WO2012159620A2 - Verfahren zur impedanzanpassung der ausgangsimpedanz einer hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die impedanz einer plasmalast und hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung - Google Patents

Verfahren zur impedanzanpassung der ausgangsimpedanz einer hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die impedanz einer plasmalast und hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung Download PDF

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    • H05H2242/26—Matching networks

Definitions

  • the invention relates to a method for impedance matching the output impedance of a high frequency power supply arrangement to the impedance of a plasma load and a high frequency power supply arrangement.
  • High frequency power supply devices typically generate a high frequency power signal at a frequency> 3 MHz to thereby excite and maintain a plasma in a plasma chamber.
  • High-frequency power supply devices typically include a high frequency signal generator.
  • the high frequency signal generator is often followed by an impedance matching network to adjust the output impedance of the high frequency signal generator to the impedance of the plasma load.
  • Impedance matching networks are typically located outside the high frequency signal generator.
  • the output impedance of the high frequency signal generator is set to 50 ⁇ so that it can be connected to the impedance matching network using standard high frequency cables.
  • the impedance matching network adjusts the impedance of the plasma load to the 50 ⁇ terminal of the high frequency signal generator.
  • Impedance matching networks often have capacitors whose capacitance value is mechanically adjustable by moving a capacitor plate. An impedance matching is therefore relatively slow.
  • the cost is relatively high to set the output impedance of the high frequency signal generator to 50 ⁇ .
  • Object of the present invention is to provide a method for impedance matching, which can be done with a few components on the one hand and on the other hand enables a fast impedance matching.
  • a method for impedance matching of the output impedance of a high-frequency power supply arrangement to the impedance of a plasma load comprising the method steps: a. Generating a high-frequency signal by means of a
  • RF signal generator In a first impedance matching mode, impedance matching of the output impedance of the high frequency power supply arrangement solely by changing the frequency of the generated high-frequency signal; c. Monitoring the frequency of the generated high frequency signal
  • Frequency range is, in a second impedance matching mode impedance matching the output impedance of the high-frequency power supply arrangement by mechanical and / or electrical change of a high-frequency signal generator downstream circuit.
  • the impedance matching thus takes place in two stages.
  • the change in the frequency of the generated high-frequency signal leads to a change in the output impedance.
  • a very rapid change of the output impedance can be effected. Therefore, as long as the frequency of the high-frequency signal is within a predetermined frequency range suitable for generating and maintaining a plasma, an impedance matching can be performed solely by changing the frequency of the high-frequency signal.
  • Impedance matching can also be done slightly slower.
  • a Impedance adjustment again (exclusively) by frequency variation in a frequency range suitable for the plasma generation or maintenance can be performed, the impedance matching takes place again exclusively by changing the frequency of the high frequency signal.
  • the impedance matching may be performed in the second impedance matching mode until the frequency of the high frequency signal is in an allowable frequency range, and then the
  • the predetermined frequency range may be the same frequency range that was used before the impedance matching in the second
  • Impedance matching mode has been performed. However, it is also possible to specify a different frequency range. For example, the frequency range can be specified, in the second
  • the allowable frequency range was used as the allowable frequency range.
  • the allowable frequency range may also correspond to the predetermined frequency range that was used before the second
  • the high-frequency signal can be generated by means of a self-exciting high-frequency signal generator, wherein the frequency of the high-frequency signal is automatically adjusted as a function of the plasma load. provides.
  • the output of the high-frequency signal generator can be coupled via a feedback network to the input of the high-frequency signal generator.
  • the feedback network returns part of the power of the generated high frequency signal at the output of the high frequency signal generator to its input.
  • the phase angle and amplitude of the feedback signal can be adjusted so that there is a positive feedback and the high-frequency signal generator generates a power with stable amplitude.
  • the frequency of the generated high-frequency signal can therefore be adjusted automatically, ie independently of an external clock signal, as a function of the impedance of the plasma load. In principle, however, it is also conceivable to actively set the frequency of the generated high-frequency signal via a controller or controller. However, this would be associated with increased circuit and control effort.
  • a part of the high-frequency power generated by the high-frequency signal generator can be coupled via a feedback network to the input of the high-frequency signal generator.
  • the high-frequency signal generator can adjust very quickly to the required frequency. In particular, this adjustment is much faster in comparison to a measurement and digitization of the impedance of the plasma load descriptive signals and subsequent digital control of the high frequency signal generator. Examples of self-exciting high-frequency signal generators are described in: "Tietze, Schenk: semiconductor circuit technology", 9th edition 1991, pages 459 to 466. There, the high-frequency signal generators are also referred to as "signal generator LC oscillators".
  • the second impedance matching mode may be performed when the frequency deviates more than 10% from a predetermined fundamental frequency.
  • the fundamental frequency can be relatively constant being held. Frequency changes remain low.
  • the influence of the plasma process by changing the frequency of the high-frequency signal remains low. This leads to homogeneous plasma processes.
  • At least one reactance of the downstream circuit can be switched on or off mechanically. This is advantageous for large capacity changes of the downstream circuit. This can be particularly advantageous for large, but rather rare load changes.
  • At least one reactance of the downstream circuit can be switched on or off electronically. This procedure is particularly advantageous for small capacity changes. By electronically connecting or disconnecting the capacity change can be brought much faster. If both a mechanical and an electronic connection or disconnection of a reactance is provided, there are particular advantages. Both large and small load changes are common in plasma pain. For both cases, an optimal impedance matching can be performed.
  • the capacitance of at least one capacitor of the downstream circuit can be changed. For example, this can be done by a mechanical adjustment of at least one capacitor plate of the capacitor. As a result, a continuous change of the capacitance and thus the output impedance is made possible. As a result, a very narrow frequency range of the high-frequency signal can be maintained. In particular, the frequency range can be kept almost constant.
