WO2008026517A1

WO2008026517A1 - Conductive bonding material and electronic device

Info

Publication number: WO2008026517A1
Application number: PCT/JP2007/066475
Authority: WO
Inventors: Akihiro Nomura; Hidekiyo Takaoka; Kosuke Nakano
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2006-08-28
Filing date: 2007-08-24
Publication date: 2008-03-06
Anticipated expiration: 2009-02-28
Also published as: US8222751B2; JP5170685B2; US20090155608A1; KR20090037961A; KR101056558B1; JPWO2008026517A1; US8105687B2; CN101506906A; EP2058822A1; US20110067912A1; EP2058822A4

Description

明細書

導電性接合材料、及び電子装置

技術分野

[0001] 本発明は導電性接合材料、及び電子装置に関し、より詳しくはチップ型電子部品やプリント配線基板等の電気構造物同士を接合する導電性接合材料、及び複数の電気構造物が前記導電性接合材料を介して接合された電子装置に関する。

背景技術

[0002] 従来より、熱硬化性樹脂と金属粉末とを含有した導電性接着剤を使用し、複数の電気構造物同士を接合した電子装置が知られている。

[0003] 例えば、特許文献 1には、図 6に示すように、基板 101に第 1の電極 102が形成されると共に、電子デバイス 103に第 2の電極 104が形成され、第 1の電極 102及び第 2 の電極 104は金属微粒子の融着により導通が確保された電極接続部 105に接続されると共に、電極接続部 105間には導電性接着剤からなる中間接続部 106が介在され、かつ前記金属微粒子は、前記導電性接着剤の熱硬化温度以下で融着し、前記導電性接着剤は、該導電性接着剤の熱硬化温度以下では融着しな!、粒径の導電性フイラ一を含有した接続構造体が提案されて!/、る。

[0004] この特許文献 1では、電極接続部 105が、導電性接着剤の熱硬化温度以下で融着が起こる Ag等の金属微粒子と、導電性接着剤の熱硬化温度以下では融着が起こらない粒径の導電性フィラーと、接着剤とからなる導電性接着剤で構成されている。

[0005] そして、特許文献 1では、加熱硬化処理により電極接続部 105に含有される金属微粒子を介して第 1及び第 2の電極 102、 104と導電性フィラーとを融着させ、さらに前記金属微粒子を介して導電性フイラ一同士を融着させ、これにより界面での接着力を向上させている。

[0006] また、特許文献 2には、図 7に示すように、第 1の基板 107と第 2の基板 108とが熱伝導性材料 109で接合された熱伝導性接合体が提案されている。

[0007] 特許文献 2の熱伝導性材料 109は、有機酸を含有した熱硬化性樹脂 110と熱伝導性フイラ一とを含み、前記熱伝導性フイラ一が熱硬化性樹脂 110の熱硬化温度より高 V、融点を有する第 1のフイラ一 111と、熱硬化性樹脂 110の熱硬化温度より低!/、融点を有する第 2のフイラ一 112とからなる熱伝導性材料が提案されている。

[0008] また、特許文献 2では、熱硬化性樹脂 110及び熱伝導性フイラ一 111、 112の総量に対する熱伝導性フイラ一（第 1及び第 2のフイラ一）の体積比率力 50体積％ (89 重量％に相当 )となるように調製された実施例が開示されて!/、る。

[0009] 特許文献 2では、熱伝導性フイラ一力熱硬化性樹脂 110の熱硬化温度より低!/ヽ融点を有する第 2のフイラ一 112を含むことから、熱硬化性樹脂 110が硬化する前に第 2のフイラ一 112が溶融し、第 1のフイラ一 111と第 2のフイラ一 112とが融着する。また、熱伝導性フイラ一力熱硬化性樹脂の熱硬化温度より高い融点を有する第 1のフイラ一 111を含むことから、熱硬化性樹脂 110の硬化後も第 1のフイラ一 111がその形態を維持し、これにより熱抵抗の増加を抑制できる。しかも、熱伝導性材料が、熱硬化性樹脂 110と熱伝導性フイラ一とを含むため、接合温度を低くでき、かつ樹脂系材料をベースとするために弾性率が低くなり、熱応力の低減が可能となる。そしてこれにより、高い熱伝導性を有し、接続信頼性をも良好な熱伝導性材料を得ようとしている。

[0010] 特許文献 1 :特開 2005— 93826号公報 (請求項 1、請求項 6)

特許文献 2：特開 2004— 335872号公報 (請求項 1、段落番号〔0040〕等）。

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0011] しかしながら、特許文献 1では、電極接続部 105は、導電性接着剤の熱硬化温度以下で溶融する金属微粒子が融着されて導通性が確保されるものの、中間接続部 1

06は、導電性フィラー同士の接触のみで導通性が確保されているため、該中間接続部 106においては導通性が劣るという問題があった。

[0012] この問題を回避するために、導電性接着剤の熱硬化温度で溶融する低融点の金属粉末を導電性接着剤に含有させる方法が考えられる。

[0013] ところ力複数の電気構造物同士が接合された接合構造体をマザ一ボードなどに実装する場合、リフロー加熱処理が繰り返し行われたり急激な温度変化を伴う熱衝撃が負荷され、接続構造体が長時間高温雰囲気下に晒されるおそれがある。このため前記低融点金属粉末が再溶融してしまい、十分な固着強度を得ることができないという問題が生じる。しかも、この場合、熱衝撃等によって溶融と硬化とが繰り返されると、電極接続部 105と中間接続部 106との接合界面が剥離するおそれがある。

[0014] 特に、リフロー加熱処理では、環境面への配慮等から Pbフリーはんだを使用することが一般的となってきている力この Pbフリーはんだは溶融温度が 270°C〜280°Cと高温であり、したがって硬化した金属が再溶融し、接合界面での剥離がより起こり易くなる。

[0015] また、特許文献 2では、熱伝導性フイラ一の含有量や、第 1のフイラ一及び第 2のフイラ一の粒径については何ら考慮されていない。すなわち、これら熱伝導性フイラ一の含有量や、第 1のフイラ一及び第 2のフイラ一の粒径によっては、加熱硬化後の接合面に対する固着強度が低下するおそれがあり、また高温多湿下に長時間晒されると接続抵抗が高くなつて導電性の低下を招くおそれがある。

