WO2012159620A3 - Verfahren zur impedanzanpassung der ausgangsimpedanz einer hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die impedanz einer plasmalast und hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung - Google Patents

Verfahren zur impedanzanpassung der ausgangsimpedanz einer hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die impedanz einer plasmalast und hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung Download PDF

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Abstract

Ein Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung (1) an die Impedanz einer Plasmalast (2) umfasst die Verfahrensschritte: a. Erzeugen eines Hochfrequenzsignals mittels eines Hochfrequenzsignalerzeugers (6); b. In einem ersten Impedanzanpassungsmodus Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz der Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung (1) ausschließlich durch Veränderung der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals; c. Überwachen der Frequenz des erzeugten Hochfrequenzsignals dahingehend, ob sie sich in einem vorgegebenen Frequenzbereich befindet; d. wenn sich die Frequenz außerhalb des vorgegebenen Frequenzbereichs befindet, in einem zweiten Impedanzanpassungsmodus Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz der Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung (1) durch mechanische und/oder elektrische Veränderung einer dem Hochfrequenzsignalerzeuger (6) nachgeschalteten Schaltung (11).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106462115A (zh) * 2014-05-19 2017-02-22 通快许廷格两合公司 控制布置结构、控制系统和高频率功率发生装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101544975B1 (ko) * 2013-09-30 2015-08-18 주식회사 플라즈마트 임피던스 매칭 방법 및 임피던스 매칭 시스템
DE102013226537B4 (de) * 2013-12-18 2022-12-29 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungssystem mit mehreren Verstärkerpfaden sowie Verfahren zur Anregung eines Plasmas
DE102013226511B4 (de) 2013-12-18 2016-12-15 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungssystem und Verfahren zur Erzeugung einer Leistung
JP6313080B2 (ja) * 2014-03-19 2018-04-18 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
DE102015202317A1 (de) * 2015-02-10 2016-08-11 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungssystem für einen Plasmaprozess mit redundanter Leistungsversorgung
KR101983873B1 (ko) * 2015-03-24 2019-05-29 엠케이에스코리아 유한회사 임피던스 매칭 방법 및 임피던스 매칭 시스템
DE102018204587B4 (de) * 2018-03-26 2019-10-24 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Zündung eines Plasmas in einer Plasmakammer und Zündschaltung
US10345832B1 (en) * 2018-05-14 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Insulation system and substrate processing apparatus
JP6497724B1 (ja) * 2018-09-21 2019-04-10 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー 高周波電源システムに設けられるインピーダンス整合装置
DE102021201937A1 (de) 2021-03-01 2022-09-01 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Impedanzanpassung, Impedanzanpassungsanordnung und Plasmasystem
DE102021129565A1 (de) 2021-11-12 2023-05-17 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren und vorrichtung zum erhitzen eines mediums unter verwendung eines hf-signals
DE102022118340A1 (de) 2022-07-21 2024-02-01 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zum Zünden und/oder Aufrechterhalten eines Plasmas mit einem gepulsten Hochfrequenzsignal, Leistungsgenerator und Plasmaanordnung
KR102815118B1 (ko) * 2024-07-31 2025-06-04 (주)에이에스이 전력 공급 장치 및 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0155496A2 (de) * 1984-03-02 1985-09-25 The Perkin-Elmer Corporation Emissionsplasmaquelle
WO1988008645A1 (en) * 1987-04-30 1988-11-03 Br Communications Antenna coupler
US5474648A (en) * 1994-07-29 1995-12-12 Lsi Logic Corporation Uniform and repeatable plasma processing
EP0840350A2 (de) * 1996-11-04 1998-05-06 Applied Materials, Inc. Plasmagerät und Verfahren mit Ausfilterung von, in der Plasmahülle erzeugten harmonische Schwingungen
US20050061442A1 (en) * 2001-12-13 2005-03-24 Tsutomu Higashiura Plasma treatment apparatus and control method thereof
US20060220656A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Daihen Corporation High-frequency power source