  • the high frequency signal generated by the high frequency signal generator can be directly applied to the load without the use of a high frequency cable tuned to 50 ⁇ . Thereby, it is possible to mount the high frequency power supply assembly very close to the plasma chamber. This is possible in particular by low losses and thus lower cooling measures. Even the smaller design favors such an arrangement.
  • a multiple impedance conversion can be avoided by the method according to the invention.
  • it does not have to be transformed from a high frequency signal generator impedance to a cable impedance and then to a plasma impedance.
  • the output impedance of the RF power supply arrangement can be transformed directly to the plasma impedance.
  • the high-frequency signal generator can have electrical switches and be operated in the switching mode. As a result, small losses can be realized compared to high-frequency signal generators operating in amplifier mode. This also allows the attachment of the radio frequency signal excitation arrangement close to the plasma chamber. Thereby, the multiple impedance conversion can be avoided.
  • the high frequency signal generator can be operated in switching mode. This means that instead of amplifying vacuum tubes or amplifying transistors, switching elements (switches) are used, in particular transistors or transistor modules operating in switching operation. As a result, the loss of energy can be reduced. Installation close to the plasma chamber can thus be simplified because less energy has to be dissipated.
  • the switches can be turned on at voltages ⁇ 50% of the voltage supplying the high frequency signal generator.
  • High frequency signal generators are usually powered by a DC voltage. This tension, which is also Frequency response is often between 100 and 800 V in high-frequency power supply arrangements for supplying plasma loads. By reacting the load together with the impedance matching and possibly further reactances, the switching is often significantly higher and, with suitable control, also significantly lower at. If the correct setting ensures that the voltage ⁇ 50% is the DC link voltage at switch-on, the losses in the switches can be kept low. As a result, the switches are stressed little, which increases the life. In addition, a lower cost of cooling must be
  • the high-frequency signal generator can be operated in switching mode and the switches can be switched on at voltages> 5% of the voltage supplying the high-frequency signal generator.
  • very rapid load changes can occur. If, in the tuned range, it were switched precisely at a voltage of zero volts across the switches, the losses would be minimal. However, it could come with a load change to a shift at negative voltage. This can potentially be detrimental to the switches or result in much higher loss energy production in the switches.
  • the predetermined frequency range may be adjustable by a user. This makes the process particularly user-friendly. It is also possible to adjust the plasma processes very well, especially when commissioning new plasma processes. It is also conceivable that the predetermined frequency range is set automatically. This is particularly advantageous when commissioning known plasma processes.
  • the predetermined frequency range can be set automatically depending on the downstream circuit. As a result, findings on the plasma load and the downstream circuit can be incorporated into the setting of the frequency range. As a result, an improved process management is possible.
  • the predetermined frequency range can be fuzzy-controlled. As a result, both slow and fast load changes can be responded accordingly gently.
  • the specified frequency range can be regulated with hysteresis.
  • hysteresis control is advantageous for preventing too frequent a change between first and second impedance matching modes in the case of a plasma load which operates close to one end of the predetermined frequency range.
  • the load may have a resonant frequency with the downstream circuit and the frequency of the generated high frequency signal may be set equal to or below the resonant frequency.
  • the monitoring of the frequency of the generated high-frequency signal and the mechanical and / or electrical modification of the high-frequency signal generator downstream circuit can be effected by means of a regulator, in which the setting via an electronic interface of the frequency range. This results in a special user-friendliness. In addition, adaptation to a variety of many different plasma loads is possible.
  • the predetermined frequency range can be changed automatically depending on the plasma load. As a result, a non-ignited or partially ignited plasma can be detected. The frequency range can then be adjusted so that a complete ignition of the plasma can be achieved.
  • the scope of the invention also includes a method for igniting and operating a plasma load with a high-frequency power supply arrangement in which an impedance matching method according to the invention is carried out upon detection of an ignited plasma and the mechanical and / or electrical change of a detected plasma upon detection of an ignited plasma the circuit downstream of the high-frequency signal generator is stopped and / or the frequency of the high-frequency signal is set to a specific frequency. If no further ignition of the plasma then continues, sequentially further frequencies for the generated high-frequency signal can be set until ignition takes place. So a safe ignition can be enabled. At the same time, the high-frequency power supply arrangement can be prevented from searching in vain for a suitable adaptation while the plasma is not yet ignited.
  • the specific frequencies may be fixed or specified by the user.
  • the invention also relates to a high-frequency power supply arrangement for supplying a high-frequency signal to a plasma load, comprising a high-frequency signal generator for generating the high-frequency signal, a circuit connected downstream of the high-frequency signal generator and a monitoring device for monitoring the frequency of the generated high-frequency signal, wherein the monitoring device, the downstream circuit for changing the impedance the downstream circuit drives when the frequency of the high frequency signal leaves a predetermined frequency range.
  • a high-frequency power supply arrangement for supplying a high-frequency signal to a plasma load, comprising a high-frequency signal generator for generating the high-frequency signal, a circuit connected downstream of the high-frequency signal generator and a monitoring device for monitoring the frequency of the generated high-frequency signal, wherein the monitoring device, the downstream circuit for changing the impedance the downstream circuit drives when the frequency of the high frequency signal leaves a predetermined frequency range.
  • the output of the high-frequency signal generator can be coupled in particular via a feedback network to the input of the high-frequency signal generator.
  • the feedback network returns part of the power of the generated high frequency signal at the output of the high frequency signal generator to its input.
  • the phase angle and amplitude of the feedback signal can be adjusted so that there is a positive feedback and the high-frequency signal generator generates a power with stable amplitude. An external adjustment of the frequency of the high-frequency signal is not necessary.
  • the high-frequency signal generator can be connected to a DC power source and operated in the switching mode. As a result, the power loss can be reduced.
  • Fig. 1 is a highly schematic representation of a high-frequency power supply arrangement connected to a plasma load;
  • FIG. 2 is a first flowchart for illustrating the
  • Fig. 3 is a second flowchart for explaining a method for igniting and operating a plasma load.
