WO2012148231A3 - 초소형 led 소자 번들 및 그 제조방법 - Google Patents

초소형 led 소자 번들 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 초소형 LED 소자 번들 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제1 도전성 반도체층; 상기 제1 도전성 반도체층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제2 도전성 반도체층을 포함하는 직경이 마이크로 또는 나노 크기의 복수개의 초소형 LED 소자를 포함하며, 상기 복수개의 초소형 LED 소자는 그 외주면에 바인더가 형성되어 하나의 번들(bundle)을 형성하는 초소형 LED 소자 번들 및, 1) 기판 위에 제1 도전성 반도체층, 활성층 및 제2 도전성 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 2) 상기 제1 도전성 반도체층, 활성층 및 제2 도전성 반도체층을 포함하는 LED 소자의 직경이 나노 또는 마이크로 크기를 가지도록 식각함으로써, 복수개의 초소형 LED 소자를 형성하는 단계; 및 3) 상기 복수개의 초소형 LED 소자의 외주면에 바인더를 형성함으로써, 복수개의 번들(bundle)을 형성하는 단계를 포함하는 초소형 LED 소자 번들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 나노 또는 마이크로 사이즈의 초소형 LED 소자를 탑-다운 방식과 바텀-업 방식을 조합하여 효과적으로 생산하고, 생산되는 초소형 LED 소자의 표면결함을 방지하여 발광효율을 개선할 수 있다.
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101672781B1 (ko) * 2014-11-18 2016-11-07 피에스아이 주식회사 수평배열 어셈블리용 초소형 led 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 수평배열 어셈블리
KR101674052B1 (ko) * 2014-11-18 2016-11-09 피에스아이 주식회사 초소형 led 소자를 전극어셈블리에 배치시키는 방법
KR101713818B1 (ko) 2014-11-18 2017-03-10 피에스아이 주식회사 초소형 led 소자를 포함하는 전극어셈블리 및 그 제조방법
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
KR101730977B1 (ko) 2016-01-14 2017-04-28 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
KR102707509B1 (ko) 2016-12-19 2024-09-23 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
CN109564963B (zh) * 2017-01-26 2021-04-16 株式会社Lg化学 微led和包括其的显示装置
KR102448104B1 (ko) * 2018-02-08 2022-09-29 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 그의 제조 방법
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
KR102606922B1 (ko) 2018-07-06 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102557754B1 (ko) * 2018-08-03 2023-07-20 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR102568353B1 (ko) * 2018-08-16 2023-08-18 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR102581666B1 (ko) * 2018-08-24 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
KR102654268B1 (ko) * 2018-10-10 2024-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102590984B1 (ko) * 2018-10-30 2023-10-18 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 구조물 및 발광 소자의 제조방법
KR102651789B1 (ko) * 2018-11-06 2024-03-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 구조물 및 이의 제조방법
KR102626452B1 (ko) 2019-01-15 2024-01-18 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR102736456B1 (ko) * 2019-02-21 2024-12-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 표시 장치
KR102712725B1 (ko) * 2019-07-10 2024-10-02 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치
KR102753978B1 (ko) 2019-07-17 2025-01-13 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치
KR102772257B1 (ko) * 2019-09-11 2025-02-24 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102893169B1 (ko) 2019-12-19 2025-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102902635B1 (ko) 2020-02-04 2025-12-23 삼성전자주식회사 3차원 구조 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR102921478B1 (ko) * 2020-04-29 2026-02-02 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102913145B1 (ko) * 2020-09-04 2026-01-19 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20220056898A (ko) * 2020-10-28 2022-05-09 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20220059847A (ko) 2020-11-03 2022-05-10 삼성전자주식회사 나노 막대 발광 소자 및 그 제조 방법, 및 나노 막대 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치
KR102947899B1 (ko) 2021-01-27 2026-04-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 발광 소자를 포함하는 발광 소자 유닛, 및 표시 장치
KR102532677B1 (ko) * 2021-02-05 2023-05-17 전북대학교산학협력단 초소형 led 소자 정렬 단위체, 이의 제조 방법 및 초소형 led 소자를 포함하는 어레이 모듈 제조 방법
CN114005912B (zh) * 2021-10-29 2023-08-11 嘉兴学院 一种椭圆纳米棒、发光二极管的制备方法及显示装置
KR102628266B1 (ko) * 2021-12-20 2024-01-23 고려대학교 산학협력단 Led 로드 수직 정렬 구조체, 및 led 로드 수직 정렬 방법
KR20230130184A (ko) * 2022-03-02 2023-09-12 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20250019221A (ko) * 2023-07-31 2025-02-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 발광 소자의 제조 방법, 발광 소자를 포함하는 표시 장치, 및 표시 장치의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060097512A (ko) * 2005-03-11 2006-09-14 김성진 질화물 반도체 수직 전극형 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20110014521A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 순천대학교 산학협력단 발광다이오드 및 그 제조방법
JP2011249772A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Lg Innotek Co Ltd 発光素子アレイ、発光素子パッケージ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060097512A (ko) * 2005-03-11 2006-09-14 김성진 질화물 반도체 수직 전극형 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20110014521A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 순천대학교 산학협력단 발광다이오드 및 그 제조방법
JP2011249772A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Lg Innotek Co Ltd 発光素子アレイ、発光素子パッケージ

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