WO2010051982A8 - Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung eines flachen substrats - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung eines flachen substrats Download PDF

Info

Publication number
WO2010051982A8
WO2010051982A8 PCT/EP2009/007905 EP2009007905W WO2010051982A8 WO 2010051982 A8 WO2010051982 A8 WO 2010051982A8 EP 2009007905 W EP2009007905 W EP 2009007905W WO 2010051982 A8 WO2010051982 A8 WO 2010051982A8
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
plasma
substrate
treated
surface area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2009/007905
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2010051982A1 (de
Inventor
Rudolf Beckmann
Michael Geisler
Arndt Zeuner
Marks Fiedler
Günter GRABOSCH
Andreas Pflug
Uwe Czarnetzki
Ralf-Peter Brinkmann
Michael Siemers
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ruhr Universitaet Bochum
Buehler Alzenau GmbH
Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Leybold Optics GmbH
Ruhr Universitaet Bochum
Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold Optics GmbH, Ruhr Universitaet Bochum, Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Leybold Optics GmbH
Priority to JP2011535042A priority Critical patent/JP2012507834A/ja
Priority to EP09765014A priority patent/EP2351064A1/de
Priority to CN2009801536244A priority patent/CN102318033A/zh
Priority to US13/127,497 priority patent/US20120097641A1/en
Publication of WO2010051982A1 publication Critical patent/WO2010051982A1/de
Publication of WO2010051982A8 publication Critical patent/WO2010051982A8/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation
    • H01J37/32165—Plural frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei - das Substrat (110) zwischen einer Elektrode (112) und einer Gegenelektrode (108) mit einem Abstand d zwischen einem zu behandelnden Oberflächenbereich des Substrats und der Elektrode angeordnet wird, - zwischen der Elektrode (112) und der Gegenelektrode (108) eine kapazitiv gekoppelte Plasmaentladung mit Bildung eines DC- SeIf - Bias angeregt wird, - in einem Bereich der Plasmaentladung zwischen dem zu behandelnden Oberflächenbereich und der Elektrode mit einem quasineutralen Plasmabulk (114) eine Menge zumindest einer aktivierbaren Gasspezie vorliegt, mit welcher ein zu behandelnder Oberflächenbereich des Substrats beaufschlagt wird, - ist vorgesehen, dass eine Plasmaentladung angeregt wird, - bei der der Abstand d einen Wert aufweist, der vergleichbar ist mit s = se+sg, wobei se eine Dicke einer Plasmarandschicht (119) vor der Elektrode und sg eine Dicke einer Plasmarandschicht (118) vor der zu behandelnden Substratoberfläche bezeichnet oder - bei der der quasineutrale Plasmabulk(114) zwischen dem zu behandelndem Oberflächenbereich und der Elektrode eine lineare Ausdehnung dp mit dp < 1/3d, dp< max( se+sg) oder dp < 0.5s aufweist.
PCT/EP2009/007905 2008-11-04 2009-11-04 Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung eines flachen substrats Ceased WO2010051982A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011535042A JP2012507834A (ja) 2008-11-04 2009-11-04 平面基板をプラズマ加工する方法および装置
EP09765014A EP2351064A1 (de) 2008-11-04 2009-11-04 Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung eines flachen substrats
CN2009801536244A CN102318033A (zh) 2008-11-04 2009-11-04 对平面基片进行等离子处理的方法和装置
US13/127,497 US20120097641A1 (en) 2008-11-04 2009-11-04 Method and device for plasma treatment of a flat substrate

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008055786 2008-11-04
DE102008055786 2008-11-04
DE102009020436 2009-05-08
DE102009020436A DE102009020436A1 (de) 2008-11-04 2009-05-08 Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2010051982A1 WO2010051982A1 (de) 2010-05-14
WO2010051982A8 true WO2010051982A8 (de) 2010-08-19

Family

ID=41611285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2009/007905 Ceased WO2010051982A1 (de) 2008-11-04 2009-11-04 Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung eines flachen substrats