[0016] 本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、リフロー加熱処理が繰り返さたり急激な温度変化を伴う熱衝撃が負荷された場合であっても、良好な導通性と高 Vヽ接続強度を有する導電性接合材料及びこれを用いた電子装置を提供することを目白勺とする。

課題を解決するための手段

[0017] 上記目的を達成するために本発明に係る導電性接合材料は、熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂の熱硬化温度以下の温度で溶融する第 1の金属粉末と、前記熱硬化性樹脂の熱硬化温度以下の温度で溶融せず、かつ前記熱硬化性樹脂の加熱硬化時に前記第 1の金属粉末と反応して 300°C以上の高融点を有する反応物を生成する第 2の金属粉末と、該第 2の金属粉末の表面に形成される酸化物を除去する還元性物質とを含有し、前記第 1の金属粉末及び前記第 2の金属粉末の含有量が、総計で 75〜88重量％であり、かつ、前記第 1の金属粉末の平均粒径 D1と前記第 2の金属粉末の平均粒径 D2との粒径比 D1/D2が、 0. 5〜6. 0であることを特徴としてい

[0018] また、本発明の導電性接合材料は、前記第 1の金属粉末及び前記第 2の金属粉末の総量に対する前記第 1の金属粉末の体積比率は、 25〜75体積％であることを特徴としている。

[0019] また、本発明の導電性接合材料は、前記第 2の金属粉末は、前記第 2の金属粉末よりも前記第 1の金属粉末に対して濡れ性が高ぐかつ、前記熱硬化性樹脂の熱硬化温度以下の温度で溶融する低融点金属で被覆されていることを特徴とし、また、前記低融点金属は、 Snを含有した金属であることを特徴としている。

[0020] さらに、本発明の導電性接合材料は、前記第 2の金属粉末は、該第 2の金属粉末よりも前記第 1の金属粉末に対して濡れ性の高い金属で被覆されていることを特徴とするのも好ましく、また、前記濡れ性が高い金属は、貴金属であることを特徴とするのも好ましい。

[0021] また、本発明の導電性接合材料は、前記第 1の金属粉末が、 Sn— Bi合金粉末であることを特 ί毁としている。

[0022] また、本発明に係る電子装置は、第 1の電極を有する第 1の電気構造物と、第 2の電極を有する第 2の電気構造物とを備えた電子装置であって、前記第 1の電極と前記第 2の電極とが、上述した導電性接合材料を介して電気的に接続されると共に、前記第 1の金属粉末と前記第 2の金属粉末との界面、前記第 1の金属粉末と前記第 1 の電極との界面、及び前記第 1の金属粉末と前記第 2の電極との界面のうちの少なくとも 1つの界面は、 300°C以上の高融点を有する反応物で結合されていることを特徴としている。

発明の効果

[0023] 本発明の導電性接合材料によれば、熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂の熱硬化温度以下の温度で溶融する第 1の金属粉末 (例えば、 Sn— Bi合金粉末）と、前記熱硬化性樹脂の熱硬化温度以下の温度で溶融せず、かつ前記熱硬化性樹脂の加熱硬化時に前記第 1の金属粉末と反応して 300°C以上の高融点を有する反応物を生成する第 2の金属粉末 (例えば、 Cu粉末）と、該第 2の金属粉末の表面に形成される酸化物を除去する還元性物質とを含有し、前記第 1の金属粉末及び前記第 2の金属粉末の含有量が、総計で 75〜88重量％であり、かつ、前記第 1の金属粉末の平均粒径 D1と前記第 2の金属粉末の平均粒径 D2との粒径比 D1/D2が、 0. 5〜6. 0 であるので、加熱硬化時には第 1の金属粉末が濡れ拡がって第 2の金属粉末と電気的に接続され、導電パスが形成される。そして、第 1の金属粉末は第 2の金属粉末と反応して 300°Cでは溶融しない高融点反応物を生成する。このように導通性に優れ、かつ強固な固着力を有する接続信頼性の優れた導電性接合材料を得ることができ

[0024] 特に、第 1の金属粉末が、 Sn— Bi合金粉末のように、溶融時の体積膨張が小さい Biを含有している場合は、たとえ第 1の金属粉末の第 2の金属粉末への濡れ拡がりが不足し、高融点反応物が十分に生成されない場合であっても、溶融時の体積膨張に伴う接合界面の破損が生じ難ぐ良好な固着強度を確保することができる。

[0025] また、前記第 1の金属粉末及び前記第 2の金属粉末の総量に対する前記第 1の金属粉末の体積比率は、 25〜75体積％であるので、第 1の金属粉末の占める体積比率が適正範囲に維持され、多数の導電パスを容易に形成することができる。すなわち、第 1の金属粉末が不足したり、或いは第 2の金属粉末と反応しなかった未反応の第 1の金属粉末が残留するのが抑制され、所望の導通性と接続信頼性を確保することができる導電性接合材料を得ることができる。

[0026] また、前記第 2の金属粉末は、前記第 2の金属粉末よりも前記第 1の金属粉末に対して濡れ性が高ぐかつ、前記熱硬化性樹脂の熱硬化温度以下の温度で溶融する低融点金属（例えば、 Sn)で被覆されて!/、るので、熱硬化性樹脂の加熱硬化時には第 1の金属粉末が第 2の金属粉末の表面に濡れ拡カきやすくなる。そしてその結果、融点が 300°C以上の高融点反応物の生成を促進させることができ、より良好な導通性を有する導電パスを形成することができ、また接合界面の固着強度をより一層向上させること力 Sでさる。

[0027] さらに、前記第 2の金属粉末は、該第 2の金属粉末よりも前記第 1の金属粉末に対して濡れ性の高い金属（例えば、 Au等の貴金属）で被覆された場合も、上述と同様の作用効果を奏することができる。

[0028] また、本発明の電子装置によれば、上述した導電性接合材料を介して第 1の電気構造物の第 1の電極と第 2の電気構造物の第 2の電極とが電気的に接続されると共に、前記第 1の金属粉末と前記第 2の金属粉末との界面、前記第 1の金属粉末と前記第 1の電極との界面、及び前記第 1の金属粉末と前記第 2の電極との界面のうちの少なくとも 1つの界面は、 300°C以上の高融点を有する高融点反応物で結合されているので、良好な導通性を有する導電パスが形成され、これらの接合界面は高融点反応物で固着される。

