WO2011069500A3 - Procédé de production de cellules solaires et procédé de production de modules solaires - Google Patents

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Abstract

L'invention concerne un procédé de production de cellule solaire comprenant les étapes suivantes : fourniture d'une plaquette semiconductrice ayant une face avant et une face arrière, sélectionnée dans le groupe comprenant une plaquette semiconductrice de type p ayant une base de type p et un émetteur dopé n en face avant de résistance supérieure à 70 ohms/carré, de préférence supérieure à 90 ohms/carré, de manière particulièrement préférée supérieure à 110 ohms/carré et/ou de concentration superficielle inférieure à 1020 atomes dopants/cm3, de préférence inférieure à 5x1019 atomes dopants/cm3, une plaquette semiconductrice de type n ayant une base de type n, un segment de type n sur la face avant pour la mise en contact par la face avant de la base de type n et un émetteur de type p, une plaquette semiconductrice de type n ayant une base de type n et un émetteur dopé p en face avant de résistance supérieure à 40 ohms/carré et une plaquette semiconductrice de type n ayant une base de type n et une structure émetteur dopée p pour la mise en contact par la face arrière ou une plaquette semiconductrice de type p ayant une base de type p et une structure émetteur dopée n pour la mise en contact par la face arrière; application d'une structure de couche de germination (4a) pour une structure d'électrode multicouche sur la face avant ou la face arrière de la plaquette semiconductrice; recuit de la plaquette semiconductrice pour diffuser la structure de couche de germination (4a) en couches de germination recuites (4b); dépôt galvanique de métal sur les couches de germination recuites (4b) pour créer une structure d'électrode multicouche (4b, 4c); application d'une métallisation de face arrière pour une structure d'électrode de face arrière correspondant à la structure d'électrode multicouche sur la face arrière de la plaquette semiconductrice. Selon l'invention, la plaquette semiconductrice n'est soumise à une atmosphère réductrice à une température supérieure à 200 °C ni entre l'étape de recuit et l'étape de dépôt galvanique, ni après l'étape de dépôt galvanique, ce qui permet la production d'un contact électrique de facteur de qualité <10 milliohms cm2 uniquement par dépôt galvanique d'un métal sur une plaquette semiconductrice de valeur ohmique élevée (> 70 ohms/carré), par exemple.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012205498A1 (de) * 2012-04-04 2013-10-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktes auf einer solchen
DE102013221941A1 (de) 2013-10-29 2015-04-30 SolarWorld Industries Thüringen GmbH Verfahren zur Kontaktierung einer Solarzelle sowie eine Solarzelle hergestellt mit einem solchen Verfahren

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1865563A2 (fr) * 2006-06-05 2007-12-12 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Processus pour galvaniser à l'aide de lumière
US20090120497A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Schetty Iii Robert A Method of metallizing solar cell conductors by electroplating with minimal attack on underlying materials of construction

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4703553A (en) * 1986-06-16 1987-11-03 Spectrolab, Inc. Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells
DE102007031958A1 (de) * 2007-07-10 2009-01-15 Deutsche Cell Gmbh Kontakt-Struktur für ein Halbleiter-Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung desselben

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1865563A2 (fr) * 2006-06-05 2007-12-12 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Processus pour galvaniser à l'aide de lumière
US20090120497A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Schetty Iii Robert A Method of metallizing solar cell conductors by electroplating with minimal attack on underlying materials of construction

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CLEMENT F ET ALL: "INDUSTRIALLY FEASIBLE MC-SI SOLAR CELLS WITH FINE LINE PRINTED FRONT CONTACTS ON HIGH EMITTER SHEET RESISTANCE TOWARDS 17% EFFICIENCY", EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE AND EXHIBITION (EU PVSEC)24TH, HAMBURG, GERMANY, 21 September 2009 (2009-09-21), XP040530155, ISBN: 978-3-936338-25-6 *
D. PYSCH ET AL: "Comprehensive analysis of advanced solar cell contacts consisting of printed fine-line seed layers thickened by silver plating", PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS: RESEARCH AND APPLICATIONS, vol. 17, no. 2, 1 October 2008 (2008-10-01), pages 101 - 114, XP055026524, ISSN: 1062-7995, DOI: 10.1002/pip.855 *
OBERHOLTZER F, DUBÉ C. E.: "EFFICIENCY IMPROVEMENTS OF STRING RIBBON SILICON SOLAR CELLS EMPLOYING TEXTURIZATION, HIGH SHEET RESISTANCE EMITTER AND LIGHT-INDUCED SILVER PLATING ONSCREEN-PRINTED FRONT GRID", THE COMPILED STATE-OF-THE-ART OF PV SOLAR TECHNOLOGY AND DEPLOYMENT : 22ND EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, EU PVSEC ; PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL CONFERENCE, HELD IN MILAN, ITALY, 3 - 7 SEPTEMBER 2007, MUNICH : WIP-RENEWABLE ENERG, 3 September 2007 (2007-09-03), XP040513135, ISBN: 978-3-936338-22-5 *

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