WO2010145893A3 - Optoelektronisches halbleiterbauteil - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauteil Download PDF

Info

Publication number
WO2010145893A3
WO2010145893A3 PCT/EP2010/056602 EP2010056602W WO2010145893A3 WO 2010145893 A3 WO2010145893 A3 WO 2010145893A3 EP 2010056602 W EP2010056602 W EP 2010056602W WO 2010145893 A3 WO2010145893 A3 WO 2010145893A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor chip
optoelectronic semiconductor
semiconductor component
proportion
primary radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2010/056602
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2010145893A2 (de
Inventor
Gertrud KRÄUTER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to KR1020127001375A priority Critical patent/KR101673457B1/ko
Priority to US13/318,624 priority patent/US8569782B2/en
Priority to JP2012515407A priority patent/JP2012530365A/ja
Priority to CN201080027028.4A priority patent/CN102460745B/zh
Priority to EP10720408A priority patent/EP2443674A2/de
Publication of WO2010145893A2 publication Critical patent/WO2010145893A2/de
Publication of WO2010145893A3 publication Critical patent/WO2010145893A3/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) weist dieses einen Gehäusegrundkörper (2) und wenigstens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3) auf, der an dem Gehäusegrundkörper (2) angebracht ist. Im Betrieb emittiert der optoelektronische Halbleiterchip (3) eine Primärstrahlung, wobei die Primärstrahlung einen ultravioletten Strahlungsanteil aufweist. Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil (1) ein Filtermittel (4), das dazu eingerichtet ist, den ultravioletten Strahlungsanteil der Primärstrahlung zu absorbieren, wobei sich das Filtermittel (4) mindestens zum Teil zwischen dem Halbleiterchip (3) und dem Gehäusegrundkörper (2) und/oder zwischen dem Halbleiterchip (3) und einer optischen Komponente (7) befindet. Der ultraviolette Strahlungsanteil beträgt, bezogen auf eine optische Gesamtleistung der Primärstrahlung, zwischen einschließlich 0,1 % und 4,0 %.
PCT/EP2010/056602 2009-06-17 2010-05-12 Optoelektronisches halbleiterbauteil Ceased WO2010145893A2 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020127001375A KR101673457B1 (ko) 2009-06-17 2010-05-12 광전자 반도체 소자
US13/318,624 US8569782B2 (en) 2009-06-17 2010-05-12 Optoelectronic semiconductor component
JP2012515407A JP2012530365A (ja) 2009-06-17 2010-05-12 オプトエレクトロニクス半導体部品
CN201080027028.4A CN102460745B (zh) 2009-06-17 2010-05-12 光电子半导体器件
EP10720408A EP2443674A2 (de) 2009-06-17 2010-05-12 Optoelektronisches halbleiterbauteil

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009025266.5A DE102009025266B4 (de) 2009-06-17 2009-06-17 Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102009025266.5 2009-06-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2010145893A2 WO2010145893A2 (de) 2010-12-23
WO2010145893A3 true WO2010145893A3 (de) 2011-02-24

Family

ID=42555956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2010/056602 Ceased WO2010145893A2 (de) 2009-06-17 2010-05-12 Optoelektronisches halbleiterbauteil

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8569782B2 (de)
EP (1) EP2443674A2 (de)
JP (1) JP2012530365A (de)
KR (1) KR101673457B1 (de)
CN (1) CN102460745B (de)
DE (1) DE102009025266B4 (de)
WO (1) WO2010145893A2 (de)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110291113A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Filter for a light emitting device
DE102011105010A1 (de) * 2011-06-20 2012-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US8742655B2 (en) * 2011-07-22 2014-06-03 Guardian Industries Corp. LED lighting systems with phosphor subassemblies, and/or methods of making the same
DE102011085645B4 (de) * 2011-11-03 2014-06-26 Osram Gmbh Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls
FR2986056B1 (fr) * 2012-01-23 2016-12-30 Stephane Ruaud Filtre de protection et de confort visuel permettant la diffusion homogene de lumiere sans emission d'uv, annulant les effets nocifs de la lumiere bleue emise par les appareils d'eclairage artificiel
CN103534824B (zh) * 2012-05-16 2016-05-25 松下知识产权经营株式会社 波长变换元件及其制造方法和使用波长变换元件的led元件及半导体激光发光装置
JP5672622B2 (ja) * 2012-05-22 2015-02-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたｌｅｄ素子および半導体レーザ発光装置
DE102013102482A1 (de) * 2013-03-12 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102013105798A1 (de) 2013-06-05 2014-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
WO2015157178A1 (en) * 2014-04-07 2015-10-15 Crystal Is, Inc. Ultraviolet light-emitting devices and methods
DE102014107972B9 (de) 2014-04-17 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln
DE102014106073A1 (de) * 2014-04-30 2015-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit einer lichtemittierenden Diode
DE102014108188A1 (de) 2014-06-11 2015-12-17 Osram Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
CN108318950B (zh) * 2018-03-01 2020-09-04 深圳市华星光电技术有限公司 背光模组及其扩散片
DE102018105085B4 (de) * 2018-03-06 2024-05-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauteil und Leuchtmittel
DE102020123797A1 (de) * 2020-09-11 2022-03-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische sensorzelle und optoelektronischer halbleitersensor
DE102021123702A1 (de) * 2021-09-14 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches halbleiterbauelement

