WO2011136070A1 - 弾性波装置およびその製造方法 - Google Patents

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cover
layer
photosensitive resin
acoustic wave
substrate
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English (en)
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潤弥 西井
雅樹 南部
大輔 巻渕
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders or supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • H—ELECTRICITY
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    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders or supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device such as a surface acoustic wave (SAW) device or a piezoelectric thin film resonator (FBAR), and a manufacturing method thereof.
  • SAW surface acoustic wave
  • FBAR piezoelectric thin film resonator
  • An acoustic wave device that includes a substrate, an acoustic wave element provided on the main surface of the substrate, a cover that seals the acoustic wave element, and a conductor layer laminated on the upper surface of the cover (for example, a patent) Reference 1).
  • Patent Document 1 discloses a reinforcing layer that reinforces the strength of the cover as such a conductor layer.
  • the conductor layer is removed from the cover due to the weak adhesion between the metal constituting the conductor layer and the resin constituting the cover and the difference in thermal expansion between the conductor layer and the cover. There is a risk of peeling.
  • an elastic wave device capable of suppressing the peeling of the conductor layer laminated on the cover and a method for manufacturing the same.
  • An elastic wave device includes a substrate, an elastic wave element positioned on the main surface of the substrate, a cover positioned on the elastic wave element and having a plurality of recesses on the upper surface, And a conductor layer laminated on the upper surface of the cover in a state where the plurality of protrusions are fitted in the plurality of recesses.
  • An acoustic wave device includes a substrate, an acoustic wave element located on the principal surface of the substrate, a pad located on the principal surface of the substrate and connected to the acoustic wave element.
  • a method of manufacturing an acoustic wave device comprising: forming an acoustic wave element on a main surface of a substrate; covering the acoustic wave element with a photosensitive resin layer; A step of exposing, a step of developing the exposed photosensitive resin layer, a step of forming a mask on the upper surface of the developed photosensitive resin layer, and an upper surface of the photosensitive resin layer on which the mask is formed. A step of etching the portion where the mask is not formed into a concave shape, a step of filling the etched concave portion with a first metal, and a step of laminating a second metal on the upper surface of the photosensitive resin layer, Have
  • a method of manufacturing an acoustic wave device comprising: forming an acoustic wave element on a main surface of a substrate; covering the acoustic wave element with a photosensitive resin layer; and A step of exposing, a step of developing the exposed photosensitive resin layer, a step of heating the developed photosensitive resin layer at a temperature at which the photosensitive resin layer is polymerized, and the heated photosensitive resin A step of subjecting the layer to oxygen plasma treatment, and a step of laminating a metal on the upper surface of the photosensitive resin layer subjected to the oxygen plasma treatment.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a SAW device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view showing the SAW device of FIG. 1 in a partially broken state.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 2.
  • FIG. 4 is an enlarged view of a region IV in FIG. 3. It is sectional drawing parallel to the main surface of a board
  • substrate in the cover upper surface of the SAW apparatus of FIG. 6 (a) to 6 (d) are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the SAW device of FIG. 7 (a) to 7 (c) are cross-sectional views showing a continuation of FIG. 6 (d).
  • 8 (a) to 8 (c) are sectional views showing a continuation of FIG.
  • FIG. 10A is a cross-sectional view of the SAW device of the third embodiment
  • FIG. 10B is an enlarged view of a region Xb in FIG.
  • the symbols may be given uppercase alphabetic additional symbols such as “first terminal 7A to sixth terminal 7F” for the same or similar configurations. Further, in this case, the number at the beginning of the name and the above-described additional code, such as simply “terminal 7”, may be omitted.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a SAW device 1 according to the first embodiment of the present invention. However, illustration of an insulating layer 43 to be described later is omitted.
  • the SAW device 1 is a so-called wafer level package (WLP) type SAW device.
  • the SAW device 1 includes a substrate 3, a cover 5 fixed to the substrate 3, first terminals 7 ⁇ / b> A to 6 ⁇ / b> F exposed from the cover 5, and an upper surface of the cover 5 (surface opposite to the substrate 3).
  • the laminated reinforcing layer 8 and the back surface portion 9 provided on the side opposite to the cover 5 of the substrate 3 are provided.
  • the SAW device 1 is input with a signal via any one of the plurality of terminals 7.
  • the input signal is filtered by the SAW device 1.
  • the SAW device 1 outputs the filtered signal via any of the plurality of terminals 7.
  • the SAW device 1 is, for example, resin-sealed in a state where the surface on the cover 5 side faces a mounting surface such as a circuit board (not shown) and is placed on the mounting surface, whereby the terminal 7 is placed on the mounting surface. It is mounted while connected to the terminal.
  • the substrate 3 is constituted by a piezoelectric substrate.
  • the substrate 3 is a rectangular parallelepiped single crystal substrate having piezoelectricity such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal.
  • substrate 3 has the 1st main surface 3a and the 2nd main surface 3b of the back side.
  • the planar shape of the substrate 3 may be set as appropriate.
  • the substrate 3 is a rectangle whose longitudinal direction is the Y direction.
  • the size of the substrate 3 may be set as appropriate.
  • the thickness is 0.2 to 0.5 mm, and the length of one side is 0.5 to 2 mm.
  • the cover 5 is provided so as to cover the first main surface 3a.
  • the planar shape of the cover 5 is, for example, the same as the planar shape of the substrate 3, and in the present embodiment, it is a rectangle having the Y direction as the longitudinal direction.
  • the cover 5 has, for example, a width approximately equal to that of the first main surface 3a and covers almost the entire surface of the first main surface 3a.
  • the cover 5 is made of a photosensitive resin.
  • the photosensitive resin is, for example, a urethane acrylate-based, polyester acrylate-based, or epoxy acrylate-based resin that is cured by radical polymerization of an acryl group or a methacryl group.
  • the plurality of terminals 7 are exposed from the upper surface of the cover 5.
  • the number and arrangement positions of the plurality of terminals 7 are appropriately set according to the configuration of the electronic circuit inside the SAW device 1.
  • six terminals 7 are arranged along the outer periphery of the cover 5.
  • the reinforcing layer 8 is for reinforcing the strength of the cover 5.
  • the reinforcing layer 8 is made of a material having a Young's modulus higher than that of the material constituting the cover 5.
  • the cover 5 is made of resin, whereas the reinforcing layer 8 is made of metal.
  • the Young's modulus of the cover 5 is 0.5 to 1 GPa, whereas the Young's modulus of the reinforcing layer 8 is 100 to 250 GPa.
  • the thickness of the reinforcing layer 8 is, for example, 1 to 50 ⁇ m.
  • the reinforcing layer 8 is formed over a relatively wide range of the cover 5.
  • the cover 5 is formed over substantially the entire surface of the cover 5, avoiding the arrangement position of the terminals 7.
  • the reinforcing layer 8 is not connected to the terminal 7 and is in an electrically floating state.
  • the back surface portion 9 includes, for example, a back electrode that covers almost the entire surface of the second main surface 3b and an insulating protective layer that covers the back electrode.
  • the charge charged on the surface of the substrate 3 due to a temperature change or the like is discharged by the back electrode. Damage to the substrate 3 is suppressed by the protective layer.
  • illustration and description of the back surface part 9 may be omitted.
  • FIG. 2 is a perspective view of the SAW device 1 with a part of the cover 5 cut away.
  • the SAW element 11 is provided on the first main surface 3a.
  • the SAW element 11 is for filtering a signal input to the SAW device 1.
  • the SAW element 11 has a pair of comb-like electrodes (IDT electrodes) 15 formed on the first main surface 3a.
  • Each comb-like electrode 15 includes a bus bar 15a extending in the propagation direction (X direction) of the surface acoustic wave on the substrate 3, and a plurality of electrode fingers 15b extending from the bus bar 15a in a direction (Y direction) perpendicular to the propagation direction.
  • One comb-like electrode 15 is provided so that the electrode fingers 15b mesh with each other.
  • FIG. 2 is a schematic diagram, a pair of comb-like electrodes 15 having several electrode fingers 15b is shown. In practice, a plurality of pairs of comb-like electrodes having a larger number of electrode fingers may be provided.
  • a plurality of SAW elements 11 may be connected by a system such as a series connection or a parallel connection, and a ladder type SAW filter, a double mode SAW resonator filter, or the like may be configured.
  • the SAW element 11 is made of an Al alloy such as an Al—Cu alloy.
  • the cover 5 includes a frame portion 35 that surrounds the SAW element 11 in a plan view of the first main surface 3a, and a lid portion 37 that closes the opening of the frame portion 35.
  • a vibration space 10 that facilitates vibration of the SAW element 11 is formed by a space surrounded by the first main surface 3a (strictly speaking, a protective layer 25 described later), the frame portion 35, and the lid portion 37.
  • the vibration space 10 may be provided in an appropriate number and shape, and FIG. 2 illustrates the case where two vibration spaces 10 are provided.
  • the frame portion 35 is configured by forming one or more openings (two in the present embodiment) serving as the vibration space 10 in a layer having a substantially constant thickness.
  • the thickness of the frame part 35 (height of the vibration space 10) is, for example, several ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the lid portion 37 is configured by a layer having a substantially constant thickness that is stacked on the frame portion 35.
  • the thickness of the lid portion 37 is, for example, several ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the frame part 35 and the lid part 37 may be formed of the same material, or may be formed of different materials. In the present application, for convenience of explanation, the boundary line between the frame portion 35 and the lid portion 37 is clearly shown. However, in an actual product, the frame portion 35 and the lid portion 37 are formed of the same material and are integrally formed. May be.
  • the reinforcing layer 8 overlaps the vibration space 10 in a plan view of the first main surface 3a. More specifically, the reinforcing layer 8 covers the entire vibration space 10 and extends to the outside of the vibration space 10. Therefore, the reinforcing layer 8 is spanned over the frame portion 35 together with the lid portion 37 and is supported by the frame portion 35.
  • the terminal 7 is provided upright on the first main surface 3a, as shown well in the sixth terminal 7F in FIG. 2, and the frame portion 35 and the lid portion 37 are directed in the direction in which the first main surface 3a faces. It penetrates and is exposed on the upper surface of the cover 5.
  • the terminal 7 has a columnar portion 7a formed in a columnar shape and a flange 7b protruding from the side surface of the columnar portion 7a.
  • the columnar portion 7 a penetrates the cover 5, and the flange 7 b is laminated on the upper surface of the cover 5.
  • the upper end surface of the terminal 7 including the flange 7b constitutes a land 7c connected to a circuit board or the like.
  • the columnar portion 7a is formed in a columnar shape, for example.
  • the diameter of the columnar portion 7a is, for example, 20 to 120 ⁇ m.
