WO2011069500A3 - Verfahren zur herstellung von solarzellen und verfahren zur herstellung von solarmodulen - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit einer Frontseite und einer Rückseite, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus: einem p-Typ-Halbleiterwafer mit einer p-Typ Basis und mit einem n-dotierten Frontseiten-Emitter mit einer Ohmigkeit von mehr als 70 Ohm/sq, bevorzugt mehr als 90 Ohm/sq und besonders bevorzugt mehr als 110 Ohm/sq und/oder einer Oberflächenkonzentration von weniger als 1020 Dotieratomen/cm3, bevorzugt weniger als 5x1019 Dotieratomen/cm3, einem n-Typ-Halbleiterwafer mit einer n-Typ Basis, einem n-Typ Frontseiten-Abschnitt zur Frontseiten-Kontaktierung der n-Typ Basis und einem p-Typ-Emitter, einem n-Typ-Halbleiterwafer mit einer n-Typ Basis und einem p-dotierten Frontseitenemitter mit einer Ohmigkeit von mehr als 40 Ohm/sq und einem n-Typ-Halbleiterwafer mit einer n-Typ Basis und einer p-dotierten Emitterstruktur zur Rückseitenkontaktierung oder einem p-Typ-Halbleiterwafer mit einer p-Typ Basis und einer n-dotierten Emitterstruktur zur Rückseitenkontaktierung, Aufbringen einer Saatschichtstruktur (4a) für eine Mehrschicht-Elektrodenstruktur auf der Frontseite oder auf der Rückseite des Halbleiterwafers, Feuern des Halbleiterwafers zum Einbrennen der Saatschichtstruktur (4a) zu gefeuerten Saatschichten (4b), galvanisches Abscheiden von Metall auf die gefeuerten Saatschichten (4b) zur Erzeugung einer Mehrschicht-Elektrodenstruktur (4b, 4c) und Aufbringen einer Rückseitenmetallisierung für eine zur Mehrschicht-Elektrodenstruktur korrespondierende Rückseiten-Elektrodenstruktur auf der Rückseite des Halbleiterwafers, wobei der Halbleiterwafer weder zwischen dem Verfahrensschritt des Feuerns und dem Verfahrensschritt des galvanischen Abscheidens noch nach dem Verfahrensschritt des galvanischen Abscheidens einer reduzierenden Atmosphäre bei einer Temperatur von mehr als 200° C ausgesetzt wird. Auf diese Weise wird die Herstellung eines elektrischen Kontaktes der Güte <10 mOhm cm2 allein durch galvanische Abscheidung eines Metalls beispielsweise auf einem hochohmigen (>70 Ohm/sq) Halbleiterwafer ermöglicht.
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