WO2012000943A1 - Verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren halbleiterbauelements - Google Patents

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optoelectronic component
insert
shaped body
component
reflector
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Harald JÄGER
Michael Zitzlsperger
Markus Pindl
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Definitions

  • An object to be solved is to provide a method for producing a surface mountable
  • an auxiliary carrier which is formed with a plastic material.
  • the auxiliary carrier may consist of a plastic or contain a plastic material.
  • the subcarrier is a foil which, for example, completely with a
  • Plastic material such as a silicone or a polyimide is formed.
  • the subcarrier may also be in the form of a self-supporting disc or plate.
  • Mounting surface of the subcarrier applied. "Applying” in this context means that the insert part and / or the optoelectronic component are brought into direct contact with the mounting surface of the auxiliary carrier. It is also conceivable that, for example, between the
  • Optoelectronic component and / or the insert and the subcarrier one or more intermediate layers or other components are arranged.
  • the insert and / or the optoelectronic component are in this case after application with the subcarrier only in indirect
  • Adhesive can be between the optoelectronic component and the insert part on the one hand and the subcarrier on the other.
  • the adhesive is applied in places or all over the mounting surface of the subcarrier.
  • the adhesive is one
  • Silicone an acrylic or a UV-active adhesive formed.
  • the optoelectronic component can be a radiation-receiving end or a radiation-emitting semiconductor chip.
  • the semiconductor chip is a luminescence diode chip, such as a light-emitting diode chip or a laser diode chip.
  • the optoelectronic component it is possible for the optoelectronic component to be a photodiode chip.
  • Optoelectronic component comprising a radiation receiving end and a radiation-generating semiconductor chip. It is also possible that the optoelectronic component
  • Insert in this context means a structurally separate component, which can be applied, for example, independently of the optoelectronic component on the mounting surface. For example, it may be at the insert to be additional (opto) electronic components or a carrier. It is also conceivable that the insert is or has a heat sink for the electronic component. After application, the optoelectronic component and the insert are connected to one another via the mounting surface of the auxiliary carrier.
  • the optoelectronic component and the insert part are enveloped by a common shaped body, wherein the shaped body covers the optoelectronic component and the insert part at least in places in a form-fitting manner. That is, the material of the molding - the molding material - is at least in places in direct contact with the
  • the shaped body is radiolucent.
  • radiation-transmissive means that the shaped body is then permeable to electromagnetic radiation by at least 80%, preferably by more than 90%.
  • the wrapping of the optoelectronic component and the insert part with the common shaped body by means of encapsulation or encapsulation. That is, the molded article is produced, for example, by means of a casting or pressing process. At the same time, the molded body provides one
  • Potting the optoelectronic component and a housing for the subsequent semiconductor device is.
  • the optoelectronic device and the insert still further components are wrapped with the common moldings.
  • the stand is configured to:
  • the optoelectronic component and the insert not in direct contact with each other, wherein the optoelectronic Component and the insert are mechanically connected by the molding. This means that the optoelectronic component and the insert at no
  • the optoelectronic component and the insert are only indirectly in contact with each other through the molded body.
  • the optoelectronic component and the insert part are then electrically insulated from one another by the shaped body.
  • the compound mediated by the shaped body is stable against external mechanical stresses, such as may occur when the semiconductor device is used properly, so that the position of the optoelectronic component and the insert part relative to each other due to the stabilizing effect of the
  • Shaped body remains essentially the same. "Essentially” means in this context that the position of the
  • Optoelectronic component and the insert to each other except for possibly occurring thermal effects, such as a thermal deformation or expansion of the molding remains the same.
  • the subcarrier is removed.
  • the removal is done by mechanical detachment.
  • Shaped body, the optoelectronic component and the reflector For this purpose, a composite consisting of the auxiliary carrier, the shaped body, the optoelectronic component and the reflector can be placed on a processing surface, along which the composite is moved. During the movement of the composite
  • the subcarrier for example, through a introduced into the processing surface gap or slot, be deducted and then rolled up.
  • the molding is cut through in a further step for the production of individual semiconductor components. The severing can be done before or after removal of the subcarrier. It is not mandatory that semiconductor devices with only a single electronic component and / or
  • Semiconductor component are summarized. For example, is cut through only through the molding during cutting. That is, for separation of the component is then not isolated by other electronic components and / or inserts or other components.
  • side surfaces which laterally delimit the semiconductor component in the lateral direction are completely formed by the shaped body.
  • the side surfaces may contain traces of the singulation process, such as sawing,
  • an auxiliary carrier is first provided, which is formed with a plastic material.
  • the electronic component and the insert are wrapped with a common molded body, wherein the molded body, the electronic component and the insert at least
  • the electronic component and the insert are not in direct contact with each other, wherein the electronic component and the
  • Subcarrier removed. Furthermore, in a further step for the production of individual semiconductor components is severed by the shaped body.
  • the subcarrier has a thickness of 50 ym to 200 ym. "Thickness" means a maximum extent of the subcarrier in vertical
  • Thickness range for the subcarrier proves to be particularly advantageous because the subcarrier can be particularly easily removed after wrapping the molding.
  • the insert part is a reflector which is provided, which is generated by the optoelectronic component during operation and impinges on it
  • the optoelectronic component in the lateral direction at least locally outlined. Electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component can then strike the reflector and be reflected by the reflector in the direction away from the optoelectronic component.
  • the insert part has or has a connection point for the optoelectronic component.
  • the insert can be used for electrical
  • connection point or the insert is then accessible from the outside, electrically contacted and closes flush with an outer surface of the molding.
  • the carrier element may be a metallic carrier strip (also leadframe).
  • the carrier strip is then formed with at least one strip-shaped metal strip serving as the further electrical connection point.
  • Carrier element wrapped with the common molded body, wherein the shaped body, the electronic component, the insert and the support member at least partially positively closed.
  • the carrier element is preferably at least partially in the molded body.
  • the carrier element is accessible from the outside and electrically contacted.
  • the insert part and the carrier element are not in direct contact
  • Carrier element are mechanically connected by the molding.
  • the carrier element has a maximum thickness of 250 ym.
  • ym the carrier element has a maximum thickness of 250 ym.
  • Carrier element prestructured by means of an etching process The carrier element can then have "thinned" places in the vertical direction.
  • any desired pre-structured carrier elements can be enveloped with the common shaped body. Insofar is the
  • semiconductor device specified the surface-mountable semiconductor device by means of
  • this includes
  • Surface mount semiconductor device at least one optoelectronic device with a
  • the radiation passage area can be the area through which the
  • optoelectronic component emits and / or receives electromagnetic radiation.
  • this includes
  • Surface mount semiconductor device at least one reflector, which is provided by the optoelectronic device in operation incident on him
  • Surface mount semiconductor device comprises this a radiation-transmissive molded body, with the optoelectronic component and the reflector at least in places in direct contact.
  • this includes
  • the contact surface of the semiconductor component designates that surface of the semiconductor component which faces a carrier, for example a printed circuit board, on which the semiconductor component is mounted.
  • the bearing surface may be a bearing surface with which the semiconductor component rests on the carrier. This can be the support surface
  • the contact surface is in contact with a connection material, for example a solder, via which the surface-mountable semiconductor component is electrically contacted. That is, the connection material then wets parts of the support surface and thus parts of the molding.
  • a connection material for example a solder
  • the reflector surrounds the optoelectronic device at least
  • the reflector in places in a lateral direction.
  • "Lateral direction” in this context means a direction parallel to the main extension direction of the semiconductor device.
  • the reflector completely surrounds the optoelectronic component in the lateral direction. It is conceivable that the reflector in a plan view is circular, oval, ellipsoidal or rectangular.
  • the reflector may consist of one or more separate parts. For example, then the reflector is a connection point for the
  • the reflector is on the support surface of the surface mountable
  • the bearing surface can be formed at least in places by the reflector, so that the surface mountable
  • Semiconductor component is based inter alia on the knowledge that surface-mountable semiconductor components, for example, by the design of a carrier,
  • the surface-mountable semiconductor component described here makes use, inter alia, of the idea of bringing an optoelectronic component and a reflector at least in places into direct contact with a shaped body. The molded body then connects the optoelectronic component and the
  • Semiconductor device Advantageously can be dispensed with an often thick carrier so that the component
  • this includes
  • Surface mount semiconductor device at least one insert.
  • the optoelectronic semiconductor component comprises a reflective molded body which is connected to the optoelectronic component
  • connection that the shaped body for incident on him electromagnetic radiation is at least 80%, preferably more than 90%, reflective.
  • the side surfaces of the optoelectronic component run in a vertical direction, ie perpendicular to the lateral direction of the surface-mountable semiconductor component. In other words, the side surfaces of the
  • the optoelectronic component the optoelectronic component side.