[0029] したがって、第 1の電気構造物と第 2の電気構造物が接合された後に、リフロー加熱処理や熱衝撃が負荷され、高温雰囲気に長時間晒された場合であっても、金属の再溶融が生じるのを回避することができ、接合界面が剥離することもなぐ良好な導通性と強固な界面固着力を有する機械的強度の優れた電子装置を得ることができる図面の簡単な説明

[0030] [図 1]本発明に係る導電性接合材料を使用して製造された電子装置の一実施の形態を示す概略断面図である。

[図 2]図 1の加熱硬化前における A部拡大図である。

[図 3]図 1の加熱硬化後における A部拡大図である。

[図 4]低融点金属の平均粒径が高融点金属の平均粒径に対して過度に小さい場合の導電性接合材料の硬化状態を模式的に示す断面図である。

[図 5]低融点金属の平均粒径が高融点金属の平均粒径に対して過度に大きい場合の導電性接合材料の硬化状態を模式的に示す断面図である。

[図 6]特許文献 1に記載された接続構造体の模式図である。

[図 7]特許文献 2に記載された熱伝導性接合体の硬化前の状態を示す模式図である符号の説明

[0031] la lb ランド電極（第 1の電極）

2 基板 (第 1の電気構造体）

3 チップ型電子部品（第 2の電気構造体）

5a, 5b 外部電極（第 2の電極）

6a, 6b 導電性接合材料

7 熱硬化性樹脂

8 低融点金属粉末 (第 1の金属粉末） 9 高融点金属粉末 (第 2の金属粉末）

発明を実施するための最良の形態

[0032] 次に、本発明の実施の形態を詳述する。

[0033] 図 1は本発明の導電性接合材料を使用して製造される電子装置の一実施の形態を模式的に示した断面図である。

[0034] すなわち、本電子装置は、ランド電極（第 1の電極） la、 lbが形成されたプリント配線基板等の基板（第 1の電気構造物） 2上にセラミックコンデンサ等のチップ型電子部品（第 2の電気構造物） 3が搭載されて!/、る。

[0035] このチップ型電子部品 3は、セラミック材料を主成分とする電子部品本体 4の両端に外部電極（第 2の電極） 5a、 5bが形成されており、該外部電極 5a、 5bとランド電極 l a

、 lbとが導電性接合材料 6a、 6bで電気的に接続されている。

[0036] 図 2は、図 1の加熱硬化前における A部拡大図である。

[0037] 導電性接合材料 6aは、熱硬化温度が例えば 200°C程度の熱硬化性樹脂 7と、該熱硬化性樹脂 7の熱硬化温度以下の温度で溶融する低融点金属粉末（第 1の金属粉末） 8と、前記熱硬化性樹脂 7の熱硬化温度以下の温度で溶融せず、かつ前記熱硬化性樹脂 7の加熱硬化時に前記低融点金属粉末 8と反応して融点が 300°C以上の高融点反応物を生成する高融点金属粉末（第 2の金属粉末） 9と、該高融点金属粉末 9の表面に形成される酸化物を除去する還元性物質（不図示）とを含有してレ、る

〇

[0038] すなわち、この導電性接合材料 6aは、熱硬化性樹脂 7中に低融点金属粉末 8、高融点金属粉末 9、及び還元性物質 (不図示）が分散されて!/、る。

[0039] 尚、上記反応物は、上述したように低融点金属粉末と高融点金属粉末とが反応して生成する融点が 300°C以上の高融点反応物をいうが、具体的には金属間化合物又は固溶体を意味する。

[0040] 図 3は、図 1の加熱硬化後における A部拡大図である。

[0041] 導電性接合材料 6aを外部電極 5a及びランド電極 laに塗布し、熱硬化温度以上の温度で加熱処理すると、低融点金属粉末 8が溶融して濡れ拡がる。そして、高融点金属粉末 9、 9間が低融点金属粉末 8を介して接続され、多数の導電パス 11が生成される。

[0042] すなわち、上記高融点金属粉末 9は熱硬化性樹脂 7の熱硬化温度では溶融しな!/、ため、高融点金属粉末 9のみを熱硬化性樹脂 7中に分散させても、導電パス 11を生成するのは困難である。

[0043] そこで、本実施の形態では、熱硬化性樹脂 7中に該熱硬化樹脂 7の熱硬化温度以下の温度で溶融する低融点金属粉末 8を分散させ、加熱硬化時に熱硬化温度以上の温度で加熱することにより、低融点金属粉末 8を溶融させて濡れ拡がらしている。そしてこれにより、高融点金属粉末 9、 9間が低融点金属粉末 8で接続され、良好な導電性を有する多数の導電パス 11が生成される。

[0044] この低融点金属粉末 8は高融点金属粉末 9と反応して融点が 300°C以上の高融点反応物を生成することから、 Pbフリーはんだを使用してリフロー加熱処理を行ったり熱衝撃などが繰り返し負荷される等、高温多湿下で長時間晒された場合であつても、接合界面の金属が再溶融することはなぐ良好な固着強度を有する電子装置を得ること力 Sでさる。

[0045] また、溶融した低融点金属粉末はランド電極 la、 lbや外部電極 5a、 5bにも濡れ拡力 ¾ことから、これらランド電極 la、 lbや外部電極 5a、 5bに含まれる Ag— Pdや Sn等の金属との間でも高融点反応物が生成され、導電パス 11が形成される。したがって、これによつてもランド電極 la、 lb及び外部電極 5a、 5bと間の固着力がより強固で機械的強度の優れた電子装置を得ることができる。

[0046] また、本導電性接合材料には、還元性物質が含有されており、これにより高融点金属粉末 9の表面に生成される酸化物を除去することができる。すなわち、表面に生成している酸化物を除去することにより、熱硬化性樹脂 7の加熱硬化時には低融点金属粉末 8が高融点金属粉末 9の表面に濡れ拡がりやすくなり、より導通性の高い導電パス 11が形成されると共に、高融点反応物の生成を促進することができる。したがつて、これによつてもランド電極 la、 lb及び外部電極 5a、 5bとの間がより一層強固な固着力を有する電子装置を得ることができる。

[0047] そして、このような還元性物質としては、還元性を有する物質、例えば、こはく酸、酢酸などの有機酸、塩酸、臭酸等を好んで使用することができる力還元性を有するのであれば、酸以外の物質も使用することができる。

