de s'affranchir de tous les défauts dus à l'accumulation de gaz aux interfaces de collage ou de liaison d'une hétérostructure.
Le procédé conforme à l'invention est applicable à la fabrication de substrats semi-conducteurs sur isolant, avec tout type de matériau semi-conducteur, puisque la couche de piégeage est formée dans l'isolant. Les avantages seront bien entendu plus marqués dans le cas du GeOI, car d'après les profils SIMS, on observe une forte quantité d'hydrogène présent dans l'oxyde.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de fabrication d'une hétérostructure (5, 8) du type "semiconducteur sur isolant", comprenant au moins une couche d'isolant (3, 6), intercalée entre un substrat (2), dit "receveur", et une couche (14), dite "active", issue d'un substrat (1), dit "donneur", au moins l'une desdites couches d'isolant (3, 6) comprenant une couche (31, 61), dite "de piégeage", apte à retenir les espèces gazeuses éventuellement présentes au niveau des différentes interfaces de l'hétérostructure (5, 8) et à limiter la formation de défauts à la surface de la couche active (14) de ladite hétérostructure, ce procédé comprenant les étapes consistant à :
- former ou déposer au moins une couche d'isolant (3, 6) sur au moins l'un des deux substrats donneur (1) et receveur (2), ces deux substrats étant réalisés en matériau semi-conducteur,
- coller ledit substrat donneur (1) et ledit substrat receveur (2), par adhésion moléculaire, de façon que la ou les couche(s) d'isolant (3, 6) soi(ent) intercalée(s) entre eux et qu'il existe entre l'un des deux substrats (1, 2) et l'une des couches d'isolant (3, 6) ou entre les deux couches d'isolant (3, 6), une interface de collage (4, 7),
- retirer une partie (15), dite "reste", du substrat donneur (1), de façon à ne conserver que ladite couche active (14) et à obtenir ladite hétérostructure (5, 8), caractérisé en ce qu'avant le collage, on procède à la formation de ladite couche de piégeage (31, 61) en implantant au moins une catégorie d'espèces atomiques à l'intérieur d'au moins l'une des couches d'isolant (3, 6), cette catégorie d'espèces atomiques étant choisie de façon à être soit identique à l'une des espèces atomiques constituant la couche d'isolant (3, 6) dans laquelle ces espèces sont implantées, soit à appartenir à la même colonne du tableau de la classification périodique de Mendeleïev que l'une des espèces atomiques constituant la couche d'isolant (3, 6) dans laquelle elles sont implantées.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'après la formation de la couche de piégeage (31, 61), on procède à une étape de recuit de la couche d'isolant (3, 6) contenant cette couche de piégeage, à une température d'au moins 3500C, pendant au moins 30 minutes.
3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les paramètres de l'implantation sont choisis de façon à former ladite couche de piégeage (31, 61) à proximité de ladite interface de collage (4, 7).
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche de piégeage (31, 61) est formée à une distance comprise entre 2 et 10 nanomètres de l'interface de collage (4, 7).
5. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les paramètres de l'implantation sont choisis de façon à former ladite couche de piégeage (31, 61) à proximité d'une interface de liaison (20, 60) entre la couche d'isolant (3, 6) et l'un ou l'autre des deux substrats (1, 2).
6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche de piégeage (31, 61) est constituée d'une couche bidimensionnelle de nanocavités ou de nanoparticules.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'isolant (3, 6) est un oxyde.
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'isolant (3, 6) est un nitrure.
9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'isolant
(3, 6) est du dioxyde de silicium (SiO2) et en ce que les espèces implantées sont choisies parmi les atomes de silicium, de germanium et d'oxygène.
10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'on implante des atomes de silicium avec une énergie d'implantation comprise entre 0,5 et 5 keV et une dose d'implantation comprise entre 5. 1015 et 5. 1016 Si+/cm2.
11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'on implante des atomes de germanium avec une énergie d'implantation comprise entre 0,7 et 10 keV et une dose d'implantation comprise entre 5. 1015 et 1. 1017 Ge+/cm2.
12. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'on implante des atomes d'oxygène avec une énergie d'implantation comprise entre 0,5 et 3 keV et une dose d'implantation comprise entre 1. 1015 et 1. 1017 0+/cm2.
13. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'isolant (3, 6) est du nitrure de silicium (Si3N4) et en ce que les espèces implantées sont choisies parmi les atomes de silicium, de germanium et d'azote.
14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'on implante des atomes de silicium avec une énergie d'implantation comprise entre 0,5 et 5 keV et une dose d'implantation comprise entre 5. 1015 et 5. 1016 Si+/cm2.
15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'on implante des atomes de germanium avec une énergie d'implantation comprise entre 0,7 et 10 keV et une dose d'implantation comprise entre 5. 1015 et 1. 1017 Ge+/cm2.
16. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'on implante des atomes d'azote avec une énergie d'implantation comprise entre 0,5et 3 keV et une dose d'implantation comprise entre 1. 1015 et 1. 1017 N+/cm2.
17. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le retrait de la partie arrière (15) est effectué par polissage mécanico-chimique.
18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, caractérisé en ce qu'avant le collage, on forme une zone de fragilisation (13) à l'intérieur du substrat source (1), cette zone de fragilisation (13) délimitant la couche active (14), du reste (15) dudit substrat (1) destiné à être retiré.
19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que la zone de fragilisation (13) est formée par implantation d'espèces atomiques.
20. Hétérostructure (5, 8) du type "semi-conducteur sur isolant", comprenant au moins une couche d'isolant (3, 6), intercalée entre un substrat (2), dit "receveur", en matériau semi-conducteur, et une couche (14), dite "active", en matériau semi-conducteur, caractérisée en ce qu'au moins l'une desdites couches d'isolant (3, 6) comprend une couche (31, 61) de piégeage constituée d'une couche bidimensionnelle de nanocavités ou de nanoparticules, cette couche de piégeage (31, 61) étant apte à retenir les espèces gazeuses éventuellement présentes au niveau des différentes interfaces de l'hétérostructure (5, 8) et à limiter la formation de défauts à la surface de la couche active (14) de ladite hétérostructure.
PCT/EP2006/066046 2005-09-08 2006-09-06 Procédé de fabrication d'une hétérostructure de type semi-conducteur sur isolant Ceased WO2007028800A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06793255A EP1922751B1 (fr) 2005-09-08 2006-09-06 Procede de fabrication d'une heterostructure de type semi-conducteur sur isolant
AT06793255T ATE521085T1 (de) 2005-09-08 2006-09-06 Verfahren zum herstellen einer halbleiter-auf- isolation-heterostruktur
JP2008529625A JP2009508329A (ja) 2005-09-08 2006-09-06 半導体オン・インシュレータ型のヘテロ構造の製造方法
CN2006800328950A CN101258591B (zh) 2005-09-08 2006-09-06 制造绝缘体上半导体型异质结构的方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0509168A FR2890489B1 (fr) 2005-09-08 2005-09-08 Procede de fabrication d'une heterostructure de type semi-conducteur sur isolant
FR0509168 2005-09-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007028800A1 true WO2007028800A1 (fr) 2007-03-15