  • “At least in places” may mean that the reflective molded body the side surfaces of Optoelectronic component wrapped only positively up to a certain height and is in direct contact with the side surfaces. This makes it possible for that
  • Optoelectronic component even at its side surfaces by the reflective molded body partially or
  • the side surfaces of the optoelectronic component are completely or up to a predeterminable height covered by the reflective molded body. According to at least one embodiment of the
  • Radiation passage area is neither covered by the reflective molded body nor the reflective molded body is arranged downstream of the optoelectronic component, for example along a radiation exit path of the optoelectronic component. The radiation can therefore escape unhindered from the optoelectronic component or by the
  • Radiation passage area through into the optoelectronic component and be detected by this example. It is at most possible that, due to the production process, material remnants of the reflective shaped body are still located on the radiation passage area, which is the material of the
  • the shaped body consists of an epoxide or contains at least one epoxide, wherein light-reflecting particles are introduced into the epoxide.
  • Epoxies have the advantage of curing to a particularly mechanically strong and stable shaped body.
  • a molding formed with an epoxy has improved mechanical stability.
  • the reflective molding formed with the epoxy can then predominantly the mechanical stabilization of the semiconductor device
  • the light-reflecting particles may be any light-reflecting particles.
  • Particles act, the electromagnetic radiation
  • the reflective particles in the reflective molded body can compensate for the disadvantage of a lower radiation stability compared to, for example, a silicone, for example, with respect to UV radiation of the epoxide.
  • the light-reflecting particles are particles which consist of at least one of the
  • Materials 1O2, BaSOzi, ⁇ n ⁇ ⁇ or AI2O3 exist or contain one of the materials mentioned.
  • the shaped body is formed with a silicone or an epoxide into which
  • Radiation-absorbing particles introduced.
  • the radiation-absorbing particles are soot particles.
  • the molding can appear black or colored.
  • the molded body consists of a silicone or contains at least one silicone. Radiation-reflecting particles of the type described above can be introduced into the silicone.
  • the shaped body contains light-scattering particles.
  • the light-scattering particles may be diffuser particles
  • the shaped body contains light-absorbing particles.
  • light-absorbing particles are suitable
  • Absorb wavelength range For example, such particles can be used in the semiconductor device as a filter. If the optoelectronic component is, for example, a detector, a detector is realized in this way, which is located in a specific position
  • Wavelength range has a particularly high sensitivity.
  • the shaped body contains at least one luminescence conversion material.
  • Luminescence conversion material is preferably suitable, at least part of an electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic component during operation and / or to be received by the optoelectronic component of a first
  • the shaped body does not laterally project beyond the optoelectronic component. It is conceivable that the reflective molded body in the vertical direction is flush with the radiation passage area of the
  • the reflective molded body then envelops the side surfaces of the
  • Optoelectronic component for example, completely, whereby the reflected from the reflective molded body, for example, in the optoelectronic component reflected radiation component is as large as possible.
  • the reflected from the reflective molded body for example, in the optoelectronic component reflected radiation component is as large as possible.
  • Optoelectronic component and exposed portions of the molding applied to another radiation-permeable molded body For example, the other one exists
  • radiation-transmissive molded body made of a silicone, an epoxy or a mixture of silicone and epoxy or contains at least one of said materials.
  • the further radiation-transmissive shaped body light-scattering or reflective particles, light
  • Radiation decoupling surface of the further molded body formed at least in places lens-shaped.
  • Radiation decoupling surface can by a the
  • Optoelectronic component facing away from the outer surface of the further molded body be formed at least in places.
  • such a lenticular shape of the radiation output surface increases the
  • FIGS 1A to 1G, 2A and 2B show in schematic
  • FIGS. 3A to 3B show, in schematic side views, two exemplary embodiments of a surface-mountable semiconductor component described here.
  • identical or identically acting components are each provided with the same reference numerals.
  • the illustrated elements are not to be regarded as true to scale, but rather individual
  • FIG. 1A a schematic side view first of all shows how a carrier element 2 is applied to a mounting surface 11 of an auxiliary carrier 1.
  • Subcarrier 1 is with a plastic material, such as
  • Example silicone a polyimide, an acrylic, or a radiation-active film formed.
  • the auxiliary carrier 1 is a plastic film.
  • the carrier element 2 has a maximum thickness D of 250 ym.
  • the carrier element 2 is formed with copper.
  • an optoelectronic component 3 is applied, which is a
  • Radiation passage area 32 has.
  • Radiation passage area 32 is an outer surface of the optoelectronic component 3 facing away from the auxiliary carrier 1.
  • the optoelectronic component 3 is a radiation-emitting semiconductor chip. It is also conceivable that the electronic component 3 is a radiation-receiving component, for example a
  • FIG. 1B shows a schematic plan view of the device
  • Carrier element 2 is.
  • a reflector 41 is applied to the mounting surface 11 of the subcarrier 1.
  • the reflector 41 and the support member 2 are not in direct contact
  • FIG. 1C shows how the optoelectronic component 3, the reflector 41 and the carrier element 2 are enveloped by a common radiation-permeable shaped body 5.
  • the molded body 5 covers all exposed areas of the optoelectronic component 3, the reflector 41 and the support member 2 positively and completely.
  • Shaped body 5 connects the optoelectronic component 3, the reflector 41 and the carrier element 2 mechanically
  • IC is a
  • Verbund 10 OB consisting of the composite 100A and the
  • Shaped body 5 shown. In a subsequent step, then the subcarrier 1 of the molded body 5 and the
  • Carrier element 2 are removed. Finally, you can
  • the composite 100A includes multiple ones
  • Optoelectronic components 3 it is conceivable that each optoelectronic component 3 of a unique him associated reflector 41, for example, completely bordered.
  • the optoelectronic components 3 and the reflector 41 can then in pairs in the lateral direction L in each case
  • each reflector 41 is then severed by the shaped body 5 and / or the carrier element 2.
  • FIG. 1D Shown in FIG. 1D is a schematic plan view of the composite 100B shown in FIG. 1D.
  • the representation of the molded body 5 is omitted. It can be seen that the reflector 41 completely surrounds the optoelectronic component 3 in the lateral direction L. In the present case, the reflector 41 is of circular design and has a bonding wire connection region 42. In other words, the reflector 41 is a connection point AI for the optoelectronic component 3.
  • FIGS. IE to IG show schematic sectional side views of the composite 100B along the sectional lines A-A, B-B, C-C illustrated in FIG. 1D.
  • FIG. 1C in a side view along the section line B-B, it can again be seen that the reflector 41 is in direct contact with the mounting surface 11 of the auxiliary carrier 1.
  • FIG. 1F shows in a lateral view along the section line AA that, in regions of the composite 100B in which the reflector 41 overlaps the carrier element 2 in the vertical direction V, the reflector 41 is arranged at a distance from the carrier element 2. That is, the reflector 41 and the optoelectronic component 3 are not in contact with each other at any point and hence electrically isolated from each other.
  • the carrier element 2 can then form a further electrical connection A2 for the electronic component 3.
  • FIG IG is shown in a side view along the section line CC, as the bonding wire contact 31 is attached to the bonding wire connection region 42 of the reflector 41.
  • Figures 2A and 2B show in schematic views
  • the molded body 5 is formed with an epoxy or a silicone in which light-reflecting particles are introduced. For example, it is the light
  • the radiation passage surface 32 is free of the reflective molded body 5. Further, on the
  • the optoelectronic component 3 is electrically contacted with the insert 4.
  • the insert 4 is formed with a copper or coated with copper.
  • an electrical contact layer 34 is applied, which forms the further electrical connection A2 for the optoelectronic component 3.
  • the insert 4 is completely and positively at exposed locations of the
  • Shaped body 5 is a further radiation-transmissive
  • Shaped body 6 applied, wherein a
  • the auxiliary carrier 1, the optoelectronic component 3, the insert 4 and the two moldings 5 and 6 form a composite 100C.
  • the surface-mountable semiconductor component 100 can then be produced by severing the shaped bodies 5 and 6.
  • FIG. 2B shows the composite 100C shown in FIG. 2A in a plan view.
  • the bonding wire contact 31 electrically connects the optoelectronic component 3 and the insert 4.
  • the insert 4 is formed from two separate and spaced apart in the lateral direction L arranged components 45 and 46, which are each formed "U" -shaped.
  • the two components 45, 46 are arranged relative to one another such that they form a cavity 47 which delimits in the lateral direction L through the components 45 and 46 and in the vertical direction V through the mounting surface 11 and by an opening opposite the mounting surface 11 is.
