WO2012141908A8 - Dépôt à basse température de films d'oxyde de silicium - Google Patents

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Abstract

La présente invention concerne le dépôt de films d'oxyde de silicium à basse température en utilisant des techniques chimiques par voie humide. La solution chimique par voie humide peut être un mélange d'hypochlorure de sodium (NaOCl), d'hydroxyde de tétra-méthyl-ammonium (TMAH) et de silicate hydraté, tel que de l'acide silicique. Les films d'oxyde de silicium résultants fournissent d'excellents revêtements anti-réfléchissants pour des cellules solaires et analogues.
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