Family

ID=36593036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2006/066046 Ceased WO2007028800A1 (fr) 2005-09-08 2006-09-06 Procédé de fabrication d'une hétérostructure de type semi-conducteur sur isolant

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7485551B2 (fr)
EP (1) EP1922751B1 (fr)
JP (1) JP2009508329A (fr)
KR (1) KR100979930B1 (fr)
CN (1) CN101258591B (fr)
AT (1) ATE521085T1 (fr)
FR (1) FR2890489B1 (fr)
WO (1) WO2007028800A1 (fr)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270706A (ja) * 2007-03-26 2008-11-06 Tokyo Electron Ltd 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
FR2919427B1 (fr) * 2007-07-26 2010-12-03 Soitec Silicon On Insulator Structure a reservoir de charges.
FR2926674B1 (fr) 2008-01-21 2010-03-26 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une structure composite avec couche d'oxyde de collage stable
WO2009112894A1 (fr) * 2008-03-13 2009-09-17 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Substrat comportant une zone chargée dans une couche enterrée isolante
FR2934925B1 (fr) * 2008-08-06 2011-02-25 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une structure comprernant une etape d'implantations d'ions pour stabiliser l'interface de collage.
EP2157602A1 (fr) * 2008-08-20 2010-02-24 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Procédé de fabrication de plusieurs wafers de fabrication
JP5470839B2 (ja) * 2008-12-25 2014-04-16 株式会社Ｓｕｍｃｏ 貼り合わせシリコンウェーハの製造方法
US20110089429A1 (en) * 2009-07-23 2011-04-21 Venkatraman Prabhakar Systems, methods and materials involving crystallization of substrates using a seed layer, as well as products produced by such processes
EP2599110A4 (fr) 2009-07-28 2014-04-23 Gigasi Solar Inc Systèmes, procédés et matériaux, comprenant la cristallisation de substrats par recuit laser en conditions préfusion, et produits obtenus par ces procédés
US8629436B2 (en) * 2009-08-14 2014-01-14 Gigasi Solar, Inc. Backside only contact thin-film solar cells and devices, systems and methods of fabricating same, and products produced by processes thereof
DE112011100451T5 (de) * 2010-02-04 2013-04-04 Fuji Electric Co., Ltd Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
US8288811B2 (en) * 2010-03-22 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Fortification of charge-storing material in high-K dielectric environments and resulting apparatuses
US20110306180A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-15 Venkatraman Prabhakar Systems, Methods and Products Involving Aspects of Laser Irradiation, Cleaving, and/or Bonding Silicon-Containing Material to Substrates
FR2968121B1 (fr) 2010-11-30 2012-12-21 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert d'une couche a haute temperature
FR2983342B1 (fr) 2011-11-30 2016-05-20 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une heterostructure limitant la formation de defauts et heterostructure ainsi obtenue
US8951896B2 (en) 2013-06-28 2015-02-10 International Business Machines Corporation High linearity SOI wafer for low-distortion circuit applications
FR3007891B1 (fr) * 2013-06-28 2016-11-25 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une structure composite
KR102212296B1 (ko) 2014-01-23 2021-02-04 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. 고 비저항 soi 웨이퍼 및 그 제조 방법
KR101938755B1 (ko) * 2014-07-10 2019-01-15 가부시키가이샤 사이콕스 반도체 기판 및 반도체 기판의 제조 방법
US9899499B2 (en) 2014-09-04 2018-02-20 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) High resistivity silicon-on-insulator wafer manufacturing method for reducing substrate loss
EP3221885B1 (fr) 2014-11-18 2019-10-23 GlobalWafers Co., Ltd. Plaquette semi-conducteur sur isolant haute résistivité et procédé de fabrication
US10381260B2 (en) 2014-11-18 2019-08-13 GlobalWafers Co., Inc. Method of manufacturing high resistivity semiconductor-on-insulator wafers with charge trapping layers
US10224233B2 (en) 2014-11-18 2019-03-05 Globalwafers Co., Ltd. High resistivity silicon-on-insulator substrate comprising a charge trapping layer formed by He-N2 co-implantation
EP3266038B1 (fr) 2015-03-03 2019-09-25 GlobalWafers Co., Ltd. Procédé pour déposer des films de silicium polycristallin de piégeage de charge sur des substrats de silicium avec une contrainte de film pouvant être maîtrisée