  • the flange 7b is formed over the entire circumference of the columnar portion 7a and has a substantially constant width. Therefore, the shape of the land 7c is a similar shape (circular in this embodiment) that is slightly larger than the cross-sectional shape parallel to the first main surface 3a of the columnar portion 7a.
  • the diameter of the land 7c is larger than the diameter of the columnar portion 7a, for example, by a difference of 5 to 100 ⁇ m.
  • the first main surface 3a is provided with a wiring 12 connected to the SAW element 11, and a first pad 13A to a sixth pad 13F (only part of which are shown in FIG. 2) connected to the wiring 12.
  • the terminal 7 is connected to the SAW element 11 by being provided on the pad 13.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged view of region IV in FIG.
  • the SAW device 1 includes a conductive layer 19 provided on the first main surface 3a and a protective layer 25 stacked on the conductive layer 19 and the first main surface 3a. Further, the SAW device 1 includes a base layer 39 formed on the cover 5, a metal part 41 formed on the surface of the base layer 39, and an insulating layer 43 covering the metal part 41.
  • the conductive layer 19 is a basic layer regarding the configuration of circuit elements, wirings, and the like on the first main surface 3a. Specifically, the conductive layer 19 constitutes the SAW element 11, the wiring 12 and the pad 13.
  • the conductive layer 19 is made of, for example, an Al alloy such as an Al—Cu alloy, and the thickness thereof is, for example, 100 to 300 nm.
  • the protective layer 25 contributes to the oxidation prevention of the SAW element 11 and the like.
  • the protective layer 25 is made of, for example, silicon oxide (such as SiO 2 ), aluminum oxide, zinc oxide, titanium oxide, silicon nitride, or silicon.
  • the thickness of the protective layer 25 is, for example, about 1/10 (10 to 30 nm) of the thickness of the conductive layer 19.
  • the protective layer 25 is formed over the entire first main surface 3a except for the position where the pad 13 is disposed.
  • the cover 5 is laminated on the protective layer 25.
  • the base layer 39 constitutes a portion in contact with the cover 5 and the pad 13 of the terminal 7 and a portion in contact with the cover 5 of the reinforcing layer 8.
  • the underlayer 39 is made of, for example, copper or titanium.
  • the thickness of the foundation layer 39 is substantially uniform. The thickness may be set as appropriate. For example, when the underlayer 39 is made of copper, it is 300 nm to 1 ⁇ m, and when the underlayer 39 is made of titanium, it is 10 to 100 nm.
  • the metal part 41 constitutes the inner side part of the columnar part 7a and the upper part (the side opposite to the cover 5) of the flange 7b in the terminal 7. Further, the metal part 41 constitutes an upper part of the reinforcing layer 8.
  • the metal part 41 is made of, for example, copper.
  • the insulating layer 43 covers the entire surface of the reinforcing layer 8.
  • the insulating layer 43 is also formed from the edge of the reinforcing layer 8 to the edge of the land 7 c of the terminal 7.
  • the insulating layer 43 contributes to the insulation of the reinforcing layer 8, and also contributes to suppressing moisture and the like from entering the gap between the terminal 7 and the cover 5.
  • the insulating layer 43 may be made of, for example, an epoxy resin that is generally used as a solder resist.
  • the insulating layer 43 may be made of an inorganic material having a higher water shielding property than an organic material. Examples of the inorganic material include silicon oxide (such as SiO 2 ), silicon nitride, and silicon.
  • the thickness of the insulating layer 43 is, for example, 500 nm to 20 ⁇ m.
  • the insulating layer 43 only needs to be formed so as to cover at least either the side surface of the reinforcing layer 8 or the side surface of the land 7c.
  • a plurality of first protrusions 31 protrude from the surface of the reinforcing layer 8 on the cover 5 side.
  • a second protrusion 33 protrudes from the surface of the flange 7b of the terminal 7 on the cover 5 side.
  • the first protruding portion 31 and the second protruding portion 33 are also configured by the base layer 39 and the metal portion 41. Accordingly, the first protrusion 31 is formed integrally with the reinforcing layer 8, and the second protrusion 33 is formed integrally with the terminal 7.
  • first protrusion 31 can be regarded as a part of the reinforcing layer 8 and the second protrusion 33 can be regarded as a part of the terminal 7.
  • the part 31 and the second protrusion 33 will be described as parts separate from the reinforcing layer 8 and the terminal 7.
  • the first protrusion 31 and the second protrusion 33 protrude into the cover 5, and the side surfaces thereof are covered with the cover 5.
  • the first protrusion 31 and the second protrusion 33 are fitted in the recesses corresponding to the shapes of the protrusions provided on the upper surface of the cover 5.
  • the height (protrusion height) of the protruding portion of the first protruding portion 31 and the second protruding portion 33 from the reinforcing layer 8 is the thickness of the lid portion 37 (the thickness from the ceiling of the vibration space 10 to the upper surface of the cover 5). ),
  • the first protrusion 31 and the second protrusion 33 do not penetrate the cover 5, and the front end surfaces thereof are covered with the cover 5.
  • the projecting heights of the first projecting portion 31 and the second projecting portion 33 are, for example, 3 to 20 ⁇ m, 10 to 70% of the thickness of the lid portion 37, or the thickness of the base layer 39 or more.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the SAW device 1 parallel to the first main surface 3 a on the upper surface of the cover 5.
  • the shapes of the reinforcing layer 8 and the flange 7b are also indicated by a two-dot chain line.
  • the plurality of first protrusions 31 are scattered in a plan view of the first main surface 3a. That is, in the plan view of the first main surface 3a, the plurality of first protrusions 31 have shapes and sizes that can be regarded as points with respect to the width of the cover 5, such as a circle, an ellipse, or a polygon. Formed and distributed over the cover 5.
  • the cross-sectional shape parallel to the first main surface 3a of the plurality of first protrusions 31, the cross-sectional area and the density may be set as appropriate.
  • the plurality of first protrusions 31 are formed in a circular shape having the same diameter, and are distributed so that the density is uniform over the entire surface of the reinforcing layer 8.
  • the circular diameter is, for example, 3 to 20 ⁇ m.
  • the total cross-sectional area of the plurality of first protrusions 31 is, for example, 10 to 70% of the area of the reinforcing layer 8.
  • the second protrusion 33 is formed in a line shape (protrusion) surrounding the columnar portion 7a of the terminal 7 in a plan view of the first main surface 3a. Specifically, the second protrusion 33 is formed in a circular shape concentric with the columnar portion 7a. For example, the second protrusion 33 is formed so that the distance from the columnar portion 7a is 10 to 45 ⁇ m.
  • FIG. 6 (a) to 8 (c) are cross-sectional views corresponding to FIG. 3 (III-III line in FIG. 2) for explaining a method of manufacturing the SAW device 1.
  • FIG. The manufacturing process proceeds in order from FIG. 6 (a) to FIG. 8 (c).
  • the steps described below are realized in a so-called wafer process. That is, a thin film formation, a photolithography method, or the like is performed on the mother substrate that becomes the substrate 3 by being divided, and then a large number of SAW devices 1 are formed in parallel by dicing. . However, in FIGS. 6A to 8C, only a portion corresponding to one SAW device 1 is shown. In addition, although the shape of the conductive layer and the insulating layer changes with the progress of the process, a common code is used before and after the change.
  • a conductive layer 19 is formed on the first main surface 3a of the substrate 3.
  • a metal layer to be the conductive layer 19 is formed on the first main surface 3a by a thin film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method, or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the metal layer is patterned by a photolithography method using a reduction projection exposure machine (stepper) and an RIE (Reactive (Ion Etching) apparatus. By patterning, the SAW element 11, the wiring 12, and the pad 13 are formed. That is, the conductive layer 19 is formed.
  • a protective layer 25 is formed as shown in FIG. Specifically, first, a thin film to be the protective layer 25 is formed by an appropriate thin film forming method.
  • the thin film forming method is, for example, a sputtering method or a CVD method.
  • a part of the thin film is removed by a photolithography method so that a portion of the conductive layer 19 constituting the pad 13 is exposed. Thereby, the protective layer 25 is formed.
  • a thin film that becomes the frame portion 35 is formed as shown in FIG.
  • the thin film is formed, for example, by attaching a film formed of a photosensitive resin or by a thin film forming method similar to that for the protective layer 25.
  • the thin film to be the frame portion 35 is formed, as shown in FIG. 6D, a part of the thin film is removed by a photolithography method or the like, and the opening and the terminal 7 constituting the vibration space 10 are arranged. A predetermined hole 35h is formed. The thin film is also removed with a constant width on the dicing line. In this way, the frame portion 35 is formed.
  • the lid portion 37 (strictly, the lid before the concave portion in which the first protrusion 31 and the second protrusion 33 are embedded is formed. Part) is formed. Specifically, first, a thin film that becomes the lid portion 37 is formed. The thin film is formed, for example, by attaching a photosensitive resin film. When the thin film is formed, the opening of the frame portion 35 is closed, and the vibration space 10 is configured. In the thin film, a portion on the hole 35h (FIG. 6D) is removed by a photolithography method or the like, and a hole 5h (including the hole 35h) where the terminal 7 is to be disposed is formed. The thin film is also removed with a constant width on the dicing line. In this way, the lid portion 37 is formed.
  • a mask 51 is formed as shown in FIG.
  • the mask 51 is formed so that the upper surface of the cover 5 is exposed at a position where the first protrusion 31 and the second protrusion 33 are to be disposed.
  • the mask 51 is formed, for example, by forming a photosensitive resin thin film by spin coating or the like and patterning the thin film by photolithography.
  • the mask 51 is removed and the base layer 39 is formed as shown in FIG.
  • the underlayer 39 is formed over the entire top surface of the cover 5.
  • the underlayer 39 is also formed on the inner peripheral surface and the bottom surface of the hole 5h, the first recess 37a, and the second recess 37b.
  • the underlayer 39 is formed by, for example, a sputtering method.
  • a resist layer 53 is formed as shown in FIG.
  • the resist layer 53 is formed so that the foundation layer 39 is exposed in a range where the land 7c and the reinforcing layer 8 are to be disposed.
  • the resist layer 53 is formed, for example, by forming a photosensitive resin thin film by spin coating or the like and patterning the thin film by photolithography.
  • the resist layer 53 is formed, as shown in FIG. 8C, metal is deposited on the exposed portion of the base layer 39 by electroplating, and the first metal is deposited on the first recess 37a and the second recess 37b. Then, the second metal is laminated on the upper surface of the cover 5. As a result, the metal portion 41 made of the first metal and the second metal is formed. Then, the portion of the base layer 39 covered with the resist layer 53 and the resist layer 53 are removed. As a result, the reinforcing layer 8, the terminal 7, the first protrusion 31, and the second protrusion 33 including the base layer 39 and the metal portion 41 are formed. Thereafter, although not particularly shown, the insulating layer 43 is formed by photolithography or the like.