  • Within the cavity 47 is the optoelectronic
  • Such a cavity 47 can, as shown in FIG. 2B, have openings 48, from which the cavity 47 can be viewed and / or opened from the outside. It is also conceivable that the insert 4, the optoelectronic component 3 completely surrounded in the lateral direction L and then formed with a single, contiguous component.
  • FIGS. 3A and 3B show schematic side views of embodiments of one described here
  • Semiconductor device 100 has a support surface 101.
  • the support surface 101 is through the reflector 41, the
  • Carrier element 2 and the radiation-permeable molded body 5 is formed.
  • the surface mount semiconductor device 100 is electrically contactable from outside via the support surface 101. For example, that is
  • the surface mountable electrical contact layer 34 is formed in places by the electrical contact layer 34, wherein in the present case the contact layer 34 the other electrical connection A2 forms for the optoelectronic component 3.
  • the surface mountable electrical connection A2 forms for the optoelectronic component 3.

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements (100) angegeben, mit zumindest den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), der mit einem Kunststoffmaterial gebildet ist; - Aufbringen zumindest eines Einlegeteils (4) und zumindest eines optoelektronischen Bauteils (3) auf eine Montagefläche (11) des Hilfsträgers (1); - Umhüllen des optoelektronischen Bauteils (3) und des Einlegeteils (4) mit einem gemeinsamen Formkörper (5), wobei - der Formkörper (5) das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt, - das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) nicht in direktem Kontakt miteinander stehen, und - das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) durch den Formkörper (5) mechanisch miteinander verbunden werden; - Entfernen des Hilfsträgers (1); - Erzeugen von einzelnen oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelementen (100) mittels Durchtrennen des Formkörpers (5).

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines
oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements sowie ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement angegeben. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren
Halbleiterbauelements anzugeben, das zeitsparend und darüber hinaus kostengünstig ist. Ferner besteht eine zu lösende Aufgabe darin, ein oberflächenmontierbares
Halbleiterbauelement anzugeben, welches besonders
platzsparend und kompakt im Aufbau ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem ersten Schritt ein Hilfsträger bereitgestellt, der mit einem Kunststoffmaterial gebildet ist. Der Hilfsträger kann aus einem Kunststoff bestehen oder ein Kunststoffmaterial enthalten. Zum Beispiel ist der Hilfsträger eine Folie, welche beispielsweise vollständig mit einem
Kunststoffmaterial , wie zum Beispiel einem Silikon oder einem Polyimid, gebildet ist. Der Hilfsträger kann auch in Form einer selbsttragenden Scheibe oder Platte ausgebildet sein.
In einem weiteren Schritt werden zumindest ein Einlegeteil und zumindest ein optoelektronisches Bauteil auf eine
Montagefläche des Hilfsträgers aufgebracht. "Aufbringen" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass das Einlegeteil und/oder das optoelektronische Bauteil in direktem Kontakt mit der Montagefläche des Hilfsträgers gebracht werden. Ebenso ist denkbar, dass beispielsweise zwischen dem
optoelektronischen Bauteil und/oder dem Einlegeteil und dem Hilfsträger ein oder mehrere Zwischenschichten oder weitere Bauteile angeordnet werden. Das Einlegeteil und/oder das optoelektronische Bauteil stehen in diesem Fall nach dem Aufbringen mit dem Hilfsträger lediglich in mittelbarem
Kontakt. Beispielsweise ist auf die Montagefläche des
Hilfsträgers ein Klebstoff aufgebracht, der ein
Haftvermittler zwischen dem optoelektronischen Bauteil und dem Einlegeteil einerseits und dem Hilfsträger andererseits sein kann. Beispielsweise ist der Klebstoff dazu stellenweise oder vollflächig auf die Montagefläche des Hilfsträgers aufgebracht. Zum Beispiel ist der Klebstoff mit einem
Silikon, einem Acryl oder einem UV-aktiven Kleber gebildet.
Bei dem optoelektronischen Bauteil kann es sich um einen Strahlungsempfangenden oder um einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip handeln. Beispielsweise handelt es sich bei dem Halbleiterchip um einen Lumineszenzdiodenchip, wie etwa einem Leuchtdiodenchip oder einem Laserdiodenchip. Weiter ist es möglich, dass es sich bei dem optoelektronischen Bauteil um einen Fotodiodenchip handelt. Ferner kann das
optoelektronische Bauteil einen Strahlungsempfangenden und einen Strahlungserzeugenden Halbleiterchip umfassen. Weiter ist es möglich, dass das optoelektronische Bauelement
Lumineszenzdiodenchips umfasst, die geeignet sind,
elektromagnetische Strahlung von untereinander verschiedenen Wellenlängen zu erzeugen. "Einlegeteil" bedeutet in diesem Zusammenhang ein strukturell separates Bauteil, welches beispielsweise unabhängig von dem optoelektronischen Bauteil auf die Montagefläche aufgebracht werden kann. Beispielsweise kann es sich bei dem Einlegeteil um zusätzliche (opto) -elektronische Bauteile oder um einen Träger handeln. Denkbar ist auch, dass das Einlegeteil eine Wärmsenke für das elektronische Bauteil ist oder aufweist. Nach dem Aufbringen sind das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil über die Montagefläche des Hilfsträgers miteinander verbunden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden in einem weiteren Schritt das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil mit einem gemeinsamen Formkörper umhüllt, wobei der Formkörper das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt. Das heißt, das Material des Formkörpers - die Formmasse - steht zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit dem
optoelektronischen Bauteil und dem Einlegeteil.
Beispielsweise ist der Formkörper strahlungsdurchlässig.
"Strahlungsdurchlässig" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass der Formkörper dann wenigstens zu 80 %, bevorzugt zu mehr als 90 % für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist.
Beispielsweise geschieht das Umhüllen des optoelektronischen Bauteils und des Einlegeteils mit dem gemeinsamen Formkörper mittels Umgießen oder Umspritzen. Das heißt, der Formkörper ist beispielsweise mittels eines Guss- oder Pressverfahrens hergestellt. Der Formkörper stellt dabei zugleich einen
Verguss des optoelektronischen Bauteils und ein Gehäuse für das spätere Halbleiterbauelement dar. Zum Beispiel können neben dem optoelektronischen Bauteil und dem Einlegeteil noch weitere Bauteile mit dem gemeinsamen Formkörper umhüllt werden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform stehen das
optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil nicht in direktem Kontakt miteinander, wobei das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil durch den Formkörper mechanisch miteinander verbunden werden. Das heißt, dass sich das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil an keiner
Stelle miteinander berühren. Das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil stehen lediglich durch den Formkörper in mittelbarem Kontakt miteinander. Vorzugsweise sind dann das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil voneinander durch den Formkörper elektrisch voneinander isoliert. Die durch den Formkörper vermittelte Verbindung ist gegen äußere mechanische Belastungen, wie sie bei sachgemäßen Gebrauch des Halbleiterbauelements auftreten können stabil, sodass die Position des optoelektronischen Bauteils und des Einlegeteils zueinander aufgrund der stabilisierenden Wirkung des
Formkörpers im Wesentlichen gleich bleibt. "Im Wesentlichen" heißt in diesem Zusammenhang, dass die Position des
optoelektronischen Bauteils und des Einlegeteils zueinander bis auf eventuell auftretende thermische Effekte, wie einer thermischen Verformung oder Ausdehnung des Formkörpers, gleich bleibt.
In einem nächsten Schritt wird der Hilfsträger entfernt.