US9881832B2 (en) 2015-03-17 2018-01-30 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Handle substrate for use in manufacture of semiconductor-on-insulator structure and method of manufacturing thereof
WO2016149113A1 (fr) 2015-03-17 2016-09-22 Sunedison Semiconductor Limited Couche de piégeage de charge thermiquement stable destinée à être utilisée dans la fabrication de structures semi-conducteur sur isolant
CN106158639B (zh) * 2015-04-01 2019-01-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件的形成方法
CN114496732B (zh) 2015-06-01 2023-03-03 环球晶圆股份有限公司 制造绝缘体上硅锗的方法
US10304722B2 (en) 2015-06-01 2019-05-28 Globalwafers Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor-on-insulator
JP6749394B2 (ja) 2015-11-20 2020-09-02 グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドＧｌｏｂａｌＷａｆｅｒｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 滑らかな半導体表面の製造方法
US10622247B2 (en) 2016-02-19 2020-04-14 Globalwafers Co., Ltd. Semiconductor on insulator structure comprising a buried high resistivity layer
US9831115B2 (en) 2016-02-19 2017-11-28 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Process flow for manufacturing semiconductor on insulator structures in parallel
US10468294B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Globalwafers Co., Ltd. High resistivity silicon-on-insulator substrate comprising a charge trapping layer formed on a substrate with a rough surface
WO2017155806A1 (fr) 2016-03-07 2017-09-14 Sunedison Semiconductor Limited Structure de semi-conducteur sur isolant contenant une couche d'oxyde de plasma et son procédé de fabrication
US11114332B2 (en) 2016-03-07 2021-09-07 Globalwafers Co., Ltd. Semiconductor on insulator structure comprising a plasma nitride layer and method of manufacture thereof
US11848227B2 (en) 2016-03-07 2023-12-19 Globalwafers Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor on insulator structure by a pressurized bond treatment
SG11201806851RA (en) 2016-03-07 2018-09-27 Globalwafers Co Ltd Semiconductor on insulator structure comprising a low temperature flowable oxide layer and method of manufacture thereof
FR3051785B1 (fr) * 2016-05-25 2025-04-25 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une couche
KR102439602B1 (ko) 2016-06-08 2022-09-01 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. 높은 비저항의 단결정 실리콘 잉곳 및 개선된 기계적 강도를 갖는 웨이퍼
US10269617B2 (en) 2016-06-22 2019-04-23 Globalwafers Co., Ltd. High resistivity silicon-on-insulator substrate comprising an isolation region
US20180033609A1 (en) * 2016-07-28 2018-02-01 QMAT, Inc. Removal of non-cleaved/non-transferred material from donor substrate
US20180019169A1 (en) * 2016-07-12 2018-01-18 QMAT, Inc. Backing substrate stabilizing donor substrate for implant or reclamation
EP4456146B1 (fr) 2016-10-26 2026-03-25 GlobalWafers Co., Ltd. Substrat de silicium sur isolant à haute résistivité ayant une efficacité de piégeage de charge améliorée
SG10201913059PA (en) 2016-12-05 2020-02-27 Globalwafers Co Ltd High resistivity silicon-on-insulator structure and method of manufacture thereof
CN106683980B (zh) * 2016-12-27 2019-12-13 上海新傲科技股份有限公司 带有载流子俘获中心的衬底的制备方法
CN106783725B (zh) * 2016-12-27 2019-09-17 上海新傲科技股份有限公司 带有绝缘埋层的衬底的制备方法
KR102453743B1 (ko) 2016-12-28 2022-10-11 썬에디슨 세미컨덕터 리미티드 고유 게터링 및 게이트 산화물 무결성 수율을 갖도록 규소 웨이퍼들을 처리하는 방법
SG10201913850VA (en) 2017-07-14 2020-03-30 Sunedison Semiconductor Ltd Method of manufacture of a semiconductor on insulator structure
EP3785293B1 (fr) 2018-04-27 2023-06-07 GlobalWafers Co., Ltd. Formation de plaquettes assistée par la lumière facilitant le transfert de couche à partir d'un substrat donneur semi-conducteur
CN118943075A (zh) 2018-06-08 2024-11-12 环球晶圆股份有限公司 将硅薄层移转的方法
CN110880920B (zh) * 2018-09-06 2021-01-19 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 异质薄膜结构的制备方法
FR3091000B1 (fr) 2018-12-24 2020-12-04 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d’un substrat pour un capteur d’image de type face avant
FR3111232B1 (fr) * 2020-06-09 2022-05-06 Soitec Silicon On Insulator Substrat temporaire demontable compatible avec de tres hautes temperatures et procede de transfert d’une couche utile a partir dudit substrat
FR3120983A1 (fr) 2021-03-18 2022-09-23 Soitec Substrat de type semi-conducteur sur isolant pour un transistor à effet de champ à capacité négative