  • the SAW device 1 includes the substrate 3, the SAW element 11 provided on the first main surface 3 a of the substrate 3, and the first main surface 3 a, and the vibration space on the SAW element 11. 10 and a cover 5 that forms 10.
  • the SAW device 1 is formed integrally with the conductor layer (the reinforcing layer 8 or the flange 7b) formed on the upper surface of the cover 5, and protrudes from the conductor layer into the cover 5, and includes a front end surface and side surfaces. Has the first protrusion 31 or the second protrusion 33 covered with the cover 5.
  • the conductor layer (the reinforcing layer 8 or the flange 7b) has a large area in contact with the cover 5 due to the formation of the first protrusion 31 or the second protrusion 33, and the peeling of the conductor layer is suppressed.
  • a layer having a thermal expansion coefficient intermediate between these thermal expansion coefficients is formed between the conductor layer (metal) and the cover 5 (resin), and the thermal expansion difference is alleviated. , Peeling of the conductor layer is suppressed.
  • the thermal expansion coefficient of the conductor layer (Cu) is about 13 ppm / K
  • the thermal expansion coefficient of the cover 5 (resin) is about -35 ppm / K.
  • the suppression of peeling due to the difference in thermal expansion can also be considered as follows.
  • the cover 5 tends to shrink toward the center and the reinforcing layer 8 tends to expand toward the outer periphery. Therefore, the cover 5 is shifted in the direction indicated by the arrow y11 with respect to the reinforcing layer 8 due to the difference in thermal expansion between the cover 5 and the reinforcing layer 8.
  • the 1st protrusion 31 protrudes inside the cover 5, as shown by arrow y13, the force which latches the cover 5 can be exhibited. As a result, the occurrence of displacement between the reinforcing layer 8 and the cover 5 is suppressed, and peeling of the reinforcing layer 8 is suppressed.
  • the protrusion height of the first protrusion 31 is smaller than the thickness from the ceiling of the vibration space 10 to the upper surface of the cover 5. Therefore, the conductor layer that overlaps the vibration space 10 like the reinforcing layer 8 can be suitably prevented from peeling without affecting the hermeticity of the vibration space 10.
  • An example of the conductor layer is a reinforcing layer 8 that is made of a material (metal) that overlaps the vibration space 10 and has a higher Young's modulus than the material (resin) that forms the cover 5.
  • the first protrusion 31 improves the integrity of the reinforcing layer 8 and the lid portion 37, thereby enhancing the effect of reinforcing the lid portion 37 by the reinforcing layer 8.
  • a plurality of the first protrusions 31 are provided in a scattered manner in the plan view of the first main surface 3a.
  • the area of the first protrusion 31 in contact with the cover 5 is relatively larger than the volume of the first protrusion 31 compared to the second embodiment described later, and the reinforcing layer 8 is effectively formed. Peeling can be suppressed.
  • the plurality of first protrusions 31 are each formed in a circular shape in a plan view of the first main surface 3 a and are distributed at a uniform density over the entire reinforcing layer 8. Therefore, the effects of increasing the contact area and reducing the difference in thermal expansion described above can be obtained over the entire reinforcing layer 8 and in all directions, and the peeling of the reinforcing layer 8 is preferably suppressed. It is expected.
  • the SAW device 1 further has a terminal 7 connected to the SAW element 11.
  • the terminal 7 is provided upright on the first main surface 3 a, and includes a columnar portion 7 a that penetrates the cover 5, and a flange 7 b that protrudes from the side surface of the columnar portion 7 a and is laminated on the upper surface of the lid portion 37.
  • An example of the conductor layer is a flange 7b. Therefore, the peeling of the flange 7b by the second protrusion 33 is suppressed, so that moisture and the like are suppressed from entering the gap between the columnar portion 7a and the hole 5h from between the cover 5 and the flange 7b. As a result, corrosion of the pad 13 and the like is suppressed.
  • the terminal 7 may be subjected to a force to be pulled out from the cover 5 such as being connected to another circuit board, but the resistance of the terminal 7 to such pulling out is also improved.
  • the second protrusion 33 surrounds the columnar portion 7a in the plan view of the first main surface 3a. Therefore, as indicated by an arrow y1 in FIG. 4, the creepage distance from the edge of the flange 7b to the hole 5h is longer than when the second protrusion 33 is not provided. As a result, the entry of moisture into the gap between the columnar portion 7a and the hole 5h is more effectively suppressed.
  • the manufacturing method of the SAW device 1 of the present embodiment includes the following steps.
  • a step of forming the SAW element 11 on the first main surface 3a of the substrate 3 (FIG. 6A).
  • a photosensitive resin layer that covers the SAW element 11 is laminated, the photosensitive resin layer is exposed and developed, and the cover 5 that forms the vibration space 10 is formed on the SAW element 11 by the developed photosensitive resin layer.
  • FIG. 6 (c) to FIG. 7 (a) Step of forming mask 51 on the upper surface of cover 5 and etching the upper surface of cover 5 through mask 51 to form first recess 37a or second recess 37b (FIGS. 7B and 7C) .
  • the metal is laminated on the upper surface of the cover 5 while filling the first concave portion 37a or the second concave portion 37b with the metal, and the conductor layer (the reinforcing layer 8 or the flange 7b) laminated on the upper surface of the cover 5 and the conductor layer in the cover 5 A step of forming the first protrusion 31 or the second protrusion 33 projecting to the right (FIGS. 8A to 8C).
  • the first concave portion 37a or the second concave portion 37b is formed by an etching process separate from the process of exposing and developing the cover 5, whereby the vibrating space 10 and the cover penetrating the frame portion 35 are formed.
  • the first concave portion 37a or the second concave portion 37b that does not penetrate the lid portion 37 can be easily formed while the hole portion 5h penetrating the through portion 5 is simply formed.
  • the 1st protrusion 31 or the 2nd protrusion 33 whose protrusion amount is smaller than the thickness of the cover part 37 can be formed easily.
  • the SAW device 1 is an example of the acoustic wave device of the present invention
  • the SAW element 11 is an example of the acoustic wave device of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 5 of the SAW device 101 of the second embodiment.
  • the same or similar configurations as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and description thereof is omitted.
  • the SAW device 101 of the second embodiment is different from the SAW device 1 of the first embodiment only in the configuration of the first protrusion 131.
  • the 1st protrusion 131 is formed in the linear form (projection) in planar view of the 1st main surface 3a.
  • a plurality of first protrusions 131 are formed in a straight line.
  • the plurality of first protrusions 131 extend in a shape surrounding the central side of the reinforcing layer 8 (lid portion 37) in a multiple manner in the plan view of the first main surface 3a.
  • the some 1st protrusion 131 may be connected to the other 1st protrusion 131 in the edge part etc., and does not need to be connected.
  • the protrusion height and width of the first protrusion 131 may be the same as the protrusion height and diameter of the first protrusion 31 of the first embodiment.
  • the first protrusion 131 provides the effect of suppressing the peeling of the reinforcing layer 8.
  • the first protrusion 131 is formed in a linear shape in the plan view of the first main surface 3a, it functions like a beam and contributes to an improvement in the bending rigidity of the reinforcing layer 8. As a result, the reinforcing effect of the lid portion 37 by the reinforcing layer 8 is enhanced.
  • a force is applied to the cover 5 so as to displace the cover 5 with respect to the reinforcing layer 8.
  • the force for shifting the cover 5 with respect to the reinforcing layer 8 is the outer peripheral side of the cover 5 (reinforcing layer 8) as shown by an arrow y11 in FIG. Work from the center side.
  • the linear first protrusion 131 extends in a shape surrounding the central side of the lid portion 37 in a multiple manner in a plan view of the first main surface 3a. Therefore, the first protrusion 131 blocks the force for shifting the cover 5 with respect to the reinforcing layer 8 as compared with the protrusions of other shapes such as the first protrusion 31 of the first embodiment. Cheap. As a result, in the second embodiment, peeling of the reinforcing layer 8 from the cover 5 is effectively suppressed.
  • FIG. 10A is a cross-sectional view corresponding to FIG. 5 of the SAW device 201 of the third embodiment.
  • FIG. 10B is an enlarged view of the region Xb in FIG.
  • the first protrusion 31 and the second protrusion 33 of the first embodiment are not provided.
  • the upper surface of the cover 205 (lid portion 237) is roughened. That is, minute irregularities are formed on the upper surface of the cover 205.
  • the lower surface of the base layer 39 has a shape corresponding to the unevenness of the upper surface of the cover 205 and is in close contact with the upper surface of the cover 205.
  • the area where the conductor layer (the reinforcing layer 8 or the flange 7b) and the cover 205 are in contact with each other is increased, thereby suppressing the peeling of the conductor layer from the cover 205. Is done.
  • the arithmetic average roughness (arithmetic surface roughness when measured with a laser microscope) of the upper surface of the roughened cover 205 is, for example, 0.5 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the roughening of the arithmetic average roughness is effective, for example, when the thickness of the cover 205 is 10 ⁇ m or more and 80 ⁇ m or less and / or when the thickness of the conductor layer is 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the upper surface of the lid portion 237 of the SAW device 201 has a higher oxygen atom content than the upper surface of the lid portion 37 of the first embodiment.
  • the upper surface of the lid portion 237 has a higher oxygen atom content than the lower surface (the surface that is in close contact with the frame portion 35 and the surface that is the ceiling of the vibration space 10).
  • oxygen atom content is measured in the range of several nm to several tens of nm from the upper surface or the lower surface of the lid 237 by, for example, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis.
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • the lid portion 237 includes a lower surface side portion 237c including the lower surface of the lid portion 237, and an upper surface side portion 237d including the upper surface of the lid portion 237 and having a higher oxygen content than the lower surface side portion 237c.
  • the boundary between the lower surface side portion 237c and the upper surface side portion 237d is not necessarily clear (there is no need to have a boundary where the oxygen atom content rate changes abruptly).
  • the underlayer 39 is preferably a metal that easily forms an oxide such as Ti.
  • FIG. 11 is a flowchart showing a procedure of a method for manufacturing the SAW device 201.
  • FIG. 11 mainly shows the difference from the method of manufacturing the SAW device 1 according to the first embodiment described with reference to FIGS. 6 to 8, and the parts common to the method of manufacturing the SAW device 1 are shown. Most are omitted.
  • step S1 corresponds to the processing in FIG. 6D, and the same processing as in the first embodiment is performed until this processing.
  • step S2 (plasma) ashing processing is performed. That is, the first main surface 3a side of the substrate 3 is exposed to oxygen plasma. Thereby, the residue of the photoresist (the portion where the frame portion 35 is removed) is removed. That is, the descum process is performed.
  • step S3 corresponds to the process of FIG. 7A, and the formation of a thin film to be the lid 237 and the removal of a part thereof are performed.