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120097641A1 (de)
EP (1) EP2351064A1 (de)
CN (1) CN102318033A (de)
DE (1) DE102009020436A1 (de)
WO (1) WO2010051982A1 (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102729495A (zh) * 2012-07-06 2012-10-17 中国工程物理研究院化工材料研究所 硬质聚氨酯泡沫塑料表面涂层附着力提升装置和提升方法
US9293303B2 (en) * 2013-08-30 2016-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low contamination chamber for surface activation
US9881788B2 (en) * 2014-05-22 2018-01-30 Lam Research Corporation Back side deposition apparatus and applications
US9644271B1 (en) * 2016-05-13 2017-05-09 Lam Research Corporation Systems and methods for using electrical asymmetry effect to control plasma process space in semiconductor fabrication
US11251019B2 (en) * 2016-12-15 2022-02-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Plasma device
US10851457B2 (en) 2017-08-31 2020-12-01 Lam Research Corporation PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate
JP6863199B2 (ja) 2017-09-25 2021-04-21 トヨタ自動車株式会社 プラズマ処理装置
US10777386B2 (en) * 2017-10-17 2020-09-15 Lam Research Corporation Methods for controlling plasma glow discharge in a plasma chamber
CN108726895A (zh) * 2018-09-05 2018-11-02 深圳市兴泰科技有限公司 一种线性等离子枪头
JP2022544221A (ja) 2019-08-16 2022-10-17 ラム リサーチ コーポレーション ウエハ内の様々な反りを補償するために空間を調整する堆積
WO2021033320A1 (ja) * 2019-08-22 2021-02-25 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置
CN115244655A (zh) 2020-01-03 2022-10-25 朗姆研究公司 站与站之间的背面弯曲补偿沉积的控制
JP7645891B2 (ja) 2020-01-30 2025-03-14 ラム リサーチ コーポレーション 局所応力調整のためのｕｖ硬化
CN117558609B (zh) * 2024-01-09 2024-04-19 深圳市奥普斯等离子体科技有限公司 等离子处理装置温度控制方法及系统

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2621930B1 (fr) 1987-10-15 1990-02-02 Solems Sa Procede et appareil pour la production par plasma de couches minces a usage electronique et/ou optoelectronique
DE4307768A1 (de) 1993-03-11 1994-09-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Anregung von Gasentladungen
WO2002054835A2 (en) * 2001-01-08 2002-07-11 Tokyo Electron Limited Addition of power at selected harmonics of plasma processor drive frequency
JP4877884B2 (ja) * 2001-01-25 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7645357B2 (en) * 2006-04-24 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with a VHF capacitively coupled plasma source of variable frequency
US7780864B2 (en) * 2006-04-24 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Process using combined capacitively and inductively coupled plasma sources for controlling plasma ion radial distribution
US8643280B2 (en) 2008-03-20 2014-02-04 RUHR-UNIVERSITäT BOCHUM Method for controlling ion energy in radio frequency plasmas

Also Published As

Publication number Publication date
US20120097641A1 (en) 2012-04-26
DE102009020436A1 (de) 2010-09-16
CN102318033A (zh) 2012-01-11
WO2010051982A1 (de) 2010-05-14
EP2351064A1 (de) 2011-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010051982A8 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung eines flachen substrats
EP2012342A3 (de) Hybridätzkammer mit entkoppelten Plasmasteuerungen
WO2010042907A3 (en) Method of refurbishing bipolar electrostatic chuck
WO2007084558A3 (en) Method of producing particles by physical vapor deposition in an ionic liquid
WO2009117565A3 (en) Method and apparatus of a substrate etching system and process
WO2010039883A3 (en) Multi-electrode pecvd source
EP2287136A3 (de) Verfahren zur Verbesserung der Oberflächenrauheit einer Umgebungsschutzschicht und Komponenten mit Umgebungsschutzschichten mit verbesserter Oberflächenrauheit
EP2528082A3 (de) Plasmabehandlungsvorrichtung mit einem Luftdruck-Glimmentladungselektrodenaufbau
EP2312612A3 (de) Plasmareaktor zur Reduzierung von Gefahrstoffen und Ansteuerungsverfahren dafür
WO2010013476A1 (ja) プラズマ処理装置および電子デバイスの製造方法
WO2010008116A3 (en) Method and chamber for inductively coupled plasma processing for cylinderical material with three-dimensional surface
PL2157205T3 (pl) Proces impulsowego rozpylania magnetronowego o dużej mocy oraz źródło energii elektrycznej o dużej mocy
MX2017009005A (es) Proceso electroquimico para preparar un compuesto que comprende un metal o metaloide y una especie peroxido, ionica o radical.
WO2009137604A3 (en) Method of forming an electronic device using a separation-enhancing species
EP2107593A3 (de) Vorrichtung zur Ablage eines Dünnfilms auf Siliziumbasis und Verfahren zur Ablage eines Dünnfilms auf Siliziumbasis
WO2010025104A3 (en) Process kit shields and methods of use thereof
WO2011086368A3 (en) Liquid repellent surfaces
WO2009039264A3 (en) Wafer bonding activated by ion implantation
WO2012033326A3 (ko) 다공성 세라믹 표면을 밀봉하는 치밀한 희토류 금속 산화물 코팅막 및 이의 제조방법
WO2010132716A3 (en) Anodized showerhead
TW200943432A (en) Particle beam assisted modification of thin film materials
ATE523067T1 (de) Verfahren zur herstellung einer mehrschichtigen stapelstruktur mit verbesserter wvtr- grenzeigenschaft
WO2010124213A3 (en) A method for processing a substrate having a non-planar substrate surface
WO2007115309A3 (en) Apparatus and method for treating a workpiece with ionizing gas plasma
WO2013156352A3 (de) Plasmaroller

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980153624.4

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09765014

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011535042

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009765014

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13127497

Country of ref document: US