[0048] このように本実施の形態によれば、良好な導通性を確保しつつ、ランド電極 la、 lb 及び外部電極 5a、 5bとの接合界面が強固な固着力でもって接合された電子装置を得ること力 Sでさる。

[0049] さらに、本実施の形態では、導電性接合材料 6a、 6b中の低融点金属粉末 8及び高融点金属粉末 9の含有量、すなわち金属粉末の総含有量が、 75〜88重量％に設定されている。

[0050] すなわち、導電性接合材料 6a、 6b中の金属粉末の総含有量が、 75重量％未満に低下すると、導電性接合材料 6a、 6b中の金属粉末が過少であるため、加熱硬化時に低融点金属粉末 8が濡れ拡がっても高融点金属粉末 9と接続されず、導電パス 11 を生成するのが困難となり、融点が 300°C以上の高融点反応物を十分に生成することができなくなる。そしてその結果、導通性の低下を招き、特に高温多湿下で長時間放置された場合は導通性低下を助長する。

[0051] 一方、導電性接合材料 6a、 6b中の金属粉末の総含有量が、 88重量％を超えると、導電性接合材料 6a、 6b中の熱硬化樹脂 7の含有量が過少となるため、ランド電極 la、 lbや外部電極 5a、 5bとの間の固着強度が低下するおそれがある。

[0052] そこで、本実施の形態では、導電性接合材料 6a、 6b中の金属粉末の総含有量は、 75〜88重量％に設定されている。

[0053] また、低融点金属粉末 8の平均粒径 D1と高融点金属粉末 9の平均粒径 D2との粒径比 D1/D2は、 0. 5〜6. 0に設定されている。

[0054] すなわち、粒径比 D1/D2が 0. 5未満の場合は、高融点金属粉末 9の平均粒径 D 2に対する低融点金属粉末 8の平均粒径 D1が小さ過ぎるため、低融点金属粉末 8の平均粒径 D1に対し高融点金属粉末 9間の間隔が広くなり、図 4に示すように、加熱硬化処理を行っても低融点金属粉末 8が高融点金属粉末 9同士を接続することができずに導電パス 11を生成することができない部分が生じる。このため、ランド電極 1 a、 lb及び外部電極 5a、 5bを高融点反応物で強固に接続できない部分が生じ、高温多湿下で長時間晒されると接続抵抗が劣化するおそれがある。

[0055] 一方、粒径比 D1/D2が 6. 0を超えた場合は、高融点金属粉末 9の平均粒径 D2 に対する低融点金属粉末 8の平均粒径 Dlが大きすぎ、導電性接合材料中の低融点金属粉末 8と高融点金属粉末 9との分散状態が悪化し、図 5に示すように、加熱硬化時には低融点金属粉末 8同士が融着し易くなる。このため、高融点金属粉末 9間を接続する導電パス 11の形成が不十分となる。また、高融点反応物を十分に得ることができなくなり、ランド電極 la、 lb及び外部電極 6a、 6bとの固着力が劣化し、またリフロー加熱処理により低融点金属粉末 8が再溶融し、導通性の低下を招くおそれがある。

[0056] そこで、本実施の形態では、低融点金属粉末 8の平均粒径 D1と高融点金属粉末 9 の平均粒径 D2との粒径比 D1/D2を、 0. 5〜6. 0に設定している。

[0057] また、熱硬化性樹脂 7としては、加熱硬化処理により良好な接着性を有し、ランド電極 la、 lb及び外部電極 5a、 5bとの間で十分な固着強度を有するものであれば、特に限定されるものではなぐエポキシ系、フエノール系、アクリル系の熱硬化性樹脂やポリイミド系、ポリウレタン系、メラミン系や、ゥレア系の熱硬化性樹脂を使用することができる力エポキシ系の熱硬化性樹脂が特に好んで使用される。例えば、ビスフエノ一ノレ F型、ビスフエノール A型、水添ビスフエノール型、フエノールノポラック型、グリシジルァミン型、ナフタレン型、シクロペンタジェン型、シクロへキサン型、へキサンテトラヒドロキシフエノールェタン型、ヒダントイン型、ポリグリコール型、エーテル型のェポキシ樹脂や、これらのエポキシ樹脂をシリコーン、ゴム、ウレタン、キレートなどで変性した変性エポキシ樹脂を好んで使用することができる。特に、エポキシ系の熱硬化性樹脂の中でもビスフエノール F型エポキシ樹脂やビスフエノール A型エポキシ樹脂等の液状タイプのものは、作業性を保っための有機溶剤を必要としないことから、環境面や作業面から好ましぐまた、熱硬化性樹脂を加熱硬化する際に、有機溶剤が揮発して接合界面にボイド (空隙）を形成することもなぐより好ましい。

[0058] また、低融点金属粉末 8としては、熱硬化性樹脂 7の熱硬化温度で溶融しな!/、ものであれば特に限定されるものではなく、 Sn、 In、 Sn— Bi、 Sn— In、 Sn— In— Bi、 Sn -Pb等を使用することができる力溶融時の体積膨張が小さい Bi系の合金、例えば S n— Biを使用するのが好まし!/、。溶融時の体積膨張が少な!/、Biを含有した低融点金属粉末 8を使用することにより、体積膨張に伴う接合界面の破損が生じ難ぐ優れた固着強度を得ることができる。

[0059] すなわち、マザ一ボード等に搭載される他の電子部品への影響を考慮して低温で加熱処理を行わざるを得な!/、場合、低融点金属粉末 8の高融点金属粉末 9への濡れ拡がりが不足し、高融点反応物を十分に生成できなくなるおそれがある。

[0060] しかしながら、このような場合であっても溶融時の体積膨張が少な!/、Biを含有した低融点金属粉末 8を使用することにより、体積膨張に伴う接合界面の破損を生じ難くし、ランド電極 la、 lbや外部電極 5a、 5bとの間の固着力を確保することができる。

[0061] また、高融点金属粉末 9としては、熱硬化性樹脂 7の熱硬化温度以下の温度で溶融せず、かつ熱硬化性樹脂 7の加熱硬化時に低融点金属粉末 8と反応して融点が 3 00°C以上の高融点反応物を生成するものであれば特に限定されるものではなぐ Ti 、 Cr、 Au、 Ag、 Cu、 Ni、 Pt、 Bi、 Zn、 Pd、 Pb、 Mo、 Snやこれらの合金を使用することができる力コスト面、導電性、腐食性、上記低融点金属粉末 8との反応性を考慮すると、 Cuを使用するのが好ましい。