  • step S4 although description is omitted in the first embodiment, (post) baking (bake) of the cover 205 is performed.
  • the baking temperature is a temperature at which the resin of the cover 205 is polymerized. As a result, the remaining solvent and moisture are removed, and the adhesion between the cover 205 and the substrate 3 is improved. Note that the baking temperature and time are appropriately set according to the material of the cover 205.
  • step S5 (plasma) ashing processing is performed as in step S2. However, in step S5, ashing is performed after the baking in step S4. As a result, in step S5, in addition to removing the residue, the surface of the cover 205 is also roughened.
  • the resin of the cover 205 is exposed to oxygen plasma, whereby the resin and oxygen are combined to form an oxygen substituent.
  • the upper surface of the cover 205 (lid portion 237) is a surface of the cover 205 that is not exposed to oxygen plasma (for example, a surface that is in close contact with the frame portion 35 of the lid portion 237 and a ceiling that is the ceiling of the vibration space 10 of the lid portion 237).
  • the oxygen atom content is increased.
  • step S6 corresponds to the process of FIG. After this process, the same process as in the second embodiment is performed.
  • the process (process of FIG.7 (b) and FIG.7 (c)) for forming the 1st protrusion 31 and the 2nd protrusion 33 is not performed in 3rd Embodiment.
  • the upper surface of the cover 205 can be roughened, the oxygen atom content on the upper surface of the cover 205 can be increased, and the descum in the cover 205 can be performed simultaneously.
  • the manufacturing process can be shortened. Further, since the conductor layer (reinforcing layer 8 or the like) is formed after the cover 205 is cleaned by the descum, the peeling of the conductor layer from the cover 205 is further suppressed.
  • Ashing conditions may be set as appropriate. In general, the larger the pressure of oxygen plasma, the greater the power applied to the oxygen plasma, and the longer the time that the cover 205 is exposed to oxygen plasma, the more the surface of the cover 205 is scraped and roughened. Progress.
  • Example 2 A SAW device according to the third embodiment and a sample simulating the SAW device were prepared, and performance evaluation was performed. Specifically, it is as follows.
  • Ashing condition of sample for peel strength evaluation Pressure 11 Pa or 73 Pa Power (power): 100W Time: 30 minutes
  • a sample that was not subjected to ashing was also prepared.
  • two samples were prepared for each of the sample that was not subjected to ashing, the sample that was subjected to ashing at a pressure of 11 Pa, and the sample that was subjected to ashing at a pressure of 73 Pa. That is, a total of six samples were prepared.
  • FIG. 12 (a) is a diagram showing the evaluation results.
  • the horizontal axis represents the ashing pressure P
  • the vertical axis represents the peel strength St.
  • the peel strength when the ashing process is performed shows a value that is about twice the peel strength when the ashing process is not performed. In the range of this example, no significant difference in peel strength due to the difference in ashing pressure was observed.
  • the change in the height difference of the upper surface of the cover 205 at this time was as follows.
  • the height difference is mainly caused by a gentle curve on the upper surface of the cover 205 and is different from the roughness of the rough surface.
  • the amount of reduction in the thickness of the cover 205 by ashing was 0.5 to 1 ⁇ m. Therefore, it has been confirmed that there is no problem in forming the SAW device having the cover 205 having a thickness of 10 ⁇ m or more (preferably 55 to 60 ⁇ m).
  • FIG. 12B is a diagram comparing the electrical characteristics of the comparative example with the electrical characteristics of the SAW device of the third embodiment.
  • the horizontal axis indicates the frequency, and the vertical axis indicates the insertion loss.
  • the SAW device of the comparative example is manufactured by a manufacturing method that excludes the ashing process from the manufacturing method of the third embodiment.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various modes.
  • the roughening of the third embodiment is applied to the first or second embodiment, and an elastic wave device in which a protrusion protruding from the conductor layer is provided and the upper surface of the cover is roughened is implemented. May be.
  • the elastic wave device is not limited to a SAW device.
  • the acoustic wave device may be a piezoelectric thin film resonator or a boundary acoustic wave device (however, included in a broad sense SAW device).
  • the boundary acoustic wave device includes a piezoelectric substrate, an acoustic wave element located on the principal surface of the piezoelectric substrate, and a medium layer located on the acoustic wave element, and includes a principal surface of the piezoelectric substrate and the medium layer.
  • An elastic boundary wave (included in a broad sense SAW) propagates through the boundary.
  • the cover may also serve as the medium layer. In other words, the vibration space may not be provided.
  • the protective layer (25) may be omitted, or conversely, other appropriate layers may be formed.
  • a wiring that three-dimensionally intersects with the wiring 12 via an insulator may be provided, or a connection reinforcing layer that is interposed between the pad 13 and the terminal 7 and reinforces the adhesive force between the pad 13 and the terminal 7. It may be provided, or a conductive layer may be provided between the frame portion and the lid portion.
  • the conductor layer formed on the upper surface of the cover is not limited to the reinforcing layer or the terminal flange.
  • the conductor layer may constitute a circuit such as an inductor, a capacitor, or a wiring.
  • the reinforcing layer may be connected to a terminal to which a reference potential is applied.
  • the reinforcing layer is not limited to one wider than the vibration space.
  • the reinforcing layer may have the same shape as the vibration space, or may have a size that fits in the vibration space. Further, in the case where the reinforcing layer is wider than the vibration space, the reinforcing layer may not overlap with the frame portion on the entire circumference of the vibration space.
  • the protrusion whose tip surface is covered by the cover is not limited to a protrusion whose protrusion is smaller than the thickness of the lid.
  • the protrusion provided on the outer peripheral side of the vibration space may penetrate the entire lid portion, and the tip end surface may be covered by the upper surface of the frame portion, or the entire lid portion and a part of the frame portion may be covered. It penetrates and the front end surface may be covered with the frame part.
  • the protrusions scattered in the reinforcing layer may be formed so that the density is high at a position where the reinforcing layer is easily peeled off.
  • the line-shaped protrusion provided on the reinforcing layer is not limited to the one surrounding the central side of the reinforcing layer.
  • the line-shaped protrusion may be formed in a net shape.
  • a line-shaped protrusion surrounds the center side of a reinforcement layer, a line-shaped protrusion is not limited to a straight line, A curve may be sufficient.
  • a plurality of line-shaped protrusions may be provided concentrically around the center side of the reinforcing layer, or a single line-shaped protrusion may be provided in a spiral shape surrounding the center side of the reinforcing layer. Good.
  • the protrusion (33) provided on the terminal flange is not limited to the one provided in an annular shape.
  • the protrusions provided on the flange may be interspersed like the protrusions (31) of the reinforcing layer in the first embodiment, or may be a line extending radially.
  • the terminal having the columnar portion penetrating the cover may not be provided.
  • the protrusion is not covered by the cover. Good. That is, the protrusion may penetrate the lid portion and the frame portion and reach the main surface.
  • the elastic wave devices according to the first and second aspects are common in that a protrusion protruding from the conductor layer into the cover is provided to suppress peeling of the conductor layer laminated on the cover. It has technical characteristics. What is described separately in the first and second viewpoints is merely the convenience of expression for eliminating that the columnar portion of the terminal having the columnar portion and the flange is included in the protrusion.
  • the terminal columnar portion is the main body portion of the terminal, and the flange is added to the columnar portion in order to expand the land area, so the terminal columnar portion suppresses the flange from coming off. It is not provided for this purpose and is essentially different from the protrusions of the present invention.
  • the site where the oxygen atom content rate is compared with the upper surface of the cover may be the lower surface of the resin layer (in the embodiment, the lid portion 237) constituting the upper surface of the cover, and vibration It is not limited to the surface constituting the ceiling of the space.
  • the site where the oxygen atom content rate is compared with the upper surface of the cover may be the lower surface of the resin layer (in the embodiment, the lid portion 237) constituting the upper surface of the cover, and vibration It is not limited to the surface constituting the ceiling of the space.
  • the site where the oxygen atom content rate is compared with the upper surface of the cover may be the lower surface of the resin layer (in the embodiment, the lid portion 237) constituting the upper surface of the cover, and vibration It is not limited to the surface constituting the ceiling of the space.
  • oxygen atoms are formed between the upper surface and the lower surface of the resin layer (the surfaces that are in close contact with the main surface of the piezoelectric substrate). The content of may be compared.
  • the method of manufacturing the elastic wave device having the protrusions is not limited to a method of etching the upper surface of the cover separately from the development of the cover.
  • a recess that accommodates the protrusion may be formed in the development of the lid.