Beispielsweise geschieht das Entfernen mittels mechanischem Ablösens. Beispielsweise geschieht das Ablösen des
Hilfsträgers mittels Abziehens des Hilfsträgers von dem
Formkörper, dem optoelektronischen Bauteil und dem Reflektor. Dazu kann ein Verbund bestehend aus dem Hilfsträger, dem Formkörper, dem optoelektronischen Bauteil und dem Reflektor auf eine Bearbeitungsoberfläche platziert werden, entlang derer der Verbund bewegt wird. Während der Bewegung des
Verbunds kann der Hilfsträger, beispielsweise durch einen in die Bearbeitungsoberfläche eingebrachten Spalt oder Schlitz hindurch, abgezogen und dann aufgerollt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird in einem weiteren Schritt zur Erzeugung von einzelnen Halbleiterbauelementen durch den Formkörper durchtrennt. Das Durchtrennen kann vor oder nach dem Entfernen des Hilfsträgers erfolgen. Es ist nicht zwingend erforderlich, dass Halbleiterbauelemente mit nur einem einzigen elektronischen Bauteil und/oder
Einlegeteil erzeugt werden. Es ist zum Beispiel auch möglich, dass mehrere elektronische Bauteile in einem einzelnen
Halbleiterbauelement zusammengefasst sind. Beispielsweise wird beim Durchtrennen ausschließlich durch den Formkörper durchtrennt. Das heißt, zur Vereinzelung des Bauelements wird dann nicht durch weitere elektronische Bauteile und/oder Einlegeteile oder sonstige Bauteile vereinzelt. In diesem Fall sind Seitenflächen, welche das Halbleiterbauelement in lateraler Richtung seitlich begrenzen, vollständig durch den Formkörper gebildet. Die Seitenflächen können Spuren des Vereinzelungsprozesses, wie zum Beispiel Sägerillen,
aufweisen. "Laterale Richtung" bedeutet in diesem
Zusammenhang eine Richtung parallel zur
Haupterstreckungsrichtung des Hilfsträgers.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements wird zunächst ein Hilfsträger bereitgestellt, der mit einem Kunststoffmaterial gebildet ist. In einem weiteren Schritt werden zumindest ein Einlegeteil und zumindest ein
elektronisches Bauteil auf eine Montagefläche des
Hilfsträgers aufgebracht. In einem weiteren Schritt werden das elektronische Bauteil und das Einlegeteil mit einem gemeinsamen Formkörper umhüllt, wobei der Formkörper das elektronische Bauteil und das Einlegeteil zumindest
stellenweise formschlüssig bedeckt. Das elektronische Bauteil und das Einlegeteil stehen nicht in direktem Kontakt miteinander, wobei das elektronische Bauteil und das
Einlegeteil durch den Formkörper mechanisch miteinander verbunden werden. In einem weiteren Schritt wird der
Hilfsträger entfernt. Ferner wird in einem weiteren Schritt zur Erzeugung von einzelnen Halbleiterbauelementen durch den Formkörper durchtrennt.
Das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung eines
oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements beruht dabei unter anderem auf der Erkenntnis, dass eine Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements mit einem hohen Fertigungsaufwand verbunden sein kann. Um
oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente zu fertigen, welche beispielsweise gegen äußere mechanische Einwirkungen stabil sind, kann als ein stabilisierendes Element des
Halbleiterbauelements ein Träger bereitgestellt werden, auf dem dann weitere Komponenten des Halbleiterbauelements aufgebracht sind. Allerdings führt dies den Nachteil mit sich, dass beispielsweise die Bereitstellung und Vorfertigung eines solchen mechanisch stabilen Trägers oft mit hohem
Aufwand verbunden ist. Dies kann zu einem Fertigungsverfahren führen, welches zu hohen Kosten und zu einem hohen
Zeitaufwand in der Fertigung des Halbleiterbauelements führt. Um nun ein Verfahren zur Herstellung eines
oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements anzubieten, welches kostengünstig und zeitsparend ist, macht das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung eines
oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements unter anderem von der Idee Gebrauch, zunächst einen Hilfsträger
bereitzustellen, der mit einem Kunststoffmaterial gebildet ist und vor oder nach dem Durchtrennen leicht entfernt werden kann . Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Hilfsträger eine Dicke von 50 ym bis 200 ym auf. "Dicke" bedeutet hierbei eine maximale Ausdehnung des Hilfsträgers in vertikaler
Richtung, wobei die vertikale Richtung eine Richtung
senkrecht zur lateralen Richtung ist. Ein derartiger
Dickenbereich für den Hilfsträger erweist sich als ganz besonders vorteilhaft, da der Hilfsträger nach dem Umhüllen des Formkörpers besonders einfach wieder entfernt werden kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Einlegeteil ein Reflektor, der vorgesehen ist, von dem optoelektronischen Bauteil im Betrieb erzeugte, auf ihn auftreffende
elektromagnetische Strahlung zu reflektieren, wobei der
Reflektor das optoelektronische Bauteil in lateraler Richtung zumindest stellenweise umrandet. Von dem optoelektronischen Bauteil emittierte elektromagnetische Strahlung kann dann auf den Reflektor treffen und von dem Reflektor in Richtung weg von dem optoelektronischen Bauteil reflektiert werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist oder weist das Einlegeteil eine Anschlussstelle für das optoelektronische Bauteil auf. Das Einlegeteil kann zur elektrischen
Kontaktierung des optoelektronischen Bauteils innerhalb des späteren Halbleiterbauelements dienen. Die Anschlussstelle befindet sich bevorzugt zumindest teilweise im Formkörper. Bevorzugt ist dann die Anschlussstelle beziehungsweise das Einlegeteil von außen zugänglich, elektrisch kontaktierbar und schließt mit einer Außenfläche des Formkörpers bündig ab.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Umhüllen zwischen dem Hilfsträger und dem
optoelektronischen Bauteil auf der Montagefläche des Hilfsträgers ein Trägerelement angeordnet, das eine weitere elektrische Anschlussstelle für das optoelektronische Bauteil ist oder aufweist. Bei dem Trägerelement kann es sich um einen metallischen Trägerstreifen (auch Leadframe) handeln. Zum Beispiel ist der Trägerstreifen dann mit zumindest einem streifenförmigen Metallstreifen gebildet, der als die weitere elektrische Anschlussstelle dient.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden das elektronische Bauteil, das Einlegeteil und das
Trägerelement mit dem gemeinsamen Formkörper umhüllt, wobei der Formkörper das elektronische Bauteil, das Einlegeteil und das Trägerelement zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt. Das Trägerelement befindet sich bevorzugt zumindest teilweise im Formkörper. Bevorzugt ist das Trägerelement von außen zugänglich und elektrisch kontaktierbar .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens stehen das Einlegeteil und das Trägerelement nicht in direktem
Kontakt miteinander, wobei das Einlegeteil und das
Trägerelement durch den Formkörper mechanisch miteinander verbunden werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Trägerelement eine maximale Dicke von 250 ym auf. Zum Beispiel ist das
Trägerelement mittels eines Ätzprozesses vorstrukturiert. Das Trägerelement kann dann in vertikaler Richtung "gedünnte" Stellen aufweisen. Vorteilhaft können mittels des Verfahrens beliebig vorstrukturierte Trägerelemente mit dem gemeinsamen Formkörper umhüllt werden. Insofern ist der
Herstellungsprozess besonders variabel, da der Formkörper statt des Trägerelements die mechanische Stabilität des späteren Halbleiterbauelements gewährleistet. Dadurch kann eine Einschränkung in der Auswahl des Trägerelements
beispielsweise im Hinblick auf die Dicke des Trägerelements vermieden werden, da an das Trägerelement in Bezug auf beispielsweise selbsttragende und/oder mechanische
Eigenschaften geringere Anforderungen gestellt werden können.