[0062] そして、低融点金属粉末 8として、 Sn— Bi等の Sn合金を使用し、高融点金属粉末

9として Cuを使用した場合、加熱硬化時には低融点金属粉末 8に含有される Sn成分力 SCuとが反応し、 Cu Snや Cu Sn等の金属間化合物が生成される。また、低融点

6 5 3

金属粉末 8に Sn— Bi等の Sn合金を使用し、高融点金属粉末 9として Auを使用した場合は、 AuSnからなる金属間化合物が生成され、 Agを使用した場合は、 AgSn

4 3 からなる金属間化合物が生成され、 Niを使用した場合は、 Ni Snからなる金属間化

3

合物が生成される。そして、これらの金属間化合物は、融点が 300°C以上の高融点反応物であるので、リフロー加熱処理を繰り返したり、急激な温度変化を伴う熱衝撃などが繰り返し負荷されても、接合界面が再溶融することもなぐ強固な固着力を確保すること力 Sでさる。

[0063] 尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなぐ種々の変形が可能であ

[0064] 例えば、金属粉末 (低融点金属粉末 8及び高融点金属粉末 9)の総量に対する低融点金属粉末 8の体積比率は、 25〜75体積％が好ましい。

[0065] これは、低融点金属粉末 8の体積比率が金属粉末の総量に対し 25体積％未満になると、低融点金属粉末 8の占める体積比率が少なくなつて導電パス 11の形成が妨げられ、導通性の低下を招く傾向があり、一方で低融点金属粉末 8の体積比率が金属粉末の総量に対し 75体積％を超えると、高融点金属粉末 9と反応しな!/、未反応の低融点金属粉末 8が残留し、導通性の低下を招いたり、高温での接続信頼性が低下傾向となるからである。

[0066] また、高融点金属粉末 9を、該高融点金属粉末 9よりも低融点金属粉末 8に対して濡れ性が高い金属で被覆するのも好ましい。このように高融点金属粉末 9よりも低融点金属粉末 8に対して濡れ性が高い金属で高融点金属粉末 9を被覆することにより、熱硬化性樹脂 7の加熱硬化時には低融点金属粉末 8が高融点金属粉末 9の表面に濡れ拡カ ^やすくなる。そしてその結果、融点が 300°C以上の高融点反応物の生成を促進させること力 Sでき、より導通性の高い導電パス 11を形成でき、より強固な界面固着力を得ることができる。

[0067] そして、このような濡れ性の高い金属としては、 Sn、 Sn— Bi、 Sn— In、 Sn— Bi— I nなどの熱硬化性樹脂の熱硬化温度以下で溶融する金属や Au、 Ag、 Pt、 Pd等の貴金属を使用することができる力、コスト面や高融点反応物の強度、耐久性を考慮すると、 Sn、 Sn— Inを使用するのが好ましい。

[0068] また、濡れ性の高!/、金属としては、熱硬化性樹脂の熱硬化温度では溶融せずに低融点金属粉末 8と反応することで熱硬化性樹脂の熱硬化温度で溶融する金属種を使用することあでさる。

[0069] 次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

実施例 1

[0070] 〔導電性接合材料の調製〕

熱硬化性樹脂としてビスフエノール F型液状エポキシ樹脂、反応性稀釈材としてターシャルブチルダリシジルエーテル、硬化剤としてアミン化合物、前記硬化剤の反応抑制剤としてホウ素化合物とエポキシ樹脂との混合物、還元性物質としてこはく酸を

[0071] また、平均粒径 D1が lO ^ mで融点が 139°Cの Sn— 58Bi粉末（比重： 8. 93) (低融点金属粉末）を用意し、さらに平均粒径 D2が 5 mで融点が約 1080°Cの Cu粉末 (比重： 8· 75) (高融点金属粉末）を用意した。尚、 Sn— 58Bi粉末の平均粒径 D1と Cu粉末の平均粒径 D2との粒径比 D1/D2は 2. 0である。

[0072] 次に、ビスフエノール F型液状エポキシ樹脂 100重量部に対し、ターシャルブチルグリシジルエーテル及びアミン化合物をそれぞれ 25重量部、ホウ素化合物とェポキシ樹脂の混合物を 12. 5重量部、こはく酸を 15重量部秤量し、さらに、金属粉末（Sn 58Bi粉末及び Cu粉末）の総含有量が 70〜93重量％となり、かつ前記金属粉末の総量に対する Sn— 58Bi粉末の体積比率が 50体積％となるように秤量し、これら秤量物を乳鉢に投入し、乳棒で約 15分間撹拌して混合し、試料番号;!〜 6の導電性接合材料を作製した。

[0073] 〔評価試料の作製〕

厚さ 0. 7mmのアルミナ基板上の所定位置に Ag Pdペーストを塗布し、焼付け処理を施し、アルミナ基板上に間隔が 0. 8mmの一対のランド電極を形成した。

[0074] 次!/、で、厚さ 50 a mのメタルマスクを使用してランド電極上に上記導電性接合材料を塗布した。

[0075] 次に、外部電極が Snからなる縦： 1 , 6mm、横： 0. 8mm、厚さ： 0. 8mmのチップ型抵抗部品を前記導電性接合材料上に載置し、温度 200°Cの下、 30分間、エアーオーブン中で加熱処理を行!/、、試料番号;!〜 6の試料を得た。

[0076] 〔特性評価〕

試料番号;!〜 6の各試料につ!/、て、ミリオームハイテスタ（HIOKI社製： 3224型）を使用してランド電極間の接続抵抗の初期値 Rを測定し、またボンドテスタ（DAGE社

0

製:シリーズ 4000)を使用して固着強度の初期値 Sを測定した。

0

[0077] 次いで、温度 105°C、湿度 100%の高温多湿下、 48時間 PCT (プレッシャータツ力一テスト）を行い、 PCT後の抵抗値 R及び固着強度 Sを測定し、さらに、下記数式（ 1)に基づいて PCT後の抵抗変化率 A Rを算出した。

[0078] A R = (R -R ) /R Χ 100· · · (1)