  • SYMBOLS 1 Surface acoustic wave apparatus (elastic wave apparatus), 3 ... Board
  • SAW element elastic wave element

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Abstract

　ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａ上に位置するＳＡＷ素子１１と、ＳＡＷ素子１１上に位置するカバー５とを有している。また、ＳＡＷ装置１は、カバー５の上面に形成された導体層（補強層８またはフランジ７ｂ）と、この導体層からカバー５内へ突出し、先端面および側面がカバー５に覆われた第１突部３１または第２突部３３とを有している。

Description

弾性波装置およびその製造方法
　本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の弾性波装置およびその製造方法に関する。
　基板と、基板の主面上に設けられた弾性波素子と、弾性波素子を封止するカバーと、カバーの上面に積層された導体層とを有する弾性波装置が知られている（例えば特許文献１）。特許文献１では、このような導体層として、カバーの強度を補強する補強層を開示している。
　導体層は、導体層を構成する金属と、カバーを構成する樹脂との間の密着力が弱いこと、導体層とカバーとの間には熱膨張差があること等に起因して、カバーから剥がれるおそれがある。
　従って、カバーに積層された導体層の剥離を抑制可能な弾性波装置およびその製造方法が提供されることが好ましい。
特開２００８－２２７７４８号公報
　本発明の第１の観点の弾性波装置は、基板と、該基板の主面上に位置する弾性波素子と、該弾性波素子上に位置し、上面に複数の凹部を有するカバーと、複数の突部を有し、前記複数の突部が前記複数の凹部に嵌まった状態で前記カバーの上面に積層されている導体層とを有する。
　本発明の第２の観点の弾性波装置は、基板と、該基板の主面上に位置する弾性波素子と、前記基板の主面上に位置し、前記弾性波素子に接続されたパッドと、前記弾性波素子上に位置し、上面に複数の凹部を有するカバーと、前記パッド上に位置し、前記カバーを貫通する柱状部を有する端子と、複数の突部を有し、前記複数の突部が前記複数の凹部に嵌まった状態で前記カバーの上面に積層されている導体層とを有する。
　本発明の第３の観点の弾性波装置の製造方法は、基板の主面に弾性波素子を形成する工程と、前記弾性波素子を感光性樹脂層で覆う工程と、前記感光性樹脂層を露光する工程と、露光された前記感光性樹脂層を現像する工程と、現像された前記感光性樹脂層の上面にマスクを形成する工程と、前記マスクが形成された前記感光性樹脂層の上面のうち前記マスクが形成されていない部位を凹状にエッチングする工程と、エッチングされた凹状の部位に第１金属を充填する工程と、前記感光性樹脂層の上面に第２金属を積層する工程とを有する。
　本発明の第４の観点の弾性波装置の製造方法は、基板の主面に弾性波素子を形成する工程と、前記弾性波素子を感光性樹脂層で覆う工程と、前記感光性樹脂層を露光する工程と、露光された前記感光性樹脂層を現像する工程と、現像された前記感光性樹脂層を該感光性樹脂層が重合する温度で加熱する工程と、加熱された前記感光性樹脂層に酸素プラズマ処理を施す工程と、前記酸素プラズマ処理された前記感光性樹脂層の上面に金属を積層する工程とを有する。
　上記の構成または手順によれば、カバーに積層された導体層の剥離を抑制できる。
本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。 図１のＳＡＷ装置を一部を破断した状態で示す概略斜視図である。 図２のIII－III線における断面図である。 図３の領域IVの拡大図である。 図１のＳＡＷ装置のカバー上面における基板の主面に平行な断面図である。 図６（ａ）～図６（ｄ）は図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。 図７（ａ）～図７（ｃ）は図６（ｄ）の続きを示す断面図である。 図８（ａ）～図８（ｃ）は図７（ｃ）の続きを示す断面図である。 第２の実施形態に係るＳＡＷ装置の図５に相当する断面図である。 図１０（ａ）は第３の実施形態のＳＡＷ装置の断面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の領域Ｘｂの拡大図である。 図１０のＳＡＷ装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。 実施例のＳＡＷ装置の性能評価を示す図である。
　以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
　符号は、同一または類似する構成のものについて、「第１端子７Ａ～第６端子７Ｆ」などのように、大文字のアルファベットの付加符号を付すことがある。また、この場合において、単に「端子７」というなど、名称の頭の番号および上記の付加符号を省略することがある。
＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置の構成）
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。ただし、後述する絶縁層４３については図示を省略している。
　ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置によって構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３に固定されたカバー５と、カバー５から露出する第１端子７Ａ～第６端子７Ｆと、カバー５の上面（基板３とは反対側の面）に積層された補強層８と、基板３のカバー５とは反対側に設けられた裏面部９とを有している。
　ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ装置１は、例えば、カバー５側の面を不図示の回路基板等の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることによって、端子７を実装面上の端子に接続した状態で実装される。
　基板３は、圧電基板によって構成されている。具体的には、例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３は、第１主面３ａと、その背面側の第２主面３ｂとを有している。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２～０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５～２ｍｍである。
　カバー５は、第１主面３ａを覆うように設けられている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様であり、本実施形態では、Ｙ方向を長手方向とする矩形である。カバー５は、例えば、第１主面３ａと概ね同等の広さを有し、第１主面３ａの概ね全面を覆っている。カバー５は、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合によって硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
　複数の端子７は、カバー５の上面から露出している。複数の端子７の数および配置位置は、ＳＡＷ装置１の内部の電子回路の構成に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つの端子７がカバー５の外周に沿って配列されている。
　補強層８は、カバー５の強度を補強するためのものである。補強層８は、カバー５を構成する材料よりもヤング率が高い材料によって構成されている。例えば、カバー５が樹脂によって構成されているのに対して、補強層８は金属によって構成されている。また、例えば、カバー５のヤング率が０．５～１ＧＰａであるのに対し、補強層８のヤング率は１００～２５０ＧＰａである。補強層８の厚さは、例えば、１～５０μｍである。補強層８は、カバー５の比較的広い範囲に亘って形成されている。例えば、カバー５は、端子７の配置位置を避けて、カバー５の概ね全面に亘って形成されている。補強層８は、端子７と接続されておらず、電気的に浮遊状態となっている。
　裏面部９は、特に図示しないが、例えば、第２主面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極によって、温度変化等によって基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層によって、基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部９は、図示や説明が省略されることがある。
　図２は、カバー５の一部を破断して示すＳＡＷ装置１の斜視図である。
　第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１が設けられている。ＳＡＷ素子１１は、ＳＡＷ装置１に入力された信号をフィルタリングするためのものである。ＳＡＷ素子１１は、第１主面３ａに形成された一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ電極）１５を有している。各櫛歯状電極１５は、基板３における弾性表面波の伝搬方向（Ｘ方向）に延びるバスバー１５ａと、バスバー１５ａから上記伝搬方向に直交する方向（Ｙ方向）に伸びる複数の電極指１５ｂとを有している。一つの櫛歯状電極１５同士は、それぞれの電極指１５ｂが互いに噛み合うように設けられている。
　なお、図２は模式図であることから、数本の電極指１５ｂを有する一対の櫛歯状電極１５を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数のＳＡＷ素子１１が直列接続や並列接続等の方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタ等が構成されてよい。ＳＡＷ素子１１は、例えばＡｌ－Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されている。
　カバー５は、第１主面３ａの平面視においてＳＡＷ素子１１を囲む枠部３５と、枠部３５の開口を塞ぐ蓋部３７とを有している。そして、第１主面３ａ（厳密には後述する保護層２５）、枠部３５および蓋部３７によって囲まれた空間によって、ＳＡＷ素子１１の振動を容易化する振動空間１０が形成されている。なお、振動空間１０は、適宜な数および形状で設けられてよく、図２では、２つの振動空間１０が設けられている場合を例示している。
　枠部３５は、概ね一定の厚さの層に振動空間１０となる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることによって構成されている。枠部３５の厚さ（振動空間１０の高さ）は、例えば、数μｍ～３０μｍである。蓋部３７は、枠部３５上に積層される、概ね一定の厚さの層によって構成されている。蓋部３７の厚さは、例えば、数μｍ～３０μｍである。
　枠部３５および蓋部３７は、同一の材料によって形成されていてもよいし、互いに異なる材料によって形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部３５と蓋部３７との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部３５と蓋部３７とが同一材料によって形成され、一体的に形成されていてもよい。
　なお、補強層８は、第１主面３ａの平面視において、振動空間１０に重なっている。より具体的には、補強層８は、振動空間１０の全体を覆うとともに、振動空間１０の外側に延出している。従って、補強層８は、蓋部３７とともに枠部３５に架け渡され、枠部３５に支持されている。
　端子７は、図２では第６端子７Ｆにおいてよく表れているように、第１主面３ａに立てて設けられており、枠部３５および蓋部３７を第１主面３ａの面する方向へ貫通し、カバー５の上面において露出している。
　端子７は、柱状に形成された柱状部７ａと、柱状部７ａの側面から突出するフランジ７ｂとを有している。柱状部７ａは、カバー５を貫通し、フランジ７ｂは、カバー５の上面に積層されている。端子７の、フランジ７ｂを含む上端面は、回路基板などに接続されるランド７ｃを構成している。