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5953622A (en) * 1996-11-23 1999-09-14 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor wafers
EP1174926A1 (fr) * 2000-01-25 2002-01-23 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Tranche a semi-conducteurs et son procede de production
US6696352B1 (en) * 2001-09-11 2004-02-24 Silicon Wafer Technologies, Inc. Method of manufacture of a multi-layered substrate with a thin single crystalline layer and a versatile sacrificial layer
US20040171196A1 (en) * 2002-08-08 2004-09-02 Walitzki Hans J. Method and apparatus for transferring a thin layer of semiconductor material

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3217089B2 (ja) * 1991-08-23 2001-10-09 富士通株式会社 Ｓｏｉウェハおよびその製造方法
JPH05226666A (ja) * 1992-02-13 1993-09-03 Kawasaki Steel Corp 半導体装置の製造方法
JPH05259012A (ja) * 1992-03-10 1993-10-08 Nec Corp 半導体基板およびその製造方法
JP3192000B2 (ja) * 1992-08-25 2001-07-23 キヤノン株式会社 半導体基板及びその作製方法
JPH0964205A (ja) * 1995-08-22 1997-03-07 Sony Corp 窒化シリコン膜の形成方法
US5994207A (en) * 1997-05-12 1999-11-30 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process using pressurized fluid
EP1386349A1 (fr) 2001-04-17 2004-02-04 California Institute Of Technology Procede utilisant un transfert de la couche au germanium au si pour applications photovoltaiques, et heterostructures realisees par ce procede
US20020187619A1 (en) * 2001-05-04 2002-12-12 International Business Machines Corporation Gettering process for bonded SOI wafers
CN1172376C (zh) * 2001-12-29 2004-10-20 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法
JP2004087768A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Shin Etsu Handotai Co Ltd Ｓｏｉウエーハの製造方法
WO2004021420A2 (fr) * 2002-08-29 2004-03-11 Massachusetts Institute Of Technology Systeme de fabrication ameliore et procede pour semi-conducteur monocristallin sur un substrat
FR2845523B1 (fr) * 2002-10-07 2005-10-28 Procede pour realiser un substrat par transfert d'une plaquette donneuse comportant des especes etrangeres, et plaquette donneuse associee
US7052978B2 (en) * 2003-08-28 2006-05-30 Intel Corporation Arrangements incorporating laser-induced cleaving
EP1662549B1 (fr) * 2003-09-01 2015-07-29 SUMCO Corporation Procede de fabrication de plaquette liee
US6972247B2 (en) * 2003-12-05 2005-12-06 International Business Machines Corporation Method of fabricating strained Si SOI wafers
FR2865574B1 (fr) * 2004-01-26 2006-04-07 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat demontable
US7919391B2 (en) * 2004-12-24 2011-04-05 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Methods for preparing a bonding surface of a semiconductor wafer
US7344957B2 (en) * 2005-01-19 2008-03-18 Texas Instruments Incorporated SOI wafer with cooling channels and a method of manufacture thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5953622A (en) * 1996-11-23 1999-09-14 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor wafers
EP1174926A1 (fr) * 2000-01-25 2002-01-23 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd Tranche a semi-conducteurs et son procede de production
US6696352B1 (en) * 2001-09-11 2004-02-24 Silicon Wafer Technologies, Inc. Method of manufacture of a multi-layered substrate with a thin single crystalline layer and a versatile sacrificial layer
US20040171196A1 (en) * 2002-08-08 2004-09-02 Walitzki Hans J. Method and apparatus for transferring a thin layer of semiconductor material