1 1 0 0

さらに、試料番号 1〜6の各試料について、最高温度が 270°Cに調整されたリフロー炉に 5回通過させてリフロー加熱処理を行った。そして、リフロー加熱処理後の抵抗値 R及び固着強度 Sを測定し、リフロー後の抵抗変化率 A Rを数式 (2)に基づいて算出した。

[0079] AR =(R -R )/R Χ100···(2)

2 2 0 0

表 1は試料番号 1〜6の導電性接合材料の仕様と実験結果を示している。

[0080] [表 1]

* 発明囲

[0081] 評価基準として、接続抵抗の初期値 R力 ¾00πι Ω以下、抵抗変化率 A R A R

0 1 2 土が 200%以下、及び各固着強度が 10N/mm²以上の全てを満足する試料を良品と判定し、これらの評価基準のうち、いずれか一つでも満足しなかった試料を不良品とした。さらに、良品のうち、接続抵抗の初期値 R力 OOmQ以下、抵抗変化率 Δ

0

R A R が ± 100%以下、各固着強度が 20N/mm²以上の全てを満足する試料

1 2

を優秀品とした。表 1中、判定の欄には、優秀品を◎印、良品を〇印、不良品を X印で示している。

[0082] この表 1から明らかなように、試料番号 1は金属粉末（Sn— 58Bi粉末及び Cu粉末）の総含有量が 70重量％と 75重量％を下回っているため、接続抵抗の初期値 Rが 4

0

70πιΩとなって 200πιΩを超え、また PCT後の抵抗変化率 A Rも 390%となって 20 0%を超え、さらに PCT後の固着強度も 14N/mm²となって 20N/mm²以下に低下した。これは導電性接合材料中の金属粉末の含有量が少ないため、加熱硬化時に Sn— 58Bi粉末の濡れ拡がりが不足し、このため十分な導電パスの生成がなされず、融点が 300°C以上の高融点反応物を十分に得ることができないため、 PCT後の導通性や固着強度が低下し、耐湿性劣化を招いたものと思われる。

[0083] また、試料番号 6は、金属粉末（Sn— 58Bi粉末及び Cu粉末）の総含有量が 93重量％と 88重量％を超えているため、固着強度が初期値 Sでも 7N/mm²と低ぐ PC

0

T後ゃリフロー処理後はそれぞれ 4N/mm² 2N/mm²と更に低くなつた。これは接合界面における機械的な接着性を確保するための樹脂成分が相対的に少ないため、固着強度の低下を招いたものと思われる。

[0084] これに対し試料番号 2 5は、金属粉末の総含有量が 75 88重量％であり、しかも、 Sn— 58Bi粉末の平均粒径 D1と Cu粉末の平均粒径 D2との粒径比 D1/D2が 2 . 0と本発明範囲内であり、 Sn— 58Bi粉末の金属粉末の総量に対する体積比率が 5 0体積％と好ましい範囲であるので、接続抵抗の初期値 Rが 2；! 130πι Ω PCT後

0

の抵抗変化率 A R力 ¾〜； 16%、リフロー後の抵抗変化率 A R 力 ¾ 25%、固着

1 2

強度が初期値で 15 31N/mm² PCT後で 10 25N/mm²、リフロー後で 16 22N/mm²といずれも良好な結果を得た。特に、金属粉末の総含有量が 83 86重量％の試料番号 3 4は、接続抵抗の初期値 Rが 2；! 58πι Ω PCT後の抵抗変化率 A R力 ¾〜8%、リフロー後の抵抗変化率 A R 力 ¾ 25%、固着強度が初期値

1 2

で 29 31N/mm² PCT後で 2；! 25N/mm²、リフロー後で 20N/mm²と極めて良好な結果が得られた。

[0085] 尚、試料番号 2の試料を、樹脂に埋め込んだ後、研磨し、ランド電極と外部電極との界面の断面を観察しところ、導電性接合材料中に分散させた Sn— 58Bi粉末は、外部電極を形成する Snやランド電極を形成する Ag— Pd、さらには Cu粉末との間で高融点反応物を形成しており、これにより良好な接続信頼性の得られていることが確認された。

実施例 2

[0086] 高融点金属粉末として、実施例 1の Cu粉末に代えて、膜厚 0. 05 ,1 mの Snで被覆された Cu粉末（比重： 8. 86) (以下、「Snコート Cu粉末」という。）を使用した以外は、〔実施例 1〕と同様の方法で試料番号 11 16の導電性接合材料を作製した。

[0087] そして、〔実施例 1〕と同様の方法'手順で接続抵抗の初期値 R及び固着強度の初

0

期値 Sを測定し、さらに PCT後及びリフロー処理後の各抵抗変化率 A R A R、及

0 1 2 び固着強度 S Sを算出した。

1 2

[0088] 表 2は試料番号 11〜； 16の導電性接合材料の仕様と実験結果を示している。

[0089] [表 2]

*は本発明範囲外

[0090] この表 2から明らかなように、試料番号 11〜； 16は、試料番号;!〜 6と略同様の傾向が得られた。

[0091] すなわち、試料番号 11は、金属粉末（Sn— 58Bi粉末及び Snコート Cu粉末）の総含有量が 70重量％と 75重量％を下回っているため、試料番号 1と略同様の理由から、接続抵抗の初期値 R力 ¾30πι Ωとなって 200πι Ωを超え、また PCT後の抵抗変

0

化率 A R力 60%となって 200%を超え、さらに PCT後の固着強度も 15N/mm²となって 20N/mm²以下に低下した。

[0092] また、試料番号 16は、金属粉末の総含有量が 93重量％と 88重量％を超えているため、試料番号 6と略同様の理由から、固着強度が初期値 Sでも 16N/mm²と低く

0

PCT後ゃリフロー処理後はそれぞれ 3N/mm² 8N/mm²と更に低くなつた。

[0093] これに対し試料番号 12 15は、金属粉末の含有量が 75 88重量％であり、しかも、 Sn— 58Bi粉末の平均粒径 D1と Snコート Cu粉末の平均粒径 D2との粒径比 D1 /D2が 2. 0と本発明範囲内であり、 Sn— 58Bi粉末の全金属粉末に対する体積比率が 50体積％と好ましい範囲であるので、接続抵抗の初期値 R力 3〜； 102πι Ω P