　柱状部７ａは、例えば、円柱状に形成されている。柱状部７ａの直径は、例えば、２０～１２０μｍである。フランジ７ｂは、柱状部７ａの全周に亘って形成されるとともに、概ね一定の幅で形成されている。従って、ランド７ｃの形状は、柱状部７ａの第１主面３ａに平行な断面の形状に対して、一周り大きい相似形（本実施形態では円形）となっている。ランド７ｃの直径は、柱状部７ａの直径よりも、例えば、５～１００μｍの差で大きい。
　第１主面３ａには、ＳＡＷ素子１１に接続された配線１２と、配線１２に接続された第１パッド１３Ａ～第６パッド１３Ｆ（図２では一部のみ示す）が設けられている。端子７は、パッド１３上に設けられることによって、ＳＡＷ素子１１と接続されている。
　図３は、図２のIII－III線における断面図である。また、図４は、図３の領域IVの拡大図である。
　ＳＡＷ装置１は、第１主面３ａに設けられた導電層１９と、導電層１９および第１主面３ａに積層された保護層２５とを有している。また、ＳＡＷ装置１は、カバー５に成膜された下地層３９と、下地層３９の表面上に形成された金属部４１と、金属部４１を覆う絶縁層４３とを有している。
　導電層１９は、第１主面３ａ上における回路素子や配線等の構成に関して基本となる層である。具体的には、導電層１９は、ＳＡＷ素子１１、配線１２およびパッド１３を構成している。導電層１９は、例えば、Ａｌ－Ｃｕ合金等のＡｌ合金によって形成されており、その厚さは、例えば、１００～３００ｎｍである。
　保護層２５は、ＳＡＷ素子１１の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素またはシリコンによって形成されている。保護層２５の厚さは、例えば、導電層１９の厚さの１／１０程度（１０～３０ｎｍ）である。保護層２５は、パッド１３の配置位置以外においては、第１主面３ａ全体に亘って形成されている。なお、カバー５は、保護層２５に積層されている。
　下地層３９は、端子７のカバー５およびパッド１３に接する部分を構成するとともに、補強層８のカバー５に接する部分を構成している。下地層３９は、例えば、銅もしくはチタンによって形成されている。下地層３９の厚さは、概ね均一である。当該厚さは、適宜に設定されてよいが、例えば、下地層３９が銅からなる場合は３００ｎｍ～１μｍ、下地層３９がチタンからなる場合は１０～１００ｎｍである。
　金属部４１は、端子７において、柱状部７ａの内部側部分およびフランジ７ｂの上方側（カバー５とは反対側）部分を構成している。また、金属部４１は、補強層８の上方側部分を構成している。金属部４１は、例えば、銅によって形成されている。
　絶縁層４３は、補強層８の全面を覆っている。また、絶縁層４３は、補強層８の縁部から端子７のランド７ｃの縁部に亘っても形成されている。絶縁層４３は、補強層８の絶縁に寄与するとともに、端子７とカバー５との隙間に水分などが浸入することを抑制することにも寄与している。絶縁層４３は、例えば、一般にソルダーレジストとして使われているエポキシ系樹脂などによって構成されてよい。また、絶縁層４３は、有機材料に比較して遮水性の高い無機材料によって構成されてもよい。無機材料としては、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、窒化珪素、シリコンが挙げられる。絶縁層４３の厚さは、例えば、５００ｎｍ～２０μｍである。なお、絶縁層４３は、少なくとも補強層８の側面またはランド７ｃの側面のいずれかを被覆するように形成されていればよい。
　補強層８のカバー５側の面からは、複数の第１突部３１が突出している。また、端子７のフランジ７ｂのカバー５側の面からは、第２突部３３が突出している。第１突部３１および第２突部３３も、補強層８および端子７と同様に、下地層３９と金属部４１とによって構成されている。従って、第１突部３１は、補強層８と一体的に形成され、第２突部３３は、端子７と一体的に形成されている。
　なお、第１突部３１は、補強層８の一部と捉えることができ、第２突部３３は、端子７の一部と捉えることができるが、本実施形態では、便宜上、第１突部３１および第２突部３３は、補強層８および端子７とは別個の部分であるものとして説明する。
　第１突部３１および第２突部３３は、カバー５の内部へ突出しており、その側面はカバー５に覆われている。換言すれば、第１突部３１および第２突部３３は、カバー５の上面に設けられたそれぞれの突部の形状に対応する凹部に嵌まっている。第１突部３１および第２突部３３の補強層８からの突出部分の高さ（突出高さ）は、蓋部３７の厚さ（振動空間１０の天井からカバー５の上面までの厚さ）未満であり、第１突部３１および第２突部３３は、カバー５を貫通せず、その先端面はカバー５に覆われている。第１突部３１および第２突部３３の突出高さは、例えば、３～２０μｍ、蓋部３７の厚さの１０～７０％、または下地層３９の厚さ以上である。
　図５は、カバー５の上面における第１主面３ａに平行なＳＡＷ装置１の断面図である。図５では、補強層８およびフランジ７ｂの形状も２点鎖線によって示されている。
　複数の第１突部３１は、第１主面３ａの平面視において、点在している。すなわち、第１主面３ａの平面視において、複数の第１突部３１は、円形、楕円形または多角形などの、カバー５の広さに対して点と捉えることができる形状および大きさに形成され、カバー５に分布している。複数の第１突部３１の第１主面３ａに平行な断面形状、その断面積および密度は適宜に設定されてよい。例えば、複数の第１突部３１は、直径が互いに同一の円形に形成され、また、補強層８の全面に亘って密度が一様になるように分布している。円形の直径は、例えば、３～２０μｍである。複数の第１突部３１の断面積の総和は、例えば、補強層８の面積の１０～７０％である。
　第２突部３３は、第１主面３ａの平面視において、端子７の柱状部７ａを囲むライン状（突条）に形成されている。具体的には、第２突部３３は、柱状部７ａと同心の円形に形成されている。第２突部３３は、例えば、柱状部７ａとの間隔が１０～４５μｍとなるように形成されている。
（ＳＡＷ装置の製造方法）
　図６（ａ）～図８（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する、図３（図２のIII－III線）に対応する断面図である。製造工程は、図６（ａ）から図８（ｃ）まで順に進んでいく。
　以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることによって、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図６（ａ）～図８（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いる。
　図６（ａ）に示すように、まず、基板３の第１主面３ａ上には、導電層１９が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法によって、第１主面３ａ上に導電層１９となる金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によってパターニングが行われる。パターニングによって、ＳＡＷ素子１１、配線１２およびパッド１３が形成される。すなわち、導電層１９が形成される。
　導電層１９が形成されると、図６（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法によって保護層２５となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法もしくはＣＶＤ法である。次に、導電層１９のうちパッド１３を構成する部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これによって、保護層２５が形成される。
　保護層２５が形成されると、図６（ｃ）に示すように、枠部３５となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂によって形成されたフィルムが貼り付けられることによってまたは保護層２５と同様の薄膜形成法によって形成される。
　枠部３５となる薄膜が形成されると、図６（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等によって、薄膜の一部が除去され、振動空間１０を構成する開口および端子７が配置される予定の孔部３５ｈが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部３５が形成される。
　枠部３５が形成されると、図７（ａ）に示すように、蓋部３７（厳密には、第１突部３１および第２突部３３が埋設される凹部が形成される前の蓋部）が形成される。具体的には、まず、蓋部３７となる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、感光性樹脂のフィルムが貼り付けられることによって形成される。そして、薄膜が形成されることによって、枠部３５の開口が塞がれて、振動空間１０が構成される。薄膜は、フォトリソグラフィー法等によって、孔部３５ｈ（図６（ｄ））上の部分が除去され、端子７が配置される予定の孔部５ｈ（孔部３５ｈ含む）が形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても一定の幅で除去される。このようにして、蓋部３７が形成される。
　蓋部３７が形成されると、図７（ｂ）に示すように、マスク５１が形成される。マスク５１は、第１突部３１および第２突部３３が配置される予定の位置において、カバー５の上面が露出するように形成される。マスク５１は、例えば、スピンコート等によって感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによってパターニングされることによって形成される。
　マスク５１が形成されると、図７（ｃ）に示すように、カバー５の上面のうちマスク５１から露出されている部分が、ＲＩＥ等によって、蓋部３７を貫通しない深さまで凹状にエッチングされる。これによって、第１突部３１が配置される予定の第１凹部３７ａおよび第２突部３３が配置される予定の第２凹部３７ｂが形成される。
　第１凹部３７ａおよび第２凹部３７ｂが形成されると、図８（ａ）に示すように、マスク５１は除去され、下地層３９が形成される。下地層３９は、カバー５の上面の全体に亘って形成される。下地層３９は、孔部５ｈ、第１凹部３７ａ、および第２凹部３７ｂの内周面や底面にも形成される。下地層３９は、例えば、スパッタリング法によって形成される。
　下地層３９が形成されると、図８（ｂ）に示すように、レジスト層５３が形成される。レジスト層５３は、ランド７ｃおよび補強層８が配置される予定の範囲において、下地層３９が露出するように形成される。レジスト層５３は、例えば、スピンコート等によって感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによってパターニングされることによって形成される。
　レジスト層５３が形成されると、図８（ｃ）に示すように、電気めっき処理によって、下地層３９の露出部分に金属を析出させ、第１凹部３７ａおよび第２凹部３７ｂに第１金属が充填され、続いてカバー５の上面に第２金属が積層されることとなる。これによって第１金属および第２金属からなる金属部４１が形成される。そして、下地層３９のレジスト層５３に被覆されていた部分およびレジスト層５３が除去される。これによって、下地層３９および金属部４１からなる、補強層８、端子７、第１突部３１および第２突部３３が形成される。その後、特に図示しないが、フォトリソグラフィーなどによって、絶縁層４３が形成される。
　以上の実施形態によれば、ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の第１主面３ａに設けられたＳＡＷ素子１１と、第１主面３ａに被せられ、ＳＡＷ素子１１上に振動空間１０を形成するカバー５とを有している。また、ＳＡＷ装置１は、カバー５の上面に形成された導体層（補強層８またはフランジ７ｂ）と、この導体層と一体的に形成され、導体層からカバー５内へ突出し、先端面および側面がカバー５に覆われた第１突部３１または第２突部３３とを有している。
　従って、導体層（補強層８またはフランジ７ｂ）は、第１突部３１または第２突部３３が形成されたことによって、カバー５と接する面積が大きくなり、導体層の剥がれが抑制される。また、導体層（金属）とカバー５（樹脂）との間に、平均して、これらの熱膨張係数の中間の熱膨張係数を有する層が形成されることになり、熱膨張差が緩和され、導体層の剥がれが抑制される。ちなみに、導体層（Ｃｕ）の熱膨張係数は１３ｐｐｍ／Ｋ程度、カバー５（樹脂）の熱膨張係数は－３５ｐｐｍ／Ｋ程度である。