  • FIG. 1 shows a high-frequency power supply arrangement 1 which is connected to a plasma load 2.
  • the connection 3 is a very short connection.
  • compound 3 is not a high frequency cable tuned to 50 ⁇ .
  • the plasma load 2 is direct, i. directly connected to the high frequency power supply 1.
  • the high-frequency power supply arrangement 1 has a DC power source 4 which is connected to a mains connection 5.
  • the DC power source 4 supplies a high-frequency signal generator 6 with a DC voltage.
  • the high-frequency signal generator 6 preferably has one or more switching elements (switches) and can be operated in the switching mode. Furthermore, the output 7 of the high-frequency signal generator is advantageously fed back to the input 8. pelt. This allows self-excitation. In particular, an automatic adjustment of the frequency of the high-frequency signal generated by the high-frequency signal generator 6 can take place in this manner.
  • impedance matching can only take place in a first impedance matching mode in that the frequency of the high-frequency signal generated by the high-frequency signal generator 6 is changed.
  • the output impedance at the output 9 of the high-frequency power supply arrangement 1 changes.
  • the frequency of the generated high-frequency signal is monitored by a monitoring device 10, which can be designed as a regulator. If the monitoring device 10 determines that the frequency of the high-frequency signal leaves a predetermined frequency range, a circuit 11 downstream of the high-frequency signal generator 6, which can also be referred to as an impedance matching network, is mechanically and / or electrically changed, so that the impedance at the output 9 changed. This takes place until an exclusive impedance matching to the impedance of the plasma load 2 can take place again by a change in the frequency of the high-frequency signal.
  • a high-frequency signal is generated by means of a high-frequency signal generator.
  • a first impedance matching mode in method step 101, an impedance matching of the output impedance of the high-frequency power supply arrangement is carried out exclusively by changing the frequency of the generated high-frequency signal.
  • method step 102 it is monitored whether the frequency of the generated high-frequency signal is within a predetermined frequency range. Is she lying in a predetermined frequency range, is returned to step 101. However, if the frequency is outside the predetermined frequency range, the method step 103 is entered. There, in a second impedance matching mode, a
  • FIG. 3 illustrates a method for igniting and operating a plasma load with a high-frequency supply arrangement.
  • a high-frequency signal is generated in a method step 200.
  • method step 201 it is checked whether the plasma is ignited in the plasma chamber, that is to say a plasma load is present. If this is affirmative, then the arrow 202 is followed by the procedure according to block 203, wherein the method in block 203 corresponds to the method described in FIG. 2 starting from method step 101. However, if it is recognized in method step 201 that a plasma has not been ignited, step 204 is proceeded to.
  • step 205 it is checked again whether the plasma is ignited or not. If it is ignited, is transferred to the block 203. If it is not ignited, the method step 204 is reentered.

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Abstract

Ein Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung (1) an die Impedanz einer Plasmalast (2) umfasst die Verfahrensschritte: a. Erzeugen eines Hochfrequenzsignals mittels eines Hochfrequenzsignalerzeugers (6); b. In einem ersten Impedanzanpassungsmodus Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz der Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung (1) ausschließlich durch Veränderung der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals; c. Überwachen der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals dahingehend, ob sie sich in einem vorgegebenen Frequenzbereich befindet; d. wenn sich die Frequenz außerhalb des vorgegebenen Frequenzbereichs befindet, in einem zweiten Impedanzanpassungsmodus Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz der Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung (1) durch mechanische und/oder elektrische Veränderung einer dem Hochfrequenzsignalerzeuger (6) nachgeschalteten Schaltung (11).

Description

B E S C H R E I B U N G
Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die Impedanz einer Plasmalast und Hochfrequenzleistungsversorgungsanord- nung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die Impedanz einer Plasmalast und eine Hochfrequenzleistungsversorgungs- anordnung.
Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnungen erzeugen in der Regel ein hochfrequentes Leistungssignal bei einer Frequenz > 3 MHz, um damit ein Plasma in einer Plasmakammer anzuregen und aufrecht zu erhalten.
Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnungen weisen in der Regel einen Hochfrequenzgenerator bzw. Hochfrequenzsignalerzeuger auf. Dem Hochfrequenzsignalerzeuger ist häufig ein Impedanzanpassungsnetzwerk nachgeschaltet, um die Ausgangsimpedanz des Hochfrequenzsignalerzeugers auf die Impedanz der Plasmalast anzupassen. Impedanzanpassungsnetzwerke sind in der Regel außerhalb des Hochfrequenzsignalerzeugers angeordnet. In der Regel wird die Ausgangsimpedanz des Hochfrequenzsignalerzeugers auf 50 Ω eingestellt, so dass dieser über übliche Hochfrequenzkabel an das Impedanzanpassungsnetzwerk angeschlossen werden kann. Das Impedanzanpassungsnetzwerk passt die Impedanz der Plasmalast an den 50 Ω Anschluss des Hochfrequenzsignalerzeugers an.
Impedanzanpassungsnetzwerke weisen häufig Kondensatoren auf, deren Kapazitätswert mechanisch verstellbar ist, indem eine Kondensatorplatte bewegt wird . Eine Impedanzanpassung erfolgt daher relativ langsam .
Außerdem ist im Stand der Technik der Aufwand relativ hoch, um die Ausgangsimpedanz des Hochfrequenzsignalerzeugers auf 50 Ω einzustellen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Impedanzanpassung bereit zu stellen, welches zum einen mit wenigen Bauteilen durchgeführt werden kann und zum anderen eine schnelle Impedanzanpassung ermöglicht.