Es wird darüber hinaus ein oberflächenmontierbares
Halbleiterbauelement angegeben. Beispielsweise kann das oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement mittels des
Verfahrens hergestellt werden, wie es in Verbindung mit einem oder mehreren der oben genannten Ausführungsformen
beschrieben ist. Das heißt, die für das hier beschriebene Verfahren aufgeführten Merkmale sind auch für ein hier beschriebene oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement zumindest ein optoelektronisches Bauteil mit einer
Strahlungsdurchtrittsfläche . Die Strahlungsdurchtrittsfläche kann dabei die Fläche sein, durch welche das
optoelektronische Bauteil elektromagnetische Strahlung emittiert und/oder empfängt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement zumindest einen Reflektor, der vorgesehen ist, von dem optoelektronischen Bauteil im Betrieb erzeugte auf ihn auftreffende
elektromagnetische Strahlung zu reflektieren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements umfasst dieses einen strahlungsdurchlässigen Formkörper, der mit dem optoelektronischen Bauteil und dem Reflektor zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement eine
Auflagefläche, die zumindest stellenweise durch eine
Oberfläche des Formkörpers gebildet ist. Die Auflagefläche des Halbleiterbauelements bezeichnet dabei jene Fläche des Halbleiterbauelements, die einem Träger - beispielsweise einer Leiterplatte -, auf die das Halbleiterbauelement montiert ist, zugewandt ist. Die Auflagefläche kann dabei eine tragende Fläche sein, mit der das Halbleiterbauelement auf dem Träger aufliegt. Dazu kann die Auflagefläche
zumindest stellenweise mit dem Träger in mechanischem Kontakt stehen. Weiter ist es möglich, dass sich die Auflagefläche mit einem Anschlussmaterial - beispielsweise einem Lot -, über das das oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement elektrisch kontaktiert ist, in Kontakt befindet. Das heißt, das Anschlussmaterial benetzt dann Teile der Auflagefläche und damit Teile des Formkörpers.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements stehen das optoelektronische Bauteil und der Reflektor nicht in direktem Kontakt miteinander und sind durch den Formkörper mechanisch miteinander verbunden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements umrandet der Reflektor das optoelektronische Bauteil zumindest
stellenweise in lateraler Richtung. "Laterale Richtung" bedeutet in diesem Zusammenhang eine Richtung parallel zur Haupterstreckungsrichtung des Halbleiterbauelements. Zum Beispiel umrandet der Reflektor das optoelektronische Bauteil in lateraler Richtung vollständig. Denkbar ist, dass der Reflektor in einer Draufsicht kreisförmig, oval, ellipsoid oder rechteckig ist. Ferner kann der Reflektor aus einem oder mehreren voneinander getrennten Teilen bestehen. Zum Beispiel ist dann der Reflektor eine Anschlussstelle für das
optoelektronische Bauteil. Vorzugsweise ist der Reflektor an der Auflagefläche des oberflächenmontierbaren
Halbleiterbauelements von außen zugänglich. Das heißt, dass die Auflagefläche zumindest stellenweise durch den Reflektor gebildet sein kann, sodass das oberflächenmontierbare
Halbleiterbauelement über die Auflagefläche elektrisch kontaktierbar ist. Dem hier beschriebenen oberflächenmontierbaren
Halbleiterbauelement liegt unter anderen die Erkenntnis zugrunde, dass oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente zum Beispiel durch die Ausgestaltung eines Trägers,
beispielsweise eines Leadframes, wenig kompakt und
platzsparend sind. Um eine mechanische Stabilität des
Halbleiterbauelements zu gewährleisten, soll oftmals ein derartiger Träger beispielsweise eine bestimmte mechanische Stabilität und/oder Dicke aufweisen. Auf einem solchen Träger aufgebrachte Bauteile sind dann über den Träger mechanisch stabil miteinander verbunden. Dies kann jedoch zu einem
Halbleiterbauelement führen, welches aufgrund der speziellen Anforderungen an einen solchen Träger in seiner
Gestaltungsfreiheit eingeschränkt ist. Ferner kann ein solcher Träger zu einem Halbleiterbauelement führen, welches nur wenig kompakt und wenig platzsparend ist. Zudem kann ein derartiges Halbleiterbauelement beispielsweise in einem späteren Montageprozess nur schwer zu handhaben sein. Um nun ein oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement anzugeben, welches kompakt und platzsparend ist, macht das hier beschriebene oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement unter anderem von der Idee Gebrauch, ein optoelektronisches Bauteil und einen Reflektor mit einem Formkörper zumindest stellenweise in direktem Kontakt zu bringen. Der Formkörper verbindet dann das optoelektronische Bauteil und den
Reflektor mechanisch miteinander. Mit anderen Worten
übernimmt ein derartiger Formkörper die mechanische
Stabilisierung des oberflächenmontierbaren
Halbleiterbauelements. Vorteilhaft kann so auf einen oftmals dicken Träger verzichtet werden, wodurch das Bauteil
besonders kompakt ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement zumindest ein Einlegeteil .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst dieses einen reflektierenden Formkörper, der mit dem optoelektronischen Bauteil an
Seitenflächen und dem Einlegeteil zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist. "Reflektierend" heißt in diesem
Zusammenhang, dass der Formkörper für auf ihn auftreffende elektromagnetische Strahlung zumindest zu 80 %, bevorzugt zu mehr als 90 %, reflektierend ist. Beispielsweise verlaufen die Seitenflächen des optoelektronischen Bauteils in einer vertikalen Richtung, also senkrecht, zur lateralen Richtung des oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements. Mit anderen Worten begrenzen also die Seitenflächen des
optoelektronischen Bauteils das optoelektronische Bauteil seitlich. "Zumindest stellenweise" kann dabei bedeuten, dass der reflektierende Formkörper die Seitenflächen des optoelektronischen Bauteils nur bis zu einer gewissen Höhe formschlüssig umhüllt und mit den Seitenflächen in direktem Kontakt ist. Dadurch ist es möglich, dass das
optoelektronische Bauteil selbst an seinen Seitenflächen durch den reflektierenden Formkörper teilweise oder
vollständig verdeckt ist. Es sind also die Seitenflächen des optoelektronischen Bauteils vollständig oder bis zu einer vorgebbaren Höhe von dem reflektierenden Formkörper bedeckt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des
oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements stehen das optoelektronische Bauteil und das Einlegeteil nicht in direktem Kontakt miteinander und sind durch den Formkörper mechanisch miteinander verbunden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die
Strahlungsdurchtrittsfläche des optoelektronischen Bauteils frei von dem Formkörper. "Frei" heißt, dass die
Strahlungsdurchtrittsfläche weder von dem reflektierenden Formkörper bedeckt ist noch der reflektierende Formkörper beispielsweise entlang eines Strahlungsaustrittswegs des optoelektronischen Bauteils dem optoelektronischen Bauteil nachgeordnet ist. Die Strahlung kann daher ungehindert aus dem optoelektronischen Bauteil austreten oder durch die
Strahlungsdurchtrittsfläche hindurch in das optoelektronische Bauteil eintreten und von diesem zum Beispiel detektiert werden. Es ist höchstens möglich, dass herstellungsbedingt sich noch Materialreste des reflektierenden Formkörpers auf der Strahlungsdurchtrittsfläche befinden, die die
Strahlungsdurchtrittsfläche jedoch höchstens zu 10 %, bevorzugt zu höchstens 5 %, bedecken. Gemäß zumindest einer Ausführungsform besteht der Formkörper aus einem Epoxid oder enthält zumindest ein Epoxid, wobei in das Epoxid Licht reflektierende Partikel eingebracht sind. Epoxide haben den Vorteil, zu einem besonders mechanisch festen und stabilen Formkörper auszuhärten. Mit anderen
Worten weist ein mit einem Epoxid gebildeter Formkörper eine verbesserte mechanische Stabilität auf. Der mit dem Epoxid gebildete reflektierende Formkörper kann dann überwiegend die mechanische Stabilisierung des Halbleiterbauelements
gewährleisten.
Bei den Licht reflektierenden Partikeln kann es sich um
Partikel handeln, die elektromagnetische Strahlung
reflektieren können. Ferner wird durch die reflektierenden Partikel möglichst viel der elektromagnetischen Strahlung reflektiert, sodass eine Strahlungsschädigung des
reflektierenden Formkörpers vermieden wird. Mit anderen
Worten können die reflektierenden Partikel im reflektierenden Formkörper den Nachteil einer im Vergleich zu beispielsweise einem Silikon geringeren Strahlungsstabilität, beispielsweise im Hinblick auf UV-Strahlung, des Epoxids kompensieren.
Beispielsweise handelt es sich bei den Licht reflektierenden Partikeln um Partikel, die aus zumindest einem der
Materialien 1O2, BaSOzi, ^n<^ oder AI2O3 bestehen oder eines der genannten Materialien enthalten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Formkörper mit einem Silikon oder einem Epoxid gebildet, in das
Strahlungsabsorbierende Partikel eingebracht. Beispielsweise handelt es sich bei den Strahlungsabsorbierenden Partikeln um Rußpartikel. Für einen externen Betrachter kann dann der Formkörper schwarz oder farbig erscheinen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform besteht der Formkörper aus einem Silikon oder enthält zumindest ein Silikon. In das Silikon können Strahlungsreflektierende Partikel der oben beschriebenen Art eingebracht sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens enthält der Formkörper Licht streuende Partikel. Bei den Licht streuenden Partikeln kann es sich um Diffusorpartikel
handeln, die geeignet sind, beispielsweise vom elektronischen Bauteil zu emittierende oder zu empfangende Strahlung zu streuen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens enthält der Formkörper Licht absorbierende Partikel. Zum Beispiel sind solche Licht absorbierenden Partikel geeignet,
elektromagnetische Strahlung eines bestimmten
Wellenlängenbereichs zu absorbieren. Beispielsweise können solche Partikel im Halbleiterbauelement als Filter eingesetzt werden. Handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauteil beispielsweise um einen Detektor, ist auf diese Weise ein Detektor realisiert, der in einem bestimmten
Wellenlängenbereich eine besonders große Empfindlichkeit aufweist . Gemäß zumindest einer Ausführungsform enthält der Formkörper zumindest ein Lumineszenzkonversionsmaterial. Das
Lumineszenzkonversionsmaterial ist bevorzugt geeignet, zumindest einen Teil einer von dem optoelektronischen Bauteil im Betrieb emittierte und/oder vom optoelektronischen Bauteil zu empfangende elektromagnetische Strahlung eines ersten
Wellenlängenbereichs zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung zu emittieren, die aus einem zweiten Wellenlängenbereich stammt und vom ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt der Formkörper das optoelektronische Bauteil seitlich nicht. Denkbar ist, dass der reflektierende Formkörper in vertikaler Richtung bündig mit der Strahlungsdurchtrittsfläche des
optoelektronischen Bauteils abschließt. Der reflektierende Formkörper umhüllt dann die Seitenflächen des
optoelektronischen Bauteils zum Beispiel vollständig, wodurch der von dem reflektierenden Formkörper zum Beispiel in das optoelektronische Bauteil zurückreflektierte Strahlungsanteil möglichst groß ist. Zum Beispiel kann die von dem
optoelektronischen Bauteil erzeugte elektromagnetische
Strahlung, bis auf eventuelle Absorptionseffekte des
reflektierenden Formkörpers, nur an den in dafür vorgesehenen Stellen, das heißt ausschließlich durch die
Strahlungsdurchtrittsfläche hindurch, das
Halbleiterbauelement verlassen. Daher trägt der
reflektierende Formkörper zu einer besonders effektiven
Erhöhung der Strahlungsauskoppeleffizienz des
Halbleiterbauelements bei.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zumindest
stellenweise auf die Strahlungsdurchtrittsfläche des
optoelektronischen Bauteils und freiliegende Stellen des Formkörpers ein weiterer strahlungsdurchlässiger Formkörper aufgebracht. Zum Beispiel besteht der weitere
strahlungsdurchlässige Formkörper aus einem Silikon, einem Epoxid oder einer Mischung aus Silikon und Epoxid oder enthält zumindest eines der genannten Materialien. Ebenso kann der weitere strahlungsdurchlässige Formkörper Licht streuende oder reflektierende Partikel, Licht
absorbierende Partikel und/oder zumindest ein
Lumineszenzkonversionsmaterial aufweisen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine
Strahlungsauskoppelfläche des weiteren Formkörpers zumindest stellenweise linsenförmig ausgeformt. Die
Strahlungsauskoppelfläche kann durch eine dem
optoelektronischen Bauteil abgewandte Außenfläche des weiteren Formkörpers zumindest stellenweise gebildet sein. Vorteilhaft erhöht eine derartige linsenförmige Ausformung der Strahlungsauskoppelfläche die
Strahlungsauskoppeleffizienz des Halbleiterbauelements.
Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren zur
Herstellung eines oberflächenmontierbaren
Halbleiterbauelements sowie das hier beschriebene
oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement anhand von
Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert .
Die Figuren 1A bis IG, 2A und 2B zeigen in schematischen
Ansichten einzelne Fertigungsschritte zur Herstellung zweier Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen oberflächenmontierbaren
Halbleiterbauelements .
Die Figuren 3A bis 3B zeigen in schematischen Seitenansichten zwei Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements . In den Ausführungsbeispielen und den Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne
Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß
dargestellt sein.
In der Figur 1A ist anhand einer schematischen Seitenansicht zunächst dargestellt, wie auf eine Montagefläche 11 eines Hilfsträgers 1 ein Trägerelement 2 aufgebracht ist. Der
Hilfsträger 1 ist mit einem Kunststoffmaterial , wie zum
Beispiel Silikon, einem Polyimid, einem Acryl, oder einem strahlungsaktiven Film, gebildet. Mit anderen Worten handelt es sich bei dem Hilfsträger 1 um eine Kunststofffolie . Das Trägerelement 2 weist eine maximale Dicke D von 250 ym auf. Beispielsweise ist das Trägerelement 2 mit Kupfer gebildet. Auf eine Montagefläche 22 des Trägerelements 2 ist ein optoelektronisches Bauteil 3 aufgebracht, welches eine
Strahlungsdurchtrittsfläche 32 aufweist. Die
Strahlungsdurchtrittsfläche 32 ist eine dem Hilfsträger 1 abgewandte Außenfläche des optoelektronischen Bauteils 3. Zum Beispiel handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauteil 3 um einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip. Ebenso ist denkbar, dass es sich bei dem elektronischen Bauteil 3 um ein Strahlungsempfangendes Bauteil, beispielsweise einen
Fotodetektor, handelt. Der Hilfsträger 1, das Trägerelement 2 und das optoelektronische Bauteil 3 bilden zusammen einen Verbund 100A. Die Figur 1B zeigt in einer schematischen Draufsicht den
Verbund 100A. Erkennbar ist, dass der Hilfsträger 1 und das Trägerelement 2 in einer vertikalen Richtung V nicht
vollständig deckgleich miteinander sind. Das heißt, dass die Montagefläche 11 zumindest stellenweise frei von dem
Trägerelement 2 ist.
In der Figur IC ist in einer schematischen Schnittdarstellung dargestellt, wie ein Einlegeteil 4, im vorliegenden
Ausführungsbeispiel ein Reflektor 41, auf die Montagefläche 11 des Hilfsträgers 1 aufgebracht ist. Der Reflektor 41 und das Trägerelement 2 stehen nicht in direktem Kontakt
miteinander und berühren sich damit nicht. Ferner umrandet der Reflektor 41 das optoelektronische Bauteil 3 in lateraler Richtung L vollständig. Mittels einer Bonddrahtkontaktierung 31 ist das optoelektronische Bauteil 3 mit dem Reflektor 41 elektrisch kontaktiert (verdeckt dargestellt) . Ferner ist in der Figur IC dargestellt, wie das optoelektronische Bauteil 3, der Reflektor 41 sowie das Trägerelement 2 mit einem gemeinsamen strahlungsdurchlässigen Formkörper 5 umhüllt sind. Der Formkörper 5 bedeckt alle freiliegenden Stellen des optoelektronischen Bauteils 3, des Reflektors 41 und des Trägerelements 2 formschlüssig und vollständig. Der
Formkörper 5 verbindet das optoelektronische Bauteil 3, den Reflektor 41 sowie das Trägerelement 2 mechanisch
miteinander. Mit anderen Worten ist in der Figur IC ein
Verbund 10 OB bestehend aus dem Verbund 100A und dem
Formkörper 5 gezeigt. In einem anschließenden Schritt kann dann der Hilfsträger 1 von dem Formkörper 5 und dem
Trägerelement 2 entfernt werden. Schließlich können
oberflächenmontierbare Halbleiterbauelemente 100 durch
Durchtrennen des Formkörpers 5 entlang der Trennungslinien S erzeugt werden.
Umfasst der Verbund 100A beispielsweise mehrere
optoelektronische Bauteile 3, so ist denkbar, dass jedes optoelektronische Bauteil 3 von einem ihm eindeutig zugeordneten Reflektor 41 zum Beispiel vollständig umrandet wird. Die optoelektronischen Bauteile 3 und der Reflektor 41 können dann in lateraler Richtung L jeweils paarweise
nebeneinander angeordnet sein. Zum Beispiel wird dann in vertikaler Richtung V zwischen jedem Reflektor 41 durch den Formkörper 5 und/oder dem Trägerelement 2 durchtrennt.
In der Figur 1D ist eine schematische Draufsicht des in der Figur IC dargestellten Verbunds 100B gezeigt, wobei aus
Vereinfachungsgründen auf die Darstellung des Formkörpers 5 verzichtet ist. Erkennbar ist, dass der Reflektor 41 das optoelektronische Bauteil 3 vollständig in lateraler Richtung L umrandet. Der Reflektor 41 ist vorliegend kreisförmig ausgebildet und weist einen Bonddrahtanschlussbereich 42 auf. Mit anderen Worten ist der Reflektor 41 eine Anschlussstelle AI für das optoelektronische Bauteil 3.
Die Figuren IE bis IG zeigen entlang der in der Figur 1D dargestellten Schnittlinien A-A, B-B, C-C schematische seitliche Schnittdarstellungen des Verbunds 100B.
In der Figur IE ist in einer seitlichen Ansicht entlang der Schnittlinie B-B wiederum erkennbar, dass der Reflektor 41 in direktem Kontakt mit der Montagefläche 11 des Hilfsträgers 1 steht.