　熱膨張差による剥がれの抑制は、以下のように考えることもできる。製造工程においてＳＡＷ装置１が高温に晒されると、図４において矢印ｙ１１およびｙ１２で示すように、カバー５は中央側へ縮小しようとし、補強層８は外周側へ膨張しようとする。従って、カバー５と補強層８との熱膨張差によって、カバー５は、補強層８に対して、矢印ｙ１１で示す方向にずらされることになる。一方、第１突部３１は、カバー５の内部に突出していることから、矢印ｙ１３で示すように、カバー５を係止する力を発揮し得る。その結果、補強層８とカバー５との間において、ずれが生じることが抑制され、補強層８の剥がれが抑制される。
　第１突部３１の突出高さは、振動空間１０の天井からカバー５の上面までの厚さよりも小さい。従って、補強層８のように振動空間１０に重なる導体層についても、振動空間１０の密閉性に影響を及ぼすことなく、好適に剥がれを抑制することができる。
　上記の導体層の一例は、振動空間１０に重なり、カバー５を構成する材料（樹脂）よりもヤング率が高い材料（金属）によって構成された補強層８である。第１突部３１によって、補強層８と蓋部３７との一体性が向上することによって、補強層８による蓋部３７の補強の効果が増進される。
　第１突部３１は、第１主面３ａの平面視において、点在して複数設けられている。この場合、後述する第２の実施形態に比較して、第１突部３１のカバー５に接する面積が第１突部３１の体積に対して相対的に大きくなり、効果的に補強層８の剥がれを抑制することができる。
　複数の第１突部３１は、第１主面３ａの平面視において、それぞれ円形に形成されるとともに、補強層８の全体に亘って一様な密度で分布している。従って、補強層８の全体に亘って、且つ全方向において、比較的均等に、上述した接触面積の増大および熱膨張差の緩和の効果が得られ、好適に補強層８の剥がれが抑制されることが期待される。
　ＳＡＷ装置１は、ＳＡＷ素子１１に接続された端子７をさらに有する。端子７は、第１主面３ａに立てて設けられ、カバー５を貫通する柱状部７ａと、柱状部７ａの側面から突出して蓋部３７の上面に積層されるフランジ７ｂと、を有する。上記の導体層の一例は、フランジ７ｂである。従って、フランジ７ｂにおいて第２突部３３によって剥がれが抑制されることによって、カバー５とフランジ７ｂとの間から柱状部７ａと孔部５ｈとの隙間へ水分などが浸入することが抑制される。その結果、パッド１３などの腐食が抑制される。また、端子７は、他の回路基板に接続されるなど、カバー５から引き抜かれる力が加えられることがあるが、そのような引抜きに対する端子７の耐性も向上する。
　第２突部３３は、第１主面３ａの平面視において、柱状部７ａを囲んでいる。従って、図４において矢印ｙ１で示すように、第２突部３３が設けられない場合に比較して、フランジ７ｂの縁部から孔部５ｈまでの沿面距離は長くなる。その結果、柱状部７ａと孔部５ｈとの隙間への水分の浸入などがより効果的に抑制される。
　本実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法は、以下の工程を有している。基板３の第１主面３ａにＳＡＷ素子１１を形成する工程（図６（ａ））。ＳＡＷ素子１１を覆う感光性樹脂層を積層し、その感光性樹脂層を露光および現像して、現像された感光性樹脂層からなり、ＳＡＷ素子１１上に振動空間１０を構成するカバー５を形成する工程（図６（ｃ）～図７（ａ））。カバー５の上面にマスク５１を形成し、マスク５１を介してカバー５の上面をエッチングして第１凹部３７ａまたは第２凹部３７ｂを形成する工程（図７（ｂ）および図７（ｃ））。第１凹部３７ａまたは第２凹部３７ｂに金属を充填しつつカバー５の上面に金属を積層し、カバー５の上面に積層された導体層（補強層８またはフランジ７ｂ）および導体層からカバー５内へ突出する第１突部３１または第２突部３３を形成する工程（図８（ａ）～図８（ｃ））。
　このような製造方法によれば、カバー５を露光および現像する工程とは別個のエッチング工程によって第１凹部３７ａまたは第２凹部３７ｂを形成することによって、枠部３５を貫通する振動空間１０およびカバー５を貫通する孔部５ｈを簡便に形成しつつ、蓋部３７を貫通しない第１凹部３７ａまたは第２凹部３７ｂを簡便に形成できる。ひいては、蓋部３７の厚さよりも突出量が小さい第１突部３１または第２突部３３を簡便に形成することができる。
　なお、以上の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の弾性波装置の一例であり、ＳＡＷ素子１１は本発明の弾性波素子の一例である。
＜第２の実施形態＞
　図９は、第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１の図５に相当する断面図である。なお、第２の実施形態以降において、第１の実施形態と共通または類似する構成については、第１の実施形態と同様の符号を付して説明を省略する。
　第２の実施形態のＳＡＷ装置１０１は、第１突部１３１の構成のみが、第１の実施形態のＳＡＷ装置１と相違する。具体的には、第１突部１３１は、第１主面３ａの平面視において線状（突条）に形成されている。
　より具体的には、第１突部１３１は、直線状に形成され、複数設けられている。また、複数の第１突部１３１は、第１主面３ａの平面視において、補強層８（蓋部３７）の中央側を多重に囲む形状に延びている。なお、複数の第１突部１３１は、その端部などにおいて、他の第１突部１３１に接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。第１突部１３１の突出高さおよび幅は、第１の実施形態の第１突部３１の突出高さおよび直径と同様でよい。
　第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、第１突部１３１によって、補強層８の剥がれ抑制の効果が得られる。
　さらに、第１突部１３１は、第１主面３ａの平面視において線状に形成されていることから、梁のように機能して、補強層８の曲げ剛性の向上に寄与する。ひいては、補強層８による蓋部３７の補強効果が増進される。
　第１の実施形態において、図４の矢印ｙ１１、ｙ１２、およびｙ１３を参照して説明したように、カバー５には、カバー５を補強層８に対してずらそうとする力が加えられる。ここで、第１主面３ａの平面視においては、カバー５を補強層８に対してずらそうとする力は、図９において矢印ｙ１１で示すように、カバー５（補強層８）の外周側から中央側へ働く。
　一方、線状の第１突部１３１は、第１主面３ａの平面視において、蓋部３７の中央側を多重に囲む形状に延びている。従って、第１の実施形態の第１突部３１などの他の形状の突部に比較して、第１突部１３１は、カバー５を補強層８に対してずらそうとする力を遮断しやすい。その結果、第２の実施形態では、補強層８のカバー５からの剥がれが効果的に抑制される。
＜第３の実施形態＞
　図１０（ａ）は、第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１の図５に相当する断面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の領域Ｘｂの拡大図である。
　第３の実施形態のＳＡＷ装置２０１では、第１の実施形態の第１突部３１および第２突部３３が設けられていない。ただし、ＳＡＷ装置２０１では、図１０（ｂ）に示すように、カバー２０５（蓋部２３７）の上面が粗面化されている。すなわち、カバー２０５の上面には微小な凹凸が形成されている。また、下地層３９の下面は、カバー２０５の上面の凹凸に応じた形状となって、カバー２０５の上面に密着している。
　従って、ＳＡＷ装置２０１においても、第１の実施形態と同様に、導体層（補強層８またはフランジ７ｂ）とカバー２０５とが接する面積が大きくなることによって、導体層のカバー２０５からの剥がれが抑制される。
　粗面化されたカバー２０５の上面の算術平均粗さ（レーザー顕微鏡で測定したときの算術表面粗さ）は、例えば、０．５μｍ以上２μｍ以下である。この算術平均粗さの粗面化は、例えば、カバー２０５の厚みが１０μｍ以上８０μｍ以下の場合および／または導体層の厚さが１０μｍ以上５０μｍ以下の場合に有効である。
　また、ＳＡＷ装置２０１の蓋部２３７の上面は、第１の実施形態の蓋部３７の上面に比較して、酸素原子の含有率が高くなっている。ＳＡＷ装置２０１においては、蓋部２３７の上面は、下面（枠部３５と密着する面および振動空間１０の天井となる面）よりも酸素原子の含有率が高くなっている。
　なお、酸素原子の含有率は、例えば、Ｘ線光電子分光(ＸＰＳ：X-ray photoelectron spectroscopy)分析によって、蓋部２３７の上面または下面から数ｎｍ～数十ｎｍの範囲で測定される。
　また、別の観点では、蓋部２３７は、蓋部２３７の下面を含む下面側部２３７ｃと、蓋部２３７の上面を含み、下面側部２３７ｃよりも酸素の含有率が高い上面側部２３７ｄとを有している。ただし、下面側部２３７ｃおよび上面側部２３７ｄの境界は必ずしも明確でなくてもよい（酸素原子の含有率が急激に変化する境界はなくてもよい。）。
　そして、蓋部２３７の上面と導体層（補強層８およびフランジ７ｂ）との間において、酸素原子と下地層３９の金属原子とが結合することによって、導体層の蓋部２３７の上面からの剥がれが抑制されている。なお、下地層３９は、Ｔｉ等の酸化物を形成しやすい金属であることが好ましい。
　図１１は、ＳＡＷ装置２０１の製造方法の手順を示すフローチャートである。ただし、図１１では、図６～図８を参照して説明した第１の実施形態のＳＡＷ装置１の製造方法との相違点を中心に示し、ＳＡＷ装置１の製造方法と共通する部分については大部分を省略している。
　ステップＳ１の処理は、図６（ｄ）の処理に対応しており、この処理まで、第１の実施形態と同様の処理が行われる。
　ステップＳ２では、（プラズマ）アッシング処理が行われる。すなわち、基板３の第１主面３ａ側を酸素プラズマに晒す。これによって、フォトレジスト（枠部３５の除去された部分）の残渣が除去される。すなわち、デスカム処理が行われる。
　ステップＳ３の処理は、図７（ａ）の処理に対応しており、蓋部２３７となる薄膜の形成およびその一部の除去が行われる。
　ステップＳ４では、第１の実施形態では説明を省略したが、カバー２０５の（ポスト）ベーク（bake）が行われる。ベークの温度は、カバー２０５の樹脂が重合する温度である。これによって、残存する溶剤および水分が除去されたり、カバー２０５と基板３との密着性が向上したりする。なお、ベークの温度および時間は、カバー２０５の材料に応じて適宜に設定される。
　ステップＳ５では、ステップＳ２と同様に、（プラズマ）アッシング処理が行われる。ただし、ステップＳ５では、ステップＳ４のベークの後にアッシングが行われている。その結果、ステップＳ５では、残渣の除去に加えて、カバー２０５の表面の粗面化も行われる。
　なお、仮に、ステップＳ５とＳ４との順番を逆にしたとすると、アッシング処理による粗面化の効果は得られない。
　また、カバー２０５の上面では、カバー２０５の樹脂が酸素プラズマに晒されることによって、樹脂と酸素とが結合し、酸素置換基が形成される。これによって、カバー２０５（蓋部２３７）の上面は、カバー２０５の酸素プラズマに晒されない面（例えば蓋部２３７の枠部３５との密着面および蓋部２３７の振動空間１０の天井となる面）に比較して、酸素原子の含有率が高くなる。
　ステップＳ６の処理は、図８（ａ）の処理に対応している。そして、この処理以降は、第２の実施形態と同様の処理が行われる。なお、第１突部３１および第２突部３３を形成するための処理（図７（ｂ）および図７（ｃ）の処理）は、第３の実施形態では行われない。
　このように、カバー２０５の上面を酸素プラズマに晒すことにより、カバー２０５の上面の粗面化、カバー２０５の上面における酸素原子の含有率の増加、およびカバー２０５におけるデスカムを同時に行うことができ、製造工程の短縮化が図られる。また、デスカムによってカバー２０５が清浄化された後に導体層（補強層８等）が形成されることから、導体層のカバー２０５からの剥がれが一層抑制される。
　アッシング処理の条件は適宜に設定されてよい。なお、一般には、酸素プラズマの圧力が大きいほど、酸素プラズマに印加されるパワー（電力）が大きいほど、またカバー２０５を酸素プラズマに晒す時間が長いほど、カバー２０５の表面は削られ、粗面化が進む。
（実施例）
　第３の実施形態のＳＡＷ装置および当該ＳＡＷ装置を模した試料を作製し、性能評価を行った。具体的には以下のとおりである。
（剥離強度評価）
　第３の実施形態のＳＡＷ装置を模した試料を形成し、ＳＡＩＣＡＳ（Surface And Interfacial Cutting Analysis System）試験によって剥離強度を評価した。具体的には以下のとおりである。
ａ）剥離強度評価の試料の構成
　試料は、以下に列挙する層がその列挙順に下から積層された積層体とした。なお、（　）内は、実施形態のＳＡＷ装置の対応する部材の符号を示している。また、各層は、パターニングがなされない（下層の全面に形成された）、いわゆるベタ膜とした。