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002075819A2 (de) * 2001-03-15 2002-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optisches bauelement
DE102005063106A1 (de) * 2005-12-30 2007-07-05 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Bauelement mit solch einem Halbleiterchip

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03139178A (ja) * 1989-10-23 1991-06-13 Canon Inc 振動波モータの駆動回路
JP3559446B2 (ja) * 1998-03-23 2004-09-02 株式会社東芝 半導体発光素子および半導体発光装置
JP4944301B2 (ja) * 2000-02-01 2012-05-30 パナソニック株式会社 光電子装置およびその製造方法
US20040007169A1 (en) 2002-01-28 2004-01-15 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor nanoparticles and thin film containing the same
JP2003243724A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
EP1413619A1 (de) * 2002-09-24 2004-04-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Lumineszentes Material, insbesondere zur Anwendung in Leuchtdioden
US7091653B2 (en) * 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
DE10361661A1 (de) 2003-07-14 2005-03-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Bauelement mit einem Lumineszenz-Konversionselement
JP5373244B2 (ja) * 2005-02-24 2013-12-18 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード用レンズ部品及び発光ダイオード光源装置
JP2007042668A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
DE112006002540T5 (de) * 2005-09-29 2008-08-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Reflektierendes Material und Reflektor für lichtemittierende Diode
JP5066333B2 (ja) * 2005-11-02 2012-11-07 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置。
JP2008060344A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 半導体発光装置
DE102006051746A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
DE102007010719A1 (de) * 2007-03-06 2008-09-11 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffe bestehend aus dotierten Granaten für pcLEDs
CN201146194Y (zh) * 2007-10-24 2008-11-05 亿光电子工业股份有限公司 可过滤紫外线波段的发光二极管

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002075819A2 (de) * 2001-03-15 2002-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes optisches bauelement
DE102005063106A1 (de) * 2005-12-30 2007-07-05 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Bauelement mit solch einem Halbleiterchip

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012530365A (ja) 2012-11-29
KR101673457B1 (ko) 2016-11-07
US20120098015A1 (en) 2012-04-26
DE102009025266B4 (de) 2015-08-20
CN102460745A (zh) 2012-05-16
DE102009025266A1 (de) 2010-12-30
KR20120036982A (ko) 2012-04-18
US8569782B2 (en) 2013-10-29
WO2010145893A2 (de) 2010-12-23
EP2443674A2 (de) 2012-04-25
CN102460745B (zh) 2015-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010145893A3 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil
WO2009115998A3 (en) A luminous device
WO2010032202A3 (en) Wavelength-controlled semiconductor laser device
TW200717881A (en) Illuminating arrangement
WO2012042452A3 (en) Wavelength converted light emitting device
EP2124263A3 (de) Optisches Reflexionssensorelement
WO2008000244A3 (de) Optoelektronisches bauteil und beleuchtungseinrichtung
WO2007112088A3 (en) Hyperspectral imaging device
WO2011147399A3 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und eines verbunds
PL2546192T3 (pl) Urządzenie emitujące światło, zawierające nanokryształy półprzewodnikowe
TW200712589A (en) Optical element
WO2010019459A3 (en) Light-emitting diode housing comprising fluoropolymer
TW200739964A (en) Light emitting device
TW200613310A (en) Organic photosensitive devices
WO2006026372A8 (en) Package having integral lens and wafer-scale fabrication method therefor
TW200746474A (en) Semiconductor device and semiconductor device fabrication method
TW200639378A (en) A sensor
EP2747157A3 (de) Lichtemittierendes Modul und Beleuchtungsquelle damit
WO2010119247A3 (en) Security device
WO2011019163A3 (ko) 전자장치
TW200730890A (en) Light absorbers and methods
EP2091118A4 (de) Optische halbleitervorrichtung, halbleiterlaser mit der optischen halbleitervorrichtung und optischer transponder mit dem halbleiterlaser
TW200746571A (en) Opto-electronic semiconductor device
WO2009107056A3 (en) Light emitting diode device
TW200717728A (en) Semiconductor package

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080027028.4

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10720408

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010720408

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13318624

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012515407

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127001375

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A