Also Published As

Publication number Publication date
FR2890489A1 (fr) 2007-03-09
US7485551B2 (en) 2009-02-03
EP1922751B1 (fr) 2011-08-17
CN101258591B (zh) 2011-04-20
KR20080040759A (ko) 2008-05-08
KR100979930B1 (ko) 2010-09-03
CN101258591A (zh) 2008-09-03
JP2009508329A (ja) 2009-02-26
US20070054466A1 (en) 2007-03-08
ATE521085T1 (de) 2011-09-15
FR2890489B1 (fr) 2008-03-07
EP1922751A1 (fr) 2008-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1922751B1 (fr) Procede de fabrication d'une heterostructure de type semi-conducteur sur isolant
EP1631984B1 (fr) Procédé d'obtention d 'une structure comprenant un substrat support et une couche ultramince
EP1902463B1 (fr) Procede de diminution de la rugosite d'une couche epaisse d'isolant
FR2933534A1 (fr) Procede de fabrication d'une structure comprenant une couche de germanium sur un substrat
FR2855909A1 (fr) Procede d'obtention concomitante d'au moins une paire de structures comprenant au moins une couche utile reportee sur un substrat
FR2911430A1 (fr) "procede de fabrication d'un substrat hybride"
EP1811560A1 (fr) Procédé de fabrication d'un substrat composite à propriétés électriques améliorées
EP1811561A1 (fr) Procédé de fabrication d'un substrat composite
EP4000090B1 (fr) Procédé de collage hydrophile de substrats
FR2855650A1 (fr) Substrats pour systemes contraints et procede de croissance cristalline sur un tel substrat
WO2005086226A1 (fr) Traitement thermique d’amelioration de la qualite d’une couche mince prelevee
FR2983342A1 (fr) Procede de fabrication d'une heterostructure limitant la formation de defauts et heterostructure ainsi obtenue
FR2923079A1 (fr) Substrats soi avec couche fine isolante enterree
WO2008031980A1 (fr) Procede de transfert d'une couche a haute temperature
FR2938118A1 (fr) Procede de fabrication d'un empilement de couches minces semi-conductrices
EP2332171B1 (fr) Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice plan de masse enterre
FR3036844A1 (fr) Procede de fabrication de semi-conducteur sur isolant
JP4739213B2 (ja) ボンディング層が消滅する間接ボンディング
FR2911431A1 (fr) Procede de fabrication de structures soi a couche isolante d'epaisseur controlee
EP4495980A2 (fr) Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice comprenant une zone d'interface incluant des agglomerats
FR2968121A1 (fr) Procede de transfert d'une couche a haute temperature
FR2926925A1 (fr) Procede de fabrication d'heterostructures
EP4123692A1 (fr) Procede de fabrication d'un substrat semi-conducteur sur isolant de type soi ou sigeoi par besoi et structure pour fabriquer un tel substrat
FR2915624A1 (fr) Procedes de collage et de fabrication d'un substrat du type a couche enterree tres fine.
FR3156586A1 (fr) Procédé de fabrication d’une structure SSOI

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006793255

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087005289

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680032895.0

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008529625

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2006793255

Country of ref document: EP