Gelöst wird diese Aufgabe erfindungsgemäß durch ein Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsver- sorgungsanordnung an die Impedanz einer Plasmalast, umfassend die Verfahrensschritte : a. Erzeugen eines Hochfrequenzsignals mittels eines
Hochfrequenzsignalerzeugers; b. In einem ersten Impedanzanpassungsmodus Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz der Hochfrequenzleistungsversorgungs- anordnung ausschließlich durch Veränderung der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals; c. Überwachen der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals
dahingehend, ob sie sich in einem vorgegebenen Frequenzbereich befindet; d. wenn sich die Frequenz außerhalb des vorgegebenen
Frequenzbereichs befindet, in einem zweiten Impedanzanpassungsmodus Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz der Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung durch mechanische und/oder elektrische Veränderung einer dem Hochfrequenzsignalerzeuger nachgeschalteten Schaltung .
Erfindungsgemäß erfolgt die Impedanzanpassung also zweistufig. Die Veränderung der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals führt zu einer Veränderung der Ausgangsimpedanz. Durch Veränderung Hochfrequenz- leistungsversorgungsanordnung der Frequenz des Hochfrequenzsignals kann eine sehr schnelle Änderung der Ausgangsimpedanz bewirkt werden. Solange sich die Frequenz des Hochfrequenzsignals in einem vorgegebenen Frequenzbereich befindet, der geeignet ist, ein Plasma zu erzeugen und aufrecht zu erhalten, kann daher alleine durch die Veränderung der Frequenz des Hochfrequenzsignals eine Impedanzanpassung durchgeführt werden. Wenn die Frequenz jedoch so verändert werden muss, dass für eine Impedanzanpassung an die Plasmalast die Frequenz außerhalb des vorgegebenen Frequenzbereichs liegt, wird eine zweite Stufe der
Impedanzanpassung durchgeführt. In diesem Fall wird durch eine dem Hochfrequenzsignalerzeuger nachgeschaltete Schaltung eine
Impedanzanpassung durchgeführt. Diese Art der Impedanzanpassung muss relativ selten durchgeführt werden, weshalb diese Art der
Impedanzanpassung auch etwas langsamer erfolgen kann. Wenn durch die Veränderung der nachgeschalteten Schaltung bewirkt wird, dass eine Impedanzanpassung wieder (ausschließlich) durch Frequenzvariation in einem für die Plasmaerzeugung oder -aufrechterhaltung geeigneten Frequenzbereich durchgeführt werden kann, erfolgt die Impedanzanpassung wieder ausschließlich über Veränderung der Frequenz des Hochfrequenzsignals.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, ohne die zwischengeschaltete Impedanzanpassung auf einen Wert von 50 Ω auszukommen. Eine ausschließliche Impedanzanpassung durch Frequenzveränderung und bedarfsweiser Veränderung der nachgeschalteten Schaltung, kann eine Impedanzanpassung durchgeführt werden.
Die Impedanzanpassung kann im zweiten Impedanzanpassungsmodus durchgeführt werden, bis die Frequenz des Hochfrequenzsignals in einem zulässigen Frequenzbereich ist und anschließend kann die
Impedanzanpassung im ersten Impedanzanpassungsmodus durchgeführt werden. Hierbei wird wieder überwacht, ob die Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals in einem vorgegebenen Frequenzbereich liegt. Der vorgegebene Frequenzbereich kann dabei derselbe Frequenzbereich sein, der verwendet wurde, ehe die Impedanzanpassung im zweiten
Impedanzanpassungsmodus durchgeführt wurde. Es kann aber auch ein anderer Frequenzbereich vorgegeben werden. Beispielsweise kann der Frequenzbereich vorgegeben werden, der im zweiten
Impedanzanpassungsmodus als zulässiger Frequenzbereich verwendet wurde. Der zulässige Frequenzbereich kann auch dem vorgegebenen Frequenzbereich entsprechen, der verwendet wurde, ehe der zweite
Impedanzanpassungsmodus durchgeführt wurde.
Das Hochfrequenzsignal kann mittels eines sich selbst anregenden Hochfrequenzsignalerzeugers erzeugt werden, wobei sich die Frequenz des Hochfrequenzsignals automatisch in Abhängigkeit von der Plasmalast ein- stellt. Bei einem sich selbst anregenden Hochfrequenzsignalerzeuger kann der Ausgang des Hochfrequenzsignalerzeugers über ein Rückkoppelnetzwerk auf den Eingang des Hochfrequenzsignalerzeugers gekoppelt sein. Das Rückkoppelnetzwerk leitet einen Teil der Leistung des erzeugten Hochfrequenzsignals am Ausgang des Hochfrequenzsignalerzeugers an seinen Eingang zurück. Die Phasenlage und Amplitude des Rückkoppelsignals kann so eingestellt werden, dass es zu einer positiven Rückkopplung kommt und der Hochfrequenzsignalerzeuger eine Leistung mit stabiler Amplitude erzeugt. Die Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals kann also in Abhängigkeit von der Impedanz der Plasmalast automatisch, d.h. unabhängig von einem externen Taktsignal, eingestellt werden. Grundsätzlich ist es jedoch auch denkbar, über eine Regelung oder Steuerung die Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals aktiv einzustellen. Dies wäre jedoch mit erhöhtem Schaltungs- und Regelaufwand verbunden.
Wie erwähnt, kann ein Teil der vom Hochfrequenzsignalerzeuger erzeugten Hochfrequenzleistung über ein Rückkoppelnetzwerk an den Eingang des Hochfrequenzsignalerzeugers gekoppelt werden. Auf diese Weise kann sich der Hochfrequenzsignalerzeuger sehr schnell auf die erforderliche Frequenz einstellen. Insbesondere erfolgt diese Einstellung viel schneller im Vergleich zu einer Messung und Digitalisierung von die Impedanz der Plasmalast beschreibenden Signalen und nachfolgender digitaler Steuerung des Hochfrequenzsignalerzeugers. Beispiele für sich selbst anregende Hochfrequenzsignalerzeuger sind beschrieben in :„Tietze, Schenk: Halbleiter-Schaltungstechnik", 9. Auflage 1991, Seiten 459 bis 466. Dort werden die Hochfrequenzsignalerzeuger auch als„Signalgeneratoren-LC- Oszillatoren" bezeichnet.