0

CT後の抵抗変化率 A R力 ¾〜； 14%、リフロー後の抵抗変化率 A R 力 18%

1 2

、固着強度は初期値で 17 33N/mm² PCT後で 14 28N/mm²、リフロー後で 15 21N/mm²といずれも良好な結果を得た。特に、金属粉末の総含有量が 83 86重量％の試料番号 13 14は、接続抵抗の初期値 R力 ¾3 36πι Ω PCT後

0

の抵抗変化率 A R力 ¾〜4%、リフロー後の抵抗変化率 A R 力 18%、固着強

1 2

度が初期値で 30 31N/mm² PCT後で 2；! 28N/mm²、リフロー後で 20 21 N/mm²と極めて良好な結果を得た。

[0094] 尚、〔実施例 1〕との比較では、総体的に接続抵抗及び固着強度の双方で向上することが分かった。これは Cu粉末が Sn— 58Bi粉末に対して濡れ性の高い Snで被覆されているため、導電パスの形成や、高融点反応物の生成が促進されたものと思われ実施例 3

[0095] 低融点金属粉末として Sn— 58Bi粉末（比重： 8. 93)を使用し、高融点金属粉末として Snコート Cu粉末（比重： 8. 86)を使用し、〔実施例 1〕と同様の方法により、粒径比 D1/D2が 0. 2-10. 0の範囲で異なる試料番号 2；!〜 25の導電性接合材料を作製した。

[0096] そして、〔実施例 1〕と同様の方法'手順で接続抵抗の初期値 R及び固着強度の初

0

期値 Sを測定し、さらに PCT後及びリフロー処理後の各抵抗変化率 A R、 A R、及

0 1 2 び固着強度 S、 Sを算出した。

1 2

[0097] 表 3は試料番号 2；!〜 25の導電性接合材料の仕様と実験結果を示している。

[0098] [表 3]

*は本発明範囲外

[0099] この表 3から明らかなように、試料番号 21は、粒径比 D1/D2が 0. 2とと 0. 5未満であるため、 PCT後の抵抗変化率 A R力 ¾ 10%となって 200%を超えている。これは Snコート Cu粉末同士の間隔に対し Sn— 58Bi粉末の平均粒径 D1が小さすぎるため、加熱硬化時に Sn— 58Bi粉末が濡れ拡がっても Snコート Cu粉末同士を Sn— 5 8Bi粉末で巧く接続することができない箇所が生じ、このため導電性の良好な導電パスを十分に形成することができず、その結果高温多湿下で長時間晒されると接続抵抗が上昇し、導通性が低下するものと考えられる。

[0100] また、試料番号 25は、粒径比 D1/D2が 10. 0と 6. 0を超えているため、リフロー後の抵抗変化率 A R力 1070%となって 200%を大幅に超えることが分かった。また

2

、固着強度が初期値 Sでも 19N/mm²と低ぐ PCT後ゃリフロー処理後はそれぞれ

0

18N/mm² 9N/mm²と更に低くなつた。これは Snコート Cu粉末の平均粒径 D2 に対する Sn— 58Bi粉末の平均粒径 D1が大きすぎるため、加熱硬化時に Sn— 58B i粉末同士が融着し、又は Sn— 58Bi粉末がランド電極や外部電極に濡れ拡がり、 S nコート Cu粉末間をつなぐ導電パスの形成が不足し、このため、 Snコート Cu粉末とランド電極及び外部電極との接合強度を十分に得ることができず、固着力が劣化し、さらには耐熱性も劣化したものと思われる。

[0101] これに対し試料番号 2；! 24は、粒径比 D1/D2が 0. 5 6. 0であり、しかも金属粉末（Sn— 58Bi粉末及び Snコート Cu粉末）の総含有量が 86重量％と本発明範囲内であり、 Sn— 58Bi粉末の金属粉末の総量に対する体積比率が 50体積％と好ましい範囲であるので、接続抵抗の初期値 R力 ¾6 71πι Ω PCT後の抵抗変化率 Δ

0

R力〜； 18%、リフロー後の抵抗変化率 A R がー 5 22%、固着強度が初期値

1 2

で 30 39N/mm² PCT後で 17 25N/mm²、リフロー後で 2；! 35N/mm²といずれも良好な結果を得た。特に、粒径比 D1/D2が 0. 5 2. 0の試料番号 22 2 3は、接続抵抗の初期値 R力 ¾6 48πιΩ PCT後の抵抗変化率 A R力〜； 18%

0 1

リフロー後の抵抗変化率 A R が— 5 ― 18%、固着強度が初期値で 30 39Ν/

2

mm² PCT後で 23 25N/mm²、リフロー後で 2；! 33N/mm²と極めて良好な結果が得られた。

実施例 4 [0102] Sn— 58Bi粉末と Snコート Cu粉末を用意し、〔実施例 1〕と同様の方法により、金属粉末（Sn— 58Bi粉末及び Snコート Cu粉末）の総量に対する Sn— 58Bi粉末の体積比率が、 20〜80体積％の範囲で異なる試料番号 3；!〜 36の導電性接合材料を〔実施例 1〕と同様の方法で作製した。

[0103] 次いで、〔実施例 1〕と同様の方法 ·手順で接続抵抗の初期値 R及び固着強度の初

0

0 1 2 び固着強度 S、 Sを算出した。

1 2

[0104] 表 4は試料番号 31〜36の導電性接合材料の仕様と実験結果を示している。

[0105] [表 4]

[0106] この表 4から明らかなように、接続抵抗の初期値 R力 6〜200πι Ω、 PCT後の抵

0

抗変化率 A R力〜； 180%、リフロー後の抵抗変化率 A R 力 S— 65〜； 150%、固着

1 2

強度が初期値で 2；!〜 36N/mm²、 PCT後で 10〜28N/mm²、リフロー後で 10〜 42N/mm²といずれも良好な結果が得られた。

[0107] しかしながら、試料番号 31は、金属粉末の総量に対する Sn— 58Bi粉末の体積比率が 20体積％であり、 25体積％以下と低いため、 Sn— 58Bi粉末の占める体積比率が少なくなつて導電パスの形成が妨げられ、このため接続抵抗の初期値 Rが 110

0 πι Ω、 PCT後の抵抗変化率 A R力 110%となり、また PCT後の固着強度が 10N/ mm²となり、試料番号 32〜35に比べて実用上問題の無いレベルである力電気的及び機械的強度が比較的劣ることが分かった。