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH665716A5 (de) 1984-04-24 1988-05-31 Wild Heerbrugg Ag Verfahren und vorrichtung zur markierung von bildpunkten in photogrammetrischen aufnahmen.
DE3615836A1 (de) 1986-05-10 1987-01-08 Wieland Hingst Verfahren zur induktiven erwaermung von materialien in scheibenform
DE4119738C2 (de) 1991-06-15 1995-05-11 Dressler Hochfrequenztechnik G Hochfrequenz-Generator
DE4122624C2 (de) 1991-07-09 1995-06-14 Dressler Hochfrequenztechnik G Schutzeinrichtung für einen Hochfrequenz-Generator, Hochfrequenz-Generator und Verfahren zum Schutz eines Hochfrequenz-Generators gegen dessen Zerstörung bei Leistungsfehlanpassung
US5688357A (en) * 1995-02-15 1997-11-18 Applied Materials, Inc. Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor
DE19610012B4 (de) 1996-03-14 2005-02-10 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Verfahren zur Stabilisierung eines Arbeitspunkts beim reaktiven Zerstäuben in einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre
US5654679A (en) * 1996-06-13 1997-08-05 Rf Power Products, Inc. Apparatus for matching a variable load impedance with an RF power generator impedance
JP2929284B2 (ja) * 1997-09-10 1999-08-03 株式会社アドテック 高周波プラズマ処理装置のためのインピーダンス整合及び電力制御システム
DE19963282A1 (de) 1999-12-27 2001-06-28 Tridonic Bauelemente Elektronisches Vorschaltgerät zum Betrieb einer Niederdruck-Entladungslampe
DE10154229B4 (de) 2001-11-07 2004-08-05 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung für die Regelung einer Plasmaimpedanz
DE60219580T2 (de) * 2001-12-20 2007-12-27 Canon K.K. Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabearbeitung
DE102004023750B4 (de) 2004-05-11 2007-08-02 Rofin Sinar Laser Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Gaslasers mit einer getakteten Hochfrequenzspannung und nach diesem Verfahren betriebener Gaslaser
DE102004039082A1 (de) 2004-08-12 2006-02-23 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Anordnung mit einem HF-angeregten Laserresonator
DE102006005128B4 (de) * 2006-02-04 2008-09-25 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Verfahren und Vorrichtung zur Lastanpassung
DE102006025736A1 (de) 2006-05-31 2007-12-06 RUHR-UNIVERSITäT BOCHUM Sterilisationsverfahren
DE102006058538A1 (de) 2006-12-12 2008-06-19 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Zündvorrichtung für eine Hochdruckentladungslampe und Hochdruckentladungslampe mit Zündvorrichtung
DE102007036592B4 (de) 2007-08-02 2014-07-10 Astrium Gmbh Hochfrequenzgenerator für Ionen- und Elektronenquellen
KR101479374B1 (ko) 2008-09-20 2015-01-12 트럼프 헛팅거 게엠베하 + 코 카게 플라즈마 파워 서플라이 장치
US8040068B2 (en) 2009-02-05 2011-10-18 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power control system
US8674606B2 (en) * 2009-04-27 2014-03-18 Advanced Energy Industries, Inc. Detecting and preventing instabilities in plasma processes
DE102009054449A1 (de) * 2009-11-25 2011-05-26 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Selbstabgleichende RF-Plasmastromversorgung
US8491759B2 (en) * 2010-10-20 2013-07-23 COMET Technologies USA, Inc. RF impedance matching network with secondary frequency and sub-harmonic variant
JP6084417B2 (ja) * 2012-09-28 2017-02-22 株式会社ダイヘン インピーダンス調整装置
US9082589B2 (en) * 2012-10-09 2015-07-14 Novellus Systems, Inc. Hybrid impedance matching for inductively coupled plasma system

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0155496A2 (de) * 1984-03-02 1985-09-25 The Perkin-Elmer Corporation Emissionsplasmaquelle
WO1988008645A1 (en) * 1987-04-30 1988-11-03 Br Communications Antenna coupler
US5474648A (en) * 1994-07-29 1995-12-12 Lsi Logic Corporation Uniform and repeatable plasma processing
EP0840350A2 (de) * 1996-11-04 1998-05-06 Applied Materials, Inc. Plasmagerät und Verfahren mit Ausfilterung von, in der Plasmahülle erzeugten harmonische Schwingungen
US20050061442A1 (en) * 2001-12-13 2005-03-24 Tsutomu Higashiura Plasma treatment apparatus and control method thereof
US20060220656A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Daihen Corporation High-frequency power source

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106462115A (zh) * 2014-05-19 2017-02-22 通快许廷格两合公司 控制布置结构、控制系统和高频率功率发生装置
CN106462115B (zh) * 2014-05-19 2019-10-18 通快许廷格两合公司 控制布置结构、控制系统和高频率功率发生装置

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