Der zweite Impedanzanpassungsmodus kann durchgeführt werden, wenn die Frequenz mehr als 10% von einer vorgegebenen Grundfrequenz abweicht. Auf diese Art und Weise kann die Grundfrequenz relativ konstant gehalten werden. Frequenzänderungen bleiben gering. Somit bleibt die Beeinflussung des Plasmaprozesses durch eine Änderung der Frequenz des Hochfrequenzsignals gering . Dies führt zu homogenen Plasmaprozessen.
Im zweiten Impedanzanpassungsmodus kann zumindest eine Reaktanz der nachgeordneten Schaltung mechanisch zu- oder von dieser weg geschaltet werden . Dies ist vorteilhaft für große Kapazitätsänderungen der nachgeordneten Schaltung. Dies kann insbesondere bei großen, jedoch eher seltenen Lastwechseln vorteilhaft sein.
Weiterhin kann im zweiten Impedanzanpassungsmodus zumindest eine Reaktanz der nachgeordneten Schaltung elektronisch zu- oder von dieser weg geschaltet werden. Dieses Vorgehen ist besonders vorteilhaft für kleine Kapazitätsänderungen. Durch das elektronische Zu- oder Wegschalten kann die Kapazitätsänderung sehr viel schneller herbeigeführt werden. Wenn sowohl eine mechanische als auch eine elektronische Zu- oder Wegschaltung einer Reaktanz vorgesehen ist, ergeben sich besondere Vorteile. Sowohl große als auch geringe Lastwechsel kommen bei Plasmalasten häufig vor. Für beide Fälle kann eine optimale Impedanzanpassung durchgeführt werden.
Im zweiten Impedanzanpassungsmodus kann die Kapazität zumindest eines Kondensators der nachgeordneten Schaltung verändert werden. Beispielsweise kann dies durch eine mechanische Verstellung zumindest einer Kondensatorplatte des Kondensators erfolgen. Hierdurch wird eine stufenlose Änderung der Kapazität und damit der Ausgangsimpedanz ermöglicht. Dadurch kann ein sehr enger Frequenzbereich des Hochfrequenzsignals gehalten werden. Insbesondere kann der Frequenzbereich nahezu konstant gehalten werden . Das durch den Hochfrequenzsignalerzeuger erzeugte Hochfrequenzsignal kann direkt, ohne Verwendung eines auf 50 Ω abgestimmten Hochfrequenzkabels, der Last zugeführt werden. Dadurch ist es möglich, die Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung sehr nahe an der Plasmakammer zu montieren bzw. anzuordnen. Dies ist insbesondere durch niedrige Verluste und damit geringere Kühlungsmaßnahmen möglich. Auch die kleinere Bauweise begünstigt eine solche Anordnung. Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann insbesondere eine Mehrfach-Impedanz- Wandlung vermieden werden. Insbesondere muss nicht von einer Hochfrequenzsignalerzeugerimpedanz auf eine Kabelimpedanz und dann auf eine Plasmaimpedanz transformiert werden. Die Ausgangsimpedanz des der Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung kann direkt auf die Plasmaimpedanz transformiert werden.
Der Hochfrequenzsignalerzeuger kann elektrische Schalter aufweisen und im Schaltbetrieb betrieben werden. Dadurch können geringe Verluste gegenüber im Verstärkerbetrieb arbeitenden Hochfrequenzsignalerzeugern realisiert werden. Dies ermöglicht auch die Anbringung der Hochfrequenz- Signalanregungsanordnung nahe an der Plasmakammer. Dadurch kann die Mehrfachimpedanzwandlung vermieden werden.
Der Hochfrequenzsignalerzeuger kann im Schaltbetrieb betrieben werden. Das bedeutet, es werden anstatt verstärkender Vakuumröhren oder verstärkender Transistoren, schaltende Elemente (Schalter), insbesondere im Schaltbetrieb arbeitende Transistoren oder Transistormodule, eingesetzt. Dadurch kann die Verlustenergie verkleinert werden. Eine Montage nah an der Plasmakammer kann so vereinfacht werden, weil weniger Verlustenergie abgeführt werden muss. Die Schalter können bei Spannungen < 50% der den Hochfrequenzsignalerzeuger versorgenden Spannung eingeschaltet werden. Hochfrequenzsignalerzeuger werden in der Regel durch eine Gleichspannung mit Leistung versorgt. Diese Spannung, die auch Zwi- schenkreisspannung genannt wird, liegt bei Hochfrequenzleistungs- versorgungsanordnungen zur Versorgung von Plasmalasten häufig zwischen 100 und 800 V. Durch Reaktanzen der Last zusammen mit der Impedanzanpassung und eventuell weiteren Reaktanzen, liegt an den Schalten aber häufig eine deutlich höhere und bei geeigneter Ansteuerung auch deutlich niedrigere Spannung an. Sorgt man durch die richtige Einstellung dafür, dass beim Einschalten die Spannung < 50% als die Zwischenkreis- spannung ist, so können die Verluste in den Schaltern gering gehalten werden. Dadurch werden die Schalter wenig beansprucht, was die Lebensdauer erhöht. Außerdem muss ein geringerer Aufwand für die Kühlung betrieben werden.
Der Hochfrequenzsignalerzeuger kann im Schaltbetrieb betrieben werden und die Schalter können bei Spannungen > 5% der den Hochfrequenzsignalerzeuger versorgenden Spannung eingeschaltet werden. Insbesondere bei Plasmalasten kann es zu sehr schnellen Lastwechseln kommen. Wenn im abgestimmten Bereich genau bei einer Spannung von Null Volt über den Schaltern geschaltet würde, wären die Verluste minimal. Allerdings könnte es bei einem Lastwechsel zu einem Schalten bei negativer Spannung kommen. Das kann unter Umständen für die Schalter schädlich sein oder zu sehr viel höherer Verlustenergieerzeugung in den Schaltern führen. Um eine ausreichende Reserve und sichere Beherrschung solcher Lastwechsel sicherzustellen, ist es vorteilhaft, bei Spannungen > 0 Volt, insbesondere > 5% der den Hochfrequenzsignalerzeuger versorgenden Gleichspannung einzuschalten.