Ferner ist in der Figur 1F in einer seitlichen Ansicht entlang der Schnittlinie A-A dargestellt, dass in Bereichen des Verbunds 100B, in denen in vertikaler Richtung V der Reflektor 41 mit dem Trägerelement 2 überlappt, der Reflektor 41 von dem Trägerelement 2 beabstandet angeordnet ist. Das heißt, der Reflektor 41 und das optoelektronische Bauteil 3 berühren sich an keinem Punkt miteinander und sind daher elektrisch voneinander isoliert angeordnet. Das Trägerelement 2 kann dann einen weiteren elektrischen Anschluss A2 für das elektronische Bauteil 3 bilden. In der Figur IG ist in einer seitlichen Ansicht entlang der Schnittlinie C-C gezeigt, wie die Bonddrahtkontaktierung 31 an den Bonddrahtanschlussbereich 42 des Reflektors 41 angebracht ist. Die Figuren 2A und 2B zeigen in schematischen Ansichten
Fertigungsschritte eines weiteren Ausführungsbeispiels des hier beschriebenen Verfahrens zur Herstellung des
oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements 100. Erkennbar ist, dass das optoelektronische Bauteil 3 an
Seitenflächen 33 teilweise von dem Formkörper 5 formschlüssig umhüllt ist, wobei vorliegend der Formkörper 5 reflektierend ist. Der Formkörper 5 ist mit einem Epoxid oder einem Silikon gebildet, in das Licht reflektierende Partikel eingebracht sind. Beispielsweise handelt es sich bei den Licht
reflektierenden Partikeln um Partikel, die aus zumindest einem der Materialien 1O2, BaSOzi, ^n<^ oder AI2O3 bestehen oder eines der genannten Materialien enthalten. Weiter ist die Strahlungsdurchtrittsfläche 32 frei von dem reflektierenden Formkörper 5. Ferner ist auf die
Montagefläche 11 des Hilfsträgers 1 ein Einlegeteil 4
aufgebracht, welches den ersten elektrischen Anschluss AI für das optoelektronische Bauteil 3 bildet. Mittels der
Bonddrahtkontaktierung 31 ist das optoelektronische Bauteil 3 mit dem Einlegeteil 4 elektrisch kontaktiert. Zum Beispiel ist das Einlegeteil 4 mit einem Kupfer gebildet oder mit Kupfer beschichtet. Ferner ist auf einer dem Hilfsträger 1 abgewandten Außenfläche des optoelektronischen Bauteils 3 zwischen dem optoelektronischen Bauteil 3 und dem Hilfsträger 1 eine elektrische Kontaktschicht 34 aufgebracht, welche den weiteren elektrischen Anschluss A2 für das optoelektronische Bauteil 3 bildet. Das Einlegeteil 4 ist vollständig und formschlüssig an freiliegenden Stellen von dem
reflektierenden Formkörper 5 bedeckt. Auf die
Strahlungsdurchtrittsfläche 32 des optoelektronischen
Bauteils 3 und freiliegende Stellen des reflektierenden
Formkörpers 5 ist ein weiterer strahlungsdurchlässiger
Formkörper 6 aufgebracht, wobei eine
Strahlungsauskoppelfläche 61 des weiteren
strahlungsdurchlässigen Formkörpers 6 linsenförmig
ausgebildet ist. Der Hilfsträger 1, das optoelektronische Bauteil 3, das Einlegeteil 4 sowie die beiden Formkörper 5 und 6 bilden einen Verbund 100C.
Nach dem Entfernen des Hilfsträgers 1 kann dann mittels Durchtrennen der Formkörper 5 und 6 das oberflächemontierbare Halbleiterbauelement 100 erzeugt werden.
In der Figur 2B ist der in der Figur 2A dargestellte Verbund 100C in einer Draufsicht dargestellt. Erkennbar ist, dass die Bonddrahtkontaktierung 31 das optoelektronische Bauteil 3 und das Einlegeteil 4 elektrisch miteinander verbindet. Ferner ist erkennbar, dass das Einlegeteil 4 aus zwei separaten und voneinander in lateraler Richtung L beabstandet angeordneten Bauteilen 45 und 46 gebildet ist, die jeweils "U"-förmig ausgebildet sind. Die beiden Bauteile 45, 46 sind zueinander derart angeordnet, dass sie eine Kavität 47 ausbilden, die in lateraler Richtung L durch die Bauteile 45 und 46 sowie in vertikaler Richtung V durch die Montagefläche 11 sowie durch eine der Montagefläche 11 gegenüberliegenden Öffnung begrenzt ist. Innerhalb der Kavität 47 ist das optoelektronische
Bauteil 3 auf der Montagefläche 11 des Hilfsträgers 1
angeordnet. Eine derartige Kavität 47 kann, wie in der Figur 2B dargestellt, Öffnungen 48 aufweisen, von denen aus die Kavität 47 von außen einsehbar und/oder geöffnet ist. Ebenso ist denkbar, dass das Einlegeteil 4 das optoelektronische Bauteil 3 vollständig in lateraler Richtung L umrandet und dann mit einem einzigen, zusammenhängenden Bauteil gebildet ist .
Die Figuren 3A und 3B zeigen in schematischen Seitenansichten Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen
oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements 100. Das in der Figur 3A dargestellte oberflächenmontierbare
Halbleiterbauelement 100 weist eine Auflagefläche 101 auf. Die Auflagefläche 101 ist durch den Reflektor 41, das
Trägerelement 2 sowie den strahlungsdurchlässigen Formkörper 5 gebildet. Mit anderen Worten ist das oberflächenmontierbare Halbleiterbauelement 100 von außen über die Auflagefläche 101 elektrisch kontaktierbar . Zum Beispiel ist das
oberflächemontierbare Halbleiterbauelement 100 durch das in Zusammenhang mit den Figuren 1A bis IG beschriebene Verfahren hergestellt .
Bei dem in der Figur 3B dargestellten Ausführungsbeispiel ist auf das Trägerelement 2 verzichtet, wobei auf die der
Strahlungsdurchtrittsfläche 32 abgewandte Außenfläche des optoelektronischen Bauteils 3 die elektrische Kontaktschicht 34 aufgebracht ist. Das heißt, dass in diesem Fall die
Auflagefläche 101 statt durch das Trägerelement 2
stellenweise durch die elektrische Kontaktschicht 34 gebildet ist, wobei vorliegend die Kontaktschicht 34 den weiteren elektrischen Anschluss A2 für das optoelektronische Bauteil 3 bildet. Zum Beispiel ist das oberflächemontierbare
Halbleiterbauelement 100 durch das in Zusammenhang mit den Figuren 2A bis 2B beschriebene Verfahren hergestellt.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet. Dies gilt auch, wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102010025319.7, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements (100) mit zumindest den folgenden Schritten:
- Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), der mit einem
Kunststoffmaterial gebildet ist;
- Aufbringen zumindest eines Einlegeteils (4) und zumindest eines optoelektronischen Bauteils (3) auf eine Montagefläche (11) des Hilfsträgers (1);
- Umhüllen des optoelektronischen Bauteils (3) und des
Einlegeteils (4) mit einem gemeinsamen Formkörper (5), wobei
- der Formkörper (5) das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) zumindest stellenweise formschlüssig bedeckt,
- das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) nicht in direktem Kontakt miteinander stehen, und
- das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) durch den Formkörper (5) mechanisch miteinander verbunden werden;
- Entfernen des Hilfsträgers (1);
- Erzeugen von einzelnen oberflächenmontierbaren
Halbleiterbauelementen (100) mittels Durchtrennen des
Formkörpers (5) .
2. Verfahren nach Anspruch 1,
bei dem der Hilfsträger (1) eine Dicke von 50 ym bis 200 ym aufweist .
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
bei dem das Einlegeteil (4) ein Reflektor (41) ist, der vorgesehen ist, von dem optoelektronischen Bauteil (3) im Betrieb erzeugte, auf ihn auftreffende elektromagnetische Strahlung, zu reflektieren, wobei der Reflektor (41) das optoelektronische Bauteil (3) in lateraler Richtung zumindest stellenweise umrandet.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Einlegeteil (4) eine Anschlussstelle (AI) für das optoelektronische Bauteil (3) ist oder aufweist.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem vor dem Umhüllen zwischen dem Hilfsträger (1) und dem optoelektronischen Bauteil (3) auf der Montagefläche (11) des Hilfsträgers (1) ein Trägerelement (2) angeordnet wird, das eine weitere elektrische Anschlussstelle (A2) für das
optoelektronische Bauteil (3) ist oder aufweist.
6. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei dem das optoelektronische Bauteil (3) , das Einlegeteil
(4) und das Trägerelement (2) mit dem gemeinsamen Formkörper
(5) umhüllt werden, wobei
- der Formkörper (5) das optoelektronische Bauteil (3) , das Einlegeteil (4) und das Trägerelement (2) zumindest
stellenweise formschlüssig bedeckt,
- das Einlegeteil (4) und das Trägerelement (2) nicht in direktem Kontakt miteinander stehen, und
- das Einlegeteil (4) und das Trägerelement (2) durch den Formkörper (5) mechanisch miteinander verbunden werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6,
bei dem das Trägerelement (2) eine maximale Dicke (D) von 250 ym aufweist.
8. Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement (100) umfassend : - zumindest ein optoelektronisches Bauteil (3) mit einer Strahlungsdurchtrittsflache (32) ;
- zumindest einen Reflektor (41), der vorgesehen ist, von dem optoelektronischen Bauteil (3) im Betrieb erzeugte auf ihn auftreffende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren;
- einem strahlungsdurchlässigen Formkörper (5) , der mit dem optoelektronischen Bauteil (3) und dem Reflektor (41) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist;
- eine Auflagefläche (101), die zumindest stellenweise durch eine Oberfläche des Formkörpers (5) gebildet ist, wobei
- das optoelektronische Bauteil (3) und der Reflektor (41) nicht in direktem Kontakt miteinander stehen und durch den Formkörper (5) mechanisch miteinander verbunden sind, und
- der Reflektor (41) das optoelektronische Bauteil (3) zumindest stellenweise in lateraler Richtung umrandet.
9. Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement (100) umfassend :
- zumindest ein optoelektronisches Bauteil (3) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (32);
- zumindest ein Einlegeteil (4);
- einem reflektierenden Formkörper (5) , der mit dem
optoelektronischen Bauteil (3) an Seitenflächen (33) und dem Einlegeteil (4) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist;
- eine Auflagefläche (101), die zumindest stellenweise durch eine Oberfläche des Formkörpers (5) gebildet ist, wobei
- das optoelektronische Bauteil (3) und das Einlegeteil (4) nicht in direktem Kontakt miteinander stehen und durch den Formkörper (5) mechanisch miteinander verbunden sind, und
- die Strahlungsdurchtrittsfläche (32) des optoelektronischen Bauteils (3) frei von dem Formkörper (5) ist.
10. Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement (100) nach einem der Ansprüche 8 bis 9,
bei dem der Formkörper (5) aus einem Epoxid besteht oder zumindest ein Epoxid enthält, wobei in das Epoxid Licht reflektierende Partikel eingebracht sind.
11. Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement (100) nach einem der Ansprüche 8 bis 10,
bei dem der Formkörper (5) das optoelektronische Bauteil (3) seitlich nicht überragt.
12. Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement (100) nach einem der Ansprüche 8 bis 11,
bei dem zumindest stellenweise auf die
Strahlungsdurchtrittsfläche (32) des optoelektronischen
Bauteils (3) und freiliegende Stellen des Formkörpers (5) ein weiterer strahlungsdurchlässiger Formkörper (6) aufgebracht ist .
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013100711A1 (de) 2013-01-24 2014-07-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
US9318357B2 (en) 2012-10-17 2016-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor components

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101186648B1 (ko) * 2009-12-21 2012-09-28 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그의 제조 방법
JP5989388B2 (ja) * 2012-04-19 2016-09-07 新光電気工業株式会社 パッケージ及びパッケージの製造方法
DE102012211220A1 (de) * 2012-06-28 2014-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen von elektrischen Bauteilen
DE102013202551A1 (de) 2013-02-18 2014-08-21 Heraeus Materials Technologies GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer Kavität
WO2015036887A1 (en) * 2013-09-13 2015-03-19 Koninklijke Philips N.V. Frame based package for flip-chip led
DE102013220960A1 (de) * 2013-10-16 2015-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102013112886A1 (de) * 2013-11-21 2015-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
CN105280780A (zh) * 2014-07-10 2016-01-27 邱罗利士公司 封装结构及其制法与承载件
DE102014112818A1 (de) * 2014-09-05 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102014116370A1 (de) 2014-11-10 2016-05-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Trägers und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
KR20160112116A (ko) * 2015-03-18 2016-09-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자 어레이와 이를 포함하는 조명시스템
WO2016161161A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Cree, Inc. Light emitting diodes and methods with encapsulation
US12364074B2 (en) 2015-03-31 2025-07-15 Creeled, Inc. Light emitting diodes and methods
DE102015107660A1 (de) * 2015-05-15 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
DE102015112042B4 (de) * 2015-07-23 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Leuchtvorrichtung
JP2017157683A (ja) * 2016-03-02 2017-09-07 ローム株式会社 Ｌｅｄ発光装置およびその製造方法
JP6983041B2 (ja) * 2017-11-16 2021-12-17 スタンレー電気株式会社 半導体受光装置及びその製造方法
US20190267525A1 (en) 2018-02-26 2019-08-29 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor Light Emitting Devices And Method Of Manufacturing The Same
JP7305909B2 (ja) * 2019-08-07 2023-07-11 ローム株式会社 半導体発光装置
DE102021132559A1 (de) 2021-12-09 2023-06-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement, optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung eines bauelements

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611066A (ja) * 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd プリント基板に装着されたｌｅｄチツプのモ−ルド方法
EP0364806A2 (de) * 1988-10-21 1990-04-25 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Flächenhafter Strahler
WO2004004017A2 (de) * 2002-06-26 2004-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare lumineszenz- und/oder photo-diode und verfahren zu deren herstellung
US20040180459A1 (en) * 2002-06-26 2004-09-16 Cotco Holding Limited LED package and the process making the same
JP2005026401A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
US20050045903A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-03 Tomoaki Abe Surface-mounted light-emitting diode and method
DE102005041064A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070205425A1 (en) * 2005-09-08 2007-09-06 Mitsunori Harada Semiconductor light-emitting device
DE102008010512A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
US20090273000A1 (en) * 2008-05-01 2009-11-05 Nec Lighting, Ltd. Light emitting device and method of manufacturing same
EP2161765A2 (de) * 2008-09-09 2010-03-10 Nichia Corporation Optisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3627592B2 (ja) 1999-10-08 2005-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE10041328B4 (de) 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
DE10122002A1 (de) 2001-05-07 2002-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement
CN100338786C (zh) * 2002-06-19 2007-09-19 三垦电气株式会社 半导体发光装置及其制法和半导体发光装置用反射器
JP4572892B2 (ja) * 2002-06-19 2010-11-04 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
DE102004021233A1 (de) 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
WO2006016398A1 (ja) 2004-08-10 2006-02-16 Renesas Technology Corp. 発光装置および発光装置の製造方法
EP1919002B1 (de) * 2005-08-23 2018-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Lichtemittierende vorrichtung, rückbeleuchtung damit und flüssigkristallanzeige
KR100735310B1 (ko) * 2006-04-21 2007-07-04 삼성전기주식회사 다층 반사 면 구조를 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
DE102006046678A1 (de) 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für ein optoelektronisches Bauelement
JP5102051B2 (ja) 2007-01-18 2012-12-19 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
JP4903179B2 (ja) * 2007-04-23 2012-03-28 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． 発光装置及びその製造方法
DE102007029391A1 (de) * 2007-06-26 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102008011153B4 (de) * 2007-11-27 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterbauelementen
US20090218588A1 (en) 2007-12-06 2009-09-03 Paul Panaccione Chip-scale packaged light-emitting devices
KR20100008620A (ko) * 2008-07-16 2010-01-26 삼성전기주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
DE102009036621B4 (de) 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP5576094B2 (ja) * 2009-11-11 2014-08-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 光デバイスの製造方法及び光デバイス
JP5748769B2 (ja) * 2009-12-21 2015-07-15 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド ストロンチウムオキシオルトシリケート型の蛍光体を有する発光装置
CN102884645B (zh) * 2010-01-29 2015-05-27 西铁城电子株式会社 发光装置的制造方法以及发光装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611066A (ja) * 1984-06-13 1986-01-07 Stanley Electric Co Ltd プリント基板に装着されたｌｅｄチツプのモ−ルド方法
EP0364806A2 (de) * 1988-10-21 1990-04-25 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Flächenhafter Strahler
WO2004004017A2 (de) * 2002-06-26 2004-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare lumineszenz- und/oder photo-diode und verfahren zu deren herstellung
US20040180459A1 (en) * 2002-06-26 2004-09-16 Cotco Holding Limited LED package and the process making the same
JP2005026401A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
US20050045903A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-03 Tomoaki Abe Surface-mounted light-emitting diode and method
DE102005041064A1 (de) * 2005-08-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20070205425A1 (en) * 2005-09-08 2007-09-06 Mitsunori Harada Semiconductor light-emitting device
DE102008010512A1 (de) * 2008-02-22 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
US20090273000A1 (en) * 2008-05-01 2009-11-05 Nec Lighting, Ltd. Light emitting device and method of manufacturing same
EP2161765A2 (de) * 2008-09-09 2010-03-10 Nichia Corporation Optisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9318357B2 (en) 2012-10-17 2016-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor components
DE102013100711A1 (de) 2013-01-24 2014-07-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
JP2016504773A (ja) * 2013-01-24 2016-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 複数のオプトエレクトロニクス部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品
US9755114B2 (en) 2013-01-24 2017-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a plurality of optoelectronic components and optoelectronic component

Also Published As

Publication number Publication date
US20130240935A1 (en) 2013-09-19
JP2013536568A (ja) 2013-09-19
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US8735928B2 (en) 2014-05-27

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