[0108] また、試料番号 36は、金属粉末の総量に対する Sn— 58Bi粉末の体積比率が 80 体積⁰ /oであり、 75体積⁰ /₀を超えているため、 Snコート Cu粉末と反応しない Sn— 58B i粉末が未反応状態のまま残留し、このため接続抵抗の初期値 R力 ¾00πι Ω、 PCT

0

後の抵抗変化率 A R力 S180%、リフロー後の抵抗変化率 A R 力 50%、固着強度

1 2

力 SPCT後で 17N/mm²、リフロー後で 10N/mm²となり、この場合も試料番号 32〜 35に比べて実用上問題の無いレベルであるが、導通性の低下を招いたり、高温での接続信頼性が低下し、電気的及び機械的強度が比較的劣ることが分かった。

[0109] 以上より、金属粉末の総量に対する Sn— 58Bi粉末の体積比率は、 25〜75体積 %が好ましレ、範囲であることが確認された。

実施例 5

[0110] 平均粒径 D1が lO ^ mの Sn— 58Bi粉末と、平均粒径 D2が 5 mの Cu粉末に膜厚 0. 02 mの Auが被覆された Auコート Cu粉末を使用した以外は、〔実施例 1〕と同様の方法 ·手順で試料番号 41の導電性接合材料を作製した。

[0111] また、上記 Auコート Cu粉末に代えて、平均粒径 D2が 5 mの Cu粉末に膜厚 0. 0 1 a mの Inが被覆された Inコート Cu粉末を使用した以外は、試料番号 41と同様の方法-手順で試料番号 42の導電性接合材料を作製した。

[0112] さらに、導電性接合材料の調製過程で還元性物質を添加しなかった以外は試料番号 42と同様の方法 ·手順で試料番号 43の導電性接合材料を作製した。 [0113] 次いで、〔実施例 1〕と同様の方法 ·手順で接続抵抗の初期値 R及び初期固着強

0

度 Sを測定し、さらに PCT後及びリフロー処理後の各抵抗変化率 A R、 A R、及び

0 1 2 固着強度 S、 Sを算出した。

1 2

[0114] 表 5は試料番号 41〜43の導電性接合材料の仕様と実験結果を示している。

[0115] [表 5]

*は本発明範囲外

[0116] この表 5から明らかなように、試料番号 43は、接続抵抗の初期値 Rは 7300m Ωと

0

なって導通性が低下し、また PCT後の抵抗変化率 A Rlも 790%と高くなり、 PCT後の固着強度も 9N/mm²に低下した。これは導電性接合材料中に還元剤が含有されていないため、 Inコート Cu粉末の表面には酸化物が除去されずに残存し、このため熱硬化性樹脂の加熱硬化時には Sn— 58Bi粉末が Inコート Cu粉末の表面に濡れ拡がりにくぐ高融点反応物の生成が促進されなくなるためと思われる。

[0117] これに対し試料番号 41及び 42は導電性接合材料中に還元性物質としてのこはく酸が含有されており、しかも金属粉末の総含有量が 86重量％、粒径比 D1/D2が 2 . 0といずれも本発明範囲内であり、さらに Sn— 58Bi粉末の金属粉末の総量に対する体積比率が 50体積％と好ましい範囲であるので、接続抵抗の初期値 R力 ¾；!〜 28

0

πι Ω、 PCT後の抵抗変化率 A R力〜6%、リフロー後の抵抗変化率 A R 力 ¾5〜

1 2

10%、固着強度が初期値で 28〜33N/mm²、 PCT後で 20〜25N/mm²、リフロー後で 27〜30N/mm²といずれも極めて良好な結果が得られることが分かった。

Claims

請求の範囲

[1] 熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂の熱硬化温度以下の温度で溶融する第 1の金属粉末と、前記熱硬化性樹脂の熱硬化温度以下の温度で溶融せず、かつ前記熱硬化性樹脂の加熱硬化時に前記第 1の金属粉末と反応して 300°C以上の高融点を有する反応物を生成する第 2の金属粉末と、該第 2の金属粉末の表面に形成される酸化物を除去する還元性物質とを含有し、

前記第 1の金属粉末及び前記第 2の金属粉末の含有量が、総計で 75〜88重量％であり、

かつ、前記第 1の金属粉末の平均粒径 D1と前記第 2の金属粉末の平均粒径 D2との粒径比 D1/D2が、 0. 5〜6. 0であることを特徴とする導電性接合材料。

[2] 前記第 1の金属粉末及び前記第 2の金属粉末の総量に対する前記第 1の金属粉末の体積比率は、 25〜75体積％であることを特徴とする請求項 1記載の導電性接合材料。

[3] 前記第 2の金属粉末は、前記第 2の金属粉末よりも前記第 1の金属粉末に対して濡れ性が高ぐかつ、前記熱硬化性樹脂の熱硬化温度以下の温度で溶融する低融点金属で被覆されていることを特徴とする請求項 1又は請求項 2記載の導電性接合材料。

[4] 前記第 2の金属粉末は Cuを主成分とした金属粉末であり、前記低融点金属は Sn を含有した金属であることを特徴とする請求項 3記載の導電性接合材料。

[5] 前記第 2の金属粉末は、該第 2の金属粉末よりも前記第 1の金属粉末に対して濡れ性の高い金属で被覆されていることを特徴とする請求項 1又は請求項 2記載の導電性接合材料。

[6] 前記第 2の金属粉末は Cuを主成分とした金属粉末であり、前記濡れ性が高い金属は貴金属であることを特徴とする請求項 5記載の導電性接合材料。

[7] 前記第 1の金属粉末は、 Sn— Bi合金粉末であることを特徴とする請求項 1乃至請求項 6の!/、ずれかに記載の導電性接合材料。

[8] 第 1の電極を有する第 1の電気構造物と、第 2の電極を有する第 2の電気構造物とを備えた電子装置であって、前記第 1の電極と前記第 2の電極とが、請求項 1乃至請求項 7のいずれかに記載の導電性接合材料を介して電気的に接続されると共に、

前記第 1の金属粉末と前記第 2の金属粉末との界面、前記第 1の金属粉末と前記第 1の電極との界面、及び前記第 1の金属粉末と前記第 2の電極との界面のうちの少なくとも 1つの界面は、 300°C以上の高融点を有する反応物で結合されていることを特徴とする電子装置。