Der vorgegebene Frequenzbereich kann durch einen Benutzer einstellbar sein. Dadurch wird das Verfahren besonders bedienerfreundlich. Auch eine den Plasmaprozessen sehr gut angepasste Einstellung, insbesondere bei der Inbetriebnahme neuer Plasmaprozesse, ist möglich. Außerdem ist es denkbar, dass der vorgegebene Frequenzbereich automatisch eingestellt wird . Dies ist insbesondere bei der Inbetriebnahme bekannter Plasmaprozesse vorteilhaft.
Der vorgegebene Frequenzbereich kann in Abhängigkeit der nachgeschalteten Schaltung automatisch eingestellt werden . Dadurch können Erkenntnisse über die Plasmalast und die nachgeschaltete Schaltung in die Einstellung des Frequenzbereichs einfließen. Hierdurch wird eine verbesserte Prozessführung möglich.
Weiterhin kann der vorgegebene Frequenzbereich fuzzy-geregelt werden. Dadurch kann sowohl auf langsame als auch schnelle Laständerungen entsprechend sanft reagiert werden .
Der vorgegebene Frequenzbereich kann mit Hysterese geregelt werden. Insbesondere, wenn die Veränderung der nachgeschalteten Schaltung durch Umschalten von Reaktanzen erfolgt, ist eine Hystereseregelung vorteilhaft, um bei einer Plasmalast, die einen Betrieb nahe an einem Ende des vorgegebenen Frequenzbereichs bewirkt, ein zu häufiges Wechseln zwischen erstem und zweitem Impedanzanpassungsmodus zu verhindern.
Die Last kann zusammen mit der nachgeschalteten Schaltung eine Resonanzfrequenz aufweisen und die Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals kann gleich oder unterhalb der Resonanzfrequenz eingestellt werden. Dadurch kann eine besonders verlustarme und wenig belastende An- steuerung der Schaltelemente des Hochfrequenzsignalerzeugers erfolgen.
Die Überwachung der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals und die mechanische und/oder elektrische Veränderung der dem Hochfrequenzsignalerzeuger nachgeschalteten Schaltung kann mittels eines Reglers erfolgen, bei dem über eine elektronische Schnittstelle die Einstellung des Frequenzbereichs erfolgt. Dadurch ergibt sich eine besondere Bedienerfreundlichkeit. Außerdem ist eine Anpassung auf eine Vielzahl von vielen unterschiedlichen Plasmalasten möglich.
Es kann eine Erkennung der Impedanz der Plasmalast erfolgen und der vorgegebene Frequenzbereich kann abhängig von der Plasmalast automatisch verändert werden . Dadurch kann ein nicht oder teilweise gezündetes Plasma erkannt werden. Der Frequenzbereich kann dann so eingestellt werden, dass ein vollständiges Zünden des Plasmas erreicht werden kann.
In den Rahmen der Erfindung fällt außerdem ein Verfahren zum Zünden und Betreiben einer Plasmalast mit einer Hochfrequenzleistungsversor- gungsanordnung, bei dem bei Erkennung eines gezündeten Plasmas ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Impedanzanpassung durchgeführt wird und beim Erkennen eines nicht gezündeten Plasmas die mechanische und/oder elektrische Veränderung einer dem Hochfrequenzsignalerzeuger nachgeschalteten Schaltung unterbunden wird und/oder die Frequenz des Hochfrequenzsignals auf eine bestimmte Frequenz eingestellt wird . Erfolgt dann weiterhin kein Zünden des Plasmas, können sequentiell weitere Frequenzen für das erzeugte Hochfrequenzsignal eingestellt werden, bis ein Zünden erfolgt. So kann ein sicheres Zünden ermöglicht werden. Gleichzeitig kann verhindert werden, dass die Hochfrequenzleistungsversor- gungsanordnung vergeblich nach einer geeigneten Anpassung sucht, während das Plasma noch nicht gezündet ist. Die bestimmten Frequenzen können fest vorgegeben sein oder vom Benutzer vorgegeben werden. Es ist auch möglich, die Frequenzen automatisch in Abhängigkeit einer ermittelten Impedanz, reflektierten Leistung oder eines Oberwellenspektrums einzustellen. Diese Maßnahmen können ein sicheres Zünden und eine anschließend sichere und schnelle Impedanzanpassung sicherstellen. Die Erfindung betrifft außerdem eine Hochfrequenzleistungsversorgungs- anordnung zur Versorgung einer Plasmalast mit einem Hochfrequenzsignal, umfassend einen Hochfrequenzsignalerzeuger zur Erzeugung des Hochfrequenzsignals, eine dem Hochfrequenzsignalerzeuger nachgeschaltete Schaltung und eine Überwachungseinrichtung zur Überwachung der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals, wobei die Überwachungseinrichtung die nachgeschaltete Schaltung zur Veränderung der Impedanz der nachgeschalteten Schaltung ansteuert, wenn die Frequenz des Hochfrequenzsignals einen vorgegebenen Frequenzbereich verlässt. Mit einer solchen Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung kann das erfindungsgemäße Verfahren implementiert werden.
Der Ausgang des Hochfrequenzsignalerzeugers kann insbesondere über ein Rückkoppelnetzwerk auf den Eingang des Hochfrequenzsignalerzeugers gekoppelt sein. Das Rückkoppelnetzwerk leitet einen Teil der Leistung des erzeugten Hochfrequenzsignals am Ausgang des Hochfrequenzsignalerzeugers an seinen Eingang zurück. Die Phasenlage und Amplitude des Rückkoppelsignals kann so eingestellt werden, dass es zu einer positiven Rückkopplung kommt und der Hochfrequenzsignalerzeuger eine Leistung mit stabiler Amplitude erzeugt. Eine externe Einstellung der Frequenz des Hochfrequenzsignals ist nicht notwendig .
