WO2012148231A3 - Faisceau de microdel et procédé de fabrication dudit faisceau - Google Patents

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Abstract

Faisceau de microDEL et procédé de fabrication dudit faisceau, et plus spécifiquement faisceau de microDEL comprenant une première couche conductrice de semi-conducteur, une couche active qui est formée sur la première couche conductrice de semi-conducteur et une pluralité de microDEL ayant un diamètre micrométrique ou nanométrique et comportant une seconde couche conductrice qui est formée sur la couche active, la pluralité de microDEL étant pourvue d'un élément de liaison situé sur les surfaces circonférentielles externes desdites DEL pour former un faisceau. La présente invention concerne également un procédé de fabrication de ladite microDEL comportant les étapes consistant (1) à former séquentiellement sur un substrat la première couche conductrice de semi-conducteur, la couche active et la seconde couche conductrice de semi-conducteur, (2) à former la pluralité de microDEL en attaquant les DEL comportant la première couche conductrice de semi-conducteur, la couche active et la seconde couche conductrice de semi-conducteur de manière que le diamètre des DEL soit de l'ordre micrométrique ou nanométrique, et (3) à former une pluralité de faisceaux par formation de l'élément de liaison sur les surfaces circonférentielles externes de la pluralité de DEL. Selon la présente invention, la microDEL micrométrique ou nanométrique peut être efficacement produite par combinaison d'un procédé descendant et d'un procédé ascendant et l'efficacité de luminescence peut être améliorée par le fait que les défauts de surface sur les microDEL produites sont évités.
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