　基板（３）：ＬｉＴａＯ３からなる４インチのウェハ
　導電層（１９：１１、１２、１３）：Ａｌ－Ｃｕ合金
　保護層（２５）：ＳｉＯ２
　樹脂層（２０５）：エポキシ樹脂
　下地層（３９）：Ｔｉ層（厚さ１５００Å）およびその上のＣｕ層（厚さ１０５００Å）
ｂ）剥離強度評価の試料のアッシング条件
　圧力：１１Ｐａまたは７３Ｐａ
　パワー（電力）：１００Ｗ
　時間：３０分
　なお、アッシング処理が行われない試料も用意した。また、アッシング処理が行われない試料、圧力１１Ｐａでアッシング処理が行われた試料、圧力７３Ｐａでアッシング処理が行われた試料のそれぞれについて、２つの試料を用意した。すなわち、合計６つの試料を用意した。
ｃ）剥離強度評価の方法
　切刃によって下地層を削り取り、そのときの切刃に係る荷重を測定するＳＡＩＣＡＳ試験を採用した。具体的な条件は以下のとおりである。
　装置：ダイプラ・ウィンテス社製「ＳＡＩＣＡＳ　ＮＮ－０４型」
　最大垂直可動距離：５０μｍ
　最大水平可動距離：５００μｍ
　剥離条件：刃幅０．３ｍｍ、垂直速度２５ｎｍ／ｓｅｃ
　水平速度：２５０ｎｍ／ｓｅｃ　定荷重モード
ｄ）剥離強度評価の結果
　切刃に加えられた水平方向の荷重の平均値を切刃の幅で除算したものを剥離強度の評価指標とした。
　図１２（ａ）は、その評価結果を示す図である。同図において、横軸はアッシングの圧力Ｐを示し、縦軸は、剥離強度Ｓｔを示している。圧力Ｐ＝０の試料は、アッシング処理がなされていない試料に対応している。
　この図に示されるように、アッシング処理が行われることによって、剥離強度が向上することが確認された。具体的には、アッシング処理が行われた場合の剥離強度は、アッシング処理が行われない場合の剥離強度の２倍程度の値を示している。なお、今回の実施例の範囲においては、アッシング処理の圧力の差による剥離強度の有意な差は認められなかった。
（形状評価）
　以下の条件でアッシングを行って第３の実施形態に係るＳＡＷ装置を作製した。
　圧力：１６３Ｐａ
　パワー（電力）：１００Ｗ
　時間：３０分
　このときのカバー２０５の上面の高低差の変化は以下のとおりであった。なお、高低差は、主としてカバー２０５の上面の緩やかな湾曲によって生じるものであり、粗面の粗さとは異なる。
　ベーク（ステップＳ４）後：４．９６μｍ
　アッシング（ステップＳ５）後：５．１２μｍ
　この結果から、アッシングを行っても高低差に大きな変化はないことが確認された。
（膜厚評価）
　以下の条件でアッシングを行って第３の実施形態に係るＳＡＷ装置を作製した。
　圧力：７３Ｐａ
　パワー（電力）：１００Ｗ
　時間：３０分
　このときのアッシングによるカバー２０５の厚さの低減量は、０．５～１μｍであった。従って、厚みが１０μｍ以上（好ましくは５５～６０μｍ）のカバー２０５を有するＳＡＷ装置の形成に支障は生じないことが確認された。
（電気特性評価）
　図１２（ｂ）は、比較例の電気特性と、第３の実施形態のＳＡＷ装置の電気特性とを比較する図である。横軸は、周波数を示し、縦軸は、挿入損失を示している。比較例のＳＡＷ装置は、第３の実施形態の製造方法からアッシング処理を除いた製造方法によって作製されたものである。
　図１２（ｂ）において、比較例の電気特性を示す実線と、実施例の電気特性を示す実線とは殆ど重なっており、あたかも１本の線のようになっている。同図からアッシング処理によって電気特性の変化は殆ど生じないことが確認された。
　本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
　上述した複数の実施形態は適宜に組み合わされてもよい。例えば、第３の実施形態の粗面化が第１または第２の実施形態に適用され、導体層から突出する突部が設けられるとともに、カバー上面が粗面化された弾性波装置が実施されてもよい。
　弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよいし、弾性境界波装置（ただし、広義のＳＡＷ装置に含まれる）であってもよい。なお、弾性境界波装置は、圧電基板と、圧電基板の主面上に位置する弾性波素子と、弾性波素子上に位置する媒体層とを有し、圧電基板の主面と媒体層との境界を弾性境界波（広義のＳＡＷに含まれる）が伝搬する。この弾性境界波装置において、カバーは媒体層を兼ねていてもよい。換言すれば、振動空間は設けられていなくてもよい。
　弾性波装置において、保護層（２５）は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層などが形成されてもよい。例えば、配線１２と絶縁体を介して立体交差する配線が設けられてもよいし、パッド１３と端子７との間に介在し、パッド１３と端子７との接着力を強化する接続強化層が設けられてもよいし、枠部と蓋部との間に導電層が設けられてもよい。
　カバーの上面に形成される導体層は、補強層または端子のフランジに限定されない。例えば、導体層は、インダクタ、キャパシタ、配線等の回路を構成するものであってもよい。
　補強層は、基準電位が付与される端子に接続されていてもよい。補強層は、振動空間よりも広いものに限定されない。例えば、補強層は、振動空間と同一形状でもよいし、振動空間に収まる広さであってもよい。また、補強層は、振動空間よりも広い場合において、振動空間の全周において枠部と重なっていなくてもよい。
　先端面がカバーに覆われる突部は、突出量が蓋部の厚さよりも小さいものに限定されない。例えば、振動空間よりも外周側に設けられた突部は、蓋部全体を貫通して、先端面が枠部の上面に覆われていてもよいし、蓋部全体および枠部の一部を貫通して、先端面が枠部に覆われていてもよい。
　補強層に点在する突部は、補強層が剥がれやすい位置において密度が高くなるように形成されてもよい。補強層に設けられるライン状の突部は、補強層の中央側を囲むものに限定されない。例えば、ライン状の突部は、網状に形成されてもよい。また、ライン状の突部が補強層の中央側を囲む場合、ライン状の突部は、直線に限定されず、曲線であってもよい。例えば、補強層の中央側を囲む同心円状に複数のライン状の突部が設けられてもよいし、補強層の中央側を囲む螺旋状に１本のライン状の突部が設けられてもよい。
　端子のフランジに設けられる突部（３３）は、環状に設けられるものに限定されない。フランジに設けられる突部は、第１の実施形態における補強層の突部（３１）のように、点在するものであってもよいし、放射状に延びるライン状であってもよい。
　本発明の第１の観点の弾性波装置、すなわち、突部の先端面がカバーに覆われる弾性波装置において、カバーを貫通する柱状部を有する端子は設けられていなくてもよい。また、本発明の第２の観点の弾性波装置、すなわち、端子の柱状部とは別個に突部が設けられた弾性波装置において、突部は、先端面がカバーに覆われていなくてもよい。すなわち、突部は、蓋部および枠部を貫通して、主面に到達していてもよい。
　なお、第１および第２の観点の弾性波装置は、カバー上に積層された導体層の剥がれを抑制するために、導体層からカバー内に突出する突部が設けられている点で共通の技術的特徴を有するものである。第１および第２の観点に分けて記載したのは、柱状部およびフランジを有する端子の柱状部が突部に含まれてしまうことを排除するための表現上の都合に過ぎない。ここで、端子の柱状部は、端子の本体部分であり、フランジは、ランドの面積を拡張するために柱状部に付加されたものであるから、端子の柱状部は、フランジの抜けを抑制するために設けられたものではなく、本願発明の突部とは本質的に相違する。
　第３の観点の弾性波装置において、酸素原子の含有率がカバーの上面と比較される部位は、カバーの上面を構成する樹脂層（実施形態では蓋部２３７）の下面であればよく、振動空間の天井を構成する面に限定されない。例えば、振動空間が形成されない弾性境界波装置において、一層の樹脂層のみによってカバーが形成される場合には、その樹脂層の上面と下面（圧電基板の主面に密着する面）とで酸素原子の含有率が比較されてよい。
　突部を有する弾性波装置の製造方法は、カバーの現像とは別個にカバーの上面のエッチングを行う方法に限定されない。例えば、突部が蓋部を貫通する態様においては、蓋部の現像において突部が収容される凹部が形成されてもよい。
　１…弾性表面波装置（弾性波装置）、３…基板、３ａ…第１主面（主面）、５…カバー、７…端子、７ｂ…フランジ（導体層）、８…補強層（導体層）、１０…振動空間、１１…ＳＡＷ素子（弾性波素子）、３１…第１突部、３３…第２突部、３５…枠部、３７…蓋部。

Claims (12)

  1. 　基板と、
    　該基板の主面上に位置する弾性波素子と、
    　該弾性波素子上に位置し、上面に複数の凹部を有するカバーと、
    　複数の突部を有し、前記複数の突部が前記複数の凹部に嵌まった状態で前記カバーの上面に積層されている導体層と
    　を有する弾性波装置。
  2. 　前記カバーは、前記基板の主面に位置し、平面視において前記弾性波素子を取り囲む環状の枠部と、該枠部の開口部を塞ぐ蓋部とをさらに有しており、
    　前記複数の突部の突出高さは、前記蓋部の厚みよりも小さい
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記導体層は、平面透視において前記枠部の開口部と重なる部分を有するとともに、前記導体層を構成する材料のヤング率は前記カバーを構成する材料のヤング率よりも高い
    　請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記複数の突部は、前記導体層の表面に点在している
    　請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記複数の突部は、前記導体層の全体に亘って一様な密度で分布している
    　請求項４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記複数の突部は、平面視における形状がそれぞれ線状である
    　請求項３に記載の弾性波装置。
  7. 　前記弾性波素子に接続された端子をさらに有し、
    　該端子は、
    　　前記主面上に位置し、前記カバーを貫通する柱状部と、
    　　該柱状部の側面から突出して前記カバーの上面に重なっているフランジと
    　　を有し、
    　前記導体層は、前記フランジである
    　請求項１または２に記載の弾性波装置。
  8. 　前記複数の突部は、前記主面の平面視において、前記柱状部を囲んでいる
    　請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　基板と、
    　該基板の主面上に位置する弾性波素子と、
    　前記基板の主面上に位置し、前記弾性波素子に接続されたパッドと、
    　前記弾性波素子上に位置し、上面に複数の凹部を有するカバーと、
    　前記パッド上に位置し、前記カバーを貫通する柱状部を有する端子と、
    　複数の突部を有し、前記複数の突部が前記複数の凹部に嵌まった状態で前記カバーの上面に積層されている導体層と
    　を有する弾性波装置。
  10. 　基板の主面に弾性波素子を形成する工程と、
    　前記弾性波素子を感光性樹脂層で覆う工程と、
    　前記感光性樹脂層を露光する工程と、
    　露光された前記感光性樹脂層を現像する工程と、
    　現像された前記感光性樹脂層の上面にマスクを形成する工程と、
    　前記マスクが形成された前記感光性樹脂層の上面のうち前記マスクが形成されていない部位を凹状にエッチングする工程と、
    　エッチングされた凹状の部位に第１金属を充填する工程と、
    　前記感光性樹脂層の上面に第２金属を積層する工程と
    　を有する弾性波装置の製造方法。
  11. 　前記感光性樹脂で覆う工程は、
    　　前記基板の主面に形成された弾性波素子を保護層で被覆する工程と、
    　　前記弾性波素子を前記保護層を介して前記感光性樹脂層で覆う工程と
    　を有する請求項１０に記載の弾性波装置の製造方法。
  12. 　基板の主面に弾性波素子を形成する工程と、
    　前記弾性波素子を感光性樹脂層で覆う工程と、
    　前記感光性樹脂層を露光する工程と、
    　露光された前記感光性樹脂層を現像する工程と、
    　現像された前記感光性樹脂層を該感光性樹脂層が重合する温度で加熱する工程と、
    　加熱された前記感光性樹脂層に酸素プラズマ処理を施す工程と、
    　前記酸素プラズマ処理された前記感光性樹脂層の上面に金属を積層する工程と
    　を有する弾性波装置の製造方法。
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