Der Hochfrequenzsignalerzeuger kann an eine Gleichstromquelle angeschlossen und im Schaltbetrieb betrieben sein. Dadurch kann die Verlustleistung reduziert werden.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung schematisch dargestellt und werden nachfolgend mit Bezug zu den Figuren der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen :
Fig . 1 eine stark schematisierte Darstellung einer an eine Plasmalast angeschlossenen Hochfrequenzleistungsversorgungsanord- nung;
Fig . 2 ein erstes Flussdiagramm zur Darstellung des
erfindungsgemäßen Verfahrens;
Fig . 3 ein zweites Flussdiagramm zur Erläuterung eines Verfahrens zum Zünden und Betreiben einer Plasmalast.
Die Figur 1 zeigt eine Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung 1, die an eine Plasmalast 2 angeschlossen ist. Die Verbindung 3 ist eine sehr kurze Verbindung. Insbesondere handelt es sich bei der Verbindung 3 nicht um ein auf 50 Ω abgestimmtes Hochfrequenzkabel . Die Plasmalast 2 ist direkt, d.h . unmittelbar, an die Hochfrequenzleistungsversorgungsan- ordnung 1 angeschlossen.
Die Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung 1 weist eine Gleichstromquelle 4 auf, die an einen Netzanschluss 5 angeschlossen ist. Die Gleichstromquelle 4 versorgt einen Hochfrequenzsignalerzeuger 6 mit einer Gleichspannung . Der Hochfrequenzsignalerzeuger 6 weist vorzugsweise ein oder mehrere schaltende Elemente (Schalter) auf und kann im Schaltbetrieb betrieben werden. Weiterhin ist vorteilhafterweise der Ausgang 7 des Hochfrequenzsignalerzeugers auf den Eingang 8 rückgekop- pelt. Dadurch ist eine Selbstanregung möglich. Insbesondere kann auf diese Art und Weise eine automatische Einstellung der Frequenz des vom Hochfrequenzsignalerzeuger 6 erzeugten Hochfrequenzsignals erfolgen.
Ändert sich die Impedanz der Plasmalast 2, so kann in einem ersten Impedanzanpassungsmodus eine Impedanzanpassung lediglich dadurch erfolgen, dass die Frequenz des vom Hochfrequenzsignalerzeuger 6 erzeugten Hochfrequenzsignals verändert wird . Dadurch ändert sich nämlich die Ausgangsimpedanz am Ausgang 9 der Hochfrequenzleistungs- versorgungsanordnung 1. Durch eine Überwachungseinrichtung 10, die als Regler ausgebildet sein kann, wird die Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals überwacht. Stellt die Überwachungseinrichtung 10 fest, dass die Frequenz des Hochfrequenzsignals einen vorgegebenen Frequenzbereich verlässt, so wird eine dem Hochfrequenzsignalerzeuger 6 nachgeschaltete Schaltung 11, die auch als Impedanzanpassungsnetzwerk bezeichnet werden kann, mechanisch und/oder elektrisch verändert, so dass sich auch die Impedanz am Ausgang 9 verändert. Dies erfolgt so lange, bis durch eine Frequenzänderung des Hochfrequenzsignals wieder eine ausschließliche Impedanzanpassung an die Impedanz der Plasmalast 2 erfolgen kann.
Diese Verfahrensweise ist nachfolgend mit Bezug zu der Figur 2 nochmals erläutert. In einem ersten Verfahrensschritt 100 wird ein Hochfrequenzsignal mittels eines Hochfrequenzsignalerzeugers erzeugt.
In einem ersten Impedanzanpassungsmodus wird im Verfahrensschritt 101 eine Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz der Hochfrequenz- leistungsversorgungsanordnung ausschließlich durch Veränderung der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals durchgeführt. Im Verfahrensschritt 102 wird überwacht, ob die Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals in einem vorgegebenen Frequenzbereich liegt. Liegt sie in einem vorgegebenen Frequenzbereich, wird zum Verfahrensschritt 101 zurückgesprungen. Liegt die Frequenz jedoch außerhalb des vorgegebenen Frequenzbereichs, wird in den Verfahrensschritt 103 übergegangen. Dort wird in einem zweiten Impedanzanpassungsmodus eine
Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz der Hochfrequenzleistungs- versorgungsanordnung durch mechanische und/oder elektrische Veränderung einer dem Hochfrequenzsignalerzeuger nachgeschalteten Schaltung durchgeführt, bis sich die Frequenz des Hochfrequenzsignals wieder in einem zulässigen Frequenzbereich findet. Ist dies der Fall, wird wieder in den Verfahrensschritt 101 übergegangen.
In der Figur 3 wird ein Verfahren zum Zünden und Betreiben einer Plasmalast mit einer Hochfrequenzversorgungsanordnung erläutert. Zunächst wird in einem Verfahrensschritt 200 ein Hochfrequenzsignal erzeugt. Im Verfahrensschritt 201 wird überprüft, ob das Plasma in der Plasmakammer gezündet ist, also eine Plasmalast vorliegt. Wird dies bejaht, so wird dem Pfeil 202 folgend in das Verfahren gemäß Block 203 übergegangen, wobei das Verfahren im Block 203 dem in der Figur 2 beschriebenen Verfahren ab dem Verfahrensschritt 101 entspricht. Wird im Verfahrensschritt 201 jedoch erkannt, dass ein Plasma nicht gezündet ist, wird zum Verfahrensschritt 204 übergegangen. Dort wird die nachgeschaltete Schaltung mechanisch und/oder elektrisch verändert, so dass diese eine andere Impedanz aufweist und/oder es wird die Frequenz des Hochfrequenzsignals auf eine bestimmte Frequenz eingestellt wird. Im Schritt 205 wird erneut geprüft, ob das Plasma gezündet ist oder nicht. Ist es gezündet, wird in den Block 203 übergegangen. Ist es nicht gezündet, wird erneut in den Verfahrensschritt 204 übergegangen.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung (1) an die Impedanz einer Plasmalast (2), umfassend die Verfahrensschritte : a. Erzeugen eines Hochfrequenzsignals mittels eines
Hochfrequenzsignalerzeugers (6); b. In einem ersten Impedanzanpassungsmodus Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz der Hochfrequenzleistungs- versorgungsanordnung (1) ausschließlich durch Veränderung der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals; c. Überwachen der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals dahingehend, ob sie sich in einem vorgegebenen
Frequenzbereich befindet; d. wenn sich die Frequenz außerhalb des vorgegebenen Frequenzbereichs befindet, in einem zweiten
Impedanzanpassungsmodus Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz der Hochfrequenzleistungsversorgungsanord- nung (1) durch mechanische und/oder elektrische Veränderung einer dem Hochfrequenzsignalerzeuger (6) nachgeschalteten Schaltung (11).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die
Impedanzanpassung im zweiten Impedanzanpassungsmodus durchgeführt wird, bis die Frequenz des Hochfrequenzsignals in einem zulässigen Frequenzbereich ist und anschließend die Impedanzanpassung im ersten Impedanzanpassungsmodus durchgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Hochfrequenzsignal mittels eines sich selbst anregenden Hochfrequenzsignalerzeugers (6) erzeugt wird, wobei sich die Frequenz des Hochfrequenzsignals automatisch in Abhängigkeit von der Plasmalast (2) einstellt.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil der vom Hochfrequenzsignalerzeuger (6) erzeugten Hochfrequenzleistung über ein Rückkoppelnetzwerk an den Eingang (8) des Hochfrequenzsignalerzeugers (6) gekoppelt wird .
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Impedanzanpassungsmodus durchgeführt wird, wenn die Frequenz mehr als 10% von einer vorgegebenen Grundfrequenz abweicht.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im zweiten Impedanzanpassungsmodus zumindest eine Reaktanz der nachgeordneten Schaltung (11) mechanisch zu- oder von dieser weggeschaltet wird .
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im zweiten Impedanzanpassungsmodus zumindest eine Reaktanz der nachgeordneten Schaltung (11) elektronisch zu- oder von dieser weggeschaltet wird .
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im zweiten Impedanzanpassungsmodus die Kapazität zumindest eines Kondensators der nachgeordneten Schaltung (11) verändert wird .
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das durch den Hochfrequenzsignalerzeuger (6) erzeugte Hochfrequenzsignal direkt ohne Verwendung eines auf 50Ω abgestimmten Hochfrequenzkabels der Plasmalast (2) zugeführt wird .
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Hochfrequenzsignalerzeuger (6) im Schaltbetrieb betrieben wird .
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Hochfrequenzsignalerzeuger (6) im Schaltbetrieb betrieben wird und die Schalter bei Spannungen kleiner 50% der den Hochfrequenzsignalerzeuger (6) versorgenden Spannung eingeschaltet werden.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Hochfrequenzsignalerzeuger (6) im Schaltbetrieb betrieben wird und die Schalter bei Spannungen größer 5% der den Hochfrequenzsignalerzeuger versorgenden Spannung eingeschaltet werden.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der vorgegebene Frequenzbereich durch einen Benutzer eingestellt wird.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der vorgegebene Frequenzbereich automatisch eingestellt wird.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der vorgegebene Frequenzbereich in Abhängigkeit der nachgeschalteten Schaltung (11) automatisch eingestellt wird.
16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der vorgegebene Frequenzbereich fuzzy-regelbar ist.
17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der vorgegebene Frequenzbereich mit Hysterese regelbar ist.
18. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Plasmalast (2) zusammen mit der nachgeschalteten Schaltung (11) eine Resonanzfrequenz aufweist und die Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals gleich oder unterhalb der Resonanzfrequenz eingestellt wird .
19. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Überwachung der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals und die mechanische und/oder elektrische Veränderung der dem Hochfrequenzsignalerzeuger (6) nachgeschalteten Schaltung (11) mittels eines Reglers erfolgt, bei dem über eine elektronische Schnittstelle die Einstellung des Frequenzbereichs erfolgt.
20. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Erkennung der Impedanz der Plasmalast (2) erfolgt und der vorgegebene Frequenzbereich abhängig von der Plasmalast (2) automatisch verändert wird.
21. Verfahren zum Zünden und Betreiben einer Plasmalast (2) mit einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung (1), bei dem bei Erkennung eines gezündeten Plasmas ein Verfahren zur
Impedanzanpassung nach einem der vorhergehenden Ansprüche durchgeführt wird und beim Erkennen eines nicht gezündeten Plasmas die mechanische und/oder elektrische Veränderung einer dem Hochfrequenzsignalerzeuger nachgeschalteten Schaltung unterbunden wird und/oder die Frequenz des Hochfrequenzsignals auf eine bestimmte Frequenz eingestellt wird .
22. Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung (1) zur Versorgung einer Plasmalast mit einem Hochfrequenzsignal, umfassend einen Hochfrequenzsignalerzeuger (6) zur Erzeugung des Hochfrequenzsignals, eine dem Hochfrequenzsignalerzeuger nachgeschaltete Schaltung (11) und eine Überwachungseinrichtung zur Überwachung der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals, wobei die Überwachungseinrichtung die nachgeschaltete Schaltung zur Veränderung der Impedanz der nachgeschalteten Schaltung ansteuert, wenn die Frequenz des Hochfrequenzsignals einen vorgegebenen Frequenzbereich verlässt.
23. Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Ausgang (7) des Hochfrequenzsignalerzeugers (6) auf einen Eingang (8) des Hochfrequenzsignalerzeugers (6) rückgekoppelt ist.
24. Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung nach einem der Ansprüche 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, dass der Hochfrequenzsignalerzeuger (6) an eine Gleichstromquelle (4) angeschlos- sen ist und im Schaltbetrieb betrieben ist.
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